JPH0642582B2 - 誘電体多層被覆膜 - Google Patents
誘電体多層被覆膜Info
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- JPH0642582B2 JPH0642582B2 JP15877388A JP15877388A JPH0642582B2 JP H0642582 B2 JPH0642582 B2 JP H0642582B2 JP 15877388 A JP15877388 A JP 15877388A JP 15877388 A JP15877388 A JP 15877388A JP H0642582 B2 JPH0642582 B2 JP H0642582B2
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- dielectric
- refractive index
- coating film
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、例えば内部に回折格子を有する分布帰還形や
分布反射形半導体レーザにおいて、劈開両端面によるフ
ァブリペロ共振での発振動作を極力制御し、内部回折格
子の帰還による共振での発振を得るための半導体レーザ
の端面コーティング膜としての誘電体多層被覆膜に関す
るものでありさらに、光通信や光ディスクなどに代表さ
れる特定波長を使用する光産業用の光学部品の端面ある
いは表面に光伝送効率の向上やゴースト防止などを目的
として被覆される誘電体多層保護膜に関するものであ
る。
分布反射形半導体レーザにおいて、劈開両端面によるフ
ァブリペロ共振での発振動作を極力制御し、内部回折格
子の帰還による共振での発振を得るための半導体レーザ
の端面コーティング膜としての誘電体多層被覆膜に関す
るものでありさらに、光通信や光ディスクなどに代表さ
れる特定波長を使用する光産業用の光学部品の端面ある
いは表面に光伝送効率の向上やゴースト防止などを目的
として被覆される誘電体多層保護膜に関するものであ
る。
＜従来の技術＞ 従来、例えば半導体レーザの共振器端面に被覆される低
反射端面保護膜としては、Al2O3膜あるいはこの膜と他
の誘電体膜との多層誘電体膜が用いられている（例えば
特開昭61-207091号公報）。
反射端面保護膜としては、Al2O3膜あるいはこの膜と他
の誘電体膜との多層誘電体膜が用いられている（例えば
特開昭61-207091号公報）。
＜発明が解決しようとする問題点＞ この従来より誘電体低反射コーティング膜としてよく用
いられているAl2O3の目的波長／４の厚さの膜は、ある
特定波長のみ反射率が理論的に０となるが、少しずれた
波長での反射率の立ち上がりが急峻であり、かつ、一本
のバーで波長のばらつきがある半導体レーザに適用した
場合、一本のバーの全ての素子で反射率１％以下を得る
ことは困難である。さらに、作製の際、膜厚が±１０％
程度の誤差を生じた場合も上記と同様の結果となる。
いられているAl2O3の目的波長／４の厚さの膜は、ある
特定波長のみ反射率が理論的に０となるが、少しずれた
波長での反射率の立ち上がりが急峻であり、かつ、一本
のバーで波長のばらつきがある半導体レーザに適用した
場合、一本のバーの全ての素子で反射率１％以下を得る
ことは困難である。さらに、作製の際、膜厚が±１０％
程度の誤差を生じた場合も上記と同様の結果となる。
また、従来の半導体レーザ等の光学部品に適用している
誘電体コーティング膜は制御性よく目的の屈折率を得る
ことが難しい。特にレーザバーなどへコーティングする
際、一本のバーで発振波長のばらつきがあるため、バー
全体にわたり、換言すれば広い波長範囲にわたり、同程
度の屈折率を得ることは困難であるという問題点を有し
ている。本発明は上記の点に鑑みて創案されたものであ
り広い波長に対して使用可能な低反射，高反射誘電体多
数保護膜を提供することを目的としている。
誘電体コーティング膜は制御性よく目的の屈折率を得る
ことが難しい。特にレーザバーなどへコーティングする
際、一本のバーで発振波長のばらつきがあるため、バー
全体にわたり、換言すれば広い波長範囲にわたり、同程
度の屈折率を得ることは困難であるという問題点を有し
ている。本発明は上記の点に鑑みて創案されたものであ
り広い波長に対して使用可能な低反射，高反射誘電体多
数保護膜を提供することを目的としている。
＜問題点を解決するための手段＞ 上記の目的を達成するため、本発明は光学部品の端面あ
るいは表面に被覆される誘電体多層保護膜を、屈折率の
高い(n1)第１の誘電体膜であるTiO2膜あるいはＺｎＳ膜
と屈折率の低い(n2)第２の誘電体膜であるAl2O3膜の２
種類の誘電体膜を交互に積層してなるように構成してい
る。
るいは表面に被覆される誘電体多層保護膜を、屈折率の
高い(n1)第１の誘電体膜であるTiO2膜あるいはＺｎＳ膜
と屈折率の低い(n2)第２の誘電体膜であるAl2O3膜の２
種類の誘電体膜を交互に積層してなるように構成してい
る。
また、本発明の好ましい実施例にあっては、半導体レー
ザにおいて、劈開で形成された端面に屈折率の高い(n1)
第１の誘電体膜であるTiO2膜あるいはＺｎＳ膜と屈折率
の低い(n2)第２の誘電体膜であるAl2O3膜の２種類の誘
電体膜を交互に積層した誘電体膜多層保護膜を被覆する
ように成しており、このような構成により屈折率の制御
性に優れ、かつ広い発振波長範囲にわたって適用可能な
誘電体多層被覆膜が得られることになる。
ザにおいて、劈開で形成された端面に屈折率の高い(n1)
第１の誘電体膜であるTiO2膜あるいはＺｎＳ膜と屈折率
の低い(n2)第２の誘電体膜であるAl2O3膜の２種類の誘
電体膜を交互に積層した誘電体膜多層保護膜を被覆する
ように成しており、このような構成により屈折率の制御
性に優れ、かつ広い発振波長範囲にわたって適用可能な
誘電体多層被覆膜が得られることになる。
＜実施例＞ 以下、本発明による誘電体多層被覆膜を低反射コーティ
ング膜として用いた場合の実施例を図面を参照しながら
説明する。
ング膜として用いた場合の実施例を図面を参照しながら
説明する。
第１図は本発明による誘電体多層被覆膜を半導体レーザ
の一方の劈開面に低反射膜として適用した例である。第
１図は７８００Å帯の半導体レーザチップ１の一方の劈
開面にTiO2あるいはＺｎＳの高屈折率膜２とAl2O3の低
屈折率膜３を目的波長／４の膜厚で交互に積層して誘電
体多層被覆膜Ｆを構成した例を示している。また、膜の
形成は電子ビーム加熱式真空蒸着法にて行なうが、スパ
ッタ法，イオンプレーティング法などを用いてもよい。
の一方の劈開面に低反射膜として適用した例である。第
１図は７８００Å帯の半導体レーザチップ１の一方の劈
開面にTiO2あるいはＺｎＳの高屈折率膜２とAl2O3の低
屈折率膜３を目的波長／４の膜厚で交互に積層して誘電
体多層被覆膜Ｆを構成した例を示している。また、膜の
形成は電子ビーム加熱式真空蒸着法にて行なうが、スパ
ッタ法，イオンプレーティング法などを用いてもよい。
本発明者等はまず発振波長λ＝７８００Å、端面での等
価屈折率3.4の半導体レーザチップ１に適用した。屈折
率が2.2になるように制御したTiO2膜２を劈開面に対し
てλ／４厚 即ち、８８６Å蒸着し、次に屈折率1.6のA
l2O3膜３を同じくλ／４厚、即ち１２１９Å蒸着する。
同様この組み合わせでTiO2膜４及びAl2O3膜５を蒸着し
て、合計として２回くり返して蒸着した。膜厚の制御は
水晶振動子式膜厚モニターを使用し、各々Al2O3,TiO2の
蒸発ターゲットを入れた蒸着源のシャッターの開閉時間
を制御することにより行なった。ここで、TiO2膜の蒸着
には高純度のＯ２を導入し、その酸素分圧を制御するこ
こと及び蒸着速度制御により屈折率の制御を行なった。
価屈折率3.4の半導体レーザチップ１に適用した。屈折
率が2.2になるように制御したTiO2膜２を劈開面に対し
てλ／４厚 即ち、８８６Å蒸着し、次に屈折率1.6のA
l2O3膜３を同じくλ／４厚、即ち１２１９Å蒸着する。
同様この組み合わせでTiO2膜４及びAl2O3膜５を蒸着し
て、合計として２回くり返して蒸着した。膜厚の制御は
水晶振動子式膜厚モニターを使用し、各々Al2O3,TiO2の
蒸発ターゲットを入れた蒸着源のシャッターの開閉時間
を制御することにより行なった。ここで、TiO2膜の蒸着
には高純度のＯ２を導入し、その酸素分圧を制御するこ
こと及び蒸着速度制御により屈折率の制御を行なった。
このようにして作製した低反射コーティング膜の分光特
性を第２図に示す。第２図に示す分光特性は７０００〜
８８００Åの広い波長範囲にわたって、反射率が１％以
下となっていることを示している。第３図に前記蒸着膜
厚が設定より±１０％ずれた場合の低反射コーティング
膜の分光特性を示す。第３図において(a)が＋１０％の
膜厚、即ち前記TiO2)が９７５Å、Al2O3が１３４０Å蒸
着された場合、(b)が−１０％の膜厚、即ち前記TiO2が
７９７Å、Al2O3が１０９６Å蒸着された場合である。
第３図の分光特性でも７０００〜８８００Åの広い波長
範囲にわたって反射率が１％以下となる。
性を第２図に示す。第２図に示す分光特性は７０００〜
８８００Åの広い波長範囲にわたって、反射率が１％以
下となっていることを示している。第３図に前記蒸着膜
厚が設定より±１０％ずれた場合の低反射コーティング
膜の分光特性を示す。第３図において(a)が＋１０％の
膜厚、即ち前記TiO2)が９７５Å、Al2O3が１３４０Å蒸
着された場合、(b)が−１０％の膜厚、即ち前記TiO2が
７９７Å、Al2O3が１０９６Å蒸着された場合である。
第３図の分光特性でも７０００〜８８００Åの広い波長
範囲にわたって反射率が１％以下となる。
従来の低反射コーティング膜では各膜厚の制御は厳密に
行なわなければ、分光特性の波長に対するずれが大きか
ったのに対し、本発明による低反射膜として適用したコ
ーティング膜は、途中の膜厚のばらつきが多少存在して
も、かつレーザバーに発振波長のばらつきが多少存在し
ても、均一に反射率１％以下の低反射コーティング膜が
再現性よく得られることがわかった。
行なわなければ、分光特性の波長に対するずれが大きか
ったのに対し、本発明による低反射膜として適用したコ
ーティング膜は、途中の膜厚のばらつきが多少存在して
も、かつレーザバーに発振波長のばらつきが多少存在し
ても、均一に反射率１％以下の低反射コーティング膜が
再現性よく得られることがわかった。
さらに本発明による前記TiO2膜の蒸着にはO2を導入し、
その分圧を変化させることにより広い範囲の屈折率を制
御よく得られるという利点を有している。そのため、各
種の発振波長の半導体レーザの劈開面に蒸着する際に
も、前記TiO2の膜厚と前記Al2O2の膜厚の組み合わせが
いろいろ得られ、低反射コーティング膜としてレーザの
等価屈折率範囲を広くカバーすることがわかった。
その分圧を変化させることにより広い範囲の屈折率を制
御よく得られるという利点を有している。そのため、各
種の発振波長の半導体レーザの劈開面に蒸着する際に
も、前記TiO2の膜厚と前記Al2O2の膜厚の組み合わせが
いろいろ得られ、低反射コーティング膜としてレーザの
等価屈折率範囲を広くカバーすることがわかった。
また、他の実施例として本発明者等は、ＺｎＳ膜とAl2O
3膜を発振波長７８００Åの半導体レーザ劈開面に対し
て、λ／４厚でＺｎＳ−Al2O3−ＺｎＳ−Al2O3の順序で
蒸着したところ、第２図とほぼ同じ分光特性が得られ、
かつ膜厚のばらつきも±１０％程度では、反射率１％以
下を得るのに問題ないことがわかった。また、低屈折率
−高屈折率誘電体膜の順序で積層し、膜厚と積層数を最
適化することにより高反射コーティング膜としても広い
発振波長範囲にわたって適用できることもわかった。
3膜を発振波長７８００Åの半導体レーザ劈開面に対し
て、λ／４厚でＺｎＳ−Al2O3−ＺｎＳ−Al2O3の順序で
蒸着したところ、第２図とほぼ同じ分光特性が得られ、
かつ膜厚のばらつきも±１０％程度では、反射率１％以
下を得るのに問題ないことがわかった。また、低屈折率
−高屈折率誘電体膜の順序で積層し、膜厚と積層数を最
適化することにより高反射コーティング膜としても広い
発振波長範囲にわたって適用できることもわかった。
なお、上記実施例にあっては半導体レーザの端面のコー
ティング膜に用いた場合について説明したが、本発明は
上記実施例に限定されることなく特定波長を使用する光
学部品の端面あるいは表面に形成する低反射もしくは高
反射コーティング膜として用いても良いことは言うまで
もない。
ティング膜に用いた場合について説明したが、本発明は
上記実施例に限定されることなく特定波長を使用する光
学部品の端面あるいは表面に形成する低反射もしくは高
反射コーティング膜として用いても良いことは言うまで
もない。
＜発明の効果＞ 以上述べたように本発明による誘電体多層被覆膜はn1＞
n2として屈折率n1の誘電体膜としてのTiO2膜あるいはＺ
ｎＳ膜と屈折率n2の誘電体膜としてのAl2O3膜を半導体
レーザなどの発振波長の1/4の膜厚で高屈折率膜，低屈
折率膜を組み合わせることにより、広い発振波長にわた
って反射率１％以下の低反射コーティング膜を得ること
ができるという効果を有する。また、高反射コーテンィ
グ膜としても使用できるという効果も有する。
n2として屈折率n1の誘電体膜としてのTiO2膜あるいはＺ
ｎＳ膜と屈折率n2の誘電体膜としてのAl2O3膜を半導体
レーザなどの発振波長の1/4の膜厚で高屈折率膜，低屈
折率膜を組み合わせることにより、広い発振波長にわた
って反射率１％以下の低反射コーティング膜を得ること
ができるという効果を有する。また、高反射コーテンィ
グ膜としても使用できるという効果も有する。
また、目的とする膜厚からの蒸着膜厚のばらつき、半導
体レーザなどの被蒸着物へ発振波長のばらつきを広い範
囲で許容することができる効果も有する。
体レーザなどの被蒸着物へ発振波長のばらつきを広い範
囲で許容することができる効果も有する。
さらに、前記TiO2膜を高屈折率膜として用いた場合、導
入O2分圧を制御することにより、、広い範囲の屈折率が
得られるため、広い範囲の発振波長の素子に適用できる
効果も有する。
入O2分圧を制御することにより、、広い範囲の屈折率が
得られるため、広い範囲の発振波長の素子に適用できる
効果も有する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す斜視図、第２図
及び第３図は共に多層誘電体膜の波長−反射率特性を示
す図である。 １…半導体レーザチップ、２…高屈折率の多層誘電体
膜、３…低屈折率の多層誘電体膜、４…高屈折率の多層
誘電体膜、５…低屈折率の多層誘電体膜。
及び第３図は共に多層誘電体膜の波長−反射率特性を示
す図である。 １…半導体レーザチップ、２…高屈折率の多層誘電体
膜、３…低屈折率の多層誘電体膜、４…高屈折率の多層
誘電体膜、５…低屈折率の多層誘電体膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 聡 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭51−107782（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−32385（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−16973（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−84972（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】光学部品の端面あるいは表面に被覆される
誘電体多層被覆膜であって、 屈折率の高い(n1)第１の誘電体膜であるTiO2膜あるいは
ＺｎＳ膜と屈折率の低い(n2)第２の誘電体膜であるＡ
２Ｏ３膜の２種類の誘電体膜を交互に積層してなること
を特徴とする誘電体多層被覆膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15877388A JPH0642582B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 誘電体多層被覆膜 |
| US07/368,274 US4975922A (en) | 1988-06-27 | 1989-06-19 | Multi-layered dielectric film |
| EP89306309A EP0349193A3 (en) | 1988-06-27 | 1989-06-22 | A multi-layered dielectric film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15877388A JPH0642582B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 誘電体多層被覆膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027589A JPH027589A (ja) | 1990-01-11 |
| JPH0642582B2 true JPH0642582B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=15679026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15877388A Expired - Lifetime JPH0642582B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 誘電体多層被覆膜 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4975922A (ja) |
| EP (1) | EP0349193A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0642582B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4117256A1 (de) * | 1989-12-19 | 1992-12-03 | Leybold Ag | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist |
| JP2941364B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1999-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
| US5056099A (en) * | 1990-09-10 | 1991-10-08 | General Dynamics Corp., Electronics Division | Rugate filter on diode laser for temperature stabilized emission wavelength |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| EP0484887B1 (en) * | 1990-11-07 | 1996-04-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Laser diode device having a protective layer on its light-emitting end face |
| JP3014208B2 (ja) * | 1992-02-27 | 2000-02-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子 |
| US5249195A (en) * | 1992-06-30 | 1993-09-28 | At&T Bell Laboratories | Erbium doped optical devices |
| JPH0697570A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザー素子端面の反射鏡およびその製造方法 |
| JP3242495B2 (ja) * | 1993-07-01 | 2001-12-25 | シャープ株式会社 | 多層膜フィルタ付き受光素子及びその製造方法 |
| JP3184031B2 (ja) * | 1993-08-25 | 2001-07-09 | 富士通株式会社 | 光半導体素子装置及び光半導体装置の製造方法 |
| US5623509A (en) * | 1994-03-01 | 1997-04-22 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor laser and light-sensing device using the same |
| EP0814544B1 (en) * | 1996-06-22 | 2002-08-21 | International Business Machines Corporation | Semiconductor laser with facet coating and method for making the same |
| US5940424A (en) * | 1996-06-24 | 1999-08-17 | International Business Machines Corporation | Semiconductor lasers and method for making the same |
| US5812580A (en) * | 1996-11-05 | 1998-09-22 | Coherent, Inc. | Laser diode facet coating |
| FI108355B (fi) | 1998-07-28 | 2002-01-15 | Planar Systems Oy | Nõyt÷n ohutkalvorakenteen eristekalvo sekõ ohutkalvo-elektroluminesessi-nõytt÷laite |
| US6519272B1 (en) * | 1999-06-30 | 2003-02-11 | Corning Incorporated | Long, high-power semiconductor laser with shifted-wave and passivated output facet |
| JP2003078199A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2003204110A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-07-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置およびこれを用いた半導体レーザモジュール |
| KR100460375B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2004-12-08 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 벽개면 형성 방법 |
| JP2004214328A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光通信用装置 |
| JP4097552B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2008-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP4765626B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2011-09-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 光硬化性組成物及びコーティング剤組成物 |
| JP2005072488A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2008227169A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ素子 |
| CN108321675B (zh) * | 2018-04-10 | 2019-12-17 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 激光器及光模块 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3849738A (en) * | 1973-04-05 | 1974-11-19 | Bell Telephone Labor Inc | Multilayer antireflection coatings for solid state lasers |
| US4280107A (en) * | 1979-08-08 | 1981-07-21 | Xerox Corporation | Apertured and unapertured reflector structures for electroluminescent devices |
| JPS56106202A (en) * | 1980-01-29 | 1981-08-24 | Tokyo Optical Co Ltd | Infrared reflection preventing film |
| DE3302827A1 (de) * | 1983-01-28 | 1984-08-02 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum herstellen von optischen elementen mit interferenzschichten |
| US4589115A (en) * | 1983-09-09 | 1986-05-13 | Xerox Corporation | Wavelength tuning of quantum well heterostructure lasers using an external grating |
-
1988
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1989
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- 1989-06-22 EP EP89306309A patent/EP0349193A3/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4975922A (en) | 1990-12-04 |
| JPH027589A (ja) | 1990-01-11 |
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| EP0349193A2 (en) | 1990-01-03 |
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