TWI310605B - Semiconductor device and manufacturing method of the same - Google Patents

Semiconductor device and manufacturing method of the same Download PDF

Info

Publication number
TWI310605B
TWI310605B TW095114695A TW95114695A TWI310605B TW I310605 B TWI310605 B TW I310605B TW 095114695 A TW095114695 A TW 095114695A TW 95114695 A TW95114695 A TW 95114695A TW I310605 B TWI310605 B TW I310605B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor substrate
solid
protruding portion
state image
light receiving
Prior art date
Application number
TW095114695A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200731518A (en
Inventor
Kazuhiro Yoshimoto
Yuzo Shimobeppu
Kazuo Teshirogi
Yoshiaki Shinjo
Original Assignee
Fujitsu Microelectronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Microelectronics Ltd filed Critical Fujitsu Microelectronics Ltd
Publication of TW200731518A publication Critical patent/TW200731518A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI310605B publication Critical patent/TWI310605B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

1310605 九、發明說明： 相關申請案之對照參考資料 此專利申請案係根據於2006年2月9曰提申的日本優先 權專利申凊案第2006-23664號，其全部内容於此被併入參 5 考。 【發明所屬之^技術領域遭 發明領域 本發明一般而言有關半導體裝置及其製造方法、並更 具體地，有關一種半導體裝置，其中一透明構件被設在— 10光接收部之上，該光接收部係設在一半導體元件的一主要 表面上、以及一種半導體裝置之製造方法。 相關技藝說明 一種藉由利用透明構件諸如玻璃、一線路板、連接— 15固態影像感測器與該線路板之配線、密封樹脂及其它來封 裝及模組化該固態影像感測器而形成的固態影像感測裝置 是眾所皆知的。此處，例如，該固態影像感測裝置是一影 像感測器諸如電荷搞合元件(CCD)或互補式金屬氧化物半 導體(CMOS)。 2〇 在此—固態影像感測裳置中，一透明構件係設在該固 態影像感测器之上，以致於光係經由該透明構件外部入射 到該固態影像感測器的一光接收表面上。 例如，曰本早期公開專利申請公報第5_13738號揭露— 種固態影像感測裝置1的第1圖所示之結構，其中一固態影 5 1310605 像感測器3係裝設在一導線框2並用一結合線4被連接至— 外部連接導線；一晶片上透鏡5係設在該固態影像感測器3 的一上表面上；一透明玻璃板7係經由一空間9來設置，·及 該固態影像感測器3與該透明玻璃板7藉由透明樹脂8被整 5 體密封。 曰本早期公開專利申請公報第5-41506號揭露一種固 態影像感測裝置10之第2圖所示的一結構’其中一固態影像 感測器11係裝設在一導線框12上；一玻璃板17係經由一微 透鏡14與一折射率為低的樹脂層15被設在該固態影像感測 10器η的一上表面上；及該玻璃板17、該固態影像感測器11、 該微透鏡14、及該樹脂層15藉由透明樹脂16被整體密封。 曰本早期公開專利申請公報第2004-363380號揭露一 種光學半導體裝置20，如第3圖所示，具有一光學半導體元 件22，其具有一包含一形成在它的表面上的光接收元件之 15 電路部分21 ; —設在該光學半導體元件11的一背面並經由 重接線25被電性連接至該電路部分21的端子部分27 ; —由 一透明材料諸如一玻璃板製成，經由透明黏性樹脂23覆蓋 該光學半導體元件22之表面的塗佈層28 ;及覆蓋該塗佈層 28與該光學導體元件22之一側表面的密封樹脂26。 20 然而，在第1圖所示的結構中，該透明樹脂8係設在該 透明破璃板7之上。因此’當外部光可能不被該透明樹脂8 所吸收時，由於設在該透明樹脂8之表面的微小凹面與凸 面，入射光可能被散射或反射。 為了增進該鑄模的透明樹脂8之表面的平坦，增進一模 6 1310605 具的平滑是必要的，即，使得該模具的表面粗糙為小、或 在該製模程序之後研磨該透明樹脂8的表面。此一程序導致 製造成本的增加。 此外，在第2圖所示之結構中，因為該樹脂16是透明 5 的，即使該透明樹脂16延伸在該玻璃板17的光接收表面 上，可能不會產生入射在該玻璃板Π上之光量的減少。 然而，為了對於該透明樹脂16繼續具有該光傳輸特 性，諸如玻璃纖維或碳粒子的填充物未被加至該透明樹脂 16 ° 10 因此，當被安裝在該電子裝置時，該透明樹脂16具有 一大的熱膨脹係數並且因此於一密封程序或一加熱程序可 能變形。諸如彎曲的一變形係可能因該透明樹脂16的變形 而產生於該固態影像感測裝置10，以致於一大的力可被施 加至該玻璃板17、該微透鏡14及該固態影像感測器11。這 15 可能導致該固態影像感測裝置10的能力減少。 另一方面，在第3圖所示之結構中，該塗佈層28與該光 學半導體元件22被該密封樹脂26所塗佈之側表面是傾斜的 表面。因此，該半導體元件22的必要寬度是大的，以使得 一單一半導體基板中的半導體元件（晶片）之數量可能是小 20 的。此外，需要一特別的設計，藉此該半導體基板中的一 晶片間隙被延伸，以致於製造成本被增加。此外，對於形 成該重接線25，例如，光微影的技術是必要的，以致於需 要大尺寸設備。 此外，即使一壞晶片隨著該等好晶片被包含，該塗佈 7 層28與該重接線25被設置並且樹脂密封係以一小塊來實 施。因此，良率被降低，以致於可能難以在低成本下製造 該光學半導體裝置20。 同時，日本早期公開專利申請公報第2〇〇4_36338〇號亦 揭露一種結構，其中該電路元件21與該端子部分27係藉由 牙孔電極電性連接、並且該塗佈層28與該光學半導體裝 置22的側表面部分係以該密封樹脂26覆蓋。 然而，在此結構中，為了用該樹脂來密封該等側表面， 有必要使該半導體基板中的晶片間隙延伸。此外，—從形 成該重接線至職騎封的㈣聽照該驗料來達成 並且因此上述問題不能被解決。 【餐h明内溶1】 發明概要 於是，本發明可提供-種解決以上所討論之問題中一 個或更多個的新穎且有用的半導體裝置及其製造方法。 本發明的另-或更具體目標係可提供一種具有一簡單 結構之半導體裝置，藉此增加了入射在一半導體元件的一 光接收表面上之光量。 同❸也本發明的-目標是提供—種半導體裝置之製造 方法，藉此-具有良好光傳輸能力之小尺寸的半導體裝置 係能在高生產力下穩定地製造。 本發明的以上目標係藉由一半導體襄置來達成，包含 有：一具有—形成有—光接收元件之主要表_半導體基 板；-設於該半導體基板之主要表面上之光接收元件區域 1310605 周圍的凸出部；一設於該半導體基板之主要表面上的凸出 部之外周圍的黏性材料層；及一被該凸出部所支撐且藉由 該黏性材料層固定在該光接收元件之上的透明板。 本發明的以上目標係亦藉由一種半導體裝置之製造方 5 法來達成，包含步驟有形成一光接收元件區域在一半導體 基板的一主要表面上；提供一凸出部與一黏性材料層於該 半導體基板之主要表面上的光接收元件區域之周圍；及藉 由該凸出部將一透明板支撐在該光接收元件區域之上並藉 由該黏性層固定該透明板。 10 本發明的以上目標係亦藉由一種半導體裝置之製造方 法來達成，包含步驟有形成多數個光接收元件區域在一半 導體基板的一主要表面上；提供多數個凸出部與多數個黏 性材料層於該半導體基板之主要表面上的光接收元件區域 之周圍；藉由該等凸出部將一透明板支撐在該等光接收元 15 件區域之上並藉由該等黏性層固定該透明板；及切割該半 導體基板與該透明基板以便形成數塊的半導體基板與透明 基板。 根據本發明，是有可能提供具有一簡單結構之半導體 裝置，藉此增加了入射在一半導體元件的一光接收表面上 20 之光量。此外，亦有可能提供該半導體裝置之製造方法， 藉此一具有良好光傳輸能力之小尺寸的半導體裝置係能在 高生產力下穩定地製造。 本發明的其它目標、特徵及優點從以下詳細說明在結 合該等附圖來讀取時將變得更明顯。 9 1310605 圖式簡單說明 第1圖是一相關技藝固態影像感測裝置的一第一橫戴 面圖； 第2圖是該相關技藝固態影像感測裝置的一第二横截 5 面圖； 第3圖是該相關技藝固態影像感測裝置的一第三橫 面圖； 第4圖是本發明一第一實施例的一種固態影像感測裝 置的一平面圖； 10 第5圖是一具有第4圖所示之固態感測器之固態影像感 測裝置的一横截面圖； 第6圖是一由第5圖中的一虛線A所包圍之部分的擴大 圖； 弟7圖是一具有一屏障結構之第一修改範例的固態影 15 像感測器的一平面圖； 第8圖是一具有一屏障結構之第二修改範例的固態影 像感測器的一平面圖； 第9圖是一具有一屏障結構之第三修改範例的固態影 像感測器的一平面圖； 20 第1 〇圖是一具有一屏障結構之第四修改範例的固態影 像感測器的一平面圖； 第11圖是一具有一屏障結構之第五修改範例的固態影 像感測器的一平面圖； 第12圖是第11圖所示之固態影像感測器的一橫截面 10 1310605 圖， 第13圖是一比較該相關技藝固態影像感測裝置與第4 圖所示之固態影像感測裝置之圖； 第14圖是一依照一晶圓層級塊狀程序之固態影像感測 5 裝置的一製造程序的流程圖； 第15圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S1的一 半導體基板的一狀態； 第16圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S2的一 半導體基板的一狀悲， 10 第17圖是一第一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S3 的一半導體基板的一狀態； 第18圖是一第二圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S3 的一半導體基板的一狀態； 第19圖是由第18圖中的一虛線B所包圍的一部分之擴 15 大圖； 第20圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S5的一 半導體基板的一狀態； 第21圖是一圖顯示第14圖所示之程序t於步驟S6的一 半導體基板的一狀態； 20 第22圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S7的一 半導體基板的一狀態； 第23圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S8的一 半導體基板的一狀態；及 第2 4圖是一流程圖顯示依照一成塊程序之該固態影像 11 1310605 感測裴置的一製造程序。
【實施方式]I 較佳實施例之詳細說明 參考本發明實施例之第4圖到第24圖，一說明係給予在 5 下。 為了方便說明，首先，本發明的一種半導體裝置之實 施例被討論並且然後本發明之一種半導體裝置的製造方法 的一實施例被討論。在以下說明中，一固態影像感測裝置 被討論作為本發明之半導體裝置的一範例。 10 [半導體裝置] 第4圖是本發明一第一實施例的一種固態影像感測裝 置30的一平面圖，第5圖是一沿著具有固態感測器之固態影 像感測裝置30之線X-X’的一橫截面圖。第4圖中，以上該半 導體基板的一透明板之說明被省略。 15 參考第4圖與第5圖，在本發明一第一實施例之固態影 像感測裝置30中，一光接收元件區實質上被形成在一由矽 製成之半導體基板31的一主要表面（上表面）之中心。該光接 收元件區包含多數個CCD型或MOS型光接收元件，一微透 鏡32覆蓋該光接收元件區。 20 另一方面，在該半導體基板31的另一主要表面中，多 數個外部連接端子係設在邊緣部分的附近以便包圍該光接 收元件區。該外部連接端子33藉由穿過該半導體基板31的 穿孔電極34被引導至該半導體基板31的另一面（背面）。 此外，於此實施例，一黏性材料層35被設於一連續的 12 1310605 讀以便覆蓋該等外部連接端子33的—配置線。由絕緣材 料製成並具有相同如該黏性材料層35之高度的連續凸出部 36A與36B被設在該黏性材料層35的侧表面，—由玻璃製成 的透明板纟雜㈣料層35被蚊在料導體元件31 5 上。 在此結構下’該等由絕緣材料製成的連續凸出物36A 與36B及該黏性材料層35之高度（厚度）被選擇以便提供一 在该微透鏡32與該透明板37之間能存在有空氣的空間。 該由玻璃陶瓷製成的穿孔電極係連接至一形成在一支 撐基板38的-主要表面上的電極端，該支撐基板38具有一 單層或多數層的配線，以使得該半導體基板31係能電性與 機械上連接至該支撐基板38，該支撐基板％可被稱作一線 路板、一電路基板、或一中介層。 一由樹脂製成的填底膠39被施加在該半導體元件31與 15該支撐基板38之間，以致於使該半導體基板31與該支撐基 板38的聯合成為牢固的。由焊料球製成的外部連接端子4〇 被設在該支揮基板38的另一主要表面，即一下表面。 接著，該穿孔電極34的一結構係參考第6圖來討論。第 6圖疋一由第5圖中的一虛線A所包圍之部分的擴大圖。參考 20第6圖，一電子電路部分(未示於第6圖）係形成在該半導體基 板31的上表面。一背研磨程序係以一熟知的方法施加至該 半導體基板31，以使得該半導體基板31的厚度是25“〇1到 100/zm。一導引自該電子電路部分的配線層41延伸於一絕 緣層42中，以便被連接至一外部連接端子33。 13 1310605 §亥外部連接端子33係由，例如，三個鋁(八丨)層43Aa， 43Ab及43Ac與設在該等鋁層43a之間的鎢 43Bb所形成。若必要，一由金(Au)最上層電鍍層/鎳…以銅 (Cu)/鈦(Ti)底層所形成的電鍍層可被設在該最上鋁 層 43Ac 5的一表面。該外部連接端子33的上表面是平的。 一穿孔44被形成在該外部連接端子下面的該半導體基 板31中。當該穿孔44在該半導體基板M的下表面側的直徑
是大的時，該穿孔44在該丰導體基板S1的一上表面侧，即 該該外部連接端子33的一側的直徑是小的。即，該穿孔糾 10 具有一錐（圓錐)形結構。 絕緣層45與一種金屬層46被設於 β玄穿孔電極3 4經由一 該穿孔44，該絕緣層45被形成以便覆蓋該穿孔44的内周圍 表=^亥絕緣層45係由二氧化邦丨⑹製成並具有約i #爪 的薄膜厚度$者疋H緣層45可以是一氮化邦 15 層。 牙孔電極34的1係❾轉接至料部連接端子， 該穿孔電㈣㈣1自該何縣板31之下表面突出延 伸！ 電錢層47可被形成在該穿孔電極34之凸出 20 部:表面^該钱層47係、由—鎳⑽底層與-金㈣表面 層裝成，遠鎳(Ni)層之厚度係 度係可約〇.5辣。 了約2該金㈣層之厚 r 構之下’㈣孔^34與料部連接端子33係 H層42中所形成的配線㈣彼此電性連接。於 疋，…斜導體基板31之上表面側的外部連接端子33 14 1310605 係經由該穿孔電極Μ電性引導至該半導體基板_下表面 (背面）。 另-方面由該設在該等外部連接端子Μ之配置的 黏性材料層35與該等設在該黏性材料層％的兩側且由第一 5與第二絕緣層製成的連續凸出部36A與36B所形成的屏障 結構係設在該半導體基板Η的—上表面側。