TW514622B - Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass and transparent EL - Google Patents

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Description

514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7__ 五、發明說明（1 ) 【技術領域】 本發明爲有關一種於顯示裝置等中，極適合作爲透明 導電膜材料之金屬氧化物的燒結體，與使用此燒結體所得 之透明導電膜的成膜用標靶、透明導電材料及使用此標靶 成膜所得之透明導電玻璃及透明導電薄膜之發明。 【背景技術】 近年來，顯示裝置之各種裝置，例如液晶顯示裝置或 電致發光（electroluminesence )顯示裝置、場致發射（ field emmission )顯示器等皆已導入事務機械或工廠中之控 制系統。此些顯示裝置中，無論任何裝置皆具有顯示部挾 夾於透明導電膜中之三明治構造之形態。 此些透明電膜中，多以使用以氧化銦-氧化錫（以下， 簡稱爲I T〇）成膜所得之I τ〇膜。此I τ〇膜除具有 較佳之透明性、及較低之電阻以外，亦具有優良蝕刻性、 極佳之基板密著性等優良特性，而被廣泛地使用。而此 I T 0膜一般即爲使用濺鍍法或離子電鍍法、蒸鍍法等方 法予以成膜。 I T 0膜雖具有上述優良特性，但例如於液晶顯示裝 置中作爲透明基板使用時，有關I τ〇膜之表面精度或電 極之錐形加工性、與異種金屬結合或接點下之電極加工等 ，仍有許多需解決之問題存在。 即’此I T 0本身即爲結晶性之金屬氧化物，故在成 膜階段時，膜表面亦會產生結晶粒，此點則會造成表面精 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐)^4Γ- 酿 ------ -------裝------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·ί·丨 L!,· 514622 第88114565號專利申請案 中文說明書修正頁A7民國915 7月Μ___ _Β7 91· 7· 1 修正 'Λ g 五、發明説明（2 ) ί 度之降低。又，有關I T ◦成膜後之蝕刻步驟中，因電極 端面會產生細微之凹凸狀，故不易進行高精確度之鈾刻。 因此，對於成膜之電極進行加工時，若對具有結晶粒之界 面進行鈾刻，則會使I T〇粒子殘存於鈾刻部，此時，極 容易於對向電極間產生導電現象而造成顯示不良等問題。 而爲解決此一問題，例如於特開平6 - 2 3 4 5 6 5 號公報所揭示般，於不犧牲透明性與導電性下，而以改良 電極之加工性爲目的提出了由氧化銦與氧化鋅所構成之透 明導電材料。但，此一由氧化銦與氧化鋅所構成之材料， 其本身之比電阻爲2〜5 m Ω· c m，故成膜時必須對所 投入之電力進行控制，因而會有不易具有充足之生產力的 缺點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，I T 0膜在作爲有機電致發光元件之電極使用時 ，必須將空穴（positive hole )貫穿於I T〇膜所產生之 有機電致發光元件之發光層或空穴輸送層中，因此，電極 材料之功函數與構成該發光層或空穴輸送層之有機化合物 的功函數爲幾乎相同之水準，故此陽極與空穴輸送層間之 能量障礙以越少越好。爲降低此一能量障礙，必須盡量使 陽極材料之功函數與作爲空穴輸送層之有機化合物的離子 化位能間之差距減少。形成此空穴輸送層之空穴輸送物質 ，有著各種有機化合物之提案，其中以芳香族胺系之化合 物，特別是三苯胺衍生物以具有優良功能而廣泛使用。其 中，此三苯胺衍生物中之三苯胺，其離子化位能爲5 . 5 〜5 _ 6電子伏特。又，透明導電膜中，具有優良透明性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 514622 A7 B7 五、發明說明（3 ) 且具有較低電阻者，例如氧化銦一氧化錫（以下，簡稱 I T〇）則爲周知者。此I T〇之功函數爲4 · 6電子伏 特。因此，由此一般材料所構成之陽極與空穴輸送層間仍 存在著相當大的能量障礙。 因此，例如特開平9 一 6 3 7 7 1號公報中，揭示有 於陽極與陰極間設置有機化合物層之有機金屬薄膜發光元 件之陽極，係使用功函數較I T 0爲大之金屬氧化物薄膜 。由此金屬氧化物之薄膜所構成之陽極，其光線透過率例 如該金屬爲氧化釕時爲1 0 % ，爲氧化釩時爲2 0. % 。又 ，爲改良此一較低之光線透過率，而提出於I T〇上層積 3〇0埃以下超薄膜之前記金屬氧化物所得之2層構造， 但即使此情形下，光線透過率也爲4 0〜6 0 %左右，故 顯示裝置中之透明電極仍具有透明性並不充分之缺點。 【發明之內容】 本發明係以提供一種以濺鍍法等進行成膜操作時，可 以安定地且可順利生產之金屬氧化物的燒結體，及該燒結 體所構成之標靶，及使用該標靶成膜所得之具有優良透明 性或導電性、電極加工性，且在作爲有機電致發光元件中 之透明電極使用時，具有與空穴輸送物質所有之離子化位 能差距較小之功函數値，而不會引起發光效率降低之透明 導電玻璃及透明導電薄膜爲目的。 本發明者，就解決上述問題上經過種種硏究後結果’ 得知在使用含有由特定比例之氧化銦與氧化錫及氧化鋅所 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝 i I I I I I 訂 I--Γ I IV— 1^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - 514622 A7
五、發明說明（4 ) 構成的化合物之燒結體作爲透明導電材料使用時，即可順 利解決上述之問題，因而完成本發明。 即，本發明係由下述第1發明〜第4發明所構成，其各 自之摘要如下所述。 丄_ I〕第1發明 〔1〕一種燒結體，其所含有之氧化銦與氧化錫及氧 化鋅各成分間之金屬原子比爲
In/(In + Sn + Zn) = 〇 · 50 〜0 .75
Sn / (In + Sn + Zn) = 〇 · 20 〜〇 · 45
Zn / (In + Sn + Zn) = 〇 · 〇3 〜0 · 30， 且含有具Iri2〇3· (2]1〇）111(式中，111爲2〜 2 0之整數）所示之六方晶層狀化合物及具z n 2 s η〇4 所示之尖晶石構造化合物。 〔2〕如前記〔1〕記載之燒結體，其比電阻値低於 2 m Ω · c m 〇 〔3〕一種燒結體，其所含有之氧化銦與氧化錫及氧 化鋅各成分間之金屬原子比爲
In/(In + Sn + Zn)=〇· 5 ◦〜〇· 75
Sn/(In + Sn + Zn) = .0 · 20 〜〇 · 45
Zn / (In + Sn + Zn) = 0 · 03 〜〇.3〇， 此外尙含有對全金屬原子爲0 . 5〜1 〇原子％之正 4價以上之金屬氧化物，且含有具 I η 2 0 3 ·(乙11〇）111(式中，111爲2〜2〇之整數） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)
裝 111 訂----1IILI·氣 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 __ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5 ) 所7K之六方晶層狀化合物及具Ζ η 2 S η〇4所不之尖晶石 構造化合物。 〔4〕如前記〔3〕記載之燒結體，其中，正4價以 上之金屬氧化物爲氧化釕、氧化鉬或氧化釩。 〔5〕一種透明導電膜之濺鍍用標靶，其係由前記〔 1〕〜〔4〕項中任一項記載之燒結體所構成。 〔6〕一種透明導電膜之電子射線用標靶，其係由前 記 〔1〕〜〔4〕項中任一項記載之燒結體所構成。 〔7〕一種透明導電膜之離子電鍍用標靶，其係由前 記〔1〕〜〔4〕項中任一項記載之燒結體所構成。 〔8〕一種透明導電玻璃，其係於玻璃表面上被覆含 有氧化銦與氧化錫及氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 In/(In + Sn + Zn) = 〇 · 50 〜0 · 75 Sn/(In + Sn + Zn) = 〇 · 20 〜0 · 45 Zn / (In + Sn + Zn) = 〇 · 〇3 〜〇· 3〇’ 且含有對全金屬原子爲0 · 5〜1 0原子％之正4價 以上之金屬氧化物的非晶質透明導電膜所得。 〔9〕如前記〔8〕記載之透明導電玻璃，其中，正 4價以上之金屬氧化物爲氧化釕、氧化鉬或氧化釩。 〔1 0〕如前記〔8〕或〔9 .〕記載之透明導電玻璃 ，其中，光線透過率爲7 5 %以上，比電阻爲5 m Ω · c m以下，且透明導電膜之功函數爲5 . 4 5以上。 〔1 1〕一種透明導電薄膜，其係於透明樹脂薄膜表 面上被覆含有氧化銦與氧化錫及氧化鋅各成分間之金屬原 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝 I- 11 1 ^1 1 I- n ϋ ·ϋ _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - 514622 A7 _________ B7 五、發明說明（6 ) 子比爲
In / (In + Sn + Zn)=〇· 50 〜0 · 75 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Sn / (In + Sn + Zn) = 0 · 20 〜0 · 45
Zn / (In + Sn + Zn)=〇· 03 〜0 · 30 ’ 且含有對全金屬原子爲〇 · 5〜1 〇原子％之正4價 以上之金屬氧化物的非晶質透明導電膜所得。 〔1 2〕如前記〔1 1〕記載之透明導電薄膜’其中 ，正4價以上之金屬氧化物爲氧化釕、氧化鉬或氧化釩。 〔1 3〕如前記〔1 1〕或〔1 2〕記載之透明導電 薄膜，其中，光線透過率爲7 5 %以上，比電阻爲5 m Ω • c m以下，且透明導電膜之功函數爲5 · 4 5以上。 〔I I ]第2發明 〔1〕一種燒結體，其係由所含之氧化銦或氧化銦與 氧化鋅及/或氧化錫各成分間之金屬原子比爲
In/(In + Zn + Sn) = 0 · 80 〜1 · 〇〇
Zn/(In + Zn + Sn) = 0 · 〇〇 〜〇 · 20
Sn / (In + Zn + Sn) =0 · 03 〜0 · 30 ’ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 且含有對全金屬原子爲0 . 5〜1 〇原子％含量之由 氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出之金屬氧化物的組成物 所構成者。 〔2〕一種燒結體，其係由所含之氧化銦與氧化鋅或 此些氧化物與氧化錫各成分間之金屬原子比爲
In/(In + Zn + Sn)=0.8 ◦〜1 .〇〇 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7 ) Zn/(In + Zn + Sn) = 0 ·〇5 〜〇· 20 Sn/(In + Zn + Sn) = 0 ·〇〇〜〇· 20 ， 且含有對全金屬原子爲0 · 5〜1 〇原子％含量之由 氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出之金屬氧化物的組成物 所構成者。 〔3〕一種燒結體，其係由所含之氧化銦與氧化鋅及 氧化錫各成分間之金屬原子比爲 In/(In + Zn + Sn)=〇· 80 〜1 · 〇〇 Zn / ( I n + Zn + Sn)=〇· 05 〜0 . 20 Sn / (In + Zn + Sn)=〇· 02 〜0 · 20 ’ 且含有對全金屬原子爲0 . 5〜1 0原子％含量之由 氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出之金屬氧化物的組成物 所構成者。 〔4〕一種濺鍍用標靶，其係由前記〔1〕〜〔3〕 項中任一項記載之燒結體所構成。 〔5〕一種電子射線用標祀，其係由前記〔1〕〜〔 3〕項中任一項記載之燒結體所構成。 〔6〕一種離子電鍍用標靶，其係由前記〔1〕〜〔 3〕項中任一項記載之燒結體所構成。 〔7〕一種透明導電玻璃，其於玻璃表面上被覆含有 氧化銦與氧化鋅、氧化錫以各成分間之金屬原子比爲 In / (In + Zn + Sn) = 0 · 80 〜1 · 00 Zn / (In + Zn + Sn) = 0 ·〇0 〜0 · 20 Sn/(in + Zn + Sn)=〇.0〇〜〇· 20 ， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝 ϋ ϋ ϋ a·— ϋ 11 I 】 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 10 _ 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 ) 且含有對全金屬原子爲0 · 5〜1 〇原子％含量之由 氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出之金屬氧化物的組成物 所構成之透明導電膜所得。 〔8〕如前記〔7〕記載之透明導電玻璃’其中，光 線透過率爲7 5 %以上，比電阻爲5 m Ω · c m以下，且 透明導電膜之功函數爲5 · 4 5電子伏特以上。 〔9〕一種透明導電薄膜，其於透明樹脂薄膜表面上 被覆含有氧化銦與氧化鋅、氧化錫各成分間之金屬原子比 爲
In/(In + Zn + Sn)=〇· 8〇〜1 ·〇〇
Zn/(In + Zn + Sn)=〇·〇0 〜0 · 20
Sn/(In + Zn + Sn) = 0 · 00 〜0 · 20， 且含有對全金屬原子爲0 · 5〜1 0原子％含量之由 氧化釕、氧化鋁及氧化釩中所選出之金屬氧化物的組成物 所構成之透明導電膜所得。 〔1 0〕如前記〔9〕記載之透明導電玻璃，其中， 光線透過率爲7 5 %以上，比電阻爲5 m Ω · c m以下， 且透明導電膜之功函數爲5 · 4 5電子伏特以上。 〔I I I〕第3發明 〔1〕一種透明導電材料，其係於氧化銦、氧化鋅及 氧化錫中所選出之1種或2種以上之金屬氧化物中，加入 對全金屬氧原子爲0 · 5〜2 0原子％之由氧化銥、氧化 鍊及氧化鈀中所選出之1種或2種以上之金屬氧化物所得 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
ϋ l_i ϋ I ϋ IB1 一 δ, 1_1 ϋ ϋ ·ϋ^ ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7 五、發明說明（9 ) 的組成物所構成。 〔2〕一種透明導電材料，其係於氧化銦、氧化鋅、 氧化錫各成分間之金屬原子比爲
In / (In + Zn + Sn) = 〇 .〇◦〜1 · 〇〇
Zn / (In + Zn + Sn) = 〇 ·〇〇〜〇· 25
Sn / (In + Zn + Sn) = 〇 · 〇〇〜1 ·〇〇 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 · 5〜 2 0原子％之由氧化銥、氧化銶及氧化钯中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成。 〔3〕一種透明導電材料，其係於氧化銦、氧化鋅、 氧化錫各成分間之金屬原子比爲
In / (In + Zn + Sn) = 〇 · 50 〜1 · 0〇
Zn / (In + Zn + Sn) = 〇 · 〇5 〜0 · 25 ♦
Sn / (In + Zn + Sn) = 〇 · 〇〇 〜〇 · 50 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇·5〜 2〇原子％之由氧化銥、氧化鍊及氧化鈀中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成。 〔4〕一種透明導電材料，其係於氧化銦、氧化鋅、 氧化錫各成分間之金屬原子比爲
In/(In + Zn + Sn) = .0 · 75 〜〇· 95
Zn / (In + Zn + Sn) = 0 · 05 〜〇· 2〇
Sn / (In + Zn + Sn)二 0 · 〇〇 〜〇 · 2〇 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 · 5〜 2 0原子％之由氧化銥、氧化銶及氧化鈀中所選出之1種 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12 - --------------裝------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_丨丨」丨丨卜·聲· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 ___B7 五、發明說明（) 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成。 〔5〕一種燒結體，其係由將如前記〔1〕〜〔4〕 記載之組成物經燒結而得。 〔6〕一種濺鍍用標耙，其係由前記〔5〕記載之燒 結體而製得。 〔7〕一種透明導電玻璃，其係於玻璃表面上被覆由 氧化銦、氧化鋅及氧化錫中所選出之1種或2種以上之金 屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 · 5〜2 0原子％ 之由氧化銥、氧化銶及氧化鈀中所選出之1種或2.種以上 之金屬氧化物所得的組成物所構成之透明導電膜所得。 〔8〕如前記〔7〕記載之透明導電玻璃，其中，光 線透過率爲7 0 %以上，且透明導電膜之功函數爲5 . 4 電子伏特以上。 〔9〕一種透明導電薄膜，其係於透明樹脂表面上被 覆由氧化銦、氧化鋅及氧化錫中所選出之1種或2種以上 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲0 · 5〜2 0原 子％之由氧化銥、氧化銶及氧化鈀中所選出之1種或2種 以上之金屬氧化物所得的組成物所構成之透明導電膜所得 〇 〔1 0〕如前記〔9〕記載之透明導電薄膜，其中， 光線透過率爲7 0 %以上，且透明導電膜之功函數爲 5·4電子伏特以上。 〔I V〕第4發明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- --I--------裝--------訂--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
514622 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11 ) 〔1〕一種透明導電材料，其係由氧化錫、氧化銦及 氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 Sn / (Sn+In + Zn) =0 . 55 〜1 · 00 In / (Sn+In + Zn) = 0 · 〇〇 〜〇 · 45 Zn / (Sn+In + Zn) = 0 · 〇〇 〜〇 · 25 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 · 5〜 1 0原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成。 〔2〕如前記〔1〕記載之透明導電材料，其中，氧 化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 Sn/(Sn+In + Zn)=0 · 55 〜0 · 95 In / (Sn+In + Zn) = 0 · 〇〇 〜〇 · 40 Zn / (Sn+In + Zn) = 0 · 05 〜〇· 25 〔3〕如前記〔1〕記載之透明導電材料，其中，氧 化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 Sn / (Sn+In + Zn) = 0 · 55 〜〇 · 95 In / (Sn+In + Zn) = 0 · 〇〇 〜〇.40 Zn / (Sn+In + Zn)=〇· 〇5 〜〇 . 20 〔4〕如前記〔1〕記載之透明導電材料，其中，氧 化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 Sn/(Sn+In + Zn)=〇· 6〇 〜〇 . 95 In/(Sn+In + Zn) = 0 · 〇〇 〜〇 . 35 Zn / (Sn+In + Zn)二0 · 〇5 〜〇 · 20 〔5〕一種燒結體，其係由前記〔1〕〜〔4〕記載 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
· ϋ ·ϋ I ϋ ϋ I I 一一口、I ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 ___ B7 五、發明說明（12) 之組成物於1 2 0 0 °c以上之溫度下燒結而成。 〔6〕一種濺鍍用標靶，其係由前記〔5〕記載之燒 結體所構成，且比電阻爲1 〇 m Ω · c m以下。 〔7〕一種透明導電玻璃，其係於玻璃表面基板上， 被覆於氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子比爲
Sn / (Sn+In + Zn) = 〇 · 55 〜1 · 〇〇
In / (Sn+In + Zn)=〇· 〇〇 〜〇 · 45
Zn/(Sn+In + Zn)=〇· 〇〇 〜〇 . 25 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 . 5〜 1 0原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成之透明導電 膜所得。 〔8〕如前記〔7〕記載之透明導電玻璃，其中，透 明導電膜之光線透過率爲7 0%以上，且功函數爲5 . 4 電子伏特以上。 〔9〕一種透明導電薄膜，其係於透明樹脂薄膜表面 上，被覆於氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子 比爲
Sn / (Sn+In + Zn) = 〇 · 55 〜1 · 00
In / (Sn+In + Zn)=〇·〇〇〜〇· 45 Zn/(Sn+In + Zn) = 〇 · 〇〇 〜〇 · 25 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 · 5〜 1〇原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成之透明導電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- ---- --------裝--------訂--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7 五、發明說明（13) 膜所得。 〔1 0〕如前記〔9〕記載之透明導電薄膜，其中， 透明導電膜之光線透過率爲7 0 %以上，且功函數爲 5 · 4電子伏特以上。 【實施發明之最佳形態】 以下將對本發明之實施形態進行說明。 〔I〕第一發明 本發明之燒結體，係作爲透明導電膜成膜用之透明導 電材料，其基本之構成成分係由氧化銦與氧化錫及氧化鋅 等各成分所構成。 其組成比例之金屬原子比爲
In/(In + Sn + Zn) = 0 · 5〇〜〇· 75
Sn/(In + Sn + Zn)=〇· 2〇〜〇· 45
Zn/(In + Sn + Zn) = 0 · 03 〜0 · 30。 此些組成比例範圍中，又以
In/(In + Sn + Zn) = 0 · 60 〜0 · 75
Sn/(In + Sn + Zn) = 0 · 20 〜0 · 35
Zn/(In + Sn + Zn) = 0 ·〇5 〜0 · 20 爲佳。 又以
In/(In + Sn + Zn) = 0 · 60 〜0 · 7〇
Sn/(In + Sn + Zn) = 0 · 25 〜0 · 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- -----------裝--------訂--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
514622 A7 __B7 五、發明說明（14 )
Zn/(In + Sn + Zn)=〇.〇5 〜0· 15 爲最佳。 本發明中，作爲構成成分之氧化銦與氧化錫及氧化鋅 之組成若如上述內容時，若氧化銦與氧化鋅之混合物於低 溫下燒成時，可防止燒結體之導電性降低。此些氧化銦與 氧化鋅之混合物若於高溫下燒成時，可使所形成之六方晶 層狀化合物之導電性提高，但是欲將所有的氧化鋅變換爲 六方晶層狀化合物是有其困難性的，因此導電性之提昇亦 有其界限。 但，其中若使無法變換爲六方晶層狀化合物之氧化鋅 與氧化錫成爲具有尖晶石構造之化合物時，則可使所得之 燒結體的導電性更爲提昇，可使使用由此燒結體所得之標 靶所進行之濺鍍處理更加安定化。 其中，此些成分之含量中，若氧化銦之原子比低於 0 · 5 0時，除會造成所得透明導電膜之表面電阻升高以 外，亦會使耐熱性降低，又，此數値超過〇 · 7 5時，會 使所得透明導電膜產生結晶化而引起透明性降低之現象。 又，氧化錫之原子比若低於〇 . 2 0時，氧化鋅與氧化錫 將不易形成完整之具有尖晶石構造之化合物，又，此數値 超過0 · 4 5時，會使所得透明導電膜之表面電阻提昇。 此外’若氧化鋅之原子比低於〇 · 〇 5時，所得之透明導 電膜容易形成結晶化，此數値若超過〇 . 3 0時，則會使 所得之透明導電膜之耐熱性降低。 又’此些構成成分除在上述組成範圍內以外，此些金 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝 — II 訂-!l·— — 1"1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 514622 A7 B7 五、發明說明（15) 屬氧化物中尙含有以I η 2〇3 · ( ζ η〇）m (式中，m 爲2〜2 0之整數。）所示之六方晶層狀化合物，及以 Ζ η 2 S η〇4所示之尖晶石構造之化合物。 由上述構造所得之本發明之燒結體，如前所述般，爲 一具有較高之導電率，及比電阻値低於2 ιηΩ · cm之物 質。因此，在使用以此燒結體作爲標靶之濺鍍裝置等進行 成膜時，可使濺鑛處理於更安定之情形下進行，因此可以 在極優良生產條件下製造成膜製品。 