TWI695453B - 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置，半導體晶片修補方法包括：提供多個發光單元，多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元；接著，移除所述損壞的發光單元，以形成一空缺位置；然後，利用一晶片取放模組，以從一承載板上取得一良好的發光單元；接下來，形成一揮發性黏著材料於所述良好的發光單元的底部上；緊接著，利用所述揮發性黏著材料，以將所述良好的發光單元黏著在所述空缺位置；最後，對所述良好的發光單元進行加熱，以使得所述良好的發光單元固定在所述空缺位置。藉此，以使得損壞的發光單元能夠被良好的發光單元所取代而達到修補的效果。

Description

半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
本發明涉及一種修補方法以及修補裝置，特別是涉及一種半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置。
目前，發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說，為了使採用發光二極體做為發光元件的顯示裝置具有較佳的色彩表現能力，現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片的相互搭配或是利用單一顏色發光二極體加上螢光量子點互相搭配而組成一全彩發光二極體顯示裝置，此發光二極體顯示裝置最終分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光，然後再通過混光後形成一全彩色光，以進行相關資訊的顯示。然而，在現有技術中，當固定在電路基板上的發光二極體晶片損壞後，損壞的發光二極體晶片就不能再進行修補。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種半導體晶片修補方法，其包括：提供多個發光單元， 多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元；接著，移除所述損壞的發光單元，以形成一空缺位置；然後，利用一晶片取放模組，以從一承載板上取得一良好的發光單元；接下來，形成一揮發性黏著材料於所述良好的發光單元的底部上；緊接著，利用所述揮發性黏著材料，以將所述良好的發光單元黏著在所述空缺位置；最後，對所述良好的發光單元進行加熱，以使得所述良好的發光單元固定在所述空缺位置。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種半導體晶片修補方法，其包括：提供一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光單元，其中，多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元；接著，利用一雷射產生模組所產生的一雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力；然後，利用一晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺；接下來，利用所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內；緊接著，將所述良好的發光單元電性連接於所述電路基板。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種半導體晶片修補裝置，所述半導體晶片修補裝置應用於一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光單元，多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元，其中，所述半導體晶片修補裝置包括：一雷射產生模組以及一晶片取放模組。所述雷射產生模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以用於產生一雷射光源。所述晶片取放模組鄰近所述發光單元且設置在所述發光單元的上方。其中，所述雷射產生模組所產生的雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述 損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力。其中，所述晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺，且所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補方法，其能通過“利用一晶片取放模組，以從一承載板上取得一良好的發光單元”、“形成一揮發性黏著材料於所述良好的發光單元的底部上”、“利用所述揮發性黏著材料，以將所述良好的發光單元黏著在所述空缺位置”以及“對所述良好的發光單元進行加熱，以使得所述良好的發光單元固定在所述空缺位置”的技術方案，以使得所述損壞的發光單元能夠被所述良好的發光單元所取代而達到修補的效果。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補方法，其能通過“利用一雷射產生模組所產生的一雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力”、“利用一晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺”、“利用所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內”以及“將所述良好的發光單元電性連接於所述電路基板”的技術方案，以使得所述損壞的發光單元能夠被所述良好的發光單元所取代而達到修補的效果。
