CN115202118B - 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板，包括第一区域与第二区域，第一区域接收的光源亮度大于第二区域接收的光源亮度，显示面板包括第一基板组件，第一基板组件包括位于第一区域的多个第一驱动晶体管与位于第二区域的多个第二驱动晶体管。第一驱动晶体管的第一源极的宽度或第一漏极的宽度为第一宽度，第一源极与第一漏极的距离为第一间距，第二驱动晶体管的第二源极的宽度或第二漏极的宽度为第二宽度，第二源极与第二漏极的距离为第二间距，第二宽度与第二间距的比值大于第一宽度与第一间距的比值，使得第二驱动晶体管的电流大于第一驱动晶体管的电流，以补偿第一区域与第二区域接收的光源强度之差。本申请还提供一种显示装置与一种显示面板的制作方法。

Description

显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、一种显示面板的制作方法以及一种具有该显示面板的显示装置。
背景技术
液晶显示器在人们的生活和工作中占据着越来越重要的位置，其具有机身薄、省电、价格便宜等优点，因此得到了广泛的应用。液晶显示器通常包括液晶显示面板和背光模组，背光模组向液晶显示面板提供背光源。
由于次毫米发光二极管(Mini Light-Emitting Diode，Mini LED)构成的背光模组仅支持小尺寸显示面板，因此，当Mini LED背光模组为大尺寸液晶显示面板提供背光时，往往需要多块灯板拼接形成大尺寸的Mini LED背光模组。然而，相邻的灯板之间往往会存在拼缝区域，该拼缝区域无任何遮挡物，导致灯板发出的光照射在该拼缝区域无法反射回去，致使该拼缝区域的亮度较低，进而在液晶显示面板上会出现亮度较低的暗带区域，影响显示器的显示品质。
因此，如何解决由于背光模组提供的背光不均匀导致显示面板上出现暗带区域是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种显示面板、一种显示面板的制作方法以及一种具有该显示面板的显示装置。旨在解决现有技术中背光模组提供的背光不均匀导致显示面板上出现暗带区域的问题。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括至少一个第一区域以及至少一个第二区域，所述第一区域接收的光源亮度大于所述第二区域接收的光源亮度，所述显示面板包括相对设置的第一基板组件以及第二基板组件。所述第一基板组件包括第一基板、多个第一驱动晶体管以及多个第二驱动晶体管，多个所述第一驱动晶体管以及多个所述第二驱动晶体管设置于所述第一基板面对所述第二基板组件的一侧，且多个所述第一驱动晶体管位于所述第一区域，多个所述第二驱动晶体管位于所述第二区域。所述第一驱动晶体管包括间隔设置的第一源极以及第一漏极，所述第二驱动晶体管包括间隔设置的第二源极以及第二漏极，所述第一源极的宽度或所述第一漏极的宽度为第一宽度，所述第一源极与所述第一漏极之间的距离为第一间距，所述第二源极的宽度或所述第二漏极的宽度为第二宽度，所述第二源极与所述第二漏极之间的距离为第二间距；所述第二宽度与所述第二间距的比值大于所述第一宽度与所述第一间距的比值。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板包括至少一个第一区域以及至少一个第二区域，所述第一区域接收的光源亮度大于所述第二区域接收的光源亮度，所述显示面板包括相对设置的第一基板组件以及第二基板组件。所述第一基板组件包括位于所述第一区域的多个所述第一驱动晶体管与位于所述第二区域的多个所述第二驱动晶体管。所述第一驱动晶体管的第一源极的宽度或第一漏极的宽度为第一宽度，第一源极与第一漏极的距离为第一间距，所述第二驱动晶体管的第二源极的宽度或第二漏极的宽度为第二宽度，第二源极与第二漏极的距离为第二间距，所述第二宽度与所述第二间距的比值大于所述第一宽度与所述第一间距的比值，使得流经所述第二驱动晶体管的开态电流大于流经所述第一驱动晶体管的开态电流。因此，流经所述第二驱动晶体管的开态电流大于流经所述第一驱动晶体管的开态电流，使得所述第二区域的透过率大于所述第一区域的透过率，以补偿所述第一区域与所述第二区域接收的光源强度之差，进而使得所述第二区域的出光侧的亮度与所述第一区域的出光侧的亮度一致，保证了所述显示面板的显示均一性。
在示例性实施方式中，所述第二基板组件包括第二基板、至少一个第一公共电极以及至少一个第二公共电极，所述第一公共电极以及所述第二公共电极设置于所述第二基板面对所述第一基板组件的一侧，所述第一公共电极位于所述第一区域，所述第二公共电极位于所述第二区域。所述第二公共电极的电位低于所述第一公共电极的电位。
在示例性实施方式中，所述第一基板组件还包括绝缘层和钝化层，每个所述第一驱动晶体管还包括第一有源层和第一栅极，每个所述第二驱动晶体管还包括第二有源层和第二栅极，所述绝缘层将所述第一栅极以及所述第二栅极罩设于所述第一基板上。所述第一有源层以及所述第二有源层设置于所述绝缘层背对所述第一基板的一侧，所述第一源极以及所述第一漏极设置于所述第一有源层背对所述绝缘层的一侧，所述第二源极以及所述第二漏极设置于所述第二有源层背对所述绝缘层的一侧；所述钝化层将所述第一源极、所述第一漏极、所述第一有源层、所述第二源极、所述第二漏极以及所述第二有源层罩设于所述绝缘层上。
在示例性实施方式中，所述第一基板组件还包括色阻层以及平坦层，所述色阻层设置于所述钝化层背对所述绝缘层的一侧，所述平坦层设置于所述色阻层背对所述钝化层的一侧。
在示例性实施方式中，所述第一公共电极通过第一覆晶薄膜和驱动芯片连接，所述第一区域的阵列基板公共电极通过第三覆晶薄膜和驱动芯片连接；
所述第二公共电极通过第二覆晶薄膜和驱动芯片连接，所述第二区域的阵列基板公共电极通过第三覆晶薄膜和驱动芯片连接。
在示例性实施方式中，所述第二宽度大于所述第一宽度，所述第二间距与第一间距相等；或，所述第二宽度等于所述第一宽度，所述第二间距小于所述第一间距；或，所述第二宽度大于所述第一宽度，所述第二间距小于所述第一间距。
在示例性实施方式中，所述第二宽度与所述第二间距的比值大于等于4且小于7，所述第一宽度与所述第一间距的比值大于等于3且小于等于4。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种显示装置，包括背光模组以及上述的显示面板，所述背光模组用于向所述显示面板提供光源。
综上所述，本申请实施例提供的显示装置包括背光模组和显示面板。所述显示面板包括至少一个第一区域以及至少一个第二区域，所述第一区域接收的光源亮度大于所述第二区域接收的光源亮度，所述显示面板包括相对设置的第一基板组件以及第二基板组件。所述第一基板组件包括位于所述第一区域的多个所述第一驱动晶体管与位于所述第二区域的多个所述第二驱动晶体管。所述第一驱动晶体管的第一源极的宽度或第一漏极的宽度为第一宽度，第一源极与第一漏极的距离为第一间距，所述第二驱动晶体管的第二源极的宽度或第二漏极的宽度为第二宽度，第二源极与第二漏极的距离为第二间距，所述第二宽度与所述第二间距的比值大于所述第一宽度与所述第一间距的比值，使得流经所述第二驱动晶体管的开态电流大于流经所述第一驱动晶体管的开态电流。因此，流经所述第二驱动晶体管的开态电流大于流经所述第一驱动晶体管的开态电流，使得所述第二区域的透过率大于所述第一区域的透过率，以补偿所述第一区域与所述第二区域接收的光源强度之差，进而使得所述第二区域的出光侧的亮度与所述第一区域的出光侧的亮度一致，保证了所述显示面板的显示均一性。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，用于制作上述的显示面板，所述制作方法包括：
