TWI246076B - Optical recording medium and method for manufacturing the optical recording medium - Google Patents

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TWI246076B
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Katsuyuki Yamada
Yuki Nakamura
Shinya Narumi
Masaki Kato
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Ricoh Kk
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Description

(1) 1246076 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】
本發明係關於光學記錄媒體，能藉由雷射光在該光學 記錄媒體記錄資訊，以及藉由雷射光使所記錄資訊再生， 如 CD-DAs、CD-Rs、CD-RWs、DVD-VIDEOs、DVD-ROMs、DVD-Rs、DVD-RWs、DVD+ Rs、DVD+ RWs、 DVD-RAMs。尤其，本發明關於能以不低於12m/sec的高 速記錄資訊的高速光學記錄媒體。 【先前技術】 藉由照射雷射光能進行記錄或再生資訊的各種光學記 錄媒體’如 CD· DAs、CD-ROMs ' VIDEO-CDs、CD-Rs、 CD-RWs、DVD-VIDEOs、DVD-ROMs、DVD-Rs、DVD-RWs、DVD + Rs、DVD + RWs 及 D VD - R AM s 已被商品化
°爲了在這些光學記錄媒體上能更快速地記錄更多的資訊 ’期待更進一步的高密度化資訊記錄和高速度化資訊記錄 。最近，以Ag爲基本成份的反射層（Ag-based reflection lay〃 ’以下簡稱爲“ Ag基反射層”）被硏究採用，作爲 高密度和高速度記錄媒體。 具有Ag基反射層的記錄媒體具有下述優點·· (1 )在寬波長區域提高所得記錄媒體反射率，結果 ’提高了記錄媒體的再生能力； (2 )由於銀（Ag )具有良好的光學特性，記錄信號 振幅增大，結果，提高了記錄媒體的再生能力； -6 - (2) (2)1246076 (3 )相變化型光記錄媒體的情況，反射層具有相對 快的冷卻速度，結果，能提高記錄媒體的重寫能力。 (4 )相變化型光記錄媒體的情況，反射層具有相對 快的冷卻速度，結果，能擴大記錄媒體的可記錄速度範圍 〇 (5 )由於Ag基反射層具有高濺射效率，提高了所 得記錄媒體的生產性。 (6 )由於縮短了濺射時間，降低了作用在記錄媒體 上的熱應力，結果，改善了記錄媒體的機械特性。 但是，當利用Ag作爲反射層的情況，所得之反射層 存在以下缺點： (1 )在高溫高濕條件下該反射層易被腐鈾。 (2 )該反射層易因硫或氯而腐鈾。 (3 )反射層與其上設置反射層的層之黏著力小。 (4 )由於Ag是貴金屬，因此，該反射層與A1反射 層相比，相對高的成本。 爲了防止Ag腐蝕，尙未審查的日本專利申請案（在 此簡稱爲JP-A) 57-186244 (亦即，美國專利4,709,363) 公開了 AgCu反射層。此外，在jP_a平7-3363中公開了 AgMg系反射層’在jp-A平9-156224中公開了 AgOM系 反射層，在JP-A 2000-285517中公開了 AgPdCu系反射層 。再者，在日本專利2749〇8〇中公開了一種Ag基反射層 ’其包含一種或多種其他元素，如Ti, V，Fe，Co，Ni， Zn，Zr，Nb，Mo，Rh，Pd，Sn，S b，T e，T a，W，I r， 7- (3) (3)1246076
Pt ， Pb ， Bi ， C 。 當本發明人將這些材料實際用於反射層製作DVD+R 碟和DVD+RW碟時，評價在80°C，85%RH的環境條件 下的文獻保存性時，由於在作3 0 0小時保存試驗後，再生 錯誤急增，因此，成品碟沒有足夠的保存可靠性。 以往，提出過在反射層上形成紫外線交聯樹脂層，試 圖防止反射層腐鈾。例如，在 JP-A 200卜222 842中公開 了通過將一玻璃轉化溫度不小於4 5 °C的樹脂層形成在一 A1反射層上，以便防止樹脂層吸水，結果，能防止樹脂 層的褶皺，藉此能避免A1反射層的腐蝕。但是，當本發 明人用上述JP-A 200 1 -222 842中公開的玻璃轉化溫度80 °C的樹脂層形成在一 Ag基反射層上，準備記錄媒體時， 該記錄媒體的反射層被腐鈾，且因此再生錯誤增多。 此外，在記錄層的上下形成ZnS. Si02 ( 80/20摩爾 )層，用於防止反射層的腐蝕，爲人們所公知。這種的情 況下，使用具有最佳的熱膨脹係數、光學常數、彈性模數 的 Z n S . S i Ο 2 層。 但是，當Ag基反射層形成在ZnS，Si〇2層上，以準 備高速記錄相變化型光記錄媒體時，存在 Ag與ZnS . S i 〇 2起反應腐蝕反射層的問題。 作爲解決該問題的對策，JP-A平1 1 -23 82 5 3公報中 公開了以下方法：爲了防止Ag基反射層與相鄰設置的保 護層中的 S的化學反應，形成使用 Ta，Ni，Co，Cr，Si ，W，V，C，All，Pd，Ag氧化物，A1氧化物，Ta氧化 -8 - (4) 1246076 物的中間層。還公開了該中間層的膜厚最好爲 4〇nm，以 便有效利用 Ag基反射層的高熱傳導率，同時防止反射層 的腐鈾。再者，公開了當中間層膜厚1 〇〜5 0 n m時，所得 媒體具有良好的信號特性，以及在8(TC、85% RH環境下 具有良好的保存可靠性。 考 但是，當本發明人製作設有膜厚1 0〜5 0 n m的中間層 的相變化型光記錄媒體時，所得記錄媒體的信號特性對中 間層膜厚依存性大，記錄媒體不能得到實用的信號特性。 再者，對記錄媒體進行六次熱週期試驗，先將其置於2 5 °C、9 5% RH環境下12小時，再將其置於40°C、95% RH 環境下1 2小時，重複上述過程，同時，當記錄媒體溫度 被昇高或降低時，以1 0 °C /小時的加熱或冷卻速度被加熱 或冷卻。結果，發生Ag基反射層從中間層剝離的問題。
即，經本發明人硏究結果得知，雖然可以抑制在反射 層中的Ag與保護層中的S的反應，但是，中間層與Ag 基反射層的密接力不充分，兩層的密接力因記錄媒體被保 存在高溼度環境下或結露而降低。可以認爲，這是由於設 置化學惰性的中間層抑制包含在某層的元素向其他層的擴 散，並抑制Ag基反射層腐蝕結果，尤其不能抑制高溼度 環境下中間層與Ag基反射層的密接力的惡化。 再者，本發明人在JP-A2000- 3 3 1 3 7 8公報中公開了以 下技術：使用 AIN，SiNx，SiAIN，TiN，BN，TaN， Al2〇3，MgO，SiO，Ti〇2，B203，Ce02，CaO，Ta2 05， ZnO，ln203，Sn02，WC，MoC，TiC，SiC 作爲與反射層 -9- (5) (5)1246076 相鄰的上部電介質保護層，其中該上部電介質保護層可以 具有多層結構，且其中該上部電介質保護層（即圖1中的 第2保護層4和第3保護層5 )的合計膜厚較好的是，爲 7〜60nm，更好的是，爲ι〇〜30nm。 但是，沒有記載以下實施例：第2上部電介質保護層 (即圖1中的第3保護層5 )的厚度爲9nm，或小於9nm (僅僅只有第2上部電介質保護層的厚度爲1 〇 n m的實施 例）。再者，上述先有申請沒有公開以下技術思想：不大 幅度改變記錄媒體的光學設計、熱設計，而能大幅度改善 Ag基反射層的可靠性；爲了不對第1保護層（即圖1中 的第2保護層4 )的功能帶來不利影響，防止反射層中的 Ag腐鈾，形成一膜厚薄的表面修飾層作爲第2保護層（ 即圖1中的第3保護層5 )，與反射層相接。 如後所述，當使用包含S i原子3 5摩爾。/〇以上材料作 爲與反射層相接的保護層（即圖1中的第3保護層5 )的 情況，若其膜厚不小於1 〇nm，則所得記錄媒體的初始信 號特性及9 5 % RH高溼度環境下的可靠性會惡化（這從下 面所述比較例3〜7的評價結果很容易明白）。此外，當 第3保護層使用包含S i 3 5摩爾％以上如S i 0，S i C材料以 外的其他材料且具有不大於9 nm的膜厚時，則所得記錄 媒體不能得到與本發明記錄媒體相同的效果（這從下面所 述表1試驗例1〜1 6的評價結果很容易明白）。 亦即，在JP-A2 0 00-3 31378中既沒有記載也沒有暗示 ，在例示的許多用於上部保護層的材料之中，僅僅包含 -10- (6) 1246076 以35摩爾％以上的材料具有非常良好的效果。 因此’在上述 JP-A 平 1 卜238253 及 JP-A2000-331378 公報中，雖然記載了使用S i或包含S i的材料作爲中間層 * 或電介質保護層，但是，這些材料等同於本發明中的比較 初料。即’既沒有記載也沒有暗示，僅僅包含S i 3 5摩爾％ 以上的材料具有非常良好的效果。再者，由於保護層的厚 度比本發明之較佳範圍（2 _ 9 n m )厚，因此，不能達到本 〜 發明的目的。亦即，沒有公開本發明的技術思想是很淸楚 的。 再者，在上述專利申請中完全沒有公開以下內容：向 曰己錄媒體提供包含S i的中間層或電介質保護層的較佳職 射條件，受該濺射條件左右的較佳層結構及膜質，以及導 致環境可靠性和信號特性良好平衡的較佳膜厚。 由於上述原因，對光記錄媒體要求其在高溫/高濕條 件下具有良好的保存可靠性，且具有良好的高溫操作穩定 性，良好的機械特性，及良好的生產性，且該光記錄媒體 能實現高速記錄和再生。 【發明內容】 本發明的目的，係有鑒於上述背景技術所存在的問題 而提供高溫高濕條件下保存可靠性好、高溫操作穩定、機 械特性良好、生產效率高、可高速記錄和再生的光學記錄 媒體。 爲了達成上述目的’本發明提出一種光學記錄媒體’ -11 - (7) 1246076 參 其包括：一第1保護層，一記錄層，一第2保護層，一含 有S i 3 5 m ο 1 e %以上、膜厚爲2 - 9 n m的第3保護層，一含 有Ag 9 5 wt %以上的反射層，以及一樹脂保護層（即一外 - 敷層）和/或一黏著層，上述各層以上述順序疊層在一設 有導向槽的基底上。 再者，第3保護層膜厚最佳爲3_7nm。 再者，最佳爲，第3保護層大體上僅由Si構成。 μ, 或者，第3保護層也最好是由si，C，〇構成，例如 S i C和S i Ο X的混合物，或者C，S i C和S i Ο X的混合物， 其中X係從1至2之一數字。 當在第3保護層中含有氧時，最佳爲，氧含量爲 20原子％。 最好是’光學記錄媒體滿足以下關係式： 0.1$ DM/D2S 0.5 以及 0.01$ DM/DRg 〇.1