本發明的另外再一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補裝置，其能通過“所述雷射產生模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以用於產生一雷射光源”以及“所述晶片取放模組鄰近所述發光單元且設置在所述發光單元的上方”的技術方案，以使得所述雷射產生模組所產生的雷射光源投向所述損壞的發光單元而降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力，並且使得所述晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺。藉此，由於所述晶片 取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內，所以使得所述損壞的發光單元能夠被所述良好的發光單元所取代而達到修補的效果。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
Z‧‧‧半導體晶片修補裝置
1‧‧‧發光二極體模組
10‧‧‧電路基板
100‧‧‧焊墊區
G‧‧‧發光群組
G10‧‧‧空缺位置
11‧‧‧發光單元
111‧‧‧發光二極體晶片
112‧‧‧導電物質
11B‧‧‧損壞的發光單元
11N、11N’‧‧‧良好的發光單元
111N‧‧‧良好的發光二極體晶片
112N‧‧‧新的導電物質
2‧‧‧雷射產生模組
L‧‧‧雷射光源
3、3’‧‧‧晶片取放模組
4‧‧‧位置偵測模組
40‧‧‧接收元件
L’‧‧‧偵測波
5‧‧‧承載板
6‧‧‧揮發性黏著材料存放模組
60‧‧‧揮發性黏著材料
7‧‧‧壓板
S、S1、S2‧‧‧導電接合物
圖1為本發明第一實施例所提供的半導體晶片修補方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S100的示意圖。
圖3為本發明第一實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S102與步驟S102(B)的示意圖。
圖4為本發明第一實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S104的示意圖。
圖5為本發明第一實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S106的示意圖。
圖6為本發明第一實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S108、步驟S110以及步驟S110(B)的示意圖。
圖7為本發明第一實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S102(A)的示意圖。
圖8為本發明第一實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S110(A)的示意圖。
圖9為本發明第二實施例所提供的半導體晶片修補方法的流程圖。
圖10為本發明第二實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S204的示意圖。
圖11為本發明第二實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S206的示意圖。
圖12為本發明第二實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S208的示意圖。
圖13為本發明第二實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S210的第一示意圖。
圖14為本發明第二實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S210的第二示意圖。
圖15為本發明第二實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S210的第三示意圖。
圖16為本發明第二實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S210的第四示意圖。
圖17為本發明第二實施例所提供的半導體晶片修補方法的步驟S206至步驟S208的另一示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的圖式僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另 一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
請參閱圖1至圖6所示，本發明第一實施例提供一種半導體晶片修補方法，其包括下列步驟：首先，配合圖1與圖2所示，提供一發光二極體模組1，發光二極體模組1包括一電路基板10以及多個設置在電路基板10上且電性連接於電路基板10的發光單元11，並且多個發光單元11之中的至少一個為一損壞的發光單元11B(步驟S100)。換言之，發光二極體模組1包括一電路基板10以及一設置在電路基板10上且電性連接於電路基板10的發光群組G，並且發光群組G包括多個發光單元11。
舉例來說，每一個發光單元11包括一發光二極體晶片111以及一設置在發光二極體晶片111的底端與電路基板10之間的導電物質112。另外，發光二極體晶片111可為一氮化鎵發光二極體晶片(GaN LED)。另外，導電物質112可為一異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)、一異方性導電膠(Anisotropic Conductive Paste，ACP)或者任何種類的導電材料。值得注意的是，損壞的發光單元11B有可能是發光二極體晶片111是損壞而無法提供光源的情況，或者是導電物質112是無法導電而產生電性失效的情況。
