JPH10106025A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH10106025A JPH10106025A JP8254301A JP25430196A JPH10106025A JP H10106025 A JPH10106025 A JP H10106025A JP 8254301 A JP8254301 A JP 8254301A JP 25430196 A JP25430196 A JP 25430196A JP H10106025 A JPH10106025 A JP H10106025A
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- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
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- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化材料層２を記録層とする光記録媒体に
おいて、書き込み光の線速に依らず、ピットの書き換え
が繰り返し良好に行えるようにする。 【解決手段】 相変化材料層２に、結晶化を抑制するた
めに添加する添加物の量を、書き込み時の線速との兼ね
合いで規制する。
おいて、書き込み光の線速に依らず、ピットの書き換え
が繰り返し良好に行えるようにする。 【解決手段】 相変化材料層２に、結晶化を抑制するた
めに添加する添加物の量を、書き込み時の線速との兼ね
合いで規制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化材料層を記
録層として用いる光記録媒体に関し、特に各種線速に対
応できる光記録媒体に関する。
録層として用いる光記録媒体に関し、特に各種線速に対
応できる光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、記録可能型の光ディスクとして、
相変化材料層を記録層として用いる相変化タイプのもの
が提案されている。この相変化タイプの光ディスクは、
例えば、透明基板上に、相変化材料層、保護層及び反射
層が形成されて構成される。
相変化材料層を記録層として用いる相変化タイプのもの
が提案されている。この相変化タイプの光ディスクは、
例えば、透明基板上に、相変化材料層、保護層及び反射
層が形成されて構成される。
【０００３】このような光ディスクでは、初期状態で相
変化材料層が結晶状態を呈しており、書き込み光を照射
することによって相変化材料層の微小領域が液相化す
る。そして、この液相化した部分が書き込み光の移動に
よって急冷され、非晶質化することによってピットが形
成される。非晶質化によって形成されたピットは、結晶
状態の領域に比べて反射率が低いので、この反射率差を
検出することで情報信号として再生されることになる。
変化材料層が結晶状態を呈しており、書き込み光を照射
することによって相変化材料層の微小領域が液相化す
る。そして、この液相化した部分が書き込み光の移動に
よって急冷され、非晶質化することによってピットが形
成される。非晶質化によって形成されたピットは、結晶
状態の領域に比べて反射率が低いので、この反射率差を
検出することで情報信号として再生されることになる。
【０００４】ここで、このような光ディスクへの記録方
式としては、ピットポジション記録方式とマーク長記録
方式とが提案されている。
式としては、ピットポジション記録方式とマーク長記録
方式とが提案されている。
【０００５】このうちピットポジション記録方式では、
元信号のデータ１に対応した位置に記録ピットを形成す
る方法であり、ピットが比較的安定な形状で形成できる
ことから一般に用いられている。
元信号のデータ１に対応した位置に記録ピットを形成す
る方法であり、ピットが比較的安定な形状で形成できる
ことから一般に用いられている。
【０００６】一方、ピット長記録方式では、元信号にお
けるデータの反転位置、すなわちデータ０からデータ１
に変わった位置、あるいはデータ１からデータ０に変わ
った位置がピットのエッジ位置と一致するように記録ピ
ットを形成する。このピット長記録方式は、記録材料に
よってはピットの後端と前端で形状が異なることがある
もののピットポジション記録方式に比べて高密度化に有
利であることから、相変化タイプの光ディスクではこの
方式の採用が検討されている。
けるデータの反転位置、すなわちデータ０からデータ１
に変わった位置、あるいはデータ１からデータ０に変わ
った位置がピットのエッジ位置と一致するように記録ピ
ットを形成する。このピット長記録方式は、記録材料に
よってはピットの後端と前端で形状が異なることがある
もののピットポジション記録方式に比べて高密度化に有
利であることから、相変化タイプの光ディスクではこの
方式の採用が検討されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
にピットを書き込む際の書き込み光の線速は、その用途
に応じて各種速度が設定される。例えばコンパクトディ
スクでは１．２〜１．４ｍ／秒に設定され、デジタルビ
デオディスクでは約４．０ｍ／秒に設定される。写真カ
メラで用いられる光ディスクでは６．０〜１４．０ｍ／
秒と比較的速い線速に設定される。また、これらは線速
一定で書き込み光が走査されるが、コンピュータで用い
られる光ディスクでは、角速度一定で書き込み光が走査
される。このような場合には、ディスク面内において外
周側と内周側で書き込み光の線速が変化し、外周側では
内周側に比べて２．５倍程度速い線速になる。
にピットを書き込む際の書き込み光の線速は、その用途
に応じて各種速度が設定される。例えばコンパクトディ
スクでは１．２〜１．４ｍ／秒に設定され、デジタルビ
デオディスクでは約４．０ｍ／秒に設定される。写真カ
メラで用いられる光ディスクでは６．０〜１４．０ｍ／
秒と比較的速い線速に設定される。また、これらは線速
一定で書き込み光が走査されるが、コンピュータで用い
られる光ディスクでは、角速度一定で書き込み光が走査
される。このような場合には、ディスク面内において外
周側と内周側で書き込み光の線速が変化し、外周側では
内周側に比べて２．５倍程度速い線速になる。
【０００８】しかしながら、相変化材料層では、液相化
後の冷却速度が相変化過程に影響し、例えば、書き込み
光の線速を遅く設定すると冷却速度が遅くなるため、ピ
ットの形成が不安定になる。
後の冷却速度が相変化過程に影響し、例えば、書き込み
光の線速を遅く設定すると冷却速度が遅くなるため、ピ
ットの形成が不安定になる。
【０００９】すなわち、相変化材料層に非晶質状態の微
小領域（ピット）を形成するには、書き込み光の照射に
よる液相化後、この液相化された領域が急速冷却される
ことが必要である。
小領域（ピット）を形成するには、書き込み光の照射に
よる液相化後、この液相化された領域が急速冷却される
ことが必要である。
【００１０】しかし、書き込み光の移動速度が遅くなる
と、この液相化した領域に熱がこもり、書き込み光移動
後においても急冷されず、徐々に冷却されることにな
る。その結果、非晶質化されるべき領域で再結晶化が起
こり、所定のピット形状が得られなくなる。特に、ピッ
ト長記録方式では、ピットポジション記録方式に比べて
ピット長が長くなる傾向があり、相変化材料層にレーザ
光が連続して照射される場合が多い。このような場合に
は、とりわけ相変化材料層に熱がこもり易く、再結晶化
が生じ易い。
と、この液相化した領域に熱がこもり、書き込み光移動
後においても急冷されず、徐々に冷却されることにな
る。その結果、非晶質化されるべき領域で再結晶化が起
こり、所定のピット形状が得られなくなる。特に、ピッ
ト長記録方式では、ピットポジション記録方式に比べて
ピット長が長くなる傾向があり、相変化材料層にレーザ
光が連続して照射される場合が多い。このような場合に
は、とりわけ相変化材料層に熱がこもり易く、再結晶化
が生じ易い。
【００１１】このため、相変化材料層に添加物を添加
し、液相化後の再結晶化を抑える試みもなされている。
ところが、添加物を用いる場合、その添加量が重要にな
る。例えば添加物の量が余り多くなると、今度はピット
の消去に際して非晶質化した部分が結晶化し難くなり、
ピットが消し残るといった不都合が生じる。そのため、
添加物は、再結晶化を抑えるのに最小限必要な量だけ用
いることが必要になるが、これまでこのような適正添加
量の検討は十分になされていないのが実情である。
し、液相化後の再結晶化を抑える試みもなされている。
ところが、添加物を用いる場合、その添加量が重要にな
る。例えば添加物の量が余り多くなると、今度はピット
の消去に際して非晶質化した部分が結晶化し難くなり、
ピットが消し残るといった不都合が生じる。そのため、
添加物は、再結晶化を抑えるのに最小限必要な量だけ用
いることが必要になるが、これまでこのような適正添加
量の検討は十分になされていないのが実情である。
【００１２】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、書き込み光の線速をいず
れの値に設定した場合でも、ピットの書き換えが繰り返
し良好に行える光記録媒体を提供することを目的とす
る。
鑑みて提案されたものであり、書き込み光の線速をいず
れの値に設定した場合でも、ピットの書き換えが繰り返
し良好に行える光記録媒体を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の光記録媒体は、透明基板上に、添加物が
添加された相変化材料層、保護層及び反射層が順次形成
されてなり、前記相変化材料層が、レーザ光の照射によ
って液相化し、その後、急冷されることによって非晶質
化する光記録媒体であって、相変化材料層に添加される
添加物の量が、書き込みに際する線速に応じて制御され
ていることを特徴とするものである。
めに、本発明の光記録媒体は、透明基板上に、添加物が
添加された相変化材料層、保護層及び反射層が順次形成
されてなり、前記相変化材料層が、レーザ光の照射によ
って液相化し、その後、急冷されることによって非晶質
化する光記録媒体であって、相変化材料層に添加される
添加物の量が、書き込みに際する線速に応じて制御され
ていることを特徴とするものである。
【００１４】本発明では、相変化材料層に結晶化を抑え
るための添加物を添加するとともに、この添加物の量
を、書き込み時の線速との兼ね合いで加減する。すなわ
ち、書き込み時の線速が速い場合には添加物の量を少な
くし、線速が遅い場合には添加物の量を多くする。
るための添加物を添加するとともに、この添加物の量
を、書き込み時の線速との兼ね合いで加減する。すなわ
ち、書き込み時の線速が速い場合には添加物の量を少な
くし、線速が遅い場合には添加物の量を多くする。
【００１５】このように添加物の量を線速に応じて制御
すると、書き込み光の線速をいずれの値に設定した場合
でも、液相化後の冷却過程で再結晶化が抑えられ、非晶
質化すべき領域が確実に非晶質化する。その結果、良好
なピット形状が得られる。また、消去に際しては、非晶
質化した領域が確実に結晶化され、ピットの消し残りが
抑えられる。したがって、例えばマーク長記録方式を採
用した場合でも情報信号の書き換えが繰り返し良好に行
える。
すると、書き込み光の線速をいずれの値に設定した場合
でも、液相化後の冷却過程で再結晶化が抑えられ、非晶
質化すべき領域が確実に非晶質化する。その結果、良好
なピット形状が得られる。また、消去に際しては、非晶
質化した領域が確実に結晶化され、ピットの消し残りが
抑えられる。したがって、例えばマーク長記録方式を採
用した場合でも情報信号の書き換えが繰り返し良好に行
える。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。
する。
【００１７】本発明の光記録媒体は、図１に示すよう
に、透明基板１の一主面に、少なくとも相変化材料層
２、保護層３及び反射層４が順次形成されて構成され
る。
に、透明基板１の一主面に、少なくとも相変化材料層
２、保護層３及び反射層４が順次形成されて構成され
る。
【００１８】上記透明基板１としては、アクリル樹脂，
ポリカーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，エポキシ
樹脂等のプラスチック材料よりなる基板の他、ガラス基
板等も使用される。
ポリカーボネート樹脂，ポリオレフィン樹脂，エポキシ
樹脂等のプラスチック材料よりなる基板の他、ガラス基
板等も使用される。
【００１９】この透明基板１上には、必要に応じて、案
内溝やアドレス情報に対応したアドレスピットが凹凸形
状として形成される。この凹凸形状の形成方法として
は、基板材料にプラスチック材料を用いる場合にはスタ
ンパを用いる射出成形法が使用され、ガラス板を用いる
場合には、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ−ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔ
ｉｏｎ）法が使用される。
内溝やアドレス情報に対応したアドレスピットが凹凸形
状として形成される。この凹凸形状の形成方法として
は、基板材料にプラスチック材料を用いる場合にはスタ
ンパを用いる射出成形法が使用され、ガラス板を用いる
場合には、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ−ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔ
ｉｏｎ）法が使用される。
【００２０】上記相変化材料層２は、情報信号が書き込
まれる記録層となるものであり、結晶状態と非晶質状態
の間で相変化し、この相変化によって反射率が変化する
相変化材料に、結晶化を抑制するための添加物が添加さ
れて構成される。
まれる記録層となるものであり、結晶状態と非晶質状態
の間で相変化し、この相変化によって反射率が変化する
相変化材料に、結晶化を抑制するための添加物が添加さ
れて構成される。
【００２１】相変化材料としてはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ三元
合金等が挙げられる。
合金等が挙げられる。
【００２２】また、結晶化を抑制するための添加物とし
ては、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ三元合金の場合にはＳｂと
置換可能な元素、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ
等が用いられる。また、合金の一成分元素であるＳｂを
添加物として用いるようにしても良い。すなわち、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ三元合金は、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3を整数
比で混合した組成となっており、この組成に対して過剰
のＳｂを用いると、このＳｂが粒界に押し出され、材料
の結晶化を阻害するように作用する。
ては、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ三元合金の場合にはＳｂと
置換可能な元素、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ
等が用いられる。また、合金の一成分元素であるＳｂを
添加物として用いるようにしても良い。すなわち、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ三元合金は、ＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3を整数
比で混合した組成となっており、この組成に対して過剰
のＳｂを用いると、このＳｂが粒界に押し出され、材料
の結晶化を阻害するように作用する。
【００２３】このような相変化材料層２は、初期状態で
結晶状態を呈しており、書き込み光（例えば波長６８０
〜６９０ｎｍの半導体レーザ）が照射されることによっ
て、そのスポット内の微小領域が液相化する。そして、
書き込み光の移動によって、液相化した部分が急冷さ
れ、非晶質化することによってピットが形成される。非
晶質化したピットは、結晶状態の領域に比べて反射率が
低いので、この反射率差を検出することで情報信号とし
て再生されることになる。
結晶状態を呈しており、書き込み光（例えば波長６８０
〜６９０ｎｍの半導体レーザ）が照射されることによっ
て、そのスポット内の微小領域が液相化する。そして、
書き込み光の移動によって、液相化した部分が急冷さ
れ、非晶質化することによってピットが形成される。非
晶質化したピットは、結晶状態の領域に比べて反射率が
低いので、この反射率差を検出することで情報信号とし
て再生されることになる。
【００２４】このとき、書き込み光の移動速度が遅く、
液相化した部分の冷却速度が遅くなると、非晶質化すべ
き領域で再結晶化が生じる虞れがある。相変化材料層に
添加する添加物は、このような再結晶化を抑えるために
用いられるものである。
液相化した部分の冷却速度が遅くなると、非晶質化すべ
き領域で再結晶化が生じる虞れがある。相変化材料層に
添加する添加物は、このような再結晶化を抑えるために
用いられるものである。
【００２５】ここで、本発明では、この添加物の添加量
を書き込み光の線速との兼ね合いで規制することとす
る。
を書き込み光の線速との兼ね合いで規制することとす
る。
【００２６】例えば線速一定（１．２〜１４．０ｍ／
秒）で書き込みが行われる光ディスクでは、添加物を次
に示すような量で添加する。
秒）で書き込みが行われる光ディスクでは、添加物を次
に示すような量で添加する。
【００２７】 １．２ｍ／秒：３．５〜４．０原子％ １．４ｍ／秒：３．０〜３．５原子％ ２．４ｍ／秒：２．５〜３．０原子％ ２．８ｍ／秒：２．０〜２．５原子％ ３．６ｍ／秒：１．５〜２．０原子％ ４．２ｍ／秒：１．５〜０．７原子％ ６．０ｍ／秒：０．７〜０．８原子％ ７．０ｍ／秒：０．６〜０．７原子％ ７．２ｍ／秒：０．５〜０．６原子％ ８．４ｍ／秒：０．４〜０．５原子％ ９．６ｍ／秒：０．３〜０．４原子％ １１．２ｍ／秒：０．２〜０．３原子％ １２．０ｍ／秒：０．１〜０．２原子％ １４．０ｍ／秒：０．１原子％以下 また、角速度一定（線速：内周部３．０〜６．０ｍ／
秒、外周部７．５〜１５．０ｍ／秒）で書き込みが行わ
れる光ディスクでは、添加物を次に示すような量で添加
する。
秒、外周部７．５〜１５．０ｍ／秒）で書き込みが行わ
れる光ディスクでは、添加物を次に示すような量で添加
する。
【００２８】 内周部３．０ｍ／秒，外周部７．５ｍ／秒：１．６〜２．４原子％ 内周部４．０ｍ／秒，外周部１０．０ｍ／秒：１．０〜１．６原子％ 内周部５．０ｍ／秒，外周部１２．５ｍ／秒：０．８〜１．０原子％ 内周部６．０ｍ／秒，外周部１５．０ｍ／秒：０．８原子％以下 添加物の添加量がこの範囲よりも少ない場合には、結晶
化を抑える作用が不足し、書き込みに際して、液相化後
の冷却過程で再結晶化が生じ、ピットの形状が不安定に
なる。また、添加物の添加量が多過ぎると、ピットの消
去に際して、非晶質化した部分が結晶化し難くなり、ピ
ットが消し残るといった不都合が生じる。
化を抑える作用が不足し、書き込みに際して、液相化後
の冷却過程で再結晶化が生じ、ピットの形状が不安定に
なる。また、添加物の添加量が多過ぎると、ピットの消
去に際して、非晶質化した部分が結晶化し難くなり、ピ
ットが消し残るといった不都合が生じる。
【００２９】添加物の添加量と書き込み光の線速を上記
条件が満たされるように設定することにより、情報信号
の書き換えが繰り返し良好に行えるようになる。
条件が満たされるように設定することにより、情報信号
の書き換えが繰り返し良好に行えるようになる。
【００３０】このような量で添加物が添加された相変化
材料層２の上には、保護層３及び反射層４が設けられ
る。
材料層２の上には、保護層３及び反射層４が設けられ
る。
【００３１】保護層３は、相変化材料層２を外部環境の
水分等から保護するとともに多重干渉による信号変調度
の増大を図るために設けられるものである。この保護層
３としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｎ等の金属、半導体元素の
窒化物、酸化物、硫化物、炭化物等が用いられ、これら
のうちから、書き込み光の波長領域において吸収の少な
いものを選択するのが望ましい。
水分等から保護するとともに多重干渉による信号変調度
の増大を図るために設けられるものである。この保護層
３としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｎ等の金属、半導体元素の
窒化物、酸化物、硫化物、炭化物等が用いられ、これら
のうちから、書き込み光の波長領域において吸収の少な
いものを選択するのが望ましい。
【００３２】また、反射層４は、上記保護層３とともに
多重干渉による信号変調度の増大に寄与するとともにヒ
ートシンク層としても作用する。すなわち、相変化材料
層２の熱がこの反射層４を介して外部に逃げ、熱がこも
り難くなる。これにより、液層化後の冷却過程で生じる
再結晶化がより一層抑えられ、ピットの形成が安定に行
われるようになる。この反射層４としては、Ｄｙ，Ａ
ｌ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｃｒ等の高反射率を有する金属が用い
られ、このうちＡｌには、腐食防止等の目的でＴｉ，Ｃ
ｒ，Ｓｉ等が添加されていても良い。また、これら金属
よりなる反射層は、一種単独で用いてもよく、複数種を
組み合わせても構わない。なお、この反射層４の厚さ
は、特にヒートシンク効果に影響し、この効果を十分に
得るには６０〜２００ｎｍとされているのが望ましい。
多重干渉による信号変調度の増大に寄与するとともにヒ
ートシンク層としても作用する。すなわち、相変化材料
層２の熱がこの反射層４を介して外部に逃げ、熱がこも
り難くなる。これにより、液層化後の冷却過程で生じる
再結晶化がより一層抑えられ、ピットの形成が安定に行
われるようになる。この反射層４としては、Ｄｙ，Ａ
ｌ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｃｒ等の高反射率を有する金属が用い
られ、このうちＡｌには、腐食防止等の目的でＴｉ，Ｃ
ｒ，Ｓｉ等が添加されていても良い。また、これら金属
よりなる反射層は、一種単独で用いてもよく、複数種を
組み合わせても構わない。なお、この反射層４の厚さ
は、特にヒートシンク効果に影響し、この効果を十分に
得るには６０〜２００ｎｍとされているのが望ましい。
【００３３】以上が本発明の光記録媒体の基本的な構成
であるが、この光記録媒体には、さらに必要に応じて付
加的な構成を持たせるようにしても構わない。例えば、
図２に示すように、相変化材料層２と透明基板１の間に
保護層５を設け、第１の保護層５、相変化材料層２、第
２の保護層３、反射層４の４層構成としても良い。ま
た、この反射層４の上にさらに第３の保護層を形成する
ようにすることも可能である。これにより、相変化材料
層２の保護効果がさらに高まり、また信号変調度の増大
が図れるようになる。
であるが、この光記録媒体には、さらに必要に応じて付
加的な構成を持たせるようにしても構わない。例えば、
図２に示すように、相変化材料層２と透明基板１の間に
保護層５を設け、第１の保護層５、相変化材料層２、第
２の保護層３、反射層４の４層構成としても良い。ま
た、この反射層４の上にさらに第３の保護層を形成する
ようにすることも可能である。これにより、相変化材料
層２の保護効果がさらに高まり、また信号変調度の増大
が図れるようになる。
【００３４】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明する。
結果に基づいて説明する。
【００３５】実施例１ フォトポリマー法によって案内溝が形成された透明基板
を用意した。なお、この透明基板は、トラックピッチが
０．８μｍ、グルーブ（案内溝）の深さが約６０ｎｍ、
グルーブ幅Ｗが０．４８μｍである。
を用意した。なお、この透明基板は、トラックピッチが
０．８μｍ、グルーブ（案内溝）の深さが約６０ｎｍ、
グルーブ幅Ｗが０．４８μｍである。
【００３６】そして、この透明基板の案内溝が形成され
ている側の面に、厚さ１００ｎｍの第１のＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2保護層、厚さ２０ｎｍのＰｄ4Ｇｅ22.2Ｓｂ18.2Ｔｅ
55.6相変化材料層（添加物Ｐｄ）、厚さ２０ｎｍの第２
のＺｎＳ−ＳｉＯ2保護層及び厚さ６０ｎｍのＡｕ反射
層を順次形成し、光ディスクを作成した。なお、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2保護層の組成は、ＺｎＳ８０重量部、ＳｉＯ2
２０重量部である。また、この光ディスクは、線速一定
で書き込みが行われ、線速は１．２ｍ／秒である。
ている側の面に、厚さ１００ｎｍの第１のＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2保護層、厚さ２０ｎｍのＰｄ4Ｇｅ22.2Ｓｂ18.2Ｔｅ
55.6相変化材料層（添加物Ｐｄ）、厚さ２０ｎｍの第２
のＺｎＳ−ＳｉＯ2保護層及び厚さ６０ｎｍのＡｕ反射
層を順次形成し、光ディスクを作成した。なお、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2保護層の組成は、ＺｎＳ８０重量部、ＳｉＯ2
２０重量部である。また、この光ディスクは、線速一定
で書き込みが行われ、線速は１．２ｍ／秒である。
【００３７】実施例２〜実施例１４ 相変化材料層の組成を、表１に示すように変えたこと以
外は実施例１と同様にして光ディスクを作成した。な
お、この光ディスクは、線速一定で書き込みが行われ、
線速は表１に示す通りである。
外は実施例１と同様にして光ディスクを作成した。な
お、この光ディスクは、線速一定で書き込みが行われ、
線速は表１に示す通りである。
【００３８】比較例１ 相変化材料層にＰｄを添加しないこと以外は実施例１と
同様にして光ディスクを作成した。なお、この光ディス
クは、線速一定で書き込みが行われ、線速は表１に示す
通りである。
同様にして光ディスクを作成した。なお、この光ディス
クは、線速一定で書き込みが行われ、線速は表１に示す
通りである。
【００３９】比較例２ 相変化材料層の組成を、表１に示すように所定範囲外と
したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作成
した。なお、この光ディスクは、線速一定で書き込みが
行われ、線速は表１に示す通りである。
したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作成
した。なお、この光ディスクは、線速一定で書き込みが
行われ、線速は表１に示す通りである。
【００４０】このようにして作成された光ディスクに対
して、波長６８０ｎｍ、接眼レンズの開口数０．５５の
レーザ光を用いて特性を評価した。
して、波長６８０ｎｍ、接眼レンズの開口数０．５５の
レーザ光を用いて特性を評価した。
【００４１】まず、書き込みレーザパワー７ｍＷの条件
で、（１，７）変調方式によってランダムパターンを書
き込んだ。続いて、読み出しレーザパワー１ｍＷで記録
波形を観測し、この記録波形の揺らぎを測定した。
で、（１，７）変調方式によってランダムパターンを書
き込んだ。続いて、読み出しレーザパワー１ｍＷで記録
波形を観測し、この記録波形の揺らぎを測定した。
【００４２】次に、この書き込まれた記録パターンを、
消去レーザパワー３．５ｍＷで消去し、この後、さらに
先の条件で書き込みを行うといった消去／書き込み操作
を１万回繰り返し行った。そして、１万回目に書き込ま
れた記録パターンの記録波形を観測し、揺らぎを測定し
た。なお、揺らぎは、タイムインターバルアナライザー
（ヒューレットパッカード社製）に２値価データとＰＬ
Ｌ（フェイズロックドループ）により再生したクロック
を入力することによって求めた。
消去レーザパワー３．５ｍＷで消去し、この後、さらに
先の条件で書き込みを行うといった消去／書き込み操作
を１万回繰り返し行った。そして、１万回目に書き込ま
れた記録パターンの記録波形を観測し、揺らぎを測定し
た。なお、揺らぎは、タイムインターバルアナライザー
（ヒューレットパッカード社製）に２値価データとＰＬ
Ｌ（フェイズロックドループ）により再生したクロック
を入力することによって求めた。
【００４３】記録波形の揺らぎの測定結果を、相変化材
料層の組成、書き込みに際する線速、信号周波数及びク
ロック周波数とともに表１に示す。なお、この記録波形
の揺らぎが１２．５％を超えると記録波形の読み取り失
敗が増えてしまい再生が困難になる。したがって、ここ
では、揺らぎが１２．５％を超えたところが書き込みの
繰り返し限界とする。
料層の組成、書き込みに際する線速、信号周波数及びク
ロック周波数とともに表１に示す。なお、この記録波形
の揺らぎが１２．５％を超えると記録波形の読み取り失
敗が増えてしまい再生が困難になる。したがって、ここ
では、揺らぎが１２．５％を超えたところが書き込みの
繰り返し限界とする。
【００４４】
【表１】
【００４５】表１に示すように、相変化材料層へのＰｄ
の添加量と書き込み時の線速が所定の条件を満たしてい
る実施例１〜実施例１４の光ディスクは、消去／書き込
み操作を１万回繰り返した後にも記録波形の揺らぎが１
２．５％未満に抑えられており、１万回以上の消去／書
き込み操作後にも再生可能であることがわかる。
の添加量と書き込み時の線速が所定の条件を満たしてい
る実施例１〜実施例１４の光ディスクは、消去／書き込
み操作を１万回繰り返した後にも記録波形の揺らぎが１
２．５％未満に抑えられており、１万回以上の消去／書
き込み操作後にも再生可能であることがわかる。
【００４６】これに対して、相変化材料層に添加物を添
加していない比較例１の光ディスク、添加物の添加量が
所定の範囲から外れている比較例２の光ディスクは、消
去／書き込み操作を１千回繰り返したところで既に記録
波形の揺らぎが１２．５％を超えてしまい、再生不可能
になった。
加していない比較例１の光ディスク、添加物の添加量が
所定の範囲から外れている比較例２の光ディスクは、消
去／書き込み操作を１千回繰り返したところで既に記録
波形の揺らぎが１２．５％を超えてしまい、再生不可能
になった。
【００４７】このことから、線速一定で書き込みが行わ
れる光ディスクにおいて、相変化材料層に添加物を添加
し、この添加量を書き込み時の線速との兼ね合いで規制
することは、書き換えの繰り返しによる記録波形の揺ら
ぎを抑える上で有効であることがわかった。
れる光ディスクにおいて、相変化材料層に添加物を添加
し、この添加量を書き込み時の線速との兼ね合いで規制
することは、書き換えの繰り返しによる記録波形の揺ら
ぎを抑える上で有効であることがわかった。
【００４８】実施例１５〜実施例２２ 相変化材料層の組成を表２に示すように変えたこと以外
は実施例１と同様にして光ディスクを作成した。なお、
この光ディスクは、角速度一定で書き込みが行われ、内
周側の線速及び外周側の線速はそれぞれ表２に示す通り
である。
は実施例１と同様にして光ディスクを作成した。なお、
この光ディスクは、角速度一定で書き込みが行われ、内
周側の線速及び外周側の線速はそれぞれ表２に示す通り
である。
【００４９】比較例３ 相変化材料層の組成を、表２に示すように所定範囲外と
したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作成
した。なお、この光ディスクは、角速度一定で書き込み
が行われ、内周側及び外周側の線速はそれぞれ表２に示
す通りである。
したこと以外は実施例１と同様にして光ディスクを作成
した。なお、この光ディスクは、角速度一定で書き込み
が行われ、内周側及び外周側の線速はそれぞれ表２に示
す通りである。
【００５０】このようにして作成された光ディスクにつ
いて、書き込みを行い、記録波形の揺らぎを測定した。
続いて、消去／書き込み操作を１万回繰り返し、１万回
目に書き込まれた記録パターンの記録波形の揺らぎを測
定した。その結果を表３に示す。なお、この際の書き込
みパワー、消去パワー、読み出しパワー及び変調方式は
先で示したのと同様である。また、書き込みに際する線
速、信号周波数及びクロック周波数は表２に示す通りで
ある。
いて、書き込みを行い、記録波形の揺らぎを測定した。
続いて、消去／書き込み操作を１万回繰り返し、１万回
目に書き込まれた記録パターンの記録波形の揺らぎを測
定した。その結果を表３に示す。なお、この際の書き込
みパワー、消去パワー、読み出しパワー及び変調方式は
先で示したのと同様である。また、書き込みに際する線
速、信号周波数及びクロック周波数は表２に示す通りで
ある。
【００５１】
【表２】
【００５２】
【表３】
【００５３】表３に示すように、相変化材料層へのＰｄ
の添加量と書き込み時の線速が所定の条件を満たしてい
る実施例１５〜実施例２２の光ディスクは、消去／書き
込み操作を１万回繰り返した後にも記録波形の揺らぎが
１２．５％未満に抑えられており、１万回以上の消去／
書き込み操作後にも再生可能であることがわかる。
の添加量と書き込み時の線速が所定の条件を満たしてい
る実施例１５〜実施例２２の光ディスクは、消去／書き
込み操作を１万回繰り返した後にも記録波形の揺らぎが
１２．５％未満に抑えられており、１万回以上の消去／
書き込み操作後にも再生可能であることがわかる。
【００５４】これに対して、添加物の添加量が所定の範
囲から外れている比較例３の光ディスクは、消去／書き
込み操作を１千回繰り返したところで既に記録波形の揺
らぎが１２．５％を超えてしまい、再生不可能になっ
た。
囲から外れている比較例３の光ディスクは、消去／書き
込み操作を１千回繰り返したところで既に記録波形の揺
らぎが１２．５％を超えてしまい、再生不可能になっ
た。
【００５５】このことから、角速度一定で書き込みが行
われる光ディスクにおいて、相変化材料層に添加物を添
加し、この添加物の添加量を書き込み時の線速との兼ね
合いで規制することは、書き換えの繰り返しによる記録
波形の揺らぎを抑える上で有効であることがわかった。
われる光ディスクにおいて、相変化材料層に添加物を添
加し、この添加物の添加量を書き込み時の線速との兼ね
合いで規制することは、書き換えの繰り返しによる記録
波形の揺らぎを抑える上で有効であることがわかった。
【００５６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光ディスクでは、相変化材料層に添加する添加物の
量を、書き込み時の線速との兼ね合いで規制するので、
線速をいずれの値に設定した場合でも、情報信号の書き
換えを繰り返し良好に行うことが可能である。したがっ
て、この光ディスクは、ＣＤシステムやＤＶＤシステム
のような比較的線速の遅いシステムに適用できるととも
に写真カメラのように比較的線速の速いシステムにも適
用できる。また、これらは線速一定で書き込みが行われ
るが、角速度一定で書き込みが行われるコンピュータ用
の光ディスクとしても使用可能であり、非常に有用性が
高い。
明の光ディスクでは、相変化材料層に添加する添加物の
量を、書き込み時の線速との兼ね合いで規制するので、
線速をいずれの値に設定した場合でも、情報信号の書き
換えを繰り返し良好に行うことが可能である。したがっ
て、この光ディスクは、ＣＤシステムやＤＶＤシステム
のような比較的線速の遅いシステムに適用できるととも
に写真カメラのように比較的線速の速いシステムにも適
用できる。また、これらは線速一定で書き込みが行われ
るが、角速度一定で書き込みが行われるコンピュータ用
の光ディスクとしても使用可能であり、非常に有用性が
高い。
【図１】本発明を適用した光記録媒体の１構成例を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】本発明を適用した光記録媒体の他の例を示す概
略断面図である。
略断面図である。
１ 透明基板、２ 相変化材料層、３，５ 保護層、４
反射層
反射層
Claims (22)
- 【請求項１】 透明基板上に、添加物が添加された相変
化材料層、保護層及び反射層が順次形成されてなり、前
記相変化材料層が、レーザ光の照射によって液相化し、
その後、急冷されることによって非晶質化する光記録媒
体であって、 相変化材料層に添加される添加物の量が、書き込みに際
する線速に応じて制御されていることを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項２】 １．２ｍ／秒の一定線速で書き込みが行
われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
３．５〜４．０原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 １．４ｍ／秒の一定線速で書き込みが行
われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
３．０〜３．５原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 ２．４ｍ／秒の一定線速で書き込みが行
われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
２．５〜３．０原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 ２．８ｍ／秒の一定線速で書き込みが行
われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
２．０〜２．５原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 ３．６ｍ／秒の一定線速で書き込みが行
われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
１．５〜２．０原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 ４．２ｍ／秒の一定線速で書き込みが行
われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
１．５原子％以下であることを特徴とする請求項１記載
の光記録媒体。 - 【請求項８】 ６．０ｍ／秒の一定線速で書き込みが行
われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
０．７〜０．８原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項９】 ７．０ｍ／秒の一定線速で書き込みが行
われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
０．６〜０．７原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項１０】 ７．２ｍ／秒の一定線速で書き込みが
行われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
０．５〜０．６原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項１１】 ８．４ｍ／秒の一定線速で書き込みが
行われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
０．４〜０．５原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項１２】 ９．６ｍ／秒の一定線速で書き込みが
行われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量が
０．３〜０．４原子％であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項１３】 １１．２ｍ／秒の一定線速で書き込み
が行われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量
が０．２〜０．３原子％であることを特徴とする請求項
１記載の光記録媒体。 - 【請求項１４】 １２．０ｍ／秒の一定線速で書き込み
が行われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量
が０．１〜０．２原子％であることを特徴とする請求項
１記載の光記録媒体。 - 【請求項１５】 １４．０ｍ／秒の一定線速で書き込み
が行われ、且つ、相変化材料層に添加される添加物の量
が０．１原子％以下であることを特徴とする請求項１記
載の光記録媒体。 - 【請求項１６】 角速度一定の条件で、３．０〜７．５
ｍ／秒の線速で書き込みが行われ、且つ、相変化材料層
に添加される添加物の量が１．６〜２．４原子％である
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項１７】 角速度一定の条件で、４．０〜１０．
０ｍ／秒の線速で書き込みが行われ、且つ、相変化材料
層に添加される添加物の量が１．０〜１．６原子％であ
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項１８】 角速度一定の条件で、５．０〜１２．
５ｍ／秒の線速で書き込みが行われ、且つ、相変化材料
層に添加される添加物の量が０．８〜１．０原子％であ
ることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項１９】 角速度一定の条件で、６．０〜１５．
０ｍ／秒の線速で書き込みが行われ、且つ、相変化材料
層に添加される添加物の量が０．８原子％以下であるこ
とを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項２０】 相変化材料層は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ三
元合金に添加物が添加されて構成されることを特徴とす
る請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項２１】 相変化材料層に添加される添加物は、
Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｂであることを特徴
とする請求項２０記載の光記録媒体。 - 【請求項２２】 書き込み光は、波長が６８０〜６９０
ｎｍの半導体レーザであることを特徴とする請求項１記
載の光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8254301A JPH10106025A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 光記録媒体 |
| US08/936,554 US5923639A (en) | 1996-09-26 | 1997-09-24 | Phase-change optical recording medium having an additive related to the writing line speed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8254301A JPH10106025A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106025A true JPH10106025A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17263091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8254301A Pending JPH10106025A (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 光記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5923639A (ja) |
| JP (1) | JPH10106025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842412B2 (en) | 2001-05-22 | 2005-01-11 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and optical disc apparatus |
| US7016282B2 (en) | 2000-12-07 | 2006-03-21 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and optical disk unit |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6033535A (en) * | 1990-08-28 | 2000-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording disk and method for manufacturing the same |
| US6490310B1 (en) * | 2000-09-11 | 2002-12-03 | Komatsu Ltd. | Laser discharge electrodes with current return plate structure |
| CN1290106C (zh) * | 2002-03-07 | 2006-12-13 | 株式会社理光 | 光记录媒体及其制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841515A (en) * | 1987-07-01 | 1989-06-20 | Micronic Interface Technologies | Read-write optical disk |
| US5242784A (en) * | 1990-07-13 | 1993-09-07 | International Business Machines Corporation | System and method for optical phase change recording |
| US5688574A (en) * | 1995-03-14 | 1997-11-18 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical recording medium |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP8254301A patent/JPH10106025A/ja active Pending
-
1997
- 1997-09-24 US US08/936,554 patent/US5923639A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7016282B2 (en) | 2000-12-07 | 2006-03-21 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and optical disk unit |
| US6842412B2 (en) | 2001-05-22 | 2005-01-11 | Hitachi, Ltd. | Information recording method and optical disc apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5923639A (en) | 1999-07-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040615 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040622 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040823 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060221 |