JP6443587B2 - スルホン酸エステル化合物及びその利用 - Google Patents
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1.下記式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物。
A1は、−O−又は−S−を表し、A2は、ナフタレン又はアントラセンから誘導される(n+1)価の基を表し、A3は、パーフルオロビフェニルから誘導されるm価の基を表し;
mは、2≦m≦4を満たす整数を表し、nは、1≦n≦4を満たす整数を表す。)
2.R1〜R4のうち、R1又はR3が、炭素数1〜3の直鎖アルキル基であり、残りが、水素原子である1のスルホン酸エステル化合物。
3.R1が、炭素数1〜3の直鎖アルキル基であり、R2〜R4が、水素原子である2のスルホン酸エステル化合物。
4.R5が、炭素数2〜4の直鎖アルキル基又はフェニル基である1〜3のいずれかのスルホン酸エステル化合物。
5.mが、2である1〜4のいずれかのスルホン酸エステル化合物。
6.nが、2である1〜5のいずれかのスルホン酸エステル化合物。
7.式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物が、下記式のいずれかで表される化合物である1のスルホン酸エステル化合物。
9.8の電子受容性物質前駆体、電荷輸送性物質及び有機溶媒を含む電荷輸送性ワニス。
10.前記有機溶媒が、低極性有機溶媒である9の電荷輸送性ワニス。
11.前記電荷輸送性物質が、アニリン誘導体である9又は10の電荷輸送性ワニス。
12.9〜11のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
13.12の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
14.9〜11のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて電荷輸送性薄膜を作製する工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
15.下記式(1'')で表されるスルホン酸塩化合物とハロゲン化剤とを反応させて、下記式(1')で表されるスルホニルハライド化合物を合成する工程又は下記式(1''')で表されるスルホン酸化合物とハロゲン化剤とを反応させて、下記式(1')で表されるスルホニルハライド化合物を合成する工程と、該スルホニルハライド化合物と下記式(2)で表されるグリコールエーテル類とを反応させる工程とを含む、下記式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物の製造方法。
A1は、−O−又は−S−を表し、A2は、ナフタレン又はアントラセンから誘導される(n+1)価の基を表し、A3は、パーフルオロビフェニルから誘導されるm価の基を表し;
M+は、1価のカチオンを表し;
Halは、ハロゲン原子を表し;
mは、2≦m≦4を満たす整数を表し、nは、1≦n≦4を満たす整数を表す。)
本発明の電子受容性物質前駆体は、下記式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物からなるものである。なお、本発明において、電子受容性物質とは、電子輸送能及び成膜均一性を向上させるために用いられるものであり、電子受容性ドーパントと同義である。
(式中、A1〜A3、R1〜R5、m及びnは、前記と同じ。M+は、ナトリウムイオン、カリウムイオン、ピリジニウムイオン、4級アンモニウムイオン等の1価のカチオンを表す。Halは、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子を表す。)
本発明の電荷輸送性ワニスは、式(1)で表される化合物からなる電子受容性物質前駆体、電荷輸送性物質、及び有機溶媒を含む。なお、本発明において、電荷輸送性とは導電性と同義である。電荷輸送性ワニスとは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、それにより得られる固形膜が電荷輸送性を有するものでもよい。
前記電荷輸送性物質としては、従来有機ELの分野で使用されているものを用いることができ、具体的には、アニリン誘導体、チオフェン誘導体、ピロール誘導体等の電荷輸送性オリゴマーが挙げられる。前記電荷輸送性オリゴマーの分子量は、通常200〜8,000であるが、電荷輸送性の高い薄膜を与えるワニスを調製する観点から、好ましくは300以上、より好ましくは400以上、より一層好ましくは500以上であり、平坦性の高い薄膜を与える均一なワニスを調製する観点から、好ましくは6,000以下であり、より好ましくは5,000以下であり、より一層好ましくは4,000以下であり、更に好ましくは3,000以下である。
特に、R3a〜R6aとしては、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、水素原子、フッ素原子がより一層好ましく、水素原子が最適である。
また、R28a及びR29aとしては、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数6〜20のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜20のヘテロアリール基が好ましく、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいナフチル基がより好ましく、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
そして、R52aとしては、水素原子、Z1aで置換されてもよい炭素数6〜20のアリール基が好ましく、水素原子、Z1aで置換されてもよいフェニル基、Z1aで置換されてもよいナフチル基がより好ましく、Z1aで置換されてもよいフェニル基がより一層好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
炭素数6〜20のアリール基の具体例としては、R1a及びR2aで説明したものと同様のものが挙げられ、ジ(炭素数6〜20のアリール)アミノ基の具体例としては、ジフェニルアミノ基、1−ナフチルフェニルアミノ基、ジ(1−ナフチル)アミノ基、1−ナフチル−2−ナフチルアミノ基、ジ(2−ナフチル)アミノ基等が挙げられる。