該等凸出部3从 與36Β具有約5_到20㈣的高度，然而，本發明並不限於 此间度。因此高度，是有可能容易地塗該黏著劑及形成該 屏障結構，藉切止了絲著_不必要流動。 10 該等由絕緣材料製成的連續凸出部36Α與36Β係以〜 所謂的光學程序，藉由選擇性除去黏著在該半導體基板Μ 的上表面側之絕緣材料，諸如氮化矽、聚亞醯胺、一乾薄 膜、一抗蝕劑材料或此類者，而形成。此外，該黏著劑被 施加在該等凸出部36人與368之間，以至於該黏性層35被形 15成。依照以下該固態影像感測裝置30的一特性，熱固環氧 樹脂、紫外線硬化樹脂、或該熱固環氧樹脂與該紫外線硬 化樹脂二者係能被用來作為形成該黏性層35的黏著劑。 一具有約10到50 Pa.s之黏度係數的黏著劑或一具有1 Pa· s的低黏度係數因此可能不會產生空隙之黏著劑能被用 20 來作為此實施例中的黏著劑。即使該黏著劑的黏度係數是 更低的，因該屏障結構，是有可能防止該黏著力因該黏著 劑不必要流動而被降低。此外，一具有一低係數之水吸收 或硬化收縮的黏著劑能被使用。 此外’該黏著劑被用於除了該微透鏡32的一上部以外 15 1310605 的一區域。因此，不必要考慮該黏著劑的光傳輸能力。因 此’是有可能將諸如玻璃纖維或碳粒子的填充物加到該黏 著劑中。於是，於該固態影像感測裝置3〇被裝設在該電子 裝置上時的密封程序或加熱程序中，由於此—黏著劑是 5有可能防止變形，諸如該固態影像感測裝置3 0中的—彎曲。 因為此一屏障結構，一空間被形成在該透明板37與該 微透鏡32之間而不會引起該該透明板37與該微透鏡32的接 觸、並且該透明板37被設置並固定在該半導體基板31之上。 在第4圖到第6圖所示之範例中，該等連續凸出部36A 10與368被形成在該半導體基板31之上表面並且該黏著劑被 施加在該等連續凸出部36A與36B，以使得一屏障結構被形 成。該等由絕緣材料製成的凸出部36A與36B係依照對應形 成有該等外部連接端子33之區域來形成。 然而，本發明並不限於此。一形成有該屏障結構之區 15域係能隨意地選擇，只要該區域被設在該半導體基板31上 且不包含該微透鏡32與該光接收元件區。 例如，該屏障結構可如第7圖到第11圖所示。此處，第 7圖到第11圖是該屏障結構中分別具有第一到第五修改範 例之固態影像感測器的平面圖。 20 在第7圖所示的一固態影像感測器55中，該等凸出部 36A與36B係設在該微透鏡32與一設置有該等外部連接端 子33的區域之間。該等由絕緣材料製成的連續凸出部36A 與3 6 B係與該固態影像感測器5 5的四個對應側平行設置。在 此一結構下’對於該等凸出部36A與36B是有可能防止該黏 16 1310605 著劑的不必要流動。 另一方面，該等凸出部36A與36B與該黏性材料層35未 被設在該等外部連接端子22上。因此，該等外部連接端子 33能被用來作為電線結合端子或測試端子。 5 在第8圖所示之四個固態影像感測器56-1到56-4中，該 等黏性材料層35係沿著該等固態影像感測器56_丨到56 4之 半導體基板的周圍邊緣部分設置並覆蓋該等外部連接端子 33。該等由絕緣材料製成的連續凸出部36係設在該等黏性 材料層35與該微透鏡32之間。 10 此結構係藉由以下程序而形成。即，在該等由絕緣材 料製成的連續凸出36係設於該等固態影像感測器之該等光 接收元件區域的周圍之後，其中該等固態影像感測器未被 切割且與該半導體基板隔開但彼此相鄰，該等黏性材料層 35被形成以便覆蓋該等在相鄰的固態影像感測器之間的外 15部連接端子33並且然後該等固態影像感測器被分開。 根據此結構，因該等凸出部36而防止了黏著劑至該光 接收元件區的不必要流動並且獲得了在藉由該黏著劑的覆 蓋程序的定位精確度，以致於應用效率能被增進。 在第9圖所示的一固態影像感測器57中，依照用於相同 20 如第8圖所示之該等固態影像感測器56-1到56-4之方法，由 絕緣材料製成的連續凸出部36與該黏性材料層35係設在該 固態影像感測器57的邊緣部與該等外部連接端子33之間， 即’該等外部連接端子33之外。 此結構亦藉由以下程序形成。即，在該等由絕緣材料 17 1310605 製成的連續凸出36係設在該等固態影像感測器之該等外部 連接端子33之外後，其中該等固態影像感測器未被切割且 與該半導體基板隔開但彼此相鄰，該等黏性材料層35被形 成以便覆蓋該等在相鄰的固態影像感測器之間的夕曰卜部連接 5端子33並且然後該等固態影像感測器被分開。 根據此結構，因該等凸出部36而防止了黏著劑至該光 接收元件區的不必要流動係並且獲得了在藉由該黏著劑的 覆蓋程序的定位精確度，以致於應用效率能被增進。 在第10圖所示的一固態影像感測器58、以及第8圖所示 1〇之該等固態影像感測器56_i到56-4中，該黏性材料層35係沿 著该半導體基板31的周圍邊緣部分設置並覆蓋該等外部連 接編子33。該等由絕緣材料製成之連續凸出部36係設在該 勒性材料層35與該等微透鏡32之間。 在該固態影像感測器58中，該具有一實質上矩形平面 15結構之凸出部36被形成以便包圍該光接收區，該凸出部36 的四個角具有弧狀結構。 因為該凸出部36的角具有弧狀結構，所以是可能缓和 因該黏著劑與其它物所產生之壓力並防止碰撞聲的產生， 以致於該半導體裝置的可靠度能被提高。 20 在第11圖所示的一固態影像感測器59，該由絕緣材料 製成的凸出部36係沿著該半導體基板31的週圍邊緣部分提 供並覆蓋該等外部連接端子33。該黏著層35係設在鄰近固 態影像感測59的該等凸出部36之間。 此感測器59係亦藉由使用相同如第8圖或第9圖所示之 18 1310605 固態影像感測器的方法來形成。在此方法中，當該凸出部 - 36被設置時，該凸出部36的寬度被形成以便覆蓋該等外部 '連接端子33。該等黏性材料層35係形成在該等鄰近的固態 影像感測器59之間並且於是該等固態影像感測器59被分 5 開。 - 第12圖是該固態影像感測器59的一橫戴面圖。此處， . 第12圖是一沿著第11圖之X’-X所取的橫截面。 鲁在第11圖與第12圖所示之固態影像感測器59、及第8圖 所示之範例中，藉由該黏著劑於該覆蓋程序的定位精確度 10 被獲得，以致於應用效率能被提高。 第13圖是一比較該相關技藝固態影像感測裝置與第4 圖所示之固態影像感測裝置之圖。更具體地，第13_(a)圖顯 不該具有傳統結構之相關技藝固態影像感測巢置7〇，第 3 (b)圖顯示第4圖所示本發明一實施例的固態影像感測裝 15置30。 • 在第13'(a)圖所示之傳統結構，該固態影像感測器71 - 2係猎由使用結合電線73導引，該結合電線73的另 . —端破連接至—在裝設有該該固態影像感測器71之支撐基 板74上，必要於該固態影像感測器71之周圍的一區域中的 電極端子。因此，難以使該支撐板71的大小，即該固態 影像感測裝置之大小變小。 在該傳統結構中，該固態影像感測器71被該透明樹脂 所雄封。為此，光傳輸可能由於傳輸經由該透明樹脂75之 °亥入射光的散射及/或反射而降低。此外，該固態影像感測 19 1310605 裝置70由於該透明樹脂75的變形而被彎曲。 另一方面，在本發明的固態影像感測裝置30中，該固 態影像感測器之外部連接端子3 3被該穿入該半導體基板31 之電極34導引至該半導體基板31的背面。因此，在該支撐 5 基板38上不需要一大區域。 此外，在本發明的固態影像感測裝置30中，該由玻璃 製成之透明板37被應用至該光接收部。因此，該光傳輸不 因該傳輸的入射光之散射及/或反射而降低。此外，該固態 影像感測裝置30不因該玻璃板37的變形而彎曲。 10 [半導體裝置的製造方法] 接著，本發明之半導體裝置的一製造方法之實施例被 討論。 在本發明之半導體裝置的製造方法中，一晶圓層級塊 狀程序或一成塊程序能被應用。在該晶圓層級塊狀程序 15 中，一玻璃板被裝設在該半導體基板之上，而無需做出數 塊的該玻璃基板，以致於該固態影像感測裝置被製造出。 在該成塊程序中，該玻璃塊被切割以便使該等玻璃板塊合 適成為形成自該半導體基板的固態影像感測器的大小、並 且然後該玻璃板塊被裝設在該半導體基板之上，以致於該 20 固態影像感測裝置被製造出。 首先，該固態影像感測裝置利用該晶圓層級塊狀程序 之製造方法被討論、並且然後該固態影像感測裝置利用該 成塊程序的製造方法被討論。 1.該固態影像感測裝置利用該晶圓層級塊狀程序之製造方 20 法 第14圖疋依照該晶圓層級塊狀程序之固態影像感測裝 置的一製造程序的流程圖。 5 她圓層級塊狀程序中，屏障結構，藉由-晶圓程 =被選擇性形成在該形成有多數個固態影像感測器之半 ^體基板的主要表面(上表面）上。並且‘然後，該玻璃板經由 磕黏著劑被安裝。在那之後，該穿孔電極被形成於該半導 體基板中’ ϋ且然後該玻璃板與該半導體基板被切成塊狀。 1〇 首先，於第14圖的步驟1，該塊狀結構被形成在該半導 °體基板的主要表面（上表面）上。 該半導體基板於此狀態的一橫截面係顯示於第15圖。 為方便說明，於第15圖到第18圖，僅繪示一單一固態影像 感測器。 參考第15圖，連續的第一與第二凸出部36Α與36Β被形 15 忐从 战於一在該半導體基板1〇1設有該微透鏡32的上表面上該 城透鏡32之周圍的一區域中以便將彼此分開。該等第一與 第二凸出部3 6 Α與3 6 Β係由絕緣材料製成並具有近乎5到2 0 以m的高度(厚度）。 該等凸出部36A與36B係由，例如，氮化矽、聚亞醯胺、 2〇 ~乾薄膜、或一抗蝕劑材料製成。該等凸出部36A與36B係 藉由一所謂的光學程序而形成於一具有想要寬度的帶狀圖 案。 接著，於第14圖的步驟2，該黏著劑被施加在該等凸出 物36A與36B之間。 21 1310605 該半導體基板101在此狀態的一橫截面係顯示於第16 圖。 如第16圖所示’該黏著劑係藉由一分配器80提供在該 等凸出部36A與36B之間。或者是，一膠帶黏著劑可被黏著 5 在該等凸出部36A與36B之間。 如以上所討論的，根據該固態影像感測裝置之特性， 熱固環氧樹脂、紫外線硬化樹脂、或該熱固環氧樹脂與該 紫外線硬化樹脂二者係能被用來作為形成該黏性層35的黏 著劑。 10 該塗有該黏著劑之屏障結構並不限於第16圖與第4圖 到第6圖所示之該等結構、並可以是第7圖到第丨丨圖所示的 5玄專結構中的任何^個。 接著，一大尺寸玻璃板370被裴設在該半導體基板1〇1 的主要表面之上並於第14圖的步驟3被該黏著劑固定。該半 15導體基板101於此狀態的橫截面被顯示於第17圖與第18圖。 如第17圖所示，例如，利用一真空抽吸方法的一拾起 工具被用於此程序。更具體地，該具有等效於該半導體基 板101之測量與外部結構的大尺寸玻璃板被定位在該半導 體基板ιοί之上以便被裝設在該等凸出部36A與36B與該黏 2〇 性層35上，如第18圖所示。 该玻璃板370被該黏著劑35固定，以使得一空間被形成 在該微透鏡32與該玻璃板370之間，而不會使該玻璃板37〇 與在該半導體基板101上的該微透鏡32接觸（見第4圖）並且 不會導致該黏著劑流到該微透鏡32上。 22 1310605 接著，該穿孔電極34被形成於該半導體基板ιοί中。 第19圖是由第18圖中的一虛線b所包圍的一部分之擴 大圖。因為第18圖中虛線所包圍之部分具有相同如第6圖所 示之結構，所以相同數字參考被用於相同部分。 5 首先，於第14圖的步驟4, 一使用一熟知的研磨方法的 背研磨程序被應用至該半導體基板1〇1的下表面（背面μ乂至 於該半導體基板101的厚度係近乎25到100"m。 接著’一光阻層（未示)被形成在該半導體基板1〇1的背 面上。此外，一選擇性蝕刻程序，藉由利用一熟知的光學 10程序，被應用至該半導體基板101對應該外部連接端子33的 一部分。 換S之’一光阻圖案被選擇性地形成在該半導體基板 101的背面上，以使得一開口被形成於一對應該外部連接端 子33的位置。藉由使用該光阻圖案作為一遮罩，一利用一 15氟化物類氣體作為一钮刻劑的乾敍刻程序被應用。由於 此，於第14圖的步驟5，該電極墊48自該半導體基板1〇1之 背面穿入至一下表面，即該半導體基板1〇1側的穿孔44被形 成。δ亥半導體基板101於此狀態的一橫截面係顯示於第2〇 圖。第20圖中’該半導體基板的背面面向上。 20 在該餘刻程序後，該光阻被除去。該穿孔44具有一錐 狀結構，其中在該半導體基板101的一背面側的開口測量是 多於在該外部連接端子33侧的開口測量。 第圖到第23圖所示之處理中，該處理半導體基板 101的一主要表面，藉由該黏性層202，被固定且被保持在 23 1310605 由一半導體基板或一金屬板製成的支撐基板201上，以使得 一指定的程序被應用。 接著於第14圖的步驟6，該絕緣層45被設於該穿孔45 並在該半_絲面上。該半㈣絲1G1於此狀 5態的—橫截面係顯示於第21圖。 該絕緣層45被設置，㈣於是树能在料孔電極34 被設於該穿孔44時防止該半導體基板⑻與該穿孔電㈣ 被電I·生連接。例如’具有近乎丨，之厚度的—氣化石夕薄膜 或一氧化矽薄膜被用來作為該絕緣層45。 10 該絕緣層45係藉由該熟知雜法或CVD(化學氣相沉 積）法來形成。然後，一熟知的非等向性乾蝕刻程序被應 用’以使付該設於該穿孔44並覆蓋該外部連接端子33表面 的絕緣層45被霸性地除去，並且關口部爾形成。該 外部連接端子33係暴露在該開口部48。 15 接著，於第14圖的步驟7，一用於電鑛之種層（底金屬 層）46被形成於該穿孔44中並在該半導體基板ι〇ι的背面 上。該半導縣板1G1於此狀㈣—橫❹侧示於第22 圖。 該種層46係由，例如，—具有一近衫㈣之厚度欽㈤ 20的下層及一具有近乎〇5#m之厚度銅㈣的上層所製成、 並藉由該減鑛法或此類者形成。 接著，-電鑛程序被應用，以使得該穿孔料係以金屬 所填充並且該穿孔電極34被形成。 依照由於該電鑛程序而填充在該穿孔44中之金屬，銅 24 1310605 (Cu)能被使用，因為銅能容易地被電鍍並具有一低電阻 值。此外，若必要，一由一鎳(Ni)基礎層與一金(au)表面層 製成的電鍍層被形成在該穿孔電極34的表面上。該鎳(Ni) 層具有一近乎2/z m之厚度且該金(Au)層具有一近乎〇 5 // m 5 之厚度。 在保留於該穿孔電極34周圍之種層46被除去後，以致 於該絕緣層45被暴露。由於此，自該半導體基板ιοί之背面 突出有近乎5到15// m的穿孔電極45被形成於第14圖的步驟 8。該半導體積板1 〇 1於此狀態的橫截面係顯示於第23圖。 10 於是，經由於第14圖的步驟5到步驟8所示之程序，該 穿孔34被形成於該半導體基板1〇1。 接著，在第14圖的步驟9中，一由一黏性帶所形成的切 粒帶，以一熟知方法，被黏在該半導體基板的背面上。 在第14A圖的步驟1〇中，一切粒程序被應用，從該半導 15體基板丨〇丨的一表面至該半導體基板101，與該玻璃板370 — 起’以便將它們分割成並做成複數塊的固態影像感測器31。 在此時，該半導體基板1〇1之切粒線的寬度係能等於或 少於90/zm。因此，不會減少形成於該半導體基板1〇1之固 態影像感測器31的數量。 20 接著，於第14圖的步驟丨丨中，被黏在該半導體基板101 之背面上的切粒帶被除去並且該固態影像感測器31被裝設 在該支撐基板38上（見第4圖）。 在第4圖所示之結構中，該固態影像感測器31，經由該 樹脂材料(填底膠)32，被固定在該支撐基板（中介層）38的主 25 1310605 要表面上。該穿孔電極34藉由焊料凸塊36在電性上與機械 上被連接至一形成在該半導體基板38之表面上的電極。 然而，本發明並不限於此。例如，形成在該穿孔電極 34與該支縣板38上的電極之間的電連接係可藉由形成一 5金(Au)或銅（Cu)凸塊在該穿孔電極34並利用一超音波連接 法或熱壓結合法來貫現。在該穿孔電極34與形成在該支撐 基板38上的電極之間的電連接亦可藉由將一銀(八幻膏印在 該支撐基板38上並利用一取放法諸如晶粒結合或此類者來 實現。 10 在那之後，藉由一熟知方法，該外部連接端子4〇，於 第14圖的步驟12,被設在該支撐基板38的背面，以使得第4 圖所示之固態影像感測裝置被形成。 2.該固態影像感測裝置利用該成塊程序之製造方法被討 論。 15 弟24圖是一流程圖顯示依照一成塊程序之該固態影像 感測裝置的一製造程序。 參考第24圖’於此製造方法，藉由利用—所謂的晶圓 程序，該穿孔電極34被形成在該具有形成有多數固態影像 感測器之主要表面（上表面）的半導體基板1〇丨中並且然後， 2〇包圍§玄專光接收元件區域之3亥專屏障結構被形成給該等固 態影像感測器。 