TWI768349B - 晶片移轉系統以及晶片移轉模組 - Google Patents

晶片移轉系統以及晶片移轉模組 Download PDF

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Abstract

本發明公開一種晶片移轉系統以及晶片移轉模組。晶片移轉系統包括：一晶片承載裝置以及一超音波產生裝置。晶片移轉模組包括一吸嘴裝置以及一超音波產生裝置。晶片承載裝置包括一晶片承載結構以及設置在晶片承載結構的一第一表面上的一晶片黏附層。超音波產生裝置包括可移動地接觸晶片承載結構的一第二表面的一超音波接觸頭。藉此，當多個晶片黏附在晶片黏附層上時，每一晶片能透過超音波接觸頭所產生的超音波震動，以脫離晶片黏附層的黏附且移轉到一電路基板或者一非電路基板上。

Description

晶片移轉系統以及晶片移轉模組
本發明涉及一種移轉系統以及移轉裝置，特別是涉及一種晶片移轉系統以及晶片移轉模組。
現有技術中，晶片可以透過吸嘴的取放動作或是頂針的頂抵動作，以從一承載體移轉到另一承載體上。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種晶片移轉系統、晶片移轉方法以及晶片移轉模組。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種晶片移轉系統，其包括：一晶片承載裝置以及一超音波產生裝置。所述晶片承載裝置包括一晶片承載結構以及設置在所述晶片承載結構的一第一表面上的一晶片黏附層。所述超音波產生裝置包括可移動地接觸所述晶片承載結構的一第二表面的一超音波接觸頭。其中，多個晶片黏附在所述晶片黏附層上，且每一所述晶片透過所述超音波接觸頭所產生的超音波震動，以脫離所述晶片黏附層的黏附且移轉到一電路基板或者一非電路基板上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是 提供一種晶片移轉方法，其包括：透過一晶片承載裝置以承載多個晶片，其中所述晶片承載裝置包括一晶片承載結構以及設置在所述晶片承載結構的一第一表面上的一晶片黏附層，多個所述晶片黏附在所述晶片黏附層上；透過一超音波產生裝置以接觸所述晶片承載結構的一第二表面，其中所述超音波產生裝置包括可移動地接觸所述晶片承載結構的所述第二表面的一超音波接觸頭；以及，透過所述超音波接觸頭所產生的超音波震動，以使得所述晶片脫離所述晶片黏附層的黏附，而移轉到一電路基板或者一非電路基板上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種晶片移轉模組，其包括：一吸嘴裝置以及一超音波產生裝置。所述吸嘴裝置包括一吸嘴結構，且所述吸嘴結構包括一第一吸氣開口以及圍繞所述第一吸氣開口的多個第二吸氣開口。所述超音波產生裝置包括可移動地設置在所述吸嘴結構內部的一超音波接觸頭。其中，所述超音波接觸頭的一接觸部可移動地設置在所述第一吸氣開口內，且一晶片透過所述超音波接觸頭所產生的超音波震動，以脫離一晶片黏附層的黏附且移轉到一電路基板或者一非電路基板上。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的晶片移轉系統以及晶片移轉模組，其能通過“所述晶片承載裝置包括一晶片承載結構以及設置在所述晶片承載結構的一第一表面上的一晶片黏附層”以及“所述超音波產生裝置包括可移動地接觸所述晶片承載結構的一第二表面的一超音波接觸頭”的技術方案，以使得當多個晶片黏附在所述晶片黏附層上時，每一所述晶片能透過所述超音波接觸頭所產生的超音波震動，以脫離所述晶片黏附層的黏附且移轉到一電路基板或者一非電路基板上。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的晶片移轉方法，其能通過“透過一晶片承載裝置以承載多個晶片，其中所述晶片承載裝置包 括一晶片承載結構以及設置在所述晶片承載結構的一第一表面上的一晶片黏附層，多個所述晶片黏附在所述晶片黏附層上”以及“透過一超音波產生裝置以接觸所述晶片承載結構的一第二表面，其中所述超音波產生裝置包括可移動地接觸所述晶片承載結構的所述第二表面的一超音波接觸頭”的技術方案，以使得所述晶片能透過所述超音波接觸頭所產生的超音波震動，以脫離所述晶片黏附層的黏附且移轉到一電路基板或者一非電路基板上。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的晶片移轉模組，其能通過“所述吸嘴裝置包括一吸嘴結構，且所述吸嘴結構包括一第一吸氣開口以及圍繞所述第一吸氣開口的多個第二吸氣開口”以及“所述超音波產生裝置包括可移動地設置在所述吸嘴結構內部的一超音波接觸頭”的技術方案，以使得當所述超音波接觸頭的一接觸部可移動地設置在所述第一吸氣開口內時，一晶片能透過所述超音波接觸頭所產生的超音波震動，以脫離一晶片黏附層的黏附且移轉到一電路基板或者一非電路基板上。
為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
S:晶片移轉系統
D:晶片移轉模組
1:晶片承載裝置
10:晶片承載結構
1001:第一表面
1002:第二表面
100:軟質基板
101:承載基板
102:介質層
11:晶片黏附層
2:超音波產生裝置
20:超音波接觸頭
200:接觸部
3:吸嘴裝置
30:吸嘴結構
301:第一吸氣開口
302:第二吸氣開口
C:晶片
C100:晶片焊墊
C101:第一端
C102:第二端
P:電路基板
P100:導電焊墊
PM:導電材料
N:非電路基板
N11:絕緣基板
N12:黏著材料層
圖1為本發明所提供的晶片移轉方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例所提供的晶片移轉系統的第一種示意圖。
圖3為本發明第一實施例所提供的晶片移轉系統的第二種示意圖。
圖4為本發明的晶片被移轉到其中兩個相鄰的導電材料上的第 一種俯視示意圖。
圖5為本發明的晶片被移轉到其中兩個相鄰的導電材料上的第二種俯視示意圖。
圖6為本發明第二實施例所提供的晶片移轉系統的第一種示意圖。
圖7為本發明第二實施例所提供的晶片移轉系統的第二種示意圖。
圖8為本發明所提供的晶片移轉模組的仰視剖面示意圖。
圖9為本發明第三實施例所提供的晶片移轉系統的第一種示意圖。
圖10為本發明第三實施例所提供的晶片移轉系統的第二種示意圖。
圖11為本發明第四實施例所提供的晶片移轉系統的第一種示意圖。
圖12為本發明第四實施例所提供的晶片移轉系統的第二種示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“晶片移轉系統、晶片移轉方法以及晶片移轉模組”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一 步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
參閱圖1至圖12所示，本發明提供一種晶片移轉系統S，其包括：一晶片承載裝置1以及一超音波產生裝置2。晶片承載裝置1包括一晶片承載結構10以及設置在晶片承載結構10的一第一表面1001上的一晶片黏附層11。超音波產生裝置2包括可移動地接觸晶片承載結構10的一第二表面1002的一超音波接觸頭20。其中，多個晶片C黏附在晶片黏附層11上，且每一晶片C透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以脫離晶片黏附層11的黏附且移轉到一電路基板P或者一非電路基板N上。舉例來說，晶片C可為發光二極體晶片或者是IC晶片，然而本發明不以此舉例為限。
參閱圖1至圖12所示，本發明提供一種晶片移轉方法，其包括：透過一晶片承載裝置1以承載多個晶片C，其中晶片承載裝置1包括一晶片承載結構10以及設置在晶片承載結構10的一第一表面1001上的一晶片黏附層11，多個晶片C黏附在晶片黏附層11上；透過一超音波產生裝置2以接觸晶片承載結構10的一第二表面1002，其中超音波產生裝置2包括可移動地接觸晶片承載結構10的第二表面1002的一超音波接觸頭20；以及，透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以使得晶片C脫離晶片黏附層11的黏附，而移轉到一電路基板P或者一非電路基板N上。舉例來說，晶片C可為發光二極體晶片或者是IC晶片，然而本發明不以此舉例為限。
參閱圖1至圖12所示，本發明提供一種晶片移轉模組D，其包括：一吸嘴裝置3以及一超音波產生裝置2。吸嘴裝置3包括一吸嘴結構30，並且吸嘴結構30包括一第一吸氣開口301以及圍繞第一吸氣開口301的多個第二吸氣開口302。超音波產生裝置2包括可移動地設置在吸嘴結構30內部的一超音波 接觸頭20。其中，超音波接觸頭20的一接觸部200可移動地設置在第一吸氣開口301內，且一晶片C透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以脫離一晶片黏附層11的黏附且移轉到一電路基板P或者一非電路基板N上。舉例來說，晶片C可為發光二極體晶片或者是IC晶片，然而本發明不以此舉例為限。
[第一實施例]
參閱圖2與圖3所示，本發明第一實施例提供一種晶片移轉系統S，其包括：一晶片承載裝置1以及一超音波產生裝置2。
更進一步來說，配合圖2或者圖3所示，晶片承載裝置1包括一晶片承載結構10以及設置在晶片承載結構10的一第一表面1001上的一晶片黏附層11，並且多個晶片C會黏附在晶片黏附層11上。舉例來說，晶片承載結構10包括一承載基板101以及設置在承載基板101的一第一表面上的一介質層102，並且晶片黏附層11設置在承載基板101的一第二表面上。此外，承載基板101可為軟質薄膜、硬質玻璃或者任何絕緣基板，並且介質層102可為潤滑材料(例如甘油或者任何的油類品)，或者可為任何種類的軟質材料。然而，上述的說明只是本發明的其中一種實施方式，本發明不以上述所舉的例子為限。
更進一步來說，配合圖2或者圖3所示，超音波產生裝置2包括可移動地接觸晶片承載結構10的一第二表面1002的一超音波接觸頭20，並且每一晶片C能透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以脫離晶片黏附層11的黏附且移轉到一電路基板P上。舉例來說，超音波接觸頭20的一接觸部200可移動地(或者可振動地)接觸晶片承載結構10的介質層102，並且超音波接觸頭20的接觸部200可以剛好接觸介質層102的表面或者部分置入介質層102內，但是超音波接觸頭20的接觸部200不會接觸到承載基板101，以避免超音波接觸頭20與承載基板101相互損傷(磨傷或者刮傷)，並且還能減少超音波能量的損耗。然而，上述的說明只是本發明的其中一種實施方式，本發明不以上述 所舉的例子為限。
舉例來說，配合圖2與圖3所示，由於晶片承載結構10與電路基板P會同時沿著垂直於超音波接觸頭20的方向(如圖2與圖3的箭頭所示)且相對於超音波接觸頭20的接觸部200移動，使得超音波接觸頭20的接觸部200會沿著晶片承載結構10的介質層102的延伸方向移動(也就是說超音波接觸頭20的接觸部200會沿著相反於晶片承載結構10的移動方向移動)。然而，上述的說明只是本發明的其中一種實施方式，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉例來說，配合圖2與圖3所示，每一晶片C具有黏附在晶片黏附層11上的一第一端C101以及相對於第一端C101的一第二端C102，並且每一晶片C的第二端C102上包括兩個晶片焊墊C100。另外，電路基板P包括多個導電焊墊P100以及分別設置在多個導電焊墊P100上的多個導電材料PM。藉此，當超音波接觸頭20的接觸部200對相對應的晶片C施加超音波震動時，相對應的晶片C會脫離晶片黏附層11的黏附，並且移轉到電路基板P上。也就是說，每一晶片C能透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以脫離晶片黏附層11的黏附並移轉到電路基板P的其中兩個相鄰的導電材料PM上。值得注意的是，當每一晶片C被移轉到電路基板P的其中兩個相鄰的導電材料PM上時，每一晶片C的兩個晶片焊墊C100會分別接觸其中兩個相鄰的導電材料PM，並且每一晶片C的第一端C101會裸露而出。然而，上述的說明只是本發明的其中一種實施方式，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉例來說，配合圖4與圖5所示，如果晶片C在移轉到其中兩個相鄰的導電材料PM上時產生暫時偏斜的話(如圖4所示)，可以先對兩個相鄰的導電材料PM進行加熱(可以利用雷射加熱或者過錫爐烘烤)，以使得暫時偏斜的晶片C可以透過熔化的兩個導電材料PM所提供的表面張力而被導正回來(如圖5所示)。也就是說，晶片C的兩個晶片焊墊C100可以透過熔化的兩個 導電材料PM所提供的表面張力而被導正回來(晶片焊墊C100與導電材料PM兩者都是金屬而具有相互吸引的用作)，以使得兩個晶片焊墊C100能夠完全分別被兩個導電材料PM所覆蓋。然而，上述的說明只是本發明的其中一種實施方式，本發明不以上述所舉的例子為限。
更進一步來說，配合圖1至圖3所示，本發明第一實施例提供一種晶片移轉方法，其包括：首先，透過一晶片承載裝置1以承載多個晶片C，其中晶片承載裝置1包括一晶片承載結構10以及設置在晶片承載結構10的一第一表面1001上的一晶片黏附層11，多個晶片C黏附在晶片黏附層11上(步驟S100(A))；然後，透過一超音波產生裝置2以接觸晶片承載結構10的一第二表面1002，其中超音波產生裝置2包括可移動地接觸晶片承載結構10的第二表面1002的一超音波接觸頭20(步驟S102)；接著，透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以使得晶片C脫離晶片黏附層11的黏附，而移轉到一電路基板P上(步驟S104(A))。
[第二實施例]
參閱圖6至圖8所示，本發明第二實施例提供一種晶片移轉系統S以及一種晶片移轉模組D。晶片移轉系統S包括一晶片承載裝置1、一超音波產生裝置2以及一吸嘴裝置3，並且晶片移轉模組D包括一超音波產生裝置2以及一吸嘴裝置3。由圖6與圖2的比較，以及圖7與圖3的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的不同在於：在第二實施例中，晶片承載結構10包括一軟質基板100，並且吸嘴裝置3包括接觸(或者吸住)晶片承載結構10的第二表面1002的一吸嘴結構30。
舉例來說，配合圖6至圖8所示，吸嘴結構30包括一第一吸氣開口301以及圍繞第一吸氣開口301的多個第二吸氣開口302，並且第一吸氣開口301可以大於或者小於、小於或者等於第二吸氣開口302。另外，第一吸氣開口 301的尺寸(例如孔徑)大於或者小於超音波接觸頭20的一接觸部200的尺寸(例如直徑)，以使得超音波接觸頭20的接觸部200可移動地(或者可震動地)設置在第一吸氣開口301內且可移動地(或者可震動地)接觸晶片承載結構10的軟質基板100。然而，上述的說明只是本發明的其中一種實施方式，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉例來說，配合圖6與圖7所示，由於晶片承載結構10與電路基板P會同時沿著垂直於超音波接觸頭20的方向(如圖6與圖7的箭頭所示)且相對於超音波接觸頭20的接觸部200移動，使得超音波接觸頭20的接觸部200會沿著晶片承載結構10的軟質基板100的一表面移動(也就是說超音波接觸頭20的接觸部200會沿著相反於晶片承載結構10的移動方向移動)。然而，上述的說明只是本發明的其中一種實施方式，本發明不以上述所舉的例子為限。
更進一步來說，配合圖1、圖6與圖7所示，本發明第二實施例提供一種晶片移轉方法，其包括：首先，透過一吸嘴裝置3接觸(吸住)一晶片承載裝置1，且透過晶片承載裝置1以承載多個晶片C，其中晶片承載裝置1包括一晶片承載結構10以及設置在晶片承載結構10的一第一表面1001上的一晶片黏附層11，多個晶片C黏附在晶片黏附層11上(步驟S100(B))；然後，透過一超音波產生裝置2以接觸晶片承載結構10的一第二表面1002，其中超音波產生裝置2包括可移動地接觸晶片承載結構10的第二表面1002的一超音波接觸頭20(步驟S102)；接著，透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以使得晶片C脫離晶片黏附層11的黏附，而移轉到一電路基板P上(步驟S104(A))。
[第三實施例]
參閱圖9與圖10所示，本發明第三實施例提供一種晶片移轉系統S，其包括一晶片承載裝置1以及一超音波產生裝置2。由圖9與圖2的比較，以及圖10與圖3的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最大的不同在於： 在第三實施例中，每一晶片C具有黏附在晶片黏附層11上的一第一端C101以及相對於第一端C101的一第二端C102，並且每一晶片C的第一端C101上包括兩個晶片焊墊C100。另外，非電路基板N包括一絕緣基板N11以及設置在絕緣基板N11上的一黏著材料層N12。藉此，當超音波接觸頭20的接觸部200對相對應的晶片C施加超音波震動時，相對應的晶片C會脫離晶片黏附層11的黏附，並且移轉到非電路基板N上。也就是說，每一晶片C能透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以脫離晶片黏附層11的黏附並移轉到非電路基板N的黏著材料層N12上。值得注意的是，當每一晶片C被移轉到非電路基板N的黏著材料層N12上時，每一晶片C的第二端C102會被黏著材料層N12所覆蓋，並且每一晶片C的兩個晶片焊墊C100會裸露而出。另外一可行實施例中，每一晶片C的兩個晶片焊墊C100也可以設置在第二端C102上，所以當每一晶片C被移轉到非電路基板N的黏著材料層N12上時，每一晶片C的兩個晶片焊墊C100會被黏著材料層N12所覆蓋。然而，上述的說明只是本發明的其中一種實施方式，本發明不以上述所舉的例子為限。
更進一步來說，配合圖1、圖9與圖10所示，本發明第三實施例提供一種晶片移轉方法，其包括：首先，透過一晶片承載裝置1以承載多個晶片C，其中晶片承載裝置1包括一晶片承載結構10以及設置在晶片承載結構10的一第一表面1001上的一晶片黏附層11，多個晶片C黏附在晶片黏附層11上(步驟S100(A))；然後，透過一超音波產生裝置2以接觸晶片承載結構10的一第二表面1002，其中超音波產生裝置2包括可移動地接觸晶片承載結構10的第二表面1002的一超音波接觸頭20(步驟S102)；接著，透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以使得晶片C脫離晶片黏附層11的黏附，而移轉到一非電路基板N上(步驟S104(B))。
[第四實施例]
參閱圖11與圖12所示，本發明第四實施例提供一種晶片移轉系統S以及一種晶片移轉模組D。晶片移轉系統S包括一晶片承載裝置1、一超音波產生裝置2以及一吸嘴裝置3，並且晶片移轉模組D包括一超音波產生裝置2以及一吸嘴裝置3。由圖11與圖6的比較，以及圖12與圖7的比較可知，本發明第四實施例與第二實施例最大的不同在於：在第四實施例中，每一晶片C具有黏附在晶片黏附層11上的一第一端C101以及相對於第一端C101的一第二端C102，並且每一晶片C的第一端C101上包括兩個晶片焊墊C100。另外，非電路基板N包括一絕緣基板N11以及設置在絕緣基板N11上的一黏著材料層N12。藉此，當超音波接觸頭20的接觸部200對相對應的晶片C施加超音波震動時，相對應的晶片C會脫離晶片黏附層11的黏附，並且移轉到非電路基板N上。也就是說，每一晶片C能透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以脫離晶片黏附層11的黏附並移轉到非電路基板N的黏著材料層N12上。值得注意的是，當每一晶片C被移轉到非電路基板N的黏著材料層N12上時，每一晶片C的第二端C102會被黏著材料層N12所覆蓋，並且每一晶片C的兩個晶片焊墊C100會裸露而出。另外一可行實施例中，每一晶片C的兩個晶片焊墊C100也可以設置在第二端C102上，所以當每一晶片C被移轉到非電路基板N的黏著材料層N12上時，每一晶片C的兩個晶片焊墊C100會被黏著材料層N12所覆蓋。然而，上述的說明只是本發明的其中一種實施方式，本發明不以上述所舉的例子為限。
更進一步來說，配合圖1、圖11與圖12所示，本發明第四實施例提供一種晶片移轉方法，其包括：首先，透過一吸嘴裝置3接觸(吸住)一晶片承載裝置1，且透過晶片承載裝置1以承載多個晶片C，其中晶片承載裝置1包括一晶片承載結構10以及設置在晶片承載結構10的一第一表面1001上的一晶片黏附層11，多個晶片C黏附在晶片黏附層11上(步驟S100(B))；然後，透 過一超音波產生裝置2以接觸晶片承載結構10的一第二表面1002，其中超音波產生裝置2包括可移動地接觸晶片承載結構10的第二表面1002的一超音波接觸頭20(步驟S102)；接著，透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以使得晶片C脫離晶片黏附層11的黏附，而移轉到一非電路基板N上(步驟S104(B))。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的晶片移轉系統S以及晶片移轉模組D，其能通過“晶片承載裝置1包括一晶片承載結構10以及設置在晶片承載結構10的一第一表面1001上的一晶片黏附層11”以及“超音波產生裝置2包括可移動地接觸晶片承載結構10的一第二表面1002的一超音波接觸頭20”的技術方案，以使得當多個晶片C黏附在晶片黏附層11上時，每一晶片C能透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以脫離晶片黏附層11的黏附且移轉到一電路基板P或者一非電路基板N上。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的晶片移轉方法，其能通過“透過一晶片承載裝置1以承載多個晶片C，其中晶片承載裝置1包括一晶片承載結構10以及設置在晶片承載結構10的一第一表面1001上的一晶片黏附層11，多個晶片C黏附在晶片黏附層11上”以及“透過一超音波產生裝置2以接觸晶片承載結構10的一第二表面1002，其中超音波產生裝置2包括可移動地接觸晶片承載結構10的第二表面1002的一超音波接觸頭20”的技術方案，以使得晶片C能透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以脫離晶片黏附層11的黏附且移轉到一電路基板P或者一非電路基板N上。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的晶片移轉模組D，其能通過“吸嘴結構30包括一第一吸氣開口301以及圍繞第一吸氣開口301的多個第二吸氣開口302”以及“超音波產生裝置2包括可移動地設置在吸嘴 結構30內部的一超音波接觸頭20”的技術方案，以使得當超音波接觸頭20的一接觸部200可移動地設置在第一吸氣開口301內時，一晶片C能透過超音波接觸頭20所產生的超音波震動，以脫離一晶片黏附層11的黏附且移轉到一電路基板P或者一非電路基板N上。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
S:晶片移轉系統
D:晶片移轉模組
1:晶片承載裝置
10:晶片承載結構
1001:第一表面
1002:第二表面
100:軟質基板
11:晶片黏附層
2:超音波產生裝置
20:超音波接觸頭
200:接觸部
3:吸嘴裝置
30:吸嘴結構
301:第一吸氣開口
302:第二吸氣開口
C:晶片
C100:晶片焊墊
C101:第一端
C102:第二端
P:電路基板
P100:導電焊墊
PM:導電材料

Claims (6)

  1. 一種晶片移轉系統，其包括：一晶片承載裝置，所述晶片承載裝置用於承載一第一表面上具有一晶片黏附層的一晶片承載結構；以及一超音波產生裝置，所述超音波產生裝置包括用於可相對於所述晶片承載結構移動並接觸所述晶片承載結構的一第二表面的一超音波接觸頭。
  2. 如請求項1所述的晶片移轉系統，進一步包括：一吸嘴裝置，所述吸嘴裝置包括用於接觸所述晶片承載結構的所述第二表面的一吸嘴結構，所述吸嘴結構包括一第一吸氣開口以及圍繞所述第一吸氣開口的多個第二吸氣開口，且所述第一吸氣開口大於或者小於所述第二吸氣開口；其中，所述晶片承載結構包括一軟質基板，且所述軟質基板的一部分被所述第一吸氣開口與多個所述第二吸氣開口所吸附；其中，所述超音波接觸頭可移動地設置在所述吸嘴結構的內部，且所述超音波接觸頭的一接觸部可移動地設置在所述第一吸氣開口內，以用於可移動地接觸所述晶片承載結構的所述軟質基板；其中，所述晶片承載結構沿著垂直於所述超音波接觸頭的方向且相對於所述超音波接觸頭的所述接觸部移動，以使得所述超音波接觸頭的所述接觸部沿著所述晶片承載結構的所述軟質基板的一表面移動；其中，所述超音波接觸頭的所述接觸部用於對黏附在所述晶片黏附層上的多個晶片中相對應的晶片施加超音波震動，以使得相對應的所述晶片脫離所述晶片黏附層的黏附，而移轉到所述電路基板或者所述非電路基板上。
  3. 如請求項1所述的晶片移轉系統，其中，用於被所述晶片承 載裝置所承載的所述晶片承載結構包括一承載基板以及設置在所述承載基板的一第一表面上的一介質層，所述晶片黏附層設置在所述承載基板的一第二表面上，且所述超音波接觸頭的一接觸部用於可移動地接觸所述晶片承載結構的所述介質層；其中，所述晶片承載結構沿著垂直於所述超音波接觸頭的方向且相對於所述超音波接觸頭的所述接觸部移動，以使得所述超音波接觸頭的所述接觸部沿著所述晶片承載結構的所述介質層的延伸方向移動；其中，所述超音波接觸頭的所述接觸部用於對黏附在所述晶片黏附層上的多個晶片中相對應的晶片施加超音波震動，以使得相對應的所述晶片脫離所述晶片黏附層的黏附，而移轉到所述電路基板或者所述非電路基板上。
  4. 如請求項1所述的晶片移轉系統，其中，多個晶片黏附在所述晶片黏附層上，所述多個晶片中的每一晶片具有黏附在所述晶片黏附層上的一第一端以及相對於所述第一端的一第二端，且每一所述晶片的所述第二端上包括兩個晶片焊墊；其中，所述電路基板包括多個導電焊墊以及分別設置在多個所述導電焊墊上的多個導電材料，且每一所述晶片透過所述超音波接觸頭所產生的超音波震動，以脫離所述晶片黏附層的黏附並移轉到所述電路基板的其中兩個相鄰的所述導電材料上；其中，當每一所述晶片被移轉到所述電路基板的其中兩個相鄰的所述導電材料上時，每一所述晶片的兩個所述晶片焊墊分別接觸其中兩個相鄰的所述導電材料，且每一所述晶片的所述第一端裸露而出。
  5. 如請求項1所述的晶片移轉系統，其中，多個晶片黏附在所 述晶片黏附層上，所述多個晶片中的每一晶片具有黏附在所述晶片黏附層上的一第一端以及相對於所述第一端的一第二端，且每一所述晶片的所述第一端上包括兩個晶片焊墊；其中，所述非電路基板包括一絕緣基板以及設置在所述絕緣基板上的一黏著材料層，且每一所述晶片透過所述超音波接觸頭所產生的超音波震動，以脫離所述晶片黏附層的黏附並移轉到所述非電路基板的所述黏著材料層上；其中，當每一所述晶片被移轉到所述非電路基板的所述黏著材料層上時，每一所述晶片的所述第二端被所述黏著材料層所覆蓋，且每一所述晶片的兩個所述晶片焊墊裸露而出。
  6. 一種晶片移轉模組，其包括：一吸嘴裝置，所述吸嘴裝置包括一吸嘴結構，所述吸嘴結構包括一第一吸氣開口以及圍繞所述第一吸氣開口的多個第二吸氣開口；以及一超音波產生裝置，所述超音波產生裝置包括可相對於所述吸嘴結構移動並設置在所述吸嘴結構內部的一超音波接觸頭；其中，所述超音波接觸頭的一接觸部可移動地設置在所述第一吸氣開口內，用於使一晶片透過所述超音波接觸頭所產生的超音波震動，而脫離一晶片黏附層的黏附且移轉到一電路基板或者一非電路基板上。
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