CN112226729B - 一种带通滤光片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供带通滤光片的制备方法,包括镀膜前对未镀膜的空白基片进行抛光处理并超声波清洗;在基片上镀膜并对每一膜层进行膜层厚度控制;镀膜的膜系结构包括若干个法布里‑帕罗腔及连接层;连接层为非四分之一波长的光学厚度的低折射率层;镀膜后进行超声波清洗;检验得到合格的带通滤光片。本发明在膜系结构和膜层厚度以及监控方式上进行了改进,根据膜系结构多次实验选择合适的监控方法,可制备高精度的插损线性变化的带通滤光片,该带通滤光片的通带插损或透过率具有线性变化,在通带内实现了在特定的波长范围内插损随波长是线性变化的,在特定的波长范围内实现波长识别的功能。
Description
技术领域
本发明涉及光学技术领域,具体涉及一种带通滤光片的制备方法。
背景技术
目前用于波长识别的器件有光栅器件以及带通滤光片组合器件等。而带通滤光片是使得某个特定波长或窄波段的光透过,通带之外的光不能够透过。通常应用于分光等使用方向,带通滤光片通常要求带通滤光片的通带插损或透过率要尽可能的平坦,纹波要小。
常规情况下,带通滤光片的通带内都是要求纹波平坦,由1/4光学厚度的高低折射率介质膜层交替堆叠,构成多级的法布里-帕罗腔级联形成。由于带通滤波片的特点导致带通滤波片很难实现插损随波长线性变化,现有技术中还没有带通滤光片在通带内可实现插损随波长是线性变化的。而带通滤光片的制备过程中采用的膜系设计和制备方法对滤光片的性能至关重要。因此,需要提供一种新的制备方法制备出新的带通滤光片,以保证带通滤光片的功能的同时实现根据更少的滤光片得到更多波长。
发明内容
针对现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种带通滤光片的制备方法。
本发明的技术方案概述如下:
本发明提供一种带通滤光片的制备方法,包括:
S1、镀膜前对未镀膜的空白基片进行抛光处理并超声波清洗;
S2、在所述基片上镀膜,并根据镀膜的膜系对每一膜层进行膜层厚度控制;
其中,镀膜的膜系的膜系结构包括若干个法布里-帕罗腔及连接层;所述法布里-帕罗腔的结构为:aHLHL2HLHLH、bHLHLHLHL2HLHL3HLHLH、cHLHLHL2HLHLHLH、dHLHL2HLHLA,其中,dHLHL2HLHLA为最后一层法布里-帕罗腔;
H为四分之一中心波长光学厚度的高折射率层,L为四分之一中心波长光学厚度的低折射率层;2H为两个四分之一中心波长光学厚度,A为非四分之一光学厚度的高折射率层;a、b、c、d为每个所述法布里-帕罗腔的第一个高折射率层的四分之一中心波长光学厚度的系数;
所述法布里-帕罗腔之间通过所述连接层级联,所述连接层为非四分之一波长的光学厚度的低折射率层。
S3、镀膜后进行超声波清洗;
S4、检验得到合格的带通滤光片。
进一步地,所述法布里-帕罗腔的数量为9个。
进一步地,所述高折射率层的材料为Ta2O5、Nb2O5、TiO2中的至少之一,所述高折射率层的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.85至2.5。
进一步地,所述低折射率层的材料为SiO2、Al2O3、MgF2中的至少之一,所述低折射率层的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.38至1.6。
进一步地,所述基片为二氧化硅材料或硅材料基片,基片的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.45至3.5。
进一步地,所述法布里-帕罗腔的第一个高折射率层的四分之一中心波长光学厚度的系数通过上一个所述法布里-帕罗腔的最后一层的光学厚度优化得出。
进一步地,所述a、b、c、d为0.974-1.009,所述法布里-帕罗腔的第一个高折射率层的四分之一中心波长光学厚度为0.974-1.009个四分之一波长的光学厚度,以使此层结束时的透过率达到极值。
进一步地,所述连接层的光学厚度为0.675-2.450中的非整数个四分之一波长的光学厚度。
进一步地,在步骤S2中,所述根据镀膜的膜系对每一膜层进行膜层厚度控制,包括:所述每个所述法布里-帕罗腔的第一层在镀膜监控中采用极值法监控,以便接下来的每一层四分之一波长的光学厚度的膜层都可以采用极值法监控。
进一步地,在步骤S2中,所述根据镀膜的膜系对每一膜层进行膜层厚度控制,包括:所述连接层采用晶控/时间的控制方法进行监控。
相比现有技术,本发明的有益效果在于:
本发明提供的一种带通滤光片的制备方法,在膜系结构和膜层厚度以及监控方式上进行了改进,根据膜系结构多次实验选择合适的监控方法,可制备高精度的插损线性变化的带通滤光片,该带通滤光片的通带插损或透过率具有线性变化,在通带内实现了在特定的波长范围内插损随波长是线性变化的,在特定的波长范围内实现波长识别的功能,相对于光栅以及带通滤光片组合器件的技术方案,在成本上具有明显的优势。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明的一种插损线性变化的带通滤光片的示意图;
图2为本发明中的目标斜率的示意图;
图3为本发明提供的一种插损线性变化的带通滤光片的实施例一在0-30dB范围下0度入射的波长与插损,以及目标斜率的关系图;
图4为本发明提供的一种插损线性变化的带通滤光片的实施例一在0-6dB范围下0度入射的波长与插损,以及目标斜率的关系图;
图5为为本发明提供的一种插损线性变化的带通滤光片的实施例二在0-30dB范围下13.5度入射的波长与插损,以及目标斜率的关系图;
图6为本发明提供的一种插损线性变化的带通滤光片的实施例二在0-6dB范围下13.5度入射的波长与插损,以及目标斜率的关系图;
图7为本发明一种带通滤光片的制备方法的流程示意图。
附图标记:1、基片;2、高折射率层;3、低折射率层;4、连接层;5、法布里-帕罗腔。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明,本发明的前述和其它目的、特征、方面和优点将变得更加明显,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。在附图中,为清晰起见,可对形状和尺寸进行放大,并将在所有图中使用相同的附图标记来指示相同或相似的部件。在下列描述中,诸如中心、厚度、高度、长度、前部、背部、后部、左边、右边、顶部、底部、上部、下部等用词为基于附图所示的方位或位置关系。特别地,“高度”相当于从顶部到底部的尺寸,“宽度”相当于从左边到右边的尺寸,“深度”相当于从前到后的尺寸。这些相对术语是为了说明方便起见并且通常并不旨在需要具体取向。涉及附接、联接等的术语(例如,“连接”和“附接”)是指这些结构通过中间结构彼此直接或间接固定或附接的关系、以及可动或刚性附接或关系,除非以其他方式明确地说明。
接下来,结合附图以及具体实施方式,对本发明做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。应当理解,本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。
带通滤光片(Bandpass Filters)只可以使某个特定波长或窄波段的光透过,通带之外的光不能够透过。带通滤光片光学指标主要是:中心波长(CWL)、半带宽(FWHM)。根据带宽大小分为:带宽<30nm为窄带滤光片;带宽>60nm以上的为宽带滤光片。
滤光片是用来选取所需辐射波段的光学器件。滤光片是由基片以及基片上的若干膜层堆叠而成,膜层的厚度可以分为物理厚度,光学厚度两种描述方式。物理厚度指的是物理尺度上的厚度,如100nm等;光学厚度指的是光经过的路程,这涉及到材料的折射率以及光的波长QW=(n*d)/λ,其中,n为光经过的材料的折射率,d为物理厚度,λ为光的波长。
目前用于波长识别的器件有光栅器件以及带通滤光片组合器件等。而带通滤光片通常应用于分光等使用方向,通常要求带通滤光片的通带插损或透过率要尽可能的平坦,纹波要小,由于带通滤波片的特点导致带通滤波片很难实现插损随波长线性变化,现有技术中还没有带通滤光片在通带内可实现插损随波长是线性变化的。因此,本发明的目的就是提供一种插损线性变化的带通滤光片,即实现在通带内实现了在特定的波长范围内插损或透射率随波长是线性变化的,在特定的波长范围内实现波长识别的功能,通过测量插损值的大小,即可获得测量光的波长。同时其带通滤光片的特性,可以对带通外的波长进行高隔离度的截止,减少杂散光对测试结果的影响。
参考图7,本发明提供的一种带通滤光片的制备方法,包括:
S1、镀膜前对未镀膜的空白基片进行抛光处理并超声波清洗。
S2、在所述基片上镀膜,并根据镀膜的膜系对每一膜层进行膜层厚度控制。
S3、镀膜后进行超声波清洗。
S4、检验得到合格的带通滤光片。
在S1步骤中,清洗用的超声波的功率为600W-900W,清洗药剂为RS-26,频率值的设定为28KHZ-40KHZ。
基片为二氧化硅材料或硅材料基片,基片的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.45至3.5。优选地,为K9光学玻璃。
在步骤S2中,如图1所示,在基片上镀膜的膜系的膜系结构包括若干个法布里-帕罗腔5及连接层4,每个法布里-帕罗腔5通过连接层4级联下一个法布里-帕罗腔5,连接层4为非四分之一波长的光学厚度的低折射率层;
法布里-帕罗腔的结构为:aHLHL4HLHLH、bHLHLHLHL4HLHL3HLHLH、cHLHLHL4HLHLHLH、dHLHL4HLHLA,其中,dHLHL4HLHLA为最后一层法布里-帕罗腔;
H为四分之一中心波长光学厚度的高折射率层,L为四分之一中心波长光学厚度的低折射率层;4H为四个四分之一中心波长光学厚度,A为非四分之一光学厚度的高折射率层;a、b、c、d为每个所述法布里-帕罗腔的第一个高折射率层的四分之一中心波长光学厚度的系数。
滤光片在入射角度为0-13.5度下,波长的插损随波长线性地递增或递减。
滤光片在1304.5-1317nm波段范围内的插损以斜率0.3846dB/nm从-5dB递增至-0.2dB。
法布里-帕罗腔的数量为9个。
法布里-帕罗腔的第一个高折射率层的四分之一中心波长光学厚度的系数通过上一个所述法布里-帕罗腔的最后一层的光学厚度优化得出。a、b、c、d为整数1或近似于1。此设计的目的是为了更好地与连接层4(即非四分之一光学厚度的折射率层)级联。且用近似四分之一波长的光学厚度来补偿中心波长在此层结束时的透过率达到极值,在镀膜监控中采用极值法监控,以便接下来的每一层四分之一波长的光学厚度的膜层都可以采用极值法监控,可以精确地控制光学厚度,得到精确的透过率线性变化的滤光片。
具体地,a、b、c、d为0.974-1.015,即法布里-帕罗腔的第一个高折射率层的四分之一中心波长光学厚度为0.974-1.015个四分之一波长的光学厚度,以使此层结束时的透过率达到极值,在镀膜监控中采用极值法监控,极值法是用于监控光强的变化趋势,判断光强信号达到极值点后切换到下一层;这种算法具有补偿前面膜层误差的功能。
连接层的光学厚度为0.675-2.451中的非整数个四分之一波长的光学厚度。连接层4则用晶控/时间的控制方法进行镀膜监控,多种监控方法监控过程曲线从而达到所需要的滤光作用,且不会累计误差,提高带通滤光片中膜层厚度中精确度。
优选地,高折射率层的材料为Ta2O5、Nb2O5、TiO2中的至少之一,所述高折射率层的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.85至2.5。
低折射率层的材料为SiO2、Al2O3、MgF2中的至少之一,所述低折射率层的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.38至1.6。
基片为二氧化硅材料或硅材料基片,基片的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.45至3.5。基片为D263T、WMS-15、BK7、FS、Si中的至少之一。优选地,基底材料为普通的K9光学玻璃。
在步骤S2中根据镀膜的膜系对每一膜层进行膜层厚度控制,包括:每个所述法布里-帕罗腔的第一层在镀膜监控中采用极值法监控,以便接下来的每一层四分之一波长的光学厚度的膜层都可以采用极值法监控;
连接层采用晶控/时间的控制方法进行监控。
具体地,晶控/时间的控制方法采用晶振控制器进行,原理是:在镀膜过程中,膜层会沉积到晶控控制器的晶振片表面;而随着晶振片上表面膜层厚度的增加,晶振片的振荡频率会发生变化;晶振控制器上通过获取晶振片震荡频率的变化从而获得晶振片上膜层的厚度变化。而该控制方式的缺点是无法实现光学厚度补充,会导致通带的峰值透过率无法提高。所以常常只是用于控制镀膜过程的沉积速率。
对于高精度的光学滤光片,往往考虑采用直接光控的方式进行控制膜层厚度。理由在于在镀膜过程中,由于镀膜固有的特性以及生产工艺、设备的差异,往往会造成膜层的特性与理论上的特性有所出入,例如膜层的折射率同块状材料的折射率对比会偏低,并且不同的工艺造成膜层的折射率会有所差别。而滤光片最终应用是光,所以考虑在沉积过程中就通过监控光信号来控制光学厚度。
在镀膜过程中,由于测试误差以及工艺与理论之间的误差会导致实际测试值与理论测试值有所出入,那么就需要通过光学监控算法来减少或弥补误差带来的影响。常规的算法有比值法,极值法等。比值法通常用于非规整(非整数)的1/4波长的监控,但缺点在于单一监控片情况下,会累积误差,从而导致最终产品的失效。往往用于光谱精度要求较低的光学产品。极值法是用于监控光强的变化趋势,判断光强信号达到极值点后切换到下一层;这种算法具有补偿前面膜层误差的功能。
本发明在在考虑膜层厚度以及监控方式上进行了改进,在每个所述法布里-帕罗腔的第一层在镀膜监控中采用极值法监控,判断光强信号达到极值点后切换到下一层,以便接下来的每一层四分之一波长的光学厚度的膜层都可以采用极值法监控,补偿前面膜层误差的功能。
非四分之一光学厚度的折射率层作为连接层采用晶控/时间的控制方法进行监控,通过获取晶振片震荡频率的变化从而获得晶振片上膜层的厚度变化,用于控制镀膜过程的沉积速率。利用晶控/时间控制方法可以镀制任意厚度的复杂膜层,结合极值法监控,弥补单一监控造成误差累计,从而避免产品的失效;多种监控方法监控过程曲线从而达到所需要的滤光作用,且不会累计误差,提高带通滤光片中膜层厚度中精确度。
在步骤S2中镀膜包括进镀膜机进行薄膜沉积,具体采用溅射或离子束辅助沉积的硬介质镀膜。
在薄膜沉积过程中,如何精确控制膜层是实现高精度光学滤光片的核心。在这个过程中,有两个重要的控制因素:一是膜层在沉积过程中如何保持稳定的沉积速率;二是如何保证膜层的厚度达到要求。
在离子束辅助沉积过程中,利用电子枪加热膜料,实现膜料的热蒸发,在这过程中利用晶振控制器获取膜层的物理厚度从而控制膜层的沉积速率。在磁控溅射以及离子束溅射的沉积过程中,通过等离子体轰击靶材,利用弹性碰撞的原理将膜料溅射出来,在这过程中通过控制电源的功率稳定来保证等离子体的浓度,从而实现沉积速率的稳定。
而且在离子束辅助沉积过程中,更利于采用晶控/时间的控制方法进行监控膜层厚度达到要求。
优选地,在S2步骤中,在膜系结构中的膜层镀膜完成后,蒸镀铟锡氧化物膜,起到抑制表面灰尘的作用,具体地,为保证带通滤光片的性能稳定,蒸镀铟锡氧化物膜的条件为:采用200度、100sccm的氧压,以稳定的3.5nm/分的蒸发速率条件下蒸镀。
在步骤S4检验得到合格的带通滤光片中,合格的带通滤光片为在入射角度为0-13.5度下,波长的插损随波长线性地递增或递减,或在1304.5-1317nm波段范围内的插损以斜率0.3846dB/nm从-5dB递增至-0.2dB。
具体的该方法制备的带通滤光片有以下两个实施例:
本实施例一为的其中一种带通滤波片。图2为本实施例在通带范围内的插损目标斜率下波长和插损的关系图,其斜率为0.3846dB/nm,在1304.5-1317nm范围内的插损按照表1目标斜率曲线以斜率0.3846dB/nm从-5dB递增至-0.2dB。
表1 目标斜率曲线
图3,图4为在0度入射角的条件下,实施例一在1304.5-1317nm范围内的实测插损值与插损目标值的对比图。实线为产品实测的产品插损曲线,黑点为不同波长插损目标值,图3为本实施例在0-30dB范围下0度入射的波长与插损,以及目标斜率的关系图;图4为本实施例在0-6dB范围下0度入射的波长与插损,以及目标斜率的关系图。
其膜系结构包含138层由两种材料堆叠而成的膜系。其以1314nm为特征波长的初始化结构为:
HLHL2HLHLHB
HLHLHL2HLHLHLHB
HLHLHLHL2HLHLHLHLHB
HLHLHLHL2HLHLHLHLHB
HLHLHLHL2HLHL3HLHLHB
HLHLHLHL2HLHLHLHLHB
HLHLHLHL2HLHLHLHLHB
HLHLHL2HLHLHLHB
HLHL2HLHLAB
其中,以1314nm为特征波长的所述法布里-帕罗腔的结构为:aHLHL2HLHLH、bHLHLHLHL2HLHL3HLHLH、cHLHLHL2HLHLHLH、dHLHL2HLHLA,其中,dHLHL2HLHLA为最后一层法布里-帕罗腔。
以9个法布里-帕罗腔通过非1/4光学厚度的低折射率材料B级联而成;A为非1/4光学厚度的高折射率材料,,A为非1/4光学厚度的高折射率材料,通过优化A,B的厚度以及下一个法布里-帕罗腔的第一个H的厚度得到对应的膜系。其中堆叠的层次顺序和每一层膜厚的控制方式如下表2所示:
表2 实例一的膜系结构和控制方式
本实施例采用高折射率层的材料为Ta2O5,在1314nm附近的折射率为2.134。低折射率层的材料为SiO2,在1314nm附近的折射率为1.453。基底材料为普通的K9光学玻璃,折射率为1.52。
从图3-图4可以看出,在0度入射角度下,该带通滤波片的波长与插损呈线性变化。实施例一的带通滤波片可以满足0角度下的插损呈一定斜率的线性变化;采用溅射或离子束辅助沉积的硬介质镀膜,并且可以满足通讯类、汽车类产品的耐摩擦、耐高温高湿的可靠性需求。
制备的带通滤光片的实施例二如下:
本实施例二为的其中一种带通滤波片。图2为本实施例在通带范围内的插损目标斜率下波长和插损的关系图,其斜率为0.3846dB/nm,在1304.5-1317nm范围内的插损按照表1目标斜率曲线以斜率0.3846dB/nm从-5dB递增至-0.2dB。
图5,图6为在13.5度入射角的条件下,本实施例在1304.5-1317nm范围内的实测插损值与插损目标值的对比图。实线为产品实测的产品插损曲线,黑点为不同波长插损目标值,图5为本实施例在0-30dB范围下13.5度入射的波长与插损,以及目标斜率的关系图;图6为本实施例在0-6dB范围下13.5度入射的波长与插损,以及目标斜率的关系图。
其膜系结构包含138层由两种材料堆叠而成的膜系。其以1325nm为特征波长的初始化结构为:
HLHL2HLHLHB
HLHLHL2HLHLHLHB
HLHLHLHL2HLHL3HLHLHB
HLHLHLHL2HLHL3HLHLHB
HLHLHLHL2HLHL3HLHLHB
HLHLHLHL2HLHL3HLHLHB
HLHLHLHL2HLHL3HLHLHB
HLHLHL2HLHLHLHB
HLHL2HLHLAB
其中,以1325nm为特征波长的所述法布里-帕罗腔的结构为:aHLHL2HLHLH、bHLHLHLHL2HLHL3HLHLH、cHLHLHL2HLHLHLH、dHLHL2HLHLA,其中,dHLHL2HLHLA为最后一层法布里-帕罗腔。
以9个法布里-帕罗腔通过非1/4光学厚度的低折射率材料B级联而成;A为非1/4光学厚度的高折射率材料,,A为非1/4光学厚度的高折射率材料,通过优化A,B的厚度以及下一个法布里-帕罗腔的第一个H的厚度得到对应的膜系。其中堆叠的层次顺序和每一层膜厚的控制方式如下表2所示:
表3 实例二的膜系结构和控制方式
本实施例采用高折射率层的材料为Ta2O5,在1325nm附近的折射率为2.134。低折射率层的材料为SiO2,在1325nm附近的折射率为1.453。基底材料为普通的K9光学玻璃,折射率为1.52。
从图5-图6可以看出,在13.5度入射角度下,该带通滤波片的波长与插损呈线性变化。实施例二的可以满足13.5角度下的插损呈一定斜率的线性变化;采用溅射或离子束辅助沉积的硬介质镀膜,并且可以满足通讯类、汽车类产品的耐摩擦、耐高温高湿的可靠性需求。
本发明提供的一种带通滤光片的制备方法,在膜系结构和膜层厚度以及监控方式上进行了改进,根据膜系结构多次实验选择合适的监控方法,可制备高精度的插损线性变化的带通滤光片,该带通滤光片的通带插损或透过率具有线性变化,在通带内实现了在特定的波长范围内插损随波长是线性变化的,在特定的波长范围内实现波长识别的功能,相对于光栅以及带通滤光片组合器件的技术方案,在成本上具有明显的优势。
需要说明的是:上述本发明实施例先后顺序仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。且上述对本说明书特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下,在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。
上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是,熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地,本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述具体实施方式。
Claims (7)
1.一种带通滤光片的制备方法,其特征在于,包括:
S1、镀膜前对未镀膜的空白基片进行抛光处理并超声波清洗;
S2、在所述基片上镀膜,并根据镀膜的膜系对每一膜层进行膜层厚度控制;
其中,镀膜的膜系的膜系结构包括若干个法布里-帕罗腔及连接层;所述法布里-帕罗腔的结构为:aHLHL2HLHLH、bHLHLHLHL2HLHL3HLHLH、cHLHLHL2HLHLHLH、dHLHL2HLHLA,其中,dHLHL2HLHLA为最后一层法布里-帕罗腔;最后一层法布里-帕罗腔包括连接层;
H为四分之一中心波长光学厚度的高折射率层,L为四分之一中心波长光学厚度的低折射率层;2H为两个四分之一中心波长光学厚度,A为非四分之一光学厚度的高折射率层;a、b、c、d为每个所述法布里-帕罗腔的第一个高折射率层的四分之一中心波长光学厚度的系数;
所述法布里-帕罗腔的第一个高折射率层的四分之一中心波长光学厚度的系数通过上一个所述法布里-帕罗腔的最后一层的光学厚度优化得出;
所述a、b、c、d为0.974-1.009,所述法布里-帕罗腔的第一个高折射率层的四分之一中心波长光学厚度为0.974-1.009个四分之一波长的光学厚度,以使此层结束时的透过率达到极值;
所述法布里-帕罗腔之间通过所述连接层级联,所述连接层为非四分之一波长的光学厚度的低折射率层;
所述连接层的光学厚度为0.675-2.450中的非整数个四分之一波长的光学厚度;
S3、镀膜后进行超声波清洗;
S4、检验得到合格的带通滤光片。
2.如权利要求1的带通滤光片的制备方法,其特征在于,所述法布里-帕罗腔的数量为9个。
3.如权利要求1的带通滤光片的制备方法,其特征在于,所述高折射率层的材料为Ta2O5、Nb2O5、TiO2中的至少之一,所述高折射率层的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.85至2.5。
4.如权利要求1的带通滤光片的制备方法,其特征在于,所述低折射率层的材料为SiO2、Al2O3、MgF2中的至少之一,所述低折射率层的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.38至1.6。
5.如权利要求1的带通滤光片的制备方法,其特征在于,所述基片为二氧化硅材料或硅材料基片,基片的折射率在1304.5-1317nm的范围为1.45至3.5。
6.如权利要求1的带通滤光片的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述根据镀膜的膜系对每一膜层进行膜层厚度控制,包括:所述每个所述法布里-帕罗腔的第一层在镀膜监控中采用极值法监控,以便接下来的每一层四分之一波长的光学厚度的膜层都可以采用极值法监控。
7.如权利要求1的带通滤光片的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述根据镀膜的膜系对每一膜层进行膜层厚度控制,包括:所述连接层采用晶控/时间的控制方法进行监控。
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