TWI295550B - Structure of circuit board and method for fabricating the same - Google Patents

Description

1295550 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 >、, 本發明係有關於一種電路板結構及其製作方法，更洋 而言之，係有關於一種無芯層（core)之電路板結構及” 製法。 【先前技術】 隨著半導體封裝技術的演進’半導體裝置 _ (Semiconductor device)已開發出不同的封瓜型悲傳”、充半

•導體裝置主要係在一封裝基板(Package substrate)或導線 架上先裝置一例如積體電路之半導體元件，再將半導體元 件電性連接在該封裝基板或導線架上’接著以膠體進行封 裝。其中球柵陣列式（Ball grid array，BGA)，例如PBGA、 EBGA、FCBGA等，為一種先進的半導體封裝技術，其特 點在於採用一封裝基板來安置半導體元件，並利用自動對 位（Self-alignment)技術以於該封裝基板背面植置多數個成 馨柵狀陣列排列之錫球（Solder ball)，使相同單位面積之半導 : 體元件承載件上可以容納更多輸入/輸出連接端（I/O :connection)以符合高度集積化（Integration)之半導體晶片 所需，以藉由此些錫球將整個封裝單元焊結並電性連接至 外部裝置。 另為因應微處理器、晶片組、繪圖晶片等高效能晶片 之運算需要，佈有導線之電路板亦需提昇其傳遞晶片訊 號、改善頻寬、控制阻抗等功能，來成就高I/O數封裝件 的發展。然而，為符合半導體封裝件輕薄短小、多功能、 5 18476 1295550 高速度及高頻化的開發方向，半導體晶片封裝用之電路板 已朝向細線路及小孔徑發展。現有電路板製程從傳統1〇〇 微米之線路尺寸··包括導線寬度（Line width)、線路間距 (Space)及深寬比（Aspect rati〇)等，縮減至3〇微米，並持續 朝向更小的線路精度進行研發。 為提高半導體晶片封裝用之電路板之佈線精密度，業 界遂發展出一種增層技術（Build-up)，亦即在一核心電路板 (Core circuit board)表面利用線路增層技術交互堆疊多層 介電層及線路層，並於該介電層中開設導電盲孔 (Conductive via)以供上下層線路之間電性連接，其中，該 線路增層製程係影響電路板線路密度的關鍵。” ^ • 月《閱第1A至1Η圖，係為習知增層電路板之製法。 一例如樹脂壓合銅箔（Resin

雙面之内層線路層 104的核心電路板10結構。 •首先’如第1Α圖所彔，裎徂一加_防、… " 18476 6 1295550 本品之^如第1F圖所示，復可於該核心電路板10上下 ^ 7線路層104上形成—介電層12,利用雷射鑽孔 作：:Γ:，12上形成複數開孔120， : ”又、、、路衣耘以連通該核心電路板10之内層線 曰104之用。接著，如第1G圖所示，於該介電層。及 開孔120表面以盔雷紘雷 省“ …、电鮮冤鍍銅方式形成一導電層13,在該 =電層3上化加一圖案化阻層14後進行電鑛，以於該導 =3表面形成線路層15。之後，如第m圖所示，去除 5感案化阻層14並進純刻，以移除先前覆蓋㈣案化阻 ^下之導電層13。如此，運用該等流程重複形成介電 層及增層㈣層’即製成—具有多層線路層之電路板。 隹上述之具夕層線路電路板製程中，係採用表面包 覆有金屬薄層之絕緣層結構作爲芯層U㈣），並於該芯 層上進仃線路製程以形成—核心電路板，之後復可於該核 心電路板上崎㈣增層製程，心形成所需電性設計之 夕Θ電路i目而使得最終形成的多層電路板厚度不易有 效降低，不利於半導體封裝結構微型化之發展趨勢。若將 該芯層之厚度降低到超薄，例如降低至一m以下，多層 電路板之生産性將面臨苛㈣戰，且使得電路板之製程良 率大幅降低。 此外，核心電路板於製程中多了塞孔及刷磨製程，會 提高電路板製造成本。尤其重要較，核心、電路板中形^ 有多數電鍍導通孔(PTH)，而-般電鑛導通孔(PTH)之孔徑 係約在100#m以上，且係藉由金屬層之蝕刻方式形成，二 18476 1295550

