CN113496936A - 发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。芯片移转系统包括液体容置槽、电磁场产生模块以及连接层移除模块。多个发光二极管芯片结构随机分布在液体容置槽的液态物质内。发光二极管芯片结构通过电磁场产生模块以从液体容置槽移转到一电路基板上。连接层移除模块设置在电路基板的上方。每一发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一磁性材料层以及连接于发光二极管芯片与磁性材料层之间的一可移除式连接层。借此，发光二极管芯片结构能通过电磁场产生模块以从液体容置槽移转到电路基板上，并且可移除式连接层能通过连接层移除模块而被移除，所以磁性材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。

Description

发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法
技术领域
本发明涉及一种芯片结构以及芯片移转系统与方法，特别是涉及一种发光二极管芯片结构以及发光二极管芯片移转系统与方法。
背景技术
发光二极管芯片(LED chip)通常利用吸嘴(nozzle)，以从一附加电路板移转到一电路板上，但是此种芯片移转方式仍具有可改善空间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种发光二极管芯片结构，其包括：一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一磁性材料层。发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点。可移除式连接层设置在发光二极管芯片的一底端上。磁性材料层设置在可移除式连接层上。其中，可移除式连接层连接于发光二极管芯片与磁性材料层之间，以使得当可移除式连接层被移除后，磁性材料层脱离发光二极管芯片。
更进一步地，发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，其包括一P型半导体层、设置在P型半导体层上的一发光层以及设置在发光层上的一N型半导体层；其中，发光二极管芯片的底端完全被可移除式连接层所覆盖，且可移除式连接层具有被磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在磁性材料层之外的一裸露部分；其中，发光二极管芯片结构的重心位于发光二极管芯片上，且靠近发光二极管芯片的两个电极接点。
更进一步地，发光二极管芯片为次毫米发光二极管，其包括一基底、设置在基底上的一P型半导体层、设置在P型半导体层上的一发光层以及设置在发光层上的一N型半导体层；其中，发光二极管芯片的底端完全被可移除式连接层所覆盖，且可移除式连接层具有被磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在磁性材料层之外的一裸露部分；其中，发光二极管芯片结构的重心位于发光二极管芯片上，且靠近发光二极管芯片的两个电极接点。
更进一步地，其中一电极接点围绕另外一电极接点，两个电极接点之中的其中一个为P型电极接点，且两个电极接点之中的另外一个为N型电极接点；其中，发光二极管芯片的底端完全被可移除式连接层所覆盖，且可移除式连接层具有被磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在磁性材料层之外的一裸露部分；其中，发光二极管芯片结构的重心位于发光二极管芯片上，且靠近发光二极管芯片的两个电极接点。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种芯片移转系统，其包括：一液体容置槽、一电磁场产生模块以及一连接层移除模块。液体容置槽内容置有一液态物质，多个发光二极管芯片结构随机分布在液态物质内。电磁场产生模块可移动地放置在液体容置槽内或者离开液体容置槽，电磁场产生模块包括一可移动附加电路板以及设置在可移动附加电路板上的多个电磁头，发光二极管芯片结构通过电磁场产生模块以从液体容置槽移转到一电路基板上。连接层移除模块设置在电路基板的上方。其中，每一发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一磁性材料层，发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，可移除式连接层设置在发光二极管芯片的一底端上，磁性材料层设置在可移除式连接层上。
更进一步地，当电磁场产生模块置入液体容置槽后，发光二极管芯片结构通过磁性材料层以被电磁头所吸取；其中，当电磁场产生模块离开液体容置槽后，被电磁头所吸取的发光二极管芯片结构通过可移动附加电路板的承载以移动至电路基板上；其中，当发光二极管芯片通过两个电极接点以电性连接于电路基板后，可移除式连接层通过连接层移除模块而被移除，以使得磁性材料层脱离发光二极管芯片。
更进一步地，电磁场产生模块包括多个电源控制开关，多个电源控制开关分别电性连接于多个电磁头，且每一电磁头通过相对应的电源控制开关的开启而产生磁力或者通过相对应的电源控制开关的关闭而消除磁力；其中，多个电磁头排列成一矩阵，且每一电磁头可移动地设置在可移动附加电路板上，以使得相邻的任意两个电磁头之间的间距为可调整的；其中，可移除式连接层为一光阻层，且连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种芯片移转方法，其包括：首先，将多个发光二极管芯片结构随机分布在一液体容置槽的一液态物质内，每一发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一磁性材料层以及连接于发光二极管芯片与磁性材料层之间的一可移除式连接层；接着，通过一电磁场产生模块的吸附，以将发光二极管芯片结构从液体容置槽移转到一电路基板上；然后，将发光二极管芯片电性连接于电路基板；接下来，通过一连接层移除模块，以移除可移除式连接层，并使得磁性材料层脱离发光二极管芯片。
更进一步地，电磁场产生模块包括一可移动附加电路板以及设置在可移动附加电路板上的多个电磁头，且电磁场产生模块可移动地放置在液体容置槽内或者离开液体容置槽；其中，发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，可移除式连接层设置在发光二极管芯片的一底端上，且发光二极管芯片的两个电极接点分别通过两个锡球以电性连接于电路基板；其中，可移除式连接层为一光阻层，且连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
更进一步地，当多个发光二极管芯片结构随机分布在液体容置槽的液态物质内时，磁性材料层完全或者部分裸露在液态物质之外；其中，发光二极管芯片的底端完全被可移除式连接层所覆盖，且可移除式连接层具有被磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在磁性材料层之外的一裸露部分；其中，发光二极管芯片结构的重心位于发光二极管芯片上，且靠近发光二极管芯片的两个电极接点。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种发光二极管芯片结构，其能通过“可移除式连接层设置在发光二极管芯片的底端上”以及“磁性材料层设置在可移除式连接层上”的技术方案，以使得当可移除式连接层被移除后，磁性材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的一种芯片移转系统，其能通过“多个发光二极管芯片结构随机分布在液体容置槽的液态物质内”、“电磁场产生模块可移动地放置在液体容置槽内或者离开液体容置槽”以及“连接层移除模块设置在电路基板的上方”的技术方案，以使得发光二极管芯片结构能通过电磁场产生模块以从液体容置槽移转到电路基板上，并且可移除式连接层能通过连接层移除模块而被移除，所以磁性材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的一种芯片移转方法，其能通过“将多个发光二极管芯片结构随机分布在液体容置槽的液态物质内”、“通过电磁场产生模块的吸附，以将发光二极管芯片结构从液体容置槽移转到电路基板上”、“将发光二极管芯片电性连接于电路基板”以及“通过连接层移除模块，以移除可移除式连接层，并使得磁性材料层脱离发光二极管芯片”的技术方案，以使得发光二极管芯片结构能通过电磁场产生模块以从液体容置槽移转到电路基板上，并且可移除式连接层能通过连接层移除模块而被移除，所以磁性材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的芯片移转方法的流程图。
图2为本发明第一实施例的芯片移转方法的步骤S100的示意图。
图3为本发明所提供的其中一种发光二极管芯片结构的示意图。
