JP2000331378A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
- Publication number
- JP2000331378A JP2000331378A JP11139251A JP13925199A JP2000331378A JP 2000331378 A JP2000331378 A JP 2000331378A JP 11139251 A JP11139251 A JP 11139251A JP 13925199 A JP13925199 A JP 13925199A JP 2000331378 A JP2000331378 A JP 2000331378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silver
- heat radiation
- contact
- protective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのような相変化記
録型光ディスクの記録膜を成膜する時に、基板温度上昇
を押さえて、良好な機械特性の光ディスクを製造できる
ような記録膜構成の光ディスクの提供。 【解決手段】 基板上の記録膜が、下部保護層／相変化
記録層／多層の上部保護層／銀を主成分とする反射放熱
層を有する構成であって、かつ前記反射放熱層と接触す
る上部保護層が硫黄を含まない誘電体であることを特徴
とする光ディスク。
録型光ディスクの記録膜を成膜する時に、基板温度上昇
を押さえて、良好な機械特性の光ディスクを製造できる
ような記録膜構成の光ディスクの提供。 【解決手段】 基板上の記録膜が、下部保護層／相変化
記録層／多層の上部保護層／銀を主成分とする反射放熱
層を有する構成であって、かつ前記反射放熱層と接触す
る上部保護層が硫黄を含まない誘電体であることを特徴
とする光ディスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】記録型光ディスクのうち、ＣＤ−ＲＷの
ような相変化型記録ディスクは、一般にプラスチック基
板／ＺｎＳ−ＳｉＯ２／カルコゲン系相変化記録媒体／
ＺｎＳ−ＳｉＯ２／Ａｌ系合金のような４層構成の膜構
成を持っている。
ような相変化型記録ディスクは、一般にプラスチック基
板／ＺｎＳ−ＳｉＯ２／カルコゲン系相変化記録媒体／
ＺｎＳ−ＳｉＯ２／Ａｌ系合金のような４層構成の膜構
成を持っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】相変化記録型光ディス
クの生産をより高速化しようとした場合、薄膜形成時の
スパッタ電力を上げることになる。スパッタ電力を上げ
ると基板の温度上昇が著しく、基板が反ってしまい、記
録再生できなくなってしまうという問題がある。最近、
記録密度を高めるため、基板の厚さを薄くしたＤＶＤ系
の記録ディスクも出現しつつあるが、これらの基板はさ
らに熱に弱い。本発明は、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷの
ような相変化記録型光ディスクの記録膜を成膜する時
に、基板温度上昇を押さえて、良好な機械特性の光ディ
スクを製造できるような記録膜構成を得ることを目的と
する。
クの生産をより高速化しようとした場合、薄膜形成時の
スパッタ電力を上げることになる。スパッタ電力を上げ
ると基板の温度上昇が著しく、基板が反ってしまい、記
録再生できなくなってしまうという問題がある。最近、
記録密度を高めるため、基板の厚さを薄くしたＤＶＤ系
の記録ディスクも出現しつつあるが、これらの基板はさ
らに熱に弱い。本発明は、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷの
ような相変化記録型光ディスクの記録膜を成膜する時
に、基板温度上昇を押さえて、良好な機械特性の光ディ
スクを製造できるような記録膜構成を得ることを目的と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクは、
基板上の記録膜が、下部保護層／相変化記録層／多層の
上部保護層／銀を主成分とする反射放熱層を有する構成
であって、かつ前記反射放熱層と接触する上部保護層が
硫黄を含まない誘電体であることを特徴とする。この結
果、前記多層の上部保護層が２層である場合には、本発
明の記録型光ディスクの構造は、基板／下部保護層／相
変化記録層／上部誘電体その１／上部誘電体その２／Ａ
ｇ系合金反射放熱層のような構成となる。
基板上の記録膜が、下部保護層／相変化記録層／多層の
上部保護層／銀を主成分とする反射放熱層を有する構成
であって、かつ前記反射放熱層と接触する上部保護層が
硫黄を含まない誘電体であることを特徴とする。この結
果、前記多層の上部保護層が２層である場合には、本発
明の記録型光ディスクの構造は、基板／下部保護層／相
変化記録層／上部誘電体その１／上部誘電体その２／Ａ
ｇ系合金反射放熱層のような構成となる。
【０００５】反射放熱層としては、ＡｇあるいはＡｇを
主成分とするＡｇ系合金が用いられる。このようなＡｇ
系材料を用いることにより、Ａｇは、熱伝導がＡｌより
優れているために、Ａｌと同じ放熱効果を得るのに反射
放熱層は薄くて良い。さらにＡｇは同一電力でのスパッ
タレートがＡｌの３倍速い。このため、より薄い薄膜の
放熱層を、より速く成膜でき、薄膜形成時の基板の温度
上昇が抑えられる。
主成分とするＡｇ系合金が用いられる。このようなＡｇ
系材料を用いることにより、Ａｇは、熱伝導がＡｌより
優れているために、Ａｌと同じ放熱効果を得るのに反射
放熱層は薄くて良い。さらにＡｇは同一電力でのスパッ
タレートがＡｌの３倍速い。このため、より薄い薄膜の
放熱層を、より速く成膜でき、薄膜形成時の基板の温度
上昇が抑えられる。
【０００６】ただＡｇあるいはＡｇを主成分とするＡｇ
系合金は硫黄と接触すると硫化して変化するので、前記
上部誘電体保護層を多層とし、Ａｇ系反射放熱層と接触
する上部誘電体保護層を硫黄を含まない誘電体層とする
ことにより、Ａｇ系反射放熱層のＡｇが硫化するのを防
止して、Ａｇ系材料でも良好な保存信頼性を得ることが
できる。
系合金は硫黄と接触すると硫化して変化するので、前記
上部誘電体保護層を多層とし、Ａｇ系反射放熱層と接触
する上部誘電体保護層を硫黄を含まない誘電体層とする
ことにより、Ａｇ系反射放熱層のＡｇが硫化するのを防
止して、Ａｇ系材料でも良好な保存信頼性を得ることが
できる。
【０００７】前記の硫黄を含まない誘電体を構成する材
料としては、ＡｌＮ、ＳｉＮｘ、ＳｉＡｌＮ、ＴｉＮ、
ＢＮおよびＴａＮよりなる群から選ばれた少なくとも１
種の窒化物、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、
ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＣｅＯ ２、ＣａＯ、Ｔａ２Ｏ５、
ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３およびＳｎＯ２よりなる群から選ば
れた少なくとも１種の酸化物あるいはＷＣ、ＭｏＣ、Ｔ
ｉＣおよびＳｉＣよりなる群から選ばれた少なくとも１
種の炭化物が挙げられる。
料としては、ＡｌＮ、ＳｉＮｘ、ＳｉＡｌＮ、ＴｉＮ、
ＢＮおよびＴａＮよりなる群から選ばれた少なくとも１
種の窒化物、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、
ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＣｅＯ ２、ＣａＯ、Ｔａ２Ｏ５、
ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３およびＳｎＯ２よりなる群から選ば
れた少なくとも１種の酸化物あるいはＷＣ、ＭｏＣ、Ｔ
ｉＣおよびＳｉＣよりなる群から選ばれた少なくとも１
種の炭化物が挙げられる。
【０００８】また、反射放熱層と接触しない上部保護層
および下部保護層を構成する材料としては、光ディスク
の保護層を構成する材料として通常用いられているもの
が挙げられるが、特にＺｎＳ−ＳｉＯ２が好ましい。
および下部保護層を構成する材料としては、光ディスク
の保護層を構成する材料として通常用いられているもの
が挙げられるが、特にＺｎＳ−ＳｉＯ２が好ましい。
【０００９】本発明に係わる光ディスクの基本的な構成
を図１に基づいて説明する。図１に示すように、この光
ディスクはプラスチック基板１上に順次形成された、下
部誘電体保護層２、相変化型記録層３、上部誘電体保護
層４、上部誘電体保護層５、反射放熱層６、樹脂接着層
７、貼り合わせ用ダミー基板８から構成されている。た
だし、本図のものは基板としてプラスチック基板を用い
たが、基板材料としてはプラスチック基板に限定される
ものではない。
を図１に基づいて説明する。図１に示すように、この光
ディスクはプラスチック基板１上に順次形成された、下
部誘電体保護層２、相変化型記録層３、上部誘電体保護
層４、上部誘電体保護層５、反射放熱層６、樹脂接着層
７、貼り合わせ用ダミー基板８から構成されている。た
だし、本図のものは基板としてプラスチック基板を用い
たが、基板材料としてはプラスチック基板に限定される
ものではない。
【００１０】本発明の光ディスクの特徴は、上部誘電体
保護層を多層化し、反射層側の上部保護層を構成する誘
電体が硫黄を含まず、かつ反射放熱層６がＡｇあるいは
Ａｇを主成分とするＡｇ系合金であるため、反射放熱層
の成膜時間は従来のＡｌ系合金を用いる場合より３分の
１程度することができる。
保護層を多層化し、反射層側の上部保護層を構成する誘
電体が硫黄を含まず、かつ反射放熱層６がＡｇあるいは
Ａｇを主成分とするＡｇ系合金であるため、反射放熱層
の成膜時間は従来のＡｌ系合金を用いる場合より３分の
１程度することができる。
【００１１】記録層を構成する材料としては、相変化記
録層を構成する材料として通常用いられているものが挙
げられ、例えばカルコゲン材料がある。
録層を構成する材料として通常用いられているものが挙
げられ、例えばカルコゲン材料がある。
【００１２】本発明の光ディスクの記録層の各層の膜厚
は、光学的、熱的特性から最適化されたものを採用され
るが、６３５ｎｍの光を用いるＤＶＤ系メディアの場
合、下部誘電体保護層２として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のよ
うな屈折率２付近の誘電体を用いる場合、５０〜２５０
ｎｍ程度、好ましくは５０〜８０ｎｍまたは１６０〜２
２０ｎｍ程度である。相変化型記録層３は熱的な理由で
急冷構造の方がマーク形成がきれいにできやすいため、
カルコゲン系、例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴ
ｅ系などの場合には、８〜３０ｎｍ、好ましくは１３〜
２２ｎｍ程度である。上部誘電体層４、５も放熱層へ熱
を導かねばならないのであまり厚くすることはできな
い。合計で７〜６０ｎｍ程度、望ましくは１０〜３０ｎ
ｍ程度が好ましい。反射放熱層は反射率が飽和するのは
８０ｎｍ以下で良いが、放熱性をよくしてくり返し書き
換えの信頼性を向上させるためには１００〜２００ｎｍ
が好ましい。
は、光学的、熱的特性から最適化されたものを採用され
るが、６３５ｎｍの光を用いるＤＶＤ系メディアの場
合、下部誘電体保護層２として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のよ
うな屈折率２付近の誘電体を用いる場合、５０〜２５０
ｎｍ程度、好ましくは５０〜８０ｎｍまたは１６０〜２
２０ｎｍ程度である。相変化型記録層３は熱的な理由で
急冷構造の方がマーク形成がきれいにできやすいため、
カルコゲン系、例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴ
ｅ系などの場合には、８〜３０ｎｍ、好ましくは１３〜
２２ｎｍ程度である。上部誘電体層４、５も放熱層へ熱
を導かねばならないのであまり厚くすることはできな
い。合計で７〜６０ｎｍ程度、望ましくは１０〜３０ｎ
ｍ程度が好ましい。反射放熱層は反射率が飽和するのは
８０ｎｍ以下で良いが、放熱性をよくしてくり返し書き
換えの信頼性を向上させるためには１００〜２００ｎｍ
が好ましい。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。
【００１４】実施例１ プラスチック基板として厚さが０．６ｍｍのポリカーボ
ネート基板とポリオレフィン基板とを用意した。これら
の基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて表１に示
す各記録媒体を成膜した。この場合、反射放熱層は純Ａ
ｇで構成した。得られた記録型光ディスクを８０℃８５
％ＲＨに１０００時間保持した後、ビットエラーレート
（ＢＥＲ）を測定した。ＢＥＲが初期値の２倍以上とな
った場合を寿命終止と定義した。
ネート基板とポリオレフィン基板とを用意した。これら
の基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて表１に示
す各記録媒体を成膜した。この場合、反射放熱層は純Ａ
ｇで構成した。得られた記録型光ディスクを８０℃８５
％ＲＨに１０００時間保持した後、ビットエラーレート
（ＢＥＲ）を測定した。ＢＥＲが初期値の２倍以上とな
った場合を寿命終止と定義した。
【００１５】実施例２ プラスチック基板として厚さが０．６ｍｍのポリカーボ
ネート基板とポリオレフィン基板とを用意した。これら
の基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて表２に示
す各記録媒体を成膜した。この場合、上部誘電体その２
をＳｉＮｘまたはＡｌ２Ｏ３とした。得られた記録型光
ディスクを８０℃８５％ＲＨに１０００時間保持した
後、ビットエラーレート（ＢＥＲ）を測定した。ＢＥＲ
が初期値の２倍以上となった場合を寿命終止と定義し
た。
ネート基板とポリオレフィン基板とを用意した。これら
の基板上にマグネトロンスパッタ装置を用いて表２に示
す各記録媒体を成膜した。この場合、上部誘電体その２
をＳｉＮｘまたはＡｌ２Ｏ３とした。得られた記録型光
ディスクを８０℃８５％ＲＨに１０００時間保持した
後、ビットエラーレート（ＢＥＲ）を測定した。ＢＥＲ
が初期値の２倍以上となった場合を寿命終止と定義し
た。
【００１６】前記各実施例の光ディスクの検査結果を下
表１、２、３および４に示す。下表１、２、３および４
において、 膜厚は固定：２０ｎｍの下部誘電体保護層、相変化型記
録層、１２ｎｍの記録層と接触する上部誘電体保護層そ
の１、１０ｎｍの反射放熱層と接触する上部誘電体保護
層その２、 反射放熱層：１００ｎｍ 寿命：ディスク全面のビットエラーレートが初期値の２
倍となった時間が８０℃８５％相対湿度保存にて１００
０時間以上を○とする。８００時間程度もつものを△と
した。 評価条件：６３５ｎｍ ＮＡ０．６０ 線速３．５ｍ／
ｓ 記録密度０．４μｍ／ｂｉｔ 反射層成膜速度：Ａｌのスパッタレートの２倍以上を○
とした。 基板 ＰＣ：ポリカーボネート、ＰＯ：ポリオレフィン 組成表示は重量％である。
表１、２、３および４に示す。下表１、２、３および４
において、 膜厚は固定：２０ｎｍの下部誘電体保護層、相変化型記
録層、１２ｎｍの記録層と接触する上部誘電体保護層そ
の１、１０ｎｍの反射放熱層と接触する上部誘電体保護
層その２、 反射放熱層：１００ｎｍ 寿命：ディスク全面のビットエラーレートが初期値の２
倍となった時間が８０℃８５％相対湿度保存にて１００
０時間以上を○とする。８００時間程度もつものを△と
した。 評価条件：６３５ｎｍ ＮＡ０．６０ 線速３．５ｍ／
ｓ 記録密度０．４μｍ／ｂｉｔ 反射層成膜速度：Ａｌのスパッタレートの２倍以上を○
とした。 基板 ＰＣ：ポリカーボネート、ＰＯ：ポリオレフィン 組成表示は重量％である。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【表３】
【００２０】
【表４】
【００２１】前表からわかるように反射放熱層と接触す
る上部誘電体層その２に硫黄を含まない誘電体を用いた
ディスクは、上部誘電体がＺｎＳ−ＳｉＯ２の１層であ
る場合に比べ耐久性が増していることがわかる。なお、
上部誘電体その２はＡｌ２Ｏ ３などの式で示しているが
成膜条件によっては、必ずしも化学量論組成に一致する
ものではない。しかし、化学的に安定な化学量論組成近
傍で良い効果が得られる。
る上部誘電体層その２に硫黄を含まない誘電体を用いた
ディスクは、上部誘電体がＺｎＳ−ＳｉＯ２の１層であ
る場合に比べ耐久性が増していることがわかる。なお、
上部誘電体その２はＡｌ２Ｏ ３などの式で示しているが
成膜条件によっては、必ずしも化学量論組成に一致する
ものではない。しかし、化学的に安定な化学量論組成近
傍で良い効果が得られる。
【００２２】さらに前表からはＡｇ反射層にＰｄやＲ
ｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕなどを添加すると更に耐久
性が向上することが分かる。また、基板の反りは、Ａｇ
系の反射放熱膜を用いた場合は、小さいのに対し、Ａｌ
系反射放熱膜を用いた場合は反りは大きくなっている。
ｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕなどを添加すると更に耐久
性が向上することが分かる。また、基板の反りは、Ａｇ
系の反射放熱膜を用いた場合は、小さいのに対し、Ａｌ
系反射放熱膜を用いた場合は反りは大きくなっている。
【００２３】
【効果】本発明の光ディスクは、反射放熱層にＡｌを用
いた場合に比べてより速くディスクをスパッタ成膜で
き、温度上昇が小さいため反りも小さい。また、Ａｇの
劣化が硫黄を含まない保護層の存在により、抑制されて
いる。
いた場合に比べてより速くディスクをスパッタ成膜で
き、温度上昇が小さいため反りも小さい。また、Ａｇの
劣化が硫黄を含まない保護層の存在により、抑制されて
いる。
【図１】本発明の光記録ディスクの１実施例の断面図を
示す。
示す。
１ 基板 ２ 下部誘電体保護層 ３ 相変化型記録層 ４ 上部誘電体保護層その１ ５ 上部誘電体保護層その２ ６ 反射放熱層 ７ 樹脂接着層 ８ 貼り合わせ用基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 花岡 克成 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 5D029 LA11 LA14 LA16 LB03 LB11
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上の記録膜が、下部保護層／相変化
記録層／多層の上部保護層／銀を主成分とする反射放熱
層を有する構成であって、かつ前記反射放熱層と接触す
る上部保護層が硫黄を含まない誘電体であることを特徴
とする光ディスク。 - 【請求項２】 相変化記録層と接触する下部保護層およ
び上部保護層がＺｎＳ−ＳｉＯ２である請求項1記載の
光ディスク。 - 【請求項３】 反射放熱層と接触する上部保護層がＡｌ
Ｎ、ＳｉＮｘ、ＳｉＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮおよびＴａＮ
よりなる群から選ばれた少なくとも１種の窒化物である
請求項１〜２のいずれかに記載の光ディスク。 - 【請求項４】 反射放熱層と接触する上部保護層がＡｌ
２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ
３、ＣｅＯ２、ＣａＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ
３およびＳｎＯ２よりなる群から選ばれた少なくとも１
種の酸化物である請求項１〜２のいずれかに記載の光デ
ィスク。 - 【請求項５】 反射放熱層と接触する上部保護層がＷ
Ｃ、ＭｏＣ、ＴｉＣおよびＳｉＣよりなる群から選ばれ
た少なくとも１種の炭化物である請求項１〜２のいずれ
かに記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11139251A JP2000331378A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11139251A JP2000331378A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331378A true JP2000331378A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15240971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11139251A Pending JP2000331378A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331378A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003044788A1 (en) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| KR100478374B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2005-03-23 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 광정보 기록 매체용 반사층, 광정보 기록 매체 및 광정보기록 매체의 반사층용 스퍼터링 타깃 |
| US7169533B2 (en) * | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
| US7241549B2 (en) * | 2001-09-18 | 2007-07-10 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium |
| US7245580B2 (en) | 2002-03-07 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium having protective and/or adhesive layers, and method of manufacture |
| JP2008234718A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Tdk Corp | 情報媒体 |
-
1999
- 1999-05-19 JP JP11139251A patent/JP2000331378A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100478374B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2005-03-23 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 광정보 기록 매체용 반사층, 광정보 기록 매체 및 광정보기록 매체의 반사층용 스퍼터링 타깃 |
| US7169533B2 (en) * | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
| US7241549B2 (en) * | 2001-09-18 | 2007-07-10 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium |
| WO2003044788A1 (en) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US6921568B2 (en) | 2001-11-22 | 2005-07-26 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JP5150999B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2013-02-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体 |
| US7245580B2 (en) | 2002-03-07 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium having protective and/or adhesive layers, and method of manufacture |
| JP2008234718A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Tdk Corp | 情報媒体 |
| JP4711143B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2011-06-29 | Ｔｄｋ株式会社 | 情報媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4059714B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2004139690A (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JP2004273067A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4249590B2 (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| EP1345218B1 (en) | Optical information recording medium and manufacturing method and recording/reproducing method for the same | |
| TWI304210B (ja) | ||
| TW200809845A (en) | Optical recording medium, and method for initializing the optical recording medium | |
| JP2000331378A (ja) | 光ディスク | |
| JP2003162821A (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
| JP2008305529A (ja) | 光情報記録媒体及び光情報記録媒体の製造方法 | |
| JP4357144B2 (ja) | 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット | |
| JP3032600B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP3908682B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、並びにその記録再生方法 | |
| JP2006095821A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2006294219A (ja) | 相変化型光情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP2003335064A (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JP2004111016A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP4070491B2 (ja) | 光記録媒体とその製造方法 | |
| JPH0558047A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| US20060210760A1 (en) | Phase change type optical information recording medium | |
| JP2954731B2 (ja) | 情報記録媒体及びそれを用いる情報記録方法 | |
| JP2003272229A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JPH05159363A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2006202447A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2007066428A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040322 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040803 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041007 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041102 |