Ar4としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、p−(ジフェニルアミノ)フェニル基、p−(1−ナフチルフェニルアミノ)フェニル基、p−(ジ(1−ナフチル)アミノ)フェニル基、p−(1−ナフチル−2−ナフチルアミノ)フェニル基、p−(ジ(2−ナフチル)アミノ)フェニル基が好ましく、p−(ジフェニルアミノ)フェニル基がより好ましい。
前記式(D2)におけるqは、1又は2を表す。
本発明の電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、前記アニリン誘導体及び前記スルホン酸エステル化合物を良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。エステル化されていないスルホン酸化合物を溶解させるためには、少なくとも1種の高極性溶媒を含有させることが必要であるのに対し、前記スルホン酸エステル化合物は溶媒の極性を問わず、溶媒中に溶解することが可能である。本発明において、低極性溶媒とは周波数100kHzでの比誘電率が7未満のものを、高極性溶媒とは周波数100kHzでの比誘電率が7以上のものと定義する。
例えば、クロロホルム、クロロベンゼン等の塩素系溶媒;
トルエン、キシレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、デシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、
1−オクタノール、1−ノナノール、1−デカノール等の脂肪族アルコール系溶媒;
テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4−メトキシトルエン、3−フェノキシトルエン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒;
安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、フタル酸ビス(2−エチルヘキシル)、マレイン酸ジブチル、しゅう酸ジブチル、酢酸ヘキシル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒
等が挙げられる。
また、高極性溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルイソブチルアミド、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン等のアミド系溶媒;
エチルメチルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;
アセトニトリル、3−メトキシプロピオニトリル等のシアノ系溶媒;
エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、1,3−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール等の多価アルコール系溶媒;
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、2−フェノキシエタノール、2−ベンジルオキシエタノール、3−フェノキシベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール等の脂肪族アルコール以外の1価アルコール系溶媒;
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒
が挙げられる。これらの溶媒は、用途に応じて、1種単独で又は2種以上混合して用いることができる。
本発明の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して乾燥させることで、基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
本発明の有機EL素子は、一対の電極を有し、これら電極の間に、前述した本発明の電荷輸送性薄膜を備えるものである。
(a)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(b)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
(c)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(d)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
(e)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
(f)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極
(1)1H-NMR測定:Bruker社製、Ascend 500
(2)LC/MS:Waters社製、ZQ 2000
(3)基板洗浄:長州産業(株)製、基板洗浄装置(減圧プラズマ方式)
(4)ワニスの塗布:ミカサ(株)製、スピンコーターMS-A100
(5)膜厚測定:(株)小坂研究所製、微細形状測定機サーフコーダET-4000
(6)有機EL素子の作製:長州産業(株)製、多機能蒸着装置システムC-E2L1G1-N
(7)有機EL素子の輝度等の測定:(有)テック・ワールド製、I-V-L測定システム
(8)溶媒の比誘電率測定:ソーラトロン社製 1260型周波数応答アナライザ、及び1296型誘電率測定インターフェイス
(9)ワニス導電率の測定:メトラー・トレド社製 導電率測定セブンゴーSG3
1H-NMR(500MHz, CDCl3): δ 0.92-0.97(m, 12H), 1.34 and 1.40(a pair of d, J=6.5Hz, 12H), 3.32-3.52(m, 16H), 4.80-4.87(m, 4H), 7.37(s, 2H), 8.22(d, J=8.5Hz, 2H), 8.45(s, 2H), 8.61(d, J=8.5Hz, 2H) , 8.69(s, 2H).
LC/MS (ESI+) m/z; 1264 [M+NH4]+
プロピレングリコールモノエチルエーテルのかわりにプロピレングリコールモノブチルエーテル3.17g(24mmol)を用いた以外は、実施例1−1と同様の方法で合成を行い、下記式で表されるスルホン酸エステル化合物NSO−2−PGBE0.25gを白色固体として得た(収率9%(スルホン酸ナトリウム塩Aからの2段階収率))。1H-NMR及びLC/MSの測定結果を以下に示す。
1H-NMR(500MHz, CDCl3): δ 0.75-0.82(m, 12H), 1.12-1.41(m, 28H),3.26-3.50(m, 16H),4.79-4.91(m, 4H), 7.36(s, 2H), 8.22(dd, J=1.5, 9.0Hz, 2H), 8.44(s, 2H), 8.61(d, J=9.0Hz, 2H) , 8.68(d, J=1.5Hz, 2H).
LC/MS (ESI+) m/z; 1376 [M+NH4]+
プロピレングリコールモノエチルエーテルのかわりにプロピレングリコールモノフェニルエーテル3.65g(24mmol)を用いた以外は、実施例1−1と同様の方法で合成を行い、下記式で表されるスルホン酸エステル化合物NSO−2−POP0.54gを白色固体として得た(収率19%(スルホン酸ナトリウム塩Aからの2段階収率))。1H-NMR及びLC/MSの測定結果を以下に示す。
1H-NMR(500MHz, CDCl3): δ1.54-1.55(m, 12H), 3.94-3.96(m, 4H),4.01-4.09(m, 4H), 5.01-5.07(m, 4H), 6.53-6.58(m, 8H), 6.84-6.88(m, 4H), 7.09-7.15(m, 8H),7.35(s, 2H), 8.18(d, J=9.0Hz, 2H), 8.32(s, 2H), 8.54-8.56(m, 4H).
LC/MS (ESI+) m/z; 1456 [M+NH4]+
[実施例2−1]電荷輸送性ワニスA1の調製(固形分濃度5質量%)
実施例1−1で合成したNSO−2−PGEE(385mg)及びオリゴアニリン化合物1(141mg)を、3−フェノキシトルエン(5g、比誘電率:2.7)及びテトラリン(5g、比誘電率:2.2)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスA1を得た。なお、オリゴアニリン化合物1は、国際公開第2013/084664号記載の方法に従って合成した。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(149mg)及びオリゴアニリン化合物1(55mg)を用いた以外は実施例2−1と同様の方法で調製した。
NSO−2−PGBE(394mg)及びオリゴアニリン化合物1(132mg)を、3−フェノキシトルエン(5g)及びテトラリン(5g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGBEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスA3を得た。
NSO−2−POP(399mg)及びオリゴアニリン化合物1(127mg)を、3−フェノキシトルエン(5g)及びテトラリン(5g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−POPは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスA4を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(385mg)、オリゴアニリン化合物1(85mg)及びオリゴアニリン化合物2(56mg)を、3−フェノキシトルエン(5g)及びテトラリン(5g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスA5を得た。なお、オリゴアニリン化合物2は、国際公開第2015/050253号の製造例24−2に記載の方法に従って合成した。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(337mg)及びオリゴアニリン化合物3(190mg)を、3−フェノキシトルエン(5g)及びテトラリン(5g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスA6を得た。なお、オリゴアニリン化合物3は、国際公開第2015/050253号の合成例18に記載の方法に従って合成した。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(329mg)、オリゴアニリン化合物2(149mg)及びオリゴアニリン化合物3(48mg)を、3−フェノキシトルエン(5g)及びテトラリン(5g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスA7を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(385mg)及びオリゴアニリン化合物1(141mg)を、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル(7g、比誘電率:4.6)及び安息香酸ブチル(3g、比誘電率:2.5)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスB1を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(385mg)、オリゴアニリン化合物1(85mg)及びオリゴアニリン化合物2(56mg)を、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル(7g)及び安息香酸ブチル(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスB2を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(337mg)及びオリゴアニリン化合物3(190mg)を、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル(7g)及び安息香酸ブチル(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスB3を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(329mg)、オリゴアニリン化合物2(149mg)及びオリゴアニリン化合物3(48mg)を、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル(7g)及び安息香酸ブチル(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスB4を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(385mg)及びオリゴアニリン化合物1(141mg)を、4−メトキシトルエン(7g、比誘電率:2.9)及びシクロヘキシルベンゼン(3g、比誘電率:2.0)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスC1を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(385mg)、オリゴアニリン化合物1(85mg)及びオリゴアニリン化合物2(56mg)を、4−メトキシトルエン(7g)及びシクロヘキシルベンゼン(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスC2を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(337mg)及びオリゴアニリン化合物3(190mg)を、4−メトキシトルエン(7g)及びシクロヘキシルベンゼン(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスC3を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(329mg)、オリゴアニリン化合物2(149mg)及びオリゴアニリン化合物3(48mg)を、4−メトキシトルエン(7g)及びシクロヘキシルベンゼン(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスC4を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(385mg)及びオリゴアニリン化合物1(141mg)を、安息香酸エチル(7g、比誘電率:4.0)及びジベンジルエーテル(3g、比誘電率:3.3)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスD1を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(385mg)、オリゴアニリン化合物1(85mg)及びオリゴアニリン化合物2(56mg)を、安息香酸エチル(7g)及びジベンジルエーテル(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスD2を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(337mg)及びオリゴアニリン化合物3(190mg)を、安息香酸エチル(7g)及びジベンジルエーテル(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスD3を得た。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(352mg)、オリゴアニリン化合物3(159mg)及びオリゴアニリン化合物4(15mg)を、安息香酸エチル(7g)及びジベンジルエーテル(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスD4を得た。なお、オリゴアニリン化合物4は、国際公開第2016/190326号の合成例1に記載の方法に従って合成した。
実施例1−2で合成したNSO−2−PGEE(329mg)、オリゴアニリン化合物2(149mg)及びオリゴアニリン化合物3(48mg)を、安息香酸エチル(7g)及びジベンジルエーテル(3g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2−PGEEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスD5を得た。
NSO−2−PGME(384mg)及びオリゴアニリン化合物1(142mg)を、3−フェノキシトルエン(5g)及びテトラリン(5g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、30分間加熱攪拌したが、溶け残りが生じた。70℃、400rpm、20分間加熱攪拌することで、NSO−2−PGMEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスEを得た。
NSO−2(349mg)及びオリゴアニリン化合物1(177mg)を、3−フェノキシトルエン(5g)及びテトラリン(5g)の混合溶媒に加え、90℃、400rpm、30分間加熱攪拌したが、NSO−2は全く溶解しなかった。
NSO−2(349mg)及びオリゴアニリン化合物1(177mg)を、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(3.3g、比誘電率:26.0)、2,3−ブタンジオール(4g、比誘電率:17.0)及びジプロピレングリコールモノメチルエーテル(2.7g、比誘電率:7.9)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、5分間加熱攪拌した。これにより、NSO−2は完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスF1を得た。
NSO−2(149mg)及びオリゴアニリン化合物1(55mg)を用いた以外は比較例2−3と同様の方法で調製した。
NSO−2−PGME(331mg)及びオリゴアニリン化合物3(195mg)を、3−フェノキシトルエン(5g)及びテトラリン(5g)の混合溶媒に加え、50℃、400rpm、30分間加熱攪拌したが、溶け残りが生じた。70℃、400rpm、20分間加熱攪拌することで、NSO−2−PGMEは完全に溶媒に溶解した。得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、電荷輸送性ワニスGを得た。
[実施例3−1〜3−4、比較例3−1〜3−2]
電荷輸送性ワニスA1、A3、A4及びEを2℃で冷蔵保存し、保存開始後下記表1に示す時間が経過した時点における析出物の有無を観測した。結果を表1に示す。
以下の実施例及び比較例において、ITO基板としては、ITOが表面上に膜厚150nmでパターニングされた25mm×25mm×0.7tのガラス基板を用い、使用前にO2プラズマ洗浄装置(150W、30秒間)によって表面上の不純物を除去したものを使用した。
電荷輸送性ワニスA1を、スピンコーターを用いてITO基板に塗布した後、大気下で、120℃で1分間仮焼成をし、次いで200℃で30分間本焼成をし、ITO基板上に30nmの薄膜を形成した。
その上に、蒸着装置(真空度2.0×10-5Pa)を用いてα−NPD及びアルミニウムの薄膜を順次積層し、HODを得た。蒸着は、蒸着レート0.2nm/秒の条件で行った。α−NPD及びアルミニウムの薄膜の膜厚は、それぞれ30nm及び80nmとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、HODは封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。
酸素濃度2ppm以下、露点−85℃以下の窒素雰囲気中で、HODを封止基板の間に収め、封止基板を接着材((株)MORESCO製モレスコモイスチャーカットWB90US(P))により貼り合わせた。この際、捕水剤(ダイニック(株)製HD-071010W-40)をHODと共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、UV光を照射(波長365nm、照射量6,000mJ/cm2)した後、80℃で1時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスA3を用いた以外は、実施例4−1と同様の方法でHODを作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスA4を用いた以外は、実施例4−1と同様の方法でHODを作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスEを用いた以外は、実施例4−1と同様の方法でHODを作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスF1を用い、仮焼成を80℃で1分間とし、本焼成を230℃で15分間とした以外は、実施例4−1と同様の方法でHODを作製した。
以下の実施例及び比較例において、ITO基板としては、前記と同様のものを使用した。
電荷輸送性ワニスA1を、スピンコーターを用いてITO基板に塗布した後、大気下で、120℃で1分間仮焼成をし、次いで230℃で15分間本焼成をし、ITO基板上に30nmの正孔注入層薄膜を形成した。
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内で、TFBポリマー(Luminescence Technology社製LT-N148)の0.6質量%キシレン溶液を正孔注入層上にスピンコートにより成膜し、130℃で10分間の加熱焼成を行い、40nmの正孔輸送層薄膜を形成した。
その上に、蒸着装置(真空度2.0×10-5Pa)を用いてアルミニウムの薄膜を積層し、HODを得た。蒸着は、蒸着レート0.2nm/秒の条件で行った。アルミニウムの薄膜の膜厚は、80nmとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、HODは封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。
酸素濃度2ppm以下、露点−85℃以下の窒素雰囲気中で、HODを封止基板の間に収め、封止基板を接着材((株)MORESCO製モレスコモイスチャーカットWB90US(P))により貼り合わせた。この際、捕水剤(ダイニック(株)製HD-071010W-40)をHODと共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、UV光を照射(波長365nm、照射量6,000mJ/cm2)した後、80℃で1時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスA5〜A7を用いた以外は、実施例5−1と同様の方法でHODを作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスB1〜B4を用いた以外は、実施例5−1と同様の方法でHODを作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスC1〜C4を用いた以外は、実施例5−1と同様の方法でHODを作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスD1〜D5を用いた以外は、実施例5−1と同様の方法でHODを作製した。
正孔輸送層を形成しなかったこと以外は、実施例5−1と同様の方法でHODを作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスE、F1又はGを用いた以外は、実施例5−1と同様の方法でHODを作製した。
以下の実施例及び比較例において、ITO基板としては、ITOが表面上に膜厚150nmでパターニングされた25mm×25mm×0.7tのガラス基板を用い、使用前にO2プラズマ洗浄装置(150W、30秒間)によって表面上の不純物を除去したものを使用した。
電荷輸送性ワニスA1を、スピンコーターを用いてITO基板に塗布した後、120℃で1分間乾燥し、更に、大気雰囲気下、200℃で30分間焼成し、ITO基板上に30nmの均一な薄膜を形成した。
次いで、薄膜を形成したITO基板に対し、蒸着装置(真空度1.0×10-5Pa)を用いてα−NPDを0.2nm/秒にて30nm成膜した。次に、CBPとIr(PPy)3を共蒸着した。共蒸着はIr(PPy)3の濃度が6%になるように蒸着レートをコントロールし、40nm積層させた。次いで、Alq3、フッ化リチウム及びアルミニウムの薄膜を順次積層して有機EL素子を作製した。この際、蒸着レートは、Alq3及びアルミニウムについては0.2nm/秒、フッ化リチウムについては0.02nm/秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ20nm、0.5nm及び80nmとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機EL素子は封止
基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、前記と同様の方法で行った。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスA3を用いた以外は、実施例6−1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスA4を用いた以外は、実施例6−1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスEを用いた以外は、実施例6−1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
電荷輸送性ワニスA1のかわりに電荷輸送性ワニスF1を用い、仮焼成を80℃で1分間とし、本焼成を230℃で15分間とした以外は、実施例6−1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
Claims (15)
- R1〜R4のうち、R1又はR3が、炭素数1〜3の直鎖アルキル基であり、残りが、水素原子である請求項1記載のスルホン酸エステル化合物。
- R1が、炭素数1〜3の直鎖アルキル基であり、R2〜R4が、水素原子である請求項2記載のスルホン酸エステル化合物。
- R5が、炭素数2〜4の直鎖アルキル基又はフェニル基である請求項1〜3のいずれか1項記載のスルホン酸エステル化合物。
- mが、2である請求項1〜4のいずれか1項記載のスルホン酸エステル化合物。
- nが、2である請求項1〜5のいずれか1項記載のスルホン酸エステル化合物。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載のスルホン酸エステル化合物からなる電子受容性物質前駆体。
- 請求項8記載の電子受容性物質前駆体、電荷輸送性物質及び有機溶媒を含む電荷輸送性ワニス。
- 前記有機溶媒が、低極性有機溶媒である請求項9記載の電荷輸送性ワニス。
- 前記電荷輸送性物質が、アニリン誘導体である請求項9又は10記載の電荷輸送性ワニス。
- 請求項9〜11のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
- 請求項12記載の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項9〜11のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニスを用いて電荷輸送性薄膜を作製する工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 下記式(1'')で表されるスルホン酸塩化合物とハロゲン化剤とを反応させて、下記式(1')で表されるスルホニルハライド化合物を合成する工程又は下記式(1''')で表されるスルホン酸化合物とハロゲン化剤とを反応させて、下記式(1')で表されるスルホニルハライド化合物を合成する工程と、該スルホニルハライド化合物と下記式(2)で表されるグリコールエーテル類とを反応させる工程とを含む、下記式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物の製造方法。
A1は、−O−又は−S−を表し、A2は、ナフタレン又はアントラセンから誘導される(n+1)価の基を表し、A3は、パーフルオロビフェニルから誘導されるm価の基を表し;
M+は、1価のカチオンを表し;
Halは、ハロゲン原子を表し;
mは、2≦m≦4を満たす整数を表し、nは、1≦n≦4を満たす整数を表す。)
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