TWI289932B - Method of transferring a laminate and method of manufacturing a semiconductor device - Google Patents

Description

1289932 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於轉移疊層的方法。此外，本發明亦關於 具有由半導體元件’典型地說是由薄膜電晶體構成的電路 的半導體裝置的製造方法，其中，包含半導體元件的待要 剝離的物體被轉移到基底。例如，本發明乃關於典型爲液 晶模組的電光裝置、典型爲EL模組的發光裝置、或安裝 這種裝置作爲其構件的電子裝置。 【先前技術】 近年來，注意力已經被集中在利用形成在具有絕緣表 面的基底上的半導體層（厚度約爲幾nm到幾百nm)來 製作薄膜電晶體的技術上。薄膜電晶體被廣泛地應用於諸 如積體電路和電光裝置之類的電子裝置中，特別是已經加 速了薄膜電晶體作爲影像顯示裝置的開關元件的開發。 已經預想了利用這種影像顯示裝置的許多不同的應用 ，特別是在攜帶型裝置中的應用已經登上了中心舞臺。期 望有重量輕、耐衝擊、並能夠承受一定形變的裝置。玻璃 和石英目前常常被用於薄膜電晶體基底，而這些基底的缺 點是重且易破裂。而且，難以製作大尺寸的玻璃和石英基 底，因此，從大批量生産的觀點看，玻璃和石英不適合於 作爲薄膜電晶體的基底。因而已經嘗試在重量輕和耐用的 塑膠基底上，典型爲諸如塑膠膜之類的具有柔性的基底上 製作薄膜電晶體。 -5· 1289932 (2) 但目前的情況是塑膠的抗熱性差，因而製作薄膜電晶 體的最高處理溫度必須低。結果，無法製作電特性與製作 在諸如玻璃基底和石英基底之類的抗熱性比較高的基底上 的薄膜電晶體一樣好的薄膜電晶體。 另一方面，已經提出了用來從基底剝離藉由分離層存 在於基底上的待要剝離的物體的剝離方法。例如， JP 10-125929 A (第 4-10 頁）和 JP 10-125931 A (第 6-10 頁）討論的技術就是這種方法，其中，形成了由非晶矽（ 或結晶矽）組成的分離層，並藉由將雷射經由基底從而放 出包含在非晶矽中的氫而在非晶矽（或結晶矽）中發展出 空氣隙。然後從待要剝離的物體剝離基底。 此外，在 JP 2002-217391 A (第 3-6 頁，圖 9)中， 揭示相似於J P 1 0 - 1 2 5 9 2 9 A和J P 1 0 - 1 2 5 9 3 1 A的技術， 即：形成由非晶矽（或結晶矽）組成的分離層；利用可溶 於水的暫時黏合層，在待要剝離的物體（在該專利中稱爲 待要剝離的層’典型指的是薄膜電晶體）的表面上形成第 二基底（暫時轉移構件）；藉由基底將雷射照射到分離中 間層絕緣膜；從待要剝離的物體剝離第一基底（玻璃基底 )’從而將待要剝離的物體轉移到第三基底（膜）上；將 第三基底浸入水中，溶解可溶於水的暫時黏合層；以及從 第二基底剝離待要剝離的物體，從而暴露待要剝離的物體 的表面。 但利用JP 1 0- 1 25 929 A和JP 1 0- 1 25 93 1 A所揭示的 方法’採用透光性良好的基底是重要的，因此，存在著能 -6- 1289932 (3) 夠被使用的基底受到限制的問題。而且，爲了提供足以經 由基底並引起包含在非晶矽中的氫放出的能量，必須有比 較大功率的雷射輻照，因此，存在著雷射可能損傷待要剝 離的物體的問題。 而且，若在元件製造技術中執行高溫熱處理，則當用 上述方法在分離層上製造元件時，包含在分離層中的氫發 生擴散並被減少，從而存在著即使雷射被輻照到分離層也 無法充分進行剝離的問題。 此外，轉移構件被用固化黏合劑固定到待要剝離的物 體的表面，因此，當從待要剝離的物體剝離基底時，待要 剝離的物體的表面，例如薄膜電晶體的表面，具體地說是 接線或圖素電極，不被暴露，因此，在剝離掉基底之後， 難以估計待要剝離的物體的特性。對於用具有這種結構的 待要剝離的物體製造液晶顯示裝置或發光裝置的情況，此 結構成爲其中多個基底彼此鍵合的結構，且液晶顯示裝置 或發光裝置的厚度變得更大，因而存在著當使用液晶顯示 裝置或發光裝置時無法將電子裝置做得更小的問題。而且 存在著來自液晶顯示裝置的後照光的投射光以及發光裝置 中發光元件發射的光都無法有效地射出的問題。 在JP 2002-2 1 73 9 1 A所揭示的發明中，待要剝離的 物體和第二基底被可溶於水的黏合劑鍵合，但被暴露於水 的可溶於水黏合劑的表面區域實際上是很小的，因而存在 著剝離第二基底很費時間的問題。 關於這一問題，藉由淸除部分第二基底並暴露暫時黏 -7- 1289932 (4) 合層更大的表面區域，有可能縮短剝離時間。在此情況下 ’第二基底是一次性的’但存在著當在第二基底中採用諸 如石英玻璃或稀有材料之類的昂貴材料時會提高成本的問 題。 此外’若有機樹脂被用於是爲待要剝離的物體的薄膜 電晶體的中間層絕緣膜，則存在著由於有機樹脂容易吸收 濕氣而使中間層絕緣膜體積膨脹且薄膜變形，薄膜電晶體 接線從而會剝離的問題。 【發明內容】 考慮到上述問題而提出了本發明，本發明的目的是提 供一種將待要剝離的物體鍵合到轉移構件上的方法，此待 要剝離的物體在短時間內從基底被剝離，而不對疊層中待 要剝離的物體造成損傷。 根據本發明，提供了 一種轉移疊層的方法，它包括： 在基底上形成剝離層和待要剝離的物體；藉由可剝離的黏 合劑媒質，鍵合待要剝離的物體和支座；用物理方法從剝 離層剝離待要剝離的物體，然後將待要剝離的物體鍵合到 轉移構件上；以及從待要剝離的物體剝離支座和雙面膠帶 〇 而且’根據本發明，提供了 一種轉移疊層的方法，它 包括：在基底上形成剝離層和待要剝離的物體；藉由可剝 離的黏合劑媒質，鍵合待要剝離的物體和支座；用物理方 法從剝離層剝離待要剝離的物體，然後將待要剝離的物體 -8 - 1289932 (5) 的一面鍵合到第一轉移構件上；從待要剝離的物體剝離支 座和可剝離的黏合劑媒質；以及將待要剝離的物體的另一 面鍵合到第二轉移構件。 而且’根據本發明，提供了一種半導體裝置的製造方 法’它包括：形成剝離層和待要剝離的物體，包括基底上 的半導體元件；藉由可剝離的黏合劑媒質，鍵合待要剝離 的物體和支座；用物理方法從剝離層剝離待要剝離的物體 ’然後將待要剝離的物體鍵合到轉移構件上；以及從待要 剝離的物體剝離支座和可剝離的黏合劑媒質。 而且’根據本發明，提供了一種半導體裝置的製造方 法’它包括：在基底上形成剝離層和待要剝離的物體；藉 由可剝離的黏合劑媒質，鍵合待要剝離的物體和支座；用 物理方法從剝離層剝離待要剝離的物體，然後將待要剝離 的物體的一面鍵合到第一轉移構件上；從待要剝離的物體 剝離支座和可剝離的黏合劑媒質；以及將第二轉移構件鍵 合到待要剝離的物體的另一面。 而且，半導體元件可爲薄膜電晶體、有機薄膜電晶體 、有機薄膜電晶體、薄膜二極體、光電轉換元件、或電阻 元件。藉由矽PIN接面製成的光電轉換元件可以作爲光電 轉換元件的典型例子。 而且，待要剝離的物體具有接觸剝離層的氧化物層， 典型爲氧化矽或金屬氧化物組成的單層，或其疊層結構。 而且，剝離層是金屬膜或氮化物膜。此金屬膜或氮化 物膜包含有選自由鈦、鋁、鉅、鎢、鉬、銅、鉻、鈸、鐵 -9 - 1289932 (6) 鎳、銘、釕、鍺、m、餓、銥組成的組的元素的單層、 主要含有這些元素的合金材料、或這些元素的氮化物、或 它們的疊層結構。 而且’可剝離黏合劑媒質是能夠被熱剝離的黏合劑（ 以下稱爲熱剝離黏合劑）和/或能夠被紫外線輻照剝離的 黏合劑（以下稱爲紫外線剝離黏合劑）。 而且’塑膠’典型地說是具有塑膠膜那樣的柔性的塑 ®，能夠成爲第一轉移構件的典型例子。而且，防水性差 的材料（例如用於轉移構件的紙、布料、木材、以及金屬 )能夠被用於第一轉移構件。而且還能夠採用具有導熱性 的材料。 而且’塑膠’典型地說是具有塑膠膜那樣的柔性的塑 膠，能夠成爲第二轉移構件的典型例子。而且，防水性差 的材料（例如用於轉移構件的紙、布料、木材、以及金屬 )能夠被用於第一轉移構件。而且還能夠採用具有導熱性 的材料。 而且，物理方法的典型例子包括使用手工和從噴嘴噴 出的氣體風壓的方法以及用諸如超聲波之類的較小的力來 進行剝離的方法。 注意，其中在基底二側上形成黏合劑的帶狀材料（雙 面膠帶）、相似的片狀材料（雙面膠片）、相似的膜狀材 料（雙面膠膜）等，能夠成爲可剝離黏合劑媒質的例子。 雖然下面將用雙面膠帶作爲各個實施例模式和實施例中可 剝離黏合劑媒質的典型例子來說明本發明，但也可以對其 -10· 1289932 (7) 使用雙面膠片和雙面膠膜。 【實施方式】 實施例模式 下面說明本發明的各個實施例模式。 [實施例模式1] 以下主要用圖1A-1E來說明利用本發明的典 法的過程。 首先，參照圖1A說明。參考號10表示基 號11表示剝離層，參考號12表示氧化物層，； 表示待要剝離的物體，且包括氧化物層1 2。 玻璃基底、石英基底、陶瓷基底等能夠被 10。而且，也可以使用矽基底、金屬基底、以及 底。 是爲氮化物層或金屬層的剝離層1 1形成在3 。金屬層的典型例子包括由選自由鈦（Ti )、鋁 鉬（Ta )、鎢（W )、鉬（Mo )、銅（Cu )、 、銨（Ne )、鐵（Fe )、鎳（Ni )、鈷（Co ) )、铑（Rh)、鈀（Pd)、餓（Os)、銥（1〇 的元素組成的單層、或主要含有上述元素的合金 0勺® ®結構。氮化物層的典型例子是由上述金屬 化物’例如氮化鈦、氮化鎢、氮化鉅、或氮化鉬 層’或它們的疊層結構。 型轉移方 底，參考 爹考號13 當成基底 不銹鋼基 £底10上 (A1 )、 鉻（Cr ) 、釕（Ru 組成的組 、或它們 元素的氮 組成的單 -11 - 1289932 (8) 接著’在是爲氮化物層或金屬層的剝離層1 1上，形 成包含氧化物層1 2的待要剝離的物體1 3。採用氧化矽、 氮氧化矽、或金屬氧化物的氧化物層，可以被形成爲氧化 物層12。注意，可以用諸如濺射、電漿CVD、塗敷之類 的任何膜形成方法形成氧化物層1 2。 在待要剝離的物體1 3中，還可以包括半導體元件（ 例如薄膜電晶體、有機薄膜電晶體、薄膜二極體、光電轉 換元件、電阻元件等）。 接著，參照圖1 B進行說明。雙面膠帶1 4的一個表面 被鍵合到待要剝離的物體1 3上。採用了塗敷有紫外線剝 離黏合劑或熱剝離黏合劑的雙面膠帶。若此時氣泡進入到 待要剝離的物體1 3與雙面膠帶1 4之間，則在稍後的剝離 技術中容易在待要剝離的物體1 3中産生破裂，因此，進 行鍵合時要使氣泡不進入到待要剝離的物體1 3與雙面膠 帶1 4之間。注意，在此技術中利用膠帶安裝裝置，能夠 & @時間內執行鍵合，致使氣泡不進入到待要剝離的物體 與雙面膠帶14之間。 雙面膠帶14的另一面被鍵合到支座15。支座15可 以是例如石英玻璃、金屬、陶瓷等。此時必須將支座1 5 牢固地固定到雙面膠帶14。這是爲了防止支座15和雙面 @帶1 4在待要剝離的物體1 3從基底1 0剝離時首先剝離 °注意，在此技術中，利用加壓機，能夠在短時間內將雙 面膠帶鍵合到支座。 接著，參照圖1 C進行說明。藉由將物理力施加到由 -12· 1289932 (9) 氮化物層或金屬層組成的剝離層1 1和氧化物層1 2，剝離 層1 1被從待要剝離的物體1 3剝離。此處顯示一個例子， 其中基底的機械強度足夠。若剝離層1 1與氧化物層1 2之 間的黏合牢固，且基底1 0的機械強度低，則在剝離過程 中存在著基底10會破裂的危險。因此，若在例如塑膠、 玻璃、金屬、陶瓷等支座（圖中未示出）被安裝到基底背 面（其上不形成剝離層的表面）之後進行剝離，就有可能 進行更有效的剝離。 注意，物理力是諸如人手施加的手工力、從噴嘴噴出 的氣體的速度力、以及超聲波之類的比較小的力。 下面參照圖1 D進行說明。用黏合劑1 6將待要剝離 的物體1 3鍵合到轉移構件1 7。注意，可以用能夠被反應 剝離的黏合劑（以下表示爲反應硬化黏合劑）、能夠被熱 剝離的黏合劑（以下表示爲熱硬化黏合劑）、或諸如紫外 線硬化黏合劑之類的能夠被光剝離的黏合劑（以下表示爲 光硬化黏合劑）作爲黏合劑1 6。環氧樹脂、丙烯酸樹脂 、矽樹脂等能夠成爲其典型例子。 接著，參照圖1 E進行說明。待要剝離的物體1 3與雙 面膠帶1 4被剝離。若紫外線剝離雙面膠帶被當成雙面膠 帶1 4 ’則能夠藉由短時間輻照紫外光，具體地說是輻照 5 0 - 1 0 0秒鐘，來進行剝離。而且，若熱剝離雙面膠帶被 當成雙面膠帶1 4，則能夠藉由加熱基底來進行剝離。在 此情況下，加熱溫度被設定爲9 0 - 1 5 0 °C，最好是1 1 0 -1 2 0 °C，且加熱時間短到2 - 3分鐘。支座1 5與雙面膠帶1 4被 -13- 1289932 (10) 首先剝離開’然後，待要剝離的物體1 3與雙面膠帶1 4被 剝離。 利用上述各個步驟，能夠將待要剝離的物體轉移到轉 移構件上。注意，分離基底也可以被安裝在暴露的待要剝 離的物體上。 注意’如本說明書中所述，術語轉移構件表示在基底 從待要剝離的物體被剝離之後，待要剝離的物體被鍵合於 其上的物體。對用於轉移構件的材料沒有限制，可以採用 Η者如塑膠、玻璃、金屬、陶瓷之類的任何材料。同樣，如 在本說明書中所用的那樣，術語支座表示當用物理方法剝 離基底時’待要剝離的物體被鍵合於其上的物體。對用於 支座的材料沒有限制，可以採用諸如塑膠、玻璃、金屬、 陶瓷之類的任何材料。而且，對轉移構件或支座的形狀沒 有限制，它們可以具有平坦表面、彎曲表面、柔性、以及 薄膜形狀。而且，若最優先考慮重量要輕，則最好採用薄 膜形狀的塑膠，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET )、聚 硫醚乙二醇（PES)、聚萘二甲酸乙二酯（PEN)、聚碳 酸酯（PC)、尼龍、聚醚醚酮（PEEK)、聚颯（PSF)、 聚醚醯亞胺（PEI )、聚丙烯酸酯（PAR )、聚對苯二甲 酸丁二酯（PBT )、由具有極性基的降冰片烯樹脂製成的 ARTON ( JSP公司製造的）之類。諸如氮化鋁或氮氧化鋁 之類的具有導熱性的薄膜也可以被形成在這些塑膠的表面 上。而且，鐵、銅、鋁、氮化鋁、氧化鎂等也可以被分散 在這些塑膠中。對於諸如CPU之類的執行高速運行的半 -14 - 1289932 (11) 導體電路或記憶體被製作在待要剝離的物體上的情況，若 這種塑膠被用於轉移構件，則對於轉移構件，有可能吸收 由於驅動而産生的熱。 而且，在本發明中不存在浸入處理，因此防水性差的 材料（例如用於轉移構件的紙、布料、木材、以及金屬） 也能夠被用於轉移構件。而且，也能夠採用具有導熱性的 樹脂。此外，還有可能採用其上製作半導體元件的半導體 裝置（例如邏輯電路、記憶體、驅動電路、電源電路、或 開關）作爲轉移構件，並將分立的半導體裝置轉移到轉移 構件上。在此情況下，能夠審查各個半導體裝置的特性， 並能夠僅僅層疊具有優異特性的那些裝置（無缺陷的裝置 )。因而能夠有效地提高總體成品率。 [實施例模式2] 此處說明用於本發明轉移技術的可剝離黏合劑媒質（ 雙面膠帶被當成典型例子）的結構。 以下說明圖11A和圖11B。用於本發明的雙面膠帶是 這樣一種雙面膠帶，其中，具有第一黏合劑510的第一基 底502與具有第二黏合劑503的第二基底504被固化的黏 合劑5 05連結到一起。熱剝離黏合劑和/或紫外線剝離黏 合劑能夠被用於第一黏合劑或第二黏合劑。而且，可被光 (可見光、紅外光等）輻照剝離的黏合劑以及可被化學反 應剝離的黏合劑（反應剝離黏合劑）也能夠被用來代替紫 外線剝離黏合劑和熱剝離黏合劑。 -15- 1289932 (12) 熱剝離黏合劑和紫外線剝離黏合劑在本實施例模式中 被當成典型例子。注意，也可以採用其他的黏合劑。 注意，在本實施例模式中，第一黏合劑5 〇 1指的是鍵 合到支座5 0 6的黏合劑，而第二黏合劑5 〇 9指的是鍵合到 待要剝離的物體5 07的黏合劑。 圖1 1 B顯示在第一黏合劑5 〇 8中採用熱剝離黏合劑而 在第二黏合劑5 09中採用紫外線剝離黏合劑的例子，但對 於這一組合不存在限制。如圖1 1 C所示，也能夠在第一黏 合劑5 1 0中採用紫外線剝離黏合劑而在第二黏合劑5 1 1中 採用熱剝離黏合劑。 此外，也可以在第一黏合劑和第二黏合劑中採用相同 的黏合劑類型。圖1 1 D顯示在第一黏合劑5 1 2和第二黏 合劑5 1 3中採用熱剝離黏合劑的例子，而圖丨丨E顯示在第 一黏合劑5 1 4和第二黏合劑5 1 5中採用紫外線剝離黏合劑 的雙面膠帶。 另一方面，雖然圖11A-11E顯示其中第一基底502與 第二基底504被鍵合的雙面膠帶，但如在圖iif中那樣， 第一基底516的二個面也可以具有熱剝離黏合劑517和/ 或紫外線剝離黏合劑5 1 8。 注意，雖然在本實施例模式中顯示在一個或多個基底 的二個面上具有黏合劑的可剝離黏合劑媒質，但可剝離黏 合劑媒質不局限於這些。僅僅由可剝離黏合劑組成的黏合 劑媒質也能夠被應用於本發明。 1289932 (13) 實施例 [實施例1] 利用圖2A-6B來說明本發明的實施例 具有薄膜電晶體的疊層轉移到待要剝離的物 先，說明在同一個基底上與製作在圖素部分 電路TFT同時製造圖素部分的方法。 參照圖2A進行說明。是爲氮化物膜或 層101、氧化物層102、是爲基底膜的氧化 及非晶矽膜104，被形成在基底1〇〇上，且 105被塗敷在頂部上。 在本實施例中，玻璃基底被當成基底 1 0 0不局限於玻璃，也可以採用石英基底、 金屬基底、陶瓷基底等。 而且，若金屬膜被用於剝離層1 0 1，則 Ti )、鋁（A1)、鉅（Ta)、鎢（W)、鉬 Cu )、鉻（Cr )、鈸（Ne )、鐵（Fe )、 (Co )、釕（Ru )、铑（Rh )、鈀（Pd ) 銥（Ir)的元素組成的單層、或主要含有上 或化合物、或它們的疊層，可以被用於剝離 方面，若氮化物膜被用於剝離層1 〇 1，則可 鈦、氮化鎢、氮化鉬、或氮化鉬組成的單層 。此處採用用濺射方法形成的厚度爲5〇nm白 而且，由氧化矽或金屬氧化物組成I 600nm，最好爲1 5 0 - 2 0 0 nm的單層，或這些 。此處說明將 體的方法。首 週邊中的驅動 金屬膜的剝離 矽膜103 、以 包含鎳的溶液 1 〇 0，但基底 半導體基底、 由選自由鈦（ (Mo)、銅（ 鎳（Ni)、鈷 、餓（〇 s )、 述元素的合金 層1 0 1。另一 以採用由氮化 或它們的疊層 勺鎢膜。 的厚度爲 10-單層的疊層結 -17- 1289932 (14) 構’可以被當成氧化物層1 〇 2。此處採用用灑射方法形成 的膜厚度爲20 Onm的氧化矽層。金屬層1 〇丨與氧化物層 1 02之間的鍵合力相對於熱處理是強的，不引起剝離等， 因而能夠在氧化物層中，在氧化物層與金屬層之間的介面 處，或在氧化物層與氮化物層之間的介面處，簡單地用物 理方法進行剝離。 而且，用電漿CVD方法，在澱積溫度爲400°C，SiH4 和N20的材料氣體流速分別爲4sccm和800sccm的成膜 條件下形成的膜厚度爲l〇-200nm(最好爲50nm)的氮氧 化矽膜（組成比爲 Si = 32%，0 = 27%，N = 24%，H=1 7% ) ，被當成底絕緣層1 〇 3。 接著，用電漿CVD方法，在成膜溫度爲300°C下， 用SiH4作爲成膜氣體，形成膜厚度爲25-80nm，在本實 施例中爲54nm的非晶矽膜1〇4。注意，對半導體膜材料 沒有限制，可以用已知的方法（例如濺射、LPCVD、電漿 CVD等），用矽和矽鍺合金（SixGeu，其中χ = 0·0001-〇·〇2)等形成非晶矽膜104。 而且，可以恰當地調整鎳溶液1 〇 5的濃度。在本實施 例中，採用含有1 Oppm重量比的鎳的鎳乙酸鹽溶液，並 被旋塗機塗敷到非晶矽膜上。用濺射方法將鎳元素加入到 非晶矽膜的整個表面的方法，也可以被用來代替塗敷。 接著，參照圖2B進行說明。藉由執行熱處理，非晶 半導體膜被晶化。在熱處理中，可以採用電爐熱處理或強 光輻照。若在電爐中執行熱處理，則可以在500-650°C的 -18- 1289932 (15) 溫度下進行4 - 2 4小時。此處，在脫氫熱處理（在5 Ο 〇 °C 下加熱1小時）之後，執行晶化熱處理（在5 5 0 °C下加熱 4小時），從而得到結晶矽膜1 06。注意，此處用爐子熱 處理來執行非晶半導體膜的晶化，但也可以用燈退火裝置 來執行晶化。還要注意的是，雖然此處採用了利用鎳作爲 促進矽晶化的金屬元素的晶化技術，但也可以採用其他已 知的晶化技術，例如固相生長或雷射晶化。 接著，在空氣中，或在氧氣氛中，輻照第一雷射（ XeCl ’波長爲3〇8nm )，以便在用氫氟酸之類淸除結晶半 導體膜表面上的氧化物膜之後修復殘留在晶粒中的缺陷並 改善結晶性。波長等於或小於400nm的準分子雷射以及 YAG雷射器的二次諧波或三次諧波當成此雷射。無論採 用哪種雷射，都使用重復頻率約爲10-1 OOOHz的脈衝雷射 。此雷射被光學系統會聚成 1 00-5 00m J/cm2，然後在以 90-9 5 %的重疊比被輻照的情況下，在矽膜表面上掃描。此 處，第一雷射以30Hz的重復頻率和393 mJ/cm2的能量密 度在空氣中輻照。注意，第一雷射輻照由於在空氣中或在 氧氣氛中執行，故在表面上形成氧化物膜。然後用稀釋的 氫氟酸淸除此氧化物膜，再用液態臭氧在表面上形成極薄 的氧化物膜。 接著，執行少量雜質（硼或磷）的摻雜，以便控制薄 膜電晶體的臨限値（圖中未示出）。此處採用離子摻雜方 法，其中乙硼烷（B2H6 )被電漿激發而不分離質量。摻雜 條件如下：被氫稀釋到1%的乙硼烷以3〇SCCm的流速被引 -19- 1289932 (16) 入到工作室中，並施加1 5 kV的加速電壓。劑量約爲 lxl013/cm2的硼於是被加入到非晶半導體膜。 接著，參照圖2C進行說明。非晶半導體膜的表面然 後被液態臭氧處理120秒鐘，形成由l-5nm厚的氧化物膜 組成的屏障層1 〇 7。 接著，用濺射方法在屏障層107上形成厚度爲50nm 的成爲吸雜位置的包含氬元素的非晶矽膜1 0 8。在本實施 例中，可以恰當地調整成膜條件，並採用濺射方法。成膜 壓力被設定爲〇.3Pa，氬氣流速被設定爲5〇SCCm，成膜功 率被設定爲3kW，而成膜溫度被設定爲150°C。注意，在 上述條件下，包含在非晶矽膜中的氬元素的原子濃度爲3 xl02G/Cm3-6xl02()/cm3，而氧的原子濃度爲 lxl〇19/cm3-3 X 1 019/cm3。然後在電爐中於5 5 0 °C下進行4小時熱處理 ，從而執行金屬元素吸雜。 接著，參照圖2D進行說明。用NMD3溶液（包含 0.2-0.5%氫氧化四甲銨的水溶液），並利用屏障層106作 爲蝕刻停止層淸除包含氬元素作爲吸雜位置的非晶矽膜 1〇8。然後用稀釋的氫氟酸淸除氧化物膜屏障層。 接著，參照圖3 A進行說明。用液態臭氧對得到的結 晶半導體膜的表面進行處理，形成極薄的氧化物膜（圖中 未示出）。在其上形成由抗蝕劑組成的掩模，並被圖形化 ，結晶半導體膜接著被蝕刻成預定的形狀，形成分隔開的 半導體層1 2 1 -1 24。然後淸除抗鈾劑組成的掩模。 接著，在淸洗矽膜表面之後，形成成爲閘極絕緣膜的 •20- 1289932 (17) 以矽作爲其主要成分的絕緣膜1 2 5。在本實施例中 SiH4和N20作爲成膜氣體，在4/800scCm的氣體流 ’在4〇〇°C的成膜溫度下，用電漿CVD方法，形成 度爲155nm的氮氧化砂膜。 接著，在閘極絕緣膜上層疊厚度爲20-100nm的 導電膜和厚度爲1 00-400nm的第二導電膜。依次在閘 緣膜上層疊厚度爲30nm的氮化鉬（TaN)膜126, 氮化鉅（TaN)膜上層疊厚度爲3 70nm的鎢（W)膜 〇 第一導電膜和第二導電膜由選自鉅（Ta)、鎢( 、鈦（Ti )、鉬（Mo )、鋁（A1 )、銅（Cu )的元 或主要包含這些元素的合金或化合物組成。而且，半 膜，典型爲其中已經摻雜了諸如磷之類的雜質的多晶 ，以及由銀、鈀、銅組成的合金膜（AgPdCu合金膜 也可以被當成第一導電膜和第二導電膜。而且，對採 層結構沒有限制，例如也可以採用三層結構，其中依 疊膜厚度爲50nm的鎢膜、膜厚度爲5 00nm的鋁和 Al-Si合金膜）、以及膜厚度爲3 0nm的氮化鈦膜。 ，若採用三層結構，則也可以用氮化鎢來代替第一導 中的鎢，也可以用鋁和鈦的合金代替第二導電膜中的 矽的合金，並也可以用鈦膜代替第三導電膜中的氮化 。而且，也可以採用單層結構。 接著，參照圖3B進行說明。藉由在光微影技術 露於光而形成由抗鈾劑組成的掩模1 2 8 · 1 3 1，並執行 ，用 速下 膜厚 第一 極絕 並在 127 W ) 素、 導體 矽膜 )， 用雙 次層 矽（ 而且 電膜 鋁和 鈦膜 中暴 第一 -21 - 1289932 (18) 蝕刻技術以便形成閘極電極和接線（圖中未示出）。在第 一和第二蝕刻條件下執行第一蝕刻技術。可以用icp (感 應耦合電漿）蝕刻方法來進行蝕刻。在使用ICP蝕刻時， 藉由適當地調整蝕刻條件（例如施加到線圈形電極的電能 量、施加到基底側電極的電能量、基底側電極的溫度等） ，薄膜能夠被蝕刻成具有所需的錐形形狀。注意，氯氣體 ，典型爲氯氣（Cl2 )、三氯化硼（BC13 )、四氯化矽（ SiCl4)、四氯化碳（CC14)等，氟氣體，典型爲四氟化 碳（CF4 )、六氟化硫（SF6 )、三氟化氮（NF3 )等，以 及氧（〇2 )，能夠被適當地當成蝕刻氣體。 在本實施例中於第一蝕刻條件下進行飩刻，利用四氟 化碳（cf4 )、氯氣（Cl2 )、以及氧（02 )作爲鈾刻氣體 ，將各個氣體的流速設定爲25/2 5 / 1 0 seem，並在1.5 Pa 的壓力下將5 00 W的RF ( 13·56ΜΗζ )功率引入到線圈形 電極，從而産生電漿。150W的 RF (13.56MHz)功率還 被引入到基底側（樣品台），從而實際上施加負自偏置電 壓。注意，基底側上電極表面區域的尺寸爲12.5cm X 1 2.5 cm，而線圈形電極的表面區域（其上形成線圈的石英 圓盤）的尺寸是直徑爲2 5 cm。鎢膜被第一蝕刻條件蝕刻 ，且第一導電層的邊沿部分取錐形形狀。鎢膜在第一蝕刻 條件下的鈾刻速率爲 2 0 0 · 3 9 n m / m i η，而氮化鉬膜的鈾刻 速率爲 8 0.3 2nm/min，因此，鎢對氮化鉅的選擇比約爲 2.5。而且，在第一蝕刻條件下，鎢的錐角變成約爲26度 -22- 1289932 (19) 接著，蝕刻條件被改變到第二蝕刻條件而不淸除由抗 蝕劑組成的掩模1 2 8 -1 3 1。然後以大約丨5秒的時間周期 進行蝕刻，利用四氟化碳（CF4 )和氯氣（Cl2 )作爲蝕刻 氣體，將各個氣體的流速設定爲3 0/3 0 seem，並在1 .5 Pa 的壓力下將5 00 W的RF ( 13·56ΜΗζ )功率引入到線圈形 電極，從而産生電漿。10W的RF(13.56MHz)功率還被 引入到基底側（樣品台），從而實際上施加負自偏置電壓 。在四氟化碳（C F 4 )和氯氣（C 12 )被混合的第二蝕刻條 件下，鎢膜和氮化鉅膜被蝕刻相似的量。鎢膜在第二鈾刻 條件下的蝕刻速率爲5 8.97nm/min，而氮化鉅膜的蝕刻速 率爲66.43nm/min，注意，還可以增加大約10-20%的鈾刻 時間，以便執行鈾刻而不在閘極絕緣膜上留下任何殘留物 〇 於是由第一鈾刻處理形成了包括第一導電層和第二導 電層（第一導電層132a-135a以及第二導電層132b-135b )的第一形狀導電層1 3 2- 1 3 5。成爲閘極絕緣膜的絕緣膜 125被鈾刻大約10-20nm，而未被第一導電層131-134覆 蓋的區域成爲一個被減薄了的閘極絕緣膜1 3 6。 接著，參照圖3 C進行說明。接著執行第二蝕刻處理 而不淸除由抗蝕劑組成的掩模128-131。此處以大約25 秒的時間周期進行蝕刻，利用六氟化硫（SF4 )、氯氣（ Cl2 )、以及氧（02 )作爲蝕刻氣體，將各個氣體的流速 設定爲24/12/24 seem，並在2.0 Pa的壓力下將700W的 RF ( 13.5 6MHz )功率引入到線圈形電極，從而産生電漿 -23- 1289932 (20) 。4W的RF ( 13·5 6ΜΗζ )功率還被引入到基底側（ 台），以便充分地施加負自偏置電壓。鎢（W )被第 刻處理餓刻的速率爲 2 2 7 · 3 n m / m i η，且鎢對氮化錯( )的選擇比爲7 . 1。作爲絕緣膜的氮氧化矽膜的蝕刻 爲33.7 nm/min，且W對氮氧化砂膜的選擇比爲6.83 樣，當在蝕刻氣體中採用六氟化硫（SF6 )時，對絕 1 3 6的選擇比就高，因而能夠抑制薄膜減薄。 用第二蝕刻處理來形成第二導電層137b-140b。 鎢膜的第二導電層137b_140b的錐角成爲大約70度 一方面，第一導電層幾乎完全不被蝕刻，並成爲第一 層137a-140a。而且，由抗鈾劑組成的掩模128-131 第二蝕刻處理而成爲掩模1 45- 1 4 8。 接著，參照圖3 D進行說明。在淸除由抗蝕劑組 掩模1 45- 1 48之後，執行第一摻雜技術，從而得到圖 的狀態。可以用離子摻雜或離子注入來執行此摻雜技 離子摻雜的條件是以5 X 1 013/cm2的劑量和50kV的加 壓來進行磷（P )摻雜。也可以用As (砷）來代替P )作爲提供η型導電性的雜質元素。在此情況下，第 電膜13卜134以及第二導電膜1 3 7- 1 40成爲對提供η 電性的雜質元素的掩模，並以自對準方式形成第一雜 141-144。提供η型導電性的雜質元素以ιχι〇ΐ6 10 /cm的濃度被加入到第一*雜質區141-144。此處 度範圍與第一雜質區相同的各個區域被稱爲η區。 注意’雖然在本實施例中，在淸除抗蝕劑組成的 樣品 二蝕 TaN 速率 。這 緣膜 是爲 。另 導電 由於 成的 | 3D 術。 速電 (磷 一導 型導 質區 -lx ，濃 掩模 -24- 1289932 (21) 1 4 5 -1 4 8之後執行第一摻雜處理，但也可以不淸除由抗蝕 劑組成的掩模1 4 5 - 1 4 8而執行第一摻雜處理。 接著，參照圖4A進行說明。形成由抗鈾劑組成的掩 模1 5 0 - 1.5 3，並執行第二摻雜處理。掩模150是保護用來 形成驅動電路的p通道TFT的半導體層的通道形成區以 及此通道形成區週邊區域的掩模。掩模1 5 1是保護用來形 成驅動電路的η通道TFT的半導體層的通道形成區以及 此通道形成區週邊區域的掩模。掩模1 5 2和1 5 3是保護用 來形成圖素區TFT的半導體層的通道形成區以及此通道 形成區週邊區域的掩模。 第二摻雜處理中的離子摻雜條件是以3.5 X 1 0 15/cm2 的劑量和6 5 kV的加速電壓來進行磷（p )摻雜。從而形 成第二雜質區155。提供η型導電性的雜質元素以lx 102(M X 1 021/cm3的濃度被加入到第二雜質區155。此處， 濃度範圍與第二雜質區相同的各個區域被稱爲n +區。 接著，參照圖4B進行說明。淸除由抗蝕劑組成的掩 模1 5 0 - 1 5 3，重新形成由抗蝕劑組成的掩模1 5 8，並執行 第三摻雜技術。 用第三摻雜技術，在驅動電路中形成第三雜質區 15 0-161以及第四雜質區1 62- 1 64，其中，提供p型導電 性的雜質元素被加入到形成p通道TFT的半導體層。 進行雜質元素的加入，致使提供p型導電性的雜質元 素以lxl02G-lxl〇21/cm3的濃度被加入到第三雜質區159-161。注意，雖然在先前技術中被加入了 p (磷）的第三 -25- 1289932 (22) 雜質區159_161中存在著一些區域（η·區），但提供p型 導電性的雜質元素以1.5-3倍於提供η型導電性的雜質元 素的濃度被加入，第三雜質區1 5 9 -1 6 1中的導電類型因而 成爲Ρ型。此處，濃度範圍與第三雜質區相同的各個區域 被稱爲Ρ +區。 而且，進行雜質元素的加入，致使提供Ρ型導電性的 雜質元素以Ixl018-lxl02i)/cm3的濃度被加入到第四雜質 區162-164。此處，濃度範圍與第四雜質區相同的各個區 域被稱爲P -區。 於是，用上述各個技術就在各個半導體層中形成了具 有η型導電性或ρ型導電性的雜質區。導電層137-140成 爲TFT的閘極電極。 接著，參照圖4C進行說明。在形成厚度爲l〇〇nm的 由氮化矽膜組成的第一鈍化膜165之後，在3 00-5 5 0 °C的 溫度下進行1 -1 2小時的熱處理。半導體層於是被氫化。 在本實施例中，在氮氣氣氛中，於4 1 0 °C下進行1小時熱 處理。此處理是用包含在第一鈍化膜1 65中的氫來終止半 導體層中的懸垂鍵的處理。 接著，在第一鈍化膜上形成由無機絕緣體或有機絕緣 體組成的第一中間層絕緣膜1 6 6。正型光敏有機樹脂和負 型光敏有機樹脂能夠被當成有機絕緣體。對於採用光敏有 機樹脂的情況，若用光微影技術執行曝光過程，然後触刻 光敏有機樹脂，則能夠形成具有彎曲部分的第一視窗部分 。形成具有彎曲部分的視窗部分，具有提高稍後形成的電 -26- 1289932 (23) 極的覆蓋性的作用。在本實施例中，形成了厚度爲1.05 微米的光敏丙烯酸樹脂膜作爲第一中間層絕緣膜。接著， 對第一中間層絕緣膜進行圖形化和蝕刻，形成具有緩慢斜 率的內壁的第一視窗部分。 注意，正型光敏樹脂是褐色的，因此，若正型光敏有 機樹脂被用於第一中間層絕緣膜1 66，則在蝕刻之後必須 對光敏有機樹脂進行脫色。 而且，若由無機絕緣體組成的薄膜被用於第一中間層 絕緣膜1 66，則其表面也可以被整平。 接著，形成由氮化物絕緣膜（典型地說是氮化矽膜或 氮氧化矽膜）組成的第二鈍化膜1 80，以便覆蓋視窗部分 和第一中間層絕緣膜。在本實施例中，氮化矽膜被用於第 二鈍化膜。作爲成膜條件，利用矽靶，並用氮氣作爲濺射 氣體，在高頻放電下進行濺射。可以恰當地設定壓力，並 可以採用 〇.5-1.0Pa的壓力、2.5-3.5KW的放電功率、以 及室溫（25 t )到2 5 0 °C範圍內的成膜溫度。藉由形成由 氮化物絕緣膜組成的第二鈍化膜，能夠控制第一中間層絕 緣膜的放氣。 藉由在第一中間層絕緣膜上形成氮化物絕緣膜，有可 能防止來自基底側的濕氣和從第一中間層絕緣膜放氣造成 的氣體進入稍後形成的EL元件。於是能夠抑制EL元件 的退化。而且，氮化物絕緣膜具有在下列剝離技術中使鍵 合的雙面膠帶容易剝離開的作用，從而不需要用來淸除剩 下的黏合劑的技術，因而能夠簡化處理。 •27- 1289932 (24) 接著，在用光微影技術執行曝光過程之後，依次蝕刻 第二鈍化膜18〇、第一鈍化膜165、以及閘極絕緣膜136 ，形成第二視窗部分。此時’可使用乾触刻或濕蝕刻當成 蝕刻技術。在本實施例中，使用乾蝕刻方法來形成第二視 窗部分。 在形成第二視窗部分之後，接著在第二鈍化膜上和第 二視窗部分中形成金屬膜。在用光微影技術曝光之後，對 金屬膜進行鈾刻’於是形成源極電極和汲極電極1 8 1 -1 8 8 以及接線（圖中未示出）。由選自鋁（A1 )、鈦（Ti )、 鉬（Mo )、鎢（W )、以及矽（Si )的元素組成的膜，或 這些元素組成的合金膜，被當成此金屬膜。在層疊膜厚度 分別爲100nm、3 5 0nm、100nm的鈦膜、鈦鋁合金膜、鈦 膜（Ti/Al-Si/Ti )之後，藉由蝕刻，此疊層被圖形化成所 需的形狀，從而形成源極電極、汲極電極、以及接線（ 圖中未不出）。 接著，形成圖素電極190。諸如ITO、Sn02之類的透 明導電膜可以被用於圖素電極190。在本實施例中，形成 了厚度爲llOnm的ITO膜，並蝕刻成所需的形狀，於是 形成圖素電極190。 注意，雖然由於討論的是製造透射型（向下發射型） 顯示裝置，而在本實施例中圖素電極被製作成透明電極， 但當製造反射型（向上發射型）顯示裝置時，最好採用諸 如以鋁（A1 )或銀（Ag )作爲其主要組成的具有優異反 射性的材料、或這些膜的疊層結構作爲圖素電極。 -28- 1289932 (25) 接著，參照圖5 B進行說明。在第二鈍化膜、源 極、汲極電極、以及圖素電極上形成由有機絕緣體 的膜之後，用光微影技術執行曝光處理。然後，藉由 由有機絕緣體組成的膜並形成第三視窗部分，形成第 間層絕緣膜200。正型有機樹脂和負型有機樹脂能夠 成有機絕緣體。在本實施例中，利用厚度爲1 . 5微米 敏丙烯酸樹脂，然後用濕蝕刻方法進行蝕刻形成了第 間層絕緣膜。 然後在第二中間層絕緣膜200上形成第三鈍化膜 ，之後，在圖素電極190上形成第四視窗部分。藉由 三鈍化膜3 1 5覆蓋第二中間層絕緣膜200，能夠抑制 二中間層絕緣膜産生的氣體。採用由氮化物絕緣膜組 膜（典型爲氮化矽膜或氮氧化矽膜）作爲第三鈍化膜 效的。 於是在同一個基底上能夠形成由p通道TFT 195 通道TFT 196組成的驅動電路201以及具有圖素TFT 和P通道TFT 198的圖素部分202。於是完成了主動 基底A 203。接著顯示用來從主動矩陣基底A剝離開 基底以及將其轉移到塑膠基底的技術。 接著，參照圖6 A進行說明。雙面膠帶2 1 0的一 面被鍵合到第三鈍化膜和圖素電極190。此時，若氣 入到雙面膠帶210與第二中間層絕緣膜200或圖素 190之間，則存在著是爲剝離層的鎢膜1〇1和玻璃基 法均勻地從主動矩陣基底A 203剝離的危險，因此， 極電 組成 蝕刻 二中 被當 的光 二中 3 15 用第 從第 成的 是有 和η 197 矩陣 玻璃 個表 泡進 電極 底無 必須 -29- 1289932 (26) 執行鍵合，使氣泡不被引入。在本實施例中，採用 側上具有紫外線剝離黏合劑，而另一側上具有熱剝 劑的雙面膠帶，且具有紫外線黏合劑的一側被鍵合 鈍化膜3 1 5和圖.素電極1 9 0。當然，也可以採用二 有紫外線剝離黏合劑的雙面膠帶。 接著，支座211被鍵合到雙面膠帶210的另一 (具有熱剝離黏合劑的一側）。石英玻璃、金屬、 能夠被當成支座211。注意，雙面膠帶210和支座 須牢固地固定在一起。這是爲了防止在基底從主動 底A 203剝離時支座211與雙面膠帶剝離。在本實 ，石英玻璃被當成支座211，且具有熱剝離黏合劑 膠帶表面被鍵合到石英玻璃。 接著，藉由將物理力施加到氮化物層或金屬層 由氧化物膜組成的層1 02，金屬層1 0 1和玻璃基底 從主動矩陣基底剝離。 已經剝離開玻璃基底1 〇〇的主動矩陣基底被表 動矩陣基底B 215。此處顯示玻璃基底100的機械 夠的例子。若氮化物層或金屬層1 〇 1與由氧化物膜 層102之間的黏合牢固，且玻璃基底100的機械強 則存在著玻璃基底1 00破裂的可能性。因此，若在 前，支座（圖中未示出），例如塑膠、玻璃、金屬 等被鍵合到玻璃基底背面（其上不製作TFT的表 則有可能更有效地進行剝離。 接著，參照圖6B進行說明。利用黏合劑212 了其一 離黏合 到第三 側上具 個表面 陶瓷等 2 1 1必 矩陣基 施例中 的雙面 101和 100被 示爲主 強度足 組成的 度低， 剝離之 、陶瓷 面）， ，由氧 -30- 1289932 (27) 化矽膜組成的層1 Ο 2被鍵合到轉移構件2 1 3。 反應硬化的黏合劑、熱硬化的黏合劑、或諸如 的黏合劑之類的光硬化的黏合劑作爲黏合劑2 例子是環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽樹脂等。在 ’紫外線硬化的黏合劑被當成黏合劑2 1 2，而 被當成轉移構件2 1 3。可以適當地設定鍵合條 輻照1 2 0秒紫外線，同時在電爐上加熱到大3 的溫度，聚碳酸酯膜被固定到主動矩陣基底。 接著，雙面膠帶210和支座211被從主動 2 1 5剝離。在初始加熱到9 0 - 1 5 0 °C，最好是】 後，石英玻璃基底2 1 1被從雙面膠帶2 1 0剝離 照被執行60秒，雙面膠帶210被從第二中 200和圖素電極190剝離。 雖然本實施例採用了其中紫外線剝離黏合 要剝離的物體側上而熱剝離黏合劑被用於支座 膠帶，但黏合劑不局限於這種組合。也可以採 離黏合劑被用於待要剝離的物體側上且熱剝離 於支座側上的雙面膠帶。同樣，也可以採用僅 離黏合劑的雙面膠帶以及僅僅具有紫外線剝離 面膠帶。此外，也可以採用光剝離黏合劑和反 劑，並可以適當地設定各個剝離條件。 利用上述各個技術，薄膜電晶體能夠被轉 底上。 接著，圖14A和14B顯示根據本實施例 有可能採用 紫外線硬化 :1 2，其典型 本實施例中 聚碳酸酯膜 件，並藉由 ^ 5 0 - 1 〇 〇 °C 矩陣基底B 1 0 -1 2 0 °c 之 。紫外線輻 間層絕緣膜 劑被用於待 側上的雙面 用其中熱剝 黏合劑被用 僅具有熱剝 黏合劑的雙 應剝離黏合 移到塑膠基 的薄膜電晶 -31 - 1289932 (28) 體的電壓-電流特性。注意，Vds (源區與汲區之間的電壓 差）被設定爲1 v。 首先參照圖14A進行說明。圖14A顯示η通道TFT 的電特性。轉移到塑膠基底上的η通道TFT的電特性相 對於轉移之前的TFT的電特性表現出幾乎沒有變化，亦 即，形成在玻璃基底上的η通道TFT的電特性幾乎不改 變。於是認爲η通道TFT被轉移到了塑膠基底上而沒有 引起其缺陷。 接著，參照圖14B進行說明，圖14B顯示p通道 TFT的電特性。與圖1 4A相似，轉移到塑膠基底上的p通 道TFT的電特性相對於轉移之前的TFT的電特性表現沒 有變化，亦即，形成在玻璃基底上的p通道TFT的電特 性幾乎不改變。於是認爲p通道TFT被轉移到了塑膠基 底上而沒有引起其缺陷。 於是，就有可能利用具有紫外線剝離黏合劑或熱剝離 黏合劑的雙面膠帶，在短時間內將形成在玻璃基底上的薄 膜電晶體轉移到塑膠基底上。而且，能夠在塑膠基底上製 造電特性與製造在玻璃基底上的薄膜電晶體相同的薄膜電 晶體。 而且’當從玻璃基底剝離包含薄膜電晶體的待要剝離 的物體時’有可能利用雙面膠帶將是爲支座的石英玻璃基 底剝離開而不引起其損傷。因而能夠重新使用支座。對於 像石英玻璃這樣的昂貴材料被當成支座的情況，因而能夠 獲得成本的大幅度降低。 -32- 1289932 (29) 此外，待要剝離的物體的表面被暴露，因而有可能在 將薄膜電晶體轉移到塑膠基底之後對其電特性進行測量。 [實施例2] 在本實施例中，說明了使配備有EL (電致發光）元 件3 1 6的EL模組形成在塑膠基底上的例子。於此使用圖 7A和7B說明。 首先，根據實施例1製造圖6B的主動矩陣基底C 216，然後在第三鈍化膜315和圖素電極190上形成EL 層313。此EL層313通常由諸如發光層、電荷注入層、 以及電荷傳送層之類的薄膜的疊層構成。由藉由單重態激 發而發光（熒光）的發光材料（單重態化合物）組成的薄 膜以及由藉由三重態激發而發光（磷光）的發光材料（三 重態化合物）組成的薄膜，能夠被當成EL層。而且，EL 層313的各個層可以是僅僅由有機材料組成的薄膜，也可 以是由有機材料組成的薄膜和由無機材料組成的薄膜的疊 層結構。此外，此有機材料可以是高分子量或低分子量材 料。各種已知的材料能夠被當成這些有機材料和無機材料 。各種已知的方法被當成各個層的成膜方法。在本實施例 中，用蒸發方法層疊了膜厚度爲20nm的CuPc膜、膜厚 度爲30nm的α-NPD膜、膜厚度爲50nm的Alq3膜、以 及膜厚度爲2nm的BaF2膜，從而形成EL層3 1 3。 接著，在EL層313上形成陰極314，此外，在陰極 314上形成第四鈍化膜（圖中未示出）。包含周期表丨族 -33- 1289932 (30) 或2族元素的金屬薄膜可以被用於陰極314，且其中0.2-1 · 5 % (最好是〇 . 5 -1.0% )重量比的鋰被加入到鋁的金屬膜 ’由於其電荷注入特性等而成爲適合的金屬膜。注意，利 用本發明的第一到第四鈍化膜，鋰元素進入薄膜電晶體的 擴散受到控制，因此，鋰元素不影響薄膜電晶體的工作。 於是，藉由上述各個技術，可由圖素電極190、EL 層3 13、以及陰極314形成EL元件316。 圖7A所示的結構係關於一種向下發射的發光裝置， 從EL元件發射的光經由圖素電極190而從塑膠基底213 側發射。 另一方面，用具有反射性的金屬膜代替圖素電極190 ，並在陰極314中採用膜厚度小（最好是10-5 Oiim)的金 屬膜，從E L元件發射的光經由陰極而被發射。由功函數 大的Pt (鉑）和Au (金）組成的金屬膜被當成具有反射 性的金屬膜，以便使此金屬膜當成陽極。包含周期表第1 族或第2族元素的金屬膜被用於陰極。 在這種向上發射的發光裝置中，光不經由圖素電極下 方部分，因而有可能形成記億體元件和電阻元件，從而不 存在與第一中間層絕緣膜1 66有顔色相關的問題。結果’ 也有可能在設計中獲得高的自由度，進一步簡化了製造技 術。 接著，參照圖7B進行說明。在第四鈍化膜上形成第 三中間層絕緣膜。在形成第三中間層絕緣膜3 1 9之後’最 好進一步整平其表面。注意，不總是必須形成第三中間層 -34- 1289932 (31) 絕緣膜3 1 9。 藉由用黏合層3 1 7將相對基底3 1 8鍵合其上而密封 EL元件。諸如PES (聚硫醚乙二醇）、PC (聚碳酸酯） 、PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯）、以及PEN (聚萘二甲 酸乙二醇酯）之類的塑膠，可以被用於相對基底。在本實 施例中，採用了聚碳酸酯膜。注意，對於具有反射性的金 屬膜被當成圖素電極1 90的代替物的情況，塑膠基底必須 由具有透光特性的材料製成，且膜厚度小（最好爲10-5 Onm)的金屬膜被當成陰極314。在本實施例中，環氧樹 脂被當成黏合層317，而聚碳酸酯膜被當成相對基底。若 由相同的材料組成的基底被用於是爲轉移構件的基底2 1 3 和相對基底3 1 8，則他們的熱膨脹係數相等，基底從而對 溫度改變造成的應力應變不敏感。 而且，轉移構件2 1 3和相對基底3 1 8按需要被分割成 所需的形狀。然後用已知的技術將FPC (圖中未示出）鍵 合到其上。 接著，參照圖1 5進行說明。圖1 5是根據本實施例製 造的EL元件的上表面照片。從這一照片可以理解用本實 施例的技術製造在塑膠基底上的EL模組的發光。而且， 聚碳酸酯膜被用於EL模組的轉移構件和相對基底，因而 能夠製造極薄的EL模組。 [實施例3] 利用俯視圖8來說明根據實施例1和實施例2得到的 -35- 1289932 (32) EL模組的結構。實施例2中的轉移構件2 1 3對應於塑膠 基底900。 Η 8是俯視圖，顯示具有配備有元件的發光裝置 的一種模組（以下稱爲EL模組）。圖素部分9〇2、源極 側驅動電路90 1、以及閘極側驅動電路903被形成在塑膠 基底900 (典型爲塑膠膜基底）上。可以用上述各個實施 例來製造圖素部分和驅動電路。 而且’參考號9 1 8表示密封材料，而參考號 9丨9表 示保護膜。密封材料9 1 8覆蓋圖素部分和驅動電路部分， 而保護膜9 1 9覆蓋密封材料。注意，最好採用對可見光儘 可能透明或半透明的材料作爲密封材料9丨8。而且，密封 材料9 1 8最好是濕氣和氧儘可能少經由其中的材料。藉由 用密封材料9 1 8和保護膜9 1 9對其進行密封，能夠將發光 元件完全隔絕於外界。從而能夠防止諸如濕氣和氧之類的 促使例如氧化的EL層退化的來自外界的物質的進入。此 外，當採用具有導熱性的薄膜（例如A1 ON膜或A1N膜） 作爲保護膜時，能夠發散驅動過程中産生的熱，從而能夠 獲得具有高可靠性的發光裝置。 此外，用黏合材料將其與相對基底（圖中未示出）密 封。對相對基底的形狀和支座的形狀沒有特別的限制，可 以採用具有平坦表面的形狀、具有彎曲表面的形狀、具有 柔性的形狀、以及具有薄膜形狀的形狀。爲了承受熱和外 力等造成的形變，相對基底最好由與薄膜基底900相同的 材料製成，例如塑膠基底。 -36- 1289932 (33) 而且，雖然圖中未示出，但爲了防止背景由於從所用 金屬層（在此情況下是陰極等）的反射而被反映在其中， 還可以在基底900上提供稱爲圓偏振片並由延遲片（四分 之一波長片）或偏振片組成的圓偏振裝置。 注意，參考號908表示各種接線，用來傳輸輸入到源 極側驅動電路9 0 1和聞極側驅動電路9 0 3的訊號以及經由 其接收來自成爲外部輸入端子的FPC (柔性印刷電路） 909的視頻訊號和時鐘訊號。而且，本實施例的發光裝置 可以採用數位驅動和類比驅動，且視頻訊號可以是數位訊 號和類比訊號。注意，雖然圖中僅僅顯示FPC，但印刷電 路板（PWB )也可以被固定到FPC。本說明書中定義的發 光裝置的範疇不僅包括發光裝置主體，而且還包括以FPC 和PWB形式固定於其上的部分。而且，雖然也有可能在 與圖素部分和驅動電路同一個基底上形成複雜的積體電路 (例如記憶體、CPU、控制器、或D/A控制器），但難以 用少量的掩模來加以製造。因此，最好用c 〇 G (玻璃上 晶片）方法、TAB (帶自動鍵合）方法、或引線鍵合方法 來安裝配備有記憶體、CPU、控制器、D/A轉換器等的積 體電路晶片。 用上述各個技術，能夠在塑膠基底上製造具有電特性 良好的高度可靠薄膜電晶體的EL模組。而且，用塑膠膜 作爲塑膠基底，能夠製造尺寸非常小且重量輕的EL模組 •37- 1289932 (34) [實施例4] 本實施例說明在塑膠基底上製造液晶模組的例子。於 此使用圖9A和9B說明。 首先參照圖9A進行說明。在根據實施例1得到圖6B 狀態的主動矩陣基底C 2 1 6之後，用已知的技術，在基底 能夠承受的溫度範圍內，在圖6 B的主動矩陣基底C上形 成定向膜。然後形成定向膜6 1 7，並執行摩擦技術，從而 製造主動矩陣基底D 600。 注意，圖9A的元件a601、元件b602、元件c603、 以及元件d6 04，分別對應於圖6B的p通道TFT 195、n 通道TFT 196、圖素TFT 197、以及ρ通道TFT 198。還 要注意的是，爲了整平主動矩陣基底的表面，可以採用已 知的技術。在形成源極電極和汲極電極605 -6 1 2以及接線 (圖中未示出）之後，形成第二中間層絕緣膜。此外，形 成第二視窗部分，並形成連接接線6 1 4和圖素電極6 1 5和 6 16° 接著製備相對基底620。 諸如PES (聚硫醚乙二醇）、PC (聚碳酸酯）、PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯）、以及PEN (聚萘二甲酸乙二 醇酯）之類的塑膠，可以被用於相對基底。其中有顔色的 層和遮光層對應於各個圖素被排列的濾色片（圖中未示出 )，被形成在相對基底620上。而且，遮光層（圖中未示 出）還被形成在驅動電路部分內。形成整平膜（圖中未示 出）來覆蓋濾色片和遮光層。接著，在整平膜上形成由透 -38- 1289932 (35) 明電極組成的相對電極62 1，並在整個相對基底上形成定 向膜622 ’並執行摩擦技術。可以用已知的技術，在相對 基底能夠承受的溫度範圍內執行這些技術。 接著’用密封材料624鍵合其上形成圖素部分和驅動 電路的主動矩陣基底D 6 0 0以及相對基底6 2 0。塡充劑被 混合到密封材料中，且二個基底以塡充劑造成的均勻間隔 被鍵合到一起。然後將液晶材料623注入到二個基底之間 ，再用密封劑（圖中未示出）完全密封。已知的液晶材料 可以被當成此液晶材料。 如有需要，主動矩陣基底D 600和相對基底620被分 成所需形狀。此外，可以用已知技術適當地形成偏振片（ 圖中未示出）等。還可以用已知技術鍵合FPC (圖這未示 出）。 注意，倘若其中保持固定厚度的結構被應用於液晶顯 示裝置，則諸如塑膠膜之類的具有柔性的塑膠基底可以被 當成塑膠基底213和相對基底620。 於是能夠製造具有高可靠性和良好電特性的主動矩陣 液晶模組。塑膠被用於基底，因而能夠製造重量非常輕的 液晶模組。 [實施例5] 參照俯視圖1 0來說明基於實施例1和4的這樣得到 的液晶模組的結構。 圖素部分704被置於主動矩陣基底701的中心。用來 -39- 1289932 (36) 驅動源訊號線的源極訊號線驅動電路702被置於圖素部分 704上。用來驅動閘極訊號線的閘極訊號線驅動電路7〇3 被置於圖素部分704的左右。雖然在本實施例中閘極訊號 線驅動電路703相對於圖素部分是對稱的’但液晶模組可 以僅僅在圖素部分的一側具有一個閘極訊號線驅動電路。 設計者可以選擇適合於更好地考慮液晶模組的基底尺寸等 的安排。但就諸如電路工作可靠性和驅動效率而言，圖 1 0所示閘極訊號線驅動電路的對稱安排是較佳的。 各種訊號從柔性印刷電路（F P C ) 7 0 5被輸入到驅動 電路。在中間層絕緣膜和樹脂膜中開出接觸孔並形成連接 電極3 09之後，FPC 705藉由各向異性導電膜之類被壓配 合，以便達及排列在基底7 0 1給定位置中的接線。在本實 施例中，連接電極由ITO組成。 密封劑707沿著基底週邊被塗敷在驅動電路和圖素部 分周圍。然後，相對碁底706被鍵合到基底701，同時， 預先形成在主動矩陣基底上的間隔物保持二個基底之間的 間隙恒定。液晶元素藉由未被密封劑707塗敷的部分被注 入。然後用密封劑708密封二個基底。藉由上述各個步驟 就完成了液晶模組。 雖然此處所有的驅動電路被形成在基底上，但一些積 體電路可以被用於某些驅動電路。 如上所述’能夠製造具有高可靠性、良好電特性、以 及重量輕的主動矩陣液晶模組。 -40- 1289932 (37) [實施例6] 實施例1- 5所示的主動矩陣基底以及採用此主動矩陣 基底的液晶模組和EL模組，能夠被應用於各種電子裝置 的顯示部分。 這種電子裝置包括視頻相機、數位相機、投影儀、頭 戴式顯7K器（風鏡式顯示器）、車輛導航系統、汽車音響 、個人電腦、移動資訊終端（例如移動電腦、行動電話、 或電子書等）等。圖1 2和1 3顯示其實際例子。 圖12A顯示一種個人電腦，它包括主體3〇〇1、影像 輸入部分3002、顯示部分3003、鍵盤3004等。藉由實施 本發明’能夠完成小巧而重量輕的個人電腦。 圖12B顯示一種視頻相機，它包括主體31〇ι、顯示 部分3102、聲音輸入部分3103、操作開關3104、電池 3 1 05、影像接收部分3 1 06等。藉由實施本發明，能夠完 成小巧而重量輕的視頻相機。 圖12C顯示一種移動電腦，它包括主體3 20 1、相機 部分3202、影像接收部分3 203、操作開關3204、顯示部 分3 205等。藉由實施本發明，能夠完成小巧而重量輕的 移動電腦。 圖1 2D顯示一種風鏡式顯示器，它包括主體3 3 0 1、 顯示部分3 3 02、鏡臂部分3 3 03等。藉由實施本發明，能 夠完成小巧而重量輕的風鏡式顯示器。 圖1 2E顯示一種採用其上記錄有程式的記錄媒體（以 下稱爲記錄媒體）的播放器，此播放器包括主體340 1、 -41 - 1289932 (38) 顯示部分3402、揚聲器部分3 403、記錄媒體3404、操作 開關3 405等。此遊戲機使用DVD (數位通用碟）和CD 等作爲記錄媒體，並使用戶能夠欣賞音樂、電影、遊戲、 以及上網。藉由實施本發明，能夠完成小巧而重量輕的播 放器。 圖12F顯示一種數位相機，它包括主體3 5 0 1、顯示 部分3 502、目鏡部份3 5 03、操作開關3 5 04、影像接收部 分（未示出）等。藉由實施本發明，能夠完成小巧而重量 輕的數位相機。 圖1 3 A顯示一種行動電話，它包括主體3 9 〇 i、聲音 輸出部分3902、聲音輸入部分3903、顯示部分3904、操 作開關3 905、天線3 906等。藉由實施本發明，能夠完成 小巧而重量輕的行動電話。 圖13B顯示一種移動圖書（電子書），它包括主體 4001、顯示部分4002和4003、儲存媒體4004、操作開關 4005、天線40 06等。藉由實施本發明，能夠完成小巧而 重量輕的移動記事本。 圖13C顯示一種顯示器，它包括主體41〇1、支持座 4102、顯示部分4103等。藉由實施本發明，能夠完成本 發明的小巧而重量輕的顯示器。 正如從上面的說明可知，本發明的應用範圍極爲廣闊 ’本發明能夠被應用於其中具有半導體裝置的任何種類的 電子裝置。 耢由貫現本發明的結構，能夠獲得下面所示的效果。 -42- 1289932 (39) 疊層的待要剝離的物體能夠從基底被轉移到轉移構件 上，特別是轉移到塑膠基底上。 而且，具有半導體元件（例如薄膜電晶體、有機薄膜 電晶體、薄膜二極體、光電轉換元件、以及電阻元件）的 待要剝離的物體，能夠在短時間內被轉移到轉移構件上， 特別是轉移到塑膠基底上。 而且，在從基底剝離待要剝離的物體並將其轉移到塑 膠基底之後，有可能測量各種半導體元件，典型地說是各 種薄膜電晶體的特性。 此外，在將待要剝離的物體轉移到塑膠基底上之後， 形成在待要剝離的物體上的支座被剝離開，具有待要剝離 的物體的裝置的厚度因而變得較小，從而能夠獲得整個裝 置的小型化。若此裝置是向下發射的發光裝置或透射型液 晶顯示裝置，則能夠提高從發光元件發射的光或後照光的 透射率。 此外，有可能從基底剝離待要剝離的物體而不損傷支 座，從而能夠重新使用此支座。因此，若如石英玻璃這樣 的昂貴材料或稀有材料被當成支座，則能夠大幅度降低成 本。 【圖式簡單說明】 在附圖中： 圖1 A -1 E顯示本發明實施例模式1的槪念圖； 圖2A-2D是剖面圖，顯示根據本發明實施例1的主 -43- 1289932 (40) 動矩陣基底的製造過程； 圖3A-3D是剖面圖’顯不根據本發明實施例1的主 動矩陣基底的製造過程； 圖4 A - 4 C是剖面圖’顯不根據本發明實施例1的主 動矩陣基底的製造過程； 圖5 A和5 B是剖面圖’顯不根據本發明實施例1的 主動矩陣基底的製造過程； 圖6 A和6 B是剖面圖’分別顯示根據本發明實施例1 的主動矩陣基底的剝離處理和轉移處理； 圖7 A和7 B是剖面圖，顯示根據本發明實施例2的 EL模組的製造過程； 圖8是根據本發明實施例3的E L模組的俯視圖； 圖9 A和9 B是剖面圖，顯示根據本發明實施例4的 液晶模組的製造過程； 圖1 〇是根據本發明實施例5的液晶模組的俯視圖； 圖1 1 A -1 1 F顯示本發明的實施例模式2的槪念圖； 圖12A-12F顯示其中應用了本發明實施例6的電子裝 置； 圖13A-13C顯示其中應用了本發明實施例6的電子 裝置； 圖14A和14B顯示根據本發明實施例1製造的TFT 的電特性；和 圖1 5是顯示根據本發明實施例2製造的EL模組之 照片。 -44- 1289932 (41) 主要元件對照表 10 基底 11 剝離層 12 氧化物層 13 待要剝離的物體 14 雙面膠帶 15 支座 16 黏合劑 17 轉移構件 5 0 1 第一黏合劑 5 02 第一基底 5 0 3 第二黏合劑 5 04 第二基底 5 0 5 被固化的黏合劑 5 0 6 支座 5 07 待要剝離的物體 5 0 8 第一黏合劑 5 09 第二黏合劑 5 10 第一黏合劑 511 第二黏合劑 512 第一黏合劑 5 13 第二黏合劑 514 第一黏合劑 -45- 1289932 (42) 5 15 第―黏合 5 16 第一基底 5 17 第二基底 100 基底 10 1 剝離層 102 氧化物層 103 氧化砂膜 104 非晶矽膜 105 溶液 106 屏障層 107 屏障層 108 非晶矽膜

121-124 半導體層 125 絕緣膜 126 氮化鉅膜

127 鎢膜 128-131 掩模 1 3 2- 1 3 5 第一形狀導電層 132a_135a 第一導電層 132b-135b 第二導電層 13 6 閘極絕緣膜 137b-140b 第二導電層 145-148 掩模 1 3 7- 1 40 第二導電膜 -46- 1289932 (43) 141-144 第一雜質區 1 5 0- 1 5 3 掩模 155 第二雜質區 158 掩模 159-161 第三雜質區 1 62- 1 64 第四雜質區 165 第一鈍化膜

166 第一中間層絕緣膜 180 第二中間層絕緣膜 181-188 源極電極和汲極電極 190 圖素電極 315 第三鈍化膜 200 第二中間層絕緣膜 2 0 1 驅動電路 2 0 2 圖素部份

195 p 通道 TFT

196 η 通道 TFT

197 圖素TFT

198 p ® if TFT

203 主動矩陣基底A 210 雙面膠帶 211 支座 101 金屬層

215 主動矩陣基底B -47- (44) 1289932 213 轉移構件 212 黏合劑

216 主動矩陣基底C 3 13 EL 層 315 第三鈍化膜 314 陰極 3 16 EL元件

213 塑膠基底 317 黏合層 3 1 8 相對基底 319 第三中間層絕緣膜 900 塑膠基底 901 源極側驅動電路 902 圖素部份 903 閘極側驅動電路

918 密封材料 919 保護膜 908 接線

909 FPC 6 17 定向膜

600 主動矩陣基底D a601，b602，c603，d604 元件 605-6 1 2 源極電極和汲極電極 614 接線 -48- 1289932 (45) 615, 6 16 圖素電極 620 相對基底 62 1 相對電極 622 定向膜 624 密封材料 623 液晶材料 701 主動矩陣基底 702 源極訊號線驅動電路 703 閘極訊號線驅動電路 704 圖素部份 705 FPC 309 連接電極 707 密封劑 708 密封劑 706 相對基底 3 00 1 主體 3 002 影像輸入部份 3 003 顯示部份 3 004 鍵盤 3101 主體 3 102 顯示部份 3 103 聲音輸入部份 3 104 操作開關 3 105 電池

-49 1289932 (46) 3 106 320 1 3 202 3 203 3204 3205 3 3 0 1 3 3 02 3 3 03 340 1 3402 3403 3404 3405 3 5 0 1 3 5 02 3 5 03 3 5 04 3 90 1 3 902 3 903 3904 3 905 3 906 影像接收部份 主體 相機部份 影像接收部份 操作開關 顯示部份 主體 顯示部份 鏡臂部份 主體 顯示部份 揚聲器部份 記錄媒體 操作開關 主體 顯示部份 目鏡部份 操作開關 主體 聲音輸出部份 聲音輸入部份 顯示部份 操作開關 天線

-50- 1289932 (47) 400 1 主體 4002,4003 顯示部份 4004 儲存媒體 4005 操作開關 4006 天線 4101 主體 4102 支持座 4103 顯示部份 -51 -

Claims (1)

1. (1) 1289932 拾、申請專利範圍 第92 1 1 285 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年2月15日修正 1 · 一種轉移疊層的方法，包含·· 經由剝離層，在第一基底上形成待要剝離的物體； 經由可剝離的黏合劑媒質，將支座鍵合到待要剝離的 物體； 用物理方法’對剝離層和待要剝離的物體進行剝離， 並將待要剝離的物體鍵合到第一轉移構件；以及 從待要剝離的物體剝離支座和可剝離的黏合劑媒質， 其中該可剝離黏合劑媒質包含雙面膠帶，一面用以黏 合該支座及另一面用以黏合該待要剝離的物體。 2· —種轉移疊層的方法，包含： 經由剝離層，在第一基底上形成待要剝離的物體； 經由可剝離的黏合劑媒質，將支座鍵合到待要剝離的 物體； 用物理方法，對剝離層和待要剝離的物體進行剝離， 並將待要剝離的物體的一面鍵合到第一轉移構件，以及 從待要剝離的物體剝離支座和可剝離的黏合劑媒質， 並將待要剝離的物體的另一面鍵合到第二轉移構件， 其中該可剝離黏合劑媒質包含雙面膠帶，一面用以黏 合該支座及另一面用以黏合該待要剝離的物體。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之轉移疊層的方法， (2) 1289932 其中，待要剝離的物體具有半導體元件，此半導體元件包 含選自薄膜電晶體、有機薄膜電晶體、薄膜二極體、光電 轉換元件、以及電阻元件的至少之一。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之轉移疊層的方法， 其中，待要剝離的物體具有氧化物層，此氧化物層包含選 自氧化矽或金屬氧化物的至少之一，且此氧化物層與剝離 層接觸。 5·如申請專利範圍第1或2項之轉移疊層的方法， 其中，剝離層包含金屬膜，此金屬膜含有選自鈦、鋁、鉬 、鎢、鉬、銅、鉻、銨、鐵、鎳、鈷、釕、铑、鈀、餓、 銥的至少之一元素。 6·如申請專利範圍第1或2項之轉移疊層的方法， 其中，剝離層包含氮化物膜，此氮化物膜含有選自鈦、鋁 、鉬、鎢、鉬、銅、鉻、銳、鐵<、鎳、銘、釕、鍺、絶、 餓、銥的至少之一元素。 7·如申請專利範圍第1或2項之轉移疊層的方法， 其中，可剝離黏合劑媒質的黏合劑包含用熱剝離的黏合劑 〇 8 ·如申請專利範圍第1或2項之轉移疊層的方法， 其中，可剝離黏合劑媒質的黏合劑包含用紫外光剝離的黏 合劑。 9·如申請專利範圍第1或2項之轉移疊層的方法， 其中，可剝離黏合劑媒質的之一黏合劑包含用熱剝離的黏 合劑，且可剝離黏合劑媒質的另一黏合劑包含用紫外光剝 -2- (3) 1289932 離的黏合劑。 1〇·如申請專利範圍第1或2項之轉移疊層的方法， 其中，第一轉移構件包含塑膠。 11·如申請專利範圍第2項之轉移疊層的方法，其中 ’第二轉移構件包含塑膠。 12· —種半導體裝置的製造方法，包含： 經由剝離層，在第一基底上形成包含半導體元件的待 要剝離的物體； 經由可剝離的黏合劑媒質’將支座鍵合到待要剝離的 物體； 用物理方法，對剝離層和待要剝離的物體進行剝離， 並將待要剝離的物體鍵合到第一轉移構件；以及 從待要剝離的物體剝離支座和可剝離的黏合劑媒質， 其中該可剝離黏合劑媒質包含雙面膠帶，一面用以黏 合該支座及另一面用以黏合該待要剝離的物體。 13. —種半導體裝置的製造方法，包含： 經由剝離層，在第一基底上形成包含半導體元件的待 要剝離的物體； 經由可剝離的黏合劑媒質，將支座鍵合到待要剝離的 物體； 用物理方法，對剝離層和待要剝離的物體進行剝離， 並將待要剝離的物體的一面鍵合到第一轉移構件；以及 從待要剝離的物體剝離支座和可剝離的黏合劑媒質， 並將待要剝離的物體的另一面鍵合到第二轉移構件， -3- (4) 1289932 其中該可剝離黏合劑媒質包含雙面膠帶，一面用以黏 合該支座及另一面用以黏合該待要剝離的物體。 1 4 ·如申請專利範圍第丨2或1 3項之半導體裝置的製 造方法’其中待要剝離的物體具有半導體元件，此半導體 元件包含選自薄膜電晶體、有機薄膜電晶體、薄膜二極體 、光電轉換元件、以及電阻元件的至少之一。 15·如申請專利範圍第12或13項之半導體裝置的製 造方法，其中待要剝離的物體具有氧化物層，此氧化物層 包含選自氧化矽或金屬氧化物的至少之一，且此氧化物層 與剝離層接觸。 1 6 ·如申請專利範圍第1 2或1 3項之半導體裝置的製 造方法，其中剝離層包含金屬膜，此金屬膜含有選自鈦、 鋁、鉅、鎢、鉬、銅、鉻、銨、鐵、鎳、鈷、釕、铑、鈀 、餓、銥的至少之一元素。 1 7 ·如申請專利範圍第1 2或1 3項之半導體裝置的製 造方法，其中剝離層包含氮化物膜，此氮化物膜含有選自 鈦、鋁、鉬、鎢、鉬、銅、鉻、銨、鐵、鎳、鈷、釕、鍺 、®、餓、銥的至少之一元素。 1 8 .如申請專利範圍第1 2或1 3項之半導體裝置的製 ^方法，其中可剝離黏合劑媒質的黏合劑包含用熱剝離的 黏合劑。 19·如申請專利範圍第12或13項之半導體裝置的製 _ Θ法，其中可剝離黏合劑媒質的黏合劑包含用紫外光剝 離的黏合劑。 -4 - (5) 1289932 2 0.如申請專利範圍第12或13項之半導體裝置的製 造方法，其中可剝離黏合劑媒質之一黏合劑包含用熱剝離 的黏合劑，且可剝離黏合劑媒質的另一黏合劑包含用紫外 光剝離的黏合劑。 2 1 ·如申請專利範圍第〗2或1 3項之半導體裝置的製 造方法，其中第一轉移構件包含塑膠。 22·如申請專利範圍第13項之半導體裝置的製造方 法’其中第二轉移構件包含塑膠。 23·如申請專利範圍第12或13項之半導體裝置的製 法’其中該半導體裝置是選自由個人電腦、視頻相機 ' @ _電腦、風鏡式顯示器、採用記錄媒體的播放器、數 {相機、移動電話、以及電子書的至少之一。

   -5-