更佳爲，滿足以下關係式： 0.15^ DM/D2 ^ 0.35 以及 0.03$DM/DRg〇.〇5 其中’ D 2爲第2保護層的膜厚，d Μ爲第3保護層的膜厚 ，DR爲反射層的膜厚。 此外’較佳爲，光學記錄媒體滿足以下關係式： -12- (8) (8)1246076
En ( ave )二(X mi . Eni ) / 1 〇〇 ^ 2 · 3 其中，En ( ave )表示第3保護層的平均電負性’ m 1和 Eni分別表示第3保護層的各構成元素的摩爾濃度和電負 性。 較佳爲，位於上述反射層之上的上述外敷層和/或黏 著層具有玻璃化溫度爲90〜l8〇°C，更佳爲，1〇0〜I65它 〇 較佳爲，外敷層和黏著層位於反射層之上’外敷層與 黏著層的玻璃化溫度之差不大於5 0 °C。更佳爲’上述玻 璃轉化溫度之差不大於3 0 °C。 較佳爲，反射層包括Ag以及選自Al，Bi，Ca，Cu， Cd，Fe，Μη，Mg，Ni，Pd，Sb，Zn，Nd 的一兀素。更 佳爲，該元素爲Cu或Nd。 更佳爲，反射層包含Ag和Cu，其中，Cu含量爲0.1 〜5 wt % 。 當記錄媒體用作DVD-ROM那樣能重寫的光記錄媒體 時，較佳爲，形成在基底上的槽的寬爲0 . 1 0〜0.4 0 // m ( 更佳爲 0.15〜0.35/zm)，其深度爲15〜45nm(更佳爲 20〜40nm) 〇 當記錄媒體用作CD-RW那樣能重寫的光記錄媒體時 ，較佳爲，形成在基底上的槽的寬爲0·25〜0.65//m (更 佳爲0.30〜0.60//m)，其深度爲20〜50nm(更佳爲25 〜4 5 n m ) 。 -13- (9) (9)1246076 較佳爲，光學記錄媒體滿足以下關係式： 0.02$ Rm/Rr$ 0.20 以及 0.5nm/sec$ Rm$ 5.0nm/sec 其中，Rm表示第3保護層的膜形成速度，Rr表示反射層 的膜形成速度。 較佳爲，光學記錄媒體滿足以下關係式： 1.5x Pm^ Pr 其中，Pm表示形成第3保護層的濺射功率，Pr表示形成 反射層的濺射功率。 較佳爲，記錄層構成式爲：
AgaiGea2ln^iGa^2Bi^3SbrTei5M£ » 其中 ’ 6κ1+6κ2+/31+/32+/33+τ* + 5+ £ 二 1〇〇 原 子。，且 Ο^αΙ^ΙΟ，0$α2^ι〇，〇.ι$α1+α2$10 ，0^/31^15， 0^/32^15， 冷 3^15， l ^ β l + β 2 + /33^15，60S r $90，15^5^30, 0 ^ £ $10。 於本發明之另一型態中，提出另一種光學記錄媒體’ 包括：一基底，一位於上述基底之上的記錄層，一位於上 述記錄層之上的包含A g不少於9 5 w t %的A g基反射餍’ 一位於反射層之上、具有玻璃轉化溫度爲9 0〜1 8 0 〇C的外 -14- (10) 1246076 敷層。 另一方面，光學記錄媒體包括一黏著層，以及一位於 上述黏著層之上的第2基底’其中，黏著層具有玻璃轉化 溫度爲9 0〜1 8 0 °C。較佳爲，一外敷層形成在上述黏著層 與反射層之間，且上述外敷層與黏著層的玻璃轉化溫度之 差不大於5 0 °C。 較佳爲，反射層包含Ag和Cu，其中，Cu含量爲〇. 1 〜5 wt % 〇 較佳爲，記錄層構成式爲：
Ag〇 iGea 2ln^ iGa^ 2Bi^s 3Sbr Te<5 Mf » 其中，al+a2+/31+/S2+/33+r + 6+e=100 原 子％，且 OSalSlO，0.1^al+^2^10 ，OS/31S15， 0S/S2S15， 0^/53^15， l ^ β I + β 2 + ；S3S15， 60^ r 15^5^30， 0 ^ £ gl〇。 於本發明之又另一型態中，提出一種光學記錄媒體製 作方法，其包括： 在基底上按順序至少形成一第1保護層，一記錄層’ 及一第2保護層，以便在基底上形成第i保護層，記錄層 ，及第2保護層的疊層；以及 藉由濺射法形成Si含有量不少於35 mole %的第3保 護層；以及 形成A g含有量不少於9 5 w t %的反射層； -15- (11 ) (11 )1246076 其中，滿足以下關係式： 0-02 ^ Rm/Rr g 〇 9η ίΜ ^ •1 ϋ 以及 〇.5nm/secSRmS5.0nm/sec /、中Rm表示第3保護層的膜形成速度，表示反射層 的膜形成速度。 較佳爲，滿足以下關係式： 1·5χ Pm^ Pr Γ· r 一 ’ P m表示形成第3保護層的濺射功率，P r表示形成 反射層的濺射功率。 車父佳爲’當形成第3保護層時，使用S i C與s i Ο X的 混合物作爲靶材料，實現濺射。 或者，使用Sic作爲靶材料，使用Ar與o2、co、 P r\ 2之〜的混合氣體藉由反應職射法實現濺射。 以下參照附圖說明本發明較佳實施例，通過下述描述 ’本發明的上述及其他目的，特徵及優點將會更淸楚。 【實施方式】 下面詳細描述本發明。 第1 -4圖表示本發明的光學記錄媒體實施例的橫截面 _ °作爲光學資訊媒體的代表性結構是在基底1上設置第 1保護層2，記錄層3，第2保護層4，第3保護層5，反 -16- (12) (12)1246076 射層6及樹脂保護層（以下稱謂“外敷層” ）7。也可以 根據需要在記錄媒體表面形成印刷層1 〇。再者，如第3 圖和第4圖所示，也可以在基底1表面形成硬敷層n， 以防止表面擦傷，這樣，入射的再生雷射光不會在表面發 散。 另一方面，當光學記錄媒體用於DVD型記錄媒體的 情況’可以用黏著層將上述這樣的記錄媒體（以下有時稱 謂第2光碟或第2單板光碟）或透明基底黏著在該表面上 。在第1圖和第3圖所示，標號9表示上述第2光碟或透 明基底。當第2光碟被黏著到無印刷層的記錄媒體上時， 印刷層可以形成在第2光碟9的表面上。再者，可以將外 敷層兼用作黏著層8。 適合用於基底的材料可以列舉玻璃，陶瓷及樹脂。這 些材料中，從成形性及成本方面考慮，樹脂很合適。 上述樹脂的具體例可以列舉聚碳酸酯樹脂，丙烯酸樹 脂，環氧樹脂，聚苯乙烯，丙烯-苯乙烯共聚物樹脂，聚 乙烯樹脂，聚丙烯樹脂，矽氧烷樹脂，含氟樹脂，AB S (acrylonitrile-butadiene-styrene)樹脂，聚氨酯樹脂等 。 這些樹脂中，從成形性、光學特性及成本方面考慮， 最好爲聚碳酸酯樹脂或丙烯酸系樹脂。 當將本發明的光學記錄媒體用作DVD-ROM具有互換 性的重寫型光學記錄媒體時，希望滿足下列特定條件： (1)形成在基底上的導向槽寬度爲0.10// m〜0.40// m ，更佳爲，0.15// m 〜0.35// m。 -17- (13) 1246076 (2)導向槽涂度爲15nm〜45nm，更佳爲 4 0 n m 〇 當上述條件得到滿足時，該記錄媒體用作 驅動器的情況，再生互換性得到提高。 再者，基底厚度較佳爲 0.55mm〜0.65mm。 黏著的層疊碟的總厚度最好爲1 . 1 m m〜1 . 3 m m。 當將本發明的光學記錄媒體用作CD-RW鑛 望滿足下列條件： (1) 基底上導向槽寬度爲〇.25/zm〜0.65 爲，0.30// m 〜0.60// m〇 (2) 基底上導向槽深度爲2〇nrn〜50nm， 25nm〜45nm 〇 適合用於第1和第2保護層的材料包括含 5 i Ο 2 的材料，如 Z n S · S i 0 2 ( 8 5 / 1 5 摩爾）， (8 0/20 摩爾），ZnS · Si02 ( 7 5/2 5 摩爾）。 可以使用其他材料如Si〇，Si02，ZnO，Sn02 Ti02，In203 ’ MgO，Zr〇2 等氧化物，如 si3iv TiN，BN，Zi*N 等氮化物，如 znS，In2S3，TaS, ，如 SiC，TaC，B4C，WC，TiC，ZrC 等碳化衫 剛石狀碳，以及這些材料的混合物。 尤其’相鄰於相變化型記錄層的保護層（即 第2圖中的第1保護層2和第2保護層4)易§ 脹及溫度變化引起熱損傷，因此，最好是具有$ 熱膨脹係數、彈性模數最佳平衡的Z n S · S i Ο 2 ，2 0 n m 〜 DVD-ROM 兩碟相互 I體時，希 μ m，更佳 更佳爲， 有Z n S和 ZnS · Si02 此外，也 ，A 1 2 0 3， j4，Am， 4等硫化物 3，以及金 ]第1圖和 E大的熱膨 έ學性質、 (80/20 摩 -18- (14) 1246076 爾）。 第1保護層2的膜厚對所作成的記錄媒體的反射率、 調製率、記錄靈敏度影響很大。爲了使記錄媒體得到良好 的信號特性，該第1保護層膜厚最佳爲6 0 n m〜1 2 0 n m。 第2保護層4的膜厚設爲5nm〜45nm，更佳爲7nm〜 4 0 n m。當該第2保護層薄於5 n m時，難以起到耐熱保護 層的作用，記錄靈敏度惡化。與此相反，當該保護層厚於 4 5 nm時，易從相鄰層剝離，重複記錄性能惡化。 適合用於記錄層的相變化材料包含SbxTeiG〇- x，X爲 :4 〇 $ X S 8 0 (原子％ )，其能使它們的相發生結晶-非結 晶的相間變化，並使得結晶相或非結晶相處於準穩定化狀 態。通過使用該相變化材料，所得到的光學記錄媒體具有 良好的記錄（即非晶化）靈敏度（即高記錄速度），良好 的抹除C即晶化）靈敏度（即高抹除速度），以及良好的 抹除比。
再者’相變化記錄層不僅要求實行記錄和抹除，而且 S要求當以高線性速度範圍進行高密度記錄時，記錄信號 具有良好的再生穩定性，及長壽命（即良好的可靠性）。 作爲能綜合滿足上述要求的記錄層，包括以 S b T e型 材料爲主成份的材料，如GeSbTe， AglnSbTe， GelnSbTe 已商品化。 爲了在10m/sec以上的高速下實行記錄，使用下面所 示構成式的材料非常好： 構成式： -19- (15) 1246076 (Ag 和 / 或 Ge ) α ( in 和 / 或 Ga 和 / 或 Bi )万 Sbr Τ。Με 其中，a + y3 + r + (5 + e=100 原子 ％，且 10， is /3 $15， 60S r $90， 15^5^30， 0$ ε $1〇。 當記錄媒體在滿足上述條件的構成區域，能實行 l〇m/sec以上的高速記錄。此外，記錄媒體能實行CAV記 錄，所謂CAV記錄是指定角速度記錄，且記錄媒體外周 的記錄速度爲內周記錄速度的2.4倍。 適合使用熱傳導率比金屬Sb小的金屬作爲上述構成 式中的元素Μ。作爲這種金屬的具體例可以列舉如Sc，Y ，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho 等鑭系 列金屬，T i，Z r，Μ n。 該添加元素M的添加量最佳爲1 0原子％以下。若添 加量過大，對記錄及抹除特性有影響，重錄性能會惡化。 初始化後的未記錄狀態的晶體結構爲具有各向同性晶 體結構的立方 晶格晶體結構，較佳爲，具有NaCl型晶體結構的材 料。這是由於，其非結晶態同樣具有良好的各向同性性質 ，能穩定的實行相變化，能高速且均一地實行記錄及抹除 〇 相變化記錄層的膜厚設爲1 0〜5 Onm，較佳爲1 2〜 3 Onm。再者，當考慮初始跳動特性，重錄特性及生產性 的情況，上述厚度最佳爲13〜25nm。當記錄層過薄時， -20- (16) 1246076 記錄層的光吸收能明顯惡化，難以起到記錄層的作用。與 此相反，當記錄層過厚時，高速時難以發生均一的相變化 〇 相變化記錄層可以用各種生長法，例如真空沈積法， 濺射法’電漿CVD法’光CVD法，離子電鍍法，電子束 沈積法等形成。其中，濺射法很合適，這是由於採用該方 法生產率好，且光吸收層膜質良好。 在本發明中，染料層也可以用做記錄層。這種的情況 ’ g己錄媒體可以具有如弟5圖和第6圖所示結構。在第5 圖和弟6圖中’符號31表不染料記錄層。符號1，6，8 ，9，1 0分別表示基底，Ag基反射層，外敷層，黏著層 ，第2基底（或第2光碟）及印刷層。染料之特定例包含 花青染料，pyrylium 染料，thiopyrylium 染料，azulenium 類染料，squarilium類染料，包含Ni或Cr之金屬複合物 染料，naphthoquinone 類染料，anthraquinone 類染料，館 酚嚀染料，靛苯胺類染料，三苯甲烷類染料，三芳基甲烷 類染料，胺類染料，diimmonium類染料，亞硝基化合物 ，含氮類染料，肽花青染料。這些化合物可以單獨使用或 混合使用。再者，在上述染料型光吸收層中還可含有黏合 劑和/或光穩定劑。 染料型光吸收層的膜厚較佳爲10〜50〇nm，更佳爲 5 0〜3 OOnm。當染料型光吸收層的膜厚過薄時，記錄信號 振幅及記錄靈敏度惡化。與此相反，當染料型光吸收層的 膜厚過厚時，光吸收層反射率惡化。因此，考慮上述因素 -21 - (17) (17)1246076 的平衡，決定光吸收層的膜厚。 染料型光吸收層通常是將光吸收染料溶解在有機溶劑 中用旋轉塗敷方法形成在基底上的。在這種情況下，通過 控制旋轉塗敷時的轉數，控制形成所定膜厚。在這種情況 下，控制旋轉塗敷時的轉數，這樣，所得染料型光吸收層 具有所希望的膜厚。 再者’也可以使用如FeTbCo那樣的光磁記錄材料作 爲光吸收層（即記錄層）。 上述各種記錄層最好使用單層，但也可使用多層。那 種的情況，可以將電介質層插入多層記錄層之間。再者， 多層化時，可以是相變化型光吸收層與染料型光吸收層的 組合，也可以是相變化型光吸收層與光磁記錄層的組合。 藉由上述這種組合記錄層，能在異種光記錄再生裝置進行 資訊的記錄或再生。 本發明人對Ag基反射層的問題進行了硏究。硏究結 果發現，爲了確保作爲Ag特徵的高反射率和高熱傳導率 ，需要使用純度95% (重量）以上的Ag。但是，當將純 度9 5 % (重量）以上的Ag用於反射層時，所作成的記錄 媒體在高溫高濕條件下可靠性差，反射層易從相鄰層剝離 ，且易被腐蝕。 本發明人對上述剝離和腐蝕問題進行了硏究。硏究結 果發現，包含在樹脂保護層和/或黏著層中的硫與氯在存 在水份（H20 )狀態下，在反射層與Ag接觸，使得Ag腐 蝕。還發現，由於腐鈾，到達Α§表面（即反射層）的含 -22- (18) (18)1246076 硫材料與含氯材料以水份爲媒介，藉由Ag的晶界滲入反 射層。 爲了解決該腐蝕問題，在反射層中添加與Ag互溶性 好的從 Al、Bi、Ca、Cu、Cd、Fe、Mu、Mg、Ni、Pd、Pb 、Zn、Nd中選取的至少一種元素。其中，^與Nd是較 佳的。藉由所添加的這些元素，能防止Ag氧化，以及防 止Ag粒子凝集時所發生的空隙。 最近’對可靠性要求高，尤其要求確保高溫環境下的 可靠性。例如’當光記錄媒體用於車用導航系統時，要求 7 〇 °C左右的高溫可靠性。藉由上述那樣的Ag合金化，能 提高Ag反射層的可靠性，但在7 〇 t以上環境下，可靠性 不充分。當環境溫度爲7 0 °C時，設置在車用導航系統中 的光碟表面實際溫度達到8〇°C〜9(TC。因此，要求光記 錄媒體在8 0 °C〜9 0 °C下的可靠性。 再者，由於使用 Ag合金，成本提高。因此，希望開 發更好的對策。 如上所述’ Ag基反射層的膜剝離及腐触與水份關係 很大。因此，可以認爲，Ag基反射層的可靠性受到電化 學作用損害。因此’可以認爲’由於Α§原子的電偏差、 極化、離子化，發生基反射層的惡化。 根據上述認識’爲了提高基反射層的可靠性，本 發明人認爲下面的（1 )〜（3 )是重要的： (1 )防止Ag與水份的接觸。 (2 )在難以極化和離子化的層上形成Ag基反射層 -23- (19) (19)1246076 (3 )相對於上述化學結合方法，藉由物理方法提高 Ag基反射層與下層（與該反射層相接）的密接力。 本發明人提出以下（a ) ， （ b )作爲對策： (a )形成能防止濕氣侵入 Ag基反射層的外敷層及/ 或黏著層。 (b )形成對Ag基反射層最佳的第3保護層（即修 飾反射層之表面的層）。 先詳細說明（a )項。 本發明人硏究了 Ag基反射層發生膜剝離及腐蝕問題 的原因。結果發現，其與包覆Ag基反射層的外敷層及/或 黏著層的玻璃轉化溫度有關。即，發現當上述層成爲玻璃 轉化溫度以上時，外敷層及/或黏著層的水份透過性及線 膨脹係數顯著增大。因此，水份很容易到達Ag基反射層 的表面，導致發生膜剝離和腐蝕問題，記錄媒體惡化。 因此，爲了在90 °C時仍能確保記錄媒體的可靠性（ 或爲了在記錄媒體置於80°C、85%RH —般可靠性試驗後 仍不發生上述問題），較佳爲，外敷層及/或黏著層具有 9(TC以上的玻璃轉化溫度。更佳爲，外敷層及/或黏著層 具有1 〇〇°C以上的玻璃轉化溫度，此時，水的透過速度最 大。 第7圖表示形成在Ag基反射層上的樹脂層的玻璃轉 化溫度與所得光學記錄媒體在90°C、85%RH下1 000小時 保存試驗後的區段錯誤率之間關係。如第7圖所示，當玻 -24- (20) 1246076 璃轉化溫度小於90 t：時，時間區段錯誤率急劇增加。 但是，若外敷層及/或黏著層的玻璃轉化溫度過高， 則記錄媒體的彎曲強度變小，當記錄媒體落下到地上或從 塑膠殼體中取出時，記錄媒體易破裂。因此，爲了防止這 種問題，將外敷層及/或黏著層的玻璃轉化溫度設爲1 8 〇 °C 以下，最佳爲1 6 5 t以下。 再者，當樹脂保護層和黏著層設置在反射層上，同時 互相鄰接時，若兩層的玻璃轉化溫度相差大，則兩層的熱 膨脹係數相差大。結果，所得記錄媒體發生變形，彎曲， 和/或歪斜，在l〇m/sec以上高速，特別是15m/sec以上高 速下進行記錄和/或再生時，易發生錯誤。因此，爲了在 1 Om/sec以上高速下實現穩定的記錄和再生，較佳爲，使 得外敷層和黏著層的玻璃轉化溫度差異小到5 0 °C以下， 最佳爲，3 0 °C以下。 當形成在基底上的導向槽擺動時，這種現象發生顯著 。尤其，當擺動槽的頻率高時，高速記錄及再生變得困難 。當擺動槽的週期爲1 〇 // m以下的情況，較佳爲，外敷 層和黏著層的玻璃轉化溫度差異小到3 0 °C以下。 具體地說，較佳爲，上述外敷層和黏著層用相同材料 製作。 所謂樹脂的玻璃轉化溫度被定義爲這樣的溫度··在該 溫度，樹脂的特性例如體積重量比，特定熱，折射率，電 介質常數，擴散常數，彈性模數發生激變。樹脂的玻璃轉 化溫度受構成樹脂的單體的分子間力所左右，該力因單體 -25- (21) 1246076 的化學結構及置換基的尺寸而變化。具體地說，樹脂的玻 璃轉化溫度可以藉由控制如單體和低聚物的源材料、源材 料的混合比率、聚合活性的密度進行控制。該坡璃轉化溫 度可以這樣確定：使用黏彈性測定裝置得到tan 5曲線， 在該溫度，上述曲線有拐點。
Ag基反射層的膜厚設爲50〜200nm，更佳爲70〜 160nm。再者，也可以形成多層化的 Ag基反射層。多層 化的情況，各層膜厚至少需要1 〇nm以上，多層化膜的合 計膜厚以 50nm〜160nm爲佳。當反射層用作半透明反射 層時，上述半透明反射層通常用於具有多層化記錄層的記 錄媒體，這種的情況，反射層的膜厚最佳爲l〇nm〜50nm 〇 反射層可以用各種生長法，例如真空沈積法，濺射法 ，電漿CVD法，光c VD法，離子電鍍法，電子束沈積法 等形成。其中，較佳爲濺射法。 在反射層上形成外敷層。作爲外敷層，較佳爲，使用 旋轉塗敷法形成紫外線交聯型樹脂層。該外敷層的膜厚設 爲3^πι〜lS/^rn。若外敷層過薄時，當在該外敷層上設 有印刷層時’存在再生錯誤率增加的傾向。而當該外敷層 過厚時’內部應力變大，結果對記錄媒體的的機械特性帶 來壞影響。 較佳爲’記錄媒體的表面具有比鉛筆硬度等級Η硬 的硬度。再者，較佳爲，在記錄媒體中添加導電性材料， 以防止記錄媒體帶電，即防止塵埃等附著到記錄媒體上。 -26- (22) (22)1246076 設置印刷層是爲了提高記錄媒體的耐擦傷性，以及用 於印刷如商標名等標記，和/或形成接收層，在該接收層 上’藉由噴墨印刷方法形成圖像。一般通過網板印刷法由 紫外線交聯（c r 〇 s s 1 i n k i n g )樹脂形成印刷層。 該印刷層的膜厚設爲3 // m〜5 0 // m。當該印刷層過 薄時，形成印刷層時發生不勻。而當該印刷層過厚時，內 部應力變大，對記錄媒體的機械特性帶來很大影響。 黏著層通常使用如紫外線交聯型樹脂黏著劑，熱熔黏 著劑，矽樹脂黏著劑形成。藉由例如旋轉塗敷，滾動塗敷 ’網板印刷方法將上述黏著層材料塗佈在外敷層或印刷層 上，形成黏著層。接著，該黏著層受到紫外線照射處理、 加熱處理或加壓處理，第2光碟（即第2單板光碟）或一 透明基底被黏著到該黏著層上。 當第2光碟或透明基底被黏著時，黏著劑可以塗佈或 不塗佈在上述第2光碟或透明基底的表面上。再者，也可 以使用黏者片代替黏著層。 黏著層的膜厚並沒有特別限定，但考慮材料的塗佈性 ，交聯性，以及對記錄媒體機械特性的影響，設爲5 // m 〜100/zm，最佳爲 7//m 〜80//m。 第2透明基底（或第2單板光碟）表面的黏著範圍並 沒有特別限定。但當記錄媒體應用於DVD和/或CD能互 換的光學記錄媒體的情況，記錄媒體的內周端與記錄媒體 中心之間距離較佳爲1 5 m m〜4 0 m m，最佳爲1 5 m m〜3 0 m m ，以便記錄媒體能實現高速記錄。 -27 - (23) (23)1246076 下面詳細說明（b )項，即形成對Ag基反射層最佳 的第3保護層（即修飾反射層之表面的層）。 以往’ Ag基反射層形成在ZnS· Si〇2層上。但是， 由於在ZnS . Si〇2層中含有Zn和S，因此，該層表面具 有電化學活性。此外，在Si 〇2中，微觀地看，發生8丨爲 正' 〇爲負的極化。因此，層具有良好的水的浸潤性，易 保持水份。因而，對形成Ag基反射層不合適。 於是’本發明人提出以下技術思想：第2保護層（即 ZnS · Si〇2層）的表面應被改變，即第3保護層（即表面 修飾層）形成在第2保護層上。 對該第3保護層要求如下： (1 )包含與Ag不發生電化學作用的非金屬。 (2 )包含電負性比Ag小的元素。 (3 )爲了易進行物理的第3保護層表面修飾，包含 具有相對小的結合能的材料。 (4 )爲了不使水份和雜質藉由結晶晶界移動，包含 非結晶材料。 本發明人硏究結果，發現元素Si滿足上述要求。Si 具有以下特性： (1 ) Si是非金屬（半金屬），其電負性爲1.8，比 Ag的電負性1 .9小。 (2 ) S i - S i的結合能是7 6千卡/摩爾，比S i - C的結 合能104千卡/摩爾、si-0的結合能192千卡/摩爾、C-C的結合能1 4 4千卡/摩爾小。 -28- (24) (24)1246076 本發明人製作具有第1圖所示結構的各種光學記錄媒 體，可以用作DVD + RW，其具有各種含有Si的第3保護 層。 記錄媒體的製作是在厚度爲〇.6mm的聚碳酸酯基底 上，藉由濺射法形成由ZnS · Si02 ( 8〇/^〇摩爾）構成、 膜厚80nm的第1保護層，由Ga3Ge3Mn3Sb7iTe2〇構成、 膜厚15nm的記錄層，由ZnS· SiO2(80/2 0摩爾）構成、 膜厚1 5 n m的第2保護層，由表1 _ 1，1 - 2中所列各材料構 成、膜厚5nm的第3保護層，含有99.99重量％八§、膜厚 1 4 0nm的反射層。接著，設置具有玻璃轉化溫度1 3 0°C的 樹脂保護層後，用具有玻璃轉化溫度1 3 5 °C的黏著劑將包 覆基底黏著到上述樹脂保護層上。 對記錄媒體進fT 次熱週期試驗，先在 2 5 °C、 9 5%RH環境下保存1 2小時，接著在40°C、95%RH環境 下保存1 2小時，重複進行保存試驗，同時，當溫度改變 時，對記錄媒體以1 〇°c /小時的溫度昇降速度加熱或冷卻 - 29- (25)1246076 表1-1 試 驗 編 號 第3保護 層材料 元素的摩爾濃度（％ (電負性） ) C (2.5 ) 0 (3.5 ) N (3 ) Si (1 .8 ) 1 Si02 — 66.7 _ 3 3.3 2 S 1 6 0 〇 4 0 — 40 — 60 3 S ί 7 ο 0 3 0 — 3 0 — 70 4 Si —— —— — 1 00 5 S i 7 0 0 3 0 3 0 —— — 70 6 S i 5 0 〇 5 0 5 0 — — 50 7 S i 2 5 0 7 5 7 5 — — 25 8 S i 1 5 0 8 5 85 —— — 15 9 S i 5 5 c 3 5 0 1 0 3 5 10 — 55 10 S 1 4 5 c 4 5 0 1 0 45 10 — 45 11 S 1 4 0 c 5 0 〇 1 0 5 0 10 — 40 12 S 1 3 8 N 6 2 — —— 62 3 8 13 Si3N4 — — 57.1 42.9 14 Si55N45 — — 45 55 15 Ti _ _ _ _ 16 Ti02 — —— — —— 17 Mo _ — — — 18 Ta —— —— —— —— -30- (26) 1246076 表1-2 第一結合種類 第二結合種類 第三結合種類 結 構 (C/ A) 平均 電負 性 試驗後缺 陷率 結合 結合能 (kcal/mol ) 結合 結合能 (kcal/mol) 結合 結合能 (kcal/mol ) 1 Si-0 192 — 一 一 一 A 2.93 7.7 xlO·5 2 Si-0 192 Si-Si 76 一 — A 2.48 6.3 xlO'6 3 Si-0 192 Si-Si 76 一 一 A 2.31 3.9 xlO"6 4 Si-Si 76 一 一 一 一 A 1.80 1.6 xlO'6 5 Si-Si 76 Si-C 104 一 — A 2.01 2.1 xlO·6 6 Si-C 104 — — 一 — A 2.15 2.0 χΐσ6 7 c-c 144 Si-C 104 一 — A 2.33 1.8 xlO-5 8 c-c 144 一 一 一 — A 2.40 5.2 xlO-4 9 Si-C 104 Si-0 192 Si-Si 76 A 2.22 1.9 xlO'6 10 Si-C 104 C-C 144 Si-0 192 A 2.29 2.3 xlO-6 11 C-C 144 Si-C 104 Si-0 192 A 2.32 2.0 xlO'6 12 Si-N 105 — — 一 — A 2.54 1.0 xlO'5 13 Si-N 105 一 一 一 — A 2.49 8.4xl0_6 14 Si-N 105 Si-Si 76 — — A 2.34 5.9 xlO·6 15 一 一 — 一 一 — C 1.50 2.3 xlO·5 16 一 — 一 一 一 一 A 2.83 8.5 xlO-5 17 一 一 — 一 — 一 C 1.80 3·3χ1(Γ5 18 — 一 — — — — C 1.50 1.2 xlO-5 C :結晶狀態 A :非結晶狀態 在上述表1 - 1和1 - 2中，所有材料的結合按數順序列 -31 - (27) 1246076 表。藉由電子衍射線觀測中空形，判別材料結構是晶體狀 態還是非結晶狀態。 上述缺陷率按如下方法確定··雷射光照射處於未記錄 狀態的記錄媒體的導向槽，缺陷率用下式表示： 缺陷率=(Ld) / ( Lt) 其中，Ld表示反射率偏離預定値的導向槽的長度，Lt表 不雷射光已掃描的導向槽的長度。 第8圖表示所得DVD + RW型媒體的第3保護層的Si 含有率與缺陷率之間關係的圖形。第9圖表示所得DVD + RW型媒體的第3保護層的電負性與缺陷率之間關係的 圖形。 從第8圖與第9圖可知，爲了確保所得記錄媒體可靠 性（即缺陷率不大於Ι.Οχ 1(Γ5 )，第3保護層的Si的摩 爾濃度最好不低於3 5 %，第3保護層的平均電負性最好不 大於2.3。 平均電負性是將第3保護層的構成元素的電負性按照 各元素存在比例平均化計算所得的數。即，平均電負性用 下式表示：
En a v e Σ
Eni 其中，mi表示各構成元素的摩爾濃度，Eni表示構成元素 -32- (28) (28)1246076 的電負性。 從是否具有本發明效果角度看，該平均電負性並沒有 特定的下限。但是，可以認爲，表1 中的試驗1 5，1 8 中的金屬（Ti或Ta )的電負性値（即1 . 5左右）是下限 値。反射層中的Ag與第3保護層的極化狀態可以藉由平 均電負性表示。當極化大時，水份（H2 0 )進入反射層與 第3保護層之間的介面，結果發生反射層從第3保護層剝 離。 如上所述，第3保護層最好含有S i。爲了確保Ag基 反射層具有良好的可靠性，第3保護層最好含有S i 3 5原 子％以上。若進一步提高S i濃度，則反射層的可靠性更好 。但是，從熱膨脹係數、彈性模數、化學反應性等方面考 慮，使得第3保護層適合第2保護層很重要。因此，最佳 爲，根據包含在第2保護層的材料，將例如c，〇，N添 加到第3保護層中。 雖然第3保護層比其他層薄，但是第3保護層對記錄 媒體特性的影響也不能無視。從可靠性方面看，Si是良 好的元素，但Si光吸收能力弱。因此，當第3保護層過 厚時，不能向所得記錄媒體提供高反射率。 當第2保護層由Z n S · S 1 0 2構成的情況，最好使用 由Si，SiC或包含Si、C、Ο的材料構成的第3保護層， 上述包含si、c、〇的材料最佳爲將〇添加到si(：中。尤 其，材料最佳爲，S i C (主成份）與s丨〇 χ的混合物，或者 SiC (主成份）與C及SiOx的混合物。 -33- (29) (29)1246076
SiC具有良好的性質，如高熔點，良好的熱穩定性， 良好的細密性（即無孔隙）。因此，即使第3保護層薄， 該第3保護層也能防止包含在第2保護層中的S與包含在 反射層中的 Ag起反應。但是，由於SiC硬度高，與 Ag 不反應，Sic與Ag基反射層密接性差。與此相反，當含 有Si、C、〇的材料用於第3保護層時，能顯著提高密接 性，明顯降低腐蝕。 第3保護層的膜厚被設定爲一合適値，以使所得第3 ί呆護層不對Ag基反射層的高反射率和高熱傳導率帶來壞 影響^再者，確定膜厚使得所得第3保護層不對第2保護 ®的良好特性例如在記錄和抹除中需要的良好的熱變形防 it特性' 良好的記錄靈敏度控制功能、良好的相變化控制 I力能帶來壞影響，上述相變化控制功能是指控制記錄層從 非結晶狀態轉變爲結晶狀態的相變化，大直徑LD初始化 需要該功能。 本發明人硏究結果發現，當第3保護層具有2〜9nm g 時’所得記錄媒體在記錄和抹除時具有良好的信號特 1生’且與第3保護層相接的Ag基反射層具有良好的可靠 性。 當第3保護層膜厚不小於2nm時，能保證連續量產 時的穩定膜形成，同時能得到層均一，發揮表面修飾功能 。第3保護層膜厚最佳爲3〜7nm。當膜厚處於上述範圍 時’在不大幅度改變記錄媒體的基本光學特性、熱特性下 ’能大幅度改善Ag基反射層的可靠性。 -34- (30) 1246076 具體地說，當記錄媒體以Hni/sec速度， 式重錄1 〇〇〇次後，信號具有良好的跳動特性 8%。當膜厚超過9nm時，與其說是表面修飾 成爲 JP-A 平 1 1 - 2 3 8 2 5 3 及 2 000- 3 3 1 3 7 8 公報 中間層。即，該層對記錄媒體特性有很大影響 度改變記錄媒體的設計，以便控制記錄媒體的 熱特性。再者，第3保護層（即表面修飾層） 生應力，當進行熱週期試驗時，該層會發生裂 本發明人硏究結果發現，當滿足下面關係 保Ag基反射層具有良好的可靠性，同時，能 記錄/抹除信號特性： 0.1S DM/D2S 0·5，且 0.01$ DM/DRS 0. 其中，D2表示第2保護層的膜厚，dm表示第 膜厚，DR表示反射層的膜厚。 再者，當滿足下面關係式時，以14m/se DVD + RW格式重錄1 000次後，記錄媒體的記 良好的跳動特性，即不大於8% :
0. 1 5 $ DM/D2 $ 0.35，且 0.03SDM/DRS 第3保護層可以用如濺射法，電漿CVD法，3 離子電鍍法等 DVD+RW 格 ’即不大於 層，實際上 中所公開的 ’需要大幅 光學特性和 本身內部發 紋。 式時，能確 維持良好的 3保護層的 c速度，按 錄信號具有 0.05 :CVD 法， -35- (31) 1246076 形成。其中，較佳爲濺射法。濺射法的典型製作條件 如下’· (1 )壓力：10— 2 〜10— 4 Pa (2) 濺射功率：〇.5 〜5.0 kW/(/)20〇mm (3) 膜形成速度：0.5〜5.0 nm/sec 這裏，最好滿足下面關係式： 0.02$Rm/RrS0,20’ 且 〇.5nm/secSRmS5.〇nm/sec 其中’ Rm表不弟3保護層的膜形成速度，Rr表示反射層 的膜形成速度。 爲了製作由S i、C、0構成的膜，較佳爲，使用$ j c 與Si Ox的混合物作爲靶（target )進行濺射的方法，或者 使用SiC作爲革巴’以及使用Ar與〇2、CO、C〇2中至少一* 種的混合氣體進行反應性濺射的方法。當使用Ar與C 〇2 混合氣體的情況，如表2所示，藉由改變A r流量與c Ο 2 流量比，能控制包含在第3保護層的含氧量。 最佳爲，當形成Ag基反射層時，Ag的入射率比形成 第3保護層時構成第3保護層的原子的入射率大5〜5 〇倍 。這是由於第3保護層的表面溫度變高，第3保護層沒有 結合弱的部分。再者’當第3保護層被冷卻時，Ag原子 以楔狀態殘留，能提高Ag基反射層與第3保護層的密接 -36- (32) 1246076 第3保護層的膜形成速度最佳爲Ο.5〜5.〇nrn/sec。當 膜形成速度爲〇. 5 nm/sec以上時，所得第3保護層含有氣 體少，形成細密膜。當膜形成速度爲5nm/sec以下時，碟 與碟之間的第3保護層的膜厚偏差小，即，能穩定地製造 薄膜。 最好還滿足下面關係式，以便提高Ag基反射層與第 3保護層的密接： 1 . 5x Pm ^ Pr 其中，Pm表示形成第3保護層時的濺射功率，Pr表示形 成反射層時的濺射功率。 爲何能提高密接，其理由與上面所述相同。 這種的情況，不僅第3保護層的表面溫度變高，而且 ，由於形成反射層時的濺射功率爲形成第3保護層時的濺 射功率的1 . 5倍以上，能量大的離子的入射率變高，能有 效地除去第3保護層的結合弱的部分。 形成反射層時的濺射功率Pr的上限爲所使用的濺射 設備的濺射功率的上限，即，所使用的濺射設備能穩定地 實現濺射的濺射功率的上限。具體地說，在現時，該上限 通常爲1 OkW左右。 上面對本發明進行了一般的描述，下面藉由範例進一 步具體說明本發明，但實施例僅僅是例示，並不限定本發 -37- (33) 1246076 明。在下面對範例的描述中，只要沒有特別注明，數字表 示重量份。 範例 範例1 藉由射出成形法形成厚度爲〇.6mm的聚碳酸酯基底 ，該聚碳酸酯基底上設有槽寬0.2 5 # m，槽深2 7 n m，擺 動週期爲4.2 6 // m的導向槽。藉由濺射法在該聚碳酸酯基 底上順序疊層形成第1保護層，光記錄層，第2保護層， 第3保護層，以及純度爲99.99 wt %的Ag反射層。 第1保護層和第2保護層使用ZnS · Si02 ( 80/20 mole % )，膜厚分別爲 8 0 n m，1 4 n m。 記錄層由Ga3Ge3Mn4Sb7〇Te2Q構成’膜厚爲16nm。 第3保護層爲膜厚爲4 n m的S i層。S i的電負性爲 1 . 8，其比用於反射層的Ag的電負性（1 . 9 )小。
Ag基反射層的膜厚爲140nm。 各層的濺射條件如下面表2所示： -38- (34)1246076 表2 層 膜形成速度 濺射功率 (nm/sec) (kW ) 第1保護層 9.0 4.0 記錄層 5.6 0.4 第2保護層 4.5 1.5 第3保護層 1.5 1.5 反射層 32 3 . 5 結果，製作成具有以下結構的多層板： 聚 酸醋基底（〇6mm) / ZnS · Si〇2 ( 80nm) /
Ga3Ge3Mn4Sb70Te2〇 ( 16nm) / ZnS · Si02 ( I4nm) /Si ( 4nm) / 99.99 wt% 的 Ag ( 140nm ) 0 接著’在Ag基反射層上採用旋轉塗敷法塗敷室溫黏 度爲1 2 0 cp s的紫外線交聯型樹脂，並使其交聯。該紫外 線交聯型樹脂的玻璃轉化溫度爲l49t。於是，作成單板 型光記錄媒體。 然後’第2聚碳酸酯基底用室溫黏度爲5 8 0 cps的黏 著劑黏合到上述單板型光記錄媒體上，製作具有第1圖所 示結構的D VD型光記錄媒體。上述交聯型黏著劑的玻璃 轉化溫度爲1 3 5 °C。 光學記錄媒體藉由一設有大直徑雷射光二極體（LD )的初始化裝置以3 5 m / s e c線性速度、雷射光二極體功 率85〇mW被初始化，以使記錄層晶化。該初始化從記錄 -39- (35) 1246076 媒體的內周向外周進行，以進給節距1 20 // m，並保持一 定線性速度實現。 然後，在該記錄媒體上按DVD-ROM再生可能的格式 以16.75 m/ sec的線性速度進行光學記錄，記錄時使用 的設備發出波長爲65 Onm的雷射光，數値孔徑（NA)爲 0.65，記錄功率爲14.5 mW。 結果，即使在直接重寫（DOW ) 1 000次後，記錄信 號仍具有良好的資料對時鐘的跳動，即7.5 %。再者，信 號具有良好的反射率（20% )，和調變度（63% )。於是 ，能有效利用 Ag具有的良好的特性，即高反射率和高熱 傳導率。 接著，對記錄媒體進行六次熱週期試驗，先將其置於 2 5°C、95% RH環境下12小時，再將其置於4(TC、9 5% RH環境下1 2小時，重複上述過程，同時，當記錄媒體溫 度被昇高或降低時，以1 0 °C /小時的加熱或冷卻速度被加 熱或冷卻。結果，反射率爲20%，調變度爲63%，從中心 起58mm處的傾斜爲0.4。與熱週期試驗初始相比，幾乎 沒有變化。再者，缺陷率也沒有增多。 範例2 - 1 3 藉由射出成形法形成厚度爲0.6mm的聚碳酸酯基底 ’該聚碳酸酯基底上設有槽寬〇 . 2 5 /z m，槽深2 7 n m，擺 動週期爲4 · 2 6 // m的導向槽。藉由濺射法在該聚碳酸酯基 底上順序疊層形成第1保護層，光記錄層，第2保護層， -40- (36) 1246076 第3保護層，以及純度爲99.9 9 wt %的Ag反射層。 第1保護層和第2保護層使用ZnS · Si02 ( 8 0/20 mole % ) 〇 記錄層由 Ga3Ge3Mn4Sb7〇Te2()構成。 第3保護層使用下面表3 - 1所列材料。各層膜厚及製 作條件列於下面表3 - 1中。 接著，在A g基反射層上採用旋轉塗敷法塗敷室溫黏 度爲1 2 0 cp s的紫外線交聯型樹脂，並使其交聯。該紫外 線交聯型樹脂的玻璃轉化溫度爲149°C。於是，作成單板 型光記錄媒體。 然後，第2聚碳酸酯基底用室溫黏度爲5 8 0 cps的黏 著劑黏合到上述單板型光記錄媒體上，製作具有第1圖所 示結構的D VD型光記錄媒體。上述交聯型黏著劑的玻璃 轉化溫度爲1 3 5 °C。 光學記錄媒體藉由一設有大直徑（光束徑200x 1 //m )雷射光二極體（LD)的初始化裝置以3.5m/SeC線性速 度、雷射光二極體功率8 5 0mW被初始化，以使記錄層晶 化。該初始化從記錄媒體的內周向外周進行，以進給節距 1 2 0 // m，並保持一定線性速度實現。 然後，在該記錄媒體上按DVD-ROM再生可能的格式 以16.75 m/ sec的線性速度進行光學記錄，記錄時使用 的設備發出波長爲65 0nm的雷射光，數値孔徑（NA)爲 0.65，記錄功率爲14.5 mW。 結果，即使在直接重寫（D 0 W ) 1 0 0 〇次後，記錄信 -41 - (37) 1246076 號仍具有良好的資料對時鐘的跳動，即不大於8%。再者 ，信號具有良好的反射率（2〇% )，和調變度（63% )。 於是，能有效利用 A g具有的良好的特性，即高反射率和 高熱傳導率。 接著，對記錄媒體進行在8 0 °C、8 5 % RH環境下5 0 0 小時的保存試驗，以及六次熱週期試驗，先將其置於2 5 t：、9 5% RH環境下12小時，再將其置於4〇t：、95% RH 環境下1 2小時，重複上述過程，同時，當記錄媒體溫度 被昇高或降低時，以1 〇°C /小時的加熱或冷卻速度被加熱 或冷卻。結果，缺陷率沒有增多，且所得記錄媒體幾乎沒 有錯誤。 比較例1 · 7 除了第3保護層的材料和膜厚改變爲下面表3 - 1和表 3 -2之外，其他製作與評價的順序與上述範例2- 1 3相同。 於是，比較例1 -7的光學記錄媒體被製作及評價。 從表3 -1和表3 - 2可知，在比較例1中，沒有形成第 3保護層。在比較例2-7中，第3保護層雖然滿足本發明 要求（包含S i不少於3 5 m ο 1 e % )，但由於膜厚爲1 n m 或10nm，不滿足2-9nm的要求。因此，在直接重寫1000 次、8 0 °C、8 5 % RH環境下5 0 0小時保存試驗、和/或熱週 期試驗後，各記錄媒體至少存在一個跳動問題。因此，比 較例1 - 7的全部光記錄媒體的綜合判定爲不許可。 -42 - (38) 1246076 表3-1 D1 (nm) DRc (nm) D2 (nm) M3 DM (nm) Rm (nm/s) DR (nm) Rr (nm/s) 範例2 80 15 15 SiC 2 0.5 100 30 範例3 80 15 15 SiC 4 2 100 30 範例4 80 15 15 SiC 6 4 100 30 範例5 80 15 15 Si 7 5 100 30 範例6 80 15 20 Si 3 0.5 120 30 範例7 80 15 20 Si 5 2 120 30 範例8 80 15 20 SiC 7 4 120 30 範例9 80 15 20 SiC 9 5 120 30 範例10 80 15 25 SiC 3 0.5 140 30 範例11 80 15 25 Si 5 2 140 30 範例12 80 15 25 Si 7 4 140 30 範例13 80 15 25 Si 9 5 140 30 比較例1 80 15 25 一 0 一 100 30 比較例2 80 15 10 SiC 1 2 100 30 比較例3 80 15 20 SiC 10 5 100 30 比較例4 80 15 20 Si 10 5 100 30 比較例5 80 15 20 SiO 10 5 100 30 比較例6 80 15 20 Si3N4 10 5 100 30 比較例7 80 15 20 S145-C45-O10 10 5 100 30 D1 ： 第1保護層的膜厚（nm) DRc ： 記錄層的膜厚（nm) D2 ： 第2保護層的膜厚（nm) M3: 第3保護層的材料 DM ： 第3保護層的膜厚（nm)
Rm ： 第1保護層的膜形成速度（nm/s ) DR: 反射層的膜厚（n m )
Rr ： 反射層的膜形成速度（nm/s ) -43- (39) 1246076 (39)
表3_2
DM/D2 DM/DR Rm/Rr 跳動1 跳動2 跳動3 綜合 範例2 0.13 0.02 0.02 8.7% OK OK OK 範例3 0.27 0.04 0.07 7.4% OK OK OK 範例4 0.40 0.06 0.13 7.2% OK OK OK 範例5 0.47 0.07 0.17 7.7% OK OK OK 範例6 0.15 0.03 0.02 7.6% OK OK OK 範例7 0.25 0.04 0.07 7.7% OK OK OK 範例8 0.35 0.06 0.13 7.9% OK OK OK 範例9 0.45 0.08 0.17 8.9% OK OK OK 範例10 0.12 0.02 0.02 7.9% OK OK OK 範例11 0.20 0.04 0.07 7.6% OK OK OK 範例12 0.28 0.05 0.13 7.7% OK OK OK 範例13 0.36 0.06 0.17 8.9% OK OK OK 比較例1 0.00 0.00 0.07 8.3% NG NG NG 比較例2 0.10 0.01 0.07 8.3% OK NG NG 比較例3 0.50 0.10 0.17 12.0% OK OK NG 比較例4 0.50 0.10 0.17 13.6% OK OK NG 比較例5 0.50 0.10 0.17 15.4% OK OK NG 比較例6 0.50 0.10 0.17 15.4% OK OK NG 比較例7 0.50 0.10 0.17 13.3% OK OK NG 跳動1 ·· 以速度14m/sec，按DVD+ RW格式，重寫
1 〇 〇 〇次後的跳動。 跳動2 : 在8 0°C，8 5%RH下，5 00小時保存試驗後 的跳動。 跳動 3 :以 25°C ，95%RH 和 40°C ，95%RH 進行六 次熱週期試驗後的跳動。 OK： 許可，NG: 不許可 範例1 4 - 1 8和比較例8 - 1 0 - 44- (40) (40)1246076 藉由射出成形法形成厚度爲0.6 m m的聚碳酸酯基底 ’該聚碳酸酯基底上設有槽寬〇.25/zm，槽深27nm的導 向槽。藉由濺射法在該聚碳酸酯基底上順序疊層形成第i 保護層，光記錄層，第2保護層，第3保護層，以及純度 爲9 9 · 9 9 w t %的A g反射層。 第 1保護層和第2保護層使用 ZnS · Si02 ( 80/20 mole%) ’膜厚分別爲 80nm，14nm。 s己錄層由 Ge2.〇Ag〇.5In5,〇Sb68.5Te24.。構成，膜厚爲 1 6 n m 〇 第3保護層使用S i C作爲靶，並使用下面表4所示的 混合氣體，在壓力爲0.5 P a，濺射功率1 kW條件下濺射形 成。第3保護層膜厚爲4nm。
Ag基反射層膜厚爲140nm。 結果’製作成具有以下結構的多層板： 聚碳酸酯基底（0.6mm) / ZnS · Si〇2 ( 80nm) / Ge2.o Ag〇.5ln5.〇Sb68.5Te24.o ( 16 nm ) / ZnS · S i O 2 ( 1 4 n m )/SiC ( 4nm) / Ag ( 140nm) o 接著，在Ag基反射層上採用旋轉塗敷法塗敷室溫黏 度爲I20cps的紫外線交聯型樹脂，並使其交聯。該紫外 線交聯型樹脂的玻璃轉化溫度爲1 4 9 °C。於是，作成單板 型光記錄媒體。 然後，第2聚碳酸酯基底用黏著劑黏合到上述單板型 光記錄媒體上’製作具有第1圖所示結構的光記錄媒體。
光學記錄媒體藉由一設有大直徑雷射光二極體（LD - 45- (41) 1246076 )的初始化裝置以3. 5 m/sec線性速度、雷射光二極體功 率8 5 0 m W被初始化，以使記錄層晶化。該初始化從記錄 媒體的內周向外周進行，並保持一定線性速度實現。 然後，在該記錄媒體上按DVD-ROM再生可能的格式 以8 . 5 m/ sec的線性速度進行光學記錄，記錄時使用的 設備發出波長爲6 5 0 n m的雷射光，數値孔徑（N A )爲 0.65，記錄功率爲14.5 mW。 結果，當第3保護層的氧含量不大於2 0原子％的情 況，即使直接重寫（DOW ) 1 000次後，記錄信號仍具有 良好的資料對時鐘的跳動，即不大於9%。當第3保護層 的氧含量大於2 〇原子％的情況，該第3保護層會發生裂 紋，反射層從該第3保護層剝離。 當第3保護層的氧含量爲零的情況，在8 0 °C、8 5 % RH3 00小時保存試驗後，錯誤增加率（即，（保存後的錯 誤數-初始錯誤數）/初始錯誤數）超過1 〇 %，因而，發 生部分數據不能被讀取的問題。相反，當第3保護層的氧 3量爲1原子％以上的情況，即使在保存試驗後，錯誤增 加率不大於1 〇%，記錄媒體沒有問題。 再者，範例1 7的記錄媒體的奧格（Auger* )深度分佈 用奧格電子分光深度儀測定。該深度分佈表示在第1 〇圖 中。從第1 0圖可知，隨著膜中s i含量增多，過剩的C包 含在膜中。當高能量電子照射材料表面時，從該材料表面 釋放出具有材料固有能量的奧格電子。藉由分光測定該奧 格電子’能確定構成材料的元素組成比。 -46- (42) 1246076 表4
Ar流量 C〇2流量 第3保護層中氧 錯誤增加率 重寫次數 —----- (seem ) (seem) 含量（原子％) (%) ----— (次） 範例14 ----- 10 0.3 1.1 9.5 8000 _^例 15 10 1 3,8 7.6 6000 範例16 10 1.5 5.6 6.0 5000 範例17 — 10 3 10.6 4.5 3000 —筵例18 10 6 20 3.0 1500 比較例8 10 8 24 2.0 500 —^交例9 10 12 32 2.5 100 比較例10 10 〇 0 20 9000 範例1 9 藉由射出成形法形成厚度爲0.6mm的聚碳酸酯基底 ’該聚碳酸酯基底上設有槽寬0.2 5 // m，槽深27nm，擺 動週期爲4 · 2 6 // m的導向槽。藉由濺射法在該聚碳酸酯基 底上順序疊層形成第1保護層，記錄層，第2保護層，第 3保護層，以及純度爲99.99 wt %的Ag反射層。 第1保護層和第2保護層使用ZnS · Si02 ( 80/20 mole % )，膜厚分別爲 80nm，1 lnm。 記錄層由GesIr^Sb^TesoMn!構成，膜厚爲16nm。 第3保護層爲膜厚爲4nm的SiC層。
Ag基反射層的膜厚爲1 40nm。 -47- (43) 1246076 結果，製作成具有以下結構的多層板： 聚碳酸酯基底（〇.6mm) / ZnS· SiO2(80nm) / G e 2 I η 7 S b 7 ο T e 2 〇 Μ η 1 ( 16nm) / ZnS · S i Ο 2 ( 1 1 n m ) / SiC ( 4 n m ) / 99.99 wt% 的 Ag ( 1 4 0 n m ) 0 接著，在Ag基反射層上採用旋轉塗敷法塗敷室溫黏 度爲1 2 0 cp s的紫外線交聯型樹脂，並使其交聯。該紫外 線交聯型樹脂的玻璃轉化溫度爲1 49°C。於是，作成單板 型光記錄媒體。 然後，第2聚碳酸酯基底用室溫黏度爲5 8 0 cps的紫 外線交聯型黏著劑SD6 94 (大日本油墨化學株式會社製） 黏合到上述單板型光記錄媒體上，製作具有第1圖所示結 構的DVD型光記錄媒體。上述交聯型黏著劑的玻璃轉化 溫度爲1 3 5 °C。 光學記錄媒體藉由一設有大直徑（光束徑200xl//m )雷射光二極體（LD)的初始化裝置以3.〇m/sec線性速 度、雷射光二極體功率85〇mW被初始化，以使記錄層晶 化。該初始化從記錄媒體的內周向外周進行，以進給節距 1 0 0 // m，並保持一定線性速度實現。 然後，在該記錄媒體上按DVD-ROM再生可能的格式 以1 6.7 5 m / s e c的線性速度進行光學記錄，記錄時使用 的設備發出波長爲65 0nm的雷射光，數値孔徑（NA )爲 0.65，記錄功率爲14.5 mW。 結果，即使在直接重寫（D 0 W ) 1 0 0 0次後，記錄信 號仍具有良好的資料對時鐘的跳動，即8.5 %。再者，信 -48- (44) 1246076 號具有良好的反射率（2 0 % ) ’和調變度（6 3 % )。即’ 能有效利用 Ag具有的良好的特性’即高反射率和高熱傳 導率。 即使對該記錄媒體進行90°C ' 90% RH環境下5 00小 時保存試驗後，該記錄媒體的反射率爲20% ’調變度爲 6 3 %，從中心起5 8 mm處的傾斜爲〇 . 4 ° ，與保存試驗初始 相同。 再者，當在7〇°C、90% RH環境下，在光碟最外周（ 從碟中心起離開5 8 m m處），實行重寫時，所記錄的信號 能再生，不會發生磁軌對焦偏離。 換言之，藉由形成玻璃轉化溫度爲1 49°C的外敷層， 以及玻璃轉化溫度爲1 3 5 °C的黏著層（即外敷層與黏著層 的玻璃轉化溫度之差爲KC )，在90°C、90% RH環境下 ，記錄媒體具有高溫保存可靠性。 範例20 藉由射出成形法形成厚度爲1.2mm的聚碳酸酯基底 ，該聚碳酸酯基底上設有槽寬〇.5 // m，槽深30nm的擺動 導向槽。藉由濺射法在該聚碳酸酯基底上順序疊層形成第 1保護層，記錄層，第2保護層，第3保護層，以及反射 層。 第1保護層和第2保護層使用 ZnS · Si02 ( 80/20 mole % )，膜厚分別爲 8 0 n m，1 1 n m。 記錄層由構成，膜厚爲I6nm。 -49- (45) (45)1246076 第3保護層爲膜厚爲4nm的Si層。 反射層由Ag98Cui.5Nd().5構成’膜厚爲140nm。 結果，製作成具有以下結構的多層板： 聚碳酸酯基底（1.2mm )/ ZnS · Si02 ( 80nm ) /
Ge2Ga7Sb70Te2〇Tii ( 16nm) / ZnS · Si〇2 ( llnm) / Si ( 4nm) / Ag98Cu1.5Nd〇.5 ( 140nm ) 0 接著，在Ag基反射層上採用旋轉塗敷法塗敷室溫黏 度爲1 2 0 cp s的紫外線交聯型樹脂（大日本油墨化學株式 會社製，S D 3 1 8 )，並使其交聯，形成外敷層。該紫外線 交聯型樹脂的玻璃轉化溫度爲1 49°C，膜厚爲7 // m。於 是’作成單板型光記錄媒體。 該光學記錄媒體藉由一設有大直徑（光束徑200 x i // m )雷射光二極體（LD )的初始化裝置以3.0 m/ s e c線 性速度、雷射光二極體功率 8 5 OmW被初始化，以使記錄 層晶化。該初始化從記錄媒體的內周向外周進行，以進給 節距1 0 0 // m，並保持一定線性速度實現。 然後，在該記錄媒體上按CD-ROM再生可能的格式 以2 8.8 m/ sec的線性速度進行光學記錄，記錄時使用的 設備發出波長爲78 0nm的雷射光，數値孔徑（NA )爲 0.65，記錄功率爲25 mW。 結果’即使在直接重寫（D Ο W ) 1 0 0 0次後，記錄信 號仍具有良好的資料對時鐘的跳動，即在1.2 m/ sec再 生時爲28ns。再者，記錄信號具有良好的反射率（19% ) ，和調變度（6 〇 % )。即，能有效利用反射層中A g材料 -50 - (46) 1246076 具有的局反射率和高熱傳導率。 即使對該記錄媒體進行90°C、90% RH環境下5 00小 時保存試驗後，該記錄媒體的反射率爲1 9 %，調變度爲 6 3 %，與保存試驗初始幾乎相同。 再者，保存試驗後，C 1錯誤（能訂正錯誤）與保存 試驗前也幾乎相同。 換言之，藉由形成玻璃轉化溫度爲1 4 9 °C的外敷層， 記錄媒體具有在90°C、90% RH環境下的高溫保存可靠性 發明之效果 根據本發明，提供光學記錄媒體，該記錄媒體能防止 Ag基反射層中的Ag離子化及孔隙生成，且Ag基反射層 與相鄰層具有良好的密接力，即使在高溫高濕條件下進行 保存後，仍具有高可靠性，不會對反射層中 Ag的高反射 率和高熱傳導率帶來壞影響，不會對記錄媒體的光學特性 及熱特性帶來大影響。 再者，藉由在Ag基反射層上形成玻璃轉化溫度爲90 °C -18CTC的外敷層（和/或黏著層），能製作具有良好的 反射率及熱傳導率，以及良好的高溫保存可靠性的光學記 錄媒體。當外敷層與黏著層之間玻璃轉化溫度之差不大於 5 〇 °C時，所得記錄層即使在高溫下也能穩定地工作。 當記錄層由具有特殊構成式的相變化型材料構成時， 能進一步提高記錄媒體防止Ag基反射層腐蝕的能力。 -51 - (47) (47)1246076 根據上面的教導，本發明的其他修正及變更係可能的 ，因此，可以暸解到在所附加之申請專利範圍的範疇內， 可以用和在此所特定敘述之方式不同的方式實施本發明。 此文獻主張日本專利申請案第 20〇2-0626〇8號， 2002-089736號，2002- 075052號，並包含與其有關之標 的，而日本專利申請案第 2002-062 608號，20 02-08 973 6 號，2002- 075052號提出申請分別於2002年3月7日， 2002年3月27日，2002年3月18日，其整個內容在此 被倂入當作參考資料。 【圖式簡單說明】 第1圖爲本發明的光學記錄媒體的DVD型實施例的 截面槪略圖。 第2圖爲本發明的光學記錄媒體的CD型實施例的截 面槪略圖。 第3圖爲本發明的光學記錄媒體的另一 DVD型實施 例的截面槪略圖。 第4圖爲本發明的光學記錄媒體的另一 CD型實施例 的截面槪略圖。 第5圖爲本發明的光學記錄媒體的另一實施例的截面 槪略圖。 第6圖爲本發明的光學記錄媒體的又一實施例的截面 槪略圖。 第7圖表示形成在Ag基反射層上的樹脂層的玻璃轉 -52- (48) 1246076 ft ^度與所得光學記錄媒體在高溫保存性試驗後的錯誤率 之間關係的圖形。 第8圖表示本發明的DVD-RW型光學記錄媒體的第3 保護層的S i含有率與熱週期可靠性之間關係的圖形。 第9圖表示本發明的DVD-RW型光學記錄媒體的第3 保護層的電負性與熱週期可靠性之間關係的圖形。 第1 〇圖表示本發明的範例1 7的光學記錄媒體的奧格 (Auger )深度分佈圖形。 要元 件對 照 表 ] 1 基 底 2 第 1 保 護 層 3 記 錄 層 4 第 2 保 護 層 5 第 3 保 護 層 6 反 射 層 7 外 敷 層 8 黏 著 層 9 第 2 光 碟 10 印 刷 層 11 硬 敷 層 3 1 染 料 記 錄 層 -53-

Claims (1)

  1. (1) (1)1246076 拾、申請專利範圍 1· 一種光學記錄媒體，包含： 一設有導向槽的基底； 一第1保護層，位於基底之上； 一記錄層，位於第1保護層之上； 一第2保護層，位於記錄層之上； 一第3保護層，位於第2保護層之上，其含有Si 35 mole %以上，第3保護層膜厚爲2-9nm ;及 一反射層，含有Ag 95 wt %以上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，進 一步包含： 位於反射層之上的外敷層。 3. 如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，進 一步包含： 一黏著層，位於反射層之上；及 一第2基底或一第2光記錄媒體，位於黏著層之上。 4. 如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 中，第3保護層膜厚爲3-7nm。 5. 如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 中，第3保護層大體上由Si構成。 6. 如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 中，第3保護層包含Si，C，0。 7. 如申請專利範圍第6項所述之光學記錄媒體，其 中，第3保護層由SiC和SiOx構成，其中，X表示數1-2 -54- (2) 1246076 8 ·如申請專利範圍第6項所述之光學記錄媒體，其 中，第3保遵層由C，SiC和SiOx構成，其中，X表示數 1 -2 ° 9 .如申請專利範圍第6項所述之光學記錄媒體，其 中，第3保護層含有氧1-2〇原子。/〇。 10.如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 中’光記錄媒體滿足以下關係式： 0.1S DM/D2S 0.5 以及 0.01S DM/DRS 0.1 其中，D2爲第2保護層的膜厚，DM爲第3保護層的膜厚 ，DR爲反射層的膜厚。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項所述之光學記錄媒體， 其中，光記錄媒體滿足以下關係式： 0.15^ DM/D2 ^0.35 以及 0.03SDM/DRS0.05。 12.如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 中，第3保護層的平均電負性E n ( a v e )不大於2.3，該 平均電負性En ( ave )用以下關係式表示： E n ( a ν e ) = mi· Eni ) / 100 -55- (3) (3)1246076 其中，m i和E n i分別表示第3保護層的各構成元素的摩 爾濃度和電負性。 13.如申請專利範圍第2項所述之光學記錄媒體，其 中，外敷層的玻璃轉化溫度爲9 〇〜1 8 〇。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項所述之光學記錄媒體， 其中，外敷層的玻璃轉化溫度爲1〇〇〜165 °C。 15. 如申請專利範圍第3項所述之光學記錄媒體，其 中，黏著層的玻璃轉化溫度爲9 0〜1 8 0 °C。 16. 如申請專利範圍第1 5項所述之光學記錄媒體， 其中，黏著層的玻璃轉化溫度爲1 0 0〜1 6 5 °C。 1 7 ·如申請專利範圍第3項所述之光學記錄媒體，進 一步包含： 位於黏著層與反射層之間的外敷層； 其中外敷層的玻璃轉化溫度Tg ( 1 )爲9 0〜1 8 〇 °C， 黏著層的玻璃轉化溫度T g ( 2 )爲9 0〜1 8 0 °C，玻璃轉化 溫度Tg(l)與Tg(2)之差不大於50°C。 18. 如申請專利範圍第1 7項所述之光學記錄媒體， 其中，玻璃轉化溫度Tg ( 1 )與Tg ( 2 )之差不大於3〇°C 〇 19. 如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 中’反射層進一步包含選自 Al，Bi，Ca，Cu，Cd，Fe， Μη，Mg，Ni，Pd，Sb，Zn，Nd 的至少一種元素。 2〇.如申請專利範圍第1 9項所述之光學記錄媒體， 其中，反射層至少包含Cu和Nd之一。 -56- (4) 1246076 21. 如申請專利範圍第20項所述之光學記錄媒體， 其中，反射層中Cu含量爲0.1〜5 wt %。 22. 如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 中，導向槽的槽寬爲0.10〜0.40/zm，其深度爲15〜45nm 〇 23. 如申請專利範圍第22項所述之光學記錄媒體， 其中，導向槽的槽寬爲 0.15〜0.35//m，其深度爲20〜 4 0 n m 〇 24. 如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 中，導向槽的槽寬爲0.25〜0.65//m，深度爲20〜50nm。 2 5 .如申請專利範圍第24項所述之光學記錄媒體， 其中，導向槽的槽寬爲0.30〜0.60//m，深度爲25〜45nm 〇 2 6.如申請專利範圍第1項所述之光學記錄媒體，其 中，記錄層構成式爲： Aga iGea 2ln^ iGa^ 2Bi^ 3Sbr Te^ Με ， 其中，α1+α2+；51+/32+/33+7 + 5+ε=100 原 子％，且 OS α 1^10，OS a2S10，0.1$ α 1+ α2$10 ，OS/31S15， 0^/32^15， 0S 冷 3^15， l £ β l + β 2 + 石3^15，60^ r 15^5^30，及 OS £ $10。 27. 一種光學記錄媒體，包含： 一設有導向槽的基底； -57- (5) (5)1246076 一記錄層’位於基底之上； 一反射層’含有Ag 95wt %以上’位於S錄層之上’ 外敷層，位於反射層之上，該外敷層的玻璃轉化溫度 T g ( 1 )爲 9 0 〜1 8 0 t。 2 8 . —種光學記錄媒體，包括： 一設有導向槽的基底； 一記錄層，位於基底之上； 一反射層，含有A g 9 5 w t %以上，位於記錄層之上； 黏著層，位於反射層之上，該黏著層的玻璃轉化溫度 T g ( 2 )爲 9 0 〜1 8 0 〇C ； 任一第2基底或第2光學記錄媒體，位於黏著層之上 〇 2 9 .如申請專利範圍第2 8項所述之光學記錄媒體， 進一步包含： 位於反射層與黏著層之間的外敷層； 其中，外敷層的玻璃轉化溫度Tg ( 1 )爲90〜1S0°C ，玻璃轉化溫度Tg ( 1 )與Tg ( 2 )之差不大於50°C。 3 0.如申請專利範圍第27或28項所述之光學記錄媒 體，其中，反射層中Cu含量爲0.1〜5 wt %。 3 1.如申請專利範圍第2 7或2 8項所述之光學記錄媒 體，其中，記錄層構成式爲： - 58- (6) 1246076 其中，α1+α2+；31+ 召 2+/33+7 + 5 + ε=100 原 子％，且 OSalSlO，〇$α2$ι〇，〇.ι^αι+α2$10 ，0$ 卢 1^15， 0^/32^15^0^^3^15, β l + β 2 + /33^15^ 60^ 7 15$ 5 $30，及 0$ ε $10。 3 2 . —種光學記錄媒體製作方法，包含： 形成位於基底之上的第1保護層； 形成位於第1保護層之上的記錄層； 形成位於記錄層之上的第2保護層； 以膜形成速度Rm，形成位於第2保護層之上的S i含 有量不少於3 5 m ο 1 e %的第3保護層； 以膜形成速度Rr，形成Ag含有量不少於95 wt %的 反射層； 其中，滿足以下關係式： 〇 〇2$ Rm/RrS 0.20 以及 0.5nm/secS RmS 5.0nm/sec -59- (7) 1246076 反射層的濺射功率。 3 4 .如申請專利範圍第3 3項所述之光學記錄媒體製 作方法’其中，第3保護層使用S i C與S i 〇 X的混合物作 爲濺射靶而形成。 3 5 .如申請專利範圍第3 3項所述之光學記錄媒體製 作方法，其中， 第3保護層使用SiC作爲濺射靶，使用Ar與選自氧 、一氧化碳、二氧化碳的至少一種的混合氣體藉由反應濺 射法形成。 -60*
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