TWI239703B - Semiconductor laser device - Google Patents
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Description
1239703 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 反射膜的半導 本發明係關於在光射出面上設置介電質 體雷射裝置。 ' 【先前技術】 在半導體雷射中，一般在利用晶圓（wafer)劈 ，得共振器端面上形成介電質膜。藉由任意選w :二：此種介電質種類、膜厚，，便可形成獲得所 而反射率的反射率控制膜。例如藉由降低射出雷射光之寸 端面的反射率，並提高後端面的反射率，俾達高輸出功= 化。 卞 但是，前端面的反射率並非僅降低其數值便可，而是 必須配合使用半導體雷射的用途（即所要求特性）選擇其反 射率。 a 例如在高輸出功率的半導體雷射中，其光射出前端面 的反射率為3%〜15%程度。假設欲獲得7%反射率之情況時， 反射率的控制性便要求6% ± 1 %。通常，在半導體雷射中， 雷射光所射出之前端面的反射率，係利用由A込％或s i %等 所構成單層介電質膜的厚度與折射率而進行控制。 第23圖所示係習知半導體雷射裝置之一例構造圖。雷 射晶片（laser chip)係由：GaAs等半導體基板1、主動層 2、形成於主動層2上方與下方的覆蓋（cl ad)層3、以及形 成於覆蓋層3上方與下方的電極4所構成。 半導體雷射裝置係由：上述雷射晶片、形成於雷射前
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端面的低反射膜8、以及形成於雷射後端面上的高反射膜9 等所構成。 、 一般，雷射前端面中所使用低反射膜8，係採用若將 真空中的雷射振盪波長設為λ時，便具有形成λ /4整數倍 土 α之光學膜厚的單層膜。其中，α係供控制於所需反射 率用的修正係數。 半導體雷射前端面乃若雷射光密度提高的話，溫度便 各易上升。所以，低反射膜8為能亦具熱擴散板[散熱器 (heat spreader)]作用，一般均由膜厚3λ/4± 的氧化 紹（aluminum oxide)膜所形成。 第24圖所示係相關習知低反射膜之反射率對波長依存 性的一例圖（graph)。第25圖所示係相關習知低反射膜之 反射率對膜厚依存性的一例圖。其中，低反射膜8係將膜 厚3U· 9nm( a = + l7nm)的氧化鋁膜（折射率=1· 638 )，設置 於振盪波長；1=66 Onm紅色半導體雷射的前端面。另外，雷 射晶片的等效折射率係3. 8 1 7。 若觀察第25圖所示圖形的話，得知當將低反射膜8反 射率控制在6 % ± 1 %範圍内之情況時，針對膜厚設計值 da-318. 9nm必須依± 1%精度（即土 3nm程度的精度），控制 著低反射膜8膜厚。此種膜厚精度因為在一般光學薄膜形 成中所使用的祭鑛或錢鑛(^patter)中將有所困難，因而 將導致半導體雷射製造良率的降低。 相關聯習知技術有如··日本特開2 〇 〇丨-7 7 4 5 6號公報、 曰本專利第30803 1 2號公報。
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當欲將半導體雷射之低反射膜8，壁 乾圍達成之情況時，在 s 士依反射率6 ± u m μ ίή μ kn it 达乳化1呂早層臈方面，便必須將 腰与偏差抑制在± 1 %以内， w 便乂々們· 惡化的情況發生。 足成反射率控制性降低且良率 【發明内容】 便構成雷射端面上，戶/ 射率有所變動，仍可顏 合用途所需反射率的斗 在雷射晶片之光射出面 所構成的反射膜； 起’依序包含··折射率 介電質膜、折射率n3的 介電質膜； 3之關係’或者n2 = n4< 本發明之目的在於提供一種即 =成反射膜的介電質膜之膜厚或折 定地控制著反射率，可輕易達成配 導體雷射裴置。
本發明的半導體雷射裝置，係 至少單面上’具有由多層介電質膜 反射膜係從銜接雷射晶片之側 nl的第1介電質膜、折射率“的第2 第3介電質膜、以及折射率^4的第4 各折射率係滿足η2 = η4 < ηΐ < η n3 <nl之關係。 長依性性及 白勺所需反射 率 〇
藉由此種構造，多層介電質膜反射率對波 對膜厚依存性將減小，便可輕易達成配合用途 率。此外，因而亦可提昇半導體雷射的製造良 【實施方式】 以下’參照圖示說明較佳實施形態。 實施形態1
1239703 — _ 五、發明說明（5) 而言，分別設定如下··介電質膜11膜厚dl = 100· 7nm，介電 質膜12膜厚d2二110.8nm，介電質膜13膜厚d3 = 80.〇nm，介 電質膜14 膜厚d4 = 110· 8nm( = d2)。 ) 依此所構成的低反射膜1 〇，可獲得在振盈波長入 = 6 6 0nm中為6%的反射率。 第2圖所示係相關低反射膜1 〇反射率的波長依存性 圖。此圖形乃在中心波長又=6 6 0nm中顯示出6%的反射率， 相較於第24圖圖形之下，得知相對於振盪波長變化下的反 射率變化將變為特別小，即便雷射振盪波長有所變動，低 反射膜1 0仍將呈現穩定的反射率。 一 第3圖所示係相關低反射膜1〇之反射率的第1介電質膜 11膜厚依存性圖。第4圖所示係相關低反射膜丨〇之反射、 的第2介電質膜12膜厚依存性圖。第5圖所示係相關低反 膜10之反射率的第3介電質膜13膜厚依存性圖。第6圖 =相關低反射膜10之反射率的第4介電質膜14膜厚依存性 從該等圖中在膜厚設計值da中顯示出反射率， ，於第25圖圖形之下，得知相料各介電質膜膜厚變 白、反射率變化將變為特別小，即便膜厚们相對於 設計值da出現± 10%範圍之變動的情況下，低反射膜 射率幾乎無變化，即便出現最大變 ' 反 射率變化。 μ列王υ· cU的反 八人田獲知在振盪波長入=66Onm中顯示出7%反射率 之低反射膜10的情況時，如同上述，介電質膜u係使J折 第12頁 2065-6194-PF(N2);Ahddub.ptd 1239703
射率η1 = 1·638的氧化鋁Α“〇3，介電質膜12與介電質膜14則 使用折射率112二11“1.489的氧化矽3：[〇2，介電質膜13則使用 折射率η3 = 2. 063的氧化鈕TagO5，相關各介電質膜膜厚，分 別設定為膜厚dl = l〇〇,7nm、膜厚d2=d4 = l〇〇.〇nin、膜厚 d3=l〇〇.〇nm 〇 第7圖所示係相關低反射膜1 〇之反射率的波長依存性 圖。此圖乃在中心波長又=66Onm中顯示出7%的反射率，相 較於第2 4圖圖形之下，得知相對於振盪波長變化下的反射 率變化將變小，即便雷射振盪波長有所變動，低反射膜1〇 仍將呈現穩定的反射率。 、 第8圖所示係相關低反射膜丨0之反射率的第1介電質膜 11膜厚依存性圖。第9圖所示係相關低反射膜J 〇之反射率、 的第2介電質膜1 2膜厚依存性圖。第1 〇圖所示係相關低反 射膜10之反射率的第3介電質膜13膜厚依存性圖。第u圖 所示係相關低反射膜1 〇之反射率的第4介電質膜丨4膜厚依 該等圖乃在膜厚設計值da中顯示出6%反射率，在相車六 於第25圖圖形之下，得知相對於各介電質膜膜厚變化下^ 反射率變化將變為特別小，即便膜厚dl〜d4相對於膜厚μ 計值da出現± 1〇%範圍之變動的情況下，低反射膜= 率幾乎無變化，即便出現最大變動仍可抑制至〇.8% 射 率變化。 ^ 依此各介電質膜11〜14之折射率!^】々乃藉由滿足 n2 = n4 <nl <n3之關係，多層介電質膜的反射率波長依存
