TWI327761B - Method for making semiconductor wafer and wafer holding article - Google Patents

Method for making semiconductor wafer and wafer holding article Download PDF

Info

Publication number
TWI327761B
TWI327761B TW095137130A TW95137130A TWI327761B TW I327761 B TWI327761 B TW I327761B TW 095137130 A TW095137130 A TW 095137130A TW 95137130 A TW95137130 A TW 95137130A TW I327761 B TWI327761 B TW I327761B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
wafer holding
less
equal
semiconductor
Prior art date
Application number
TW095137130A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200729390A (en
Inventor
Jitendra S Goela
Michael A Pickering
James T Fahey
Melinda S Strickland
Thomas Payne
Original Assignee
Rohm & Haas Elect Mat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm & Haas Elect Mat filed Critical Rohm & Haas Elect Mat
Publication of TW200729390A publication Critical patent/TW200729390A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI327761B publication Critical patent/TWI327761B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67306—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

1327761 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關提供具有減少缺陷的半導體 導體晶圓製程(pr。⑽ing)。更料言之，本發明係有關提 供具有減少缺陷的半導體晶圓之半導體晶圓製程，其中係 在具有減低的表面粗縫度之晶圓固持物件内進行處理$ (process) ° 【先前技術】 與半導體晶圓處理相關聯的諸項問題之—為晶圓並 型地會形成稱為滑移（SHP)之缺陷。滑移為沿著晶體學^面 (二ystaUographicp^s)之差排（disl〇cati〇n)，係在部份 早晶沿著此等平面彼此相對移動時形成的。此種移動可妒 在承受器(SUSCeptor)與晶圓之間處於低於最優接觸之日夺發匕 二典型地’滑移係源自於與承受器表面接觸的晶圓背側， 。後在後續處理中，擴展遍及晶圓。滑移的肇因可有 不過基本問題在於在表面上的小面積（尖點）接觸， 晶圓放置在表面之上或在表面上移動之時會造成高度局部 化應力。如此，重要者為產生沒有尖銳物體或突出物的表 面且提供經圓化的邊緣。低於最優接觸⑽心⑽。咖⑽ C〇maCt)時常是因製造承受器所用的陶:是材料之粗链表面 形貌㈣〇graphy)所致。此種移動也可能在薄膜形成製程之 過程中’晶圓受到不均勻的加熱或冷卻之時發生，特別是 在散熱較快的晶圓頂部表面與底部表面之間以及外邊緣 處。之後在存在著大幅溫度梯度的晶圓部份之處產生熱應 ·" ί-ή 93752 1327761 力，而在部份晶體移動以釋放出此等應力之時造成滑移。 具有滑移缺陷的晶圓在用來製造半導體裝置之時可能導致 不良的產率損失。 晶體滑移，於某些程度了，得經由了述方式而予以降 低：在晶圓與晶圓承受器之間雄持理想接觸，非常緩慢地 加熱晶圓，或製造比現有慣用晶圓更厚或直徑更小的^ 圓。不過，此等技術都難以在製造環境中實施和利用: 一種嘗試解決滑移問題的方法係揭示於頒給 Carbonaro 等人的 u.S. 6,〇99,65〇 之中。Carb〇na°r〇 係經由 在化學氣相沉積反應器内之經固持於承受器中的晶圓上面 放置蓋子（cover)來解決滑移問題。根據Carb〇nar〇 ,該蓋 曰日 :係用為熱障壁以將來自承受器的熱加以輻射且反射到瓜 圓之上。此舉據稱可阻止熱從晶圓輻射出，且減低跨越晶 f的：度梯度’藉此在蟲晶層形成過程之中與之後減少邊 去除晶圓中的滑移。該蓋子具有盘 ^ f盖子係由具有0.6厘米至2 54厘米厚度的碳化令 構成。變異其厚度據稱可用來控制從該蓋子 的熱置。該蓋子係放置在晶圓上方0.6厘米至5厘 =處。調整該距離據稱可用來控制反射回到晶圓上面的 …里。此點經認為可增加晶圓頂部上面的熱量。 除私之外’與半導體處理相關的其他 他的晶圓固持用裝置。黏滯難以定 又时次/、 晶圓從承受器提升時用定性方 ’、’里’不過可以在 式硯祭。若有感受到對晶圓 93752 6 1327761 有應力損害的黏貼，則有黏滯存在。應力損害可以由晶圓 -”結晶點缺陷 '線型缺陷和破裂予以觀察。當晶圓：支 .撐局於承受器表面某高度處且在該承受器表面與該晶圓之 ，間有侷限氣體（trapped sas)通過而造成晶圓相對於承受器 '移動之時即發生浮動。理想上，在半導體晶圓製程之中點 、滯和浮動都是零且晶圓在彼等的固持裝置之内保持不動。 因此之故，有需要-種可解決上面所討論的問題之改良方 法。 參【發明内容】 於本發明-方面中，提供一種方法，其包括修飾 • · (modify)晶圓固持物件的一個或多個表面以提供具有Ra小 .於或等於3微米及Rz(din)小於或等於15微米的表面之晶 .圓固持物件；將一個或多個半導體晶圓放置在該晶圓固持 物件之中；將帶有.一個或多個半導體晶圓的該具有以小 於或等於3微米及Rz(din)小於或等於15微米的表面之晶 鲁圓固持物件放置在處理室（pr〇cessingchamber)之内；及處 理（processing)該一個或多個半導體晶圓以修飾該一個或 多個半導體晶圓而形成具有少於或等於5〇個滑移缺陷的 經修飾半導體晶圓。 • 於本發明另一方面中，提供一種方法，其包括修飾晶 圓固持物件的一個或多個表面以提供具有〇.〇5毫米或更 大的邊緣半徑（edge radius) '小於或等於3微米的Ra及小 於或等於1 5微米的Rz(din)之晶圓固持物件；將一個或多 個半導體晶圓放置在該經修飾的晶圓固持物件之中；將帶 93752 7 1327761 -有一個或多個半導體晶圓的該具有小於或等於3微来的^ •及小於或等於15微米的Rz(din)之經修飾的晶圓固持物件 .放置在處理室之内；及處理該一個或多個半導體晶圓以修 •飾該一個或多個半導體晶圓而形成具有少於或等於％個〃 . 滑移缺陷的經修飾半導體晶圓。 於另^方面之中，提供具有小於或等於3微米的Ra 及小於或等於15微米的Rz(din)之晶圓固持物件。該晶圓 固持物件也可具有〇〇5毫米或更大的邊緣半徑。 除了減少或消除滑移之外，豸等方法也可減少或消除 黏滞與浮動之間的不平衡。 於在本說明書全文使用之時，除非文中另有不同的4 明否則下面的縮寫具有下面的意義：t =攝氏度；#】 =微米（mlcron = micr〇meter) ; m =米；⑽=厘米；瓜瓜 毫米；nm=夺来.a-史地· * - 不木，A -女培，mA =毫安培；CVD =化 學氣相沉積；PVD=物理氣相沉積；ml=毫升；min= ^ "赫妓，W =瓦=1焦耳/秒；erg=l達因厘米= 1 〇 焦耳；mV =荟件.！ 4* -「 笔伏，1大虱壓=鳩托（torr);1大氣麼 ·_ x 〇達因/平方厘米；psi=磅/平方吋；！大氣 厘叫4.7psi;rpm=轉數/分鐘；A=埃叫 聰=根均方；且随=掃描電子顯微術。 未’ 另有列的表明，否則所有百分比都是以重量計 : 婁文值乾圍都是包含上下限值且可用任何順序組 。料之處在於邏輯上此等數值範圍係受到加起來總和 93752 8 以7761 最高達100%之限制。 θ等方法L括修飾晶圓固持物件的一個或多個表面 :提供，、有Ra小於或等於3微米及Rz(din)小於或等於1 < =米的表面之晶圓固持物件；將—個或多個半導體晶圓放 在該晶圓固持物件之中；將帶有一個或多個半導體晶圓 / L 、有Ra小於或荨於3微米及Rz(din)小於或等於15 微米的表面之晶圓固持物件放置在處理室之内；及處理該 /個或夕個半導體晶圓以修飾該—個或多個半導體晶圓而 形成具有少於或等於5G個滑移缺陷的經修飾半導體晶圓。 除了提供減少的滑移缺陷之外，在該具有小於或等於 微米的Ra及小於或等於J 5微米的Rz(di啦晶圓固持物 件内處理晶圓也可減少或消除黏滞與浮動之間的不平衡。 表面粗I度係由表面紋理（surface化乂加代）的 二，所構成且包括Ra # Rz(din)。“Ra，，_相對於二 -坪疋長度之内記錄的平均線所得輪廓（峰）高度偏差絕對 值之异術平均值（平均粗趟度卜以的範圍為從3微米或更 小’或諸如從（U微米至〇.〇〇1微米，或諸如從〇 〇1微米 j 0.005微米。Rz(din)值為在該測量長度之内任何$個連 貫的採樣長度所得平均最大峰♦谷（peak-t。·讀ey)古 度。該峰♦谷距離為表面特徵（feature)的高度與表面同中的 槽或谷之間的距離。“峰，，係在輪廓之給定部份上高於中心 、㈣最大高度點。“谷，，係在輪廓之給定部份上低於中心線 的取大珠度點QRz(din)的範圍為從15微米或更小， 如從1微米至0.0()5微米，或諸如從3微米至“5微米。 93752 1327761 有多種方法可以用來測量表面粗糙度。一種適當的方 法為自協方差函數（autocovariance function)。二維自協方 差函數為一種方向和距離的函數且表在一方向中分開特定 長度的所有兩點配對的高度乘積之預期值。換言之，該自 協方差函數係描述特性特徵長度，亦即在具有特定高度的 兩峰之間的長度。對於自協方差函數對表面形貌的測定之 應用的說明可參閱 Keily et al.，〇/ Topographic Structure by Scanning Probe Microscopy， Journal of Vacuum Science Technology B, vol. 15, no. 4, July/August 1997, pp 1483-1493。有關粗链度參數和測定此 等參數的數值之方法的進一步說明在Standard ASME B46. 1 -2002, Surface texture (Surface Roughness. Wavines and Lav). American Society of Mechanical Engineers, 2003 之 中有提供。典型地，表面特徵的定向性表面形貌 (directionality surface topography)係使用原子力光譜術 (atomic force spectroscopy) (AFM)或光學輪廓儀（optical profilometer)予以測定。 該晶圓固持物件也可以具有邊緣半徑為0.05毫米或 更大，諸如從0.1毫米至1毫米的晶圓支撐邊緣。該半徑 係從四分之一圓測量，其為技藝中慣用的方法。可以使用 輪廓儀來測量該半徑或使用顯微鏡來完成此舉。〇.〇5毫米 或更大的邊緣半徑也可以減少或消除由應力所引起的晶圓 中之結晶點缺陷、線型缺陷以及破裂。 任何適當的陶瓷都可以用來製造晶圓固持物件。典型 10 93752 1327761
地，製造晶圓固持物件所使用的材料為碳化矽。碳化矽可 以使用許多種不同的方法來製造以產生具有不同且個別的 性質諸如熱傳導係數、電阻係數、密度和晶體結構之碳化 石夕。碳化石夕可為單晶或複晶（polycrystalline)。碳化石夕包括’ 但是不限定於，化學氣相沉積碳化矽、物理氣相沉積碳化 石夕、反應黏合碳化石夕（reaction bonded silicon carbide)、燒 結碳化碎、熱壓碳化秒 '和發泡碳化秒（foamed silicon carbide) 典型地，該碳化矽係選自CVD碳化矽、PVD碳 化矽、燒結碳化矽和熱壓碳化矽。更典型地，該碳化矽係 選自CVD碳化矽和PVD碳化矽。最典型地，該碳化矽係 CVD碳化矽。CVD碳化矽典型地為石-立方碳化矽。 任何適當的方法都可以用來修飾陶瓷物件的表面只 要該方法可以提供所欲的表面粗糙度和邊緣半徑即可。此 等方法包括，但是不限定於，機製（machining)、精研 (lapping)、拋光、研磨、砂粒噴吹、二氧化碳喷吹、餘刻（諸 如使用酸或驗的濕式餘刻或電漿钱刻）、燒钱（ablation)(諸 如高能燒姓（energetic ablation))、氧化、放電機製（electric discharge machining)、直接CVD、或在物件上形成塗覆 (coating)(諸如以CVD、PVD、和能量輔助CVD與PVD)。 此等塗覆包括’但是不限定於氮化矽、矽、碳化矽、二氧 化矽或碳。也可以使用前述諸方法的組合來提供所欲表 面》典型地，係使用精研、拋光、或氧化而將碳化矽晶圓 固持物件的表面平滑化。更典型地，係經由氧化在碳化矽 上面形成二氧化矽層接著用酸剝除而將碳化矽晶圓固持物 11 93752 1327761 件的表面平滑化。 陶二Γ二係f將陶刪機製。一般而言，機製係將 乂 u諸如CVD或PVD形成的非所欲表面特徵 =以巨㈣料，且㈣物件成独祕彼等的所欲功 f S知的機製製程皆可使用。此等製程包括，但是不限 磨、精研、搪磨（h〇ning)、超聲波機製、水刀或 磨刪、雷射機製、放電機製、離子束機製、 製、化學機製和電化學機製。 ^種機平滑化該表面以提供所欲以和叫恤)以及 所欲邊緣半彳ϋ程可以組合使用。可以將表面平滑化方 法諸如濕絲刻、精研、拋光、研磨 '放電、雷射燒钱、 電子束Hi X’線燒#、微波燒#和輻射能量燒鞋皆可 與機製合併使用。在將表面粗糖化方法與機製製程合併使 用之時’可能要做少許實驗來修改機製方法和粗趟化表面 的方法之程序參數以提供所欲物件。 鲁 CVD係在機製之後使用。可用CVD形成的陶究材料 包括’但是不限定於，碳化石夕、氮化石夕、合成鑽石、碳、 硼化鈦、碳化鈦、碳化领、氮化颂、和氮化碳。可以使用 慣用的沉積室和反應先質（precurs〇r)。沉積製程係在惰性 .氣體環境中進行，諸如在氬氣、氦氣、氖氣、氪氣、氙氣、 氮氣和彼等的混合物之中。於沉積過程中，此等惰性氣體 所用的流率係習知者。先質的沉積速率為小於5微米/分 鐘，或諸如0.005微米/分鐘至】微米/分鐘。此等速率係決 定於沉積室溫度 '壓力和先質流速。於沉積中可以調整此 93752 12 I327761 等參數以獲得所欲沉積速率。例如，沉積室溫度可為從 1200°C至 1700。(：，或諸如從 1250T：至 160(TC 的範圍。β 積壓力範圍為從100托至400托，或諸如125托至350托， 或諸如150托至250托。可以使用慣用的先質流速且在沉 積過程中變異以得到所欲沉積速率。
% 能量燒钱係使用電磁波或粒子之輻射能量或束以修 飾陶瓷表面。輻射能量燒蝕或熱處理典型地係在習用的真 空室之内完成。在陶瓷物件周圍緩慢地形成真空。壓力範 圍可從104至1〇-]〇托，或諸如從1〇-6至1〇_8托。在隨後 陶瓷温度上升到1000它至2〇〇(rc，或諸如12〇〇它至 °〇之時’將壓力保持固定。將陶究物件保持在固定的溫度 =壓力下2至1G小時’或諸如4至8小時。之後將陶究緩 地冷部且調到大氣壓力’再從該室取出。冷卻和壓力減 低係在5勿知至60分鐘，或諸如從1〇分鐘至扣分鐘的期 間内完成，且在6小時至48小時，或諸如從12小時至24 小時期間’讓陶瓷留在該室冷卻到室溫。 電磁波或粒子包括’但是不限定於，質子、中子、負 :X射線、雷射（高強度光學輻射）、放電機製（EDM) (4 =包弧）、和微波。修飾表面所用的裝置通常包括 ^別的能量束控制及聚焦到陶I表面上所賴工且制 2焦能量束所採用的特別工具係決定 電_ 之特別類型。㈣裝置倾藝 —般而言， 子束或電弧以電
在電磁輻射係由電子束產生的情況中，離 抓形式流到該物件。該電流可為從5 mA 93752 13 1327761 到100 mA，或諸如從1〇 mA至8〇 mA之範圍。電磁束所 -傳遞的旎量可用功率密度（power density)予以界定，該能 ，里為陶瓷的平均功率表面（average power surface)。該束所 導引到的物件表面上之點的該平均功率密度可為從1000 .瓦/平方厘米到5000瓦/平方厘米，或諸如從2〇〇〇瓦/平方 厘米至4000 jc/平方厘丨。在該陶变表面上之點的電磁束 的穴峰功率密度（peak p〇wer density)可為從5〇〇〇瓦/平方 厘米到10,000瓦/平方厘米，或諸如從55〇〇瓦/平方厘米至 8〇1〇^/平方厘米。尖峰功率密度可定義為在所給定的功 率设疋下，該束處於其最大焦距（亦即最小光點尺寸）的情 ..況下之程序設定值。電磁束的駐留時間可為從〇1毫秒至 5毫秒’或諸如從〇.5毫秒至2毫秒。 化學處理諸如之濕式姓刻係'包括使用酸和驗來修飾 陶竟表面。此等酸包括，但是不限定於，酸水溶液，例如 硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸和彼等的組合之水溶液。 修所用酸的濃度範圍為從2〇重量％至8〇重量％，或諸如從 65重里/〇至70重I 〇/0。冑二種或多種酸混合在一起之時， 典型地係使用等量的每—種酸。關係進行3Q分鐘至24〇 •分鐘，或諸如從60分鐘至18〇分鐘。蝕刻係在2〇。〇至1〇〇 •充或諸如從30艺至85¾的溫度下完成。 #驗係包括^旦是不限定於，氫氧化卸、氯氧化納、氫 乳化銨、和彼等的組合。使用漠縮形式的驗。典型地使 用炫融驗絲㈣件表面。使祕祕的 500°c至1000°c的溫度。 93752 14 丄327761 乾式钱刻或電漿蝕刻係包括產生電漿以供給反應性 氣體物種能量或使反應性氣體物種解離以使其與陶瓷表面 又互作用且從陶瓷表面移除物質。電漿放電係經由將能量 轉私到低壓氣體所造成。乾式姓刻可以在丨〇〇〇艺至 C，或諸如從1500它至300(TC的電漿溫度下完成。該物件 典=地係在i〇〇t>c至50〇°C的溫度。能量來源包括，但是不 :定=，射頻能量、微波能量和磁場。壓力範圍典型地為 至10托，或諸如從1 〇-5至1 〇-8托。各種類型的 電=氣體和電漿氣體現合物都可以使用。此等氣體包括， ^ =不限疋於’氣、氟、三氟化氮、氯化氫、三氣化硼、 :、,化匕鼠石反化合物、氧氣和惰性氣體諸如氬氣、氖氣、 職、氦氣和A氣。糊時間範圍可為從 鐘，或諸如從60秒鐘至6〇八妒—、心^ 刀 八沐 P鹱至60 y刀知，或諸如從120秒鐘至30 分J里。 ^ 種或多種非惰性氣體，法如备 氮、氣化氫、和氧氣，…：·、氟、三氟化 15至25脚籍。/ #冓成電水的10至％體積％或諸如 主2)肢積％，並部八* ,,.. m α 、邛刀為一種或多種惰性氣體。血型 地，係使用氯彔、ϋ名』 乳軋和一種或多種惰性氣體的混合物進 仃蝕刻。更典型地，係 ^ 〇遲 ㈣氣體構成從Π)至3。和氬氣進行银刻。 積％，其餘為—箱〇 ’氧氣構成從至30體 、 一種或夕種惰性氣體。蝕刻业型地ρ 秒鐘至3小時，或諸如從 ;?足地奋、進订60 分鐘至！小時。 “里至2小時，或諸如從30 用來修飾碳化矽表面的 另種化學處理方法為氧化 93752 15 1327761 作用。碳化矽物件係經放置在習用的開放空氣爐内，溫度 -為 800°C 至 2000。〇，或諸如 1000〇c 至 15〇〇〇c。 ‘⑽小時至彻小時，或諸如從15〇小時至250^ = • 了促進該程序，可以泵取額外的氧氣到爐子内，或者，該 \方法可在密閉爐子内完成，且將氧氣泵入爐子内。典型地， 密閉爐子内的壓力係從5〇托至〗大氣壓。密閉爐子内的氧 化作用典型地係進行從5小時至30小時，或諸如從1〇小 時至20小時。 ^ 二氧化矽層在物件上的厚度可為從0.1微米至5微米 或諸如從0.3微米至2微米。然後使用濃礦物酸溶液剝除 ••二氧化石夕層。適當的酸包括，但是不限定於，鹽酸、硫酸、 ·.硝酸、氫氟酸、磷酸和彼等的混合物。典型地，係使用氫 .氟酸。剝除係在20°C至90°C溫度下進行。 、 在移除二氧化矽之時，也會將二氧化矽所塗覆的粗糙 表面特徵和尖峰一併移除。二氧化矽層的移除可提供具有 鲁所‘表面特徵之平滑表面。 精研和拋光可以使用慣用的裝置來完成，諸如使用各 種精研裝置和拋光墊。在使用精研板之時，該板係以從300 米/分鐘至3000米/分鐘或諸如從6〇〇米/分鐘至25〇〇米/ 分鐘的表面速度翻轉該板。精研和拋光係在丨psi至15卩“ 的塵力下進行，諸如從丨小時至小時。 精研和拋光可以使用研磨液、研磨膏（pastes)和乾燥粒 子來進行。有多種類型的粒子以及粒子尺寸可以使用。精 研和拋光可以在不同粒子尺寸的多重步驟中進行以達到所 93752 16 1327761 欲的表面粗趟度。 化學機械拋光可以使用具有式ΑΟ·χΖ2〇3的粒子來進 行’於該式中Α為至少一種二價陽離子，ζ為至少—種三 價陽離子且〇.〇1 $χ$100。陽離子包括，但是不限定於^ 鎂、鐵（II)、鋅、錳、鎳、鈣和彼等的混合物。ζ陽離子包 括，但是不限定於，鋁、鐵（m)、鉻、鈦 '和彼等的混合^ 物。此等粒子具有5平方米/克至2〇〇平方米/克之比表面 =及5奈米至500奈米之平均結晶直徑和1〇奈米至切⑼ 奈米之平均聚集粒子（aggregate particle)直徑。（電位忪 P〇tential)可為正值、零或負值。典型地，研磨液的f電位 為大於或等於+ 10mV或小於或等於_1〇mV。水性研磨液 ，括〇·1重量％至10重量％的量之粒子。除了粒子之外， ^研磨液也包括氧化劑和還原劑諸如經基胺化合物炉 酸鞍、過氣仆，备、；^^ J>L 劑以及衣而、、/、電解貝、和有機酸。也可以包括整合 :可以：括1性劑、安定劑、懸浮劑、緩衝劑和潤滑劑。 銘、㈣"V、他的陽離子諸如，但是不限定於，錯、銅、 銘鐘和稀土陽離子。 石、^^用的其他磨㈣m子包括，但是不限定於，鐵 氮化，、氮化碳、碳切'氮切、和彼等 ;立子尺寸範圍可為從0.005微米至30 I 1 諸如從〇·〇5微米至 微木至30微未，或 使用鑽石糊之3士 Α 或6^如從〇.5微米至10微米。 者，典型者！：米：Γ尺寸範圍可為從2微米或更小 液的1重量％至3G重^者。/b#磨㈣⑽子可構成研磨 里〇。於研磨液中，可以包括慣用量 93752 ]7 丄/01 的慣用添加劑諸如整合劑、 其他形式的磨姓處理包括，；二=性劑。 劑研磨和砂粒喷吹， 义疋於，固定磨蝕 地包括你田雄 砂處理。固定磨蝕劑研磨並型 地包括使用鑽石、碳化矽和具有9釦爭古“ hardness)之他磨蝕w 、 同、莫氏硬度（Mohs ，何為粒子形式或研磨輪形式諸 速度為至少1000半/八拉上 。亥I的表面 米/分鐘。粒子係於^里至 =如從_米/分鐘至10,000 的㈣〇 PSi，或諸如20 Psi至80 psi 的“之下施加。慣用的研磨裝置皆可使用。 使用砂粒喷吹時’慣用的噴砂裝置、喷粒裝置㈣— =pars)以及切室（blasteabinets)皆可使用。磨録 ==物鑽石、碳化……硼、碳 破專之k合物。磨钱劑係於lOpsi至500psi或諸如 2_至UOpsi的壓力下施加至物件表面。此等壓力係經 細加到獲得所欲表面為止。 修也可以❹塗覆㈣來提供所欲表面祕度。此等塗 覆包括，但是不限定於，碳化石夕、石夕、氣化石炭、二氧化石夕、 和石厌此等塗覆可以使用CVD或pvD在陶究物件表面上 .沉積。可以使用慣用的反應物來形成該等塗覆。沉積溫度 •和壓力可以依照塗覆類型而變異。典型地，爐子溫度範圍 可為從100(TC至1500t，或諸如^⑼它至14〇〇£>c。爐子 的壓力範圍可為從20托至760拕，或諸如從8〇托至; 托。塗覆沉積速率範圍可為從0.01微米/分鐘至5微米/分 鐘或諸如從0.5微米/分鐘至5微米/分鐘。塗層厚度範圍可 93752 18 i32776l 為“ .(H微米至Η)微米’或諸如從〇1微米至5微米。 上面料方法為可以用來形成碳切晶圓固持物件 二 該碳…圓固持物件可以用來 之晶圓。 及改良的在黏滞與浮動之間的平衡 任何類型的半導體晶圓都可以在該晶圓固持裝置之 ^處^典型地，該半導體晶圓係由包括，但是不限定於， 二導Γ/:化广或碳切之材料所構成。更典型地， :+:，圓係由石夕所構成。可以同時處理 ==晶圓係經放置在該晶圓固持裝置之中 ::裝=平滑處理過的表面與5%至80%的晶圓表面 ===:°%的晶圓表面接觸，以減少滑 移形成的尖銳特徵。典型地，係將晶圓的= =在晶圓固持物件的上面，該物件典型地為承受環。晶 不被的向溫典型地會造成晶圓彎曲或在靠近晶圓 =被曰曰因固持物件所支禮的中心處形成凸出背側。雖然彎 耘度只有數微米，但此彎曲仍然足以引起晶圓抵緊宜所 ，置的晶圓固持物件邊緣發生摩擦而在該邊緣成為粗链之 日讀晶圓造成損壞。此等損壞可能為結晶點缺陷、線 和破裂。為了在晶圓f曲過程中防止或減少損壞，該晶： 固持物件的邊緣要具有0 05毫米或更大的邊緣半徑。 第卜2和3圖為一類型承受環之例子。如所顯示者， 遠承受器環】〇係用來在各種製造程序中支撐半導體晶圓 93752 19 1327761 。承受器10係由兩個基本組件，環 形成。該環U為一種具有上表面18 所 件。該環也包括形成在内側壁2 表面20之裱狀構 =和阻擋件肩部28。晶圓肩部26:= 後壁開放在晶圓肩部之上。座％和 之=肩部包括平面座3〇’其沿著垂直於該環的縱轴 …系3面而，壁32係與該縱軸為同軸。該後壁 '、、1 8相父。於一類似方式中，节阻势处~ 係包括座3 4和後壁3 6，其中該阻 =擋件肩部 該座30相交而彤^田月#的後壁36係與 米成争夫去甘邊緣33的半獲“广為⑽毫 之。’”係從點“q”測量’該點為距邊緣圓周的四分 ί °如所顯示者’該座提供給 =支撐’同時該後壁提供支揮以對抗該晶圓::： 圓或阻播件的直徑‘丄：：：=，：晶 :環取出。另外，該座係間隔一段:::::::厚;從 晶ϋ的底面與該阻播件的頂面之間有一空間，如 弟2圖中所顯示者。 晶圓固持器可以用於各種晶圓處理方法之中。此等方 括古疋不限定於’批式處理室，諸如’晶圓的高溫 述、同’皿擴散、氮化物沉積，單晶圓處理室，諸如磊晶 化學乳相沉積膜生長、晶圓退火' 高溫擴散和電 聚蚀刻。 93752 20 丄JZ//01 半w as ®可以在晶圓固持物件中在任何適當的晶 圓處理室内以及用任^奋 但是不限定於，退火此等方法包括' 膜生長和電隸刻。此等方和ΛΓ沉積、蟲晶生長、c VD 得彼等可用於電子裝置^可修飾半導趙晶圓的表面使 退火處理的例子包括，但是不限定於，㈣加敎、軌 通^9(thermaIf㈣和等溫加熱。絕熱加熱包括在、1(/至⑽ 里之非—段持續期間内施加由脈衝能量源 離子束^子幻所提供的能^此種高強度、 产:量可將半導體的表面熔化到1至2微米之深 。献2包括施加能量達5 x 10·6至2 X10·2秒鐘。熱通 =口;’、曰：成在晶圓表面下延伸超過2微米的實質溫度梯 曰造成任何對於在整個晶圓厚度之内趨近均勻加 …的衫響。等溫加熱包括施加能量達1 i 1〇秒鐘以 任何所給定區域的整個晶圓厚度内的溫度達到均勾。 退火程序可在慣用爐子内或快速熱退火（rta)系統内 =丁。例如，石夕的快速熱退火可以在許多種商業上可取得 爐子中的任何—者之内進行，於其中係以多組高功 別地加熱晶圓eRTA爐能夠在數秒鐘之内將石夕晶圓 = 加熱到I2〇〇t>C。一種此等商業上可取得的爐子 型號⑽爐。 _，Cahf_a)取得之 磊晶層可利用技藝中熟知的許多種不同的方 導體晶圓之上沉積或生長。典型地’蟲晶層的生長係經由 93752 21 1327761 化學氣相沉積而達成。通常，化學氣相沉積包括將揮發性 - 反應物，諸如SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2或SiH4，與載運氣 - 體（carrier gas)，諸如氫氣，導到磊晶反應器之内。雖然程 -序條件可以變異，不過在單晶層沉積的情況中，其溫度通 .常從1080°C至1150°C。此外’發生沉積所在的環境典型地 係不含粒狀污染物者。 在半導體晶圓上面的膜形成可以用熱化學氣相沉積 •來進行。典型地，該製程係在單晶圓沉積室内實施。例如， 於該沉積室内，係將六.氯二矽烷來源氣體與氧化來源氣體 諸如氧化亞氮混合以形成氧化矽膜。或者，將六氯二矽烷 • ·來源氣體與氮化來源氣體諸如氨混合以形成氮化矽膜。或 .·者，將/、氣一梦烧來源氣體與氧化來源氣體諸如氧化亞氮 彳氮化來源氣體諸如氨混合以形成氧氮化石夕膜。該膜係在 該室内於從10托至350托的壓力及5〇〇它至8〇〇t的溫度