提供一第一基板，在所述第一基板上形成多个第一驱动晶体管与多个第二驱动晶体管以形成第一基板组件，其中，每个所述第一驱动晶体管的第一源极的宽度或第一漏极的宽度为第一宽度，所述第一源极与所述第一漏极之间的距离为第一间距，每个所述第二驱动晶体管的第二源极的宽度或第二漏极的宽度为第二宽度，所述第二源极与所述第二漏极之间的距离为第二间距，所述第二宽度与所述第二间距的比值大于所述第一宽度与所述第一间距的比值；
提供一第二基板，在所述第二基板的一侧形成至少一个第一公共电极与至少一个第二公共电极以形成第二基板组件；
将所述第一基板组件以及所述第二基板组件对盒以形成显示面板，其中，所述第一公共电极和所述第二公共电极面对所述第一基板组件设置。
在示例性实施方式中，所述提供一第一基板，在所述第一基板上形成多个第一驱动晶体管与多个第二驱动晶体管以形成第一基板组件，包括：
在所述第一基板上形成多个第一栅极、多个第二栅极以及绝缘层，其中，所述绝缘层将所述多个所述第一栅极以及多个所述第二栅极罩设于所述第一基板上；
在所述绝缘层上形成多个第一有源层、多个第二有源层、多个所述第一源极、多个所述第二源极、多个所述第一漏极、多个所述第二漏极以及钝化层，其中，所述钝化层将多个所述第一有源层、多个所述第二有源层、多个所述第一源极、多个所述第二源极、多个所述第一漏极以及多个所述第二漏极罩设于所述绝缘层上；
在所述钝化层背对所述绝缘层的表面依次形成色阻层以及平坦层；
开设贯穿所述平坦层和所述色阻层并延伸至所述钝化层内的多个过孔，使得所述第一漏极和所述第二漏极露出所述钝化层，并形成从所述平坦层背对所述色阻层的表面延伸至所述过孔内且与所述第一漏极和所述第二漏极电连接的多个像素电极。
综上所述，本申请实施例提供的制作方法包括：提供一第一基板，在所述第一基板上形成多个第一驱动晶体管与多个第二驱动晶体管以形成第一基板组件，其中，每个所述第一驱动晶体管的第一源极的宽度或第一漏极的宽度为第一宽度，所述第一源极与所述第一漏极之间的距离为第一间距，每个所述第二驱动晶体管的第二源极的宽度或第二漏极的宽度为第二宽度，所述第二源极与所述第二漏极之间的距离为第二间距，所述第二宽度与所述第二间距的比值大于所述第一宽度与所述第一间距的比值；提供一第二基板，在所述第二基板的一侧形成至少一个第一公共电极与至少一个第二公共电极以形成第二基板组件；将所述第一基板组件以及所述第二基板组件对盒以形成显示面板，其中，所述第一公共电极和所述第二公共电极面对所述第一基板组件设置。因此，所述第二宽度与所述第二间距的比值大于所述第一宽度与所述第一间距的比值，使得流经所述第二驱动晶体管的开态电流大于流经所述第一驱动晶体管的开态电流，所述第二区域的透过率大于所述第一区域的透过率，以补偿所述第一区域与所述第二区域接收的光源强度之差，进而使得所述第二区域的出光侧的亮度与所述第一区域的出光侧的亮度一致，保证了所述显示面板的显示均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施例公开的显示装置的层结构示意图；
图2为本申请第二实施例公开的显示面板的层结构示意图；
图3为本申请第二实施例公开的显示面板的第一驱动晶体管的结构示意图；
图4为本申请第二实施例公开的显示面板的第二驱动晶体管的结构示意图；
图5为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法的流程示意图；
图6为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S10的流程示意图；
图7为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S11形成的对应结构示意图；
图8为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S12形成的对应结构示意图；
图9为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S13形成的对应结构示意图；
图10为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S14形成的对应结构示意图；
图11为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S20形成的对应结构示意图。
附图标记说明：
1-显示装置；10-显示面板；80-背光模组；101-第一区域；102-第二区域；200-第一基板组件；110-第一基板；130-第一驱动晶体管；131-第一源极；133-第一漏极；135-第一有源层；137-第一栅极；150-第二驱动晶体管；151-第二源极；153-第二漏极；155-第二有源层；157-第二栅极；170-绝缘层；190-钝化层；201-过孔；210-色阻层；230-平坦层；250-像素电极；300-第二基板组件；310-第二基板；330-第一公共电极；350-第二公共电极；W1-第一宽度；L1-第一间距；W2-第二宽度；L2-第二间距；400-液晶层；410-间隔柱；430-液晶；600-黑色矩阵层；610-遮光块；801-容置空间；803-拼缝区域；810-背板；830-光学膜片组件；850-灯板；S10-S30-显示面板的制作方法；S11-S14-步骤S10的步骤。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。本申请中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本申请，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，本申请中使用的术语“包括”、“可以包括”、“包含”、或“可以包含”表示公开的相应功能、操作、元件等的存在，并不限制其他的一个或多个更多功能、操作、元件等。此外，术语“包括”或“包含”表示存在说明书中公开的相应特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合，而并不排除存在或添加一个或多个其他特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合，意图在于覆盖不排他的包含。还需要理解的是，本文中描述的“至少一个”的含义是一个及其以上，例如一个、两个或三个等，而“多个”的含义是至少两个，例如两个或三个等，除非另有明确具体的限定。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
请参阅图1，图1为本申请第一实施例公开的显示装置的层结构示意图。本申请实施例提供的显示装置1至少可以包括层叠设置的显示面板10以及背光模组80，所述显示面板10位于所述背光模组80的出光侧。所述显示面板10用于在所述背光模组80提供的光源下显示图像。
可以理解地，所述显示装置1可用于包括但不限于平板电脑、笔记本电脑、台式电脑等电子设备。根据本发明的实施例，所述显示装置1的具体种类不受特别的限制，本领域技术人员可根据应用所述显示装置1的具体的使用要求进行相应地设计，在此不再赘述。
在示例性实施方式中，所述显示装置1还包括驱动板、电源板、高压板以及按键控制板等其他必要的部件和组成，本领域技术人员可根据所述显示装置1的具体类型和实际功能进行相应地补充，在此不再赘述。
在本申请实施方式中，请参阅图1，所述背光模组80至少可以包括背板810、光学膜片组件830以及多个灯板850。所述光学膜片组件830安装于所述背板810，并与所述背板810合围形成一容置空间801，多个所述灯板850设置于所述容置空间801内且安装于所述背板810上。多个所述灯板850用于发光，所述光学膜片组件830用于使所述背光模组80提供的光源更均匀以及提高所述背光模组80提供的光源的亮度。
在示例性实施方式中，多个所述灯板850间隔设置，且间隔设置的相邻两个所述灯板850之间形成拼缝区域803，所述拼缝区域803的亮度较所述灯板850所在区域的亮度较低。可以理解的是，由于多个所述灯板850之间是通过物理拼接在一起的，无法做到零拼缝，因此，相邻的两个所述灯板850之间一定存在所述拼缝区域803。
在示例性实施方式中，所述灯板850的数量可为2至10个，例如，2个、5个、8个、10个、或其他数量个，所述灯板850的具体数量可以根据所述显示面板10的尺寸以及所述灯板850的尺寸来决定，本申请对此不作具体限制。相应地，所述拼缝区域803的数量也可为多个，本申请对此不作具体限制。
在示例性实施方式中，所述光学膜片组件830至少可以包括用于提高光源亮度均匀性的扩散片以及用于提升光源亮度的棱镜片。
在示例性实施方式中，所述背光模组80还可以包括反射片、胶框以及边框等其他必要的部件和组成，本领域技术人员可根据所述背光模组80的具体类型和实际功能进行相应地补充，在此不再赘述。
在示例性实施方式中，所述背光模组80可为直下式背光模组，每个所述灯板850可由呈矩阵分布的多个次毫米发光二极管(Mini Light-Emitting Diode，Mini LED)构成。
在示例性实施方式中，所述显示面板10可为聚合物稳定垂直技术(Polymer-Stabilized Vertical Alignment，PSVA)显示面板。PSVA技术可包括将间隔柱设置在阵列基板上(Photo Spacer on Array，POA)的技术和将色阻层与阵列基板集成在一起(Color-Filter on Array，COA)的技术。
请参阅图2，图2为本申请第二实施例公开的显示面板的层结构示意图。本申请实施例提供的显示面板10具有至少一个第一区域101以及至少一个第二区域102，其中，所述第一区域101与所述灯板850所在的区域相对应，所述第二区域102与所述拼缝区域803相对应。也即为，所述第一区域101在所述背板810上的正投影与所述灯板850在所述背板810上的正投影相对应，所述第二区域102在所述背板810上的正投影与所述拼缝区域803在所述背板810上的正投影相对应。所述第一区域101接收的光源亮度大于所述第二区域102接收的光源亮度。
在本申请实施方式中，所述显示面板10至少可以包括相对设置的第一基板组件200以及第二基板组件300。所述第一基板组件200至少可以包括第一基板110、多个第一驱动晶体管130以及多个第二驱动晶体管150。多个所述第一驱动晶体管130以及多个所述第二驱动晶体管150设置于所述第一基板110面对所述第二基板组件300的一侧，且多个所述第一驱动晶体管130位于所述第一区域101，多个所述第二驱动晶体管150位于所述第二区域102。也即为，所述第一驱动晶体管130在所述第一基板110上的正投影位于所述第一区域101在所述第一基板110上的正投影内，所述第一驱动晶体管130在所述第一基板110上的正投影位于所述第二区域102在所述第一基板110上的正投影内。
具体为，请一并参阅图3和图4，图3为本申请第二实施例公开的显示面板的第一驱动晶体管的结构示意图，图4为本申请第二实施例公开的显示面板的第二驱动晶体管的结构示意图。所述第一驱动晶体管130包括间隔设置的第一源极131以及第一漏极133，所述第二驱动晶体管150包括间隔设置的第二源极151以及第二漏极153。其中，所述第一源极131的宽度或所述第一漏极133的宽度为第一宽度W1，所述第一源极131与所述第一漏极133之间的距离为第一间距L1；所述第二源极151的宽度或所述第二漏极153的宽度为第二宽度W2，所述第二源极151与所述第二漏极153之间的距离为第二间距L2。所述第二宽度W2与所述第二间距L2的比值大于所述第一宽度W1与所述第一间距L1的比值，使得流经所述第二驱动晶体管150的开态电流(Ion)大于流经所述第一驱动晶体管130的开态电流(Ion)。
在示例性实施方式中，所述第一源极131的宽度与所述第一漏极133的宽度相等，所述第二源极151与所述第二漏极153的宽度相等。
在示例性实施方式中，所述第一基板组件200可为控制电信号的阵列基板，所述第二基板组件300可为显示彩色的彩色基板。
如图2所示，在本申请实施方式中，所述显示面板10还包括液晶层400，所述液晶层400设置于所述第一基板组件200以及所述第二基板组件300之间。所述液晶层400包括呈阵列分布的多个间隔柱(Post Spacer，PS)410以及设置于相邻的所述间隔柱410之间的液晶430。
具体为，所述第一基板组件200与所述第二基板组件300之间存在电位差，使得所述第一基板组件200与所述第二基板组件300之间可形成不同的预设电场，所述液晶430在所述预设电场的作用下偏转，使得透过所述显示面板10的光线强度不同，以实现所述显示装置1的亮度调节。可以理解的是，所述第一基板组件200与所述第二基板组件300之间的电位差不同，所述液晶430的偏转状态也不同。
当所述液晶430的长度方向与所述预设电场的方向垂直时，所述背光模组80发出的光线透过所述显示面板10最少，则所述显示面板10的透过率最小；当所述液晶430的长度方向与所述预设电场的方向平行时，所述背光模组80发出的光线透过所述显示面板10最多，则所述显示面板10的透过率最大。其中，透过率为所述显示面板10出光侧表面的亮度与所述背光模组80提供的光源亮度的比值。
可以理解的是，流经位于所述第二区域102的所述第二驱动晶体管150的开态电流(Ion)大于流经位于所述第一区域101的所述第一驱动晶体管130的开态电流(Ion)。在相同的时间内，使得所述第二区域102的充电电荷量大于所述第一区域101的充电电荷量，使得所述第二区域102的电场强度大于所述第一区域101的电场强度。而且，位于所述第二区域102的所述液晶430的长度方向与所述预设电场的方向的夹角小于位于所述第一区域101的所述液晶430的长度方向与所述预设电场的方向的夹角，使得所述第二区域102的透过率大于所述第一区域101的透过率，以补偿所述第一区域101与所述第二区域102接收的光源强度之差，进而使得所述第二区域102的出光侧的亮度与所述第一区域101的出光侧的亮度一致。
如图2所示，在示例性实施方式中，所述显示面板10还包括黑色矩阵(BlackMatrix，BM)层600，所述黑色矩阵层600设置于所述第二基板组件300面对所述液晶层400的一侧。所述黑色矩阵层600至少可以包括呈阵列分布的多个遮光块610，所述遮光块610设置于所述间隔柱410面对所述第二基板组件300的一侧。所述遮光块610用于遮光，避免透过相邻的子像素单元的光互相干扰，以提高所述显示面板10的对比度。
