TW552693B - Electronic component with a plastic package and method for its production - Google Patents

Description

玫、聲明說明 - 了1^所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 發明摘要領域 本發明關於一種具塑勝封裝之電子元件及其對應至該獨 立項之前特徵化條款之製造方法。 先前技術 包括一具一半導體晶片之塑膠封裝及分布在該塑膠封裝 下邊上之外接觸部之電子元件製造之漸增複雜度在製造本 類型電子元件中之拒絕量係·越來《越多。結果，這類電子元 件之製造成本隨著在它的下邊具有越來越多外接觸部數量 而增加。 發明概述 本.發明之一目的係提供一種電子元件及其製造方法，其 中，雖有漸增之複雜度及一漸增之外端點量，該拒絕率係 減少而且它仍可被便宜地製造。 曰：入調查發現到製造具有一塑膠封裝之複雜元件變得更 〒貝的-主要原因係、為用於封裝之所有可能形式之大量裝 配技術’因沒有標準技術平卜用於不同封裝及封裝家游 術至今6完全不同。甚至，插人機及定義晶片裁 /、及U糸統载具之使用呈現出必要性'然而，尤宜是— 插入機之技術性複雜接線功能承㈣_定功能性風險 據本發明具有-塑膠封裝之電子元J 入機之使用係為可能的。 -. …掉—插 根據本發明 體晶片被配置 ，一電子元件具有一塑 。該塑膠封裝具有邊緣 膠封裝’其中一半導 ’其係配置於該半導 (2) (2)552693