相對地，導電盲孔之孔徑約在W :方式形成，因此，比較而言該電錢導通孔== 於細線路結構之形成。 衣作較不利 再者’上述之多層電路板製程中 路板，接著再於該核心電路板上开^人而先衣備一核心電 食匕—成m 包路板上形成介電層及線路層，方 月匕70成，因而使得製程步驟 程成本亦會相應的增加。衣^間增加’同時製 □此如何提供一種電路板結構及 除知技術巾電路板厚度增力 Μ避免習 一成時間及製程成:::::失製=、製 業界亟待克服之難題。 、已成爲目前 【發明内容】 馨於上述習知技狀缺失，本發明之 提供一種電路板結構及其製法，藉 ^在於 符合微型化之發展趨勢。 电路板厗度，以 制去本ί月^目的係在於提供一種電路板結構及苴 衣法，猎以提升電路板線路佈線密度。 ，、 本發明之再—目的係在於提供 法，藉以簡化製程，提升制^ t 板、、、。構及其製 成本。 ""升衣私良率、縮短製程時間及製程 為達上述及其他目的’本發明即揭露 之i法，係包括：提供一承载件，係為 =構 之絕緣板;於該承載件上形成-絕緣保護層二 層 保護層形成有複數個開孔以顯露該金屬層;於該絕= 18476 8 1295550 = 線路結構’使該線路結構電性連接 葡層，以及於該絕緣保護層及線路結構上 每，且該介電層上形成有複數個開孔，俾以:” “ 路結構。其中，該線路結構係包括有形成於2部f之線 面之圖案化線路層，及該絕緣保護層開孔内：導：表 此:卜’可因應電性設計之需求，而於該妹構 、、哭進仃線路增層，復於該介電層上、、。構上持 構，且該線路增層結構中形成有複數個導:路增層結 接至該線路結構，俾以形成多層線路結^目孔以電性連 板，=::=法復包括移除承載件中之絕緣 ，屬層:並該絕緣保護層之開孔。== 路表面以形成微凹結構。或該金屬層經圖化制 、, 一凸出在紹絡位*"兹士 案化^ #主以形成 槿一叮層表面的凸塊’以作為電性連接的姓 冓，设可於该凸塊表面形成一接著層， 面產生氧化現象。 万止邊凸塊的表 本發明之另一製法，传句括·挺 今屬姑袓·认―7 糸0括·棱供—承載件，係為一 至屬材枓，於该承載件上形成一絕緣保護層，且 ==複，以顯露該金屬層;於該絕二 線路結構;以及於該絕緣保護層及線 :、、:：=層’且該介電層上形成有複數個開 ^俾以如之線路結構。其中，該線路結構係包括 有形成於絕緣保護層表面之圖案化線路 層開孔内之導電結構。 及板緣保被 18476 9 1295550 依上述之衣法’復於该介電層上形成一線路增層結 構，且該線路增層結構巾形成有複數個㈣f孔以電性連 接至該線路結構，且在該線路增層結構表面形成另一絕緣 保護層，且該絕緣保護層表面具有複數個開孔，俾以顯露 該線路增層結構之連接墊。 最後復可移除该承載件，使該形成於該絕緣保護層開 孔中之導電結構表面顯露出來。 、纟《明之又-貫施製法，係包括··提供—承載件，係 金屬材料；於該承載件上形成一絕緣保護層，且於該 絕緣保護層形成有複數開孔以顯露該承載件；於該絕緣保 護層之開孔内形成導電結構；於該絕緣保護層表面及導電 .結構頂面形成一圖案化線路層，使該圖案化線路層並與導 .電結構電性連接；以及於該絕緣保護層及圖案化線路層上 形成一介電層，且該介電層上形成有開孔，俾以顯露^分 之圖案化線路層。 > 依上述之製法，復於該介電層上形成一線路增層結 構，且該線路增層結構中形成有複數個導電盲孔以電性連 接至該圖案化線路層，且在該線路增層結構表面形成另一 絕緣保護層，且該絕緣保護層表面具有複數個開孔，俾以 顯露該線路增層結構之連接墊。 之後移除該承載件，使該形成於該絕緣保護層之開孔 中且與該圖案化線路層接觸之導電結構表面顯露出來。 