TWI718923B - 發光二極體晶片結構以及晶片移轉系統與方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種發光二極體晶片結構以及晶片移轉系統與方法。晶片移轉系統包括液體容置槽、承載基板以及連接層移除模組。多個發光二極體晶片結構隨機分布在液態物質內。發光二極體晶片結構透過承載基板的黏附以從液體容置槽移轉到一黏著基板上，然後再從黏著基板移轉到一電路基板上。連接層移除模組設置在多個發光二極體晶片結構的上方。每一發光二極體晶片結構包括一發光二極體晶片、一金屬材料層以及連接於發光二極體晶片與金屬材料層之間的一可移除式連接層。藉此，發光二極體晶片結構能透過承載基板與黏著基板的配合以從液體容置槽移轉到電路基板上，並且可移除式連接層能透過連接層移除模組而被移除，所以金屬材料層能隨著可移除式連接層的移除而脫離發光二極體晶片。

Description

發光二極體晶片結構以及晶片移轉系統與方法
本發明涉及一種晶片結構以及晶片移轉系統與方法，特別是涉及一種發光二極體晶片結構以及發光二極體晶片移轉系統與方法。
發光二極體晶片(LED chip)通常利用吸嘴(nozzle)，以從一承載板上移轉到一電路板上，但是此種晶片移轉方式仍具有可改善空間。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光二極體晶片結構以及晶片移轉系統與方法。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種發光二極體晶片結構，其包括：一發光二極體晶片、一可移除式連接層以及一金屬材料層。所述發光二極體晶片的一頂端具有兩個電極接點。所述可移除式連接層設置在所述發光二極體晶片的一底端上。所述金屬材料層設置在所述可移除式連接層上。其中，所述可移除式連接層連接於所述發光二極體晶片與所述金屬材料層之間，以使得當所述可移除式連接層被移除後，所述金屬材料層脫離所述發光二極體晶片。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種晶片移轉系統，其包括：一液體容置槽、一承載基板以及一連接層移除模組。所述液體容置槽內容置有一液態物質，多個發光二極體晶片結構隨機分布在所述液態物質內。所述承載基板可移動地放置在所述液體容置槽內或者離開所述液體容置槽，所述承載基板包括承載有多個熱熔材料層的一承載本體以及設置在所述承載本體上或者內部的多個微加熱器，所述發光二極體晶片結構透過所述承載基板的黏附以從所述液體容置槽移轉到一黏著基板上，然後所述發光二極體晶片結構再從所述黏著基板移轉到一電路基板上。所述連接層移除模組設置在多個所述發光二極體晶片結構的上方。其中，每一所述發光二極體晶片結構包括一發光二極體晶片、一可移除式連接層以及一金屬材料層，所述發光二極體晶片的一頂端具有兩個電極接點，所述可移除式連接層設置在所述發光二極體晶片的一底端上，所述金屬材料層設置在所述可移除式連接層上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種晶片移轉方法，其包括：首先，將多個發光二極體晶片結構隨機分布在一液體容置槽的一液態物質內，每一所述發光二極體晶片結構包括一發光二極體晶片、一金屬材料層以及連接於所述發光二極體晶片與所述金屬材料層之間的一可移除式連接層；接著，透過一承載基板的黏附，以將所述發光二極體晶片結構從所述液體容置槽移轉到一黏著基板上；接下來，透過一連接層移除模組，以移除所述可移除式連接層，並使得所述金屬材料層脫離所述發光二極體晶片；緊接著，將所述發光二極體晶片結構從所述黏著基板移轉到一電路基板上；然後，將所述發光二極體晶片電性連接於所述電路基板。