CN113497170A - 发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。芯片移转系统包括液体容置槽、承载基板及连接层移除模块。多个发光二极管芯片结构随机分布在液态物质内。发光二极管芯片结构通过承载基板的黏附以从液体容置槽移转到黏着基板上，再从黏着基板移转到电路基板上。连接层移除模块设置在多个发光二极管芯片结构的上方。每一发光二极管芯片结构包括发光二极管芯片、金属材料层及连接于发光二极管芯片与金属材料层间的可移除式连接层。借此，发光二极管芯片结构能通过承载基板与黏着基板的配合从液体容置槽移转到电路基板上，且可移除式连接层能通过连接层移除模块被移除，所以金属材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。

Description

发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法
技术领域
本发明涉及一种芯片结构以及芯片移转系统与方法，特别是涉及一种发光二极管芯片结构以及发光二极管芯片移转系统与方法。
背景技术
发光二极管芯片(LED chip)通常利用吸嘴(nozzle)，以从一附加电路板上移转到一电路板上，但是此种芯片移转方式仍具有可改善空间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种发光二极管芯片结构，其包括：一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一金属材料层。所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点。所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上。所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上。其中，所述可移除式连接层连接于所述发光二极管芯片与所述金属材料层之间，以使得当所述可移除式连接层被移除后，所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。
进一步地，所述发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，其包括一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个所述侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个所述侧面、所述可移除式连接层的多个所述侧面以及所述金属材料层的多个所述侧面都是切割面。
进一步地，所述发光二极管芯片为次毫米发光二极管，其包括一基底、设置在所述基底上的一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个所述侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个所述侧面、所述可移除式连接层的多个所述侧面以及所述金属材料层的多个所述侧面都是切割面。
进一步地，所述发光二极管芯片结构设置在一承载基板上，且所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器；其中，当多个所述微加热器分别对多个所述热熔材料层加热时，所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被黏附于相对应的所述热熔材料层，以定位所述发光二极管芯片结构相对于所述承载本体的位置。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种芯片移转系统，其包括：一液体容置槽、一承载基板以及一连接层移除模块。所述液体容置槽内容置有一液态物质，多个发光二极管芯片结构随机分布在所述液态物质内。所述承载基板可移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽，所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器，所述发光二极管芯片结构通过所述承载基板的黏附以从所述液体容置槽移转到一黏着基板上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板移转到一电路基板上。所述连接层移除模块设置在多个所述发光二极管芯片结构的上方。其中，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一金属材料层，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上。
