JP4903123B2

JP4903123B2 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP4903123B2
Application number: JP2007335725A
Authority: JP
Inventors: 浩次宗像; 知中尾
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2007-12-27
Filing date: 2007-12-27
Publication date: 2012-03-28
Anticipated expiration: 2027-12-27
Also published as: JP2009158747A

Description

本発明は、配線基板（インタポーザ）を使用しないウエハレベルＣＳＰ（Chip Size/Scale Package）等の半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体パッケージ、例えば、シリコンチップを樹脂により封止した、いわゆるデュアル・インライン・パッケージ（Dual Inline Package）やクァド・フラット・パッケージ（Quad Flat Package）では、樹脂パッケージの側面部や周辺部に金属リードを配置した周辺端子配置型が主流である。

これに対し、ＣＳＰ（チップスケールパッケージ）、特に「ウエハレベルＣＳＰ」（以下、ＷＬＣＳＰという場合がある）と呼ばれる半導体パッケージでは、ウエハ上に、絶縁樹脂層、配線層、封止層などを形成し、さらにはんだバンプを形成した後、ダイシングにより複数のチップを得る。

ＷＬＣＳＰでは、前記チップがそのままのサイズでパッケージの施された半導体チップとなるため、その占有面積を狭くすることができ、高密度実装が可能である。ＷＬＣＳＰは、半導体チップに形成されたはんだバンプを用いて外部の回路基板に実装される。この種の半導体チップには、「ポスト」と呼ばれる導電性の柱状部材を設け、この柱状部材の端面に端子部を形成した構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

一般的に、半導体パッケージとプリント基板等との熱膨張率は相違しているので、熱膨張率の相違に基づく応力が半導体パッケージの端子に集中する。この時、柱状の樹脂ポストを持つＣＳＰにおいて、ポストを高く形成することにより、その応力が分散しやすくなる（例えば、特許文献２参照）。

このように樹脂ポストを配することで、信頼性が向上するが、樹脂ポストの存在により再配線の配置に制約が生じる。すなわち、図８に示すように、傾斜部を持つ樹脂ポスト１００が存在する場合、樹脂ポスト１００近辺に再配線１１０を形成するとマスク設計上は直線でも屈曲した配線となり、設計通りに作製することが困難である。

一方、電子機器の高機能化や高密炭化を牽引するのはＬＳＩの高集積化そしてその実装技術の革新によるところが大きく、ＱＦＰ、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ、３次元実装等、半導体パッケージの高密炭化が進む中で高密度配線が必要となる。
ＷＬＣＳＰにおいてチップの小型化及び端子数の増加に対応するには再配線の微細化が必要である。しかしながら、従来よりも微細な再配線を形成するには多大な開発工数を要する。また、２層配線を形成する場合、２つの配線層の間に配される絶縁樹脂層の厚みが厚くなるほど、段差が大きくなり、２つの配線層を結合させる微細孔（ビア）の形成が困難となっていた。
ＷＬＣＳＰにおいてチップの小型化及び端子数の増加に対応するには再配線の微細化が必要である。しかしながら、従来よりも微細な再配線を形成するには多大な開発工数を要する。
特開２００４−２０７３６８号公報再公表００／０７７８４４号公報

本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、ウエハレベルＣＳＰにおいて、傾斜面を有する樹脂ポストが存在する場合であっても、該樹脂ポスト近辺に微細な再配線を高密度に形成することができ、チップの小型化及び端子数の増加に対応することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に電極を備えた半導体基板上に、第一配線層を形成する工程Ａと、前記半導体基板上であって前記第一配線層の一部に少なくとも重なるように、面状をなす第一頂部を備えた突起状の第一樹脂ポストを形成する工程Ｂと、少なくとも前記第一頂部上に第二配線層を形成する工程Ｃと、を備え、前記工程Ｂと前記工程Ｃとの間に、前記第一樹脂ポストの周囲の少なくとも一部に、第一樹脂ポストよりも離れたところの上面が前記第一頂部よりも低くなるような形態として、絶縁樹脂からなり微細孔を有する第一傾斜層を形成する工程Ｄを、さらに備えたことを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１において、前記工程Ｃの後に、前記微細孔を通じて前記第一配線層と前記第二配線層とを電気的に接続する工程Ｅを、さらに備えたことを特徴とする。