另一方面，準備了一塊玻璃板37，該塊係事先依照對 應該固態影像感測器之大小製成。 該玻璃板37被裝設並被固疋在該固態影像感測器之屏 26 1310605 障結構上並且然後該切粒程序被應用至該半導體基板101。 相同如第14圖所示之該等程序之繪示與詳細說明被省 略。 首先’於第24圖的步驟21到步驟25，相同如第14圖之 5步驟4到步驟8之該等程序分別被應用至該半導體基板 101，以使得該穿孔電極34被形成在該半導體基板1〇1中。 接著，於第24圖的步驟26，相同如第14圖之步驟1的程 序被應用至該半導體基板1(Π，以使得該等第一與第二凸出 部36Α與36Β被形成在該半導體基板1〇1上。 10 換吕之，該等由絕緣材料製成的連續帶狀凸出部36Α 與36Β被形成在該半導體基板1〇1之上表面上的該微透鏡32 的外部以便被分開且面對彼此。 另一方面，於第24圖的步驟27 ,該切粒程序被應用至 3亥大尺寸玻璃板370。該具有一黏著特性之切粒帶，藉由一 15熟知技術，被黏在該玻璃板370的背面上。該切粒程序係從 該玻璃板370的表面側來施加，以使得該玻璃板37〇被分割 並且因此具有對應該等固態影像感測器31之大小與結構的 该玻璃板370之粒塊被形成。 接著，於第24圖的步驟28，相同如第14圖的步驟2之程 序被應用至§亥半導體基板1〇卜以使得該黏著劑被施加在該 第一凸出部36Α與該第二凸出部36Β之間。 當該第一凸出部36Α與該第二凸出部36Β形成該屏障 時，該屏障防止該黏著劑越過該屏障之流動，該屏障結構 並不限於第16圖與第4圖到第6圖所示之該等結構。該結構 27 1310605 巧*被顯示如第7圖到第11圖。 在那之後，於第24圖的步驟29，相同如第14圖之步驟3 的程序被應用至該半導體基板101。由於步驟27中之切粒程 序具有對應於該固態影像感測器31大小的玻璃板3 7被裝設 5在該固態影像感測器31之上並被該黏性材料層3 5固定。 接著，於第24圖的步驟30，相同如第14圖之步驟9的程 序被應用至該半導體基板101。具有一黏著特性之切粒帶被 黏在該半導體基板1〇1的背面上。在那之後，於第24圖的步 驟31，相同如第14圖的步驟10之程序被應用至裝設有該玻 10 璃板34之該半導體基板101，以使得該半導體基板101被分 成該荨固態影像感測器31。 接著，於第24圖的步驟32，設在該固態影像感測器31 之背面的切粒帶被除去並且然後該固態影像感測器31被裝 設在該支撐基板38上。在那之後，於第24圖的步驟33，該 I5外部連接端子40，藉由一熟知技術，被形成在該支撐基板 38的背面上，以使得該第4圖所示固態影像感測裝置3〇被形 成於第24圖的步驟33。 於是，於本發明一實施例之固態影像感測裝置3〇的製 造方法中，能選擇該晶圓層級成塊程序，藉此該玻璃板37〇 2〇被裝設在該半導體基板1〇1上而不需做成該玻璃板37〇之粒 塊、或者該成塊程序，藉此該玻璃板37〇被切割以便做出適 合成自該半導體基板1G1所形成的該固態影像感測器Μ 大小的該等_板37()之粒塊並且然後料玻魏別之粒 塊被裝設在該半導體基板101之上。 28 1310605 根據該晶圓層級塊狀程序法，於第24圖之步驟27，是 有可能省略一將該大尺寸玻璃板370分別切粒之程序，以致 於該製造程序能被簡化。 另一方面，根據該成塊程序法，是有可能事先選擇良 5 好的固態影像感測器31並僅將該等玻璃板370之粒塊裝設 在良好的固態影像感測器31之上。因此，是有可能減少形 成該固態影像感測裝置之構件數量，以致於該製造成本能 被降低。 此外，根據該成塊程序法，對於用於將該玻璃板370 10 切粒之刀片是不必要被用來該半導體基板101切粒。因此， 一適合切割該玻璃板之刀片能被使用。 此外，用於將該半導體基板101切粒並分割成該等固態 影像感測器31之粒塊的刀片未被用於切割該玻璃板370。因 此，是有可能防止用於切粒且分割該半導體基板101之刀片 15 的磨損。 於是，根據本發明，於該晶圓層級塊狀程序法或該成 塊程序法，是有可能在高生產力下穩定地製造出具有良好 光傳輸能力及一小尺寸之半導體裝置裝置。 本發明不限於這些實施例、但在不脫離本發明之範圍 20 下可做出變化與修飾。 例如，於該等以上所討論的實施例，該固態影像感測 裝置係依照本發明的半導體裝置之範例來說明、並且該固 態影像感測器係依照形成本發明之半導體裝置之半導體元 件的一範例來說明。然而，本發明並不限於此。該半導體 29 1310605 元件並不限於該固態影像感測器諸如一影像感測器、而可 能是例如一使用玻璃的指紋感測器。此外，本發明能被應 用至—種半導體裝置諸如一光學模組或可抹除可程式唯讀 記憶體(EPPOM)。 5 【睏式簡單說明】 第1圖是一相關技藝固態影像感測裝置的一第一橫截 面圖； 第2圖是該相關技藝固態影像感測裝置的一第二橫截 面圖； 10 第3圖是該相關技藝固態影像感測裝置的一第三橫截 面圖； 第4圖是本發明一第一實施例的一種固態影像感測裝 置的一平面圖； 第5圖是一具有第4圖所示之固態感測器之固態影像感 15 測裝置的一橫截面圖； 第6圖是一由第5圖中的一虛線a所包圍之部分的擴大 圖， 第7圖是-具有—屏障結構之第一修改範例的固態影 像感測器的一平面圖； 20 冑_是—具有—屏障結構之第二修改範例的固態影 像感測器的一平面圖； 第圖疋八有#障結構之第三修改範例的固態景多 像感測器的一平面圖； 〜 第1〇圖是一具有—屏障結構之第四修改範例的固態影 30 像感測器的一平面圖； 第11圖是一具有一屏障結構之第五修改範例的固態影 像感測器的一平面圖； 第12圖是第11圖所示之固態影像感測器的一橫截面 圖， 第13圖是一比較該相關技藝固態影像感測裝置與第4 圖所示之固態影像感測裝置之圖； 第14圖是一依照一晶圓層級塊狀處理之固態影像感測 裝置的一製造程序的流程圖； 第15圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S1的一 半導體基板的一狀態； 第16圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S2的一 半導體基板的一狀態； 第17圖是一第一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S3 的一半導體基板的一狀態； 第18圖是一第二圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S3 的一半導體基板的一狀態； 第19圖是由第18圖中的一虛線B所包圍的一部分之擴 大圖； 第20圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S5的一 半導體基板的一狀態； 苐21圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S6的一 半導體基板的一狀態； 弟22圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S7的一 1310605 半導體基板的一狀態； 第23圖是一圖顯示第14圖所示之程序中於步驟S8的一 半導體基板的一狀態；及 第2 4圖是一流程圖顯示依照一成塊處理之該固態影像 5 感測裝置的一製造程序。 【主要元件符號說明】