接著，配合圖1與圖3所示，利用一雷射產生模組2所產生的一雷射光源L投向損壞的發光單元11B，以降低損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力(步驟S102)。舉例來說，當雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向損壞的發光單元11B時，損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力會被降低， 以使得損壞的發光單元11B與電路基板10兩者會彼此分離。
然後，配合圖1與圖4所示，利用一晶片取放模組3將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下而形成一空缺位置G10(步驟S104)，或者是，利用一晶片取放模組3將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下，以使得發光群組G形成一空缺位置G10。舉例來說，晶片取放模組3可以是真空吸嘴或者任何種類的取放機器(pick and place machine)。
接下來，配合圖1與圖5所示，利用晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入空缺位置G10內(步驟S106)，或者是，利用晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入發光群組G的空缺位置G10內。舉例來說，良好的發光單元11N包括一良好的發光二極體晶片111N以及一設置在良好的發光二極體晶片111N的底端的新的導電物質112N，並且新的導電物質112N可為一異方性導電膠或者任何種類的導電材料。
緊接著，配合圖1與圖6所示，將良好的發光單元11N電性連接於電路基板10(步驟S108)。舉例來說，在將良好的發光單元11N電性連接於電路基板10的步驟(步驟S108)中，還進一步包括：利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向良好的發光單元11N，以使得良好的發光單元11N固定在電路基板10上且電性連接於電路基板10(步驟S110)。
更進一步地，舉例來說，配合圖1、圖3以及圖7所示，在利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向損壞的發光單元11B的步驟(步驟S102)中，還進一步包括：配合圖1與圖7所示，利用一位置偵測模組4以偵測電路基板10與損壞的發光單元11B的一導電物質112之間的一接觸介面的位置(步驟S102(A))；然後，配合圖1與圖3所示，利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向位於電路基板10與損壞的發光單元11B的導電物質112之間的接觸介面，以降低電路基板10與損壞的發光單元11B的導 電物質112之間的結合力(步驟S102(B))。舉例來說，如圖7所示，位置偵測模組4至少包括一用於接收一偵測波L’的接收元件40，並且偵測波L’可由雷射產生模組2所提供。
更進一步地，舉例來說，配合圖1、圖6以及圖8所示，在利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向良好的發光單元11N的步驟(步驟S110)中，還進一步包括：配合圖1與圖8所示，利用一位置偵測模組4以偵測良好的發光單元11N的一新的導電物質112N的位置(步驟S110(A))；然後，配合圖1與圖6所示，利用雷射產生模組2所產生的雷射光源L投向良好的發光單元11N的新的導電物質112N，以固化新的導電物質112N(步驟S110(B))。舉例來說，如圖8所示，位置偵測模組4至少包括一用於接收一偵測波L’的接收元件40，並且偵測波L’可由雷射產生模組2所提供。
值得一提的是，配合圖1至圖8所示，本發明第一實施例還提供一種半導體晶片修補裝置Z，並且半導體晶片修補裝置Z包括一雷射產生模組2以及一晶片取放模組3。舉例來說，半導體晶片修補裝置Z能應用於一發光二極體模組1。發光二極體模組1包括一電路基板10以及多個設置在電路基板10上且電性連接於電路基板10的發光單元11，並且多個發光單元11之中的至少一個為一損壞的發光單元11B。
更進一步來說，配合圖3與圖6所示，雷射產生模組2鄰近電路基板10且設置在電路基板10的下方(也可置於上方)，以用於產生一雷射光源L。
舉例來說，如圖3所示，雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向損壞的發光單元11B，以降低損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力。也就是說，雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向位於電路基板10與損壞的發光單元11B的導電物質112之間的接觸介面，以降低電路基板10與損壞的發光單元11B 的導電物質112之間的結合力。
舉例來說，如圖6所示，雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向良好的發光單元11N，以使得良好的發光單元11N能固定在電路基板10上且電性連接於電路基板10。也就是說，雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向良好的發光單元11N的新的導電物質112N，以固化新的導電物質112N，藉此以使得良好的發光單元11N能固定在電路基板10上且電性連接於電路基板10。值得注意的是，上述實施態樣中，用於使良好的發光單元11N與電路基板10接合的雷射光源L與用於降低損壞的發光單元11B結合力的雷射光源L的波長可彼此不同或相同。