又，上記氧化銦與氧化錫及氧化鋅之各成分中，以正 4價以上之金屬化合物爲佳，最佳者例如氧化釕、氧化鉬 或氧化釩等，此些金屬以對全金屬原子爲0 · 5〜10原 子％之含量所得之燒結體，其功函數係在5 . 4 5〜 5 · 7 0電子伏特範圍。此數値與有機電致發光元件中作 爲發光物質或空穴輸送物質等有機化合物之功函數的平均 値之5 · 6電子伏特相當。因此，以一以此燒結體作爲標 靶之濺鍍裝置等所製得之透明導電膜，對於由空穴之透明 導電膜注入有機電致發光元件內時，爲一具有極高注入效 率之物質。其中，此正4價以上之金屬氧化物之含量以對 全金屬原子爲1〜5原子％爲佳。 其次，有關本發明燒結體之製造方法，係將上記各金 屬氧化物之粉末，使用混合粉碎機、例如濕式球磨機或珠 磨機、超音波等，進行均勻地混合、粉碎、造粒後，以加 壓成型方式製得所需之形狀，再經燒成處理以燒結。此處 之將原料粉末混合粉碎，係將其粉碎至微細狀即可，一般 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 裝 訂----^--- L! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（16 ) 以使用處理至平均粒徑爲1 // m以下混合粉碎之物爲佳。 因此，此時之燒成條件，一般爲1，2 0 0〜 1 ，5〇〇°C ，較佳爲1 ，2 5 0〜1 ，4 8〇°C爲佳， 時間爲1 0〜7 2小時，較佳爲2 4〜4 8小時之尖。又 ，此時之升溫條件爲1〜5 0 °C /分。 此燒成處理中，爲使燒結體中之氧化銦與氧化鋅形成 前記式所示之六方晶層狀化合物之形態時，燒成溫度以 1，2 5 0 °C以上爲佳。又，爲使氧化鋅與氧化錫形成具 有尖晶石構造之化合物時，其燒成溫度以1，0 〇 〇 °C以 上爲佳。 此外，爲使上記3成分系之金屬氧化物含有氧化釕、 氧化鉬或氧化釩等具有正4價以上之金屬氧化物時，可於 上記作爲原料之金屬氧化物粉末進行混合粉碎之時，適量 添加此些氧化釕等粉末後再進行燒成即可。此時，可在形 成上記氧化銦與氧化鋅之六方層狀化合物，及氧化鋅與氧 化錫之具有尖晶石構造之化合物的條件下予以燒成即可。 〔I I〕第二發明 本發明中，形成透明導電膜用之燒結體，係爲將氧化 銦或氧化銦與氧化鋅及/或氧化錫.，以其金屬原子比爲 In/(In + Zn + Sn) = 0 · 80 〜1 · 00
Zn/(In + Zn + Sn) = 0 ·〇0 〜〇 · 20
Sn/(In + Zn + Sn) = 0 · 00 〜〇 · 2〇 之方式含有，且含有對全金屬原子爲〇 · 5〜1 0原 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- |裝-----丨丨丨訂··--^ I I LI I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
514622 A7 B7 五、發明說明（17) 子％之由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出之金屬氧化物 之組成物所得之燒結體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，較佳之燒結體係爲，將氧化銦與氧化鋅或此些化 合物與氧化錫，以其金屬原子比爲
In/(In + Zn + Sn)=〇· 80 〜1 · 0〇
Zn/(In + Zn + Sn)=〇·〇5 〜0 · 20 Sn/(In + Zn + Sn)二 〇 · 〇〇 〜〇 · 20 之方式含有，且含有對全金屬原子爲0 . 5〜1 0原 子％之由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出之金鳳氧化物 之組成物所得之燒結體。 又，最佳之燒結體係爲，將氧化銦與氧化鋅及氧化錫 ，以其金屬原子比爲
In/(In + Zn + Sn)=〇.80 〜1 ·0〇 Zn/(In + Zn + Sn) = 〇 · 〇5 〜0 · 20
Sn/(In + Zn + Sn)二 〇 ·〇2 〜0 · 2〇 之方式含有，且含有對全金屬原子爲0 · 5〜1 0原 子％之由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出之金屬氧化物 之組成物所得之燒結體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之燒結體中，作爲基本構成成分之氧化銦與氧 化錫及氧化鋅之組成，如上所述般.，可單獨使用氧化銦， 或可使用氧化銦與少量氧化鋅之混合物，或使用氧化銦與 少量氧化鋅及少量氧化錫之混合物皆可。 其中，此些成分之含量中，若氧化銦之原子比低於 0 · 8 0時，除會造成所得透明導電膜之表面電阻升高以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 514622 A7 ___ B7 五、發明說明（18) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 外’亦會使耐熱性降低。又，氧化鋅之原子比低於 〇 · 0 5時，會造成所得透明導電膜之蝕刻性不佳。此時 ’於濺鍍成膜時可少量添加水或氫，以使其蝕刻性提昇。 又，氧化錫之原子比若超過0 · 2 0時，會使所得透明導 電膜之導電性降低。此外，若氧化鋅之原子比低於 〇· 0 2時，容易使標靶之導電性降低，此數値若超過 〇 · 2 0時，則會使所得之透明導電膜之表面電阻升高。 又，上記氧化銦或氧化銦與氧化鋅及/或氧化錫所構 成之基本成分中，由氧化釕、氧化鉬及氧化釩所選出之金 屬氧化物，係以對組成物之全金屬原子爲〇 . 5〜1 0原 子％之含量含有。此些金屬氧化物之含量若低於0 . 5原 子％時，所得之透明導電膜則無法具備有夠高之功函數， 又，若此含量超過1 0原子％時，會引起透明性之降低。 即，此些金屬氧化物含量之較佳範圍爲，對組成物之全金 屬原子爲1〜7原子％ ，更佳爲1〜5原子％ 。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此，使用於氧化銦等基本成分中添加1種或2種以 上之氧化釕或氧化鉬、氧化釩等添加成分後以所得之燒結 體成膜所得之透明導電膜，可得到使功函數提昇之效果， 此添加成分之含量若於上記範圍時，可得到5 · 4 5電子 伏特以上之數値。 此透明導電膜之功函數之數値，與有機電致發光元件 中作爲發光物質或空穴輸送物質等有機化合物之功函數的 平均値之5 · 5〜5 · 6電子伏特相當。因此，使用此透 明導電膜作爲有機電致發光元件之陽極時，可使由此陽極 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 A7 __ B7 五、發明說明（19 ) (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 注入空穴輸送層或將空穴注入發光層時之能量障壁降低， 而得一較高之空穴注入效率，因此，除可使有機電致發光 元件之驅動電壓爲低壓化以外，亦可抑制因能量障壁所產 生之發熱現象，而可使其具有長時間之安定化發光現象。 其次，有關本發明燒結體之製造方法，係將上記各金 屬氧化物之粉末，使用混合粉碎機、例如濕式球磨機或珠 磨機、超音波等，進行均勻地混合、粉碎、造粒後，以加 壓成型方式製得所需之形狀，再經燒成處理以燒結。此處 之將原料粉末混合粉碎，係將其粉碎至微細狀即可，一般 以使用處理至平均粒徑爲1 // m以下混合粉碎之物爲佳。 因此，此時之燒成條件，一般爲1，2 0 0〜 1 ，5〇〇°C ，較佳爲1 ，250〜1 ，480。(：爲佳， 時間爲1 0〜7 2小時，較佳爲2 4〜4 8小時。又，此 時之升溫條件爲1〜5 0 °C /分較佳。 L I I I〕第三發明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之透明導電材料’係於由氧化鋼、氧化辞及氧 化錫所選擇之1種或2種以上之金屬氧化物中，含有對全 金屬原子爲0 · 5〜2 0原子％之由氧化銃、氧化鍊及氧 化鈀中所選出1種或2種以上之金屬氧化物之組成物所得 之透明導電材料。 又，具有較佳導電性之本發明之透明導電材料係爲， 於氧化銦與氧化鋅、氧化錫以其金屬原子比爲
In/(In + Zn + Sn)=〇.〇〇 〜1 ·〇〇 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 _ B7 五、發明說明（20 )
Zn / (In + Zn + Sn) = 〇 ·〇〇 〜〇 · 25
Sn / (In + Zn + Sn) = 〇 · 〇〇 〜1 · 〇〇 之金屬氧化物中，含有對全金屬原子爲〇 · 5〜2 0 原子％之由氧化銦、氧化銶及氧化鈀中所選出1種或2種 以上之金屬氧化物之組成物所得之透明導電材料。 又，更佳之透明導電材料係爲，於氧化銦與氧化鋅、 氧化錫以其金屬原子比爲
In / (In + Zn + Sn)=〇· 50 〜1 ·〇〇
Zn / ( I n + Zn + Sn) = 〇 · 〇5 〜0 · 25
Sn / (In + Zn + Sn)=〇·〇〇 〜〇 · 5〇 之金屬氧化物中，含有對全金屬原子爲〇 · 5〜2 Ο 原子％之由氧化銥、氧化鍊及氧化ΙΕ中所選出1種或2種 以上之金屬氧化物之組成物所得之透明導電材料。 其中，具有最佳導電性之透明導電材料係爲，於氧化 銦與氧化鋅、氧化錫以其金屬原子比爲
In/(ln + Zn + Sn) = 〇 . 75 〜0 · 95
Zn / (In + Zn + Sn) = 0 · 〇5 〜0 · 20
Sn / (In + Zn + Sn) = 〇·〇〇〜〇· 20 之金屬氧化物中’含有封全金屬原子爲q . 5〜2 Ο 原子％之由氧化銦、氧化銶及氧化鈀中所選出1種或2種 以上之金屬氧化物之組成物所得之透明導電材料。 又，具有特佳導電性之透明導電材料係爲，於氧化銦 與氧化鋅、氧化錫以其金屬原子比爲
In / (In + Zn + Sn) = 0 · 85 〜0 · 95 -裝--------訂—^0 —-— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 ______ B7 五、發明說明（21)
Zn / (In + Zn + Sn) = 〇 ·〇7 〜〇· 2〇 Sn / (In + Zn + Sn)=〇.〇〇 〜〇· 15 之金屬氧化物中，含有對全金屬原子爲〇 · 5〜2〇 原子％之由氧化銥、氧化銶及氧化鈀中所選出1種或2種 以上之金屬氧化物之組成物所得之透明導電材料。 本發明之透明導電材料中，作爲基本構成成分之氧化 銦、氧化鋅、氧化錫、或此些金屬氧化物之混合物，如上 所述般，可早獨使用氧化銦、氧化鋅或氧化錫，或可使用 氧化銦與少量氧化鋅之混合物，或使用氧化銦與氧化鋅之 混合物，或可使用氧化銦與氧化鋅及氧化錫之混合物皆可 0 其中’此些基本構成成分之各含量比例中，氧化銦， 於欲使其在作爲透明導電膜時可得到較低表面電阻之必要 情形下，以使用含有原子比爲0 · 5以上之組合物爲佳。 又’氧化鋅，於欲使其在作爲透明導電膜時可得到較高触 刻性之必要情形下，以使用含有原子比爲〇 · 0 5以上之 組合物爲佳。若所得透明導電膜之蝕刻性不佳時，可於濺 鍍成膜時添加少量的水或氫，以提高其蝕刻性。此時，氧 化鋅之含量比例超過〇 . 2 5時，會使透明導電膜之導電 性降低。。又，氧化錫，於欲維持標靶之導電性在較高水 準之必要情形下，以使用含有此化合物者爲佳，但若作爲 透明導電膜時需具有較低表面電阻之情形下，此化合物含 量之原子比以〇 . 5以下爲佳。 其次，於上述基本構成成分中所含有之氧化銥、氧化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24- ! —--1 — — — — — I--— — — — 訂--I l· I I LI I (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 514622 A7 B7 五、發明說明（22) 銶及氧化鈀，可各自單獨存在或以具任意混合比例之混合 物方式存在皆可。其中，此些含量之比例，對添加金屬氧 化物所得之透明導電材料中之全金屬原子爲〇 · 5〜2〇 原子％ 。若將其以金屬原子比表示時，則爲 Ir / (In + Zn + Sn + Ir) = 0.005 〜0.20 Re/(In + Zn + Sn + Ir) = 0.005 〜0.20 Pd/(In + Zn + Sn + Ir) = 0.005 〜0.15 ; 較佳爲
Ir/(In + Zn + Sn + Ir) = 0.0 1 〜0· 1 0 Re/(In + Zn + Sn + Ir) = 0.01 〜0.10 Pd/(In + Zn + Sn + Ir)二0.01 〜0.10 ; 更佳爲