-晶片邊緣四周。本財，在料導體晶片 該塑膠封裝之邊緣上，形成呈有— 遺及 广 々双—肩与度回達約至30 μηι之一 溥-电，絕緣塑膠層。該塑膠層在本例中可具有一厚戶古達 20叫’以允許製造非常小之元件。根據本發明之製=法 特別允許這類元件非常容易製造且相當可靠。 該_層在本例中可產自用以製造該封裝所使用之塑勝 模造化合物。該輯封裝下❹料㈣部，其被連接以 經由接線來接觸在該半導體晶i之—動作上邊上之區域。 該接線在本例中係配置於―:或更多接線平面。該塑膠層在 本例中可造的非常薄，甚至Μ提供—電性絕緣效應時， 如同一在該半導體晶片上之薄鈍化層。 本電子元件具有之優勢為它提供一用於高度整合並具大 置柱之架構形式之低成本封裝另<列，而不須使用多層基板 及額外插入機。同時，代表該半導體晶片之動作上邊上之 接觸區域中之一電性傳導高升部之接觸柱攜帶有關一新裝 配技術做為用於封裝之所有可能形式之技術平台。在一塑 膠封裝模造化合物中嵌入之半導體晶片之接觸區域上之2 觸柱製造以基本結構總是維持相同方式提供一用於製造各 種封裝及封裝家族之新技術。 根據本發明具有之電子元件，在例如扇出設計之未來技 術中，高度整合元件可只以具有高達晶圓層級之高效率規 格要求之低接腳數應用之相同方式來製造。這類電子元件 同時也克服直到現在不同形式之封裝總是需要用於生產線 之新觀念而導致根據本無明之電子元件不再需要之廣泛類 型之設備、處理程序及材料之困難。包含高頻技術之應用 領域及例如該P-LFBGA封裝之高接腳數封裝之封裝所採用 之不同方法可在根據本發明電子元件基礎上被標準化及簡 化。 在該塑膠層及該接線平面間或在該塑膠層及該接線平φ 其中之一之間也可提供至少再一電性絕緣中間層。用於某 些應用中，進一步優勢可引自與根據本發明元件之機械或 電子特性相關的這個。 若外接觸部係配置於該塑#封裝邊緣下之區域，具有特 別小的半導體晶片之元件仍:可以使良好之電性連結。根據 本發明之本較佳具體實施例，該外接觸部量也可藉由使該 塑膠封裝模造化合物大於該半導體晶片邊緣之任意内含值 來隨意增加。 該外接觸部在本例中也可被連接以經由該半導體晶片之 接觸柱及經由配置於該塑膠封裝模造化合物上之接線來接 觸該半導體晶片之動作上邊上之區域。接著，形成該接觸 柱做為該接觸區域之一電性傳導升高部。 在本發明之一改進例中，提供之半導體晶片後邊係配置 於該塑膠封裝上邊上並具有一用於一接地電位之外接觸區 域。本外接觸區域也可使用於-熱傳導方塊或-冷卻元件 之連接。本電子元件之一優勢係為不只是配置於該電子元 件下邊上之外接觸部，-中間V接觸區域現在也同時提供 於該電子元件上邊。 在本^月又一較佳具體實施例中，該半導體晶片後邊係 (4) 配置於該塑夥封裝上邊之下並被一塑膠封裝模造化合物之 覆益物所覆蓋。本發明之本較佳具體實施例具有之優勢為 4半^體曰曰片I邊係藉由該塑膠封裝模造化合物之覆蓋物 做保護免於機械性損壞。 在根據本t明具有之電子元件例中，該接線至少可部分 直接依罪在該塑膠封裝模造化合物上。 根據务展，在外接觸區域上之外接觸部施用期間，由 違外接觸部㈣㈣弄濕之接線，所導致之任何風險藉由在 電子元件下邊提供一焊接抗蝕層之一簡單方式來避開， 其中該外接觸部之層外接觸、區域維持自由。 該外接觸部它們本身可形成焊球或焊塊。既然一些相 對應外接觸區域被配置在該電子元件下邊，這類型之焊 球及焊塊具有之優勢為它們可被配置於該塑膠封裝之整 個下邊。 在本發明之又一具體實施例中，一多層互連結構可被配 置在該塑膠封裝模造化合物上。這個多層互連結構用以將 該半導體晶片之接觸柱接線至所提供之外接觸部使用。本 發明之這個具體實施例另具有之優勢為該多層互連結構可 被建立在嵌入塑膠封裝模造化合物且其上邊不保留塑膠模 造化合物之半導體晶片之接觸柱上，結果，該多層互連結 構之最下邊互連層直接依靠在該塑膠封裝模造化合物上並 連接至該半導體晶片之接觸柱。- 種用以製造一具有一其中配置一半導體之塑膠封裝之 電子元件之方法具有下列步驟。第一，提供一具有配置成 (5) (5)552693 2列式之接觸區域之半導體晶片β接著，該接觸區域被升 該半導體晶圓上之接觸柱。在該柱狀形式之接觸 --间後’該半導體晶片可分成個別之半導體晶片。一 模造板接著隨這些半導體晶片被載入。接著，-共用載且 2個模造板上製自塑膠封裝模造化合物中，該半導體晶 =係二將該接觸柱上邊與該半導體晶片之接觸區域相對配 〜之乂類方式來配置嵌入至該塑膠封裝模造化合物中，使 :載具上邊維持自由二在該半導體载具上邊，接 ' 選擇性地施加至該其用載具，各例中之一接線之 某線端被連接至一接觸柱之一曝露上邊而另一線端接引至 :外接觸區域。除開這些外接觸區域，該載具 選擇性施加-焊接抗姓劑所塗佈，結果，位在該上邊之： 線受到保護而免於被施加之外接觸部材料所弄濕。最後， 施加焊球或焊塊至料露外接觸區域n 成個別的電子元件。 戰八被刀 :個方法具有之優勢為它提供一用於所有可能形式封裝 之技，千台。本例中，用以製造各種封裝及封裝家族之技 術總是保持_樣。用以製造—電子元件之這個方法例中， 省掉插入機或定義晶片載具之使用係為可能的。具有本發 明，可產生任何想要的接腳設計。即使在例如扇出 未來技術中’高度整合性元件可只是以與具有到達晶圓層 級封裝之向效率規格要求之低接-腳數應用之相同方式來制 造。 衣 根據本發明具有之方法，一專用插人機之複雜接線功能 552693 ⑹ 可完全被取代。最後，根據本發明方法提供一用於不使用 多層基板及額外插人機之高度整合並具有—大量柱之架構 形式之低成本封裝另例。具有這些方法，直接在該塑膠封 裝模造化合物及多層結構上之兩個單層接線係可能的。在 該電子元件下邊上之任何想要端點圖案也可利用本發明來 製造。用於例如VQFNst P_LFBGA封裝例之不同封裝，不呈 有技術性差異。結果，根據本發明之方法及相關之處理程 序係無關於封裝的。 根據本發明方法，該半導體晶圓下邊之-連續性係在分 割成為半導體晶片前提供一塑膠封裝模造化合物塗層。這 個具有之優勢為第一是在它具有一塑膠封裝模造化合物之 下邊提供-整體的半導體晶圓，結果，在分割成為個別半 導體晶片I’後者係、已在它們後邊上提供-塑膠封裝模造 化合物。該後邊之嵌人及因此由該塑膠封裝模造化合物保 護之後邊接著在實行該晶片進一部處理以形成一電子元件 前已經實行。 在本方法又配置例中，以柱狀形式升高該接觸區域以 在該半導體晶片上形成接觸柱，因而在該半導體晶圓上， 利用金屬沉積法透過-光罩來實行。在拉開該光罩後，金 屬柱狀升高部被留下’直立於該半導體晶圓所對應之半導 體日日片之接觸區域上0 以柱狀形式升高該接觸區域以在該半導體晶片上形成 觸柱也可利用選擇性電解金屬沉積法透過一光罩來實行 土；本目的第一，一小於1卜爪之封閉金屬層係施加至 -12- 552693

⑺ 1，， 該半導體晶圓上。接著，一光罩不是印在該晶圓上就是經 由一光阻技術來施加，最後，一電沉積設備之—陰極電位 破施加至該連續金屬層，結果，接觸柱係直流電式地或電 解式地沉積於由該光罩維持自由之半導體晶圓上之接觸區 域。該光罩接著被移除。這個可例如經由在一電漿熔爐中 之焚化或經由洗掉該光罩之溶劑來實行，而該薄連接金屬 層接著經由簡短之蝕刻法來蝕掉，結果，該個別接觸柱係 不再短路。這個配置例具有之優^為它係一適用於量產一 半導體晶圓上之接觸柱之相奮便宜之變體。 用於以柱狀形式升高該接减盔域以在該半導體晶片上形 成接觸柱，印刷技術也可被使用。本類型之印刷技術具有 之優勢為不必在該半導體晶圓上直接施用接著要摧毀之光 罩。反之，可使用一永久性印刷模板或光罩，透過該接觸 柱之印刷來實行。該印刷操作它本身只需要一短暫處理時 間’結果，它也是適用於量產。 以柱狀形式升高該接觸區域以在該半導體晶片上形成接 觸柱也可使用金屬藏鑛法透過一光罩來實行。本金屬濺錢 法經由一例如由電子束或鈍性離子束原子化之金屬源來實 行’且這些原子化金屬離子接著在陰極電位下往一晶圓方 向錢錢。本丨賤鑛法可透過一光罩來實行，或另外，一封閉 金屬區域可被製造並接著利'一光阻技術之協助來架構以 形成接觸柱。 ~ 用以取代一濺鍍技術，使用一蒸氣沉積技術也是可能的 ，其中一金屬被蒸鍍，而本金屬蒸鍍覆蓋該半導體晶圓上 -13- ^52693

⑻ 邊。本塗佈接著可透過一光草.來實 个貝仃a 九罩可接著被施 用’以送擇性地在該半導體晶 乃次千v體日日圓上只形成該

最後，以柱狀形式升高該接觸區域以在該半導體晶片」 形成接觸柱也可經由施加連結頭方式來製造。本類型之達 結頭可為熱音波I缩頭’本例中，M —金㈣形成一柱 狀頭。柱狀形叙這些升高部具有之優勢為它們可製造任 何想要的接觸區域之升高部。本升高部之又—優勢係為它 們形成於-尺寸非常穩定之接觸柱之半導體晶片上。

在製造該接觸柱後’該半.導體晶圓可被封裝於一塑膠封 1造化合物中。若該電子元件下邊被製造的遠大於一個 別晶片之表面區域時，則該半導體晶片係先被分割成為個 別的半導體晶片。分割後’肖晶片彼此間可在一模造板上 之订列式巾之任何距離處被施用…旦該模造板被載入， 整板可覆蓋-塑膠封裝模造化合物，該半導體晶片 '、起t入至忒塑膠封裝模造化合物中。該接觸柱上邊於 本例中仍可在塑勝封裝模造化合物之載具上邊上自由地存 取k個具有之優勢為用於許多半導體晶片之接線接著可 同時直接施用於該塑膠封裝模造化合物上。甚者，它具有 之優勢為任意數量之外接觸部可被置於該電子元件下邊， 以藉由該塑膠封裝模造化合物之載具上之接線來提供相對 應量之接觸端區域。 在本方法之又一配置例中，在塑膠封裝模造化合物之共 用载具上選擇性施加之接線藉由一光阻技術來施用一封閉 -14- (9) (9)552693

金屬層及接著架構之金屬層來實行。這個方法具有之優勢 為利用濺鍍金屬或蒸汽沉積金屬或無電流式沉積金屬，一 封閉式金屬層係先形成於一塑膠封裝模造化合物之載具上 邊，以開始短路該接觸柱之所有上邊，而這層接著利用一 精密光阻技術來精確地架構以形成接線或形成内連線。 根據本方法，該内連線之結構也可利用例如一網印技術 之直接印刷技術來製造。本例令，使用一只在接線製造 點處具有開口篩孔之網子。該網一印技術係相當便宜，因此 可減少本方法之全部成本。： 在該接線末端所配置之接，觸礼上提供外接觸部前，一焊 接抗蝕劑係例如利用一光阻技術以選擇性地施用至該載具 上邊而保持該接線之外接觸區域自由。本焊接抗蝕劑覆蓋 該接線並保護它們免於被提供之外接觸部弄濕。 用^取代單層接線層級，若環境需要，在該塑膠封裝 模造化合物之載具上邊上施用多層内連線結構有是可能的〜 。基於本目的，接觸通孔係提供於該内連線層間，用以將 個別内連線層級相互連接以達延伸需求。本類型多層内連 ，結構之製造可利用微技術及/或印刷電路板技術方法來 實行。這個具有之優勢為這類技術已經過試驗及測試，因 此’便且、嘗試錯誤（tried-and-tested)方法被使用且該製造 風險因而被極小化。 ° 總之’根據本發明及本方法具·有之電子元件，做為一用 於所有可能之封裝形式，新的裝載技術係可能的。本例中 ’用以製造各類封裝及封裝家族之技術總是維持相同的。 -15- 552693

(ίο) 不管這個，每個接腳設計可被產生。在例如扇出設計之未 來技術中，高度整合元件可只是以具有高達晶㈣級之高 效率規格要求之低接腳數應用之相同方式來製造。 根據本發明及本方法具有之電子元件，一插入機之複雜 接線功能不再被需要。用於高度整合或具有大量柱之組構 類型之低成本封裝它例係可能不使用到多層結構及可能之 額外插入機。甚者，根據本發明之電子元件及方法呈有之 優勢為接線連結或覆晶式連結色完全不需要的。結果，利 用本發明’多層結構係可能:只相⑽單層接線之配置方式 。甚者，任何想要之端點圖:案v被製造且在不同封裝間沒 有技術性差異。結果，根據本發明方法及其相關之方法係 無關於封裝方式。 圖示簡單說明 本發明現在根據一些示範具體實施例，配合附圖做更詳 細說明： 圖1顯示一根據本發明之一第一電子元件之示意剖面圖； 圖2顯示一根據本發明之一第二電子元件之示意剖面圖； 圖3顯示一具有在接觸區域所施加之接觸柱之一半導體 晶圓之示意剖面圖； 圖4顯示一根據圖3具有在接觸區域所施加之接觸柱之在 該半導體晶圓上所產生之一些^半導體晶片之示意剖面圖； 圖5顯示一具有根據圖4之嵌入-式半導體晶片之塑膠封裝 模造化合物之載具之示意剖面圖； 圖6顯不一在圖5載具上已經有接線後之圖5載具之示意 -16- 552693

剖面圖； 圖7顯示一在圖6載具上邊上已施用外接觸部後之圖6載 具之示意剖面圖； 圖8顯示一分割圖7之載具成為個別元件後所產生之二電 子元件之示意剖面圖； 圖9顯不一根據本發明之一第三電子元件之示意剖面圖； 圖10顯示一具有在接觸區域上所施加之接觸柱及其上邊 所施加之一塑膠封裝模造化合物塗層之一半導體晶圓之示 意剖面圖； 圖11顯示一來自圖10之半專體晶圓之具有施加於接觸區 域之接觸柱之一些半導體晶片之示意剖面圖，其中這些半 導體晶片係隨著它們在一模造板上之上邊塗層來配置； 圖12顯示-具有來自圖"之半導體晶片嵌入其中之塑膠 封裝模造化合物之載具之示意剖面圖； 圖13顯示一來自圖12之都i今-立士…^ 固戰具之不意剖面圖，接線及接觸 通孔係配置於該載具上； 圖14顯示-來自圖13之載具^意剖面圖，外接觸部係 提供於它的上邊；

圖15顯示—經由分割來自圖14之載具所產 件之示意剖面圖；及 生之二電子元 、圖16顯示一根據本發明之一第 圖。 四電子元件之示意剖面 較佳實施例之詳細說明 圖1顯示一根據本發明之 第一具體實施例之一電子元 -17- (12)552693 件1之不意剖面圖。該電子元件丨被區分成一塑膠封裝2及一 具有一後邊4及一動作上邊12之半導體晶片3。該塑膠封裝2 具有一上邊5及一下邊6。配置在該下邊6者係為外接觸部7 。这些外接觸部7係利用—接線平面33中之接線观接觸柱 8電性連接至該半導體晶片3之動作上邊上之接觸區域u。 該接觸柱8係形成於該半導體晶片3上邊12上之接觸區域 11之金屬升高部。該接觸柱8具有一長度，因而產生一介於 5微米至150微米間之升高部。該接觸柱8係由銅、金或相同 合金所構成。在本發明之第—具體實施例之例子中，該接 線10直接依靠在該塑膠封裝:模造化合物9並具有一電性 結-接觸柱8之上邊23之一端。該接線1〇另一端具有一其上 分別配置-外接觸部7之外接觸區域17。該接觸柱8之四周 表面係完全喪入塑膠封裝模造化合物中。在本具體實施例 中，該半導體晶片之側表面及該半導體晶片之上邊係由塑 膠封裝模造化合物9以在該電子上形成塑膠封裝模造 化合物9之邊緣13之這類方式所環繞。 電子元件1上提供任意想 δ亥邊緣13之寬度變化允許在該 要大小之外部區域，而無關於該半導體晶片3之晶片大小， 藉以配置外接觸區域或配置外接觸部7。在圖冰示之本發 明第一具體實施例中口有 、百早接線層級33被配置於該塑 膠封裝2之下邊6。根據本接後声铋 +丧深^級，提供一焊接抗蝕劑16 讓δ玄外接觸區域17自由，以限击 Λ限制如外部接觸部7之焊球1 8 將該外接觸區域17它們本身弄濕。 在本發明之本具體實施例 貝把例之例子中，不是使用導線架也 -18- 552693

〇3) 不是使用接線板，而是在該半導體晶片上邊12上全沒有接 線連接或覆晶接觸製造法，結果，本電子元件具有一在巨 觀外接觸部7及微觀小接觸區域11間產生相當可靠電性連 接之簡潔構造。微觀小的在此係理解為只可在一光學顯微 鏡下測量之重要之區域及尺寸，而巨觀元件可以裸視觀察 到且可以適當之測量工具來測量。 在本發明具體實施例中之半導體晶片3具有一介於1〇〇微 米到750微米之晶片厚度及一介f2.5亳米到25亳米邊緣長 度之大小。 ： 圖2顯示一根據本發明之一第丨二電子元件丨之示意剖面圖 。具有如圖1之相同功能之元件係以相同參考號指定之，並 不分別說明。 "於根據圖1之第一具體實施例及根據圖2之第二具體 貫k例之間之差異係為不是一單接線平面而是一些接線平 面被配置於根據圖2之第二具體實施例之塑膠封裝之下邊6 。在該第二具體實施例中，提供一由一隔開該外接觸區域 17之焊接抗蝕劑所覆蓋之外接線平面3〇。甚者，提供一由 一隔開該外接觸17之區域之絕緣層32所覆蓋之内接線平面 3 1。该絕緣層32在本例中係為一聚醯亞胺層之形式。在該 外接觸區域17之區域中，接觸通孔28引導至該聚酿亞胺， 用以連接該外接觸部7至該内接線平面31。 ，依據該半導體晶片3之動作上-邊12上之接觸區域"之數 量及ά度而疋，該第二具體實施例也可能在該電子元件1 下邊15上配置任意數量之外接觸部7。不儘一如圖2所示之 (14) (14)552693 二層内連線結構’多層内連線19也可產製於該塑膠封 造化合物9上。 < ' 圖3顯示一具有在製造本發明之第一或第二具體實施例 期間施加於接觸區域u之接觸柱8之半導體晶圓之示意 7面圖。具有如前圖般之相㈤功能之元件係以相㈤參考號 ‘定之並不分別說明。用以製造如圖丨及2所示之電子元 件1之起始點係為一在它的上邊具有配置成行列之一些敫 合電路以形成半導體晶片之半導声晶圓。各整合電路二 別結構性元件之電極係利用么各半導體晶片上邊之微觀小 接觸區域來連接。這些接觸，區歲㈣而被配置於該半導體 20上邊上。 _ 根據圖3，根據本發明製造一元件期間，先將柱狀形式之 接觸區域11升高以在該半導體晶圓2〇上形成接觸柱8。實現 這個柱狀形式之延伸部為先在該半導體晶圓2 〇之上邊12上 沉積一薄金屬區域且這個幾微米厚度之金屬層接著提供一 只讓該接觸區域11保持自由之絕緣光罩。接著，該半導體 晶圓被浸入一用於具有電性連結連續薄金屬層之接觸柱之 金屬沉積之直流電或電解槽中。 在該接觸柱已形成於該絕緣光罩開口中之後，這個光罩 以例如於一電漿熔爐中焚化或以適當的溶劑溶解之方式來 移除。結果’該接觸柱8被曝芩出且係只利用一可經由一簡 短独刻操作從該塑膠封裝模造化合物表面中蝕掉之薄金屬 層做電性連接。該接觸柱升南部之移除並同時開始姓刻該 接觸柱四周區域於本例中係可接受的，結果，不需額外之 552693

(15) 保護或額外之光罩用於本姓刻操作例中之接觸柱。 本圖未顯示之用以在該接觸區域丨丨上建立本類型之一柱 狀結構之另一可能性係為透過一光罩之金屬沉積以在該接 觸區域11上建立本類型之一柱狀結構。本例中之金屬沉積 係以一条汽沉積技術或金屬濺鍍法方式來實行。本例中， 使用銅、金或相同合金做為沉積用金屬。 用以形成接觸柱之又一可能性，尤指例如超過50微米之 非常高或長之接觸柱，係於該接觸區域施加連結頭，最好 為熱音波壓縮頭。 弋、> · 圖4顯不一具有施加在配置於一模造板2丨上之接觸區域 11之接觸柱8之一些半導體晶片3之示意剖面圖。具有如前 圖之相同功能之元件係以相同參考號指定之，並不分別說 明。’ 用以承文该半導體晶片3，提供該模造板2丨一雙邊黏性膜 34名模造板2 1同時形成一分為二之射入模型之一部分。 4第一杈型部分36係在該模造板2丨上配置該半導體晶片3 後被施用’該第二模造部分36在它的模造洞37上内壁38上 八有其中该接觸柱8它們本身與它們上邊23作用之密封 膜39。本岔封膜39同時具有補償彼此間相互對應之接觸柱8 之南容限效應。 圖5顯示一具有嵌入式半導體晶片3之塑膠封裝模造化合 物9之載具2 2之示意剖面圖。具:有_如前圖之相同功能之元件 係提供相同參考號，並不分別說明。 塑膠封裝模造化合物9之載具22經由填充一如圖斗所示之 (16) (16)552693

射入模型35之模造洞37來製造。本例中，該接觸柱8之上邊 23係可自由存取該載具22之上邊24。在該载具22之上邊μ ，現在可配置一如用於根據圖丨之本發明之第一具體實施例 所提供之單接線平面或一如用於根據圖2之本發明之第二 具體實施例所提供之多層内連線結構。本例中，該模造板 21可支撐該載具22。該載具22係自我支撐的，結果，該模 仏板2 1可在施用接線平面前被移除。該塑膠封裝模造化合 物9之載具22具有以行列式配置且每例中含一嵌入式半導 體晶片3及相關接觸柱8之元件位置。 圖6顯示一在該載具2 2上所丨配置之接線丨〇及接觸通孔 28之塑膠封裝模造化合物9之載具22之示意剖面圖。具有 如前圖之相同功能之元件係以相同參考號指定並不分別 說明。 圖6中之接線係配置於一内接線平面3丨及一外接線平面 3 平面中。配置於該接線平面3 0及3 1之間係為一絕緣 層32。該外接線平面30係覆蓋著一只保持該外接觸區域17 自由之焊接抗蝕層丨6。如此，在該外接觸區域1 7上，外接 觸部（7)可同時提供於一些電子元件。 圖7顯不一具有在該載具22上邊24所施用之外接觸部7 之塑膠封裝模造化合物9之載具22之示意剖面圖。具有如 月il圖之相同功能之元件係以相同參考號指定並不分別說 明。 . 在圖7中’該自我支撐之載具22放鬆它如圖4至6所示之模 泣板21及黏性膜34。當圖7中之載具^上邊24已經具有焊球 552693

(17) 18做為具有塑膠封裝模造化合物9之載具22區域之上邊4〇 及具有該半導體晶片3另例之後邊4之區域上之外接觸部8 。在此’該半導體晶片3係以行列式配置，結果，該載具U 可不費力地被分開而形成電子元件。 圖8顯示一在根據圖2分割該塑膠封裝模造化合物9之載 具22成為個別元件後所產生之二電子元件丨之示意剖面圖 。具有如前圖之相同功能之元件係以相同參考號指定並不 分別說明。 利用一例如鋸開方式、雷射蒸鍍法或乾蝕刻法之分割 步驟，圖7所示之載具22被分割成為圖8所示之個別元件 。當使用簡素鋸刀片時，則產生所示之直角形式之塑膠 封裝。 " 以相對陡峭邊緣之電子元件丨來取代這類直角形式之塑 膠封裝時，一未在此顯示用於由剖面鋸開以產生任何想要 邊緣13輪廓之示範具體實施例也是有可能的。視所需^卜接 觸部7數量而定，該邊緣也可以比圖8所示的更寬或更窄來 表示。因此，該封裝形式外形具有一大範圍變化。外接觸 部7數量也可依期待增加。因此，一在一電子元件1之封裝 結構上所強加之相當廣泛類型之規格需求可被滿求。^ • 〆、肌只m 电子元 考號指定並不分別說明 之示意剖面圖。具有如前圖之相同功能之元件係以 去祙妆士 2 <八σ.丨〜州 " 半 在根據圖1及圖2之本發明第一及第二具體實施例 導體晶片3之後邊4在該電子元件丨上邊5上形成一 中，該 外接觸 •23- (18) (18)552693 區域。不像那裡，根據圖9第三具體實施例之半導體晶片3 之後邊4係由塑㈣裝模造化合物9之—塗層％所保護。如 该弟二具體實施例之例子，根據圖9之第三具體實施例之電 子元件1下邊上之配置係為一多層内連線結構1 9。 :在此未顯示之示範具體實施例中，如根據圖丨之第一具 體貝％例之例子’在該電子元件之上邊5上之配置係為一多 層内連線結構19。 圖10顯示一在本發明第三具體，實施例製造期間具有在接 觸區域11上所施加之接觸柱:8並具有在該半導體晶圓2〇上 邊上所％加之塑膠封裝模造化合物9塗層26之一半導體晶 圓20之示意剖面圖。具有如前圖之相同功能之元件係以相 同參考號指定並不分別說明。 為了保護該半導體晶片3之後邊4，在該接觸柱8已施加 在該半導體晶圓20上邊之接觸區域丨丨上後，它的上邊25 係塗佈著一塑膠封裝層26。本塗層可利用分配或一對該半 導體晶圓20之整個上邊之射入成型操作來施用。這個方式 中，该半導體晶片3之後邊係受一同時保護該半導體晶圓 20内之許多電子元件塑膠封裝模造化合物9之塗層26 所保護。 圖11顯示一具有施加於接觸區域丨丨上之接觸柱8之一些 半導體晶片3之示意剖面圖，在本發明第三具體實施例製造 期間這些晶片係隨著它們位在一-模造板2 1上之相對應下邊 之塑膠封裝模造化合物9之塗層26來配置。具有如前圖之相 同功能之元件係以相同參考號指定並不分別說明。 (19)552693 用乂祆又該半導體晶片3，在本發明之本具體實施例中， 該模造板21具有一雙邊黏性膜34，其中該半導體晶片3與它 們塑膠封裝模造化合物9之塗層26之相對位置係固定的。接 著，一在此未顯示之具有一其上壁具有一密封膜之孔洞之 模ie件被％加至該模造板2 1。該接觸柱2 8之上邊2 3它們本 ·- · 身可與本岔封獏作用。之後，該孔洞被填充著一塑膠封裝 厂 模造化合物且該模造被移除。 圖12顯示本狀態。之後，在該^模造板21上具有一塑膠封 鲁 裝模造化合物之載具22。在:本例中，該施用之塑膠封裝模 造化合物係與該塑膠封裝模造；化合物9之塗層相結合以形 成一單位，結果，該半導體晶片3係完全嵌入塑膠封裝模造 化合物9。 圖12顯不一具有本發明第三具體實施例製造期間之嵌入 式半導體晶片3之塑膠封裝模造化合物9之載具22之示意剖 面圖。

具有如前圖之相同功能之元件係以相同參考號指定並不 分別說明。 在圖12中’該塑膠封裝模造化合物9之載具22仍是配置於 該模造板2 1上。該載具22在本例中係以一自我支持之方式 來形成，結果，它隨時可自該模造板2 1中被移除。在該載 具22上邊24上，該接觸柱8之上邊23係可自由存取的，結果 ，該接線可施用至這些微觀性小-的區域23，用以形成巨觀 性大的外接觸區域。 圖13顯示一來自圖12之載具22之示意剖面圖，接線及接 -25- 552693

觸通孔係配置於該載具2 2上。 在本發明第三具體實施例之例子中，-多層内連線結構 19係施用至該載具22之上邊24。基於這個目的，一内接線 平面31係先藉由銅、金、銀或與沉積於該載具22之上邊24 上相同之合金來施用，再接著架構。之後，-絕緣層32被 沉積或施加在該架構之内接線平面31上，保留通口自由， 而該通口接著被金屬化，結果，引至該絕緣層32之接觸通 孔28被製造。最後，可由與該内^接線平面相同材料所構成 之外接線平面30係施加在該:絕緣層32上。最後，該外接線 平面30係覆蓋一焊接抗蝕劑，，但保留外接觸區域17自由， 以使所施加之外接觸部7材料不弄濕該接線1〇。 圖14顯示一來自圖13之載具22之示意剖面圖，其具有施 加在該載具22上邊24上之外接觸部7。 在本發明第三具體實施例之例子中，以一類似於本發明 第一個二具體實施例之例子中之方式，焊球1 8被施加至該 載具22上邊上之外接觸區域17，用以製造外接觸部7。藉由 在該整個載具上施用該焊球丨8，所有之電子元件1被製造， 且在一進一步步驟中，被分割成個別元件。本例中，對照 於前面具體實施例，各半導體晶片3之後邊現在係塗佈一塑 膠封裝模造化合物9。如圖1 〇中所示，本塗層26可馬上被施 用至一半導體晶圓20之下邊之所有半導體晶片3。 圖15顯示一在分割來自圖14之-載具22成為個別元件後所 產生之二電子元件1之示意剖面圖。 在分割來自圖14之載具22成為個別電子元件1後，如圖15 -26- 552693 所見’-完全我人該半導體晶片3之封裝係有效的。同時， 如覆晶技術例中’―在該半導體晶片3上邊上沒有接線也沒 有接觸塊之電子元件！因而產生。該整體連接技術係因此更 可Λ也較不叉振動及該電子元件丨之其它負載影響。 圖關示-根據本發明之—第四電子元件^示意剖面 圖'、’、有3塑膠封裝模造化合物9及一層塑膠9,之塑 膠封裝2。具有如前圖之相同功能之元件係以相同參考號指 定並不分別說明。 該塑膠封裝模造化合物9環繞該半導體晶片3之邊緣^並 形成可製造的較該半導體晶片丨3之邊緣14大之任何想要之 ^含之邊緣⑴該塑膠9’之電性絕緣層係配置在該半導體 曰曰片3之動作上邊12上及在該塑膠模造化合物9之邊緣B上 ，並橋接該邊緣13及該半導體晶片3間之轉換區域。該半導 體晶片3之接觸區域u未覆蓋著該層塑膠9,。 該層塑膠9’攜帶H線平面30及-第二接線平面31 ,其係利用所形成之接觸通孔28做為接觸柱8來電性連接至 該半導體晶片3之接觸區域n。s艮該接線平面3〇一起之接觸 柱8及/或接觸通孔28可包括直流電方式或化學方式沉積之 金屬。 該層塑膠9,具有一小於或等於30微米之厚度d。在一在 此未顯示之示範具體實施例中，該厚度（1係小於或等於Μ 微米，其可例如利用一產生一、非f平的表面之研磨操作來 引出。本例中，該第一接線平面30也可直接配置在做為一 層塑膠9’所形成之半導體晶片3之一最上面鈍化層上，藉 -27- (22)552693

^該層塑膠9,之厚度d變得非常小，近乎零或甚至等於 夺，也就是，在該鈍化層外不再具有進一步之絕緣層。進 一步之接線平面可提供於該第一接線平面3〇及該第二接 線平面3 1上。 如一分離自圖16中之元件1中，在此未顯示之又一示範 具體貫施例只具有一第一接線平面3 〇而沒有第二接線平 面3 1。

圖式代表符號說明 1 電子元件 2 塑膠封裝 ：； 3 半導體晶片 4 該半導體晶片之後邊 5 該塑膠封裝之上邊 6 該塑膠封裝之下邊 7 外接觸部

8 接觸柱 9 塑膠封裝模造化合物 9’塑膠層 1 〇接線 11接觸區域 12該半導體晶片之動作上邊 13該塑膠封裝模造化合物之-電子·元件之邊緣 14該半導體晶片之邊緣 15該電子元件之下邊 -28- 552693 (23)

16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 焊接抗蝕劑 外接觸區域 焊球 多層内連線結構 半導體晶圓 模造板 塑膠封裝模造化合物之載具 該接觸柱之上邊 該載具之上邊 - 該半導體晶圓之下邊 塑膠封裝模造化合物之塗層 用於接地電位之外接觸區域 接觸通孔 該半導體晶圓之下邊 外接線平面 内接線平面 絕緣層 接線平面 黏性膜 射入模型 第二模型部分 模造洞 内壁 、_ 密封膜 該載具之下邊

-29-

Claims (1)

1. 552693 拾、申請專利範圍 _ L 一種電子元件，其具有該下列特徵： -一其中配置一半導體晶片（3)之塑膠封裝（2)，該塑 膠封裝（2)具有配置環繞於該半導體晶片之邊 緣（14)之邊緣（13); •在該半導體晶片（3)之動作上邊（12)上及該塑膠封 裝（2)之邊緣（13)上，形成一具有一厚度（句高達約 30微米，而最好高達2〇微米之電性絕緣層塑膠（9 ;9，）； -在該電子元件之一可邊（6)所提供者係為外接觸 邛（7) ’其係利用在至少一接線平面（3 }、32)中所 配置之接線（10)來連接以接觸在該半導體晶片㈠） 之一動作上邊（12)上之區域（u)。 2.如中請專利義^項之電子元件，其特徵在於介於該 層望膠（9，9 )及该接線平面或該接線平面（3 1、其中 之一之間提供至少又一電性絕緣中間層。 3·如中請專利範圍第⑷項之電子元件，其特徵在於外接 觸部（7)係配置於該塑膠封裝（2)之邊緣⑽下之區域。 4·如中請專利範圍第山項之電子元件，其特徵在於該半 導體晶片（3)之後邊⑷係配置在該塑膠封裝⑺之上邊⑺ 亚由一塑膠封裝模造化合物（9)塗層（26)所覆蓋。 如申叫專利犯圍第1或2項之電子元件，其特徵在於該電 子元件⑴之下邊⑽具有一具有該外接觸部⑺之外接 觸區域（17)保持自由之焊接抗蝕層（16)。

   如申印專利範圍第1或2項之電子元件，其特徵在於該外 接觸部（7)具有焊球（18)或焊塊。 如申請專利範圍第1或2項之電子元件，其特徵在於一用 以接線該接觸柱（8)至該外接觸部（7)之多層内連線結構 (19)係配置在該塑膠封裝模造化合物（9)上。 一種用以製造一具有一其中配置一半導體晶片（3)之塑 膠封裝（2)之電子元件（1)之方法，該方法具有下列步驟： -提供一具有含行列式配置之接觸區域（n)之半導 體晶片（3)之半導體晶圓（20); -以柱狀形式升高該接觸區域（11)以在該半導體晶 圓（20)上形成接觸柱（8); -分開該半導體晶圓（2〇)成為在該接觸區域（u)上具 有接觸柱（8)之個別半導體晶片（3); -載入一具有該半導體晶片（3)之模造板（21); -從用於該半導體晶片（3)之模造板（21)上之塑膠封 裝模造化合物（9)中製造一共用之載具（22)，該半導 體晶片（3)係以配置落在該接觸區域（u)對面之接 觸柱（8)上邊（23)使得它們在該載具（22)上邊（23)保 持自由之這類方式來嵌至塑膠封裝模造化合物（9) 中； -選擇性施用該共用載具（22)上之接線（1〇)，在各例 中之一接線（10)之某線端係連接至一接觸柱（8)之 一曝露上邊（23)而另一線端引線至一外接觸區域 (17)； 9· 10. 11. 12. 13.

   -選擇性地施用一焊接抗蝕劑〇◦至該載具（22)上邊 (24) ’以使該接線（1〇)之外接觸區域（17)維持自由； -施用焊球（18)或焊塊至該外接觸區域（17);以及 -为割遠載具（22)成為個別之電子元件（1)。 如申凊專利範圍第8項之方法，其特徵在於在分割成為 半‘體晶片（3)前於該半導體晶圓（2〇)下邊（25)提供一塑 膠封裝模造化合物（9)之塗層（26)。 如申請專利範圍第8項或第9項之方法，其特徵在於利用 金屬沉積法透過一光罩:來進行以柱狀形式升高該接觸 邛（11)，用以在該半導體晶片（3)上形成接觸柱（8)。 如申請專利範圍第8項或第;9項之方&，其特徵在於利用 選擇性電解金屬沉積法透過一光罩來進行以柱狀形式 升高該接觸部（11)，用以在該半導體晶片⑶上形成接觸 柱（8) 〇 如申請專利範圍第8項或第9項之方&，其特徵在於利用 一印刷技術來進行以柱狀形式升高該接觸部（11),用以 在該半導體晶片（3)上形成接觸柱（8)。 如申請專利範圍第8項或第9項之方法，其特徵在於利用 金屬濺鍍法透過一光罩來進行以柱狀形式升高該接觸 部（11)，用以在該半導體晶片（3)上形成接觸柱（8)。 如申請專利範圍第8項或第9項之方&，其特徵在於利用 一蒸汽沉積技術並接著$選擇之技術蝕刻該蒸汽沉積 之金屬來進行以柱狀形式升-高該接觸部〇1) ’用以在該 半導體晶片（3)上形成接觸柱（8)。 " 14. 552693

   ‘申:專利把圍第8項或第9項之方法，其特徵在於利用 用最好疋熱曰波壓縮頭之連結頭至該接觸區域來進 行以柱狀形式升高該接觸部⑴），用以在該半導體晶片 (3)上形成接觸柱（8)。 16. ”請專：範圍第8項或第9項之方法，其特徵在於利用 /、有帛型協助之射人模造技術來進行自塑勝封裝 模造化合物（9)中製造用於該模造板（21)上之半導體晶 片（3)之共用載具（22)。 17‘如中請專利範圍第8項.或第綱之方法，其特徵在於利 用-離心投鑄技術來進行自塑膠封裝模造化合物⑺ 中製造用於該模造板（21)上之半導體晶片⑺之共用載 具（22)。 18·如申請專利範圍第8項或第9項之方法，其特徵在於利用 一光阻技術以施用一密閉金屬層並接著架構該金屬層 來進行選擇性施用接線（1〇)至該塑膠封裝模造化合物 (9)之共用載具（22)。 19. 如申請專利範圍第8項或第9項之方法，其特徵在於利用 一印刷技術，尤指一網印技術來進行選擇性施用接線 (ίο)至該塑膠封裝模造化合物（9)之共用載具（22)。 20. 如申請專㈣圍第8項或第9項之方法，其特徵在於利用 一光阻技術來進行選擇性施用一焊接抗蝕劑（16)至該載 具（22)上邊（24)，而使該_線（1〇)之外接觸區域（π)維持 自由。 - 、 21·如申請專利範圍第8項或第9項之方法，其特徵在於用以 -4- 552693

   製造從該接觸柱（8)至在該電子元件⑴上邊上之接觸部 (7)之接線（1〇)，多層内連線結構（19)係施用至該共用載 具（22)之上邊（24)。 22.如中請專利範圍第21項之方法，其特徵在於用以製造多 層内連線結構（19)，微&術及/或印刷電路板技術方法被 使用。