CN111416028B - 半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置，半导体芯片修补方法包括：提供多个发光单元，多个发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元；接着，移除所述损坏的发光单元，以形成空缺位置；然后，利用芯片取放模块，以从承载板上取得良好的发光单元；接下来，形成挥发性粘着材料于所述良好的发光单元的底部上；紧接着，利用所述挥发性粘着材料，以将所述良好的发光单元粘着在所述空缺位置；最后，对所述良好的发光单元进行加热，以使得所述良好的发光单元固定在所述空缺位置。借此，以使得损坏的发光单元能够被良好的发光单元所取代而达到修补的效果。

Description

半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置
技术领域
本发明涉及一种修补方法以及修补装置，特别是涉及一种半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置。
背景技术
目前，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使采用发光二极管做为发光元件的显示装置具有优选的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配或是利用单一颜色发光二极管加上荧光量子点互相搭配而组成一全彩发光二极管显示装置，此发光二极管显示装置最终分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关信息的显示。然而，在现有技术中，当固定在电路基板上的发光二极管芯片损坏后，损坏的发光二极管芯片就不能再进行修补。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种半导体芯片修补方法，包括：提供多个发光单元，多个发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元；接着，移除所述损坏的发光单元，以形成空缺位置；然后，利用芯片取放模块，以从承载板上取得良好的发光单元；接下来，形成挥发性粘着材料于所述良好的发光单元的底部上；紧接着，利用所述挥发性粘着材料，以将所述良好的发光单元粘着在所述空缺位置；最后，对所述良好的发光单元进行加热，以使得所述良好的发光单元固定在所述空缺位置。
优选地，所述良好的发光单元通过导电接合物以电连接于电路基板，所述导电接合物位在所述发光单元的下方或者混在所述挥发性粘着材料内。
优选地，在对所述良好的发光单元进行加热的步骤中，所述良好的发光单元被压板所顶抵。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种半导体芯片修补方法，包括：提供发光二极管模块，所述发光二极管模块包括电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元，其中，多个发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元；接着，利用激光产生模块所产生的激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；然后，利用芯片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成空缺；接下来，利用所述芯片取放模块将良好的发光单元置入所述空缺内；紧接着，将所述良好的发光单元电连接于所述电路基板。
优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中，进一步包括：利用位置检测模块以检测所述电路基板与所述损坏的发光单元的导电物质之间的接触界面的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力；其中，所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件；其中，所述导电物质为异方性导电膜。
优选地，在将所述良好的发光单元电连接于所述电路基板的步骤中，还进一步包括：利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板。
优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的步骤中，进一步包括：利用位置检测模块以检测所述良好的发光单元的新的导电物质的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质；其中，所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件；其中，所述导电物质为异方性导电膜，且所述新的导电物质为异方性导电胶。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是，提供一种半导体芯片修补装置，所述半导体芯片修补装置应用于发光二极管模块，所述发光二极管模块包括电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元，多个发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元，其中，所述半导体芯片修补装置包括：激光产生模块以及芯片取放模块。所述激光产生模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以用于产生激光光源。所述芯片取放模块邻近所述发光单元且设置在所述发光单元的上方。其中，所述激光产生模块所产生的激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力。其中，所述芯片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成空缺，且所述芯片取放模块将良好的发光单元置入所述空缺内。