进一步地，当所述承载基板置入所述液体容置槽后，多个所述热熔材料层分别通过多个所述微加热器的加热而熔化，且每一所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被相对应的所述热熔材料层所黏附；其中，当所述承载基板离开所述液体容置槽后，被所述热熔材料层所黏附的所述发光二极管芯片结构通过所述承载本体的承载以移转到所述黏着基板的一黏着层上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板的所述黏着层移转到所述电路基板上；其中，当所述发光二极管芯片通过两个所述电极接点以电性连接于所述电路基板后，所述可移除式连接层通过所述连接层移除模块而被移除，以使得所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。
进一步地，所述承载基板包括多个电源控制开关，多个所述电源控制开关分别电性连接于多个所述微加热器，且每一所述微加热器通过相对应的所述电源控制开关的开启，以对相对应的所述热熔材料层进行加热；其中，多个所述微加热器排列成一矩阵，且每一所述微加热器可移动地设置在所述承载本体上，以使得相邻的任意两个所述热熔材料层之间的间距为可调整的；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
进一步地，所述承载基板包括一电源控制开关，所述电源控制开关电性连接于多个所述微加热器，且多个所述微加热器通过所述电源控制开关的开启，以分别对多个所述热熔材料层进行加热；其中，多个所述微加热器排列成一矩阵，且每一所述微加热器可移动地设置在所述承载本体上，以使得相邻的任意两个所述热熔材料层之间的间距为可调整的；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是提供一种芯片移转方法，其包括：首先，将多个发光二极管芯片结构随机分布在一液体容置槽的一液态物质内，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一金属材料层以及连接于所述发光二极管芯片与所述金属材料层之间的一可移除式连接层；接着，通过一承载基板的黏附，以将所述发光二极管芯片结构从所述液体容置槽移转到一黏着基板上；接下来，通过一连接层移除模块，以移除所述可移除式连接层，并使得所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片；紧接着，将所述发光二极管芯片结构从所述黏着基板移转到一电路基板上；然后，将所述发光二极管芯片电性连接于所述电路基板。
进一步地，所述承载基板包括承载有多个热熔材料层一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器，且所述承载基板可移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽；其中，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，且所述发光二极管芯片的两个所述电极接点分别通过两个锡球以电性连接于所述电路基板；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备；其中，当所述承载基板置入所述液体容置槽后，多个所述热熔材料层分别通过多个所述微加热器的加热而熔化，且每一所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被相对应的所述热熔材料层所黏附；其中，当所述承载基板离开所述液体容置槽后，被所述热熔材料层所黏附的所述发光二极管芯片结构通过所述承载本体的承载以移转到所述黏着基板的一黏着层上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板的所述黏着层移转到所述电路基板上；其中，当所述发光二极管芯片通过两个所述电极接点以电性连接于所述电路基板后，所述可移除式连接层通过所述连接层移除模块而被移除，以使得所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种发光二极管芯片结构，其能通过“可移除式连接层设置在发光二极管芯片的底端上”以及“金属材料层设置在可移除式连接层上”的技术方案，以使得当可移除式连接层被移除后，金属材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的一种芯片移转系统，其能通过“多个发光二极管芯片结构随机分布在液体容置槽的液态物质内”、“承载基板可移动地放置在液体容置槽内或者离开液体容置槽”以及“连接层移除模块设置在多个发光二极管芯片结构的上方”的技术方案，以使得可移除式连接层能通过连接层移除模块而被移除，所以金属材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。另外，多个热熔材料层分别通过多个微加热器的加热而熔化，且每一发光二极管芯片结构的金属材料层被相对应的热熔材料层所黏附。
本发明的另外再一有益效果在于，本发明所提供的一种芯片移转方法，其能通过“将多个发光二极管芯片结构随机分布在液体容置槽的液态物质内”、“通过承载基板的黏附，以将发光二极管芯片结构从液体容置槽移转到黏着基板上”、“通过连接层移除模块，以移除可移除式连接层，并使得金属材料层脱离发光二极管芯片”、“将发光二极管芯片结构从黏着基板移转到电路基板上”以及“将发光二极管芯片电性连接于电路基板”的技术方案，以使得发光二极管芯片结构能通过承载基板与黏着基板的配合以从液体容置槽移转到电路基板上，并且可移除式连接层能通过连接层移除模块而被移除，所以金属材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。另外，多个热熔材料层分别通过多个微加热器的加热而熔化，且每一发光二极管芯片结构的金属材料层被相对应的热熔材料层所黏附。
为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明的第一实施例的芯片移转方法的流程图。
图2为本发明的第一实施例的芯片移转方法的步骤S100的示意图。
图3为本发明所提供的其中一种发光二极管芯片结构的示意图。
图4为本发明所提供的另外一种发光二极管芯片结构的示意图。
图5为本发明的一微加热器与一电源控制开关的连接关系的功能框图。
图6为本发明的承载基板进入液体容置槽内以黏附多个发光二极管芯片结构的示意图。
图7为本发明的发光二极管芯片结构通过承载基板的黏附以传送到黏着基板的上方的示意图。
图8为本发明的第一实施例的芯片移转方法的步骤S102的示意图。
图9为本发明的承载基板脱离发光二极管芯片结构的示意图。
图10为本发明的第一实施例的芯片移转方法的步骤S104的示意图。
图11为本发明的发光二极管芯片结构的可移除式连接层与金属材料层被移除后的示意图。
图12为本发明多个发光二极管芯片进行分类的示意图。
图13为本发明第一实施例的芯片移转方法的步骤S106与步骤S108的示意图。
图14为本发明的多个微加热器与一电源控制开关的连接关系的功能框图。
图15为本发明的多个红色发光二极管芯片结构分别被贴附到多个第一热熔材料层上的示意图。
图16为本发明的多个绿色发光二极管芯片结构分别被贴附到多个第二热熔材料层上的示意图。
图17为本发明的多个蓝色发光二极管芯片结构分别被贴附到多个第三热熔材料层上的示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
第一实施例
参阅图1至图11所示，本发明第一实施例提供一种芯片移转方法，其至少包括下列几个步骤：首先，配合图1与图2所示，将多个发光二极管芯片结构C随机分布在一液体容置槽G的一液态物质L内，每一发光二极管芯片结构C包括一发光二极管芯片1、一金属材料层3以及连接于发光二极管芯片1与金属材料层3之间的一可移除式连接层2(步骤S100)；接着，配合图1以及图6至图11所示，通过一承载基板E的黏附，以将发光二极管芯片结构C从液体容置槽G移转到一黏着基板H上(步骤S102)；接下来，配合图10与图11所示，通过一连接层移除模块R，以移除可移除式连接层2，并使得金属材料层3脱离发光二极管芯片1(步骤S104)；紧接着，配合图11与图12所示，将发光二极管芯片结构C从黏着基板H移转到一电路基板P上(步骤S106)；然后，配合图1与图13所示，将发光二极管芯片1电性连接于电路基板P(步骤S108)。
以下举例说明，配合图2至图4所示，发光二极管芯片1的一顶端具有两个电极接点100，可移除式连接层2设置在发光二极管芯片1的一底端上，并且金属材料层3设置在可移除式连接层2上。更进一步来说，发光二极管芯片1的底端可完全或者部分被可移除式连接层2所覆盖，并且可移除式连接层2的一底端可完全或者部分被金属材料层3所覆盖。借此，当多个发光二极管芯片结构C同时放入液体容置槽G的液态物质L(例如水或者任何含水的混合液体)内时，液态物质L会被施予震波(或者其它外力)而产生震动或者晃动，以使得多个发光二极管芯片结构C能够被随机分布在液体容置槽G的液态物质L内。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，配合图3所示，发光二极管芯片1可为无基底的微发光二极管(micro LED)，其包括一P型半导体层11、设置在P型半导体层11上的一发光层12以及设置在发光层12上的一N型半导体层13，并且发光二极管芯片1的两个电极接点100分别电性连接于P型半导体层11与N型半导体层13。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图4所示，发光二极管芯片1为次毫米发光二极管(mini LED)，其包括一基底10、设置在基底10上的一P型半导体层11、设置在P型半导体层11上的一发光层12以及设置在发光层12上的一N型半导体层13，并且发光二极管芯片1的两个电极接点100分别电性连接于P型半导体层11与N型半导体层13。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图3或者图4所示，多个发光二极管芯片结构C可预先在同一晶圆上制作完成，然后再经由切割晶圆，以将多个发光二极管芯片结构C彼此分离成独立结构。因此，如图3所示，晶圆经过切割后，发光二极管芯片1的多个侧面1000会分别连接于可移除式连接层2的多个侧面2000，可移除式连接层2的多个侧面2000会分别连接于金属材料层3的多个侧面3000，并且发光二极管芯片1的多个侧面1000、可移除式连接层2的多个侧面2000以及金属材料层3的多个侧面3000都是可以彼此切齐的切割面。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，配合图2、图6与图7所示，承载基板E包括承载有多个热熔材料层M的一承载本体E1以及设置在承载本体E1上或者内部的多个微加热器E2，并且承载基板E可移动地放置在液体容置槽G内(如图6所示)或者离开液体容置槽G(如图7所示)。值得注意的是，热熔材料层M可以是低温的锡或者其它在低温时即可熔化的焊接用材料，低温的溶点可约略为10～40度之间(或者5～30度之间，或者20～50度之间，或者低于178度以下)的任意正整数。更进一步来说，如图6所示，当承载基板E置入液体容置槽G后，多个微加热器E2能分别对多个热熔材料层M进行加热(每一热熔材料层M会因为相对应的至少一微加热器E2的加热而产生黏性)，以使得发光二极管芯片结构C的金属材料层3能被黏附于相对应的热熔材料层M上，借此以定位发光二极管芯片结构C相对于承载本体E1的位置。也就是说，当承载基板E置入液体容置槽G后，发光二极管芯片结构C能通过热熔材料层M的黏附，以使得多个发光二极管芯片结构C能被依序排列在承载基板E上。因此，当承载基板E置入液体容置槽G后，多个热熔材料层M能分别通过多个微加热器E2的加热而熔化，且每一发光二极管芯片结构C的金属材料层3会被相对应的热熔材料层M所黏附。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，配合图7与图8所示，当承载基板E离开液体容置槽G后，被热熔材料层M所黏附的发光二极管芯片结构C能通过承载本体E1的承载以移转到一黏着基板H的一黏着层H1000上。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，配合图8与图9所示，当发光二极管芯片1设置在黏着基板H的黏着层H1000上后，多个微加热器E2能再次分别对多个热熔材料层M进行加热(每一热熔材料层M会因为相对应的至少一微加热器E2的加热而产生黏性)，然后当承载本体E1上升而远离发光二极管芯片结构C时，发光二极管芯片结构C的金属材料层3就能够脱离相对应的热熔材料层M的黏附。然而，本发明不以上述所举的例子为限。举例来说，如图8所示，本发明也可以直接先移除可移除式连接层2，而使得金属材料层3、热熔材料层M以及承载基板E能够随着可移除式连接层2的移除而脱离发光二极管芯片结构C。
以下举例说明，配合图10与图11所示，当承载基板E脱离多个发光二极管芯片1后，可移除式连接层2(例如光阻层，其可由任何的光敏材料所制成)能通过连接层移除模块R(例如光阻剥离液提供设备)所提供的光阻剥离液R100(可为有机溶剂或者无机溶剂)而被移除，以使得金属材料层3能随着可移除式连接层2的移除而顺便脱离发光二极管芯片1。也就是说，由于可移除式连接层2连接于发光二极管芯片1与金属材料层3之间，所以当可移除式连接层2被移除后，金属材料层3就能顺便脱离发光二极管芯片1。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，配合图3或者图4所示，两个电极接点可为分别电性连接于P型半导体层11与N型半导体层13的一第一电极接点100P以及一第二电极接点100N。配合图11与图12所示，依据每一发光二极管芯片1的第一电极接点100P与第二电极接点100N的位置进行分类，将左边为第一电极接点100P而右边为第二电极接点100N的多个发光二极管芯片1移转至一第一辅助黏着基板H1上，并且将右边为第一电极接点100P而左边为第二电极接点100N的多个发光二极管芯片1移转至一第二辅助黏着基板H2上。配合图12与图13所示，位于第一辅助黏着基板H1上的多个发光二极管芯片1或者位于第二辅助黏着基板H2上的多个发光二极管芯片1可以通过吸嘴或者其它移转方式而再移转至一电路基板P上，并且每一发光二极管芯片1的第一电极接点100P与第二电极接点100N会分别通过两个锡球S以电性连接于电路基板P(例如发光二极管芯片1可利用回焊(reflow)或者雷射加热的方式进行固晶)。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图5所示，承载基板E包括多个电源控制开关E3，并且电源控制开关E3可为一半导体开关(例如CMOS开关)或者一微机电开关。另外，多个电源控制开关E3会分别电性连接于多个微加热器E2，并且每一微加热器E2能通过相对应的电源控制开关E3的开启，以对相对应的热熔材料层M进行加热。也就是说，每一微加热器E2能够通过相对应的一电源控制开关E3以进行开启或者关闭的控制，并且当微加热器E2被开启时，就能对相对应的至少一热熔材料层M进行加热。或者，如图14所示，在其它实施例中，承载基板E包括一电源控制开关E3，电源控制开关E3电性连接于多个微加热器E2，并且多个微加热器E2能通过电源控制开关E3的开启，以分别对多个热熔材料层M进行加热。也就是说，全部的微加热器E2或者一部分的多个微加热器E2也能够只通过单一个电源控制开关E3进行开启或者关闭的控制。