TWM591297U - 發光二極體晶片的固接裝置 - Google Patents

Abstract

一種發光二極體晶片的固接裝置，其包括：一承載模組、一晶片取放模組以及一雷射光源產生模組。承載模組用於承載一電路基板，電路基板包括多個導電焊點，多個導電體分別設置在該些導電焊點上。晶片取放模組用於將多個發光二極體晶片設置在電路基板，每一發光二極體晶片設置在至少兩個導電體上。雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向每一發光二極體晶片，以使得雷射光源穿過發光二極體晶片且投射在至少兩個導電體上。其中，設置在發光二極體晶片與電路基板之間的導電體通過雷射光源的照射而固化，以使得發光二極體晶片被固接在電路基板上。

Description

發光二極體晶片的固接裝置

本創作涉及一種晶片的固接裝置，特別是涉及一種發光二極體晶片的固接裝置。

目前，發光二極體（Light-Emitting Diode，LED）因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說，為了使採用發光二極體做為發光元件的顯示裝置具有較佳的色彩表現能力，現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片的相互搭配而組成一全彩發光二極體顯示裝置，此全彩發光二極體顯示裝置可通過紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光，然後再通過混光後形成一全彩色光，以進行相關資訊的顯示。然而，在現有技術中，將發光二極體晶片固定在電路基板上的製程中，需要先將承載發光二極體晶片的基板先行移除。

本創作所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光二極體晶片的固接裝置。

為了解決上述的技術問題，本創作所採用的其中一技術方案是，提供一種發光二極體晶片的固接裝置，其包括：一承載模組、一晶片取放模組以及一雷射光源產生模組。該承載模組用於承載一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點，多個導電體分別設置在該些導電焊點上。該晶片取放模組用於將多個發光二極體晶片設置在該電路基板，每一該發光二極體晶片設置在至少兩個該導電體上。該雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向每一該發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個該導電體上。其中，設置在該發光二極體晶片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上。

為了解決上述的技術問題，本創作所採用的另外一技術方案是，提供一種發光二極體晶片的固接裝置，其包括一承載模組、一晶片取放模組以及一雷射光源產生模組，該雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向一發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個導電體上，該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在一電路基板上。

本創作的其中一有益效果在於，本創作所提供的發光二極體晶片的固接裝置，其能通過“一承載模組，其用於承載一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點，多個導電體分別設置在該些導電焊點上”、“一雷射光源產生模組，其所產生的一雷射光源投向每一該發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個該導電體上”以及“設置在該發光二極體晶片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化”的技術方案，使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上。

本創作的另外一有益效果在於，本創作所提供的發光二極體晶片的固接裝置，其能通過“固接裝置包括一承載模組、一晶片取放模組以及一雷射光源產生模組”以及“該雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向一發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個導電體上，該導電體通過該雷射光源的照射而固化”的技術方案，使得該發光二極體晶片被固接在一電路基板上。

為使能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本創作加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“發光二極體晶片的固接方法及固接裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外，本創作的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。應當可以理解的是，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

[第一實施例]

請參閱圖1至圖12所示，本創作第一實施例所提供一種發光二極體晶片的固接方法，其包括下列步驟：

首先，配合圖1與圖2所示，提供一電路基板10，電路基板10包括多個導電焊點100（步驟S200）。舉例來說，在本創作的步驟S200中，可通過一承載模組M1承載一電路基板10，電路基板10還包括多個導電焊點100。承載模組M1可為具備位移功能的載台設備。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。

更進一步來說，配合圖1及圖3所示，本創作在提供電路基板10的步驟S200後，還進一步包括：將多個導電體11分別設置在該些導電焊點100上（步驟S201A）。舉例來說，在本創作的步驟S201A中，每一個導電焊點100上可以設置至少一個導電體11，且導電體11可為錫球，或是其他型體且具導電性的材料。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。

接著，配合圖1、圖3及圖4所示，將多個發光二極體晶片12設置在電路基板10，每一個發光二極體晶片12設置在至少兩個導電體11上（步驟S202）。

舉例來說，配合圖1、圖3及圖4所示，在本創作的步驟S202中，通過晶片取放模組M2將多個發光二極體晶片12放置在電路基板10上，並且每一個發光二極體晶片12對應在至少兩個導電體11上。其中，晶片取放模組M2可以是真空吸嘴或者任何種類的取放機器（pick and place machine）。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。

然後，配合圖1及圖5至圖8所示，將一雷射光源產生模組M3所產生的一雷射光源L投向每一個發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上（步驟S203）。

舉例來說，配合圖1及圖5至圖8所示，本創作在步驟S202之後，緊接著步驟S203，通過一雷射光源產生模組M3產生一雷射光源L，並投向每一個發光二極體晶片12。雷射光源L投射至發光二極體晶片12時，會穿過發光二極體晶片12的n型導電層N、發光層M及p型導電層P，進而投射在電路基板10的至少兩個導電體11上。更進一步來說，配合圖6所示，每一個發光二極體晶片12可為微型半導體發光元件（Micro LED），其包括呈堆疊狀設置的一n型導電層N、一被雷射光源L穿過的發光層M以及一p型導電層P，n型導電層N可為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，發光層M為多量子井結構層，p型導電層P可為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層，但不以此為限。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

更進一步來說，配合圖7及圖8所示，雷射光源L的照射面積只涵蓋一個導電體11或者一個發光二極體晶片12，且雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L的強度可調整；其中，雷射光源L不會穿過電路基板10，而只穿過發光二極體晶片12。舉例來說，本創作可透過調整雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L的強度，使得雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L在穿過發光二極體晶片12而投射在導電體11上時，雷射光源L的照射範圍可以呈現多種態樣，例如，配合圖7所示，雷射光源L1的照射面積可以涵蓋一個發光二極體晶片12，或是雷射光源L2的照射面積可以涵蓋至少兩個導電體11；更或者，配合圖8所示，雷射光源L3的照射面積可以只涵蓋一個導電體11。而且，本創作還可透過調整雷射光源產生模組M3，使得雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L3只穿過發光二極體晶片12，而不會穿過電路基板10。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

最後，配合圖1及圖4至圖9所示，設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化，以使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上（步驟S204）。

舉例來說，配合圖1及圖4至圖9所示，在本創作的步驟S204中，設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11受到雷射光源L的照射時，會產生軟化，而與發光二極體晶片12產生連接。接著，在導電體11固化後，使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10，並通過導電體11而與電路基板10電性連接。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。

值得注意的是，配合圖1、圖9至圖11所示，在發光二極體晶片被固接在電路基板上的步驟（步驟S204）後，還進一步包括：將雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L投向發光二極體晶片12與導電體11的接觸介面F，而降低發光二極體晶片12與導電體11之間的連接強度，以使得發光二極體晶片12容易脫離導電體11而從電路基板10上取下（步驟S205）。

舉例來說，配合圖1、圖9至圖11所示，在本創作的步驟S204之後，本創作還可通過雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L投向發光二極體晶片12與已固化的導電體11之間的接觸介面F，以使靠近接觸介面F的部分導電體11軟化，而降低發光二極體晶片12與導電體11之間的連接強度、結合力，進而使得發光二極體晶片12可容易脫離導電體11而從電路基板10上取下。

然後，配合圖11所示，可利用特殊器具（例如刮除器或研磨器）將與發光二極體晶片12分離的至少兩個舊的導電體11從電路基板10上取下，以利之後可重新安置新的導電體11。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。

此外，配合圖1、圖5以及圖12所示，在將雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L投向每一個發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上的步驟（步驟S203）中，還進一步包括：利用一位置偵測模組M4以偵測至少一個導電體11的位置（即偵測步驟）；然後，利用雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L投向發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上。舉例來說，如圖12所示，位置偵測模組M4至少包括一用於接收一偵測波L’的接收元件，並且偵測波L’可由雷射光源產生模組M3。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。

更進一步來說，配合圖12及圖13所示，本創作的發光二極體晶片的固接方法及固接裝置進一步還可通過一控制模組C電性連接承載模組M1、晶片取放模組M2、雷射光源產生模組M3以及位置偵測模組M4，且控制模組C可根據內建程式或操作人員的控制而驅使各模組進行運作。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

更進一步地，配合圖10以及圖12所示，在將雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L投向發光二極體晶片12與已固化的導電體11的一接觸介面F，而降低發光二極體晶片12與導電體11之間的連接強度，以使得發光二極體晶片12容易脫離導電體11而從電路基板10上取下的步驟（步驟S102）中，還進一步包括：利用位置偵測模組M4以偵測發光二極體晶片12與已固化的導電體11的接觸介面F的位置（即偵測步驟）；然後，利用雷射光源產生模組M3所產生的雷射光源L投向位於發光二極體晶片12與已固化的導電體11之間的接觸介面F，以降低發光二極體晶片12與導電體11之間的連接強度。舉例來說，如圖12所示，位置偵測模組M4至少包括一用於接收一偵測波L’的接收元件，並且偵測波L’可由雷射光源產生模組M3所提供。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。

值得注意的是，上述實施態樣中，用於使導電體11與發光二極體晶片12接合的雷射光源L與用於降低導電體11結合力的雷射光源L的波長可彼此不同或相同。

[第二實施例]

請參閱圖14及圖15所示，並請一併配合圖1至圖12，本創作第二實施例所提供的一種發光二極體晶片的固接方法，與第一實施例的發光二極體晶片的固接方法略為相近，因此，相似的流程步驟不再贅述。進一步來說，根據圖5、圖9與圖14、圖15比較所示，本創作第二實施例與第一實施的差異在於，本實施的每一個發光二極體晶片12可為次毫米發光二極體（Mini LED），其包括呈堆疊狀設置的一基層120、一n型導電層N、一被雷射光源L穿過的發光層M以及一p型導電層P，基層120為藍寶石（sapphire）材料層，n型導電層N可為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，發光層M為多量子井結構層，p型導電層P可為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層，但不以此為限。基層120還可以是石英基底層、玻璃基底層、矽基底層或者任何材料的基底層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

舉例來說，配合圖14所示，在類似第一實施例的步驟S203中，本創作第二實施例通過一雷射光源產生模組M3所產生一雷射光源L，並投向每一個發光二極體晶片12。雷射光源L投射至發光二極體晶片12時，會穿過基層120、n型導電層N、發光層M及p型導電層P，進而投射在電路基板10的至少兩個導電體11上。

更進一步來說，配合圖15所示，在類似第一實施例的步驟S204中，本創作第二實施例設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化，以使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。

值得一提的是，配合圖1至圖15所示，本創作還提供一種發光二極體晶片的固接裝置Z，其包括一承載模組M1、一晶片取放模組M2以及一雷射光源產生模組M3，雷射光源產生模組M3所產生的一雷射光源L投向一發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上，導電體11通過雷射光源L的照射而固化，以使得發光二極體晶片12被固接在一電路基板10上。

更進一步地，配合圖1至圖15所示，本創作還可提供一種發光二極體晶片的固接裝置Z，其包括：一承載模組M1、一晶片取放模組M2以及一雷射光源產生模組M3。承載模組M1用於承載一電路基板10，電路基板10包括多個導電焊點100，多個導電體11分別設置在該些導電焊點100上。晶片取放模組M2用於將多個發光二極體晶片12設置在電路基板10，每一個發光二極體晶片12設置在至少兩個導電體11上。雷射光源產生模組M3所產生的一雷射光源L投向每一個發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上。其中，設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化，以使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上。

[第三實施例]

請參閱圖16、圖17所示，並請一併配合圖1至圖12，本創作第三實施例所提供的一種發光二極體晶片的固接方法，與第一實施例的發光二極體晶片的固接方法略為相近，因此，相似的流程步驟不再贅述。進一步來說，根據圖2~圖5與圖16、圖17比較所示，本創作第三實施例與第一實施的差異在於，本實施在提供電路基板10的步驟後，還進一步包括：將至少兩個導電體11設置在每一個發光二極體晶片12（步驟S201B）。舉例來說，在本創作的步驟S201B中，每一個發光二極體晶片12上可以設置至少二個導電體11，且導電體11可為錫球，或是其他型體且具導電性的材料。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。

接著，配合圖1~圖9、圖16及圖17所示，通過晶片取放模組M2將多個發光二極體晶片12放置在電路基板10上，並且每一個發光二極體晶片12的至少兩個導電體11對應在電路基板10的導電焊點100上。然後，通過雷射光源產生模組M3所產生雷射光源L，投向發光二極體晶片12。接下來，設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11受到雷射光源L的照射時，會產生軟化，而與電路基板10產生連接。最後，在導電體11固化後，使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10，並通過導電體11而與電路基板10電性連接。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。

[實施例的有益效果]

本創作的其中一有益效果在於，本創作所提供的發光二極體晶片的固接方法，其能通過“提供一電路基板10，電路基板10包括多個導電焊點100”、“將多個導電體11分別設置在該些導電焊點100上”、“將多個發光二極體晶片12設置在電路基板10，每一個發光二極體晶片12設置在至少兩個導電體11上”、“將一雷射光源產生模組M3所產生的一雷射光源L投向每一個發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上”以及“設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化”的技術方案，使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上。

本創作的另外一有益效果在於，本創作所提供的發光二極體晶片的固接裝置Z，其能通過“一承載模組M1，其用於承載一電路基板10，電路基板10包括多個導電焊點100，多個導電體11分別設置在該些導電焊點100上”、“一雷射光源產生模組M3，其所產生的一雷射光源L投向每一個發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上”以及“設置在發光二極體晶片12與電路基板10之間的導電體11通過雷射光源L的照射而固化”的技術方案，使得發光二極體晶片12被固接在電路基板10上。

本創作的另外再一有益效果在於，本創作所提供的發光二極體晶片的固接裝置Z，其能通過“固接裝置Z包括一承載模組M1、一晶片取放模組M2以及一雷射光源產生模組M3”以及“雷射光源產生模組M3所產生的一雷射光源L投向一發光二極體晶片12，以使得雷射光源L穿過發光二極體晶片12且投射在至少兩個導電體11上，導電體11通過雷射光源L的照射而固化”的技術方案，使得發光二極體晶片12被固接在一電路基板10上。

更進一步來說，本創作所提供的發光二極體晶片的固接方法及固接裝置可通過上述技術方案，在不需要將發光二極體晶片12的基層120移除的情況下，直接利用雷射光源L穿過基層120、n型導電層N、發光層M以及p型導電層P的方式照射導電體11，以進行發光二極體晶片12的固晶製程。

以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例，並非因此侷限本創作的申請專利範圍，所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本創作的申請專利範圍內。

Z‧‧‧發光二極體晶片的固接裝置 10‧‧‧電路基板 100‧‧‧導電焊點 11‧‧‧導電體 12‧‧‧發光二極體晶片 120‧‧‧基層 N‧‧‧n型導電層 M‧‧‧發光層 P‧‧‧p型導電層 C‧‧‧控制模組 M1‧‧‧承載模組 M2‧‧‧晶片取放模組 M3‧‧‧雷射光源產生模組 L、L1、L2、L3‧‧‧雷射光源 L’‧‧‧偵測波 M4‧‧‧位置偵測模組 F‧‧‧接觸介面

圖1為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的流程圖。

圖2為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S200的示意圖。

圖3為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S201的示意圖。

圖4為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S202的示意圖。

圖5為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S203的示意圖。

圖6為圖5中VI的放大示意圖。

圖7為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S203中的雷射光源照射範圍的第一示意圖。

圖8為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S203中的雷射光源照射範圍的第二示意圖。

圖9為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S204的示意圖。

圖10為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S205的第一示意圖。

圖11為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的步驟S205的第二示意圖。

圖12為本創作第一實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的偵測步驟的示意圖。

圖13為本創作所提供的發光二極體晶片的固接裝置的方塊示意圖。

圖14為本創作第二實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的第一示意圖。

圖15為本創作第二實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的第二示意圖。

圖16為本創作第三實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的第一示意圖。

圖17為本創作第三實施例所提供的發光二極體晶片的固接方法的第二示意圖。

Z‧‧‧發光二極體晶片的固接裝置

C‧‧‧控制模組

M1‧‧‧承載模組

M2‧‧‧晶片取放模組

M3‧‧‧雷射光源產生模組

M4‧‧‧位置偵測模組

Claims (6)

1. 一種發光二極體晶片的固接裝置，其包括： 一承載模組，其用於承載一電路基板，該電路基板包括多個導電焊點，多個導電體分別設置在該些導電焊點上； 一晶片取放模組，其用於將多個發光二極體晶片設置在該電路基板，每一該發光二極體晶片設置在至少兩個該導電體上；以及 一雷射光源產生模組，其所產生的一雷射光源投向每一該發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個該導電體上； 其中，設置在該發光二極體晶片與該電路基板之間的該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶片的固接裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層；其中，該雷射光源的照射面積只涵蓋一個該導電體或者一個該發光二極體晶片，且該雷射光源產生模組所產生的該雷射光源的強度可調整；其中，該雷射光源不會穿過該電路基板，而只穿過該發光二極體晶片。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶片的固接裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一基層、一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該基層為藍寶石基層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層；其中，該雷射光源的照射面積只涵蓋一個該導電體或者一個該發光二極體晶片，且該雷射光源產生模組所產生的該雷射光源的強度可調整；其中，該雷射光源不會穿過該電路基板，而只穿過該發光二極體晶片。
4. 一種發光二極體晶片的固接裝置，其包括一承載模組、一晶片取放模組以及一雷射光源產生模組，該雷射光源產生模組所產生的一雷射光源投向一發光二極體晶片，以使得該雷射光源穿過該發光二極體晶片且投射在至少兩個導電體上，該導電體通過該雷射光源的照射而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在一電路基板上。
5. 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體晶片的固接裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層；其中，該雷射光源的照射面積只涵蓋一個該導電體或者一個該發光二極體晶片，且該雷射光源產生模組所產生的該雷射光源的強度可調整；其中，該雷射光源不會穿過該電路基板，而只穿過該發光二極體晶片。
6. 如申請專利範圍第4項所述的發光二極體晶片的固接裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一基層、一n型導電層、一被該雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層，該基層為藍寶石基層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層；其中，該雷射光源的照射面積只涵蓋一個該導電體或者一個該發光二極體晶片，且該雷射光源產生模組所產生的該雷射光源的強度可調整；其中，該雷射光源不會穿過該電路基板，而只穿過該發光二極體晶片。

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