JPH07152013A

JPH07152013A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH07152013A
Application number: JP29797293A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Ozaki; 正明尾崎; Hikari Okita; 光沖田
Original assignee: NipponDenso Co Ltd
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1993-11-29
Filing date: 1993-11-29
Publication date: 1995-06-16

Abstract

(57)【要約】【目的】絶縁膜と付加コンデンサ電極を余分に重畳形
成することなく、液晶表示素子の視角特性を向上させ
る。【構成】互いに対向させ配置し液晶を閉塞する２枚の
透明基板のうち、少なくともー方の透明基板上に液晶を
駆動する電圧を印加する複数の画素電極と信号配線と充
電の能力を有するアクティブ素子１８ａ、１８ｂを設
け、他方の透明基板上に液晶を駆動する電圧を印加する
対向電極を設けた液晶表示素子において、個々の画素電
極を複数の副画素電極２３ａ、２３ｂに分割してそれぞ
れに充電能力の異なるアクティブ素子１８ａ、１８ｂを
少なくとも１つ設置する。および／または個々の画素電
極に対向する個々の対向電極を面積比の異なる領域を有
する複数の副対向電極に分割し、個々の副対向電極に異
なる電圧を印加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、広視野角表示の液晶表
示素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来この種の液晶表示素子においては、
特開平４−３４８３２４号に開示のごとく、互いに対向
させ配置した２枚の透明電極のうち、画素電極を形成す
る透明基板側に以下のような構成を採用している。即
ち、１画素を複数の副画素電極に分割し、そして、画素
電極の下には第１絶縁膜を介して制御コンデンサ電極を
設け、さらに、画素電極の上には第２絶縁膜を介して付
加コンデンサ電極を設けている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の液晶表示素
子にあっては、上下に絶縁膜を介して設けた制御コンデ
ンサ電極と付加コンデンサ電極の容量を自由に設定する
ことにより分割した副画素電極の電圧−透過率特性（以
下、Ｖ−Ｔ特性と呼ぶ）を制御している。これにより、
１画素内にＶ−Ｔ特性の異なる領域を複数形成し、画素
全体の設計自由度を高めている。

【０００４】これは、分割した副画素電極毎に異なるＶ
−Ｔ特性を持たせることであり、中間調表示をしている
画素内に飽和した領域を部分的に形成し、これにより、
中間調表示の視角特性を改善していることになる。しか
しながら、この構成の液晶表示素子であると、画素電極
下に絶縁膜を介して制御コンデンサ電極を設けるという
一般的な構成の上に、さらに絶縁膜を介して付加コンデ
ンサ電極を設けているので、従来発生する不良に、さら
に新たな不良が増加した。即ち、この不良モードは、付
加コンデンサ電極と画素電極、対向電極、ゲート電極、
ソース電極、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと呼ぶ）
等とのショートによる点欠陥や線欠陥の不良であり、こ
れにより液晶表示素子としての信頼性が劣るという問題
が発生した。

【０００５】さらに、画素電極上に余分に絶縁膜と付加
コンデンサ電極を重畳形成するという複雑な構成を取ら
ざるを得ないことで、異物付着や成膜不良も増加すると
いう問題も発生した。そこで、本発明は上記問題を解決
するためになされたものであり、絶縁膜と付加コンデン
サ電極を余分に重畳形成することなく、液晶表示素子の
視角特性を向上させることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、互いに対向させ配置し液晶を閉塞する２枚
の透明基板のうち、少なくともー方の透明基板上に前記
液晶を駆動する電圧を印加する複数の画素電極を設け該
各画素電極には信号配線と接続して充電能力を有するア
クティブ素子を備え、他方の透明基板上に前記液晶を駆
動する電圧を印加する対向電極を設けた液晶表示素子に
おいて、個々の前記画素電極を複数の副画素電極に分割
し、個々の該副画素電極にそれぞれ充電能力の異なる前
記アクティブ素子を少なくとも１つ設置するという技術
的手段を採用するものである。

【０００７】さらに、個々の前記画素電極に対向する個
々の前記対向電極を面積比の異なる領域を有する複数の
副対向電極に分割し、個々の該副対向電極に異なる電圧
を印加するようにしてもよい。

【０００８】

【作用】本発明によれば、個々の画素電極を複数の副画
素電極に分割しこの副画素電極に充電能力の異なるアク
ティブ素子を設けたので、複数の副画素電極はそれぞれ
異なる電圧−透過率特性を有することになる。また、個
々の画素電極に対向する対向電極を面積比の異なる領域
を有する複数の副対向電極に分割してそれぞれに異なる
電圧を印加したので、個々の画素電極は電圧−透過率特
性の異なる領域を有することになる。

【０００９】

【実施例】

（第１実施例）以下本発明を図に示す第１実施例に従っ
て説明する。図２は、本第１実施例の液晶表示素子の要
部平面を示す図１のＡ−Ａ断面図である。液晶表示素子
１は、互いに対向させ配置した２枚のガラスからなる透
明基板２、３の間隙に液晶層４を閉塞し、さらに下偏光
板５および上偏光板６を貼り合わせた構成を採るもので
ある。ここで、透明電極２にはＣｒからなるゲート電極
７を形成し、ＳｉＮｘからなる絶縁膜８を介してＩＴＯ
（インジウム錫酸化物）からなる複数の画素電極９を形
成し、さらに、Ｔｉからなるソース電極１０およびドレ
イン電極１１とａ−Ｓｉからなる半導体１２を形成して
いる。そして、形成して得たこれらの画素電極９等を完
全に覆うように配向膜１３を形成している。ー方、透明
電極３にはマトリクスを構成するＣｒからなる遮光用の
ブラックマスク１４と３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に着色して
カラーフィルタとなる透光用のフィルタ１５を形成して
いる。そして、同様にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）か
らなる対向電極１６を設けてそれぞれを完全に覆うよう
に配向膜１７を形成しいる。

【００１０】なお、このような構成からなる液晶表示素
子は、通常考え得る材料を以て通常考え得る構成にて全
く同様のものが十分可能である。さて、このような構成
の液晶表示素子１における要部平面を図１に示す。ただ
し、図１は図２に示す画素電極９を設けた透明基板２の
ー画素を示す要部平面図であり、最も簡単な例を示して
いる。

【００１１】図１において、ＴＦＴ１８ａとＴＦＴ１８
ｂは充電能力を有するアクティブ素子として、Ｃｒから
なるゲート電極１９とＴｉからなるソース電極２０およ
びドレイン電極２１とａ−Ｓｉからなる半導体２２とか
ら構成され、一般的に知られている逆スタガー構造とな
っている。さらに、ソース電極２０とドレイン電極２１
のチャネル幅Ｗおよびチャネル長Ｌをそれぞれ故意に変
更することで、ＴＦＴ１８ａとＴＦＴ１８ｂをそれぞれ
充電能力の異なるものとしている。今回は、ＴＦＴ１８
ｂよりもＴＦＴ１８ａのチャネル幅Ｗを小さくしチャネ
ル長Ｌを大きくして、ＴＦＴ１８ａの充電能力をＴＦＴ
１８ｂよりも少なくした。そして、１画素を図に示す上
下方向の副画素電極２３ａと２３ｂに面積比が１：１と
なるように２分割し、副画素電極２３ａにはＴＦＴ１８
ａを設け副画素電極２３ｂにはＴＦＴ１８ｂを設けた。
このようにして設けたＴＦＴ１８ａとＴＦＴ１８ｂにＴ
ｉからなるソース信号線２４とＣｒからなるゲート信号
線２５を配設することにより、図示しない外部接続のＩ
Ｃ回路からの信号を受けＴＦＴ１８ａ、１８ｂをＯＮ、
ＯＦＦさせている。

【００１２】このような構成における本第１実施例の特
徴は、１画素の画素電極を２つの副画素電極に分割し、
それぞれの副画素電極にチャネル幅Ｗおよびチャネル長
Ｌの異なるＴＦＴを設けること、即ち、充電能力の異な
るＴＦＴ等のアクティブ素子を設けていることにある。
ただし、本第１実施例は理解を深めるために最も簡単な
例を開示したに過ぎず、１画素の分割数を必ずしも２分
割とする必要は全くなく無限に可能であり効果も上が
る。しかしながら、分割数が増加すればＴＦＴも増加す
ることになり、これに比例して画素面積が小さくなるの
で、有効な分割数を十分考慮する必要がある。したがっ
て、実用上好ましくは、１画素当たり２分割〜５分割に
することが妥当である。また、分割後の副画素電極の面
積についても本第１実施例のように１：１に固守する必
要は全くなく、無限に構成可能である。

【００１３】次に本発明者らは、以上のような構成の液
晶表示素子における視角特性を知るため、図３に示す液
晶表示素子を図４に示す測定方法によりＶ−Ｔ特性を解
析、評価した。図３は、面積比が１：１となるように画
素電極を２分割した本第１実施例の液晶表示素子の斜視
図であり、図示しないＴＦＴを形成したＴＦＴ基板２６
と上偏光板２９をＴＦＴ基板ラビング方向２７と上偏光
板吸光軸２８がー致するように貼り合わせ、また、フィ
ルタを形成したフィルタ基板３０と下偏光板３３をフィ
ルタ基板ラビング方向３１と下偏光板吸光軸３２がー致
するように貼り合わせたことを示している。つまり、上
偏光板２９と下偏光板３３はＮＷ（ノーマリホワイト）
モード、即ち、電圧無印加状態で白表示となるように吸
光軸をクロスさせて貼り合わせた液晶表示素子である。

【００１４】また、Ｖ−Ｔ特性の測定方法は図４に示す
方法により実施した。即ち、液晶表示素子３４の上偏光
板３５側から垂線上方向を正面とし、この正面方向から
Ｖ−Ｔ特性を測定し始め、下方向（図のθ方向）に徐々
に測定位置（図の矢印方向）を変化させることにより実
施した。以上のような測定方法により得られた結果は次
のようであった。

【００１５】まず第１に、図３の液晶表示素子を解析、
評価するために、画素電極を分割せずかつＴＦＴが画素
電極に対して十分に充電能力を有する場合、即ち、チャ
ネル幅Ｗが大きくかつチャネル長Ｌが小さい場合の液晶
表示素子（図示せず）のＶ−Ｔ特性について測定した。
測定位置はθ＝０度（即ち、正面）、１０度、２０度、
３０度、４０度、５０度とし、それぞれについて実測し
て得た結果を図５に示した。図５における横軸は画素電
極への印加電圧であり、縦軸は正面（測定位置θ＝０度
に相当）の最大透過率を１００％としたときの相対透過
率である。図５によると、例えば、測定位置をθ＝５０
度とした場合において特に顕著であるが、印加電圧が０
Ｖから６Ｖまで徐々に増加するに従って、略１．５Ｖ付
近から相対透過率は急激に減少し始め、略２．５Ｖ付近
でー旦Ａ点（相対透過率、略１０％に相当）に達してい
る。ところが、さらに印加電圧が増加すると相対透過率
が増加する現象が現れ、略３．４Ｖ付近でＢ点（相対透
過率、略１８％に相当）まで達し、その後印加電圧が増
加するにつれ相対透過率は緩やかに減少している。この
ように、印加電圧が増加するにつれて相対透過率がー度
減少してから増加して、さらに再度減少するという現象
が、液晶表示素子の明るい表示と暗い表示の反転原因で
あり、下方向の視野角範囲が狭いと言われる所以であ
る。

【００１６】ここで、本実施例においては、この現象を
特に「ふくらみ現象」と呼ぶことにする。このようなふ
くらみ現象は、図５ではおおよそ測定位置がθ＝３０度
から明らかに現れ始め、測定位置が下方向（即ち、θ＝
４０度、５０度）になるに従って大きくなることが分か
る。

【００１７】これに対して第２に、ＴＦＴの充電能力が
画素電極に対して不十分である場合、即ち、チャネル幅
Ｗが小さくかつチャネル長Ｌが大きい場合のＶ−Ｔ特性
について解析した。この場合のＶ−Ｔ特性は、図５の実
測値および電気特性の一般式である数式１、２、３、
４、５、６から容易に計算することができる。

【００１８】

【数１】Ｉ_D＝−β（Ｖ_D−Ｖ_s）｛２（Ｖ_G−Ｖ_T）−（Ｖ_D＋Ｖ_s）｝Ｉ_D: ドレイン電流、Ｖ_s：ソース電圧、Ｖ_G：ゲート
電圧Ｖ_T：ＴＦＴの閾値特性

【００１９】

【数２】β＝（Ｗ／Ｌ）Ｃ_iμ／２Ｗ：チャネル幅、Ｌ：チャネル長、Ｃ_i：単位面積当た
りのゲート絶縁膜容量、μ：移動度

【００２０】

【数３】Ｉ_D＝Ｃ_tｄＶ_D／ｄｔ

【００２１】

【数４】Ｃ_t＝Ｃ_LC＋Ｃ_s＋Ｃ_GD Ｃ_LC：液量容量、Ｃ_s：蓄積容量、Ｃ_GD：ゲート〜ドレ
イン間容量

【００２２】

【数５】Ｖ_O：初期ドレイン電圧

【００２３】

【数６】Ｐ＝ｅｘｐ｛−（２β／Ｃ_t)(Ｖ_G−Ｖ_T−Ｖ_s) ｔ｝ｔ：ゲートＯＮ時間これらの数式１、２、３、４、５、６よりシュミレーシ
ョンしたＶ−Ｔ特性結果を図６に示す。

【００２４】図６によると、印加電圧０Ｖ〜６Ｖにおい
て、測定位置がθ＝３０度および４０度ではふくらみ現
象が殆ど無いことが分かる。また、θ＝５０度では、相
対透過率は図５と同様に略１．５Ｖ付近から急激に減少
し始めるが、略３．４Ｖ付近でー旦Ａ’点（相対透過
率、略１０％に相当）に達し、略５．７Ｖ付近でＢ’点
（相対透過率、略１８％に相当）まで達する若干のふく
らみ現象が現れることが分かる。

【００２５】以上のような図５と図６の解析結果をもと
に、特に代表として測定位置がθ＝５０度の場合につい
て両者のＶ−Ｔ特性を図７に示し比較、検討を行った。
これは、ＴＦＴの充電能力が画素電極に対して十分であ
る場合と不十分である場合の比較、検討である。図７に
おいて、破線３６は画素電極への充電能力が十分な場合
の図５に示したＶ−Ｔ特性であり、ー点鎖線３７は画素
電極への充電能力が不十分な場合の図６に示したＶ−Ｔ
特性である。ここで破線３６のＡ点、Ｂ点（図５のＡ
点、Ｂ点に相当）は、ー点鎖線３７のＡ’点、Ｂ’点
（図６のＡ’点、Ｂ’点に相当）に移動しているのが分
かる。また、このような両者のＶ−Ｔ特性を混合すれば
実線３８のようになり、ふくらみ現象が殆ど抑止されの
が分かる。これは、図１のように１画素を２分割した副
画素電極２３ａ、２３ｂに充電能力の異なるＴＦＴ１８
ａ、１８ｂを設けて得られるＶ−Ｔ特性と同等のものと
なるのである。

【００２６】そこで第３に、上記解析結果を踏まえて、
図１の構成の液晶表示素子のＶ−Ｔ特性が、異なる複数
の測定位置において、実際に図７の実線３８のようにな
るか否かを確認するため、このＶ−Ｔ特性を実測し図８
に示した。図８は、測定位置がθ＝３０度、４０度、５
０度のときの本第１実施例のＶ−Ｔ特性であり、どの測
定位置においてもふくらみ現象は確実に十分低減してい
ることが分かる。

【００２７】以上のような構成、Ｖ−Ｔ特性の液晶表示
素子にあっては、少なくとも視野角範囲が正面方向から
下方向へθ＝５０度まではふくらみ現象が確実に抑えら
れるので、視角特性が十分満足のいく液晶表示素子が得
られる。なお、本発明者らは同様のＶ−Ｔ特性解析によ
り、ふくらみ現象が抑止可能な範囲としてθ＝６０度ま
で有効であることを確認した。

【００２８】また、画素電極上に余分に絶縁膜と付加コ
ンデンサ電極を重畳形成するという複雑な構成を採る必
要が全くないので、異物付着、成膜不良、点欠陥、およ
び線欠陥不良等が増加することなく信頼性の高い液晶表
示素子が得られる。なお、本第１実施例では、充電能力
を有するアクティブ素子として１つの副画素電極あたり
１つのＴＦＴを使用した場合について詳述したが、ＴＦ
Ｔは複数使用しても同様の効果は得られる。さらに、ア
クティブ素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａ
ｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）を用いても、全く同様の効果を得
ることが可能である。

【００２９】また、本第１実施例では、ＮＷ（ノーマリ
ホワイト）モードの液晶表示素子について詳述したが、
ＮＢ（ノーマリブラック）モード、即ち、電圧無印加状
態で黒表示を示すモードであっても、全く同様の効果を
得ることが可能である。（第２実施例）第１実施例ではＴＦＴを形成する透明基
板での画素電極の分割について詳述したが、この画素電
極に対向する他方の透明電極側であっても同様の効果が
得られるので、以下図に従って説明する。

【００３０】図９は本第２実施例の液晶表示素子の要部
平面図である。これは、ＴＦＴ４１を有する１画素の画
素電極３９に対向する対向電極４０を、例えば互いに面
積の異なる領域α、β、γを有する副対向電極４０ａ、
４０ｂ、４０ｃの３つに分割して、それぞれに異なる電
圧を印加することにより、第１実施例と全く同様の効果
を得ようとするものである。

【００３１】図１０は図９のＢ−Ｂ断面図であるが、第
１実施例の図２に示す液晶表示素子と同様な構成である
ため説明は省略する。ただし、副対向電極４０ａ、４０
ｂ、４０ｃの間からの漏光防止は、各間にブラックマス
ク４３を設けることで達成している。また、４４は下偏
光板、４５は上偏光板、４６、４７は透明電極、４８は
画素電極、４９はフィルタ、５０、５１は配向膜、５２
は液晶層である。

【００３２】ここで、液晶層５２へ印加される実効電圧
は副対向電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃへの印加電圧とＴ
ＦＴ４１を介してソース信号線４２から画素電極３９に
供給される画素電圧の和となる。さて、このような構成
の液晶表示素子のＶ−Ｔ特性を第１実施例と全く同様な
測定方法により解析、評価を試みたので、以下図に従っ
て説明する。

【００３３】まず第１に、副対向電極に分割する前の対
向電極において、この対向電極への印加電圧を１．５Ｖ
とした場合のＶ−Ｔ特性について測定した。測定位置は
θ＝０度（即ち、正面）、１０度、２０度、３０度、４
０度、５０度とし、それぞれについて実測して得た結果
を図１１に示した。なお、図１１における縦軸は正面で
の最大透過率を１００％としたときの相対透過率を示
し、横軸は画素電圧を示す。図１１によると、ふくらみ
現象は、第１実施例の図５と同様、おおよそ測定位置が
θ＝３０度から現れ始め、測定位置が下方向（θ＝４０
度、５０度）になるに従って大きくなることが分かる。

【００３４】これに対して第２に、副対向電極に分割す
る前の対向電極において、この対向電極への印加電圧を
０．５Ｖ、１．０Ｖ、１．５Ｖとした場合のＶ−Ｔ特性
を、特に代表として測定位置θ＝４０度について測定し
た結果を図１２に示す。図１２によると、対向電極への
印加電圧が１．５ＶのＶ−Ｔ特性に比して０．５Ｖおよ
び１．０ＶのＶ−Ｔ特性は、印加電圧が小さい分０．５
Ｖずつ図の右方向へ（ふくらみ現象が）シフトしている
ことが分かる。

【００３５】次に第３に、これらの結果を踏まえ、図９
に示すような１画素の画素電極３９に対する対向電極４
０を３つの副対向電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃとする本
第２実施例の場合のＶ−Ｔ特性を解析、評価し図１３に
示した。このとき、副対向電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃ
と画素電極３９がオーバーラップする領域をそれぞれ領
域α、領域β、領域γとし、それぞれの領域の面積比を
７％、２１％、７２％とした。そして、副対向電極４０
ａ、４０ｂ、４０ｃにそれぞれ０．５Ｖ、１．０Ｖ、
１．５Ｖの電圧を印加した。図１３によると、３つの領
域α、β、γのＶ−Ｔ特性は、図１２と同様に、０．５
Ｖずつ図の右方向へシフトし、さらに領域α、β、γの
面積比が異なる分、画素電圧０Ｖにおける相対透過率も
比例して異なっているのが分かる。ここで、画素電極３
９の面積は領域α、β、γの面積の総和に等しいので、
領域α、β、γの混合となる実線５３のようなＶ−Ｔ特
性は、そのまま画素電極３９のＶ−Ｔ特性であるといえ
る。また、実線５３、即ち、画素電極３９のＶ−Ｔ特性
は、図１１あるいは図１２に示すような測定位置θ＝４
０度でのＶ−Ｔ特性に比して明らかにふくらみ現象が無
くなっているのが分かる。

【００３６】そこで第４に、上記解析結果を踏まえて、
図９の構成の液晶表示素子のＶ−Ｔ特性が、異なる複数
の測定位置において、実際に図１３の実線５３のように
なるか否かを確認するため、このＶ−Ｔ特性を実測し図
１４に示した。図１４は、測定位置がθ＝０度（即ち、
正面）、１０度、２０度、３０度、４０度、５０度とし
た場合での本第２実施例のＶ−Ｔ特性である。図１４に
よると、測定位置θを少なくとも正面から５０度まで変
化させてもふくらみ現象が全く現れないことで、第１実
施例と全く同様な効果が得られたことを確認した。な
お、本発明者らは同様のＶ−Ｔ特性解析により、ふくら
み現象が抑止可能な範囲としてθ＝６０度まで有効であ
ることを確認した。

【００３７】以上の結果により、１つの画素電極に対す
る対向電極を３つの副対向電極に分割する構成の液晶表
示素子であっても、第１実施例と全く同様の効果が得ら
れることになる。なお、本第２実施例では個々の画素電
極に対向する対向電極を３つの副対向電極に分割した例
を示したが、３分割に固守する必要はなく、複数の副対
向電極に分割しそれぞれの副対向電極に異なる電圧を印
加しても本第２実施例と全く同様の効果が得られること
は言うまでもない。

【００３８】また、本第１実施例に示す構成と本第２実
施例に示す構成との両方を混合しても全く問題ない。

【００３９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明にあっては、
請求項１において、個々の画素電極を複数の副画素電極
に分割しこの副画素電極に充電能力の異なるアクティブ
素子を設けたので、絶縁膜と付加コンデンサ電極を余分
に重畳形成することなく、液晶表示素子の視角特性を向
上させることができるという優れた効果を奏する。

【００４０】また、請求項２において、対向電極を面積
比の異なる領域を有する複数の副対向電極に分割しそれ
ぞれの副対向電極に異なる電圧を印加したので、前記と
同様の優れた効果を奏する。さらに、請求項３におい
て、請求項１と請求項２記載の本発明を併合したので、
前記と同様の優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の副画素電極を設けた透明基板のー画素
を示す要部平面部である。

【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。

【図３】本発明の液晶表示素子の斜視図である。

【図４】本発明のＶ−Ｔ特性の測定方法を示す。

【図５】画素電極を分割せず、かつＴＦＴの充電能力が
十分な液晶表示素子のＶ−Ｔ特性を示す。

【図６】画素電極を分割せず、かつＴＦＴの充電能力が
不十分な液晶表示素子のＶ−Ｔ特性を示す。

【図７】測定位置がθ＝５０度の場合のＶ−Ｔ特性を示
す。

【図８】本発明の異なる測定位置でのＶ−Ｔ特性を示
す。

【図９】本発明の他の実施例の液晶表示素子の要部平面
を示す。

【図１０】図９のＢ−Ｂ断面図である。

【図１１】副対向電極に分割する前の対向電極の、異な
る測定位置でのＶ−Ｔ特性を示す。

【図１２】副対向電極に分割する前の対向電極の、測定
位置θ＝４０度でのＶ−Ｔ特性を示す。

【図１３】本発明の他の実施例の３つの領域におけるＶ
−Ｔ特性を示す。

【図１４】本発明の他の実施例の異なる測定位置でのＶ
−Ｔ特性を示す。

【符号の説明】

９、３９、４８画素電極１８ａ、１８ｂ、４１ＴＦＴ（アクティブ素子）２３ａ、２３ｂ副画素電極１６、４０対向電極４０ａ、４０ｂ、４０ｃ副対向電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに対向させ配置し液晶を閉塞する２
枚の透明基板のうち、少なくともー方の透明基板上に前
記液晶を駆動する電圧を印加する複数の画素電極を設け
該各画素電極には信号配線と接続して充電能力を有する
アクティブ素子を備え、他方の透明基板上に前記液晶を
駆動する電圧を印加する対向電極を設けた液晶表示素子
において、個々の前記画素電極を複数の副画素電極に分割し、個々
の該副画素電極にそれぞれ充電能力の異なる前記アクテ
ィブ素子を少なくとも１つ設置することを特徴とする液
晶表示素子。
【請求項２】互いに対向させ配置し液晶を閉塞する２
枚の透明基板のうち、少なくともー方の透明基板上に前
記液晶を駆動する電圧を印加する複数の画素電極を設け
該各画素電極には信号配線と接続して充電能力を有する
アクティブ素子を備え、他方の透明基板上に前記液晶を
駆動する電圧を印加する対向電極を設けた液晶表示素子
において、個々の前記画素電極に対向する個々の前記対向電極を面
積比の異なる領域を有する複数の副対向電極に分割し、
個々の該副対向電極に異なる電圧を印加することを特徴
とする液晶表示素子。
【請求項３】請求項１記載の液晶表示素子において、
さらに個々の前記画素電極に対向する個々の前記対向電
極を面積比の異なる領域を有する複数の副対向電極に分
割し、個々の該副対向電極に異なる電圧を印加すること
を特徴とする液晶表示素子。