CN217641277U - 用于固接电子组件的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种用于固接电子组件的装置,其包括承载平台、激光产生装置以及光学调整模块。承载平台用于承载接收基板;激光产生装置能够投射具有第一照射范围的激光束;光学调整模块设置于承载平台与激光产生装置之间。激光束通过光学调整模块射向承载平台形成第二照射范围;其中,第二照射范围大于第一照射范围,且第二照射范围为1~10000mm2。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于固接电子组件的装置,更特别地涉及一种包括光学调整模块的用于固接电子组件的装置。
背景技术
目前,发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说,采用发光二极管做为发光组件的显示装置,使得其具有优选的色彩表现能力。
现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配而组成全彩发光二极管显示装置。此全彩发光二极管显示装置可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片,分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光,然后再对红、绿、蓝三种颜色的光进行混光后形成全彩色光,以进行相关信息的显示。
然而,在现有技术中,将发光二极管芯片固定在电路基板上的制程中,都需要先将承载发光二极管芯片的基板先行移除。
实用新型内容
本实用新型所要解决的问题在于:针对现有技术的不足提供一种用于固接电子组件的装置。
为了解决上述的技术问题,本实用新型所采用的其中一个技术方案是提供一种用于固接电子组件的装置,其包括承载平台、激光产生装置以及光学调整模块。承载平台用于承载接收基板;激光产生装置能够投射具有第一照射范围的激光束;光学调整模块设置于承载平台与激光产生装置之间,激光束通过光学调整模块射向承载平台形成第二照射范围;其中,第二照射范围大于第一照射范围,且第二照射范围为1~10000mm2。
优选地,用于固接电子组件的装置还包括芯片取放装置;芯片取放装置用于将电子组件设置在接收基板上。
优选地,光学调整模块为透镜。
附图说明
为了能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,所提供的附图仅用于提供参考与说明,并非用来对本实用新型加以限制。
图1为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第一实施例应用于固接LED的激光加热装置的第一运作示意图。
图2为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第一实施例应用于固接LED的激光加热装置的第二运作示意图。
图3为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第一实施例应用于固接LED的激光加热装置的第三运作示意图。
图4为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第一实施例应用于固接LED的激光加热装置的第四运作示意图。
图5为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第一实施例应用于固接LED的激光加热装置的第五运作示意图。
图6为图5中VI部分的放大示意图。
图7为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第一实施例的激光源的第二照射范围的照射示意图。
图8为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第一实施例应用于固接LED的激光加热装置的第六运作示意图。
图9为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第一实施例应用于固接LED的激光加热装置的第七运作示意图。
图10为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第一实施例应用于固接LED的激光加热装置的第八运作示意图。
图11为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第二实施例应用于固接LED的激光加热装置的第一运作示意图。
图12为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第二实施例应用于固接LED的激光加热装置的第二运作示意图。
图13为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第三实施例应用于固接LED的激光加热装置的部分模块的结构示意图。
图14为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第三实施例应用于固接LED的激光加热装置的功能方块示意图。
图15为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第四实施例应用于固接LED的激光加热装置的第一运作示意图。
图16为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第四实施例应用于固接LED的激光加热装置的第二运作示意图。
图17为本实用新型的用于固接电子组件的装置的第五实施例的示意图。
附图标记
10电路基板;100导电焊垫;101导电体;102发光二极管芯片;1020基层;50用于固接电子组件的装置;51承载平台;511接收基板;512电子组件;52激光产生装置;53光学调整模块;F接触界面;L激光源;M发光层;M1承载基板;M2光学模块;M3激光产生模块;M4芯片取放模块;M5温控模块;M6控制模块;N n型导电层;P p型导电层;R1第一照射范围;R2第二照射范围;Z激光加热装置。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“用于固接电子组件的装置”的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其它不同的具体实施例加以实施或应用,且本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用,在不背离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外,事先声明,本实用新型的附图仅为简单示意说明,并非依实际尺寸的描绘。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容,但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。
应当可以理解的是,虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件,但这些组件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一个组件与另一个组件。另外,本文中所使用的术语“或”,应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[第一实施例]
参阅图1至图10所示,并请一并配合图14,本实用新型的第一实施例提供一种应用于固接LED的激光加热装置Z,其包括:承载基板M1、光学模块M2以及激光产生模块M3。
首先,结合图1与图2所示,承载基板M1上承载有电路基板10,承载基板M1可为具备位移功能的载台设备,但不以此为限。电路基板10包括多个导电焊垫100、多个导电体101以及多个发光二极管芯片102,多个导电体101分别设置在导电焊垫100上;举例来说,每一个导电焊垫100上可以设置至少一个导电体101,且导电体101可为锡球,或是具有导电性的材料的其他形体,但不以此为限。发光二极管芯片102设置在电路基板10上,每一个发光二极管芯片102设置在至少两个导电体101上。
进一步来说,结合图3所示,本实用新型所提供的应用于固接LED的激光加热装置Z,还进一步包括:芯片取放模块M4,其邻近承载基板M1,用于将每一个发光二极管芯片102放置在相对应的至少两个导电体101上。举例来说,本实用新型还可通过芯片取放模块M4将多个发光二极管芯片102放置在电路基板10上,并且每一个发光二极管芯片102对应放置在至少两个导电体101上。其中,芯片取放模块M4可以是真空吸嘴或者任何种类的取放机器(pick and place machine)。然而,本实用新型不以上述所举的例子为限。
光学模块M2设置在承载基板M1的上方,并位于激光产生模块M3与电路基板10之间,光学模块M2可为透镜结构或导光板结构,但不以此为限。激光产生模块M3可产生具有第一照射范围R1的激光源L,并将激光源L射向光学模块M2。而激光源L的第一照射范围R1通过光学模块M2的光学调整,从而形成第二照射范围R2;其中,第一照射范围R1可大于、小于或者等于第二照射范围R2,于本实施例中,以第一照射范围R1可小于第二照射范围R2作为示例,但不以此为限。并且,第一照射范围R1与第二照射范围R2可具有相同或者相异的形状。
进一步来说,配合图4至图7所示,具有第二照射范围R2的激光源L射向每一个发光二极管芯片102时,会穿过发光二极管芯片102的n型导电层N、发光层M及p型导电层P,进而投射在电路基板10的至少两个导电体101上;其中,激光产生模块M3所产生的激光源L穿过发光二极管芯片120,以射向导电体101与电路基板10。进一步来说,结合图6所示,每一个发光二极管芯片102可为微型半导体发光组件(Micro LED),其包括呈堆迭状设置的n型导电层N、被激光源L穿过的发光层M以及p型导电层P,n型导电层N可为n型氮化镓材料层或n型砷化镓材料层,发光层M为多量子井结构层,p型导电层P可为p型氮化镓材料层或p型砷化镓材料层,但不以此为限。然而,上述所举的例子只是其中一个可行的实施例,而并非用以限定本实用新型。
更进一步来说,配合图7所示,激光源L的第二照射范围R2可含盖多个发光二极管芯片102,例如,第二照射范围R2可含盖4X4个发光二极管芯片102,但不以此为限。并且,本实用新型还可通过调整激光产生模块M3的激光源L的强度,使得激光产生模块M3所产生的激光源L只穿过发光二极管芯片102,而不会穿过电路基板10。然而,上述所举的例子只是其中一个可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
