KR102012237B1 - 마이크로 소자 어레이 전사방법 - Google Patents

마이크로 소자 어레이 전사방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102012237B1
KR102012237B1 KR1020170158348A KR20170158348A KR102012237B1 KR 102012237 B1 KR102012237 B1 KR 102012237B1 KR 1020170158348 A KR1020170158348 A KR 1020170158348A KR 20170158348 A KR20170158348 A KR 20170158348A KR 102012237 B1 KR102012237 B1 KR 102012237B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
micro device
electrode
conductive material
micro
conductive layer
Prior art date
Application number
KR1020170158348A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190060287A (ko
Inventor
김광섭
이재학
김재현
황보윤
윤성욱
김경식
장봉균
이승모
최병익
Original Assignee
한국기계연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기계연구원 filed Critical 한국기계연구원
Priority to KR1020170158348A priority Critical patent/KR102012237B1/ko
Publication of KR20190060287A publication Critical patent/KR20190060287A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102012237B1 publication Critical patent/KR102012237B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F16/00—Transfer printing apparatus
    • B41F16/0006—Transfer printing apparatus for printing from an inked or preprinted foil or band
    • B41F16/0073—Transfer printing apparatus for printing from an inked or preprinted foil or band with means for printing on specific materials or products
    • B41F16/008—Transfer printing apparatus for printing from an inked or preprinted foil or band with means for printing on specific materials or products for printing on three-dimensional articles
    • B41F16/0086—Transfer printing apparatus for printing from an inked or preprinted foil or band with means for printing on specific materials or products for printing on three-dimensional articles for printing on articles with cylindrical surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/22—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of impact or pressure on a printing material or impression-transfer material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M2205/00—Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
    • B41M2205/38—Intermediate layers; Layers between substrate and imaging layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M2205/00—Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
    • B41M2205/40—Cover layers; Layers separated from substrate by imaging layer; Protective layers; Layers applied before imaging

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 일실시예는 소스기판에서 마이크로 소자를 안정적으로 분리하고, 타겟기판에 마이크로 소자가 안정적으로 전사되도록 하여 공정의 수율을 개선할 수 있는 마이크로 소자 어레이 전사방법을 제공한다. 여기서, 마이크로 소자 어레이 전사방법은 베이스필름과, 접착층과, 비전도성층을 포함하는 캐리어필름 마련 단계; 비전도성층을 마이크로 소자 측으로 가압하는 단계; 마이크로 소자를 소스기판으로부터 박리하여 비전도성층에 전사하는 단계; 마이크로 소자에 전사필름을 부착하는 단계; 비전도성층으로부터 접착층 및 베이스필름을 제거하는 단계; 마이크로 소자에 마련되는 제1전극과, 타겟기판의 상면에 마련되는 제2전극 사이에 전도성 물질을 위치시켜 가고정하는 단계; 그리고 전도성 물질에 제1전극 및 제2전극을 접합하는 단계를 포함한다.

Description

마이크로 소자 어레이 전사방법{METHOD OF TRASFERRING MICRO-DEVICE ARRAY}
본 발명은 마이크로 소자 어레이 전사방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소스기판에서 마이크로 소자를 안정적으로 분리하고, 타겟기판에 마이크로 소자가 안정적으로 전사되도록 하여 공정의 수율을 개선할 수 있는 마이크로 소자 어레이 전사방법에 관한 것이다.
LED와 같은 마이크로 소자를 사용한 디스플레이는 기존의 디스플레이를 대체할 차세대 첨단 디스플레이로 각광받고 있다. 이러한 디스플레이를 만들기 위해서는 각각의 LED 소자를 모듈화된 회로기판에 전사하는 기술이 핵심이 된다.
크기가 크고 두꺼운 소자들은 진공척(vacuum chuck)을 이용하여 전사시킬 수 있으나, 마이크로/나노 크기를 갖는 얇은 소자의 경우, 진공척에서 발생하는 압력으로 인해 소자가 파손되기 때문에 수십 ㎛ 이하의 마이크로 소자에는 진공척을 사용하기 어려웠다.
다른 방법으로 정전척(electrostatic chuck) 기술을 이용하여 소자를 전사하는 방법이 있지만, 두께가 얇은 소자에 적용할 경우 정전기에 의한 소자 파손이 발생되며, 소자의 표면 오염물에 영향을 받아 전사 능력이 저하되는 단점이 있다.
위와 같은 이유로 두께가 매우 얇은 박막 형태의 소자는 마이크로/나노 스케일에서 작용하는 점착력을 이용하여 연속적으로 전사시키는 기술이 널리 사용되고 있다.
일반적으로 점착력을 이용하여 마이크로 소자를 전사하는 방식은 소스기판에 배열된 마이크로 소자를 캐리어필름에 점착시키고, 타겟기판의 전극에 도포된 솔더에 점착시켜 마이크로 소자를 타겟기판에 전사시킨다.
한편, 소스기판에 배열된 마이크로 소자를 캐리어필름에 점착시키기 위해서 다양한 방법이 사용되고 있으나, 소스기판에서 마이크로 소자를 안정적으로 분리하여 캐리어필름에 점착시키기가 용이하지 않은 실정이다. 이러한 문제점은 공정의 수율 저하를 야기하기 때문에, 개선이 필요하다.