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種發光二極體晶片結構，其能通過“可移除式連接層設置在發光二極體晶片的底端上”以及“金屬材料層設置在可移除式連接層上”的技術方案，以使得當可移除式連接層被移除後，金屬材料層能隨著可移除式連接層的移除而脫離發光二極體晶片。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的一種晶片移轉系統，其能通過“多個發光二極體晶片結構隨機分布在液體容置槽的液態物質內”、“承載基板可移動地放置在液體容置槽內或者離開液體容置槽” 以及“連接層移除模組設置在多個發光二極體晶片結構的上方”的技術方案，以使得可移除式連接層能透過連接層移除模組而被移除，所以金屬材料層能隨著可移除式連接層的移除而脫離發光二極體晶片。另外，多個熱熔材料層分別透過多個微加熱器的加熱而熔化，且每一發光二極體晶片結構的金屬材料層被相對應的熱熔材料層所黏附。
本發明的另外再一有益效果在於，本發明所提供的一種晶片移轉方法，其能通過“將多個發光二極體晶片結構隨機分布在液體容置槽的液態物質內”、“透過承載基板的黏附，以將發光二極體晶片結構從液體容置槽移轉到黏著基板上”、“透過連接層移除模組，以移除可移除式連接層，並使得金屬材料層脫離發光二極體晶片”、“將發光二極體晶片結構從黏著基板移轉到電路基板上”以及“將發光二極體晶片電性連接於電路基板”的技術方案，以使得發光二極體晶片結構能透過承載基板與黏著基板的配合以從液體容置槽移轉到電路基板上，並且可移除式連接層能透過連接層移除模組而被移除，所以金屬材料層能隨著可移除式連接層的移除而脫離發光二極體晶片。另外，多個熱熔材料層分別透過多個微加熱器的加熱而熔化，且每一發光二極體晶片結構的金屬材料層被相對應的熱熔材料層所黏附。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光二極體晶片結構以及晶片移轉系統與方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖11所示，本發明第一實施例提供一種晶片移轉方法，其至少包括下列幾個步驟：首先，配合圖1與圖2所示，將多個發光二極體晶片結構C隨機分布在一液體容置槽G的一液態物質L內，每一發光二極體晶片結構C包括一發光二極體晶片1、一金屬材料層3以及連接於發光二極體晶片1與金屬材料層3之間的一可移除式連接層2（步驟S100）；接著，配合圖1以及圖6至圖11所示，透過一承載基板E的黏附，以將發光二極體晶片結構C從液體容置槽G移轉到一黏著基板H上（步驟S102）；接下來，配合圖10與圖11所示，透過一連接層移除模組R，以移除可移除式連接層2，並使得金屬材料層3脫離發光二極體晶片1（步驟S104）；緊接著，配合圖11與圖12所示，將發光二極體晶片結構C從黏著基板H移轉到一電路基板P上（步驟S106）；然後，配合圖1與圖13所示，將發光二極體晶片1電性連接於電路基板P（步驟S108）。
以下舉例說明，配合圖2至圖4所示，發光二極體晶片1的一頂端具有兩個電極接點100，可移除式連接層2設置在發光二極體晶片1的一底端上，並且金屬材料層3設置在可移除式連接層2上。更進一步來說，發光二極體晶片1的底端可完全或者部分被可移除式連接層2所覆蓋，並且可移除式連接層2的一底端可完全或者部分被金屬材料層3所覆蓋。藉此，當多個發光二極體晶片結構C同時放入液體容置槽G的液態物質L（例如水或者任何含水的混合液體）內時，液態物質L會被施予震波（或者其它外力）而產生震動或者晃動，以使得多個發光二極體晶片結構C能夠被隨機分布在液體容置槽G的液態物質L內。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，配合圖3所示，發光二極體晶片1可為無基底的微發光二極體(micro LED)，其包括一P型半導體層11、設置在P型半導體層11上的一發光層12以及設置在發光層12上的一N型半導體層13，並且發光二極體晶片1的兩個電極接點100分別電性連接於P型半導體層11與N型半導體層13。