更進一步來說，配合圖5與圖6所示，晶片取放模組3鄰近發光單元11且設置在發光單元11的上方。舉例來說，晶片取放模組3能將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下而形成一空缺位置G10(如圖5所示)，並且晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入空缺位置G10內(如圖6所示)。
更進一步來說，配合圖7與圖8所示，半導體晶片修補裝置Z還進一步包括一位置偵測模組4。位置偵測模組4鄰近電路基板10且設置在電路基板10的下方，用以偵測電路基板10與損壞的發光單元11B的一導電物質112之間的一接觸介面的位置，或者用以偵測良好的發光單元11N的一新的導電物質112N的位置。
[第二實施例]
請參閱圖9至圖17所示，並請一併配合圖1至圖8，本發明第二實施例提供一種半導體晶片修補方法，其包括下列步驟：首先，配合圖9以及圖2所示，提供多個發光單元11，多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元11B(步驟S200)。舉例來說，本實施例的步驟S200可類似於第一實施例的步驟S100；也就是說，可提供一發光二極體模組1，發光二極體模組1 包括一電路基板10以及多個設置在電路基板10上且電性連接於電路基板10的發光單元11，並且多個發光單元11之中的至少一個為一損壞的發光單元11B。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
接著，配合圖9以及圖3、圖4所示，移除損壞的發光單元11B，以形成一空缺位置G10(步驟S202)。舉例來說，本實施例的步驟S202可類似於第一實施例的步驟S102以及步驟S104；也就是說，可利用一雷射產生模組2所產生的一雷射光源L投向損壞的發光單元11B，降低損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力。接著，利用一晶片取放模組3將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下，以形成一空缺位置G10。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
然後，配合圖9與圖10所示，利用一晶片取放模組3’，以從一承載板5上取得一良好的發光單元11N’(步驟S204)。舉例來說，承載板5(例如藍膜，但不以此為限)可預先承載至少一個良好的發光單元11N’，良好的發光單元11N’包括一發光二極體晶片111以及一位在發光二極體晶片111的底端的導電接合物S，發光二極體晶片111可為一氮化鎵發光二極體晶片(GaN LED)，導電接合物S可為錫、鉛、銀、鉍、銅、鐵、金、鉑、銦、鎳或包括上述至少二者的合金。通過晶片取放模組3取得良好的發光單元11N；其中，晶片取放模組3可以是真空吸嘴或者任何種類的取放機器(pick and place machine)。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
接下來，配合圖9與圖11所示，形成一揮發性黏著材料60於良好的發光單元11N’的底部上(步驟S206)。舉例來說，可通過揮發性黏著材料存放模組6(例如基板，但不以此為限)存放一揮發性黏著材料60，其可為揮發性接著膠、揮發性黏著助劑、助焊劑、或者與焊料之揮發性黏著助劑或助焊劑混合，但不以此為 限。接著，利用晶片取放模組3’將取得的良好的發光單元11N’接觸揮發性黏著材料存放模組6上的揮發性黏著材料60，以使良好的發光單元11N’的底部上形成揮發性黏著材料60。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
緊接著，配合圖9與圖12所示，利用揮發性黏著材料60，以將良好的發光單元11N’黏著在空缺位置G10(步驟S208)。舉例來說，在良好的發光單元11N’的底部形成揮發性黏著材料60後，通過利用晶片取放模組3’將良好的發光單元11N’放置到電路基板10上的空缺位置G10，以使良好的發光單元11N’利用揮發性黏著材料60黏著在空缺位置G10。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
最後，配合圖9與圖13所示，對良好的發光單元11N’進行加熱，以使得良好的發光單元11N’固定在空缺位置G10(步驟S210)。舉例來說，在良好的發光單元11N黏著在電路基板10的空缺位置G10後，可通過錫爐(圖中未繪示)對良好的發光單元11N’進行加熱，以使良好的發光單元11N’通過導電接合物S固定在空缺位置G10(如圖14所示)，並通過導電接合物S而與電路基板10電性連接。
進一步來說，配合圖13至圖15所示，電路基板10上具有多個焊墊區100以及未設置焊墊區100的非焊墊區，焊墊區100的材料可以是鋁、金或其它金屬及合金。當良好的發光單元11N’底部的導電接合物S1(如圖15所示)在熔融狀態時，電路基板10的非焊墊區上方的導電接合物S會因內聚力的作用，而往鄰近的焊墊區100的方向移動，使得非焊墊區上導電接合物S的厚度逐漸變薄。最後，非焊墊區上方的導電接合物S會全部移動至鄰近的焊墊區100上方，而裸露出非焊墊區，且各個焊墊區100上方的導電接合物S2會形成一球狀物(如圖14所示)。待導電接合物S2冷卻固化後，便會於每一個焊墊區100上方分別形成一焊球 (Solder Ball)。值得注意的是，焊球可以是錫球，並可根據欲接合的構件選用不同的導電接合物S。例如，錫球一般可被分為五大類：普通焊錫球(錫的原子百分比含量為2至100、熔點範圍為180℃至316℃)、低溫焊錫球(含鉍或銦類、熔點範圍為95℃至135℃)、高溫焊錫球(熔點範圍為186℃至309℃)、耐疲勞高純度焊錫球(熔點範圍為178℃和183℃)和無鉛銲錫球(成分中鉛的原子百分比含量小於0.1)。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
