TWI299173B - - Google Patents

Description

1299173 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於積層陶瓷電容器，特x，丨3 ^ 荷別疋關於抑制積層陶 - 亮電容器實裝至基板上之狀態下’施加電塵時所產生之 厂銳音」的改良。 【先前技術】 ❿ 圖14係顯示實裝狀態下之積層陶究電容器〗的刊面圖 積層陶究電容Hi係具備電容器本體4,其係具備由複數 介電陶竞層2’及沿著介電陶究層2間之複數界面所各自带 成之複數的内部電極3aA3b所構成之積層構造者。電容體 本體4係：第i及第2主面5及6,其係延伸於介電陶究声之之 延伸方向者，·第!及第2端面7及8，其係各自延伸於與主面 :及6正交方向者；以及第】及第2側面（與圖14的紙面為平 行之面’但不圖示於圖14中。）所規定之—直方體形狀。 另外，一般電容器本體的各棱線會去角，但圖14所示之 電容器本體4及其他圖面所示之電容器本體則省略去角圖 另外，積層陶瓷電容器1係具備第1及第2外部電極1;1及 12，其係分別連接至内部電極“及补上，以取出經由介電 陶瓷層2之由内部電極3a及3b之對向所形成的靜電容量。 第1及第2外部電極丨丨及12係以由電容器本體4之第1及第2 ^ 及上^伸至與各端面7及8鄰接之主面5及6以及側面 的各-部分上之方式所分別形成。 此種積層陶竟電容器1係在電容器本體4之第1主面5與基 113225.doc 1299173 1 Ο ^» j, —节j之狀態下，外部電極11及12藉由焊錫或導電性接 /等導電性接合材14所接合而實際安裝於基板13上。 “…、器本體4中藉由内部電極3&及3b之對向輔助形成靜 L ”里之。P分稱為「活性部」。於圖14所示之積層陶瓷電 ” 1 /舌性部15為由虛線所框出之區域。活性部1 5為一直 方體形狀。 圖15所示之積層陶瓷電容器1係與圖14所示之積層陶瓷 • 電容器1為同樣姿勢，但電容器本體4内部則省略内部電極 3 a及3b的圖示，只圖示活性部丨5。 於積層陶瓷電容器1之外部電極丨丨及丨2之間施加電壓 時’内部電極3a及3b的特定鄰接部分之相互對向部分產電 荷極化’可獲得前述之靜電容量。此時，經由介電陶究層 2辅助形成之活性部15的介電，因施加電壓，產生如圖15 中箭頭矢印16所示之電致伸縮，積層陶瓷電容器1變形成 如圖15中虛線所示。 Φ 因此，施加電壓至積層陶瓷電容器1時，因電致伸縮造 成積層陶瓷電容器1變形，使基板13產生振動，進而發出 稱為「銳音」的聲音。如上述之使基板13振動的力量係由 位置於電容器本體4之第1主面5上的外部電極11及12的各 部分產生。此「銳音」過大則發生噪音問題。 " 為抑制「銳音」，特開2000-281435號公報（專利文獻^ 中開示使用含有BaTi〇3、SrZr〇3及CaZr〇3的介電組成物為 介電陶瓷層之材料。此介電組成物除有燒成時高耐還原 性、高誘電率及低變形率之優點外，亦有容量温度高之特 113225.doc 1299173 性。 然而，如專利文獻丨記載，透過改良材料組成抑制變形 的方法’則有不易與誘電率等其他特性兩立、設計自由度 低減之問題。

另外，特開2004-39937號公報（專利文獻2)開示，於使用 鈦酸鋇為介電材料之積層陶瓷電容器，陶兗基體除絶緣體 外’包括兩端端子電極以金屬膜包覆之構成。陶瓷基體 的以金屬膜包覆之表面積比例為〇 · 8以上，藉由陶曼基 體表面的大部分以金屬膜包覆，提高陶瓷基體的剛性，抑 制因電致伸縮所產生之機械性振動。 然而，採用專利文獻2中記載之抑制「銳音」方法時， 則曰t生適正確保絶緣體且形成金屬膜的工程煩雑之問 專利文獻1 :特開2000-281435號公報 專利文獻2 ·•特開2004-39937號公報 因此’本發明之目的係不影響介電組絲的材料 「銳立：二 抑制因電場引起之變形所產生 兄曰」的積層陶瓷電容器構造。 【發明内容】 本發明簡而言之，传葬 係猎由改良内部電極的 述技術性問題。 ^狀以解決上 本發明相關之積；喻 9旬是電各器係具備雷玄 及第2外部電極者。 冤谷為本體、第i 電容器本體係具備由 硬數内部電極所構成之積層構造， 113225.doc 1299173

上述稷數内部電極係由、;,L °耆複數；丨電陶瓷層與介電陶瓷層 間的複數界面而各自开彡点本 目$成者，且電容體本體之形狀係由延 伸於介電陶瓷層之延伸方 向之第1及第2主面、各自延伸於 與主面正交方向上之篦] 、 第2為面、以及第1及第2側面所 規定之實質上為一直方體形狀。 至特疋内部電極上，以取出經 之對向所形成的靜電容量，且 由 由 接

弟1及第2外部電極係連接 介電陶瓷層之由内部電極 電容器本體之第1及筮：u山；^ \ 乐i及弟2‘面上，分別延伸至與各端面鄰 之主面及側面的各一部份上而形成。 此外’電各态本體中，以藉由内部電極之對向辅助形成 靜電容量之部分為活性部時，此活性部實質上為一直方體 形狀。 另外，此積層陶瓷電容器係在電容器本體之第丨主面與 基板對向之狀態下，外部電極藉由導電性接合材所接合而 安裝於基板上。

於此種構成之積層陶瓷電容器中，為了解決前述技術性 問題，其特徵為具備下述結構。 亦即，令電容器本體之第1及第2端面間的尺寸之長度方 向的尺寸為L ’於上述活性部中’與分別通過電容器本體 之第1主面上之第1及第2外部電極的各端緣位置之端面平 行之各面，與活性部的第1主面側之面交又之各線為中心 軸，半徑為0.025L的圓柱狀之各區域中，配置有低活性产 區域，於此低活性度區域中，靜電容量形成用之内部電極 之對向面積為於其他一般區域中，與低活性度區域同體積 113225.doc 1299173 分中的内部電極之對向面積的1/5以下。 於本發明中’活性部係對第】及第2主面呈平行，且與通 過第1及第2主面間的中心面為對稱形狀者為佳。 卜本务明之範圍亦涵蓋不包含電容器本體之第1主 面：基板為對向之狀態下’外部電極藉由導電性接合材接 合貫際安裝於基板上等，上述實裝上的限定之積層 容器。

