TWI316733B - Electron beam drift correction method and electron beam writing method - Google Patents

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1316733 九、發明說明： 本申請案係基於2005年7月4日於日本申請之日本專利申 請案第2005-194930號且主張其之優先權，以及基於2〇〇6 年5月12日於曰本申請之曰本專利申請案第2〇〇6_133873號 且主張其之優先權，該等申請案之全文以引用的方式併入 本文中。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種電子束之束漂移修正方法及電子束 • 之描繪方法，例如，有關於使用電子束於試料上繪製特定 圖案之描繪裝置中的電子束之束漂移修正方法。 【先前技術】 對半導體元件之精細化進展有推進作用之微影技術，係 半導體製造製程之中唯一產生圖案之極其重要的製程。近 年來’隨著LSI(Large Scale Integration，大規模積體電路） 之高積體化，半導體元件所要求之電路線寬.正逐年精細 化。為對該等半導體元件形成所期望之電路圖案，必須高 •精度之原畫圖案（亦稱為主光罩或者光罩）。此處，電子線 (電子束）描繪技術本質上具有較好之析像性，而使用於高 精度之原畫圖案之生產中。 圖2 4係用以說明可變成形型電子線描繪裝置之動作概念 圖。 可變成形型電子線描繪裝置（EB(Electr〇n beam，電子束） 描繪裝置）中的第丨孔徑410上，形成有矩形例如長方形之 開口 411，用以使電子線330成形。又，第2孔徑42〇上形成 111359.doc 1316733 有可變成形開口 421，用以使通過第1孔徑410之開口 411之 電子線330成形為所期望之矩形形狀。由帶電粒子源43〇所 照射並通過第1孔徑41〇之開口 411的電子線330，藉由偏向 器而偏向’並通過第2孔徑420之可變成形開口 421之一部 分，而照射至連續地移動於特定的一方向（例如，設為χ方 向）上之平臺上所搭載之試料。即，可通過第1孔徑41〇之 開口 411與第2孔徑420之可變成形開口 421兩者之矩形形