本発明の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に形成した第一配線層の一部に少なくとも重なるように、面状をなす第一頂部を備えた突起状の第一樹脂ポストを形成し、少なくとも前記第一頂部上に第二配線層を形成している。このように第一配線層に重なるように樹脂ポストを形成することで、樹脂ポストの応力緩和能力を保ちつつ、樹脂ポスト周辺の制約がなくなるだけでなく、樹脂ポスト直下にも再配線を形成できるため、該樹脂ポスト近辺に微細な再配線を高密度に形成することができる。ゆえに、本発明によれば、ウエハレベルＣＳＰにおいて、チップの小型化及び端子数の増加に対応することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。

以下、本発明に係る半導体装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。

図１は、本発明により製造された半導体装置の一例を示す模式的な断面図である。また、図２は、図１に示す半導体装置において、樹脂ポストと該樹脂ポストの周辺に配された配線層を示す模式的な斜視図である。
半導体装置１Ａ（１）は、一面に電極３が配された半導体基板２と、半導体基板２の一面上に配され電極３を露出する開口部４ａを備えた絶縁樹脂層４と、絶縁樹脂層４上に配され電極３と電気的に接続された第一配線層（導電部）５と、絶縁樹脂層４上であって第一配線層５の一部に少なくとも重なるように配され、面状をなす第一頂部６ｂを備えた突起状の第一樹脂ポスト６Ｂ（６）と、半導体基板２の一面側であって第一樹脂ポスト６Ｂ（６）の周囲の少なくとも一部に配され微細孔７ａ（ビア）を備えた第一傾斜層７と、少なくとも第一頂部６ｂ上に配された第二配線層８Ｂ（８）と、第二配線層８Ｂ（８）が配された第一頂部６ｂに載置されたはんだバンプ９Ｂ（９）と、封止層１０と、を備えている。

特に、この半導体装置１では、第一配線層５に重なるように第一樹脂ポスト６Ｂ（６）を形成している。このように第一配線層５に重なるように第一樹脂ポスト６Ｂ（６）を形成することで、樹脂ポストの応力緩和能力を保ちつつ、樹脂ポスト周辺の制約がなくなるだけでなく、樹脂ポスト直下にも再配線を形成できるため、該樹脂ポスト近辺に微細な再配線を高密度に形成することが可能となった。たとえば、他の第一樹脂ポスト６Ａ（６）の第一頂部６ａから微細孔７ａ（ビア）に向けて第一傾斜層７上に第二配線層８Ａ（８）を設けることにより、第一配線層５を、電極３と他の第一樹脂ポスト６Ａ（６）との間を真っ直ぐに繋ぐ最短路とすることができる。これにより、設計の自由度が向上し、高い応力緩和能力を持ちながら再配線を高密度化することができる。その結果、ウエハレベルＣＳＰにおいて、チップの小型化及び端子数の増加に対応することが可能である。

半導体基板２は、シリコンウエハ等の半導体ウエハでもよく、半導体ウエハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであってもよい。半導体基板２が半導体チップである場合は、まず、半導体ウエハの上に、各種半導体素子やＩＣ、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。

電極３は、半導体基板２上に形成された電子部品（図示せず）に電気的に接続される電極である。この電極３は、例えば、アルミニウム、銅、クロム、チタン、金、チタン−タングステン合金等の導電性を有する金属により構成されている。

絶縁樹脂層４は、電極３と整合する位置に形成された開口部４ａを有する。絶縁樹脂層４は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば１〜３０μｍである。
絶縁樹脂層４は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部４ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。

第一配線層５は、電極３とはんだバンプ９とを電気的に接続する再配線層（アンダーパス）である。第一配線層５の一端部は、開口部４ａを介して絶縁樹脂層４を貫通し、電極３と電気的に接続されている。また、第一配線層５の他端部は、第一傾斜層７の微細孔７ａを通じて第二配線層８と電気的に接続されている。