대한민국 공개특허공보 제2017-0011770호(2017.02.02. 공개)
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 소스기판에서 마이크로 소자를 안정적으로 분리하고, 타겟기판에 마이크로 소자가 안정적으로 전사되도록 하여 공정의 수율을 개선할 수 있는 마이크로 소자 어레이 전사방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 베이스필름과, 상기 베이스필름의 상면에 마련되는 접착층과, 상기 접착층의 상면에 마련되는 비전도성층을 포함하는 캐리어필름을 마련하는 캐리어필름 마련 단계; 상기 캐리어필름을 소스기판의 상부와 마주보게 배치하고, 상기 비전도성층을 상기 소스기판의 상부에 형성되는 복수의 마이크로 소자 측으로 가압하는 비전도성층 가압 단계; 상기 마이크로 소자를 상기 소스기판으로부터 박리하여 상기 비전도성층에 전사하는 마이크로 소자 박리 단계; 상기 마이크로 소자의 하면에 전사필름을 부착하는 전사필름 부착 단계; 상기 비전도성층으로부터 상기 접착층과 함께 상기 베이스필름을 제거하는 접착층 및 베이스필름 제거 단계; 상기 비전도성층을 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 상기 마이크로 소자에 마련되는 제1전극과, 상기 타겟기판의 상면에 마련되는 제2전극 사이에 전도성 물질을 위치시켜 가고정하는 가고정 단계; 그리고 상기 비전도성층 및 상기 전도성 물질에 열을 가하여 상기 전도성 물질에 상기 제1전극 및 상기 제2전극을 접합하는 접합 단계를 포함하는 마이크로 소자 어레이 전사방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 접합 단계는 상기 비전도성층에 열을 가하면서 상기 마이크로 소자를 동시에 가압하여 상기 제1전극 및 상기 제2전극에 의해 상기 전도성 물질이 압착되도록 하는 전도성 물질 압착 단계와, 상기 전도성 물질에 열을 가하여 상기 전도성 물질을 경화시키는 리플로우 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 접합 단계는 상기 전도성 물질 압착 단계 및 상기 리플로우 단계의 사이에, 또는 상기 리플로우 단계 이후에 상기 전사필름을 상기 마이크로 소자에서 제거하는 전사필름 제거 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 가고정 단계에서, 상기 전도성 물질은 상기 제1전극에 마련된 상태이거나, 상기 제2전극에 마련된 상태일 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 마이크로 소자 박리 단계에서, 상기 소스기판에 형성되는 복수의 상기 마이크로 소자들 중 상기 타겟기판에 전사될 마이크로 소자만 선별하여 상기 소스기판으로부터 박리할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 캐리어필름 마련 단계에서, 상기 비전도성층은 상기 소스기판에서 박리하고자 하는 마이크로 소자에 대응되는 부분만이 마련될 수 있다.
한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 소스기판의 상부에 형성되는 복수의 마이크로 소자 측으로 비전도성층을 마련하는 비전도성층 마련 단계; 상기 비전도성층을 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 상기 마이크로 소자에 마련되는 제1전극과, 상기 타겟기판의 상면에 마련되는 제2전극 사이에 전도성 물질을 위치시키고 가고정하는 가고정 단계; 그리고 상기 비전도성층 및 상기 전도성 물질에 열을 가하여 상기 전도성 물질에 상기 제1전극 및 상기 제2전극을 접합하는 접합 단계를 포함하는 마이크로 소자 어레이 전사방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 접합 단계는 상기 비전도성층에 열을 가하면서 상기 마이크로 소자를 동시에 가압하여 상기 제1전극 및 상기 제2전극에 의해 상기 전도성 물질이 압착되도록 하는 전도성 물질 압착 단계와, 상기 마이크로 소자를 상기 소스기판에서 박리시키는 마이크로 소자 박리 단계와, 상기 전도성 물질에 열을 가하여 상기 전도성 물질을 경화시키는 리플로우 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 가고정 단계에서, 상기 전도성 물질은 상기 제1전극에 마련된 상태이거나, 상기 제2전극에 마련된 상태일 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 비전도성층 마련 단계에서, 상기 비전도성층은 상기 소스기판에서 박리하고자 하는 마이크로 소자에 대응되는 부분만이 마련될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 소스기판에 배열된 마이크로 소자가 비전도성층에 전사되도록 하여 마이크로 소자와 비전도성층의 접착력이 유지되도록 함으로써, 레이저 박리 공정 중에 마이크로 소자에 가해지는 충격파로 인한 마이크로 소자의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 레이저 박리 공정 후에 마이크로 소자와 비전도성층의 충분한 접착력으로 인해 마이크로 소자가 소스기판에서 잘 박리될 수 있다. 또한, 마이크로 소자가 전사필름에 전사되는 공정이 추가되는 경우, 전사 공정이 진행된 후에는 접착층의 접착력이 약해지도록 함으로써 마이크로 소자에 비전도성층만이 쉽게 남도록 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 비전도성층은 타겟기판과 마이크로 소자 사이에서 전도성 물질을 고정시켜 마이크로 소자와 타겟기판이 전기적, 기계적으로 견고하게 접속되도록 할 수 있다. 또한, 마이크로 소자 어레이 전사방법을 통해 제조되는 마이크로 소자 기판의 접착 신뢰성 및 제품의 내구성이 향상되도록 할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법의 공정을 나타낸 예시도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법에서 선택적 전사 공정이 이루어지는 경우를 나타낸 예시도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법의 공정을 나타낸 예시도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결(접속, 접촉, 결합)”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 “간접적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법을 나타낸 흐름도이고, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법의 공정을 나타낸 예시도이다.
도 1 내지 도 3에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자 어레이 전사방법은 캐리어필름 마련 단계(S110), 비전도성층 가압 단계(S120), 마이크로 소자 박리 단계(S130), 전사필름 부착 단계(S140), 접착층 및 베이스필름 제거 단계(S150), 가고정 단계(S160) 및 접합 단계(S170)를 포함할 수 있다.
캐리어필름 마련 단계(S110)는 베이스필름(211)과, 베이스필름(211)의 상면에 마련되는 접착층(212)과, 접착층(212)의 상면에 마련되는 비전도성층(213)을 포함하는 캐리어필름(210)을 마련하는 단계일 수 있다.
여기서, 비전도성층(213)은 비전도성 필름(NCF: Non Conductive Film)이 접착층(212)에 접착되어 이루어질 수도 있고, 비전도성 페이스트(NCP: Non Conductive Paste)가 접착층(212)에 도포되어 이루어질 수도 있다. 비전도성 페이스트로 비전도성층(213)을 형성하는 경우, 스핀 코팅(Spin Coating), 바 코팅(Bar Coating) 등의 방법이 사용될 수 있다.
그리고, 비전도성층 가압 단계(S120)는 캐리어필름(210)을 소스기판(220)의 상부와 마주보게 배치하고, 비전도성층(213)을 소스기판(220)의 상부에 형성되는 복수의 마이크로 소자(230) 측으로 가압하는 단계일 수 있다.
소스기판(220)은 마이크로 소자(230)가 만들어지는 도너 기판(Donor Substrate)이거나, 사파이어 기판(Sapphire Substrate)일 수 있으며, 마이크로 소자(230)는 소스기판(220)에 복수개가 마련될 수 있다. 그리고, 마이크로 소자(230)는 예를 들어 마이크로 LED일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 마이크로 소자(230)는 상부에 제1전극(231)을 가질 수 있다.
이하에서는 설명의 편의상, 제1전극(231)의 상면에 전도성 물질(240)이 마련된 상태로 설명한다. 전도성 물질(240)은 솔더 페이스트, 실버 페이스트 등과 같은 전도성 페이스트가 될 수도 있고, 솔더 박막, 주석합금 박막 등과 같은 금속 박막이 될 수도 있다. 전도성 물질(240)은 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 및 금속 증착 공정 등 다양한 방식으로 제1전극(231)에 도포될 수 있다.
한편, 본 실시예에서는, 전도성 물질(240)이 제1전극(231)의 상면에 마련되지 않은 상태에서 S120 단계가 진행될 수도 있으며, 자세한 내용은 후술한다.
S120 단계에서, 비전도성층(213)이 소스기판(220)의 상부에 형성되는 복수의 마이크로 소자(230) 측으로 가압되면, 전도성 물질(240)은 비전도성층(213)의 내부에 삽입될 수 있다. 비전도성층(213)은 마이크로 소자(230)의 상면을 덮도록, 구체적으로는, 제1전극(231) 및 전도성 물질(240)을 덮을 수 있다.
그리고, 마이크로 소자 박리 단계(S130)는 마이크로 소자(230)를 소스기판(220)으로부터 박리하여 비전도성층(213)에 전사하는 단계일 수 있다.
마이크로 소자(230)가 소스기판(220)에서 박리되도록 하기 위해서는 다양한 방법이 사용될 수 있는데, 예를 들면, 레이저 박리 공정(LLO: Laser Lift Off)(250)이 사용될 수 있다.
비전도성층(213)은 마이크로 소자(230)와 결합되어 레이저 박리 공정 중에 마리크로 소자(230)에 가해지는 충격파로 인한 마이크로 소자(230)의 파손을 방지할 수있다.
한편, 베이스필름(211)과 접착층(212)은 제1결합력(W1)으로, 접착층(212)과 비전도성층(213)은 제2결합력(W2)으로, 비전도성층(213)과 마이크로 소자(230)는 제3결합력(W3)으로, 그리고, 마이크로 소자(230)는 소스기판(220)과 제4결합력(W4)으로 결합된 상태일 수 있다.
그런데, 레이저 박리 공정이 적용되면 마이크로 소자(230)와 소스기판(220) 간의 제4결합력(W4)은 제4a결합력(W4a)로 약해질 수 있다.
따라서, 레이저 박리 공정(250)이 적용된 후, 베이스필름(211)과 접착층(212) 간의 제1결합력(W1)과, 접착층(212)과 비전도성층(213) 간의 제2결합력(W2)과, 비전도성층(213)과 마이크로 소자(230) 간의 제3결합력(W3)은 레이저 박리 공정이 적용되어 약해진 마이크로 소자(230)와 소스기판(220) 간의 제4a결합력(W4a)보다 클 수 있다. 이를 통해, 캐리어필름(210)과 마이크로 소자(230)가 결합된 상태로 마이크로 소자(230)는 소스기판(220)으로부터 박리될 수 있다.
또한, S130 단계에서는 소스기판(220)에 형성되는 복수의 마이크로 소자(230) 중 타겟기판(270)에 전사될 마이크로 소자만 선별되어 소스기판(220)으로부터 박리될 수도 있다. 이 경우, 레이저 박리 공정은 해당되는 마이크로 소자에 한해서만 적용될 수 있는데, 자세한 내용은 후술한다.
전사필름 부착 단계(S140)는 마이크로 소자(230)의 하면에 전사필름(260)을 부착하는 단계일 수 있다.
전사필름(260)과 마이크로 소자(230) 간의 제5결합력(W5)은 제1결합력(W1), 제2결합력(W2) 및 제3결합력(W3)과 동일하거나 더 클 수 있다.
접착층 및 베이스필름 제거 단계(S150)는 비전도성층(213)으로부터 접착층(212)과 함께 베이스필름(211)을 제거하는 단계일 수 있다.
S150 단계에서, 접착층(212)에는 열(251)이 가해지거나, 또는 광(252)이 조사될 수 있으며, 이러한 열 및 광에 의해 접착층(212)은 물성이 바뀌거나 변성되어 접착력이 약해질 수 있다. 이를 통해, 접착층(212)과 비전도성층(213) 간의 제2결합력(W2)은 약화되거나, 제거될 수 있다.
약화된 제2a결합력(W2a)은 제1결합력(W1), 제3결합력(W3) 및 제5결합력(W5)보다 작은 상태가 될 수 있으며, 이에 따라, 비전도성층(213)으로부터 접착층(212)과 함께 접착층(212)의 상부에 마련되는 베이스필름(211)이 제거될 수 있다.
가고정 단계(S160)는 비전도성층(213)을 타겟기판(270)의 상부와 마주보게 배치하여 정렬시키고, 마이크로 소자(230)에 마련되는 제1전극(231)과, 타겟기판(270)의 상면에 마련되는 제2전극(271) 사이에 전도성 물질(240)을 위치시켜 가고정하는 단계일 수 있다.
전술한 바와 같이 전도성 물질(240)은 마이크로 소자(230)의 제1전극(231)에 마련될 수도 있지만, 이에 한정되지 않고, 제2전극(271)에 마련될 수도 있다. 따라서, S160 단계에서 전도성 물질(240)은 제1전극(231)에 마련된 상태이거나, 제2전극(271)에 마련된 상태일 수 있다.
그리고, 유동적인 전도성 물질(240)은 비전도성층(213)에 갇혀 움직이지 못하게 되고, 전도성 물질(240)의 모양과 두께도 일정하게 유지될 수 있다.
S160 단계에서, 비전도성층(213)과 타겟기판(270)이 서로 분리되지 않도록 비전도성층(213)에 열을 가하여 비전도성층(213)과 타겟기판(270) 사이의 상호 접착력이 커지도록 할 수도 있다.
여기서, 비전도성층(213)에 열을 가하는 방식은 히터 등에 의해 직접 가열되도록 하거나, 레이저, UV 등의 광에 의해 가열되도록 하는 방식이 사용될 수 있다.
접합 단계(S170)는 비전도성층(213) 및 전도성 물질(240)에 열을 가하여 전도성 물질(240)에 제1전극(231) 및 제2전극(271)을 접합하는 단계일 수 있다.
여기서, S170 단계는 전도성 물질 압착 단계(S171)와, 리플로우 단계(S172) 단계를 포함할 수 있다.
전도성 물질 압착 단계(S171)는 비전도성층(213)에 열을 가하면서 마이크로 소자(230)를 동시에 가압하여 제1전극(231) 및 제2전극(271)에 의해 전도성 물질(240)이 압착되도록 하는 단계일 수 있다.
S171 단계에서, 비전도성층(213)에 열(253)이 가해지면 비전도성층(213)의 점도가 낮아질 수 있다. 그리고 점도가 낮아진 상태에서 마이크로 소자(230)가 가압되면 비전도성층(213)은 압축되고, 전도성 물질(240)은 제1전극(231) 및 제2전극(271)에 의해 가압될 수 있다.
마이크로 소자(230)를 소스기판(220) 방향으로 가압하는 공정은 원통의 롤을 회전시켜 마이크로 소자(230)가 가압되도록 하거나, 평판의 플레이트를 이용하여 마이크로 소자(230)를 가압함으로써 실시될 수 있다.
S171 단계에서 전도성 물질(240)은 비전도성층(213)에 갇혀 모양이 일정하게 유지될 수 있기 때문에, 제1전극(231) 및 제2전극(271)은 제 위치와 모양을 유지하고 있는 전도성 물질(240)에 안정적으로 압착될 수 있다.
타겟기판(270)은 인쇄회로기판(PCB)이거나, 유연인쇄회로기판(FPCB)일 수 있다.
그리고, 타겟기판(270)에 열을 가하는 방식은 타겟기판(270)을 히터, 표면 히터 등으로 직접 가열하거나, 레이저, UV 등의 광을 이용하여 가열할 수 있다. 또한, 마이크로 소자(230)에 초음파를 인가하여 국부적으로 열을 가할 수도 있다(도 3의 (g) 참조).
리플로우 단계(S172)는 전도성 물질(240)에 열을 가하여 전도성 물질(240)을 경화시키는 단계일 수 있다.
리플로우 공정은 전도성 물질(240) 및 비전도성층(213)에 열을 가하여 마이크로 소자(230)의 제1전극(231)과 소스기판(220)의 제2전극(271)을 전도성 물질(240)에 서로 접합시키고, 비전도성층(213)을 경화시키는 공정일 수 있다.
S172단계에서는 전도성 물질(240)이 용융되어 마이크로 소자(230)의 제1전극(231)과 소스기판(220)의 제2전극(271) 사이에 확고한 전기적 접속을 형성하며, 이때 비전도성층(213)은 경화되어 마이크로 소자(230)의 제1전극(231) 이외의 표면과 소스기판(220)의 제2전극(271) 이외의 표면을 확고하게 접착시킬 수 있다.
리플로우 공정 시에, 제1전극(231)과 제2전극(271) 사이가 이격되어 그 사이의 도전성이 약해질 수 있으므로, 전도성 물질(240)이 용융되는 동안 마이크로 소자(230)를 미리 정해진 압력으로 가압하여 제1전극(231)과 제2전극(271) 사이의 간극을 일정하게 유지시키는 것이 바람직하다.
S172 단계에서 타겟기판(270)에 열을 가하는 방식은 타겟기판(270)을 히터, 표면 히터 등으로 직접 가열하거나, 레이저, UV 등의 광을 이용하여 가열할 수 있다.
한편, S171 단계 및 S172 단계에서는 비전도성층(213)과 전도성 물질(240)을 가열하는 온도를 다르게 할 필요가 있다.
S171 단계에서는 비전도성층(213)의 점도를 낮출 수 있는 온도면 충분하므로, 상대적으로 낮은 제1온도로 비전도성층(213)을 가열하는 것이 바람직하다. 그러나, S172 단계에서는 전도성 물질(240)을 용융시키기 위해 상대적으로 높은 온도가 요구되므로, 전도성 물질(240)의 용융이 가능한 제1온도보다 높은 제2온도로 전도성 물질(240)과 비전도성층(213)을 가열하는 것이 바람직하다.
종래에는 전도성 물질의 유동을 억제하는 별다른 수단이 없었기 때문에, 전도성 물질(240)의 유동에 의한 기판 불량이 상대적으로 많을 수 밖에 없었다. 그러나, 본 발명에서는, 전도성 물질(240)의 위치와 형태가 일정하게 유지될 수 있기 때문에, 제1전극(231)과 제2전극(271)이 상호 불량하게 접합되는 것이 효과적으로 방지될 수 있다.
그리고, 마이크로 소자 어레이 전사방법은 전사필름 제거 단계(S180)를 포함할 수 있다. 전사필름 제거 단계(S180)는 전사필름(260)을 마이크로 소자(230)에서 제거하는 단계일 수 있다.
S180 단계는 S171 단계 및 S172 단계의 사이에 진행될 수 있다. 즉, 비전도성층(213)에 열을 가하면서 마이크로 소자(230)를 가압하여 제1전극(231) 및 제2전극(271)에 의해 전도성 물질(240)이 압착되도록 한 후, 리플로우 공정이 진행되기 전에 전사필름(260)이 마이크로 소자(230)에서 제거되도록 할 수 있다.
또는, S180 단계는 S172 단계 이후에 진행될 수도 있다. 즉, 리플로우 공정이 완료된 후 전사필름(260)이 마이크로 소자(230)에서 제거되도록 할 수도 있다. 이러한 공정은 전사필름(260)이 리플로우 공정에서 가해지는 열에 의해 변형되거나 손상되지 않는 소재인 경우에 진행될 수 있다.
더하여, 마이크로 소자 어레이 전사방법은 전도성 물질 고상화 단계(S190)를 더 포함할 수 있다.
전도성 물질 고상화 단계(S190)는 S170 단계에서 용융된 전도성 물질(240)을 냉각시켜 고상화시키는 단계일 수 있다. S190 단계에서는 전도성 물질(240)이 미리 정해진 시간 동안 미리 정해진 온도범위로 냉각되도록 하여 전도성 물질(240)이 고형화되도록 할 수 있다.
S190 단계를 추가적으로 수행함으로써, 비전도성층(213)과 전도성 물질(240)이 딱딱하게 굳어지도록 하여 마이크로 소자(230)와 타겟기판(270)이 전기적, 기계적으로 견고하게 접속되도록 할 수 있으며, 마이크로 소자 어레이 전사방법을 통해 제조되는 마이크로 소자 기판의 접착 신뢰성 및 제품의 내구성이 향상되도록 할 수 있다.
한편, 앞에서 언급한 소스기판(220)에 형성되는 복수의 마이크로 소자(230) 중 타겟기판(270)에 전사될 마이크로 소자만 선별되어 소스기판(220)으로부터 박리되도록 하는 공정에 대해서 설명한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법에서 선택적 전사 공정이 이루어지는 경우를 나타낸 예시도이다. 이하에서는 앞에서 설명하여 중복되는 내용은 가급적 생략하며, 마이크로 소자 박리 단계(S130)와 관련된 부분을 중심으로 설명한다.
먼저 도 4에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자 박리 단계(S130)에서는 전사되도록 선별된 마이크로 소자(230a)에 대해서만 레이저 박리 공정이 적용될 수 있으며, 이를 통해 선별된 마이크로 소자(230a) 만이 소스기판(220)에서 박리되도록 할 수 있다.
레이저 박리 공정이 적용되면 베이스필름(211)과 접착층(212) 간의 제1결합력(W1)과, 접착층(212)과 비전도성층(213) 간의 제2결합력(W2)과, 비전도성층(213)과 마이크로 소자(230a) 간의 제3결합력(W3)과, 마이크로 소자(230b)와 소스기판(220) 간의 제4결합력(W4)은 레이저 박리 공정이 적용된 마이크로 소자(230a)와 소스기판(220) 간의 제4a결합력(W4a)보다 클 수 있다. 이처럼 제4결합력(W4)은 제4a결합력(W4a)보가 크므로, 레이저 박리 공정이 이루어지지 않은 마이크로 소자(230b)는 소스기판(220)에 남아 있게 된다. 그리고, 레이저 박리 공정이 적용된 마이크로 소자(230a)는 캐리어필름(210)에 결합되어 소스기판(220)으로부터 선택적으로 박리될 수 있다.
이에 따라, 최종적으로 타겟기판(270)에는 마이크로 소자 어레이 중에서 선별된 마이크로 소자(230a)만 전사될 수 있다.
한편, 도 5에서 보는 바와 같이, 캐리어필름 마련 단계(S110)에서, 비전도성층(213)은 타겟기판(270)에 전사될 마이크로 소자(230a)에 대응되는 부분만이 접착층(212)에 마련될 수도 있다. 다시 말하면, 비전도성층(213)은 소스기판(220)에서 박리하고자 하는 마이크로 소자(230a)에 대응되는 부분만이 접착층(212)에 마련될 수도 있다.
이 경우, 비전도성층 가압 단계(S120)에서 비전도성층(213)에 가압되는 마이크로 소자(230a)는 타겟기판(270)에 전사될 마이크로 소자가 될 수 있다.
그리고, 마이크로 소자 박리 단계(S130)에서 박리되지 않은 마이크로 소자(230b)는 비전도성층 가압 단계(S120)에서 비전도성층(213)과 접촉하지 않기 때문에 초기의 깨끗한 표면을 유지할 수 있다.
비전도성층(213)이 타겟기판(270)에 전사될 마이크로 소자(230a)에 대응되는 부분만이 접착층(212)에 마련되면, 하나의 소스기판에서 여러 종류의 마이크로 소자가 선택적으로 박리되더라도 박리되지 않고 남아 있는 소자는 비전도성층과 접촉하지 않게 된다. 즉, 소스기판(220)의 상면에는 박리되는 마이크로 소자(230a)와 마이크로 소자(230a)에 대응되도록 마련되는 비전도성층(213)만이 접착되므로, 다른 마이크로 소자(230b)와 점착층 사이의 공간은 비어있는 상태일 수 있다. 따라서, 박리되지 않고 남아 있는 마이크로 소자(230b)는 오염되지 않고 깨끗한 표면을 유지할 수 있다. 이는 오염물에 의해 점착력이 약화되는 것을 방지하여 추후에 남아 있는 마이크로 소자를 박리하기 위해 비전도성층을 접촉했을 때 점착력이 유지되도록 할 수 있다.
또한, 비전도성층(213)이 타겟기판(270)에 전사될 마이크로 소자(230a)에 대응되는 부분만이 접착층(212)에 마련되면, 하나의 타겟기판에 여러 종류의 마이크로 소자가 선택적으로 전사되더라도 각각의 마이크로 소자 및 해당 마이크로 소자가 점착된 비전도성층은 서로 겹치거나 공간적으로 방해받지 않으면서 타겟기판에 전사될 수 있다. 즉, 타겟기판의 상면에는 선별된 마이크로 소자(230a)와 해당 마이크로 소자(230a)가 점착된 비전도성층(213)만이 전사되므로, 아직 전사되지 않은 다른 마이크로 소자와 해당 마이크로 소자가 점착된 비전도성층이 전사될 공간은 비어있는 상태일 수 있다. 따라서, 다른 마이크로 소자 및 해당 마이크로 소자가 점착된 비전도성층이 추가적으로 타겟기판 상의 빈 공간에 전사되더라도 이전에 전사된 마이크로 소자 및 비전도성층에 방해받지 않으면서 안정적으로 전사될 수 있다.
도 4 및 도 5에서 미설명된 부호는 전술한 제1실시예와 동일하므로 추가 설명은 생략한다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법을 나타낸 흐름도이고, 도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자 어레이 전사방법의 공정을 나타낸 예시도이다.
도 6 내지 도 8에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자 어레이 전사방법은 비전도성층 마련 단계(S310), 가고정 단계(S320) 및 접합 단계(S330)를 포함할 수 있다.
비전도성층 마련 단계(S310)는 소스기판(420)의 상부에 형성되는 복수의 마이크로 소자(430) 측으로 비전도성층(413)을 마련하는 단계일 수 있다.
이하에서는 설명의 편의상, 제1전극(431)의 상면에 전도성 물질(440)이 마련된 상태로 설명하지만 전도성 물질(440)이 제1전극(431)의 상면에 마련되지 않은 상태에서 S310 단계가 진행될 수도 있다.
