TW202324523A - 電子裝置的製造方法 - Google Patents

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方彣綺
紀仁海
黃治富
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Abstract

本揭露提供一種電子裝置的製造方法，包括以下步驟。首先，提供第一基板。接著，提供熱解膠於第一基板上。之後，對第一基板進行減薄製程，以形成第一薄化基板。再來，對第一薄化基板進行切割製程，以形成第一子基板。然後，將熱解膠與第一薄化基板或第一子基板分離。

Description

電子裝置的製造方法
本發明是有關於一種電子裝置的製造方法。
就電子裝置的應用，輕、薄、短、小是其中之一的發展方向。然而，為了使電子裝置更輕薄短小會進行減薄、切割等製程，於製程中可能會出現各種問題。因此，電子裝置在實現提高品質、產量、性能和可靠度以及簡化製造流程方面仍然存在挑戰。
本揭露提供一種電子裝置的製造方法，其可使電子裝置的製造流程簡化及/或減少缺陷產生。
根據本揭露的一些實施例提供的電子裝置的製造方法，其包括以下步驟。首先，提供第一基板。接著，提供熱解膠於第一基板上。之後，對第一基板進行減薄製程，以形成第一薄化基板。再來，對第一薄化基板進行切割製程，以形成第一子基板。然後，將熱解膠與第一薄化基板或第一子基板分離。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖作詳細說明如下。
透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。所屬領域中具通常知識者應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。
本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
當相應的構件（例如膜層或區域）被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向（orientation）。
術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該（或該些）元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、其他適合的元件，或上述元件的組合，但不限於此。
在本揭露中，長度、寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距的量測方式可以是採用光學顯微鏡（optical microscopy，OM）、掃描式電子顯微鏡（scanning electron microscope，SEM）、薄膜厚度輪廓測量儀（α-step）、橢圓測厚儀、或其它合適的方式量測而得，詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包括 欲量測的元件的剖面結構影像，並量測各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一值等於第二值，其隱含著第一值與第二值之間可存在著約10%的誤差；若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
電子裝置可具有本揭露實施例的複合層電路結構。本揭露的電子裝置可包括天線、顯示、發光、感測、觸控、拼接、封裝、其他適合的功能、或上述功能的組合，但不以此為限。電子裝置包括可捲曲或可撓式電子裝置，但不以此為限。電子裝置可例如包括液晶（liquid crystal）、發光二極體（light emitting diode，LED）、量子點（quantum dot，QD）、螢光（fluorescence）、磷光（phosphor）、封裝元件、其他適合之材料或上述之組合。發光二極體可例如包括有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、微型發光二極體（micro-LED、mini-LED）或量子點發光二極體（QLED、QDLED），但不以此為限。下文將以顯示裝置或拼接裝置做為電子裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容（capacitance）、電阻（resistor）、電感（inductance）、二極體（diodes）、電晶體、電路板、晶片（chip）、管芯（die）、積體電路（integrated circuits，IC）、封裝元件或上述元件的組合或其他合適的電子元件，不以此為限。二極體可包括發光二極體、光電二極體或可變電容二極體，不以此為限。發光二極體可例如包括有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、次毫米發光二極體（mini LED）、微發光二極體（micro LED）或量子點發光二極體（quantum dot LED），但不以此為限。封裝元件可例如包括電路重布層（redistribution layer），晶圓級封裝（WLP，wafer level packaging），面板級封裝（PLP，panel level packaging）等封裝元件，但不以此為限。
以下舉例本揭露的示範性實施例，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1A為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的局部剖面流程圖，且圖1B為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的局部製作流程的流程圖。
請同時參照圖1A以及圖1B，在步驟S100中，提供第一基板SB1。第一基板SB1可例如是硬質基板或可撓基板，其中第一基板SB1的材料可例如是玻璃、陶瓷、石英、藍寶石、塑膠或其組合，本揭露不以此為限。此外，本實施例未對第一基板SB1的透光率加以限制，即，第一基板SB1可例如是透光基板、半透光基板或不透光基板。在本實施例中，第一基板SB1的材料為玻璃。在一些實施例中，第一基板SB1可為線路基板。上述的線路基板可例如包括基底以及設置於此基底上的線路層，其中線路層可例如包括開關元件、驅動元件、顯示元件、感測元件、電路重布層（redistribution layer）、訊號線、接墊或其他合適的元件，且訊號線可例如是掃描線、資料線以及電源線的組合，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，可依電子裝置的需求於第一基板SB1上設置電子元件（未示出），其中電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容（capacitance）、電阻（resistor）、電感（inductance）、二極體（diodes）、電晶體、電路板、晶片（chip）、管芯（die）、積體電路（integrated circuits，IC）、封裝元件或上述元件的組合或其他合適的電子元件，不以此為限。
在步驟S110中，提供熱解膠TR於第一基板SB1上。第一基板SB1例如具有彼此相對的表面s11以及表面s12，其中第一基板SB1的表面s11上例如設置有線路層（未示出）。在一些實施例中，熱解膠TR與第一基板SB1上設置有線路層的表面s11接觸。熱解膠TR可例如用於使第一基板SB1與其餘構件暫時地接合；或者熱解膠TR可例如作為第一基板SB1的保護層，本揭露不以此為限。熱解膠TR的材料可例如是丙烯酸系樹脂等材料，且可例如在提高至特定的溫度時降低其黏性，本揭露不以此為限。
在步驟S115中，提供第二基板SB2於熱解膠TR上。第二基板SB2可例如與第一基板SB1相同或相似，於此不再贅述。第二基板SB2例如具有彼此相對的表面s21以及表面s22，其中第二基板SB2的表面s21上例如設置有線路層（未示出）。在一些實施例中，第二基板SB2上設置有線路層的表面s21與熱解膠TR接觸。從另一個角度來看，熱解膠TR在第一方向d1上設置於第一基板SB1與第二基板SB2之間。
在步驟S120中，對第一基板SB1進行減薄製程TP1，以形成第一薄化基板SB1’。在一些實施例中，對第一基板SB1進行減薄製程TP1可包括進行蝕刻製程、拋光製程或其組合。在本實施例中，對第一基板SB1進行減薄製程TP1為進行濕式蝕刻製程，其中使用的蝕刻液包括氫氟酸，但本揭露不以此為限。值得說明的是，本實施例還包括對第二基板SB2進行減薄製程TP1，以形成第二薄化基板SB2’。詳細地說，在進行減薄製程TP1之後，可移除部分的第一基板SB1以及部分的第二基板SB2，以形成第一薄化基板SB1’以及第二薄化基板SB2’。舉例而言，第一基板SB1的遠離熱解膠TR的表面s12以及第二基板SB2的遠離熱解膠TR的表面s22可被蝕刻液蝕刻，以使第一薄化基板SB1’在第一方向d1的厚度以及第二薄化基板SB2’在第一方向d1的厚度減少。
在步驟S130中，將熱解膠TR與第一薄化基板SB1’分離。即，對熱解膠TR與第一薄化基板SB1’進行分離製程SP。在一些實施例中，可通過提高至適當的溫度使得熱解膠TR降低黏性，從而使熱解膠TR與第一薄化基板SB1’分離。舉例而言，可通過乾式熱解製程或濕式熱解製程使熱解膠TR與第一薄化基板SB1’分離，其中進行乾式熱解製程包括利用烤箱，且進行濕式熱解製程包括利用水槽，本揭露不以此為限。可例如從熱解膠TR在溫度提升後是否變色來判斷其是否降低黏性，但本揭露不以此為限。值得說明的是，本實施例還包括將熱解膠TR與第二薄化基板SB2’分離。
在步驟S140中，對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP，以形成第一子基板FB1。在一些實施例中，對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP包括進行雷射切割製程、刀輪切割製程或其組合。在本實施例中，對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP為進行雷射切割製程，但本揭露不以此為限。舉例而言，可利用雷射切割元件（未示出）對第一薄化基板SB1’進行切割。此雷射切割元件可例如包括雷射產生單元（未示出）以及雷射控制單元（未示出），其中雷射產生單元可產生雷射光束，並將此雷射光束照射至第一薄化基板SB1’的表面以對其進行切割製程，雷射控制單元例如與雷射產生單元電性連接，且可用以接收來自例如處理裝置（未示出）的雷射控制參數來控制雷射產生單元產生的雷射光束的能量大小以及射出時機，但本揭露不以此為限。值得說明的是，本實施例還包括對第二薄化基板SB2’進行切割製程CP，以形成第二子基板FB2。
雖然本實施例示出在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP之前將熱解膠TR與第一薄化基板SB1’分離，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP以形成第一子基板FB1之後，才將熱解膠TR與第一子基板FB1分離。
在一些實施例中，在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP以形成第一子基板FB1之後，還包括進行步驟S145：對第一子基板FB1進行磨邊製程EP。舉例而言，可利用磨邊元件（未示出）對第一子基板FB1進行磨邊製程EP，以形成磨邊後的第一子基板FB1’。在一些實施例中，磨邊製程EP可在負壓環境且無研磨液的情況下進行，也可在有研磨液的情況下進行，但本揭露不以此為限。通過對第一子基板FB1進行磨邊製程EP可去除可能因切割製程CP產生的裂痕或缺陷，以提升磨邊後的第一子基板FB1’的強度及/或可靠度。在一些實施例中，可通過對第一子基板FB1進行磨邊製程EP而使磨邊後的第一子基板FB1’具有倒角，但本揭露不以此為限。
在步驟S150中，在磨邊後的第一子基板FB1’上形成或設置電子元件ED，以形成電子裝置10a。在一些實施例中，電子元件ED可設置有多個。多個電子元件ED例如可以陣列排列、交錯排列（例如pentile方式）或其他方式設置於磨邊後的第一子基板FB1’的表面s11上，且與線路層電性連接，本揭露不以此為限。在本實施例中，電子元件ED包括二極體，例如包括可變電容二極體，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，電子元件ED包括多個發光元件，其可發出各種合適的顏色光或UV光，例如包括有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、無機發光二極體（inorganic light emitting diode，LED），例如次毫米發光二極體（mini LED）或微發光二極體（micro LED）、量子點（quantum dot，QD）、量子點發光二極體（QLED、QDLED）、螢光（fluorescence）、磷光（phosphor）、其他適合的材料或上述材料的組合，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，電子元件ED可包括封裝元件，例如包括電路重布層（redistribution layer），面板級封裝（PLP，panel level packaging）但本揭露不以此為限。值得說明的是，本實施例亦可對第二子基板FB2進行磨邊製程EP，以形成磨邊後的第二子基板FB2’。另外，本實施例還可包括在磨邊後的第二子基板FB2’的表面s21上形成或設置電子元件ED，以形成電子裝置10a’，本揭露不以此為限。
至此，完成電子裝置10a及/或電子裝置10a’的製作流程。值得說明的是，本實施例的電子裝置10a及/或電子裝置10a’的製造方法雖然是以上述方法為例進行說明，然而本揭露的電子裝置10a及/或電子裝置10a’的製造方法並不以此為限，可根據需求刪除上述部分的步驟，或加入其他步驟。另外，上述步驟可根據需求調整順序。
圖2A為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的局部剖面流程圖，且圖2B為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的局部製作流程的流程圖。須說明的是，圖2A以及圖2B的實施例可各自沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
圖2A以及圖2B示出的電子裝置10b及/或電子裝置10b’的製作方法與前述的電子裝置10a及/或電子裝置10a’的製作方法其中之一不同之處在於：在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP以形成第一子基板FB1之後，再將熱解膠TR與第一子基板FB1分離。
請同時參照圖2A以及圖2B，步驟S200、步驟S210、步驟S215、步驟S220、步驟S245以及步驟S250可例如各自與步驟S100、步驟S110、步驟S115、步驟S120、步驟S145以及步驟S150相同或相似，於此不再贅述。
在步驟S230中，對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP，以形成第一子基板FB1。值得說明的是，本實施例還對第二薄化基板SB2’進行切割製程CP，以形成第二子基板FB2，其中可同時對第一薄化基板SB1’以及第二薄化基板SB2’進行切割製程CP，可例如由表面S22與表面S12兩側提供雷射，同時對第一薄化基板SB1’以及第二薄化基板SB2’進行切割製程CP，也可由表面S22或表面S12其中一側提供雷射，對第一薄化基板SB1’以及第二薄化基板SB2’進行切割製程CP，本揭露不以此為限。在本實施例中，對第一薄化基板SB1’以及第二薄化基板SB2’進行切割製程CP包括進行雷射切割製程，其中進行雷射切割製程的方法可參照前述實施例，於此不再贅述。
在步驟S240中，將熱解膠TR與第一子基板FB1分離，其中將熱解膠TR與第一子基板FB1分離的方法可參照前述實施例，於此不再贅述。值得說明的是，本實施例還包括將熱解膠TR與第二子基板FB2分離。
雖然本實施例示出在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP之後將熱解膠TR與第一子基板FB1分離，但本揭露不以此為限。本實施例在步驟S245中，將對第一子基板FB1進行磨邊製程EP。在一些實施例中，可以將圖2B中步驟S245移至步驟S230與步驟S240之間，即在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP之後，進行步驟S245，對第一子基板FB1進行磨邊製程EP，之後再進行步驟S240，將熱解膠TR與磨邊後的第一子基板FB1’分離。在一些實施例中，也可對第二薄化基板SB2’進行切割製程CP之後，對第二子基板FB2進行磨邊製程EP，之後再將熱解膠TR與磨邊後的第二子基板FB2’分離。
至此，完成電子裝置10b及/或電子裝置10b’的製作流程。值得說明的是，本實施例的電子裝置10b及/或電子裝置10b’的製造方法雖然是以上述方法為例進行說明，然而本揭露的電子裝置10b及/或電子裝置10b’的製造方法並不以此為限，可根據需求刪除上述部分的步驟，或加入其他步驟。另外，上述步驟可根據需求調整順序。
圖3A為本揭露第三實施例的電子裝置的製造方法的局部剖面流程圖，且圖3B為本揭露第三實施例的電子裝置的製造方法的局部製作流程的流程圖。須說明的是，圖3A以及圖3B的實施例可各自沿用圖1A以及圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
請同時參照圖3A以及圖3B，在步驟S300中，提供第一基板SB1。第一基板SB1的材料及其所包括的構件可參照前述實施例，於此不再贅述。
在步驟S310中，提供熱解膠TR於第一基板SB1上。熱解膠TR的材料及其特性可參照前述實施例，於此不再贅述。
在一些實施例中，還包括進行步驟S315：提供耐酸膠AA於熱解膠TR上。在一些實施例中，耐酸膠AA與熱解膠TR接觸。從另一個角度來看，熱解膠TR在第一方向d1上設置於第一基板SB1與耐酸膠AA之間。耐酸膠AA可例如用於減少第一基板SB1在進行後續的濕式蝕刻製程時因其使用的蝕刻液而被腐蝕的情形，以進一步作為第一基板SB1的保護層，本揭露不以此為限。耐酸膠AA的材料可例如是丙烯酸系樹脂等材料，且可例如為耐氫氟酸膠，但本揭露不以此為限。
在步驟S320中，對第一基板SB1進行減薄製程TP1，以形成第一薄化基板SB1’。在一些實施例中，對第一基板SB1進行減薄製程TP1可包括進行蝕刻製程、拋光製程或其組合。在本實施例中，對第一基板SB1進行減薄製程TP1為進行濕式蝕刻製程，其中使用的蝕刻液包括氫氟酸，但本揭露不以此為限。在進行減薄製程TP1之後，可移除部分的第一基板SB1，以形成第一薄化基板SB1’。舉例而言，第一基板SB1的遠離熱解膠TR的表面s12可被蝕刻液蝕刻，而使第一薄化基板SB1’在第一方向d1的厚度減少。值得說明的是，本實施例由於設置有耐酸膠AA，因此在第一基板SB1的靠近熱解膠TR的表面s11可未被蝕刻，即，在第一基板SB1的表面s11上的耐酸膠AA被蝕刻而形成薄化的耐酸膠AA’。
在步驟S330中，對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP，以形成第一子基板FB1。在本實施例中，對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP包括進行雷射切割製程，其中進行雷射切割製程的方法可參照前述實施例，於此不再贅述。值得說明的是，本實施例還對薄化的耐酸膠AA’進行切割製程CP。在本實施例中，對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP以及對薄化的耐酸膠AA’進行切割製程CP使用的雷射光束的能量大小及/或射出時機可不同，本揭露不以此為限。
在步驟S340中，將熱解膠TR與第一子基板FB1分離，即，對熱解膠TR與第一子基板FB1進行分離製程SP。其中將熱解膠TR與第一子基板FB1分離的方法可參照前述實施例，於此不再贅述。值得說明的是，設置於熱解膠TR上的薄化的耐酸膠AA’也因此與第一子基板FB1分離。
在一些實施例中，在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP之後，還包括進行步驟S345：對第一子基板FB1進行磨邊製程EP，以形成磨邊後的第一子基板FB1’，其中對第一子基板FB1進行磨邊製程EP的方法可參照前述實施例，於此不再贅述。在一些實施例中，可以將圖3B中步驟S345移至步驟S330與步驟S340之間，即在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP之後，進行步驟S345，對第一子基板FB1進行磨邊製程EP，之後再進行步驟S340，將熱解膠TR與磨邊後的第一子基板FB1’分離。
在步驟S350中，在磨邊後的第一子基板FB1’的表面s11上形成或設置電子元件ED，以形成電子裝置10c。電子元件ED的種類可參照前述實施例，於此不再贅述。
至此，完成電子裝置10c的製作流程。值得說明的是，本實施例的電子裝置10c的製造方法雖然是以上述方法為例進行說明，然而本揭露的電子裝置10c的製造方法並不以此為限，可根據需求刪除上述部分的步驟，或加入其他步驟。另外，上述步驟可根據需求調整順序。
圖4A為本揭露第四實施例的電子裝置的製造方法的局部剖面流程圖，且圖4B為本揭露第四實施例的電子裝置的製造方法的局部製作流程的流程圖。須說明的是，圖4A以及圖4B的實施例可各自沿用圖3A以及圖3B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
圖4A以及圖4B示出的電子裝置10d的製作方法與前述的電子裝置10c的製作方法的不同之處在於：未提供耐酸膠AA於第一基板SB1上，且對第一基板SB1進行的減薄製程TP2為拋光製程。
請同時參照圖4A以及圖4B，在步驟S400中，提供第一基板SB1。第一基板SB1的材料及其所包括的構件可參照前述實施例，於此不再贅述。
在步驟S410中，提供熱解膠TR於第一基板SB1上。熱解膠TR的材料及其特性可參照前述實施例，於此不再贅述。
在步驟S420中，對第一基板SB1進行減薄製程TP2，以形成第一薄化基板SB1’。在本實施例中，對第一基板SB1進行的減薄製程TP2為拋光製程。舉例而言，可利用拋光元件（未示出）對第一基板SB1進行拋光，以形成第一薄化基板SB1’。此拋光元件可例如包括拋光墊（未示出）以及拋光頭（未示出），其中可例如通過使拋光墊以及拋光頭向第一基板SB1施加機械能來進行減薄製程TP2，但本揭露不以此為限。
在步驟S430中，對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP，以形成第一子基板FB1。在本實施例中，對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP可包括進行雷射切割製程或刀輪切割製程，其中進行雷射切割製程或刀輪切割製程的方法可參照前述實施例，於此不再贅述。
在步驟S440中，將熱解膠TR與第一子基板FB1分離，即，對熱解膠TR與第一子基板FB1進行分離製程SP。其中將熱解膠TR與第一子基板FB1分離的方法可參照前述實施例，於此不再贅述。
在一些實施例中，在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP之後，還包括進行步驟445：對第一子基板FB1進行磨邊製程EP，以形成磨邊後的第一子基板FB1’，其中對第一子基板FB1進行磨邊製程EP的方法可參照前述實施例，於此不再贅述。在一些實施例中，可以將圖4B中步驟S445移至步驟S430與步驟S440之間，即在對第一薄化基板SB1’進行切割製程CP之後，進行步驟S445，對第一子基板FB1進行磨邊製程EP，之後再進行步驟S440，將熱解膠TR與磨邊後的第一子基板FB1’分離。
在步驟S450中，在磨邊後的第一子基板FB1’上形成或設置電子元件ED，以形成電子裝置10d。電子元件ED的種類可參照前述實施例，於此不再贅述。
至此，完成電子裝置10d的製作流程。值得說明的是，本實施例的電子裝置10d的製造方法雖然是以上述方法為例進行說明，然而本揭露的電子裝置10d的製造方法並不以此為限，可根據需求刪除上述部分的步驟，或加入其他步驟。另外，上述步驟可根據需求調整順序。
綜上所述，本揭露的一些實施例提供一種電子裝置的製造方法，其在對線路基板（例如第一基板）進行減薄製程之前，先在第一基板設置有線路層的表面上設置熱解膠，並通過此熱解膠在第一基板上設置另一線路基板（例如第二基板）。由於熱解膠可保護設置在兩個線路基板上的線路層，且通過提高製程溫度可使其降低黏性以使兩個線路基板簡單地分離，基於此，本揭露的一些實施例製造出的電子裝置的製程可簡化，使得此電子裝置的製造成本可降低及/或減少缺陷產生的情形。
另外，本揭露的另一些實施例提供一種電子裝置的製造方法，其在對線路基板（例如第一基板）進行減薄製程之前，先在第一基板設置有線路層的表面上設置熱解膠，並通過此熱解膠在第一基板上設置耐酸膠。由於耐酸膠可保護設置在線路基板上的線路層在減薄製程中例如被蝕刻液腐蝕，且通過提高製程溫度可使熱解膠降低黏性以使線路基板與耐酸膠簡單地分離，基於此，本揭露的另一些實施例製造出的電子裝置的製程可簡化，使得此電子裝置的製造成本可降低及/或減少缺陷產生的情形。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，所屬領域中具通常知識者應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。各實施例間的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
10a、10a’、10b、10b’、10c、10d:電子裝置 AA:耐酸膠 AA’:薄化的耐酸膠 CP:切割製程 d1:第一方向 ED:電子元件 EP:磨邊製程 FB1:第一子基板 FB1’:磨邊後的第一子基板 FB2:第二子基板 FB2’:磨邊後的第二子基板 S100、S110、S115、S120、S130、S140、S145、S150、S200、S210、S215、S220、S230、S240、S245、S250、S300、S310、S315、S320、S330、S340、S345、S350、S400、S410、S420、S430、S440、S445、S450:步驟 s11、s12、s21、s22:表面 SB1:第一基板 SB1’:第一薄化基板 SB2:第二基板 SB2’:第二薄化基板 SP:分離製程 TP1、TP2:減薄製程 TR:熱解膠
包含附圖以便進一步理解本揭露，且附圖併入本說明書中並構成本說明書的一部分。附圖說明本揭露的實施例，並與描述一起用於解釋本揭露的原理。 圖1A為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的局部剖面流程圖。 圖1B為本揭露第一實施例的電子裝置的製造方法的局部製作流程的流程圖。 圖2A為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的局部剖面流程圖。 圖2B為本揭露第二實施例的電子裝置的製造方法的局部製作流程的流程圖。 圖3A為本揭露第三實施例的電子裝置的製造方法的局部剖面流程圖。 圖3B為本揭露第三實施例的電子裝置的製造方法的局部製作流程的流程圖。 圖4A為本揭露第四實施例的電子裝置的製造方法的局部剖面流程圖。 圖4B為本揭露第四實施例的電子裝置的製造方法的局部製作流程的流程圖。
10a、10a’:電子裝置
CP:切割製程
d1:第一方向
ED:電子元件
EP:磨邊製程
FB1:第一子基板
FB1’:磨邊後的第一子基板
FB2:第二子基板
FB2’:磨邊後的第二子基板
s11、s12、s21、s22:表面
SB1:第一基板
SB1’:第一薄化基板
SB2:第二基板
SB2’:第二薄化基板
SP:分離製程
TP1、TP2:減薄製程
TR:熱解膠

Claims (10)

  1. 一種電子裝置的製造方法，包括： 提供第一基板； 提供熱解膠於所述第一基板上； 對所述第一基板進行減薄製程，以形成第一薄化基板； 對所述第一薄化基板進行切割製程，以形成第一子基板；以及 將所述熱解膠與所述第一薄化基板或所述第一子基板分離。
  2. 如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其更包括提供耐酸膠於所述熱解膠上。
  3. 如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其更包括提供第二基板於所述熱解膠上。
  4. 如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其更包括對所述第一子基板進行磨邊製程。
  5. 如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中在對所述第一薄化基板進行所述切割製程之前將所述熱解膠與所述第一薄化基板分離。
  6. 如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中在對所述第一薄化基板進行所述切割製程之後將所述熱解膠與所述第一子基板分離。
  7. 如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中對所述第一基板進行所述減薄製程包括進行蝕刻製程、拋光製程或其組合。
  8. 如請求項7所述的電子裝置的製造方法，其中所述蝕刻製程包括濕式蝕刻製程，且在所述濕式蝕刻製程中使用的蝕刻液包括氫氟酸。
  9. 如請求項4所述的電子裝置的製造方法，其更包括於進行所述磨邊製程後的所述第一子基板上設置電子元件，其中所述電子元件包括可變電容二極體、封裝元件、發光元件或其組合。
  10. 如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其更包括對所述熱解膠進行所述切割製程。
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