本發明亦揭露一種電路板結構，其係包括··一絕緣保 護層，係具有複數個開孔，且該些開孔係形成有導電結構； 10 18476 1295550 圖案化線路層’係經圖案化製程而形成於絕緣保護層表 =以：：電層’係形成於該絕緣保護層及圖案化：路層 化'線路層?介電層形成有複數個開孔以外露出部分之圖案 本發明亦揭露另—種電路板結構，其一 ::層’::有複數個開孔;-導電結構* 嘆以面 線路層，係關案化製程形成於該絕緣保 ，接及層之㈣中之導電結構電性連 層表面，_^人= 絕緣㈣層案化線路 ς:面从丨電層形成有開孔以外露出部分之圖案化線 相較於白知技術，本發明之電路板結構及盆梦法，主 牛上形成具複數個開孔之絕緣保護層，而於 有：二有導電結構，且令該絕緣保護層表面形成 = =;:妾著於該絕緣保護層及該圖案一 該部分之圖案該形成複數個開孔以顯露 件，俾可形成一無芯層；攻後可移除該承载 電路板厚度降低，且有利於封壯^路板結構，從而得以 能之提昇，進而符合電子^衣成品尺寸之縮小及電性功 避多羽4姑電子產a〇微型化之發展趨勢，從而可 引增層以形_^^ 此外，本發尺寸錢料料失。 电路扳結構係無需採用電鍍導通孔 18476 11 1295550 (PTH)來提供層間線路作電性連接，而僅藉由形成於介電 層中之導電結構實現電路板層間線路之電性連接，因而增 加了電路板表面佈線密度，俾可避免f知技術中為閃避^ 鍍導通孔位置而降低電路板表面佈線密度之缺失。 再者，本發明之電路板結構中，復可於該圖案化線路 :上直接進行線路增層製程以形成一線路增層結構，俾使 该線路增層結構透過形成於該介電層中之導電盲孔即可電 性連接至該圖案化線路層，以快速形成多層電路板結構。 【實施方式】 以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方 式，热悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之内容輕易地 .瞭解本發明之其他優點及功效。本發明亦可藉由其他不同 .7具體實施例加以施行或應用’本說明書中的各項細節亦 可基於不同的觀點與應用，在不悖離本發明之精神下進行 各種修飾與變更。 請參閱第2A圖至2H圖係為詳細説明本發明之電路板 結構之製法第一實施例之剖面示意圖。 如第2A圖所示，首先提供一承載件2〇，其係為一表 面具有金屬層201之絕緣板202,其中該絕緣板2〇2可為 有機材料所製成，又該金屬層201最佳係如銅，但非以此 為限。 — 如第2B圖所示，接著於該承載件20之金屬層2〇1上 形成有一例如感光性介電材或防焊層之絕緣保護層22，且 於該絕緣保護層22形成有複數開孔220以顯露部分之該金 18476 12 1295550 屬層201。 如第2C圖所示，於該絕緣保護層22表面及其開孔22〇 中，藉由金屬層201作為電鍍之電流導通路徑，而於該絕 緣保護層22表面及其開孔220中經電鍍形成一金屬層 23 ’而該金屬層23最佳係如銅材料，但不以此為限。其中， 於該絕緣保護層22表面形成一金屬層23前，須先形成一 導電金屬層（圖未示）於絕緣保護層22及開孔22〇表面，藉 由該導電金屬層作為電流導通路徑以電鍍出金屬層23。 # 如第2D圖所示，之後該金屬層23經圖案化製程而形 成一線路結構24。而本案所舉圖案化製程係如習知之曝 光、顯影及蝕刻等慣用的技術；或該線路結構24亦可藉由 一圖案化阻層（圖未示）形成於絕緣保護層22表面，再藉由 導電金屬層以電鍍方式形成，於此不再贅述。其中，該線 路結構24係包括有形成於絕緣保護層22表面之圖案化線 路層240，及該絕緣保護層開孔220内之導電結構241。 φ 如第2E圖所示，再於該絕緣保護層22及線路結構24 上形成一介電層25，且該介電層25上形成有複數個開孔 :250，俾以顯露部分之圖案化線路層240。而該介電層25 可例如有機薄膜介電材或液態有機樹脂材料所組群組之其 中一者；上述材質係可選自ABF(Ajinomoto Build-up

