TW201916401A - 發光模組的製作方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種發光模組的製作方法，其包括：首先，將一半導體結構貼附在一第一承載基板上，半導體結構包括一基底層以及多個設置在基底層上的發光晶片；然後，將基底層從半導體結構上移除，多個發光晶片被第一承載基板所承載；接著，將承載有多個發光晶片的第一承載基板貼附在一第二承載基板上；接下來，將第一承載基板從每一個發光晶片上分離，每一個發光晶片的至少兩個焊墊被裸露在外；緊接著，將每一個發光晶片從第二承載基板上分離；最後，將每一個發光晶片設置在一電路基板上。藉此，本發明能通過上述的步驟以完成發光模組的製作。

Description

發光模組的製作方法
本發明涉及一種製作方法，特別是涉及一種發光模組的製作方法。
目前，發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說，為了使採用發光二極體做為發光元件的顯示裝置具有較佳的色彩表現能力，現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片的相互搭配而組成一全彩發光二極體顯示裝置，此全彩發光二極體顯示裝置可通過紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光，然後再通過混光後形成一全彩色光，以進行相關資訊的顯示。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光模組的製作方法。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種發光模組的製作方法，其包括：將一半導體結構放置在一第一承載基板的一第一黏著層上，其中，所述半導體結構包括一基底層以及多個設置在所述基底層上且彼此分離的發光晶片，且多個所述發光晶片被貼附在所述第一黏著層上；使用一第一光源照射每一個所述發光晶片與所述基底層之間的一接觸面；通過所述第一光源的照射，以將所述基底層從所述半導體結構上 移除，其中，多個所述發光晶片被所述第一承載基板所承載，且每一個所述發光晶片的背部被所述第一黏著層所裸露；將承載有多個所述發光晶片的所述第一承載基板放置在一第二承載基板的一第二黏著層上，其中，多個所述發光晶片被貼附在所述第二黏著層上，且每一個所述發光晶片的背部被所述第二黏著層所覆蓋；使用一第二光源照射每一個所述發光晶片與所述第一黏著層之間的一接觸面；通過所述第二光源的照射，以將所述第一承載基板從每一個所述發光晶片上分離，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個焊墊被裸露在所述第一黏著層的外部；使用一第三光源照射每一個所述發光晶片與所述第二黏著層之間的一接觸面；通過所述第三光源的照射，以將每一個所述發光晶片從所述第二承載基板上分離；將每一個所述發光晶片設置在一電路基板上，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個所述焊墊分別通過兩個錫球以電性連接於所述電路基板；以及，使用一第四光源照射所述錫球，以使得每一個所述發光晶片的至少兩個所述焊墊穩固地連接於相對應的兩個所述錫球。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種發光模組的製作方法，其包括：將一半導體結構放置在一第一承載基板的一第一黏著層上，其中，所述半導體結構包括一基底層以及多個設置在所述基底層上且彼此分離的發光晶片，且多個所述發光晶片被貼附在所述第一黏著層上；通過一第一光源的照射，以將所述基底層從所述半導體結構上移除，其中，多個所述發光晶片被所述第一承載基板所承載，且每一個所述發光晶片的背部被所述第一黏著層所裸露；將承載有多個所述發光晶片的所述第一承載基板放置在一第二承載基板的一第二黏著層上，其中，多個所述發光晶片被貼附在所述第二黏著層上，且每一個所述發光晶片的背部被所述第二黏著層所覆蓋；通過一第二光源的照射，以將所述第一承載基板從每一個所述發光晶片上分 離，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個焊墊被裸露在所述第一黏著層的外部；通過一第三光源的照射，以將每一個所述發光晶片從所述第二承載基板上分離；將每一個所述發光晶片設置在一電路基板上，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個所述焊墊分別通過兩個錫球以電性連接於所述電路基板；以及，使用一第四光源照射所述錫球，以使得每一個所述發光晶片的至少兩個所述焊墊穩固地連接於相對應的兩個所述錫球。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種發光模組的製作方法，其包括：將一半導體結構貼附在一第一承載基板上，其中，所述半導體結構包括一基底層以及多個設置在所述基底層上的發光晶片；將所述基底層從所述半導體結構上移除，其中，多個所述發光晶片被所述第一承載基板所承載；將承載有多個所述發光晶片的所述第一承載基板貼附在一第二承載基板上；將所述第一承載基板從每一個所述發光晶片上分離，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個焊墊被裸露在外；以及，將所述發光晶片電性連接於一電路基板，其中，在將所述發光晶片電性連接於所述電路基板的步驟中，還進一步包括步驟(A)或者步驟(B)。步驟(A)包括：將所述發光晶片從所述第二承載基板上分離，然後將所述發光晶片設置在所述電路基板上。步驟(B)包括：將所述發光晶片設置在所述電路基板上，然後將所述發光晶片從所述第二承載基板上分離。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種發光模組的製作方法，其能通過“將一半導體結構貼附或者放置在一第一承載基板上”、“將所述基底層從所述半導體結構上移除”、“將承載有多個所述發光晶片的所述第一承載基板貼附或者放置在一第二承載基板上”、“將所述第一承載基板從每一個所述發光晶片上分離”以及“將所述發光晶片電性連接於一電路基板”的技術方案，以完成所述發光模組的製作。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
M‧‧‧發光模組
S‧‧‧半導體結構
S10‧‧‧基底層
S11‧‧‧發光晶片
S110‧‧‧焊墊
S1100‧‧‧外圍表面
Ga‧‧‧鎵物質
1‧‧‧第一承載基板
10‧‧‧第一黏著層
2‧‧‧第二承載基板
20‧‧‧第二黏著層
C‧‧‧電路基板
C10‧‧‧微凹槽
B‧‧‧錫球
L1‧‧‧第一光源
L2‧‧‧第二光源
L3‧‧‧第三光源
L4‧‧‧第四光源
圖1為本發明第一實施例的發光模組的製作方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例的半導體結構放置在第一承載基板的第一黏著層之前的側視示意圖。
圖3為本發明第一實施例的發光模組的製作方法的步驟S100的側視示意圖。
圖4為本發明第一實施例的發光模組的製作方法的步驟S102的側視示意圖。
圖5為本發明第一實施例的發光模組的製作方法的步驟S104的側視示意圖。
圖6為本發明第一實施例的發光模組的製作方法的步驟S105的側視示意圖。
圖7為本發明第一實施例的發光模組的製作方法的步驟S106與S108的側視示意圖。
圖8為本發明第一實施例的發光模組的製作方法的步驟S110的側視示意圖。
圖9為本發明第一實施例的發光模組的製作方法的步驟S112與S114的側視示意圖。
圖10為本發明第一實施例的發光模組的製作方法的步驟S116與S118的側視示意圖。
圖11為本發明第二實施例的發光模組的製作方法的流程圖。
圖12為本發明第三實施例的發光模組的製作方法的流程圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光模組的製作方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書 所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
[第一實施例]
請參閱圖1至圖10所示，本發明第一實施例提供一種發光模組M的製作方法，其包括下列步驟：首先，配合圖1、圖2以及圖3所示，將一半導體結構S放置在一第一承載基板1的一第一黏著層10上，其中，半導體結構S包括一基底層S10以及多個設置在基底層S10上且彼此分離的發光晶片S11，並且多個發光晶片S11被貼附在第一黏著層10上(步驟S100)。也就是說，當半導體結構S被放置在第一承載基板1的第一黏著層10上後，多個發光晶片S11會嵌入第一黏著層10內。舉例來說，基底層S10可為一藍寶石(sapphire)基底層、一矽(silicon)基底層或者任何材料的基底層，並且發光晶片S11可為氮化鎵(GaN)發光二極體晶片或者是任何種類的半導體發光晶片，然而本發明不以上述所舉的例子為限。
接著，配合圖1與圖4所示，使用一第一光源L1照射每一個發光晶片S11與基底層S10之間的一接觸面(步驟S102)。舉例來說，第一光源L1可以依序照射每一個發光晶片S11與基底層S10之間的接觸面，也可以是以較大照射面積的方式同時照射多個發光晶片S11與基底層S10之間的接觸面，然而本發明不以此舉例為限。
然後，配合圖1、圖4以及圖5所示，通過第一光源L1的照射，以將基底層S10從半導體結構S上移除，其中，多個發光晶 片S11被第一承載基板1所承載，並且每一個發光晶片S11的背部被第一黏著層10所裸露(步驟S104)。更進一步來說，如圖4所示，第一光源L1會穿過基底層S10而投射到每一個發光晶片S11與基底層S10之間的接觸面，藉此以將每一個發光晶片S11與基底層S10彼此分離。也就是說，基底層S10可以通過第一光源L1的照射，而降低基底層S10與發光晶片S11之間的接合強度，藉此能夠讓基底層S10易於從多個發光晶片S11上移除。
值得注意的是，配合圖1、圖5以及圖6所示，在將基底層S10從半導體結構S上移除的步驟S104後，還進一步包括：利用酸性溶液以移除殘留在每一個發光晶片S11的背部上的鎵物質Ga，並且移除第一黏著層10的一部分而裸露出每一個發光晶片S11的外圍表面S1100的一部分(步驟S105)。舉例來說，酸性溶液可為鹽酸(HCl)、硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)、醋酸(CH3COOH)溶液等。然而，步驟S105可為一非必要步驟。也就是說，步驟S105可依據不同的情況而省略或者保留。
接下來，配合圖1與圖7所示，將承載有多個發光晶片S11的第一承載基板1放置在一第二承載基板2的一第二黏著層20上，其中，多個發光晶片S11被貼附在第二黏著層20上，並且每一個發光晶片S11的背部被第二黏著層20所覆蓋(步驟S106)。也就是說，當承載有多個發光晶片S11的第一承載基板1被放置在第二承載基板2的第二黏著層20上後，每一個發光晶片S11的一部分會被嵌入第二黏著層20內。
緊接著，配合圖1與圖7所示，使用一第二光源L2照射每一個發光晶片S11與第二黏著層20之間的一接觸面(步驟S108)。舉例來說，第二光源L2可以依序照射每一個發光晶片S11與第二黏著層20之間的接觸面，也可以是以較大照射面積的方式同時照射多個發光晶片S11與第二黏著層20之間的接觸面，然而本發明不以此舉例為限。
然後，配合圖1、圖7以及圖8所示，通過第二光源L2的照射，以將第一承載基板1從每一個發光晶片S11上分離，其中，每一個發光晶片S11的至少兩個焊墊S110被裸露在第二黏著層20的外部(步驟S110)。更進一步來說，如圖7所示，第二光源L2會穿過第一承載基板1而投射到每一個發光晶片S11與第一黏著層10之間的接觸面，藉此以將第一承載基板1的第一黏著層10從每一個發光晶片S11上分離。也就是說，第一承載基板1的第一黏著層10可以通過第二光源L2的照射，而降低第一黏著層10與發光晶片S11之間的接合強度，藉此能夠讓第一承載基板1的第一黏著層10易於從多個發光晶片S11上移除。
接下來，配合圖1與圖9所示，使用一第三光源L3照射每一個發光晶片S11與第二黏著層20之間的一接觸面(步驟S112)，然後通過第三光源L3的照射，以將每一個發光晶片S11從第二承載基板2上分離(步驟S114)。更進一步來說，如圖9所示，第三光源L3會穿過第二承載基板2而投射到每一個發光晶片S11與第二黏著層20之間的接觸面，藉此以將每一個發光晶片S11從第二承載基板2的第二黏著層20上分離。也就是說，第二承載基板2的第二黏著層20可以通過第三光源L3的照射，而降低第二黏著層20與發光晶片S11之間的接合強度，藉此能夠讓多個發光晶片S11易於從第二黏著層20上移除。
緊接著，配合圖1與圖9所示，將每一個發光晶片S11設置在一電路基板C上，其中，每一個發光晶片S11的至少兩個焊墊S110分別通過兩個錫球B以電性連接於電路基板C(步驟S116)。舉例來說，電路基板C可為一薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)基板或者任何種類的承載基板。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
最後，配合圖1與圖10所示，使用一第四光源L4照射錫球B，以使得每一個發光晶片S11的至少兩個焊墊S110穩固地連接 於相對應的兩個錫球B(步驟S118)，藉此以完成發光模組M的製作。更進一步來說，如圖10所示，第四光源L4會穿過每一個發光晶片S11或者電路基板C而投射到錫球B，藉此以使得錫球B能穩固地連接於焊墊S110與電路基板C之間。舉例來說，發光模組M可被應用於照明裝置或者發光二極體顯示裝置，然而本發明不以上述所舉的例子為限。
舉例來說，第一光源L1與第四光源L4都可以是IR雷射光源或者是其它光源，例如任何的可見光源或者不可見光源。另外，第二光源L2與第三光源L3可為相同光源或者相異光源，並且第二光源L2與第三光源L3可為UV雷射光源或者IR雷射光源，或者是其它光源，例如任何的可見光源或者不可見光源。此外，第二黏著層20與第二黏著層20都是UV膠或者其它種類的光學黏著膠。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉例來說，如圖9或者圖10所示，電路基板C具有多個排列成一預定形狀的微凹槽C10，並且多個發光晶片S11分別設置在多個微凹槽C10內。值得注意的是，在步驟S112之前，可利用影像擷取裝置(例如相機)先將承載有多個發光晶片S11的第二承載基板2與電路基板C彼此進行對位(如圖9所示)，以使得多個發光晶片S11的位置(例如第一對位圖案)會分別對應到電路基板C的多個微凹槽C10的位置(例如第二對位圖案)。藉此，能夠讓多個發光晶片S11準確地分別設置多個微凹槽C10內。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉例來說，如圖9所示，第三光源L3也可以只照射其中一個發光晶片S11與第二黏著層20之間的一接觸面，以將其中一個發光晶片S11從第二承載基板2上分離，而不是將全部的發光晶片S11從第二承載基板2上分離。也就是說，當有特別的需求時，例如需要對損壞的發光晶片進行修補時，可通過第三光源L3的照射而只將一個預先選定的發光晶片S11從第二承載基板2上分離， 以對損壞的發光晶片進行修補。
[第二實施例]
請參閱圖11所示，本發明第二實施例提供一種發光模組M的製作方法，並且第二實施例可配合圖2至圖10為例子來作輔助說明，但本發明並不以此舉例為限。
第二實施例的發光模組M的製作方法包括下列步驟：首先，如圖2與圖3所示，將一半導體結構S放置在一第一承載基板1的一第一黏著層10上，其中，半導體結構S包括一基底層S10以及多個設置在基底層S10上且彼此分離的發光晶片S11，並且多個發光晶片S11被貼附在第一黏著層10上(步驟S200)；接著，如圖4與圖5所示，通過一第一光源L1的照射，以將基底層S10從半導體結構S上移除，其中，多個發光晶片S11被第一承載基板1所承載，並且每一個發光晶片S11的背部被第一黏著層10所裸露(步驟S202)；然後，如圖6與圖7所示，將承載有多個發光晶片S11的第一承載基板1放置在一第二承載基板2的一第二黏著層20上，其中，多個發光晶片S11被貼附在第二黏著層20上，並且每一個發光晶片S11的背部被第二黏著層20所覆蓋(步驟S204)；接下來，如圖7與圖8所示，通過一第二光源L2的照射，以將第一承載基板1從每一個發光晶片S11上分離，其中，每一個發光晶片S11的至少兩個焊墊S110被裸露在第二黏著層20的外部(步驟S206)；緊接著，如圖9所示，通過一第三光源L3的照射，以將每一個發光晶片S11從第二承載基板2上分離(步驟S208)；然後，如圖9所示，將每一個發光晶片S11設置在一電路基板C上，其中，每一個發光晶片S11的至少兩個焊墊S110分別通過兩個錫球B以電性連接於電路基板C(步驟S210)；最後，如圖10所示，使用一第四光源L4照射錫球B，以使得每一個發光晶片S11的至少兩個焊墊S110穩固地連接於相對應的兩個錫球B(步驟S212)， 藉此以完成發光模組M的製作。
[第三實施例]
請參閱圖12所示，本發明第三實施例提供一種發光模組M的製作方法，並且第三實施例可配合圖2至圖10為例子來作輔助說明，但本發明並不以此舉例為限。
第三實施例的發光模組M的製作方法包括下列步驟：首先，如圖2與圖3所示，將一半導體結構S貼附在一第一承載基板1上，其中，半導體結構S包括一基底層S10以及多個設置在基底層S10上的發光晶片S11(步驟S300)；接著，如圖4與圖5所示，將基底層S10從半導體結構S上移除，其中，多個發光晶片S11被第一承載基板1所承載(步驟S302)；然後，如圖6與圖7所示，將承載有多個發光晶片S11的第一承載基板1貼附在一第二承載基板2上(步驟S304)；緊接著，如圖7與圖8所示，將第一承載基板1從每一個發光晶片S11上分離，其中，每一個發光晶片S11的至少兩個焊墊S110被裸露在外(步驟S306)；，將發光晶片S11電性連接於一電路基板C(步驟S308)，藉此以完成發光模組M的製作。
更進一步來說，在將發光晶片S11電性連接於電路基板C的步驟中，還進一步包括步驟(A)或者步驟(B)。其中，步驟(A)包括：將發光晶片S11從第二承載基板2上分離(步驟S3081)，然後將發光晶片S11設置在電路基板C上(步驟S3082)。其中，步驟(B)包括：將發光晶片S11設置在電路基板C上(步驟S3083)，然後將發光晶片S11從第二承載基板2上分離(步驟S3084)。也就是說，依據不同的需求，發光晶片S11可以先從第二承載基板2上分離後再設置在電路基板C上，或者是發光晶片S11可以先被設置在電路基板C上後再從第二承載基板2上分離。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種發光模組M的製作方法，其能通過“將一半導體結構S貼附或者放置在一第一承載基板1上”、“將基底層S10從半導體結構S上移除”、“將承載有多個發光晶片S11的第一承載基板1貼附或者放置在一第二承載基板2上”、“將第一承載基板1從每一個發光晶片D11上分離”以及“將發光晶片S11電性連接於一電路基板C”的技術方案，以完成發光模組M的製作。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (10)

  1. 一種發光模組的製作方法，其包括：將一半導體結構放置在一第一承載基板的一第一黏著層上，其中，所述半導體結構包括一基底層以及多個設置在所述基底層上且彼此分離的發光晶片，且多個所述發光晶片被貼附在所述第一黏著層上；使用一第一光源照射每一個所述發光晶片與所述基底層之間的一接觸面；通過所述第一光源的照射，以將所述基底層從所述半導體結構上移除，其中，多個所述發光晶片被所述第一承載基板所承載，且每一個所述發光晶片的背部被所述第一黏著層所裸露；將承載有多個所述發光晶片的所述第一承載基板放置在一第二承載基板的一第二黏著層上，其中，多個所述發光晶片被貼附在所述第二黏著層上，且每一個所述發光晶片的背部被所述第二黏著層所覆蓋；使用一第二光源照射每一個所述發光晶片與所述第一黏著層之間的一接觸面；通過所述第二光源的照射，以將所述第一承載基板從每一個所述發光晶片上分離，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個焊墊被裸露在所述第一黏著層的外部；使用一第三光源照射每一個所述發光晶片與所述第二黏著層之間的一接觸面；通過所述第三光源的照射，以將每一個所述發光晶片從所述第二承載基板上分離；將每一個所述發光晶片設置在一電路基板上，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個所述焊墊分別通過兩個錫球以電性 連接於所述電路基板；以及使用一第四光源照射所述錫球，以使得每一個所述發光晶片的至少兩個所述焊墊穩固地連接於相對應的兩個所述錫球。
  2. 如請求項1所述的發光模組的製作方法，其中，所述第一光源與所述第四光源都是IR雷射光源，所述第二光源與所述第三光源為相同光源或者相異光源，所述第二光源與所述第三光源為UV雷射光源或者IR雷射光源，且所述第一黏著層與所述第二黏著層都是UV膠。
  3. 如請求項1所述的發光模組的製作方法，其中，在將所述基底層從所述半導體結構上移除的步驟後，還進一步包括：利用酸性溶液以移除殘留在每一個所述發光晶片的背部上的鎵物質，且移除所述第一黏著層的一部分而裸露出每一個所述發光晶片的背。
  4. 如請求項1所述的發光模組的製作方法，其中，所述電路基板具有多個排列成一預定形狀的微凹槽，多個所述發光晶片分別設置在多個所述微凹槽內，且多個所述發光晶片分別對應多個所述微凹槽。
  5. 如請求項1所述的發光模組的製作方法，其中，所述第一光源穿過所述基底層而投射到每一個所述發光晶片與所述基底層之間的所述接觸面，以將每一個所述發光晶片與所述基底層彼此分離，其中，所述第二光源穿過所述第一承載基板而投射到每一個所述發光晶片與所述第一黏著層之間的所述接觸面，以將所述第一承載基板的所述第一黏著層從每一個所述發光晶片上分離，其中，所述第三光源穿過所述第二承載基板而投射到每一個所述發光晶片與所述第二黏著層之間的所述接觸面，以將每一個所述發光晶片從所述第二承載基板的所述第二黏著層上分離，其中，所述第四光源穿過每一個所述發光晶片或者所述電路基板而投射到所述錫球，以使得所述錫球穩固地 連接於所述焊墊與所述電路基板之間。
  6. 一種發光模組的製作方法，其包括：將一半導體結構放置在一第一承載基板的一第一黏著層上，其中，所述半導體結構包括一基底層以及多個設置在所述基底層上且彼此分離的發光晶片，且多個所述發光晶片被貼附在所述第一黏著層上；通過一第一光源的照射，以將所述基底層從所述半導體結構上移除，其中，多個所述發光晶片被所述第一承載基板所承載，且每一個所述發光晶片的背部被所述第一黏著層所裸露；將承載有多個所述發光晶片的所述第一承載基板放置在一第二承載基板的一第二黏著層上，其中，多個所述發光晶片被貼附在所述第二黏著層上，且每一個所述發光晶片的背部被所述第二黏著層所覆蓋；通過一第二光源的照射，以將所述第一承載基板從每一個所述發光晶片上分離，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個焊墊被裸露在所述第一黏著層的外部；通過一第三光源的照射，以將每一個所述發光晶片從所述第二承載基板上分離；將每一個所述發光晶片設置在一電路基板上，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個所述焊墊分別通過兩個錫球以電性連接於所述電路基板；以及使用一第四光源照射所述錫球，以使得每一個所述發光晶片的至少兩個所述焊墊穩固地連接於相對應的兩個所述錫球。
  7. 如請求項6所述的發光模組的製作方法，其中，在將所述基底層從所述半導體結構上移除的步驟後，還進一步包括：利用酸性溶液以移除殘留在每一個所述發光晶片的背部上的鎵物質，其中，所述電路基板具有多個排列成一預定形狀的微凹 槽，多個所述發光晶片分別設置在多個所述微凹槽內，且多個所述發光晶片分別對應多個所述微凹槽。
  8. 如請求項6所述的發光模組的製作方法，其中，所述第一光源穿過所述基底層而投射到每一個所述發光晶片與所述基底層之間的所述接觸面，以將每一個所述發光晶片與所述基底層彼此分離，其中，所述第二光源穿過所述第一承載基板而投射到每一個所述發光晶片與所述第一黏著層之間的所述接觸面，以將所述第一承載基板的所述第一黏著層從每一個所述發光晶片上分離，其中，所述第三光源穿過所述第二承載基板而投射到每一個所述發光晶片與所述第二黏著層之間的所述接觸面，以將每一個所述發光晶片從所述第二承載基板的所述第二黏著層上分離，其中，所述第四光源穿過每一個所述發光晶片或者所述電路基板而投射到所述錫球，以使得所述錫球穩固地連接於所述焊墊與所述電路基板之間。
  9. 一種發光模組的製作方法，其包括：將一半導體結構貼附在一第一承載基板上，其中，所述半導體結構包括一基底層以及多個設置在所述基底層上的發光晶片；將所述基底層從所述半導體結構上移除，其中，多個所述發光晶片被所述第一承載基板所承載；將承載有多個所述發光晶片的所述第一承載基板貼附在一第二承載基板上；將所述第一承載基板從每一個所述發光晶片上分離，其中，每一個所述發光晶片的至少兩個焊墊被裸露在外；以及將所述發光晶片電性連接於一電路基板，其中，在將所述發光晶片電性連接於所述電路基板的步驟中，還進一步包括步驟(A)或者步驟(B)；其中，步驟(A)包括：將所述發光晶片從所述第二承載基板上 分離，然後將所述發光晶片設置在所述電路基板上；其中，步驟(B)包括：將所述發光晶片設置在所述電路基板上，然後將所述發光晶片從所述第二承載基板上分離。
  10. 如請求項9所述的發光模組的製作方法，其中，在將所述基底層從所述半導體結構上移除的步驟後，還進一步包括：利用酸性溶液以移除殘留在每一個所述發光晶片的背部上的鎵物質，其中，所述電路基板具有多個排列成一預定形狀的微凹槽，且所述發光晶片設置在相對應的所述微凹槽內。
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