2065-6194-PF(N2);Ahddub.ptd 第13頁 1239703 五、發明說明（7) 陡人膜厚依存性將變小，可提升半導體雷射的製造良率。 再者’藉由大體上設定為··折射率nl在〜1,9範圍 内’折射率η2在ι_3〜1·6範圍内，折射率η3在1.9〜2.3範圍 内折射率η4在1.3〜1.6範圍内，膜厚dl為（2 .h+Ι) λ ，膜厚 d2 為（2 .i + 1)又/(4 ·η2)，膜厚 d3 為（2 · J )λ/(4 ·η3)，膜厚 d4 為（2 ·1ί+1)λ/(4 .n4)(h、i、 j j係指0以上整數），便可將多層介電質膜依3〜15% 调整至所需反射率。 再者在使各折射率滿足n2 = n4<nl <n3之關係方 Ϊ J开電】膜=:由Μ、㈣、_3、_、从中之 者形成，介電質膜12與介電質膜14最好由Si〇 、 1、BaF2、CaF2中之任一者形成，介電質膜i3/好由 ^ 5、Sl0、Zr〇2、Zn〇、Ti〇、n〇2 ' ZnS、、刚、 現呈二任一者形成，藉由使用該等材料，便可輕易- /、斤品反射率的多層介電質膜。 只 1者，藉由介電質膜〗^“折射率nl〜 nl <n3之關係，且依光學長度換算/足n2 = n4< 整膜厚d 1〜d 4，便可在所+、由、 一 〇已圍内個別調 t ur可輕易地配合用途進行規格C反 慮波長依存性、膜厚依存性， 且错由考 製造良率。 ϋ牛導體雷射裝置的 在上述說明中，雖針對 — 射 光的半導體雷射裝置進行 ^ 一振盪波長之雷 晶片 中具有放射出互異振旦是即便在單-雷射 派羞波長之複數發光點，所謂多束 2065-6194-PF(H2);Ahddub.ptd 第14頁 1239703 五、發明說明（8)
Cmulti beam)雷射，仍可適用如同上述的低反射膜1〇。 例如可對應DVD (digital video disc，數位式影音光 碟）、與CD (Compact Disc，光碟）二者規格的雷射晶片， 將放射出波長66 0nm的光束與波長780nm的光束。此情況 下，便可期待相關2種波長具有所需反射率的多層介電質 〇 在此藉由各介電質膜11〜;14之各折射率滿sn2 = n4 <ni <=之關係，且對膜厚dl〜d4以依光學長度換算的波長之 四分之一為中心膜厚，在±30%範圍内進行調整，便可在 各所需波長中實現所需反射率，例如第丨2圖所示，在波 與波長780nm二者中，實現顯示出約6%反射率的多声 介電質膜。 曰 再者，當將上述半導體雷射裝置複數配置於單— 體内，各雷射晶片放射出互異振盪波長時 ^ ，目同膜厚’形成各雷射晶片之光射出面上所設 η電質膜時，仍將如同多束雷射的情況，對介電質膜曰 11〜14膜厚dl〜d4，以依光學長度換算的波長之四分之一 中心膜厚，在± 30%範圍内進行調整… 中實現所需反射率。 u尸/Γ而波長 實施形態2 在本實施形態中，半導體雷射裝置的構造乃 圖所示，減射膜10係從銜接雷射晶片之側起： 折射率nl與膜厚dl的介電質膜^、折射率“盥膜 ^ 電質膜12、折射率n3與膜厚d3的介電質膜13、以 。 2065-6194-PF(N2);Ahddub.ptd 第15頁 1239703
=相關低反射膜10之反射率的第4介電質膜“膜 ▲從該等圖中在膜厚設計值化中顯示出6%反射率， J於第25圖圖形之下’得知相對於各介電質膜膜 的反射率變化將變為特別小，即便膜厚“^彳相對於膜 設計值da出現± 1〇%範圍之變動的情況下’低反射膜1〇反 射率幾乎無變化，即便出現最大變動仍可抑制至〇 3% 射率變化。 · 依此各介電質膜11〜14之折射率“,‘乃藉由滿足 η2 = η4<η3<η1之關係，多層介電質膜的反射率波長依存 性與膜厚依存性將變小，可提升半導體雷射的製造良率。 再者’藉由大體上設定為：折射率“在範圍 内，折射率n2在h 3〜h 6範圍内，折射率n3在1 - R〜1—g範圍 内’折射率n4在ι·3〜1·6範圍内，膜厚dl為（2 .h + Ι) λ /(4 ·η1) ’ 膜厚 d2 為（2 ·ί + 1)；ΐ/(4 ·η2)，膜厚 d3 為（2 · jH) λ/(4 · n3)，膜厚d4 為（2 · k+1) λ/(4 · n4)(h、i、 ^、k係指〇以上整數），便可將多層介電質膜依3〜15%範圍 調整至所需反射率。 再者’在使各折射率滿足n2 = n4 <n3 <nl之關係方 面’介電質膜11 最好由Ta2 05、SiO、Zr02、ZnO、TiO、
Ti〇2 ' ZnS、Nb2 05、Hf02、A1N中之任一者形成，介電質膜 12與介電質膜14最好由Si02、MgF2、BaF2、CaF2中之任一者 形成，介電質膜13最好由Al2〇3、CeF3、NdF3、Mg0、γ2〇3中 之任一者形成，藉由使用該等材料便可輕易地實現具所需
2065-6194-PF(N2)；Ahddub.ptd 第17頁 1239703 五、發明說明（11) "一"" --------- 反射率的多層介電質膜。 者，藉由介電質膜U〜14折射率nl〜n4滿足n2 = n4< 敕膜户〜2係，且依光學長度換算在土 3〇%範圍内個別調 射率。 4便_可在所需波長中依3〜15%範圍實現所需反 让 以，可輕易地配合用途進行規格變更，且藉由考 存性、膜厚依存性，亦可改善半導體雷射裝置的 裂造良率。 口口一 f者1即便如兼具DVD與⑶用的拾波器（pick up)，在 早挪田射日日片中具有放射出互異振盪波長之複數發光點， 所明夕束雷射，仍可適用如同上述的低反射膜1 〇。 一再者’當將上述半導體雷射裝置複數配置於單一封裝 體（package)内，各雷射晶片放射出互異振盪波長，同時 =相同材料與相同膜厚，形成各雷射晶片之光射出面上所 设置的多層介電質膜時，仍將如同多束雷射的情況，可在 各所需波長中實現所需反射率。 實施形態3 在本實施形態中，半導體雷射裝置的構造雖如同第1 圖所示’但是除上述4層構造的低反射膜1 0之外，尚藉由 在發光點以外區域中，部分形成組合第5介電質膜與第6介
電質膜的多層介電質膜，便可形成發光點區域反射率更小 的低反射膜。 N 在光碟（disc)用半導體雷射中，因為光碟的循執 (tracking)乃採用所謂三光束法（3 —Beam法），因而將有從 光碟所返回的光照射到半導體雷射晶片發光點以外之區域
1239703 五、發明說明（12) 的丨月^ ° ^在晶片端面上形成同樣的反射膜之情況時，因 為發光點以外的反射率將變為如同發光點，所以從光碟所 返回的光將再由晶片端面反射，並再度返回光碟上，因而 將發生對光拾波器的循執特性造成不良影響的情況。為抑 制此種不良影響，半導體雷射晶片最好盡可能將發光、點以 外區域形成低反射被覆（coating)。 所以’在雷射晶片的光射出面中，藉由除上述4層構 造的低反射膜之外，尚在發光點以外區域中，部分形成組 合第5曰介電質膜與第6介電質膜的多層介電質膜，便可簡單 地獲得發光點區域反射率更小的低反射膜 、例如當從銜接4層構造的低反射膜10之側起，依序形 成折射率n5與膜厚d5的介電質膜q5、折射率n6與膜厚d6的 介電質膜Q6、折射率n7( = n5)與膜厚d8( = d5)的介電質膜 Q7、以及折射率n8( = n6)與膜厚d8(=d6)的介電質膜低反 膜8的2配對積層膜之情況時，藉由將膜厚(15〜(18實質設定 成換算光學長度為1/4振盪波長的整數倍，便可部分 反射率。 介電質膜Q5最好由a12〇3、CeF3、_3、Mg〇、γ 〇中之 任一者形成，介電質膜q6最好由Si〇2、_、_2、3^ 之任一者形成。 2 例如當介電質膜Q5由折射率n5 = 1. 64〇之材料形 d5 = 100.6nm，介電質膜卯由折射率〇6 = 145〇之材 、二 厚d6-，介電質膜…由折射率η7=1·64〇2 ^料成 膜厚d7 = 100.6nm，介電質膜低反射膜8由折射率以 — ι α成 2065-6194-PF(N2);Ahddub.ptd 第19頁 1239703 五、發明說明（13) 之材料形成膜厚d8 = 113.8nm，且將2配對 ^ 於發光點以外的區域中之情況 承、、曰、—加形成 現在波長66—顯現出約。%反射率的盔反：膜圖所不’可實 第19圖所示係相關上述無反射膜之反射率 Q :膜厚依存性圖。第2。圖所示係相關上述 = 述無反射膜之反射率，☆電質不係相關上 卞"电負膜W的膜厚依存性圖。筮” 圖所示係相關上述無反射膜之反射率：二2 8的膜厚依存性圖。 〃 ^膜低反射膜 從該等圖中在膜厚設計值da中顯示出〇%反射率，得知 相對於各介電質膜膜厚變化下的反射率變化將變為特別 小，即便膜厚d5〜d8相對於膜厚設計值心依± 1〇%範圍產生 變動的情況下’反射率幾乎無變化，即便出現最大變動仍 可抑制至0 · 5 %的反射率變化。 ^ 另外，在上述各實施形態中，雖針對將多層介電質膜 設計在雷射晶片之光射出面單側的例子進行說明，惟即便 將本毛明夕層介電質膜亦設置在雷射晶片之共振器端面上 亦無妨。 本發明雖針對較佳實施形態與相關聯圖式進行說明， 惟對熟習此技術者而言，應可進行各種變化與變更。五種 f化與變更’在不脫逸本發明申請專利範圍所定義範疇的 前提下’均涵蓋於本發明範圍内。
第20頁 2065-6194-PF(N2);Ahddub.ptd 1239703
第1圖係本發明第1實施形態的構造圖。 第2圖係相關低反射膜1 〇之反射率的波長依存性圖。 第3圖係相關低反射膜10之反射率的第i介雷皙 厚依存性圖。 电λ膜π膜 第4圖係相關低反射膜10 厚依存性圖。 第5圖係相關低反射膜1 〇 厚依存性圖。 之反射率的第2介電質膜12膜 之反射率的第3介電質膜13膜 圖係相關低反射膜10之反射率的第4 厚依存性圖。 1电負膘1 4膜
=7,係相關低反射膜10之反射率的波長依存性圖。 厚依^生圖係相關低反射膜10之反射率的第1介電質膜11膜 厚依ί9二係相關低反射膜10之反射率的第2介電質膜12膜 膜厚=相關低反卿之反射率的第3介電質㈣ 第U圖係相關低反射膜10之反射率 膜厚依存性圖。 町半的弟4介電質膜14 第12圖係在2個波長中顯示約6% 膜之波長依存性圖。 。反射率的多層介電質 第1 3圖係相關低反射膜丨〇之反 第η圖係相關低反射膜1G之反=長依存性圖。 膜厚依存性圖。 耵旱的苐1介電質膜11
2065-6l94-PF(N2);Ahddub.ptd 第21頁 1239703 圖式簡單說明 電質膜1 2 膜厚相關低反射膜10之反射率的第2介 第16圖係相關低反射膜10之反射率的第3 依存性圖。 電質膜13 膜厚依存性
膜厚:1 存相關低反射膜10之反射率的第4介電質膜U 之反射率的波長依存性圖。 依存性圖。 曰之反射率的介電質膜Q5膜厚 第2 0圖係相關益反射膜 電質膜Q8膜厚 依存性圖。U射旧日之反射率的介電質聊膜厚 依存,Γ圖1圖係相關無反射膜脂之反射率的介電質聰膜厚 依存Γ圖2圖係相關無反射膜脂之反射率的介 第23圖係習知半導體雷射裝 例圖 例圖第24圖係相關習知低反射膜之反射以:依存性 第25圖係相關習知低反射膜之反射率的膜厚依存性 符號說明】 主動層 電極； 第22頁 1〜半導體基板； 3〜覆蓋層； 2065-6194-PF(N2);Ahddub.ptd 1239703 圖式簡單說明 8〜低反射膜； 1 0〜低反射膜； 1 2〜第2介電質膜 1 4〜第4介電質膜 9〜高反射膜； 11〜第1介電質膜； 1 3〜第3介電質膜； Q5, Q6, Q7, Q8〜介電質膜
2065-6194-PF(N2);Ahddub.ptd 第23頁
Claims (1)
1239703 六、申請專利範圍 1· 一種半導體雷射裝置，在雷 夕 單面上，具有由多層介 曰曰之先射出面至少 其特徵在於： 質膜所構成的反射膜； 反射膜係從銜接雷射晶片之側起，· nl的第1介電質膜、折射序已s ·折射率 第3介雷曾_ '第^丨電負膜、折射率 第3刀電貝膜、以及折射率n4的第4介電質膜·羊n3的 各：射率係滿足n2=n4<nl<n3之V係膜’ 單面上，ίϋΤ雷射裝置’在雷射晶片之光射出面至少 /、有由夕層介電質膜所構成的反 其特徵在於： 反射膜係從銜接雷射晶片之侧 nl的第1介雷暂赠 ^ A ^ 队汁匕s·折射率 第3介電質ί 射率以的第2介電質膜、折射率⑹的 第3 "電質膜、以及折射率η4的第4介電質膜； 各折射率係滿足η2 = η4 < η3 < η 1之關係。 卜3 ·如申請專利範圍第1項之半導體雷射裝置，苴中， 質膜的各膜厚，係設定為換算光學長度的1/4 振盛波長整數倍厚度之± 30%範圍内。 卜4二如申請專利範圍第2項之半導體雷射裝置，其中， 第1〜第4介電質膜的各膜厚，係設定為換算光學長度的1 /4 振盪波長整數倍厚度之± 30%範圍内。 5.種半導體雷射裝置，在雷射晶片之光射出面至少 單面上’具有由多層介電質膜所構成的反射膜，並放射出 振盪波長λ的光； 其特徵在於： 第24頁 2065-6194-PF(N2)；Ahddub.ptd 1239703 六、申請專利範圍 反射膜係具有3〜1 5%反射率，且從銜接雷射晶片之側 起，依序包含：折射率nl與厚度dl的第1介電質膜、折射 率1^與厚度d2的第2介電質膜、折射率n3與厚度d3的第3介 電質膜、以及折射率n4與厚度d4的第4介電質膜； 大體上設定為： 、 折射率1. 6 <nl <1· 9範圍内，折射率^ 3 <n2 6範 圍内折射率L9<n3<2.3範圍内，折射率工3<η4<ι.6 範圍内；以及
膜厚 dl 為（2 .h + Ι) λ/(4 ·η1)，膜厚 d2 為（2 .i + Ι) λ /(4 η2)，膜厚 d3 為（2 · j + 1)又/(4 ·η3)，膜厚 d4 為（2 · k + Π λ/U · n4)(h、i、j、k係指〇 以上整數）。 6. 一種半導體雷射裝置，在雷射晶片之光射出面至少 皁面上，具有由多層介電質膜所構成的反射膜，並放射出 振盪波長λ的光； 其特徵在於： 反射膜係具有3〜1 5%反射率，且從銜接雷射晶片之侧 ，，依序包含：折射率η1與厚度dl的第】介電質膜、折射 率'2與厚度d2的第2介電質膜、折射率⑽與厚度⑸的第3介 電負膜、以及折射率n4與厚度d4的第4介電質.膜；
大體上設定為： 、、， 折射率1·9<η1<2.3範圍内，折射率13<112<1.6範 圍内，折射率1. 6 <η3 <1· 9範圍内，折射率1 3 <η4 <;1 6 範圍内；以及 · · 膜厚 dl 為（2 ·1ι + 1) λ/(4 ·η1)，膜厚 d2a(2 · iH) λ
1239703 申請專利範圍 /(4 · n2)，膜厚du(2 · j + 1) λ/(4 ·心），膜厚d4 為（2 · k + 1) λ/(4 · n4)(h、i、j、k係指〇 以上整數）。 ^ /·如π申請專利範圍第1項之半導體雷射裝置，其中， 第1介電質膜係由Al2〇3、CeF3、NdFs、Mg0、Υ2〇3中之任一者 形成； 第2介電質膜與第4介電質膜係由si〇2、MgF2、BaF2、 CaFz中之任一者形成； 第3 介電質膜係由Ta2 05、SiO、Zr02、ZnO、TiO、 Ti02、ZnS、Nb2〇5、Hf02、AIN 中之任一者形成。 卜8·如申請專利範圍第5項之半導體雷射裝置，其中， 第1介電質膜係由Al2〇3、CeF3、NdF3、Mg0、Υ2〇3中之任一者 形成； 第2介電質膜與第4介電質膜係由Si02、MgF2、BaF2、 CaFz中之任一者形成； 第3 介電質膜係由τ%〇5、si〇、Zr02、ZnO、TiO、 Ti〇2、ZnS、Nb2〇5、Hf02、AIN 中之任一者形成。 ^ 9.如申請專利範圍第2項之半導體雷射裝置，其中， 第1 介電質膜係由Ta2〇5、Si0、Zr〇2、Zn〇、Ti〇、Ti〇2、 ZnS、Nb2 05、Hf 〇2、AIN 中之任一者形成； 、MgF2、BaF2、 MgO、Y2 03中之任 第2介電質膜與第4介電質膜係由SiO CaFz中之任一者形成； 者形成 第3介電質膜係由A 12 03、CeF3、NdF3 1〇·如申請專利範圍第6項之半導體雷射裝置，其中
1239703 六、申請專利範圍 第1 介電質膜係由Ta2〇5、SiO、Zr02、ZnO、TiO、Ti02、 ZnS、Nb2 05、Hf 02、AIN 中之任一者形成； 第2介電質膜與第4介電質膜係由si〇2、MgI?2、Baf?2、 CaF2中之任一者形成； 第3介電質膜係由Al2〇3、CeF3、NdF3、Mg〇、I%中之任 一者形成。 一 11 ·如申請專利範圍第1項之半導體雷射裝置，其中， 雷射晶片的光射出面，係在發光點以外區域中，追加形成 組合著第5介電質膜與第6介電質膜的多層介電質膜，發光 點以外區域的反射率，較小於發光點區域中的反射率。 12·如申請專利範圍第2項之半導體雷射裝置，其中， 雷射晶片的光射出面，係在發光點以外區域中，追力^形成 組合著第5介電質膜與第6介電質膜的多層介電質膜，發光 點以外區域的反射率，較小於發光點區域中的反射率。 13·如申請專利範圍第U項之半導體雷射裝置，苴 中，第5介電質膜與第6介電質膜的各膜 為、 光學長度的丨/4振盈波長整數倍厚度之土 3〇%範圍内為換# 14·如申請專利範圍第12項之半導體雷射，i 中，第5介電質膜與第6介電質膜的各膜 二為換 光學長度的丨/4振盈波長整數倍厚度之士 3〇%範圍二為換开
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |