TWM600468U - 應用於固接led的高週波加熱裝置 - Google Patents

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廖建碩
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Abstract

本創作公開一種應用於固接LED的高週波加熱裝置，其包括：一承載基板以及一高週波加熱模組。承載基板用於承載一電路基板，電路基板包括多個導電焊墊、多個導電體以及多個發光二極體晶片，該些導電體分別設置在該些導電焊墊上，每一個發光二極體晶片設置在相對應的至少兩個導電體上。高週波加熱模組包括至少一線圈組，至少一線圈組設置在發光二極體晶片的上方、承載基板的上表面、承載基板的下表面或者承載基板的內部。每一個發光二極體晶片通過至少一線圈組的加熱而固接在電路基板上。藉此，本創作所提供的應用於固接LED的高週波加熱裝置，通過高週波加熱模組的設置，能使發光二極體晶片被固接在電路基板上。

Description

應用於固接LED的高週波加熱裝置
本創作涉及一種高週波加熱裝置，特別是涉及一種應用於固接LED的高週波加熱裝置。
目前，發光二極體（Light-Emitting Diode，LED）因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說，為了使採用發光二極體做為發光元件的顯示裝置具有較佳的色彩表現能力，現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片的相互搭配而組成一全彩發光二極體顯示裝置，此全彩發光二極體顯示裝置可通過紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光，然後再通過混光後形成一全彩色光，以進行相關資訊的顯示。然而，在現有技術中，將發光二極體晶片固定在電路基板上的製程中，大多都以通過錫爐加熱方式而將發光二極體晶片焊接在電路基板上。
本創作所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種應用於固接LED的高週波加熱裝置。
為了解決上述的技術問題，本創作所採用的其中一技術方案是，提供一種應用於固接LED的高週波加熱裝置，其包括：一承載基板以及一高週波加熱模組。承載基板用於承載一電路基板，該電路基板包括多個導電焊墊、多個導電體以及多個發光二極體晶片，該些導電體分別設置在該些導電焊墊上，每一該發光二極體晶片設置在相對應的至少兩個該導電體上。高週波加熱模組包括至少一線圈組，至少一該線圈組設置在多個該發光二極體晶片的上表面的上方、該承載基板的上表面、該承載基板的下表面或者該承載基板的內部。其中，每一該發光二極體晶片通過至少一該線圈組的加熱而固接在該電路基板上。
為了解決上述的技術問題，本創作所採用的另外一技術方案是，提供一種應用於固接LED的高週波加熱裝置，其包括：一承載基板以及一高週波加熱模組。承載基板用於承載一電路基板，該電路基板承載有多個導電體以及多個發光二極體晶片。高週波加熱模組包括至少一線圈組，至少一該線圈組設置在多個該發光二極體晶片的上方、該承載基板的上表面、該承載基板的下表面或者該承載基板的內部。其中，該導電體通過該線圈組的加熱，以固接該發光二極體晶片。
為了解決上述的技術問題，本創作所採用的另外再一技術方案是，提供一種應用於固接LED的高週波加熱裝置，其包括：一承載基板、一高週波加熱模組、一溫控模組以及一控制模組。承載基板用於承載一電路基板，該電路基板承載有多個導電體以及多個發光二極體晶片。高週波加熱模組包括至少一線圈組，至少一該線圈組設置在多個該發光二極體晶片的上方、該承載基板的上表面、該承載基板的下表面或者該承載基板的內部。溫控模組鄰近該承載基板，以用於偵測該導電體的溫度，而得到一導電體溫度資訊。控制模組電性連接於該溫控模組與該高週波加熱模組之間。其中，該控制模組依據該導電體溫度資訊，以調整該高週波加熱模組所輸出的功率大小。
本創作的有益效果在於，本創作所提供的應用於固接LED的高週波加熱裝置，其能通過“承載基板用於承載一電路基板”、“高週波加熱模組包括至少一線圈組，至少一該線圈組設置在多個該發光二極體晶片的上方、該承載基板的上表面、該承載基板的下表面或者該承載基板的內部”以及“每一該發光二極體晶片通過至少一該線圈組的加熱而固接在該電路基板上”的技術方案，以使得發光二極體晶片被固接在電路基板上。
為使能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本創作加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“應用於固接LED的高週波加熱裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外，本創作的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖9所示，並請一併配合圖13，本創作第一實施例提供一種應用於固接LED的高週波加熱裝置Z，其包括：一承載基板M1以及一高週波加熱模組M2。
首先，配合圖1與圖2所示，承載模組M1上承載一電路基板10，承載模組M1可為具備位移功能的載台設備，且承載基板M1可為一不透光基板，但不以此為限。電路基板10包括多個導電焊墊100、多個導電體101以及多個發光二極體晶片102，多個導電體101分別設置在該些導電焊墊100上；舉例來說，每一個導電焊墊100上可以設置至少一個導電體101，且導電體101可為錫球，或是其他型體且具導電性的材料，但不以此為限。而多個發光二極體晶片102設置在電路基板10上，每一個發光二極體晶片102設置在至少兩個導電體101上。
進一步來說，配合圖3所示，本創作所提供的應用於固接LED的高週波加熱裝置Z，還進一步包括：一晶片取放模組M3，其鄰近承載基板M1，以用於將每一個發光二極體晶片102放置在相對應的至少兩個導電體101上。舉例來說，本創作還可通過晶片取放模組M3將多個發光二極體晶片102放置在電路基板10上，並且每一個發光二極體晶片102對應在至少兩個導電體101上。其中，晶片取放模組M3可以是真空吸嘴或者任何種類的取放機器（pick and place machine）。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。
接著，配合圖1至圖4、及圖6至圖9所示，高週波加熱模組M2可包括至少一個線圈組20，至少一個線圈組20設置在多個發光二極體晶片102的上方、承載基板M1的上表面上、承載基板M1的下表面上或者承載基板M1的內部。舉例來說，高週波加熱模組M2的線圈組20可設置於承載基板M1的內部中（如圖1所示），或者嵌設於承載基板M1的上表面（如圖7所示），或者嵌設於承載基板M1的下表面（如圖8所示），抑或設置於發光二極體晶片102的上方或承載基板M1上表面的上方（如圖9所示）。並且，線圈組20的數量可以是一個以上，在本實施例中以一個線圈組20作為示例，但不以此為限。
接下來，配合圖4及圖6所示，每一個發光二極體晶片102通過至少一個線圈組20的加熱而固接在電路基板10上。舉例來說，通過高週波加熱模組M2的線圈組20以電磁感應方式對設置在發光二極體晶片102與電路基板10之間的導電體101進行加熱，使導電體101產生軟化，而與發光二極體晶片102以及電路基板10產生連接。而後，在導電體101固化後，可使發光二極體晶片102被固接在電路基板10，並通過導電體101而與電路基板10電性連接。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。
進一步來說，配合圖5所示，每一個發光二極體晶片102可為微型半導體發光元件（Micro LED），其包括呈堆疊狀設置的一n型導電層N、一發光層M以及一p型導電層P，n型導電層N可為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，發光層M為多量子井結構層，p型導電層P可為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層，但不以此為限。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。
值得注意的是，本創作所提供的應用於固接LED的高週波加熱裝置Z進一步還具有雙重加熱或二階段加熱等功效。舉例來說，在線圈組20對設置在發光二極體晶片102與電路基板10之間的導電體101進行加熱之前、同時或之後，可再配合一加熱裝置（圖中未繪示，例如雷射加熱器或其他加熱器）對導電體101進行加熱，以縮短加熱時間或降低高週波加熱模組M2的輸出功率。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。
更進一步地，配合圖1至圖9所示，本創作還可提供一種應用於固接LED的高週波加熱裝置Z，其包括：一承載基板M1以及一高週波加熱模組M2。承載基板M1用於承載一電路基板10，電路基板10承載有多個導電體101以及多個發光二極體晶片102。高週波加熱模組M2包括至少一個線圈組20，至少一個線圈組20設置在承載基板M1的上表面的上方、承載基板M1的上表面上、承載基板M1的下表面上或者承載基板M1的內部。其中，導電體101通過至少一個線圈組20的加熱，以固接發光二極體晶片102。
[第二實施例]
參閱圖10及圖11所示，並請一併配合圖1至圖9，本創作第二實施例所提供的一種應用於固接LED的高週波加熱裝置Z，與第一實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置Z相似，因此，相似的作動方式不再贅述。進一步來說，根據圖4、圖6與圖10、圖11比較所示，本創作第二實施例與第一實施的差異在於，本實施的每一個發光二極體晶片102可為次毫米發光二極體（Mini LED），其包括呈堆疊狀設置的一基層1020、一n型導電層N、一發光層M以及一p型導電層P，基層1020為藍寶石（sapphire）材料層，n型導電層N可為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，發光層M為多量子井結構層，p型導電層P可為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層，但不以此為限。基層1020還可以是石英基底層、玻璃基底層、矽基底層或者任何材料的基底層。
然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。
[第三實施例]
參閱圖12及圖13所示，並請一併配合圖1至圖11，本創作第三實施例所提供的一種應用於固接LED的高週波加熱裝置Z，與第一實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置Z相似，因此，相似的作動方式不再贅述。進一步來說，本創作第三實施例與第一實施的差異在於，本創作所提供的應用於固接LED的高週波加熱裝置Z還進一步包括：一溫控模組M4以及一控制模組M5。溫控模組M4鄰近承載基板M1，以用於偵測導電體101的溫度，而得到一導電體溫度資訊。控制模組M5電性連接於溫控模組M4與高週波加熱模組M2之間。其中，控制模組M5依據導電體溫度資訊，以調整高週波加熱模組M2所輸出的功率大小。
舉例來說，配合圖12及圖13所示，溫控模組M4可為溫度感測器或者溫度控制器，但不以此為限。溫控模組M4的感測端可穿設於承載基板M1中，並鄰近於電路基板10，或者溫控模組M4的感測端可位於承載基板M1的外部，並鄰近於電路基板10上的其中一或部分的導電體101。並且，控制模組M5電性連接於承載基板M1、高週波加熱模組M2、晶片取放模組M3以及溫控模組M4。因此，在線圈組20對導電體101進行加熱的同時或者之後，可通過溫控模組M4偵測導電體101的溫度，而得到一導電體溫度資訊。接著，控制模組M5可根據導電體溫度資訊而判讀高週波加熱模組M2所輸出的功率是否足夠、過低或者過高（例如將導電體溫度資訊與一預設溫度資訊比較，但不以此為限），進而適當地調整高週波加熱模組M2所輸出的功率大小。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本創作。
值得一提的是，配合圖12至圖13所示，本創作還提供一種應用於固接LED的高週波加熱裝置Z，其包括：一承載基板M1、一高週波加熱模組M2、一溫控模組M4以及一控制模組M5。承載基板M1用於承載一電路基板10，電路基板10承載有多個導電體101以及多個發光二極體晶片102。高週波加熱模組M2包括至少一個線圈組20，至少一個線圈組20設置在承載基板M1的上表面的上方、承載基板M1的上表面、承載基板M1的下表面或者承載基板M1的內部。溫控模組M4鄰近電路基板10，以用於偵測導電體101的溫度，而得到一導電體溫度資訊。控制模組M5電性連接於溫控模組M4與高週波加熱模組M2之間。其中，控制模組M5依據導電體溫度資訊，以調整高週波加熱模組M2所輸出的功率大小。
[第四實施例]
參閱圖14及圖15所示，並請一併配合圖1至圖13，本創作第四實施例所提供的一種應用於固接LED的高週波加熱裝置Z，與第一實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置Z相似，因此，相似的作動方式不再贅述。進一步來說，根據圖1與圖14比較所示，本創作第四實施例與第一實施的差異在於，本創作所提供的應用於固接LED的高週波加熱裝置Z還可將至少兩個導電體101設置在每一個發光二極體晶片102。
舉例來說，配合圖14及圖15所示，在本創作中，每一個發光二極體晶片102上可以設置至少二個導電體101，且導電體101可為錫球，或是其他型體且具導電性的材料，但不以此為限。接著，配合圖14所示，通過晶片取放模組M3將多個發光二極體晶片102放置在電路基板10上，並且每一個發光二極體晶片102的至少兩個導電體101對應在電路基板10的導電焊墊100上。接下來，高週波加熱模組M2通過線圈組20對設置在發光二極體晶片102與電路基板10之間的導電體101進行加熱，使導電體101產生軟化，而與電路基板10產生連接。最後，在導電體101固化後，發光二極體晶片102被固接在電路基板10，並通過導電體101而與電路基板10電性連接。然而，本創作不以上述所舉的例子為限。
[實施例的有益效果]
本創作的有益效果在於，本創作所提供的應用於固接LED的高週波加熱裝置Z，其能通過“承載基板M1用於承載一電路基板10”、“高週波加熱模組M2包括至少一個線圈組20，至少一個線圈組20設置在承載基板M1的上表面的上方、承載基板M1的上表面、承載基板M1的下表面或者承載基板M1的內部”以及“每一個發光二極體晶片102通過至少一個線圈組20的加熱而固接在電路基板10上”的技術方案，以使得發光二極體晶片102被固接在電路基板10上。
更進一步來說，本創作所提供的應用於固接LED的高週波加熱裝置Z通過上述技術方案，可利用高週波加熱模組M2的線圈組20以電磁感應方式進行發光二極體晶片102的固晶製程。
以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例，並非因此侷限本創作的申請專利範圍，所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本創作的申請專利範圍內。
Z:高週波加熱裝置 10:電路基板 100:導電焊墊 101:導電體 102:發光二極體晶片 1020:基層 N:n型導電層 M:發光層 P:p型導電層 M1:承載基板 M2:高週波加熱模組 20:線圈組 M3:晶片取放模組 M4:溫控模組 M5:控制模組
圖1為本創作的應用於固接LED的高週波加熱裝置的高週波加熱模組的第一態樣的結構示意圖。
圖2為本創作第一實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的第一運作示意圖。
圖3為本創作第一實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的第二運作示意圖。
圖4為本創作第一實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的第三運作示意圖。
圖5為圖4中V部分的放大示意圖。
圖6為本創作第一實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的第四運作示意圖。
圖7為本創作的應用於固接LED的高週波加熱裝置的高週波加熱模組的第二態樣的結構示意圖。
圖8為本創作的應用於固接LED的高週波加熱裝置的高週波加熱模組的第三態樣的結構示意圖。
圖9為本創作的應用於固接LED的高週波加熱裝置的高週波加熱模組的第四態樣的結構示意圖。
圖10為本創作第二實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的第一運作示意圖。
圖11為本創作第二實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的第二運作示意圖。
圖12為本創作第三實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的結構示意圖。
圖13為本創作第三實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的功能方塊示意圖。
圖14為本創作第四實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的第一運作示意圖。
圖15為本創作第四實施例的應用於固接LED的高週波加熱裝置的第二運作示意圖。
10:電路基板
100:導電焊墊
101:導電體
102:發光二極體晶片
M1:承載基板
M2:高週波加熱模組
20:線圈組

Claims (10)

  1. 一種應用於固接LED的高週波加熱裝置，其包括： 一承載基板，其用於承載一電路基板，該電路基板包括多個導電焊墊、多個導電體以及多個發光二極體晶片，該些導電體分別設置在該些導電焊墊上，每一該發光二極體晶片設置在相對應的至少兩個該導電體上；以及 一高週波加熱模組，其包括至少一線圈組，至少一該線圈組設置在多個該發光二極體晶片的上方、該承載基板的上表面、該承載基板的下表面或者該承載基板的內部； 其中，每一該發光二極體晶片通過至少一該線圈組的加熱而固接在該電路基板上。
  2. 如請求項1所述之應用於固接LED的高週波加熱裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一n型導電層、一發光層以及一p型導電層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層；其中，該承載基板為一不透光基板。
  3. 如請求項1所述之應用於固接LED的高週波加熱裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一基層、一n型導電層、一發光層以及一p型導電層，該基層為藍寶石基層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層；其中，該承載基板為一不透光基板。
  4. 如請求項1所述之應用於固接LED的高週波加熱裝置，還進一步包括：一晶片取放模組，其鄰近該承載基板，以用於將每一該發光二極體晶片放置在相對應的至少兩個該導電體上；其中，該導電體通過該線圈組的加熱而固化，以使得該發光二極體晶片被固接在該電路基板上。
  5. 如請求項1所述之應用於固接LED的高週波加熱裝置，還進一步包括： 一溫控模組，其鄰近該承載基板，以用於偵測該導電體的溫度，而得到一導電體溫度資訊；以及 一控制模組，其電性連接於該溫控模組與該高週波加熱模組之間； 其中，該控制模組依據該導電體溫度資訊，以調整該高週波加熱模組所輸出的功率大小。
  6. 一種應用於固接LED的高週波加熱裝置，其包括： 一承載基板，其用於承載一電路基板，該電路基板承載有多個導電體以及多個發光二極體晶片；以及 一高週波加熱模組，其包括至少一線圈組，至少一該線圈組設置在該承載基板的上表面的上方、該承載基板的上表面、該承載基板的下表面或者該承載基板的內部；其中，該導電體通過該線圈組的加熱，以固接該發光二極體晶片。
  7. 如請求項6所述之應用於固接LED的高週波加熱裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一n型導電層、一發光層以及一p型導電層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。
  8. 如請求項6所述之應用於固接LED的高週波加熱裝置，其中，每一該發光二極體晶片包括呈堆疊狀設置的一基層、一n型導電層、一發光層以及一p型導電層，該基層為藍寶石基層，該n型導電層為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，該發光層為多量子井結構層，該p型導電層為p型氮化鎵材料層或p型砷化鎵材料層。
  9. 如請求項6所述之應用於固接LED的高週波加熱裝置，還進一步包括： 一溫控模組，其鄰近該承載基板，以用於偵測該導電體的溫度，而得到一導電體溫度資訊；以及 一控制模組，其電性連接於該溫控模組與該高週波加熱模組之間； 其中，該控制模組依據該導電體溫度資訊，以調整該高週波加熱模組所輸出的功率大小。
  10. 一種應用於固接LED的高週波加熱裝置，其包括： 一承載基板，其用於承載一電路基板，該電路基板承載有多個導電體以及多個發光二極體晶片； 一高週波加熱模組，其包括至少一線圈組，至少一該線圈組設置在該承載基板的上表面的上方、該承載基板的上表面、該承載基板的下表面或者該承載基板的內部；一溫控模組，其鄰近該電路基板，以用於偵測該導電體的溫度，而得到一導電體溫度資訊；以及 一控制模組，其電性連接於該溫控模組與該高週波加熱模組之間； 其中，該控制模組依據該導電體溫度資訊，以調整該高週波加熱模組所輸出的功率大小。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747585B (zh) * 2020-10-30 2021-11-21 昱凱科技股份有限公司 顯示裝置的製造方法

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