图4为本发明所提供的另外一种发光二极管芯片结构的示意图。
图5为本发明所提供的再一种发光二极管芯片结构的示意图。
图6为本发明第一实施例的发光二极管芯片结构的俯视示意图。
图7为本发明所提供的电磁场产生模块的立体示意图。
图8为本发明的电磁场产生模块进入液体容置槽内以吸附多个发光二极管芯片结构的示意图。
图9为本发明的发光二极管芯片结构通过电磁场产生模块以传送到电路基板的上方的示意图。
图10为本发明第一实施例的芯片移转方法的步骤S102的示意图。
图11为本发明第一实施例的芯片移转方法的步骤S104的示意图。
图12为本发明第一实施例的芯片移转方法的步骤S106的示意图。
图13为本发明的发光二极管芯片结构的可移除式连接层与磁性材料层被移除后的示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
第一实施例
参阅图1至图13所示，本发明第一实施例提供一种芯片移转方法，其至少包括下列几个步骤：首先，配合图1与图2所示，将多个发光二极管芯片结构C随机分布在一液体容置槽G的一液态物质L内，每一发光二极管芯片结构C包括一发光二极管芯片1、一磁性材料层3以及连接于发光二极管芯片1与磁性材料层3之间的一可移除式连接层2(步骤S100)；接着，配合图1以及图8至图10所示，通过一电磁场产生模块E的吸附，以将发光二极管芯片结构C从液体容置槽G移转到一电路基板P上(步骤S102)；然后，配合图1、图10与图11所示，将发光二极管芯片1电性连接于电路基板P(步骤S104)；以及，配合图1、图12与图13所示，通过一连接层移除模块R，以移除可移除式连接层2，并使得磁性材料层3脱离发光二极管芯片1(步骤S106)。
以下举例说明，配合图2至图6所示，发光二极管芯片1的一顶端具有两个电极接点100，可移除式连接层2设置在发光二极管芯片1的一底端上，并且磁性材料层3设置在可移除式连接层2上。更进一步来说，发光二极管芯片1的底端完全被可移除式连接层2所覆盖，并且可移除式连接层2具有被磁性材料层3所覆盖的一覆盖部分21以及裸露在磁性材料层3之外的一裸露部分22。此外，发光二极管芯片结构C的重心会位于发光二极管芯片1上，并且靠近发光二极管芯片1的两个电极接点100。借此，当多个发光二极管芯片结构C随机分布在液体容置槽G的液态物质L(例如水或者任何含水的混合液体)内时，液态物质L会被施予震波(或者其它外力)而产生震动或者晃动，所以每一发光二极管芯片1的大部分体积会因为重心位置的关系而沉入液态物质L内，而磁性材料层3则会完全或者大部分裸露在液态物质L之外(也就是说，当多个发光二极管芯片结构C随机分布在液体容置槽G的液态物质L内时，磁性材料层3完全或者部分裸露在液态物质L之外)。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，配合图3所示，发光二极管芯片1可为无基底的微发光二极管(micro LED)，其包括一P型半导体层11、设置在P型半导体层11上的一发光层12以及设置在发光层12上的一N型半导体层13，并且发光二极管芯片1的两个电极接点100分别电性连接于P型半导体层11与N型半导体层13。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图4所示，发光二极管芯片1为次毫米发光二极管(mini LED)，其包括一基底10、设置在基底10上的一P型半导体层11、设置在P型半导体层11上的一发光层12以及设置在发光层12上的一N型半导体层13，并且发光二极管芯片1的两个电极接点100分别电性连接于P型半导体层11与N型半导体层13。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图5所示，其中一电极接点100围绕另外一电极接点100。另外，两个电极接点100之中的其中一个(例如内圈的电极接点100)为电性连接于P型半导体层(图未示)的P型电极接点，并且两个电极接点100之中的另外一个(例如外圈的电极接点100)为电性连接于N型半导体层(图未示)的N型电极接点。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，配合图2、图7与图8所示，电磁场产生模块E包括一可移动附加电路板E1以及设置在可移动附加电路板E1上的多个电磁头E2，并且电磁场产生模块E可移动地放置在液体容置槽G内(如图8所示)或者离开液体容置槽G(如图2所示)。更进一步来说，如图8所示，当电磁场产生模块E置入液体容置槽G后，发光二极管芯片结构C能通过磁性材料层3以被电磁头E2所吸取。配合图9与图10所示，当电磁场产生模块E离开液体容置槽G后，被电磁头E2所吸取的发光二极管芯片结构C能通过可移动附加电路板E1的承载以移动至电路基板P上，并且发光二极管芯片1的两个电极接点100会分别通过两个锡球S以电性连接于电路基板P(例如发光二极管芯片1可利用回焊(reflow)或者镭射加热的方式进行固晶)。配合图12与图13所示，当发光二极管芯片1通过两个电极接点100以电性连接于电路基板P后，可移除式连接层2(例如光阻层，其可由任何的光敏材料所制成)能通过连接层移除模块R(例如光阻剥离液提供设备)所提供的光阻剥离液R100(可为有机溶剂或者无机溶剂)而被移除，以使得磁性材料层3能随着可移除式连接层2的移除而顺便脱离发光二极管芯片1。也就是说，由于可移除式连接层2连接于发光二极管芯片1与磁性材料层3之间，所以当可移除式连接层2被移除后，磁性材料层3就能顺便脱离发光二极管芯片1。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图2所示，电磁场产生模块E包括多个电源控制开关E3，并且电源控制开关E3可为一半导体开关(例如CMOS开关)或者一微机电开关。另外，多个电源控制开关E3会分别电性连接于多个电磁头E2，并且每一电磁头E2能通过相对应的电源控制开关E3的开启而产生磁力或者通过相对应的电源控制开关E3的关闭而消除磁力(也就是说，每一电磁头E2能够通过相对应的一电源控制开关E3以进行开启或者关闭的控制)。或者，在其它实施例中，全部的电磁头E2或者多个电磁头E2中的一部分也能够只通过单一个电源控制开关E3进行开启或者关闭的控制。再者，配合图2与图7所示，多个电磁头E2能排列成一矩阵，并且每一电磁头E2可移动地设置在可移动附加电路板E1上或者固定在可移动附加电路板E1上。当每一电磁头E2可移动地设置在可移动附加电路板E1上时，相邻的任意两个电磁头E2之间的间距d为可调整的。也就是说，配合图2与图7所示，当相邻的两个发光二极管芯片1的间距需要调整时，相邻的两个电磁头E2之间的间距d可以依据“相邻的两个发光二极管芯片1的间距”而沿着轨道来进行调整，所以“相邻的两个发光二极管芯片1的间距”就会等于“相邻的两个电磁头E2之间的间距d”。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
第二实施例
参阅图2至图13所示，本发明第二实施例提供一种芯片移转系统，其包括：一液体容置槽G、一电磁场产生模块E以及一连接层移除模块R。
更进一来说，如图2所示，液体容置槽G内容置有一液态物质L，并且多个发光二极管芯片结构C能随机分布在液态物质L内。另外，每一发光二极管芯片结构C包括一发光二极管芯片1、一可移除式连接层2以及一磁性材料层3。发光二极管芯片1的一顶端具有两个电极接点100，可移除式连接层2设置在发光二极管芯片1的一底端上，并且磁性材料层3设置在可移除式连接层2上。
更进一来说，配合图2与图8所示，电磁场产生模块E包括一可移动附加电路板E1以及设置在可移动附加电路板E1上的多个电磁头E2。另外，电磁场产生模块E可移动地放置在液体容置槽G内或者离开液体容置槽G，并且发光二极管芯片结构C能通过电磁场产生模块E以从液体容置槽G移转到一电路基板P上。
更进一来说，配合图12与图13所示，连接层移除模块R设置在电路基板P的上方。举例来说，当发光二极管芯片1通过两个电极接点100以电性连接于电路基板P后，可移除式连接层2(例如光阻层)能通过连接层移除模块R(例如光阻剥离液提供设备)所提供的光阻剥离液R100而被移除，以使得磁性材料层3能随着可移除式连接层2的移除而顺便脱离发光二极管芯片1。也就是说，由于可移除式连接层2连接于发光二极管芯片1与磁性材料层3之间，所以当可移除式连接层2被移除后，磁性材料层3就能顺便脱离发光二极管芯片1。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
以下举例说明，如图2所示，电磁场产生模块E包括多个电源控制开关E3，并且电源控制开关E3可为半导体开关(例如CMOS开关)或者微机电开关。另外，多个电源控制开关E3会分别电性连接于多个电磁头E2，并且每一电磁头E2能通过相对应的电源控制开关E3的开启而产生磁力或者通过相对应的电源控制开关E3的关闭而消除磁力(也就是说，每一电磁头E2能够通过相对应的一电源控制开关E3以进行开启或者关闭的控制)。或者，在其它实施例中，全部的电磁头E2或者多个电磁头E2中的一部分也能够只通过单一个电源控制开关E3进行开启或者关闭的控制。再者，配合图2与图7所示，多个电磁头E2能排列成一矩阵，并且每一电磁头E2可移动地设置在可移动附加电路板E1上或者固定在可移动附加电路板E1上。当每一电磁头E2可移动地设置在可移动附加电路板E1上时，相邻的任意两个电磁头E2之间的间距d为可调整的。也就是说，配合图2与图7所示，当相邻的两个发光二极管芯片1的间距需要调整时，相邻的两个电磁头E2之间的间距d可以依据“相邻的两个发光二极管芯片1的间距”而沿着轨道来进行调整，所以“相邻的两个发光二极管芯片1的间距”就会等于“相邻的两个电磁头E2之间的间距d”。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种发光二极管芯片结构C，其能通过“可移除式连接层2设置在发光二极管芯片1的底端上”以及“磁性材料层3设置在可移除式连接层2上”的技术方案，以使得当可移除式连接层2被移除后，磁性材料层3能随着可移除式连接层2的移除而脱离发光二极管芯片1。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的一种芯片移转系统，其能通过“多个发光二极管芯片结构C随机分布在液体容置槽G的液态物质L内”、“电磁场产生模块E可移动地放置在液体容置槽G内或者离开液体容置槽G”以及“连接层移除模块R设置在电路基板P的上方”的技术方案，以使得发光二极管芯片结构C能通过电磁场产生模块E以从液体容置槽G移转到电路基板P上，并且可移除式连接层2能通过连接层移除模块R而被移除，所以磁性材料层3能随着可移除式连接层2的移除而脱离发光二极管芯片1。
本发明的另外再一有益效果在于，本发明所提供的一种芯片移转方法，其能通过“将多个发光二极管芯片结构C随机分布在液体容置槽G的液态物质L内”、“通过电磁场产生模块E的吸附，以将发光二极管芯片结构C从液体容置槽G移转到电路基板P上”、“将发光二极管芯片1电性连接于电路基板P”以及“通过连接层移除模块R，以移除可移除式连接层2，并使得磁性材料层3脱离发光二极管芯片1”的技术方案，以使得发光二极管芯片结构C能通过电磁场产生模块E以从液体容置槽G移转到电路基板P上，并且可移除式连接层2能通过连接层移除模块R而被移除，所以磁性材料层3能随着可移除式连接层2的移除而脱离发光二极管芯片1。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片结构包括：
一发光二极管芯片，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点；
一可移除式连接层，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上；以及
一磁性材料层，所述磁性材料层设置在所述可移除式连接层上；
其中，所述可移除式连接层连接于所述发光二极管芯片与所述磁性材料层之间，以使得当所述可移除式连接层被移除后，所述磁性材料层脱离所述发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，所述微发光二极管包括一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层具有被所述磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在所述磁性材料层之外的一裸露部分；其中，所述发光二极管芯片结构的重心位于所述发光二极管芯片上，且靠近所述发光二极管芯片的两个所述电极接点。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为次毫米发光二极管，所述次毫米发光二极管包括一基底、设置在所述基底上的一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层具有被所述磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在所述磁性材料层之外的一裸露部分；其中，所述发光二极管芯片结构的重心位于所述发光二极管芯片上，且靠近所述发光二极管芯片的两个所述电极接点。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，其中一个所述电极接点围绕另外一个所述电极接点，两个所述电极接点之中的其中一个为P型电极接点，且两个所述电极接点之中的另外一个为N型电极接点；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层具有被所述磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在所述磁性材料层之外的一裸露部分；其中，所述发光二极管芯片结构的重心位于所述发光二极管芯片上，且靠近所述发光二极管芯片的两个所述电极接点。
5.一种芯片移转系统，其特征在于，所述芯片移转系统包括：
一液体容置槽，所述液体容置槽内容置有一液态物质，多个发光二极管芯片结构随机分布在所述液态物质内；
一电磁场产生模块，所述电磁场产生模块移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽，所述电磁场产生模块包括一可移动附加电路板以及设置在所述可移动附加电路板上的多个电磁头，所述发光二极管芯片结构通过所述电磁场产生模块以从所述液体容置槽移转到一电路基板上；以及
一连接层移除模块，所述连接层移除模块设置在所述电路基板的上方；
其中，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一磁性材料层，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，所述磁性材料层设置在所述可移除式连接层上。
6.根据权利要求5所述的芯片移转系统，其特征在于，当所述电磁场产生模块置入所述液体容置槽后，所述发光二极管芯片结构通过所述磁性材料层被所述电磁头所吸取；其中，当所述电磁场产生模块离开所述液体容置槽后，被所述电磁头所吸取的所述发光二极管芯片结构通过所述可移动附加电路板的承载以移动至所述电路基板上；其中，当所述发光二极管芯片通过两个所述电极接点以电性连接于所述电路基板后，所述可移除式连接层通过所述连接层移除模块而被移除，以使得所述磁性材料层脱离所述发光二极管芯片。
7.根据权利要求5所述的芯片移转系统，其特征在于，所述电磁场产生模块包括多个电源控制开关，多个所述电源控制开关分别电性连接于多个所述电磁头，且每一所述电磁头通过相对应的所述电源控制开关的开启而产生磁力或者通过相对应的所述电源控制开关的关闭而消除磁力；其中，多个所述电磁头排列成一矩阵，且每一所述电磁头移动地设置在所述可移动附加电路板上，以使得相邻的任意两个所述电磁头之间的间距为能调整的；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
8.一种芯片移转方法，其特征在于，所述芯片移转方法包括：
将多个发光二极管芯片结构随机分布在一液体容置槽的一液态物质内，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一磁性材料层以及连接于所述发光二极管芯片与所述磁性材料层之间的一可移除式连接层；
通过一电磁场产生模块的吸附，以将所述发光二极管芯片结构从所述液体容置槽移转到一电路基板上；
将所述发光二极管芯片电性连接于所述电路基板；以及
通过一连接层移除模块，以移除所述可移除式连接层，并使得所述磁性材料层脱离所述发光二极管芯片。
9.根据权利要求8所述的芯片移转方法，其特征在于，所述电磁场产生模块包括一可移动附加电路板以及设置在所述可移动附加电路板上的多个电磁头，且所述电磁场产生模块移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽；其中，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，且所述发光二极管芯片的两个所述电极接点分别通过两个锡球以电性连接于所述电路基板；其中，所述可移除式连接层为一光阻层，且所述连接层移除模块为一光阻剥离液提供设备。
10.根据权利要求9所述的芯片移转方法，其特征在于，当多个所述发光二极管芯片结构随机分布在所述液体容置槽的所述液态物质内时，所述磁性材料层完全或者部分裸露在所述液态物质之外；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层具有被所述磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在所述磁性材料层之外的一裸露部分；其中，所述发光二极管芯片结构的重心位于所述发光二极管芯片上，且靠近所述发光二极管芯片的两个所述电极接点。
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