비전도성층(413)이 소스기판(420)의 상부에 형성되는 복수의 마이크로 소자(430) 측으로 가압되면, 전도성 물질(440)은 비전도성층(413)의 내부에 삽입될 수 있다. 비전도성층(413)은 마이크로 소자(430)의 상면을 덮도록, 구체적으로는, 제1전극(431) 및 전도성 물질(440)을 덮을 수 있다.
더하여, 비전도성층 마련 단계(S310)에서 비전도성층(413)은 소스기판(420)에서 박리하고자 하는 마이크로 소자에 대응되는 부분만이 마련될 수도 있다.
가고정 단계(S320)는 비전도성층(413)을 타겟기판(470)의 상부와 마주보게 배치하고, 마이크로 소자(430)에 마련되는 제1전극(431)과, 타겟기판(470)의 상면에 마련되는 제2전극(471) 사이에 전도성 물질(440)을 위치시키고 가고정하는 단계일 수 있다.
가고정 단계(S320)에서는 제1전극(431)이 제2전극(471)의 수직 상부에 위치되도록 마이크로 소자(430)의 위치를 정렬시키는 공정이 이루어질 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이 전도성 물질(440)은 마이크로 소자(430)의 제1전극(431)에 마련될 수도 있지만, 제2전극(471)에 마련될 수도 있다. 따라서, 가고정 단계(S320)에서 전도성 물질(440)은 제1전극(431)에 마련된 상태이거나, 제2전극(471)에 마련된 상태일 수 있다.
그리고, 유동적인 전도성 물질(440)은 비전도성층(413)에 갇혀 움직이지 못하게 되고, 전도성 물질(440)의 모양과 두께도 일정하게 유지될 수 있다.
가고정 단계(S320)에서, 비전도성층(413)과 타겟기판(470)이 서로 분리되지 않도록 타겟기판(470)에 열을 가하여 비전도성층(413)과 타겟기판(470) 사이의 상호 접착력이 커지도록 할 수도 있다.
접합 단계(S330)는 비전도성층(413) 및 전도성 물질(440)에 열을 가하여 전도성 물질(440)에 제1전극(431) 및 제2전극(471)을 접합하는 단계일 수 있다.
여기서, 접합 단계(S330)는 전도성 물질 압착 단계(S331)와, 마이크로 소자 박리 단계(S332)와, 리플로우 단계(S333) 단계를 포함할 수 있다.
전도성 물질 압착 단계(S331)는 비전도성층(413)에 열을 가하면서 마이크로 소자(430)를 동시에 가압하여 제1전극(431) 및 제2전극(471)에 의해 전도성 물질(440)이 압착되도록 하는 단계일 수 있다.
S331 단계에서, 비전도성층(413)에 열(450)이 가해지면 비전도성층(413)의 점도가 낮아질 수 있다. 그리고 점도가 낮아진 상태에서 마이크로 소자(430)가 가압되면 비전도성층(413)은 압축되고, 전도성 물질(440)은 제1전극(431) 및 제2전극(471)에 의해 가압될 수 있다.
전도성 물질(440)은 비전도성층(413)에 갇혀 모양이 일정하게 유지될 수 있기 때문에, 제1전극(431) 및 제2전극(471)은 제 위치와 모양을 유지하고 있는 전도성 물질(440)에 안정적으로 압착될 수 있다.
마이크로 소자 박리 단계(S332)는 마이크로 소자(430)를 소스기판(420)에서 박리시키는 단계일 수 있다.
마이크로 소자 박리 단계(S332)에서는 레이저 박리 공정(453)을 통해 마이크로 소자(430)가 소스기판(420)에서 박리되도록 할 수 있다.
리플로우 단계(S333)는 전도성 물질(440)에 열을 가하여 전도성 물질(440)을 경화시키는 단계일 수 있다.
S333단계에서는 전도성 물질(440)이 용융되어 마이크로 소자(430)의 제1전극(431)과 소스기판(420)의 제2전극(471) 사이에 확고한 전기적 접속을 형성하며, 이때 비전도성층(413)은 경화되어 마이크로 소자(430)의 제1전극(431) 이외의 표면과 소스기판(420)의 제2전극(471) 이외의 표면을 확고하게 접착시킬 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
210: 캐리어필름
211: 베이스필름
212: 접착층
213,413: 비전도성층
220,420: 소스기판
230,430: 마이크로 소자
231,431: 제1전극
240,440: 전도성 물질
260: 전사필름
270,470: 타겟기판
271,471: 제2전극

Claims (10)

  1. 베이스필름과, 상기 베이스필름의 상면에 마련되는 접착층과, 상기 접착층의 상면에 마련되는 비전도성층을 포함하는 캐리어필름을 마련하는 캐리어필름 마련 단계;
    상기 캐리어필름을 소스기판의 상부와 마주보게 배치하고, 상기 비전도성층을 상기 소스기판의 상부에 형성되는 복수의 마이크로 소자 측으로 가압하는 비전도성층 가압 단계;
    상기 마이크로 소자를 상기 소스기판으로부터 박리하여 상기 비전도성층에 전사하는 마이크로 소자 박리 단계;
    상기 마이크로 소자의 하면에 전사필름을 부착하는 전사필름 부착 단계;
    상기 비전도성층으로부터 상기 접착층과 함께 상기 베이스필름을 제거하는 접착층 및 베이스필름 제거 단계;
    상기 비전도성층을 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 상기 마이크로 소자에 마련되는 제1전극과, 상기 타겟기판의 상면에 마련되는 제2전극 사이에 전도성 물질을 위치시켜 가고정하는 가고정 단계; 그리고
    상기 비전도성층 및 상기 전도성 물질에 열을 가하여 상기 전도성 물질에 상기 제1전극 및 상기 제2전극을 접합하는 접합 단계를 포함하는 마이크로 소자 어레이 전사방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접합 단계는
    상기 비전도성층에 열을 가하면서 상기 마이크로 소자를 동시에 가압하여 상기 제1전극 및 상기 제2전극에 의해 상기 전도성 물질이 압착되도록 하는 전도성 물질 압착 단계와,
    상기 전도성 물질에 열을 가하여 상기 전도성 물질을 경화시키는 리플로우 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이 전사방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 접합 단계는
    상기 전도성 물질 압착 단계 및 상기 리플로우 단계의 사이에, 또는 상기 리플로우 단계 이후에 상기 전사필름을 상기 마이크로 소자에서 제거하는 전사필름 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이 전사방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 가고정 단계에서, 상기 전도성 물질은 상기 제1전극에 마련된 상태이거나, 상기 제2전극에 마련된 상태인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이 전사방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로 소자 박리 단계에서,
    상기 소스기판에 형성되는 복수의 상기 마이크로 소자들 중 상기 타겟기판에 전사될 마이크로 소자만 선별하여 상기 소스기판으로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이 전사방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어필름 마련 단계에서,
    상기 비전도성층은 상기 소스기판에서 박리하고자 하는 마이크로 소자에 대응되는 부분만이 마련되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 어레이 전사방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
KR1020170158348A 2017-11-24 2017-11-24 마이크로 소자 어레이 전사방법 KR102012237B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170158348A KR102012237B1 (ko) 2017-11-24 2017-11-24 마이크로 소자 어레이 전사방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170158348A KR102012237B1 (ko) 2017-11-24 2017-11-24 마이크로 소자 어레이 전사방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190060287A KR20190060287A (ko) 2019-06-03
KR102012237B1 true KR102012237B1 (ko) 2019-08-21

Family

ID=66849177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170158348A KR102012237B1 (ko) 2017-11-24 2017-11-24 마이크로 소자 어레이 전사방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102012237B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210004324A (ko) 2019-07-04 2021-01-13 삼성전자주식회사 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법
US11521887B2 (en) * 2019-12-18 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Method of transferring micro LED and micro LED transferring apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068321A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005123405A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板、半導体装置用基板、素子チップの実装方法、電気光学装置及び電子機器
JP5700186B1 (ja) * 2013-07-08 2015-04-15 ソニー株式会社 硬化条件の決定方法、回路デバイスの製造方法及び回路デバイス

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140140042A (ko) * 2012-03-07 2014-12-08 도레이 카부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
KR101757404B1 (ko) 2015-07-24 2017-07-12 한국기계연구원 점착력 제어 필름 기반 선택적 연속 전사 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068321A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005123405A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Seiko Epson Corp 電気光学装置用基板、半導体装置用基板、素子チップの実装方法、電気光学装置及び電子機器
JP5700186B1 (ja) * 2013-07-08 2015-04-15 ソニー株式会社 硬化条件の決定方法、回路デバイスの製造方法及び回路デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190060287A (ko) 2019-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107251237B (zh) 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备
KR101918106B1 (ko) 불량소자의 리페어 방법 및 이를 위한 리페어 장치
CN107924866B (zh) 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
JP6546278B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
JP6533838B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
EP3221903B1 (en) Transferring method of micro-led, and manufacturing method of micro-led device
JP6375063B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
WO2019013120A1 (ja) 表示装置の製造方法、チップ部品の転写方法、および転写部材
JP4345598B2 (ja) 回路基板の接続構造体とその製造方法
CN105358642B (zh) 导电性粘接膜的制造方法、导电性粘接膜、连接体的制造方法
CN105518877A (zh) 微发光二极管的预排除方法、制造方法、装置和电子设备
US20120018084A1 (en) Printed Circuit Board Assembly Manufacturing Device And Method
KR20180112197A (ko) 비전도성 접착박막을 이용한 마이크로 소자 전사방법
KR102012237B1 (ko) 마이크로 소자 어레이 전사방법
JP5647335B2 (ja) はんだ転写基材、はんだ転写基材の製造方法、及びはんだ転写方法
CN110678967B (zh) 残渣层去除方法、残渣层去除装置以及显示模块
KR20200012356A (ko) 마이크로 소자 리워크 방법
TW201611141A (zh) 用以製造基材配接器的方法、基材配接器及用於提供與半導體元件接觸的目的之方法
JP2007190802A (ja) 複合シート
KR20070088960A (ko) 독립형 툴바를 구비하는 압착수단 및 이를 이용한 본딩장치
JP5406974B2 (ja) 熱圧着装置及び電気部品の実装方法
JP2008235656A (ja) 回路基板の実装体
JP2009032845A (ja) 熱圧着装置及び電気部品の実装方法
JP5648266B2 (ja) 電気泳動表示装置の製造方法
JP2007027305A (ja) 半導体装置、およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant