TW202201715A - 發光晶片承載結構及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種發光晶片承載結構及其製作方法。發光晶片承載結構的製作方法包括：將多個發光晶片移轉到一電路基板上；透過一承載裝置帶動一整平基板，以同時對多個發光晶片施加一壓力，使得多個發光晶片的多個發光面相距電路基板的一頂面的距離都相同；在多個發光晶片被整平基板所施壓的同時，透過一加熱裝置以將多個發光晶片固定在電路基板上；以及，透過承載裝置移除整平基板。藉此，本發明能使得多個發光晶片的多個發光面相對於電路基板的頂面具有相同的平整度，並且使得多個發光晶片的多個發光面能位於同一平面上。

Description

發光晶片承載結構及其製作方法
本發明涉及一種晶片承載結構及其製作方法，特別是涉及一種發光晶片承載結構及其製作方法。
發光二極體晶片通常透過多個錫球而電性連接於電路板，但是在錫球進行加熱而熔融的過程中，錫球會因為熔融而造成其厚度的不穩定性，使得放置在錫球上的發光二極體晶片會發生傾斜的狀況。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光晶片承載結構及其製作方法。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種發光晶片承載結構，其包括：一電路基板以及一發光群組。所述電路基板包括多個導電焊墊以及分別設置在多個所述導電焊墊上的多個導電材料。所述發光群組包括多個發光晶片，每一所述發光晶片具有分別電性接觸相對應的兩個所述導電材料的兩個導電接點，且多個所述發光晶片的多個發光面相距所述電路基板的一頂面的距離都相同，以使得多個所述發光晶片的多個所述發光面相對於所述電路基板的所述頂面具有相同的平整度，且使得多個所述發光晶片的多個所述發光面位於同一平面上。更進一步來說，當一整平基板透過一承載裝置的承載而同時壓在多個所述發光晶片的多個所述發光面上時，多個所述發光晶片的多個所述發光面相距所述電路基板的所述頂面的距離都相同。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種發光晶片承載結構的製作方法，其包括：將多個發光晶片移轉到一電路基板上，使得每一所述發光晶片透過兩個初始導電材料而電性連接於所述電路基板；透過一承載裝置帶動一整平基板，以同時對多個所述發光晶片施加一壓力，使得多個所述發光晶片的多個發光面相距所述電路基板的一頂面的距離都相同；在多個所述發光晶片被所述整平基板所施壓的同時，透過一加熱裝置硬化多個所述導電材料，以將每一所述發光晶片固定在相對應的兩個所述導電材料上；以及，透過所述承載裝置移除所述整平基板。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種發光晶片承載結構的製作方法，其包括：將多個發光晶片移轉到一電路基板上；透過一承載裝置帶動一整平基板，以同時對多個所述發光晶片施加一壓力，使得多個所述發光晶片的多個發光面相距所述電路基板的一頂面的距離都相同；在多個所述發光晶片被所述整平基板所施壓的同時，透過一加熱裝置以將多個所述發光晶片固定在所述電路基板上；以及，透過所述承載裝置移除所述整平基板。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光晶片承載結構，其能通過“所述電路基板包括多個導電焊墊以及分別設置在多個所述導電焊墊上的多個導電材料”以及“所述發光群組包括多個發光晶片，每一所述發光晶片具有分別電性接觸相對應的兩個所述導電材料的兩個導電接點，且多個所述發光晶片的多個發光面相距所述電路基板的一頂面的距離都相同”的技術方案，以使得多個所述發光晶片的多個所述發光面相對於所述電路基板的所述頂面具有相同的平整度，並且使得多個所述發光晶片的多個所述發光面能位於同一平面上。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的發光晶片承載結構的製作方法，其能通過“透過一承載裝置帶動一整平基板，以同時對多個所述發光晶片施加一壓力，使得多個所述發光晶片的多個發光面相距所述電路基板的一頂面的距離都相同”以及“在多個所述發光晶片被所述整平基板所施壓的同時，透過一加熱裝置以將多個所述發光晶片固定在所述電路基板上”的技術方案，以使得多個所述發光晶片的多個所述發光面相對於所述電路基板的所述頂面具有相同的平整度，並且使得多個所述發光晶片的多個所述發光面能位於同一平面上。
為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光晶片承載結構及其製作方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
請參閱圖1至圖14所示，本發明提供一種發光晶片承載結構S，其包括：一電路基板1以及一發光群組2。電路基板1包括多個導電焊墊100以及分別設置在多個導電焊墊100上的多個導電材料B。另外，發光群組2包括多個發光晶片20，並且每一發光晶片20具有分別電性接觸相對應的兩個導電材料B的兩個導電接點200。藉此，由於多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離都相同，以使得多個發光晶片20的多個發光面2000相對於電路基板1的頂面1000具有相同的平整度，並且使得多個發光晶片20的多個發光面2000能位於同一平面P上。
請參閱圖1至圖14所示，本發明提供一種發光晶片承載結構的製作方法，其包括：首先，配合圖1與圖3（或者配合圖1與圖11）所示，將多個發光晶片20移轉到一電路基板1上；接著，配合圖1與圖4（或者配合圖1與圖12）所示，透過一承載裝置D1帶動一整平基板F，以同時對多個發光晶片20施加一壓力，使得多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同；然後，配合圖1與圖5（或者配合圖1與圖13所示），在多個發光晶片20被整平基板F所施壓的同時，透過一加熱裝置D2以將多個發光晶片20固定在電路基板1上；緊接著，配合圖1與圖6（或者配合圖1與圖14）所示，透過承載裝置D1移除整平基板F。
舉例來說，配合圖2與圖3所示，在將多個發光晶片20移轉到電路基板1上的步驟中，發光晶片承載結構的製作方法進一步包括：首先，如圖2所示，將多個發光晶片20設置在整平基板F的一黏著層F1000上；然後，如圖3所示，透過承載裝置D1移動整平基板F，以將每一發光晶片20設置在電路基板1的兩個初始導電材料b上，使得每一發光晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個初始導電材料b而分別電性連接於電路基板1的兩個導電焊墊100。
舉例來說，配合圖7與圖3所示，在將多個發光晶片20移轉到電路基板1上的步驟中，發光晶片承載結構的製作方法進一步包括：首先，如圖7所示，將多個發光晶片20設置在整平基板F的一黏著層F1000上，每一發光晶片20承載兩個初始導電材料b；然後，如圖3所示，透過承載裝置D1移動整平基板F，以將每一發光晶片20的兩個初始導電材料b分別設置在電路基板1的兩個導電焊墊100上，使得每一發光晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個初始導電材料b而分別電性連接於相對應的兩個導電焊墊100。
[第一實施例]
參閱圖1至圖6所示，本發明第一實施例提供一種發光晶片承載結構的製作方法，其包括：首先，配合圖1至圖3所示，將多個發光晶片20移轉到一電路基板1上，使得每一發光晶片20能透過兩個初始導電材料b而電性連接於電路基板1（步驟S100）；接著，配合圖1、圖3與圖4所示，透過一承載裝置D1帶動一整平基板F，以同時對多個發光晶片20施加一壓力（如圖4中向下的箭頭所示），使得多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同（步驟S102）；然後，配合圖1與圖5所示，在多個發光晶片20被整平基板F所施壓的同時，透過一加熱裝置D2硬化多個導電材料B，以將每一發光晶片20固定在相對應的兩個導電材料B上（步驟S104）；緊接著，配合圖1、圖5與圖6所示，透過承載裝置D1移除整平基板F（步驟S106）。值得注意的是，配合圖5與圖6所示，當多個導電材料B透過加熱裝置D2而硬化時，發光晶片20與導電材料B之間的結合力就會大於發光晶片20與黏著層F1000之間的結合力，所以整平基板F就可以透過承載裝置D1帶動而離開多個發光晶片20。
更進一步來說，配合圖1至圖3所示，在將多個發光晶片20移轉到電路基板1上的步驟S100中，發光晶片承載結構的製作方法進一步包括：首先，配合圖1與圖2所示，將多個發光晶片20設置在整平基板F的一黏著層F1000上（步驟S100(A)）；然後，配合圖1至圖3所示，透過承載裝置D1移動整平基板F，以將每一發光晶片20設置在電路基板1的兩個初始導電材料b上，使得每一發光晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個初始導電材料b而分別電性連接於電路基板1的兩個導電焊墊100（步驟S100(B)）。
更進一步來說，配合圖1、圖3與圖7所示，在將多個發光晶片20移轉到電路基板1上的步驟S100中，發光晶片承載結構的製作方法進一步包括：首先，配合圖1與圖7所示，將多個發光晶片20設置在整平基板F的一黏著層F1000上，每一發光晶片20承載相對應的兩個初始導電材料b（步驟S100(C)）；然後，配合圖1、圖3與圖7所示，透過承載裝置D1移動整平基板F，以將每一發光晶片20的兩個初始導電材料b分別設置在電路基板1的兩個導電焊墊100上，使得每一發光晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個初始導電材料b而分別電性連接於相對應的兩個導電焊墊100（步驟S100(D)）。
舉例來說，在其中一實施例中，發光晶片20可為一無基底的微發光二極體晶片，並且無基底的微發光二極體晶片包括一P型半導體層、設置在P型半導體層上的一發光層以及設置在發光層上的一N型半導體層。另外，在另外一實施例中，發光晶片20可為一次毫米發光二極體晶片，並且次毫米發光二極體晶片包括一半導體基底、設置在半導體基底上的一P型半導體層、設置在P型半導體層上的一發光層以及設置在發光層上的一N型半導體層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，初始導電材料b或者導電材料B可為錫球、錫膏或者任何的焊接用材料，並且整平基板F可以是透光或者不透光的壓板，例如塑膠壓板、玻璃壓板或者任何材質的壓板。另外，承載裝置D1可為吸嘴、夾持器或者任何可承載或者帶動整平基板F的承載裝置，並且承載裝置D1可以避開而不影響加熱裝置D2對多個導電材料B的加熱。此外，加熱裝置D2可為雷射光加熱器、紅外線加熱器、微波加熱器或者任何可對導電材料B提供熱能的加熱裝置。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
更進一步來說，如圖6所示，本發明第一實施例提供一種發光晶片承載結構S，其包括：一電路基板1以及一發光群組2。電路基板1包括多個導電焊墊100以及分別設置在多個導電焊墊100上的多個導電材料B。另外，發光群組2包括多個發光晶片20，並且每一發光晶片20具有分別電性接觸相對應的兩個導電材料B的兩個導電接點200。藉此，由於多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同，以使得多個發光晶片20的多個發光面2000相對於電路基板1的頂面1000具有相同的平整度，並且使得多個發光晶片20的多個發光面2000能位於同一平面P上。值得注意的是，配合圖3與圖4所示，當一整平基板F透過一承載裝置D1的承載而同時壓在多個發光晶片20的多個發光面2000上時，多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的頂面1000的距離D都相同。
[第二實施例]
參閱圖1以及圖8至圖14所示，本發明第二實施例提供一種發光晶片承載結構的製作方法，其包括：首先，配合圖1與圖10所示，將多個發光晶片20移轉到一電路基板1上，使得每一發光晶片20能透過兩個初始導電材料b而電性連接於電路基板1（步驟S200）；接著，配合圖1、圖11與圖12所示，透過一承載裝置D1帶動一整平基板F（無黏著層），以同時對多個發光晶片20施加一壓力（如圖12中向下的箭頭所示），使得多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同（步驟S202）；然後，配合圖1與圖13所示，在多個發光晶片20被整平基板F所施壓的同時，透過一加熱裝置D2硬化多個導電材料B，以將每一發光晶片20固定在相對應的兩個導電材料B上（步驟S204）；緊接著，配合圖1、圖13與圖14所示，透過承載裝置D1移除整平基板F（步驟S206）。
更進一步來說，配合圖1、圖8、圖10與圖11所示，在將多個發光晶片20移轉到電路基板1上的步驟S200中，發光晶片承載結構的製作方法進一步包括：透過一晶片取放裝置D3，以將每一發光晶片20設置在電路基板1的兩個初始導電材料b上，使得每一發光晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個初始導電材料b而分別電性連接於電路基板1的兩個導電焊墊100（步驟S200(A)）。
更進一步來說，配合圖1、圖9、圖10與圖11所示，在將多個發光晶片20移轉到電路基板1上的步驟S200中，發光晶片承載結構的製作方法進一步包括：透過一晶片取放裝置D3，以將每一發光晶片20所承載的兩個初始導電材料b分別設置在電路基板1的兩個導電焊墊100上，使得每一發光晶片20的兩個導電接點200分別透過相對應的兩個初始導電材料b而分別電性連接於電路基板1的兩個導電焊墊100（步驟S200(B)）。
舉例來說，在其中一實施例中，發光晶片20可為一無基底的微發光二極體晶片，並且無基底的微發光二極體晶片包括一P型半導體層、設置在P型半導體層上的一發光層以及設置在發光層上的一N型半導體層。另外，在另外一實施例中，發光晶片20可為一次毫米發光二極體晶片，並且次毫米發光二極體晶片包括一半導體基底、設置在半導體基底上的一P型半導體層、設置在P型半導體層上的一發光層以及設置在發光層上的一N型半導體層。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，初始導電材料b或者導電材料B可為錫球、錫膏或者任何的焊接用材料，並且整平基板F可以是透光或者不透光的壓板，例如塑膠壓板、玻璃壓板或者任何材質的壓板。另外，承載裝置D1可為吸嘴、夾持器或者任何可承載或者帶動整平基板F的承載裝置，並且承載裝置D1可以避開而不影響加熱裝置D2對多個導電材料B的加熱。此外，加熱裝置D2可為雷射光加熱器、紅外線加熱器、微波加熱器或者任何可對導電材料B提供熱能的加熱裝置。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
更進一步來說，如圖14所示，本發明第二實施例提供一種發光晶片承載結構S，其包括：一電路基板1以及一發光群組2。電路基板1包括多個導電焊墊100以及分別設置在多個導電焊墊100上的多個導電材料B。另外，發光群組2包括多個發光晶片20，並且每一發光晶片20具有分別電性接觸相對應的兩個導電材料B的兩個導電接點200。藉此，由於多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同，以使得多個發光晶片20的多個發光面2000相對於電路基板1的頂面1000具有相同的平整度，並且使得多個發光晶片20的多個發光面2000能位於同一平面P上。值得注意的是，配合圖11與圖12所示，當一整平基板F透過一承載裝置D1的承載而同時壓在多個發光晶片20的多個發光面2000上時，多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的頂面1000的距離D都相同。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光晶片承載結構S，其能通過“電路基板1包括多個導電焊墊100以及分別設置在多個導電焊墊100上的多個導電材料B”以及“發光群組2包括多個發光晶片20，每一發光晶片20具有分別電性接觸相對應的兩個導電材料B的兩個導電接點200，且多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同”的技術方案，以使得多個發光晶片20的多個發光面2000相對於電路基板1的頂面1000具有相同的平整度，並且使得多個發光晶片20的多個發光面2000能位於同一平面P上。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的發光晶片承載結構的製作方法，其能通過“透過一承載裝置D1帶動一整平基板F，以同時對多個發光晶片20施加一壓力，使得多個發光晶片20的多個發光面2000相距電路基板1的一頂面1000的距離D都相同”以及“在多個發光晶片20被整平基板F所施壓的同時，透過一加熱裝置D2以將多個發光晶片20固定在電路基板1上”的技術方案，以使得多個發光晶片20的多個發光面2000相對於電路基板1的頂面1000具有相同的平整度，並且使得多個發光晶片20的多個發光面2000能位於同一平面P上。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
S:發光晶片承載結構 1:電路基板 100:導電焊墊 1000:頂面 2:發光群組 20:發光晶片 200:導電接點 2000:發光面 b:初始導電材料 B:導電材料 D1:承載裝置 D2:加熱裝置 D3:晶片取放裝置 F:整平基板 F1000:黏著層 P:平面 D:距離
圖1為本發明所提供的發光晶片承載結構的製作方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S100(A)的示意圖。
圖3為本發明第一實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S100、步驟S100(B)與步驟S100(D)的示意圖。
圖4為本發明第一實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S102的示意圖。
圖5為本發明第一實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S104的示意圖。
圖6為本發明第一實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S106的示意圖，也是本發明第一實施例所提供的發光晶片承載結構的示意圖。
圖7為本發明第一實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S100(C)的示意圖。
圖8為本發明第二實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S200(A)的示意圖。
圖9為本發明第二實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S200(B)的示意圖。
圖10為本發明第二實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S200被執行前的示意圖。
圖11為本發明第二實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S200被執行後的示意圖。