第一配線層５は、例えば、銅、クロム、アルミニウム、チタン、金、チタン−タングステン合金等が好適に用いられ、その厚みは２〜４０μｍが好ましく、さらに好ましくは５〜２０μｍである。これにより十分な導電性が得られる。第一配線層５は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。

第一樹脂ポスト６は、絶縁樹脂層４上であって第一配線層５の一部に少なくとも重なるように形成された略円錐台状の絶縁性の樹脂で、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン）、ノボラック樹脂等の絶縁性樹脂により構成される形態が好ましい。

はんだバンプ９は、共晶はんだ、鉛を含まない高温はんだ等を用いることができる。はんだバンプ９は、例えば、はんだボール搭載法、電解はんだめっき法、はんだボール搭載法、はんだペースト印刷法、はんだペーストディスペンス法、はんだ蒸着法等により形成することができる。

第一傾斜層７は、第一配線層５の端部と整合する位置に形成された微細孔７ａ（ビア）を有する。第一傾斜層７は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の絶縁樹脂からなり、その厚さは例えば１〜３０μｍである。

特に、この半導体装置１において、この第一傾斜層７は、第一樹脂ポスト６よりも離れたところの上面が前記第一頂部６ａよりも低くなるような（すなわち、第一傾斜層７の上面が半導体基板２に対して傾斜した）形態を有している。これにより半導体装置１がプリント基板に実装され応力が発生した場合には、突部である樹脂ポストによりその応力が分散される。特に、第一傾斜層７は、第一樹脂ポスト６よりも離れたところの上面が前記第一頂部６ａよりも低くなるような形態を有しているので、第一樹脂ポスト６のすべての周囲が第一傾斜層７にて固定されておらず、第一樹脂ポスト６が変形し易くなっている。つまり、樹脂ポストを構成する樹脂製の突部が変形し易くなっている。このため、応力分散の効果がより一層高いものとなっている。

第一傾斜層７は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また微細孔７ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。

第二配線層８は、電極３とはんだバンプ９とを電気的に接続する再配線層（アンダーパス）である。第二配線層８の一端部は、開口部７ａを介して第一傾斜層７を貫通し、第一配線層５と電気的に接続されている。また、第二配線層８の他端部は第一樹脂ポスト６上に形成され、はんだバンプ９と電気的に接続されている。

第二配線層８は、例えば、銅、クロム、アルミニウム、チタン、金、チタン−タングステン合金等が好適に用いられ、その厚みは２〜４０μｍが好ましく、さらに好ましくは５〜２０μｍである。これにより十分な導電性が得られる。第二配線層８は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。

ここで、この半導体装置１では、図１に示すように、絶縁樹脂層４の表面から、第一樹脂ポスト６の上面またはランド部を除く第二配線層８の下面までの高さをｈ_１とし、絶縁樹脂層４の表面からランド部下面までの高さをｈ_２とすると、ｈ_２＞ｈ_１が成り立つ。

図９に示すように、従来の半導体装置では、絶縁樹脂層４の表面から、上部配線層１０８の下面までの高さをｈ_１とし、絶縁樹脂層４の表面から絶縁樹脂層１０７の下面までの高さをｈ_２とするとｈ_１、ｈ_２について、ｈ_１＝ｈ_２が成り立つ。すなわち、２層配線を形成する場合、２つの配線層１０５，１０８の間に配される絶縁樹脂層１０７の厚みが厚くなるほど段差が大きくなり、微細孔（ビア）や配線の形成が困難であった。これに対し、この半導体装置１では、微細孔７ａ（ビア）の形成部における段差が小さいので、樹脂ポストの高さが高くなっても微細孔７ａを容易に形成可能となった。

また、半導体装置１は、前記第一樹脂ポスト６及び前記電極３が埋設されるように、前記半導体基板２の一面側に配された封止層１０を、さらに備えていることが好ましい。
封止層１０は、電子部品、電極３および第一樹脂ポスト６を保護するためのもので、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン）等により構成され、その厚みは５〜５０μｍ程度である。