最后,结合图6及图8所示,设置在发光二极管芯片102与电路基板10之间的导电体101通过激光源L的照射而固化,以使得发光二极管芯片102被固接在电路基板10上。举例来说,设置在发光二极管芯片102与电路基板10之间的导电体101受到激光源L的照射时,会产生软化,从而与发光二极管芯片102连接。而且,在导电体101固化后,使得发光二极管芯片102被固接在电路基板10,并通过导电体101与电路基板10电性连接。然而,本实用新型不以上述所举的例子为限。
此外,进一步结合图9至图10所示,本实用新型所提供的应用于固接LED的激光加热装置Z还进一步可将激光产生模块M3所产生的激光源L投射向发光二极管芯片102与导电体101的接触界面F,从而降低发光二极管芯片102与导电体101之间的连接强度,以使得发光二极管芯片102容易脱离导电体101,进而从电路基板10上取下。举例来说,本实用新型还可通过激光产生模块M3所产生的激光源L射向发光二极管芯片102与已固化的导电体101之间的接触界面F,以使靠近接触界面F的部分导电体101软化,从而降低发光二极管芯片102与导电体101之间的连接强度、结合力,使得发光二极管芯片102可容易脱离导电体101,进而从电路基板10上取下。然后,可利用特殊器具(例如刮除器或研磨器)将与发光二极管芯片102分离的至少两个旧的导电体101,从电路基板10上取下,以利之后可重新安置新的导电体101。然而,本实用新型不以上述所举的例子为限。
更进一步地,结合图1至图10所示,本实用新型还可提供一种应用于固接LED的激光加热装置Z,其包括:电路基板10、光学模块M2以及激光产生模块M3。电路基板10用于承载多个导电体101以及多个发光二极管芯片102。光学模块M2设置在电路基板10的上方。激光产生模块M3邻近光学模块M2,以提供具有第一照射范围R1的激光源L。其中,导电体101通过激光源L的照射,会产生软化,以固接发光二极管芯片102,激光源L的第一照射范围R1通过光学模块M2的光学调整,从而形成第二照射范围R2,第一照射范围R1大于、小于或者等于第二照射范围R2。
值得注意的是,上述实施例中,用于使导电体101与发光二极管芯片102接合的激光源L,与用于降低导电体101结合力的激光源L的波长可彼此不同或相同。
[第二实施例]
参阅图11及图12所示,并请一并结合图1至图10,本实用新型的第二实施例所提供的一种应用于固接LED的激光加热装置Z,与第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置Z相似,因此,相似的部分不再赘述。进一步来说,结合图6,并根据图11、图12与图5、图8比较所示,本实用新型第二实施例与第一实施例的差异在于,本实施例的每一个发光二极管芯片102可为次毫米发光二极管(Mini LED),其包括呈堆迭状设置的基层1020、n型导电层N、被激光源L穿过的发光层M以及p型导电层P,基层1020为蓝宝石(sapphire)材料层,n型导电层N可为n型氮化镓材料层或n型砷化镓材料层,发光层M为多量子井结构层,p型导电层P可为p型氮化镓材料层或p型砷化镓材料层,但不以此为限。基层1020还可以是石英基底层、玻璃基底层、硅基底层或者任何材料的基底层。然而,上述所举的例子只是其中一个可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
举例来说,具有第二照射范围R2的激光源L投射向每一个发光二极管芯片102时,会穿过基层1020、n型导电层N、发光层M及p型导电层P,进而投射在电路基板10的至少两个导电体101上。而且,设置在发光二极管芯片102与电路基板10之间的导电体101通过激光源L的照射而固化,以使得发光二极管芯片102被固接在电路基板10上。然而,上述所举的例子只是其中一个可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
[第三实施例]
参阅图13及图14所示,并请一并结合图1至图12,本实用新型的第三实施例所提供的一种应用于固接LED的激光加热装置Z,与第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置Z相似,因此,相似的部分不再赘述。进一步来说,本实用新型的第三实施例与第一实施例的差异在于,激光加热装置Z还进一步包括:温控模块M5以及控制模块M6。温控模块M5邻近承载基板M1,以用于侦测导电体101的温度,从而得到导电体101的温度信息。控制模块M6电性连接于温控模块M5与激光产生模块M3之间。其中,控制模块M6依据导电体101的温度信息,以调整激光产生模块M3所输出的功率的大小。
举例来说,温控模块M5可为温度传感器或者温度控制器,但不以此为限。温控模块M5的传感端可穿设于承载基板M1中,并邻近于电路基板10,或者温控模块M5的传感端可位于承载基板M1的外部,并邻近于电路基板10上的其中之一或部分的导电体101。并且,控制模块M6分别与承载基板M1、激光产生模块M3、芯片取放模块M4以及温控模块M5电性连接。因此,在激光源L投射到电路基板10上的导电体101的同时或者之后,可通过温控模块M5侦测导电体101的温度,而得到导电体101的温度信息。接着,控制模块M6可根据导电体101的温度信息判读激光产生模块M3所输出的功率是否足够、过低或者过高(例如将导电体101的温度信息与默认温度信息比较,但不以此为限),进而适当地调整激光产生模块M3所输出的功率的大小。然而,上述所举的例子只是其中一个可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