圖12為本發明第二實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S202的示意圖。
圖13為本發明第二實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S204的示意圖。
圖14為本發明第二實施例所提供的發光晶片承載結構的製作方法的步驟S206的示意圖，也是本發明第二實施例所提供的發光晶片承載結構的示意圖。
1:電路基板
100:導電焊墊
20:發光晶片
200:導電接點
B:導電材料
D1:承載裝置
D2:加熱裝置
F:整平基板
F1000:黏著層

Claims (10)

  1. 一種發光晶片承載結構，其包括： 一電路基板，所述電路基板包括多個導電焊墊以及分別設置在多個所述導電焊墊上的多個導電材料；以及 一發光群組，所述發光群組包括多個發光晶片，每一所述發光晶片具有分別電性接觸相對應的兩個所述導電材料的兩個導電接點，且多個所述發光晶片的多個發光面相距所述電路基板的一頂面的距離都相同，以使得多個所述發光晶片的多個所述發光面相對於所述電路基板的所述頂面具有相同的平整度，且使得多個所述發光晶片的多個所述發光面位於同一平面上。
  2. 如請求項1所述的發光晶片承載結構，其中，當一整平基板透過一承載裝置的承載而同時壓在多個所述發光晶片的多個所述發光面上時，多個所述發光晶片的多個所述發光面相距所述電路基板的所述頂面的距離都相同。
  3. 一種發光晶片承載結構的製作方法，其包括： 將多個發光晶片移轉到一電路基板上，使得每一所述發光晶片透過兩個初始導電材料而電性連接於所述電路基板； 透過一承載裝置帶動一整平基板，以同時對多個所述發光晶片施加一壓力，使得多個所述發光晶片的多個發光面相距所述電路基板的一頂面的距離都相同； 在多個所述發光晶片被所述整平基板所施壓的同時，透過一加熱裝置硬化多個所述導電材料，以將每一所述發光晶片固定在相對應的兩個所述導電材料上；以及 透過所述承載裝置移除所述整平基板。
  4. 如請求項3所述的發光晶片承載結構的製作方法，其中，在將多個所述發光晶片移轉到所述電路基板上的步驟中，所述發光晶片承載結構的製作方法進一步包括： 將多個所述發光晶片設置在所述整平基板的一黏著層上；以及 透過所述承載裝置移動所述整平基板，以將每一所述發光晶片設置在所述電路基板的兩個所述初始導電材料上，使得每一所述發光晶片的兩個導電接點分別透過相對應的兩個所述初始導電材料而分別電性連接於所述電路基板的兩個導電焊墊。
  5. 如請求項3所述的發光晶片承載結構的製作方法，其中，在將多個所述發光晶片移轉到所述電路基板上的步驟中，所述發光晶片承載結構的製作方法進一步包括： 將多個所述發光晶片設置在所述整平基板的一黏著層上，每一所述發光晶片承載相對應的兩個所述初始導電材料；以及 透過所述承載裝置移動所述整平基板，以將每一所述發光晶片的兩個所述初始導電材料分別設置在所述電路基板的兩個導電焊墊上，使得每一所述發光晶片的兩個導電接點分別透過相對應的兩個所述初始導電材料而分別電性連接於相對應的兩個所述導電焊墊。
  6. 如請求項3所述的發光晶片承載結構的製作方法，其中，在將多個所述發光晶片移轉到所述電路基板上的步驟中，所述發光晶片承載結構的製作方法進一步包括：透過一晶片取放裝置，以將每一所述發光晶片設置在所述電路基板的兩個所述初始導電材料上，使得每一所述發光晶片的兩個導電接點分別透過相對應的兩個所述初始導電材料而分別電性連接於所述電路基板的兩個導電焊墊。
  7. 如請求項3所述的發光晶片承載結構的製作方法，其中，在將多個所述發光晶片移轉到所述電路基板上的步驟中，所述發光晶片承載結構的製作方法進一步包括：透過一晶片取放裝置，以將每一所述發光晶片所承載的兩個所述初始導電材料分別設置在所述電路基板的兩個導電焊墊上，使得每一所述發光晶片的兩個導電接點分別透過相對應的兩個所述初始導電材料而分別電性連接於所述電路基板的兩個導電焊墊。
  8. 一種發光晶片承載結構的製作方法，其包括： 將多個發光晶片移轉到一電路基板上； 透過一承載裝置帶動一整平基板，以同時對多個所述發光晶片施加一壓力，使得多個所述發光晶片的多個發光面相距所述電路基板的一頂面的距離都相同； 在多個所述發光晶片被所述整平基板所施壓的同時，透過一加熱裝置以將多個所述發光晶片固定在所述電路基板上；以及 透過所述承載裝置移除所述整平基板。
  9. 如請求項8所述的發光晶片承載結構的製作方法，其中，在將多個所述發光晶片移轉到所述電路基板上的步驟中，所述發光晶片承載結構的製作方法進一步包括： 將多個所述發光晶片設置在所述整平基板的一黏著層上；以及 透過所述承載裝置移動所述整平基板，以將每一所述發光晶片設置在所述電路基板的兩個初始導電材料上，使得每一所述發光晶片的兩個導電接點分別透過相對應的兩個所述初始導電材料而分別電性連接於所述電路基板的兩個導電焊墊。
  10. 如請求項8所述的發光晶片承載結構的製作方法，其中，在將多個所述發光晶片移轉到所述電路基板上的步驟中，所述發光晶片承載結構的製作方法進一步包括： 將多個所述發光晶片設置在所述整平基板的一黏著層上，每一所述發光晶片承載兩個初始導電材料；以及 透過所述承載裝置移動所述整平基板，以將每一所述發光晶片的兩個所述初始導電材料分別設置在所述電路基板的兩個導電焊墊上，使得每一所述發光晶片的兩個導電接點分別透過相對應的兩個所述初始導電材料而分別電性連接於相對應的兩個所述導電焊墊。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3147765B2 (ja) * 1996-02-19 2001-03-19 松下電器産業株式会社 導電性ボールの搭載装置および搭載方法
US20050098890A1 (en) * 2003-10-08 2005-05-12 Stephan Blaszczak Method for producing an adhesive bond and adhesive bond between a chip and a planar surface
JP2005123657A (ja) * 2005-01-31 2005-05-12 Sanyo Electric Co Ltd チップ型発光素子およびその製造方法
CN2893920Y (zh) * 2006-04-26 2007-04-25 威强工业电脑股份有限公司 集成电路封装结构
CN101987322B (zh) * 2009-08-07 2013-04-24 晶元光电股份有限公司 芯片分类装置及芯片分类方法
CN102194707B (zh) * 2010-03-01 2013-03-27 南茂科技股份有限公司 制造半导体结构的方法
US8258633B2 (en) * 2010-03-31 2012-09-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor package and multichip arrangement having a polymer layer and an encapsulant
JP2012089579A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
CN102593067B (zh) * 2011-01-10 2014-09-17 三星半导体(中国)研究开发有限公司 焊点高度可控的平面栅格阵列封装互连结构及其制造方法
FR3033939B1 (fr) * 2015-03-20 2018-04-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a diode electroluminescente
WO2018169243A1 (ko) * 2017-03-13 2018-09-20 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 제조 방법
TWI653694B (zh) * 2017-09-13 2019-03-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光元件陣列製造方法、轉移載板以及微型發光元件陣列
CN109935610B (zh) * 2017-12-19 2023-04-07 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型元件结构
CN115207192A (zh) * 2017-12-26 2022-10-18 晶元光电股份有限公司 发光装置、其制造方法及显示模组
TWM561325U (zh) * 2018-02-14 2018-06-01 Uniflex Tech Inc 微發光二極體模組
CN111132459B (zh) * 2018-10-31 2021-08-03 台湾爱司帝科技股份有限公司 发光二极管芯片的固接方法及固接装置
US11387384B2 (en) * 2019-04-16 2022-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. LED transferring method and display module manufactured by the same
US11374149B2 (en) * 2019-05-09 2022-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing display device and source substrate structure
KR20210027848A (ko) * 2019-09-03 2021-03-11 삼성전자주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법

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