このとき、封止層１０は、第一樹脂ポスト６よりも離れたところの上面が前記第二頂部６ａよりも低くなるような形態を有することが好ましい。これにより半導体装置１がプリント基板に実装され応力が発生した場合には、突部である第一樹脂ポスト６によりその応力が分散される。特に、封止層１０が、第一樹脂ポスト６よりも離れたところの上面が前記第一頂部６ａよりも低くなるような形態を有することで、第一樹脂ポスト６のすべての周囲が封止層１０にて固定されておらず、樹脂ポストが変形し易くなる。つまり、樹脂ポストを構成する樹脂製の突部が変形し易くなっている。このため、応力分散の効果がより一層高いものとなっている。

このような封止層１０は、例えば、感光性ポリイミド系樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって形成することができる。なお、封止層１０の形成方法は、この方法に限定されるものではない。

次に、このような半導体装置１Ａ（１）の製造方法について説明する。

本発明の半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に電極３を備えた半導体基板２上に、第一配線層５を形成する工程Ａと、前記基板上であって前記第一配線層５の一部に少なくとも重なるように、面状をなす第一頂部６ａを備えた突起状の第一樹脂ポスト６を形成する工程Ｂと、少なくとも前記第一頂部６ａ上に第二配線層８を形成する工程Ｃと、を備えることを特徴とする。

図３及び図４は、本発明の半導体装置の製造方法において各工程を示す模式的な断面図である。
本発明では、基板上に形成した第一配線層５の一部に少なくとも重なるように、面状をなす第一頂部６ｂを備えた突起状の第一樹脂ポスト６Ｂ（６）を形成し、少なくとも前記第一頂部６ｂ上に第二配線層８Ｂ（８）を形成している。このように第一配線層５に重なるように樹脂ポストを形成することで、樹脂ポストの応力緩和能力を保ちつつ、樹脂ポスト周辺の制約がなくなるだけでなく、樹脂ポスト直下にも再配線を形成できるため、該樹脂ポスト近辺に微細な再配線を高密度に形成することができる。これにより本発明では、ウエハレベルＣＳＰにおいて、チップの小型化及び端子数の増加に対応することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、各工程について詳細に説明する。

（１）初めに、図３（ａ）に示すように、半導体基板２上に真空蒸着法やスパッタ法等により導電性を有する金属膜を成膜し、この金属膜をパターニングすることにより半導体基板２上の所定位置に電極３を形成する。
また、半導体基板２上に、窒化珪素等からなるパッシベーション膜（図示せず）を形成する。このパッシベーション膜の上記電極３に整合する位置には開口部が形成されており、電極３が露出している。

（２）次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基板２の一面上に絶縁樹脂層４を形成する。
絶縁樹脂層４は、電極３と整合する位置に形成された開口部４ａを有する。絶縁樹脂層４は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば１〜３０μｍである。
絶縁樹脂層４は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部４ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。

（３）次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁樹脂層４上に、第一配線層５を形成する（工程Ａ）。
絶縁樹脂層４上に、蒸着法、塗付法、化学気相成長法、無電解めっき法などによりシード層（図示せず）を形成する。
シード層は、絶縁樹脂層４との密着性を確保するための密着層となる下層と、第一配線層５の形成時の給電に使用される給電層となる上層とから構成される。また、シード層は、第一配線層５が絶縁樹脂層４に侵入拡散するのを防止するものである。第一配線層５が絶縁樹脂層４に侵入拡散すると、密着性が著しく損なわれる。

密着層には、例えば、クロム、チタン、チタン−タングステン合金、ニッケルなどの金属が用いられ、その厚みは１０〜３０００ｎｍであることが好ましい。
給電層には、例えば、銅、クロム、アルミ、チタン、チタン−タングステン合金、金などが用いられ、その厚みは１００〜３０００ｎｍであることが好ましい。