在本申请其他实施方式中，所述黑色矩阵层600还可设置于所述第一基板组件200面对所述液晶层400一侧，本申请对此不作具体限制。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板10具有至少一个第一区域101以及至少一个第二区域102，所述第一区域101接收的光源亮度大于所述第二区域102接收的光源亮度。所述显示面板10至少可以包括第一基板组件200。所述第一基板组件200至少可以包括第一基板110、多个第一驱动晶体管130以及多个第二驱动晶体管150，多个所述第一驱动晶体管130位于所述第一区域101，多个所述第二驱动晶体管150位于所述第二区域102(即对应所述拼缝区域803)。所述第一驱动晶体管130包括间隔设置的第一源极131以及第一漏极133，所述第二驱动晶体管150包括间隔设置的第二源极151以及第二漏极153。其中，所述第一源极131的宽度或所述第一漏极133的宽度为第一宽度W1，所述第一源极131与所述第一漏极133之间的距离为第一间距L1；所述第二源极151的宽度或所述第二漏极153的宽度为第二宽度W2，所述第二源极151与所述第二漏极153之间的距离为第二间距L2。所述第二宽度W2与所述第二间距L2的比值大于所述第一宽度W1与所述第一间距L1的比值，使得流经所述第二驱动晶体管150的开态电流(Ion)大于流经所述第一驱动晶体管130的开态电流(Ion)。因此，流经所述第二驱动晶体管150的开态电流(Ion)大于流经所述第一驱动晶体管130的开态电流(Ion)，使得所述第二区域102(即对应的拼缝区域803)的透过率大于所述第一区域101的透过率，以补偿所述第一区域101与所述第二区域102接收的光源强度之差，进而使得所述第二区域102的出光侧的亮度与所述第一区域101的出光侧的亮度一致，保证了所述显示面板10的显示均一性。
在本申请实施方式中，所述第二宽度W2与所述第二间距L2的比值可大于等于4且小于7，例如，4、4.9、5、6.5、6.9、或其他数值，本申请对此不作具体限制。所述第一宽度W1与所述第一间距L1的比值可为大于等于3且小于等于4，例如，3、3.2、3.5、3.8、4、或其他数值，本申请对此不作具体限制。
在示例性实施方式中，所述第二区域102可包括一中间部分以及位于所述中间部分两侧的边缘部分，也即为，所述边缘部分相对于所述中间部分更靠近于所述灯板850设置，所述边缘部分为所述第二区域102与所述第一区域101结合处。使得所述中间部分接收的光源亮度小于所述边缘部分接收的光源亮度，且所述边缘部分接收的光源亮度由所述第一区域101指向所述中间部分的方向逐渐减小。
在示例性实施方式中，将位于所述第一区域101的所述第一驱动晶体管130的第一宽度W1与第一间距L1的比值定义为第一比值，将位于所述边缘区域的所述第二驱动晶体管150的所述第二宽度W2与所述第二间距L2的比值定义为第二比值，将位于所述中间区域的所述第二驱动晶体管150的所述第二宽度W2与所述第二间距L2的比值定义为第三比值。所述第三比值大于所述第二比值，所述第二比值大于所述第一比值，且所述第二比值由所述第一区域101指向所述中间部分的方向逐渐增大，因此，可以消除所述第二区域102与所述第一区域101结合处的光过渡的锯齿感。例如，位于所述第一区域101的所述第一驱动晶体管130的第一宽度W1与第一间距L1的第一比值为3，位于所述中间区域的所述第二驱动晶体管150的所述第二宽度W2与所述第二间距L2的第三比值5，则位于所述边缘区域的所述第二驱动晶体管150的所述第二宽度W2与所述第二间距L2的第二比值在3-5之间，且靠近所述中间部分的第二比值大于靠近所述第一区域101的第二比值。
在示例性实施方式中，所述第二宽度W2大于所述第一宽度W1，所述第二间距L2与第一间距L1相等；或，所述第二宽度W2等于所述第一宽度W1，所述第二间距L2小于所述第一间距L1；又或，所述第二宽度W2大于所述第一宽度W1，所述第二间距L2小于所述第一间距L1。
在本申请实施方式中，请参阅图2和图3，所述第一驱动晶体管130还包括第一有源层135以及第一栅极137。所述第一栅极137设置于所述第一基板110上且与所述第一基板110相贴合，所述第一有源层135设置于所述第一栅极137背对所述第一基板110的一侧，所述第一源极131以及所述第一漏极133同时设置于所述第一有源层135背对所述第一栅极137的一侧，且相互间隔。
在本申请实施方式中，请参阅图2和图4，所述第二驱动晶体管150还包括第二有源层155以及第二栅极157。所述第二栅极157设置于所述第一基板110上且与所述第一基板110相贴合，所述第二有源层155设置于所述第二栅极157背对所述第一基板110的一侧，所述第二源极151以及所述第二漏极153同时设置于所述第二有源层155背对所述第二栅极157的一侧，且相互间隔。
具体为，所述第一有源层135与所述第二有源层155均由多层不同类型的半导体材料构成，所述第一有源层135以及所述第二有源层155内均存在一高电阻的耗尽层。所述第一栅极137用于接入一偏置电压，使得所述第一有源层135的耗尽层减薄，进而致使所述第一源极131与所述第一漏极133通过所述第一有源层135形成一导电通路。所述第二栅极157用于接入一偏置电压，使得所述第二有源层155的耗尽层减薄，进而致使所述第二源极151与所述第二漏极153通过所述第二有源层155形成一导电通路。
在示例性实施方式中，所述第一有源层135和所述第二有源层155可由多晶硅或金属氧化物半导体材料构成。
在本申请实施例中，请参阅图2，所述第一基板组件200还包括绝缘层(GateInsulator，GI)170以及钝化层(Passivation Layer，PV)190。所述绝缘层170设置于第一基板110上，并将所述第一栅极137以及所述第二栅极157罩设于所述第一基板110上。所述钝化层190设置于所述绝缘层170背对所述第一基板110的一侧，也即为，所述第一基板110、所述绝缘层170和所述钝化层190依次层叠设置，所述第一栅极137和所述第二栅极157设置于所述绝缘层170背对所述第一基板110的一侧，则所述钝化层190将所述第一源极131、所述第一漏极133、所述第一有源层135、所述第二源极151、所述第二漏极153以及所述第二有源层155罩设于所述绝缘层170上。所述绝缘层170用于绝缘所述第一有源层135与第一栅极137以及绝缘所述第二有源层155与所述第二栅极157。所述钝化层190用于保护所述第一源极131、所述第一漏极133、所述第一有源层135、所述第二源极151、所述第二漏极153以及所述第二有源层155不被氧化和腐蚀。
在示例性实施方式中，所述第一有源层135以及所述第二有源层155位于所述绝缘层170背对所述第一基板110的表面上。
在本申请实施方式中，请参阅图2，所述第一基板组件200还包括色阻层(ColorResist，CR)210以及平坦层230。所述色阻层210设置于所述钝化层190背对所述绝缘层170的一侧，所述平坦层230设置于所述色阻层210背对所述钝化层190的一侧。所述色阻层210用于在所述背光模组80提供的光源下显示彩色，所述平坦层230用于平整所述第一基板组件200面对所述液晶层400的表面，便于所述液晶层400的所述间隔柱410与所述第一基板组件200贴合。
在示例性实施方式中，所述色阻层210包括周期性间隔设置的红色色阻、绿色色阻以及蓝色色阻，所述红色色阻在所述背光模组80提供的光源下显示红光，所述绿色色阻在所述背光模组80提供的光源下显示绿光，所述蓝色色阻在所述背光模组80提供的光源下显示蓝光。通过控制红光、绿光以及蓝光的亮度，以实现显示彩色。
在示例性实施方式中，所述绝缘层170与所述钝化层190均可由氮化硅材料构成，所述平坦层230可由聚四氟乙烯(Perfluoroalkoxy，PFA)、氮化硅或氧化硅等材料构成。
在本申请实施方式中，请参阅图2，所述第一基板组件200上开设有多个过孔201，多个所述过孔201分别与所述第一驱动晶体管130以及所述第二驱动晶体管150一一对应。所述过孔201贯穿所述平坦层230以及所述色阻层210，并穿过所述钝化层190的部分，使得所述第一驱动晶体管130的所述第一漏极133露出所述钝化层190以及使得所述第二驱动晶体管150的第二漏极153露出所述钝化层190。
在本申请实施方式中，请参阅图2，所述第一基板组件200还包括多个像素电极250，所述像素电极250从所述平坦层230背对所述色阻层210的表面延伸至所述过孔201内，并与所述第一漏极133接触以及与所述第二漏极153接触，以实现所述第一漏极133与所述像素电极250的电连接以及所述第二漏极153与所述像素电极250的电连接。
在示例性实施方式中，所述像素电极250的数量与所述过孔201的数量一致，即一个所述过孔内201设置有一个所述像素电极250，且一个像素电极250与一个第一漏极133或一个第二漏极153接触。
在本申请实施例中，请参阅图2，所述第二基板组件300至少可以包括第二基板310、至少一个第一公共电极330以及至少一个第二公共电极350。所述第一公共电极330以及所述第二公共电极350设置于所述第二基板310面对所述第一基板组件200的一侧，且彼此间隔排列设置，所述第一公共电极330位于所述第一区域101，所述第二公共电极350位于所述第二区域102。也即，所述第一公共电极330在所述第二基板310上的正投影位于所述第一区域101内，所述第二公共电极350在所述第二基板310上的正投影位于所述第二区域102内。
可以理解的是，所述第二公共电极350的电位低于所述第一公共电极330的电位，所述像素电极250上的电位是一致的。加载在所述第二区域102的所述液晶层400两侧的电压大于加载在所述第一区域101的所述液晶层400两侧的电压。位于所述第二区域102的所述第二公共电极350与所述像素电极250之间的电场强度大于位于所述第一区域101的所述第二公共电极350与所述像素电极250之间的电场强度。位于所述第二区域102的所述液晶430的长度方向与所述预设电场的方向的夹角小于位于所述第一区域101的所述液晶430的长度方向与所述预设电场方向的夹角，所述第二区域102的透过率大于所述第一区域101的透过率，以补偿所述第一区域101与所述第二区域102接收的光源强度之差，进而使得所述第二区域102的出光侧的亮度与所述第一区域101的出光侧的亮度一致。
在示例性实施方式中，所述第一公共电极330与所述第二公共电极350之间的距离大于0且小于2um，例如，0.1um、0.5um、0.7um、1um、1.5um、1.8um、2um、或其他数值，本申请对此不作具体限制。
在示例性实施方式中，所述第一公共电极330与所述第二公共电极350均可由氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)材料构成。
可以理解的是，请参阅图2，为不影响所述显示面板10的显示，将所述第二公共电极350的周缘处设置为与所述间隔柱410的位置相对应。
在示例性实施方式中，所述第一公共电极330通过第一覆晶薄膜(图未示)和驱动芯片(图未示)连接，所述第二公共电极通过第二覆晶薄膜(图未示)和驱动芯片连接。以实现单独控制所述第一公共电极330以及所述第二公共电极350上的电位。
在示例性实施方式中，所述第一区域101的阵列基板公共电极通过第三覆晶薄膜和驱动芯片连接以及所述第二区域102的阵列基板公共电极通过第三覆晶薄膜和驱动芯片连接。驱动芯片通过控制第一公共电极和第二公共电极的不同电位，从而控制第一区域和第二区域不同的电压差，进而实现对第二区域更大的透过率，进而使得所述第二区域102的出光侧的亮度与所述第一区域101的出光侧的亮度一致。并且驱动芯片通过对第一公共电极和第二公共电极的电位控制，再结合第一区域和第二区域的薄膜晶体管的差异化设计，二者协同后具有更好的优化效果，使得所述第二区域102的出光侧的亮度与所述第一区域101的出光侧的亮度均一性更高。
在示例性实施方式中，通过金打点(Au Dot)工艺将所述第一区域101的所述第一公共电极与所述第一区域101的阵列基板公共电极电连接，通过金打点(Au Dot)工艺将所述第二区域102的所述第二公共电极与所述第二区域102的阵列基板公共电极电连接。阵列基板通过覆晶薄膜和驱动芯片连接。驱动芯片通过上述路径控制第一基板组件和第二基板组件的电位，从而控制第一区域和第二区域不同的电压差，进而实现对第二区域更大的透过率，进而使得所述第二区域102的出光侧的亮度与所述第一区域101的出光侧的亮度一致。
在示例性实施方式中，所述驱动芯片可和扫描驱动电路、数据驱动电路等连接，从而通过扫描驱动电路、数据驱动电路控制显示面板。
可以理解的是，本申请的技术方案无需在所述显示面板10与所述背光模组80之间增加使得所述第一区域101以及所述第二区域102接收的光源亮度一致的光罩，因此，本申请的技术方案不但节约了成本，而且可以精确有效地改善所述显示面板10上的暗带区域，使得所述显示装置1具有较好的显示品质。同时，在驱动本申请的所述第一驱动晶体管130以及所述第二驱动晶体管150也无需额外走线，能共用现有的COF以及源极驱动板(XB)等电子物料。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板10具有至少一个第一区域101以及至少一个第二区域102，所述第一区域101接收的光源亮度大于所述第二区域102接收的光源亮度。所述显示面板10至少可以包括第一基板组件200。所述第一基板组件200至少可以包括第一基板110、多个第一驱动晶体管130以及多个第二驱动晶体管150，多个所述第一驱动晶体管130位于所述第一区域101，多个所述第二驱动晶体管150位于所述第二区域102(即对应所述拼缝区域803)。所述第一驱动晶体管130包括间隔设置的第一源极131以及第一漏极133，所述第二驱动晶体管150包括间隔设置的第二源极151以及第二漏极153。其中，所述第一源极131的宽度或所述第一漏极133的宽度为第一宽度W1，所述第一源极131与所述第一漏极133之间的距离为第一间距L1；所述第二源极151的宽度或所述第二漏极153的宽度为第二宽度W2，所述第二源极151与所述第二漏极153之间的距离为第二间距L2。所述第二宽度W2与所述第二间距L2的比值大于所述第一宽度W1与所述第一间距L1的比值，使得流经所述第二驱动晶体管150的开态电流大于流经所述第一驱动晶体管130的开态电流。所述显示面板还包括第二基板组件300，所述第二基板组件300包括第二基板310、至少一个第一公共电极330以及至少一个第二公共电极350。所述第二公共电极350的电位低于所述第一公共电极330的电位。因此，流经所述第二驱动晶体管150的开态电流大于流经所述第一驱动晶体管130的开态电流以及所述第二公共电极350的电位低于所述第一公共电极330的电位。使得所述第二区域102的透过率大于所述第一区域101的透过率，以补偿所述第一区域101与所述第二区域102接收的光源强度之差，进而使得所述第二区域102(即对应所述拼缝区域803)的出光侧的亮度与所述第一区域101的出光侧的亮度一致，保证了所述显示面板10的显示均一性。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，用于制作图2至图4所示的显示面板10，本申请第三实施例的显示面板的制作方法涉及到的显示面板的内容，请参照第二实施例的显示面板的相关描述，在此不再赘述。请参阅图5，图5为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法的流程示意图。所述制作方法至少可以包括以下步骤。
S10、提供一第一基板110，在所述第一基板110上形成多个第一驱动晶体管130与多个第二驱动晶体管150以形成第一基板组件200，其中，每个所述第一驱动晶体管130的第一源极131的宽度或第一漏极133的宽度为第一宽度W1，所述第一源极131与所述第一漏极133之间的距离为第一间距L1，每个所述第二驱动晶体管150的第二源极151的宽度或第二漏极153的宽度为第二宽度W2，所述第二源极151与所述第二漏极153之间的距离为第二间距L2，所述第二宽度W2与所述第二间距L2的比值大于所述第一宽度W1与所述第一间距L1的比值。
在本申请实施方式中，请参阅图6，图6为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S10的流程示意图。所述步骤S10至少可以包括以下步骤。
S11、在所述第一基板110上形成多个第一栅极137、多个第二栅极157以及绝缘层170，其中，所述绝缘层170将所述多个所述第一栅极137以及多个所述第二栅极157罩设于所述第一基板110上。
具体为，请参阅图7，图7为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S11形成的对应结构示意图。通过Coat工艺在所述第一基板110上形成多个第一栅极137以及多个第二栅极157，多个所述第一栅极137以及多个所述第二栅极157在所述第一基板110上呈阵列排布。再通过Coat工艺在所述第一栅极137背对所述第一基板110的一侧、所述第二栅极157背对所述第一基板110的一侧以及所述第一基板110上形成绝缘层170。其中，所述Coat工艺包括材料涂覆、光刻胶涂覆、显影、刻蚀和光刻胶去除等步骤。
S12、在所述绝缘层170上形成多个第一有源层135、多个第二有源层155、多个第一源极131、多个第二源极151、多个第一漏极133、多个第二漏极153以及钝化层190，其中，所述钝化层190将多个所述第一有源层135、多个所述第二有源层155、多个所述第一源极131、多个所述第二源极151、多个所述第一漏极133以及多个所述第二漏极153罩设于所述绝缘层170上。
具体为，请参阅图8，图8为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S12形成的对应结构示意图。通过Coat工艺在所述绝缘层170背对所述第一基板110的表面上形成多个第一有源层135与多个第二有源层155。通过Coat工艺在所述第一有源层135背对所述绝缘层170的表面上形成所述第一源极131以及所述第一漏极133以及在所述第二有源层155背对所述绝缘层170的表面上形成所述第二源极151以及所述第二漏极153。在通过Coat工艺在所述绝缘层170背对所述第一基板110的表面上、所述第一源极131背对所述第一有源层135的表面上、所述第一漏极133背对所述第一有源层135的表面上、所述第二源极151背对所述第二有源层155的表面上以及所述第二漏极153背对所述第一有源层135的表面上形成所述钝化层190。
在本申请实施方式中，一个所述第一源极131、一个所述第一漏极133、一个所述第一源层135以及一个所述第一栅极137构成一个所述第一驱动晶体管130，一个所述第二源极151、一个所述第二漏极153、一个所述第二源层155以及一个所述第二栅极157构成一个所述第二驱动晶体管150。
在本申请实施方式中，所述第一有源层135以及所述第二有源层155位于所述绝缘层170背对所述第一基板110的表面上，所述第一有源层135的位置与所述第一栅极137的位置相对应，所述第二有源层155的位置与所述第二栅极157的位置相对应。也即为，所述第一有源层135在所述第一基板110上的正投影位于所述第一栅极137在所述第一基板110上的正投影内，所述第二有源层155在所述第一基板110上的正投影位于所述第二栅极157在所述第一基板110上的正投影内。所述第一源极131以及所述第一漏极133位于所述第一有源层135背对所述绝缘层170的表面上，且所述第一源极131与所述第一漏极133间隔设置。所述第二源极151以及所述第二漏极153位于所述第二有源层155背对所述绝缘层170的表面上，且所述第二漏极与所述第二有源层155间隔设置。
在示例性实施方式中，在通过掩膜版曝光形成多个所述第一源极131、多个所述第一漏极133、多个所述第二源极151以及多个所述第二漏极153时候，可以在掩膜版的一侧增加透镜聚光或散光，还可以在掩膜版的一侧增加增透膜以增强透过率使得曝光强度更大，还可以在掩膜版的一侧增加增反膜以减小透过率使得曝光强度变小，使得曝光尺寸对应减小或增大，进而达到改变所述第一源极131的宽度、所述第一漏极133的宽度、所述第二源极151的宽度以及所述第二漏极153的宽度，并改变所述第一源极131与所述第一漏极133之间的距离以及所述第二源极151与所述第二漏极153之间的距离。
S13、在所述钝化层190背对所述绝缘层170的表面依次形成色阻层210以及平坦层230。
具体为，请参阅图9，图9为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S13形成的对应结构示意图。通过Coat工艺在所述钝化层190背对所述绝缘层170的表面上形成所述色阻层210，通过Coat工艺在所述色阻层210背对所述钝化层190的表面上形成所述平坦层230。
S14、开设贯穿所述平坦层230和所述色阻层210并延伸至所述钝化层190内的多个过孔201，使得所述第一漏极133和所述第二漏极153露出所述钝化层190，并形成从所述平坦层230背对所述色阻层210的表面延伸至所述过孔201内且与所述第一漏极133和所述第二漏极153电连接的多个像素电极250。
具体为，请参阅图10，图10为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S14形成的对应结构示意图。通过Coat工艺在所述钝化层190背对所述色阻层210的表面上开设多个过孔201。通过溅镀工艺在所述过孔201内以及所述平坦层230背对所述色阻层210的表面上形成多个所述像素电极250，所述像素电极250从所述平坦层230背对所述色阻层210的表面延伸至所述过孔201内，并与所述第一漏极133以及所述第二漏极153电连接。
在本申请实施方式中，多个所述过孔201分别与所述第一驱动晶体管130以及所述第二驱动晶体管150一一对应。所述过孔201贯穿所述平坦层230以及所述色阻层210，并穿过所述钝化层190的部分，使得所述第一驱动晶体管130的所述第一漏极133露出所述钝化层190以及使得所述第二驱动晶体管150的所述第二漏极153露出所述钝化层190。所述像素电极250从所述平坦层230背对所述色阻层210的表面延伸至所述过孔201内，并与所述第一漏极133接触以及与所述第二漏极153接触。一个所述过孔201对应设置一个所述像素电极250。
S20、提供一第二基板310，在所述第二基板310的一侧形成至少一个第一公共电极330与至少一个第二公共电极350以形成第二基板组件300。
具体为，请参阅图11，图11为本申请第三实施例公开的显示面板的制作方法中步骤S20形成的对应结构示意图。通过溅镀工艺在所述第二基板310的一侧形成至少一个第一公共电极330与至少一个第二公共电极350，且所述第一公共电极330以及所述第二公共电极350彼此间隔排列设置。
可以理解的是，形成所述第一基板组件200与形成所述第二基板组件300的顺序可以调成，二者工艺顺序的调整不影响显示面板的制备，本申请实施例是以先形成所述第一基板组件200进行举例。在其他实施方式中，也可以先形成第二基板组件300，本申请对此不作具体限制。
S30、将所述第一基板组件200以及所述第二基板组件300对盒以形成显示面板10，其中，所述第一公共电极330和所述第二公共电极350面对所述第一基板组件200设置。
具体为，请参阅图2，将所述第一基板组件200与所述第二基板组件300相对设置，且所述第一基板组件200的所述像素电极250面对所述第二基板组件300设置，所述第二基板组件300的所述第一公共电极330与所述第二公共电极350面对所述第一基板组件200设置。在所述第一基板组件200面对所述第二基板组件300的一侧或在所述第二基板组件300面对所述第一基板组件200的一侧形成液晶层400。将所述第一基板组件200、所述第二基板组件300以及所述液晶层400置于真空环境中对盒形成所述显示面板10。
在本申请实施方式中，所述第一公共电极330的位置与所述第一驱动晶体管130的位置相对应，且所述第一公共电极330以及所述第一驱动晶体管130位于第一区域101。所述第二公共电极350的位置与所述第二驱动晶体管150的位置相对应，且所述第二公共电极350以及所述第二驱动晶体管150位于第二区域102。也即为，多个所述第一驱动晶体管130在所述第一基板110上的正投影位于所述第一公共电极330在所述第一基板110上的正投影内，多个所述第二驱动晶体管150在所述第一基板110上的正投影位于所述第二公共电极350在所述第一基板110上的正投影内。
可以理解的是，上述将所述第一基板组件200以及所述第二基板组件300对盒指的是将所述第一基板组件200与所述第二基板组件300在真空环境中对准，并通过边框胶将所述第一基板组件200与所述第二基板组件300粘合在一起的过程。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板的制作方法包括：提供一第一基板110，在所述第一基板110上形成多个第一驱动晶体管130与第二驱动晶体管150以形成第一基板组件200，其中，所述第一驱动晶体管130包括第一源极131以及第一漏极133，所述第二驱动晶体管150包括第二源极151以及第二漏极153，所述第一源极131的宽度或所述第一漏极133的宽度为第一宽度W1，所述第一源极131与所述第一漏极133之间的距离为第一间距L1，所述第二源极151的宽度或所述第二漏极153的宽度为第二宽度W2，所述第二源极151与所述第二漏极153之间的距离为第二间距L2，所述第二宽度W2与所述第二间距L2的比值大于所述第一宽度W1与所述第一间距L1的比值；提供一第二基板310，在所述第二基板310的一侧形成至少一个第一公共电极330与至少一个第二公共电极350以形成第二基板组件300；将所述第一基板组件200以及所述第二基板组件300对盒以形成显示面板10，其中，所述第一公共电极330和所述第二公共电极350面对所述第一基板组件200设置。多个所述第一驱动晶体管130的位置与所述第一公共电极330的位置相对应，多个所述第二驱动晶体管150的位置与所述第二公共电极350的位置相对应。因此，流经所述第二驱动晶体管150的开态电流大于流经所述第一驱动晶体管130的开态电流，使得所述第二区域102的透过率大于所述第一区域101的透过率。还可以调整所述第二公共电极350的电位低于所述第一公共电极330的电位，使得所述第二区域102的透过率大于所述第一区域101的透过率。通过上述两种方式可以补偿所述第一区域101与所述第二区域102接收的光源强度之差，进而使得所述第二区域102的出光侧的亮度与所述第一区域101的出光侧的亮度一致，保证了所述显示面板10的显示均一性。
本申请中所描述的流程图仅仅为一个实施例，在不偏离本申请的精神的情况下对此图示或者本申请中的步骤可以有多种修改变化。比如，可以不同次序的执行这些步骤，或者可以增加、删除或者修改某些步骤。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本申请权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分方法，并依本申请权利要求所作的等同变化，仍属于本申请所涵盖的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，包括至少一个第一区域以及至少一个第二区域，所述第一区域接收的光源亮度大于所述第二区域接收的光源亮度，其特征在于，所述显示面板包括相对设置的第一基板组件以及第二基板组件，
所述第一基板组件包括第一基板、多个第一驱动晶体管以及多个第二驱动晶体管，多个所述第一驱动晶体管以及多个所述第二驱动晶体管设置于所述第一基板面对所述第二基板组件的一侧，且多个所述第一驱动晶体管位于所述第一区域，多个所述第二驱动晶体管位于所述第二区域；
所述第一驱动晶体管包括间隔设置的第一源极以及第一漏极，所述第二驱动晶体管包括间隔设置的第二源极以及第二漏极，所述第一源极的宽度或所述第一漏极的宽度为第一宽度，所述第一源极与所述第一漏极之间的距离为第一间距，所述第二源极的宽度或所述第二漏极的宽度为第二宽度，所述第二源极与所述第二漏极之间的距离为第二间距；所述第二宽度与所述第二间距的比值大于所述第一宽度与所述第一间距的比值；
所述第二基板组件包括第二基板、至少一个第一公共电极以及至少一个第二公共电极，所述第一公共电极以及所述第二公共电极设置于所述第二基板面对所述第一基板组件的一侧，所述第一公共电极位于所述第一区域，所述第二公共电极位于所述第二区域，所述第二公共电极的电位低于所述第一公共电极的电位。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板组件还包括绝缘层和钝化层，每个所述第一驱动晶体管还包括第一有源层和第一栅极，每个所述第二驱动晶体管还包括第二有源层和第二栅极，所述绝缘层将所述第一栅极以及所述第二栅极罩设于所述第一基板上；
所述第一有源层以及所述第二有源层设置于所述绝缘层背对所述第一基板的一侧，所述第一源极以及所述第一漏极设置于所述第一有源层背对所述绝缘层的一侧，所述第二源极以及所述第二漏极设置于所述第二有源层背对所述绝缘层的一侧；所述钝化层将所述第一源极、所述第一漏极、所述第一有源层、所述第二源极、所述第二漏极以及所述第二有源层罩设于所述绝缘层上。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板组件还包括色阻层以及平坦层，所述色阻层设置于所述钝化层背对所述绝缘层的一侧，所述平坦层设置于所述色阻层背对所述钝化层的一侧。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一公共电极通过第一覆晶薄膜和驱动芯片连接，所述第一区域的阵列基板公共电极通过第三覆晶薄膜和驱动芯片连接；
所述第二公共电极通过第二覆晶薄膜和驱动芯片连接，所述第二区域的阵列基板公共电极通过第三覆晶薄膜和驱动芯片连接。
5.如权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二宽度大于所述第一宽度，所述第二间距与第一间距相等；或，
所述第二宽度等于所述第一宽度，所述第二间距小于所述第一间距；或，
所述第二宽度大于所述第一宽度，所述第二间距小于所述第一间距。
6.如权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二宽度与所述第二间距的比值大于等于4且小于7，所述第一宽度与所述第一间距的比值大于等于3且小于等于4。
7.一种显示装置，其特征在于，包括背光模组以及如权利要求1-6任一项所述的显示面板，所述背光模组用于向所述显示面板提供光源。
8.一种显示面板的制作方法，用于制作如权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一第一基板，在所述第一基板上形成多个第一驱动晶体管与多个第二驱动晶体管以形成第一基板组件，其中，每个所述第一驱动晶体管的第一源极的宽度或第一漏极的宽度为第一宽度，所述第一源极与所述第一漏极之间的距离为第一间距，每个所述第二驱动晶体管的第二源极的宽度或第二漏极的宽度为第二宽度，所述第二源极与所述第二漏极之间的距离为第二间距，所述第二宽度与所述第二间距的比值大于所述第一宽度与所述第一间距的比值；
提供一第二基板，在所述第二基板的一侧形成至少一个第一公共电极与至少一个第二公共电极以形成第二基板组件；
将所述第一基板组件以及所述第二基板组件对盒以形成显示面板，其中，所述第一公共电极和所述第二公共电极面对所述第一基板组件设置，所述第二公共电极的电位低于所述第一公共电极的电位。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述提供一第一基板，在所述第一基板上形成多个第一驱动晶体管与多个第二驱动晶体管以形成第一基板组件，包括：
在所述第一基板上形成多个第一栅极、多个第二栅极以及绝缘层，其中，所述绝缘层将所述多个所述第一栅极以及多个所述第二栅极罩设于所述第一基板上；
在所述绝缘层上形成多个第一有源层、多个第二有源层、多个所述第一源极、多个所述第二源极、多个所述第一漏极、多个所述第二漏极以及钝化层，其中，所述钝化层将多个所述第一有源层、多个所述第二有源层、多个所述第一源极、多个所述第二源极、多个所述第一漏极以及多个所述第二漏极罩设于所述绝缘层上；
在所述钝化层背对所述绝缘层的表面依次形成色阻层以及平坦层；
开设贯穿所述平坦层和所述色阻层并延伸至所述钝化层内的多个过孔，使得所述第一漏极和所述第二漏极露出所述钝化层，并形成从所述平坦层背对所述色阻层的表面延伸至所述过孔内且与所述第一漏极和所述第二漏极电连接的多个像素电极。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105589276A (zh) * 2016-03-14 2016-05-18 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置
CN112965310A (zh) * 2021-02-26 2021-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4265788B2 (ja) * 2003-12-05 2009-05-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
US7868960B2 (en) * 2006-02-24 2011-01-11 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display device, and television receiver
EP2120089B1 (en) * 2007-02-09 2015-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and liquid crystal panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device and television receiver comprising the same
WO2014087869A1 (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 シャープ株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板、及び、液晶表示装置
KR102252044B1 (ko) * 2013-12-04 2021-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104252076B (zh) * 2014-09-24 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
KR102472373B1 (ko) * 2015-09-10 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN107437400B (zh) * 2017-09-04 2020-08-07 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板和显示装置
US20190326268A1 (en) * 2018-04-19 2019-10-24 Innolux Corporation Electronic device
CN110137236B (zh) * 2019-06-03 2022-01-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110456575B (zh) * 2019-08-20 2021-07-06 成都中电熊猫显示科技有限公司 液晶显示面板
CN110634932B (zh) * 2019-09-27 2022-08-16 京东方科技集团股份有限公司 一种可弯曲显示面板的设计方法及可弯曲显示面板
EP4089740A1 (en) * 2019-11-29 2022-11-16 BOE Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method therefor, display device and display substrate
CN111180492A (zh) * 2020-01-02 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制作方法及双面显示装置
CN113327515A (zh) * 2021-05-26 2021-08-31 Tcl华星光电技术有限公司 Mini-LED背光模组及显示装置
CN114755854B (zh) * 2022-04-27 2024-03-22 广州华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105589276A (zh) * 2016-03-14 2016-05-18 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置
CN112965310A (zh) * 2021-02-26 2021-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板

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