Ir/(In + Zn + Sn + Ir) = 0.03 〜0.08 Re/(In + Zn + Sn + Ir) = 0.03〜0.0 8 Pd/(In + Zn + Sn + Ir) = 0.03〜0.08。 此些氧化銥、氧化鍊及氧化鈀之含量若低於0 · 5原 子％時，無法使透明導電膜之功函數達到充分之高度，又 ，此含量超過2 0原子％時，則會導致透明性之降低現象 〇 又，上記基本構成成分中，由氧化銥、氧化鍊及氧化 鈀係以對全金屬原子爲0 · 5〜2 0原子％含量所得之金 屬氧化物之組成物，若將其燒結以作爲濺鍍用標靶時，使 用其進行成膜之透明導電膜之光線透過率爲7 0 %以上’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） !!# 裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • I 丨 i 訂— h I-----· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 514622 A7 B7 五、發明說明（23 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 且透明導電膜之功函數之値爲5 · 4電子伏特以上。此透 明導電膜之功函數之數値，與有機電致發光元件中作爲發 光物質或空穴輸送物質等使用之有機化合物之離子化位會g 的平均値之5 · 5〜5 · 6電子伏特相當。因此，使用此 透明導電膜作爲有機電致發光元件之陽極時，可使經由此 陽極注入空穴輸送層或將空穴注入發光層時之能量障壁降 低，而得一較高之空穴注入效率，因此，除可使有機電致 發光元件之驅動電壓爲低壓化以外，亦可抑制因能量障壁 所產生之發熱現象，而可使其具有長時間之安定化發光現 象。 其次，有關本發明透明導電材料之製造方法，係將上 記各金屬氧化物之粉末依一定比例混合，其可使用混合粉 碎機、例如濕式球磨機或珠磨機、超音波等以均勻混合、 粉碎而製得。此處之將原料粉末混合粉碎，係將其粉碎至 微細狀即可，一般以混合粉碎處理至平均粒徑爲1 // m以 下者物爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，使用此透明導電材料所得之燒結體，可在造粒後 ，以加壓成型之方式製得所希望之形狀，其後再以燒成方 式燒結即可。此時之燒成條件，一般爲1，2 0 0〜 1 ，500°C，較佳爲1 ，250〜1 ，48〇°C爲佳， 時間爲1 0〜7 2小時，較佳爲2 4〜4 8小時之間。又 ，此時之升溫條件以1〜5 0 °C /分較佳。 〔IV〕 第四發明 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 A7 B7 五、發明說明（24 ) 本發明之透明導電材料，係於由氧化錫與氧 化鋅以其原子比爲 氡
Sn/(Sn+In + Zn)=〇· 55 In/(Sn+In + Zn)=〇.〇〇 Zn / (Sn+Ιπ + Ζη) = 〇 . 〇〇 Ο 〇 之金屬氧化物中，含有對全金屬原子爲〇， 原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出丄 以上之金屬氧化物之組成物所得之透明導電材米斗 又，更佳之透明導電材料係爲，於氧化鶴、〜 氧化鋅以其金屬原子比爲 ~
Sn/CSn+In + Zn) = 〇 . 60 In / (Sn+In + Zn) = 〇 · 〇〇 Zn / (Sn+In + Zn) = 〇 . 05 〇 Ο 〇 9 5 3 5 2 Ο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之金屬氧化物中，含有對全金屬原子爲〇.5〜丄 原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出1種或2種 以上之金屬氧化物之組成物所得之透明導電材料。 又’具有最佳導電性之透明導電材料係爲，於氧化胃 、氧化銦與氧化鋅以其金屬原子比爲 Sn/(Sn+In + Zn) = 〇 · 55 〜〇 · 95 In / (Sn+In + Zn)=〇·〇〇〜〇 · Zn/(Sn+In + Zn) = 0 · 05 〜〇 · 25 之金屬氧化物中，含有對全金屬原子爲〇 . 5〜丄〇 原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出1種或2 g 以上之金屬氧化物之組成物所得之透明導電材料。 〇 -敦！證——訂----i---Γ·^ννι. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 514622 A7 B7 五、發明說明（25) 又’具有最佳導電性之透明導電材料係爲，於氧化錫 、氧化銦與氧化鋅以其金屬原子比爲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Sn / (Sn+In + Zn) = 0 · 55 〜〇 · 95
In / (Sn+In + Zn) = 0 · 〇〇〜〇· 4〇 Zn/(Sn+In + Zn)=0.〇5 〜〇 20 之金屬氧化物中，含有對全金屬原子爲〇 . 5〜1〇 原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出1種或2種 以上之金屬氧化物之組成物所得之透明導電材料。 又’上述最佳導電性之透明導電材料係爲，於氧化錫 、氧化銦與氧化鋅以其金屬原子比爲 S n / (Sn + In + Zn) = 0 · 6〇〜〇· Q5
In / (Sn+In + Zn) = 〇 · 〇〇 〜〇.35 Z π / (Sn + In + Zn) =0 · 〇5 〜〇 · 20 之金屬氧化物中，含有對全金屬原子爲〇 · 5〜l〇 原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出1種或2種 以上之金屬氧化物之組成物所得之透明導電材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之透明導電材料中，作爲基本構成成分之氧化 錫、氧化銦、氧化鋅、或此些金屬氧化物之混合物，如上 所述般，可單獨使用氧化錫、氧化銦或氧化鋅，或可使用 氧化錫與少量氧化銦之混合物，或使用氧化錫與氧化鋅之 混合物’或可使用氧化錫與氧化銦及氧化鋅之混合物皆可 〇 其中’此些基本構成成分之各含量比例中，氧化錫， 於欲使其可以製得價廉且具優良耐溼熱性之透明導電膜之 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 ____ B7 五、發明說明（26) 下’其含量以至少爲〇 · 5 5者爲佳。又，氧化銦，於欲 使透明導電膜可維持在較高導電性之必要情形下，其原子 比以0 · 4 5以內爲佳。此氧化銦之含量比例中，若其原 子比超過0·45時，會使透明導電膜之製造費用提昇。 又’氧化鋅’於欲使透明導電膜之鈾刻加工性再向上提昇 之必要情形下，其原子比以〇 · 〇 5以上爲佳，又，爲維 持透明導電膜之良好耐濕性下，其含量以原子比爲 0 · 2 5以下者爲佳。若透明導電膜之蝕刻加工性不佳時 ，可於透明導電膜之濺鍍成膜時添加少量的水或氫，以使 其飩刻性增加。 其次，於上述基本構成成分中所含有之氧化釩、氧化 鉬及氧化釕，可各自單獨存在或以具任意混合比例之混合 物方式存在皆可。其中，此些含量之比例，對添加金屬氧 化物所得之透明導電材料中之全金屬原子爲〇 · 5〜 原子％ 。若將其以金屬原子比表不時，則爲 V/(In + Zn + Sn + V) = 0.00 5 〜0.10 Mo/(In + Zn + Sn + Mo)二 0.005 〜0.10 Ru/(In + Zn + Sn + Ru)遣005 〜0.10 ; 較佳爲 V /(In + Zn + Sn + V) = 0.001 〜0.08 Mo/(In + Zn + Sn + Mo) = 0.001 〜0.08 Ru/(In + Zn + Sn + Ru) = 0.001 〜0.08 ; 更佳爲 V/(In + Zn + Sn + V) = 0.002〜0.05 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -29- ~ 裝--------訂--------—· (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7 五、發明說明（27)
Mo/(In + Zn + Sn + Mo) = 0.002 〜0.05
Ru/(In + Zn + Sn + Ru) = 0.0〇2〜0.05 〇 此些氧化釩、氧化鉬或氧化釕中之任一，或其混合物 之含量若低於0 · 5原子％時，將無法使透明導電膜之功 函數達到充分之高度，又，此含量超過1 0原子％時，則 會導致透明性之降低現象。 又，上記基本構成成分中，氧化釩、氧化鉬或氧化釕 係以對全金屬原子爲0 · 5〜1 0原子％含量之金屬氧化 物之組成物，若將其燒結以作爲濺鍍用標靶時，使用其進 行成膜之透明導電膜之光線透過率爲7 0 %以上，且透明 導電膜之功函數之値爲5 . 4電子伏特以上。此透明導電 膜之功函數之數値，與有機電致發光元件中作爲發光物質 或空穴輸送物質等使用之有機化合物之離子化位能的平均 値之5 . 5〜5 . 6電子伏特相當。因此，使用此透明導 電膜作爲有機電致發光元件之陽極時，可使經由此陽極注 入空穴輸送層或將空穴注入發光層時之能量障壁降低，而 得一較高之空穴注入效率，因此，除可使有機電致發光元 件之驅動電壓爲低壓化以外，亦可抑制因能量障壁所產生 之發熱現象，而可使其具有長時間之安定化發光現象。 其次，有關本發明透明導電材料之製造方法’係將上 記各金屬氧化物之粉末依一定比例混合，其可使用混合粉 碎機、例如濕式球磨機或珠磨機、超音波等以均勻混合、 粉碎而製得。此處之將原料粉末混合粉碎’係將其粉碎至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30^ • !!l_----‘双------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂!」丨丨L!零· 514622 A7 _ _ B7 五、發明說明（28) 微細狀即可，一般以混合粉碎處理至平均粒徑爲1 // m以 下者物爲佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，使用此透明導電材料所得之燒結體，可在造粒後 ，以加壓成型之方式製得所希望之形狀，其後再以燒成方 式燒結即可。此時之燒成條件，一般爲1，2 0 0〜 1 ，500°C，較佳爲1 ，25〇〜1 ，48〇°C爲佳， 時間爲1 0〜7 2小時，較佳爲2 4〜4 8小時之間。又 ’此時之升溫條件以1〜5 0 C /分較佳。於採用此一'燒 成條件時，即可製得比電阻爲1 0 m Ω · c m以下之燒結 體。 其次，將依此方式所得之燒結體，以可裝入濺鍍裝置 之形狀進行切削加工，其後配合裝置裝配用工具，即可製 得一具有優良導電性且可安定地進行濺鍍之濺鍍用標靶，。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔V〕第一至第四發明之透明電極玻璃與透明電極薄膜 於使用上記所得標靶進行成膜時所使用之透明基材， 可使用目前使用之玻璃基板或，具有高透明性之合成樹脂 製的薄膜、或薄片等。此合成樹脂例如可使用聚碳酸酯樹 脂、聚甲基甲基丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚乙醚磺酸樹脂 、聚丙烯酸樹脂等等。 使用上記標靶在將透明導電膜置於透明基材上以濺鍍 法進行成膜時，以使用磁控管式濺鍍裝置爲佳。而使用此 裝置進行濺鍍成膜之條件中，隨標靶之表面積或透明導電 膜之膜厚使電漿之輸出產生變動，一般電漿之輸出係於標 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 31 - 514622 A7 B7 五、發明說明（29) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 靶表面積1 cm2爲0 · 3〜4W之範圍，成膜之時間爲 5〜1 2 0分鐘下，及可得到具有所希望厚度之透明導電 膜。此透明導電膜之膜厚度，隨顯示裝置之種類而有不同 ，一般以20〇◦〜6〇◦◦埃，較佳爲3〇〇〜 2 0〇〇埃爲佳。 又，使用裝著有前記燒結體之電子射線裝置或離子濺 鍍裝置中之標靶進行成膜時，可於與上記相同之成膜條件 下進行透明導電膜之成膜步驟。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對依此方法所製得之第一發明中之透明導電坡璃或透 明導電薄膜而言，此些於透明基材上所形成之透明導電薄 膜，具有極高之光線透過率與較低之比電阻。又，使用此 透明導電膜作爲透明電極使用以進行濺鍍加工時，鹽酸或 草酸等產生之處理部與未處理部之界限部分的截面形狀極 爲平滑，使該處理部與未處理部得以明確區分，而可形成 具有均勻寬度及厚度之由電極線所得之迴路。因此，本發 明透明導電玻璃或透明導電薄膜上之透明導電膜，一般僅 施以鈾刻加工，即可製得不會產生對電極加工性不佳之透 明導電膜進行鈾刻加工所產生之迴路內部分電阻增大或減 少，或絕緣部導電或迴路斷路等情形之透明電極。 又，本發明之第一發明之將前記3成分系之金屬氧化 物上含有正4價以上之金屬氧化物所得燒結體進行成膜所 得之透明導電薄膜，可製得具有光線透過率爲7 5 %以上 之高透明性，比電阻爲5 m Ω · c m以下，且功函數爲 5 · 4 5以上之有機電致發光兀件用透明電極的透明導電 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7 五、發明說明（30) 玻璃或透明導電薄膜。此時，若增大正4價以上金屬氧化 物之含量比例時導電率會有降低之傾向，因此，若需要維 持較高之導電率時，作爲底層之層，可於形成由前記3成 分之金屬氧化物所成之層後，於其上再層合含有由正4價 以上金屬氧化物之燒結體層以形成透明導電膜，而得具有 優良導電性，且其功函數具有與有機化合物近乎相同數値 之適用於有機電致發光元件用電極之透明導電膜。 