密着層と給電層からなるシード層の厚みは、１１０〜６０００ｎｍの範囲にすることが望ましい。特に、密着層の厚みが１０ｎｍ未満であると、第一配線層５が絶縁樹脂層４に侵入拡散する虞がある。また、密着層の厚みが３０００ｎｍを越えると、密着層のパターニングをする手間がかかるため好ましくない。

さらに、シード層上にレジスト開口部を有するレジストを形成し、レジスト開口部にめっき成長することによって第一配線層５を形成した後、レジストを除去する。この際、レジストの膜厚は、成長させるめっきからなる第一配線層５より厚くすることが好ましい。めっき処理の方法としては、電解めっきおよび無電解めっきの両方式を利用することができる。

次いで、シード層上であって、めっきが形成されていない領域をエッチング除去し、絶縁樹脂層４を露出させる。なお、不要な領域のシード層を除去するためには、エッチング液を用いるエッチング法以外に、プラズマを用いる乾式エッチング法も利用できる。
このようにして形成される第一配線層５の厚みは３〜５０μｍであることが好ましい。

（４）次に、図３（ｄ）に示すように、絶縁樹脂層４上であって第一配線層５の一部に少なくとも重なるように、面状をなす第一頂部６ｂを備えた突起状の第一樹脂ポスト６Ｂ（６）を形成する（工程Ｂ）。その際、第一樹脂ポスト６Ｂ（６）の近傍にあって、第一配線層５とは接触せず、絶縁樹脂層４上に直接、他の第一樹脂ポスト６Ａ（６）も形成する。他の第一樹脂ポスト６Ａ（６）は概ね、第一樹脂ポスト６Ｂ（６）と同様の断面形状を有するものとする。
スピンコート法、キャスティング法、ラミネート法、ディスペンス法等により、半導体基板２の全面に感光性の液状樹脂を塗布・乾燥して樹脂層を形成し、この樹脂層をフォトリソグラフィ技術によってパターニングし、面状をなす第一頂部６ａ、６ｂを備える円錐台状の第一樹脂ポスト６Ａ、６Ｂ（６）を形成する。なお、フォトリソグラフィの過程においてポジ型レジストを用いることによって、第一樹脂ポスト６を円錐台状に形成することができる。
このようにして形成される第一樹脂ポスト６の厚みは２〜１００μｍ程度、直径は５０〜５００μｍ程度である。

（５）次に、図３（ｅ）に示すように、前記第一樹脂ポスト６の周囲の少なくとも一部に、第一樹脂ポスト６よりも離れたところの上面が前記第一頂部６ａ、６ｂよりも低くなるような形態として、絶縁樹脂からなり微細孔７ａを有する第一傾斜層７を形成する（工程Ｄ）。

スピンコート法、ラミネート法、キャスティング法、ディスペンス法等により、半導体基板２の上面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン）等の絶縁性の液状樹脂を塗布し、その後、塗布樹脂層を露光して硬化させ、第一傾斜層７を形成する。なお、第一配線層５の端部と整合する位置には微細孔７ａ（ビア）を形成しておく。この微細孔７ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。

本発明により製造された半導体装置１において、プリント基板に実装され応力が発生した場合には、突部である樹脂ポストによりその応力が分散される。特に、第一傾斜層７は、第一樹脂ポスト６よりも離れたところの上面が前記第一頂部６ａよりも低くなるような形態を有しているので、第一樹脂ポスト６のすべての周囲が第一傾斜層７にて固定されておらず、樹脂ポストが変形し易くなっている。つまり、樹脂ポストを構成する樹脂製の突部が変形し易くなっている。このため、応力分散の効果がより一層高いものとなっている。

（６）次に、図４（ａ）に示すように、少なくとも前記第一頂部６ａ、６ｂ（６）上に第二配線層８Ａ、８Ｂ（８）を形成する（工程Ｃ）。
第二配線層８は、上述した第一配線層５と同様にして形成することができる。また、Ｃｕめっき層上に、例えばＮｉおよびＡｕめっき層を、該第二配線層８上に形成するはんだバンプ９の濡れ性向上のために形成しても良い。