[發明效果] 本么月之上述活性部中，與分別通過電容器本體之第1 主面上之外部電極的各端緣位置之端面平行之各面，與活 性部的第1主面側之面交叉之各線為中心車由，半徑為 〇:〇25L的圓柱狀之各區@，簡而言之，於活性部接近外部 電極端緣的區域中，配置有低活性度區域，於此低活性度 區域中，為了形成靜電容量之用的内部電極之對向面積 為，於其他一般區域中，與低活性度區域同體積分中的内 部電極之對向面積的1/5以下，因此於此低活性度區域 中’可抑制施加電壓時所引起的電致伸縮。其結果，對實 裝積層陶瓷電容器之基板，可減低使此基板彎曲的力量， 藉此抑制「銳音」。 另外，於本發明中為抑制「銳音」，内部電極之對向面 積較小的低活性度區域係位置於活性部中，接近外部電極 端緣的限定區域，因此不需犧牲大量可取得之靜電容量即 可制止「銳音」。 於本發明中，令活性部與第1及第2主面為平行，且與通 113225.doc -10- 1299173 過第1及第2主面間的中心位置之面為對稱之形狀，實裝積 層陶瓷電容器時，不需區別第！主面侧及第2主面側，因此 可有效率地進行實裝工程，且可減低實裝失誤。 【實施方式】 圖1及圖2係說明本發明之第丨實施形態。此圖ya)與圖u 相同，以顯示活性部15代替内部電極之圖示。另外，圖示 之積層陶瓷電容器la係以其下方為基板側而安裝。圖i(b) 係將圖1之一部分擴大顯示之圖。圖2(a)及（b)係圖示於圖j 中所示之積層陶瓷電容器la的内部電極圖案的平面圖。圖 1及圖2中’相當於前述圖14或圖15中所示要素者，以同樣 參照符號標出，且省略重複之說明。此外，圖14並無圖 示’但於圖2中有圖示第i及第2侧面9及10。 說明第1實施形態中積層陶瓷電容器丨a之構造特徵。 令電容器本體4之第1及第2端面7及8間的尺寸，其長度 方向的尺寸為L。於活性部丨5中，與分別通過電容器本體4 之第1主面5上之第1及第2外部電極丨丨及^的各端緣19及2〇 位置之端面7及8平行之各面21及22，與活性部15的第1主 面5側之面23交又之各線24及25為中心軸，半徑26及27為 0 ·025L的圓柱狀之區域2 8及29中，配置有低活性度區域3 〇 及3 1。於此低活性度區域3〇及3丨中，為了形成靜電容量之 用的内部電極之對向面積其特徵為，於其他一般區域中， 與低活性度區域30及3 1同體積分中的内部電極之對向面積 的1/5以下。 為形成如上述之低活性度區域30及3 1，於其實施形態中 113225.doc -11 - 1299173 :用如圖2所不之内部電極圖案。於圖2’為形成靜電容量 而相互對向之㈣電極域歸職示為由⑷及⑻。 :部電極3a中係形成有為形成(与“…)低活性度 品’30的切口 32 ’及為形成低活性度區域”的切口 33。另 内口P電極3b中係形成有為形成低活性度區域的切口 3 4 ’及為形成低活性度區域3丨的切口 3 5。 上述切口 32〜35之功能係於低活性度區域儿及”中，使 内部電極3a及3b之對向面積，相較於其他一般區域為1/5 x下因此，可減低活性度區域3 0及3 1中之電致伸縮，且 外部電極11及12經由導電柱接合材接合實裝至基板上時， 可降低使基板彎曲及震動的力量，藉此抑制「銳音」。 再次參照圖15，關於施加電壓於積層陶瓷電容器1時所 產生的變形，令外部電極端緣之積層方向的變位為 xl、令電容器本體4之端面7及8與主面5交差角部分之積層 方向變位為χ2、令電容器本體4之端面7及8間的中央部之 積層方向變位為x3時，針對（χ1-χ2)/χ3，舊有一般積層陶究 電容器 1為，（xl-x2)/x3>0.65。 相對於此，相關於此實施形態之積層陶瓷電容器丨a係於 活性部15中具備低活性度區域3 0及3 1，因此施加電壓時， 可降低外部電極11及12之部分的傾斜，也就是可降低（χ1_ χ2)，使其成為（xl-x2)/x3 $ 0.6。因此，可如前述，降低使 基板彎曲及震動力量，其結果，可抑制「銳音」。 此外，於此第1實施形態，如圖1 (a)所示，活性部1 5之第 2主面6側也形成有低活性度區域30及31，活性部15係與第 113225.doc 12 1299173 1及第2主面5及6為平行，與通過第1及第2主面5及6間中心 位置之面的為對稱之形狀。因此，實裝積層陶瓷電容器la 時，不需區別第1主面5側及第2主面6側，可有效率地進行 貫裝工程’且降低實裝失誤。 圖3係用以說明本發明第2實施形態中之積層陶瓷電容器 lb的對應於圖2之圖，顯示内部電極圖案的變形例。於圖3

中’相當於圖2中所示要素者，附上同樣參照符號，且省 略重複之說明。 如圖3(a)所不，形成於内部電極3a内之切口 32及33係將 其切口位置於内部電極h相互不同側處。#外，如圖3(b) 所示，形成於另一側之内部電極3b中的切口34及35，也同 樣將其切口位置於内部電極3b相互不同側處。 圖2及圖3中圖示之任一内部電極圖案，於低活性度區域 3〇及31中，内部電極仏及儿為非相互對向，也就是對向面 積為〇。然而’此對向面積不限定為〇，與一般區域相較， 為X下即可，其係因令對向面積相較於一般區域為W 以下，即可視電致伸縮實質上為〇。 因此’針對圖2所示之内部電極圖案，例如内部電極h 中形成有切口32及33,此些切口32及33形成後之結果，剩 餘之内部電極3a細幅部之寬度為其他部分之寬度的"5以 下時’内部電極3b則不需形成切口。另外，針對圖3所示 之内部電極圖案’例如内部電極3a中形成有切口 η及”， ΓΓ二：及33形成後之結果，剩餘之内部電極3議幅部 為其他部分之寬度的1/5以下時，内部電極3b則不 113225.doc -13- 1299173 需形成切口。 圖4係用以說明本發明第3實施形態中之積層陶究電容器 lc的對應於圖2之圖，顯示内部電極圖案的其他變形例。 於圖4中，相當於圖2中所示要素者，附上同樣參照符號， 且省略重複之說明。