又，依此方式所得之第二發明之透明導電玻璃或透明 導電薄膜，具有與作爲成膜使用之燒結體同一組成之由金 屬氧化物之組成物所成之透明導電膜，此透明導電膜之之 透明性，以波長5 0 0 n m之光的透過率測得時爲7 5 % 以上。又就此透明導電膜之導電性而言，其比電阻爲 5 m Ω · c m以下者。因此，如上所述，此透明電極之功 函數具有較以往使用之I T 0膜更高之5 · 4 5電子伏特 之値。 又，依此方式所得之第三發明之透明導電玻璃或透明 導電薄膜，具有與作爲成膜使用之燒結體同一組成之由金 屬氧化物之組成物所成之透明導電膜，此透明導電膜之之 透明性，以波長5 0 0 n m之光的透過率測得時爲7 0 % 以上。又就此透明導電膜之導電性而言，多數之比電阻爲 5mQ · cm以下。因此，如上所述，此透明電極之功函 數較以往使用之I T 0膜爲高，而幾乎與形成有機電致發 光元件之發光層或空穴輸送層之有機化合物的離子化位會巨 之値相等，爲5 · 4 5電子伏特以上之數値。 I 裝·！---丨訂----^---.— · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -33- 514622 A7 __ B7 五、發明說明（31) 又，依此方式所得之第四發明之透明導電玻璃或透明 導電薄膜，具有與作爲成膜使用之燒結體同一組成之由金 屬氧化物之組成物所成之透明導電膜，此透明導電膜之之 透明性，以波長5 0 0 n m之光的透過率測得時爲7 0 % 以上。又就此透明導電膜之導電性而言，多數之比電阻爲 5 m Ω · c m以下。因此，如上所述，此透明電極之功函 數較以往使用之I T 0膜爲高，而幾乎與形成有機電致發 光元件之發光層或空穴輸送層之有機化合物的離子化位會巨 之値相等，爲5 · 4電子伏特以上之數値。 如前所述，本發明之透明導電玻璃或透明導電薄膜， 極適合作爲由有機電致發光元件開始至各種顯示裝置用之 透明電極。 其次，將本發明由實施例開始作更詳細之說明，但， 本發明並不受此些例示所限定。 〔第一發明〕 〔實施例I 一 1〕 (1)燒結體之製造 使用氧化銦與氧化錫及氧化鋅之粉末作爲原料，並以 下記金屬原子比予以混合後饋入濕式球磨機中，並經7 2 小時混合粉碎。
In/(In + Sn + Zn) = 〇 . 50 Sn / (In + Sn + Zn) = 〇 · 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 514622 __— b7 I 91> 7, 10 _ 五、發明説明（32)
Zn/(In + Sn + Zn)=0.25 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，將所得粉碎物造粒後’再進行直徑4英吋、厚 5 m m之加壓整形，將其置入燒成爐中’進行1 4 0 0 °C 、3 6小時之加壓燒成。 依此方法所得之燒結體’其密度爲6 . 6 g / c m 3 ，且比電阻爲0.95mQ.cm。 其次，此燒結體之結晶性’係形成具有由氧化銦之結 晶與，氧化銦與氧化鋅所得之I η 2〇3 · ( Ζ η〇）m表 示、且m爲4、5、7之六方晶層狀化合物之結晶，及以 Ζ η 2 S η〇4爲主之具有尖晶石構造之化合物所構成的結 晶，並經X射線分析而確認。 此結果如第I - 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 將上記所得之燒結體，製作直徑4英吋、厚度5 m m 之濺鍍用標靶，將其裝置於D C磁濺鍍裝置上，並於玻璃 基板上成膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中之濺鍍條件中，周圍環境係使用混有適量氧氣之 氬氣環境，且濺鍍壓力爲3xlO_1Pa ，到達壓力爲 5x10 一 4Pa，基板溫度爲25°C，導入電壓爲 1 0 0 W，成膜時間爲1 4分鐘。 依此方式所得之透明導電玻璃上之透明導.電膜，其厚 度爲1 ，2 0 0埃，且爲非晶質。而此透明導電膜之光透 過率以分光光度計對5 0 0 n m之光線測定所得結果，爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7 五、發明說明（33) 7 9 % 。又，以4探針法測定之透明導電膜的比電阻爲 0 · 3 6 m Ω · c m，爲導電較高之物質。又，功函數係 以紫外線電子分光法予以測定。 (3 )透明導電膜之加工性評估 於上記（2 )所得之透明導電玻璃之透明導電膜上， 經由具有線狀通透孔之光罩，以光阻曝光、顯像後，並以 鹽酸水溶液蝕刻處理。此蝕刻處理之結果，使得透明導電 膜之鹽酸水溶液之接觸面與非接觸面之界限部分，.形成具 有平滑傾斜面，其後將該接觸面之之薄膜切除後，並未發 現接觸面內殘存有薄膜。 其評估結果如第I - 2表所示。 〔實施例I — 2〕 除將實施例I - 1中（2 )部分之濺鍍時的玻璃基板 溫度調整爲2 1 5 °C以外，其他皆與實施例I 一 1相同步 驟製造透明導電玻璃。 所得透明導電玻璃上之透明導電膜之評估結果如第I 一 2表所示。 〔實施例I 一 3〕 除將實施例I - 1中（1 )部分之透明基材使用之玻 璃基板以厚度爲0 · 1 m m之聚碳酸酯基板取代以外，其 他皆與實施例I - 1相同步驟製造透明導電玻璃。 ------------裝--------訂—：— 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公董） -36- 514622 Λ， Α7 91.7.10 五、發明説明（34) 所得透明導電玻璃之透明導電薄膜之評估結果如第j 一 2表所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例I 一 4〕 .(1 )燒結體之製造 除使用氧化銦與氧化錫及氧化鋅之粉末作爲原料，並 以下記金屬原子比予以混合以外，其他皆依實施例I 一 1 相同步驟般，製得燒結體。
In / (In + Sn + Zn) = 〇 . 50
Sn / (In + Sn + Zn) = 〇 . 45
Zn / (In + Sn + Zn) = 〇 . 〇5 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 · 8 g / c m 3 ，且比電阻爲0 · 9 8 m Ω · c m。又，此燒結體之結晶 性，經確認其係形成具有由氧化銦之結晶與，氧化銦與氧 化鋅所得之I η2〇3· (Zn〇）m表示、且m爲4、5 、7之六方晶層狀化合物之結晶，及以Z n 2 S η〇4爲主 之具有尖晶石構造之化合物所構成的結晶。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此結果如第I 一 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 將上記（1 )所得之燒結體，依實施例I 一 1之（2 )相同步驟般製作透明導電玻璃。 (3 )透明導電膜之加工性評估 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） -37- 514622 A7 B7 91. 10 五、發明説明（35) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上記（2 )所得之透明導電玻璃之透明導電膜依實 施例I - 1之（3 )相同方法進行透明導電膜之加工性評 估。 其評估結果如第I - 2表所示。 〔實施例I 一 5〕 (1 )燒結體之製造 除使用氧化銦與氧化錫及氧化鋅之粉末作爲原料’並 以下記金屬原子比予以混合以外，其他皆依實施例I - 1 相同步驟般，製得燒結體。 I 1 1 / ( I η + S n + Z n ) =0 .7 0 S 1 1 / ( I η + s n + Z n ) =0 • 2 5 Ζ ] 1 / ( I η + s n + z n ) =0 .0 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 . 8 g / c m 3 ，且比電阻爲Ο · 8 7 m Ω · c m。又，此燒結體之結晶 性，經確認其係形成具有氧化銦之結晶與，氧化銦與氧化 辞所得之In2〇3· (Zn〇）m表不、且in爲4、5 、 7之六方晶層狀化合物之結晶，及以Ζ η 2 S η〇4爲主之 具有尖晶石構造之化合物所構成的結晶。 此結果如第I - 1表所示。 2)透明導電玻璃之製造 將上記（1 )所得之燒結體，依實施例I - 1之（2 相同步驟般製作透明導電玻璃。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -38 - 514622
五、發明説明（36) C 3 )透明導電膜之加工性評估 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上記（2 )所得之透明導電玻璃之透明導電膜依實 施例I - 1之（3 )相同方法進行透明導電膜之加工性評 估。 其評估結果如第I - 2表所示。 〔實施例I — 6〕 (1 )燒結體之製造 除使用氧化銦與氧化錫及氧化鋅之粉末作爲原料，並 以下記金屬原子比予以混合以外，其他皆依實施例I - 1 相同步驟般，製得燒結體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
In / (In + Sn + Zn) = 0 . 60 Sn/(In + Sn + Zn)=0.30 Zn/(In + Sn + Zn)=〇.l〇 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 . 7 g / c m 3 ，且比電阻爲0 . 8 2 m Ω · c m。又，此燒結體之結晶 性，經確認其係形成具有氧化銦之結晶與，氧化銦與氧化 鋅所得之I n2〇3 · (Zn〇）m表示、且m爲4、5 、 7之六方晶層狀化合物之結晶，及以Z η 2 S η〇4爲主之 具有尖晶石構造之化合物所構成的結晶。 此結果如第I 一 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -39- 514622 Α7 Β7 91. 7. 10 五、發明説明（37) 將上記（1 )所得之燒結體，依實施例I 一 1之（2 )相同步驟般製作透明導電玻璃。 (3 )透明導電膜之加工性評估 將上記（2 )所得之透明導電玻璃之透明導電膜依實 施例I - 1之（3 )相同方法進行透明導電膜之加工性評 估。 其評估結果如第I - 2表所示。 〔實施例I 一 7〕 (1 )燒結體之製造 除使用氧化銦與氧化錫及氧化鋅之粉末作爲原料’並 以下記金屬原子比予以混合後，
In/(In + Sn + Zn)=0.60
Sn/(In + Sn + Zn)=0-30
Zn/(In + Sn + Zn)=〇-l〇 再加入原子比例爲
Ru/(In + Sn + Zn + Ru) = 0 . 〇2 之氧化釕粉末後再經混合粉碎外’其他皆依實施例1 1相同步驟般，製得燒結體。 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 · 7 g / C m ，且比電阻爲0 · 8 0 m Ω · c m。又，此燒結體之結晶 性，經確認其係形成具有氧化銦之結晶與，氧化麵與氧化 鋅所得之Ιη2〇3· (211〇）瓜表示、且^爲4、5、 I--------衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇 X 297公釐） -40- 514622 A7 B7 年月 ©I® 0 五、發明説明（38) 7之六方晶層狀化合物之結晶，及以Ζ η 2 S η〇4爲主之 具有尖晶石構造之化合物所構成的結晶。 此結果如第I — 1表所示。又，第I 一 1表中之金屬 氧化物組成欄中，上記R u (後述之]VI 〇等皆相同）將以 M e表不。 (2 )透明導電玻璃之製造 將上記（1 )所得之燒結體，依實施例I 一 1之（2 )相同步驟般製作透明導電玻璃。 (3 )透明導電膜之加工性評估 將上記（2 )所得之透明導電玻璃之透明導電膜依實 施例I - 1之（3 )相同方法進行透明導電膜之加工性評 估。 其評估結果如第I 一 2表所不。 〔實施例I 一 8〕 (1 )燒結體之製造 除使用氧化銦與氧化錫及氧化鋅之粉末作爲原料，並 以下記金屬原子比予以混合後，
In / (In + Sn + Zn) = 〇 . 60
Sn / ( I n + Sn + Zn) = 〇 . 30
Zn / (In + Sn + Zn) = 〇 . l〇 再加入原子比例爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -41 - 514622 Α7 Β7 9ί· 7. 1 〇 五、發明説明（39) Μ 〇 / (In + Sn + Zn+Mo) = 0 · 02 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之氧化鉬粉末後再經混合粉碎外，其他皆依實施例I - 1相同步驟般，製得燒結體。 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 . 8 g / c m 3 .，且比電阻爲0 _ 9 4 m Ω · c m。又，此燒結體之結晶 性，經確認其係形成具有氧化銦之結晶與’氧化銦與氧化 鋅所得之I Π2〇3· (Zn〇）m表示、且m爲4、5 、 7之六方晶層狀化合物之結晶，及以Ζ η 2 S η 0 4爲主之 具有尖晶石構造之化合物所構成的結晶。 此結果如第I 一 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 將上記（1 )所得之燒結體，依實施例I 一 1之（2 )相同步驟般製作透明導電玻璃。 (3 )透明導電膜之加工性評估 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將上記（2 )所得之透明導電玻璃之透明導電膜依實 施例I - 1之（3 )相同方法進行透明導電膜之加工性評 估。 其評估結果如第I - 2表所示。 〔實施例I 一 9〕 (1 .)燒結體之製造 除使用氧化銦與氧化錫及氧化鋅之粉末作爲原料，並 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐）
五、發明説明（4〇) &下記金屬原子比予以混合後， I n / (In + Sn + Zn) = 〇 · 6〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本覓)
Sn/(In + Sn + Zn) = 〇 . 30
Zn/(I n + Sn + Zn)=〇 . ι〇 再加入原子比例爲 V/(In + Sn + Zn+V) = 〇 . 〇2 之氧化釩粉末後再經混合粉碎外，其他皆依實施例I 〜1相同步驟般，製得燒結體。 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 . 8 g / c m 3 ’且比電阻爲0 · 9 9 m Ω · c m。又，此燒結體之結晶 性，經確認其係形成具有氧化銦之結晶與，氧化銦與氧化 鋅所得之I Π2〇3 · (Zn〇）m表示、且m爲4、5 、 7之六方晶層狀化合物之結晶，及以Ζ η 2 S η〇4爲主之 具有尖晶石構造之化合物所構成的結晶。 此結果如第I 一 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將上記（1 )所得之燒結體，依實施例1 一 1之（2 )相同步驟般製作透明導電玻璃。 (3 )透明導電膜之加工性評估 將上記（2 )所得之透明導電玻璃之透明導電膜依實 施例.I - 1之（3 )相同方法進行透明導電膜之加工性評 估。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） -43 - 514622 A7 B7 年 ；：§1. 1 0 五、發明説明（41) 其評估結果如第I 一 2表所示。 〔比較例I 一 1〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (1 )燒結體之製造 除將原料之氧化銦與氧化鋅之粉末，以下記金屬原子 比予以混合以外，其他皆依實施例I - 1相同步驟般，製 得燒結體。
In/(In + Zn)二 0.85 Zn/(In + Zn)二 0 . 15 依此方法所得之燒結體，其幣度爲6 . 7 5 g / c m 3，且比電阻爲2 · 7 4 m Ω · c m。又，此燒結體之 結晶性，經確認其係形成具有由氧化銦之結晶與，氧化銦 與氧化鋅所得之六方晶層狀化合物所構成之結晶。 此結果如第I 一 1表所不。 (2 )透明導電玻璃之製造 將上記（1 )所得之燒結體，依實施例1 一 1之（2 )相同步驟般製作透明導電玻璃。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時，因燒結體之比電阻較大’故於濺鍍時之安定性 並不充分，因此到達一定膜厚所需之成膜時間需要1 7分 鐘。 (3)透明導電膜之加工性評估 將上記（2 )所得之透明導電玻璃之透明導電膜依實 施例I - 1之（3 )相同方法進行透明導電膜之加工性評 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公菱） 514622 A7 B7 五、發明説明（42) 估。 其評估結果如第I 一 2表所示 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔比較例I 一 2〕 .(1 )燒結體之製造 除將原料之氧化銦與氧化錫之粉末，以1 卜己屬原子 比予以混合以外’其他皆依實施例〗-1相阔=驟般/，'製 得燒結體。
In / (In + Sn) = 〇 . 90
Sn / (In + Sn) = 〇 · 10 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 . 7丨g / cm ’且比電阻爲〇 · cm。又，此燒結體之 結晶性，經確認其係爲氧化銦之結晶。 此結果如第I 一 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將上記（1 )所得之燒結體，依實施例I 一 1之（2 )相同步驟般製作透明導電玻璃。 (3 )透明導電膜之加工性評估 將上記（2 )所得之透明導電玻璃之透明導電膜依實 施例I - 1之（3 )相同方法進行透明導電膜之加工性評 估、 其評估結果如第I - 2表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -45- 0514622 A7 B7 五、發明説明（43) 〔比較例I — 3〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 除將比較例2之（2 )中濺鍍時所使用之玻璃基板的 溫度調整爲2 1 5 °C以外’其他皆依比較例1 一 2相同步 驟般，製得透明導電玻璃。 所得透明導電玻璃上之透明導電膜之評估結果如第I 一 2表所币。 第I — 1表（1 ) 實施例 1-1 1-4 1-5 1-6 In/(In + Sn + Zn) 0.50 0.50 0.70 0.60 Sn/(In + Sn + Zn) 0.25 0.45 0.25 0.30 Zn/(In + Sn + Zn) 0.25 0.05 0.05 0.10 燒結體密度（g/cm3) 6.6 6.8 6.8 6.7 比1 1 阻（m Ω c m) 0.95 0.98 0.87 0.82 結 晶 性 氧化銦 有 有 有 有 六方晶層狀化合物 有 有 有 有 尖晶石化合物 有 有 有 有 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46 - 514622 A7 _B7 91· 7. 10」 五、發明説明（44) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第I — 1表（2 ) 實施例 比較例 實施例 1-7 1-8 1-9 1-1 1-2 In/(In + Sn + Zn) 0.60 0.60 0.60 0.85 0.90 Sn/(In + Sn + Zn) 0.30 0.30 0.30 一 0.10 Zn/(In + Sn + Zn) 0.10 0.10 0.10 0.15 一 Me/(In + Sn + Zn + Me) 0.02 0.02 0.02 — — 燒結體密度（g/cm3) 6.7 6.8 6.8 6.75 6.71 比1 1 阻（m Ω c m) 0.80 0.94 0.99 2.74 0.69 結 氧化銦 有 有 有 有 有 晶 六方晶層狀化合物 有 有 有 Μ 性 尖晶石化合物 有 有 有 Μ Μ te (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -47- 514622 A7B7 五、發明說明（45) 表I — 2表（1) 實施例 薄膜之比電阻 (m Ω · cm) 光線透過率 (%) 結晶性 功函數 (eV) 電極加工性 (力α工部截面） 1-1 0.36 79 非晶質 5.11 平滑 1-2 0.34 79 非晶質 5.12 平滑 1-3 0.37 78 非晶質 5.12 平滑 1-4 0.24 80 非晶質 5.16 平滑 1-5 0.27 81 非晶質 5.18 平滑 1-6 0.29 80 非晶質 5.15 平滑 1-7 1.3 79 非晶質 5.49 平滑 1-8 3.5 78 非晶質 5.55 平滑 1-9 2.4 78 非晶質 5.57 平滑 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -48- 514622 m i 〇 五、發明説明（46) 表I 一 2表（2 ) 比較例 薄膜之比電阻 光線透過率 結晶性 功函數 電極加工性 (ιηΩ · cm) (%) (eV) (加工部截面） 1-1 0.34 80 非晶質 5.18 平滑 1-2 0.42 80 非晶質 4.97 凹凸 1-3 0.18 82 非晶質 4.95 凹凸 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔第二發明〕 〔實施例I I 一 1〕 (1 )燒結體之製造 於作爲原料之氧化銦粉末中，將具有下記金屬原子比 之氧化釕粉末混合後饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混 合粉碎。
Ru/(I n + Ru) = 〇 · 03 其次，將所得粉碎物造粒後，再進行直徑4英吋、厚 5 m m之加壓整形，將其置入燒成爐中，進行1 4 0 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、3 6小時之加壓燒成。 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 . 8 g / c m 3 ，且比電阻爲0 . 8〇ϊπΩ · cm。 此結果如第I I 一 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 將上記所得之燒結體，製作直徑4英吋、厚度5 m rn 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -49 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7 五、發明說明（47) 之濺鍍用標靶，將其裝置於D C磁濺鍍裝置上，在室溫下 ，於玻璃基板上製膜。
其濺鍍條件中，周圍環境係使用混有適量氧氣之氬氣 環境，且濺鍍壓力爲3 X 1 0 一1 P a ，到達壓力爲5 X 10-4Pa，基板溫度爲25t：，導入電壓爲100W ，成膜時間爲1 4分鐘。 依此方式所得之透明導電玻璃上之透明導電膜，其厚 度爲1 ，2 0 0埃，且爲非晶質。而此透明導電膜之光透 過率以分光光度計對5 0 0 n m之光線測定所得結果，爲 7 9 °/〇 。又，以4探針法測定之透明導電膜的比電阻爲 〇· 84ιηΩ · cm，爲導電較高之物質。又，功函數以 紫外線電子分光法測定之結果爲5 . 5 1電子伏特。 此透明導電膜之評估結果如第I I - 2表所示。 〔實施例I I 一 2〕 (1)燒結體之製造 除將實施例I I - 1中作爲原料之氧化釕改爲具有下 記金屬原子比之氧化鉬予以混合以外，其他皆依實施例 I I 一 1之（1 )相同步驟般製得燒結體。 Mo/(In+Mo)=〇.〇7 所得燒結體之物性如第I I - 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -50- -------訂---------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 514622 Α7 Β7 五、發明說明（48) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性評估結果如第 Ϊ I — 2表所示。 〔實施例I I 一 3〕 (1)燒結體之製造 除將實施例I I - 1中作爲原料之氧化釕改爲具有下 記金屬原子比之氧化釩予以混合以外，其他皆依實施例 I I 一 1之（1 )相同步驟般製得燒結體。 V/(In+V)=〇.〇7 所得燒結體之物性如第I I 一 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性評估結果如第 I I 一 2表所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例I I 一 4〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下記金屬 原子比予以混合，
In/CIn + Zn) = 〇 . 83 Ζπ / (Ιπ + Ζπ)— 〇 . 17 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 A7 B7 五、發明說明（49) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釕予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Ru/(In + Zn+Ru)-=0 . 〇2〇 其所得燒結體之物性如第I I - 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性評估結果如第 I I — 2表所示。 〔實施例I I 一 5〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下記金屬 原子比予以混合，