（７）次に、第二配線層８を電極３と電気的に接続する。
この工程は通常、上記工程Ｃと同時に行われる。すなわち、第二配線層８Ａ、８Ｂ（８）を一緒に形成する際に、微細孔７ａ内にもめっき層を形成することで、第一配線層５と第二配線層８Ａ（８）とを電気的に接続される。その結果、第二配線層８が、電極３と電気的に接続される。
なお、この工程は図４（ａ）に示すように、多段階に分けて行ってもよい。すなわち、たとえば、まず第二配線層８Ｂ（８）のみを形成する。次に、第一傾斜層７の厚み方向に延びる微細孔７ａを形成し、微細孔７ａの底部に第一配線層５の一部が露呈された状態とした後、前記第二配線層８Ａ（８）を形成する。これにより、第一傾斜層７に形成された微細孔７ａを通じて前記第一配線層５と前記第二配線層８とを電気的に接続する（工程Ｅ）。その結果、第二配線層８が、電極３と電気的に接続される。

（８）次に、図４（ｂ）に示すように、封止層１０を形成する。
その後、第一傾斜層７及び第二配線層８上に封止層１０を形成する。封止層１０は、例えば感光性ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン）等の感光性樹脂を、スピンコート法やラミネート法を用い、フォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって形成することができる。

その際、樹脂ポストの頂部を覆う位置に第二配線層８を少なくとも露出するような開口部１０ａを封止層１０に設ける。なお、開口部１０ａの直径は、露光時に用いるフォトマスクの開口径によって調整することができる。封止層１０の厚みは５〜５０μｍ程度である。

（９）次に、図４（ｃ）に示すように、はんだバンプ９を形成する。
次いで、封止層１０の開口部１０ａにより露出された第二配線層８上に、はんだボール搭載法、電解はんだめっき法、はんだペースト印刷法、はんだペーストディスペンス法、はんだ蒸着法等によりはんだボールを形成する。その後、リフロー炉を用いてはんだボールを溶融させ、第二配線層８上に、はんだバンプ９を形成する。
以上のようにして図１に示したような半導体装置１Ａ（１）が得られる。

このようにして製造される半導体装置１では、第一配線層５に重なるように第一樹脂ポスト６を形成している。このように第一配線層５に重なるように第一樹脂ポスト８を形成することで、樹脂ポストの応力緩和能力を保ちつつ、樹脂ポスト周辺の制約がなくなるだけでなく、樹脂ポスト直下にも再配線を形成できるため、該樹脂ポスト近辺に微細な再配線を高密度に形成することが可能となった。すなわち、第一配線層５を電極３と第一樹脂ポスト６との間の真っ直ぐな最短路とすることができる。これにより、設計の自由度が向上し、高い応力緩和能力を持ちながら再配線を高密度化することができる。その結果、ウエハレベルＣＳＰにおいて、チップの小型化及び端子数の増加に対応することが可能である。

なお、上述した実施形態では、樹脂ポストの周囲に第一傾斜層７を形成した場合を例に挙げて説明したが、本発明では、図５に示す半導体装置１Ｂ（１）のように、第一傾斜層７は無くても構わない。ただし、この場合、第二配線層８を形成した（工程Ｃ）後、第一配線層５の端部に第二配線層８を直接接合する（工程Ｆ）ことが好ましい。なお。この工程は第二配線層８の形成と同時に行っても構わない。

この半導体装置１Ｂにおいても、絶縁樹脂層４の表面から、第一樹脂ポスト６の上面またはランド部を除く第二配線層８の下面までの高さをｈ_１とし、絶縁樹脂層４の表面からランド部下面までの高さをｈ_２とすると、ｈ_２＞ｈ_１が成り立つ。このように、この半導体装置１Ｂでは、２層配線において段差がないので、配線を容易に形成可能である。

また、上述した実施形態では、樹脂ポストを一層構造とした場合を例に挙げて説明したが、本発明では、図６及び図７に示すように、樹脂ポストを２層構造とすることができる。
図６及び図７は、第一樹脂ポスト６を内包するように、該第二頂部２０ａを備えた突起状の第二樹脂ポスト２０を形成したものである。これにより、絶縁樹脂層４上に第一配線層５、第一頂部６ａ上に第二配線層８、第二頂部２０上に第三配線層２１をそれぞれ形成することができる。その結果、再配線をさらに高密度化することができる。

次に、このような２層構造の樹脂ポストを備えた半導体装置の製造方法について説明する。
上述した半導体装置１Ａの製造方法において説明した（１）〜（６）までは同様にして行うことができるので、説明は省略する。ただし、（６）工程Ｃにおいて、第二配線層８を第一樹脂ポスト６上に形成する。

第二配線層８を形成した後、第一樹脂ポスト６を内包するように、面状をなす第二頂部２０ａを備えた突起状の第二樹脂ポスト２０を形成する（工程Ｇ）。第二樹脂ポスト２０の形成は、上述した第一樹脂ポスト６と同様にして行うことができる。

なお、第二樹脂ポスト２０の形成後、該第二樹脂ポスト２０の周囲の少なくとも一部に、第二樹脂ポスト２０よりも離れたところの上面が前記第二頂部２０ａよりも低くなるような形態として、絶縁樹脂からなる第二傾斜層２２を形成する（工程Ｉ）ことが好ましい（図７参照）。この第二傾斜層２２の形成は、上述した第一傾斜層７と同様にして行うことができる。

次に、少なくとも前記第二頂部２０ａ上に第三配線層２１を形成する（工程Ｈ）。この第三配線層２１の形成は、上述した第一配線層５と同様にして行うことができる。
このようにして製造される半導体装置では、設計の自由度がさらに向上し、再配線をより高密度化することができる。その結果、ウエハレベルＣＳＰにおいて、チップの小型化及び端子数の増加に対応することが可能である。

以上、本発明の半導体装置の製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。

本発明は、半導体装置の製造方法について広く適用可能である。

本発明により製造された半導体装置の一例を示す断面図。図１に示す半導体装置において、樹脂ポストと該樹脂ポストの周辺に配された配線層を示す斜視図。本発明に係る半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図。図３に続く各工程を順に示す断面図。本発明により製造された半導体装置の他の一例を示す断面図。本発明により製造された半導体装置において、２層構造とした樹脂ポストと、該樹脂ポストの周辺に配された配線層の一例を示す斜視図。本発明により製造された半導体装置において、２層構造とした樹脂ポストと、該樹脂ポストの周辺に配された配線層の他の一例を示す斜視図。従来の半導体装置において、樹脂ポストと該樹脂ポストの周辺に配された配線層の一例を示す斜視図。従来の半導体装置において、２層配線を形成した場合の段差の一例を示す断面図。

符号の説明

１（１Ａ、１Ｂ）半導体装置、２半導体基板、３電極、４絶縁樹脂層、５第一配線層、６（６Ａ、６Ｂ）第一樹脂ポスト、６ａ、６ｂ第一頂部、７第一傾斜層、７ａ微細孔（ビア）、８（８Ａ、８Ｂ）第二配線層、９（９Ａ、９Ｂ）はんだバンプ、１０封止層。

Claims

少なくとも一面に電極を備えた半導体基板上に、第一配線層を形成する工程Ａと、
前記半導体基板上であって前記第一配線層の一部に少なくとも重なるように、面状をなす第一頂部を備えた突起状の第一樹脂ポストを形成する工程Ｂと、
少なくとも前記第一頂部上に第二配線層を形成する工程Ｃと、を備え、
前記工程Ｂと前記工程Ｃとの間に、前記第一樹脂ポストの周囲の少なくとも一部に、第一樹脂ポストよりも離れたところの上面が前記第一頂部よりも低くなるような形態として、絶縁樹脂からなり微細孔を有する第一傾斜層を形成する工程Ｄを、さらに備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記工程Ｃの後に、前記微細孔を通じて前記第一配線層と前記第二配線層とを電気的に接続する工程Ｅを、さらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。