如圖4(a)所示，内部電極3a中，設有為形成低活性度區 域3 1之切口 36及37，其開口係為相互相反方向之狀態者。 切口 36及37之間留有細幅部38。另外’如圖4(b)所示，内 部電極3b中，設有為形成低活性度區域3〇之切口 39及利， 其開口係為相互相反方向之狀態者，且開口 39及4〇之間留 有細幅部4!。此些細幅部41及38之寬度為内部電極“及补 之其他部分寬度的1 /5以下。 圖4所不之第3實施形態之低活性度區域^及^中，透過 細幅部41及38可獲得内部電極3认31)之對向。然而，細幅 部似38之寬度，如上述，為其他部分寬度之1/5以下， 因此對向面積也為1 /5以下。 圖5或圖9係分別對應，說明本發明第彳或第8實施形態的 圖1⑷，顯示針對活性部15的變形例。圖5或圖9中，相當 於前述圖1⑷中所示要素者’以同樣參照符號標出，且省 略重複之說明。 圖5所示之積層陶瓷雷女 J免電4益Id中，低活性度區域3〇及31 長度達到活性部15的各端部。 一 乃外此種構成時，因圖1 5 所示之變位χ2會變小，盔法 …、足夠‘小（xl-x2)/x3，因此，可 能無法足夠抑制實裝此 曰彳瓦电合态Id之基板的變形。 113225.doc 1299173 圖6所示之積層陶瓷電容器16中，低活性度區域3〇及31 係形成為穿透活性部1 5之厚度方向。 圖7所示之積層陶瓷電容器If中，低活性度區域3〇及3 i 係形成於活性部15表面些微往内側之位置上。 圖8所示之積層陶瓷電容器1§中，低活性度區域3〇之剖 面係形成為賦予其半圓形或略半圓形，而非矩形。要實現 上述構成，可藉由例如參照圖2所說明之内部電極圖案 中’逐漸變化切口 32〜35之寬度而達成。 圖9所示之積層陶瓷電容器比中，活性部15之單一側形 成有低活性度區域30及31。於此實施形態中，實裝積層陶 瓷電容器ih至基板上時，形成低活性度區域3〇及31之側的 電容器本體4之第1主面5，需為基板側。 另外，如圖9所示之實施形態，活性部15之單一側形成 有低活性度區域30及3〗之構造亦可適用於參照圖5、圖7及 圖8所說明之實施形態。 圖1 〇及圖11係說明本發明之第9實施形態。此圖丨〇係積 層陶瓷電谷為1 i之剖面圖，圖丨丨係顯示積層陶瓷電容器Η 之内部電極圖案。於圖1〇及圖11中，相當於圖1、圖2或圖 14中所示要素者，以同樣參照符號標出，且省略重複之說 明。 〇 積層陶究電容器Η，簡而言之，其特徵為直列容量型積 層電容器之構造。因此，内部電極係形成# :連接至第工 外部電極11的内部電極3e、連接至第2外部電極12的内部 電極3d及與内部電極3c及3d雙方對向的内部電極3e。 113225.doc •15- 1299173 於此種積層陶瓷電容器丨丨，圖10中以虛線圈起之區域中 形成有直方體形狀的活性部15。且於此活性部15中，以鏈 線圈起之區域係低活性度區域3〇及3 i。

如圖11(a)所示，内部電極託中，形成有賦予低活性度區 域30之用的切口 42，内部電極刊中形成有賦予低活性度區 域31之用的切口43。另外，如圖u(b)所示，内部電極3种 形成有分別賦予低活性度區域30及31之用的切口料及化。 此外，如圖10所示，於積層陶瓷電容器u，低活性度區 域30及31係設為於活性部15的厚度方向穿透，亦可設為厚 度方向之一部份。 以上將本發明圖示之實施形態關連說明，本發明之範圍 内’亦可有其他種種之變形例。 例如，圖示之實施形態中，為賦予低活性度區域，於内 部電極之特定部分設有切口，但亦可於内部電極之特定部 刀形成網狀，藉此減低對向面積。 接著說明為算出規定本發明之數値限定及確認本發明之 効果，所實施之實驗例。 圖12係相當於圖1(a)之圖，其係為說明本實験例中所製 作之試料者。圖12中，圖i⑷中所示要素者，：

符號標出。 7 4 W σ t 〜T。此 mm、丁 =125 mm。另外 二尺寸中’ L、丁、E、TG及LG系分別固定為：Μ』 、丁-1 25 mm、E=0.425 mm、TG=(U 職及 Lg：=〇 i ，如後述表1及表2所示，製作分別將此及打種 H3225.doc -16- 1299173 種變更之試料。 此外’圖12雖無顯示，但電容器本體4的寬度 寸（與圖紙面正交方向之尺 士 门之尺寸）為1·25 mm，内部電極之 極=2 介電陶究層之厚度為3 -。另外，内部電 、曰數為250。此外，介電陶竟層係由邮〇3類材料 成、内部電極之導電成分係由Ni所構成、外部電極n 及12之導電材料係由Cu所構成。 ㈣針對如此各種試料評估基板變位。圖13中，顯示有基板 、交位的評估方法，⑷為平面圖，(b)為正面圖。 圖13所不，準備長度100 mmx寬度40 mmx厚度〇·8 mm 的由玻璃環氧樹脂所構成之基板51，於基板51中央實裝為 2試料的積層陶竟電容器la。此時，實裝時使用％❿共 曰曰知錫為導電性接合材，並使積層陶究電容器&的長度方 U板51的長度方向—致。另夕卜，於積層陶竟電容器la %加ιον的電麗’如圖13⑻所示，以基板5ι中央為原點 夺；基板5 1的長度方向端部測量變位52，以此變位52為 基板變位。 此外針對基板變位，表1中，以dL=0時之基板變位為 基準，並以百分率顯示，表2中，以dT=0時之場合基板變 位為基準，並以百分率顯示。另外，分別算出如圖丨5所示 · 44 X1 、v 〇 tl 及x3，由此些變位Χ1、χ2及X3算出（xl-x2)/x3，並將其結果顯示於表i及表2。 將dT固定為〇 〇5 mm ’將比較變化dL試料後的結果顯示 於表1。 113225.doc 1299173 [表1]

表1中，根據dL為0.05 mm以上之試料3〜6，乩几為〇〇25 以上，基板變位為9〇%以下，（χ1_χ2)/χ3抑制為〇〇6以下。 另外，試料6與例如試料5比較，即使dL/L較高，基板變 位及（xl-x2)/x3皆呈現較高數値。其係因試料6為几=〇 325 mm，相當於圖5所示之實施形態。 接著將dL固定為〇·05 mm，將比較變化盯試料後的結果 顯不於表2。 [表2]

表2所示之試料係分別與表1所示試料1及3為同 等。 # 如表2所示，根據dT為〇·〇5 mm以上之試料13之18，打几 113225.doc -18- 1299173 為0.〇25以上，基板變位為9〇%以下，（χ1_χ2)/χ3抑制為 0.06以下。 …、 另外，由其dT値可得知，試料18係相當於圖6所示之實 施形態。 【圖式簡單說明】 圖1係說明本發明第1實施形態，顯示活性部丨5以取代内 部電極之圖不，（a)係整體顯示積層陶瓷電容器la，（b)係將 φ 積層陶瓷電容器h之一部分擴大顯示。 、、 圖2(a)、（b)係圖示於圖丨中所示之積層陶瓷電容器^的内 部電極圖案的平面圖。 圖3(a)、（b)係對應說明本發明之第2實施形態的圖2，顯 示内部電極圖案的變形例。 圖4(a)、（b)係對應說明本發明之第3實施形態的圖2，顯 示内部電極圖案的其他變形例。 圖5係對應說明本發明之第4實施形態的圖1(勾，顯示活 • 性部1 5的變形例。 圖6係對應說明本發明之第5實施形態的圖丨（叻，顯示活 性部1 5的其他變形例。 圖7係對應說明本發明之第6實施形態的圖1(a)，顯示活 性部1 5另外的變形例。 圖8係對應說明本發明之第7實施形態的圖1(勾，顯示活 性部1 5另外的變形例。 圖9係對應說明本發明之第8實施形態的圖l(a)，顯示活 性部1 5另外的變形例。 113225.doc -19- 1299173 圖ίο係說明本發明之第 器π的剖面圖。 H積層陶究電容 圖n(a)、（b)係顯示圖1G中 π Hh加十此㈤一 很’阈是電容器li的電 池内部電極圖案的平面圖。 圖12係相當於積層陶瓷 ^ , 一 瓦电备淼la之圖i(a)，其係說明依 據本舍明所貫施之實驗財製造的試料者。 圖13⑷、（b)係說明於實験例中所評估之基板變 定方法。 圖14係顯示本發明中關# 膝 十知AI T關压之將以彺的積層陶瓷電容器玉 實裝至基板13上之狀態的剖面圖。 σ 圖15係顯示為說明於圖14所示之積層陶瓷電容器丨中， 因電場引起之變形的剖面圖。 【主要元件符號說明】 l，la 〜li 2 3 a〜3 e 4 5 6 7 8 9 10 11 積層陶瓷電容器 介電陶瓷層 内部電極 電容器本體 苐1主面 第2主面 第1端面 第2端面 第1側面 第2側面 第1外部電極 113225.doc -20- 1299173 12 13 14 15 19, 20 21，22 23 24, 25 26, 27 28, 29 30, 31 32〜37, 39, 40, 42〜45 第2外部電極 基板 導電性接合材 活性部 外部電極端緣 與端面平行之面 活性部的第1主面側之面 為中心軸之線 半徑 圓柱狀區域 活性度區域 切口