1.. .固態影像感測裝置 2…導線框 3.. .固態影像感測器 4."結合線 5.. .晶片上透鏡 7.. .透明玻璃板 8.. .透明樹脂 9.. .空間 10.. .固態影像感測裝置 11.. .固態影像感測器 12…導線框 14…微透鏡 15.. .樹脂層 16.. .透明樹脂 17.··玻璃板 20.. .光學半導體裝置 21.. .電路部分 22.. .光學半導體元件 23·.·黏性樹脂 25_·.重接線 26".密封樹脂 27.. .端子部分 28.. .塗佈層 30.. .固態影像感測裝置 31…半導體基板 32…微透鏡 33.. .外部連接端子 34.. .穿孔電極 35…黏性材料層 36…連續凸出部 32 1310605 36A...凸出部 70...固態影像感測裝置 36B...凸出部 Ή...固態影像感測器 37...透明板 72…電極 38…支撐基板 73...結合電線 39...填底膠 74…支撐驗 40…外部連接端子 75...透明樹脂 41…配線層 80...分配器 42…絕緣層 101...半導體基板 43 A…鋁層 201…支撐紐 43AM3Ab,43Ac …鋁層 202…黏性層 43Ba,43Bb...鶴检 370...玻璃板 44...穿孔 S1-S12...步驟 45…絕緣層 46.. .種金屬層 47".電錢層 48.. .電極墊 55.. .固態影像感測器 56-1〜56·4...固態影像感測器 57.. .固態影像感測器 58.. .固態影像感測器 59.. .固態影像感測器 S21-S33.··步驟 33

Claims (1)

1310605 第95114695號專利申請案申請專利範圍修正本 98.02.06 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置，包含有： 一半導體基板，具有一形成有一光接收元件之主要表 面； 5 一凸出部，係設於該半導體基板之主要表面上之光接 收元件區域周圍， 一黏性材料層，係設於該半導體基板之主要表面上的 凸出部之外周圍；及 一透明板，其被該凸出部所支撐且藉由該黏性材料層 10 被固定在該光接收元件之上； 其中該凸出部係藉由一第一凸出部與一第二凸出部 來形成；該黏性層係設在該第一凸出部與該第二凸出部 之間；以及 其中在位於該第一凸出部與該第二凸出部之間的該 15 半導體基板中設有一穿孔電極。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中 該半導體基板被固定至一支撐基板； 該穿孔電極形被形成為電性連接該半導體基板與該 支撐基板，俾穿刺該半導體基板内部。 20 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中該凸出 部係形成在該光接收元件區域與該半導體基板之主要表 面的一部分之間，該部分對應穿孔電極所形成之處。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中該凸出 部係形成在該半導體基板之主要表面的一部分之外，該 34 1310605 部分對應該穿孔電極所形成之處。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中該凸出 部係形成在該半導體基板之主要表面的一部分上，該部 分對應穿孔電極所形成之處。 5 6.如申請專利範圍第2項所述之半導體裝置，其中該穿孔 電極係形成於該光接收元件區域之外的半導體基板。 7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中 該凸出部係形成在該半導體基板的主要表面上以便 包圍該光接收元件區域；及 10 該凸出部包含一曲線部。 8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中該黏性 層的一黏度係數係等於或少於1 Pa’s。 9. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中一填充 料被加到該黏性層中。 15 10.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中該凸出 部係利用光微影，由一選自由一液體狀態抗蝕劑材料、 一乾薄膜、聚亞醯胺、氮化物薄膜構成之群組的材料而 形成。 11.一種半導體裝置之製造方法，包含步驟有： 20 形成一光接收元件區域在一半導體基板的一主要表 面上； 提供一凸出部與一黏性材料層於該半導體基板之主 要表面上的光接收元件區域之周圍；及 藉由該凸出部，將一透明板支撐在該光接收元件區域 35 Ι3.1Ό605 之上並藉由該黏性層固定該透明板； 其中該凸出部係藉由 來形成；且 第一凸出部與一第二凸出部 該黏性層係設在該第—凸出部與該第二凸出部之 5 間；以及 . …其中在位於該第—凸出部與該第二凸出部之間的該 • 半導體基板中設有一穿孔電極。 • 12·如申請專·圍第u項所述之半導體裝置的製造方 法，其中： 10 财孔€極餘@定料《之㈣之後於該光接 收元件之外的半導體基板上形成者。 13.—種半導體裝置之製造方法，包含步驟有： 形成多數個光接收元件區域在一半導體基板的一主 要表面上； 15 提供多數個凸出部與多數個黏性材料層於該半導體 # 基板之主要表面上的光接收元件區域之周圍； . 藉由該等凸出部，將一透明板支撐在該等光接收元件 區域之上並藉由該等黏性層固定該透明板；及 切割該半導體基板與該透明基板以便形成數塊的半 20 導體基板與透明基板； 其中該凸出部係藉由一第一凸出部與一第二凸出部 來形成；且 該黏性層係設在該第一凸出部與該第二凸出部之 間；以及 36 1310605 其中在位於該第一凸出部與該第二凸出部之間的該 * 半導體基板中設有一穿孔電極。 T 14.如申請專利範圍第12項所述之半導體裝置的製造方 5 法，更包含步驟有： - 形成一凸塊在該穿孔電極的一頭端；及 _ 將該凸塊連接至一支撐基板。 # 37 1310605 七、指定代表圖： (一）本案指定代表圖為：第（4 )圖。 * (二)本代表圖之元件符號簡單說明： 30.. .固態影像感測裝置 31.. .半導體基板 32.. .微透鏡 33.. .外部連接端子 35.. .黏性材料層 r 36A...凸出部 36B...凸出部 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
TW095114695A 2006-02-09 2006-04-25 Semiconductor device and manufacturing method of the same TWI310605B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006032664A JP4951989B2 (ja) 2006-02-09 2006-02-09 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200731518A TW200731518A (en) 2007-08-16
TWI310605B true TWI310605B (en) 2009-06-01

Family

ID=38333094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095114695A TWI310605B (en) 2006-02-09 2006-04-25 Semiconductor device and manufacturing method of the same

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7479627B2 (zh)
JP (1) JP4951989B2 (zh)
KR (1) KR100773843B1 (zh)
CN (2) CN102751301B (zh)
TW (1) TWI310605B (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130834A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Mitsubishi Electric Corp 光モジュール
US20080136012A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Imagine sensor package and forming method of the same
