TW202117343A - 發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法 - Google Patents

發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法 Download PDF

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Abstract

本發明公開一種發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法。發光二極體晶圓包括一晶圓基底以及設置在晶圓基底上的多個發光二極體晶片、多個測試用正極線路層、多個測試用負極線路層、多個測試用正極接點以及多個測試用負極接點。每一發光二極體晶片的一正極接點與一負極接點分別電性連接於相對應的測試用正極線路層與相對應的測試用負極線路層。多個測試用正極接點分別電性連接於多個測試用正極線路層，多個測試用負極接點分別電性連接於多個測試用負極線路層。藉此，讓電流由多個測試用負極接點輸入後，再從多個測試用正極接點輸出，以便於激發每一發光二極體晶片產生一光源。

Description

發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法
本發明涉及一種晶圓以及晶圓檢測裝置與方法，特別是涉及一種發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法。
目前，發光二極體（Light-Emitting Diode，LED）因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說，為了使得採用發光二極體做為發光元件的顯示裝置能具有較佳的色彩表現能力，現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片的相互搭配而組成一全彩發光二極體顯示裝置，此全彩發光二極體顯示裝置可利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光，然後再透過混光後形成一全彩色光，以進行相關資訊的顯示。然而，現有技術中對於發光二極體晶片的檢測仍有進步空間。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種發光二極體晶圓檢測裝置，其包括：一發光二極體晶圓以及一檢測模組。所述發光二極體晶圓包括一晶圓基底、多個發光二極體晶片、多個測試用正極線路層、多個測試用負極線路層、多個測試用正極接點以及多個測試用負極接點。所述檢測模組設置在所述發光二極體晶圓的上方。其中，多個所述發光二極體晶片、多個所述測試用正極線路層、多個所述測試用負極線路層、多個所述測試用正極接點以及多個所述測試用負極接點都設置在所述晶圓基底上；其中，每一所述發光二極體晶片的一正極接點與一負極接點分別電性連接於相對應的所述測試用正極線路層與相對應的所述測試用負極線路層；其中，多個所述測試用正極接點分別電性連接於多個所述測試用正極線路層，多個所述測試用負極接點分別電性連接於多個所述測試用負極線路層；其中，讓電流由多個所述測試用負極接點輸入後，再從多個所述測試用正極接點輸出，以便於激發每一所述發光二極體晶片產生一光源，並利用所述檢測模組對每一所述發光二極體晶片所產生的所述光源進行光學檢測。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種發光二極體晶圓，其包括：一晶圓基底、多個發光二極體晶片、多個測試用正極線路層、多個測試用負極線路層、多個測試用正極接點以及多個測試用負極接點。多個所述發光二極體晶片、多個所述測試用正極線路層、多個所述測試用負極線路層、多個所述測試用正極接點以及多個所述測試用負極接點都設置在所述晶圓基底上。其中，每一所述發光二極體晶片的一正極接點與一負極接點分別電性連接於相對應的所述測試用正極線路層與相對應的所述測試用負極線路層；其中，多個所述測試用正極接點分別電性連接於多個所述測試用正極線路層，多個所述測試用負極接點分別電性連接於多個所述測試用負極線路層；其中，讓電流由多個所述測試用負極接點輸入後，再從多個所述測試用正極接點輸出，以便於激發每一所述發光二極體晶片產生一光源。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種發光二極體晶圓檢測方法，其包括：提供一發光二極體晶圓，所述發光二極體晶圓包括多個發光二極體晶片、多個測試用正極線路層、多個測試用負極線路層、多個測試用正極接點以及多個測試用負極接點；讓電流由多個所述測試用負極接點輸入後，再從多個所述測試用正極接點輸出，以便於激發每一所述發光二極體晶片產生一光源；以及，利用一檢測模組對每一所述發光二極體晶片所產生的所述光源進行光學檢測。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法，其能通過“多個所述發光二極體晶片、多個所述測試用正極線路層、多個所述測試用負極線路層、多個所述測試用正極接點以及多個所述測試用負極接點都設置在所述晶圓基底上”以及“每一所述發光二極體晶片的一正極接點與一負極接點分別電性連接於相對應的所述測試用正極線路層與相對應的所述測試用負極線路層，多個所述測試用正極接點分別電性連接於多個所述測試用正極線路層，多個所述測試用負極接點分別電性連接於多個所述測試用負極線路層”的技術方案，讓電流由多個所述測試用負極接點輸入後，再從多個所述測試用正極接點輸出，以便於激發每一所述發光二極體晶片產生一光源。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。應當可以理解的是，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖4所示，本發明第一實施例提供一種發光二極體晶圓檢測裝置Z，其包括：一發光二極體晶圓1以及一檢測模組2。
首先，配合圖1至圖3所示，發光二極體晶圓1包括一晶圓基底10、多個發光二極體晶片11、多個測試用正極線路層12P、多個測試用負極線路層12N、多個測試用正極接點13P以及多個測試用負極接點13N，並且檢測模組2設置在發光二極體晶圓1的上方。舉例來說，多個發光二極體晶片11、多個測試用正極線路層12P、多個測試用負極線路層12N、多個測試用正極接點13P以及多個測試用負極接點13N都是利用半導體的製作流程而設置在晶圓基底10上，然而本發明不以此為限。另外，每一發光二極體晶片11的一正極接點110P與一負極接點110N會分別電性連接於相對應的測試用正極線路層12P與相對應的測試用負極線路層12N。此外，多個測試用正極接點13P會分別電性連接於多個測試用正極線路層12P，並且多個測試用負極接點13N分別電性連接於多個測試用負極線路層12N。藉此，每一發光二極體晶片11的正極接點110P與負極接點110N會分別透過相對應的測試用正極線路層12P與相對應的測試用負極線路層12N，以分別電性連接於相對應的測試用正極接點13P與相對應的測試用正極線路層12P。
此外，配合圖1與圖2所示，多個測試用正極接點13P會彼此分離而形成彼此相鄰設置的多個單一個正極測試接點，並且多個測試用負極接點13N會彼此分離而形成彼此相鄰設置的多個單一個負極測試接點。另外，如圖1所示，測試用正極線路層12P與測試用負極線路層12N能分別設置在一第一水平面以及一第二水平面上（也就是說，測試用正極線路層12P與測試用負極線路層12N會分層設置而不會相互接觸），並且測試用正極接點13P與測試用負極接點13N分別設置在第一水平面與第二水平面上（也就是說，測試用正極接點13P與測試用負極接點13N會分層設置而不會相互接觸）。舉例來說，依據不同的設計需求，第一水平面可以高於、低於或者等於第二水平面。例如，本發明圖1所顯示的是，第一水平面會低於第二水平面。也就是說，測試用正極線路層12P的所在位置會低於測試用負極線路層12N的所在位置，並且測試用正極接點13P的所在位置會低於測試用負極接點13N的所在位置。當然，本發明不以此舉例為限，例如測試用正極接點13P的所在位置也可以高於或者等於測試用負極接點13N的所在位置。