狀，被繪製於連續地移動於χ方向上之平臺上所搭載之試 料mo之描繪區域上。通過第1孔徑41〇之開口 4ΐι與第2孔 铉420之可變成形開口 42丨之兩者而形成任意形狀之方式稱 為可變成形方式（例如，參照曰本專利特開2〇〇〇_58424號公 報）0 此處例如’藉由使自n開始而照射之上述電子線照 射於試料上，而產生反射電子。所產生之反射電子碰撞於 試料裝置内之光學系統或檢測器等而被充電，藉此產生新 的電場。，繼而’由於所產生之新電場，使得偏向試料之電 子線的執道產生變化。㈣時，產生以該主要原因作為- 狀電子線之㈣之變化，即束漂移。由於該束漂移不固 疋、’故難以不進行敎而預測並對此修正，先前， 在決疋某㈣，且於每次該期間經料測定束漂移量後， 對此進行修正。 ::，關於漂移修正，於文獻中揭示有如下技術，即， 據偏向量（束漂移量）之變化率而^下-個測定指示時 刻，並於此時刻测定束漂移量之後，對此進行修正(例 IU359.doc 1316733 如’參照日本專利特開平7 -142321號公報）。又’於文獻中 揭示有如下技術，即，重複漂移修正，直至漂移修正後之 漂移量成為特定臨限值内為止，之後於試料上開始描繪 (例如’參照曰本專利特開平1〇_199786號公報）。另外，於 文獻中揭示有如下兩個技術，即，將轉印圖案分割為多個 區域而在每個區域中決定漂移修正之時間間隔（例如，參 照曰本專利特開平9-260247號公報），或預先決定平臺之溫 度與試料之位置偏移量間之關係，不根據溫度變化而測定 實際之位置偏移量從而僅以預定量修正位置偏移（例如， 參照曰本專利特開2003-188075號公報）。 此處，上述束漂移量於束照射開始後之初期時較大，隨 著時間的經過存在逐漸變小之傾向。因此，與束漂移量較 大的初期時相應地以固定間隔中斷對試料之描繪而進行漂 移修正時，胃移修正之次數冑多，#此相冑，描繪時間增 加，結果導致存在產出量降低之問題❶ 另一方面，為減少漂移修正之次數，亦有嘗試如下方 法:即，如例如上述曰本專利特開平7_142321號公報中所 揭不之結構般，於束漂移量較大的初期時（初期漂移時）縮 ^漂移修正間隔，且隨著束漂移量變小而加長漂移修正間 隔。但’束漂移並不限於例如如上所述之由於束自身充電 而結果引起漂移之情形，另夕卜’亦存有由於干擾而引起漂 移之情形。由於干擾存在無關於時期而產生之可能性，故 為上述日本專利特開平7_142321號公報所揭示之結構上亦 對應於該干擾，因此不得不使料使加長漂移修正之間隔 H1359.doc 1316733 ' 亦將最大時間設定為數分鐘（日本專利特開平7-142321號公 報所揭示之結構中為3分鐘）的短時間内之限制器。因此， 存在漂移修正次數之減少不充分之問題。 又’存在由於干擾而導致偏向器之偏向感度產生劣化之 可能。偏向感度產生劣化時’束之照射位置上產生偏移。 然而’先前並未對於描繪中由於干擾而引起之偏向器之偏 向感度的劣化進行相應處理。另外，亦存在由於干擾而導 致檢測試料之描繪面z方向的位置的Z感測器之光軸產生偏 I 移之可能。此時，變得無法進行高精度之描繪。然而，先 别並未對於描繪中由於干擾而導致之Z感測器之光軸變化 進行相應處理。 【發明内容】 本發明之一態樣之目的在於提供，一種電子束之束漂移修 正方法’其可克服該問題點，且可對應於干擾進而降低漂 移修正次數。又，本發明之其他態樣之目的在於提供一種 電子束描續·方法’其可抑制描緣精度之劣化。 本發明之一態樣之電子束之束漂移修正方法，其特徵在 於， 邊變更期間邊於每次期間經過時修正電子束之束漂移， 且除每次期間經過之修正以外，於特定干擾要素之值的 變化產生特定之變化量時，不論期間經過亦修正電子束之 束漂移。 本發明之其他態樣之電子束之束漂移修正方法，其係於 每次期間經過時修正電子東之束漂移，其特徵在於， HJ359.doc 1316733 開始電子束的束漂移之修正的觸 除上述期間，另外設有 發（trigger)。 徵 本發明之其他態樣之電子束之束漂移修正方法， 在於， 、 修正自開始照射電子束且經過特定期間後之電子 漂移，且 測定特定干擾要素之值， 於所測定出的特定殘要素之錢料定之變化量時， 測定電子束之束漂移量， 偏向 量 根據所測定之電子束之束漂移量，修正電子束之 本發明之一態樣之電子束描繪方法，其特徵在於， 使用以偏向器而偏向之電子束進行描繪， 於描繪中’測定特定干擾要素之值， 於所測定出的特定干擾要素之值達到特定之變化量時， 測定電子束之束漂移量， 根據所測定之電子束之束漂移量，修正電子束之偏向 量。 本發明之其他態樣之電子束描繪方法，其特徵在於， 使用以偏向器而偏向之電子束進行描繪， 於描繪中’測定特定干擾要素之值， 於所測定出的特定干擾要素之值達到特定之變化量時， 測定上述偏向器之偏向區域内的上述電子束之偏向位置。 本發明之其他態樣之電子束描繪方法，其特徵在於， U1359,doc • 10- 1316733 使用電子束對藉由z感測器偵測出z方向位置之執料 _ 描繪， 行 且於描繪中，測定特定干擾要素之值， 於所測定出的特定干擾要素之值達到特定之變化量時 使用配置有上述試料之平臺上所設置之標記，測定上述 s己之z方向位置，且 - 根據所敎出的上述2方向位置，修正上述㉞測器 移值。 偏 • 【實施方式】 以下，實施形態中，就使㈣子束作為f €粒子束之— 例的結構加以說明。但，帶電粒子束並非限定於電 .2為使用離子束等帶電粒子之束。又，作為帶電粒子束 •二:裝:::::束㈣裝置’尤其是可變成形型 實施形態1 圖1係表示實施形態1之電子束之戾.猫狡啟 •之主要部分的圖。 束-移修正方法的步驟 電子束之束漂移修正係實施如 正步驟，邊變更期門邊於、步驟，~:期間單位修 束祙移丨以及干擾單位修正步驟，於 ^電子束之 變化產生特#;寺疋干擾要素之值之 子束之#"上述期間經過而修正上述電 子束之“移。作為期間單位修正 这電 步驟，即：設定步驟⑻02) f施以下-系列 r期間計卿與修正次數 里列疋步驟（Sl〇6);漂移 111359.doc -11. 1316733 修正步驟（S108);修正次數判定步驟（sn〇);以及描繪結 束判疋步驟（S 112)。另-方面’作為干擾單位修正步驟， 只施以下系列步驟，即·干擾要素值測定步驟（S2〇2)、 束漂移量測定步驟（S206)、漂移修正步驟（S2〇8)、以及描 繪結束判定步驟（S210)。 圖2係表示實施形態丨中之描繪裝置之結構的概念圖。 圖2中，電子束裝置之一例即描繪裝置1〇〇，包含描繪部 150及控制部丨6〇。描繪部！ 5〇包含電子鏡筒1 、χγ平臺 1 〇5、電子搶2〇 1、照明透鏡2〇2、第i孔徑203、投影透鏡 2〇4、偏向器2〇5、第2孔徑2〇6、物鏡2〇7及偏向器2〇8。繼 而，於XY平臺105上配置有鏡片1〇4及溫度計1〇8。又，電 子鏡筒102之外侧配置有氣壓計1〇6。控制部16〇包含描繪 控制電路110及雷射測長裝置3〇〇。圖2中，除對於說明本 實施形態1時所必須之構成部分以外，省略其他部分之相 關記載。對於描繪裝置100，通常，當然包含必要之其他 構成。 自電子槍201所射出之電子束2〇〇，藉由照明透鏡2〇2照 亮具有矩形例如長方形之孔的第1孔徑2〇3整體。此處，將 電子束200首先成形為矩形’例如長方形。繼而，通過第1 孔徑203之第1孔徑像的電子束2〇〇，藉由投影透鏡2〇4而投 影於第2孔徑206上。該第2孔徑206上之第1孔徑像之位置 係藉由偏向器205而控制，可使束形狀及尺寸變化。繼 而’通過第2孔徑206之第2孔徑像的電子束200，係藉由物 鏡207而聚焦，並藉由偏向器2〇8而偏向，且照射至配置為 I11359.doc -12- 1316733 可移動之XY平臺105上的試料1〇1之所期望的位置上。XY 平臺105之位置’係自雷射測長裝置3〇〇將雷射照射至鏡片 104，並接文來自鏡片1〇4之反射光而測長。 圖3係用以說明XY平臺移動之情形的圖。 於試料101上進行描續·之時’邊藉由未圖示之驅動部使 XY平臺105連續於X方向上移動，邊使電子束2〇〇照射至將 描繪（曝光）面假設分割為電子束2〇〇可偏向之呈帶狀的多個 條紋區域之試料1〇1的一個條紋區域上。χγ平臺1〇5於X方 向之移動的同時，電子束2〇〇之發射位置亦追隨平臺移 動。繼而，以連續移動之方式可縮短描繪時間。繼而，若 1個條紋區域之描繪完成，則使χγ平臺1〇5於γ方向上階梯 刖進而於X方向（此次為逆向）上進行下個條紋區域之描繪 動作。藉由使各條紋區域之描繪動作如蛇行般進行，從而 可縮短ΧΥ平臺1 〇 5之移動時間。 圖4係ΧΥ平臺之俯視概念圖。 如圖4所示，載置有試料101之ΧΥ平臺1 〇5上設置有標記 152，用以檢查電子束2〇〇之束漂移量。此處，省略了溫度 計108、鏡片1〇4等之圖示。 圖5係表不束漂移修正之相關結構的方塊圖。 於圖5中’描繪控制電路11〇包含偏向控制電路32〇、偏 向放大器3 22、束漂移量測定電路342、修正值運算電路 3 50、期間·次數測定電路362、溫度測定電路364、氣壓測 定電路366、加算器372、加算器374及位置運算電路1〇9。 繼而，藉由偏向放大器322而使偏向器208上被施加有電 111359.doc •13- 1316733 由於束漂移有進一步減少，故將修正間隔之期間t3設定為 3〇分鐘：漂移修正步驟⑷中，由於幾乎沒有束漂移，故將 >間隔之期間t4设定為6〇分鐘。此處，將漂移修正步驟 劃分為多少步驟，可為業者所期望之認為最合適之任意步 驟數。繼而，各漂移修正步驟中的期間&長度亦可設為 業者所期望之認為最合適之任意長度。同樣，各漂移修正 步驟中的修正次數亦可為業者所期望之認為最合適之任意 次數。 ^ ;S(乂驟）丨〇2巾’作為設定步驟，隨著描繪開始或者於 描緣開始前，於期間·次數測定電路如中設定預先定義 之最初漂移修正步驟中的修正期間t與修正次數η。例如， 作為漂移修正步驟（1)，設定（u，ηΐ)。 於_种，作為期間計測步驟，期間•次數測定電路 362計測修正期間te 於S106中’作為束漂移量測定步驟，描緣裝置刚於經 過所設定之期間t之時中止描繪動作，並藉由移動平臺 1〇5’而使除試料101以外亦設置於χγ平臺1〇5上之束校正 用標記152移動至物鏡207之中心。繼而，束漂移量測定電 路342以電子束2崎特描而檢測出標記152 定漂移量。 j 於Sl〇8t，作為漂移修正步驟，修正值運算電路咖根 據由束漂移量測定電路342所測定出的漂移量，運算戸移 修正用修正值。繼而’利用加算器372將原來之設計值資 料與修正值資料進行相加並合成，且改寫設計資料，從而 H1359.doc

S -15- 1316733 修正束漂移。繼而，利 J用加算器374將經過修正之設計資 料、與由雷射測長裝置3 置300測定且由位置運算電路109運算 出的XY平臺1〇5之位置警 置貝枓進行相加並合成，且藉由偏向 控制電路320輸出。根攄 很蘇5亥貪料’偏向控制電路320控制偏 向放大器322之輪出雷厭 α ’且偏向器208根據所控制之電壓 而使電子束200偏向。 於S110中，作為修正次數判定步驟’期間·次數測定電