113225.doc •21 -

Claims (1)

1. I299l73 、申請專利範圍： 一種積層陶瓷電容器，其特徵係具備·· 電容器本體’其係具備由複數内部電極所構成之積層 構造，上述複數内部電極係由沿著複數前 述介電陶究層間的複數界面而各自形成者，且電容體本 體之形狀係由延伸於前述介電陶竟層之延伸方向之第^ 及第2主面、|自延伸於與前述主面正交方向^及第 2端面、以及第!及第2側面所規定之實質上為一 形狀者；及 " /1及第2外部電極，其係連接至前述特定内部電極 ，以取出經由前述介電㈣層之由前述内部電極之對 向所形成的靜電容量’且由前述電容器本體之前述第^ 及第2端面上’分別延伸至與各前述端面鄰接之前述主 面及前述側面的各一部份上而形成者； _ =電容器本體中’以藉由内部電極之對向輔助形成 靜電谷量之部分為活性部時’前述活性部實質上為 方體形狀； 、”、、直 積層陶究電纟器係於前述電容器本體之第1主面盘義 =對向之狀態下’前述外部電極藉由導電性接合材^ 5而安裝於基板上，·其中 接 ▽則述電容器本體之前述第丨及第2端面間的尺寸之 ::向的尺寸為L，於前述活性部中，與分別通 各器本體之前述第i主面上之前4第】及第2外部電極 、各端緣位置之前述端面平行之各面，與前述活性部的 H3225.d〇( 1299173 刖述第1主面側之面交叉之各線為中心轴，半徑 的圓柱狀之各區域中，配置有低活性度區域，於此、25L 活性度區域中，靜電容量形成用之前述内部電*述低 面積為於其他—般區域中，與前述低活性度區域= 分中的前述内部電極之對向面積的1/5以下。 2’ 之積層陶£電容器，前述活性部係對前述第1 心面為對稱形狀。 主面間的中 3. 一種積層陶瓷電容器，其特徵係具備： 構！容=體’其係具備由複數内部電極所構成之積層 =述複數内部電極係由沿著複數介電陶竟層 述電陶瓷層間的複數界面而各自 體之报邾你Α ^ /戚者，且電容體本 屯狀係由延伸於前述介電陶究層之延伸方向之第】 及第2主面、各自延伸於與前 w此乂方向之第1及第 =面者；以及第1及第2側面所規定之實質上為-直方體 上第1及第2外部電極’其係連接至前述特定内部電極 上’以取出經由前述介電陶資声 电u无層之由前述内部電極之對 向所形成的靜電容量，且由前述 及第2端面上，分収伸至與各前述之前述第1 ^ ^ _ 引边、面鄰接之前述主 面及别述側面的各一部份上而形成者； :層陶竞電容器係於前述電容器本體中，以藉由内部 、=之！向輔助形成靜電容量之部分為活性部時，前述 活性部實質上為一直方體形狀，· 113225.doc 1299173 令前述電容器本體之前述第1及第2端面間的尺寸之長 度方向的尺寸為L，於前述活性部中，與分別通過前述 電容器本體之前述第1主面上之前述第丨及第2外部電極 的各端緣位置之端面平行之各面，與前述活性部的前述 第1主面側之面交叉之各線為中心軸，半徑為0.025L的圓 柱狀之各區域中’配置有低活性度區域，於前述低活性 度區域中’靜電容量形成用之前述内部電極之對向面積 為於其他—"ήβ* Ρ 丄 ^ 或中，與前述低活性度區域同體積分中 的前述内部雷搞 、 电極之對向面積的1/5以下。 113225.doc