JP2005129170A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 高温・高湿下での保存信頼性が高く、高温動作が安定し、機械特性良好で、生産性の高い、高速再生又は高速記録可能な光記録媒体の提供。
【解決手段】 基板、第１保護層、Ｓｂを６９〜９０原子％含む光記録層、第２保護層、Ａｇを９８重量％以上含む光反射層、樹脂保護層及び／又は接着層をこの順に有し、更に第１保護層と記録層の間の第１界面層、記録層と第２保護層の間の第２界面層、第２保護層と光反射層の間の第３界面層のうちの少なくとも一層を有し、第１保護層の膜厚が５５±１０ｎｍの範囲内、光記録層の膜厚が９〜１４ｎｍ、第１、第２界面層の膜厚が２〜７ｎｍ、第３界面層の膜厚が２〜９ｎｍであることを特徴とする光記録媒体。
【選択図】 図１

Description

本発明は、レーザー光を照射することにより情報の再生又は記録が可能であるＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の高速記録に利用できる光記録媒体に関する。特に、ＤＶＤ−ＲＯＭと同等以上の記録容量で、ＤＶＤ−ＲＯＭの４倍速以上の記録速度を実現できる光記録媒体に関する。

レーザー光の照射による再生又は記録が可能な相変化型光記録媒体として、ＰＤ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどが商品化されている。これらの記録媒体では、より多くの情報をより速く記録することを可能にするために、更なる記録の高密度化や高線速度化が期待されている。
一方、相変化型光記録媒体の記録再生装置の普及に伴い、１枚の相変化型光記録媒体が、多様な複数の記録装置で記録される機会が増大してきている。即ち、あるメーカーの記録装置で記録された相変化型光記録媒体が、別のメーカーの記録装置でオーバーライト（ｉｎｔｅｒ−ｃｏｍｐａｎｙ ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ：ＩＣＯＷ）される機会が益々増えてきており、記録装置の違いに起因する記録品質の悪化による再生エラー増大が課題になってきている。
更に、ＣＡＶ記録或いはマルチスピード記録可能な相変化型光記録媒体では、記録装置間の記録品質悪化に加え、記録線速度の違いによる記録（ｉｎｔｅｒ−ｖｅｌｏｃｉｔｙ ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ：ＩＶＯＷ）による記録品質の悪化も課題になってきている。
これらの対策として、記録装置がオーバーライトする際に、初回記録にくらべて、幾分大きなパワーで記録する方法が、特許文献１〜３に開示されている。

これまで、ＤＶＤ−ＲＯＭと同等の記録容量で、ＤＶＤ−ＲＯＭの４倍速以上の記録速度を実現する際の高速記録時のオーバーライト特性の改善には、以下のような対策が行われてきた。
（１）記録層組成の最適化による結晶化速度の制御
（２）記録層膜厚の薄膜化による組成ズレの抑制
（３）界面層を設けて記録層の結晶化を促進
（４）界面層を設けて記録層とＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）保護層の相互拡散の防止
（５）光反射層に熱伝導率の大きいＡｇ又はＡｇ合金を用いることによる二次元方向への熱伝導の抑制
例えば、特許文献４〜６には、記録層の調整、Ａｇ反射層の採用、結晶化促進層の採用等による高速高密度記録可能な相変化型光記録媒体が開示されている。しかし、これらの開示技術により、オーバーライトの改善は図れるものの、上記課題であるＩＣＯＷやＩＶＯＷの改善はできなかった。

上記課題の解決策として、Ａｇ系光反射層の採用が検討されている。
Ａｇを相変化型光記録媒体の光反射層として利用すると、以下のようなメリットが期待される。
（１）広い波長領域でのディスク反射率の増大による再生能力の向上
（２）Ａｇの光学特性に起因する信号振幅の増大による再生能力の向上
（３）急冷な層構造によるオーバーライト性能の向上
（４）急冷な層構造による記録可能線速度範囲の拡大
（５）高いスパッタ効率による生産性の向上
（６）スパッタ製膜時間の短縮による熱応力の低減（ディスク機械特性の改善）
これらのメリットを確保するためには、純度９８重量％以上のＡｇが望ましい。より好ましいのは９９．９重量％以上のＡｇである。

一方、Ａｇを光記録媒体の光反射層として利用する際、以下のような課題があった。
（１）高温高湿下で腐食し易い。
（２）硫黄や塩素によって、腐食し易い。
（３）下地との膜密着力が小さい。
（４）貴金属であり、汎用反射層のＡｌ等と比較して高価である。
Ａｇの腐食を抑制する方法としては、特許文献７のＡｇＣｕ、特許文献８のＡｇＭｇ、特許文献９のＡｇＯＭ（Ｍ：Ｓｂ、Ｐｄ、Ｐｔ）、特許文献１０のＡｇＰｄＣｕに見られるようにＡｇの合金化が提案されている。また、特許文献１１には、熱伝導率をコントロールするために、ＡｇにＴｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃを含有させることが開示されている。しかし、本発明者等が、これらの材料系を実際に光反射層に用いてＤＶＤ＋ＲＷディスクを作製し、８０℃８５％ＲＨのアーカイバル高温保存信頼性を評価したところ、３００時間の保存でエラーの急増が認められ、これらの開示材料では充分な保存信頼性が得られなかった。
反射層の腐食を抑えるために、従来から反射層表面には紫外線硬化樹脂層が形成されている。特許文献１２には、樹脂のガラス転移温度を４５℃以上にすることで、樹脂の吸水によるしわが無くなり、Ａｌ反射層の腐食が回避できることが開示されている。しかし、本発明者等の実験では、特許文献１２に記載のガラス転移温度８０℃の樹脂を用いても、Ａｇ系光反射層の場合には腐食或いは再生エラーの増大を生じた。