US7911018B2 (en) * 2007-10-30 2011-03-22 Panasonic Corporation Optical device and method of manufacturing the same
JP4799542B2 (ja) * 2007-12-27 2011-10-26 株式会社東芝 半導体パッケージ
JP4799543B2 (ja) * 2007-12-27 2011-10-26 株式会社東芝 半導体パッケージ及びカメラモジュール
JP2009283503A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5185019B2 (ja) * 2008-08-25 2013-04-17 パナソニック株式会社 半導体装置及びそれを用いた電子機器
US7817344B2 (en) * 2008-08-28 2010-10-19 Honeywell International Inc. Systems and methods for micromachined cylindrical lenses
JP2010114320A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Panasonic Corp 半導体装置
JP5178569B2 (ja) 2009-02-13 2013-04-10 株式会社東芝 固体撮像装置
US9142586B2 (en) 2009-02-24 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for backside illuminated image sensor
JP2010251558A (ja) 2009-04-16 2010-11-04 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2013520808A (ja) * 2010-02-26 2013-06-06 精材科技股▲ふん▼有限公司 チップパッケージおよびその製造方法
JP2011187754A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその製造方法
US20110292271A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Tzy-Ying Lin Camera module and fabrication method thereof
US8454789B2 (en) * 2010-11-05 2013-06-04 Raytheon Company Disposable bond gap control structures
US8440543B2 (en) * 2011-09-19 2013-05-14 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Hybrid circuit structure and partial backfill method for improving thermal cycling reliability of same
CN102431959B (zh) * 2011-12-05 2015-04-22 烟台睿创微纳技术有限公司 一种半导体mems芯片封装方法及其封装结构
JP6214132B2 (ja) * 2012-02-29 2017-10-18 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システムおよび光電変換装置の製造方法
US20140151095A1 (en) * 2012-12-05 2014-06-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Printed circuit board and method for manufacturing the same
JP2015082547A (ja) 2013-10-22 2015-04-27 セイコーエプソン株式会社 回路モジュール及びその製造方法
JP2015211131A (ja) * 2014-04-25 2015-11-24 ミツミ電機株式会社 撮像素子ユニット、撮像装置、及びカメラ付携帯端末
US10043847B2 (en) * 2014-08-26 2018-08-07 Gingy Technology Inc. Image capturing module and electrical apparatus
JP2016058532A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 ソニー株式会社 固体撮像素子、並びに、電子機器
TWI669810B (zh) * 2014-09-11 2019-08-21 日商索尼半導體解決方案公司 Solid-state imaging device, imaging device, electronic device, and semiconductor device
US20160104669A1 (en) * 2014-10-08 2016-04-14 Infineon Technologies Ag Semiconductor structure with improved metallization adhesion and method for manufacturing the same
CN105551985A (zh) * 2016-01-21 2016-05-04 昆山紫芯微电子科技有限公司 一种指纹识别模组的封装方法、指纹识别模组
US9859180B2 (en) * 2016-02-17 2018-01-02 Semiconductor Components Industries, Llc High reliability wafer level semiconductor packaging
CN106783716B (zh) * 2016-12-05 2020-03-20 厦门市三安集成电路有限公司 一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法
JP6685254B2 (ja) * 2017-03-01 2020-04-22 キヤノン株式会社 光電変換装置、センサユニットおよび画像形成装置
JP6981033B2 (ja) * 2017-04-19 2021-12-15 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWM601460U (zh) * 2019-06-26 2020-09-11 同欣電子工業股份有限公司 晶片封裝結構

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3166216B2 (ja) 1991-07-03 2001-05-14 ソニー株式会社 オンチップレンズ付固体撮像装置およびその製造方法
JPH0541506A (ja) 1991-08-06 1993-02-19 Sony Corp マイクロレンズ付固体撮像装置
JPH06204442A (ja) * 1993-01-07 1994-07-22 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JPH1065047A (ja) 1996-08-20 1998-03-06 Tokuyama Corp 半導体素子搭載用パッケージの製造方法
DE19952363A1 (de) * 1999-10-30 2001-05-03 Bosch Gmbh Robert Optoelektronischer Empfänger
JP2002158305A (ja) * 2000-11-21 2002-05-31 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージ
JP4846910B2 (ja) * 2001-02-06 2011-12-28 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP4614594B2 (ja) * 2001-08-28 2011-01-19 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージ
JP4899279B2 (ja) 2001-09-19 2012-03-21 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP3956199B2 (ja) * 2002-02-20 2007-08-08 シャープ株式会社 固体撮像装置の製造方法およびその製造方法において使用するマスク
JP2004006596A (ja) * 2002-03-22 2004-01-08 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 樹脂封止用ダム枠材及び電子部品モジュールの製造方法
JP4241160B2 (ja) * 2002-04-22 2009-03-18 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4443865B2 (ja) * 2002-06-24 2010-03-31 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6982470B2 (en) * 2002-11-27 2006-01-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment
JP4018013B2 (ja) 2003-03-26 2007-12-05 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
JP2004363380A (ja) 2003-06-05 2004-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
JP4551638B2 (ja) * 2003-08-01 2010-09-29 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
TWI231606B (en) 2003-11-10 2005-04-21 Shih-Hsien Tseng Image pickup device and a manufacturing method thereof
JP4354321B2 (ja) 2004-03-29 2009-10-28 シャープ株式会社 固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法
JP2005322851A (ja) 2004-05-11 2005-11-17 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
JP2005347416A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ及びカメラモジュール
JP2006100763A (ja) * 2004-09-06 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置の製造方法及び接合装置
KR100687069B1 (ko) * 2005-01-07 2007-02-27 삼성전자주식회사 보호판이 부착된 이미지 센서 칩과 그의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN102751301A (zh) 2012-10-24
KR20070081069A (ko) 2007-08-14
JP4951989B2 (ja) 2012-06-13
US7479627B2 (en) 2009-01-20
US20070181792A1 (en) 2007-08-09
JP2007214360A (ja) 2007-08-23
CN102751301B (zh) 2015-03-25
CN101017836A (zh) 2007-08-15
KR100773843B1 (ko) 2007-11-06
TW200731518A (en) 2007-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI310605B (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
US7180149B2 (en) Semiconductor package with through-hole
TWI408790B (zh) 具有貫穿電極之半導體裝置及其製造方法
CN101312200B (zh) 影像感测装置及其制造方法
US7030494B2 (en) Semiconductor package having built-in micro electric mechanical system and manufacturing method thereof
TWI294655B (zh)
JP2004140037A (ja) 半導体装置、及びその製造方法
TW200847418A (en) CMOS image sensor chip scale package with die receiving opening and method of the same
JPH1154649A (ja) 半導体装置およびその製造方法
TW200305264A (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
TW200834938A (en) Image sensor package with die receiving opening and method of the same
JP2006310530A (ja) 回路装置およびその製造方法
JP5135246B2 (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法、ならびに携帯機器
US9403672B2 (en) Chip package and method of manufacturing the same
TWI527186B (zh) 半導體封裝及其製造方法
JP2006156436A (ja) 半導体装置及びその製造方法
TW200903763A (en) Inter-connecting structure for semiconductor device package and method of the same
US7239027B2 (en) Bonding structure of device packaging
TWI384602B (zh) 嵌埋有感光半導體晶片之封裝基板及其製法
TWI585870B (zh) 晶片封裝體及其製造方法
CN102881666B (zh) 晶圆级器件封装
TWI588954B (zh) 晶片封裝體及其製造方法
WO2006109997A1 (en) Window manufacture method of semiconductor package type printed circuit board
JPH11214448A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
TWI277184B (en) Flip-chip leadframe type package and fabrication method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees