JPH10510680A

JPH10510680A - 滑りのない垂直架台構造

Info

Publication number: JPH10510680A
Application number: JP8533552A
Authority: JP
Inventors: エー．トマノビチ，ジョン
Original assignee: サン−ゴバンインダストリアルセラミックス，インコーポレイティド
Priority date: 1995-05-05
Filing date: 1996-05-03
Publication date: 1998-10-13
Also published as: KR19990008205A; MX9708506A; KR100278731B1; CA2218518C; US5865321A; EP0826233A1; CA2218518A1; CN1183854A; CN1079577C; JP2004006841A; WO1996035228A1

Abstract

(57)【要約】本発明は複数の半導体ウエーハを離間した実質的に水平の平行な関係に支持するための垂直の架台に関し、この垂直の架台は、（ａ）垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から実質的に水平に延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直に離間された水平の支持手段、とを具備し、前記水平の支持手段が突起であり、各突起がウエーハ受け台で終わる腕からなりそれにより各支持段の少なくとも１つのウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の20％と80％の間の範囲となるようにし、前記腕が連続し上方に傾斜して突出しウエーハ受け台で終わっている。

Description

【発明の詳細な説明】滑りのない垂直架台構造発明の背景集積回路（IC'S）のような半導体素子の製造は典型的には反応ガスの存在する中でシリコンウエーハを熱処理することを必要とする。この工程の間、半導体素子がさらされる温度とガスの濃度とは、これら素子が処理環境のごく僅かな変動にも敏感な１μｍより小さな寸法の電気回路要素を含むことが多いため、慎重に制御されなければならない。半導体製造産業は典型的には水平又は垂直な受け台の中でウエーハを処理する。典型的には「ボート」と称される、水平の受け台は半円形の形状に配列された３つ又は４つの水平に設けられた棒を有し、各棒は規則正しい間隔の内側に向く溝の組を有している。各組の溝は垂直に配設されたウエーハを担持するため垂直な空間を区画形成する。典型的には「垂直架台」と称される垂直な受け台は半円形の形状に配列された３つ又は４つの垂直に設けられた桿を有し、各桿は水平に配設されたウエーハを担持するための空間を区画形成するよう規則正しい間隔の溝の組を有している。公知の垂直架台は図１に示されている。この架台は典型的には頂部プレートと、底部プレートと、頂部プレートを底部プレートに固定するための３つ又は４つの支柱とを有している。「歯」と称される各溝の間の支柱の部分は、ウエーハを底部プレートから規則正しい間隔でこれに水平に支持するため同一間隔をおいて配されている。架台全体はウエーハを処理するため垂直な炉の中に置かれる。垂直な架台上で処理されるウエーハはその面全体にわたって温度勾配を少ししか受けないため、半導体製造は増々垂直の炉に変わりつつある。しかし、垂直炉による方法には欠点がある。図１の従来技術に示されるように、公知の垂直架台に配置されたウエーハはその外側縁が支持されているにすぎない。このように、これらの歯に当接するウエーハの面積はウエーハの残りの部分よりも高い応力を受ける。炉の中の温度が約1000℃ を超えた時、これらの応力は増大することが多く単一結晶のウエーハの部分はこの応力に応じて結晶プレートに沿い相互に対し移動する。「滑り」と称されるこの現象は滑りが生じたウエーハの部分に位置する半導体素子の価値を事実上破壊する。米国特許第5,492,229 号は中心に近い支柱を有する垂直架台構造を開示している。しかし、この構造の第１の実施態様はシリカ成分（高温を受けやすい）を結合することによって作られるか又は水の噴流を用いて内部スリット（不都合な）を形成することによって作られなければならない。この構造の第２の実施態様はもっぱらより便利なダイヤモンド鋸を用いることにより作ることができるが、ウエーハの上に大きな影を投じるわん曲した垂直の支持体を必要とする。したがって、滑りをなくし、高温に耐え、ダイヤモンド鋸で作ることができ、またウエーハ上に大きな影を投げかけない、垂直架台構造が必要である。発明の概要本発明によれば、複数の半導体ウエーハを、離間し実質的に水平の平行な関係で支持するための垂直架台が提供されるが、この垂直架台は、（ａ）垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から実質的に水平に延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する、複数の垂直に離間した水平の支持手段、とを具備し、水平の支持手段が突起であり、各突起がウエーハ受け台で終わる腕を具備し、それにより各支持段の少なくとも１つのウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の20％と80％との間の範囲にあるようにし、前記腕が連続した上方への傾斜で突出しウエーハ受け台で終わっていることを特徴としている。また本発明によれば、複数の半導体ウエーハを離間し実質的に水平の平行な関係に支持する垂直の架台が提供され、この垂直架台は、（ａ）垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から実質的に水平に延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する水平の支持手段とを具備し、水平の支持手段が、水平に突出しウエーハにウエーハの縁から連続して接触する突起であり、それにより各支持段の少なくとも１つの腕とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径から測ってウエーハの半径の20％と80％との間の範囲となるようにしていることを特徴としている。ある実施態様においては、垂直の架台は、（ａ）頂部プレートと、（ｂ）底部プレートと、（ｃ）複数の垂直の桿であって、各桿の上端が頂部プレートの周縁の周りに固定され各桿の下端が底部プレートの周縁の周りに固定され、桿の各々が底部プレートから等距離で離間された複数の突起を有しウエーハを水平に支持するための複数の支持段を区画形成するようにしている、複数の垂直の桿、とを具備し、各支持段の突起の少なくとも１つとその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の20％と80％との間の範囲にあることを特徴としている。第１の好ましい実施態様（図２のような）においては、各突起はウエーハ受け台で終わる腕を具備しまたウエーハはウエーハ受け台によってもっぱら支持される。各ウエーハ受け台と支持されたウエーハとの間の最も内部の接触はウエーハの縁から測ってウエーハの半径20％と80％との間の範囲にある。好ましくは、腕は連続する上方への傾斜で突出しウエーハ受け台は水平である。さらに好ましくは、突起は桿がウエーハの30％以下に、最も好ましくはウエーハの10％以下に影を投げかけるように位置決めされる。第２の好ましい実施態様（図３のような）において、各突起は水平に突出する腕からなりウエーハとはウエーハの縁から連続して接触しそれにより腕とウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径から測ってウエーハ半径の20％と80 ％の間の範囲となるようにする。好ましくは突起は桿がウエーハの30％以下に、最も好ましくはウエーハの10％以下に影を投げかけるようにして位置される。図面の記載図１は公知の垂直架台構造である。図２はウエーハ受け台で終る腕を具備する突起を有する本発明の垂直架台の頂面図と側面図である。図３は水平の腕を有する本発明の垂直架台の頂面図と側面図である。図４は典型的なウエーハに図２と３の桿によって生じた影を示す。発明の詳細な説明図２を参照すると、半導体ウエーハＷを処理するための垂直架台が提供され、この垂直架台は、（ａ）頂部プレート２と、（ｂ）底部プレート３と、（ｃ）複数の垂直な桿４であって、各桿の上端５が頂部プレート２の周縁の周りに固定され各桿の下端６が底部プレート３の周縁の周りに固定され、桿の各々が底部プレート３から等距離で離間した複数の突起７を有しウエーハＷを水平に支持するための複数の支持段を区画形成するようにした、複数の垂直の桿４、とを具備し、各突起７がウエーハ受け台９で終わる腕８を具備しそれによりウエーハ受け台とウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の 20％と80％との間の範囲にあるようにしている。図２に示される構造の予備的な試験はこの構造が滑りの問題を解決することを示している。理論にとらわれないで、ウエーハに周縁の支持のみを与えること（図１のような）が滑りを与える大きな応力を生じさせることが考えられる。本発明（図２に具体化されたような）はウエーハの中心により接近した支持を行うことによってこの応力を小さくする。第１の実施態様の連続する傾斜は典型的には水平面から約0.5 度と約10度の間である。この実施態様のウエーハ受け台は典型的にはウエーハに接触するよう位置づけられそれにより少なくとも１つ好ましくは少なくとも３つのウエーハ受け台の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径の 20％と80％の間（ウエーハの縁から測って）、また好ましくはウエーハの半径の 33％と66％の間の範囲にあるようにする。１つの支持段におけるウエーハ受け台の全表面積は典型的にはウエーハの表面積の約0.02％と約１％の間である。ここで図３を参照すると、半導体ウエーハを処理するための垂直架台が提供され、この垂直架台は、（ａ）頂部プレート12と、（ｂ）底部プレート13と、（ｃ）複数の垂直の桿14であって、各桿の上端15が頂部プレート12の周縁の周りに固定され各桿の下端16が底部プレート13の周縁の周りに固定され、桿の各々が底部プレート13から等距離で離間された複数の突起17を有しウエーハＷを水平に支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直の桿14、とを具備し、各突起17がウエーハにウエーハの縁から連続して接触するよう水平に突出する腕からなりそれによりこの腕とウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径から測ってウエーハの半径の20％と80％の間の範囲となるようにする。図３に記載された本発明の実施態様は図２の実施態様とはその腕が水平である点で異なっている。水平の腕は傾斜した腕よりも垂直の空間を少ししか必要としないので、より多くのウエーハが、傾斜した腕を有する同様な高さの架台におけるよりもこの構造を有する架台の中で処理することができる。さらに、この架台は傾斜した腕の実施態様のウエーハ受け台を作るための別の機械加工工程を必要としないので組立てるのがさらに容易となる。第２の好ましい実施態様においては、少なくとも１つ好ましくは少なくとも３つの腕の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触はウエーハ半径の20％と80％の間好ましくは33％と66％の間の範囲にある。さらに、１つの支持段の腕とその支持されたウエーハとの間の全接触面積は典型的にはウエーハの表面積の約１％と約５％との間である。滑りを引き起こす応力を最小にするため、ウエーハが載る突起（すなわち、ウエーハ受け台又は水平の腕）の表面は同一平面上にありまた滑らかであるようにすべきである。例えば、支持段の突起の表面は、ASMEナショナルスタンダードY1 4.5M-1994 のセクション６．５．４に規定されるように約0.05mm以内に同一平面とすべきである。各々がANSI／ASMEナショナルスタンダードB46.1-1985のセクション３．９．１によって規定されるように約１ミクロン（μｍ）Ra以内で滑らかとすべきである。突起が典型的には垂直架台の桿から延びる距離（突起の端部と桿との間の最短距離を測ることにより知られ図３に「Ａ」として示されている）は一般に処理されるウエーハの大きさによって決まる。例えば処理されるウエーハが150 mmの直径を有している時、突起は典型的には少なくとも17mm、通常は約22mmと約42mmの間、そして好ましくは約29mm延びている。処理されるウエーハが200 mmの直径を有している時、突起は典型的には少なくとも24mm、通常は約32mmと約52mmの間、そして好ましくは約38mm延びている。処理されるウエーハが300 mmの直径を有している時、突起は典型的には少なくとも32mm、通常は約42mmと約72mmの間、そして好ましくは約56mm延びている。本発明の垂直架台は、半導体処理のための垂直架台の高温度生産に普通に用いられる任意の材料、好ましくは再結晶されたシリコン炭化物から作ることができる。この架台材料はまたシリコン炭化物、シリコン窒化物又はダイヤモンドのような耐熱性材料で被覆されたCVD とすることができる。好ましくは、架台はWorc ester．MA のノートン会社から入手可能な再結晶されたシリコン炭化物、CRYSTA R からなっている。垂直架台の桿は典型的には支柱の内部の支柱に近接したウエーハの部分からの輻射熱及び／又は反応ガス（垂直炉の周縁から進入する）を遮蔽し又は「影でおおう」ことが観察されてきた。したがって、ウエーハの「影でおおわれた」部分とウエーハの残りの部分の間に温度及び／又はガスの集中の大きな変化が生じる。これらの変化は滑り発生応力を生じる一因となる。したがって、ある実施態様においては、突起は桿がウエーハの30％以下、好ましくはウエーハの10以下に影を投げかけるように半径方向に向けられる。本発明の目的のため、この影の割合は反応ガス及び／又は熱が桿によって邪魔されない経路の架台周縁から半径方向に直接前進することができるウエーハの面の割合を決定することによって計算される。図４ｂの影になった部分はウエーハ上の図２ａと３ａの桿によって生じた影を示す。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】１９９７年５月２９日【補正内容】米国特許第5,492,229 号は中心に近い支柱を有する垂直架台構造を開示している。しかし、この構造の第１の実施態様はシリカ成分（高温を受けやすい）を結合することによって作られるか又は水の噴流を用いて内部スリット（不都合な）を形成することによって作られなければならない。この構造の第２の実施態様はもっぱらより便利なダイヤモンド鋸を用いることにより作ることができるが、ウエーハの上に大きな影を投じるわん曲した垂直の支持体を必要とする。したがって、滑りをなくし、高温に耐え、ダイヤモンド鋸で作ることができ、またウエーハ上に大きな影を投げかけない、垂直架台構造が必要である。発明の概要本発明によれば、複数の半導体ウエーハを、離間し実質的に水平の平行な関係で支持するための垂直架台が提供されるが、この垂直架台は、（ａ）垂直の支持手段であって、（ｉ）各々が上端と下端とを有する少なくとも１つの桿と、（ii）頂部プレートと、（iii）底部プレート、とを具備し、少なくとも１つの桿の上端が頂部プレートに固定され少なくとも１つの桿の下端が底部プレートに固定されている、垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から実質的に水平に延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する、複数の垂直に離間した水平の支持手段、とを具備し、ウエーハ支持手段が突起であり、各突起がウエーハ受け台で終わる腕を具備し、それにより各支持段の少なくとも１つのウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の20％と80 ％との間の範囲にあるようにし、前記腕が連続した上方への傾斜で突出しウエーハ受け台で終わっていることを特徴としている。また本発明によれば、複数の半導体ウエーハを離間し実質的に水平の平行な関係に支持する垂直の架台が提供され、この垂直架台は、（ａ）垂直の支持手段であって、（ｉ）各々が上端と下端とを有する少なくとも１つの垂直の桿と、（ii）頂部プレートと、（iii）底部プレートと、を具備し、少なくとも１つの桿の上端が頂部プレートに固定され少なくとも１つの桿の下端が底部プレートに固定されている、垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から実質的に水平に延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直に離間されたウエーハ支持手段、とを具備し、ウエーハの支持手段がウエーハにウエーハの縁から連続して接触するよう水平に突出する突起でありそれにより各支持段の腕の少なくとも１つとその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径から測ってウエーハの半径の20％と80％との間の範囲となるようにしている。ある実施態様においては、各桿は、底部プレートの周縁の周りに固定され、底部プレートから等距離に離間されウエーハを水平に支持するための複数の支持段を区画形成する複数の突起を有し、各支持段の突起の少なくとも１つとその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の20％と80％との間の範囲にあるようにしている。第１の好ましい実施態様（図２のような）においては、各突起はウエーハ受け台で終わる腕を具備しまたウエーハはウエーハ受け台によってもっぱら支持される。各ウエーハ受け台と支持されたウエーハとの間の最も内部の接触はウエーハの縁から測ってウエーハの半径20％と80％との間の範囲にある。好ましくは、腕は連続する上方への傾斜で突出しウエーハ受け台は水平である。さらに好ましくは、突起は桿がウエーハの30％以下に、最も好ましくはウエーハの10％以下に影を投げかけるように位置決めされる。第２の好ましい実施態様（図３のような）において、各突起は水平に突出する腕からなりウエーハとはウエーハの縁から連続して接触しそれにより腕とウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の20％と80％の間の範囲となるようにする。好ましくは突起は桿がウエーハの30％以下に、最も好ましくはウエーハの10％以下に影を投げかけるようにして位置される。図面の記載図１は公知の垂直架台構造である。図２はウエーハ受け台で終る腕を具備する突起を有する本発明の垂直架台の頂面図と側面図である。図３は水平の腕を有する本発明の垂直架台の頂面図と側面図である。図４は典型的なウエーハに図２と３の桿によって生じた影を示す。発明の詳細な説明図２を参照すると、半導体ウエーハＷを処理するための垂直架台が提供され、この垂直架台は、（ａ）頂部プレート２と、（ｂ）底部プレート３と、（ｃ）複数の垂直な桿４であって、各桿の上端５が頂部プレート２の周縁の周りに固定され各桿の下端６が底部プレート３の周縁の周りに固定され、桿の各々が底部プレート３から等距離で離間した複数の突起７を有しウエーハＷを水平に支持するための複数の支持段を区画形成するようにした、複数の垂直の桿４、とを具備し、各突起７がウエーハ受け台９で終わる腕８を具備しそれによりウエーハ受け台とウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の 20％と80％との間の範囲にあるようにしている。図２に示される構造の予備的な試験はこの構造が滑りの問題を解決することを示している。理論にとらわれるないで、ウエーハに周縁の支持のみを与えること（図１のような）が滑りを与える大きな応力を生じさせることが考えられる。本発明（図２に具体化されたような）はウエーハの中心により接近した支持を行うことによってこの応力を小さくする。第１の実施態様の連続する傾斜は典型的には水平面から約0.5 度と約10度の間である。この実施態様のウエーハ受け台は典型的にはウエーハに接触するよう位置づけられそれにより少なくとも１つ好ましくは少なくとも３つのウエーハ受け台の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径の20％と80％の間（ウエーハの縁から測って）、また好ましくはウエーハの半径の33％と66％の間の範囲にあるようにする。１つの支持段におけるウエーハ受け台の全表面積は典型的にはウエーハの表面積の約0.02％と約１％の間である。ここで図３を参照すると、半導体ウエーハを処理するための垂直架台が提供され、この垂直架台は、（ａ）頂部プレート12と、（ｂ）底部プレート13と、（ｃ）複数の垂直の桿14であって、各桿の上端15が頂部プレート12の周縁の周りに固定され各桿の下端16が底部プレート13の周縁の周りに固定され、桿の各々が底部プレート13から等距離で離間された複数の突起17を有しウエーハＷを水平に支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直の桿14、とを具備し、各突起17がウエーハにウエーハの縁から連続して接触するよう水平に突出する腕からなりそれによりこの腕とウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の20％と80％の間の範囲となるようにする。図３に記載された本発明の実施態様は図２の実施態様とはその腕が水平である点で異なっている。水平の腕は傾斜した腕よりも垂直の空間を少ししか必要としないので、より多くのウエーハが、傾斜した腕を有する同様な高さの架台におけるよりもこの構造を有する架台の中で処理することができる。さらに、この架台は傾斜した腕の実施態様のウエーハ受け台を作るための別の機械加工工程を必要としないので組立てるのがさらに容易となる。第２の好ましい実施態様においては、少なくとも１つ好ましくは少なくとも３つの腕の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触はウエーハ半径の20％と80％の間好ましくは33％と66％の間の範囲にある。さらに、１つの支持段の腕とその支持されたウエーハとの間の全接触面積は典型的にはウエーハの表面積の約１％と約５％との間である。滑りを引き起こす応力を最小にするため、ウエーハが載る突起（すなわち、ウエーハ受け台又は水平の腕）の表面は同一平面上にありまた滑らかであるようにすべきである。例えば、支持段の突起の表面は、ASMEナショナルスタンダードY1 4.5M-1994 のセクション６．５．４に規定されるように約0.05mm以内に同一平面とすべきである。各々がANSI／ASMEナショナルスタンダードB46.1-1985のセクション３．９．１によって規定されるように約１ミクロン（μｍ）Ra以内で滑らかとすべきである。突起が典型的には垂直架台の桿から延びる距離（突起の端部と桿との間の最短距離を測ることにより知られ図３に「Ａ」として示されている）は一般に処理されるウエーハの大きさによって決まる。