相変化型光記録媒体では、記録層の上下にＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）膜を形成することがオーバーライトの確保に効果的である。ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）は、熱膨張係数、光学定数、弾性率が最適化されている。
一方、相変化型光記録媒体の高速記録のために、Ａｇ系光反射層を用いる場合、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２上に直接Ａｇ系反射層を形成すると、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２のＳとＡｇが反応して反射層の腐食を生じることが知られている。この対策として、特許文献１３では、相変化型光記録媒体の保護層に存在する硫黄原子とＡｇ系反射層との化学反応を防止するため、中間層としてＴａ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｗ、Ｖ、Ｃ、Ｓｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ酸化物、Ａｌ酸化物、Ｔａ酸化物を用いることが開示されている。このときの中間層の膜厚は、耐食性とＡｇ系反射層の高熱伝導率を有効に機能させるため４０ｎｍが好適であるとしている。また、中間層膜厚が１０ｎｍ〜５０ｎｍでは、信号特性も８０℃８５％ＲＨの保存信頼性も問題無いことが開示されている。しかし、本発明者等がこれらの材料を中間層として相変化型光記録媒体を作製したところ、中間層膜厚１０ｎｍ〜５０ｎｍでは信号特性の中間層膜厚依存性が大きく、実用的な信号品質は得られなかった。また、温度の昇降速度１０℃／時間で、２５℃９５％ＲＨ１２時間−４０℃９５％ＲＨ１２時間の６回のヒートサイクル試験では、Ａｇ系光反射層が中間層から剥離する問題も発生した。

また、特許文献１４では、中間層材料として、ＡｌＮ、ＳｉＮｘ、ＳｉＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＴａＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＴｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＣａＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＣ、ＳｉＣが開示されている。具体的な中間層の膜厚は、１０ｎｍが好適であるとしている。しかし、我々の検討結果では、中間層が１０ｎｍの厚さでは、初期信号特性及び９５％ＲＨ高湿度下での信頼性が充分でなかった。これら中間層に関する特許文献１３及び１４において、Ｓｉを含む中間層については、一般的な材料種類と一般的な膜厚領域の膜厚のみが多くの材料の例示の一つとして開示されているだけであり、Ｓｉを含む中間層固有の効果については開示されていない。また、これら中間層に関する公開技術には、明確なスパッタ条件やその条件に左右される膜構造、膜質、その膜質を前提にした環境信頼性と記録信号特性とのバランスに基づく最適な膜厚については開示されていない。

相変化型光記録媒体の高速記録を実現するためには、記録層の高速結晶化と高速非晶質化を同時に達成する必要がある。そのために、記録層に接して、結晶化促進層を形成することが開示されている。例えば特許文献１５では、Ｓｅを含有した記録層の結晶化促進層として、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣＮ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３が例示されている。また、特許文献１６、特許文献１７では、Ｇｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５の組成比近傍の記録層に対する結晶化促進層として、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃ−Ｈ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｈ、Ｓｉ−Ｎ−Ｈ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ−Ｎ、Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃ−Ｎ−Ｈ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ−Ｈが例示されている。
しかし、本発明者等の実験によれば、これら結晶化促進層を設けることにより高速結晶化は促進されるが、記録マークの形成が充分にできなくなった。また、Ｈ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｏ、Ｎ−Ｈを含有する結晶化促進層では、耐熱性が充分でなかった。そのため光記録媒体への記録パワーを決定するためのテスト記録の際、オーバーパワーで結晶化促進層が破壊されてしまうことがあった。

特開２０００−１８７８４０号公報 特開２００２−３１９１３２号公報 特開２００３−３６５３６号公報 特開２００２−２０８１７６号公報 特開２００２−２６９８５６号公報 特開２００３−９９９８３号公報 特開昭５７−１８６２４４号公報 特開平７−３３６３号公報 特開平９−１５６２２４号公報 特開２０００−２８５５１７号公報 特許第２７４９０８０号公報 特開２００１−２２２８４２号公報 特開平１１−２３８２５３号公報 特開２０００−３３１３７８号公報 特開２０００−３３９７５５号公報 特開２０００−２９８８７５号公報 特開２０００−２９８８７８号公報

本発明は、高温・高湿下での保存信頼性が高く、高温動作が安定し、機械特性良好で、生産性の高い、高速再生又は高速記録可能な光記録媒体の提供を目的とする。

上記課題は、次の１）〜６）の発明によって解決される。
１） 基板、第１保護層、Ｓｂを６９〜９０原子％含む光記録層、第２保護層、Ａｇを９８重量％以上含む光反射層、樹脂保護層及び／又は接着層をこの順に有し、更に第１保護層と記録層の間の第１界面層、記録層と第２保護層の間の第２界面層、第２保護層と光反射層の間の第３界面層のうちの少なくとも一層を有し、第１保護層の膜厚が５５±１０ｎｍの範囲内、光記録層の膜厚が９〜１４ｎｍ、第１、第２界面層の膜厚が２〜７ｎｍ、第３界面層の膜厚が２〜９ｎｍであることを特徴とする光記録媒体。
２） 第１保護層の膜厚が、記録又は再生波長における光記録媒体の反射率が極小値となる第１保護層の膜厚±５ｎｍの範囲内にあることを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３） 第２保護層の膜厚が８〜１４ｎｍであることを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４） 記録又は再生波長における光記録媒体の反射率が１８％以上であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５） 第１保護層、第１界面層、光記録層、第２界面層、第２保護層、第３界面層、光反射層のうちの少なくとも１層を２回以上の製膜で形成することを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の光記録媒体の製造方法。
６） Ｓｂを６９〜９０原子％含む光記録層を、光記録媒体の最高記録線速度の７０〜８５％の線速度で初期化することを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の光記録媒体の製造方法。

以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明の形態の一例を図１に示す。基本的な層構成は図１の通りであり、情報基板上に、第１保護層、第１界面層、光記録層、第２界面層、第２保護層、第３界面層、光反射層、樹脂層及び／又は接着層が、この順に形成されている。貼り合わせ型の光記録媒体の場合には、接着層の上にカバー基板が形成される。第１、第２界面層は、オーバーライト特性向上、初期化プロセスの容易化（結晶化促進）を目的に形成される。第３界面層は、第２保護層としてＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）等の硫黄含有物質を用いた場合に、硫黄と光反射層のＡｇ又はＡｇ合金との化学反応を抑制する目的で形成される。なお、第１〜第３界面層は、３層全部を設ける必要はなく、目的とする性能及び製造設備の制約（スパッタ装置のチャンバー数など）に応じて、少なくとも１層を形成すればよい。また、各層は２回以上の製膜によって形成することもできる。１層を複数回の製膜により作成すれば、複数回の製膜のどこかで製膜異常があった場合にも、他の正常な製膜により補うことができるので、致命的な層の脱落を防止することができる。

本発明者等が鋭意検討した結果、相変化型光記録媒体の高速記録・消去を最大限に能力を引き出すためには、次の（１）（２）が重要であることが分った。
（１）記録層材料の結晶化速度を大きくし、高速消去を実現する。
（２）ディスク構成を超急冷構造とし、高速記録を実現する。
ＤＶＤ線速度４倍（約１４ｍ／ｓ）以上の高速で結晶化できる記録層材料を種々検討した結果、Ｓｂを６９〜９０原子％含む記録層が好適であった。具体的には、Ｓｂを６９〜９０原子％含むＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅなどである。
図２に、これら記録層材料でＤＶＤ＋ＲＷ媒体を作製した場合の、Ｓｂ含有量（原子％）と、ＤＶＤ互換又はＣＤ互換可能とする最小記録マークを記録できる時間の関係を示す。１４ｍ／ｓ以上の高速で記録する場合、最小マークの記録時間は約３０ｎｓになるので、図２から、記録層のＳｂ含有量を６９原子％以上とすることが好適であると分る。また、Ｓｂ含有量を６９原子％以上とすることにより、Ｓｂ含有量が６５原子％の光記録層に比べて、光記録媒体の反射率が３〜５％増大することが分った。その結果、光記録層の膜厚を薄くしても、光記録媒体の反射率が充分に確保できることが分った。
また、保存信頼性を確保するため、Ｓｂ含有量の上限は９０原子％とする。

１４ｍ／ｓ以上の高速で記録する場合、良好な記録品質を得るためには、記録消去時の熱の発生を面方向（時間軸方向）に拡散させない超急冷ディスク構造を実現することが重要になるので、光反射層として熱伝導率の大きなＡｇ又はＡｇ合金を用いることが不可欠である。望ましくは、純度９９．９重量％以上の純銀を利用することが効果的である。
以上のように、光記録層のＳｂ含有量を６９〜９０原子％にし、Ａｇ系反射層を用いることにより、一定の線速度で同一の記録装置でのＤＶＤ線速度１４ｍ／ｓの高密度・高速記録は実現できることが分った。しかしながら、前述したＩＣＯＷやＩＶＯＷでは記録品質の悪化が抑えられなかった。
そこで、これらの課題について鋭意検討した結果、ＩＣＯＷやＩＶＯＷの特徴として、光記録膜の結晶状態がＩＣＯＷやＩＶＯＷの前後で異なるのではないかと推察した。そして詳細な電子顕微鏡観察を行った結果、ＩＣＯＷ及びＩＶＯＷの前後で、結晶の方向性、大きさ、結晶化学種、マーク形状の違いが認められた。この結果を基に、次の（１）（２）について検討した。
（１）初期化プロセスで、記録層のトラック方向（時間軸方向）の結晶粒を極力小さくするための高速初期化
（２）光記録媒体の反射率エンハンス効果を極小にするための第１保護層の膜厚の最適化

表１に、ＩＶＯＷの初期化条件依存性を示す。用いたサンプルは、情報基板（０．６ｍｍ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）５５ｎｍ／ＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（２０モル％）４ｎｍ／Ａｇ_１Ｉｎ_３Ｇｅ_４Ｓｂ_７１Ｔｅ_２１（１２ｎｍ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）１２ｎｍ／ＳｉＣ（４ｎｍ）／Ａｇ（１４０ｎｍ）／樹脂保護層／接着層／カバー基板（０．６ｍｍ）の層構成とした（各層の数値は厚さである）。情報基板には、溝深さ２５ｎｍ、溝底幅０．２５μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの蛇行した案内溝が形成されている。初期化には、ビーム長７５μｍのレーザービームを照射可能な日立コンピュータ機器製の装置を用いた。
ＩＶＯＷは、３．５ｍ／ｓの記録線速度のＤＶＤ＋ＲＷレコーダと、１４ｍ／ｓの記録線速度のＤＶＤ＋ＲＷドライブによるＩＶＯＷとした。目標とするＩＶＯＷのジッタは、再生エラーとならない１１％以下である。

実験の結果、高速、かつ低パワーでの初期化がＩＶＯＷ特性に効果的であることが分った。これは、記録層の結晶成長を極力抑制した結果と考えられる。初期化線速度としては、光記録媒体の最高記録線速度の７０％以上が好適と考えられる。一方、今回のサンプルは、最高記録線速度が１４ｍ／ｓを設定しており、１２ｍ／ｓの高速初期化ではアモルファス部分が生成してしまいＩＶＯＷ以前に初期特性が悪化したと考えられる。初期化線速度は光記録媒体の最高記録線速度の８５％以下が好適と考えられる。また低パワー領域では、ＩＶＯＷは良好であったが、ＩＶＯＷ後のジッタが経時変化する場合が認められた。また１５００ｍＷの高パワー側では、プッシュプル信号の減少が認められた。これらの結果から、今回のサンプルで実用的な初期化条件は、１１ｍ／ｓ、１３００ｍＷと考えられる。以上のように、初期化条件の最適化により、ＩＶＯＷ特性の改善を図れることが分った。

表２に、ＩＣＯＷの光記録媒体の第１保護層膜厚及び記録層膜厚依存性を示す。用いたサンプルは、情報基板（０．６ｍｍ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）／ＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（２０モル％）４ｎｍ／Ａｇ_１Ｉｎ_３Ｇｅ_４Ｓｂ_７１Ｔｅ_２１（１２ｎｍ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）１２ｎｍ／ＳｉＣ（４ｎｍ）／Ａｇ（１４０ｎｍ）／樹脂保護層／接着層／カバー基板（０．６ｍｍ）の層構成とした（各層の数値は厚さである）。情報基板には、溝深さ２５ｎｍ、溝底幅０．２５μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの蛇行した案内溝が形成されている。初期化は、ビーム長７５μｍのレーザービームを照射可能な日立コンピュータ機器製の装置を用い、線速度１１ｍ／ｓ、パワー１３００ｍＷ、送り３７μｍ／ｒで行った。目標とするＩＣＯＷのジッタは、再生エラーとならない１１％以下である。
実験の結果、光記録媒体の反射率が極小となる第１保護層の厚さでＩＣＯＷ特性が最適化されることを見出した。この知見は、これまで開示されたこのとのない事項である。
従来の相変化型光記録媒体の場合、媒体の反射率が極小となる第１保護層の厚さでは、実用に耐えうる反射率（１８％）が得られず、通常１５％位であった。今回、初めて実用に耐え得る反射率が得られたのは、Ｓｂ含有量を６９原子％以上に調整した結果である。光記録層は、Ｓｂ含有量の増大と共に反射率が増大する傾向にあるためと考えられる。また、表２の結果から、ＩＣＯＷに好適な第１保護層の厚さは５５±１０ｎｍの範囲内、好ましくは５５±８ｎｍの範囲内、更に好ましくは５５±５ｎｍの範囲内であった。同様に、ＩＣＯＷ特性を満足する光記録層膜厚は、９〜１４ｎｍと判断される。

更に性能向上について検討した結果、光記録層の片面又は両面に第１、第２界面層を形成することにより、オーバーライト特性が飛躍的に向上することが分った。具体的には、第１又は第２界面層の膜厚が、０、１、２、４、６、７、８、１０ｎｍのとき、オーバーライト可能回数（相対値）は、１０００、５００、２３００、２５００、２５００、２５００、１０００、５００であった。即ち、第1、第２界面層の膜厚は、２ｎｍより薄いと熱の蓄積と急冷のヒートショックで膜が破壊されることがあり、７ｎｍより厚いと熱の蓄積が大きくなり、何れの場合も、オーバーライトの信頼性が不充分になると考えられる。従ってオーバーライトの信頼性と感度のバランスをとると２〜７ｎｍが好適である。この好適な膜厚の存在は、記録速度の遅い相変化型光記録媒体では、顕著な効果は認められなかった。これは、記録速度の遅い相変化型光記録媒体では、記録層の片面又は両面に熱伝導率の小さい薄膜を設けてしまうと、過度の熱蓄積が顕著に現れてしまいオーバーライトの信頼性が不充分になってしまうためと推察される。ＣＤ互換又はＤＶＤ互換の可能な光記録を実現しようとした場合、１４ｍ／ｓ以上の高速での光記録では、最小記録マークの形成に必要な時間は、数十ｎｓとなる。相変化型光記録の場合、マルチパルスで記録するため、最短光パルスは更に短くなり、１０ｎｓ程度の光パルスで記録する必要がある。レーザー発光の立ち上がり・立下がり時間は、数ｎｓ存在し、実効的な記録パワーに大きく影響することになる。
以上のように、１４ｍ／ｓ以上の高速記録では、熱伝導率の小さい厚さ２〜７ｎｍの膜が、記録層の片面又は両面に存在しても、光照射時間が短いため、過度の熱蓄積がなく、かつＡｇ光反射層の急冷効果を損なうことはなかった。より効果的な膜厚は、３〜６ｎｍであり、感度とオーバーライト信頼性をバランスよく確保できる。

第１、第２界面層材料としては、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３等の酸化物；ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物；ＳｉＣ、ＴｉＣ等の炭化物などが利用できる。また、これらの混合物も利用でき、二元系混合物の場合には、８５：１５〜７０：３０モル％の混合が、オーバーライト等による界面層の結晶化、ボイド形成を抑制できるため効果的である。また、より効果的に光記録感度を良くするためには、より熱伝導率の小さい界面層として、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３とＴｉＯ_２の混合物、ＺｒＯ_２、ＺｒＯ_２とＹ_２Ｏ_３の混合物などが効果的である。
第１、第２界面層の製法は、量産性、組成ズレの少ないスパッタリングが効果的である。また、この他の材料でもスパッタ条件により熱伝導率を小さくし、界面層として利用することが可能である。熱伝導率を小さくするためには、低パワー、低真空度で作製することで達成される。
第１、第２界面層を設けることにより、相変化型光記録媒体の製造工程で行われる初期化工程を高速化或いは低パワー化することが可能になる。更に、初期化による結晶化後の反射率の周内分布を低減させ、ジッターの低減や光ビームのトラッキング性能の向上を図ることができ、より高速での記録再生にも効果がある。

更に、上記のＡｇ系光反射層の課題を鋭意検討した結果、光記録媒体の光反射層としてＡｇの特徴である光反射率及び高熱伝導率を確保するためには、９８重量％以上の純度のＡｇを使用することが必要であった。しかし、このような純度の高いＡｇ反射層では高温高湿保存信頼性が充分でなく、Ａｇ反射層の膜はがれや腐食を生じた。このＡｇ反射層の膜はがれや腐食の機構を検討した結果、Ａｇ系光反射層上の樹脂保護層及び／又は接着層を介して浸入した水分（Ｈ_２Ｏ）が、硫黄源、塩素源と共にＡｇと接触し、Ａｇを腐食させることが明らかになった。即ち、腐食は、Ａｇ表面に到達した硫黄源、塩素源が、水分を媒介としてＡｇの粒界を通って浸入していくことにより生じることが分った。
この対策としては、Ａｇとの相溶性に優れるＡｌ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｚｎ、ＮｄをＡｇに添加することが効果的である。添加元素は、酸化防止作用及びＡｇ粒子凝集に伴うボイド発生の抑制作用を有する。

以上のように、Ａｇ系光反射層の信頼性は水分に影響されるため、電気化学的な作用によって損なわれると考えられる。従って、Ａｇ原子の電気的な偏り、分極、イオン化によってＡｇ系光反射層の劣化を生じていると推察される。このような知見を基に、本発明者等は、Ａｇ反射層の信頼性向上を図るには、次の（１）〜（３）が重要であると考えた。
（１）水分との接触を抑制すること
（２）分極・イオン化をしにくい下地にＡｇを形成すること
（３）化学結合よりも物理的な方法による下地との密着力の向上
そして、対策として、次の（１）（２）について検討した。
（１）Ａｇ系光反射層への透湿を抑制する樹脂保護層又は接着層
（２）Ａｇ系光反射層に最適な下地（第３界面層）

透湿を抑制する樹脂保護層又は接着層について、高温高湿度下でのＡｇ系反射層の腐食、膜はがれ等の原因を鋭意検討した結果、Ａｇ系光反射層を被覆する樹脂保護層又は接着層のガラス転移温度に依存することを見出した。樹脂保護層又は接着層の水分透過性や線膨張係数がガラス転移温度以上で大きく増大する。その結果、Ａｇ系反射層の腐食や膜はがれの主要因であるＡｇ表面への水分の到達が促進され、光記録媒体が劣化することが分った。従って、一般的な加速試験上限温度であるディスク温度９０℃まで、Ａｇ反射層の信頼性を確保しようとする場合、Ａｇ系反射層に接する樹脂保護層又は接着層のガラス転移温度を９０℃以上とすることが効果的である。しかし、樹脂保護層又は接着層のガラス転移温度が高すぎると、光記録媒体の曲げ強度が小さくなり、床に落下した際やプラスチックケースから取り出すときに光記録媒体が割れ易くなるという問題を生じる。光記録媒体を割れ難くするためには、Ａｇ系光反射層に接する樹脂保護層又は接着層のガラス転移温度を１８０℃以下、好適には１６５℃以下とすることが望ましい。

また、Ａｇ系光反射層上に樹脂保護層と接着層が両方存在する場合、両層のガラス転移温度の違いが大きいと、熱膨張係数等が大きく異なってしまう。その結果、光記録媒体の変形、そり、チルト、特に周方向の変形、そり、チルトを発生してしまい、１４ｍ／ｓ以上の高速での再生、記録にエラーを発生し易くなる。１４ｍ／ｓ以上の高速での安定した再生、記録を実現するためには、Ａｇ反射層上の樹脂保護層と接着層のガラス転移温度の違いを５０℃以下、望ましくは３０℃以下とするとよい。樹脂保護層と接着層を同一材料とすることも効果的である。
ガラス転移温度とは、樹脂が温度上昇により変化する際、比容、比熱、屈折率、誘電率、拡散定数、弾性率等が急変する温度と定義される。樹脂のガラス転移温度は、樹脂を構成する高分子の出発モノマーの化学構造、その置換基の大きさや極性に起因する分子間力によって制御される。ガラス転移温度Ｔｇは、粘弾性測定装置によって、ｔａｎδの変極点から測定することができる。

次に、Ａｇ系光反射層のための好適な下地となる第３界面層について説明する。
ＺｎＳ・ＳｉＯ_２にはＺｎやＳが含まれており、その表面は電気化学的に活性である。またＳｉＯ_２は、微視的にはＳｉが正、Ｏが負の分極を生じるので水との濡れ性も良好であって水分を保持し易く、Ａｇ系光反射層を形成するには適当でない。従って、本発明者等はＡｇ系光反射層の下地となる第３界面層を形成することを考えた。第３界面層に要求される特性として、次の（１）〜（４）のような観点で材料及び作製条件を検討した。
（１）Ａｇと電気化学的な作用の小さい非金属を採用
（２）Ａｇをイオン化させないために、Ａｇより電気陰性度の小さい構成元素を採用
（３）物理的表面改質をし易くするために結合エネルギーが比較的小さい物質の採用
（４）結晶の粒界を通じて、水分や不純物が移動させないために非晶質物質の採用
上記のような条件を満たす元素としてＳｉが最も好ましいことが分った。Ｓｉは次の（１）〜（３）の物性を有する。
（１）非金属である。
（２）電気陰性度は１．８で、Ａｇの電気陰性度１．９より小さい。
（３）Ｓｉ−Ｓｉの結合エネルギーは、７６ｋｃａｌ／モルで、Ｓｉ−Ｃ（１０４ｋｃａｌ／モル）、Ｓｉ−Ｏ（１９２ｋｃａｌ／モル）、Ｃ−Ｃ（１４４ｋｃａｌ／モル）に比べ小さい。

第３界面層としては、先に述べたようにＳｉが含まれることが好ましい。Ａｇ系光反射層の信頼性を確保するためには、Ｓｉモル濃度を高くすることが効果的であり、Ｓｉの含有量を３５原子％以上とする必要がある。しかし、第３界面層は、熱膨張係数、弾性率、化学反応性などの観点から、第２保護層とのマッチングを考慮しなければならないため、ＳｉにＣ、Ｏ、Ｎなどを添加することも効果的である。好ましい材料としては、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＣにＯを添加した材料が挙げられる。また、他の層に比べて薄膜である第３界面層でも、光記録媒体の光学特性への影響は無視できない。Ｓｉは、信頼性という観点からは良好であるが幾分光吸収を持っており、厚くすると高い反射率を獲得するためにＡｇ系光反射層を設ける意味が無くなってしまう。従って、第３界面層の膜厚は、Ａｇ系光反射層に期待される高反射率、高熱伝導率に大きな影響を与えない膜厚を設定する。また、第２保護層に期待される記録・消去の際の熱変形への柔軟な対応、記録感度のコントール機能、記録層の非晶質を結晶化させる大口径ＬＤによる初期化状態のコントロール機能への悪影響が無い様に設定する。

第３界面層の膜厚は２〜９ｎｍとする。望ましくは３〜７ｎｍである。第３界面層を設けることにより、光記録媒体の基本的な光学設計、熱設計を大幅に変えることなく、Ａｇ系光反射層の信頼性を大幅に改善できる。２ｎｍ以上あれば表面改質層として機能する。しかし、９ｎｍ以上を超えると、表面改質層というよりは、特許文献１３〜１４に開示されているような中間層となってしまい、表面を改質するだけでなく第３界面層そのものの物性が光記録媒体の特性に影響する領域となってくる。特にＤＶＤ記録媒体の場合、９ｎｍを超えると光記録媒体の反射率が１５％を下回り、ＤＶＤプレーヤでの再生可能な割合が９０％を下回ってしまう。即ち、第３界面層を設けることで光学設計、熱設計を大幅に変更する必要を生じてしまう。また、第３界面層自身の内部応力が発生するようになり、ヒートサイクルでクラック等により破壊されてしまうことが分った。
第３界面層の作製方法は、プラズマＣＶＤ、プラズマ処理、イオンプレーティング、光ＣＶＤなどが利用できるが、光記録媒体の作製で汎用されているスパッタが効果的である。その代表的作製条件は、圧力１０^−２〜１０^−４Ｐａ、スパッタ電力０．５〜５．０ｋＷ／２００ｍｍφ、製膜速度０．５〜５．０ｎｍ／ｓである。

基板の材料は、通常ガラス、セラミックス又は樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが，成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
基板の厚さは０．５５〜０．６５ｍｍが好適であり、貼り合わせ後のディスクの厚さは、１．１〜１．３ｍｍが好適である。
また、本発明の光記録媒体をＤＶＤ−ＲＯＭ互換が可能な書き換え型光記録媒体に応用する場合には、基板に次のような特定の条件が付与されることが望ましい。即ち、基板に形成される案内溝の幅が０．１０〜０．４０μｍ、好適には０．１５〜０．３５μｍであり、案内溝の深さが１５〜４５ｎｍ、好適には２０〜４０ｎｍである。これらの基板溝によって、ＤＶＤ−ＲＯＭドライブでの再生互換性が向上する。
また、本発明の光記録媒体をＣＤ−ＲＷ媒体に応用する場合には、案内溝の幅が０．２５〜０．６５μｍ、好適には０．３０〜０．６０μｍ、案内溝の深さが２０〜５０ｎｍ、好適には２５〜４５ｎｍである。

第１保護層及び第２保護層の材料としては、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（１５モル％）、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２５モル％）などのＺｎＳとＳｉＯ_２を含んだ物質が効果的である。ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ，ＺｒＯ_２などの金属酸化物；Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＺｎＳ、ＴａＳ_４などの硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボン；或いはそれらの混合物が効果的である。中でも、熱膨張変化、高温・室温変化の熱ダメージを伴う相変化型光記録層の上下に位置する保護層としては、光学定数、熱膨張係数、弾性率が最適化されているＺｎＳ・ＳｉＯ_２（２０モル％）が望ましい。
第１保護層の膜厚は、反射率、変調度や記録感度に大きく影響する。先に述べたように良好なＩＣＯＷ及びＩＶＯＷ特性を得るためには、第１保護層の膜厚を５５±１０の範囲内ｎｍとすることが好適である。第２保護層の膜厚としては、５〜２５ｎｍ、好適には８〜１４ｎｍとするのが良い。５ｎｍより薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなるし、記録感度の低下を生じる。一方、２５ｎｍより厚くなると、界面剥離を生じ易くなり、繰り返し記録性能も低下する。

光記録層としては、結晶−アモルファス相間の相変化を起こし、それぞれが安定化又は準安定化状態をとることができるＳｂＴｅを含み、その組成比Ｓｂ_χＴｅ_{１００−χ}（χは原子％）が７０≦χ≦９５である相変化型光記録材料が、高密度、高線速度領域で記録したときの信号の再生安定性や信号の寿命（信頼性）に適している。これらを総合的に満足できる相変化型光記録層として、ＳｂＴｅを主成分とするＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ等が商品化されている。しかし、１４ｍ／ｓ以上の高速で記録するためには、組成式を（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧａ及び／又はＢｉ）β（Ｓｂ及び／又はＴｅ）γＭδ（式中、Ｍは添加元素、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００）として、次の条件を満足する相変化型光記録材料が優れている。
０．１≦α≦１５
１≦β≦１５
６９≦γ≦９５
０≦ε≦１０
これらの組成比を満足する領域では、１４ｍ／ｓ以上の高速記録・消去が可能となり、かつ内周と外周で２．４倍の記録速度の異なるＣＡＶ記録を可能とする。
添加元素Ｍとしては、金属Ｓｂより熱伝導率の小さい金属が、高速記録の際に課題となる記録パワーの低減に効果的である。具体的には、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどのランタン系列金属、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｎが挙げられる。Ｍの添加量は１０原子％以下が望ましい。１０原子％を超えると、記録消去特性に影響し、オーバーライト性能が充分でなくなる。

初期化後の未記録状態での結晶構造が等方的である立方格子結晶構造、好適にはＮａＣｌ型結晶構造を有する材料が、同様に等方性が高いと考えられるアモルファス相との間でばらつきの少ない相変化を起こすことができ、記録（アモルファス化）及び消去（結晶化）を高速かつ均一に行なうことができるため適している。
相変化型光記録層の膜厚は、９〜１４ｎｍ、好適には９〜１３ｎｍとするのが良い。更にジッター等の初期特性、オーバーライト特性、量産効率、再生互換性、高温高湿度耐久性を考慮すると、１０〜１２ｎｍとするのが良い。９ｎｍより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を果たさなくなる。また、１４ｎｍより厚いと１４ｍ／ｓ以上の高速記録でのオーバーライト性能が劣ってくる。
このような光記録層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。

樹脂保護層としては、スピンコート法で作製した紫外線硬化型樹脂が好適である。厚さは３〜１５μｍが適当である。３μｍよりも薄くすると、オーバーコート層上に印刷層を設ける場合にエラーの増大が認められることがある。一方、１５μｍよりも厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
ハードコート層を設ける場合には、スピンコート法で作製した紫外線硬化型樹脂が一般的である。厚さは２〜６μｍが適当である。２μｍより薄くすると十分な耐擦傷性が得られない。６μｍより厚くすると内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。ハードコート層の硬度は、布でこすっても大きな傷が付かない鉛筆硬度Ｈ以上とする必要がある。必要に応じて導電性の材料を混入させて帯電防止を図り、埃等の付着を防止することも効果的である。
更に、耐擦傷性の確保、ブランド名などのレーベル印刷、インクジェットプリンタに対するインク受容層の形成などを目的として印刷層を設ける場合には、紫外線硬化型樹脂膜をスクリーン印刷法により形成するのが好適である。厚さは３〜５０μｍが適当である。３μｍより薄くすると、層形成時にムラが生じてしまう。５０μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。

接着層としては、紫外線硬化型樹脂、ホットメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用いることができる。このような接着層の材料は、オーバーコート層又は印刷層上に、材料に応じて、スピンコート、ロールコート、スクリーン印刷法などの方法により塗布し、紫外線照射、加熱、加圧等の処理を行なって反対面のディスクと貼り合わせる。反対面のディスクは、同様の単板ディスクでも透明基板のみでも良く、反対面ディスクの貼り合わせ面については、接着層の材料を塗布してもしなくても良い。また、接着層としては粘着シートを用いることもできる。
接着層の膜厚は特に制限されるものではないが、材料の塗布性、硬化性、ディスクの機械特性の影響を考慮すると５〜１００μｍ、好適には７〜８０μｍである。接着面の範囲も特に制限されるものではないが、ＤＶＤ及び／又はＣＤ互換が可能な書き換え型ディスクに応用する場合、高速記録を可能とするためには、接着強度を確保するために、内周端の位置がΦ１５〜４０ｍｍ、好適にはΦ１５〜３０ｍｍであることが望ましい。

Ａｇ系光反射層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。しかし、光記録媒体の製造方法としては、スパッタリングが望ましい。
Ａｇ系光反射層の膜厚としては、５０〜２００ｎｍ、好適には７０〜１６０ｎｍとするのが良い。また、Ａｇ系光反射層を多層化することも可能である。多層化した場合には、各層の膜厚は少なくとも１０ｎｍ必要であり、多層化膜の合計膜厚は５０〜１６０ｎｍとするのが良い。多層記録層の半透明反射層として利用する際には、１０〜５０ｎｍが好適である。

本発明１によれば、ＩＣＯＷ、ＩＶＯＷに優れ、更に第１及び又は第２界面層を有する場合にはＤＯＷ１０００に優れ、第３界面層を有する場合にはＡｇの耐食性に優れた光記録媒体を提供できる。
本発明２によれば、一層ＩＣＯＷ、ＩＶＯＷに優れた光記録媒体を提供できる。
本発明３によれば、更に特性のバランスのとれた光記録媒体を提供できる。
本発明４によれば、更に再生互換性に優れた光記録媒体を提供できる。
本発明５〜６によれば、優れた特性を有する本発明１〜４の光記録媒体の製造方法を提供できる。

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。

実施例１
溝幅０．２５μｍ、溝深さ２７ｎｍ、ウオブル溝の周期４．２６μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を射出成型し、この基板上に、第１保護層、第１界面層、光記録層、第２保護層、第３界面層、純度９９．９９重量％のＡｇ光反射層を順次スパッタリング法により積層した。第１保護層には厚さ５２ｎｍのＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第１界面層には、厚さ４ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３を用いた。第２保護層には、厚さ１２ｎｍのＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第３界面層には、厚さ４ｎｍのＳｉＣを用いた。光記録層にはＡｇ_０．２Ｇｅ_３．５Ｉｎ_３．５Ｓｂ_７１．４Ｔｅ_２１．４を用い、厚さ１２ｎｍとした。Ａｇ光反射層は、厚さ１４０ｎｍとした。
その結果、ポリカ基板／ＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）５２ｎｍ／Ａｌ_２Ｏ_３（４ｎｍ）／Ａｇ_０．２Ｇｅ_３．５Ｉｎｅ_３．５Ｓｂ_７１．４Ｔｅ_２１．４（１２ｎｍ）／ＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）１２ｎｍ／ＳｉＣ（４ｎｍ）／９９．９９重量％Ａｇ（１４０ｎｍ）という層構成を形成した。
次いで、Ａｇ光反射層上に、室温粘度１２０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度１４９℃となる紫外線硬化型樹脂をスピンコートして樹脂保護層を形成し、相変化型光記録媒体の単板ディスクを作成した。
次いで、ポリカーボネート製の貼り合わせ基板を、室温粘度４５０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度７５℃となる紫外線硬化型接着剤で貼り合わせて光記録媒体を得た。
次に、大口径ＬＤ（ビーム径７５μｍ×１μｍ）を有する日立コンピュータ機器製初期化装置を用いて、線速度１１ｍ／ｓ、電力１３００ｍＷ、送り３８μｍ／ｒで、内周から外周に向けて、線速度一定で光記録層を全面結晶化した。
次に、得られた相変化型光記録媒体に、パルステック製記録再生評価装置ＤＤＵ１０００を用いて、記録線速度１４ｍ／ｓ、波長６５７ｎｍ、ＮＡ０．６５、記録パワー１９．２ｍＷで、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生可能なフォーマットにより光記録した。
その結果、オーバーライト１０００回記録後のデータ・トゥ・クロック・ジッタ（Ｄａｔａ ｔｏ Ｃｌｏｃｋ Ｊｉｔｔｅｒ）が８．６％と良好であった。また、反射率２０％、変調度６５％と信号特性も良好であった。
また、上記オーバーライト１０００回後の記録の上に、３．５ｍ／ｓ、記録パワー１６ｍＷでＩＶＯＷ記録を実施した。
その結果、データ・トゥ・クロック・ジッタが８．５％と良好であった。
更に、この光記録媒体を温度の昇降速度１０℃／時間で、２５℃９５％ＲＨ１２時間−４０℃９５％ＲＨ１２時間の条件で６回のヒートサイクル試験を行った結果、反射率２０％、変調度６３％、外周５８ｍｍのチルト０．４°であり、変化は認められなかった。また、欠陥率の増大も認められなかった。

実施例２
溝幅０．２５μｍ、溝深さ２７ｎｍ、ウオブル溝の周期４．２６μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を射出成型し、この基板上に、第１保護層、第１界面層、光記録層、第２保護層、第３界面層、純度９９．９９重量％のＡｇ光反射層を順次スパッタリング法により積層した。第１保護層には厚さ４５ｎｍのＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第１界面層には、厚さ６ｎｍのＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第２保護層には、厚さ８ｎｍのＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第３界面層には、厚さ４ｎｍのＳｉＣを用いた。光記録層にはＡｇ_０．２Ｇｅ_３．５Ｉｎｅ_３．５Ｓｂ_７１．４Ｔｅ_２１．４を用い、厚さ９ｎｍとした。Ａｇ光反射層は、厚さ１４０ｎｍとした。
その結果、ポリカ基板／ＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）４５ｎｍ／ＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（２０モル％）６ｎｍ／Ａｇ_０．２Ｇｅ_３．５Ｉｎｅ_３．５Ｓｂ_７１．４Ｔｅ_２１．４（９ｎｍ）／ＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（２０モル％）６ｎｍ／ＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）８ｎｍ／ＳｉＣ（４ｎｍ）／９９．９９重量％Ａｇ（１４０ｎｍ）という層構成を形成した。
次いで、Ａｇ光反射層上に、室温粘度１２０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度１４９℃となる紫外線硬化型樹脂をスピンコートして樹脂保護層を形成し、相変化型光記録媒体の単板ディスクを作成した。
次いで、ポリカーボネート製の貼り合わせ基板を、室温粘度４５０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度７５℃となる紫外線硬化型接着剤で貼り合わせて光記録媒体を得た。
次に、大口径ＬＤ（ビーム径７５μｍ×１μｍ）を有する日立コンピュータ機器製初期化装置を用いて、線速度１１ｍ／ｓ、電力１３００ｍＷ、送り３８μｍ／ｒで、内周から外周に向けて、線速度一定で光記録層を全面結晶化した。
次に、得られた相変化型光記録媒体に、パルステック製記録再生評価装置ＤＤＵ１０００を用いて、記録線速度１４ｍ／ｓ、波長６５７ｎｍ、ＮＡ０．６５、記録パワー１９．２ｍＷで、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生可能なフォーマットで光記録した。
その結果、オーバーライト１０００回記録後のデータ・トゥ・クロック・ジッタが８．６％と良好であった。また、反射率１９％、変調度６８％と信号特性も良好であった。
また、上記オーバーライト１０００回後の記録の上に、３．５ｍ／ｓ、記録パワー１６ｍＷでＩＶＯＷ記録を実施した。
その結果、データ・トゥ・クロック・ジッタが８．８％と良好であった。

実施例３
溝幅０．２５μｍ、溝深さ２７ｎｍ、ウオブル溝の周期４．２６μｍの案内溝を有する０．６ｍｍ厚ポリカーボネート基板を射出成型し、この基板上に、第１保護層、第１界面層、光記録層、第２保護層、第３界面層、純度９９．９９重量％のＡｇ光反射層を順次スパッタリング法により積層した。第１保護層には厚さ６５ｎｍのＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第１界面層には、厚さ２ｎｍのＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第２保護層には、厚さ１４ｎｍのＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第３界面層には、厚さ３ｎｍのＳｉＣを用いた。光記録層にはＡｇ_０．５Ｇｅ_３．５Ｉｎ_３．５Ｓｂ_７２．４Ｔｅ_２０．１を用い、厚さ１４ｎｍとした。Ａｇ光反射層は、厚さ１４０ｎｍとした。
その結果、ポリカ基板／ＺｎＳＳｉＯ_２２（２０モル％）４６ｎｍ／ＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（２０モル％）６ｎｍ／Ａｇ_０．５Ｇｅ_３．５Ｉｎｅ_３．５Ｓｂ_７２．４Ｔｅ_２０．１（１４ｎｍ）／ＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）１４ｎｍ／ＳｉＣ（４ｎｍ）／９９．９９重量％Ａｇ（１４０ｎｍ）という層構成を形成した。
次いで、Ａｇ光反射層上に、室温粘度１２０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度１４９℃となる紫外線硬化型樹脂をスピンコートして樹脂保護層を形成し、相変化型光記録媒体の単板ディスクを作成した。
次いで、ポリカーボネート製の貼り合わせ基板を、室温粘度４５０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度７５℃となる紫外線硬化型接着剤で貼り合わせて光記録媒体を得た。
次に、大口径ＬＤ（ビーム径７５μｍ×１μｍ）を有する日立コンピュータ機器製初期化装置を用いて、線速度１１ｍ／ｓ、電力１３００ｍＷ、送り３８μｍ／ｒで、内周から外周に向けて、線速度一定で光記録層を全面結晶化した。
次に、得られた相変化型光記録媒体に、パルステック製記録再生評価装置ＤＤＵ１０００を用いて、記録線速度１４ｍ／ｓ、波長６５７ｎｍ、ＮＡ０．６５、記録パワー１９．２ｍＷで、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生可能なフォーマットで光記録した。
その結果、オーバーライト１０００回記録後のデータ・トゥ・クロック・ジッタが８．９％と良好であった。また、反射率２１％、変調度６３％と信号特性も良好であった。
また、上記オーバーライト１０００回後の記録の上に、３．５ｍ／ｓ、記録パワー１６ｍＷでＩＶＯＷ記録を実施した。
その結果、データ・トゥ・クロック・ジッタが８．９％と良好であった。

実施例４
溝幅０．２５μｍ、溝深さ２７ｎｍ、ウオブル溝の周期４．２６μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を射出成型し、この基板上に、第１保護層、第１界面層、光記録層、第２保護層、第３界面層、純度９９．９９重量％のＡｇ光反射層を順次スパッタリング法により積層した。第１保護層には厚さ６５ｎｍのＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第１界面層には、厚さ２ｎｍのＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第２保護層には、厚さ１４ｎｍのＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）を用いた。第３界面層には、厚さ３ｎｍのＳｉＣを用いた。光記録層にはＧａ_１５Ｇｅ_３Ｓｂ_７０Ｓｎ_１２を用い、厚さ１４ｎｍとした。Ａｇ光反射層は、厚さ１４０ｎｍとした。
その結果、ポリカ基板／ＺｎＳＳｉＯ_２２（２０モル％）４６ｎｍ／ＺｒＯ_２・ＴｉＯ_２（２０モル％）６ｎｍ／Ｇａ_１５Ｇｅ_３Ｓｂ_７０Ｓｎ_１２（１４ｎｍ）／ＺｎＳＳｉＯ_２（２０モル％）１４ｎｍ／ＳｉＣ（４ｎｍ）／９９．９９重量％Ａｇ（１４０ｎｍ）という層構成を形成した。
次いで、Ａｇ光反射層上に、室温粘度１２０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度１４９℃となる紫外線硬化型樹脂をスピンコートして樹脂保護層を形成し、相変化型光記録媒体の単板ディスクを作成した。
次いで、ポリカーボネートの貼り合わせ基板を、室温粘度４５０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度７５℃となる紫外線硬化型接着剤で貼り合わせて光記録媒体を得た。
次に、大口径ＬＤ（ビーム径７５μｍ×１μｍ）を有する日立コンピュータ機器製初期化装置を用いて、線速度１１ｍ／ｓ、電力１３００ｍＷ、送り３８μｍ／ｒで、内周から外周に向けて、線速度一定で光記録層を全面結晶化した。
次に、得られた相変化型光記録媒体に、パルステック製記録再生評価装置ＤＤＵ１０００を用いて、記録線速度２８ｍ／ｓ、波長６５７ｎｍ、ＮＡ０．６５、記録パワー３０ｍＷで、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生可能なフォーマットで光記録した。
その結果、オーバーライト１０００回記録後のデータ・トゥ・クロック・ジッタが８．９％と良好であった。また、反射率２１％、変調度６３％と信号特性も良好であった。
また、上記オーバーライト１０００回後の記録の上に、１４ｍ／ｓ、記録パワー２２ｍＷでＩＶＯＷ記録を実施した。
その結果、データ・トゥ・クロック・ジッタが８．９％と良好であった。

本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す図。 Ｓｂ含有量（原子％）と、ＤＶＤ互換又はＣＤ互換可能とする最小記録マークを記録できる時間の関係を示す図。

Claims (6)

1. 基板、第１保護層、Ｓｂを６９〜９０原子％含む光記録層、第２保護層、Ａｇを９８重量％以上含む光反射層、樹脂保護層及び／又は接着層をこの順に有し、更に第１保護層と記録層の間の第１界面層、記録層と第２保護層の間の第２界面層、第２保護層と光反射層の間の第３界面層のうちの少なくとも一層を有し、第１保護層の膜厚が５５±１０ｎｍの範囲内、光記録層の膜厚が９〜１４ｎｍ、第１、第２界面層の膜厚が２〜７ｎｍ、第３界面層の膜厚が２〜９ｎｍであることを特徴とする光記録媒体。
2. 第１保護層の膜厚が、記録又は再生波長における光記録媒体の反射率が極小値となる第１保護層の膜厚±５ｎｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
3. 第２保護層の膜厚が８〜１４ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
4. 記録又は再生波長における光記録媒体の反射率が１８％以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
5. 第１保護層、第１界面層、光記録層、第２界面層、第２保護層、第３界面層、光反射層のうちの少なくとも１層を２回以上の製膜で形成することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体の製造方法。
6. Ｓｂを６９〜９０原子％含む光記録層を、光記録媒体の最高記録線速度の７０〜８５％の線速度で初期化することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体の製造方法。
   

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