TWI288380B - Liquid crystal display - Google Patents

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TWI288380B
TWI288380B TW093137490A TW93137490A TWI288380B TW I288380 B TWI288380 B TW I288380B TW 093137490 A TW093137490 A TW 093137490A TW 93137490 A TW93137490 A TW 93137490A TW I288380 B TWI288380 B TW I288380B
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Fumikazu Shimoshikiryoh
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Sharp Kk
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Description

1288380 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在液晶顯示器中可減小γ特徵之視角 相依性之結構及/或驅動方法。 【先前技術】 液晶顯示器係具有優異特徵的平板顯示器，包括高解析 度、小厚度、輕量以及低功率消耗。近來，隨著顯示性能 與生產能力的改進，以及相對於其他類型之顯示裝置之價 格競爭力的增強，液晶顯示器的市場規模不斷擴大。 傳統上常用的扭轉向列（ΤΝ)液晶顯示器在上方基板與下 方基板之間置有正介電各向異性之液晶分子，以使其長軸 之方向大致平行於基板表面，並且沿一液晶層之厚度而扭 轉90度。當將一電壓施加於該液晶層上時，該等液晶分子 平行於該電場而上升，從而解除扭轉對齊狀態。ΤΝ液晶顯 示器使用旋轉偏振的變化來控制透射光品質，該旋轉偏振 係由電壓所造成的液晶分子方向變化所致。 ΤΝ液晶顯示器提供較寬的製造限度與較高的生產力。另 一方面，其具有顯示性能問題，尤其是視角特徵。明確地 說，當傾斜地觀看ΤΝ液晶顯示器的顯示表面時，其顯示對 比度大幅下降。因此，即使從前方觀看時一影像清楚地呈 現複數個從白至黑的灰階，灰階之間的亮度差異在傾斜地 觀看該影像時仍非常不清楚。除此之外，還有一種現象（所 謂的灰階反轉）亦造成問題，即當從前方觀看顯得較暗的部 分在傾斜地觀看時顯得較亮。 98052-960607.doc 1288380 為了改進TN液晶顯示器的視角特徵，近來已開發出某此 液晶顯示器’包括日本專利公開案第63_219()7號中所述二 平面内切換（IPS)液晶顯示器、日本特許公開專利公開案= 11-242225號中所述的多域垂直對齊（MVA)液晶顯示器了日 本特許公開專利公開案第1(M8633G號中所述的軸向辦稱 微單元（ASM)顯不器以及日本特許公開專利公開案第 2002-55343號中所述之液晶顯示器。 採用上述任一新穎模式的液晶顯示器（寬視角模式）解決 有關視角特徵的具體問題。明確地說，當傾斜地觀看7\= 晶顯示器之顯示表面時，#不存在顯示對比度纟幅降低或 顯示灰階反轉的問題。 在液晶顯示器之顯示品質持續得到改進的情況下，有關 視角特徵的新問題隨之浮現出來，亦即，7特徵的視角相依 性，這表示從前面觀看顯示器時的γ特徵與傾斜地觀看顯示 器時的γ特徵不同。it會造成問冑，尤纟是在顯示照片之類 的影像或顯示電視廣播等之時。 γ特徵的視角相依性在MVA模式與ASM模式中比在11>8模 式中更為明顯。另一方面，相對KMVA4ASM面板，以高 生產力生產出能夠在從前方觀看時提供高對比度的IPS面 板更為困難。因而，需要減小MVA模式或ASM模式中丫特徵 的視角相依性。 本發明已針對上面的觀點加以敍述。其主要目的係要提 供具有減小的γ特徵之視角相依性之液晶顯示器。 【發明内容】 98052-960607.doc 1288380 為了達成上述目的，本發明之第一方面提供在正常黑色 模式中使用的液晶顯示器，其包含複數個像素，每個像素 具有一液晶層與複數個用於將電壓施加於該液晶層上的電 極，其中··該等複數個像素之每一像素包含一第一次像素 與一第二次像素，該等第一與第二次像素可將互不相同的 電壓施加於其個別液晶層上；並且當該等複數個像素之每 一像素顯示一灰階gk，其滿足kgi^gn，其中眇與糾係不小 於零的整數並且gk之較大的值對應於較高的亮度時，如果 假定 Δνΐ2^)=νΐαΐ<；)-ν2α]<；)，其中 vi(gk)與 V2(gk)分別係 施加於該第一次像素與該第二次像素之液晶層的均方根電 壓，則至少在0<gk^i-l之範圍内滿足關係Δνΐ2(§]〇>〇伏特 與AV12(gk)^V12(gk+l)。附帶提一下，本文中的，，像素，， 表示液晶顯示器上之最小顯示單位，並且在彩色顯示器的 情形下，其對應於顯示一個別色彩（典型的係R、G或B)的 π—圖像元素（或點）”。 可將該液晶顯示器配置成使得該等複數個像素之每一像 素包含一第三次像素，其可將一不同於該第一次像素與該 第二次像素之電壓的電壓施加於其液晶層上；並且當該等 複數個像素之母一像素顯示一灰階gk以及△ viygk) =Vl(gk)-V3(gk)時，若施加於該第三次像素之液晶層之均方 根電壓係V3(gk)，則滿足關係〇伏特<Avi3(gk)<Avi2(gk)。 較佳地’施加於該液晶層之均方根電壓至少在 之範圍中滿足一關係AV12(gk)》AV12(gk+l)。 杈佳地，當每一像素具有一第三次像素時，至少在 98052-960607.doc 1288380 gk sn 1之範圍内滿足關係△ △ 乂12(呂让+1)與 △V13(gk)之AVnCglc+l) 〇 ^較佳具體實施例中，該第—次像素與該第二次像素 包合·一液晶電容，其係由一對向電極以及一經由該液晶 層=與該對向電極相對的次像素電極所形成，以及-儲存 電谷’其係、由-電連接至該次像素電極之儲存電容電極、 、’、邑緣層以及-經由該絕緣層而與該儲存電容電極相對的 儲存電容對向電極所形成；並且該對向電極係由該第一次 像素與該第二次像素共享的單—電極，並且該第—次像素 與該第二次像素之該等儲存電容對向電極係彼此電性獨 立。一般而言’將對向電極提供於一反基板上（有時稱為 "共用電極，，）’但在IPS模式巾，將其提供於與次像素電極相 同的基板上。附帶提一下，"經由該液晶層與一次像素電極 對向之對向電極"不一定需要橫跨該液晶層之厚度而與次 像素電極相對。在一IPS液晶顯示器中，將其置於液晶層 中’使之橫跨液晶層與次像素電極相對。 在一較佳具體實施财，該液晶顯㈣包含兩個分別針 «第-次像素與該第二次像素而提供的切換元件，其中 藉由供應至一共用掃描線之掃描線信號電壓而開啟與關閉 該等兩個切換元件；當開啟該等兩個切換元件時，從一共 用信號線將顯示信號電壓施加於該第—次像素與該第二 像素之該等個別次像素電極與儲存電容電極上；= 等兩個切換元件之後，㈣—次像素與該第二次 : 等個別儲存電容對向電極之電壓發生變化；並且藉由該: 98052-960607.doc 1288380 化的方向與大小所定義的變化量在該第一次像素與該第二 次像素之間不同。此處不僅根據大小（絕對值），而且根據方 向來定義該儲存電容對向電極中的變化量。例如，該第一 次像素與該第二次像素之儲存電容對向電極之電壓的變化 量可能係絕對值相等，但符號不同。簡言之，如果在關閉 該等切換元件之後，電壓在該等儲存電容對向電極之一中 上升，而在另一儲存電容對向電極中下降，則該等變化的 絕對值可能相等。 較佳地，該液晶層係一垂直對齊的液晶層並包含具有負 介電各向異性的向列液晶材料。 較佳地，該第一次像素與該第二次像素之液晶層各包含 四個域，在施加電壓時該等域之液晶分子傾斜的方位方向 上，該等域分開大約90度。 較佳地，將該第一次像素與該第二次像素置放於共用信 號線之相反側；該第一次像素與該第二次像素在該對向電 極侧各具有複數個肋，其朝該等液晶層突出，並且該等複 數個肋包括-沿第-方向延伸的第一肋以及一沿大致與該 第-方向正交之第二方向延伸的第二肋；將該第一肋與該 第二肋關於—平行於該第—次像素與該第二次像素中每一 次像素中之該共用掃描線之巾（線對稱地放置，並且該等 第-與第二次像素之一中該第一肋與該第二肋的配置係關 於另-次像素中該第一肋與該第二肋之配置而對稱。 較佳地，平行於該第-次像素與該第二次像素之每一次 像素中的共用掃描線之中心線係按—等於該第一次像素與 98052.960607.doc _9 1288380 "亥第二次像素中該等掃描線之 隔放置。 陣列間距之大約一半的間 較佳地，該第一次像素之面積 二 之面積。當該等複數個像素之每：》° 亥第-次像素 次像素時，被施加最高均方根:二^ 不大於其他次像素的面積。 躓权住係 在根據本發明之另一方面 播軒、c絲 夜日日顯不器中：在每個垂直 知描週期反轉施加於該等複數個 m ^ τ 5亥荨液晶層上的電 %方向，當顯不一中間灰階時， VL ^ 右疋任思列中的像素，則 &列方向週期性地反轉電場方 、— 17 右疋任意行中的像素， 則沿行方向針對每個像素反轉電場方向。 根據一具體實施例，若是一任音 心歹〗中的像素，則沿著列 方向針對每個像素反轉電場方向。 根據一具體實施例，若是一任音 ^ 1士忍列中的像素，則沿著列 方向針對每兩個像素反轉電場方向。 根據-具體實施例之液晶顯示器在正常黑色模式下運 作；其中該等至少兩個次像素包括兩個次像素spa(p，q声 SPb(P，q);並且當該等複數個像素之每—像素顯示一灰階 gk，其滿足kgkSgn，其中眇與糾係不小於零的整數並且眇 的一較大值對應於較高亮度時，如果假定 △vwgkfvugio^gk)’ 其中 V1(gk)與V2(gk)分別係施加 於該第一次像素與該第二次像素之液晶層之均方根電壓， 則至少在0<gk^n-1之範圍内滿足關係Δνΐ2(^)>〇伏特與 △V12(gk)MV12(gk+l) 〇 98052-960607.doc •10- 1288380 根據一具體實施例，至少在0<gk sn-l之範圍内滿足一關 係△V12(gk)之△V12(gk+1) 〇 根據一具體實施例，SPa(p，q)與SPb(p，q )各包含··一液 晶電谷，其係由一對向電極以及一經由該液晶層而與該對 向電極相對的次像素電極所形成，以及一儲存電容，其係 由一電連接至該次像素電極之儲存電容電極、一絕緣層以 及一經由該絕緣層而與該儲存電容電極相對的儲存電容對 向電極所形成；並且該對向電極係由SPa(p，q)與spb(p，幻 共享的單一電極，並且SPa(p，q)之該等儲存電 容對向電極係彼此電性獨立。 根據一具體實施例，該液晶顯示器包含兩個分別針對 Spa(p，q)與SPb(p，q)而提供的切換元件，其中藉由供應至 一共用掃描線之掃描線信號電壓而開啟與關閉該等兩個切 換元件，g開啟该等兩個切換元件時，從一共用信號線將 …員示k號電壓施加於SPa(p，q)與SPb(p，q)之該等個別次像 素電極與儲存電容電極上；在關閉該等兩個切換元件之 後’ SPa(p，q)與SPb(p，q)之該等個別儲存電容對向電極之 電壓發生變化；並且藉由該變化的方向與大小所定義的變 化量在SPa(p，q)與SPb(p，q)之間不同。明確地說，當開啟 該等兩個切換元件時，將電壓施加於VSpa(開）與VSpb(開） 之該等個別儲存電容對向電極，以便當關閉該等兩個切換 兀件時’該等個別儲存電容對向電極的電位將發生變化， 例如分別從VSpa(開）與VSpb(開）至VSpa(關）與VSpb(關），並 且個別變化量，，VSpa(關）-VSpa(開），，與，，VSpb(關）_VSpb(開），， 98052-960607.doc I288380 將互不相同。 根據-具體實施例’ SPa(p，q^SPb(p，q)之該等儲存電 容對向電極之電壓變化係數量相等並且方向相反。 根據-具體實施例’ SPa(p，q)與SPb(p，q)之該等健存電 容對向電極之電壓係振盪電壓，其相位彼此相差i8〇度。該 等振盪電壓可能係矩形波、正弦波或三角波。 根據-具體實施例’ SPa(p，q)與SPb(p，q)之該等健存電 容對向電極之振盈電壓各具有一大約等於一水平掃描週期 的週期。 g 根據-具體實施例’ SPa(p，q)與SPb(p, q)之該等儲存電 容對向電極之振盥電麼各具有一短於一水平掃描週期的週 期。 根據一具體實施例，在任一水平掃描週期内，若在該週 期期間加以平均，SPa(p，q)與Spb(p，q)之該等儲存電^對 向電極之振盪電壓大約相等。 根據一具體實施例，該振盪之週期係一水平掃描週期的 一半。 癱 根據-具體實施例’該等振盪電麼係工作比為1:1的矩形 波。 根據一具體實施例，SPa(P，q)與SPb(p，q)具有不同的面 積，其中較小的面積屬於具有一較大均方根電壓施加於其 液晶層上的Spa(p，q)或SPb(p，q)。 根據-具體實施例，spa(p，q)的面積與spb(p，q)的面積 實際上相等。 98052-960607.doc -12- 1288380 本發明之第三方面提供一液晶顯示器，其包含複數個像 素母個像素具有一液晶層以及複數個將一電壓施力口於該 液晶層上的電極，並且該等像素係配置於列與行之矩陣 中’其中.該等複數個像素之每—像素具有_第—次像素 與一第二次像素，該等第一與第二次像素將互不相同的電 ㈣晶層’其中在某些漸層巾’該第—次像素的 亮度高於該第二次像素，該第一次像素與該第二次像素各 包3 . —液晶電容，其係由一對向電極以及一經由該液晶 層而與該對向電極相對的次像素電極所形成，以及一儲存 電容，其係由一電連接至該次像素電極的儲存電容電極、 一絕緣層以及一經由該絕緣層而與該儲存電容電極相對的 儲存電容對向f極所形成；該對向電極係由該第—次像素 與該第二次像素共享的單—電極，並且該第—次像素與該 第二次像素的該等儲存電容對向電極係彼此電性獨立；並 且該等複數個像素之任-像素中該第—次像素之該儲存電 容對向電極以及沿行方向與該等像素之任一像素相鄰之一 像素之該第二:欠像素之該儲存電容對向電極係彼此電性獨 立。 根據一具體實施例，該等像素之該任一像素中的第一次 像素係配置成鄰近於沿該行方向與該等像素之該任一像素 相鄰之像素的第二次像素。 Μ 根據一具體實施例，在該等複數個像素之每一像素中， 該第一次像素係配置成沿該行方向鄰近於該第二次像素。 根據-具體實施例，該液晶顯示器包含複數個彼此電性 98052-960607.doc -13 - 1288380 獨立的儲存電容中繼線，其中該等儲存電容中繼線之每一 储存電容中繼線係經由-儲存電容線電連接至該等複數個 像素中該第一次像素與該第二次像素之該等儲存電容對向 電極之任一儲存電容對向電極。 根據-具體實施例，複數個該等儲存電容中繼線中彼此 電性獨立的儲存電容中繼線之數目紅，藉由每—該等儲存 電谷中繼線所供應的儲存電容對向電壓係振盪電壓，並且 振盪週期係一水平掃描週期之L倍。 根據一具體實施例，該等複數個彼此電性獨立之儲存電 谷中繼線係被分組成若干對儲存電容巾繼線的偶數個儲存 電容中繼線，該等儲存電容中繼線供應儲存電容對向電 壓’其振盪相位彼此相差18 〇度。 根據一具體實施例，彼此電性獨立的儲存電容中繼線之 數目係大於藉由將一水平掃描週期除以一 CR時間常數而 獲得之商的8倍，其中該（：11時間常數接近該儲存電容線之 最大負載阻抗。 根據一具體實施例，彼此電性獨立的儲存電容中繼線之 數目係大於藉由將一水平掃描週期除以一 CR時間常數而 獲知之商的8倍並且係一偶數，其中該CR時間常數接近該 儲存電容線之最大負載阻抗。 根據一具體實施例，該等複數個儲存電容中繼線包括彼 此電性獨立的一第一儲存電容中繼線與一第二儲存電容中 繼線，並且如果連接至位於一任意行與藉由該等複數個像 素所形成的若干列中一給定列n之交叉處之像素之第一次 98052-960607.doc 1288380 像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係指定為 CSBL—A一η，如果連接至該第二次像素之儲存電容對向電極 之儲存電容線係指定為CSBL一Β—η，並且k係自然數（包括 〇) ·將CSBL—A—n+k連接至第一儲存電容中繼線，並將 CSBL一B—n+k連接至第二儲存電容中繼線。 根據一具體實施例，分別藉由第一與第二儲存電容中繼 線所供應的第一與第二儲存電容對向電壓之振盪週期皆係 水平掃描週期的兩倍。 根據一具體實施例，該第二儲存電容對向電壓落後於該 第一儲存電容對向電壓達一水平掃描週期之一相位差。 根據一具體實施例，該液晶顯示器包含兩個分別針對該 第一次像素與該第二次像素而提供的切換元件，其中藉由 供應至一共用掃描線之掃描線信號電壓而開啟與關閉該等 兩個切換元件；當開啟該等兩個切換元件時，從一共用信 號線將顯示信號電壓施加於該第一次像素與該第二次像素 之該等個別次像素電極與儲存電容電極上；在關閉該等兩 個切換元件之後，該第一次像素與該第二次像素之該等個 別儲存電容對向電極之電壓發生變化；並且如果以表示關 閉該等兩個切換元件之後，該第一儲存電容對向電壓首次 發生變化所需的時間，則Td大於0個水平掃描週期並/丨、 水平掃描週期。 ； 根據一具體實施例，Td大約等於水平掃描週期的0.5伴。 根據一具體實施例，該等複數個儲存電容中繼線包括彼 此電性獨立的一第一儲存電容中繼線、第二儲存電容中繼 98052-960607.doc -15- 1288380 線、第三儲存電容中繼線與第四儲存電容中繼線；並且如 果連接至位於一任意行與藉由該等複數個像素所形成的若 干列中一給定列η之交又處之像素之第一次像素之儲存電 今對向電極之儲存電容線係指定為csbl_a—η，如果連接至 忒第一次像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係指定為 CSBL—Β一η以及如果k係自然數（包括〇广則將 ^SBL一八_„+41與CSBL_B—n+2+4*k連接至該第一儲存電 ，中繼線，將CSBL_B_n+4*k與CSBL· A_n+2+4*k連接至該
第二儲存電容中繼線，將CSBL—A一奸 >41連接至該第三儲存電容中繼線，並將csbl=b^+ l+4*k與CSBL_A_n+3+4*k連接至第四儲存電容中繼線。 根據-具體實施例’分別藉由第一至第四儲存電容中繼 、'友所ί、應的第-至第四儲存電容對向電麼之振盈週期皆係 水平掃描週期的4倍。 根據-具體實施例，該第二儲存電容對向電壓落後於該
第:儲存電容對向電壓達兩個水平掃描週期之—相位差， 該第三儲存電容對㈣壓落後於該第—儲存電容對向電壓 達三個水平掃描週期之—相位差’並且該第四儲存電容對 向電壓落後於該第-儲存電容對向電魔達一水平掃描週期 之一相位差。 々根據具體實施例，該液晶顯示器包含兩個分別針對該 =-次像素與該第二次像素而提供的切換元件，其中藉由 i、應至共用知描線之掃描線信號電塵而開啟與關閉該 兩個切換7L件，當開啟該等兩個切換元件時，從一共用俨 98052-960607.doc -16- 1288380 號線將顯示信冑電壓施加於該第一次像素與該第二次像素 之該等個別次像素電極與儲存電容電極上；在關閉該等兩 個切換70件之後，該第―次像素與該第二次像素之該等個 別儲存電容對向電極之電壓發生變化；並且如果以表示關 閉該等兩個切換元件之後，該第一儲存電容對向電壓首次 發生變化所需的時間，則Td大於〇個水平掃描週期並小於兩 個水平掃描週期。 根據一具體實施例，Td大約等於一水平掃描週期。 根據一具體實施例，該等複數個儲存電容中繼線包括彼 此電性獨立的一第一儲存電容中繼線、第二儲存電容中繼 線、第三儲存電容中繼線、第四儲存電容中繼線、第五儲 存電容中繼線與第六儲存電容辛繼線；並且如果連接至位 於一任意行與藉由配置成行列矩陣之該等複數個像素所形 成的若干列中一給定列n之交叉處之像素之第一次像素之 儲存電容對向電極之儲存電容線係指定為CSBL—A-n，如果 連接至該第二次像素的儲存電容對向電極的儲存電容線係 指定為CSBL—Β—η，並且如果k係一自然數（包括〇):將 CSBL—A—n+3*k連接至第一儲存電容中繼線，將csBL_B_n+ 3*k連接至該第二儲存電容中繼線，將CSBL-A—n+l+3*k連 接至該第三儲存電容中繼線，將CSBL一B—n+l+3*k連接至該 第四儲存電容中繼線，將CSBL一A一n+2+3 *k連接至第五儲存 電容中繼線，並將CSBL—B—n+2+3*k連接至第六儲存電容中 繼線。 根據一具體實施例，分別藉由第一至第六儲存電容中繼 98052-960607.doc -17- 1288380 線所供應的第一至第六儲存電容對向電壓之振盪週期皆係 水平掃描週期的6倍。 根據一具體實施例，該等複數個儲存電容中繼線包括總 共L個彼此電性獨立之儲存電容中繼線，即第一儲存電容中 繼線、第二儲存電容中繼線、第三儲存電容中繼線、第四 儲存電容中繼線、第五儲存電容中繼線、第六儲存電容中 繼線，…，第（L-3)儲存電容中繼線、第（L-2)儲存電容、第 (L-1)儲存電容及第L儲存電容中繼線；並且當該等電性獨 立之儲存電容中繼線之數目L之1/2為一奇數時，即當L=2, 6, 10,…，等時，如果連接至位於一任意行與藉由該等複數個 像素所形成的若干列中一給定列η之交叉處之像素之第一 次像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係指定為 CSBL_A_n，如果連接至第二次像素之儲存電容對向電極之 儲存電容線係指定為CSBL_B_n，以及如果k係自然數（包括 0):將CSBL_A—n+(L/2)*k連接至第一儲存電容中繼線，將 CSBLJB一n+(L/2)*k連接至該第二儲存電容中繼線，將 CSBL—A—n+l+(L/2)*k連接至該第三儲存電容中繼線，將 CSBL_B_n+l+(L/2)*k連接至該第四儲存電容中繼線，並將 CSBL一A一n+2 + (L/2)*k連接至該第五儲存電容中繼線，將 CSBL_B_n + 2 +(L/2)*k連接至該第六儲存電容中繼線，將 CSBL—A—n+(L/2)-2 + (L/2)*k連接至該第（L-3)儲存電容中繼 線，將CSBL—B—n+(L/2)-2+(L/2)*k連接至該第（L-2)個儲存 電容中繼線，將 CSBL__A—n+(L/2)-l+(L/2)*k連接至第（L-1) 儲存電容中繼線，並將CSBL_B_n+(L/2)_ l+(L/2)*k連接至 98052-960607.doc -18- 1288380 第L·儲存電容中繼線。 根據一具體實施例，分別藉由第一至第L儲存電容中繼線 所供應的第一至第L儲存電容對向電壓之振盪週期皆係水 平掃描週期的L倍。 根據一具體實施例，該等複數個儲存電容中繼線包括彼 此電性獨立的第一儲存電容中繼線、第二儲存電容中繼 線、第三儲存電容中繼線、第四儲存電容中繼線、第五儲 存電容中繼線、第六儲存電容中繼線、第七儲存電容中繼 線與第八儲存電容中繼線；並且如果連接至位於一任意行 與藉由該等複數個像素所形成之若干列中一給定列η之交 叉處之像素之第一次像素之儲存電容對向電極之儲存電容 線係指定為CSBL_A_n，如果連接至該第二次像素之儲存電 容對向電極之儲存電容線係指定為CSBL_B_n，以及如果k 係一自然數（包括 〇):將 CSBL—A一n+8*k與 CSBL—B一n+4 + 8*k連接至該第一儲存電容中繼線，將CSBL—B_n+8*k與 CSBL_A_n+4 + 8*k連接至該第二儲存電容中繼線，將 CSBL_Aji+l+8*k與 CSBL^B_n+5 + 8*k連接至該第三儲存 電容中繼線，將 CSBL__B_n+l + 8*k 與 CSBL_A_n+5 + 8*k 連接 至該第四儲存電容中繼線，將CSBL_A_n+2 + 8*k與 CSBL—B一n+6 + 8*k連接至該第五儲存電容中繼線，將 CSBL_B—n+2 + 8*k與 CSBL_A_n+6+8*k連接至該第六儲存 電容中繼線，將CSBL—A—n+3 + 8*k 與 CSBL—B—n+7+8*k 連接 至該第七儲存電容中繼線，並將CSBL_B_n+3 + 8*k與 CSBL—A—n+7 + 8*k連接至第八儲存電容中繼線。 98052-960607.doc -19- 1288380 根據一具體實施例，分別藉由第一至第八儲存電容中繼 線所供應的第一至第八儲存電容對向電壓之振盪週期皆係 水平掃描週期的8倍。 根據一具體實施例，該等複數個儲存電容中繼線包括總 共L個彼此電性獨立的儲存電容中繼線，即第一儲存電容中 繼線、第二儲存電容中繼線、第三儲存電容中繼線、第四 儲存電容、第五儲存電容中繼線、第六儲存電容中繼線、 第七儲存電容中繼線、第八儲存電容中繼線，…，第（L-3)儲 存電容中繼線、第（L-2)儲存電容中繼線、第（L-1)儲存電容 中繼線以及第L儲存電容中繼線；並且當該等電性獨立的儲 存電容中繼線之數目L的1/2係偶數時，即當L=4, 8, 12, · ·.， 等時，如果連接至位於一任意行與藉由配置成一行列矩陣 之複數個像素所形成的若干列中一給定列η之交叉處之像 素之第一次像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係指定 為CSBL—Α—η，如果連接至該第二次像素之儲存電容對向電 極之儲存電容線係指定為CSBL^B_n，以及如果k係一自然 數（包括 〇) ··將 CSBL一A一n+L*k與 CSBL一B—n+(L/2)+L*k連接 至第一儲存電容中繼線，將CSBL^B_n+L*k與 CSBL—A—n+(L/2)+L*k連接至第二儲存電容中繼線，將 CSBL—A—n+I+L*k與 CSBL—B—n+(L/2)+l+L*k連接至該第三 儲存電容中繼線，將CSBLJB—n+l+L*k與CSBL—A—n+ (L/2)+l+L*k連接至該第四儲存電容中繼線，將 CSBL—A—n+2+L*k與 CSBL—B—n+(L/2)+2+L*k連接至該第五 儲存電容中繼線，將 CSBL—B—n+2+L*k與 CSBL—A—n+(L/2)+ 98052-960607.doc -20- 1288380 2+L*k連接至該第六儲存電容中繼線，將CSBL—A_n+3+L*k 與CSBL_B—n+(L/2) + 3+L*k連接至該第七儲存電容中繼 線，將 CSBL—B—n+3+L*k與 CSBL_A__n+(L/2)+3+L*k連接至 該第八儲存電容中繼線，將CSBL_A_n+(L/2)-2+L*k與 CSBLJB—n+L-2+L*k連接至該第（L-3)儲存電容，將 CSBLJB—n+(L/2)-2+L*k與 CSBL—A—n+L-2+L*k連接至該第 (L-2)儲存電容中繼線，將CSBL—A—n+(L/2)-l+L*k與 CSBL—B_n+L-1+L*k連接至該（L-1)儲存電容中繼線，並將 CSBL—B—n+(L/2)-l+L*k與 CSBL—A』+L-1+L*k連接至該第 L儲存電容中繼線。 根據一具體實施例，分別藉由第一至第L儲存電容中繼線 所供應的第一至第L儲存電容對向電壓之振盪週期皆係水 平掃描週期的L倍。 本發明之第四方面提供一液晶顯示器，其包含複數個像 素，每個像素具有一液晶層以及複數個將一電壓施加於該 液晶層上的電極，並且該等像素係配置於列與行之矩陣 中，其中：該等複數個像素之每一像素具有一第一次像素 與一第二次像素，該等第一與第二次像素將互不相同的電 壓施加於該液晶層，其中在某些漸層中，該第一次像素的 亮度高於該第二次像素，該第一次像素與該第二次像素各 包含：一液晶電容，其係藉由一對向電極與一經由該液晶 層與該對向電極相對的次像素電極所形成，以及一儲存電 容，其係藉由一電連接至該次像素電極之儲存電容電極、 一絕緣層及一經由該絕緣層與該儲存電容電極相對的儲存 98052-960607.doc -21- 1288380
線’每個儲存電容中繼線係經由一 該弟一次像素與該第二 彼此電性獨立；該液晶 生獨立的鍺存電容中繼 儲存電容線電連接至該 等複數個像素中該第一次像素與該第二次像素之該等儲存 電容對向電極之任一者，兩個沿行方向相鄰的像素之一的 第一次像素之儲存電容對向電極係連接至一儲存電容線， 其在電性上等效於另一像素之第二次像素之儲存電容對向 電極；並且該等複數個儲存電容中繼線中彼此電性獨立的 該等儲存電容中繼線之數目係L或更多（L係偶數），藉由每 一該等儲存電容中繼線所供應的儲存電容對向電壓係振盈 電壓，並且該振盪週期係一水平掃描週期的2*k*L(K係正 整數）倍。 根據一具體實施例，如果連接至位於一任意列與藉由配 置成一行列矩陣的該等複數個像素所形成的若干列中一給 定列η之交叉處之像素之第一次像素之儲存電容對向電極 之儲存電容線係指定為CSBL_(n)A，並且連接至該第二次 像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係指定為 CSBL一(n)B，貝1連接至L個電性獨立的儲存電容中繼線之cs 匯流排線滿足以下關係： CSBL—(p+2*(1-1 ))B，（p+2*(l-1)+1 )A， CSBL—(p+2*(2-l))B，（p+2*-(2-l)+l)A， CSBL—(p+2*(3-l))B，（p+2*(3-l)+l)A， 98052-960607.doc -22- 1288380 CSBL一(ρ+2*(Κ-1))Β，（ρ+2*(Κ-1))+1)Α以及 CSBL一(p+2*(l-l)+K*L+l)B，（ρ+2*(1 -1))+K*L+2)A， CSBL」p+2*(2-l)+K*L+l)B，（p+2*(2]))+K*L+2)A， CSBL」p+2*(3-l)+K*L+l)B，（p+2*(3-l))+K*L+2)A， CSBL」p+2*(K-l)+K*L+l)B，（p+2*(3-l)+L+2)A; 或 CSBL—(p+2*(l-l)+l)B，（p+2*(l-l)+2)A， _ CSBL—(p+2*(2-1)+1 )B，（p+2*(2-l)+2)A， CSBL—(p+2*(3-1)+1 )B，（p+2*(3-l)+2)A， CSBL—(p+2*(K· 1)+1 )B，（p+2*(K-l)+2)A 及
CSBL—(p+2*(l-l)+K*L)B，（p+2*(l-l)+K*L+l)A， CSBL—(p+2*(2-l)+K*L)B，（p+2*(2-l)+K*L+l)A， CSBL」p+2*(3-l)+K*L)B，（p+2*(3-l)+K*L+l)A， CSBL」p+2*(K-l)+K*L)B，（p+2*(K-l)+K*L+l)A， 其中 p=l、3、5 等，或p=0、2、4等。 根據一具體實施例，K係1或2，L係6、8、10與12中任一 者。 根據一具體實施例，較佳係將該儲存電容線放置於兩個 沿行方向相鄰的像素之間。 98052-960607.doc -23- 1288380 根據一具體實施例’該液晶顯不包含：分別針對該第 一次像素與該第二次像素提供的兩個切換元件；以及一共 同地連接至該等兩個切換元件之掃描線，其中該共用掃描 線係放置於該第一次像素與該第二次像素之間。 根據一具體實施例，該等複數個儲存電容中繼線係被分 組成若干對儲存電容中繼線的偶數個儲存電容中繼線，該 專儲存電谷中繼線供應儲存電容對向電壓，其振盪相位彼 此相差180度。 根據一具體實施例，在任何兩個沿行方向相鄰的像素 中，將一像素之第一次像素之儲存電容對向電極與另一像 素之第二次像素之儲存電容對向電極連接至一共用儲存電 容線。 根據一具體實施例，該儲存電容對向電壓之工作比皆為 很琢 …τ不矛、< 壬一像素中的第 次像素配置成鄰近沿行方向與該等像素之該任一像素相 之像素之第二次像素，並且在每—該等複數個像素中， 該第-次像素配置成沿行方向與該第二次像素相鄰。 根據-具體實施例，該第一次像素與該第二次像 積大約相等。 根據-具體實施例’該第二次像素大於該第一次 本發明之苐'一^方面可減小液曰显§ - w山 * 及日日顯不斋中7特徵的視角 依性。特定言之，藉由改善具有寬 覓視角之液晶顯示器（例 MAV或ASV液晶顯示器）之γ特徵， 又了達成極鬲的顯示品！ 98052-960607.doc -24- 1288380 本叙明之第二#面可減少ϋ由交流電驅動之液晶顯示器 上的閃爍。藉由組合本發明之第—與第二方面，可提供具 有減少的閃爍、改善的丫特徵之視角特徵以及高品質顯示之 液晶顯不器。 _本發明之第三方面可增加根據第二方面施加於該液晶顯 不益中5亥等儲存電容對向電極上的電麼（振盪電壓）之振盈 週’月因而’可提供-種液晶顯示器’其適合於藉由將一 ，素分成兩個或多個次像素並以不同的亮度位準照射該等 次像素’而改善大型或高解析度液晶顯示器之視角特徵。 除了能夠像第三方面那樣增加施加於儲存電容對向電極 之電壓（振I電壓）之振m週期，本發明之第四方面還可使用 共用儲存電容線（CS匯流排線）將振盪電壓 相鄰之像素的次像素上。_，該等儲存電容線== 置於沿行方向彼此相鄰的像素之間，則亦可用作黑色矩陣 (BM)。因而，該第四方面(其可省略在根據第三方面之液晶 顯示器之情形下需要單獨提供的黑色矩陣並且與第三方= 相比，可減少CS匯流排線的數目）具有能豹 J ，月b夠增加像素之孔徑 比之優點。 【實施方式】 方面之具體實施 以下將參考附圖說明根據本發明一第 例之液晶顯示器的組態與操作。 首先，參考圖1、2A、2B與2C。圖1孫 加 你—顯示根據本發明 一具體實施例之液晶顯不器10 0之一像素ψ '、甲 電極配置之 示意圖。圖2A係一顯示液晶顯示器1〇〇 \〜體組態之示意 98052-960607.doc -25- 1288380 圖，圖2B係一顯示像素中— _ 屢極結構之不意圖，圖2C係沿 "、春2C-2C’所截取的斷面圖。基於參考之 圖t3_3c中分別示意性顯示一傳統液晶顯示器卿之 的斷面圖。 ^極結構與沿線3CMC，所截取 根據此具體實施例之液曰 _ J之液日日顯不器100在正常黑色模式中 f作並“複數個像素’每個像素具有-液晶層以及複數 個用於將電壓施加於該液晶層上之電極m處 例採用了TFT液晶顯示器，但可改用其他切換元件(例如 MIM元件）。 τ 如 該液晶顯示器100且右邴要 有配置於矩陣中的複數個像素10。嗲 等複數個像素10之每一像素具有一液晶層13。而且，該等 像素具有其自己的像素電極18以及一用於將電壓施加於咳 液晶層13上的對向電極17。—般而言，對向電極17係所有 像素10共用的單一電極。 在根據此具體實施例之液晶顯示器100中，該等複數個像 素10之每—像素具有'第—次像㈣a與第二次像素10b， 其可施加互不相同的電壓，如圖丨所示。 當顯示-灰階gk，其滿足〇球啡（其中找與钟係不小於 零的整數，並且gk的較大值對應於較高的亮度）時，以—方 式驅動該等複數個像素之每一像素，以便至少在範圍 o<gk “一1中滿足關係△ vl2(gk)>〇伏特與△ > △V12(gk+1) ’ 其中 Δνΐ2(^)=νΐ(^)-ν2(§]〇係施加於第一 次像素l〇a之液晶層上之均方根電壓V1(gk)與施加於第二 98052-960607.doc -26- 1288380 次像素i〇b之液晶層上之均方根電壓V2(gk)之間的差異。 每一像素10所具有的次像素數目（有時稱為像素分區的 數目）不限於二。每一像素10可進一步具有一第三次像素（未 顯示），可將一與施加於第一次像素10a與第二次像素上 之電壓不同的電壓施加於該第三次像素上。在該情形下， 將該像素配置成，如果假定其 中V3(gk)係施加於第三次像素之液晶層上之均方根電壓， 並且AV13(gk)係施加於第一次像素之液晶層 壓與施加μ三次像素之液晶層之均方根電壓== 異，則滿足一關係0伏特<Δνΐ3(^)<Δνΐ2(^)。當然，每一 像素10可具有四個或更多的次像素。 較佳地，施加於該等次像素之液晶層之均方根電壓至少 在0<gku-i之範圍中滿足一關係Δνΐ2(^)^νΐ2 。 因此，較佳係當灰階值變高時，施加於第一次像素i〇a盥 二次像素10b之液晶層之均方根電壓之間的差異變小。換言 之，較佳係當灰階值變低（更接近黑色）時，施加於第一次2 素l〇a與第二次像素l〇b之液晶層之均方根電壓之間的差里 變大。而且，較佳係如果每—像素具有一第三次像辛，則 至少在o<gkwk範圍内滿足關係、Δνΐ2ω)>州邮叫 與 AV13(gk)>Al3(gk+l)。 較佳地，該第-次像素10a之面積等於或小於該第二次像 素i〇b之面積^果該等複數個像素之每—像素具有三或更 多次像素’較佳係被施加最高均方根電壓的次像素（在此情 形下為第-次像素）之面積不大於被施加最低均方根電壓 98052-960607.doc •27- 1288380 之次像素（在此情形下為第二次像素）之面積。明確地說，如 果每一像素10具有複數個次像素SP1，SP2，...，以及SPn， 並且施加於液晶層上的均方根電壓係V1(gk)，V2(gk)，··.，以 及 Vn(gk)，則較佳係滿足關係 vi(gk)>V2(gk)>._.>Vn(gk)。 而且’如果次像素的面積係SSPl，SSP2,…以及SSPn，則較 佳係滿足關係SSP1 sSSP2<…gSSPri。 至少在除最高與最低灰階之所有灰階（即在範圍 〇<gk <n_l 内）滿足關係 vl(gk)>V2(gk)> . >Vn(gk)的情況 下，可達成本發明之效果。然而，亦可實施一組態，其中 所有灰階（即在範圍〇 <gk a内）都滿足該關係。 以次方式，如果將每一像素分成複數個次像素並將不同 的電壓施加於次像素之液晶層上，則觀察到不同丫特徵的混 合物’因而可減小γ特徵的視角相依性。而且，因為在較低 灰階下將均方根電壓之間的差異設定得較大，故在正常黑 色模式中可於黑色側（在低亮度位準下）可大幅減小γ特徵的 視角相依性。其在改善顯示品質方面非常有效。 可獲得各種組態，用於以滿足上述關係之方式將均方根 電壓施加於次像素10a與10b之液晶層上。 例如，可如圖丨所示來配置液晶顯示器1〇〇。明確地說， 雖然在傳統的液晶顯示器100,中，一像素1〇僅具有一經由 TFT 16連接至信號線14的像素電極18，但液晶顯示器！^ 具有兩個經由個別TFT 16a與16b連接至不同信號線“a與 14b的次像素電極1心與18b。 因為次像素l〇a與l〇b組成一像素10，故TFT l6a與i6b的 98052-960607.doc -28- 1288380 間極係連接至一共用掃描魂f pq k + 抱線(閘極匯流排線)12並且藉由一 ^用知描信號來開啟與_。將収上述關係的信號電壓 「、屋）供應至^號線（源極匯流排線）…與⑷。較佳 卜將TFT…與⑽之閘極配置為一共用閘極。 :者’在-組態(下述)中，丨中該第一次像素與第二次 =各包含儲存電容’其係藉由—電連接至—次像素電極 =儲存電谷電極、一絕緣層與一經由該絕緣層與該儲存 電容電極相對的儲存電容對向電極所形成，則較佳係提供 彼此電性獨立的第-次像素與第二次像素之儲存電容對向 電極’並且使用電容分㈣由改變供應至儲存電容對向電 ，之電壓（稱為儲存電容對向電極電壓）而改變施加於第一 次像素之液晶層之均方根電壓以及施加於第三次像素之液 晶層之均方根電壓。藉由調節儲存電容的值以及供應至儲 存電容對向電極之電壓大小，可控制施加於次像素之液晶 層之均方根電壓之大小。 在此組態中，因為無需將不同的信號電壓施加於次像素 電極18a與18b上，故可將TFT 16a與16b連接至一共用信號 線並且可將相同的信號電壓供應至次像素電極i“與^扑 上。因此，信號線的數目係與圖3所示之傳統液晶顯示器1〇〇, 的情形相同，並且可使用具有與傳統液晶顯示器1〇〇，相同之 組態的信號線驅動電路。當然，因為灯丁 16a與16b係連接 至相同的掃描線，故較佳係其像上述範例中的情形一樣共 予一共用閘極。 較佳地，可將本發明應用於使用垂直對齊液晶層之液晶 98052-960607.doc -29- 1288380 顯不器，其中該垂直對齊液晶層包含具有負介電各向異性 的向歹J液晶材料。特定言之，較佳係每一次像素的液晶層 包二:個域，該等域的方位方向大約分開9〇度，其中當施 加電壓日夺，其液晶分子傾斜（MVA)。或者，每-次像素之 液曰a層至少在施加電壓時保持軸向對稱對齊（ASM)。 本毛明之具體實施例將結合一 MVA液晶顯示器1 〇〇予以 更洋細地說明，其中每一次像素之液晶層包含四個域，該 專域的方位方向分開大約9〇度，其中當施加電壓時，其液 晶分子傾斜。 如圖2A不意性顯示，該MVA液晶顯示器1〇〇包含一液晶 面板10A、安裝於液晶面板1〇A兩侧的相位差補償元件（一般 而言係相位差補償板）2〇a與2〇b、夾置該等相位差補償元件 之偏光板30a與30b及背光40。偏光板3〇a與30b之透射軸（亦 稱為偏光軸）係彼此正交（交叉Nicols配置），以便當未將電 壓施加於液晶面板10A(在垂直對齊之狀態中）之液晶層（未 顯示）時，顯示黑色。相位差補償元件20&與2013係用於改善 液晶顯示器的視角特徵，並係使用已知技術最佳地設計而 成。明確地說，已將該等相位差補償元件最佳化（gk=〇)， 以便最小化當從前方觀看黑色螢幕時與當從任何方位方向 傾斜地觀看螢幕時之間的亮度（黑色程度）差異。當以此方式 最佳化相位差補償元件20a與20b時，本發明可產生更顯著 的效果。 當然’會在基板11a上形成共用知描線12、信號線14a盘 14b與TFT 16a與16b(參見圖1)，以便在預定的時間將預定的 98052-960607.doc -30- 1288380 信號電壓施加於次像素電極1 8&與i 8b。而且，為了驅動此 4組件’可按需要形成電路及類似物。除此之外，可按需 要在另一基板lib上提供彩色濾光器及類似物。 將參考圖2A與2C說明MVA液晶顯示器100中的像素結 構。例如’在曰本特許公開專利公開案第^—242225號中說 明了 M VA液晶顯示器的基本組態與操作。 如參考圖1所述，MVA液晶顯示器1〇〇中的像素1〇具有兩 個次像素10a與l〇b，其中次像素10a具有次像素電極18a， 而次像素10b則具有次像素電極18b。如圖2C示意性顯示， 形成於該玻璃基板11a上的次像素電極18a(與次像素電極 18b(未顯示））具有一狹縫18s，並且與對向電極17相結合而 形成一傾斜的電場，該對向電極17係橫跨液晶層13而與次 像素電極18a相對地放置。而且，於玻璃基板ub之表面（其 上安裝有對向電極17)上提供朝液晶層13突出的肋丨9。液晶 層13係由具有負介電各向異性之向列液晶材料製成。當未 施加電壓時，藉由一覆蓋對向電極17、肋19與次像素電極 18a及18b的垂直對齊膜（未顯示）來幾乎垂直地對齊液晶 層。藉由肋19表面（傾斜表面）與傾斜的電場而沿預定的方向 安全地放置垂直對齊的液晶分子。 如圖2C所示，以形成一角度之方式朝其中心傾斜肋19。 液晶分子係幾乎垂直於傾斜表面而對齊。因而，該等肋j 9 決定液晶分子之傾斜角（藉由基板表面與液晶分子之長軸 所形成之角）之分佈。狹縫18s規則地改變施加於液晶層上 的電場之方向。因此，當施加電場時，藉由肋19與狹縫18s 98052-960607.doc -31 - 1288380 沿圖式中之箭頭所示的四個方向，即右上、左上、左下與 右下，來對齊液晶分子，從而提供垂直與水平對稱的良好 視角特徵。通常將液晶面板1GA的矩形顯示表面定向成使其 長邊水平地放置’而偏紐3Ga之透射㈣係平行於長邊而 放，m it常將像素H)定向成使其長邊與液晶顯 示器面板10A的長邊正交，如圖2B所示。 較佳地，如圖2B所示 第一次像素l〇a與第二次像素1〇b 的面積實際上相等’每—該等次像素包含_沿第—方向延 伸之第-肋以及一沿第二方向延伸之第二肋，每一次像素 中的該第-肋與該第二肋係關於—平行於該掃描、㈣之中 心線而對稱地放置，並且其中—次像素中的肋配置與另一 次像素中的肋配置係關於與掃描線12正交的中心線而對 稱。此配置使得沿四個方向，即右上、左上、左下與右下， 來對齊每-次像素巾的液晶分子，並使得包括第—次像素 與第二次像素之整個像素中液晶域的面積實際上相等，從 而提供垂直與水平對稱的良好視角特徵。當像素面積較小 時’此效果係顯著的。此外，較佳係以—等於掃描線陣列 間距大約一半的間隔來放置每一次像素中平行於共用掃描 線之中心線。 接下來，將說明根據本發明之具體實施例之液晶顯示器 100之操作與顯示特徵。 首先，參考圖4,將說明具有與圖3所示傳統液晶顯示器 100'相同電極組態的MVA液晶顯示器之顯示特徵。附帶提 一下’當將相同的均方根電壓施加於根據本發明之具體實 98052-960607.doc -32- 1288380 施例之液晶顯示器1 〇〇中之次像素1 0a與10b(即次像素電極 18a與18b)之液晶層時所獲得之顯示特徵大約等同於傳統 液晶顯示器之顯示特徵。 圖4A顯示當從前方筆直地觀看顯示器（N1)、從右方以6〇 度的角度觀看顯示器（L1)以及從右上方以6〇度之角度觀看 顯示器（LU1)時透射率對所施加電壓的相依性。圖4B係一顯 示藉由將施加最高灰階電壓（顯示白色所需的電壓）所獲得 之透射率取作100%而正規化之後圖4A中的三個透射率之 示意圖。其顯示在如下三個條件下已正規化的透射率對所 施加電壓的相依性··一前方觀看條件（N2)、右側6〇度觀看 條件（L2)以及右上側60度觀看條件（LU2)。附帶提一下，此 處的相位π60度π表示與顯示表面之法線成度角。 如圖4Β所示，前方觀看顯示特徵不同於右側6〇度觀看與 右上侧60度觀看顯示特徵。其表示γ特徵取決於觀看方向。 圖4C更清晰地顯示γ特徵的差異。為了清楚地說明丫特徵 的差異，水平轴表示（前方正規化透射率/1〇〇)α(1/2·2)，而垂 直轴表示灰階特徵，其根據如下Ν3、L3與LU3條件：前方 觀看灰階特徵=(前方正規化透射率η 〇〇广（1/2.2)、右側6〇度 觀看灰階特徵=(右側60度正規化透射率/1〇〇广（1/2·2)以及 右上侧60度觀看灰階特徵=(正規化右上側6〇度觀看透射率 100) (1/2.2) ’其中”Λ”表示冪，並且冪指數的倒數對應於丫 值。在一典型的液晶顯示器中，將前方觀看灰階特徵的丫值 設定為2.2。 參考圖4C，在前方觀看條件（Ν3)下，縱座標與橫座標一 98052-960607.doc • 33 - 1288380 致，因而此條件（N3)下的灰階特徵係線性的。另一方面， 右側60度觀看灰階特徵（L3)與右上側60度觀看灰階特徵 (LU3)係曲線的。曲線（L3與LU3)相對於前方觀看條件（N3) 下之直線的偏差在數量上表示γ特徵的個別偏差，即灰階顯 示的偏差（差異）。 本發明旨在減小正常黑色液晶顯示器中的此類偏差。在 理想情況下，表示右侧60度觀看灰階特徵（L3)與右上側60 度觀看灰階特徵（LU3)的曲線（L3與LU3)與表示前方觀看灰 階特徵（Ν3)的直線一致。以下將參考一附圖評估對改善丫特 徵的影響，該附圖顯示如圖4C之情況之γ特徵偏差。 將參考圖4Β說明一原理，即本發明可如何藉由在每一像 素中提供一第一次像素與第二次像素並將不同的均方根電 壓施加於次像素的液晶層上而減小γ特徵的偏差。此處假定 第一次像素與第二次像素具有相同的面積。 對於傳統的液晶顯示器1〇〇,，在一藉由點ΝΑ表示前方觀 看透射率之電壓下，藉由點LA表示右側6〇度觀看透射率， 並且點LA表示在與ΝΑ相同的電壓下之右側6〇度觀看透射 率。對於本發明，為了獲得與點^^八處相同的前方觀看透射 率，可將第一次像素與第二次像素的前方觀看透射率分別 設定於點ΝΒ1與ΝΒ2。因為點ΝΒ2的前方觀看透射率大約為 零，並且第一次像素與第二次像素具有相同的面積，故點 ΝΒ 1的則方觀看透射率係點ΝΑ處前方觀看透射率的兩倍。 點ΝΒ1與ΝΒ2之間的均方差電壓差異係Δνΐ2。而且，對於 本發明，藉由點Ρ來表示右側60度觀看透射率，其係作為在 98052-960607.doc -34- 1288380 分別與點NB 1及NB2相同的電壓下右侧60度觀看透射率 LB1與LB2之平均值而給出。 對於根據本發明之液晶顯示器，則表示右側60度觀看透 射率之點Ρ比表示傳統液晶顯示器100,之右側60度觀看透 射率之點LΑ更接近於表示對應前方觀看透射率之點να。其 表示減小的γ特徵偏差。 根據以上說明，可看出，第二次像素之右側60度觀看透 射率（見點LB2)大約為零之事實可增強本發明的效果。因 此，為了增強本發明的效果，當傾斜地觀看黑色螢幕時， 較佳係限制透射率的增加。根據此觀點，較佳係按需要安 统如圖2Α所示的相位差補償元件2〇&與2〇b，以便當傾斜地 觀看黑色螢幕時，限制透射率的增加。 根據本發明之液晶顯示器100藉由將不同的均方根電壓 施加於每一像素10中個別次像素1 〇a與1 〇b之兩個液晶層上 而改善γ特徵。在進行此項操作時，以滿足關係Δνΐ2(_)>〇 伏特與AV12(gk) ^ Δνΐ2αΐ<：+1)之方式來設定施加於次像素 l〇a與次像素10|3之個別液晶層上的均方根電壓之間的差異 △V12(gk)=Vl(gk)-V2(gk)。以下將說明在〇<g]^n之整個範 圍内滿足上述關係之情況（圖5B與圖5C)。 a圖5A、5B、5C與5D顯示在如圖！所示之像素1〇中施加於 第一次像素l〇a之液晶層之均方根電壓V1(gk)與施加於第 -次像素1Gb之液晶層之均方根電遷V2(gk)之間的各種關 係。 在如圖5A所示的電壓施加條件下，彳將相同的電壓 48052_960607.doc -35- 1288380 (V1=V2)施加於兩個次像素i〇a與i〇b之液晶層。因而， AV12(gk) = 0 伏特。 在圖5B所示的電壓條件B之下，關係V1>V2成立，並且不 管VI值為何，AVI2都係常數。因而，在電壓條件3下，任 一灰階gk都滿足關係AV12(gk)=AV12(gk+l)。此具體實施例 使用Δνΐ2αΐ<:)=1·5伏特作為一典型值，但是，當然也可使 用另一值。AV12(gk)的較大值增強本發明的效果，但造成 白色模式下亮度（透射率）降低的問題。而且，還有一問題， 即當Δνΐ2(§1<:)的值超過一針對液晶顯示器透射率的臨界電 壓（即圖4Β所示Vth)，黑色模式中的亮度（透射率）增加，從 而降低顯示對比度。因此，較佳係AV12(gk)sVth。 在如圖5C所示的電壓條件C下，關係V1>V2成立，並且 △V12隨著VI的增加而降低。因而，在電壓條件c下，任一 灰階 gk都滿足關係 AV12(gk)>AV12(gk+l)。 此具體實施例使用AV 12(0)=1.5伏特與AVI2(n)=〇伏特作 為典型值，但是，當然亦可使用其他值。然而，如上所述， 從傾斜觀看期間的顯示對比度角度而言，較佳係 △V12(gk)sVth，而從白色模式中的亮度角度而言，較佳係 AV12(n)=0 伏特。 在如圖5D所示的電壓條件D下，關係V1>V2成立，並且 △V12隨著V1的增加而增加。因而，在電壓條件d下，任一 灰階 gk都滿足關係 AV12(gk)<AV12(gk+l)。 此具體實施例使用AV 12(0) = 0伏特與Ανΐ2(η)=ι ·5伏特作 為典型值。 98052-960607.doc -36- 1288380 在根據本發明之具體實施例之液晶顯示器1〇〇中，將電壓 施加於次像素10a與10b之液晶層上，以便滿足電壓條件B 或電壓條件C。附帶提一下，圖5B與5C中的所有灰階都滿 足條件AV12>0,並且aV12 = 0在最佳灰階或最高灰階的情形 下都成立。 以下將參考圖6說明在電壓條件a至D下MVA液晶顯示器 之灰階特徵。圖6A與6B中的水平軸表示（前方正規化透射率 /100) (1/2.2) ’圖6A中的垂直軸表示（右側6〇度正規化透射 率/1〇〇)Λ(1/2·2)，並且圖6B中的垂直軸表示（正規化右上侧 6〇度觀看透射率/1〇0)α(1/2·2)。基於參考目的，一同顯示了 一表示前方觀看灰階特徵之直線。 在電壓條件Α下，將相同的電壓（Δνΐ2(^)==〇)施加於次像 素l〇a與l〇b的液晶層上。如圖6八與6Β所示，γ特徵偏差报 大’如同圖4所示的傳統液晶顯示器一樣。 電壓條件D對減小γ特徵之視角相依性的影響比電壓條件 Β與C小。電壓條件D對應於，例如，使用日本特許公開專 利公開案第6-332009號中所述之傳統電容分割之像素分割 之電壓條件。儘管在正常白色模式下，其具有改善視角特 徵之效果，但在正常黑色模式下，其對減少？特徵之視角相 依性的影響不大。 、如上所述，在正常黑色模式下，較佳係使用電壓條件Β 或C來減小γ特徵之視角相依性。 接著將參考圖7說明白色模式透射率在各電壓條件之間 的變化’即當施加最高灰階電壓時。 98052-960607.doc -37- 1288380 白色模式中之透射率在電壓條件下自然低於在電 壓條件A下。《斜以自色模式之透射料效於電壓條 件A下之透射率。在此方面，電㈣件C優於電Μ條件b與 D。因而’考慮到γ特徵之視角相依性以及白色模式之透射 率，可以認為電壓條件c係較佳的。 接下來將說明次像素之間的較佳面積比。 根據本發明，如果施加於次像素SP1，SP2, ·.·，及spn之液 晶層的均方根電塵侧，¥2，...，¥11，如果次像素的面積係 SSP1，SSP2’…，及SSPn，並且如果關係vl>V2>. >Vn成 立，則較佳係滿足SSPUSSPn。以下將說明此點。 假定SSIM與SSP2係圖丨所示之像素1〇中次像素丨如與丨叽 的面積，圖8比較在電壓條件c下其面積比（sspi:ssp2)= (1.3)，（1:2)，（1:1)，（2:1)，（3:1)之間的γ特徵。圖8八顯示右方 觀看特徵，而圖8Β顯示右上方視角γ特徵。圖9顯示不同分 割比之前方觀看透射率。 可從圖8所示，降低被施加較高電壓之次像素（1〇a)之面積 比在減小γ特徵之視角相依性方面更為有效。 白色模式中之透射率在面積比（SSP1: sSP2) = (1:1)時取最 大值，並且隨著面積比變為不均勻而降低。此係因為如果 面積比變為不均勻’則不再能獲得良好的多域垂直對齊， 從而縮小第一次像素或第二次像素的面積。在具有小像素 面積的高解析度液晶顯示器中，此趨勢係明顯的。因而， 儘管面積比較佳係1:1，但可按需要予以調整，以便將其對 減小γ特徵之視角相依性之影響、白色模式之透射率、液晶 98052-960607.doc -38- 1288380 顯示器之使用等考慮在内。 接著將說明像素分區的數目。 儘管對於圖!所示的液晶顯示器1〇〇’ 一像素由兩個 次像素（l〇a與10b)組成，但本發明不限於此，並且次像素的 數目可能為三個或更多。 、圖1〇比較在三個條件下所獲得之博徵：當將—像素分割 成兩個次像素、當將一像素分割成四個次像素時以及當未 分割一次像素時。圖1〇A顯示右觀看γ特徵，而圖i〇B顯示 右上觀看γ特徵。圖⑽示白色模式中液晶顯示器的對應透 射率^像素的面積係恒定的，並且使用電壓條件Β。 可從圖10看出’增加次像素數目增加了校正丫特徵偏差的 效果。與不分割像素時相比，當將一像素分割成兩個次像 素時，該效果尤其明顯。當分區的數目從二增加到四時， 儘管γ特徵的偏差沒有太大的差異，但在偏差相對於灰階變 化的平滑變化方面，特徵得以改善。然而，可從圖21看出， 隨著分區的數目增加，白色模式中之透射率（前方觀看）降 低。其下降很大’尤其係當分區的數目從二增加至四時。 此大幅下降的主要原因係每一次像素的面積如上所述而大 幅縮小。當比較無分區與二分區條件時透射率下降的主要 原因係使用電壓條件Β。因而，較佳係按需要調整分區的數 目’以便將其對減小Υ特徵之視角相依性之影響、白色模式 之透射率、液晶顯示器之使用等考慮在内。 根據上文’可看出，隨著像素分區的數目增加，γ特徵的 偏差、偏差的形狀扭曲以及γ特徵的視角相依性得以減小。 98052-960607.doc -39- 1288380 S比較無分區與二分區（二次像素）時，此等效果最明顯。因 此較仫係將一像素分成二次像素，以便亦將次像素數目 增加引起的白色模式透射率下降與可製造性下降考慮在 内。 在圖1所示的液晶顯示器100中，分別將次像素1〇a與l〇b 彼此獨立地連接至TFT 16a與TFT 16b。將TFT l6a與丨❿的 源極電極分別連接至信號線14a與l4b。因而，液晶顯示器 1〇〇允許將任何均方根電壓施加於次像素之每一液晶層 上，但需要與圖3所示之傳統液晶顯示器100,之信號線14兩 倍那樣多的信號線（14a與14b)，從而亦需要兩倍那樣多的信 號線驅動電路。 相比之下，根據本發明之另一較佳具體實施例之液晶顯 示器200具有與傳統液晶顯示器100,相同的信號線數目，但 可在與上述電壓條件C類似的電壓條件下，將互不相同的均 方根電壓施加於次像素l〇a與l〇b之液晶層。 圖12示意性顯示根據本發明另一具體實施例之液晶顯示 器200之電性組態。具有與圖1所示液晶顯示器1〇〇之組件幾 乎相同功能之組件以相同的參考編號表示，並且省略對應 的組件及其說明。
將一像素10分割成次像素l〇a與10b，將等次像素分別與 TFT 16a及TFT 16b以及儲存電容（CS)22a及22b連接。TFT 16a與TFT 16b的閘極電極係連接至一掃描線12，並且其源 極係連接至共用（相同的）信號線14。將儲存電容22a與22b 分別連接至儲存電容線（CS匯流排線）24a與24b。分別藉由 98052-960607.doc -40- 1288380 與次像素電極18a與18b電連接之儲存電容電極、與儲存電 容線24a與24b電連接的儲存電容對向電極以及形成於兩者 之間的絕緣層（未顯示）來形成儲存電容22a與22b。儲存電容 22a與22b之儲存電容對向電極係彼此獨立並具有來自儲存 電容線24a與24b之互不相同的儲存電容對向電壓。 接下來，將參考附圖說明液晶顯示器2〇〇如何可將不同的 均方根電壓施加於次像素10a與1〇b之液晶層上的原理。 圖13顯示液晶顯示器2〇〇之一像素之一等效電路。在電性 等效電路中，以13a與13b表示次像素i〇a與i〇b之液晶層。 以Clca與Clcb表示藉由次像素電極18a與18b、液晶層13a與 13b以及對向電極17(為次像素10a與1〇b所共用）所形成的液 晶電容。 假疋液晶電各Clca與Clcb具有相同的電容值CLC(V)。 CLC(V)的值取決於施加於次像素1〇&與l〇b之液晶層之均方 根電壓。以Ccsa與Ccsb表示彼此獨立地連接至次像素1〇a與 1 〇b之液晶電容之儲存電容22a與22b，並且假定其電容值為 CCS。 次像素10a的液晶電容Clca與儲存電容Ccsa各自的其中 一個電極都連接至用於驅動次像素l〇aiTFT 16&之汲極電 極。將液晶電容Clca的另一電極連接至對向電極，而儲存 電容Ccsa的另一電極係連接至儲存電容線24a。次像素1〇b 的液晶電谷Clcb與儲存電容Ccsb各自的其中一個電極都連 接至用於驅動次像素1〇b之TFT 16b之汲極電極。將液晶電 容Clcb的另一電極連接至對向電極，而儲存電容以讣的另 ㈣41- 98052-960607.doc 1288380 一電極係連接至儲存電容線24b。將TFT 16a與TFT 16b的閘 極電極連接至掃描線12並且將其源極電極連接至信號線 14。 圖14示意性顯示用於驅動液晶顯示器200的電壓施加時 序。 在圖14中，波形（a)係信號線14的電壓波形Vs ,波形（b) 係儲存電容線24a的電壓波形Vcsa，波形（c)係儲存電容線 24b的電壓波形vesb，波形⑷係信號線12的電壓波形Vg， 波形（e)係次像素i〇a之次像素電極i8a之電壓波形vlca，而 波形（f)係次像素l〇b之次像素電極18b之電壓波形vicb。圖 式中的虛線指示對向電極17的電壓波形COMMON(Vcom)。 以下將參考圖14說明圖13中等效電路之操作。 在時間T1，當電壓Vg從VgL改變至VgH時，同時開啟TFT 16a與TFT 16b，並將電壓Vs從信號線14傳輸至次像素i〇a 與10b之次像素電極i8a與18b，從而對次像素l〇a與1 〇b進行 充電。同樣，從信號線對個別次像素之儲存電容Csa與Csb 進行充電。 在時間T2時，當信號線12的電壓Vg從VgH改變至VgL時， 同時關閉TFT 16a與TFT 16b。因此，次像素i〇a與i〇b以及儲 存電谷Csa與Csb皆係從信號線14切斷。稍後，由於TFT 16a 與TFT 16b及類似者的寄生電容所引起的汲取效果，個別次 像素的電壓Vlca與Vlcb下降大約相同的電壓vd至： Vlca=Vs-Vd
Vlcb=Vs-Vd 及8052-960607.doc •42- 1288380 此時，個別電容線的電壓Vcsa與Vcsb係：
Vcsa=Vcom-Vad
Vcsb=Vcom+Vad
在時間T3，連接至儲存電容Csa之儲存電容線24a之電壓 Vcsa從’’Vcom-Vad”改變至n Vcom+Vadn，並且連接至儲存電 容Csb之儲存電容線24b之電壓Vcsb從nVcom+Vadn改變兩 倍的Vad至nVcom-Vadn。由於儲存電容線24a與24b之電壓變 化，個別次像素的電壓Vlca與Vlcb變為： Vlca=Vs-Vd+2*Kc*Vad Vlcb=Vs-Vd-2*Kc*Vad 其中，Kc=CCS/(CLC(V)+CCS)，π*π指示乘法。
在時間Τ4，Vcsa從nVcom+Vad"改變兩倍的Vad至 "Vcom_Vadn，並且 Vcsb 從"Vcom-Vad"改變兩倍的 Vad 至 flVcom+Vad” ° 因此，Vlca與 Vlcb從： Vlca=Vs-Vd+2*Kc*Vad Vlcb=Vs-Vd-2*Kc*Vad 改變至：
Vlca=Vs-Vd Vlcb=Vs - Vd 在時間T5，Vcsa從’’Vcom-Vad”改變兩倍的Vad至 nVcom+Vadff，並且 Vcsb 從 ”Vcom+Vad” 改變兩倍的 Vad 至 ，，Vcom-Vadn。因此，Vlca與 Vlcb從：
Vlca=Vs-Vd
Vlcb=Vs-Vd 98052-960607.doc -43- 1288380 改變至：
Vlca=Vs-Vd+2*Kc*Vad
Vlcb=Vs-Vd-2*Kc*Vad
Vcsa、Vcsb、Vlca與Vlcb以水平寫入時間1 Η之整數倍為 間隔而在Τ4與Τ5交替上述變化。可藉由考慮液晶顯示器的 驅動方法（極性反轉方法等）與顯示狀況（閃爍、顆粒等），按 需要設定用於交替間隔的倍數1、2或3。重複此等交替循 環，直至下一次重新寫入像素10,即直至等於Τ1之一時間。 因而，次像素之電壓Vlca與Vlcb之有效值係： Vlca=Vs-Vd+Kc*Vad Vlcb=Vs-Vd_Kc*Vad 因此，施加於次像素l〇a與10b之液晶層13a與13b之均方 根電壓VI與V2係：
Vl=Vlca - Vcom V2=Vlcb-Vcom 因此，
Vl=Vs-Vd+Kc*Vad-Vcom V2=Vs-Vd-Kc*Vad—Vcom 因此，施加於次像素l〇a與10b之液晶層13a與13b之均方 根電壓之間的差異AV12(=V1-V2)係以AV12=2*Kc*Vad(其 中Kc=CCS/(CLC(V)+CCS))給出。此表示可施加互不相同的 電壓。 圖15示意性地顯示根據圖12與14所示之此具體實施例之 VI與V2之間的關係。 98052-960607.doc -44- !288380 可從圖15中看出，在根據此具體實施例之液晶顯示器200 中’V1祕越小’ Λνΐ2的值越大。此與在上述電壓條件C 下所獲付之結果類似。Δνΐ2值根據¥1或以而變化的事實歸 因於液晶電容之電容值CLC(V)之電壓相依性。 圖16中顯示根據此具體實施例之液晶顯示器之讀 徵。圖16中亦顯示當將相同的電壓施加於次像素心與⑽ 上時所獲得之γ特徵，以作比較。可從圖式中看出，在根據 此具體實施例之液晶顯示器中亦可改善γ特徵。 如上所述’本發明之具體實施例可改善正常黑色液晶顯 示器，尤其係MVA液晶顯示器，之γ特徵。然而，本發明不 限於此，而亦可應用於IPS液晶顯示器。 接下來將說明根據本發明—第二方面之具體實施例之液 晶顯示器。 以下將說明一像素配置（次像素配置）或驅動方法之較佳 形式，其可減少一液晶顯示器上的”閃爍"，在該液晶顯示 器中，每個像素具有至少兩個次像素，#顯示中間灰階時， 該等次像素的亮度互不相同。雖然此處以具有根據本發明 第一方面之具體實施例之分割像素結構之液晶顯示器為例 來說明根據本發明之此具體實施例之液晶顯示器之組態與 操作，但藉由一像素配置所產生的效果不限於像素分割方 法，而亦可使用具有另一分割像素結構之液晶顯示器。 將首先說明液晶顯示器之”閃燦”問題。 從可罪性觀點而言，典型液晶顯示器係設計成使用交流 電壓作為施加於像素之液晶層上的電壓（有時稱為"交流驅 98052-960607.doc -45- 1288380 特〜的4)像素電極與對向電極之㈣電位大小關係係以 *的時間間隔反轉’因此施加於每一液晶層之電場（電力 線）方向係以該等時間間隔反轉。對於其中對向電極盘像素 電，係安裝於不同基板上的典型液晶顯示器，施加於每一 液曰曰層上的電場方向係從光源至觀察者方向反轉至觀察者 至光源方向。 一般而言，施加於每一液晶層之電場之方向反轉循環係 訊框週期（例如16· 667 ms)的兩倍（例如33·333 ms)。換言 之，在液晶顯示器中，每次所顯示的影像（訊框影像）改變 時’便反轉施加於每一液晶層的電場方向。因此，當顯示 靜態影像時，如果交替方向之電場強度（所施加的電壓）不完 全匹配，即如果每次電場方向改變時，電場強度便改變， 則像素亮度隨著電場強度的變化而變化，從而導致顯示器 閃爍。 為了防止閃爍，需要使交替方向的電場強度（所施加的電 壓）完全相等。然而，對於工業上生產的液晶顯示器，難以 使交替方向的電場強度完全相等。因此，為減少閃爍，將 電場方向相反的像素放置為彼此相鄰，從而在空間上平均 像素的亮度。一般而言，此方法稱為π點反轉”或π線反轉π。 可使用各種”反轉驅動"方法’包括棋盤圖案逐個像素反轉 (逐列、逐行極性反轉：1點反轉）、逐線反轉（逐列反轉·· 1 線反轉），以及每兩列及每行極性反轉。按需要選擇上述其 中一種方法。 如上所述，為了實施高品質顯示’較佳係滿足以下三個 98052-960607.doc -46- 1288380 條件：⑴使用交流驅動，以使施加於每—液晶層的電場方 向係以特定的時間間隔反轉，例如，每個訊框週期，⑺使 =交替電場方向施加於每一液晶層上的電壓(储存於液 日日電各中的電荷數量）以及儲存於儲存電容中的電荷數量 相等’以及⑶在每一垂直掃描週期(例如訊框週期)中將施 加於液晶層之電場方向（有時稱為"電壓極性")相反的像素 放置為彼此相鄰。附帶提一下，術語"垂直掃描週期"可定 義為選擇-掃描線之後、再次選擇該掃描線之前的週期。 一掃描週期等效於非交叉驅動情形下的—訊框週期，並且 對應於交叉驅動情形下的一場週期。而且，在每一垂直掃 描週期中，選擇-掃描線的時間與再次選擇該掃描線的時 間之間的差異（週期）稱為一水平掃描週期（ι H)。 本發明之上述具體實施例可藉由將每—像素分成至少兩 個次像素並使其亮度（透射率）彼此不同，而實現具有優異視 角特徵的顯示器。發明者發現，當將每一像素分成複數個 次像素並有意使該等次像素的亮度變化時，較佳係在除上 述三個條件之外，滿足與次像素配置的第四條件。明確地 次’只要可能’便以隨機的亮度次序來放置需要有意地使 其免度變化的次像素。若不將亮度相等的次像素沿行或列 方向彼此相鄰地放在一起，則顯示品質最佳。換言之，最 佳係將亮度相等的次像素配置成一棋盤圖案。 以下將說明適用於本發明之上述具體實施例之驅動方 法、像素配置與次像素配置。將參考圖17與18來說明根據 本表月之具體實施例之液晶顯示器之驅動方法之範例。 98052-960607.doc •47- 1288380 以下說明將引用一範例，其中將像素配置成具有複數個 列（1至rp)與複數個行（1至叫）的矩陣㈣，叫），其中將每一像 t表示為P(P，q)(其中1邛與1 spcq)並且具有至少兩個 人像素SPa(p，q)與SPb(p，q)，如圖17所示。圖”係部分地 ，員不根據本發明之液晶顯示器中—相關配置（8列乂6行）的示 ^圖，即信號線 S-CM，S_C2, S_C3’ S_C4,…，s_Ccq ;掃描線 -Ll’ G-L2, G-L3, G-Lrp，·儲存電容線 CS_A 與 CSB ;像 素P(P’ q)，以及組成像素之次像素spa(p，q)與spb(p，q)。 如圖1 7所示，—像素p(p，q)在大致中心位置水平地穿過 像素之掃描線G-L_侧具有次像素spa(p，q)與spb(p， 在每-像素中沿行方向配置次像素spa(p，q)與spb(p，q)。 將次像素SPa(P，q)與SPb(p，q)之儲存電容電極（未顯示）分 別連接至相鄰的儲存電容線CS_CS_B。根據所顯示影像 將信號電壓供應至像素P(p，q)之信號^s_Ceq垂直（沿行方 向)延伸於像素之間’以將信號電壓供應至信號線右方的次 像素之TFT元件（未顯示）。根據圖17所示的組態，—儲存電 容線或-掃描線係由兩個次像素共享4具有增加像素之 打開速率之優點。 圖18顯示用於驅動具有圖17所示組態之液晶顯示器之各 種電壓（信號）之波形⑷至⑴。藉由以具有圖18所示電壓波 形⑷至⑴的電壓來驅動具有圖17所示組態的液晶顯示器， 可滿足上述四個條件。 接下來，將說明根據此具體實施例之液晶顯示器如何滿 足上述四個條件。為簡化說明’假^所有的像素顯示一中 98052-960607.doc -48 - 1288380 間灰階。 在圖I8中，波形(a)係供應至信號線s-Cl，S-C3, S-C5，…（一組奇數編號的信號線有時稱為s-〇)之顯示信號 電壓波形（源信號電壓波形）；波形（b)係供應至信號線s_c2, S-C4，S-C6，…（一組偶數編號的信號線有時稱為之顯 示信號電壓波形；波形（c)係供應至儲存電容線CS_A之儲存 電容對向電壓波形；波形（d)係供應至CS-B的儲存電容對向 電壓波形；波形（e)係供應至掃描線G-L1之掃描電壓波形； 波形⑴係供應至掃描線G-L2之掃描電壓波形；波形（g)係供 應至掃描線G-L3之掃描電壓波形；波形（11)係供應至掃描線 G-L4之掃描電壓波形；波形⑴係供應至掃描線^以之掃描 電壓波形；以及波形⑴係供應至掃描線G-L6之掃描電壓波 形。一掃描線之電壓從低位準（VgL)改變至高位準（VgH)時 的時間與下一掃描線之電壓從VgL改變至VgH的時間之間 的週期構成一水平掃描週期（1 H)。掃描線電壓保持於高位 準（VgH)的週期有時稱為選擇週期ps。 因為所有的像素顯示中間灰階，故所有的顯示信號電壓 (圖18中的波形（a)與（b))具有固定振幅之振盪波形。而且， 顯不#唬電壓之振盪週期係二水平掃描週期（2 H)。顯示信 號電壓振盪以及信號S-C3，的電壓波形及 仏唬線S-E(S-C2，S-C4，…）的電壓波形之柑位相差18〇度的 原因係要滿足上述第三條件。一般而言，在TFT驅動中，經 由TFT元件而傳輸至像素電極之信號線電壓受到掃描電壓 波形變化的影響（有時稱為汲取現象）。鑒於汲取現象，在將 98052-960607.doc 1288380 信號線電壓波形傳輸至像素電極之後，將對向電壓置於信 號線電壓波形的大致中心位置。在圖18中，若像素電㈣ 壓波形高於對向電壓，則信號電壓係由"+"符號指示，若像 素電極電麗波形低於對向電壓，則信號電m係由符1指 示。+與符號對應於施加於液晶層上的電場之方向。符 號為"+”時與符號為”_，，時的電場方向相反。 、 如以上參考圖12至15所述，當掃描線之掃描電壓係ν§Η 時開啟連接至掃描線之TFT，從而使顯示信號電塵被供應 至與TFT連接的次像素。於是，當掃描線之掃描電壓變為 VgL時，儲存電容對向電屢發生變化。因㈣存電容對向 電壓k化（包括變化的方向與符號）在兩個次像素之間不 同，故施加於次像素上的均方根電壓亦不同。 在圖18所顯示的範例中，儲存電容對向電壓（波形⑷與 (句）之振盪振幅與週期在儲存電容線^八與cs_b之間取相 同的值·例如分別係兩倍的Vad(參見圖丨句與i h。而且， 如果CS A與CS-B的振盪波形之一係相移18〇度，則該等振 盈波形將重疊。亦即’兩者的相位彼此相差0·5 Η。如果對 應知描線的電壓從VgH改變至VgL之後對應儲存電容線的 第電壓變化係增加，則每一次像素電極的平均電壓係高 於s對應知描線處於VgH狀態時的週期期間存在的對應掃 描線之顯不#唬電壓，但如果對應儲存電容的第一電壓變 化係降低’則其低於當對應掃描線處於狀態時的週期 期間存在的對應掃描線之顯示信號電壓。 因此，如果圖18中的顯示信號電壓（波形（a)或（b))係標記 98052-960607.doc 1288380 為”+’’符號，則施加於液晶層上的均方根電壓在儲存電容線 之電壓變化上升時較其下降時更高。另一方面，如果圖18 中的顯示信號電壓（波形（a)或（b))係標記為”_"符號，則施加 於液晶層上的均方根電壓在儲存電容線之電壓變化上升時 較其下降時更低。 圖17顯示一垂直掃描週期（在此範例中為訊框週期）中像 素P(P，q)與次像素SPa(P，q)及SPb(p，q)的狀態。關於每一次 像素之掃描線而對稱顯示的以下三個符號指示次像素的狀 態。 · 弟 付號Η或L指示施加於次像素上的均方根電壓之大 小關係，其中符號Η表示所施加的均方根電壓係高的，而符 號L表示所施加的均方根電壓係低的。第二符號，，+ "或，，-，，指 示對向電極與次像素電極之間的電壓大小關係。換言之， 其指示施加於液晶層之電場之方向。符號"+，，表示次像素電 極的電壓兩於對向電極的電壓，而符號"·"表示次像素電極 的電壓低於對向電極的電壓。第三符號八或3指示適當的儲 存電容線是否係CS-A或CS-B。 鲁 例如，考慮像素p(l，1)之次像素SPa(1，1}與spb(1，丨）的狀 態。從圖18中的波形（a)至可看出，在選擇^^丨的週期（掃 描電壓為VgH的週期PS)期間，顯示信號電壓係，，+ "。當^^工 的掃描電壓從VgH改變至VgL時，個別次像素之儲存電容線 ，電壓（波形⑷與⑷)係處於圖18所示的箭頭（從左邊起的 第一前頭）所指示的狀態。因此，在Glj之掃描電壓從VgH 改菱至VgL之後，SPa(l，1)之儲存電容對向電壓的第一電壓 98052-960607.doc 51 1288380 變化係增加（波形（C)中的”U，，所示），如圖18所示。另一方 面，在GL-1之掃描電壓從VgH改變至VgL之後，SPb(l，1) 之儲存電容對向電壓的第一電壓變化係降低（波形（d)中的 D’’所示），如圖18所示。因此，SPa(l，1)的均方根電壓增 加，而SPb(l，1)的均方根電壓降低。因此，SPa(l，1)之所 施加的均方根電壓高於SPb(l，1)之所施加的均方根電壓， 並且將符號Η附著於SPa(l，1)，將符號L附著於SPb(l，1)。 根據如圖18所示的波形（b)，在選擇GL-1的週期期間，pg， 2)之SPa(l，2)與SPb(l，2)的顯示信號電壓係。當GL-1的 知描電壓從VgH改變至VgL時，個別次像素之儲存電容線之 電壓（波形（c)與（d))係處於圖18所示的箭頭（從左邊起的第 一箭頭）所指示的狀態。因此，在GL-1之掃描電壓從VgH改 變至VgL之後，SPa(l，2)之儲存電容對向電壓的第一電壓變 化係增加（’’U’如圖18所示。另一方面，在GL-1之掃描電 壓從VgH改變至VgL之後，SPb(l，2)之儲存電容對向電壓的 第一電壓變化係降低（"D")，如圖18所示。因此，SPa(1，2) 的均方根電壓降低，而SPb(l，2)的均方根電壓增加。因此， SPa(l，2)之所施加的均方根電壓低於SPb(l，2)之所施加的 均方根電壓，並且將符號L附著於SPa(l，2)，將符號η附著 於 SPb(l，2)。 根據如圖18所示的波形（a)，在選擇GL-2的週期期間，p(2, 1)之SPa(2, 1)與SPb(2, 1)的顯示信號電壓係當〇]^_2的 掃描電壓從VgH改變至VgL時，個別次像素之儲存電容線之 電壓（波形（c)與（d))係處於圖18所不的箭頭（從左邊起的第 98052-960607.doc -52- 1288380 二箭頭）所指示的狀態。因此，在GL-2之掃描電壓從VgH改 變至VgL之後，SPa(2, 1)之儲存電容對向電壓的第一電壓變 化係降低（’’D’’），如圖18D所示。另一方面，在GL-2之掃描 電壓從VgH改變至VgL之後，SPb(2, 1)之儲存電容對向電壓 的第一電壓變化係增加（”Un)，如圖18C所示。因此，SPa(2, 1)的均方根電壓增加，而SPb(2，1)的均方根電壓降低。因 此’ SPa(2，1)之所施加的均方根電壓高於spb(2，丨）之所施 加的均方根電壓，並且將符號Η附著於SPa(2，1),將符號L 附著於SPb(2, 1)。以此方式，導致圖17所示的狀態。 可以滿足第一條件的方式來驅動根據此具體實施例之液 晶顯示器。 因為圖17與18顯示訊框週期的狀態，故不可能根據該等 圖式評估是否滿足第一條件。然而，例如在圖丨8中，藉由 將每一信號線（S-0(圖18A)或S-E(圖18B))上的電壓波形之 相位從訊框至訊框偏移1 80度，可實施交流驅動，其中在每 個訊框週期反轉施加於每一液晶層之電場方向。 此外，在根據此具體實施例之液晶顯示器中，為了防止 像素之次像素之大小關係’即顯示螢幕中次像素的亮度次 序（圖17中’Ή”與” L”的相對位置）從訊框至訊框變化，隨著信 號線上的電壓波形之相位變化，儲存電容線CS-a與CS-Β上 的電壓波形之相位改變180度。因此，在下一訊框週期反轉 圖17所示的”符號與符號，例如（+，H)〇(_，H)以及（+， L)0(-，L)。以此方式可滿足上述第一條件。 現在，我們檢查是否滿足第二條件，即是否將每一次像 98052-960607.doc -53- 1288380 素的液晶層（該次像素的儲存電容）在不同電場方向充電至 相同的位準。在根據此具體實施例之液晶顯示器中，若將 不同的均方根電壓施加於每一像素之次像素之液晶層上，， 諸如閃爍之類的顯示品質受到亮度等級較高的次像素，即 圖17中符號"H"所指示的次像素之影響。因此，將第二條件 特別地施加於符號"H"所指示的次像素。 ^ 將參考圖1 8所示的電壓波形來說明第二條件。 在對應掃描線之電壓係VgH的週期（選擇週期ps)期間，對 次像素的液晶電容與儲存電容進行充電。儲存於液晶電容 中的電荷之品質取決於選擇週期期間信號線之顯示信號電 壓與對向電壓（圖18中未顯示）之間的電壓差，而儲存於儲存 電容中的電荷之品質則取決於選擇週期期間信號線的顯示 信號電壓與儲存電容線的電壓（儲存電容對向電壓）之間的 電壓差。 如圖18所示，每一選擇週期中的顯示信號電壓可為圖式 中的” + "或符號所指示的兩種類型之一。在任一情形下， 在每一選擇週期期間無電壓變化。對於對向電壓（未顯示）， 可將不隨時間而變化的相同的DC電壓施加於所有次像素 .上。 ' 有兩種類型的儲存電容線CS-A與CS-B。在任一掃描線的 選擇週期期間，CS-A的電壓波形係相同的。同樣，在任一 掃描線的選擇週期期間，CS-B的電壓波形係相同的。換言 之’在任一知描線的選擇週期期間，儲存電容線之電壓的 DC成分（DC位準）取相同的值。 98052-960607.doc -54- 1288380 滿=::t由按需要調整下列電壓的dc成分(dc位準)而 /兩疋{条御1 ·含 , •母一知描線的顯示信號電壓、對向雷 電壓以及每一儲存電容線之電壓。 接下來’我們將確認是否滿足第三條件 訊框週期中將雷尸女& 1 H一 撼…杳 的像素放置為彼此相鄰。在根 據此具體實施伽夕、Β π _ 液曰曰•顯示器巾，若將不同的均方根電壓 施加於每一像紊夕4 ^ 像素之液晶層上’第三條件適用於被 應相同均方根電麼之次像素之間的關係以及該等像素。 尤/、重要的係’凴度等級較高的次像素，即圖 ，Ή"所指示的次像辛， 町付就 樣 京滿足第二條件，如同第二條件之情形 ^如圖17所不’指示每—像素之極性（電場方向）的" +，，與” 付號’沿列方向（太伞古A、>•工An ± (尺千方向）母兩個像素（兩行）反轉，例如（+， )(，）（+，-) ’並且沿行方向（垂直方向）每兩個像 列）反轉，例如（+ _)、r+ 、a 、， 素（兩 卡主# (，）（+，-)、（+，·）、（+，-)。從像素的角声 來看〜、展不出稱為點反轉的狀態，滿足第三條件。 接下來，我們將考慮亮度等級較高的次像素， 的符號"H"所指示的次像素。 M /干 參考圖17,所示列方向上沒有極性反轉，例如— 中次像素Spa之他他册但所示行方向上每兩 ^ 列）反轉極性，例如第一行中的（+η，·η)、（+η，,、= Η)、（+Η，-Η)。在特別重要的亮度等級較高的次二， 處觀察到稱為線反轉之狀態，此表示其滿足第三條件:級 以規則的圖案來配置符號⑽指示的次像素，從而滿足第： 98052-960607.doc -55- 1288380 條件。 接下來，我們將論述第四條件。第四條件要求在有意要 改變党度的次像素當中，不應將亮度相等的次像素放 彼此相鄰。 、 … 根據此具體實施例，有意要改變亮度的次像素，即有意 夺不同的均方根電壓施加於其液晶層上的次像素係由圖 17中的符號”H”或"L"所指示。 在圖17中，如果將次像素組織成由列方向的兩個次像素 與行方向的兩個次像素所組成的四個次像素的群組（例 如，SPa(l，1)、SPb〇, υ、spa〇, 2)與 spb〇, 2))，則整個 矩陣係由-人像素群組組成，在每一群組中，^^與乙係從左至 右配置於上列中’而味H則係配置於下列中。因此，在圖 17中，將符號”η”與” L”配置於次像素層級的棋盤圖案中， 以滿足第四條件。 考慮矩陣’在像素層級，每—像素巾次像素的亮度次序 與配置於行方向中的次像素之位置之間的對應關係在任意 列中的像素情形下沿列方向週期性地變化（每一像素），但在 任意行中的像素情形下則保持怪定。因此，在任意列的像 素p(p’ q)中’最免的次像素（在此範例中，"『所指示的次 像素）在q為奇數時為SPa(p，q)，而在q為偶數時，則為奶(p， q)。當然，相反地，最亮的次像素在_奇數時可能係spb(p， q)，而在q為偶數時則為SPa(p，q)。另一方面，在任意行的 像素P(P，q)中，最亮的次像素在相同的行中總是8喻，q) 或SPb(P，q)’而不論p是否為奇數或偶數。此處sp屯^或 98052-960607.doc -56- 1288380 (p’ q)之選擇表不’最亮的次像素在奇數編號的行中為 、（p’q)不’ p疋否為奇數或偶數，而在偶數編號的行中 則為SPb(p，q ) ’而；^論卩是否為奇數或偶數。 一如以上參考圖17與18所述，根據此具體實施例之液晶顯 不裔滿足上述第四條件，因而其可實施高品質的顯示。 接下來，將參考圖19與2〇說明根據另一具體實施例使用 不同方法驅動像素與次像素之液晶顯示器。圖19與圖2〇對 應於圖17與18。 如圖20所不’在根據此具體實施例之液晶顯示器中，顯 不L號電壓與儲存電容對向電壓每隔2 η振盪。因而，振盪 的週期係4 Η(四個水平寫入時間）。奇數編號的信號線 S_〇(S_Cl，S_C3，S-C5，···）與偶數編號的信號線 S_E(S-C2, S_C4，S_C6，…）之信號電壓之振盪相位彼此相差18〇度（以 時間而言係2 H)。儲存電容線cs-A與CS-B之電壓振盪相位 亦彼此相差1 80度（以時間而言係2 η)。此外，信號線的電壓 振盈落後於儲存電容線CS-A之電壓振盪達45度相位差（1/8 週期’即H/2)。附帶提一下，使用45度的相位差來防止掃 描線的VgH至VgL電壓變化以及儲存電容線的電壓變化相 重疊，並且此處所用的值係限制性的，可按需要使用另一 值。 對於根據此具體實施例之液晶顯示器，每一像素同樣由 兩個有意要改變亮度並係由符號，，H”或” L”所指示的次像素 所組成。此外，如圖19所示，將符號"H"或"L"所指示的次 像素配置成棋盤圖案，其表示滿足第四條件，如同上述具 98052-960607.doc -57- 1288380 體實施例一樣。對於第一條件，其可使用與參考圖17及18 所述具體實施例所使用者相同的反轉方法來滿足。 然而，圖19及20所示之具體實施例無法滿足上述第二條 件。 現在，我們將考慮圖19中第一行之第一至第四列所示的 像素P(l，1)、P(2，1)、P(3, 1)與p(4，1)之較亮的次像素卩^^ 1)、Pa(2, 1)、Pa(3, 1)與 Pa(4, 1)。當對Pa(1，充電時，即 當選擇G-L1時，對應信號線之極性符號為” + ”。當對pa(3, i) 充電時，即當選擇G-L3時，對應信號線之極性符號為，，_，，。 而且，當對Pa( 1，1)充電時’即當選擇g_l 1時，對應儲存電 容線CS-A之電壓波形從選擇週期的大致中心位置開始逐步 降低。當對Pa(3, 1)充電時，即當選擇g-L3時，對應儲存電 容線CS-A之電壓波形從選擇週期的大致中心位置開始逐步 增加。因此，藉由精確地控制儲存電容線（：8_；8與掃描線之 信號電壓波形之相位，可使儲存電容對向電極在Pa(丨，丨）被 充電時與Pa(3，1)被充電時具有相同的dc位準。藉由將Dc 位準設定為當對Pa( 1，1)充電時儲存電容對向電極的電壓 (等於次像素電極的電壓）與當對Pa(3, 1}充電時儲存電容對 向電極的電壓（等於次像素電極的電壓)之間的平均值，可使 Pa(l，1)與Pa(3，1)之儲存電容中所儲存的電荷數量相等。接 下來，考慮Pa(2, 1)，在對應的週期期間，即當選擇G_L2時， 對應信號線的極性符號係與上述Pa(3，1}相同），並且對 應儲存電谷線的電壓取固定的值（非上述之類的振蘯波 形），而不隨時間變化。因此，藉由使對應MPa(2, j)的儲存 98052-960607.doc -58- 1288380 電容線之電壓值與上述關於pa(l，”與以^丨）之Dc位準相 等’可使儲存於Pa(l5 1)、Pa(3，1)及pa(2，i)之儲存電容中 的電荷數量相等。然而，由於以下原因，不可能使儲存於 Pa(4，1)之儲存電容之電荷數量與儲存於pa(i，1)、ο 與Pa(3, 1)之儲存電容之電荷數量相等。pa(4, 1}之信號線之 極性符號與pa( 1，1)相同，而對應儲存電容線之電壓取一固 定值（非上述之類的振盪波形），而不隨時間變化。因此，需 要使Pa(4, 1)之儲存電容線之電壓值（上述固定值）與上述關 於Pa(l，1)及Pa(3, OiDC位準相等，如同在pa(2, υ之情形 中，即需要使Pa(4，1)之儲存電容線之電壓值（上述固定值） 與Pa(2, 1)之儲存電容線之電壓值相等。然而，此係不可能 的，因為，如圖19與20所示，pa(2, 1)與pa(4, 1)的儲存電容 線係CS-B，其具有矩形振盪波形，並且在pa(2,丨）之選擇週 期期間選擇振盪波形的最大值，而在Pa(4,丨）的選擇週期期 間選擇振盪波形的最小值，從而使兩個電壓必然不同。 而且根據弟二條件’要將具有相同極性的次像素配置 為盡可能不相鄰，此具體實施例劣於上述關於圖17與18之 具體實施例。 參考圖19，我們將考慮在組成像素的次像素當中，具有 大電壓有意施加於其液晶層上之次像素，即符號11所指示的 次像素，之極性反轉。在圖19中，所示列方向上沒有極性 反轉’例如，第一列中次像素SPa之+H、+h、+H(與圖17 一樣）’但所示行方向上每四個像素反轉極性，例如第一行 中的（+H，-H，-H，+H)、（+H，_H，-H，+H)。在參考圖 17與 18 98052-960607.doc -59- 1288380 所示的具體實施例中，每兩個像素（即此具體實施例之極性 反轉循環之1/2)發生極性反轉。換言之，在參考圖17與18 所述之具體實施例中，極性反轉的發生頻率為參考圖19與 20所述之此具體實施例的兩倍。在此方面，此具體實施例 (參考圖19與20所述）劣於參考圖17與18所述的具體實施例。 實際上在實施圖17所示像素配置之先前具體實施例之驅 動方法與此具體實施例之驅動方法之間比較顯示品質，並 且在顯不品質中觀察差異。明確地說，當以固定視線觀察 一在有意要改變亮度之次像素之間產生較大亮度差異的 64/25 5灰階顯示器時，在兩種驅動方法之間未觀察到重大 差異。然而’當藉由移動視線來觀察顯示器時，在此具體 實施例（圖19)之驅動方法之情形下觀察到水平條紋，而先前 具體實施例（圖17)之驅動方法不存在此一問題。咸信該差異 係由上述極性反轉循環中的差異引起。因為每一次像素中 所含兩個次像素之較亮者更明顯，故較佳係最小化較亮次 像素之極性反轉循環。在上述範例中將每一次像素分成兩 個次像素’但如果將其分成三或多個次像素，則較佳係將 該等次像素配置成最小化最亮次像素的極性反轉循環。不 用說，最佳係所有其他次像素具有與最亮次像素相同的極 性反轉。 接下來，參考圖21A與21B，將說明一具體實施例，即使 藉由移動視線來觀察顯示器時，其亦使用比圖丨7所示具體 實施例更短的極性反轉循環來使上述水平條紋更不明顯。 根據圖17所示的具體實施例，儘管組成像素的較亮次像 98052-960607.doc -60- 1288380 素（从符號”H”指示）之” + ”與” _，，符號沿行方向反轉，如（+， )(5 _)、（+，_)、（+，-)所示，但其不沿列方向反轉，如+， 5 ， 5 +，+或所示。相反，根據圖21所示的具 體實施例，較免次像素之"+ "與”_"符號不僅沿行方向反轉， (，）（+，-)、（+，-)、（+，-)所示，而且沿列方向反轉， 如（+，·）、（+，〇所示。因此，圖20所示的此具體實施例使用 比圖17所不的具體實施例更短的極性反轉循環。在此方
面圖20所不的此具體實施例係比圖17所示的具體實施例 更佳。 U
舍即使在圖21所示的具體實施例中，在組成像素的次像素 當中，以符號"H"指示的較亮次像素係配置於棋盤圖案中…， 以滿足第四條件。 可如下實施圖21Α所示的像素
如圖21B示意性顯示，將每一列中的次像素之儲存電容 向電極每兩行交替地連接至儲存電容線CS.A或CS_B。藉 比較此具體實施例之圖21以及上述具體實施例之圖^ 可β邊地看出此結構性變化。明確地說，可藉由考 沿列方向而於次像素處選定㈣存電容線來發現^點。 如，在次像素SPa(l，1)至SPa(1，6)之列中，在以符號”八" 指示的儲存電容對向電極當中，於圖21(此具體實施名 ，’A"係針對SPa(l，υ選擇，"B"針對卯吣，2)與$ 3) ’ "A”針對SPa(1，4)與咖〇, 5)，並且” b"針對❿、 而於圖17或18(前述具體實施例）中，，，A"係針對所有次 SPa(l，1)至 SPa(l，6)而選擇。 ’ 98052-960607.doc -61 - 1288380 根據圖2 1所示的此具體實施例，可將圖丨8所示的電壓波 形（a)至⑴用作供應至線路的電壓波形，包括儲存電容線 CS-A與CS_B。然而，由於每隔兩行反轉顯示信號電壓，故 將具有圖18所示波形⑷的顯示信號電壓供應至圖21八的 S Cl, S-C2, S-C5, S-C6,…’而將具有圖2〇所示波形（b)的顯 示#號電壓供應至圖21A所示的S-C3，S-C4，S-C7(未顯示） S-C8(未顯示），...。 儘管在上述具體實施例中，供應至儲存電容線之儲存電 容對向電壓係具有工作比為1:1之矩形波形的振盪電壓，但 本t明亦可使用工作比非為1:1的矩形波。此外，亦可使用 正弦波或三角波之類的其他波形。在該情形下，當關閉連 接至複數個次像素的TFT時，可根據次像素改變供應至次像 素之儲存電容對向電極之電壓發生的變化。然而，使用矩 形波可方便地使儲存於不同次像素（液晶電容與儲存電容） 中的電荷數量以及施加於不同次像素上的均方根電壓相 等。 而且，儘管在參考圖17與21所述的具體實施例中，供應 至儲存電容線（凌形（c)與（d))的振盪電壓之振盪週期如圖18 所示為1 Η，其可為藉由將1 η除以自然數而獲得之i η之分 數，例如1/1 Η、1/2 Η、1/3 Η、1/4 Η等。然而，隨著振盪 電壓之振盪週期變短，建立驅動電路變難，或使驅動電路 之功率消耗增加。 接下來將說明本發明之第三方面之具體實施例。 本發明之第三方面之具體實施例係關於大型或高解析度 98052-960607.doc -62- 1288380 液晶顯示器及其驅動方沐 甘组 動方&其精由將各像素分成複數個亮 度不同的次像素而改善視角特徵，尤其係顯示對比度。 如上請纟發明之第一方面之具體實施例係一液晶顯 丁菇或馼動方法’其藉由將每一像素分成複數個亮度不同 的次像素而改善視角特微+甘7么 仇用符欲，尤其係顯示對比度。本文中將 此類型的顯示與驅動魏兔客後本& _ 一 >動稱為夕像素顯不、多像素驅動、面積 比灰Ρό』示或面積比灰階驅動。而且，本發明之第二方面 之具體實施例係一液晶顯示器或其驅動方法，其配備有次 像素陣列’ 4 _欠像素陣列可減少顯示器的，，閃爍，，並且與根 據第一方面之具體實施例適當地組合。 在根據本發明之第二方面之具體實施例之液晶顯示器 中，施加於CS匯流排線（儲存電容線）上的振盪電壓（儲存電 合對向電壓）具有等於或短於一水平掃描週期之振盪週 期如果以此方式將具有短振盪週期之振盪電壓施加於CS 匯流排線上，則顯示器面板之解析度與尺寸的增加以及所 得到的振盪電壓之短振盪週期將使振盪電壓產生器電路難 以建立（昂貴）、增加功率消耗或增加cs匯流排線之電負載 阻抗所引起的波形純化之影響。 為了與根據本發明第二方面之具體實施例之液晶顯示器 相比較而說明根據本發明第三方面之具體實施例之液晶顯 示器，此處將再次說明根據本發明之第二方面之具體實施 例之液晶顯示器之具體組態與操作。以下係一範例，其中 藉由將CS匯流排線之振盪電壓之振盪週期設定為一水平掃 描週期而達成上述面積比灰階顯示器。該說明將集中於以 98052-960607.doc -63- 1288380 下三點並參考附圖。第一點關於液晶顯示器的組態，主要 說明連接至次像素之儲存電容之儲存電容對向電極與cs匯 流排線之間的連接圖案。第二點關於根據閘極匯流排線之 電壓波形之CS匯流排線之振盪週期與相位。第三點關於次 像素的驅動與顯示狀態。 圖22係具有圖17所示像素陣列之液晶顯示器之特定區域 之等效電路圖。液晶顯示器具有配置成行列矩陣之像素。 每一像素具有兩個次像素（以符號A與B所指示）。每一次像 素包含一液晶電容CLCA_n，m或CLCB_n，m以及儲存電容 CCSA_n，m或CCSB_n，m。每一液晶電容係由次像素電極、 對向電極ComLC以及夾置於兩者之間的液晶層所組成。每 一儲存電容係由儲存電容電極、絕緣膜與儲存電容對向電 極（ComCSA—η或ComCSB_n)所組成。經由個別TFTA—n，m與 TFTB—n，m將該等兩個次像素連接至一共用信號線（源極匯 流排線）SBL_m。藉由供應至一共用掃描線（閘極匯流排 線）GBL_n的一掃描信號電壓來開啟與關閉TFTA—n，m與 TFTB_n，m。當開啟兩個TFT時，經由一共用信號線將顯示 信號電壓供應至兩個次像素的個別次像素電極與儲存電容 電極。經由CS匯流排線（CSBL)，將該等兩個次像素之一的 儲存電容對向電極連接至儲存電容中繼線（CS中繼 線）CSVtypeRl，並將另一次像素的儲存電容對向電極連接 至儲存電容中繼線（CS中繼線）CSVtypeR2。 應注意，在圖22中，沿行方向相鄰像素之次像素共享電 性上共用的CS匯流排線。明確地說，在列η中具有CLCB_n，m 98052-960607.doc -64- 1288380 之次像素之CS匯流排線CSBL以及在一沿行方向相鄰的列 中一像素之具有CLCA_n+1，m的次像素之CS匯流排線CSBL 在電性上相同。 圖23A與23B顯示根據閘極匯流排線之電壓波形供應至 CS匯流排線之振盪電壓的振盪週期與相位以及顯示次像素 電極之電壓。液晶顯示器一般以規則的時間間隔反轉施加 於每一像素之液晶層之電場方向，因而需要考慮與電場方 向相對應的兩種類型的驅動電壓波形。圖23 A與23B分別顯 示兩種類型的驅動狀態。 在圖23 A與23B中，VSBL_m表示供應至行m之源極匯流排 線SBL_m之顯示信號電壓（源極信號電壓）之波形，而 VGBL—n表示供應至行η之源極匯流排線GBL一η之掃描信號 電壓（閘極信號電壓）的波形。VCSVtypeRl與VCSVtypeR2表 示分別作為儲存電容對向電壓供應至CS中繼線 CSVtypeRl與CSVtypeR2的振盪電壓之波形。VPEA-tn，n與 VPEB_m，n表示個別次像素之液晶電容之電壓波开> 〇 在圖23A與23B需要注意的第一點係，CSVtypeRl與 CSVtypeR2 之電壓 VCSVtypeRl 與 VCSVtypeR2 的振盪週期 皆等於一水平掃描週期（1 H)。 在圖23 A與23B中需要注意的第二點係，VCSVtypeRl與 VCSVtypeR2的相位如下。首先，考慮CS中繼線之間的相位 差，VCSVtypeR2比VCSVtypeRl落後0.5 H。接下來，考慮 CS中繼線與閘極匯流排線之電壓，CS中繼線與閘極匯流排 線之電壓相位如下。從圖23 A與23B可看出，當對應於個別 98052-960607.doc -65- 1288380 CS中繼線的閘極匯流排線之電壓從VgH改變至VgL時的時 間與CS中繼線電壓的扁平部分到達其中心的時間相一致。 換言之，圖23A與23B中的Td值係0.25 Η。然而，Td可取任 何大於0 Η但小於0.5 Η的值。 儘管已參考圖23 Α與23Β說明CS中繼線之電壓週期與相 位，但CS中繼線的電壓波形不限於此，並且只要滿足以下 兩個條件之一，CS中繼線可具有任何波形。第一條件係， 對應閘極匯流排線之電壓從VgH改變至HgL之後電壓 VCSVtypeRl的第一變化係電壓增加，而對應閘極匯流排線 之電壓從VgH改變至HgL之後電壓VCSVtypeR2的第一變化 係電壓降低。第二條件係，對應閘極匯流排線之電壓從VgH 改變至HgL之後電壓VCSVtypeRl的第一變化係電壓降低， 而對應閘極匯流排線之電壓從VgH改變至HgL之後電壓 VCSVtypeR2的第一變化係電壓增加。 圖24A與24B概述了液晶顯示器之驅動狀態。如同圖23A 與23B之情形，根據次像素之驅動電壓極性，亦將液晶顯示 器的驅動狀態分成兩種類型。圖24A之驅動狀態對應於圖 23A之驅動電壓波形，而圖24B之驅動狀態對應於圖23B之 驅動電壓波形。 圖24A與24B示意性顯示在配置成矩陣的複數個像素中 "從列η至列n+7的八列πχπ從行m至行m+5的六行'’之像素之 驅動狀態。每一像素具有亮度不同的次像素，即以nb(明亮）" 指示的次像素以及以nd(黑暗）"指示的次像素。圖24A與24B 基本上等效於圖17。 98052-960607.doc -66- 1288380 固 ” 24B中需要注意的一點係，是否滿足面積比灰階 面板之要求。面積比灰階面板具有五個要求。 第要求係’每一像素由複數個當顯示一中間灰階時亮 度不同的次像素組成。 第一要求係’亮度不同的次像素之亮度次序係恆定的， 而不隨時間變化。 第二要求係，精心安排亮度不同的次像素。 第四要求係’在任何訊框中精心安排極性相反的像素。 第五要求係，在任何訊框中精心安排極性相同、 序相等的次像素，尤其係最亮的次像素。 將確涊疋否符合第一要求。此處，每一像素由亮度不同 的:個次像素輕成。明確地說，例如，在圖2从中，列η 及打m中的像素由表示為，,b(明亮Γ的高亮度次像素與表示 為d(黑暗）的低免度次像素所組成。因此，滿足第一要求。 將確…疋否苻合第二要求。液晶顯示器以規則的時間間 隔交替兩種㈣狀態不同的顯示狀態。顯示與兩個顯示狀 態對應之驅動狀態之圖24A與施在高亮度次 度次像素之位置方面-致。因此，紅第二要求。 將確為疋否符合第三要求。在圖24A與細中，亮产 不_次像素，即表示為，，b(明亮），,的次像素與表示為^人黑 暗）的次像素係配置成棋盤狀。目測液晶顯示展 ^示問題，例如因使用亮度不同之次像素而引起的解: 度降低。因此，滿足第三要求。 析 將檢查是否符合繁^ μ 弟要求。在圖24Α與地中，將極性相 98052-960607.doc -67- 1288380 反的像素配置成棋盤狀。明確地說，例如，在圖24a中，列 n+2與行m+2中的像素具有"極性。從此像素開始，極性在 列方向與行方向上都每隔一像素而在” _，，與"+ "之間變化。對 於不滿足第四要求的液晶顯示器，咸信可觀察到顯示器的 閃爍與像素驅動極性在"+ "與”之間的變化同步。然而，當 視覺檢查該具體實施例的液晶顯示器時，未觀察到閃燦。 因此，滿足第四要求。
將檢查是否符合第五要求。在圖24A與24b中，考慮亮度 次序相等的次像素驅動極性，驅動極性每隔兩列次像素而 反轉，即每隔一像素寬度。明確地說，例如，在圖⑽所示 、、J -中行爪十1、m+3與m+5中的次像素係"b(明亮）"， 並且所有此等次像素的極性為在列州—A中，行①、 ⑽與叫中的次像素係％(明亮），，，並且所有此等次像素的 極性為”。在列n+1—B中，行m+1、㈣與㈣中的次像素 係b(明免）"，並且所有此等次像素的極性為"+ "。在列w a 行m、m+2與m+4中的次像素係"㈣亮）"，並且所有此
-rji素的極性為"+”。對於不滿足第五要求的液晶顯示 盗5 口可觀察到顯示器的閃爍與像素驅動極性在"與” 之間的變//卜fg]半 一 V。^而，當視覺檢查根據本發明之液晶顯 丁二、未觀察到閃爍。因此，滿足第五要求。 改變cs電壓的振幅VCSpp來觀察液晶顯示器時， :電壓的振幅Vcs_v增加，改善了視角特徵，使 4員斜镜察期間的顯 的液晶顯示$ / 得以改善（使用〇 V來支援典型 °而非根據本發明之液晶顯示器）。儘管視角 98052-960607.doc -68 - 1288380 特徵的改善看起來視所顯干 斤…員不的衫像而稍有不同，但當將 VCSpp設定成使得VLCaddrm的括/ PP的值位於典型驅動模式 (VCSpp為〇 V)之液晶顯示卷之昨 σ之^界電壓的〇·5至2倍範圍内 時，獲得最佳的改善。 因而’根據本發明第二方面之具體實施例之液晶顯示器 藉由將振i電壓施加於儲存電容對向電極上，從而改善多 像素顯示，而改善視角特徵，其中施加於儲存電容對向電 極之《電壓的振盪週期等於或短於—水平掃描週期。然 而’當供應至CS匯流排、線的振盈電屢之振蓋週期較短時， 要在具有CS匯流排線高負載電容與電阻之大型液晶顯示 器、具有短水平掃描週期之高解析度液晶顯示器或具有高 速驅動與短垂直及水平掃描週期之顯示器上實施多像素顯 示，相對較難。 將參考圖25至28來說明此問題。 圖25 A係顯示在根據本發明第二方面之具體實施例之液 晶顯示器中用於供應振盪電壓至（^匯流排線之組態之示意 圖。將振盪電壓從CS中繼線供應至位於液晶顯示器面板中 的複數個cs匯流排線。經由連接點contP1與contP2並且經 由ContP3與ContP4將振盪電壓從cs匯流排線電壓產生器電 路供應至C S中繼線。隨者液晶顯示器面板的尺寸增加，從 顯示器面板中心之像素至連接點ContPl至ContP4的距離增 加’使得不可能忽略顯示器面板中心之像素與連接點之間 的負載阻抗。負載阻抗的主要組件包括像素的液晶電容 (CLC)與儲存電容（CCS)，CS匯流排線的電阻RCS以及CS中 98052-960607.doc -69- 1288380 繼線的電阻Rtrunk。負載阻抗的第一近似可為由圖25B所示 意性顯示的以上電容與電阻所組成的低通濾波器。負載阻 抗的值係液晶顯示器面板上之位置的函數。例如，其係距 連接點ContPl、ContP2、ContP3與ContP4之距離的函數。 明確地說，隨著距連接點的距離降低，負載阻抗降低，而 隨著距連接點的距離增加，負載阻抗增加。 亦即，因為振盪電壓產生器電路所產生的cs匯流排線電 壓受到CR低通濾波器所近似的cs匯流排線負載的影響，故 CS匯流排線經歷波形鈍化，其隨面板上位置而改變。 如關於本發明第一方面之具體實施例所述，將振盪電壓 施加於CS匯流排線，以便由兩或多個次像素組成每一像 素，並且使該等次像素的亮度不同。亦即，根據本發明之 具體實施例之液晶顯示器使用一組態與驅動方法，其使次 像素電極的電壓波形取決於cs匯流排線的振盪電壓，並根 據CS匯流排線的振盪波形改變有效的電壓。因而，如果cs 匯流排線的波形隨位置而變化 ’則次像素電極的有效電壓
不規則的顯示亮度。
圖26與27示意性顯示使cs負載保持恆定 電極的振盪電壓波形。 丨又貝戰保持恆定的情形下次像素 圖26與27係假定當cs匯流排線電壓 98052-960607.doc 1288380 非為振盪電壓時的次像素電極電壓為，，Q v，，並且以匯流排 線振盈所引起之次像素電極電壓之振幅為"丨v，，之示意 圖。圖26中的波形⑷至⑷顯示當無CS電壓之波形鈍化時， 即當CR低通濾波器的咖夺間常數為，，〇 H，，時之波形，而27 之波形⑷至⑷示意性顯示當CR低通濾、波器的⑶時間常數 為0·2 Η時的波形鈍化。圖26與27分別示意性顯示當⑶低 通濾波器的CR時間常數為”〇 Η，，與，，〇·2 Η，，並且以匯流排線 之振盪電壓之振盪週期變化時次像素電極電壓的電壓波 形。圖26與27中的波形⑷至⑷顯*波形振盈週期分別為i Η、2 Η、4 Η、8 Η的情形。 當比較圖26與27時，可看出隨著振盪週期的增加，圖％ 與27中的波形差異得以減少。圖28以數量方式顯示此趨勢。 圖28顯示根據圖27的波形計算的振盪電壓之平均值與有 效值與CS匯流排線電壓之振盪週期之關係（一分區對應於 一水平掃描週期：i Η)。從圖28中可看出，隨著cs匯流排 線的振盪週期增加，CR時間常數為〇 11與(：；11時間常數為〇·2 Η時的平均電壓與有效電壓的偏差得以減少。可看出，波形 純化的影響可得以大幅減小，尤其係當CS匯流排線之振盈 電壓之振盪週期係大於CS匯流排線之CR時間常數的8户 (負載阻抗的近似值）。 以此方式’精由增加c S匯流排線之振盈電壓之振盈週 期’可減少由CS匯流排線上的波形鈍化所引起的顯示亮产 中的不規則性。波形鈍化的影響可得以大幅減小，尤其係 菖C S匯流排線之振盪電磨之振蘯週期係大於c gj匯流排線 98052_960607.doc -71 - 1288380 之CR時間常數的8倍（負
載阻抗的近似值）。 構與驅動方法， 之振盪週期。 明第二方面之液晶顯示器之上述問題，已 —方面。該方面提供液晶顯示器的較佳結 其可增加施加於C S匯流排線上之振盈電壓 在根據本發明第1方面之具體實施例之液晶顯示器中， 在矩陣驅動液晶顯示器之同一行中並且沿行方向彼此相鄰 的像素之次像素當中，亮度等級不同的次像素（例如第一次 像素與第二次像素）使用電性獨立的CS匯流排線。明確地 說，列η中的第一次像素之cs匯流排線與列n+1中的第二次 像素之CS匯流排線係彼此電性獨立。此處，矩陣驅動液晶 顯示器中相同行的像素係藉由相同的信號線來驅動的像素 (一般而言’源極匯流排線）。而且，沿矩陣驅動液晶顯示器 之行方向彼此相鄰的像素係藉由在時間轴上依次選定的掃 描線（一般為閘極匯流排線）當中在相鄰時點選定的掃描線 所驅動的像素。除此之外，假定有L組電性獨立的CS中繼 線，CS匯流排線之振盪週期可為水平掃描週期的]^倍。如 上所述，CS中繼線的數目較佳係大於藉由將一水平掃描週 期除以一 CR時間常數（與CS匯流排線的最大負載阻抗近似） 而獲得的商的8倍。此外，如下所述，除大於8倍之外，該 數目較佳係偶數。本文中可將電性獨立之CS中繼線組（L組） 之數目表示為電性獨立之CS中繼線（L個中繼線）的數目。如 果將電性等效的CS中繼線安裝於面板的兩侧，則電性等效 之CS中繼線的數目不變。 98052-960607.doc -72- 1288380 明第三方面之具體實施例 以下將參考附圖說明根據本發 之液晶顯示器及其驅動方法。 首先參考圖2 9至3 1B，將說明葬由將Γ 猎由將CS匯流排線之振 盖電S之振盪週期設定為 比灰階顯示写之液曰"期而成面積 液日日颍不器。該說明將集中於以下各點並 參^附®。第_點關於液晶顯示器的組態，主要說明連接 至人像素之儲存電容之儲存電容對向電極與CS匯流排線之 間的連接圖案。第二點關於根據閘極匯流排線之電壓波形 之CS匯流排線之振㈣期與相位。第三點係關於根據此具 體實施例之次像素之驅動與顯示狀態。 圖29係顯示根據本發明第三方面之具體實施例之液晶顯 示器之等效電路之示意圖並對應於圖22。與圖22中相同的 組件係藉由與圖22中相同的參考數字/字元來表示，並且將 省U明。@ 29中的液晶顯示II與圖22中的液晶顯示器 之不同之處在於其具有四個電性獨立的cs中繼線 CSVtypeA 1至CSVtypeA4以及在於Cs中繼線與CS匯流排線 之間的連接狀態。 圖29中需要注意的第一點係，沿行方向相鄰的列中之像 素之相鄰次像素（例如對應於CLCB一n，m與CLCA-ii+1，m的 次像素）之CS匯流排線係彼此電性獨立。明確地說，例如， 在列η中之次像素CLCB-n，m之CS匯流排線CSBL—Β—η以及 在一沿行方向相鄰的列中一像素之次像素Clca—n+l，m之 CS匯流排線CSBL—A ji+1在電性上彼此獨立。 在圖29中需要注意的第二點係，在面板末端將每一 eg匯 98052-960607.doc -73- 1288380 流排線（CSBL)連接至四個CS中繼線（CSVtypeAl、 CSVtypeA2、CSVtypeA3 與CSVtypeA4)之一。亦即，在根 據此具體實施例之液晶顯示器中，有四組電性獨立的CS中 繼線。 圖29中需要注意的第三點係，CS匯流排線與四個CS中繼 線之間的連接狀態，即沿行方向電性獨立之CS匯流排線之 配置。根據圖29中CS匯流排線與CS中繼線的連接規則，下 顯示連接至 CS 中繼線 CSVtypeAl、CSVtypeA2、CSVtypeA3 與CSVtypeA4之匯流排線。 春 [表1] CS中繼線 連接至CS中繼線之CS匯流排線 左邊所列c s匯流排線的一般標記 CSVtypeAl CSBL A n， CSBL又n+4， CSBLAn+8， CSBL—A—n+12， CSBL—B—n+2， CSBL B n+6， CSBLl3 n+10? CSBLJB 一n+14， CSBL A n+4.k. CSBL_B_n+2+4-k . .. (k=0，l，2,3”·.） CSVtypeA2 CSBLJB 一n5 C SBL一B」i+4， CSBL_JB n+8， CSBL__B__n+12， CSBL A n+2, CSBL A n+6， CSBL一A一n+10， CSBL一A—n+14， CSBL B n+4 · k， CSBL一A一n+2+4k • ·· (k=0,1，2, 3,…） CSVtypeA3 CSBL一A一n+l5 CSBL A n+5， CSBL"Vn+9， CSBL一A—n+13， CSBL B n+3， CSBL B n+7， CSBL B n+11， CSBL—B 一n+15， CSBL A n+l+4 k， CSBL_B—n+3+4k (k=0，l，2,3，···） CSVtypeA4 CSBL一B n+1， C SBL_B」i+5， CSBL—B n+9， CSBL—A一n+3， CSBL A n+7， CSBL)Jn+U， CSBL B n+l+4.k， CSBL一A」i+3+4 · k CSBL一B—n+13， CSBL—A__n+15， (k=0,1，2,3, ···）
分別將四組電性獨立的cs匯流排線連接至上所示的四個 CS中繼線。 98052-960607.doc -74- 1288380 圖30A與3 0B顯示根據閘極匯流排線之電壓波形之CS匯 流排線之振盪週期與相位以及顯示次像素電極之電壓。圖 3 0A與30B對應於以上圖23A與23B。與圖23A與23B中相同 的組件係藉由與圖23 A與23B中相同的參考數字/字元來表 示，並且將省略其說明。液晶顯示器一般以規則的時間間 隔反轉施加於每一像素之液晶層之電場方向，因而需要考 慮與電場方向相對應的兩種類型的驅動電壓波形。圖30A 與30B分別顯示兩種類型的驅動狀態。 圖30A與30B中需要注意的第一點係，CSVtypeAl、 CSVtypeA2 、 CSVtypeA3 與 CSVtypeA4 之電壓 VCSVtypeAl、VCSVtypeA2、VCSVtypeA3 與 VCSVtypeA4 之振盪週期皆係水平掃描週期（4 H)的四倍。 在圖30A與30B中需要注意的第二點係，VCSVtypeAl、 VCSVtypeA2、VCSVtypeA3 與 VCSVtypeA4的相位如下。首 先，比較各CS中繼線之間的相位，VCSVtypeA2落後於 VCSVtypeAl達2 Η，VCSVtypeA3 落後於 VCSVtypeAl達 3 Η 並且VCSVtypeA4落後於VCSVtypeAl達1 Η。接下來，考慮 CS中繼線之電壓與閘極匯流排線之電壓，CS中繼線電壓與 閘極匯流排線電壓之相位如下。如圖30Α與30Β所示，當對 應於個別CS中繼線的閘極匯流排線之電壓從VgH改變至 VgL時的時間與CS中繼線電壓的扁平部分到達其中心的時 間相一致。換言之，圖30A與30B中的Td值係1 Η。然而， Td可取任何大於0 Η但小於2 Η的值。 此處，對應於個別CS中繼線的閘極匯流排線就是連接至 98052-960607.doc -75- 1288380 CS匯流排線的CS中繼線的閘極匯流排線，該等線路係經由 辅助電容CS及TFT元件連接至相同的子像電極。根據圖 29，下表2中顯示對應於此液晶顯示器中的每一 CS中繼線之 閘極匯流排線與CS匯流排線。 [表2] CS中繼線 對應閘極匯流排線 對應CS匯流排線 CSVtypeAl GBL_n，GBL一n+2, GBL一n+4， GBL_n+6, GBL—n+8,… (GBL_n+2 · k(k = 0,1，2, 3, ···）） CSBL A n，CSBL B n+2， CSBL又n+4, CSB[又n+6， CSBL_A_n+8?... [CSBL A n+4 · k5 CSBL B n+2+4 · k (k=0，l，2,3，...）l CSVtypeA2 GBL_n，GBL_n+2, GBL一n+4， GBL_n+6, GBL一n+8,… (GBL_n+2-k(k=0,1，2,3, ···） CSBL一B_n，CSBL—A—n+2， CSBL B n+4, CSBL A n+6， CSBL B_n+8, ··. [CSBL B n+4 k，CSBL A n+2+4 -k 「k=0，l，2,3，.")l CSVtypeA3 GBL一n+l5 GBL—n+3, GBL一n+5， GBL—n+7, GBL—n+9,… (GBL一n+l+2.k(k=0,1，2, 3, ···） CSBL__A_n+l，CSBL_JB_n+3， CSBLAn+5， CSBL__B__n+7, CSBL一A_n+9, · · · [CSBL A n+l+4 k，CSBL B n+3+4 k —(k=0，l，2,3，._J CSVtypeA4 GBL—n+1，GBL—n+3, GBL一n+5， GBL一n+7, GBL一n+9,… (GBL—n+l+2.k(k=0,1，2, 3, ···） CSBL B n+l? CSBL A n+3, CSBL一B一n+5, CSBL一A—n+7， CSBL B n+9,… [CSBL B n+l+4 k，CSBL A n+3+4.k —(k=0，l，2,3”.J] 儘管已參考圖30A與30B說明CS中繼線之電壓之週期與 相位，但CS中繼線之電壓波形不限於此。CS中繼線可具有 其他電壓波形，限制條件為滿足以下兩個條件。
第一條件係，對應閘極匯流排線之電壓從VgH改變至HgL 之後，電壓VCSVtypeAl的第一變化係電壓增加，對應閘極 匯流排線之電壓從VgH改變至HgL之後，電壓VCSVtypeA2 的第一變化係電壓降低，對應閘極匯流排線之電壓從VgH 98052-960607.doc •76- 1288380 改變至HgL之後，電壓VCSVtypeA3的第一變化係電壓降 低，對應閘極匯流排線之電壓從VgH改變至HgL之後，電壓 VCSVtypeA4的第一變化係電壓增加。圖30A所示的驅動電 壓波形滿足此條件。 第二條件係，對應閘極匯流排線之電壓從VgH改變至HgL 之後，電壓VCSVtypeAl的第一變化係電壓降低，對應閘極 匯流排線之電壓從VgH改變至HgL之後，電壓VCSVtypeA2 的第一變化係電壓增加，對應閘極匯流排線之電壓從VgH 改變至HgL之後，電壓VCSVtypeA3的第一變化係電壓增 加，對應閘極匯流排線之電壓從VgH改變至HgL之後，電壓 VCSVtypeA4的第一變化係電壓降低。圖30B所示的驅動電 壓波形滿足此條件。 然而，基於下述理由，較佳係使用圖30A與30B所示的波 形。 在圖30A與30B中，振盪的週期恆定。此可簡化信號產生 器電路。 而且，在圖30A與30B中，振盪的工作比恆定。此使得可 能保持振盪振幅恆定，因而簡化信號產生器電路，因為當 將振盪電壓用作CS匯流排線電壓時，施加於液晶顯示器的 電壓變化量取決於振盪的振幅與工作比。因而，藉由保持 振盡的工作比位定，可保持振盪的振幅恒定。例如，將工 作比設定為1:1。 而且，在圖30A與30B中，對於任何CS振盪電壓，存在相 位相差180度的振盪電壓（相位相反的振盪電壓）。亦即，將 98052-960607.doc -77- 1288380 四個電性獨立的cs中繼線分組成若干對（兩對）cs中繼線， 其供應彼此相位相差1 80度的振盪電壓。此使得可能最小化 流經儲存電容之對向電極之電流量，因而簡化與對向電極 連接的驅動電路。 圖3 1A與3 1B概述了根據此具體實施例之液晶顯示器之 驅動狀態。如同圖30A與30B之情形，根據次像素之驅動電 壓極性，亦將液晶顯示器的驅動狀態分成兩種類型。圖31A 之驅動狀態對應於圖30A之驅動電壓波形，而圖31B之驅動 狀態對應於圖30B之驅動電壓波形。圖31八與3]^對應於以 上圖24A與24B。 圖31A與31B中需要注意的一點係，是否滿足面積比灰階 面板之要求。將確認是否符號面積比灰階面板之以下五要 求。 第一要求係，每一像素由複數個當顯示一中間灰階時亮 度不同的次像素組成。 第二要求係，亮度不同的次像素之亮度次序係恆定的， 而不隨時間變化。 第三要求係，精心安排亮度不同的次像素。 第四要求係，在任何訊框中精心安排極性相反的像素。 第五要求係，在任何訊框中精心安排極性相同、亮度次 序相等的次像素，尤其係最亮的次像素。 將確認是否符合第一要求。在圖31八與316中，每一像素 由亮度不同的兩個次像素所組成。明確地說，例如，在圖 31A中，列η及行m中的像素由表示為"b(明亮）"的高亮度次 98052-960607.doc -78- 1288380 像素與表示為”d(黑暗）”的低亮度次像素所組成。因此，滿 足第一要求。 / 將確認是否符合第二要求。液晶顯示器以規則的時間間 隔交替兩種驅動狀態不同的顯示狀態。顯示與兩個顯示狀 態對應之驅動狀態之圖31八與31B在高亮度次像素與低亮 度次像素之位置方面一致。因此，滿足第二要求。 將確認是否符合第三要求。在圖31人與313中，亮度次序 不同的次像素，即表示為”b(明亮），，的次像素與表示為，，d(黑 暗)’’的次像素係配置成棋盤狀。目測液晶顯示器未展示# 鲁 何顯示問題’例如因使用亮度不同之次像素而引起的解析 度降低。因此，滿足第三要求。 將檢查是否符合第四要求。在圖31八與31]8中，將極性相 反的像素配置成棋盤狀。明確地說，例如，在圖31八中，列 n+2與订m+2中的像素具有” + "極性。從此像素開始，極性在 列方向與行方向上都每隔一像素而在"_ "與，，+ "之間變化。對 ;不滿足第四要求的液晶顯示器，咸信可觀察到顯示器的 閃爍與像素驅動極性在π + π與”之間的變化同步。然而，冑 _ 視見檢查該具體實施例的液晶顯示器時，未觀察到閃爍。 因此，滿足第四要求。 、將檢查是否符合第五要求。在圖31Α與3 1Β中，考慮亮度 -人序相等的次像素驅動極性，驅動極性每隔兩列次像素而 反轉即每隔一像素寬度。明確地說，例如，在列η』中， 亍 中的次像素係f，b(明亮），，，並且所有此等 一人像素的極性為”。在列n+l—A中，行m、m+2與m+4中的 98052-960607.doc •79· 1288380 次像素係”b(明亮）”，並且所有此等次像素的極性為，，_"。在 列n+1—B中，行m+1、m+3與m+5中的次像素係％(明亮），，， 並且所有此等次像素的極性為" +，，。在列n+2—At，行瓜、 m 2與m+4中的次像素係"b(明亮）"，並且所有此等次像素的 極性為” + "。對於不滿Μ五要求的液晶顯示器，咸信可觀 察到顯示器的閃燦與像素驅動極性在，，+，，與”之間的變化 ^ ^而，备視覺檢查根據本發明之液晶顯示器時，未 觀察到閃爍。因此，滿足第五要求。 田藉由改變cs電壓的振幅VCSpp來觀察根據此具體實施 例之液晶顯示器時，隨著CS電壓的振幅VCSpp從ov增加， 改善了視角特徵，使傾斜觀察期間的顯示對比度受到抑制 (曰使用0 V來支援典型的液晶顯示器，而非根據本發明之液 曰“、員不$)。儘管視角特徵的改善看起來視所顯示的影像而 稍有不同，但當將vcspp設定成使得VLCaddpp的值位於典 型·?£動模式（犯沖為0)之液晶顯示器之臨界電壓的0.5至2 倍範圍内時，獲得最佳的改善。 總而言之，此具體實施例使得可能將施加於儲存電容對 向？極之振盪電壓之振盪週期設定為一液晶顯示器中的水 平知描週期的四倍，該液晶顯示器藉由將振盈電麼施加於 :存電各對向電極從而達成多像素顯示，以此改善視角特 =。即使在具有CS匯流排線高負載電容與電阻之大型液晶 顯不器、具有財平掃描·之高解析度液晶顯示器或呈 有高速驅動與短垂直與水平掃描週期之液晶顯示器上，其 可容易地實施多像素顯示。 98052-960607.doc 1288380 接下來’將參考圖32與34B來說明根據本發明第三方面之 八體實施例之液晶顯示器之組態與操作。 此具體實施例藉由將CS匯流排線之振盪電壓之振盪週期 "又定為水平掃描週期的兩倍而達成面積比灰階顯示。該說 明將集中於以下各點並參考附圖。第一點關於液晶顯示器 的組悲，主要說明連接至次像素之儲存電容之儲存電容對 向電極與CS匯流排線之間的連接圖案。第二點關於根據閘 極匯流排線之電壓波形之CS匯流排線之振盪週期與相位。 第三點係關於根據此具體實施例之次像素之驅動與顯示狀 態。 圖32係顯示根據本發明第三方面之具體實施例之液晶顯 不器之等效電路之示意圖並對應於圖29。與圖29中相同的 組件係藉由與圖29中相同的參考數字/字元來表示，並且將 省略其說明。圖32中的液晶顯示器與圖29中的液晶顯示器 之不同之處在於其具有兩個電性獨立的cs中繼線 CSVtypeBl至CSVtypeB2以及在於CS中繼線與CS匯流排線 之間的連接狀態。 圖32中需要注意的第一點係，沿行方向相鄰列中之像素 之相鄰次像素之CS匯流排線係彼此電性獨立。明確地說， 在列η中之次像素Clcb—n，m之CS匯流排線cSBL_B_n以及 在沿行方向相鄰的列中一像素之次像素CLCA_n+l，m之CS 匯流排線CSBL—A_n+1在電性上彼此獨立。 在圖32中需要注意的第二點係，在面板末端將每一 cs匯 流排線（CSBL)連接至兩個CS中繼線（CSVtypeBl與 98052-960607.doc -81 - 1288380 CSVtypeB2)。亦即，在根據此具體實施例之液晶顯示器中， 有兩組電性獨立的CS中繼線。 圖32中需要注意的第三點係，CS匯流排線與兩個CS中繼 線之間的連接狀態，即沿行方向電性獨立之CS匯流排線之 配置。根據圖32中CS匯流排線與CS中繼線的連接規則，下 表3顯示連接至CS中繼線CSVtypeBl與CSVtypeB2之CS匯 流排線。 [表3] CS中繼線 連接至CS中繼線之CS匯流排線 左邊所列C S匯流排線的一般標記 CSVtypeBl CSBL A n5 CSBLj^_n+l， C SBL—A—n+2， C SBL—A—n+3， CSBLAn+k， (k=0,1，2，]，···） CSVtypeB2 CSBL B n. CSBL B n+1， CSBL B n+2， CSBL B n+3， CSBL B n+k， (k=0，l，2,3,…） 分別將兩組電性獨立的CS匯流排線連接至上表3所示的 兩個CS中繼線。 圖33A與33B顯示根據閘極匯流排線之電壓波形之CS匯 流排線之振盪週期與相位以及顯示次像素電極之電壓。圖 33A與33B對應於先前具體實施例之圖30A與30B。與圖30A 與30B中相同的組件係藉由與圖30A與30B中相同的參考數 字/字元來表示，並且將省略其說明。液晶顯示器一般以規 則的時間間隔反轉施加於每一像素之液晶層之電場方向， 因而需要考慮與電場方向相對應的兩種類型的驅動電壓波 形。圖33A與33B分別顯示兩種類型的驅動狀態。 在圖33A與33B需要注意的第一點係，CSVtypeBl與 98052-960607.doc -82- 1288380 CSVtypeB2之電壓 VCSVtypeBl 與 VCSVtypeB2 的振盪週期 皆等於水平掃描週期的兩倍（2 Η)。 在圖33Α與3 3Β中需要注意的第二點係，VCSVtypeBl與 VCSVtypeB2的相位如下。首先，比較CS中繼線之間的相 位，VCSVtypeB2落後於VCSVtypeBl達1 Η。接下來，考慮 CS中繼線之電壓與閘極匯流排線之電壓，CS中繼線電壓與 閘極匯流排線電壓之相位如下。從圖33 Α與33Β可看出，當 對應於個別CS中繼線的閘極匯流排線之電壓從VgH改變至 VgL時的時間與CS中繼線電壓的扁平部分到達其中心的時 間相一致。換言之，圖33 A與3 3B中的Td值係0.5 H。然而， Td可取任何大於0 Η但小於1 Η的值。 此處，對應於個別CS中繼線的閘極匯流排線就是連接至 CS匯流排線的CS中繼線的閘極匯流排線，該等線路係經由 辅助電容CS及TFT元件連接至相同的子像電極。根據圖33A 與33B，下表4中顯示對應於此具體實施例之液晶顯示器中 的每一 CS中繼線之閘極匯流排線與CS匯流排線。 [表4] CS中繼線 對應閘極匯流排線 對應CS匯流排線 CSVtypeBl GBL—n，GBL一n+1，GBL—n+2， GBL一n+3, GBL_n+4,… CSBL A n，CSBL A n+1，CSBL A n+2, CSBL_B__n+37cSBL_A_n-l-47. .7 [GBL n+k (k = 0,1,2,3, ...)1 [CSBL A n+k (k=05 1,2,3,...)1 CSVtye B2 GBL一n，GBL—n+1，GBL一n+2， GBL一n+3，GBL一n+4,… CSBLJB一n. CSBL—B一n+1，CSBL一B—n+2, CSBL一B—n+3，C§iBL B n+4,… [GBL一n+k (k=0,1，2,3, ·.·）] [CSBL B n+k (k=051,2,3,...)1 儘管已參考圖33A與33B說明CS中繼線之電壓之週期與 相位，但此具體實施例之CS中繼線之電壓波形不限於此。 98052-960607.doc -83- 1288380 cs中繼線可具有其他電壓波形，限制條件為滿足以下兩個 條件。 第一條件係’對應閘極匯流排線之電壓從Vgjj改變至jjgL 之後電壓VCSVtypeBl的第一變化係電壓增加，而對應閘極 匯流排線之電壓從VgH改變至HgL之後電壓vcSVtypeB2的 第一變化係電壓降低。圖33A滿足此條件。 第二條件係，對應閘極匯流排線之電壓從VgH改變至HgL 之後電壓VCSVtypeBl的第一變化係電壓降低，而對應閘極 匯流排線之電壓從VgH改變至HgL之後電壓vcSVtypeB2的 第一變化係電壓增加。圖33B滿足此條件。 圖34A與34B概述了根據此具體實施例之液晶顯示器之 驅動狀怨。如同圖3 3 A與3 3 B之情形，根據次像素之驅動電 壓極性，亦將液晶顯示器的驅動狀態分成兩種類型。圖34A 之驅動狀態對應於圖33A之驅動電壓波形，而圖34B之驅動 狀態對應於圖33B之驅動電壓波形。圖34A與34B對應於先 前具體實施例之圖31A與31B。 圖34A與34B中需要注意的一點係，是否滿足面積比灰階 面板之要求。面積比灰階面板具有五個要求。 第一要求係，每一像素由複數個當顯示一中間灰階時亮 度不同的次像素組成。 第二要求係，亮度不同的次像素之亮度次序係恆定的， 而不隨時間變化。 第三要求係，精心安排亮度不同的次像素。 弟四要求係，在任何訊框中精心安排極性相反的像素。 98052-960607.doc -84- 1288380 第五要求係’在任何訊框中精心安排極性相同、亮度次 序相等的次像素’尤其係最亮的次像素。 將確認是否符合第-要求。在圖34a與則中，每一像素 由亮度不同的兩個次像素所組成。明確地說，例如，在圖 34A中，列η及行m中的像素由表示為·，b(明亮）"的高亮度次 像素與表示為"d(黑暗）"的低亮度次像素所組成。因此，滿 足第一要求。 將確認是否符合第二要求。此具體實施例之液晶顯示器 以規則的時間間隔交替兩插 又管肉種驅動狀態不同的顯示狀態。顯 示與兩個顯示狀態對應之驅動狀態之圖34a與3仙在高亮 度次像素與低亮度次像素之位置方面一致。因此，滿足第 —要求。 將確認是否符合第三要求。在圖34A與34β中，亮度次序 不同的-人像素’即表不為"b(明亮），，的次像素與表示為"d(黑 暗）”的次像素係配置成棋盤狀。目測液晶顯示器未展示任 何顯示問題，例如因使用亮度不同之次像素而引起的解析 度降低。因此，滿足第三要求。 將铋查疋否付合第四要求。在圖34八與中，將極性相 反的像素配置成棋盤狀。明確地說，例如，在圖“A中，列 n+2與行m+2中的像素具有” +"極性。從此像素開始，極性在 列方向與行方向上都每隔一像素而在，，-"與” + "之間變化。對 於不滿足第四要求的液晶顯# H ,咸1言可觀察到顯示器的 閃爍與像素驅動極性在” + "與"_ ”之間的變化同步。然而，當 視覺檢查此具體實施例的液晶顯示器時，未觀察到閃燦。 98052-960607.doc -85- 1288380 因此，滿足第四要求。 將檢查是否符合第五要求。 次序相等的-欠傻夸m 在圖34續3辦，考慮亮度 抓人像素驅動極性’驅動極性每隔兩 二:即母隔-像素寬度。明確地說，例如 素中而 ::與州中的次像素係，，b(明亮），，，有中 _人像素的極性為”。在列㈣ *匕寺 次像素係” b(明亮）”，並且所古—μ 了瓜、㈣與m + 4中的 並且所有此等次像素的極性為。在 B中，行m+1、m+3與州中的次像素係％⑼亮）”， 所有此等次像素的極性為” + ”。在列n+2 A中，行m、 與m+4中的次像素係,，b(明亮），，，並且所有此等次像 極性為"一+”。對於不料第五要求的液晶顯示器，咸信可觀 :到顯不器的閃爍與像素驅動極性在"+ "與"_，，之間的變化 同步然、，，當視覺檢查此具體實施例的液晶顯示器時， 未觀察到閃爍。因此，滿足第五要求。 當發明者等藉由改變cs電壓的振幅VCSpp來觀察根據此 具體實施例之液晶顯示器時，隨著cs電壓的振幅vcs沖從〇 V增加，改善了視角特徵，使傾斜觀察期間的顯示對比度受 到抑制（使用0 V來支援典型的液晶顯示器，而非根據本發 明之液晶顯示器）。然而，VCSpp值的進一步增加會造成顯 示對比度降低的問題。因此，應僅將VCSpp的值設定為可 充分改善視角特徵而不會造成此問題的程度。儘管視角特 徵的改善看起來視所顯示的影像而稱有不同，但當將 VCSpp設定成使得VLCaddpp的值位於典型驅動模式 (VCSpp為0 V)之液晶顯示器之臨界電壓的〇·5至2倍範圍内 98052-960607.doc -86 - 1288380 時’獲得最佳的改善。 總而言之，此具體實施例使得可能將施加於儲存電容對 向電極之振盪電壓之振盪週期設定為一液晶顯示器中的水 平掃描週期的兩倍，該液晶顯示器藉由將振盪電壓施加於 儲存電容對向電極從而達成多像素顯示，以此改善視角特 鉍。即使在具有cs匯流排線高負載電容與電阻之大型液晶 顯示器、具有短水平掃描週期之高解析度液晶顯示器或具 有高速驅動與短垂直與水平掃描週期之液晶顯示器，其可 容易地實施多像素顯示。 儘管在上述具體實施例中，電性獨立之cs中繼線（組）的 數目係四或二，但根據本發明之第三方面之具體實施例之 液晶顯示器之電性獨立之cs中繼線（組）的數目不限於此， 而可為二、五或五以上。然而，電性獨立之cs中繼線的數 目L較佳係偶數。此係因為當將電性獨立之cs中繼線分組 成右干對C S中繼線，其供應彼此相位相差18 〇度的振盈電壓 (表示L是偶數），可最小化流經儲存電容對向電極之電流 量。 下表5與6顯示在電性獨立之CS中繼線之數目l係6或8的 情形下CS中繼線與對應閘極匯流排線及cs匯流排線的關 係。當L係偶數時，將CS中繼線與對應閘極匯流排線&cs 匯流排線的關係大致分成L/2係奇數的情形（l=2，6，10, 14，…）以及L/2係偶數的情形（l=4，8，12，16，…）。下表5說 明L/2係奇數之情形下的一般關係，而下表6說明l/2(其中 L=8)係偶數之情形下的一般關係。 98052-960607.doc -87 - 1288380 [表5] CS中繼線 對應閘極匯流排線 對應CS匯流排線 CSVtypeCl GBL n，GBL n+3, GBL n+6， GBL一n+9, 0BL一n+12,… [GBL n+3 k (k=0，l，^；3，··.)] CSBL—A n，CSBL A n+3， CSBL A n+6, CSBL A n+9. CSBL__A_n+12~.. [CSBL A n+3 k， (k=0，l，2,3”"）l CSVtypeC2 GBL一n，GBL一n+3, GBL一n+6， GBL—n+9, GBL一n+12,… [GBL n+3k (k=05 1,2,3,...)] CSBL—B n，CSBL B n+3， CSBL一巨一n+6, CSBC §一n+9· CSBL_B_n+12~.r [CSBL B n+3 k， (k=0，l，2,3，."）l CSVtypeC3 GBL一n+1，GBL一n+4, GBL—n+7， GBL__n+10, GBL」i+13，… [GBL n+l+3-k (k=05l，2,3”··)] CSBL B n+l，CSBL A n+4， CSBL^X_n+7, CSBlJXJi+lO， CSBL一A一n+13,… [CSBL__A_n+l+3k， (k=0, 1，5,3，".)1 CSVtypeC4 GBL n+l，GBL n+4，GBL n+7, GBL_n+10,GBL_n+13?... [GBL—n+2+3k (k=0, 1，2,3”··)] CSBL A n+l，CSBL A n+4， CSBL)一n+7, CSBL^X_n+10， CSBL_A__n+13,... [CSBL A n+2+3 k， (k=0，l，5,3””)l CSVtypeC5 GBL n+2, GBL n+5, GBL n+8, GBL__n+ll5GBL_n+145T.. [GBL n+2+3-k (k=0，l，2,3”")] CSBL A n+2, CSBL A n+5， CSBL—A」i+8, CSBL—A一n+11， CSBL_A n+14, ··· [CSBL_A_n+2+3.k， (k=051，5,3，···)] CSVtypeC6 GBL n+2, GBL n+5, GBL n+8， GBL__n+ll? GBL__n+145T.. [GBL n+2+3-k (k=0，l，2,3”")] CSBL B n+2, CSBL B n+5， CSBLJB」i+8, CSBL一B—n+ll， CSBL一B」i+14,… [CSBL A n+2+3-k, (k=0，l，5,3,…)1 當電性獨立之CS中繼線之數目L之1/2係奇數，即L=2、 6、10等時，如果連接至位於一任意行與藉由配置成行列矩 陣之複數個像素所形成之列中一給定列η之交叉處之像素 之第一次像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係指定為 CSBL—A—η，如果連接至第二次像素之儲存電容對向電極之 98052-960607.doc -88- 1288380 儲存電容線係指定為CSBLJB_n，並且如果k係自然數（包括 0): 將CSBL_A—n+(L/2)*k連接至第一儲存電容中繼線， 將CSBL—B—n+(L/2)*k連接至第二儲存電容中繼線， 將CSBL_A_n+l+(L/2)*k連接至第三儲存電容中繼線， 將CSBL_B—n+l+(L/2)*k連接至第四儲存電容中繼線， 將CSBL_A_n+2+(L/2)*k連接至第五儲存電容中繼線， 將CSBL_B—n+2+(L/2)*k連接至第六儲存電容中繼線， ...重複類似的連接， 將CSBL_A—n+(L/2)-2+(L/2)*k連接至第（L-3)儲存電容中 繼線， 將CSBL_B—n+(L/2)-2+(L/2)*k連接至第（L-2)儲存電容中 繼線， 將CSBL—A一n+(L/2)-l+(L/2)*k連接至第（L_l)儲存電容中 繼線’以及 將CSBLJ3_n+(L/2)-l+(L/2)*k連接至第L儲存電容中繼 線0 [表6] CS中繼線 對應閘極匯流排線 對應CS匯流排線 CSVtypeDl GBL n，GBL n+4, GBL n+85 GBL__n+125 GBL__n+16T... [GBL一n+4.k(k=0,1，2, 3”.·）] CSBL_A_n，CSBL B n+4， CSBL A ri+8? CSBL θ' n+12? CSSL—A一n+16;"7 [CSBL一A—n+8 k，CSBL一B—n+4+8.k， (k=051,2, 3,...)] CSVtypeD2 GBL—n，GBL—n+4, GBL一n+8， GBL一n+12, GBL一n+16,… [GBL—n+4.k(k=0，l，2,3，···）] CSBL B n，CSBL A n+4， CSBL一ln+8, CSBL」〇x+12， CSBL_B_n+16, ··· [CSBL B n+8 k，CSBL A n+4+8 k， 7k=0，l，2,3”··)] 98052-960607.doc -89 - 1288380 CSVtypeD3 GBL n+1, GBL n+5, GBL_}i+9, GBL)+13， GBL—n+17,… CSBL A n+15 CSBL A n+55 CSBL A n+9, CSBL B n+13， CS^L一A一n+17,… [GBL一n+l+4.k(k=0, 1，2, 3，·.·）] [CSBL A n+l+8 k，CSBL B n+5+8 k， (k=0，l，2,3”")"i CSVtypeD4 GBL n+15 GBL n+5， GBL3+9, GBL)+13， GBL一n+17,… CSBL B n+l，CSBL A n+5， CSBL "Ϊ3 n+9, CSBL A n+135 CSBL_B_n+175... [GBL n+l+4.k(k=0, 1，2， 3,...)1 [CSBL B n+l+8-k，CSBL A n+5+8.k， (k=09 1,2,3,...)1 CSVtpeD5 GBL n+2, GBL n+6， GBL—n+105 GBL—n+14， GBL_n+18, ... CSBL B n+2, CSBL A n+6， CSBL B n+10，CSBL A n+14， CSBL_B_n+185... [GBL n+2+4.k(k=0,1，2， 3,...)1 [CSBL B n+2+8 k，CSBL A n+6+8 k， (k=0，l，2,3”Jl CSVtpeD6 GBL n+2, GBL n+6， GBLji+10, GBL:n+14， GBL」i+18,… CSBL B n+2, CSBL A n+6， CSBL_J—n+10, CSBL一A_n+14， CSBLJB n+18, ··· [GBL n+2+4-k(k=0,1，2， 3, ...）1 [CSBL B n+2+8.k，CSBL A n+6+8-k， (k=0，l，2,3，."Tl CSVtypeD7 GBL n+3, GBL n+7, GBL_ii+ll，GBL:n+15， GBL—n+19,… CSBL A n+3, CSBL B n+7， CSBL又n+11，CSBL一B—n+15， "CSBL__A_n+19?... [GBL n+3+4.k(k=0,1，2， 3, ...）1 [CSBL A n+3+8 k，CSBL B n+7+8.k， (k=0，l，2,3，』 CSVtypeC8 GBL一n+3, GBL一n+7， GBL—n+ll，GBL—n+15， GBL一n+19,… CSBL B n+3, CSBL A n+7， CSBL & n+ll，CSBL A n+15， CSBL_B_n+195... [GBL n+3+4.k(k=0,1，2， 3,...)1 [CSBL B n+3+8.k, CSBL A n+7+8-k， (k=0，l，2,3，_..j] 當電性獨立之儲存電容中繼線之數目L之1/2係偶數，即 L=4、8、12等時，如果連接至位於一任意行與藉由配置成 行列矩陣之複數個像素所形成之列中一給定列η之交叉處 之像素之第一次像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係 指定為CSBL—Α_η，如果連接至第二次像素之儲存電容對向 電極之儲存電容線係指定為CSBL JB_n，並且如果k係自然 數（包括0): 98052-960607.doc •90- 1288380 將 CSBL—A—n+L*k與 CSBL—B一n+(L/2)+L*k連接至第一儲 存電容中繼線， 將 CSBL—B—n+L*k與 CSBL—A_n+(L/2)+L*k連接至第二儲 存電容中繼線， 將 CSBL—A—n+l+L*k與 CSBL—B—n+(L/2)+l+L*k連接至第 三儲存電容中繼線， 將 CSBL_B—n+l+L*k與 CSBL—A—n+(L/2)+l+L*k連接至第 四儲存電容中繼線， 將 CSBL—A—n+2+L*k與 CSBL丄n+(L/2)+2+L*k連接至第 五儲存電容中繼線， 將 CSBL—B—n+2+L*k與 CSBL_A—n+(L/2)+2+L*k連接至第 六儲存電容中繼線， 將 CSBL_A—n+3+L*k與 CSBLJB_n+(L/2)+3+L*k連接至第 七儲存電容中繼線， 將 CSBL—B—n+3+L*k與 CSBL—A—n+(L/2)+3+L*k連接至第 八儲存電容中繼線， ...重複類似的連接， 將 CSBL—A—n+(L/2)-2+L*k與 CSBL—B—n+L-2+L*k連接至 第（L-3)儲存電容中繼線， 將 CSBL_B—n+(L/2)-2+L*k與 CSBL—A—n+L-2+L*k連接至 第（L-2)儲存電容中繼線， 將 CSBL_A_n+(L/2)-l+L*k與 CSBL_B_n+L-l+L*k連接至 第（L-1)儲存電容中繼線，以及 將 CSBL—B—n+(L/2)-l+L*k與 CSBL—A—n+L_l+L*k連接至 98052-960607.doc •91- 1288380 第L儲存電容中繼線。 如上所述，本發明之第三方面使得容易將可在傾斜觀察 期間大巾田改善顯不對比度之多像素液晶顯示應用於大型液 曰曰顯不器、向解析度液晶顯示器與具有高速驅動及短垂直 與水平掃描週期之液晶顯示器。因為藉由增加施加於cs匯 ML排線之電壓之振盪週期，可減輕下列問題··將振盪電壓 施加於CS匯流排線之多像素液晶顯示器之尺寸增加使得 CS匯流排線之負載電容與電阻增加，從而使以匯流排線電 壓波形鈍化；液晶顯示器之解析度與驅動速度之增加使得 CS匯流排線之振盪週期降低，從而增加了波形鈍化的影響 並引起顯示螢幕中VLCadd之有效值之顯著變化，從而導致 顯示不規則性。 在根據本發明第二方面之具體實施例之液晶顯示器中 (其將電性共用之CS匯流排線用於相鄰列之像素之相鄰次 像素並採用兩組電性獨立之CS中繼線），CS匯流排線電壓之 振盈週期係1H。另一方面，根據本發明第三方面之具體實 施例之液晶顯示器（其將電性獨立之CS匯流排線用於相鄰 列中之像素之相鄰次像素）可在使用兩組電性獨立之c s中 繼線時將CS匯流排線電壓之振盪週期設定為2 Η，並且在使 用四組電性獨立之CS中繼線時將CS匯流排線電壓之振盪 週期設定為4 Η。
藉由將電性獨立之CS中繼線用於相鄰列中之像素之相鄰 次像素並採用L組電性獨立之CS中繼線，根據本發明第三 方面之具體實施例之液晶顯示器之組態或驅動波形可將CS 98052-960607.doc -92- 1288380 匯流排線電壓之振盈週期設定為水平婦描週期的[倍（即設 定為L H)。 -以下將說明根據本發明第四方面之具體實施例之液晶顯 不器及其驅動方法。 如上所述，根據本發明第三方面之具體實施例之液晶顯 不器可使用L組電性獨立的儲存電容對向電極⑽電性獨 立的CS中繼線）將施加於儲存電容對向電極之振盪電壓之 振盪週期設定為水平掃描週期⑻的L倍。此使得可在儲存 電容對向電極線之電負載較重的大型高解析度液晶顯示器 上實施多像素顯示。 —然而，第三方面之具體實施例需要將電性獨立的儲存電 容對向電極用於沿行方向相鄰的兩像素（即相鄰列中的兩 像素）之次像素（例如’參見圖29)，此表示每—像素需要兩 個CS匯㈣線。此造成像素隸比降低㈣題。明確地說， 例如:如圖35A所示，使用—組態（其中以使個別次像素之 中交又之方式配置次像素之cS匯流排線）使得需要提供 、”:、色矩陣BM1，以防止光在沿行方向相鄰的像素之間逃 脫、。因而，使兩個CS匯流排線重疊的區域與黑色矩陣BM1 無法提供顯示。此減少像素的孔徑比。 相反，根據第四方面之具體實施例，如圖35B所示，沿行 Μ相鄰的兩個不同像素之兩個相鄰次像素使其儲存電容 對向電極連接至一共用的cs匯流排線，並且允許CS匯流排 線置放於沿行方向相鄰的像素之間，從而使得cs匯流排線 亦當作-黑色矩陣。此提供以下優點，即與圖35A之組態相 98052-960607.doc -93- 1288380 比’能夠減少cs匯流排線之數目，並且藉由省略本來必須 單獨提供的黑色矩陣BM1而改善像素孔徑比。 對於根據第三方面之具體實施例之液晶顯示器，為了將 施加於CS匯流排線之振盪電壓之振盪週期設定為水平掃描 週期之L倍，需要使用L個電性獨立之CS中繼線，從而需要 將L個驅動電源供應用於儲存電容對向電極。因此，為了按 需要增加施加於CS匯流排線之振盪電壓之振盪週期，需要 相應地增加CS中繼線的數目以及儲存電容對向電極之驅動 電源供應之數目。以此方式，對於根據第三方面之具體實 施例之液晶顯示器，對增加施加於CS匯流排線之振盪電壓 之週期存在一定限制，因為需要增加CS中繼線的數目以及 儲存電容對向電極之驅動電源供應之數目。 相反’對於根據本發明第四方面之具體實施例之液晶顯 示器’當電性獨立之CS中繼線之數目係L(L係一偶數）時， 可將振盪電壓之振盪週期設定為水平掃描週期之2*K*L倍 (K係正整數）。 因而’在根據本發明第四方面之具體實施例之液晶顯示 器比根據第三方面之具體實施例之液晶顯示器更適合於高 解析度液晶顯示器。 以下將引用一實施如圖36A與36B之驅動狀態之液晶顯 示器為例，說明本發明之第四方面之具體實施例。施加於 像素之液晶層之電場方向在分別對應於圖24A與24B之圖 36A與36B之間係相反的。以下將說明用於實施圖36A所示 驅動狀態之組態。附帶提一下，為了實施圖36B所示的驅動 98052-960607.doc -94- 1288380 狀態，可以參考圖23A與23B所述的相同方式將施加於源極 匯流排線之電壓之極性與儲存電容電壓之極性從圖36a所 示者反轉。此使得可能將第一與第二次像素固定到位（圖式 中的"b(明亮）"或"d(黑暗）”），同時反轉像素之顯示極性（圖 式中的"+ "或。然而，本發明不限於此，並且僅允許反 轉施加於源極匯流排線之電壓。在此種情形下，因為第一 與第二次像素改變位置（圖式中的”b(明亮），，或"d(黑暗），，）以 及像素的極性反轉，故可減輕當固定次像素位置時於中間 灰階顯示期間所遇到的滲色等問題。 在根據下述具體實施例之液晶顯示器中，如圖3 5B所示， 沿行方向相鄰的兩個像素（第η列與第（n+1)列）共享一位於 弟η列中之像素之次像素電極1 8匕與第（n+1)列中之像素之 次像素電極18a之間一共用的CS匯流排線CSBL，以將儲存 電容對向電壓（振盪電壓）供應至次像素的辅助電容。共用的 CS匯流排線CSBL亦當作一黑色矩陣，用於阻擔光在第n列 與第（η+1)列中之像素之間通過。可以經由絕緣膜使次像素 電極18a與18b部分地重疊之方式來放置共用的cs匯流排線 CSBL 〇 在根據以下作為範例引用的具體實施例之液晶顯示器 中’當施加於CS匯流排線之振盪電壓之振盪週期長於一水 平掃描週期並且電性獨立的cs中繼線之數目為L(L為偶數） 時，可將施加於CS匯流排線之振盪電壓之振盪週期設定為 一水平掃描週期之2*K*L倍（K係正整數）。亦即，雖然根據 本發明第三方面之具體實施例之液晶顯示器僅允許將振盪 98052-960607.doc -95- 1288380 電壓的振盪週期設定為L倍，但根據本發明第四方面之具體 實施例之液晶顯示器具有允許振盪週期進一步增加2*K倍 之優點’其中Κ不取決於電性獨立之CS中繼線的數目。Κ係 一參數’其取決於電性獨立之個別CS中繼線與CS匯流排線 之間的連接圖案，並且等於組成與CS中繼線之一連接循環 之連續CS匯流排線當中，連接至一共用CS中繼線之CS匯流 排線之數目（電性等效之cs匯流排線之數目）之1/2。 根據本發明之具體實施例之液晶顯示器之多像素驅動將 每一像素分成兩個次像素，將不同的振盪電壓（儲存電容對 向電壓）供應至與個別次像素連接之辅助電容，從而獲得一 明免的次像素與黑暗的次像素。例如，如果關閉TFT之後振 盪電壓的第一變化係電壓增加，則發生明亮的次像素，而 相反，如果關閉TFT之後振盪電壓的第一變化係電壓降低， 則發生黑暗的次像素。因此，如果關閉TFT之後其振盪電壓 應增加之次像素之CS匯流排線係連接至一共用的cs中繼 線’並且關閉TFT之後其振盪電壓應降低之次像素之cs· 流排線係連接至另一共用的cs中繼線，則可降低cs中繼線 的數目。K係一參數，其表示藉由cs匯流排線與CS中繼線 之間的連接圖案而使週期增加的效果。 藉由增加K值，可相應地增加振盪電壓。然而，κ的值較 佳係不太大。該理由描述如下。 增加K值會增加連接至一共用cs中繼線之次像素之數 目。將其連接至以不同的時間間隔（i Η的倍數）關閉的不同 TFT。因而，關閉次像素之TFT之後使連接至共用cS中繼線 98052-960607.doc • 96 - 1288380 之次像素之振盪電壓首次增加（或降低）所需的時間不同於 關閉次像素之TFT之後使連接至共用cs中繼線之另一次像 素之振盪電壓首次增加（或降低）所需的時間。隨著κ值增 加即奴著連接至共用CS中繼線之(3S匯流排線之數目增 加此時間差增加。此可能使得在視覺上感知到線性亮度 不規則〖生為了防止此類凴度不規則性，憑經驗，較佳係 使該時間差不超過掃描線數目（像素列的數目）之5%。例 如，在XGA之情形下，較佳係將κ的值設定成使時間差將不 超過768列的5%或不超過38Η。附帶提一下，參考圖28等， 以不引起波形鈍化所造成的亮度不規則性之方式來設定振 盪電壓週期的下限。例如，在45英吋XGA顯示器之情形下， 如果振盪週期為12 Η或更長，則不存在波形鈍化之問題。 因而’在45英吋液晶顯示器之情形下，如果將κ設定為1或 2，將L設定為6、8、10或12，並且將振盪電壓的週期設定 為12 Η至48 Η，則可達成高品質的顯示，而無亮度不規則 性。附帶提一下，應考慮振盪電壓來源（儲存電容對向電極 之驅動功率供應）之數目、面板（TFT基板）上的線路等來指 定電性獨立之CS中繼線的數目L。 以下將引用K>1及L=4、6、8、10或12之範例以及K=2及 L=4或6之範例說明根據本發明第四方面之具體實施例之液 晶顯示器及其驅動方法。為了避免重複已結合先前具體實 施例予以說明的内容，以下說明將集中於CS匯流排線與CS 中繼線之間的佈局。 [K=l，L=4，振盪週期=8 H] 98052-960607.doc •97- 1288380 圖37中顯示根據此具體實施例之液晶顯示器之矩陣組態 (CS匯流排線之連接圖案），並且圖38顯示用於驅動液晶顯 示器之信號波形。而且，表7顯示圖37所使用的連接圖案。 對於圖37所示的矩陣組態，當使用圖38所示的時序將振盪 電壓施加於CS匯流排線時，實施圖35A中所示的驅動狀態。 在圖37中，將每一 CS匯流排線連接至位於圖式左端與右 端處的四個C S中繼線之任一者。因此，有四組電性獨立的 CS匯流排線，因而L==4。而且，在圖37中，CS匯流排線與 C S中繼線之間的連接圖案有一定的規則性，即圖式中每隔 八CS匯流排線便重複相同的連接圖案。因而， K=1(=8/(2L)) 〇 [表7] L=4, K=1 CS中繼線 連接至CS中繼線之CS Mia CSBL一（ η - 1 ) B， （ n ) A 卜（n + 4 ) __l ( n + 5 ) A M2a CSBL一（ n ) B, T^TfT)~a—' ^CSBL (n-^3) B, ( n + 4 A M3a CSBL一（ n + 1 ) CSBL ( n + 6) B，fn + 7、 * M4a CSBL： (n + 2) BT^TiTTT)~~ CSBL (n + 5) a 其中n=l，9, 17,… 可從表7看出，圖37中的CS匯流排線分成兩類型，即 «型，其對於任何p滿足以下表達式
CSBL—(p)B，（p+l)A CSBL—(P+5)B，（p+6)A 以及y?型’其對於任何p滿足以下表達式 98052-960607.doc -98- 1288380
CSBL」p+l)B，（P+2)A CSBL—(p+4)B，（p + 5)A 明確地說，連接至CS中繼線Mia與M3a之CS匯流排線係α 型，而連接至CS中繼線M2a與M4a的CS匯流排線係々型。 構成一連接擔環之八個連續的C S匯流排線係由四個α型 匯流排線（兩個連接至Ml a的匯流排線以及兩個連接至M3a 的匯流排線）與四個型匯流排線（兩個連接至M2a的匯流排 線與兩個連接至M4a的匯流排線）。 使用參數L與K，對於任何p，可如下給出上述表達式：
CSBL—(P+2*(K_1))B，（P+2*(K_1)+1)A CSBL—(p+2*(K-l)+K*L+l)B，（p+2*(K-l)+K*L+2)A 或
CSBL—(p+2*(K-l)+l)B，（p+2*(K-l)+2)A CSBL—(p+2*(K-l)+K*L)B，（p+2*(K_l)+K*L+l)A 因而，使上述每組表達式所表示的每一CS匯流排線群組 内的CS匯流排線電性等效即已足夠，其中p=1，3, 5，…或 p=0，2，4，...因為不存在同時滿足α型與々型的cs匯流排 線，故引入此條件。 附帶提一下，在圖38中，可看出施加於cs匯流排線之振 盪電壓之振盪週期係8 Η，即水平掃描週期之2*k*L倍。 [K=l，L=6，振盪週期=12 H] 假定有六組電性獨立之CS中繼線，圖39顯示連接圖案， 而圖40顯示驅動波形。而且，表8顯示圖39所使用的連接圖 案。 ! 在圖40中’將每一 CS匯流排線連接至位於圖式左端與右 98052-960607.doc -99- 1288380 端處的六個C S中繼線之任一者。因此，有六組電性獨立的 C S匯流排線，因而L=6。 而且，在圖39中，CS匯流排線與CS中繼線之間的連接圖 案有一定的規則性，即圖式中每隔12條（：8匯流排線便重複 相同的連接圖案。因而，K=1(=12/(；2L》。 [表8] K=1 CS中繼線 連接至CS中繼線之cs匯流排線 Mia CSBL一（ η - 1 ) b (n ) A CSBL_ + n + 5 a M2a CSBL- (η ι A · CSBL_ (n + 3J_j^ n + 4 A M3 a CSBL一（ n + CSBL^ (n-f _6) B, n + 7 A M4a CSBL:(…ΤΤΓ7^τ|~τ-l_csbl— (n + 5上玉」n + 6 ^ 其中η = 1，9，17，… 從圖8可看出，圖39中的CS匯流排線在下列任一組表達式 所表示的每一群組内係電性等效的： CSBL—(p)B，（p+l)A CSBL—(p+7)B，（p+8)A 或 CSBL—(p+l)B，（p+2)A CSBL」p + 6)B，（p + 7)A 其中 p=l，3, 5,…或 p=05 2, 4, ··· 使用參數L與K，對於任何P，可如下給出上述表達式： CSBL_(p+2*(K-l))B, (ρ+*(Κ-1)+ι)Α · csbl_(p+2*(k-i)+k*l+i)b5(p+2*(k_1)+k,l+2)a 98052-960607.doc -100- 1288380 或
CSBL_(p+2*(K-l)+l)B，（p+2*(K-l)+2)A CSBL」p+2*(K-l)+K*L)B，（p+2*(K-l)+K*L+l)A 因而，使上述每組表達式所表示的每一 CS匯流排線群組 内的CS匯流排線電性等效即已足夠，其中P=1，3, 5，…或 p=0, 2, 4, ··· 附帶提一下，在圖40中，可看出施加於CS匯流排線之振 盪電壓之振盪週期係12 Η，即水平掃描週期之2*K*L倍。 [K=l，L=8，振盪週期=16 H] 假定有八組電性獨立之CS匯流排線，圖41顯示連接圖 案’而圖42顯示驅動波形。而且，表9顯示圖41所使用的連 接圖案。 在圖41中，將每一 CS匯流排線連接至位於圖式左端處的 八個C S中繼線之任一者。因此，有八組電性獨立的c S匯流 排線，因而L=8。 而且’在圖41中，CS匯流排線與CS中繼線之間的連接圖 案有一定的規則性，即圖式中每隔16條CS匯流排線便重複 相同的連接圖案。因而，K=1(=16/(2L))。 [表9] T,=8. K=1 連接至cs中繼線之cs匯流排線
(n ) A (n+9) A (n+1)~A (n+8) A (n + 2)~A (n+11) A CSBL— CSBL— CSBlT CSBL— CSBLT CSBL一
B B B B B B cs中繼線 —Mlc — M2c —M3c —M4c 98052-960607.doc -101 - 1288380
CSBL— ( n + 9 ) B， (n+10) A M5c CSBL ( n + 3 ) B， (n + 4) A CSBL ( n + 12 ) B， (n+13) A M6c CSBL ( n + 4 ) B， (n + 5) A CSBL ( n + 11 ) B， (n+12) A M7c CSBL ( n + 5 ) b5 (n + 6) A CSBL— ( n + 14 ) B? (n+15) A M8c CSBL ( n + 6 ) B， (n + 7) A CSBL ( n + 13 ) (n+14) A 其中 n=l，17, 33,… 從圖9可看出，圖41中的CS匯流排線在下列任一組表達式 所表示的每一群組内係電性等效的：
CSBL—(p)B，（p+l)A CSBL—(p+9)B，（p+10)A 或 CSBL_(p+l)B，（p+2)A CSBL-(p + 8)B，（p+9)A 其中 p=l，3, 5,…或 p=0, 2, 4,…
使用參數L與K，對於任何P，可如下給出上述表達式： CSBL—(ρ+2*(Κ·1))Β，（p+2*(K-l)+l)A CSBL__(p+2*(K-l)+K*L+l)B, (p+2*(K-l)+K*L+2)A 或 CSBL—(p+2*(K_ 1)+1 )B，（p+2*(K_l)+2)A CSBL—(p+2*(K-l)+K*L)B，（p+2*(K-l)+K*L+l)A 因而，使上述每組表達式所表示的每一 CS匯流排線群組 内的CS匯流排線電性等效即已足夠，其中p=l，3，5，…或 p = 0，2，4，··_ 附帶提一下，在圖42中，可看出施加於CS匯流排線之振 盪電壓之振盪週期係16 Η，即水平掃描週期之2*K*L倍。 98052-960607.doc -102- 1288380 [K=l，L=10，振盪週期=20]假定有十組電性獨立之cs匯流排線，圖43顯示連接圖 案，而圖44顯示驅動波形。而且，〇顯示圖43所使用的連接 圖案。在圖43中’將每一 cs匯流排線連接至位於圖式左端與右 端處的十個CS中繼線之任一者。因此，有十組電性獨立的CS匯流排線，因而L=i〇。而且，在圖43中，CS匯流排線與 CS中繼線之間的連接圖案有一定的規則性，即圖式中每隔 20條CS匯流排線便重複相同的連接圖案。因而，κ=1(= 20/(2L))。[表 10] —CSt繼線―i接至cs中繼線之cs匯流排線
Mid M2d M3d M4d M5d M7d M8d M9d MlOd CSBL CSBL~ 10) CSBL— ( n ) CSBL ( n -f 9 ) CSBL— ( n + 1 ) -CSBL ( n + 1 2 ) CSBL— ( n + 2 ) -CSBL ( n + 1 1 ) CSBL— 、 _ 一CSBL ( n + 1 4 ) CSBL— ( η + 4 ) CSBLl (n+13) CSBL一（ n + 5 ) PSBL ( n + 1 6 ) CSBL— ( n + 6 ) gSBL_ ( n 4- 1 5 ^ CSBL— ( n + 7 ) QSBL ( n + 1 L L B B s s c c 8 + n n 7
A A s 11 11 nn-f rv /fv 5 r B B
B B
B B
B B
B B
B B
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B B 1 o+l 2 3 n+n+1 /l\ /l\
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A A
A A
A A A A A A A A A A 其中 n=l，21，41，...從圖10可看出，圖43中的CS匯流排線在下列任一組孝 98052-960607.doc 1288380 式所表示的每一群組内係電性等效的· CSBL—(p)B，（p+l)A CSBL—(p + ll)B，（p+12)A 或 CSBL—(p+l)B，（p+2)A CSBL-(p+l〇)B，（p+ll)A 其中 p=l，3, 5,…或 p=0, 2, 4, ··· 使用參數L與K，對於任何P，可如下給出上述表達式：
CSBL」p+2*(K_l))B，（P+2*(K-1)+i)A
CS0L」p+2*(K-l)+K*L+l)B，(p+2*(K_l)+K*L+2)A 或
CSBL—(p+2*(K-1)+1 )B，（p+2*(K-l)+2)A CSBL」p+2*(K-l)+K*L)B，（p+2*(K-l)+K*L+l)A 因而’使上述每組表達式所表示的每一 CS匯流排線群組 内的CS匯流排線電性等效即已足夠，其中p=1，3，5， 戋 p=0, 2, 4, ··· 附帶提一下，在圖44中，可看出施加於CS匯流排線之振 盪電壓之振盪週期係20 Η，即水平掃描週期之2*K*L倍。 [K>1，L=12，振盪週期=24 H] 假定有12組電性獨立之CS匯流排線，圖45顯示連接圖 案’而圖46顯示驅動波形。而且，1顯示圖45所使用的連接 圖案。 在圖45中，將每一 cs匯流排線連接至位於圖式左端處的 12個CS中繼線之任一者。因此，有12組電性獨立的CS匯流 排線，因而L=12。而且，在圖45中，CS匯流排線與CS中繼 98052-960607.doc -104- 1288380 線之間的連接圖案有一定的規則性，即圖式中每隔24條CS 匯流排線便重複相同的連接圖案。因而，K==1 (=24/(210)。 [表 11] L=12, K=1 cs中繼冢 遠捲至CS中繼線之CS匯流排線
Mle CSBL CSBL n n A A Λ—/ \N 3 + n n iv /V B B 2 M2e
e 3 M M4e CSBL一 ( n L L B B s s c c B B 14 + η n A A V), 5 il + nn
CSBL— CSBL (n (n + 2 ) M3) B， B， (n + 3) (n+ 1 4)
A A M5e I CSBL: ( n + 3 ) B，（ n + 4 ) A CSBL一 (n + 1 6) B, (n+1 7) a M6e CSBL— ( n + 4 )
R M7e CSBL— ( n + 5 ) CSBL— ( n + 1 8 ) B， B， (n + 6 ) (n+19)
A A M8e M9e
MlOe
Mile M12e
CSBL一 CSBL (n + 6 ) (n+1 7) 8)1 Λ η n CSBL一 （ n + 7 L L B B s s c c + n n 8 9 CSBL一（ n + 9 ) CSBL ( n + 2 2 ) 7
A A A A ,V), 11 2 + n n /V /V Β,Β,
B B
B B 7 + H η n 0)1 2
A A (n+ 1 0) (n+23)
A A A A \17 \—/ 121 2 nnl ✓fv /IV- Β,Β, ο 1 12 + + n n iv /V L-L B B s s c c 其中 n=l，25, 49,... 從圖11可看出，圖45中的CS匯流排線在下列任一組表達 式所表示的每一群組内係電性等效的·· CSBL」p)B，（p+l)A CSBL—(p+13)B，（p+14)A 或
CSBL」p + l)B，（p+2)A CSBL (p+12)B5 (p+13)A 98052-960607.doc -105- 1288380 其中 P=l，3, 5, ···或 p=〇, 2, 4,… 使用參數L與K，對於任何p，可如下給出上述表達式：
CSBL」p+2*(K-l))B，（p+2*(K-l)+l)A
CSBL—(p+2*(K-l)+K*L+l)B，（p+2*(K-l)+K*L+2)A 或
CSBL—(ρ+2*(Κ·1)+1)Β，（ρ+2*(Κ·1)+2)Α CSBL」p+2*(K-l)+K*L)B，（p+2*(K_l)+K*L+l)A 因而’使上述每組表達式所表示的每一 CS匯流排線群組 内的CS匯流排線電性等效即已足夠，其中p=1，3，5，··或 p=0, 2, 4, ··· 附帶提一下，在圖46中，可看出施加於CS匯流排線之振 盈電壓之振盤週期係24 Η，即水平掃描週期之2*K*L倍。 在上述所有情形下，參數K=1。現在將說明參數K的值係 2的情形。 [K=2，L=4，振| 週期=i6 η] 假定參數K的值係2並且有四組電性獨立之cs匯流排 線’圖47顯示連接圖案，而圖48顯示驅動波形。而且，表 12顯示圖47所使用的連接圖案。 在圖47中’將每一 CS匯流排線連接至位於圖式左端與右 知處的四個C S中繼線之任一者。因此，有四組電性獨立的 CS匯流排線，因而L==4。而且，在圖47中，CS匯流排線與 CS中繼線之間的連接圖案有一定的規則性，即圖式中每隔 16條CS匯流排線便重複相同的連接圖案。因而， K>2(=16/(2L)) 〇 98052-960607.doc 106- 1288380 [表 12] L=4, K=2 CS中繼線 Mlf 連接至cs中繼線之cs匯流排線 M2f M3f M4f
CSBL— CSBL— CSBL— CSBL— CSBL— CSBL一 CSBL一 CSBL— CSBL一 CSBL— CSBL_ CSBL— CSBL一 CSBL— CSBL 一 CSBL n n n n η η η n η n n n η n
B n IAI \—^ 2 + n rv B，l A Al 9 + n nl /V- B，B， \J δ Ο 2 7 9 b.，b.，b5b, n
nnn /l\ /IV /IV
Nly Niy \ly 13 8 01 + + ++1
ΛΑ A A 2 4
B B B B
+ ++!_ nnnn /IV ✓(N /VN /IV 3 5
A A A A 4 6
n n /V /IV + ++1 \ly νΐ/ \—/ 5 7 2 4
A A A A 其中 ri=l，17, 33,… 從圖12可看出，圖47中的CS匯流排線在下列任一組表達 式所表示的每一群組内係電性等效的： CSBL」p)B，（p+l)A， CSBL一(p+2)B，（p+3)A 以及 CSBL一(p+9)B，（p+10)A， CSBL_(p+ll)B，（p+12)A 或 CSBL—(p+l)B，（p+2)A， CSBL—(p + 3)B，（p+4)A 以及 CSBL一(p + 8)B，（p+9)A，
CSBL (p+10)B，（p+ll)A 98052-960607.doc -107- 1288380 其中 P=l，3, 5,…或 p=05 2, 4,... 使用參數L與K，對於任何P，可如下給出上述表達式：
CSBL一（p+2*(l-l))B，（p+2*(l-l)+l)A
CSBL一(P+2*(K-1))B，（p+2*(K-l)+l)A 以及
CSBL—(p+2*(l-l)+K*L+l)B，（p+2*(l-l)+K*L+2)A
CSBL—(p+2*(K-l)+K*L+l)B，（p+2*(K-l)+K*L+2)A 或
CSBL—(p+2*( 1-1)+1 )B，（p+2*(l-l)+2)A
CSBL—(p+2*(K-l)+l)B，（p+2*(K-l)+2)A 以及
CSBL一(p+2*(l-l)+K*L)B，（p+2*(l-l)+K*L+l)A
CSBL_(p+2*(K-l)+K*L)B, (p+2*(K-l)+K*L+l)A 因而，使上述每組表達式所表示的每一 CS匯流排線群組 内的C S匯流排線電性等效即已足夠，其中p = 1, 35， 或 p = 0、2、4，… 附帶提一下，在圖48中，可看出施加於CS匯流排線之振 盈電壓之振蘯週期係16 Η，即水平掃描週期之2*K*L倍。 [K=2, L=6，振盪週期=24 H] 假定參數K的值係2並且有六組電性獨立之cs匯流排 線，圖49顯示連接圖案，而圖5〇顯示驅動波形。而且，表 13顯示圖49所使用的連接圖案。 在圖49中’將每一 CS匯流排線連接至位於圖式左端與右 端處的六個c S中繼線之任一者。因此，有六組電性獨立的 98052-960607.doc -108- 1288380 CS匯流排線，因而L=6。而且，在圖49中，cs匯流排線與 CS中繼線之間的連接圖案有一定的規則性，即圖式中每隔 24條CS匯流排線便重複相同的連接圖案。因而 K=2(=24/(2L))。 [表 13] L=6, K=2 CS中繼線I 至CS中繼線~~ί
Mlg
CSBL一 CSBL一 CSBL一 CSBL (n - 1 ) (n + 1 ) (n+ 1 2) (n-f 1 4) M2g A A A A XJ \ly \J^ 2 3 51 11 4 ++ nnnn /l\ /IV rv rv B.，B，B，B，
CSBL一 CSBL一 CSBL一 CSBL M3g M4g N5g N6g
CSBL__ CSBL一 CSBL一 CSBL
CSBL一 CSBL一 CSBL一 CSBL
CSBL一 CSBL— CSBL一 CSBL
CSBL__ CSBL— CSBL— CSBL (n ) (n + 2 ) (n+11) (n+13) (n + 3 ) (n + 5 ) (n + 1 6 ) (n+ 1 8) (n + 4 ) (n + 6 ) (n+1 5) (n+17) (n + 7 ) (n + 9 ) (n+20) (n+22) 2
B B B B
B B B B B B B B
B B B B \17 \JX 1 3 24 + ++1+1 nnnn
A A A A A A A A \—y \—✓ \—✓ \ly 4 6 7 91 ++11 4 4 + + nnnn /V /V /IV xiv A A A A ΧΪ/ \I/ \1/ \J 5 7 6 8 4 4· + + nnnn ✓IV ίν rv /v_ (n + 8) (n+l〇) (n + 2 1) (n+23) 「n + 9) (n+11) (n+20) (n+22)
AAA A A AAA 其中 n=l，25, 49,... 從圖13可看出，圖49中的CS匯流排線在下列任一組表達 式所表示的每一群組内係電性等效的： CSBL一(p)B，（p+l)A，
CSBL—(p+2)B，（p+3)A 以及 98052-960607.doc -109- 1288380 CSBL」p+13)B，（p+14)A， CSBL」p+15)B，（p+16)A 或 CSBL一(p+l)B，（p+2)A， CSBL—(p+3)B，（p+4)A 以及 CSBL_(p+12)B，（p+13)A，
CSBL—(p+14)B，（p+15)A 其中 p=l、3、5,…或 p = 0, 2, 4，.··
使用參數L與K，對於任何P，可如下給出上述表達式： CSBL_(p+2*(l-l))B，（p+2*(l-1)+1 )A CSBL一(p+2*(K-l))B，（p+2*(K-l)+l)A 以及 CSBL—(p+2*(l-l)+K*L+l)B，（p+2*(l-l)+K*L+2)A CSBL—(p+2*(K-l)+K*L+l)B，（p+2*(K-l)+K*L+2)A 或
CSBL」p+2 *(1-1)+1)B，（p+2 *(1-1)+2)A CSBL」p+2*(K_l)+l)B，（p+2*(K_l)+2)A 以及 CSBL—(p+2*(l-l)+K*L)B，（p+2*(l-l)+K*L+l)A CSBL一(p+2*(K_l)+K*L)B，（p+2*(K_l)+K*L+l)A 因而，使上述每組表達式所表示的每一 cs匯流排線群組 内的CS匯流排線電性等效即已足夠，其中p=l、3、5,...或 p = 0、2、4，… 98052-960607.doc -110- 1288380 附帶提一下，在圖50中，可看出施加於cs匯流排線之振 盪電壓之振盪週期係24 Η，即水平掃描週期之2*k*L倍。 關於參數K與L，儘管已說明κ=1與L=4、6、8、10或12 之情形以及K=2與L=4或6之情形，但本發明之第四方面之 具體實施例不限於此。 K的值僅需為正整數，即K=1、2、3、4、5、6、7、8、9 等’而L的值僅需為偶數，即L=2、4、6、8、10、12、14、 16、18等。除此之外，可根據個別範圍獨立地設定κ與L的 值。 關於CS中繼線與CS匯流排線之間的連接，可遵循上述規 則。 明確地說’當參數K與L的值分別為K與L(K=K，L=L)時， 連接至相同中繼線的CS匯流排線，即電性等效的CS匯流排 線應如下： CSBL一(p+2*(l一 1))B，（p+2*(l-l)+l)A， CSBL—(p+2*(2-l))B，（p+2*(2-l)+l)A， CSBL」p+2*(3-l))B，（p+2*(3_l)+l)A，
CSBL—(p+2*(K-l))B，（p+2*(K-l)+l)A 以及 CSBL」p+2*(l-l)+K*L+l)B，（p+2*(l-l)+K*L+2)A， CSBL—(p+2*(2-l)+K*L+l)B，（p+2*(2-l)+K*L+2)A， CSBL」p+2*(3-l)+K*L+l)B，（p+2*(3-l)+K*L+2)A， 98052-960607.doc -111- 1288380 CSBL_(p+2*(K-l)+K*L+l)B5 (p+2*(3-l)+K*L+2)A; 或 CSBL__(p+2*(l-l)+l)B，（p+2*(l-l)+2)A， CSBL」p+2*(2-l)+l)B，（p+2*(2-l)+2)A， CSBL」p+2*(3-l)+l)B，（p+2*(3-l)+2)A，
CSBL」p+2*(K_l)+l)B，（p+2*(K_l)+2)A 以及 CSBL—(p+2*(l-l)+K*L)B，（p+2*(l-l)+K*L+l)A， CSBL—(p+2*(2-l)+K*L)B，（p+2*(2-l)+K*L+l)A， CSBL—(p+2*(3-l)+K*L)B，（p+2*(3-l)+K*L+l)A， CSBL一(p+2*(K-l)+K*L)B，（p+2*(K-l)+K*L+l)A， 其中 p=l、3、5等，或p=0、2、4等。 此外，當參數K與L的值分別為K與L(K=K，L=L)時，施加 於CS匯流排線之振盪電壓之振盪週期可為水平掃描週期的 2*K*L 倍。 附帶提一下，儘管在以上說明中，相鄰圖像元素之一的 第一次像素與另一圖像元素之第二次像素共享一共用CS匯 流排線，當然，其可使用電性等效的不同CS匯流排線。 本發明之第一方面可達成極高的顯示品質以及γ特徵之 減小的視角相依性。本發明之第二方面可減少交流電驅動 期間所引起之液晶顯示器上的閃爍。 本發明之第三方面可將根據本發明之第一或第二方面之 98052-960607.doc -112- 128838〇 液晶顯示器調整到大型或高解析度液晶顯示器。 本發明之第四方面可將根據本發明之第一或第二方面之 液晶顯*器調整到比第三方面更好的A型或高解析度液晶 顯示器。 又/日日 【圖式簡單說明】 曰圖1係一顯示根據本發明第一方面之一具體實施例之液 曰曰顯示器1 00之一像素組態之示意圖。 圖2A至2C係顯示根據本發明之具體實施例之液晶顯示 器結構之示意圖。 圖3A至3C係傳統液晶顯示器1〇〇，之結構之示意圖。 圖4A至4C係說明MVA液晶顯示器之顯示特徵之示意 圖’其中圖4 A係顯示透射率對所施加電壓之相依性之曲線 圖，圖4B係顯示關於自色模式中之透射率正規化之後圖从 之透射率之示意圖，並且圖化係顯示丫特徵之示意圖。 圖5A至5D係分別顯示施加於藉由分割像素所獲得之次 像素之液晶層上之電壓之條件AsD之示意圖。 圖6A至6B係顯示圖5中所示電壓條件八至〇下所獲得之丫 特徵之曲線圖，其中圖6榻示右側6〇度觀看γ特徵，而圖沾 顯示右上側60度觀看特徵。 圖7係顯示電壓條件八至D下所獲得之白色模式透射率 (前方觀看）之曲線圖。 圖8A至8B係在根據本發明之具體實施例之電壓條件c下 次像素之間的面積比對γ特徵的影響之曲線圖，其中圖8八 顯示右側60度觀看特徵，而圖8Β顯示右上側6〇度觀看丫特 98052-960607.doc -113- 1288380
圖9係顯不白色模式透射率（前方觀看）與根據本發明之 /、體κ施例之電麼條件c下次像素面積比之間關係的示意 圖0 圖10A至10B係在根據本發明之具體實施例之電廢條件b 下次像素計數對γ特徵的影響之示意圖，其中圖心顯示右 侧60度觀看特徵，而圖刚顯示右上侧6〇度觀看丫特徵。 圖U係顯示白色模式透射率（前方觀看）與根據本發明之 具體實施例之電|條件Βτ次像素計數之間關係的示意圖。 圖12係-顯示根據本發明之另一具體實施例之液晶顯示 器200之一像素結構之示意圖。 圖13係顯示液晶顯之—像素之—等效電路之示 意圖。 圖14係顯示用於驅動液晶顯示器2〇〇之各種電壓波形（a) 至⑴之示意圖。 圖15係顯不施加於液晶顯示器2〇〇中之次像素之液晶層 之電壓之間關係之示意圖。 圖16A至16B係顯示液晶顯示器2〇〇之丫特徵之示意圖，其 中圖16A顯示右侧60度觀看特徵，而圖16B顯示右上側⑼度 觀看γ特徵。 圖17係一顯示根據本發明第二方面之液晶顯示器之一像 素配置之示意圖。 圖18係顯示用於驅動具有圖丨7所示組態之液晶顯示器之 各種電壓（信號）之波形（a)至⑴之示意圖。 98052-960607.doc -114· 1288380 圖19係一顯示根據本發明之另一具體實施例之液晶顯示 器之一像素配置之示意圖。 圖20係顯示用於驅動具有圖19所示組態之液晶顯示器之 各種電壓（信號）之波形（a)至⑴之示意圖。 圖2 1A係顯示根據本發明另一具體實施例之液晶顯示器 之像素配置之示意圖，而圖21B係顯示其儲存電容線與儲存 電容電極之一配置之示意圖。 圖22係根據本發明第二方面之液晶顯示器之一特定區域 之等效電路圖。 圖23 A係顯示根據閘極匯流排線之電壓波形供應至eg匯 流排線之振盪電壓的振盪週期與相位以及顯示圖22中所示 液晶顯示器中次像素電極之電壓的示意圖。 圖23B係顯示根據閘極匯流排線之電壓波形供應至匯 流排線之振盪電壓的振盪週期與相位以及顯示圖22中所示 液晶顯示器中次像素電極之電壓的示意圖（施加於液晶層 上的電壓具有與圖23 A相反的極性）。 圖24A係顯示圖22中所示液晶顯示器之驅動狀態之示意 圖（其中使用圖23A的電壓）。 圖24B係顯示圖22中所示液晶顯示器之驅動狀態之示专 圖（其中使用圖23B的電壓）。 圖25 A係顯示在根據本發明第二方面之一具體實施例之 液晶顯示器中用於供應振盪電壓至CS匯流排線之組態之示 意圖，而圖25B係顯示與液晶顯示器之電負載阻抗近似之等 效電路之示意圖。 98052-960607.doc -115- 1288380 圖26係顯不不具有Cs電壓波形鈍化之次像素電極之振盪 電壓波形（a)至（e)的示意圖。 圖27係顯示具有對應於CR時間常數"〇·2 H”之波形鈍化 之次像素電極之振盪電壓波形（&)至〇)之示意圖。 圖28係顯示根據圖26與27之波形所計算的振盪電壓之平 均值及有效值與CS匯流排線電壓振盪週期之關係之曲線 圖。 圖29係一顯示根據本發明第三方面之一具體實施例之液 晶顯示器之一等效電路之示意圖。 圖30A係顯示根據閘極匯流排線之電壓波形供應至匯 流排線之振盪電壓的振盪週期與相位以及顯示圖29中所示 液晶顯示器中次像素電極之電壓的示意圖。 圖30B係顯示根據閘極匯流排線之電壓波形供應至cs匯 流排線之振盪電壓的振盪週期與相位以及顯示圖29中所示 液晶顯示器中次像素電極之電壓的示意圖（施加於液晶層 上的電壓具有與圖3 〇 A相反的極性）。 圖3 1A係顯示圖29中所示液晶顯示器之驅動狀態之示意 圖（其中使用圖30A的電壓）。 圖3 1B係顯示圖29中所示液晶顯示器之驅動狀態之示意 圖（其中使用圖30B的電壓）。 圖3 2係一顯示根據本發明第三方面之另一具體實施例之 液晶顯示器之一等效電路之示意圖。 圖33 A係顯示根據閘極匯流排線之電壓波形供應至cs匯 /;IL排線之振盪電壓的振盪週期與相位以及顯示圖32中所示 98052-960607.doc -116- 1288380 液晶顯示器中次像素電極之電壓的示意圖。 圖33B係顯示根據閘極匯流排線之電壓波形供應至cs匯 l排線之振盪電壓的振盪週期與相位以及顯示圖W中所示 液晶顯示器中次像素電極之電壓的示意圖（施加於液晶層 上的電壓具有與圖33 A相反的極性）。 圖34A係顯示圖32中所示液晶顯示器之驅動狀態之示意 圖（其中使用圖33A的電壓）。 圖34B係顯示圖32中所示液晶顯示器之驅動狀態之示意 圖（其中使用圖33B的電壓）。 圖35A係顯示CS匯流排線與根據本發明第三方面之一具 體實施例之液晶顯示H中—像素間黑色矩陣之示意圖，而 圖35B係顯示亦用作根據本發明第四方面之—具體實施例 之液晶顯示器中-像素間黑色矩陣之CS匯流排線之佈局範 例之示意圖。 圖36A係顯示根據本發明第四方面之具體實施例之液晶 顯示器之驅動狀態之示意圖。 。圖36B係根據本發明第四方面之具體實施例之液晶顯示 器之驅動狀悲之示忍圖，其中施加於液晶層上的電場之方 向與圖33Α中的驅動狀態中相反。 圖37係顯示根據本發明第四方面之具體實施例之液晶顯 示器之矩陣組態(CS匯流排線之連接圖案)之示意圖。 圖38係顯示圖37所示饬θ ns -- 也 斤不液日日顯不裔之驅動信號波形之示意 圖。 圖39係顯示根據本發明第四方面之另-具體實施例之液 98052-960607.doc -117- 1288380 晶 圖 顯示器之矩陣組態（cs匯流排線之連拉闻& 文供圖案）之示意圖。 圖40係顯示圖39所示液晶顯示器之驅說> & ^ ^^號波形之示意 圖41係顯示根據本發明第四方面之另— & ^ 具體實施例之液 晶顯示器之矩陣組態（CS匯流排線之連接圖案）之厂、立圖’ 圖42係顯_41所錢晶㈣器之驅 圖。 圖43係顯示根據本發明第四方面之另 ^ 具體實施例之液 晶顯示器之矩陣組態（CS匯流排線之連接圖案）之示音圖。 圖44係顯示圖43所示液晶顯示器之驅動信號波形之示意 圖。 圖45係顯示根據本發明第四方面之另一具體實施例之液 晶顯示器之矩陣組態（CS匯流排線之連接圖案）之示音、圖。 圖46係顯示圖45所示液晶顯示器之驅動信號波形之示意 圖。 圖47係顯示根據本發明第四方面之另一具體實施例之液 晶顯示器之矩陣組態（CS匯流排線之連接圖案）之示意圖。 圖48係顯示圖47所示液晶顯示器之驅動信號波形之示意 圖。 圖49係顯示根據本發明第四方面之另一具體實施例之液 晶顯示器之矩陣組態（CS匯流排線之連接圖案）之示意圖。 圖5 0係顯示圖49所示液晶顯示器之驅動信號波形之示意 圖。 【主要元件符號說明】 98052-960607.doc -118- 1288380 10 像素 12 共用掃描線（閘極匯流排線） 17 對向電極 18 像素電極 19 肋 40 背光 100 液晶顯示器 200 液晶顯不 10f 像素 100, 傳統液晶顯不 10a 第一次像素 10A 液晶顯不面板 10b 第二次像素 11a 基板 lib 基板 13 ^ 13a、 13b 液晶層 14、 14a、 14b 信號線 16、 16a ^ 16b TFT 18a 次像素電極 18b 次像素電極 18s 狹縫 20a 、20b 相位差補償元件 22a 儲存電容 22b 儲存電容
98052-960607.doc -119- 1288380 24a 24b 2C-2C1 30a、30b 儲存電容線 儲存電容線 線 偏光板 98052-960607.doc -120-

Claims (1)

1288380十、申請專利範圍：
.-種液晶顯示器，其包含複數個像素，每個像素且有一液 晶層以及複數個將一電屢施加於該液晶層上的電極，並且 孩等像素係配置於列與行之一矩陣中，其中： 該等複數個像素之每一像素具有一第—次像素與一第 二次像素，該等第-與第二次像素可將互不相同的㈣ ❹於該液晶層上，其中在某些漸層中，該第—次像素 的免度高於該第二次像素； ' 該第一次像素與該第二次像素各包含·· 液晶電容，其係藉由一對向電極與一經由該液晶層 與該對向電極對向之次像素電極所形成，以及 一 2存電容’其係藉由-電連接至該次像素電極之儲 存電容電極、一絕緣層以及一經由該絕緣層而與該儲存 電容電極對向之儲存電容對向電極所形成； 該對向電極係由言亥第一次像素與該第二欠像素所共享 的單-1：極，而言亥第一次像素與該第二次像素之該等 儲存電容對向電極係彼此電性獨立；以及 該等複數個像素之任ϋ中該第—:欠像素之該儲存 電今對向電極與沿該行方向與該等像素之任—像素相鄰 之像素之該第二次像素之該儲存電容對向電極係彼此 電性獨立。 2. 如請顯示器’ &中該等像素之該任一像素中 的忒第一次像素係配置成鄰近於沿該行方向與該等像素 之遠任-像素相鄰之該像素的該第二次像素。 98052-960607.doc I288380 如喷求項1之液晶顯示器，其中在該等複數個像素之每一 T素中，該第一次像素係配置成沿該行方向鄰近於該第二 次像素。 如喷求項1之液晶顯示器，其包含複數個彼此電性獨立的 2存電容中繼線，其中該等儲存電容中繼線之每一儲存電 容中繼線係經由一儲存電容線電連接至該等複數個像素 中該第一次像素與該第二次像素之該等儲存電容對向電 極之任一儲存電容對向電極。 5·如晴求項4之液晶顯示器，其中該等複數個儲存電容中繼 線中彼此電性獨立的儲存電容中繼線之數目係l，藉由每 一該等儲存電容中繼線所供應的儲存電容對向電壓係振 盪電壓，並且振盪週期係一水平掃描週期之L倍。 6.如睛求項4之液晶顯示器，其中該等複數個彼此電性獨立 之儲存電容中繼線係被分組成若干對儲存電容中繼線的 偶數個儲存電容中繼線，該等儲存電容中繼線供應儲存電 容對向電壓，其振盪相位彼此相差18〇度。 7·如請求項1之液晶顯示器，其中彼此電性獨立的儲存電容 中繼線之數目係大於藉由將一水平掃描週期除以一⑶時 間常數而獲得之商的8倍，其中該⑶時間常數接近該儲存 電容線之最大負載阻抗。 8·如請求項4之液晶顯示器，其中彼此電性獨立的儲存電容 中繼線之數目係大於藉由將一水平掃描週期除以一㈤夺 間常數而獲得之商的8倍並且係—偶數，其中該⑶時間常 數接近該儲存電容線之最大負載阻抗。 98052-960607.doc 1288380 9·如請求項1之液晶顯示器，其中： 該等複數個儲存電容中繼線包括彼此電性獨立的一第 一儲存電容中繼線與一第二儲存電容中繼線；以及 如果連接至位於一任意行與該等複數個像素所形成之 列中一給定列η之交叉處之像素之第一次像素之儲存電 容對向電極之儲存電容線係指定為CSBL_A_n，如果連接 至w亥苐一次像素之該儲存電容對向電極之儲存電容線係 指定為CSBL-B-n，並且如果k係一自然數（包括〇): 將CSBL一A一n+k連接至該第一儲存電容中繼線，以及 將CSBL—B一n+k連接至該第二儲存電容中繼線。 1〇·如請求項9之液晶顯示器，其中分別藉由該等第一與第二 儲存電容中繼線所供應的第—與第二儲存電容對向、電壓 之振盪週期皆係該水平掃描週期的兩倍。 11.如請求項ίο之液晶顯示器，其中該第二儲存電容對向電壓 落後於該第-儲存電容對向電壓達—水平掃描週期之一 相位差。 I2·如請求項11之液晶顯示器，i包含 像::::元件’其一第〜 其中藉由供應至一共用掃描線的掃 與關閉該等兩個切換元件，舍 ) 開啟 從-共用信號線將顯示信號;壓供;元件時 =第二次像素之該等個料像素電極與像素與 並且關閉該等兩個切換元件之後_ =電極， -人像素與該第 98052-960607.doc 1288380 二次像素之該等個別儲存電 :以及 容對向電極之電壓發生 變化 :果Td表示該第—儲存電容對向㈣在關閉該等兩個 刀/件之後百次發生變化所需的時間，則以大於。個水 平掃描週期並且小於一水平掃描週期。 13.如請求们2之液晶顯示器，其中魏係近似等於 描週期的0.5倍。 知 i4·如請求項丨之液晶顯示器，其中·· 該等複數個儲存電容中繼線包括彼此電性獨立的一第 一儲存電容中繼線、第二儲存電容中繼線、第三儲存電 容中繼線及第四儲存電容中繼線；以及 如果連接至位於一任意行與該等複數個像素所形成之 列中一給定列η之交叉處之像素之第一次像素之儲存電 容對向電極之儲存電容線係指定為CSBL-A—η，如果連接 至ό亥第^一次像素之該儲存電容對向電極之儲存電容線係 指定為CSBL一Β—η，並且如果k係一自然數（包括〇): 將CSBL—A』+4*k與CSBL—B—n+2+4*k連接至該第一儲 存電容中繼線， 將 CSBL—B—n+4*k與 CSBL—A一n+2+4*k連接至該第二儲 存電容中繼線， 將 CSBL一A一n+l+4*k與 CSBL—B一n+3+4*k連接至該第三 儲存電容中繼線，以及 將 CSBLJ3一n+l+4*k與 CSBL—A—n+3+4*k連接至該第四 儲存電容中繼線。 98052-960607.doc 1288380 15.如請求項14之液晶顯示器’其中分別藉由該等第一至第四 儲存電容中繼線所供應的第一至第四儲存電容對向電壓 之振盈週期皆係該水平掃描週期的4倍。 ❹請求項15之液晶顯示器’其中該第二儲存電容對向電壓 錢於該第―儲存電容對向電料兩個水平掃描週期之 相位差，該第二儲存電容對向電壓落後於該第一儲存電 容對向電壓達三個水平掃描週期之一相位差，並且該第四 儲存電各對向電壓落後於該第—儲存電容對向電壓達一 水平掃描週期之一相位差。 17·如請求項16之液晶顯示器，其包含 兩個切換元件，其分別針對該第一次像素與該第二次 像素而提供， 其中藉由供應至一共用掃描線的掃描信號電壓來開啟 與關閉該等兩個切換元件，當開啟該等兩個切換元件時 從一共用信號線將顯示信號電壓供應至該第一次像素與 該第二次像素之該等個別次像素電極與儲存電容電極了 並且關閉該等兩個切換元件之後，該第一次像素與該第 二次像素之該等個別儲存電容對向電極之電壓發生變化 :以及 如果Td表示該第-儲存電容對向電壓在關閉該等兩個 切t元件之後首次發生變化所需的時間，則Td大於0個水 平掃描週期並且小於兩個水平掃描週期。 18.如請求項17之液晶顯示器，其中該^係近似等於一水平衩 描週期。 f 98052-960607.doc 1288380 1 9 ·如請求項1之液晶顯示器，其中： 该4複數個儲存電容中繼線包括彼此電性獨立的一第 一儲存電容中繼線、第二儲存電容中繼線、第三儲存電 容中繼線、第四儲存電容中繼線、第五儲存電容中繼線 及第六儲存電容中繼線；以及 如果連接至位於一任意行與配置成一列與行矩陣之該 等複數個像素所形成之列中一給定列交又處之像素 之第一次像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係指定 為CSBL一 A 一η，如果連接至該第二次像素之該儲存電容對 向電極之該儲存電容線係指定為CSBL—B—η，並且如果让 係一自然數（包括〇): 將CSBL—A 一n+3*k連接至該第一儲存電容中繼線， 將CSBL一B—n+3*k連接至該第二儲存電容♦繼線， 將CSBL 一 A—n+l+3*k連接至該第三儲存電容中繼線， 將CSBL 一 B—n+l + 3*k連接至該第四儲存電容中繼線， 將CSBL一A一n+2+3*k連接至該第五儲存電容中繼線，以及 將CSBL—B_n+2+3 *k連接至該第六儲存電容中繼線。 20·如請求項19之液晶顯示器，其中分別藉由該等第一至第六 儲存電容中繼線所供應的第一至第六儲存電容對向電壓 之振盪週期皆係該水平掃描週期的6倍。 21·如晴求項1之液晶顯示器，其中·· 該等複數個儲存電容中繼線包括總共L個彼此電性獨 立之儲存電容中繼線，即一第一儲存電容中繼線、第二 儲存電谷中繼線、第三儲存電容中繼線、第四儲存電容 98052-960607.doc 1288380 中繼線、第五儲存電容中繼線、第六儲存電容中繼線，…， 第（L-3)儲存電容中繼線、第（L-2)儲存電容中繼線、第 (L-1)儲存電容中繼線以及第L儲存電容中繼線；以及 當該等電性獨立之儲存電容中繼線之數目L之1/2係一 奇數時，即當L=2, 6, 10,…等時， 如果連接至位於一任意行與該等複數個像素所形成之 列中一給定列η之交叉處之像素之第一次像素之儲存電容 對向電極之儲存電容線係指定為CSBL_A_n，如果連接至 該第二次像素之該儲存電容對向電極之該儲存電容線係指 定為CSBL—Β—η，並且如果k係一自然數（包括0): 將CSBL_A—n+(L/2)*k連接至該第一儲存電容中繼線， 將CSBL JB_n+(L/2)*k連接至該第二儲存電容中繼線， 將CSBL—A_n+l+(L/2)*k連接至該第三儲存電容中繼線， 將CSBLJB_n+l+(L/2)*k連接至該第四儲存電容中繼線， 將CSBL_A_n+2+(L/2)*k連接至該第五儲存電容中繼線， 將CSBL_B—n+2+(L/2)*k連接至第六儲存電容中繼線， 將 CSBL—A_n+(L/2)-2+(L/2)*k連接至該第（L_3)儲存電 容中繼線； 將 CSBL—B_n+(L/2)-2+(L/2)*k連接至該第（L-2)儲存電 容中繼線， 將 CSBL—A—n+(L/2)-l + (L/2)*k連接至該第（L-1)儲存電 容中繼線，以及 將CSBL_B_n+(L/2)-l+(L/2)*k連接至該第L儲存電容中 98052-960607.doc 1288380 繼線。 中分別藉由該等第一至第L 至第1^儲存電容對向電壓之 的L倍。 22·如請求項21之液晶顯示器，其 儲存電谷中繼線所供應的第_ 振盪週期皆係該水平掃描週期 23.如請求項1之液晶顯示器，其中： 该等複數個儲存電容中繼線包括彼此電性獨立的一第 一儲存電容中繼線、第二儲存電容中繼線、第三儲存電 容★中繼線、帛吨存電容m第謂存電容中繼線 第’、儲存電令中繼線、第七儲存電容中繼線及第八儲 存電容中繼線；以及 如果連接至位於一任意行與該等複數個像素所形成之 歹J中給疋列11之交叉處之像素之第一次像素之儲存電容 對向電極之儲存電容線係指定為CSBL一A,，如果連接至 該第二次像素之該儲存電容對向電極之該儲存電容線係指 定為CSBL-B-n，並且如果k係一自然數（包括〇): 將 CSBL—A—n+8*k與 CSBL—B一n+4+8*k連接至該第一儲 存電容中繼線， 將 CSBL—B—n+8*k與 CSBL—A一n+4 + 8*k連接至該第二儲 存電容中繼線， 將 CSBL—A—n+l + 8*k與 CSBL—B一n+5 + 8*k連接至該第： 儲存電容中繼線， 將 CSBL—B一n+l + 8*k與 CSBL一A—n+5 + 8*k連接至第四儲 存電容中繼線， 98052-960607.doc 1288380 將08丑1^一人一11+2+8*1<:與〇861^一3一11+6 + 8*1(：連接至該第五 儲存電容中繼線， 將 CSBL—B一n+2 + 8*k與 CSBL—A一n+6 + 8*k連接至該第六 儲存電容中繼線， 將 CSBL—A一n+3 + 8*k與 CSBL—B—n+7+8*k連接至該第七 儲存電容中繼線，以及 將 CSBL—B一n+3 + 8*k與 CSBL—A—n+7 + 8*k連接至該第八 儲存電容中繼線。 24.如請求項23之液晶顯示器，其中分別藉由該等第一至第八 儲存電容中繼線所供應的第一至第八儲存電容對向電壓 之振盪週期皆係該水平掃描週期的8倍。 25·如請求項1之液晶顯示器，其中： 該等複數個儲存電容中繼線包括總共L個彼此電性獨 立之儲存電容中繼線，即一第一儲存電容中繼線、第二 儲存電容中繼線、第三儲存電容中繼線、第四儲存電容 中繼線、第五儲存電容中繼線、第六儲存電容中繼線、 第七儲存電容中繼線、第八儲存電容中繼線，…，第（l_3) 儲存電容中繼線、第（L-2)儲存電容中繼線、第（乙—丨）儲存 電容中繼線以及第L儲存電容中繼線；以及 §該·#電性獨立之儲存電容中繼線之數目L之1 /2係一 偶數時，即當L=4，8，12，…等時， 如果連接至位於一任思行與配置成一列與行矩陣之該 等複數個像素所形成之列中一給定列交叉處之像素 之第一次像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係指定 98052-960607.doc 1288380 為CSBL_A_n，如果連接至該第二次像素之該儲存電容對 向電極之該儲存電容線係指定為CSBL JB_n，並且如果k 係一自然數（包括0): 將 CSBL—A—n+L*k與 CSBL—B—n+(L/2)+L*k連接至該第 一儲存電容中繼線， 將 CSBL—B—n+L*k與 CSBL—A一n+(L/2)+L*k連接至該第 二儲存電容中繼線， 將 CSBL—A_n+1+L*k與 CSBLJB—n+(L/2)+l+L*k連接至 該第三儲存電容中繼線， 將 CSBL—B—n++L*k 與 CSBL—A—n+(L/2)+l+L*k 連接至 該第四儲存電容中繼線， 將 CSBL—A__n+2+L*k與 CSBL_B_n+(L/2)+2+L*k連接至 該第五儲存電容中繼線， 將 CSBL—B—n+2+L*k與 CSBL—A—n+(L/2)+2+L*k連接至 該第六儲存電容中繼線， 將 CSBL_A—n+3+L*k與 CSBL—B_n+(L/2)+3+L*k連接至 該第七儲存電容中繼線， 將 CSBL—B—n+3+L*k與 CSBL—A_n+(L/2)+3+L*k連接至 該第八儲存電容中繼線， 將 CSBL—A—n+(L/2)_2+L*k與 CSBL—B—n+L-2+L*k連接 至該第（L-3)儲存電容中繼線， 將 CSBL—B—n+(L/2)-2+L*k與 CSBL—A—n+L-2+L*k連接 至該第（L-2)儲存電容中繼線， 98052-960607.doc -10- 1288380 將 CSBL—A—n+(L/2)-l+L*k與 CSBL—B—n+L-l+L*k連接 至該第（L-l)儲存電容中繼線，以及 將 CSBL—B—n+(L/2)-l+L*k與 CSBL—A—n+L_l+L*k連接 至該第L館存電容中繼線。 26. 如請求項25之液晶顯示器，其中分別藉由該等第一至第1 儲存電容中繼線所供應的第一至第L儲存電容對向電壓之 振逢週期皆係該水平掃描週期的L倍。 27. 如請求項9之液晶顯示器，其中該儲存電容對向電愿之工 作比皆係1:1。
28·如請求们之液晶顯示器，其中將該等像素之該任一像素 中的該第-次像素配置成鄰近於沿該行方向與該等像素 之該任-像素相鄰之像素之第二次像素，並且在每一咳等 複數個像素中，將該第一次像素配置成沿該行㈣ 二次像素相鄰。 一弟 次像素與該第二次 29·如請求項1之液晶顯示器，其中該第一 像素的面積大約相等。
30·如請求項1之液晶顯示器 該第一次像素的面積。 其中該第二次像素的面積大於 .-種液晶顯示器，其包含複數個像素，每個像素具有 晶層以及複數個將-電場施加於該液晶層上的電極，並: 該等像素係配置於列與行之一矩陣中，其中. 、 該等複數個像素之每一像辛豆 :. 二次像素，該等第—與第=像 施加於該液晶層上，1巾在 同的電I 其中在某些漸層中，該第一次像i 98052-960607.doc -11 - 1288380 的亮度高於該第二次像素； 該第一次像素與該第二次像素各包含·· 液曰曰電谷’其係藉由—對向電極與—經由該液晶層 與該對向電極對向之次像素電極所形成，以及 θ -儲存電容，其係藉由—電連接至該次像素電極之健 存電容電極、一絕緣層以及一經由該絕緣層而與該儲存 電容電極對向之儲存電容對向電極所形成； 該對向電極係由該第一次像素與該第二次像素所共享 的一單一電極，而該第一次像素與該第二次像素之該等 儲存電容對向電極係彼此電性獨立； 該液晶顯示器進一步包含複數個彼此電性獨立的儲存 電容中繼線，每一儲存電容中繼線係經由一儲存電容線 電連接至該等複數個像素中之該第一次像素與該第二次 像素之任一該等儲存電容對向電極，兩個沿該行方向相 鄰的像素之一之該第一次像素之該儲存電容對向電極係 連接至與另一像素之該第二次像素之該儲存電容對向電 極電性等效之一儲存電容線；以及 該等複數個儲存電容中繼線中彼此電性獨立之該等儲 存電容中繼線之數目為L或更多（L係一偶數），藉由每一該 等儲存電容中繼線所供應的儲存電容對向電壓係振蘯電 壓，並且該振盪週期係一水平掃描週期之2*K*L(K係一正 整數）倍。 32·如請求項31之液晶顯示器，其中： 如果連接至位於一任意行與配置成一列與行矩陣之該 98052-960607.doc -12- 1288380 等複數個像素所形成之列中一給定列η之交叉處之像素 之第一次像素之儲存電容對向電極之儲存電容線係指定 為CSBL jn)A，以及連接至該第二次像素之該儲存電容對 向電極之儲存電容線係指定為CSBL_(n)B， 連接至該等L個電性獨立之儲存電容中繼線之CS匯流 排線滿足以下關係： CSBL—(p+2*(l- 1))B，（p+2*(l-l)+l)A， CSBL一(p+2*(2-l))B，（p+2*(2-l)+l)A， CSBL—(p+2*(3-l))B，（p+2*(3-1)+1 )A， CSBL—(p+2*(K-l))B，（p+2*(K-1)+1 )A 以及 CSBL—(p+2*(l-l)+K*L+l)B，（p+2*(l-l)+K*L+2)A， CSBL_(p+2*(2-l)+K*L+l)B，（p+2*(2-l)+K*L+2)A， CSBL」p+2*(3-l)+K*L+l)B，（p+2*(3-l)+K*L+2)A， CSBL_(p+2*(K-l)+K*L+l)B，（p+2*(3-l)+K*L+2)A ; 或 CSBL—(p+2*(ll)+l)B，（p+2*(l-l)+2)A， CSBL」p+2*(2-l)+l)B，（p+2*(2-l)+2)A， CSBL」p+2*(3-l)+l)B，（p+2*(3-l)+2)A， CSBL—(p+2*(K_l)+l)B，（ρ+2*(Κ·1)+2)Α以及 CSBL—(p+2*(l-l)+K*L)B，（p+2*(l-l)+K*L+l)A， 98052-960607.doc -13- 1288380 CSBL—(p+2*(2_l)+K*L)B，（p+2*(2_l)+K*L+l)A， CSBL—(p+2*(3-l)+K*L)B，（p+2*(3-l)+K*L+l)A， CSBL—(p+2*(K_l)+K*L)B，（p+2*(K_l)+K*L+l)A， 其中P=1、3、5等或p=0、2、4等。 33·如請求項31之液晶顯示器，其中K係1或2，而L係6、8、 1〇與12之任一者。 34·如睛求項3 1之液晶顯示器，其中該儲存電容線係放置於沿 該行方向相鄰的兩個像素之間。 3 5·如請求項34之液晶顯示器，其包含： 兩個切換元件，其分別係針對該第一次像素與該第二 次像素而提供；以及 一共同地連接至該等兩個切換元件之掃描線， 其中該共用掃描線係放置於該第一次像素與該第二次 像素之間。 36·如明求項3 !之液晶顯示器，其中該等複數個儲存電容中繼 線係被分組成若干對儲存電容中繼線的偶數個儲存電容 中、鼯線’該等儲存電容中繼線供應健存電容對向電壓，其 振I相位彼此相差1 80度。 37·如請求項31之液晶顯示器，其中在任何兩個沿該行方向相 郴的像素中’將一像素之第一次像素之儲存電容對向電極 與另一像素之第：次料之儲存電容對向電極連接至_ 共用儲存電容線。 98052-960607.doc ~ 14 - 1288380 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 10 像素 12 共用掃描線（閘極匯流排線） 100 液晶顯不 10a 第一次像素 10b 第二次像素 14a 信號線 14b 信號線 16a TFT 16b TFT 18a 次像素電極 18b 次像素電極 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） 98052-960607.doc
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