例えば処理されるウエーハが150 mmの直径を有している時、突起は典型的には少なくとも17mm、通常は約22mmと約42mmの間、そして好ましくは約29mm延びている。処理されるウエーハが200 mmの直径を有している時、突起は典型的には少なくとも24mm、通常は約32mmと約52mmの間、そして好ましくは約38mm延びている。処理されるウエーハが300 mmの直径を有している時、突起は典型的には少なくとも32mm、通常は約42mmと約72mmの間、そして好ましくは約56mm延びている。本発明の垂直架台は、半導体処理のための垂直架台の高温度生産に普通に用いられる任意の材料、好ましくは再結晶されたシリコン炭化物から作ることができる。この架台材料はまたシリコン炭化物、シリコン窒化物又はダイヤモンドのような耐熱性材料で被覆されたCVD とすることができる。好ましくは、架台はWorcester．MA のノートン会社から入手可能な再結晶されたシリコン炭化物、CRYSTAR からなっている。垂直架台の桿は典型的には支柱の内部の支柱に近接したウエーハの部分からの輻射熱及び／又は反応ガス（垂直炉の周縁から進入する）を遮蔽し又は「影でおおう」ことが観察されてきた。したがって、ウエーハの「影でおおわれた」部分とウエーハの残りの部分の間に温度及び／又はガスの集中の大きな変化が生じる。これらの変化は滑り発生応力を生じる一因となる。したがって、ある実施態様においては、突起は桿がウエーハの30％以下、好ましくはウエーハの10以下に影を投げかけるように半径方向に向けられる。本発明の目的のため、この影の割合は反応ガス及び／又は熱が桿によって邪魔されない経路の架台周縁から半径方向に直接前進することができるウエーハの面の割合を決定することによって計算される。図４ｂの影になった部分はウエーハ上の図２ａと３ａの桿によって生じた影を示す。請求の範囲１．複数の半導体ウエーハを離間した実質的に水平で平行な関係に支持するための垂直の架台であって、（ａ）垂直な支持手段であって、（ｉ）各々が上端と下端とを有する少なくとも１つの垂直の桿と、（ii）頂部プレートと、（iii）底部プレートと、を具備し、少なくとも１つの桿の上端が頂部プレートに固定され少なくとも１つの桿の下端が底部プレートに固定されている、垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直に離間したウエーハ支持手段、とを具備し、前記ウエーハ支持手段が突起であり、該突起の各々がウエーハ受け台で終わる腕を具備しそれにより各支持段の少なくとも１つのウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の 20％と80％の間の範囲となるようにし、前記腕が連続し上方に傾斜して突出しウエーハ受け台で終わっている、垂直の架台。２．各支持段の少なくとも３つのウエーハ受け台の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の20％と 80％との間の範囲である請求項１に記載の架台。３．各支持段の少なくとも１つのウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の33％と66％の間の範囲である請求項１に記載の架台。４．各支持段の少なくとも３つのウエーハ受け台の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の33％と 66％の間の範囲である請求項１に記載の架台。５．ウエーハ受け台が水平である請求項１に記載の架台。６．桿がウエーハの30％以下に影を投げる形状を有し、影の割合が、反応ガスと熱の少なくとも一方が桿によって邪魔されない経路の架台周縁から直接半径方向に進むことのできるウエーハの面の割合を決定することにより計算される請求項１に記載の架台。７．桿がウエーハの10以下に影を投げかける形状を有している請求項６に記載の架台。８．腕の少なくとも一部が約１μｍの粗さ（Ra）を有している請求項１に記載の架台。９．ウエーハ支持手段が、各支持段のウエーハ受け台が約0.05mm以内の同一平面上にある形状を有している請求項１に記載の架台。 10．支持段のウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の全接触面積がウエーハの表面積の約0.02％と約１％との間である請求項１に記載の架台。 11．再結晶したシリコン炭化物からなる請求項１に記載の架台。 12．CVD シリコン炭化物の外側被覆を有する請求項１に記載の架台。 13．複数の半導体ウエーハを離間した実質的に水平の平行な関係に支持するための垂直の架台であって、（ａ）垂直の支持手段であって、（ｉ）各々が上端と下端とを有する少なくとも１つの垂直の桿と、（ii）頂部プレートと、（iii）底部プレートと、を具備し、少なくとも１つの桿の上端が頂部プレートに固定され少なくとも１つの桿の下端が底部プレートに固定されている、垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から水平に延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直に離間したウエーハ支持手段、とを具備し、前記ウエーハ支持手段がウエーハにウエーハの縁から連続して接触するよう水平に突出する突起であり、それにより各支持段の腕の少なくとも１つとその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の20％と80％の間の範囲となるようにしている、垂直の架台。 14．各支持段の少なくとも３つの腕の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の20％と80％の間の範囲である請求項13に記載の架台。 15．各支持段の少なくとも１つの腕とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の33％と66％の間の範囲である請求項13に記載の架台。 16．各支持段の少なくとも３つの腕の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の33％と66％の間の範囲である請求項13に記載の架台。 17．桿がウエーハの30％以下に影を投げかける形状を有し、影の割合が、反応ガスと熱の少なくとも一方が桿によって邪魔されない経路の桿の周縁から直接半径方向に前進することのできるウエーハの面の割合を決定することにより計算される請求項13に記載の架台。 18．桿がウエーハの10％以下の影を投げかける形状を有している請求項17に記載の架台。 19．腕の少なくとも一部が１μｍの粗さ（Ra）を有している請求項13に記載の架台。 20．ウエーハ支持手段が、各支持段の腕が約0.05mm以内で同一平面上にある形状を有している請求項13に記載の架台。 21．再結晶したシリコン炭化物からなる請求項13に記載の架台。 22．CVD シリコン炭化物の外側被覆を有する請求項13に記載の架台。 23．支持段の腕とその支持されたウエーハとの間の全接触面積がウエーハの表面積の約１％と約５％の間である請求項13に記載の架台。 24．（ａ）請求項１の垂直の架台の突起の上に複数のウエーハを置く段階と、（ｂ）ウエーハを約1000℃より高い温度で処理する段階、とを含む処理方法。【手続補正書】【提出日】１９９７年１１月５日【補正内容】請求の範囲１．複数の半導体ウエーハを離間した実質的に水平で平行な関係に支持するための垂直の架台であって、（ａ）垂直な支持手段であって、（ｉ）各々が上端と下端とを有する少なくとも１つの垂直の桿と、（ii）頂部プレートと、（iii）底部プレートと、を具備し、少なくとも１つの桿の上端が頂部プレートに固定され少なくとも１つの桿の下端が底部プレートに固定されている、垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直に離間したウエーハ支持手段、とを具備し、前記ウエーハ支持手段が突起であり、該突起の各々がウエーハ受け台で終わる腕を具備しそれにより各支持段の少なくとも１つのウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の 20％と80％の間の範囲となるようにし、前記腕が連続し上方に傾斜して突出しウエーハ受け台で終わっている、垂直の架台。２．複数の半導体ウエーハを離間した実質的に水平の平行な関係に支持するための垂直の架台であって、（ａ）垂直の支持手段であって、（ｉ）各々が上端と下端とを有する少なくとも１つの垂直の桿と、（ii）頂部プレートと、（iii）底部プレートと、を具備し、少なくとも１つの桿の上端が頂部プレートに固定され少なくとも１つの桿の下端が底部プレートに固定されている、垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から水平に延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直に離間したウエーハ支持手段、とを具備し、前記ウエーハ支持手段がウエーハにウエーハの縁から連続して接触するよう水平に突出する突起であり、それにより各支持段の腕の少なくとも１つとその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の20％と80％の間の範囲となるようにしている、垂直の架台。

Claims

【特許請求の範囲】１．複数の半導体ウエーハを離間した実質的に水平で平行な関係に支持するための垂直の架台であって、（ａ）垂直な支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から実質的に水平に延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直に離間された水平の支持手段、とを具備し、前記水平の支持手段が突起であり、該突起の各々がウエーハ受け台で終わる腕を具備しそれにより各支持段の少なくとも１つのウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の20 ％と80％の間の範囲となるようにし、前記腕が連続し上方に傾斜して突出しウエーハの縁で終わっている、垂直の架台。２．各支持段の少なくとも３つのウエーハ受け台の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の20％と 80％との間の範囲である請求項１に記載の架台。３．各支持段の少なくとも１つのウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の33％と66％の間の範囲である請求項１に記載の架台。４．各支持段の少なくとも３つのウエーハ受け台の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの縁から測ってウエーハの半径の33％と 66％の間の範囲である請求項１に記載の架台。５．ウエーハ受け台が水平である請求項１に記載の架台。６．垂直の支持手段が桿であり該桿がウエーハの30％以下に影を投げかける請求項１に記載の架台。７．桿がウエーハの10以下に影を投げかける請求項６に記載の架台。８．各ウエーハ受け台が約１μｍの粗さ（Ra）を有している請求項１に記載の架台。９．各支持段のウエーハ受け台が約0.05mm以内の同一平面上にある請求項１に記載の架台。 10．支持段のウエーハ受け台とその支持されたウエーハとの間の全接触面積がウエーハの表面積の約0.02％と約１％との間である請求項１に記載の架台。 12．再結晶したシリコン炭化物からなる請求項１に記載の架台。 13．CVD シリコン炭化物で被覆された請求項１に記載の架台。 14．複数の半導体ウエーハを離間した実質的に水平の平行な関係に支持するための垂直の架台であって、（ａ）垂直の支持手段と、（ｂ）垂直の支持手段から実質的に水平に延びウエーハを支持するための複数の支持段を区画形成する複数の垂直に離間した水平の支持手段、とを具備し、前記水平の支持手段がウエーハにウエーハの縁から連続して接触するよう水平に突出する突起であり、それにより各支持段の腕の少なくとも１つとその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径から測ってウエーハ半径の20％と80％の間の範囲となるようにしている、垂直の架台。 15．各支持段の少なくとも３つの腕の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径から測ってウエーハ半径の20％と80％の間の範囲である請求項14に記載の架台。 16．各支持段の少なくとも１つの腕とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径から測ってウエーハ半径の33％と66％の間の範囲である請求項14に記載の架台。 17．各支持段の少なくとも３つの腕の各々とその支持されたウエーハとの間の最も内部の接触がウエーハの半径から測ってウエーハ半径の33％と66％の間の範囲である請求項14に記載の架台。 18．垂直の支持手段が桿であり、該桿がウエーハの30％以下に影を投げかける請求項14に記載の架台。 19．前記桿がウエーハの10％以下に影を投げかける請求項18に記載の架台。 20．ウエーハに接触する各腕の部分が１μｍの粗さ（Ra）を有している請求項１４に記載の架台。 21．各支持段の腕が約0.05mm以内で同一平面上にある請求項14に記載の架台。 22．再結晶したシリコン炭化物からなる請求項14に記載の架台。 23．CVD シリコン炭化物で被覆された請求項14に記載の架台。 24．支持段の腕とその支持されたウエーハとの間の全接触面積がウエーハの表面積の約１％と約５％の間である請求項14に記載の架台。 25．（ａ）請求項１の垂直の架台の突起の上に複数のウエーハを置く段階と、（ｂ）ウエーハを約1000℃より高い温度で処理する段階、とを含む処理方法。