In/(In + Zn)=〇.85 Zn/(In + Zn)=〇.15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化鉬予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Mo/7 ( I π + Ζπ+Μο) = 0 . 020 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 -52- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 _____B7 _ 五、發明說明（50 ) (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相问步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 ϊ I 一 2表所示。 〔實施例I I 一 6〕 (1)燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下記金屬 原子比予以混合， Ιη/(Ιη + Ζη)=〇·85 Ζη/(Ιη + Ζη)=〇.15 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釩予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。 V/Cln + Zn+V) = 0 . 020 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 〇 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外’其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃°所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -53 - -裝·！--—訂----^---.— · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 514622 A7 B7 五、發明說明（51) I I 一 2表所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例I I 一 7〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下記金屬 原子比予以混合，
In / (In + Zn) = 〇 · 93 Zn/(In + Zn)=〇.〇7 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釕予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Ru/(In + Zn+Ru) = 〇 . 015 其所得燒結體之物性如第I I - 1表所示。 (2 )透明導電玻璃之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除使用上記（1 )所得之燒結體以外’其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I — 2表所示。 〔實施例I I 一 8〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下記金屬 原子比予以混合， -54- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（52)
In/(In + Zn)=0.90 Ζη/(Ιη + Ζη)=〇·1〇 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化鉬予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Mo/Cln + Zn+Mo) = 0 . 05〇 其所得燒結體之物性的測定結果如第1 1 一 1表所示 〇 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外’其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2表所示。 〔實施例I I 一 9〕 (1)燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下記金屬 原子比予以混合，
In/(In + Zn)=〇.8 5 Ζη/(Ιη + Ζη)=〇·15 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釩予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) * - ----I---^-------.--. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -55- 514622 A7 B7 五、發明說明（53) V/CIn + Zn+V) = 〇 . 070 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I - 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2表所示。 〔實施例I I — 1〇〕 (1)燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化錫粉末以下記金屬 原子比予以混合，
In/(In + Sn)=0.80 SnX (In + Sn) = 0 . 20 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釕予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Ru / (In + Sn+Ru)=〇 · 〇3〇 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I〜i表所示 -56- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 A7 B7______ 五、發明說明（54 ) (2 )透明導電玻璃之製造 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2表所示。 〔實施例I I 一 1 1〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化錫粉末以下記金屬 厚子比予以混合，
In/(In + Sn)=〇.8〇 Sn/(In + Sn)=0.20 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化鉬予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Mo/( I n + Sn+Mo) = 〇 . 07〇 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定，結|纟口胃 I I 一 2表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5厂 ^ -- 514622 A7 B7 五、發明說明（55 ) 〔實施例I I 一 1 2〕 (1 )燒結體之製造 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化錫粉末以下記金屬 原子比予以混合，
In/(In + Sn)=〇.8〇 Sn/(In + Sn)=〇.20 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釩予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。 V/(In + Sn+V)-〇.〇50 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 〇 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2 表所 7F：。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例I I 一 1 3〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化錫粉末以下記金屬 原子比予以混合，
In/(In + Sn)=〇· 90 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 58 - 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（56)
Sn/7 (In + Sn)— 0. 1〇 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釕予以混 合以外，其他皆依實施例I I - 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Ru/(In + Sn+Ru) - 〇 . 021 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 〇 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2表所示。 〔實施例I I — 1 4〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化錫粉末以下記金屬 原子比予以混合，
In/(In + Sn)=0.90 Sn/(In + Sn)=0.10 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化鉬予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Mo / (In + Zn+Mo) = 0 · 020 -----------%裝--------訂----^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -59- 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（57) 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2表所示。 〔實施例I I — 1 5〕 (1)燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化錫粉末以下記金屬 原子比予以混合，
In/(In + Sn) = 0 · 90 Sn/(In + Sn)二〇· 1〇 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釩予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。 V/(In + Sn+V) - 0.020 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 〇 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -60- _裝--------訂—^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7 五、發明說明（58) 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 1 I 一 2表所示。 〔實施例I I 一 1 6〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末及氧化錫之 粉末以下記金屬原子比予以混合，
In/(In + Zn + Sn)=〇.80 Zn / (In + Zn + Sn) = 〇 . 10 Sn / (In + Zn + Sn) = 〇 · 1〇 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釕予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Ru/(In + Zn + Sn + Ru) = 0 . 022 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I〜1表所示 〇 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外’其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -61 - (請先閱讀背面之注咅3事項再填寫本頁) ▼裝 514622 A7 B7 五、發明說明（59) 〔實施例I I 一 1 7〕 (1 )燒結體之製造 ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末及氧化錫粉 末以下記金屬原子比予以混合，
In / (In + Zn + Sn) = 〇 · 80
Zn/(In + Zn + Sn) = 〇 . l〇