之下形成的。該膜係以45 A/分鐘至2_ a /分鐘的沉S _率形成的。使用六氣二料形成的膜可具有小於3⑼入且 大於10 A之厚度。 經修斜的半導體晶圓可以使用技藝十已知的任何 當方法測量滑移。測量滑移不具方法依賴性。於業界中 =的-種方法為測量及記錄人射的偏極光在透晶 ❹退極化（depG】an灿⑽）。此可以使用退極 =ge〇諸如·f掃描紅外線退極化工具來進行。在 界中另-種測量滑移的方法為使用 (-i〇narybeamte〇hnology：SBT)；^wt ^ 93752 22 1327761 。此可以經由使用表面檢查系統諸如驗扣⑧ 未圖案化表面檢查系統予以完成。 【實施方式】 下面的實施例係進一步闡明本發明，但是彼等盔咅用 來限制本發明的範圍。 “
Ra = ^用的研磨裝置將CVD碳化⑯承受11環機製到 ~ ·8微米之表面粗糙度。表面粗糖度係使用接觸型輪 機製係於初始使用具有15〇砂粒（㈣的鑽石輪 具有320砂粒的鑽石輪進行。研磨係以㈣啊 的=2行9小時。取得該承受器的表面之照片。第4圖 大頁^份顯示出該承受器經機製表面的一部份之道放 。第4圖顯示出以慣用的機製產生的特性溝槽和脊。 然後使用Pellon PadTM掊讲埶，、,θ 士， 精研墊以具有4微米至8微米 、 寸之鑽石糊精研該承受器環。以000米/分鐘的表 面速度進行精研2小時。 卞里的表 =取得該承受器的表面一部份之照片。第*圖的下 』不出該經精研的承受器之30Χ放大。慣用機穿』的 特性溝槽和脊都已經移轉。得到平滑的表面。、 〇1微使輪賴測量表面粗糙度。r a值經測定出為 ^ m Rz(d·測定出為丨微米。該 有比慣用機製法較低Ra值之表面。 杈供八 放置【:亥承受器環放置在晶圓舟内且將半導體晶圓 放置在蝴器環内。然後將該晶圓舟放置在慣用的㈣ ♦ .·* * «»· 93752 23 爐爐加熱到崎之溫度且創造出情性氨氣和氯 蟲晶膜之形成。將帶有晶圓的晶圓舟在 ==熱6小時。然後將該爐冷卻到室溫，且從該爐取 出該▼承受器環的晶圓舟以及取出該晶圓。 以使用Surfscan® SP1的穩定光束技術來測量滑移。 該測量顯示出沒有滑移。如此，該精研方法提供可防止滑 移的承受器。 θ 霄施例2 使用實施例1中所述慣用的研磨裝置與方法將CVD 碳化石夕承受器環機製到^咳8微米之表面粗链度。 面粗糙度係使用接觸型輪廓儀測量。 然後使用Pell〇n PadTM精研塾以具有*微米至8微米 的粒子尺寸之鑽石糊精研該承受器環。以】雇米/分鐘的 表面速度進行精研2小時。然後使用具有2微米至4微米 的粒子尺寸之鑽石糊拋光該承受器3小時。使用接觸型輪 摩儀測量之時，其Ra值如預期為小於〇 〇5微米且 如預期為小於0.5微米。 ) 之後將該承受ϋ環放置在晶圓轉裝置^將半導 體晶圓放置在該承受器環内。然後將該裝置放置在具有惰 性風氣環境的CVD爐内。將該爐的溫度從室溫提高到1100 :。將《置在該爐内加熱1〇小時。然後將該爐冷卻到室 溫。當該晶圓m㈣置冷卻到室溫之時，將其從該爐取出。 從該裝置取出石夕晶圓’且測定滑移量。如預期者 可測量到之滑移。 〃句 93752 24 1327761 實施例3 ’ /使用貫施例1中所述慣用的研磨裝置將CVD碳化矽 ，承X㈣機製到Ra = 〇 8微米之表面粗糙度。該表面粗縫 度係使用接觸型輪廓儀測量。 -'然後使用Pell〇n PW精研塾以具有4微米至8微米 的粒子尺寸之鑽石糊精研該承受器環。以测米/分鐘的 表面速度進行精研3小時。然後使用具有微米至1微 米的粒子範圍之鑽石糊抛光該承受器4小時。^值如預期 為小於0.005微米且Rz(din)如預期為小於〇 〇5微米。該承 受器的邊緣半徑如預期為大於〇1毫米。 ·: 《後將3承^1 $環放置在晶圓舟内。將半導體晶圓放 .·'置在該承受器舟内，且將該舟放置在爐子内。提供該爐惰 性氣體氬氣和氫氣的環境。將該爐加熱到120(TC且將該舟 保留在該爐内10小時。然後讓該爐的溫度冷卻到室溫。每 該帶承受器環的舟達到室溫之後，以使用㈣㈣⑧奶田 鲁的穩定光束技術來測量滑移。如預期者，沒有可測量到之 滑移。 -貫施例4 根據實施例1中的相同製程將CVD碳化矽承受器環 .機製到Ra = 0.8。然後將該承受器放置在裝有2〇%氧氣的 標準熱開放空氣爐内。將該爐的溫度提升到1〇〇代且將塵 力維持在1大氣麗。將該承受器在該爐内加熱12小時以在 戎承受器表面產生〇.】微米厚度的二氧化矽層。 之後將該承受器環放置在晶圓舟内。將半導體晶圓放 93752 25 置在該承受器内，且將該舟放置在具有氬氣和氫氣的惰性 -现體k境之爐子内。將該爐加熱到12〇〇〇c。將該舟在該爐 . 内加熱1 〇小時。鈇德靖诗.除ΛΑ、™ > …、殳讓該爐的溫度冷卻到室溫。當該帶有 承受器環的舟和該晶圓達到室溫之後，以使用Surfscan⑧ -SH的穩定光束技術測量滑移。如預期者，沒有可測量到 之滑移。 實施例5 如貝轭例1中所述將C VD碳化石夕承受器環機製到Ra =〇.8。然後將該承受器環放置在標準熱開放空氣爐内以在 該環的表面上產生0.8微米厚度的二氧化石夕層。 … 將該開放空氣爐的溫度維持在11 〇〇t下200小時以在 y,該承受器環的表面上產生二氧化石夕層。然後將該爐冷卻到 周圍溫度。當該承受器環冷卻之時，將其浸沒在1N的氯 敦酸溶液内30分鐘以從豸承受器剝除掉該二氧化石夕層。於 剝除中，該氫氟酸溶液的溫度為30。〇。 爆 使用接觸型輪廓儀測量該承受器的表面粗糙度。其Ra 經測量為0.1微米且rz經測量為i微米。 將該承文益環放置在晶圓舟内且將半導體晶圓放置 •在該環内。然後將該舟放置在爐子内且將該爐加熱到ι〇5〇 c。將該舟保留在該爐内的氬氣和氫氣惰性氣體環境之内 5.5小時。於5·5小時之後，將該爐冷卻到室溫。當該舟達 到至溫之時，將其從爐中取出。從該舟取出晶圓，且使用 Surfscan® SP1未圖案化表面檢查系統測量滑移。該測量顯 示出沒有可測量到之滑移。 93752 26 〜/bl
Ray微3的機製裝置將燒結碳切承受器環機製到 相同方法：粗縫度。該機製係以實施例1中所述的 的平_子I然後使用拋光墊和具有G.5微米至1微米 鐘的_㈣絲承以。以2侧米/分 里的表面逮度進行拋光5小時。
㈣受器拋光之後，將其放置在㈣的感應偶合 二二關中，將電漿的溫度維持在14_且 率導到… 將氣化氫氣體以1000毫升/分鐘的速 =至1至内。進純刻6 〇秒鐘。R a值如預期為小於〇 5 ^卡且RZ(din)如預期為小於5微米。邊 〇.5毫米。表面測量係使用光學輪摩儀測量。預』為 。之後將裝有碎晶圓的承受器放置在—碳切晶圓舟 之後將該Ba圓放置有氫氣環境的爐内於⑽。〇下退火 處理1小時後將該晶圓放置在無水氧氣環境内於1200 C:退火1小時。讓該爐的溫度冷卻到室溫。於晶圓冷卻 到室溫之後’將其從承受器中取出。以sirdTM或s油㈣⑧ SP1測量之時如預期者，顯示出沒有可測量到之任何滑移。 貫施例7 使用慣用的研磨裝置將燒結碳化石夕承受器機製到Ra =2微米之表面粗糙度。該研磨係以實施例】中所述的相 同方法進行，不同之處在於該研磨係進行6小時非9小時。 然後將該承受器放置在螺旋波電漿蝕刻反應器内。於 蝕刻中，將反應器的溫度維持在12〇〇。〇且使用1〇·5托之壓 93752 27 丄/〇丄 力將鼠化氮以500耄升/分鐘的# ”、 刀5里妁迷率达到該反應器内。進 灯姓刻30分鐘。然後讓該反庫 ^ 愿恣冷部到室溫且於承受器到 達室溫之時，將其從該室中取出。 又卯剃 之德：後使用3有5G重量％的氫氟酸和50重量％的確酸 嗲_、θ人& 的表面。將該承受器浸沒在 该酉夂孔合物浴内20秒鐘。續、玄达认、ra —
該冷液的溫度為35t。該承受 益如預期具有〇.5微米的R 緣半徑如預期為cm毫米。 心之Rz(㈣值。邊 將矽晶圓放置在該承Φm ^ 隹这承又益内。將彼等放置在有氬氣環 &的爐内且於14〇〇。(：下加埶1n , # 到室、、θ。於兮系…10小時。將該爐的溫度減低 取出'皿㈣Γ μ和晶圓到達室溫之時，將彼等從爐中 兮曰二Γ SP1和SIRDTM測量之時如預期者， 该日曰圓顯不出沒有可測量到之滑移。 a时，用=例1中所述的相同方法機製CVD碳化石夕承 =衣。…^將該承受器放置在螺旋波電製反應器内。將 3:00=^50八宅分鐘的速率加到該反應器内且將氯氣以 /八毛/刀1里的速率加到該反應器内。將氖氣α 100毫升 /令鐘的速率加到該室内太 ^ 内在該反應盗内提供惰性氣體環 將反應器的溫度維持在15⑼。C且使用1Q 8托之壓力。 仃姓刻60分鐘。該承受器如預期具有Q 5微米的Ra值 微米之叫仙)值。邊緣半徑如預期為0.25毫米。 將:有石夕晶圓的承受器放置在有氫氣環境的反應器 的溫度為13()()°C。處理該晶圓3分鐘。然後使 93752 28 1327761 用65體積％的氣化氫氣體#刻該晶圓的表面。反應器内的 壓力為2托。 於餘刻過晶圓之後，使用二氣石夕燒和氫氣作為反應物 在晶圓上生長反應混合物為60體積％的二氣石夕烧和 4〇體積％的氮氣。於石夕生長中將反應器的溫度減低到1050 c。壓力雜在2托。生長速率為G 2至G 3微米/分鐘。 當該晶圓冷卻到室溫之時，將其從反應器中取出。使 用或WsCan⑧SP】儀器測量之時如預期者，該晶 圓顯示出沒有可測量到之滑移。 實施例9 按照實施例1中所述機製且精研CVD碳切承受哭 環到Ra = (M微米及Rz(din)叫微米之表面粗糙度。狹後 將石夕晶圓放置在該環上且將兩者放置在單晶圓沉積室内。 ，在該矽晶圓上面形成膜所用的溫度為8〇〇它且該室内 =壓力為5〇托。反應物為以50毫升/分鐘的速率供給之氨 现與以6G毫升/分鐘的速率供給的六氯二錢。膜的沉積 係在速率為0.2至0.3微米/分鐘下發生。 、 於石夕晶圓上面形成氮化石夕膜之後，讓其在該室内 到室溫。使用SIRDtm或Surfsca_ §ρι儀器測量之時如預 期者，該晶圓顯示出沒有可測量到之滑移。 免施例]0 使用慣用的研磨裝置和實施例】中所述方法將化學 積碳化料受㈣機製到Ra = 0.8微米之表面粗越〃 度。該表面粗糙度係使用接觸型輪廓儀測量。 。 93752 29 1327761 接著使用具有400網目（砂粒）大小的碳化矽粉末噴砂 處理該承受器環。該碳化矽粉末係於100 psi的壓力下鼓 吹通過具有1/8时直徑的碳化鶴喷嘴。將承受器環的整個 表面噴砂處理直到表面上的所有的機製標記都不再可看出 且該表面具有均勻外觀為止。整個噴砂操作要用到約3〇 分鐘才完成。
