JP3445448B2 - 積層コンデンサ - Google Patents
積層コンデンサInfo
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、積層コンデンサに
関し、特に静電容量の小さな高周波用の積層コンデンサ
に関するものである。
関し、特に静電容量の小さな高周波用の積層コンデンサ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２乃至図４に従来例の積層コンデンサ
を示す。図２は分解斜視図、図３は平面図、図４は図３
のＡ−Ａ線矢視方向断面図である。
を示す。図２は分解斜視図、図３は平面図、図４は図３
のＡ−Ａ線矢視方向断面図である。
【０００３】図において、１０は積層コンデンサで、誘
電体層１１と内部電極１２とを交互に積層してなる素体
１３と、素体１３の両端部において内部電極を交互に並
列に接続している一対の外部電極１４とから構成されて
いる。
電体層１１と内部電極１２とを交互に積層してなる素体
１３と、素体１３の両端部において内部電極を交互に並
列に接続している一対の外部電極１４とから構成されて
いる。
【０００４】内部電極１２は、誘電体層１１の中央領域
付近に設けられた内部電極片１２ａと、外部電極１４に
沿って外部電極１４に接続した状態で設けられた内部電
極引出部１２ｂとから成り、内部電極片１２ａは内部電
極引出部１２ｂを介して外部電極１４に接続されてい
る。
付近に設けられた内部電極片１２ａと、外部電極１４に
沿って外部電極１４に接続した状態で設けられた内部電
極引出部１２ｂとから成り、内部電極片１２ａは内部電
極引出部１２ｂを介して外部電極１４に接続されてい
る。
【０００５】誘電体層１１は矩形のシート上のセラミッ
ク焼結体からなり、セラミック焼結体は、例えばチタン
酸バリウム等を主成分とする誘電体磁器材料から形成さ
れている。内部電極１２は金属ペーストを焼結させた金
属薄膜からなり、金属ペーストとしては、例えばＰｄや
Ａｇ−Ｐｄのような貴金属材料を主成分とするものが使
用されている。外部電極１４も内部電極１２と同様の材
料により形成され、表面には半田濡れ性をよくするため
に半田メッキが施されている。
ク焼結体からなり、セラミック焼結体は、例えばチタン
酸バリウム等を主成分とする誘電体磁器材料から形成さ
れている。内部電極１２は金属ペーストを焼結させた金
属薄膜からなり、金属ペーストとしては、例えばＰｄや
Ａｇ−Ｐｄのような貴金属材料を主成分とするものが使
用されている。外部電極１４も内部電極１２と同様の材
料により形成され、表面には半田濡れ性をよくするため
に半田メッキが施されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、移動
通信機器等に使用される通信用の周波数が高周波帯（Ｇ
Ｈｚ帯）へ移行してきており、これに伴って移動通信機
器等に使用される積層コンデンサも高周波帯への対応を
余儀なくされている。
通信機器等に使用される通信用の周波数が高周波帯（Ｇ
Ｈｚ帯）へ移行してきており、これに伴って移動通信機
器等に使用される積層コンデンサも高周波帯への対応を
余儀なくされている。
【０００７】積層コンデンサを高周波帯へ対応させるた
めには、高周波域において低容量、例えば１０ｐＦ以下
の静電容量の積層コンデンサのＱ値を高める必要があ
る。
めには、高周波域において低容量、例えば１０ｐＦ以下
の静電容量の積層コンデンサのＱ値を高める必要があ
る。
【０００８】このように高周波域において、低容量の積
層コンデンサのＱ値を高めるためには、内部電極の電気
抵抗を小さくする必要がある。
層コンデンサのＱ値を高めるためには、内部電極の電気
抵抗を小さくする必要がある。
【０００９】内部電極の電気抵抗を小さくする方法とし
ては、内部電極の面積を広くしたり、内部電極の厚みを
厚くしたりする方法がある。
ては、内部電極の面積を広くしたり、内部電極の厚みを
厚くしたりする方法がある。
【００１０】しかしながら、内部電極の面積を大きくす
ると静電容量が大きくなりすぎるので、内部電極間の距
離を広げたり、積層数を減らしたりしなければならず、
このため、内部電極間の電気抵抗が高まったり、Ｑ値が
低下したりする。
ると静電容量が大きくなりすぎるので、内部電極間の距
離を広げたり、積層数を減らしたりしなければならず、
このため、内部電極間の電気抵抗が高まったり、Ｑ値が
低下したりする。
【００１１】また、内部電極を厚くすると、内部電極の
電気抵抗は下がるが、内部電極の局部的な累積によりそ
の部分は局部的に厚くなって内部歪が増大したり、Ｐｄ
等からなる内部電極の酸化膨張により、構造欠陥（デラ
ミネーション、クラック等）の発生率が大きくなってし
まう。
電気抵抗は下がるが、内部電極の局部的な累積によりそ
の部分は局部的に厚くなって内部歪が増大したり、Ｐｄ
等からなる内部電極の酸化膨張により、構造欠陥（デラ
ミネーション、クラック等）の発生率が大きくなってし
まう。
【００１２】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、高周