Film )、BCB(Benzocyclo-buthene)、LCP(Liquid Crystal

Polymer)、Pl(Poly-imide)、PPE(Poly(phenylene ether))、 PTFE(Poly(tetra-fluoroethylene))、FR4、FR5、 BT(Bismaleimide Triazine)、芳香尼龍（Aramide)等感光或 13 18476 1295550 非感光有機樹脂，或亦可混合環氧樹脂與玻璃纖維等材質 所構成。如此即可構成一基本的電路板結構，而可提供後 續不同的組裝使用需求。 如第2F圖所示，復於該介電層25上形成一線路增層 結構26,該線路增層結構26包括有介電層261、疊置 ;丨電層261上之線路層262，以及形成於該介電層261中 之導電盲孔263，且該導電盲孔263電性連接至該圖案化 線路層240,又於該線路增層結構26表面形成另一絕緣保 護層27,且該絕緣保護層27表面具有複數個開孔俾 以顯露該線路增層結構26作為連接墊264之部分，而該連 接墊264可供用以接置係如導電凸塊或金屬線等之導電元 •件（圖式中未表示），該等導電元件係可供電性連接至接置 •於該電路板表面之半導體元件（圖式中未表示 如第2G圖所示，最後再移除該承載件2〇，使位於該 絕緣保護層22之開孔220中的導電結構241得以顯露、出^ •來。而移除該承載件20之方式係以物理或 :該絕緣板2〇2,之後再以化學_的方式移除該^屬^除 :201，並將形成於該絕緣保護層22之開孔220中且與該金 屬層201接觸之導電結構241進行㈣，以形成一向 微凹結構241，。 —請參閱第2G，圖，係為本發明之另一移除承载件加之 實施態樣，係先移除該承載件20中之絕緣板2〇2 露出來之金屬層2〇1經圖案化製程以形成於導電結構⑷ 表面而凸出在絕緣保護層22表面的凸塊2〇1,。 18476 14 1295550 請參閱第2H圖，復於該凸塊2〇1，的表面形成一接著 層2 8而°亥接著層2 8係為錫、錯、鎳、把、銀或金等元 素或其合金，或為錫/錯、鎳/金、錄/1巴/金之多層金屬，戋 為有機保焊劑（OSP)，而可依使用的需要使用不同的材質。 透過上述之製法，本發明提供一種電路板結構，其係 包括：一絕緣保護層22，係具有複數個開孔22〇，且該些 開孔係形成有導電結構241;圖案化線路層24〇，係經圖案 化製程而形成於絕緣保護層22表面；以及介電層25，係 ❿形成於該絕緣保護層22及圖案化線路層24〇表面，且該介 電層25形成有複數個開孔25〇以外露出部分之圖案化線路 層240。其中’復可對導電結構241進行蝕刻，以形成— .向内之微凹結構241’；或可經圖案化製程以形成於導電社 _構241表面且凸出在絕緣保護層22表面的凸塊2〇1，。。 請參閱第3A至第3F圖所示，係為本發明之電路板社 m第二實_之剖面示意圖。於本發明之第二實施 籲例與前—實施之不同處在於該承載件係為一金屬板。、 :如帛3A圖所示，首先提供—承載件3G，並於該承載 :牛〇至少一表面形成一絕緣保護層3卜且該絕緣 3二中形成有多數開孔310以外露出該承載件3〇,其中，兮 承載件30係為一金屬材料。 ^ 如弟3B圖所示，於該絕緣保護層31之開孔3 絶緣保護層31纟面分別形成有線路結構32，其中 結構係包括有導電結構321與圖案化線路層切，又气 電結構切與圖案化線路層322較佳係為金屬銅層。： 18476 15 1295550 成a亥%結構3 21與圖案化線路層3 2 2之製程技術，可依 弟一 κ知例所述以習知之曝光、顯影及钱刻之圖案化製程 或電鍍方式完成。