优选地，半导体芯片修补装置进一步包括：位置检测模块以及挥发性粘着材料存放模块，所述位置检测模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以检测所述电路基板与所述损坏的发光单元的导电物质之间的接触界面的位置；其中，所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力；其中，所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件；其中，所述导电物质为异方性导电膜。
优选地，半导体芯片修补装置进一步包括：位置检测模块以及挥发性粘着材料存放模块，所述位置检测模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以检测所述良好的发光单元的新的导电物质的位置；其中，所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板，且所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质；其中，所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件；其中，所述导电物质为异方性导电膜，且所述新的导电物质为异方性导电胶。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的半导体芯片修补方法，能通过“利用芯片取放模块，以从承载板上取得良好的发光单元”、“形成挥发性粘着材料于所述良好的发光单元的底部上”、“利用所述挥发性粘着材料，以将所述良好的发光单元粘着在所述空缺位置”以及“对所述良好的发光单元进行加热，以使得所述良好的发光单元固定在所述空缺位置”的技术方案，以使得所述损坏的发光单元能够被所述良好的发光单元所取代而达到修补的效果。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的半导体芯片修补方法，能通过“利用激光产生模块所产生的激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力”、“利用芯片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成空缺”、“利用所述芯片取放模块将良好的发光单元置入所述空缺内”以及“将所述良好的发光单元电连接于所述电路基板”的技术方案，以使得所述损坏的发光单元能够被所述良好的发光单元所取代而达到修补的效果。
本发明的另外再一有益效果在于，本发明所提供的半导体芯片修补装置，能通过“所述激光产生模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以用于产生激光光源”以及“所述芯片取放模块邻近所述发光单元且设置在所述发光单元的上方”的技术方案，以使得所述激光产生模块所产生的激光光源投向所述损坏的发光单元而降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力，并且使得所述芯片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成空缺。借此，由于所述芯片取放模块将良好的发光单元置入所述空缺内，所以使得所述损坏的发光单元能够被所述良好的发光单元所取代而达到修补的效果。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例所提供的半导体芯片修补方法的流程图。
图2为本发明第一实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S100的示意图。
图3为本发明第一实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S102与步骤S102(B)的示意图。
图4为本发明第一实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S104的示意图。
图5为本发明第一实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S106的示意图。
图6为本发明第一实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S108、步骤S110以及步骤S110(B)的示意图。
图7为本发明第一实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S102(A)的示意图。
图8为本发明第一实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S110(A)的示意图。
图9为本发明第二实施例所提供的半导体芯片修补方法的流程图。
图10为本发明第二实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S204的示意图。
图11为本发明第二实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S206的示意图。
图12为本发明第二实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S208的示意图。
图13为本发明第二实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S210的第一示意图。
图14为本发明第二实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S210的第二示意图。
图15为本发明第二实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S210的第三示意图。
图16为本发明第二实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S210的第四示意图。
图17为本发明第二实施例所提供的半导体芯片修补方法的步骤S206至步骤S208的另一示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不脱离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的图式仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件或者信号，但这些元件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[第一实施例]
请参阅图1至图6所示，本发明第一实施例提供一种半导体芯片修补方法，包括下列步骤：
首先，配合图1与图2所示，提供发光二极管模块1，发光二极管模块1包括电路基板10以及多个设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光单元11，并且多个发光单元11之中的至少一个为损坏的发光单元11B(步骤S100)。换句话说，发光二极管模块1包括电路基板10以及设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光群组G，并且发光群组G包括多个发光单元11。
举例来说，每一个发光单元11包括发光二极管芯片111以及设置在发光二极管芯片111的底端与电路基板10之间的导电物质112。另外，发光二极管芯片111可为氮化镓发光二极管芯片(GaN LED)。另外，导电物质112可为异方性导电膜(Anisotropic ConductiveFilm，ACF)、异方性导电胶(Anisotropic Conductive Paste，ACP)或者任何种类的导电材料。值得注意的是，损坏的发光单元11B有可能是发光二极管芯片111是损坏而无法提供光源的情况，或者是导电物质112是无法导电而产生电性失效的情况。
接着，配合图1与图3所示，利用激光产生模块2所产生的激光光源L投向损坏的发光单元11B，以降低损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力(步骤S102)。举例来说，当激光产生模块2所产生的激光光源L投向损坏的发光单元11B时，损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力会被降低，以使得损坏的发光单元11B与电路基板10两者会彼此分离。
然后，配合图1与图4所示，利用芯片取放模块3将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下而形成空缺位置G10(步骤S104)，或者是，利用芯片取放模块3将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下，以使得发光群组G形成空缺位置G10。举例来说，芯片取放模块3可以是真空吸嘴或者任何种类的取放机器(pick and place machine)。
接下来，配合图1与图5所示，利用芯片取放模块3将良好的发光单元11N置入空缺位置G10内(步骤S106)，或者是，利用芯片取放模块3将良好的发光单元11N置入发光群组G的空缺位置G10内。举例来说，良好的发光单元11N包括良好的发光二极管芯片111N以及设置在良好的发光二极管芯片111N的底端的新的导电物质112N，并且新的导电物质112N可为异方性导电胶或者任何种类的导电材料。
紧接着，配合图1与图6所示，将良好的发光单元11N电连接于电路基板10(步骤S108)。举例来说，在将良好的发光单元11N电连接于电路基板10的步骤(步骤S108)中，进一步包括：利用激光产生模块2所产生的激光光源L投向良好的发光单元11N，以使得良好的发光单元11N固定在电路基板10上且电连接于电路基板10(步骤S110)。
更进一步地，举例来说，配合图1、图3以及图7所示，在利用激光产生模块2所产生的激光光源L投向损坏的发光单元11B的步骤(步骤S102)中，进一步包括：配合图1与图7所示，利用位置检测模块4以检测电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的接触界面的位置(步骤S102(A))；然后，配合图1与图3所示，利用激光产生模块2所产生的激光光源L投向位于电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的接触界面，以降低电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的结合力(步骤S102(B))。举例来说，如图7所示，位置检测模块4至少包括用于接收检测波L’的接收元件40，并且检测波L’可由激光产生模块2所提供。
更进一步地，举例来说，配合图1、图6以及图8所示，在利用激光产生模块2所产生的激光光源L投向良好的发光单元11N的步骤(步骤S110)中，进一步包括：配合图1与图8所示，利用位置检测模块4以检测良好的发光单元11N的新的导电物质112N的位置(步骤S110(A))；然后，配合图1与图6所示，利用激光产生模块2所产生的激光光源L投向良好的发光单元11N的新的导电物质112N，以固化新的导电物质112N(步骤S110(B))。举例来说，如图8所示，位置检测模块4至少包括用于接收检测波L’的接收元件40，并且检测波L’可由激光产生模块2所提供。
值得一提的是，配合图1至图8所示，本发明第一实施例还提供一种半导体芯片修补装置Z，并且半导体芯片修补装置Z包括激光产生模块2以及芯片取放模块3。举例来说，半导体芯片修补装置Z能应用于发光二极管模块1。发光二极管模块1包括电路基板10以及多个设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光单元11，并且多个发光单元11之中的至少一个为损坏的发光单元11B。
更进一步来说，配合图3与图6所示，激光产生模块2邻近电路基板10且设置在电路基板10的下方(也可置于上方)，以用于产生激光光源L。
举例来说，如图3所示，激光产生模块2所产生的激光光源L能投向损坏的发光单元11B，以降低损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力。也就是说，激光产生模块2所产生的激光光源L能投向位于电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的接触界面，以降低电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的结合力。
举例来说，如图6所示，激光产生模块2所产生的激光光源L能投向良好的发光单元11N，以使得良好的发光单元11N能固定在电路基板10上且电连接于电路基板10。也就是说，激光产生模块2所产生的激光光源L能投向良好的发光单元11N的新的导电物质112N，以固化新的导电物质112N，借此以使得良好的发光单元11N能固定在电路基板10上且电连接于电路基板10。值得注意的是，上述实施态样中，用于使良好的发光单元11N与电路基板10接合的激光光源L与用于降低损坏的发光单元11B结合力的激光光源L的波长可彼此不同或相同。
更进一步来说，配合图5与图6所示，芯片取放模块3邻近发光单元11且设置在发光单元11的上方。举例来说，芯片取放模块3能将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下而形成空缺位置G10(如图5所示)，并且芯片取放模块3将良好的发光单元11N置入空缺位置G10内(如图6所示)。
更进一步来说，配合图7与图8所示，半导体芯片修补装置Z进一步包括位置检测模块4。位置检测模块4邻近电路基板10且设置在电路基板10的下方，用以检测电路基板10与损坏的发光单元11B的导电物质112之间的接触界面的位置，或者用以检测良好的发光单元11N的新的导电物质112N的位置。
[第二实施例]
请参阅图9至图17所示，并请一并配合图1至图8，本发明第二实施例提供一种半导体芯片修补方法，包括下列步骤：
首先，配合图9以及图2所示，提供多个发光单元11，多个发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元11B(步骤S200)。举例来说，本实施例的步骤S200可类似于第一实施例的步骤S100；也就是说，可提供发光二极管模块1，发光二极管模块1包括电路基板10以及多个设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光单元11，并且多个发光单元11之中的至少一个为损坏的发光单元11B。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
接着，配合图9以及图3、图4所示，移除损坏的发光单元11B，以形成空缺位置G10(步骤S202)。举例来说，本实施例的步骤S202可类似于第一实施例的步骤S102以及步骤S104；也就是说，可利用激光产生模块2所产生的激光光源L投向损坏的发光单元11B，降低损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力。接着，利用芯片取放模块3将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下，以形成空缺位置G10。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
然后，配合图9与图10所示，利用芯片取放模块3’，以从承载板5上取得良好的发光单元11N’(步骤S204)。举例来说，承载板5(例如蓝膜，但不以此为限)可预先承载至少一个良好的发光单元11N’，良好的发光单元11N’包括发光二极管芯片111以及位在发光二极管芯片111的底端的导电接合物S，发光二极管芯片111可为氮化镓发光二极管芯片(GaNLED)，导电接合物S可为锡、铅、银、铋、铜、铁、金、铂、铟、镍或包括上述至少二者的合金。通过芯片取放模块3取得良好的发光单元11N；其中，芯片取放模块3可以是真空吸嘴或者任何种类的取放机器(pick and place machine)。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
接下来，配合图9与图11所示，形成挥发性粘着材料60于良好的发光单元11N’的底部上(步骤S206)。举例来说，可通过挥发性粘着材料存放模块6(例如基板，但不以此为限)存放挥发性粘着材料60，其可为挥发性接着胶、挥发性粘着助剂、助焊剂、或者与焊料之挥发性粘着助剂或助焊剂混合，但不以此为限。接着，利用芯片取放模块3’将取得的良好的发光单元11N’接触挥发性粘着材料存放模块6上的挥发性粘着材料60，以使良好的发光单元11N’的底部上形成挥发性粘着材料60。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
紧接着，配合图9与图12所示，利用挥发性粘着材料60，以将良好的发光单元11N’粘着在空缺位置G10(步骤S208)。举例来说，在良好的发光单元11N’的底部形成挥发性粘着材料60后，通过利用芯片取放模块3’将良好的发光单元11N’放置到电路基板10上的空缺位置G10，以使良好的发光单元11N’利用挥发性粘着材料60粘着在空缺位置G10。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
最后，配合图9与图13所示，对良好的发光单元11N’进行加热，以使得良好的发光单元11N’固定在空缺位置G10(步骤S210)。举例来说，在良好的发光单元11N粘着在电路基板10的空缺位置G10后，可通过锡炉(图中未绘示)对良好的发光单元11N’进行加热，以使良好的发光单元11N’通过导电接合物S固定在空缺位置G10(如图14所示)，并通过导电接合物S而与电路基板10电连接。
进一步来说，配合图13至图15所示，电路基板10上具有多个焊垫区100以及未设置焊垫区100的非焊垫区，焊垫区100的材料可以是铝、金或其它金属及合金。当良好的发光单元11N’底部的导电接合物S1(如图15所示)在熔融状态时，电路基板10的非焊垫区上方的导电接合物S会因内聚力的作用，而往邻近的焊垫区100的方向移动，使得非焊垫区上导电接合物S的厚度逐渐变薄。最后，非焊垫区上方的导电接合物S会全部移动至邻近的焊垫区100上方，而裸露出非焊垫区，且各个焊垫区100上方的导电接合物S2会形成一球状物(如图14所示)。待导电接合物S2冷却固化后，便会于每一个焊垫区100上方分别形成焊球(SolderBall)。值得注意的是，焊球可以是锡球，并可根据欲接合的构件选用不同的导电接合物S。例如，锡球一般可被分为五大类：普通焊锡球(锡的原子百分比含量为2至100、熔点范围为180℃至316℃)、低温焊锡球(含铋或铟类、熔点范围为95℃至135℃)、高温焊锡球(熔点范围为186℃至309℃)、耐疲劳高纯度焊锡球(熔点范围为178℃和183℃)和无铅焊锡球(成分中铅的原子百分比含量小于0.1)。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
值得一提的是，配合图11以及图7所示，本发明第二实施例还提供一种半导体芯片修补装置，与第一实施例的半导体芯片修补装置Z略为相近，因此，相似的元件作动不再赘述。进一步来说，本发明第二实施例与第一实施例的差异在于，本实施例的半导体芯片修补装置还包括挥发性粘着材料存放模块6，可用于容置、存放挥发性粘着材料60。
更进一步来说，配合图9至图16所示，本发明第二实施例在步骤S210中，进一步包括良好的发光单元11N’被压板7所顶抵。举例来说，在良好的发光单元11N’粘着在电路基板10的空缺位置G10后，可通过压板7顶抵良好的发光单元11N’，以使良好的发光单元11N’稳固地接触于电路基板10。接着，利用激光光源L投向良好的发光单元11N’的导电接合物S，以使良好的发光单元11N’固定在空缺位置G10(如图14所示)，并电连接于电路基板10。其中，激光光源L可通过激光产生模块2产生。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
此外，配合图9至图17所示，本发明第二实施例在步骤S206至步骤S208中，进一步包括形成挥发性粘着材料60于良好的发光单元11N’的底部上，导电接合物S混在挥发性粘着材料60内，并利用挥发性粘着材料60，以将良好的发光单元11N’粘着在空缺位置G10。也就是说，承载板5预先承载的良好的发光单元11N’可包括发光二极管芯片111，且挥发性粘着材料存放模块6所存放的挥发性粘着材料60混合了导电接合物S。因此，在良好的发光单元11N’的底部形成包含了导电接合物S的挥发性粘着材料60后，通过上述步骤S208以及步骤S210，可使良好的发光单元11N’通过导电接合物S固定在空缺位置G10(如图14所示)，并通过导电接合物S而与电路基板10电连接，且导电接合物S在冷却固化后，会于每一个焊垫区100上方分别形成焊球。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
值得注意的是，上述实施例中，半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置可通过影像撷取模块(图中未绘示)以及处理模块(图中未绘示)进行定位、位置计算，以使芯片取放模块3’能准确地移除电路基板10上的损坏的发光单元11B、取得承载板5上取得良好的发光单元11N’、以及将良好的发光单元11N’放置于电路基板10上的空缺位置G10。当然，也可以一并配合位置检测模块4或仅利用位置检测模块4进行定位、位置计算。
[实施例的有益效果]
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的半导体芯片修补方法，能通过“利用芯片取放模块3’，以从承载板5上取得良好的发光单元11N’”、“形成挥发性粘着材料60于该良好的发光单元11N’的底部上”、“利用该挥发性粘着材料60，以将该良好的发光单元11N’粘着在该空缺位置G10”以及“对该良好的发光单元11N’进行加热，以使得该良好的发光单元11N’固定在该空缺位置G10”的技术方案，以使得损坏的发光单元11B能够被良好的发光单元11N’所取代而达到修补的效果。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的半导体芯片修补方法，能通过“利用激光产生模块2所产生的激光光源L投向损坏的发光单元11B，以降低损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力”、“利用芯片取放模块3将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下而形成空缺位置G10”、“利用芯片取放模块3将良好的发光单元11N置入空缺位置G10内”以及“将良好的发光单元11N电连接于电路基板10”的技术方案，以使得损坏的发光单元11B能够被良好的发光单元11N所取代而达到修补的效果。
本发明的另外再一有益效果在于，本发明所提供的半导体芯片修补装置Z，能通过“激光产生模块2邻近电路基板10且设置在电路基板10的下方，以用于产生激光光源L”以及“芯片取放模块3邻近发光单元11且设置在发光单元11的上方”的技术方案，以使得激光产生模块2所产生的激光光源L能投向损坏的发光单元11B而降低损坏的发光单元11B与电路基板10之间的结合力，并且使得芯片取放模块3将损坏的发光单元11B从电路基板10上取下而形成空缺位置G10。借此，由于芯片取放模块3将良好的发光单元11N置入空缺位置G10内，所以使得损坏的发光单元11B能够被良好的发光单元11N所取代而达到修补的效果。
更进一步来说，本发明通过上述第一实施例与第二实施例所提供的半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置，可将电路基板10上的损坏的发光单元11B取下，并更换上良好的发光单元11N，进而达到修补的效果。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种半导体芯片修补方法，其特征在于，包括：
提供设置在电路基板上的多个发光单元，多个所述发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元，所述电路基板具有焊垫区与非焊垫区；
移除所述损坏的发光单元，以形成空缺位置；
取得良好的发光单元；
形成挥发性粘着材料于所述良好的发光单元的底部上，多个导电接合物混在所述挥发性粘着材料内；
利用所述挥发性粘着材料，以将所述良好的发光单元粘着在所述空缺位置；以及
对所述良好的发光单元进行加热，以使得所述良好的发光单元固定在所述空缺位置；
其中，当位于所述良好的发光单元的底部的所述导电接合物因加热而在熔融状态时，位于所述电路基板的所述非焊垫区上方的所述导电接合物因内聚力的作用，而全部移动至邻近的所述焊垫区上方，以裸露出所述非焊垫区。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片修补方法，其特征在于，所述良好的发光单元通过所述导电接合物以电连接于电路基板。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片修补方法，其特征在于，在对所述良好的发光单元进行加热的步骤中，所述良好的发光单元被压板所顶抵。
4.一种半导体芯片修补方法，其特征在于，包括：
提供发光二极管模块，所述发光二极管模块包括电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元；其中，多个所述发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元，所述电路基板具有焊垫区与非焊垫区；
利用激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；
将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成空缺位置 ；
形成挥发性粘着材料于良好的发光单元的底部上，多个导电接合物混在所述挥发性粘着材料内；
利用所述挥发性粘着材料，以将所述良好的发光单元粘着在所述空缺位置；以及
对所述良好的发光单元进行加热，以使得所述良好的发光单元固定在所述空缺位置；
其中，当位于所述良好的发光单元的底部的所述导电接合物因加热而在熔融状态时，位于所述电路基板的所述非焊垫区上方的所述导电接合物因内聚力的作用，而全部移动至邻近的所述焊垫区上方，以裸露出所述非焊垫区。
5.根据权利要求4所述的半导体芯片修补方法，其特征在于，在利用所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中，进一步包括：
利用位置检测模块以检测所述电路基板与所述损坏的发光单元的导电物质之间的接触界面的位置；以及
利用所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力；
其中，所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件；
其中，所述导电物质为异方性导电膜。
6.根据权利要求4所述的半导体芯片修补方法，其特征在于，在对所述良好的发光单元进行加热，以使得所述良好的发光单元固定在所述空缺位置的步骤中，进一步包括：利用所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片修补方法，其特征在于，在利用所述激光光源投向所述良好的发光单元的步骤中，进一步包括：
利用位置检测模块以检测所述良好的发光单元的新的导电物质的位置；以及
利用所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质；
其中，所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件；
其中，所述导电物质为异方性导电膜，且所述新的导电物质为异方性导电胶。
8.一种半导体芯片修补装置，所述半导体芯片修补装置应用于发光二极管模块，所述发光二极管模块包括电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元，多个所述发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元，其特征在于，所述半导体芯片修补装置包括：
激光产生模块，所述激光产生模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以用于产生激光光源；
芯片取放模块，所述芯片取放模块邻近所述发光单元且设置在所述发光单元的上方；以及
挥发性粘着材料存放模块，所述挥发性粘着材料存放模块用于存放内混有多个导电接合物的挥发性粘着材料；
其中，所述激光产生模块所产生的激光光源用于投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；
其中，所述芯片取放模块用于将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成空缺，且所述芯片取放模块用于将良好的发光单元置入所述空缺内。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片修补装置，其特征在于，所述半导体芯片修补装置进一步包括：位置检测模块，所述位置检测模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以检测所述电路基板与所述损坏的发光单元的导电物质之间的接触界面的位置；其中，所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力；其中，所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件；其中，所述导电物质为异方性导电膜。
10.根据权利要求8所述的半导体芯片修补装置，其特征在于，所述半导体芯片修补装置进一步包括：位置检测模块，所述位置检测模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以检测所述良好的发光单元的新的导电物质的位置；其中，所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板，且所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质；其中，所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件；其中，所述导电物质为异方性导电膜，且所述新的导电物质为异方性导电胶。
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