波域において低容量で高いＱ値を有すると共に内部構造
欠陥のない積層コンデンサを提供することにある。
波域において低容量で高いＱ値を有すると共に内部構造
欠陥のない積層コンデンサを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、第１内部電極層と第２内部
電極層とを誘電体層を挟んで交互に積層してなる素体
と、前記第１内部電極層に設けられた第１内部電極に接
続されている第１外部電極と前記第２内部電極層に設け
られた第２内部電極に接続されている第２外部電極とを
備えてなる積層コンデンサにおいて、前記第１内部電極
及び前記第２内部電極は、互いに対称な形状をなすと共
に、それぞれ２つ以上の内部電極片を有し、同一層内に
おいて隣り合う２つの内部電極片の間に、対向する非平
行な内部電極片の側辺によって形成されるスリットを有
し、前記第１内部電極と前記第２内部電極は、それぞれ
の内部電極片の一部の領域のみが重なり合うように配置
されている積層コンデンサを提案する。
成するために請求項１では、第１内部電極層と第２内部
電極層とを誘電体層を挟んで交互に積層してなる素体
と、前記第１内部電極層に設けられた第１内部電極に接
続されている第１外部電極と前記第２内部電極層に設け
られた第２内部電極に接続されている第２外部電極とを
備えてなる積層コンデンサにおいて、前記第１内部電極
及び前記第２内部電極は、互いに対称な形状をなすと共
に、それぞれ２つ以上の内部電極片を有し、同一層内に
おいて隣り合う２つの内部電極片の間に、対向する非平
行な内部電極片の側辺によって形成されるスリットを有
し、前記第１内部電極と前記第２内部電極は、それぞれ
の内部電極片の一部の領域のみが重なり合うように配置
されている積層コンデンサを提案する。
【００１４】該積層コンデンサによれば、前記スリット
幅が部分的に異なった値に設定され、第１内部電極と第
２内部電極のそれぞれが、内部電極片の一部の領域のみ
が重なり合うように配置されているため、積層時におけ
る内部電極層と誘電体層との応力が分散される。さら
に、内部電極片の局部的な累積による局部的に厚くなる
割合が、従来よりも低減され、内部歪の発生が抑制され
る。
幅が部分的に異なった値に設定され、第１内部電極と第
２内部電極のそれぞれが、内部電極片の一部の領域のみ
が重なり合うように配置されているため、積層時におけ
る内部電極層と誘電体層との応力が分散される。さら
に、内部電極片の局部的な累積による局部的に厚くなる
割合が、従来よりも低減され、内部歪の発生が抑制され
る。
【００１５】また、請求項２では、請求項１に記載の積
層コンデンサにおいて、前記スリット幅の最小値は前記
内部電極片の厚さ以上であり、且つ前記スリット幅の最
小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比（Ｄmin ／Ｄmax ）が
０．１以下となるように前記スリット幅が設定されてい
る積層コンデンサを提案する。
層コンデンサにおいて、前記スリット幅の最小値は前記
内部電極片の厚さ以上であり、且つ前記スリット幅の最
小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比（Ｄmin ／Ｄmax ）が
０．１以下となるように前記スリット幅が設定されてい
る積層コンデンサを提案する。
【００１６】該積層コンデンサによれば、前記スリット
幅の最小値は前記内部電極片の厚さ以上であり、且つ前
記スリット幅の最小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比（Ｄmi
n ／Ｄmax ）が０．１以下となるように前記スリット幅
が設定されているので、同層内の内部電極片間における
電磁界の影響が低減され、高いＱ値が得られる。
幅の最小値は前記内部電極片の厚さ以上であり、且つ前
記スリット幅の最小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比（Ｄmi
n ／Ｄmax ）が０．１以下となるように前記スリット幅
が設定されているので、同層内の内部電極片間における
電磁界の影響が低減され、高いＱ値が得られる。
【００１７】また、請求項３では、請求項１に記載の積
層コンデンサにおいて、前記内部電極片の幅が部分的に
異なった値に設定されている積層コンデンサを提案す
る。
層コンデンサにおいて、前記内部電極片の幅が部分的に
異なった値に設定されている積層コンデンサを提案す
る。
【００１８】該積層コンデンサによれば、前記内部電極
片の幅を部分的に異なった値に設定することにより、内
部電極片のインダクタンス成分を任意に変えることがで
き、共振周波数を任意に設定可能となる。
片の幅を部分的に異なった値に設定することにより、内
部電極片のインダクタンス成分を任意に変えることがで
き、共振周波数を任意に設定可能となる。
【００１９】また、請求項４では、請求項１に記載の積
層コンデンサにおいて、前記第１内部電極及び前記第２
内部電極のそれぞれは、２つの内部電極片を有し、前記
２つの内部電極片は線対称な形状をなしている積層コン
デンサを提案する。
層コンデンサにおいて、前記第１内部電極及び前記第２
内部電極のそれぞれは、２つの内部電極片を有し、前記
２つの内部電極片は線対称な形状をなしている積層コン
デンサを提案する。
【００２０】また、請求項５では、請求項１に記載の積
層コンデンサにおいて、前記第１内部電極及び前記第２
内部電極のそれぞれは、異なる形状をなす２つの内部電
極片を有している積層コンデンサを提案する。
層コンデンサにおいて、前記第１内部電極及び前記第２
内部電極のそれぞれは、異なる形状をなす２つの内部電
極片を有している積層コンデンサを提案する。
【００２１】また、請求項６では、請求項１に記載の積
層コンデンサにおいて、前記第１内部電極及び前記第２
内部電極のそれぞれは、２つの内部電極片を有し、前記
２つの内部電極片の少なくとも一方が台形をなしている
積層コンデンサを提案する。
層コンデンサにおいて、前記第１内部電極及び前記第２
内部電極のそれぞれは、２つの内部電極片を有し、前記
２つの内部電極片の少なくとも一方が台形をなしている
積層コンデンサを提案する。
【００２２】また、請求項７では、請求項１に記載の積
層コンデンサにおいて、前記第１内部電極及び前記第２
内部電極のそれぞれは、２つの平行四辺形をなす内部電
極片によって構成されている積層コンデンサを提案す
る。
層コンデンサにおいて、前記第１内部電極及び前記第２
内部電極のそれぞれは、２つの平行四辺形をなす内部電
極片によって構成されている積層コンデンサを提案す
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。図１は第１の一実施形態の積層コ
ンデンサを示す分解斜視図、図５はその平断面図であ
る。図において、２０は積層コンデンサで、誘電体層２
１と内部電極２２とを交互に積層してなる素体２３と、
素体２３の両端部において内部電極２２を交互に並列に
接続している一対の外部電極２４とから構成されてい
る。
実施形態を説明する。図１は第１の一実施形態の積層コ
ンデンサを示す分解斜視図、図５はその平断面図であ
る。図において、２０は積層コンデンサで、誘電体層２
１と内部電極２２とを交互に積層してなる素体２３と、
素体２３の両端部において内部電極２２を交互に並列に
接続している一対の外部電極２４とから構成されてい
る。
【００２４】誘電体層２１は、例えば１５５０μｍ×８
２５μｍの矩形シート状のセラミック焼結体からなり、
焼結体は例えばチタン酸マグネシウムを主成分とするグ
リーンシートを焼成して形成した誘電体磁器材料からな
る。
２５μｍの矩形シート状のセラミック焼結体からなり、
焼結体は例えばチタン酸マグネシウムを主成分とするグ
リーンシートを焼成して形成した誘電体磁器材料からな
る。
【００２５】誘電体層２１を介して隣り合う一対の内部
電極２２のそれぞれは、１つのスリット２２ａを介して
隣り合う２つの内部電極片２２ｂを有している。各内部
電極片２２ｂは略台形状になっており、それぞれの内部
電極片２２ｂの底辺が外部電極２４に接続されている。
電極２２のそれぞれは、１つのスリット２２ａを介して
隣り合う２つの内部電極片２２ｂを有している。各内部
電極片２２ｂは略台形状になっており、それぞれの内部
電極片２２ｂの底辺が外部電極２４に接続されている。
【００２６】また、２つの内部電極片２２ｂ間のスリッ
ト２２ａは二等辺三角形に近い台形をなし、スリット２
２ａの幅は内部電極片２２ｂの底辺位置において最小値
Ｄmin を有し、内部電極片２２ｂの先端位置において最
大値Ｄmax を有している。
ト２２ａは二等辺三角形に近い台形をなし、スリット２
２ａの幅は内部電極片２２ｂの底辺位置において最小値
Ｄmin を有し、内部電極片２２ｂの先端位置において最
大値Ｄmax を有している。
【００２７】一方、誘電体層２１を介して上下に隣り合
う一対の内部電極２２において、一方の層の内部電極２
２の内部電極片２２ｂの外側辺は、他方の層の内部電極
２２の内部電極片２２ｂの外側辺と対向している。
う一対の内部電極２２において、一方の層の内部電極２
２の内部電極片２２ｂの外側辺は、他方の層の内部電極
２２の内部電極片２２ｂの外側辺と対向している。
【００２８】これらの内部電極２２は導電性ペーストの
薄膜を焼結させた金属薄膜からなり、導電性ペーストと
しては、例えばＡｇ−Ｐｄ粉末を主成分とするものが使
用されている。外部電極２４も内部電極２２と同様の材
料により形成され、表面には半田濡れ性をよくするため
に半田メッキが施されている。
薄膜を焼結させた金属薄膜からなり、導電性ペーストと
しては、例えばＡｇ−Ｐｄ粉末を主成分とするものが使
用されている。外部電極２４も内部電極２２と同様の材
料により形成され、表面には半田濡れ性をよくするため
に半田メッキが施されている。
【００２９】ここで、層内におけるスリット２２ａの幅
の最小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄmax は
０．１に設定されている。
の最小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄmax は
０．１に設定されている。
【００３０】本実施形態では、スリット２２ａの幅の最
小値Ｄmin を５０μｍ、最大値Ｄmax を５００μｍとし
た。
小値Ｄmin を５０μｍ、最大値Ｄmax を５００μｍとし
た。
【００３１】この積層コンデンサは次のようにして製造
した。まず、誘電体の原料粉末に有機バインダーを１５
重量％添加し、さらに水を５０重量％加え、これらをボ
ールミルに入れて十分に混合し、誘電体磁器原料のスラ
リーを作成した。
した。まず、誘電体の原料粉末に有機バインダーを１５
重量％添加し、さらに水を５０重量％加え、これらをボ
ールミルに入れて十分に混合し、誘電体磁器原料のスラ
リーを作成した。
【００３２】次に、このスラリーを真空脱泡器に入れて
脱泡した後、リバースロールコーターに入れ、ポリエス
テルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成し、
この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃に加熱し
て乾燥させ、これを打ち抜いて、１０ｃｍ角、厚さ約２
０μｍのグリーンシートを得た。
脱泡した後、リバースロールコーターに入れ、ポリエス
テルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成し、
この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃に加熱し
て乾燥させ、これを打ち抜いて、１０ｃｍ角、厚さ約２
０μｍのグリーンシートを得た。
【００３３】一方、平均粒径が１．５μｍのパラジウム
粉末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカル
ビトール３．１ｇに溶解させたものとを攪拌器に入れ、
１０時間攪拌することにより内部電極用の導電性ペース
トを得た。
粉末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカル
ビトール３．１ｇに溶解させたものとを攪拌器に入れ、
１０時間攪拌することにより内部電極用の導電性ペース
トを得た。
【００３４】この後、上述した内部電極のパターンを５
０個有する各スクリーンを用いて、上記グリーンシート
の片面にこの導電性ペーストからなる内部電極のパター
ンを各々印刷し、これを乾燥させた。
０個有する各スクリーンを用いて、上記グリーンシート
の片面にこの導電性ペーストからなる内部電極のパター
ンを各々印刷し、これを乾燥させた。
【００３５】次に、上記印刷面を上にしてグリーンシー
トを複数枚積層し、さらにこの積層物の上下両面に印刷
の施されていないグリーンシートを積層した。次いで、
この積層物を約５０℃の温度で厚さ方向に約４０トンの
圧力を加えて圧着させた。この後、この積層物を格子状
に裁断し、約５０個の積層チップを得た。
トを複数枚積層し、さらにこの積層物の上下両面に印刷
の施されていないグリーンシートを積層した。次いで、
この積層物を約５０℃の温度で厚さ方向に約４０トンの
圧力を加えて圧着させた。この後、この積層物を格子状
に裁断し、約５０個の積層チップを得た。
【００３６】次に、この積層チップを雰囲気焼成可能な
炉に入れ、大気中で６００℃まで加熱して、有機バイン
ダーを焼成させ、その後、炉の雰囲気を大気中雰囲気と
し、積層体チップの加熱温度を６００℃から焼成温度の
１１５０℃（最高温度）を３時間保持した。この後、１
００℃／ｈｒの速度で６００℃まで降温し、室温まで冷
却して、焼結体チップを得た。
炉に入れ、大気中で６００℃まで加熱して、有機バイン
ダーを焼成させ、その後、炉の雰囲気を大気中雰囲気と
し、積層体チップの加熱温度を６００℃から焼成温度の
１１５０℃（最高温度）を３時間保持した。この後、１
００℃／ｈｒの速度で６００℃まで降温し、室温まで冷
却して、焼結体チップを得た。
【００３７】次いで、内部電極が露出する焼結体チップ
の側面に銀とガラスフリットとビヒクルからなる導電性
ペーストを塗布して乾燥させ、これを大気中で８００℃
の温度で１５分間焼き付け、銀電極層を形成し、さらに
この上に銅を無電解メッキで被着させ、この上に電気メ
ッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層を設けて、一対の外部電極を
形成した。これによって積層コンデンサが得られた。
の側面に銀とガラスフリットとビヒクルからなる導電性
ペーストを塗布して乾燥させ、これを大気中で８００℃
の温度で１５分間焼き付け、銀電極層を形成し、さらに
この上に銅を無電解メッキで被着させ、この上に電気メ
ッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層を設けて、一対の外部電極を
形成した。これによって積層コンデンサが得られた。
【００３８】前述の構成よりなる積層コンデンサによれ
ば、スリット２２ａの幅が徐々に異なった値に設定され
ているため、積層時における内部電極２２と誘電体層２
１との応力が分散されると共に、内部電極片２２ｂの局
部的な累積による局部的に厚くなる割合が、従来よりも
低減され、内部歪の発生が抑制されるので、内部電極片
２２ｂと内部電極片２２ｂを挟む上下の誘電体層２１と
の間の密着性、及びこれら誘電体層２１間の密着性が十
分に得られ、内部電極片２２ｂの厚さを必要十分に厚く
形成でき、クラックやデラミネーション等の構造欠陥の
発生を防止できると共に、高周波域における高いＱ値を
得ることができた。これにより、高周波域において良好
な特性を有する信頼性の高い積層コンデンサが得られ
た。
ば、スリット２２ａの幅が徐々に異なった値に設定され
ているため、積層時における内部電極２２と誘電体層２
１との応力が分散されると共に、内部電極片２２ｂの局
部的な累積による局部的に厚くなる割合が、従来よりも
低減され、内部歪の発生が抑制されるので、内部電極片
２２ｂと内部電極片２２ｂを挟む上下の誘電体層２１と
の間の密着性、及びこれら誘電体層２１間の密着性が十
分に得られ、内部電極片２２ｂの厚さを必要十分に厚く
形成でき、クラックやデラミネーション等の構造欠陥の
発生を防止できると共に、高周波域における高いＱ値を
得ることができた。これにより、高周波域において良好
な特性を有する信頼性の高い積層コンデンサが得られ
た。
【００３９】尚、本実施形態では、スリット２２ａの幅
の最小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄmax を
０．１に設定し、スリット２２ａの幅の最小値Ｄmin を
５０μｍ、最大値Ｄmax を５００μｍとしたが、これに
限定されることはない。実験結果によれば、スリット２
２ａ幅の最小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄma
x は０．１以下が好ましく、またスリット２２ａ幅の最
小値Ｄmin と最大値Ｄmax は５０μｍ以上６００μｍ以
下が好ましい。
の最小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄmax を
０．１に設定し、スリット２２ａの幅の最小値Ｄmin を
５０μｍ、最大値Ｄmax を５００μｍとしたが、これに
限定されることはない。実験結果によれば、スリット２
２ａ幅の最小値Ｄmin と最大値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄma
x は０．１以下が好ましく、またスリット２２ａ幅の最
小値Ｄmin と最大値Ｄmax は５０μｍ以上６００μｍ以
下が好ましい。
【００４０】次に、第２の実施形態を説明する。図６は
第２の実施形態の積層コンデンサを示す分解斜視図、図
７はその平断面図である。第２の実施形態と前述した第
１の実施形態との相違点は内部電極２２の形状を変えた
点にある。
第２の実施形態の積層コンデンサを示す分解斜視図、図
７はその平断面図である。第２の実施形態と前述した第
１の実施形態との相違点は内部電極２２の形状を変えた
点にある。
【００４１】即ち、第２の実施形態では、誘電体層２１
を介して上下に隣り合う一対の内部電極２２のそれぞれ
は、１つのスリット２２ａを介して隣り合う２つの内部
電極片２２ｂを有している。各内部電極片２２ｂは略台
形状になっており、それぞれの内部電極片２２ｂの上辺
が外部電極２４に接続されている。
を介して上下に隣り合う一対の内部電極２２のそれぞれ
は、１つのスリット２２ａを介して隣り合う２つの内部
電極片２２ｂを有している。各内部電極片２２ｂは略台
形状になっており、それぞれの内部電極片２２ｂの上辺
が外部電極２４に接続されている。
【００４２】また、２つの内部電極片２２ｂ間のスリッ
ト２２ａは二等辺三角形に近い台形をなし、スリット２
２ａの幅は内部電極片２２ｂの底辺位置（先端位置）に
おいて最大値Ｄmax を有し、内部電極片２２ｂの上辺位
置（基端部位置）において最小値Ｄmin を有している。
ト２２ａは二等辺三角形に近い台形をなし、スリット２
２ａの幅は内部電極片２２ｂの底辺位置（先端位置）に
おいて最大値Ｄmax を有し、内部電極片２２ｂの上辺位
置（基端部位置）において最小値Ｄmin を有している。
【００４３】一方、誘電体層２１を介して隣り合う一対
の内部電極２２において、一方の層の内部電極２２の内
部電極片２２ｂの外側辺は、他方の層の内部電極２２の
内部電極片２２ｂの外側辺と対向している。
の内部電極２２において、一方の層の内部電極２２の内
部電極片２２ｂの外側辺は、他方の層の内部電極２２の
内部電極片２２ｂの外側辺と対向している。
【００４４】本実施形態においても第１の実施形態と同
様に製造し、スリット２２ａの幅の最小値Ｄmin と最大
値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄmax を０．１に設定すると共
に、スリット２２ａの幅の最小値Ｄmin を５０μｍ、最
大値Ｄmax を５００μｍとした。
様に製造し、スリット２２ａの幅の最小値Ｄmin と最大
値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄmax を０．１に設定すると共
に、スリット２２ａの幅の最小値Ｄmin を５０μｍ、最
大値Ｄmax を５００μｍとした。
【００４５】前述の構成よりなる積層コンデンサにおい
ても、第１の実施形態と同様に、スリット２２ａの幅が
徐々に異なった値に設定されているため、積層時におけ
る内部電極２２と誘電体層２１との応力が分散されると
共に、内部電極片２２ｂの局部的な累積による局部的に
厚くなる割合が、従来よりも低減され、内部歪の発生が
抑制されるので、内部電極片２２ｂと内部電極片２２ｂ
を挟む上下の誘電体層２１との間の密着性、及びこれら
誘電体層２１間の密着性が十分に得られ、内部電極片２
２ｂの厚さを必要十分に厚く形成でき、クラックやデラ
ミネーション等の構造欠陥の発生を防止できると共に、
高周波域における高いＱ値を得ることができた。これに
より、高周波域において良好な特性を有する信頼性の高
い積層コンデンサが得られた。
ても、第１の実施形態と同様に、スリット２２ａの幅が
徐々に異なった値に設定されているため、積層時におけ
る内部電極２２と誘電体層２１との応力が分散されると
共に、内部電極片２２ｂの局部的な累積による局部的に
厚くなる割合が、従来よりも低減され、内部歪の発生が
抑制されるので、内部電極片２２ｂと内部電極片２２ｂ
を挟む上下の誘電体層２１との間の密着性、及びこれら
誘電体層２１間の密着性が十分に得られ、内部電極片２
２ｂの厚さを必要十分に厚く形成でき、クラックやデラ
ミネーション等の構造欠陥の発生を防止できると共に、
高周波域における高いＱ値を得ることができた。これに
より、高周波域において良好な特性を有する信頼性の高
い積層コンデンサが得られた。
【００４６】尚、前述した本実施形態は一例であり、こ
れに限定されることはない。例えば、図８及び図９に示
す第３の実施形態のような形状のスリット２２ａ及び内
部電極片２２ｂを形成しても、スリット２２ａ幅の最小
値Ｄmin と最大値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄmax を０．１以
下に設定すると共に、スリット２２ａ幅の最小値Ｄmin
と最大値Ｄmax を５０μｍ以上６００μｍ以下に設定す
ることにより、前述と同様の効果を得ることができた。
れに限定されることはない。例えば、図８及び図９に示
す第３の実施形態のような形状のスリット２２ａ及び内
部電極片２２ｂを形成しても、スリット２２ａ幅の最小
値Ｄmin と最大値Ｄmax の比Ｄmin ／Ｄmax を０．１以
下に設定すると共に、スリット２２ａ幅の最小値Ｄmin
と最大値Ｄmax を５０μｍ以上６００μｍ以下に設定す
ることにより、前述と同様の効果を得ることができた。
【００４７】この他、図１０及び図１１に示す第４の実
施形態、図１２及び図１３に示す第５の実施形態、図１
４及び図１５に示す第６の実施形態、図１６及び図１７
に示す参考例、図１８及び図１９に示す第７の実施形
態、さらには図２０及び図２１に示す第８の実施形態の
ような形状のスリット２２ａ及び内部電極片２２ｂを形
成しても同様の効果を得ることができた。
施形態、図１２及び図１３に示す第５の実施形態、図１
４及び図１５に示す第６の実施形態、図１６及び図１７
に示す参考例、図１８及び図１９に示す第７の実施形
態、さらには図２０及び図２１に示す第８の実施形態の
ような形状のスリット２２ａ及び内部電極片２２ｂを形
成しても同様の効果を得ることができた。
【００４８】ここで、第５及び第６の実施形態において
は、２つの内部電極片２２ｂの一端が接続されているた
め、スリット２２ａ幅の最小値Ｄmin は、内部電極片２
２ｂの基端部から距離Ｌm の位置における幅の値として
いる。
は、２つの内部電極片２２ｂの一端が接続されているた
め、スリット２２ａ幅の最小値Ｄmin は、内部電極片２
２ｂの基端部から距離Ｌm の位置における幅の値として
いる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の積層コンデ
ンサによれば、スリット幅が部分的に異なり、第１内部
電極と第２内部電極が、それぞれの内部電極片の一部の
領域のみが重なり合うように設定されているため、積層
時における内部電極層と誘電体層との応力が分散される
と共に、内部電極片の局部的な累積による局部的に厚く
なる割合が、従来よりも低減され、内部歪の発生が抑制
されるので、内部電極片と該内部電極片を挟む上下の誘
電体層間の密着性、及びこれら誘電体層間の密着性が十
分に得られ、内部電極片の厚さを必要十分に厚く形成で
き、クラックやデラミネーション等の構造欠陥の発生を
防止できると共に、高周波域における高いＱ値を得るこ
とができる。これにより、高周波域において良好な特性
を有する信頼性の高い積層コンデンサが得られる。
ンサによれば、スリット幅が部分的に異なり、第１内部
電極と第２内部電極が、それぞれの内部電極片の一部の
領域のみが重なり合うように設定されているため、積層
時における内部電極層と誘電体層との応力が分散される
と共に、内部電極片の局部的な累積による局部的に厚く
なる割合が、従来よりも低減され、内部歪の発生が抑制
されるので、内部電極片と該内部電極片を挟む上下の誘
電体層間の密着性、及びこれら誘電体層間の密着性が十
分に得られ、内部電極片の厚さを必要十分に厚く形成で
き、クラックやデラミネーション等の構造欠陥の発生を
防止できると共に、高周波域における高いＱ値を得るこ
とができる。これにより、高周波域において良好な特性
を有する信頼性の高い積層コンデンサが得られる。
【００５０】また、スリット幅の最小値が内部電極片の
厚さ以上であり、且つスリット幅の最小値Ｄmin と最大
値Ｄmax の比（Ｄmin ／Ｄmax ）が０．１以下となるよ
うにスリット幅を設定することにより、さらに高いＱ値
を得ることができると共に信頼性をさらに増大させるこ
とができる。
厚さ以上であり、且つスリット幅の最小値Ｄmin と最大
値Ｄmax の比（Ｄmin ／Ｄmax ）が０．１以下となるよ
うにスリット幅を設定することにより、さらに高いＱ値
を得ることができると共に信頼性をさらに増大させるこ
とができる。
【００５１】さらに、前記内部電極片の幅を部分的に異
なった値に設定することにより、内部電極片のインダク
タンス成分を任意に変えることができ、共振周波数を任
意に設定可能となる。
なった値に設定することにより、内部電極片のインダク
タンス成分を任意に変えることができ、共振周波数を任
意に設定可能となる。
【図１】本発明の一実施形態における第１の実施例の積
層コンデンサを示す分解斜視図
層コンデンサを示す分解斜視図
【図２】従来例の積層コンデンサを示す分解斜視図
【図３】従来例の積層コンデンサを示す平断面図
【図４】図３のＡ−Ａ線矢視方向断面図
【図５】本発明の一実施形態における第１の実施形態の
積層コンデンサを示す平断面図
積層コンデンサを示す平断面図
【図６】本発明の一実施形態における第２の実施形態の
積層コンデンサを示す分解斜視図
積層コンデンサを示す分解斜視図
【図７】本発明の一実施形態における第２の実施形態の
積層コンデンサを示す平断面図
積層コンデンサを示す平断面図
【図８】本発明の一実施形態における第３の実施形態の
積層コンデンサを示す分解斜視図
積層コンデンサを示す分解斜視図
【図９】本発明の一実施形態における第３の実施形態の
積層コンデンサを示す平断面図
積層コンデンサを示す平断面図
【図１０】本発明の一実施形態における第４の実施形態
の積層コンデンサを示す分解斜視図
の積層コンデンサを示す分解斜視図
【図１１】本発明の一実施形態における第４の実施形態
の積層コンデンサを示す平断面図
の積層コンデンサを示す平断面図
【図１２】本発明の一実施形態における第５の実施形態
の積層コンデンサを示す分解斜視図
の積層コンデンサを示す分解斜視図
【図１３】本発明の一実施形態における第５の実施形態
の積層コンデンサを示す平断面図
の積層コンデンサを示す平断面図
【図１４】本発明の一実施形態における第６の実施形態
の積層コンデンサを示す分解斜視図
の積層コンデンサを示す分解斜視図
【図１５】本発明の一実施形態における第６の実施形態
の積層コンデンサを示す平断面図
の積層コンデンサを示す平断面図
【図１６】本発明の一実施形態に係る参考例の積層コン
デンサを示す分解斜視図
デンサを示す分解斜視図
【図１７】本発明の一実施形態に係る参考例の実施例の
積層コンデンサを示す平断面図
積層コンデンサを示す平断面図
【図１８】本発明の一実施形態における第７の実施形態
の積層コンデンサを示す分解斜視図
の積層コンデンサを示す分解斜視図
【図１９】本発明の一実施形態における第７の実施形態
の積層コンデンサを示す平断面図
の積層コンデンサを示す平断面図
【図２０】本発明の一実施形態における第８の実施形態
の積層コンデンサを示す分解斜視図
の積層コンデンサを示す分解斜視図
【図２１】本発明の一実施形態における第８の実施形態
の積層コンデンサを示す平断面図
の積層コンデンサを示す平断面図
２０…積層コンデンサ、２１…誘電体層、２２…内部電
極、２２ａ…スリット、２２ｂ…内部電極片、２３…素
体、２４…外部電極。
極、２２ａ…スリット、２２ｂ…内部電極片、２３…素
体、２４…外部電極。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 実開 平２−47024（ＪＰ，Ｕ)
実開 平１−115227（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/00 - 4/40
Claims (7)
- 【請求項１】 第１内部電極層と第２内部電極層とを誘
電体層を挟んで交互に積層してなる素体と、前記第１内
部電極層に設けられた第１内部電極に接続されている第
１外部電極と前記第２内部電極層に設けられた第２内部
電極に接続されている第２外部電極とを備えてなる積層
コンデンサにおいて、 前記第１内部電極及び前記第２内部電極は、互いに対称
な形状をなすと共に、それぞれ２つ以上の内部電極片を
有し、 同一層内において隣り合う２つの内部電極片の間に、対
向する非平行な内部電極片の側辺によって形成されるス
リットを有し、 前記第１内部電極と前記第２内部電極は、それぞれの内
部電極片の一部の領域のみが重なり合うように配置され
ていることを特徴とする積層コンデンサ。 - 【請求項２】 前記スリット幅の最小値は前記内部電極
片の厚さ以上であり、且つ前記スリット幅の最小値Ｄmi
n と最大値Ｄmax の比（Ｄmin ／Ｄmax ）が０．１以下
となるように前記スリット幅が設定されていることを特
徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。 - 【請求項３】 前記内部電極片の幅が部分的に異なった
値に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の
積層コンデンサ。 - 【請求項４】 前記第１内部電極及び前記第２内部電極
のそれぞれは、２つの内部電極片を有し、 前記２つの内部電極片は線対称な形状をなしていること
を特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。 - 【請求項５】 前記第１内部電極及び前記第２内部電極
のそれぞれは、異なる形状をなす２つの内部電極片を有
していることを特徴とする請求項１に記載の積層コンデ
ンサ。 - 【請求項６】 前記第１内部電極及び前記第２内部電極
のそれぞれは、２つの内部電極片を有し、 前記２つの内部電極片の少なくとも一方が台形をなして
いることを特徴とする請求項１に記載の積層コンデン
サ。 - 【請求項７】 前記第１内部電極及び前記第２内部電極
のそれぞれは、２つの平行四辺形をなす内部電極片によ
って構成されていることを特徴とする請求項１に記載の
積層コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25201996A JP3445448B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | 積層コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25201996A JP3445448B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | 積層コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097948A JPH1097948A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3445448B2 true JP3445448B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=17231461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25201996A Expired - Fee Related JP3445448B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | 積層コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3445448B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE112006002088T5 (de) * | 2005-08-19 | 2008-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Mehrschichtkeramikkondensator |
| JP2007220917A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
| JP5162272B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2013-03-13 | 太陽誘電株式会社 | 積層コンデンサ |
| KR101018112B1 (ko) | 2008-12-24 | 2011-02-25 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| JP5035319B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2012-09-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型コンデンサ |
| US9875848B2 (en) * | 2015-12-21 | 2018-01-23 | Qualcomm Incorporated | MIM capacitor and method of making the same |
-
1996
- 1996-09-24 JP JP25201996A patent/JP3445448B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1097948A (ja) | 1998-04-14 |
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