值得一提的是，配合圖11以及圖7所示，本發明第二實施例還提供一種半導體晶片修補裝置，與第一實施例的半導體晶片修補裝置Z略為相近，因此，相似的元件作動不再贅述。進一步來說，本發明第二實施例與第一實施例的差異在於，本實施例的半導體晶片修補裝置還包括一揮發性黏著材料存放模組6，其可用於容置、存放揮發性黏著材料60。
更進一步來說，配合圖9至圖16所示，本發明第二實施例在步驟S210中，還進一步包括良好的發光單元11N’被一壓板7所頂抵。舉例來說，在良好的發光單元11N’黏著在電路基板10的空缺位置G10後，可通過壓板7頂抵良好的發光單元11N’，以使良好的發光單元11N’穩固地接觸於電路基板10。接著，利用雷射光源L投向良好的發光單元11N’的導電接合物S，以使良好的發光單元11N’固定在空缺位置G10(如圖14所示)，並電性連接於電路基板10。其中，雷射光源L可通過雷射產生模組2產生。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
此外，配合圖9至圖17所示，本發明第二實施例在步驟S206至步驟S208中，還進一步包括形成一揮發性黏著材料60於良好的發光單元11N’的底部上，導電接合物S混在揮發性黏著材料60內，並利用揮發性黏著材料60，以將良好的發光單元11N’黏著在空缺位置G10。也就是說，承載板5預先承載的良好的發光單元 11N’可包括一發光二極體晶片111，且揮發性黏著材料存放模組6所存放的揮發性黏著材料60混合了導電接合物S。因此，在良好的發光單元11N’的底部形成包含了導電接合物S的揮發性黏著材料60後，通過上述步驟S208以及步驟S210，可使良好的發光單元11N’通過導電接合物S固定在空缺位置G10(如圖14所示)，並通過導電接合物S而與電路基板10電性連接，且導電接合物S在冷卻固化後，會於每一個焊墊區100上方分別形成焊球。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，上述實施例中，半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置可通過影像擷取模組(圖中未繪示)以及處理模組(圖中未繪示)進行定位、位置計算，以使晶片取放模組3’能準確地移除電路基板10上的損壞的發光單元11B、取得承載板5上取得良好的發光單元11N’、以及將良好的發光單元11N’放置於電路基板10上的空缺位置G10。當然，也可以一併配合位置偵測模組4或僅利用位置偵測模組4進行定位、位置計算。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補方法，其能通過“利用一晶片取放模組3’，以從一承載板5上取得一良好的發光單元11N’”、“形成一揮發性黏著材料60於所述良好的發光單元11N’的底部上”、“利用所述揮發性黏著材料60，以將所述良好的發光單元11N’黏著在所述空缺位置G10”以及“對所述良好的發光單元11N’進行加熱，以使得所述良好的發光單元11N’固定在所述空缺位置G10”的技術方案，以使得損壞的發光單元11B能夠被良好的發光單元11N’所取代而達到修補的效果。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補方法，其能通過“利用一雷射產生模組2所產生的一雷射光 源L投向損壞的發光單元11B，以降低損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力”、“利用一晶片取放模組3將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下而形成一空缺位置G10”、“利用晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入空缺位置G10內”以及“將良好的發光單元11N電性連接於電路基板10”的技術方案，以使得損壞的發光單元11B能夠被良好的發光單元11N所取代而達到修補的效果。
本發明的另外再一有益效果在於，本發明所提供的半導體晶片修補裝置Z，其能通過“雷射產生模組2鄰近電路基板10且設置在電路基板10的下方，以用於產生一雷射光源L”以及“晶片取放模組3鄰近發光單元11且設置在發光單元11的上方”的技術方案，以使得雷射產生模組2所產生的雷射光源L能投向損壞的發光單元11B而降低損壞的發光單元11B與電路基板10之間的結合力，並且使得晶片取放模組3將損壞的發光單元11B從電路基板10上取下而形成一空缺位置G10。藉此，由於晶片取放模組3將一良好的發光單元11N置入空缺位置G10內，所以使得損壞的發光單元11B能夠被良好的發光單元11N所取代而達到修補的效果。
更進一步來說，本發明通過上述第一實施例與第二實施例所提供的半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置，可將電路基板10上的損壞的發光單元11B取下，並更換上良好的發光單元11N，進而達到修補的效果。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
指定代表圖為流程圖，故無符號簡單說明

Claims (10)

  1. 一種半導體晶片修補方法，其包括：提供多個發光單元，多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元；移除所述損壞的發光單元，以形成一空缺位置；利用一晶片取放模組，以從一承載板上取得一良好的發光單元；形成一揮發性黏著材料於所述良好的發光單元的底部上；利用所述揮發性黏著材料，以將所述良好的發光單元黏著在所述空缺位置；以及對所述良好的發光單元進行加熱，以使得所述良好的發光單元固定在所述空缺位置；其中，所述電路基板上具有多個焊墊區以及未設置焊墊區的非焊墊區；當所述良好的發光單元底部的導電接合物在熔融狀態時，所述電路基板的所述非焊墊區上方的所述導電接合物往鄰近的所述焊墊區的方向移動，而裸露出所述非焊墊區，且各個所述焊墊區上方的所述導電接合物形成一球狀物；其中，所述導電接合物混在所述揮發性黏著材料內。