路362判定於期間t内束漂移修正是否進行了所設定之η次。 繼而，束漂移修正尚去推/ 。’未進仃所設定之次數時，返回S104。 繼而，按照所設定之呤童f ^ ^ ^ 又疋之-人數’重複實施sl〇4至sll〇。繼而， 按照所设疋之次數重複s 1 至ς丨〗〇 ,而木县、々 4主s 110，而當最邳之漂移修正 步驟完成後’前進至Si 12。 於S112中4乍為把繪結束判定步驟，控制部16〇若尚未 結束描繪，則返回S1G2,前進至下—個漂移修正步驟，且

重複S102至S112。同樣，根據預先定義之各漂移修正步驟 進行漂移修正。 如上所述，將修正時期之間隔（期間）設為可變，並隨著 時間之經過加長該間隔，以此方式可減少漂移修正處理次 數，且可減少修正處理中之測定時間、運算時間等。結 果’可縮短合計之描繪時間。 圖7係表示初期漂移軌跡之一例的圖。 圖8係表示穩定期之漂移執跡之一例的圖。 束漂移之變化量較大的初期漂移如圖7所示，漂移方向 不定，與此相對，進入經過特定期間後之穩定期後漂移之 H1359.doc -16· 1316733 並且如圖8所示，漂移方向朝向某一固定方 但丄為使漂移向固定方向前進，XY平臺105上之溫度， 換而言之即試料101之溫度或描繪裝置100之外氣壓等干擾 要素，必須不發生較大變動，或者干擾要素之變化方向一 樣0 圖9係表示氣壓與束漂移間之關係的圖。

如圖9所示可知’氣壓之變動與束漂移之變動存在相互 關係。例如’圖9中’當氣壓上升時，束漂移亦向某方向 變大、-1而’當氣塵轉為下降時，束漂移亦向與先前之方 向相反的方向前進。因& ’僅在所預先定義之漂移修正間 隔内進行漂移修正時，無法追隨由於氣壓變化所引起之束 漂移的變化。因此’本實施形態艸，獨立於期間單位内 之修正，而使用氣壓計106所測定描繪裝置100之外氣壓， 並根據所測定出的氣壓進行漂移修正。

變化量減少 向〇 — = S202中，作為干擾要素值測定步驟，氣壓計106測定 描緣裝置_之外氣壓。繼而，氣壓測定電路366於氣壓與 前-次束漂移修正時之氣壓值之間產生特定變化量(臨限 值）之變化時，將觸發訊號輸出至束漂移量測定電路342。 於令，作為束漂移量測定步驟，描繪裝置100於產 生所設定之臨限值之氣錢化之時中止描_動作，並藉由 移動XY平臺105 ,使除試料⑻以外亦設置於XY平臺105上 :束：正用標記152移動至物鏡2〇7之令心、繼而，束漂移 ϊ挪疋電路342以電子束2G0it行掃插並檢測出標記152之 m359.doc •17· 1316733 十字，測定漂移量。

於S208中，作為漂移修正步驟，修正值運算電路35〇根 據由束漂移量測定電路342所測定出的漂移量，計算出漂 移修正用修正值。繼而，利用加算器372，將原來之設計 值資料與修正值資料進行相加並合成，且改寫設計資料， 攸而修正束漂移。繼而，利用加算器374，將經過修正之 设汁資料、與由雷射測長裝置300測定出並由位置運算電 路109運算出的XY平臺1〇5之位置資料進行相加並合成， 且藉由偏向控制電路32〇輸出。根據該資料，偏向控制電 路32〇控制偏向放大器322之輸出電壓，且偏向器根據 所控制之電壓而使電子束2〇〇偏向。 ;21 0中作為描繪結束判定步驛，控制部】6〇若尚未 結束描，緣’則返回S202,敎氣壓之變動。重複s2〇2至 S210，直至描繪結束為止。 :圖9所#’即使於預先定義之漂移修正間隔内 々J、 據氣壓變動而啟動漂移修正功能。該圖中，表示於預先 義之漂移修正間隔内進行㈣漂移修正之情形。 先前，為對應於不知何時產生之干擾，而無法過多地 大漂移修正之間隔，但如本實施形態i所示，㈣㈣ 内之漂移修正以外，亦將成為 兀將成為干擾要素之氣壓變動作為 發而進行漂移修正’以此方式可將決定漂移修正間隔之 間（設定得足夠長。結果是，可減少漂移修正次數。 此處’氣壓與束位置蠻 變動間之關係，可通過離線之測 而預先掌握。例如，可定羞 ^疋義為如下，變動1 hPa時偏向 lH359.doc 1316733 置偏移5 nm，若將容許極限設為$ 值若變動、則進行漂移測定動^偏移，則作為臨限 預先定義之漂移修正間隔内之氣塵變二於於圖9中，若 打修正動作’故可不修正而繼續插綠動作/1 W則不進 圖1〇係表示溫度與束漂移間之關係的圖。 w ’溫度之㈣與束漂移 關係。例如，圖1〇中，每 k動存在相互 向變大。繼而，“产：："日’ ’束漂移亦向某一方

tr向前進。因此，溫度急劇上升時，僅 疋義之漂移修正間_進行漂移修正時， 度之變化而引起之束浓蒋 …、追隨由於溫 睹，描…“移的變化。或者’當溫度轉為下降 本 11 $義之漂移f多正間隔内進行漂移修正時，益 法追隨由於溫度之變化而引起之束漂移的變化。因此，；: 實=形態1中’獨立於期間單位内之修正’利用溫度計108 J疋XY平臺105上之溫度，並根據所測定出的溫度進行漂 移修正。 ' 於S202中，作為干擾要素值測定步驟，溫度計1 測定 XY平2： 105上的溫度。繼而，溫度測定電路3 64於溫度與 前次束漂移修正時的溫度值之間而產生特定變化量（臨限 值）之變化時’將觸發訊號輸出至束漂移量測定電路342。 於S 2 0 6中’作為束漂移量測定步驟’描繪裝置1 〇 〇於產 生所設定之臨限值之溫度變化之時中止描繪動作，並藉由 移動XY平臺105，使除試料101以外亦設置於χγ平臺1〇5上 的束校正用標記152移動至物鏡207之中心。繼而，束漂移 H1359.doc -19· 1316733 里測定電路342以電子束200進行掃描並檢測出標記152之 十字’測定漂移量。 於S208中，作為漂移修正步驟，修正值運算電路wo根 據由束漂移量測定電路342所測定出之漂移量，計算出漂 移修正用修正值。繼而，利用加算器372，將原來之設計 2資料與修正值資料進行相加並合成，且改寫設計資料， 從而修正束漂移。繼而，利用加算器374，將經過修正之 設計資料、與由雷射測長裝置3〇〇測定出並由位置運算電 路⑽運算出的XY平臺⑼之位置資料進行相加並合成， 且精由偏向控制電路320而輸出。根據該資料，偏向控制 電路320控制偏向放大岑輪 ㈣之雷Μ Μ 偏向器2〇8根據所 控制之電壓，使電子束200偏向。 於S2l〇中，作為描繪结克刹宏牛趣 ^ 結束描繪，則返回sit, 制部160若尚未 則返口 S202 ,測定溫度之變 S21〇’直至描繪結束為止。 室複S202至 如圖_示，即使於預缺義之 Sr —正功能。此處，表 施形態丨所示’除期間單位内之漂移修正以：：。如本實 擾要素之溫度變動作為觸發而進行漂移亦將成為干 將決定漂移修正間隔之_增^此方式可 減少漂移修正次數。 長〜果是，可 *處血度與束位置變動間之關係， 用離線之測定而預先堂 一風壓同樣，可利 旱握。例如，可定義為，變動。咐 111359.doc 1316733 時偏向位置偏移5 nm’ ^將容許極限設為5 nm之偏 則作為臨限值若變動0.031則進行漂移測定動作。例如 於圖1〇中，若預先定義之漂移修正間隔内之氣壓變動小於 〇.〇3°C則不進行修正動作， ' 料&可不進仃修正而繼續插繪動 作0 於束漂移修正時若按照修正量而對偏向位置進行 -次修正，則前次之修正時至此次之修正時之間的偏向位 置之偏移變大，故以直線補充修正前次之漂移位置與此次 之漂移位置，而預測下—伽政Θ "" 识判卜個你移置。繼而，較理想的是按 照該預測使偏向位置逐漸移動。 圖11A及圖11B係表示束漂移之修正方法之一例的圖。

圖11A中，表示僅在期間單位内進行漂移修正之情形。 繼而，圖11B表示經過修正之偏向位置。此處，圖ι^中 幻與X2之間的干擾要素之變動方向產生變化時，束漂移 方向亦產生變化。然而，如圖i! A所#，僅在期間單位内 進行漂移修正時，直至龍成為下次之束漂移修正時之幻 為止’修正方向相同，故如圖ηΒ所示很可能將偏向位置 修正為與實際之漂移方向相反之方向。 圖12Α及圖12Β係表示本實施形態i之束漂移之修正方法 之一例的圖。 圖12A中表示不僅進行期間單位内之漂移修正，亦進行 因干擾要素引起之漂移之修正之情形。繼而，圖12B表示 所修正之偏向位置。此處，圖12A與圖丨丨相同之處在於， XI與X2之間干擾要素之變動方向產生變化時，束漂移之

•2U 川 359.doc 1316733 :向亦產生變化。然而，xmx2之間干擾要素之變動超 =特定之臨限值時，圖12A中，以χιι及χΐ2之進行兩次東 U正故如圖12Β所示，以追隨實際之漂移方向之偏 向里進行修正’藉此，可修正為追隨實際之漂移方向之偏 向位置。 如上所述，將干擾要素之變動作為觸發而進行漂移修 正，藉此，可減少漂移修正處理次數，並可縮減修正處理 所耗費之測定時間、運算時間等。結果是，可縮短合計之 描繪時間’並可提高產出量。 如上所述，_L述實施形態之電子束之束漂移修正方法， -特徵在於包含.期間單位修正步驟，邊變更期間邊於每 次期間經過時修正電子束之束漂移；以及干擾單位修正步 驟，於特定干擾要素之值之變化產生特定變化量時，不論 上述期間經過而修正上述電子束之束漂移。 特定干擾要素之值之變化產生特^的變化量時，不於上 述期間經過而修正上述電子束之束漂移，藉此可除期:以 外而另設測定開始之觸發。結果是，於超過初期漂移時而 束漂移量變小之所謂敎期内，可將修正電子束之束 之間隔設定得；1夠長，以此代替於初期漂移時將修正二 束之束漂移之間隔設定得較短。 繼而，於上述干擾單位修正步驟中，較好的是使 壓值作為上述特定之干擾要素之值。 、 或/及，於本發明之上述干擾單位修正步驟中， 是使用溫度值作為上述特定之干擾要素之值。 、 I11359.doc -22· 1316733 過時修 ，亦設 :二電子束之束漂移修正方法係於每次期間經 料束之束漂移’其特徵在於，除上述期間以外 开始修正上述電子束之束漂移之觸發。

門如㈣電子束之束漂移修正方法其特徵在於，其係修正自 :二！Γ束且經過特定期間後之電子束之束漂移，且 “，i含’干擾要素值測定步驟’測定特定干擾要素 移量敎步驟，於所測定出的特定干擾要素之 及偏向旦：之變化*時’測定上述電子束之束漂移量；以 量，：二：!驟’根據所測定出的上述電子束之束漂移 正電子束之偏向量。 根據遠構成，尤其於超過初期漂移時而束漂移量變小 所謂穩定期時’無需設置期間之限制ϋ，而可測定特定干 擾要素之值，並將該干擾要素之值達料變化量 形作為觸而修正電子束之偏向#。 月 =上述實施形態’可對應於干擾而進_步減少漂移修 -人數。結果是，可縮短描繪時間，且可提高產出量。 實施形態2 s圖13係表示實施形態2之電子束之束漂移修正方法、主 副偏向係數修正及z感測器偏移修正步驟之主 圖。 口丨刀的 電子束之束漂移修正，與實施形態丨同樣地實施如下 驟，即·期間單位修正步驟，邊變更期間邊於每次期間麵 過夺0正電子束之束漂@及干擾單位修正步驟，於特定 干擾要素之值之變化產生特定之變化量時’不論上述 111359.doc -23- 1316733 經過而修正上述電子束之束漂移。由於期間單位修正步驟 (s1〇〇)内之各步驟（設定步驟（S102)、期間計測步驟 (SH)4)、束漂移量測定步驟（S106)、漂移修正步驟 (S108)、修正次數判定步驟（110)、描繪結束判定步驟 (S112)之一系列步驟）與圖丨相同，故為便於觀察圖式而省 略相關圖示。另一方面，作為干擾單位修正步驟，實施如 下之一系列步驟，即，干擾要素值測定步驟（S2〇2)、描繪 停止步驟（S204)、束漂移量測定步驟（S2〇6)、漂移修正步 驟（S208)、主副偏向位置測定步驟（83〇6)、偏向係數運算 步驟（S307)、偏向係數修正步驟（S3〇8)、z方向測定步驟 (S406)、Z感測器偏移重設步驟（|§4〇8)、中止判定步驟 (S5 02)、恢復描繪（S504)、描繪結束判定步驟（§210)。 圖14係表示實施形態2之描繪裝置之結構的概念圖。 於圖14中’作為電子束裝置之一例的描繪裝置ι〇〇中具 備描繪部150、控制部160及電源盤54〇。描繪部15〇包含電 子鏡筒102、描繪室1〇3、χγ平臺1〇5、電子搶2〇ι、照明 透鏡202、第1孔徑203、投影透鏡204、偏向器205、第2孔 徑206、物鏡207、副偏向器212、主偏向器214。繼而，電 子鏡筒102内配置有電子槍2〇 1、照明透鏡202、第1孔徑 203、投影透鏡204、偏向器205、第2孔徑206、物鏡207、 副偏向器212、主偏向器214。又，描繪室103内配置有XY 平臺105。繼而，描繪室1〇3内之χγ平臺1〇5上配置有試料 101。又’ XY平臺1〇5上配置有鏡片1〇4及設置於試料101 附近之溫度計108。又，χγ平臺1〇5上部及XY平臺105下部 111359.doc •24- 1316733 均配置有/m度什。此處，圖示有表示兩個溫度計之溫度計 107又描繪室103中配置有z感測器，該z感測器包含投 光器532及受光器534。較好的是使用例如投光元件作為投 光器532。又，較好的是使用位置檢測元件（psD : ⑽

Sensitive Device)作為受光器534。又’電子鏡筒ι〇2之外 側配置有：氣壓計106，其測定外氣壓；溫度計514，其測 疋现置有描繪裝置100之無塵室等設置室5〇〇内之室溫；磁 力計512，其測定設置室5〇〇内之磁場；以及振動計516 , 其測定設置室500内之振動。控制部16〇包含描繪控制電路 110、雷射測長裝置3〇〇。又，電源盤54〇内配置有電壓計 5 22，其測定自工廠設備側所供給之主侧電源之電壓。 又，设置室500内，描繪室1 〇3形成為恆溫槽，且配置有冷 涞器504 ’其供給用以維持溫度之冷凍水。繼而，設置室 500内配置有：流量計520，其測定自工廠設備側供給至冷 /東器5 0 4之主冷卻水之流量；以及溫度計$ 1 §，其測定所排 出之主冷卻水之溫度。圖14中，除表示有說明實施形態2 時所必須之構成部分以外，省略其他相關記載，對於描繪 裝置10，通常當然包含必要之其他構成。 自電子搶201所射出之電子束200，藉由照明透鏡2〇2而 照亮具有矩形例如長方形之孔的第1孔徑203整體。此處， 將電子束200首先成形為矩形，例如長方形。繼而，通過 第1孔徑203之第1孔徑像的電子束200，藉由投影透鏡2〇4 而投影於第2孔徑206上。該第2孔徑206上之第1孔徑像之 位置係藉由偏向器205而控制’且可使束形狀及尺寸變 111359.doc •25· 1316733 “繼而’通過第2孔徑施之第2孔徑I的電子束藉由 兄2〇7而聚焦’並藉由主偏向器214及副偏向器212而偏 。，且照射至配置為可移動之χγ平臺1〇5上的試料ι〇ι之 斤』望的位置上。χγ平臺1〇5之位置係自雷射測長裝置 3〇〇將雷射照射至鏡片104，並接受來自鏡片1〇4之反射光 而測長。 又，如於圖3中之說明，使電子束200照射至將描繪（曝 光）面假設分割為電子束200可偏向之呈帶狀的多個條紋區 域之試料1G1之-個條紋區域上。繼而，與實施形態i之相 同之處在於，若對丨個條紋區域完成描繪後，則使χγ平臺 105於γ方向上階梯前進而於χ方向上進行下—個條紋區域 之描繪動作。又，與實施形態丨相同之處亦在於，如圖4所 不，載置有試料101之ΧΥ平臺105上設置有標記152。 圖15係表示實施形態2之描繪控制電路之内部結構的方 塊圖。 於圖15中’描繪控制電路110包含偏向控制電路32〇、偏 向放大器322、偏向放大器324、束漂移量測定電路342、 修正值運算電路350、期間·次數測定電路362、溫度測定 電路364、氣壓測定電路360、加算器372、加算器374、位 置運算電路109、Ζ感測器電路562、磁力測定電路572、流 量測定電路574、振動測定電路576、電壓測定電路578、 偏向位置測定電路582、偏向係數運算電路584。 偏向控制電路320上連接有偏向放大器322、偏向放大器 324、加算器374、Ζ感測器電路5 62、偏向係數運算電路 111359.doc -26- 1316733 W4。又，加算器374之輸出侧上連接有偏向控制電路 320 ’而其輸入側上連接有加算器372、位置運算電路 109。加算器372之輸出側上連接有加算器374，而其輸入 側上連接有修正值運算電路350，且將修正值運算電路35〇 之輸出訊號與來自未圖示之電路之設計值相加。修正值運 算電路350上連接有束漂移量測定電路342。束漂移量測定 電路342上連接有期間•次數測定電路362、溫度測定電路 364、氣壓測定電路366、磁力測定電路572、流量測定電 路574、振動測定電路576、電壓測定電路578。偏向係數 運算電路584上連接有偏向量測定電路582。偏向位置測定 電路582上連接有溫度測定電路364、氣壓測定電路366、 磁力測定電路572、流量測定電路574、振動測定電路 576、電壓測定電路578。又，偏向放大器322連接於副偏 向器212。繼而，藉由偏向放大器322而使副偏向器212上 施加有電壓，使電子束2〇〇在副偏向面内靜電偏向。同 樣’偏向放大器324連接於主偏向器214。繼而，藉由偏向 放大益324而使主偏向器214上施加有電壓，使電子束2〇〇 在主偏向面内靜電偏向。又，雷射測長裝置3〇〇連接於位 置運算電路109。繼而，由雷射測長裝置3〇〇所測長之資 料’藉由位置運算電路109而運算為位置資料。z感測器電 路562上連接有成為Z感測器之受光器534。溫度測定電路 364上連接有溫度計107、溫度計108、溫度計514、溫度計 518。氣壓測定電路366上連接有氣壓計1〇6。磁力測定電 路572上連接有磁力計5 12。流量測定電路574上連接有流 111359.doc -27- 1316733 2十20振動測定電路576上連接有振動計5丨6。電壓測 疋電路578上連接有電壓計522。圖15十，除說明實施形態 2時所必須之構成部分以外，省略其他相關記載。對於描 繪控制電路110 ’通常當然包含必要之其他構成。 於S 1 00中，作為期間單位修正步驟，在期間單位内修正 電子束漂移。該期間單位修正步驟係進行圖1所示之如下 -系列步驟’即，設定步驟(S102)、期間計測步驟 (S104)、束漂移量測定步驟（sl〇6)、漂移修正步驟 (S108)、修正次數判定步驟（11〇)、描繪結束判定步驟 (S112)。各步驟之内容與實施形態丨中相同，故省略說明。 於S202中，作為干擾要素值測定步驟，於使用各干擾要 素之計測計測出之各干擾要素值與所預先設定之設定值、 或者則一次之束漂移修正時之值之間產生特定變化量（臨 限值）之變化時，則自各干擾要素之測定電路輸出觸發訊 號。 實施形態1中係使用XY平臺1〇5上之試料1〇1附近之溫度 值與外氣壓值，以此作為干擾要素。實施形態2中，除χγ 平臺105上之試料近之溫度值與外氣壓值以外，進而 亦使用以下值作為干擾要素，即，χγ平臺1〇5上部之溫度 值、ΧΥ平臺105下部之溫度值、設置有描繪裝置1〇〇之設 置室500内之溫度值、設置室5〇〇内之磁場值、設置室5〇〇 内之振動值、自工廠設備側供給至電源盤540之電源電壓 值、自工廠設備侧供給至冷凍器5 〇4之主冷卻水之供給流 直值、自冷/東器504排出至工廠設備側之主冷卻水之溫度 U1359.doc -28- 1316733 值。任一個中產生特定之變化量（臨限值）之變化時，均自， β玄干擾要素之測定電路輸出觸發訊號。該等干擾要素均與 束漂移之變動存在相互關係。 例如，較好的是，於以溫度計丨〇8所計測出之試料1 〇 1附 近之溫度值之變化量、或以溫度計107所計測出之χγ平臺 105之上部或者下部之溫度值之變化量超過ίο〗它時，輸出 觸發訊號。又，較好的是，於例如以溫度計5 14所計測出 之设置環境之溫度值超過平均溫度士〇 〇2<=c時，輸出觸發訊 號。又，較好的是，於例如以氣壓計1〇6所計測出之外氣 壓之變化量超過i hPa時，輸出觸發訊號。又，較好的 疋，於例如以磁力計512所計測出之電子鏡筒1〇2附近之磁 場之變化量超過〇.3 „1(}時，輸出觸發訊號。又，較好的 疋，於例如以振動計516所計測出之振動不足1〇 Hz且超過 0.02 m/s2時，輸出觸發訊號。又，較好的是，於例如以電 壓汁522所計測出之供給電源之電壓產生1〇%以上之變動 夺輸出觸發訊號。又，較好的是，於例如以溫度計518 所计測出之主冷卻水之溫度值超過15〜25〇C之範圍時，輸 出觸發Λ號。又，較好的是，於例如以流量計52〇所計測 出之主冷部水之供給流量值低於30 L/min時，輸出觸發訊 號。 於S204中，作為描繪停止步驟，於各干擾要素中的任一 個中產生特定之變化量（臨限值）之變化時，描繪控制電路 110接收來自該干擾要素之測定電路之觸發訊號，使描繪 中的描繪動作停止。此處，如於圖3之說明，由於描繪裝 111359.doc -29 1316733 =〇以稱作條紋之描繪單位進行描繪，故於對任—個條 、行描綠過程巾接*觸發訊號時，在結㈣條紋之描繪 之時刻使騎㈣暫時停止（暫停條紋卜藉由維持描㈣ 位’可進行高精度之描繪。

，處，較好的是’將各干擾要素之變化量之臨限值分設 ^小兩階段。繼而，該干擾要素之值之變化量達到變化 =較小之臨限值時，結束上述稱作條紋之料單位的描緣 後使描㈣作暫時停止。繼而，該干擾要素之值之變化旦 達到變化量較大之臨限值時，即使在對該纽進行描緣之 過程中於此情形下亦使騎^巾止（相），並結束描 、 於產生如大幅超過較小之自限值t變動時，藉 ==大之臨限值可進行其他處理。繼而，於對某條^ 仃田、'過程中產生如大幅超過較小之臨限值之變動時， 下結束描繪’藉此可防止由於對該殘留部分繼續 進订描繪而引起之脫離容許精度之圖案位置偏移。例如， 振動不足U) Hz且超過G.G1 m/s2時，作為暫停條紋，若偵 測到地震等較大之振動，射於此情形下結束描緣。 vTa TT|j ㈢1予止（暫停條紋）之情形以外 當使其異常中止（ab(m)時亦進行束漂移修正、主副偏向 度確認及修正’而作為診斷選單。又，另外進行2感測 偏移之重叹。以下’說明各步驟。首先，自束漂移修正 始進行說日月。即使使其巾止，亦進行束漂移修正、或主 偏向感度確認及修正，而作為診斷選單，藉此可為下一 之描繪作準備。又’當使其中止時，除診斷選單以外亦 111359.doc -30. 1316733 進行z感測器偏移之重設。 於S206中，作為束漂移量測定步驟，在束漂移量測定電 路342自任干擾要素之測定電路輸入觸發訊號後，使描 繪動作暫時停止之狀態下，藉由移動XY平臺1〇5，使除試 料101以外亦设置於χγ平臺1〇5上之束校正用標記Η]移動 至物鏡207之中心。繼而’束漂移量測定電路342以電子束 200進行掃描並檢測出標記152之十字，而測定漂移量。 於S208中’作為漂移修正步驟，修正值運算電路別根 據由束漂移量測定電路342所測定出的漂移量，計算 移修正用修正值。繼而，利用^鼻出〆不 繼而利用加算器372 ,將原來之設計 值資料與修正值資料進行相加並合成，且改寫設計資料， 從而修正束漂移。繼而 繼而利用加异器374，將經過修正之 設計資料與由雷射測長裝置綱所測定並由位置運算電路 =所運算出的χγ平臺1〇5之位置資料進行相加並合成， 亚籍由偏向控制電路山, “ 輸出。此後，偏向控制電路320根 據該貧料控制偏向放大 ,, 益之輸出電壓，偏向器212、214根 據所控制之電壓，使電子束2〇〇偏向。 根 由於干擾要素’尤其是外氣塵，使 受到影響，故實祐拟能。丄 梅门α没亦 除束增# ^中，除束漂移修正以外，亦確認 降果漂移修正以外之主偟 内的偏向感度，若為容許^ 偏向器212之偏向面 對主/副偏向减产化：牛5 u内則修正偏向感度。以下， 偏向感度修正步驟進行說明。 :S306中’作為主副偏向位置測定 電路582自任一干擾要去+ 隹偏向里測疋 要素之測定電路輸入觸發訊號 ⑴ 359.doc 1316733 描綠動作暫時停止或者中止之狀態下，藉由移動χγ平臺 105 ’使除試料101以外亦設置於ΧΥ平臺1〇5上之束校正用 標記152移動至主偏向區域内之特定位置。繼而，偏向位 置測定電路582於各位置上利用主偏向器214及副偏向器 212使電子束2〇〇偏向’並在標記152上進行掃描而測定被 檢測之標記152之位置。 圖16係表示實施形態2之主偏向區域及副偏向區域的 圖。

如圖16所示’利用描繪裝置ι〇〇對所 卜 U〜_釆 行拖繪時，成為試料101之例如光罩之描繪區域，以可箱 由主偏向器214而偏向之寬度，被分割例如丫方向上呈條翁 狀之多個單位描繪區域（條紋）。繼而，於各條紋中，在） 方向上亦以與條紋之γ方向之寬度相同的寬度進行分割。 °請分割之區域’成為可藉由主偏向器214偏向之主偏向

區域。又，將主偏向區域進—步細劃分後所得之區域則成 為副偏向區域（或稱為子區）。 1偏向器2 12係用於高速且高精度地控制每次發射時電 子束200之位置。因此，偏向範圍如圖w所示較窄，在光 限疋於子區但超過該區域之偏㈣藉由於主偏 4 移動子區之位置而進行。另-方面，主偏向器 214係用於控制子區之位置，且於包含 =物移動。又，描緣過程中，由於χγ平臺= Γ向上移動，故藉由於主偏向器川上隨時移動（追 縱）子區之騎加，從心追㈣平臺時移動（追 111359.doc •32· 1316733 圖1 7係用以說明實施形態2之標記位置之測定方法的 圖。 如圖17所示，藉由移動χγ平臺1〇5而使標記ι52移動至 所期望之主偏向區域10内之各位置。繼而，於主偏向區域 1 〇内之各位置上使電子束200偏向而計測標記1 52的位置， 並求出其殘差。此處，於主偏向區域1〇内，設為5點\5點 之合計25個位置。 圖18係表示實施形態2之標記位置之測定結果之一例的 圖。 圖19係表示圖丨8所示標記位置之殘差之一例的圖。 例如’如圖19所示，當根據圖18之結果所求得之修正殘 差較丨、時’例如，χ方向及y方向均為士 5 nm以内之位置偏 移（殘差）時，直接進入S5〇2。繼而，描繪停止為暫停條紋 時前進至恢復描繪之步驟。 圖20係表示實施形態2之標記位置之測定結果之其他— 例的圖。 圖21係表示圖20所示標記位置之殘差之其他一例的圖。 例如，如圖21所示，當根據圖20之結果所求得之修正殘 差車又大時，例如，x方向及y方向均為超過±5 nm之位置偏 移（殘差）時，進入S307，如下述般修正偏向係數。即，以 主偏向感度檢測出超過5 nm之誤差時，修正偏向係數。副 偏向亦同樣。例如，可將主偏向區域1 0内之各位置分設為 ‘ 點之合计9個位置’並在各位置上測定標記位置。 於S307中，作為偏向係數運算步驟，偏向係數運算電路 111359.doc -33- 1316733 584根據所獲得之偏向位置，而運算出描繪區域之各位置 上定義偏向量之關係式的係數（偏向係數）。 於S308中，作為偏向係數修正步驟，偏向係數運算電路 5 84將所獲得之偏向係數作為參數，且於偏向控制電路 中進行設定，從而進行修正。 由於干擾要素，尤其是外氣壓，使得用於檢測試料丨〇 i 之描繪面的Z位置（光軸方向之位置）之z感測器的光軸亦受 到影響。實施形態2中’除束漂移修正或主/副偏向感度修 正以外，不同於束漂移修正或主/副偏向感度修正而亦修 正決定描繪面之Z位置的Z感測器的偏移值。以下，對2感 測器之偏移值修正步驟進行說明。 於S406中，作為Z方向測定步驟，在自任一干擾要素之 測定電路輸出觸發訊號後，描繪動作暫時停止或者中止之 狀態下’藉由移動XY平臺105而使標記152移動至所期望 之位置。繼而，Z感測器電路562檢測出標記152之2方向位 置。 圖2 2係用以說明實施形態2之光軸方向之偏移之影響的 圖。 電子束200係藉由主偏向器214及副偏向器212而彎曲前 進。繼而’將偏移位置設定為Z方向偏移為「〇」，當試料 101之描緣面於z方向上偏移+Z或者-Z之情形時，如圖24所 示’所照射之電子束200之位置產生偏移。因此，藉由投 光器532與受光器534組合而成之Z感測器而檢測出試料ι〇ι 之Z方向位置。 111359.doc -34- 1316733 圖23係用以說明實施形態2之z感測器之光軸偏移的圖。 由於干擾要素，尤其是大氣壓之變化，使得描繪室103 產生弯曲’投光器532與受光器534之位置關係產生變化。 藉此產生Z方向位置之零點偏移（z偏移）。因此’必須重設 該Z偏移。

於S408中’作為z感測器偏移重設步驟，z感測器電路 5 62以如下方式進行重設，即，設定偏移，以使檢測標記 152之Z方向位置時受光器534之讀取值為零。例如，如圖 23所不’利用2偏移量測定電路566測定標記152之Z方向位 置’並計算出如下之修正值’即，檢測時之受光器534之 讀取值成為零。繼而’可於檢測通常之試料101時利用加 算器564將修正值與該讀取值相加。藉由重設，偏向控制 電路320可修正偏向位置，以使在經過重設之新偏移值之 位置上可進行準確之描繪。 於S5〇2中，作為中止判定步驟，控制部160判定，於 S204中描繪停止之狀態是否中止。繼而，當判定為中止 夺不復描繪動作而結束描繪。未中止時，即，為暫停 條紋時，進入S504恢復描續·動作。 於咖中，作為描繪結束判定步驟，控制部16〇若尚未 結束描綠結束，則返回82()2，重複實施咖至㈣，直至 描繪結束為止。 舌 束漂移修正、主副偏向感度修正、Z感測器偏· 4各步驟，係於任—干擾要素達到特定之變化量心 別獨立開始動作’但動作之順序自任—個開始均可。又 111359.doc -35- 1316733 由於存有因偏向感度 主副偏向感度修正之步驟中，例如， 之誤差而中止描繪之情形，故亦可構成為，首先開始進行 主副偏向感度修正步驟。藉此’可於中止描繪時節省實施 束漂移修正或z感測器偏移重設之各步驟的時間。 又’於以上說明中較好的是，亦可設為，束漂移量測定 步驟(S206)或主偏向量測定步驟(S3〇6)或z方肖測定步驟 (S406)’即使在分別進行敎時，亦在達到料變化量之 該干擾要素之值返回至志為tμ 阻必u/主戚馮正⑦範圍之設定範圍後而開始 進行。

繼而’該等干擾單位修正步驟’於束漂移進人穩定期後 尤其可發揮效果。X，較好的是，亦可設為，任一干擾要 素達到特定之變化量後，縮短期間單位修正步驟(S100)中 所設定之修正間隔之期間。 一以上，參照具體例說明了實施形態。但，本發明並非限 定於該等具體例者。例如，修正自開始照射電子束200而 經過特定期間後的所謂穩定期中之電子I 2〇〇之束潭移 時，亦可不進行期間單位之漂移修正，而僅將氣壓或溫度 之干擾要素之變化量作為觸發而進行漂移修正。藉此，可 進而減少修正處理次數。又，作為干擾要素，列舉有氣壓 與溫度，但並非限定於此，可為其他使電子束漂移之要 素。例如，亦可將磁場之變化量作為觸發而進行漂移修 正又，溫度計1〇8於圖2中係配置於χγ平臺1〇5上，但並 非限定於此。例如，亦可如圖2中至另一個溫度計（圖2 中，以Τ表示）般配置於ΧΥ平臺1〇5之中間位置，例如χ平 1H359.doc -36- 1316733 亦可配置於ΧΥ平臺105之其他位 臺與γ平臺之間。或者， 置上。 :、’㈣裝置構成或控制手法等本發明之說明中所並非 …h 载’但可適當選擇並使用必要的 裝置構成或控制手法。例如，對於控制騎裝置⑽之控 ㈣之構成省略記載’但當然可適當選擇並 制部結構。 文以工

另外’具備本發明之要素且業者可適當進行設計變更之 全部帶電粒子束裝置、帶電粒子束之束漂移修正方法、主/ 副偏向感度修正方法、2感測器偏移重設方法、及帶電粒 子束描繪方法均包含於本發明之範圍内。 該等熟習此項技術者將不難想到額外的優勢及修正。從 而，本發明在其較寬的態樣中並非僅限於本文中所展示及 描述的特定細節及代表形實施例。因&，可在不脫離由附 加=請專職圍及其均等物所界定之通用發明概念之 或範疇之下做出各種修正。 【圖式簡單說明】 圖1係表示實施形態1之電子束之束漂移修正方法之 的主要部分的圖。 ，驟 圖2係表示實施形態1之描繪裝置之結構的概念圖。 圖3係用以說明XY平臺移動之情形的圖。 圖4係XY平臺之俯視概念圖。 圖5係表示有關束漂移修正之結構的方塊圖。 81 6係表示束漂移與時間之關係的圖。 I11359.doc •37· 1316733 圖7係表示初期漂移之軌跡之一例的圖。 圖8係表示穩定期之漂移執跡之一例的圖。 圖9係表示氣壓與束漂移間之關係的圖。 圖1 〇係表示溫度與束漂移間之關係的圖。 圖11A及圖11B係表示束漂移之修正方法之一例的圖。 圖1 2 A及圖12B係表示本實施形態1之束漂移之修正方法 之一例的圖。 圖13係表示實施形態2之電子束之束漂移修正方法、主 W1】偏向係數修正及Z感測器偏移修正的步驟之主要部分的 圖。 圖14係表示實施形態2之描繪裝置之結構的概念圖。 圖1 5係表示實施形態2之描繪控制電路之内部結構的方 塊圖。 圖1 6係表示實施形態2之主偏向區域與副偏向區域的 圖。 圖17係用以說明實施形態2之標記位置之測定方法的 圖。 圖18係表示實施形態2之標記位置之測定結果之一例的 圖。 圖19係表示圖18所示標記之位置之殘差之一例的圖。 圖20係表示實施形態2之標記位置之測定結果之其他— 例的圖。 圖2 1係表示圖2 0所示標記位置之殘差之其他一例的圖。 圖22係用以說明實施形態2之光軸方向之偏移之影響的 111359.doc -38- 1316733 圖。 圖23係用以說明實施形態2之Z感測器之光軸偏移的圖。 圖24係用以說明先前之可變成形型電子線描繪裝置之動 作的概念圖。 【主要元件符號說明】

100 描繪裝置 101 試料 102 電子鏡筒 103 描繪室 104 鏡片 105 XY平臺 106 氣壓計 107 、 108 、 514 、 518 溫度計 109 位置運算電路 110 描繪控制電路 150 描繪部 152 標記 160 控制部 200 電子束 201 電子搶 202 照明透鏡 203 第1孔徑 204 投影透鏡 205 偏向器 111359.doc -39- 1316733

206 第2孔徑 207 物鏡 208 偏向器 212 副偏向 214 主偏向器 300 雷射測長裝置 320 偏向控制電路 322 ' 324 偏向放大器 342 束漂移量測定電路 350 修正值運算電路 362 期間•次數測定電 364 溫度測定電路 366 氣壓測定電路 372 、 374 、 564 加算器 500 設置室 504 冷凉器 512 磁力計 516 振動計 520 流量計 522 電壓計 532 投光器 534 受光器 540 電源盤 562 Z感測電路 111359.doc -40- 1316733 566 Z偏移量測定電路 572 磁力測定電路 574 流量測定電路 576 振動測定電路 578 電壓測定電路 582 偏向位置測定電路 584 偏向係數運算電路 111359.doc -41-

Claims (1)

1316733 十、申請專利範圍： 種電子束之束漂移修正方法，其特徵在於，邊變更爱 間邊於每次期間經過時修正電子束之束漂移，且 翊 除每次上述期間經過之修正以外，於特定干擾要素 值之變化產生特定的變化量時，不論上述 、之 修正上述電子束之束漂移。 、，過，亦 2·如請求項1之電子束之束漂移修正方法，其中，作 述特定干擾要素之值，使用外氣壓值、溫度值、=上 值、振動值、冷卻水之流量值及電源電壓值中的磁場 個。 . 至_ 3·如請求項丨或2之電子束之束漂移修正方法，盆中，、 線狀態下預先測定上述特定干擾要素與束漂移間2 係’並將束漂移達到容許極限時的干擾要素之變 為上述特定變化量。 里作 4.

如請求項1之電子束之束漂移修正方法，其中，上、 子束之束漂移修正方法係作為使用上述電子束進行2 之描繪裝置所進行之一個處理方法而使用，且 根據上述干擾要素之值之變化而進行修正時，於处束 特定轉單位之描繪後，修正上述電子束之束漂移 5. 如請求項！之電子束之束漂移修正方法，其中，於每次 上述_經過而進行修正時，特定干擾要素之值之變化 產生特定變化量時’縮短上述期間。 6. -種電子束之束漂移修正方法，其於每次期間經過時修 正電子束之束漂移，其特徵在於， H1359.doc 1316733 除上述期間，另外設置開始上述電子束之束漂移之修 正之觸發（trigger)。 7. 一種電子束之束漂移修正方法，其特徵在於，i修 開始照射電子束而經過特定期間後之電子束之 測定特定干擾要素之值， 冰 於所測定线特定干擾要素之值到達特定之變化量 時，測定上述電子束之束漂移量，且 根據所測定出的上别；雷4 Α ΜΛ 的上迷電子束之束漂移量，修正電子 之偏向量。 8· 一種電子束描繪方法，其特徵在於， 使用以偏向器而偏向之電子束進行描繪， 於描繪中，測定特定干擾要素之值， 於所測定出的特定干擾要音 竹疋丁熳要素之值達到特定之變化詈 時，測定上述電子束之束漂移量，且 根據所測定出的上述電子庚 ι电卞來之束漂移量，修正雷 之偏向量。 电丁不 9.如請求項8之電子束描繪方法， /、中將上述特定變化 重之值刀為大小兩階段，於 疋干擾要素之值的轡 化達到小的一方之上述特定變 饤&I化篁之值時，於結束特定 描繪單位之描繪後修正上述 ’ 无I上述電子束之束漂移量，於達到 大的一方之上述特定變化酱 值時，於此時結束描繪。 10·如明未項8之電子束描繪方法’ 丹1F，於上述特定干擾 要素之值的變化達到上述特定旦 ^ ™ 里之值時，於結束特 疋描、會單位之描緣後使描繪動作暫時停止，於上述特定 111359.doc 1316733 干擾要素之值返回至特定之設定範圍内之後測定 子束之束漂移量。 ％ 11 一種電子束描繪方法，其特徵在於， 使用以偏向器而偏向之電子束進行描繪， 於描繪中，測定特定干擾要素之值， 於所敎出的敎干擾要素之值達到特定之變化量 時’測定上述偏向器之偏向區域 里 置。 内上这電子束之偏向位 12.如請求項U之電子束料方法，其t，於結束特定描緣 單位之描繪後，測定上述電子束之偏向位置。 η.如請求項^之電子束料方法，其中，於上述特定干擾 要素之值的變化達到上述特定變化量之值時，於結束特 定描繪單位之料之後使騎動作暫時停止，於上述特 定干擾要素之值返回至特定之設定範圍内後，測定上述 電子束之偏向位置。 14. 如請求額之電子束描繪方法，其中，將上述特定變化 量之值分為大小兩階段’於上述特定干擾要素之值的變 化達到小的-方之上述特定變化量之值時，於結束特定 描繪單位之描繪之後測定上述電子束之偏向位置，於達 到大的一方之上述特定變化量之值時，於此時結束描 繪。 15. 如請求項Η之電子束描繪方法，其中，作為上述特定干 擾要素之值，使用外氣壓值、溫度值、磁場值、振動 值、冷卻水之流量值及電源電壓值中的至少一個。 lU359.doc 1316733 16. 如請求項u之電子束描繪方法’其中，上述電子束描繪 方法係進而根據所敎㈣上述電子束之偏向位置，修 正上述偏向器之偏向係數。 17. 如請求項16之電子束描緣方法，其中，於所測定出的上 边電子束之偏向位置之偏移量超過特定值時，修正上述 偏向器之偏向係數。 18· t請求項16之電子束財方法，其十，將上述特定變化 置之值分為大小兩階段，於上述特定干擾要素之值的變 t達$小#-~ ^之上述特定變化量之值時，於結束特定 描緣單位之描繪之後敎上述電子束之偏向位置，於達 =大的-方之上述特定變化量之值時，於此時結束描 繪0 19. 一種電子束描繪方法，其特徵在於， 使用電子束對藉由z感測器而檢測出以向位置之試料 進行描繪， 於描繪過程中，測定特定干擾要素之值， 於所測定出的特定干擾要素之值達到特定變化量時， ^用配置有上述試料之平臺上所設置之標記，測定上述 才示s己之Z方向位置，且 根據所測定出卜# ^ 偏移值。㈣上樹向位置，修正上述Z感測器之 2〇.如請求項19之電子束描纷方法，其中，作為上述特定干 擾要素之值，使用外氣壓值、溫度值、磁場值、振動 值、冷卻水之流量值及電源電壓值中的至少一個。 111359.doc 1316733 21.如請求項19之電子束描繪方法’其中，將上述特定變化 量之值分為大小兩階段，於上述特定干擾要素之值的變 化達到小的-方之上述特定變化量之值時，於結束特定 描繪單位之描繪之後測定卜城> ^ 』疋上述仏記之Z方向位置，於達 到大的一方之上述特定變化量之 繪。 值時，於此時結束描 111359.doc