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图2所示，多个微加热器E2能排列成一矩阵，并且每一微加热器E2可移动地设置在承载本体E1上或者固定在承载本体E1上。当每一微加热器E2可移动地设置在承载本体E1上时，相邻的任意两个热熔材料层M之间的间距d为可调整的。也就是说，当相邻的两个发光二极管芯片1的间距需要调整时，相邻的两个热熔材料层M之间的间距d可以依据“相邻的两个发光二极管芯片1的间距”而沿着轨道来进行调整，所以“相邻的两个发光二极管芯片1的间距”就会等于“相邻的两个热熔材料层M之间的间距d”。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图15至图17所示，多个发光二极管芯片结构C可以被区分成多个红色发光二极管芯片结构(C-R)、多个绿色发光二极管芯片结构(C-G)以及多个蓝色发光二极管芯片结构(C-B)，多个微加热器E2可以被区分成多个第一微加热器E21、多个第二微加热器E22以及多个第三微加热器E23，并且多个热熔材料层M可以被区分成多个第一热熔材料层M1、多个第二热熔材料层M2以及多个第三热熔材料层M3。如图15所示，当多个红色发光二极管芯片结构(C-R)随机分布在第一液体容置槽G1的第一液态物质L1内时，多个第一热熔材料层M1能分别通过多个第一微加热器E21的加热而产生黏性，以使得多个红色发光二极管芯片结构(C-R)能分别被贴附到多个第一热熔材料层M1上。如图16所示，当多个绿色发光二极管芯片结构(C-G)随机分布在第二液体容置槽G2的第二液态物质L2内时，多个第二热熔材料层M2能分别通过多个第二微加热器E22的加热而产生黏性，以使得多个绿色发光二极管芯片结构(C-G)能分别被贴附到多个第二热熔材料层M2上。如图17所示，当多个蓝色发光二极管芯片结构(C-B)随机分布在第三液体容置槽G3的第三液态物质L3内时，多个第三热熔材料层M3能分别通过多个第三微加热器E23的加热而产生黏性，以使得多个蓝色发光二极管芯片结构(C-B)能分别被贴附到多个第三热熔材料层M3上。借此，多个红色发光二极管芯片结构(C-R)、多个绿色发光二极管芯片结构(C-G)以及多个蓝色发光二极管芯片结构(C-B)就能被依序黏附在承载基板E上。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
第二实施例
参阅图2至图14所示，本发明第二实施例提供一种芯片移转系统，其包括：一液体容置槽G、一承载基板E以及一连接层移除模块R。
更进一来说，如图2所示，液体容置槽G内容置有一液态物质L，并且多个发光二极管芯片结构C能随机分布在液态物质L内。另外，每一发光二极管芯片结构C包括一发光二极管芯片1、一可移除式连接层2以及一金属材料层3。发光二极管芯片1的一顶端具有两个电极接点100，可移除式连接层2设置在发光二极管芯片1的一底端上，并且金属材料层3设置在可移除式连接层2上。
更进一来说，配合图2以及图6至图8所示，承载基板E包括承载有多个热熔材料层M的一承载本体E1以及设置在承载本体E1上或者内部的多个微加热器E2。另外，配合图7至图13所示，承载基板E可移动地放置在液体容置槽G内或者离开液体容置槽G，并且发光二极管芯片结构C能通过承载基板E的黏附以从液体容置槽G移转到一黏着基板H上，然后发光二极管芯片结构C再从黏着基板H(或者第一辅助黏着基板H1，或者第二辅助黏着基板H2)而移转到一电路基板P上。
更进一来说，配合图10与图11所示，连接层移除模块R设置在多个发光二极管芯片结构的上方。举例来说，当发光二极管芯片1被移转至黏着基板H后，可移除式连接层2(例如光阻层)能通过连接层移除模块R(例如光阻剥离液提供设备)所提供的光阻剥离液R100而被移除，以使得金属材料层3能随着可移除式连接层2的移除而顺便脱离发光二极管芯片1。也就是说，由于可移除式连接层2连接于发光二极管芯片1与金属材料层3之间，所以当可移除式连接层2被移除后，金属材料层3就能顺便脱离发光二极管芯片1。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图2所示，多个微加热器E2能排列成一矩阵，并且每一微加热器E2可移动地设置在承载本体E1上或者固定在承载本体E1上。当每一微加热器E2可移动地设置在承载本体E1上时，相邻的任意两个热熔材料层M之间的间距d为可调整的。也就是说，当相邻的两个发光二极管芯片1的间距需要调整时，相邻的两个热熔材料层M之间的间距d可以依据“相邻的两个发光二极管芯片1的间距”而沿着轨道来进行调整，所以“相邻的两个发光二极管芯片1的间距”就会等于“相邻的两个热熔材料层M之间的间距d”。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图5所示，承载基板E包括多个电源控制开关E3，并且电源控制开关E3可为一半导体开关(例如CMOS开关)或者一微机电开关。另外，多个电源控制开关E3会分别电性连接于多个微加热器E2，并且每一微加热器E2能通过相对应的电源控制开关E3的开启，以对相对应的热熔材料层M进行加热。也就是说，每一微加热器E2能够通过相对应的一电源控制开关E3以进行开启或者关闭的控制，并且当微加热器E2被开启时，就能对相对应的至少一热熔材料层M进行加热。或者，如图14所示，在其它实施例中，承载基板E包括一电源控制开关E3，电源控制开关E3电性连接于多个微加热器E2，并且多个微加热器E2能通过电源控制开关E3的开启，以分别对多个热熔材料层M进行加热。也就是说，全部的微加热器E2或者一部分的多个微加热器E2也能够只通过单一个电源控制开关E3进行开启或者关闭的控制。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种发光二极管芯片结构C，其能通过“可移除式连接层2设置在发光二极管芯片1的底端上”以及“金属材料层3设置在可移除式连接层2上”的技术方案，以使得当可移除式连接层2被移除后，金属材料层3能随着可移除式连接层2的移除而脱离发光二极管芯片1。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的一种芯片移转系统，其能通过“多个发光二极管芯片结构C随机分布在液体容置槽G的液态物质L内”、“承载基板E可移动地放置在液体容置槽G内或者离开液体容置槽G”以及“连接层移除模块R设置在多个发光二极管芯片结构C的上方”的技术方案，以使得可移除式连接层2能通过连接层移除模块R而被移除，所以金属材料层3能随着可移除式连接层2的移除而脱离发光二极管芯片1。另外，多个热熔材料层M能分别通过多个微加热器E2的加热而熔化，并且每一发光二极管芯片结构C的金属材料层3能被相对应的热熔材料层M所黏附。
本发明的另外再一有益效果在于，本发明所提供的一种芯片移转方法，其能通过“将多个发光二极管芯片结构C随机分布在液体容置槽G的液态物质L内”、“通过承载基板E的黏附，以将发光二极管芯片结构C从液体容置槽G移转到黏着基板H上”、“通过连接层移除模块R，以移除可移除式连接层2，并使得金属材料层3脱离发光二极管芯片1”、“将发光二极管芯片结构C从黏着基板H移转到电路基板P上”以及“将发光二极管芯片1电性连接于电路基板P”的技术方案，以使得发光二极管芯片结构C能通过承载基板E与黏着基板H的配合以从液体容置槽G移转到电路基板P上，并且可移除式连接层3能通过连接层移除模块R而被移除，所以金属材料层3能随着可移除式连接层2的移除而脱离发光二极管芯片1。另外，多个热熔材料层M能分别通过多个微加热器E2的加热而熔化，并且每一发光二极管芯片结构C的金属材料层3能被相对应的热熔材料层M所黏附。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片结构包括：
一发光二极管芯片，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点；
一可移除式连接层，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上；以及
一金属材料层，所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上；
其中，所述可移除式连接层连接于所述发光二极管芯片与所述金属材料层之间，以使得当所述可移除式连接层被移除后，所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，其包括一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个侧面、所述可移除式连接层的多个侧面以及所述金属材料层的多个侧面都是切割面。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为次毫米发光二极管，其包括一基底、设置在所述基底上的一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层的一底端完全被所述金属材料层所覆盖；其中，所述发光二极管芯片的多个侧面分别连接于所述可移除式连接层的多个侧面，所述可移除式连接层的多个侧面分别连接于所述金属材料层的多个侧面，且所述发光二极管芯片的多个侧面、所述可移除式连接层的多个侧面以及所述金属材料层的多个侧面都是切割面。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片结构设置在一承载基板上，且所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器；其中，当多个所述微加热器分别对多个所述热熔材料层加热时，所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被黏附于相对应的所述热熔材料层，以定位所述发光二极管芯片结构相对于所述承载本体的位置。
5.一种芯片移转系统，其特征在于，所述芯片移转系统包括：
一液体容置槽，所述液体容置槽内容置有一液态物质，多个发光二极管芯片结构随机分布在所述液态物质内；
一承载基板，所述承载基板可移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽，所述承载基板包括承载有多个热熔材料层的一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器，所述发光二极管芯片结构通过所述承载基板的黏附以从所述液体容置槽移转到一黏着基板上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板移转到一电路基板上；以及
一连接层移除模块，所述连接层移除模块设置在多个所述发光二极管芯片结构的上方；
其中，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一金属材料层，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，所述金属材料层设置在所述可移除式连接层上。
6.根据权利要求5所述的芯片移转系统，其特征在于，当所述承载基板置入所述液体容置槽后，多个所述热熔材料层分别通过多个所述微加热器的加热而熔化，且每一所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被相对应的所述热熔材料层所黏附；其中，当所述承载基板离开所述液体容置槽后，被所述热熔材料层所黏附的所述发光二极管芯片结构通过所述承载本体的承载以移转到所述黏着基板的一黏着层上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板的所述黏着层移转到所述电路基板上；其中，当所述发光二极管芯片通过两个所述电极接点以电性连接于所述电路基板后，所述可移除式连接层通过所述连接层移除模块而被移除，以使得所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。
7.根据权利要求5所述的芯片移转系统，其特征在于，所述承载基板包括多个电源控制开关，多个所述电源控制开关分别电性连接于多个所述微加热器，且每一所述微加热器通过相对应的所述电源控制开关的开启，以对相对应的所述热熔材料层进行加热；其中，多个所述微加热器排列成一矩阵，且每一所述微加热器可移动地设置在所述承载本体上，以使得相邻的任意两个所述热熔材料层之间的间距为可调整的；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
8.根据权利要求5所述的芯片移转系统，其特征在于，所述承载基板包括一电源控制开关，所述电源控制开关电性连接于多个所述微加热器，且多个所述微加热器通过所述电源控制开关的开启，以分别对多个所述热熔材料层进行加热；其中，多个所述微加热器排列成一矩阵，且每一所述微加热器可移动地设置在所述承载本体上，以使得相邻的任意两个所述热熔材料层之间的间距为可调整的；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
9.一种芯片移转方法，其特征在于，所述芯片移转方法包括以下步骤：
将多个发光二极管芯片结构随机分布在一液体容置槽的一液态物质内，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一金属材料层以及连接于所述发光二极管芯片与所述金属材料层之间的一可移除式连接层；
通过一承载基板的黏附，以将所述发光二极管芯片结构从所述液体容置槽移转到一黏着基板上；
通过一连接层移除模块，以移除所述可移除式连接层，并使得所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片；
将所述发光二极管芯片结构从所述黏着基板移转到一电路基板上；以及
将所述发光二极管芯片电性连接于所述电路基板。
10.根据权利要求9所述的芯片移转方法，其特征在于，所述承载基板包括承载有多个热熔材料层一承载本体以及设置在所述承载本体上或者内部的多个微加热器，且所述承载基板可移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽；其中，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，且所述发光二极管芯片的两个所述电极接点分别通过两个锡球以电性连接于所述电路基板；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备；其中，当所述承载基板置入所述液体容置槽后，多个所述热熔材料层分别通过多个所述微加热器的加热而熔化，且每一所述发光二极管芯片结构的所述金属材料层被相对应的所述热熔材料层所黏附；其中，当所述承载基板离开所述液体容置槽后，被所述热熔材料层所黏附的所述发光二极管芯片结构通过所述承载本体的承载以移转到所述黏着基板的一黏着层上，然后所述发光二极管芯片结构再从所述黏着基板的所述黏着层移转到所述电路基板上；其中，当所述发光二极管芯片通过两个所述电极接点以电性连接于所述电路基板后，所述可移除式连接层通过所述连接层移除模块而被移除，以使得所述金属材料层脱离所述发光二极管芯片。
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