  2. 如請求項1所述的半導體晶片修補方法，其中，所述良好的發光單元通過導電接合物以電性連接於一電路基板。
  3. 如請求項1所述的半導體晶片修補方法，其中，在對所述良好的發光單元進行加熱的步驟中，所述良好的發光單元被一壓板所頂抵。
  4. 一種半導體晶片修補方法，其包括：提供一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光單元；其中，多個發光單元之中的至少一個為一損 壞的發光單元；利用一雷射產生模組所產生的一雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力；利用一晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺；形成一揮發性黏著材料於所述良好的發光單元的底部上；利用所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內；以及將所述良好的發光單元電性連接於所述電路基板；其中，所述電路基板上具有多個焊墊區以及未設置焊墊區的非焊墊區；當所述良好的發光單元底部的導電接合物在熔融狀態時，所述電路基板的所述非焊墊區上方的所述導電接合物往鄰近的所述焊墊區的方向移動，而裸露出所述非焊墊區，且各個所述焊墊區上方的所述導電接合物形成一球狀物；其中，所述導電接合物混在所述揮發性黏著材料內。
  5. 如請求項4所述的半導體晶片修補方法，其中，在利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向所述損壞的發光單元的步驟中，還進一步包括：利用一位置偵測模組以偵測所述電路基板與所述損壞的發光單元的一導電物質之間的一接觸介面的位置；以及利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向位於所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的所述接觸介面，以降低所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的結合力；其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件；其中，所述發光二極體晶片為一氮化鎵發光二極體晶片，所述 導電物質為一異方性導電膜，且所述新的導電物質為一異方性導電膠。
  6. 如請求項4所述的半導體晶片修補方法，其中，在將所述良好的發光單元電性連接於所述電路基板的步驟中，還進一步包括：利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向所述良好的發光單元，以使得所述良好的發光單元固定在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板。
  7. 如請求項6所述的半導體晶片修補方法，其中，在利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向所述良好的發光單元的步驟中，還進一步包括：利用一位置偵測模組以偵測所述良好的發光單元的一新的導電物質的位置；以及利用所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向所述良好的發光單元的所述新的導電物質，以固化所述新的導電物質；其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件；其中，所述發光二極體晶片為一氮化鎵發光二極體晶片，所述導電物質為一異方性導電膜，且所述新的導電物質為一異方性導電膠。
  8. 一種半導體晶片修補裝置，所述半導體晶片修補裝置應用於一發光二極體模組，所述發光二極體模組包括一電路基板以及多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的發光單元，多個發光單元之中的至少一個為一損壞的發光單元，其特徵在於，所述半導體晶片修補裝置包括：一雷射產生模組，所述雷射產生模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以用於產生一雷射光源；以及一晶片取放模組，所述晶片取放模組鄰近所述發光單元且設置 在所述發光單元的上方；其中，所述雷射產生模組所產生的雷射光源投向所述損壞的發光單元，以降低所述損壞的發光單元與所述電路基板之間的結合力；其中，所述晶片取放模組將所述損壞的發光單元從所述電路基板上取下而形成一空缺，且所述晶片取放模組將一良好的發光單元置入所述空缺內；其中，所述良好的發光單元的底部上具有一揮發性黏著材料；其中，所述電路基板上具有多個焊墊區以及未設置焊墊區的非焊墊區，當所述良好的發光單元底部的導電接合物在熔融狀態時，所述電路基板的所述非焊墊區上方的所述導電接合物往鄰近的所述焊墊區的方向移動，而裸露出所述非焊墊區，且各個所述焊墊區上方的所述導電接合物形成一球狀物；其中，所述導電接合物混在所述揮發性黏著材料內。
  9. 如請求項8所述的半導體晶片修補裝置，還進一步包括：一位置偵測模組以及一揮發性黏著材料存放模組，所述位置偵測模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以偵測所述電路基板與所述損壞的發光單元的一導電物質之間的一接觸介面的位置；其中，所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向位於所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的所述接觸介面，以降低所述電路基板與所述損壞的發光單元的所述導電物質之間的結合力；其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件；其中，所述發光二極體晶片為一氮化鎵發光二極體晶片，所述導電物質為一異方性導電膜，且所述新的導電物質為一異方性導電膠。
  10. 如請求項8所述的半導體晶片修補裝置，還進一步包括：一位置偵測模組以及一揮發性黏著材料存放模組，所述位置偵測模組鄰近所述電路基板且設置在所述電路基板的下方，以偵測所 述良好的發光單元的一新的導電物質的位置；其中，所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向所述良好的發光單元，以使得所述良好的發光單元固定在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板，且所述雷射產生模組所產生的所述雷射光源投向所述良好的發光單元的所述新的導電物質，以固化所述新的導電物質；其中，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的接收元件；其中，所述發光二極體晶片為一氮化鎵發光二極體晶片，所述導電物質為一異方性導電膜，且所述新的導電物質為一異方性導電膠。
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US11916041B2 (en) * 2019-01-04 2024-02-27 Asti Global Inc., Taiwan Method for repairing a light-emitting device and a method for manufacturing an LED panel
TWI695453B (zh) * 2019-01-04 2020-06-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置
TWI757037B (zh) * 2021-01-06 2022-03-01 揚朋科技股份有限公司 顯示面板的修補方法
CN113241394A (zh) * 2021-05-11 2021-08-10 武汉大学 一种Micro-LED显示器异常像素修复方法
CN113921663B (zh) * 2021-09-29 2023-03-24 东莞市中麒光电技术有限公司 一种led显示模块返修方法
TWI806524B (zh) * 2022-03-28 2023-06-21 東捷科技股份有限公司 電子裝置的焊接設備

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM482158U (zh) * 2013-08-29 2014-07-11 Gallant Micro Machining Co Ltd 黏著半導體晶片之裝置
TW201839879A (zh) * 2017-04-21 2018-11-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10342980B3 (de) * 2003-09-17 2005-01-05 Disco Hi-Tec Europe Gmbh Verfahren zur Bildung von Chip-Stapeln
US20090230568A1 (en) * 2007-04-10 2009-09-17 Hiroyuki Yasuda Adhesive Film for Semiconductor and Semiconductor Device Therewith
US20080318055A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-25 General Electric Company Recoverable electronic component
CN101881379A (zh) * 2009-05-06 2010-11-10 厦门市三安光电科技有限公司 一种易维修的led模块
WO2011108327A1 (ja) * 2010-03-04 2011-09-09 株式会社日立製作所 再配列ウェーハの製造方法および半導体装置の製造方法
WO2017041253A1 (en) * 2015-09-09 2017-03-16 Goertek. Inc Repairing method, manufacturing method, device and electronics apparatus of micro-led
KR102369934B1 (ko) * 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
CN107749438A (zh) * 2017-09-01 2018-03-02 惠州雷通光电器件有限公司 一种led固晶方法
TWI648871B (zh) * 2017-09-22 2019-01-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光模組的製作方法
TWI695453B (zh) * 2019-01-04 2020-06-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM482158U (zh) * 2013-08-29 2014-07-11 Gallant Micro Machining Co Ltd 黏著半導體晶片之裝置
TW201839879A (zh) * 2017-04-21 2018-11-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置

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