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，如圖4所示，發光二極體晶片1為次毫米發光二極體(mini LED)，其包括一基底10、設置在基底10上的一P型半導體層11、設置在P型半導體層11上的一發光層12以及設置在發光層12上的一N型半導體層13，並且發光二極體晶片1的兩個電極接點100分別電性連接於P型半導體層11與N型半導體層13。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，如圖3或者圖4所示，多個發光二極體晶片結構C可預先在同一晶圓上製作完成，然後再經由切割晶圓，以將多個發光二極體晶片結構C彼此分離成獨立結構。因此，如圖3所示，晶圓經過切割後，發光二極體晶片1的多個側面1000會分別連接於可移除式連接層2的多個側面2000，可移除式連接層2的多個側面2000會分別連接於金屬材料層3的多個側面3000，並且發光二極體晶片1的多個側面1000、可移除式連接層2的多個側面2000以及金屬材料層3的多個側面3000都是可以彼此切齊的切割面。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，配合圖2、圖6與圖7所示，承載基板E包括承載有多個熱熔材料層M的一承載本體E1以及設置在承載本體E1上或者內部的多個微加熱器E2，並且承載基板E可移動地放置在液體容置槽G內（如圖6所示）或者離開液體容置槽G（如圖7所示）。值得注意的是，熱熔材料層M可以是低溫的錫或者其它在低溫時即可熔化的焊接用材料，低溫的溶點可約略為10~40度之間（或者5~30度之間，或者20~50度之間，或者低於178度以下）的任意正整數。更進一步來說，如圖6所示，當承載基板E置入液體容置槽G後，多個微加熱器E2能分別對多個熱熔材料層M進行加熱（每一熱熔材料層M會因為相對應的至少一微加熱器E2的加熱而產生黏性），以使得發光二極體晶片結構C的金屬材料層3能被黏附於相對應的熱熔材料層M上，藉此以定位發光二極體晶片結構C相對於承載本體E1的位置。也就是說，當承載基板E置入液體容置槽G後，發光二極體晶片結構C能透過熱熔材料層M的黏附，以使得多個發光二極體晶片結構C能被依序排列在承載基板E上。因此，當承載基板E置入液體容置槽G後，多個熱熔材料層M能分別透過多個微加熱器E2的加熱而熔化，且每一發光二極體晶片結構C的金屬材料層3會被相對應的熱熔材料層M所黏附。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，配合圖7與圖8所示，當承載基板E離開液體容置槽G後，被熱熔材料層M所黏附的發光二極體晶片結構C能透過承載本體E1的承載以移轉到一黏著基板H的一黏著層H1000上。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，配合圖8與圖9所示，當發光二極體晶片1設置在黏著基板H的黏著層H1000上後，多個微加熱器E2能再次分別對多個熱熔材料層M進行加熱（每一熱熔材料層M會因為相對應的至少一微加熱器E2的加熱而產生黏性），然後當承載本體E1上升而遠離發光二極體晶片結構C時，發光二極體晶片結構C的金屬材料層3就能夠脫離相對應的熱熔材料層M的黏附。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。舉例來說，如圖8所示，本發明也可以直接先移除可移除式連接層2，而使得金屬材料層3、熱熔材料層M以及承載基板E能夠隨著可移除式連接層2的移除而脫離發光二極體晶片結構C。
以下舉例說明，配合圖10與圖11所示，當承載基板E脫離多個發光二極體晶片1後，可移除式連接層2（例如光阻層，其可由任何的光敏材料所製成）能透過連接層移除模組R（例如光阻剝離液提供設備）所提供的光阻剝離液R100（可為有機溶劑或者無機溶劑）而被移除，以使得金屬材料層3能隨著可移除式連接層2的移除而順便脫離發光二極體晶片1。也就是說，由於可移除式連接層2連接於發光二極體晶片1與金屬材料層3之間，所以當可移除式連接層2被移除後，金屬材料層3就能順便脫離發光二極體晶片1。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，配合圖3或者圖4所示，兩個電極接點可為分別電性連接於P型半導體層11與N型半導體層13的一第一電極接點100P以及一第二電極接點100N。配合圖11與圖12所示，依據每一發光二極體晶片1的第一電極接點100P與第二電極接點100N的位置進行分類，將左邊為第一電極接點100P而右邊為第二電極接點100N的多個發光二極體晶片1移轉至一第一輔助黏著基板H1上，並且將右邊為第一電極接點100P而左邊為第二電極接點100N的多個發光二極體晶片1移轉至一第二輔助黏著基板H2上。配合圖12與圖13所示，位於第一輔助黏著基板H1上的多個發光二極體晶片1或者位於第二輔助黏著基板H2上的多個發光二極體晶片1可以通過吸嘴或者其它移轉方式而再移轉至一電路基板P上，並且每一發光二極體晶片1的第一電極接點100P與第二電極接點100N會分別通過兩個錫球S以電性連接於電路基板P（例如發光二極體晶片1可利用迴焊(reflow)或者雷射加熱的方式進行固晶）。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，如圖5所示，承載基板E包括多個電源控制開關E3，並且電源控制開關E3可為一半導體開關（例如CMOS開關）或者一微機電開關。另外，多個電源控制開關E3會分別電性連接於多個微加熱器E2，並且每一微加熱器E2能透過相對應的電源控制開關E3的開啟，以對相對應的熱熔材料層M進行加熱。也就是說，每一微加熱器E2能夠透過相對應的一電源控制開關E3以進行開啟或者關閉的控制，並且當微加熱器E2被開啟時，就能對相對應的至少一熱熔材料層M進行加熱。或者，如圖14所示，在其它實施例中，承載基板E包括一電源控制開關E3，電源控制開關E3電性連接於多個微加熱器E2，並且多個微加熱器E2能透過電源控制開關E3的開啟，以分別對多個熱熔材料層M進行加熱。也就是說，全部的微加熱器E2或者一部分的多個微加熱器E2也能夠只透過單一個電源控制開關E3進行開啟或者關閉的控制。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，如圖2所示，多個微加熱器E2能排列成一矩陣，並且每一微加熱器E2可移動地設置在承載本體E1上或者固定在承載本體E1上。當每一微加熱器E2可移動地設置在承載本體E1上時，相鄰的任意兩個熱熔材料層M之間的間距d為可調整的。也就是說，當相鄰的兩個發光二極體晶片1的間距需要調整時，相鄰的兩個熱熔材料層M之間的間距d可以依據“相鄰的兩個發光二極體晶片1的間距”而沿著軌道來進行調整，所以“相鄰的兩個發光二極體晶片1的間距”就會等於“相鄰的兩個熱熔材料層M之間的間距d”。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，如圖15至圖17所示，多個發光二極體晶片結構C可以被區分成多個紅色發光二極體晶片結構(C-R)、多個綠色發光二極體晶片結構(C-G)以及多個藍色發光二極體晶片結構(C-B)，多個微加熱器E2可以被區分成多個第一微加熱器E21、多個第二微加熱器E22以及多個第三微加熱器E23，並且多個熱熔材料層M可以被區分成多個第一熱熔材料層M1、多個第二熱熔材料層M2以及多個第三熱熔材料層M3。如圖15所示，當多個紅色發光二極體晶片結構(C-R)隨機分布在第一液體容置槽G1的第一液態物質L1內時，多個第一熱熔材料層M1能分別透過多個第一微加熱器E21的加熱而產生黏性，以使得多個紅色發光二極體晶片結構(C-R)能分別被貼附到多個第一熱熔材料層M1上。