再者，如圖1所示，測試用正極線路層12P包括多個第一正極末端部121P、一第二正極末端部122P以及連接於第一正極末端部121P與第二正極末端部122P之間的一正極連接部123P。更進一步來說，第一正極末端部121P會電性連接於相對應的發光二極體晶片11的正極接點110P，第二正極末端部122P會電性連接於相對應的測試用正極接點13P，並且正極連接部123P會沿著一第一切割路徑C1延伸。另外，測試用負極線路層12N包括多個第一負極末端部121N、一第二負極末端部122N以及連接於第一負極末端部121N與第二負極末端部122N之間的一負極連接部123N。更進一步來說，第一負極末端部121N會電性連接於相對應的發光二極體晶片11的負極接點110N，第二負極末端部122N會電性連接於相對應的測試用負極接點13N，並且負極連接部123N會沿著一第二切割路徑C2延伸。舉例來說，切割時的切割寬度可以大於第一切割路徑C1與第二切割路徑C2，以使得大部分的測試用正極線路層12P與大部分的測試用負極線路層12N在切割時能夠被一併移除。
再者，配合圖1與圖3所示，本發明能讓電流由多個測試用負極接點13N輸入後，再從多個測試用正極接點13P輸出，以便於激發每一發光二極體晶片11產生一光源L（例如可見光波段與不可見的紅外線波段）。換句話說，當電流由多個測試用負極接點13N輸入後，電流會透過測試用正極線路層12P而傳送到發光二極體晶片11，並且電流會從發光二極體晶片11的負極接點110N輸入後，再從發光二極體晶片11的正極接點110P輸入輸出，以便於激發發光二極體晶片11產生光源L，最後電流再透過測試用負極線路層12N而從多個測試用正極接點13P輸出。舉例來說，發光二極體晶片11可為微型半導體發光元件（Micro LED），其包括呈堆疊狀設置的一n型導電層、可被雷射光源穿過的一發光層以及一p型導電層。n型導電層可為n型氮化鎵材料層或者n型砷化鎵材料層，發光層可為多量子井結構層，並且p型導電層可為p型氮化鎵材料層或者p型砷化鎵材料層。另外，發光二極體晶片11也可為次毫米發光二極體（Mini LED），其包括呈堆疊狀設置的一基底層、一n型導電層、一被雷射光源穿過的發光層以及一p型導電層。基底層可為藍寶石（sapphire）材料層，n型導電層可為n型氮化鎵材料層或n型砷化鎵材料層，發光層可為多量子井結構層，並且p型導電層可為p型氮化鎵材料層或者p型砷化鎵材料層。此外，基底層還可以是石英基底層、玻璃基底層、矽基底層或者任何材料的基底層。然而，本發明所提供的發光二極體晶片11不以上述所舉的例子為限。
另外，配合圖1、圖3與圖4所示，本發明第一實施例還提供一種發光二極體晶圓檢測方法，其包括：首先，提供一發光二極體晶圓1，其包括多個發光二極體晶片11、多個測試用正極線路層12P、多個測試用負極線路層12N、多個測試用正極接點13P以及多個測試用負極接點13N（步驟S100）；接著，讓電流由多個測試用負極接點13N輸入後，再從多個測試用正極接點13P輸出，以便於激發每一發光二極體晶片11產生一光源L（步驟S102）；然後，利用一檢測模組2對每一發光二極體晶片11所產生的光源L進行光學檢測（步驟S104）。舉例來說，檢測模組2可以是“微光顯微鏡(Emission Microscope，EMMI)”或者是任何種類的光學檢測器，並且檢測模組2對光源L進行光學檢測所得到的數值至少包括漏電流等等，藉由檢測光源L所得到的數值，以間接獲得發光二極體晶圓1內的每一個發光二極體晶片11（wafer-grade LED chip）的漏電流等等，然而本發明並不以此為限。值得一提的是，本發明的發光二極體晶片11是利用電致發光的方式來提供光源L，而電致發光亦稱電場發光（Electroluminescence，EL），是指電流通過物質時或物質處於強電場下發光的現象，在消費品生產中有時被稱為冷光。當然，檢測模組2也可以是用於測量電流的電流檢測模組，並且檢測模組2會電性連接於發光二極體晶圓1，藉此本發明可以直接利用電流檢測模組，以對發光二極體晶圓1的多個發光二極體晶片11進行漏電流檢測。
[第二實施例]
參閱圖5與圖6所示，本發明第二實施例提供一種發光二極體晶圓檢測裝置，其包括：一發光二極體晶圓1以及一檢測模組(圖未示)。由圖5與圖1的比較，以及圖6與圖2的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，多個測試用正極接點13P會彼此相連而形成一單一個正極測試區域，並且多個測試用負極接點13N會彼此相連而形成一單一個負極測試區域。也就是說，本發明除了可以使用單一個正極測試接點（單一個測試用正極接點13P）與單一個負極測試接點（單一個測試用負極接點13N）的配合來對單一個發光二極體晶圓1進行檢測（如同配合圖1與圖2所示的第一實施例），本發明還可以使用單一個正極測試區域（由多個測試用正極接點13P所整合）與單一個負極測試區域（由多個測試用負極接點13N所整合）的配合來對全部的發光二極體晶圓1進行檢測（如同配合圖5與圖6所示的第二實施例）。
[第三實施例]
參閱圖7與圖8所示，本發明第三實施例提供一種發光二極體晶圓檢測裝置，其包括：一發光二極體晶圓1以及一檢測模組(圖未示)。由圖7與圖5、圖1的比較，以及圖8與圖6、圖2的比較可知，本發明第三實施例與第一、二實施例最大的差別在於：在第三實施例中，一部分的多個測試用正極接點13P會彼此分離而形成彼此相鄰設置的多個單一個正極測試接點，並且一部分的多個測試用負極接點13N會彼此分離而形成彼此相鄰設置的多個單一個負極測試接點。另外，其餘的多個測試用正極接點13P會彼此相連而形成一單一個正極測試區域，並且其餘的多個測試用負極接點13N會彼此相連而形成一單一個負極測試區域。也就是說，本發明第三實施例可以整合第一實施例與第二實施例，而使得本發明針對同一個發光二極體晶圓1，除了可以使用單一個正極測試接點（單一個測試用正極接點13P）與單一個負極測試接點（單一個測試用負極接點13N）的配合來對單一個發光二極體晶圓1進行檢測，還可以使用單一個正極測試區域（由其餘的多個測試用正極接點13P所整合）與單一個負極測試區域（由其餘的多個測試用負極接點13N所整合）的配合來對全部的發光二極體晶圓1進行檢測。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種發光二極體晶圓以及發光二極體晶圓檢測裝置與方法，其能通過“多個發光二極體晶片11、多個測試用正極線路層12P、多個測試用負極線路層12N、多個測試用正極接點13P以及多個測試用負極接點13N都設置在晶圓基底10上”以及“每一發光二極體晶片11的一正極接點110P與一負極接點110N分別電性連接於相對應的測試用正極線路層12P與相對應的測試用負極線路層12N，多個測試用正極接點13P分別電性連接於多個測試用正極線路層12P，多個測試用負極接點13N分別電性連接於多個測試用負極線路層12N”的技術方案，讓電流由多個測試用負極接點13N輸入後，再從多個測試用正極接點13P輸出，以便於激發每一發光二極體晶片11產生一光源L。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
Z:發光二極體晶圓檢測裝置 1:發光二極體晶圓 2:檢測模組 10:晶圓基底 11:發光二極體晶片 110P:正極接點 110N:負極接點 L:光源 12P:測試用正極線路層 121P:第一正極末端部 122P:第二正極末端部 123P:正極連接部 12N:測試用負極線路層 121N:第一負極末端部 122N:第二負極末端部 123N:負極連接部 13P:測試用正極接點 13N:測試用負極接點 C1:第一切割路徑 C2:第二切割路徑
圖1為本發明第一實施例的發光二極體晶圓的俯視示意圖。
圖2為本發明第一實施例的發光二極體晶圓的電路示意圖。
圖3為本發明第一實施例的發光二極體晶圓檢測裝置的側視示意圖。
圖4為本發明第一實施例的發光二極體晶圓檢測方法的流程圖。
圖5為本發明第二實施例的發光二極體晶圓的俯視示意圖。
圖6為本發明第二實施例的發光二極體晶圓的電路示意圖。
圖7為本發明第三實施例的發光二極體晶圓的俯視示意圖。
圖8為本發明第三實施例的發光二極體晶圓的電路示意圖。
1:發光二極體晶圓
10:晶圓基底
11:發光二極體晶片
110P:正極接點
110N:負極接點
12P:測試用正極線路層
121P:第一正極末端部
122P:第二正極末端部
123P:正極連接部
12N:測試用負極線路層
121N:第一負極末端部
122N:第二負極末端部
123N:負極連接部
13P:測試用正極接點
13N:測試用負極接點
C1:第一切割路徑
C2:第二切割路徑

Claims (10)

  1. 一種發光二極體晶圓檢測裝置，其包括： 一發光二極體晶圓，所述發光二極體晶圓包括一晶圓基底、多個發光二極體晶片、多個測試用正極線路層、多個測試用負極線路層、多個測試用正極接點以及多個測試用負極接點；以及 一檢測模組，所述檢測模組設置在所述發光二極體晶圓的上方； 其中，多個所述發光二極體晶片、多個所述測試用正極線路層、多個所述測試用負極線路層、多個所述測試用正極接點以及多個所述測試用負極接點都設置在所述晶圓基底上； 其中，每一所述發光二極體晶片的一正極接點與一負極接點分別電性連接於相對應的所述測試用正極線路層與相對應的所述測試用負極線路層； 其中，多個所述測試用正極接點分別電性連接於多個所述測試用正極線路層，多個所述測試用負極接點分別電性連接於多個所述測試用負極線路層； 其中，讓電流由多個所述測試用負極接點輸入後，再從多個所述測試用正極接點輸出，以便於激發每一所述發光二極體晶片產生一光源，並利用所述檢測模組對每一所述發光二極體晶片所產生的所述光源進行光學檢測。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶圓檢測裝置，其中，多個所述測試用正極接點彼此分離而形成彼此相鄰設置的多個單一個正極測試接點，多個所述測試用負極接點彼此分離而形成彼此相鄰設置的多個單一個負極測試接點。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶圓檢測裝置，其中，多個所述測試用正極接點彼此相連而形成一單一個正極測試區域，多個所述測試用負極接點彼此相連而形成一單一個負極測試區域。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體晶圓檢測裝置，其中，所述測試用正極線路層與所述測試用負極線路層分別設置在一第一水平面以及一第二水平面上，所述測試用正極接點與所述測試用負極接點分別設置在所述第一水平面與所述第二水平面上，且所述第一水平面高於、低於或者等於所述第二水平面；其中，所述測試用正極線路層包括多個第一正極末端部、一第二正極末端部以及連接於所述第一正極末端部與所述第二正極末端部之間的一正極連接部，所述第一正極末端部電性連接於相對應的所述發光二極體晶片的所述正極接點，所述第二正極末端部電性連接於相對應的所述測試用正極接點，且所述正極連接部沿著一第一切割路徑延伸；其中，所述測試用負極線路層包括多個第一負極末端部、一第二負極末端部以及連接於所述第一負極末端部與所述第二負極末端部之間的一負極連接部，所述第一負極末端部電性連接於相對應的所述發光二極體晶片的所述負極接點，所述第二負極末端部電性連接於相對應的所述測試用負極接點，且所述負極連接部沿著一第二切割路徑延伸。
  5. 一種發光二極體晶圓，其包括： 一晶圓基底； 多個發光二極體晶片，其設置在所述晶圓基底上； 多個測試用正極線路層，其設置在所述晶圓基底上； 多個測試用負極線路層，其設置在所述晶圓基底上； 多個測試用正極接點，其設置在所述晶圓基底上；以及 多個測試用負極接點，其設置在所述晶圓基底上； 其中，每一所述發光二極體晶片的一正極接點與一負極接點分別電性連接於相對應的所述測試用正極線路層與相對應的所述測試用負極線路層； 其中，多個所述測試用正極接點分別電性連接於多個所述測試用正極線路層，多個所述測試用負極接點分別電性連接於多個所述測試用負極線路層； 其中，讓電流由多個所述測試用負極接點輸入後，再從多個所述測試用正極接點輸出，以便於激發每一所述發光二極體晶片產生一光源。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體晶圓，其中，多個所述測試用正極接點彼此分離而形成彼此相鄰設置的多個單一個正極測試接點，多個所述測試用負極接點彼此分離而形成彼此相鄰設置的多個單一個負極測試接點。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體晶圓，其中，多個所述測試用正極接點彼此相連而形成一單一個正極測試區域，多個所述測試用負極接點彼此相連而形成一單一個負極測試區域。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體晶圓，其中，所述測試用正極線路層與所述測試用負極線路層分別設置在一第一水平面以及一第二水平面上，所述測試用正極接點與所述測試用負極接點分別設置在所述第一水平面與所述第二水平面上，且所述第一水平面高於、低於或者等於所述第二水平面；其中，所述測試用正極線路層包括多個第一正極末端部、一第二正極末端部以及連接於所述第一正極末端部與所述第二正極末端部之間的一正極連接部，所述第一正極末端部電性連接於相對應的所述發光二極體晶片的所述正極接點，所述第二正極末端部電性連接於相對應的所述測試用正極接點，且所述正極連接部沿著一第一切割路徑延伸；其中，所述測試用負極線路層包括多個第一負極末端部、一第二負極末端部以及連接於所述第一負極末端部與所述第二負極末端部之間的一負極連接部，所述第一負極末端部電性連接於相對應的所述發光二極體晶片的所述負極接點，所述第二負極末端部電性連接於相對應的所述測試用負極接點，且所述負極連接部沿著一第二切割路徑延伸。
  9. 一種發光二極體晶圓檢測方法，其包括： 提供一發光二極體晶圓，所述發光二極體晶圓包括多個發光二極體晶片、多個測試用正極線路層、多個測試用負極線路層、多個測試用正極接點以及多個測試用負極接點； 讓電流由多個所述測試用負極接點輸入後，再從多個所述測試用正極接點輸出，以便於激發每一所述發光二極體晶片產生一光源；以及 利用一檢測模組對每一所述發光二極體晶片所產生的所述光源進行光學檢測。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的發光二極體晶圓檢測方法，其中，所述發光二極體晶圓包括一晶圓基底，且多個所述發光二極體晶片、多個所述測試用正極線路層、多個所述測試用負極線路層、多個所述測試用正極接點以及多個所述測試用負極接點都設置在所述晶圓基底上；其中，每一所述發光二極體晶片的一正極接點與一負極接點分別電性連接於相對應的所述測試用正極線路層與相對應的所述測試用負極線路層；其中，多個所述測試用正極接點分別電性連接於多個所述測試用正極線路層，多個所述測試用負極接點分別電性連接於多個所述測試用負極線路層；其中，所述測試用正極線路層與所述測試用負極線路層分別設置在一第一水平面以及一第二水平面上，所述測試用正極接點與所述測試用負極接點分別設置在所述第一水平面與所述第二水平面上，且所述第一水平面高於、低於或者等於所述第二水平面；其中，所述測試用正極線路層包括多個第一正極末端部、一第二正極末端部以及連接於所述第一正極末端部與所述第二正極末端部之間的一正極連接部，所述第一正極末端部電性連接於相對應的所述發光二極體晶片的所述正極接點，所述第二正極末端部電性連接於相對應的所述測試用正極接點，且所述正極連接部沿著一第一切割路徑延伸；其中，所述測試用負極線路層包括多個第一負極末端部、一第二負極末端部以及連接於所述第一負極末端部與所述第二負極末端部之間的一負極連接部，所述第一負極末端部電性連接於相對應的所述發光二極體晶片的所述負極接點，所述第二負極末端部電性連接於相對應的所述測試用負極接點，且所述負極連接部沿著一第二切割路徑延伸。
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