其中，於該絕緣保護層31表面形成導電 結構321與圖案化線路層322前，須先形成一導電金屬層 (圖未示）於絕緣保護層31及開孔31〇表面，藉由該導電金 屬層作為電流導通路徑以於設置於絕緣保護層31表面之 圖案化阻層内（圖未示）電鍍出導電結構321與8圖案化線路 層322’·亦可於絕緣保護層31表面電鍍一金屬層，再藉由 曝光、顯影及蝕刻之圖案化製程以形成圖案化線路層322 與導電結構321。 如第3C圖所示，於該絕緣保護層31及該圖案化線路 層322上形成—介電層33，再於該介電層33形成多數開 孔330以露出其下部分之線路結構32。 如第3D圖所示，接著於該介電層33上形成一線路增 f結構34’該線路增層結構34包括有至少一介電層、 ^於該介電層341上之線路層342，以及形成於^介電 :中之複數個導電盲孔343’且該些導電盲孔⑷電 L = i該圖案化線路層322,又於該線路增層結構34表 面^成另-絕緣保護層35 ’且該絕緣保護層^表面具有 稷婁個開孔350，俾以顯露該線路增層結 ==344可供用以成形係如導電凸塊等連之接導墊電 構。（圖式中未表示），藉以完成-具多層線路之電路板結 如第3E圖所示 最後再移除該承载件3G，使位於該 18476 16 1295550 2緣保護層31之開孔310中的導電結構321得以顯露出 來而忒承載件3 〇之移除方式如前所述，並使該導電結構 321之端面與絕緣保護層31表面齊平。或可將該導電^構 321表面進行蝕刻，以形成一向内之微凹結構（圖式中未表 示）亦或可經圖案化製程以形成於導電結構丨表面且凸 出在％緣保護層31表面的凸塊（圖式中未表示）。 如第3F圖所示，而該導電結構321之端面得形成一 接著層36，而該接著層36所使用之材料則如同前述，於 >此不再贅述。 睛簽閲第4A圖至4F圖，係詳細顯示本發 結構之製法第三實施例之剖面示意圖。 月之電路板 如第4A圖所示，首先提供一係為金屬材料之承載件 4〇,並於該承載件40上形成一絕緣保護層4卜且於嗜絕 緣保護層开> 成有複數開孔41〇以顯露該承载件^再 於該絕緣保護層41之開孔410内形成導電結構42。 如f 4B圖所示，接著於該導電結構心該絕緣 層W表面分別形成有圖案化線路層43，例如圖案化銅層， 且令部分該®案化線路層43電性連接至該導電处構心 其中，於該絕緣保護層41及導電結構42表面形賴案化 線路層43前，須先形成-導電金屬層（圖式中| ㈣ :保護層41及導電結構42表面’以藉由該導電金屬層作 為電流導通路徑，並藉由一圖案化阻層（圖式中未表 成於絕緣保護層41表面’而以圖案化製程電 線 路層43 ;該圖案化線路層43可於絕緣保護層及導電結^ 18476 17 1295550 表面電鑛一金屬層，再藉由曝光、顯影及蝕刻之圖案化製 程形成。 如第4C圖所示，於該圖案化線路層43及絕緣保護層 41表面形成一介電層44，再藉由圖案化製程使該介電層 44形成多數開孔44〇以露出其下部分之圖案化線路層a。 士如第4D圖所示，於介電層44表面上形成一線路增層 、口構45，並令该線路增層結構45電性連接至該圖案化線 f層43,而該線路增層結構45係包括：至少一介電層451、 .疊置於該介電層451上之線路層452以及穿過該介電層 育“=仏該線路層452電性連接至該線路層452之複數個 導電目、孔453。而在該線路增層結構45外表面之線路層上 =成有多數連接墊454’而該連接墊454係供用以成形 μΙΓ圖式中未表示），又於該線路增層結構45之外 G =成另一絕緣保護層46,該絕緣保護層46係 另1二=孔460以外露出該外層線路層之連接墊…， 丨另了於路出之連接墊454表 或焊錫材料之接著層(未圖示)。Μ —例如鎳/金層、⑽ 底芦二^圖所示，之後即可移除該承載件，使位於 底層之絕緣保護層41及導 使位於 露出該絕緣保護層41之導電:構42:=出^並於外 處理，如形成焊錫材料或鎳/金 ^面Μ進行表面 路之電路板結構。 错以完成一具多層線 透過本發明之電路板結構之 電路板結構主要係包括 ^广例製法所得之 袭保護層41，係具有複數個開 18 18476 1295550 孔410 ;導電結構42，係形成於該些開孔41〇内，於兮曾 電結構42外露之端面上形成如形成焊錫材料或鎳/金厣之 接著層；圖案化線路層43,係經圖案化製程而成為：:,吉 構並形成於絕緣保護層41表面，且與該絕緣保護層4ι之 開孔410中之導電結構42電性連接；以及介電層= :形成於該絕緣保護層41及金屬層表面，且該介;層44^ '成有開孔440以外露出部分之圖案化線路層43。 ^ 又於該介電層44表面上形成一線路增層結構45，並 令該線路增層結構45電性連接至該圖案化線路層， 该線路增層結構45係包括至少一介電層45卜疊置於嗲人 電層451上之線路層452以及穿過該介電層451以供 .路層452電性連接至該圖案化線路層43之複數個導電= .453’並於該線路增層結構45外表面之線路層上=夕 數供用以成形導電元件之連接塾454;又於該線路增芦二 構45之外層線路層上形成另一絕緣保護層46, “：： ❿濩層46係具有錢開孔偏以外露出該外層線路層之連接 墊454’而該連接塾454可供用以成形係如 :導電元件(圖式中未表示），萨以—纟…：凸塊專之 板結構。猎兀成一具多層線路之電路 、因此，本發明之電路板結構及其製法，主要係於一 載件上㈣具多數開孔之絕緣保護層及— 形成之線路結構，且該線路結構具有形成於該絕緣;^ 之開孔中的導電結構；接著於該絕緣保護層及屬^ 面形成一介電層；以及於該介電層上形成一線路增;^表 18476 19 1295550 鼻且道線路增層結構透過形成於該 孔電性連接至該經圖案化製程曰:之*電目 該承載件，藉以形成-plH線紅構，之後復可移除 α 風無心層（core)之電路板，俾可估 電路板厚度降低，且有利 σ 提高’進而符合電子產品微型縮:= =:於芯層板上進行線路增層以形成電路板所= 衣產°σ;度增加，封裝成品尺寸無法縮小等缺失。 此外，本發明之電路板結構係無需 (ΡΤΗ)來提供層間線路作 /料通孔 層中之h結構實現電路板相線路之電性連接，因而辦 := 反表面佈線密度，俾可避免習知技術中為閃避； ^立置而降低電路板表面佈線密度之缺失。 i上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功 效’而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可 在不違背本發明之㈣及範訂，對±述實施例進行修 =因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範 圍所列。 【圖式簡單説明】 弟1A至1H圖係為習知增層電路板之製法剖面示意 圖； 第2A至2H圖係為本發明之電路板結構之製法第一實 施例之剖面示意圖； 、 、 第2G，圖係為本發明之電路板結構之製法第一實施例 中移除承載件的另一實施剖面示意圖； 18476 20 1295550 第3A至3F圖係為本發明之電路板結構之製法第二實 施例之剖面示意圖；以及 第4A至4E圖係為本發明之電路板結構之製法第三實 施例之剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 100 絕緣層 102 貫穿孔 102a 電鑛導通孔 103、201、23 金屬層 104 内層線路層 10 核心電路板 11 基孔材料 12、25、261、33、341、44、451 介電層 120 開孔 13 導電層 14 圖案化阻層 15、262、342、 452線路層 20、30、40 承載件 201， 凸塊 202 絕緣板 22、27、3卜 35 、41、46 絕緣保護層 220、250、270 開孔 24、32 線路結構 240、322、43 圖案化線路層 21 18476 1295550 241、321、42 導電結構 241’ 微凹結構 26、34、45 線路增層結構 263、 343、453 導電盲孔 264、 344、454 連接墊 28、36 接著層 310、330、350 開孔 41〇、440、460 開孔 22 18476

Claims (1)

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、申請專利範圍： -種電路板結構之製法，係包括 提供一承载件； 於該絕緣保護層表面及開孔中形成—線路結構；以 承載件上形成一絕緣保護層，且於 層形成有複數開孔簡露該承載件；〜絕緣保護 士七 Ln κ/τ __ 及 於該絕緣保護層及線路結構上形成一介雷 介電層上形成有開孔，俾以顯露部分f 2. 如申請專利範圍第！項之電路板結構之製法1中， 忒承載件係為一金屬材料。 3. 如申請專利範圍帛1項之電路板結構之製法，其中， 該承载件可於未形成有絕緣保護層之一表面上貼設有 一絕緣板。 4·如申凊專利範圍第丨，2或3項之電路板結構之製法， 其中’該線路結構係包括有形成於絕緣保護層表面之 圖案化線路層，及該絕緣保護層開孔内之導電結構。 5·如申請專利範圍第4項之電路板結構之製法，復包括， 於該絕緣保護層及開孔表面形成該圖案化線路層及導 電結構前，係先形成一導電金屬層，藉由該導電金屬 層作為電流導通路徑以形成該圖案化線路層及導電姑 構。 6·如申請專利範圍第5項之電路板結構之製法，復包括’ 藉由該導電金屬層作為電流導通路徑以於設置於絕緣 23 18476 1295550 保護層表面 線路層。 之圖案化阻層内電鍍出導電結構與圖案化 專利範圍第5項之電路板結構之製法，復包括 二：緣保護層表面電鍍一金屬層，再藉由曝光、顯 刻之圖案化製程以形成圖案化線路層與導電結 8. a $月專利範圍第12或3項之電路板結構之製法， 括於该介電層上形成'線路增層結構，且該線路 2 _結構中形成有複數個導電盲孔以電性連接至該圖 案化線路層。 9. ^請專利範圍第1>2或3項之電路板結構之製法， 设包括於該線路增層結構表面形成另一絕緣保護層， 且該絕緣保護層表面具有複數個開孔，俾以顯露該線 路增層結構之連接墊。 1〇·如申明專利範圍第L 2或3項之電路板結構之製法， /、中該線路增層結構包括有介電層、疊置於該介電 層上之線路層，以及形成於該介電層中之導電盲孔。 11·如申請專利範圍第1>2或3項之電路板結構之製法， 其中，移除承載件後復可於該導電結構表面進行蝕 刻’以形成一向内之微凹結構。 12·如申请專利範圍第丨，2或3項之電路板結構之製法， =中，移除承載件後復可於該導電結構表面經圖案化 製程形成凸出在絕緣保護層表面的凸塊。 13·如申請專利範圍第12項之電路板結構之製法，復包括 18476 24 I295550 於4凸塊表面形成有一接著層。 •如申請專利範圍心項之電路板結 該接著層係為錫、鉛、錦、鈀、…：去’其中 一者。 0鏢鈀銀及金所組群組其中 15. ▲如申請專·圍第13項之電路板結構之製法 層係為錫/鉛、鎳/金、鎳/鈀/金之多層金屬其 16. =料·圍第13項之電路板結構之製法， 忒接者層係為有機保焊劑（〇sp)。 、中， ^ 一種電路板結構之製法，係包括·· 提供一承载件； 於该承载件上形成一絕緣保護層，且於該 層形成有複數開孔以顯露該承載件； 緣保護 於該絕緣保護層之開孔内形成導電結構； 化線護層表面及導電結構頂面形成-圖宰 接線=使该圖案化線路層並與該導電結構電性連 於該絕緣保護層及圖案化線路層上形成— 曰且電層上形成有開孔，俾以顯 日 化線路層。 1刀 <圖案 18. 如申請專利範圍第π 該承載件係為-金屬材料。m法，其中， 19. 如中料絲圍第17項之轉板結叙製 於該絕緣保護層及導雷处媸主 设匕括 旻，及W結構表面形成圖案化線路層 18476 25 1295550 前’須先形成一導電金屬層於絕緣保護層及導電梦構 表面。 20·如申請專利範圍第17, 18或μ項之電路板結構之窜 法，復包括，可於絕緣保護層及導電結構表面電鍍一 金屬層’再藉由曝光、顯影及姓刻之圖案化製程带 圖案化線路層。 V 21·如申請專利範圍第18項之電路板結構之製法，復包 括，利用一圖案化阻層形成於絕緣保護層表面，再葬 ’由導電金屬層以電鍍方式形成圖案化線路層。 22·如申請專利範圍第17，18或19項之電路板結構之製 法，復包括於該介電層上形成一線路增層結構，且^ 線路增層結構中形成有複數個導電盲孔以電 = 該圖案化線路層。 連接至 23.如申請專利範圍第22項之電路板結構之製法，復包 於該線路增層結構表面形成另一絕緣保護層，且W 丨：:=具有複數個開孔，顯露該綠路增: 24·=請專利範圍第22項之電路板結構之製法，宜卜 忒線路增層結構包括有介電、 狳政恳《 且置於该介電層上之 二層，以及形成於該介電層中之導電盲孔。 .申凊專利範圍第Π項之電路板結槿 ^ 移除亨I 〇 衣法，復包括 ^°亥承載件，使該形成於該絕緣保護層之開孔中且 共该圖案化線路層接觸之導電纟 26.-種電路板結構，係包括Λ。構表面顯露出來。 18476 26 1295550 一絕緣保護層，係具有複數個開孔，且該些開孔中 係形成有導電結構； 一圖案化線路層，係經圖案化製程而形成於該絕緣 保護層表面，且與該絕緣保護層之開孔中之導電結構 電性連接；以及 一介電層，係形成於該絕緣保護層上及圖案化線路 層表面，且該介電層形成有複數開孔以外露出部分之 圖案化線路層。 27·如申請專利範圍第26項之電路板結構，復包括一線路 增層結構係形成於該介電層上，而該線路增層結構中 开乂成有複數個導電盲孔以電性連接至該圖案化線路 層0 28·如申請專利範圍第27項之電路板結構，復包括另—絕 緣保護層係形成於該線路增層結構表面，且該絕緣保^ 濩層表面具有複數個開孔，俾以顯露該鍊路增層結^ 之連接墊。 ^ 29. 如申請專利範圍第27項之電路板結構，其中，該 增層結構包括有介電層、疊置於該介電層上之線"路路 層’以及形成於該介電層中之導電盲孔。 30. 如申請專利範圍第26項之電路板結構，其中， 保護層之開孔中之導電結構外露之表面係為凹絕: 構。 ^ 俽凹結 该絕緣 凸出在 31·如申請專利範圍第26項之電路板結構，其中 保護層之開孔中之導電結構外露之表面形成- 18476 27 1295550 絕緣保護層表面的凸塊。 32·如申請專利範圍第31項之電路板結構，復包括於該凸 塊表面形成有一接著層。 33·如申請專利範圍第32項之電路板結構，其中，該接著 層係為錫、錯、鎳、鈀、銀及金所組群組其中一者。 34·如申請專利範圍第32項之電路板結構，其中，該接著 層係為錫/鉛、鎳/金、鎳/鈀/金之多層金屬其中一者。 鲁35·如申請專利範圍第32項之電路板結構，其中，該接著 層係為有機保焊劑（〇sp)。 36· 一種電路板結構，係包括·· 一絕緣保護層，係具有複數個開孔； 一導電結構，係形成於該開孔内； - ^ 一圖案化線路層，係經圖案化製程形成於該絕緣保 蒦層表面，且與该絕緣保護層之開孔中之導電結構電 性連接；以及 介電層，係形成於該絕緣保護層及圖銮化綠牧s

38.如申請專利範圍第37 37項之電路板結構 奪’復包括另一絕 面，且該絕緣保 緣保護層係形成於該線路增層結構表 18476 28 1295550 濩層表面具有複數個開 之連接墊。 以顯路该線路增層結構 39·如申請專利範圍第3 增層結構包括有介電層電置路構，其中，該線路 4/，r及形成於該介電層;層上之線路 .如申睛專利範圍帛36項之電路板結 結構表面係形成有-接著層。、、°、、中，該導電 仏^申請專利範圍第4G項之電路板結構， 層係為錫、麪、磕知 ，、肀该接者 42. 如申过裒二、、、，，、銀及金所組群組其中—者。 申叫專利乾圍第40項之電路板結構，其中，該 43. :二if、錄/金、錄/麵/金之多層金屬其中-者。 :專利範圍第40項之電路板結構，其中，該接著 €係為有機保焊劑（OSP)。 18476 29