如圖16所示，當多個綠色發光二極體晶片結構(C-G)隨機分布在第二液體容置槽G2的第二液態物質L2內時，多個第二熱熔材料層M2能分別透過多個第二微加熱器E22的加熱而產生黏性，以使得多個綠色發光二極體晶片結構(C-G)能分別被貼附到多個第二熱熔材料層M2上。如圖17所示，當多個藍色發光二極體晶片結構(C-B)隨機分布在第三液體容置槽G3的第三液態物質L3內時，多個第三熱熔材料層M3能分別透過多個第三微加熱器E23的加熱而產生黏性，以使得多個藍色發光二極體晶片結構(C-B)能分別被貼附到多個第三熱熔材料層M3上。藉此，多個紅色發光二極體晶片結構(C-R)、多個綠色發光二極體晶片結構(C-G)以及多個藍色發光二極體晶片結構(C-B)就能被依序黏附在承載基板E上。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
[第二實施例]
參閱圖2至圖14所示，本發明第二實施例提供一種晶片移轉系統，其包括：一液體容置槽G、一承載基板E以及一連接層移除模組R。
更進一來說，如圖2所示，液體容置槽G內容置有一液態物質L，並且多個發光二極體晶片結構C能隨機分布在液態物質L內。另外，每一發光二極體晶片結構C包括一發光二極體晶片1、一可移除式連接層2以及一金屬材料層3。發光二極體晶片1的一頂端具有兩個電極接點100，可移除式連接層2設置在發光二極體晶片1的一底端上，並且金屬材料層3設置在可移除式連接層2上。
更進一來說，配合圖2以及圖6至圖8所示，承載基板E包括承載有多個熱熔材料層M的一承載本體E1以及設置在承載本體E1上或者內部的多個微加熱器E2。另外，配合圖7至圖13所示，承載基板E可移動地放置在液體容置槽G內或者離開液體容置槽G，並且發光二極體晶片結構C能透過承載基板E的黏附以從液體容置槽G移轉到一黏著基板H上，然後發光二極體晶片結構C再從黏著基板H（或者第一輔助黏著基板H1，或者第二輔助黏著基板H2）而移轉到一電路基板P上。
更進一來說，配合圖10與圖11所示，連接層移除模組R設置在多個發光二極體晶片結構的上方。舉例來說，當發光二極體晶片1被移轉至黏著基板H後，可移除式連接層2（例如光阻層）能透過連接層移除模組R（例如光阻剝離液提供設備）所提供的光阻剝離液R100而被移除，以使得金屬材料層3能隨著可移除式連接層2的移除而順便脫離發光二極體晶片1。也就是說，由於可移除式連接層2連接於發光二極體晶片1與金屬材料層3之間，所以當可移除式連接層2被移除後，金屬材料層3就能順便脫離發光二極體晶片1。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，如圖2所示，多個微加熱器E2能排列成一矩陣，並且每一微加熱器E2可移動地設置在承載本體E1上或者固定在承載本體E1上。當每一微加熱器E2可移動地設置在承載本體E1上時，相鄰的任意兩個熱熔材料層M之間的間距d為可調整的。也就是說，當相鄰的兩個發光二極體晶片1的間距需要調整時，相鄰的兩個熱熔材料層M之間的間距d可以依據“相鄰的兩個發光二極體晶片1的間距”而沿著軌道來進行調整，所以“相鄰的兩個發光二極體晶片1的間距”就會等於“相鄰的兩個熱熔材料層M之間的間距d”。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
以下舉例說明，如圖5所示，承載基板E包括多個電源控制開關E3，並且電源控制開關E3可為一半導體開關（例如CMOS開關）或者一微機電開關。另外，多個電源控制開關E3會分別電性連接於多個微加熱器E2，並且每一微加熱器E2能透過相對應的電源控制開關E3的開啟，以對相對應的熱熔材料層M進行加熱。也就是說，每一微加熱器E2能夠透過相對應的一電源控制開關E3以進行開啟或者關閉的控制，並且當微加熱器E2被開啟時，就能對相對應的至少一熱熔材料層M進行加熱。或者，如圖14所示，在其它實施例中，承載基板E包括一電源控制開關E3，電源控制開關E3電性連接於多個微加熱器E2，並且多個微加熱器E2能透過電源控制開關E3的開啟，以分別對多個熱熔材料層M進行加熱。也就是說，全部的微加熱器E2或者一部分的多個微加熱器E2也能夠只透過單一個電源控制開關E3進行開啟或者關閉的控制。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種發光二極體晶片結構C，其能通過“可移除式連接層2設置在發光二極體晶片1的底端上”以及“金屬材料層3設置在可移除式連接層2上”的技術方案，以使得當可移除式連接層2被移除後，金屬材料層3能隨著可移除式連接層2的移除而脫離發光二極體晶片1。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的一種晶片移轉系統，其能通過“多個發光二極體晶片結構C隨機分布在液體容置槽G的液態物質L內”、“承載基板E可移動地放置在液體容置槽G內或者離開液體容置槽G” 以及“連接層移除模組R設置在多個發光二極體晶片結構C的上方”的技術方案，以使得可移除式連接層2能透過連接層移除模組R而被移除，所以金屬材料層3能隨著可移除式連接層2的移除而脫離發光二極體晶片1。另外，多個熱熔材料層M能分別透過多個微加熱器E2的加熱而熔化，並且每一發光二極體晶片結構C的金屬材料層3能被相對應的熱熔材料層M所黏附。
本發明的另外再一有益效果在於，本發明所提供的一種晶片移轉方法，其能通過“將多個發光二極體晶片結構C隨機分布在液體容置槽G的液態物質L內”、“透過承載基板E的黏附，以將發光二極體晶片結構C從液體容置槽G移轉到黏著基板H上”、“透過連接層移除模組R，以移除可移除式連接層2，並使得金屬材料層3脫離發光二極體晶片1”、“將發光二極體晶片結構C從黏著基板H移轉到電路基板P上”以及“將發光二極體晶片1電性連接於電路基板P”的技術方案，以使得發光二極體晶片結構C能透過承載基板E與黏著基板H的配合以從液體容置槽G移轉到電路基板P上，並且可移除式連接層3能透過連接層移除模組R而被移除，所以金屬材料層3能隨著可移除式連接層2的移除而脫離發光二極體晶片1。另外，多個熱熔材料層M能分別透過多個微加熱器E2的加熱而熔化，並且每一發光二極體晶片結構C的金屬材料層3能被相對應的熱熔材料層M所黏附。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
G:液體容置槽 G1:第一液體容置槽 G2:第二液體容置槽 G3:第三液體容置槽 L:液態物質 L1:第一液態物質 L2:第二液態物質 L3:第三液態物質 E:承載基板 E1:承載本體 E2:微加熱器 E21:第一微加熱器 E22:第二微加熱器 E23:第三微加熱器 E3:電源控制開關 R:連接層移除模組 R100:光阻剝離液 S:錫球 P:電路基板 C:發光二極體晶片結構 C-R:紅色發光二極體晶片結構 C-G:綠色發光二極體晶片結構 C-B:藍色發光二極體晶片結構 1:發光二極體晶片 1000:側面 100:電極接點 100P:第一電極接點 100N:第二電極接點 10:基底 11:P型半導體層 12:發光層 13:N型半導體層 2:可移除式連接層 2000:側面 3:金屬材料層 3000:側面 d:間距 M:熱熔材料層 M1:第一熱熔材料層 M2:第二熱熔材料層 M3:第三熱熔材料層 H:黏著基板 H1000:黏著層 H1:第一輔助黏著基板 H2:第二輔助黏著基板
圖1為本發明的第一實施例的晶片移轉方法的流程圖。
圖2為本發明的第一實施例的晶片移轉方法的步驟S100的示意圖。
圖3為本發明所提供的其中一種發光二極體晶片結構的示意圖。
圖4為本發明所提供的另外一種發光二極體晶片結構的示意圖。
圖5為本發明的一微加熱器與一電源控制開關的連接關係的功能方塊圖。
圖6為本發明的承載基板進入液體容置槽內以黏附多個發光二極體晶片結構的示意圖。
圖7為本發明的發光二極體晶片結構透過承載基板的黏附以傳送到黏著基板的上方的示意圖。
圖8為本發明的第一實施例的晶片移轉方法的步驟S102的示意圖。
圖9為本發明的承載基板脫離發光二極體晶片結構的示意圖。
圖10為本發明的第一實施例的晶片移轉方法的步驟S104的示意圖。
圖11為本發明的發光二極體晶片結構的可移除式連接層與金屬材料層被移除後的示意圖。
圖12為本發明多個發光二極體晶片進行分類的示意圖。
圖13為本發明第一實施例的晶片移轉方法的步驟S106與步驟S108的示意圖。
圖14為本發明的多個微加熱器與一電源控制開關的連接關係的功能方塊圖。
圖15為本發明的多個紅色發光二極體晶片結構分別被貼附到多個第一熱熔材料層上的示意圖。
圖16為本發明的多個綠色發光二極體晶片結構分別被貼附到多個第二熱熔材料層上的示意圖。
圖17為本發明的多個藍色發光二極體晶片結構分別被貼附到多個第三熱熔材料層上的示意圖。
G:液體容置槽
L:液態物質
E:承載基板
E1:承載本體
E2:微加熱器
C:發光二極體晶片結構
1:發光二極體晶片
2:可移除式連接層
3:金屬材料層
d:間距
M:熱熔材料層

Claims (9)

  1. 一種發光二極體晶片結構，其包括：一發光二極體晶片，所述發光二極體晶片的一頂端具有兩個電極接點；一可移除式連接層，所述可移除式連接層設置在所述發光二極體晶片的一底端上；以及一金屬材料層，所述金屬材料層設置在所述可移除式連接層上；其中，所述可移除式連接層連接於所述發光二極體晶片與所述金屬材料層之間，以使得當所述可移除式連接層被移除後，所述金屬材料層脫離所述發光二極體晶片；其中，所述發光二極體晶片結構設置在一承載基板上，且所述承載基板包括承載有多個熱熔材料層的一承載本體以及設置在所述承載本體上或者內部的多個微加熱器；其中，當多個所述微加熱器分別對多個所述熱熔材料層加熱時，所述發光二極體晶片結構的所述金屬材料層被黏附於相對應的所述熱熔材料層，以定位所述發光二極體晶片結構相對於所述承載本體的位置。
  2. 如請求項1所述的發光二極體晶片結構，其中，所述發光二極體晶片為無基底的微發光二極體，其包括一P型半導體層、設置在所述P型半導體層上的一發光層以及設置在所述發光層上的一N型半導體層；其中，所述發光二極體晶片的所述底端完全被所述可移除式連接層所覆蓋，且所述可移除式連接層的一底端完全被所述金屬材料層所覆蓋；其中，所述發光二極體晶片的多個側面分別連接於所述可移除式連接層的多個側面，所述可移除式連接層的多個所述側面分別連接於 所述金屬材料層的多個側面，且所述發光二極體晶片的多個所述側面、所述可移除式連接層的多個所述側面以及所述金屬材料層的多個所述側面都是切割面。
  3. 如請求項1所述的發光二極體晶片結構，其中，所述發光二極體晶片為次毫米發光二極體，其包括一基底、設置在所述基底上的一P型半導體層、設置在所述P型半導體層上的一發光層以及設置在所述發光層上的一N型半導體層；其中，所述發光二極體晶片的所述底端完全被所述可移除式連接層所覆蓋，且所述可移除式連接層的一底端完全被所述金屬材料層所覆蓋；其中，所述發光二極體晶片的多個側面分別連接於所述可移除式連接層的多個側面，所述可移除式連接層的多個所述側面分別連接於所述金屬材料層的多個側面，且所述發光二極體晶片的多個所述側面、所述可移除式連接層的多個所述側面以及所述金屬材料層的多個所述側面都是切割面。
  4. 一種晶片移轉系統，其包括：一液體容置槽，所述液體容置槽內容置有一液態物質，多個發光二極體晶片結構隨機分布在所述液態物質內；一承載基板，所述承載基板可移動地放置在所述液體容置槽內或者離開所述液體容置槽，所述承載基板包括承載有多個熱熔材料層的一承載本體以及設置在所述承載本體上或者內部的多個微加熱器，所述發光二極體晶片結構透過所述承載基板的黏附以從所述液體容置槽移轉到一黏著基板上，然後所述發光二極體晶片結構再從所述黏著基板移轉到一電路基板上；以及 一連接層移除模組，所述連接層移除模組設置在多個所述發光二極體晶片結構的上方；其中，每一所述發光二極體晶片結構包括一發光二極體晶片、一可移除式連接層以及一金屬材料層，所述發光二極體晶片的一頂端具有兩個電極接點，所述可移除式連接層設置在所述發光二極體晶片的一底端上，所述金屬材料層設置在所述可移除式連接層上。
  5. 如請求項4所述的晶片移轉系統，其中，當所述承載基板置入所述液體容置槽後，多個所述熱熔材料層分別透過多個所述微加熱器的加熱而熔化，且每一所述發光二極體晶片結構的所述金屬材料層被相對應的所述熱熔材料層所黏附；其中，當所述承載基板離開所述液體容置槽後，被所述熱熔材料層所黏附的所述發光二極體晶片結構透過所述承載本體的承載以移轉到所述黏著基板的一黏著層上，然後所述發光二極體晶片結構再從所述黏著基板的所述黏著層移轉到所述電路基板上；其中，當所述發光二極體晶片透過兩個所述電極接點以電性連接於所述電路基板後，所述可移除式連接層透過所述連接層移除模組而被移除，以使得所述金屬材料層脫離所述發光二極體晶片。
  6. 如請求項4所述的晶片移轉系統，其中，所述承載基板包括多個電源控制開關，多個所述電源控制開關分別電性連接於多個所述微加熱器，且每一所述微加熱器透過相對應的所述電源控制開關的開啟，以對相對應的所述熱熔材料層進行加熱；其中，多個所述微加熱器排列成一矩陣，且每一所述微加熱器可移動地設置在所述承載本體上，以使得相鄰的任意 兩個所述熱熔材料層之間的間距為可調整的；其中，所述可移除式連接層為一光阻層，且所述連接層移除模組為一光阻剝離液提供設備。
  7. 如請求項4所述的晶片移轉系統，其中，所述承載基板包括一電源控制開關，所述電源控制開關電性連接於多個所述微加熱器，且多個所述微加熱器透過所述電源控制開關的開啟，以分別對多個所述熱熔材料層進行加熱；其中，多個所述微加熱器排列成一矩陣，且每一所述微加熱器可移動地設置在所述承載本體上，以使得相鄰的任意兩個所述熱熔材料層之間的間距為可調整的；其中，所述可移除式連接層為一光阻層，且所述連接層移除模組為一光阻剝離液提供設備。
  8. 一種晶片移轉方法，其包括：將多個發光二極體晶片結構隨機分布在一液體容置槽的一液態物質內，每一所述發光二極體晶片結構包括一發光二極體晶片、一金屬材料層以及連接於所述發光二極體晶片與所述金屬材料層之間的一可移除式連接層；透過一承載基板的黏附，以將所述發光二極體晶片結構從所述液體容置槽移轉到一黏著基板上；透過一連接層移除模組，以移除所述可移除式連接層，並使得所述金屬材料層脫離所述發光二極體晶片；將所述發光二極體晶片結構從所述黏著基板移轉到一電路基板上；以及將所述發光二極體晶片電性連接於所述電路基板。
  9. 如請求項8所述的晶片移轉方法，其中，所述承載基板包括 承載有多個熱熔材料層一承載本體以及設置在所述承載本體上或者內部的多個微加熱器，且所述承載基板可移動地放置在所述液體容置槽內或者離開所述液體容置槽；其中，所述發光二極體晶片的一頂端具有兩個電極接點，所述可移除式連接層設置在所述發光二極體晶片的一底端上，且所述發光二極體晶片的兩個所述電極接點分別通過兩個錫球以電性連接於所述電路基板；其中，所述可移除式連接層為一光阻層，且所述連接層移除模組為一光阻剝離液提供設備；其中，當所述承載基板置入所述液體容置槽後，多個所述熱熔材料層分別透過多個所述微加熱器的加熱而熔化，且每一所述發光二極體晶片結構的所述金屬材料層被相對應的所述熱熔材料層所黏附；其中，當所述承載基板離開所述液體容置槽後，被所述熱熔材料層所黏附的所述發光二極體晶片結構透過所述承載本體的承載以移轉到所述黏著基板的一黏著層上，然後所述發光二極體晶片結構再從所述黏著基板的所述黏著層移轉到所述電路基板上；其中，當所述發光二極體晶片透過兩個所述電極接點以電性連接於所述電路基板後，所述可移除式連接層透過所述連接層移除模組而被移除，以使得所述金屬材料層脫離所述發光二極體晶片。
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