JP4946524B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
前記共振器の一方の端部に設けられ、前記レーザ光を出射する第1の端面と、
前記共振器の他方の端部に設けられた第2の端面とを備えており、
前記第1の端面および前記第2の端面の少なくとも一方の最前面には、陽極酸化膜が設けられていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ装置に関する。
前記共振器の一方の端部に設けられ、前記レーザ光を出射する第1の端面と、
前記共振器の他方の端部に設けられた第2の端面とを備えており、
前記第1の端面および前記第2の端面の少なくとも一方には、陽極酸化膜が設けられていて、
前記陽極酸化膜の上には、単層または多層のコーティング膜が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ装置に関する。
本実施の形態に係る半導体レーザ装置の斜視図を図1に示す。この半導体レーザ装置は、青色レーザ光を発生させる窒化ガリウム系半導体レーザ装置であり、GaN基板1を用いて形成されている。
実施の形態1では、前端面8に厚さλ/4nの陽極酸化膜10を形成した。これに対して、本実施の形態では、図3に示すように、厚さλ/2n(λ:レーザ光の発振波長、n:誘電体膜の屈折率)の陽極酸化膜11を形成する。
本実施の形態の半導体レーザ装置は実施の形態1と類似した構造を有する。但し、前端面8付近の構造が異なっている。
実施の形態3では、前端面8に、λ/2nまたはその整数倍の厚さの陽極酸化膜13を形成し、その上に、λ/4nのコーティング膜14を形成した。これに対して、本実施の形態では、λ/4nのコーティング膜14に代えて、蒸着・スパッタ等によって、アルミナ、窒化アルミニウム、アモルファスシリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化珪素若しくは酸化ハフニウムなどからなる単層または多層膜を形成する。単層または多層膜の厚さは、例えば、特許文献3に示されている方法により、所望の反射率が得られる構造とする。多層膜とすることにより、薄膜の厚さの製造ばらつきがあっても、反射率の変動が小さいコーティング膜が得られる。
本発明による窒化物系半導体レーザ装置は、次のようにして製造される。
2 n型クラッド層
3 活性層
4 p型クラッド層
5 リッジ
6 p電極
7 n電極
8 前端面
9 後端面
10 陽極酸化膜
12 コーティング膜
101 プラズマ陽極酸化装置
102 真空容器
103 上部電極
104 下部電極
105 ガス導入管
107 高周波電源
108 高周波コイル
109 DC電源
110 バー
111 石英カバー
Claims (7)
- 基板上に半導体膜を積層して形成した半導体レーザであって、
レーザ光の進行方向に沿って設けられた共振器と、
前記共振器の一方の端部に設けられ、前記レーザ光を出射する第1の端面と、
前記共振器の他方の端部に設けられた第2の端面とを備えており、
前記第1の端面および前記第2の端面の少なくとも一方の最前面には、前記半導体自身を陽極酸化した陽極酸化膜が設けられていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ装置。 - 基板上に半導体膜を積層して形成した半導体レーザであって、
レーザ光の進行方向に沿って設けられた共振器と、
前記共振器の一方の端部に設けられ、前記レーザ光を出射する第1の端面と、
前記共振器の他方の端部に設けられた第2の端面とを備えており、
前記第1の端面および前記第2の端面の少なくとも一方には、前記半導体自身を陽極酸化した陽極酸化膜が設けられていて、
前記陽極酸化膜の上には、単層または多層のコーティング膜が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ装置。 - 前記レーザ光の発振波長をλ、前記陽極酸化膜の屈折率をnとすると、前記陽極酸化膜の厚さは、λ/4nまたはその奇数倍であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ装置。
- 前記陽極酸化膜の厚さは、λ/2nまたはその整数倍であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ装置。
- 前記陽極酸化膜の厚さは、10nm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ装置。
- 前記陽極酸化膜は、プラズマ陽極酸化により形成されたものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ装置。
- 前記陽極酸化膜は、200〜600℃でアニールされたものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ装置。
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