TWI688317B - 發光二極體晶片的固接方法及固接裝置 - Google Patents

發光二極體晶片的固接方法及固接裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI688317B
TWI688317B TW107138610A TW107138610A TWI688317B TW I688317 B TWI688317 B TW I688317B TW 107138610 A TW107138610 A TW 107138610A TW 107138610 A TW107138610 A TW 107138610A TW I688317 B TWI688317 B TW I688317B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
emitting diode
light
light source
layer
laser light
Prior art date
Application number
TW107138610A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202019253A (zh
Inventor
廖建碩
Original Assignee
台灣愛司帝科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣愛司帝科技股份有限公司 filed Critical 台灣愛司帝科技股份有限公司
Priority to TW107138610A priority Critical patent/TWI688317B/zh
Priority to CN201910065532.6A priority patent/CN111129272B/zh
Priority to US16/384,267 priority patent/US10910530B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI688317B publication Critical patent/TWI688317B/zh
Publication of TW202019253A publication Critical patent/TW202019253A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/77—Apparatus for connecting with strap connectors
    • H01L2224/7725—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/77261—Laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78261—Laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明公開一種發光二極體晶片的固接方法及固接裝置。發光二極體晶片的固接方法包括：提供一電路基板，電路基板包括多個導電焊點；接著，透過一晶片取放模組，以將多個導電體分別設置在些導電焊點上；然後，將多個發光二極體晶片設置在電路基板，每一發光二極體晶片設置在至少兩個導電體上；接下來，將一雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向每一發光二極體晶片，以使得雷射光源穿過發光二極體晶片且投射在至少兩個導電體上；最後，設置在發光二極體晶片與電路基板之間的導電體通過雷射光源的照射而固化，以使得發光二極體晶片被固接在電路基板上。藉此，導電體能夠受到穿過發光二極體晶片的雷射光源的照射而固化，而使得發光二極體晶片被固接在電路基板上。

Description

發光二極體晶片的固接方法及固接裝置
本發明涉及一種晶片的固接方法及固接裝置，特別是涉及一種發光二極體晶片的固接方法及固接裝置。
目前，發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說，為了使採用發光二極體做為發光元件的顯示裝置具有較佳的色彩表現能力，現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片的相互搭配而組成一全彩發光二極體顯示裝置，此全彩發光二極體顯示裝置可通過紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光，然後再通過混光後形成一全彩色光，以進行相關資訊的顯示。然而，在現有技術中，將發光二極體晶片固定在電路基板上的製程中，需要先將承載發光二極體晶片的基板先行移除。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光二極體晶片的固接方法及固接裝置。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種發光二極體晶片的固接方法，其包括：首先，提供一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點；接著，將多個導電體分別設置在該些導電焊點上；然後，將多個發光二極體晶片設置在該電路基板，每一該發光二極體晶片設置在至少兩個該導電體上；接下來，將一雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向 每一該發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個該導電體上；最後，設置在該發光二極體晶片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種發光二極體晶片的固接裝置，其包括：一承載模組、一晶片取放模組以及一雷射光源產生模組。該承載模組用於承載一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點，多個導電體分別設置在該些導電焊點上。該晶片取放模組用於將多個發光二極體晶片設置在該電路基板，每一該發光二極體晶片設置在至少兩個該導電體上。該雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向每一該發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個該導電體上。其中，該承載模組、該晶片取放模組以及該雷射光源產生模組彼此鄰近且設置在同一生產線上。其中，設置在該發光二極體晶片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種發光二極體晶片的固接裝置，其包括一承載模組、一晶片取放模組以及一雷射光源產生模組，該承載模組、該晶片取放模組以及該雷射光源產生模組設置在同一生產線上，該雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向一發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個導電體上，該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在一電路基板上。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片的固接方法，其能通過“提供一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點”、“將多個發光二極體晶片設置在該電路基板， 每一該發光二極體晶片設置在至少兩個該導電體上”、“將一雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向每一該發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個該導電體上”以及“設置在該發光二極體晶片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化”的技術方案，使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片的固接裝置，其能通過“一承載模組，其用於承載一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點，多個導電體分別設置在該些導電焊點上”、“一雷射光源產生模組，其所產生的一雷射光源投向每一該發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個該導電體上”、“該承載模組、該晶片取放模組以及該雷射光源產生模組彼此鄰近且設置在同一生產線上”以及“設置在該發光二極體晶片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化”的技術方案，使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上。
本發明的另外再一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片的固接裝置，其能通過“固接裝置包括一承載模組、一晶片取放模組以及一雷射光源產生模組”、“該承載模組、該晶片取放模組以及該雷射光源產生模組設置在同一生產線上”以及“該雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向一發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個導電體上，該導電體通過該雷射光源的照射而固化”的技術方案，使得該發光二極體晶片被固接在一電路基板上。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
Z‧‧‧發光二極體晶片的固接裝置
10‧‧‧電路基板
100‧‧‧導電焊點
11‧‧‧導電體
12‧‧‧發光二極體晶片
120‧‧‧基層
N‧‧‧n型導電層
M‧‧‧發光層
P‧‧‧p型導電層
C‧‧‧控制模組
D1‧‧‧承載模組
D2‧‧‧晶片取放模組
D20‧‧‧氣體導引通道
D3‧‧‧雷射光源產生模組
L、L1、L2、L3‧‧‧雷射光源
圖1為本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S200的示意圖。
圖3為本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S201的示意圖。
圖4為本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S202的示意圖。
圖5為本發明所提供的發光二極體晶片的固接裝置的方塊示意圖。
圖6為本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S203的示意圖。
圖7為本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S203中發光二極體晶片的放大示意圖。
圖8為本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S203中的雷射光源照射範圍的第一示意圖。
圖9為本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S203中的雷射光源照射範圍的第二示意圖。
圖10為本發明第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S204的示意圖。
圖11為本發明第二實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的第一示意圖。
圖12為本發明第二實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的第二示意圖。
圖13為本發明第三實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的第一示意圖。
圖14為本發明第三實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的第二示意圖。
圖15為本發明第三實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的第三示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光二極體晶片的固接方法及固接裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
請參閱圖1至圖9所示，本發明第一實施例所提供一種發光二極體晶片的固接方法，其包括下列步驟：
首先，配合圖1與圖2所示，提供一電路基板10，電路基板10包括多個導電焊點100(步驟S200)。舉例來說，在本發明的步驟S200中，可通過一承載模組D1承載一電路基板10，電路基板10還包括多個導電焊點100。承載模組D1可為具備位移功能的載台設備。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
更進一步來說，配合圖1及圖3所示，本發明在提供電路基 板10的步驟S200後，還進一步包括：將多個導電體11分別設置在該些導電焊點100上(步驟S201A)。舉例來說，在本發明的步驟S201A中，每一個導電焊點100上可以設置至少一個導電體11，且導電體11可為錫球，或是其他型體且具導電性的材料。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
接著，配合圖1、圖3及圖4所示，將多個發光二極體晶片12設置在電路基板10，每一個發光二極體晶片12設置在至少兩個導電體11上(步驟S202)。
舉例來說，配合圖1、圖3及圖4所示，在本發明的步驟S202中，通過晶片取放模組D2將多個發光二極體晶片12放置在電路基板10上，並且每一個發光二極體晶片12對應在至少兩個導電體11上。其中，晶片取放模組D2可以是真空吸嘴或者任何種類的取放機器(pick and place machine)。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
然後，配合圖1及圖4至圖7所示，將一雷射光源產生模組D3所產生的一雷射光源L投向每一個發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上(步驟S203)。
舉例來說，配合圖1及圖4至圖7所示，本發明在步驟S202之後，緊接著步驟S203，通過一雷射光源產生模組D3產生一雷射光源L，並投向每一個發光二極體晶片12。雷射光源L投射至發光二極體晶片12時，會穿過發光二極體晶片12的n型導電層N、發光層M及p型導電層P，進而投射在電路基板10的至少兩個導電體11上。更進一步來說，配合圖7所示，每一個發光二極體晶片12可為微型半導體發光元件(Micro LED)，其包括呈堆疊狀設置的一n型導電層N、一被雷射光源L穿過的發光層M以及一p型導電層P，n型導電層N可為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，發光層M為多量子井結構層，p型導電層P可為p型 氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層，但不以此為限。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
更進一步來說，配合圖8及圖9所示，本發明可透過調整雷射光源產生模組D3，使得雷射光源產生模組D3所產生的雷射光源L在穿過發光二極體晶片12而投射在導電體11上時，雷射光源L的照射範圍可以呈現多種態樣，例如，配合圖8所示，雷射光源L1的照射面積可以涵蓋一個發光二極體晶片120，或是雷射光源L2的照射面積可以涵蓋至少兩個導電體11；更或者，配合圖9所示，雷射光源L3的照射面積可以只涵蓋一個導電體11。而且，本發明還可透過調整雷射光源產生模組D3，使得雷射光源產生模組D3所產生的雷射光源L只穿過發光二極體晶片12，而不會穿過電路基板10。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
值得注意的是，配合圖1及圖5至圖7所示，本發明的晶片取放模組D2可具有一氣體導引通道D20，雷射光源產生模組D3所產生的雷射光源L經過氣體導引通道D20。更進一步來說，本發明在步驟S202接續步驟S203的過程中，當每一個發光二極體晶片12通過晶片取放模組D2以設置在電路基板10上的同時，雷射光源產生模組D3所產生的雷射光源L可經過晶片取放模組D2的氣體導引通道D20而投向發光二極體晶片12。舉例來說，在晶片取放模組D2將發光二極體晶片12放置在電路基板10上的至少兩個導電體11的同時，雷射光源產生模組D3即可產生雷射光源L，並通過氣體導引通道D20而使雷射光源L投向且穿過發光二極體晶片12，進而對導電體11進行照射，以省略對導電體11進行偵測定位的步驟。其中，配合圖5所示，本發明的發光二極體晶片的固接方法及固接裝置進一步還可通過一控制模組C電性連接承載模組D1、晶片取放模組D2以及雷射光源產生模組D3，且控制模組C可根據內建程式或操作人員的控制而驅使各模組進行 運作。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
最後，配合圖1及圖4至圖10所示，設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化，以使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上(步驟S204)。
舉例來說，配合圖1及圖4至圖10所示，在本發明的步驟S204中，設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11受到雷射光源L的照射時，會產生軟化，而與發光二極體晶片12產生連接。接著，在導電體11固化後，使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10，並通過導電體11而與電路基板10電性連接。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
[第二實施例]
請參閱圖11及圖12所示，並請一併配合圖1至圖10，本發明第二實施例所提供的一種發光二極體晶片的固接方法，與第一實施例的發光二極體晶片的固接方法略為相近，因此，相似的流程步驟不再贅述。而本發明第二實施例與第一實施的差異在於，本實施的每一個發光二極體晶片12可為次毫米發光二極體(Mini LED)，其包括呈堆疊狀設置的一基層120、一n型導電層N、一被雷射光源L穿過的發光層M以及一p型導電層P，基層120為藍寶石(sapphire)材料層，n型導電層N可為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，發光層M為多量子井結構層，p型導電層P可為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層，但不以此為限。基層120還可以是石英基底層、玻璃基底層、矽基底層或者任何材料的基底層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖11所示，在類似第一實施例的步驟S203 中，本發明第二實施例通過一雷射光源產生模組D3所產生一雷射光源L，並投向每一個發光二極體晶片12。雷射光源L投射至發光二極體晶片12時，會穿過基層120、n型導電層N、發光層M及p型導電層P，進而投射在電路基板10的至少兩個導電體11上。
更進一步來說，配合圖12所示，在類似第一實施例的步驟S204中，本發明第二實施例設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化，以使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
值得一提的是，配合圖1至圖12所示，本發明還提供一種發光二極體晶片的固接裝置Z，其包括一承載模組D1、一晶片取放模組D2以及一雷射光源產生模組D3，承載模組D1、晶片取放模組D2以及雷射光源產生模組D3設置在同一生產線上，雷射光源產生模組D3所產生的一雷射光源L投向一發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上，導電體11通過雷射光源L的照射而固化，以使得發光二極體晶片12被固接在一電路基板10上。
更進一步地，配合圖1至圖12所示，本發明還可提供一種發光二極體晶片的固接裝置Z，其包括：一承載模組D1、一晶片取放模組D2以及一雷射光源產生模組D3。承載模組D1用於承載一電路基板10，電路基板10包括多個導電焊點100，多個導電體11分別設置在該些導電焊點100上。晶片取放模組D2用於將多個發光二極體晶片12設置在電路基板10，每一個發光二極體晶片12設置在至少兩個導電體11上。雷射光源產生模組D3所產生的一雷射光源L投向每一個發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上。其中，承載模組D1、晶片取放模組D2以及雷射光源產生模組D3彼此鄰近 且設置在同一生產線上。其中，設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化，以使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上。
[第三實施例]
請參閱圖13至圖15所示，並請一併配合圖1至圖10，本發明第三實施例所提供的一種發光二極體晶片的固接方法，與第一實施例的發光二極體晶片的固接方法略為相近，因此，相似的流程步驟不再贅述。進一步來說，根據圖2~圖6與圖13~圖15比較所示，本發明第三實施例與第一實施的差異在於，本實施在提供電路基板10的步驟後，還進一步包括：將至少兩個導電體11設置在每一個發光二極體晶片12(步驟S201B)。舉例來說，在本發明的步驟S201B中，每一個發光二極體晶片12上可以設置至少二個導電體11，且導電體11可為錫球，或是其他型體且具導電性的材料。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
接著，配合圖1~圖10、圖13、圖14及圖15所示，通過晶片取放模組M2將多個發光二極體晶片12放置在電路基板10上，並且每一個發光二極體晶片12的至少兩個導電體11對應在電路基板10的導電焊點100上。然後，通過雷射光源產生模組M3所產生雷射光源L，投向發光二極體晶片12。接下來，設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11受到雷射光源L的照射時，會產生軟化，而與電路基板10產生連接。最後，在導電體11固化後，使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10，並通過導電體11而與電路基板10電性連接。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體 晶片的固接方法，其能通過“提供一電路基板10，電路基板10包括多個導電焊點100”、“將多個發光二極體晶片12設置在電路基板10，每一個發光二極體晶片12設置在至少兩個導電體11上”、“將一雷射光源產生模組D3所產生的一雷射光源L投向每一個發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上”以及“設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化”的技術方案，使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片的固接裝置Z，其能通過“一承載模組D1，其用於承載一電路基板10，電路基板10包括多個導電焊點100，多個導電體11分別設置在該些導電焊點100上”、“一雷射光源產生模組D3，其所產生的一雷射光源L投向每一個發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上”、“承載模組D1、晶片取放模組D2以及雷射光源產生模組D3彼此鄰近且設置在同一生產線上”以及“設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化”的技術方案，使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上。
本發明的另外再一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片的固接裝置Z，其能通過“固接裝置Z包括一承載模組D1、一晶片取放模組D2以及一雷射光源產生模組D3”、“承載模組D1、晶片取放模組D2以及雷射光源產生模組D3設置在同一生產線上”以及“雷射光源產生模組D3所產生的一雷射光源L投向一發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上，導電體11通過雷射光源L的照射而固化”的技術方案，使得發光二極體晶片12被固接在一 電路基板10上。
更進一步來說，本發明所提供的發光二極體晶片的固接方法及固接裝置可通過上述技術方案，在不需要將發光二極體晶片12的基層120移除的情況下，直接利用雷射光源L穿過基層120、n型導電層N、發光層M以及p型導電層P的方式照射導電體11，以進行發光二極體晶片12的固晶製程。
以上所公開的內容僅為本發明的較佳可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
指定代表圖為流程圖，故無符號簡單說明

Claims (10)

  1. 一種發光二極體晶片的固接方法，其包括：提供一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點；透過一晶片取放模組，以將多個發光二極體晶片設置在該電路基板，每一該發光二極體晶片設置在至少兩個導電體上；將一雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向每一該發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個該導電體上；以及設置在該發光二極體晶片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上；其中，當每一該發光二極體晶片通過該晶片取放模組以設置在該電路基板上的同時，該雷射光源產生模組所產生的該雷射光源經過該晶片取放模組的一氣體導引通道而投向該發光二極體晶片。
  2. 如請求項1所述的發光二極體晶片的固接方法，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。
  3. 如請求項1所述的發光二極體晶片的固接方法，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一基層、一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該基層為藍寶石基層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。
  4. 如請求項1所述的發光二極體晶片的固接方法，其中，在提供 該電路基板的步驟後，還進一步包括：將多個該導電體分別設置在該些導電焊點上，或將至少兩個該導電體設置在每一該發光二極體晶片；其中，該雷射光源的照射面積只涵蓋一個該導電體或者一個該發光二極體晶片；其中，該雷射光源不會穿過該電路基板，而只穿過該發光二極體晶片。
  5. 一種發光二極體晶片的固接裝置，其包括：一承載模組，其用於承載一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點，多個導電體分別設置在該些導電焊點上；一晶片取放模組，其用於將多個發光二極體晶片設置在該電路基板，每一該發光二極體晶片設置在至少兩個該導電體上；以及一雷射光源產生模組，其所產生的一雷射光源投向每一該發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個該導電體上；其中，該承載模組、該晶片取放模組以及該雷射光源產生模組彼此鄰近且設置在同一生產線上；其中，設置在該發光二極體晶片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上；其中，該晶片取放模組具有一氣體導引通道，該雷射光源產生模組所產生的該雷射光源經過該氣體導引通道。
  6. 如請求項5所述的發光二極體晶片的固接裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。
  7. 如請求項5所述的發光二極體晶片的固接裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一基層、一n型導電層、 一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該基層為藍寶石基層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。
  8. 一種發光二極體晶片的固接裝置，其包括一承載模組、一晶片取放模組以及一雷射光源產生模組，該承載模組、該晶片取放模組以及該雷射光源產生模組設置在同一生產線上，該雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向一發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個導電體上，該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在一電路基板上；其中，該晶片取放模組具有一氣體導引通道，該雷射光源產生模組所產生的該雷射光源經過該氣體導引通道。
  9. 如請求項8所述的發光二極體晶片的固接裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。
  10. 如請求項8所述的發光二極體晶片的固接裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一基層、一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該基層為藍寶石基層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。
TW107138610A 2018-10-31 2018-10-31 發光二極體晶片的固接方法及固接裝置 TWI688317B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107138610A TWI688317B (zh) 2018-10-31 2018-10-31 發光二極體晶片的固接方法及固接裝置
CN201910065532.6A CN111129272B (zh) 2018-10-31 2019-01-23 发光二极管芯片的固接方法及固接装置
US16/384,267 US10910530B2 (en) 2018-10-31 2019-04-15 LED chip mounting method and device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107138610A TWI688317B (zh) 2018-10-31 2018-10-31 發光二極體晶片的固接方法及固接裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI688317B true TWI688317B (zh) 2020-03-11
TW202019253A TW202019253A (zh) 2020-05-16

Family

ID=70325945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107138610A TWI688317B (zh) 2018-10-31 2018-10-31 發光二極體晶片的固接方法及固接裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10910530B2 (zh)
CN (1) CN111129272B (zh)
TW (1) TWI688317B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI733450B (zh) * 2020-05-15 2021-07-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片承載結構、晶片置放系統與晶片置放方法
TWI768349B (zh) * 2020-05-22 2022-06-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉系統以及晶片移轉模組
KR102638010B1 (ko) * 2021-10-21 2024-02-20 엔젯 주식회사 마이크로 LED 디스플레이의 칩 리페어를 위한 픽앤플레이스(Pick-and-Place) 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201735211A (zh) * 2016-03-25 2017-10-01 國立臺北科技大學 固晶裝置
TW201813129A (zh) * 2016-09-07 2018-04-01 優顯科技股份有限公司 光電半導體裝置及其製造方法
US20180233496A1 (en) * 2017-02-10 2018-08-16 Lumens Co., Ltd. Micro-led module and method for fabricating the same
WO2018169968A1 (en) * 2017-03-16 2018-09-20 Invensas Corporation Direct-bonded led arrays and applications

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2794266B1 (fr) * 1999-05-25 2002-01-25 Gemplus Card Int Procede de fabrication de dispositif electronique portable a circuit integre comportant un dielectrique bas cout
JP2001323246A (ja) * 2000-03-07 2001-11-22 Sony Chem Corp 電極接続用接着剤及びこれを用いた接着方法
CN102751257B (zh) * 2011-04-22 2016-06-08 三星半导体(中国)研究开发有限公司 Cob模块及其制造方法
CN102280393A (zh) * 2011-07-25 2011-12-14 上海祯显电子科技有限公司 一种芯片的焊接方法
WO2013094606A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 太陽インキ製造株式会社 ドライフィルム及びそれを用いたプリント配線板、プリント配線板の製造方法、及びフリップチップ実装基板
EP2731126A1 (en) * 2012-11-09 2014-05-14 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method for bonding bare chip dies
KR20150031849A (ko) * 2013-09-17 2015-03-25 (주)포인트엔지니어링 칩 실장용 기판 및 칩 패키지
US9379525B2 (en) * 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
FR3033080B1 (fr) * 2015-02-20 2018-02-02 Jean Pierre FOUCAULT Procede de fabrication de ponts dielectriques(straps en anglais) d'identification sans contact
CN107464873A (zh) * 2017-05-03 2017-12-12 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种避免倒装芯片固晶漏电的方法
KR20190019745A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 주식회사 루멘스 발광소자 및 그 제조방법
CN107511551B (zh) * 2017-08-31 2020-02-18 歌尔股份有限公司 锡球激光焊接方法
US10720751B2 (en) * 2017-09-27 2020-07-21 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical package structure, optical module, and method for manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201735211A (zh) * 2016-03-25 2017-10-01 國立臺北科技大學 固晶裝置
TW201813129A (zh) * 2016-09-07 2018-04-01 優顯科技股份有限公司 光電半導體裝置及其製造方法
US20180233496A1 (en) * 2017-02-10 2018-08-16 Lumens Co., Ltd. Micro-led module and method for fabricating the same
WO2018169968A1 (en) * 2017-03-16 2018-09-20 Invensas Corporation Direct-bonded led arrays and applications

Also Published As

Publication number Publication date
CN111129272A (zh) 2020-05-08
US10910530B2 (en) 2021-02-02
US20200135989A1 (en) 2020-04-30
CN111129272B (zh) 2021-03-16
TW202019253A (zh) 2020-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI688317B (zh) 發光二極體晶片的固接方法及固接裝置
KR100892579B1 (ko) 화상 표시 장치 및 화상 표시 장치의 제조 방법
US8889440B2 (en) Light emitting diode optical emitter with transparent electrical connectors
US20030181122A1 (en) Producing self-aligned and self-exposed photoresist patterns on light emitting devices
TW201916401A (zh) 發光模組的製作方法
US20130292726A1 (en) Light emitting diode device, light emitting apparatus and method of manufacturing light emitting diode device
US20120021542A1 (en) Method of packaging light emitting device
US20230068569A1 (en) Method for soldering electronic component and method for manufacturing led display
TWI646706B (zh) 發光二極體晶片封裝體
US20200135996A1 (en) Led mounting method and device
US20130234184A1 (en) Light emitting diode package and method of manufacturing the same
KR101448165B1 (ko) 금속 본딩 회로 패턴을 독립적으로 구성하고，어레이가 형성되어 직병렬 연결 구조가 가능하게 한 ｃｏｂ 또는 ｃｏｍ 형태의 ｌｅｄ 모듈
US11490551B2 (en) Chip removing device and chip removing method
TWM591297U (zh) 發光二極體晶片的固接裝置
TW201838050A (zh) 位置偵測與晶片分離裝置
TWM623341U (zh) 用於固接電子元件的裝置
TWM624043U (zh) 用於轉移電子元件的裝置
TWM574339U (zh) 半導體晶片固晶裝置
TWM649748U (zh) 晶片移除裝置
TW201301565A (zh) 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置
US9685595B1 (en) Light-emitting diode chip packages and methods for manufacture thereof
TW202117343A (zh) 發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法
CN113497075A (zh) 全彩微型发光二极管封装体及其封装方法
TW201409756A (zh) 半導體光源模組、其製造方法及其基板結構
TW201344974A (zh) 半導體光源模組、其製造方法及其基板結構