值得一提的是,结合图1至图14所示,本实用新型还提供一种应用于固接LED的激光加热装置Z,其包括:电路基板10、光学模块M2、激光产生模块M3、温控模块M5以及控制模块M6。电路基板10用于承载多个导电体101;光学模块M2设置在电路基板10的上方;激光产生模块M3邻近光学模块M2,以提供具有第一照射范围R1的激光源L;温控模块M5邻近电路基板10,以用于侦测导电体101的温度,而得到导电体101的温度信息;控制模块M6电性连接于温控模块M5与激光产生模块M3之间;其中,激光源L的第一照射范围R1通过光学模块M2的光学调整,进而形成第二照射范围R2,第一照射范围R1大于、小于或者等于第二照射范围R2,第一照射范围R1与第二照射范围R2具有相同或者相异的形状。其中,控制模块M6依据导电体101的温度信息,以调整激光产生模块M3所输出的功率的大小。
[第四实施例]
参阅图15及图16所示,并请一并结合图1至图14,本实用新型的第四实施例所提供的一种应用于固接LED的激光加热装置Z,与第一实施例的应用于固接LED的激光加热装置Z相似,因此,相似的部分不再赘述。进一步来说,根据图15与图2、图3比较所示,本实用新型的第四实施例与第一实施例的差异在于,激光加热装置Z还可将至少两个导电体101设置在每一个发光二极管芯片102上。
举例来说,在本实用新型中,每一个发光二极管芯片102上可以设置至少两个导电体101,且导电体101可为锡球,或是其他形体且具导电性的材料,但不以此为限。而且,结合图15所示,通过芯片取放模块M4将多个发光二极管芯片102放置在电路基板10上,并且每一个发光二极管芯片102上的至少两个导电体101对应设置在电路基板10的导电焊垫100上。然后,将激光产生模块M3所产生的激光源L,投向发光二极管芯片102。接下来,设置在发光二极管芯片102与电路基板10之间的导电体101受到激光源L的照射时,将会软化,从而与电路基板10连接。最后,在导电体101固化后,使得发光二极管芯片102被固接在电路基板10上,并通过导电体101与电路基板10电性连接。然而,本实用新型不以上述所举的例子为限。
[第五实施例]
参阅图17所示,本实用新型第五实施例所提供的一种用于固接电子组件的装置50,其包括:承载平台51、激光产生装置52以及光学调整模块53。承载平台51用于承载接收基板511;激光产生装置52能够投射具有第一照射范围R1的激光束;光学调整模块53设置于承载平台51与激光产生装置52之间,且激光束通过光学调整模块53射向承载平台51;其中,光学调整模块53调整激光束的第一照射范围R1,以使第一照射范围R1成为第二照射范围R2,第二照射范围R2大于第一照射范围R1,且第二照射范围R2为1~10000mm2。如图17所示,接收基板511的表面上可设有电子组件512,借由具有第二照射范围R2的激光束的照射,使电子组件512固接于接收基板511上,以完成电子组件512的固接。
在一个优选实施例中,用于固接电子组件的装置还包括芯片取放装置,其用于将电子组件设置在接收基板上,但本实用新型并不限于此。
在一个优选实施例中,光学调整模块为透镜,但本实用新型并不限于此。
[实施例的有益效果]
本实用新型的有益效果在于,本实用新型所提供的应用于固接LED的激光加热装置Z,能通过“应用于固接LED的激光加热装置Z包括:承载基板M1、光学模块M2以及激光产生模块M3”、“光学模块M2设置在承载基板M1的上方”、“激光产生模块M3邻近光学模块M2,以提供具有第一照射范围R1的激光源L”以及“导电体101通过激光源L的照射,以固接发光二极管芯片102,激光源L的第一照射范围R1通过光学模块M2的光学调整,进而形成第二照射范围R2,第一照射范围R1大于、小于或者等于第二照射范围R2”的技术方案,以使得发光二极管芯片102被固接在电路基板10上。
更进一步来说,本新型所提供的应用于固接LED的激光加热装置Z可通过上述技术方案,利用光学模块M2的光学调整,从而使激光源L的第一照射范围R1转变成第二照射范围R2,以进行发光二极管芯片102的固晶制程。
此外,本新型所提供的用于固接电子组件的装置,其可将激光束的第一照射范围调整为较大的第二照射范围,以利于将电子组件固接至接收基板。
以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例,并非用于局限本实用新型的权利要求范围,所以凡是运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效技术变化,均包含于本实用新型的权利要求范围内。
Claims (3)
1.一种用于固接电子组件的装置,其特征在于,所述装置包括:
承载平台,用于承载接收基板;
激光产生装置,能够投射具有第一照射范围的激光束;以及
光学调整模块,设置于所述承载平台与所述激光产生装置之间,所述激光束通过所述光学调整模块射向所述承载平台形成第二照射范围;
其中,所述第二照射范围大于所述第一照射范围,且所述第二照射范围为1~10000mm2。
2.根据权利要求1所述的用于固接电子组件的装置,其特征在于,所述装置还包括芯片取放装置;所述芯片取放装置用于将电子组件设置在所述接收基板上。
3.根据权利要求1所述的用于固接电子组件的装置,其特征在于,所述光学调整模块为透镜。
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