使用接觸型輪廓儀測量表面粗糙度且平均粗糙度為 Ra 1 ·9 微米及 Rz(din) = 7.6 微米。 ° ，後將該承受器環放置切晶圓舟内。將⑪晶圓放置 在該承受器環上且於之後將該舟放置在有惰性氬氣和氯氣 %境的爐内。將該爐加熱到12〇〇ΐ。將該舟在該爐内加埶 10小打。然後讓該爐的溫度冷卻到室溫。於該帶著承总哭 環的舟和晶圓料室溫之後，測量滑移miRDTM又益 ⑧叫義器測量之時，該石夕晶圓上沒有 ^ 量到之滑移。 q «j列 實施例11 使用慣料研磨裝置和實施例丨中所述方法將化 相沉積碳切承受器職㈣Ra=G 8微米之表面粗/、 度。該表面粗糙度係使用接觸型輪廓儀測量。 k 接著使用具有4 〇 〇網目（砂粒）大小的碳㈣ 處理該承受器環。該碳切粉末係於刚㈣的貝^ =過具：則直徑的碳化鎢嘴嘴。將承下: 表面贺砂處理直到表面上的所有 7正個 碍虿的機製標記都不再可丢中 且該表面具有一均勻外觀為止 看出 正個贺砂操作要用到約30 93752 30 1327761 分鐘才完成。 接著❹^_網目_)大小的碳切粉 =處理該承受器環。該碳切粉末係於12—的愿力下 豉吹通過具有1/8吋直徑的碳化鎢噴嘴。將 表面喷砂處理約20分鐘。 又》 、正個 使用接觸型輪㈣測量表面粗糙度且平均_度為 Ra = 1.3 微米及 Rz(din) = 5.5 微米。 然後將該承受器環放置在晶圓舟内。將石夕晶㈣ 該承m錄之後㈣舟放置在有惰性氬氣 境賴内:將該爐加熱到贈c。將該舟在該爐 小¥。然後讓該爐的溫度冷卻到室溫。於該帶著承受哭产 的舟和晶圓到達室溫之後’測量滑移。使用-衣 S^fscan⑧SPH義器測量之時’該石夕晶圓上沒有侦 I到之滑移。 *」/列 【圖式簡單說明】 第1圖為顯示出承受器環的部份切開透視圖； 第2圖為第1圖之承受器和晶圓的橫截面側視圖； =3圖為承叉态的圓化邊緣之橫截面側視圖；以及 第4圖為經機製的碳化矽表面和經精研過的碳 面之30X照片。 y表 【主要元件符號說明】 10 承受器環 12 半導體晶圓 14 環 93752 1327761
16 阻擋件 18 上表面 20 下表面 22 内側壁 26 晶圓肩部 28 阻擋件肩部 30, 34 座 32, 36 後壁 33 邊緣
*<
32 93752

Claims (1)

1327761 t 第95137130號專利申請案 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體晶圓之製法’其包括： a) 修飾晶圓固持物件的一個或多個表面以提供具 有Ra小於或等於3微米及Rz(din)小於或等於15微米 之晶圓固持物件； b) 將一個或多個半導體晶圓放置在該晶圓固持物 - 件之中； c) 將帶有一個或多個半導體晶圓的該晶圓固持物 件放置在處理室之内；及 d) 處理該一個或多個半導體晶圓以修飾該一個或 多個半導體晶圓而形成具有少於或等於50個滑移缺陷 的經修飾半導體晶圓。 2.如申請專利範圍第丨項之製法，其中該晶圓固持物件 為石炭化發。 3. 4. 如申請專利範圍第2項之製法，纟中該礙切係選自 化子氣相，儿積（CVD)碳化矽、物理氣相沉積（pVD)碳化 :反應黏合碳化石夕（reacti〇n b〇nded earbide)、 燒結碳化矽、熱壓碳化矽或發泡碳化矽。 種半導體晶圓之製法，其包括： a)修飾晶圓固持物件的表 ihj ^ ίί更大的邊緣半徑’小於或等於3微米的Ra及小於 2於15微米的Rz(din)之晶圓固持物件； 件之中）；將個或多個半導體晶圓放置在該晶圓固持物 93752(修正版) 33 U27761 杜將帶有-個或多個半導體晶圓的 件放置在處理室之内，·及 夕)處理該個或多個半導體晶圓以修飾該一個或 夕個半導體晶圓而形成具有少於或等於5〇個滑移缺陷 的經修飾半導體晶圓。 5. t申請專利範圍第4項之製法，其甲該晶圓固持物件 U機製、喷砂、精研、拋光、塗覆、㈣、燒敍、 或彼等的組合予以修飾。 么申明專利範圍第4項之製法，其中該晶圓固持物件 U在該晶圓固持物件上形成厚度0.5微米至5微米 的一氧化矽層而予以修飾。 7·—種晶圓固持物件’包括具有小於或等於3微米的Ra 及小於或等於.15微米白勺Rz(din)之表面粗糖度。 8. 如申請專利範圍第7項之晶圓固持物件，其進一步包 括0.〇5毫米或更大的邊緣半徑。 9. 如申請專利範圍第7項之晶圓固持物件，其中該表面 具有厚度0.5微米至5微米的二氧化矽塗層。 10. 如申請專利範圍第7項之晶圓固持物件，其中該晶圓 固持物件為碳化矽。 93752(修正版) 34 1327761
TW095137130A 2005-10-07 2006-10-05 Method for making semiconductor wafer and wafer holding article TWI327761B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72497005P 2005-10-07 2005-10-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200729390A TW200729390A (en) 2007-08-01
TWI327761B true TWI327761B (en) 2010-07-21

Family

ID=37441831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095137130A TWI327761B (en) 2005-10-07 2006-10-05 Method for making semiconductor wafer and wafer holding article

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7722441B2 (zh)
EP (1) EP1772901B1 (zh)
JP (1) JP5183053B2 (zh)
KR (1) KR101264395B1 (zh)
CN (1) CN1953154A (zh)
TW (1) TWI327761B (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7238088B1 (en) * 2006-01-05 2007-07-03 Apollo Diamond, Inc. Enhanced diamond polishing
KR20090034833A (ko) * 2006-06-30 2009-04-08 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. 웨이퍼 플랫폼
JP5098483B2 (ja) * 2007-07-25 2012-12-12 住友金属鉱山株式会社 サファイア基板の研磨方法
JP5071217B2 (ja) * 2008-04-17 2012-11-14 信越半導体株式会社 縦型熱処理用ボートおよびそれを用いたシリコンウエーハの熱処理方法
US8420544B2 (en) * 2010-06-03 2013-04-16 United Microelectronics Corp. Method for fabricating interconnection structure with dry-cleaning process
DE102011083041B4 (de) 2010-10-20 2018-06-07 Siltronic Ag Stützring zum Abstützen einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium während einer Wärmebehandlung und Verfahren zur Wärmebehandlung einer solchen Halbleiterscheibe unter Verwendung eines solchen Stützrings
KR20120073727A (ko) * 2010-12-27 2012-07-05 삼성전자주식회사 스트레인드 반도체 영역을 포함하는 반도체 소자와 그 제조방법, 및 그것을 포함하는 전자 시스템
JP5780062B2 (ja) * 2011-08-30 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び成膜装置
KR101390474B1 (ko) * 2013-04-08 2014-05-07 주식회사 유진테크 기판처리장치
JP6232680B2 (ja) * 2013-09-06 2017-11-22 大陽日酸株式会社 サセプタのクリーニング方法
ITCO20130041A1 (it) * 2013-09-27 2015-03-28 Lpe Spa Suscettore con elemento di supporto
JP6316128B2 (ja) * 2014-07-16 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 スペーサ及びこれを用いた基板処理方法
USD793972S1 (en) * 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 31-pocket configuration
USD793971S1 (en) 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 14-pocket configuration
USD778247S1 (en) 2015-04-16 2017-02-07 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a multi-pocket configuration
US10790181B2 (en) * 2015-08-14 2020-09-29 M Cubed Technologies, Inc. Wafer chuck featuring reduced friction support surface
US10475627B2 (en) * 2016-03-25 2019-11-12 Lam Research Corporation Carrier ring wall for reduction of back-diffusion of reactive species and suppression of local parasitic plasma ignition
JP6986917B2 (ja) * 2017-10-04 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
CN111446185A (zh) 2019-01-17 2020-07-24 Asm Ip 控股有限公司 通风基座
USD920936S1 (en) * 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
DE102019207433A1 (de) 2019-05-21 2020-11-26 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
US20210035767A1 (en) * 2019-07-29 2021-02-04 Applied Materials, Inc. Methods for repairing a recess of a chamber component
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
JP6841359B1 (ja) * 2020-03-09 2021-03-10 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハ製造用サセプタの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
CN111816604B (zh) * 2020-08-18 2021-03-12 北京智创芯源科技有限公司 一种晶片刻蚀方法
USD1031676S1 (en) 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system
CN113910010A (zh) * 2021-11-11 2022-01-11 哈尔滨工业大学 一种硬脆半导体材料的加工方法及其磨削机床
USD1030687S1 (en) * 2022-05-31 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Susceptor

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3398033A (en) * 1965-02-26 1968-08-20 Dow Corning Method of etching silicon carbide
US4496609A (en) * 1969-10-15 1985-01-29 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor
DE2332822B2 (de) * 1973-06-28 1978-04-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Herstellen von diffundierten, kontaktierten und oberflächenpassivierten Halbleiterbauelementen aus Halbleiterscheiben aus Silizium
US4263336A (en) * 1979-11-23 1981-04-21 Motorola, Inc. Reduced pressure induction heated reactor and method
US4698486A (en) * 1984-02-28 1987-10-06 Tamarack Scientific Co., Inc. Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
DE3603725C2 (de) * 1986-02-06 1994-08-18 Siemens Ag Verfahren zur Strukturierung von Siliciumcarbid
US4865685A (en) * 1987-11-03 1989-09-12 North Carolina State University Dry etching of silicon carbide
US4925608A (en) * 1988-09-27 1990-05-15 Norton Company Joining of SiC parts by polishing and hipping
US5084071A (en) * 1989-03-07 1992-01-28 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US5011794A (en) * 1989-05-01 1991-04-30 At&T Bell Laboratories Procedure for rapid thermal annealing of implanted semiconductors
US4997678A (en) * 1989-10-23 1991-03-05 Cvd Incorporated Chemical vapor deposition process to replicate the finish and figure of preshaped structures
DE4033355C2 (de) * 1990-10-19 1999-08-26 Siemens Ag Verfahren zum elektrolytischen Ätzen von Siliziumcarbid
JP3204699B2 (ja) * 1990-11-30 2001-09-04 株式会社東芝 熱処理装置
US5149338A (en) * 1991-07-22 1992-09-22 Fulton Kenneth W Superpolishing agent, process for polishing hard ceramic materials, and polished hard ceramics
US5336355A (en) * 1991-12-13 1994-08-09 Hughes Aircraft Company Methods and apparatus for confinement of a plasma etch region for precision shaping of surfaces of substances and films
JP3147977B2 (ja) * 1991-12-19 2001-03-19 新日本製鐵株式会社 炭化珪素焼結体製反射ミラー用基板とその製造方法
US5374412A (en) * 1992-07-31 1994-12-20 Cvd, Inc. Highly polishable, highly thermally conductive silicon carbide
US5800618A (en) * 1992-11-12 1998-09-01 Ngk Insulators, Ltd. Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof
US5427622A (en) * 1993-02-12 1995-06-27 International Business Machines Corporation Method for uniform cleaning of wafers using megasonic energy
JPH06333892A (ja) * 1993-03-22 1994-12-02 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 電子デバイス
US5354580A (en) * 1993-06-08 1994-10-11 Cvd Incorporated Triangular deposition chamber for a vapor deposition system
US5417803A (en) * 1993-09-29 1995-05-23 Intel Corporation Method for making Si/SiC composite material
FI95421C (fi) * 1993-12-23 1996-01-25 Heikki Ihantola Puolijohteen, kuten piikiekon, prosessoinnissa käytettävä laitteisto ja menetelmä
JP2701767B2 (ja) * 1995-01-27 1998-01-21 日本電気株式会社 気相成長装置
JPH10510680A (ja) * 1995-05-05 1998-10-13 サン−ゴバン インダストリアル セラミックス，インコーポレイティド 滑りのない垂直架台構造
US6093252A (en) * 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
US6086680A (en) * 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US5584936A (en) * 1995-12-14 1996-12-17 Cvd, Incorporated Susceptor for semiconductor wafer processing
DE69604895T2 (de) * 1995-12-26 2000-05-18 Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo Haltevorrichtung zur Wärmebehandlung und Verfahren zu deren Herstellung
US5904778A (en) * 1996-07-26 1999-05-18 Applied Materials, Inc. Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors
JP4086936B2 (ja) * 1996-10-03 2008-05-14 株式会社ブリヂストン ダミーウェハ
US5895583A (en) * 1996-11-20 1999-04-20 Northrop Grumman Corporation Method of preparing silicon carbide wafers for epitaxial growth
US5789309A (en) * 1996-12-30 1998-08-04 Memc Electronic Materials, Inc. Method and system for monocrystalline epitaxial deposition
JP3607454B2 (ja) * 1997-03-31 2005-01-05 Ｈｏｙａ株式会社 Ｘ線マスク用ｘ線透過膜、ｘ線マスクブランク及びｘ線マスク並びにこれらの製造方法並びに炭化珪素膜の研磨方法
TW416100B (en) 1997-07-02 2000-12-21 Applied Materials Inc Control of oxygen to silane ratio in a seasoning process to improve particle performance in an HDP-CVD system
DE69813014T2 (de) * 1997-11-03 2004-02-12 Asm America Inc., Phoenix Verbesserte kleinmassige waferhaleeinrichtung
JP3011178B2 (ja) * 1998-01-06 2000-02-21 住友金属工業株式会社 半導体シリコンウェーハ並びにその製造方法と熱処理装置
JP4043003B2 (ja) 1998-02-09 2008-02-06 東海カーボン株式会社 ＳｉＣ成形体及びその製造方法
US6099650A (en) * 1998-03-03 2000-08-08 Concept Systems Design, Inc. Structure and method for reducing slip in semiconductor wafers
JP4213790B2 (ja) * 1998-08-26 2009-01-21 コバレントマテリアル株式会社 耐プラズマ部材およびそれを用いたプラズマ処理装置
DE69913731T2 (de) * 1998-10-14 2004-10-14 Memc Electronic Materials, Inc. Im wesentlichen defektfreie epitaktische siliziumscheiben
US6464912B1 (en) * 1999-01-06 2002-10-15 Cvd, Incorporated Method for producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition
KR100315147B1 (ko) * 1999-04-08 2001-11-30 윤길주 세라믹 타입 정전척 제조방법
US6251150B1 (en) * 1999-05-27 2001-06-26 Ekc Technology, Inc. Slurry composition and method of chemical mechanical polishing using same
US6368410B1 (en) * 1999-06-28 2002-04-09 General Electric Company Semiconductor processing article
WO2001024216A2 (en) * 1999-09-30 2001-04-05 Lam Research Corporation Pretreated gas distribution plate
JP2001117079A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Ibiden Co Ltd 液晶表示板用の基板の加熱装置
KR20010063395A (ko) * 1999-12-22 2001-07-09 고석태 내식성을 향상시킬 수 있는 정전척의 제조방법 및 그에따른 정전척
US6475889B1 (en) * 2000-04-11 2002-11-05 Cree, Inc. Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits
US6528123B1 (en) * 2000-06-28 2003-03-04 Sandia Corporation Coating system to permit direct brazing of ceramics
US6506254B1 (en) * 2000-06-30 2003-01-14 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
US6890861B1 (en) * 2000-06-30 2005-05-10 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
JP2002110644A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Nec Corp エッチング方法
US6595506B1 (en) * 2000-11-17 2003-07-22 Epion Corporation Apparatus and method for reduced particulate generation during workpiece handling
KR100378539B1 (ko) * 2000-12-29 2003-04-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법
TWI272689B (en) * 2001-02-16 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for transferring heat from a substrate to a chuck
US6872636B2 (en) * 2001-03-21 2005-03-29 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for fabricating a semiconductor device
US20020177321A1 (en) * 2001-03-30 2002-11-28 Li Si Yi Plasma etching of silicon carbide
DE60104395T2 (de) * 2001-04-19 2005-07-21 Infineon Technologies Sc300 Gmbh & Co. Ohg Verfahren zum Recycling eines Dummy-Wafers aus Silizium
TW570876B (en) * 2001-05-11 2004-01-11 Toyo Seikan Kaisha Ltd Silicon oxide film
US6566623B2 (en) * 2001-05-30 2003-05-20 Harvest Precision Components, Inc. Method and apparatus for electric discharge machining with a dressing tool
JP2003059851A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Asahi Glass Co Ltd ウエハ支持体およびそれを用いた熱処理用ボート
JP2004040073A (ja) * 2002-01-11 2004-02-05 Shipley Co Llc 抵抗器構造物
US20030190870A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Applied Materials, Inc. Cleaning ceramic surfaces
US7255775B2 (en) * 2002-06-28 2007-08-14 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Semiconductor wafer treatment member
FR2843061B1 (fr) 2002-08-02 2004-09-24 Soitec Silicon On Insulator Procede de polissage de tranche de materiau
US7256375B2 (en) * 2002-08-30 2007-08-14 Asm International N.V. Susceptor plate for high temperature heat treatment
WO2004025708A2 (en) * 2002-09-12 2004-03-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Support plate for semiconductor components
US6770568B2 (en) * 2002-09-12 2004-08-03 Intel Corporation Selective etching using sonication
KR20050054950A (ko) * 2002-09-19 2005-06-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 미립자 발생도가 낮은 정전기 척 및 그의 제조 방법
WO2004030411A1 (ja) * 2002-09-27 2004-04-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. ウエハー保持体及び半導体製造装置
US7704327B2 (en) * 2002-09-30 2010-04-27 Applied Materials, Inc. High temperature anneal with improved substrate support
US6884464B2 (en) * 2002-11-04 2005-04-26 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon comprising films using hexachlorodisilane in a single-wafer deposion chamber
JPWO2004090967A1 (ja) * 2003-04-02 2006-07-06 株式会社Sumco 半導体ウェーハ用熱処理治具
US7250114B2 (en) * 2003-05-30 2007-07-31 Lam Research Corporation Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods
KR100527672B1 (ko) * 2003-07-25 2005-11-28 삼성전자주식회사 서셉터 및 이를 포함하는 증착 장치
US7582166B2 (en) * 2003-08-01 2009-09-01 Sgl Carbon, Llc Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture
JP3761546B2 (ja) 2003-08-19 2006-03-29 株式会社Ｎｅｏｍａｘ ＳｉＣ単結晶基板の製造方法
EP1719744A1 (en) 2004-01-23 2006-11-08 Tokuyama Corporation Non oxide ceramic having oxide layer on the surface thereof, method for production thereof and use thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070038935A (ko) 2007-04-11
US9490157B2 (en) 2016-11-08
US20090194022A1 (en) 2009-08-06
JP2007134688A (ja) 2007-05-31
KR101264395B1 (ko) 2013-05-14
CN1953154A (zh) 2007-04-25
EP1772901A3 (en) 2009-04-01
TW200729390A (en) 2007-08-01
US20070084827A1 (en) 2007-04-19
EP1772901B1 (en) 2012-07-25
JP5183053B2 (ja) 2013-04-17
EP1772901A2 (en) 2007-04-11
US7722441B2 (en) 2010-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI327761B (en) Method for making semiconductor wafer and wafer holding article
TWI321337B (en) Methods of making silicon carbide articles capable of reducing wafer contamination
TWI638900B (zh) 包括鑽石層及鑽石、碳化矽與可選的矽之複合層之基板
Yang et al. Highly efficient planarization of sliced 4H–SiC (0001) wafer by slurryless electrochemical mechanical polishing
US10494713B2 (en) Method of forming an optically-finished thin diamond film, diamond substrate, or diamond window of high aspect ratio
CN105506576B (zh) 一种高品质自支撑金刚石厚膜的制备方法
TWI247822B (en) Adhesive of a silicon and silica composite particularly useful for joining silicon parts
JP5931862B2 (ja) 多結晶窒化アルミニウム材料およびその製造方法
TW200948533A (en) Non-planar CVD diamond-coated CMP pad conditioner and method for manufacturing
CN110431654A (zh) 改性SiC晶片的制造方法、附有外延层的SiC晶片、其制造方法、及表面处理方法
TWI613145B (zh) 奈米碳膜之製作方法及奈米碳膜
WO2017080079A1 (zh) 一种以纳米碳材料的热扩散为预处理的硬质涂层制备方法
Lin et al. Surface damage of single-crystal diamond (100) processed based on a sol-gel polishing tool
CN110366611A (zh) 碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板
Deng et al. Characterization of 4H-SiC (0001) surface processed by plasma-assisted polishing
JPS61124573A (ja) ダイヤモンド被覆基材及びその製造方法
Li et al. Energy beam-based direct and assisted polishing techniques for diamond: A review
JPH06262525A (ja) 研削砥石及びその製造方法
JPS63283858A (ja) 硬質複合粉末研磨材
Sun Development of plasma-based nano-precision