Sn/(In + Zn + Sn) = 〇 · l〇 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化鉬予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Mo/7 (In + Zn + Sn+Mo) = 〇 # 050 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 〇 (2 )透明導電玻璃之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2表所示。 〔實施例I I 一 1 8〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末及氧化錫之 粉末以下記金屬原子比予以混合， -62- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 A7五、發明說明（6〇 ) In/(In + Zn + Sn) Zn/(In + Zn + Sn) Sn/Cln + Zn + Sn) 0.80 0.10 0.10 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釩予以Μ 合以外，其他皆依實施例I I - 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。 V/(In + Zn + Sn+V) = 0 . 050 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所斧: 2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2表所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例I I 一 1 9〕 (1)燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末及氧化錫之 粉末以下記金屬原子比予以混合，. In/CIn + Zn + Sn) = 0 . 90 Zn / (Ιπ + Ζπ + Sn) = 0 . 07 Sn / (In + Zn + Sn) = 0 · 03 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釕予以混 ^^7度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -63 - 514622 A7 B7 五、發明說明（61 ) 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Ru / (In + Zn + Sn + Ru)=〇· 025 其所得燒結體之物性的測定結果如第I 1 一1表所示 〇 (2)透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I 一 2表所示。 〔實施例I I 一 2 0〕 (1)燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末及氧化錫之 粉末以下記金屬原子比予以混合，
In / (In + Zn + Sn) — 0 · 90
Zn / (In + Zn + Sn) = 0 · 07 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Sn/(In + Zn + Sn) = 0 . 03 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化鉬予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。
Mo/( I n + Zn + Sn+Μο) = 〇 · 035 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 -64- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（62) 〇 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I — 2表所不。 〔實施例I I 一 2 1〕 (1 )燒結體之製造 除將作爲原料之氧化銦粉末與氧化鋅粉末及氧化錫之 粉末以下記金屬原子比予以混合，
In/(In + Zn + Sn) = 〇 · 90 Zn/(In + Zn + Sn)-〇.〇7 Sn / (In + Zn + Sn)=〇·〇3 其後，再於其中加入下記金屬原子比之氧化釩予以混 合以外，其他皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製 得燒結體。 V/(In + Zn + Sn+V) = 0 . 〇35 其所得燒結體之物性的測定結果如第I I - 1表所示 〇 (2 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（1 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -65- ΙΊΙ _% 裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·丨 L—— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7 五、發明說明（63) 例I I 一 1之（2 )相同步驟般製造透明導電玻璃。所得 形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定結果如第 I I — 2表所示。 〔實施例I I 一 2 2〕 依貫施例I I - 4之（1 )相问方法將所得燒結體作 爲標靶，除將實施例I I 一 4 ( 2 )中濺鍍時的玻璃基板 溫度加熱至2 1 5 °C以進行濺鍍以外’其他皆與實施例 I I 一 4相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性，則 依實施例I I 一 1之（2 )相同方法進行評估，其結果如 第I I 一 2表所示。 〔實施例I I 一 2 3〕 依實施例I I 一 1 0之（1 )相同方法將所得燒結體 作爲標耙，除將實施例I I 一 1 0 ( 2 )中濺鍍時的玻璃 基板溫度加熱至2 1 5 °C以進行濺鍍以外，其他皆與實施 例I I 一 1 0相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性，則 依實施例I I 一 1之（2 )相同方法進行評估，其結果如 第I I 一 2表所示。 〔實施例I I 一 2 4〕 依實施例I I 一 1 0之（1 )相同方法將所得燒結體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 66 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----：---r . 514622 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（64) 作爲標靶，除將實施例I I 一 1 0 ( 2 )中濺鍍時添加2 重量％水以進行濺鑛以外，其他皆與實施例I I - 1 0相 同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性，則 依實施例I I 一 1之（2 )相同方法進行評估，其結果如 第I I 一 2表所示。 又，依此方式所得之透明導電玻璃，測定於2 1 5 °C 、1小時鍛燒後之透明導電膜之物性得知鍛燒前後之物性 並未有變化。 〔實施例I I 一 2 5〕 依實施例I I 一 4之（1 )相同方法將所得燒結體作 爲標靶，除將實施例I I 一 4 ( 2 )中作爲透明基材之玻 璃基板以0 · 1 m m之聚碳酸酯基板的透明基材取代以外 ，其他皆與實施例I I - 4相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性，貝IJ 依實施例I I 一 1之（2 )相同方法進行評估，其結果如 第I I — 2表所示。 〔比較例I I — 1〕 除原料使用具有下記金屬原子比之氧化銦粉末與氧化 鋅粉末混合所得之混合物’ Ιη/(Ιη + Ζη)=〇·85 Zn/CIn + Zn) = 〇 . 15 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ♦裝 ----^----ί---.__. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -67- 514622 A7 ____B7 五、發明說明（65 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其後，再加入添加成分之氧化釕予以混合以外’其他 皆依實施例I I 一 1之（1 )相同步驟般製得燒結體’並 依實施例I I 一 1之（2 )相同步驟進行濺鍍成肖旲。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定 結果如第I I 一 2表所示。 〔比較例I I — 2〕 除原料使用具有下記金屬原子比之氧化銦粉末與氧化 錫粉末混合所得之混合物’
In/(In + Sn)=0-90 Sn/(In + Sn)=〇.l〇 其後，再加入添加成分之氧化釕予以混合後’依實施 例I I - 1之（1 )相同步驟般製得燒結體。並於濺鍍時 將玻璃基板之溫度加熱至2 1 5 °C下以進行濺鍍以外’其 他皆依實施例I I 一 1之（2 )相同步驟製得透明導電玻 璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性測定 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第 如 果 結 I—* 示 所 表 -68- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622
7 B C 1 7 1 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、 發明説明（66) 表 I I — 1 ( 1 ) 表 II-1 II-2 II-3 II-4 II-5 II-6 II-7 In/(In+Zn+Sn) 1.00 1.00 1.00 0.83 0.85 0.85 0.93 Zn/(In+Zn+Sn) — — 一 0.17 0.15 0.15 0.07 Sn/(In+Zn+Sn) — 一 一 — 一 一 — Ru/(In+Zn+Sn+Ru) 0.030 — — 0.020 — — 0.015 Mo/(In+Zn+Sn+Mo) — 0.070 — — 0.020 — — V/(In+Zn+Sn+V) — 一 0.050 — — 0.020 一 燒結體密度（g/cm3) 6.81 6.78 6.76 6.81 6.90 6.70 6.75 比電阻（m Ω cm) 0.80 0.88 0.95 0.95 2.74 1.72 0.95 第I I 一 1表（2 ) 實施例 II-8 II-9 11-10 11-11 11-12 11-13 11-14 In/(In+Zn+Sn) 0.90 0.90 0.80 0.80 0.80 0.90 0.90 Zn/(In+Zn+Sn) 0.10 0.10 一 一 — 一 一 Sn/(In+Zn+Sn) — — 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 Ru/(In+Zn+Sn+Ru) 一 一 0.030 — 一 0.021 — Mo/(In+Zn+Sn+Mo) 0.050 — 一 0.070 — 一 0.020 V/(In+Zn+Sn+V) — 0.070 一 一 0.050 一 一 燒結體密度（g/cm3) 6.85 6.68 6.72 6.76 6.56 6.81 6.85 比電阻（m Ω cm) 1.85 4.85 0.74 0.92 1.92 0.79 0.93 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -69- 514622
7 B 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（67) 第 I I 一 1 表（3 ) 實施例 11-15 11-16 II-17 IM8 11-19 II-20 ΙΙ-21 In/(In+Zn+Sn) 0.90 0.80 0.80 0.80 0.80 0.90 0.90 Zn/(In+Zn+Sn) — 0.10 0.10 0.10 0.07 0.07 0.07 Sn/(In+Zn+Sn) 0.10 0.10 0.10 0.10 0.03 0.03 0.03 Ru/(In+Zn+Sn+Ru) — 0.022 — — 0.025 — — Mo/(In+Zn+Sn+Mo) — 一 0.050 — — 0.035 — V/(In+Zn+Sn+V) 0.020 一 — 0.050 — 一 0.035 燒結體密度（g/cm3) 6.55 6.74 6.78 6.57 6.71 6.78 6.58 比電阻（m Ω cm) 1.93 0.92 1.85 1.85 0.98 1.98 1.98 表 I I — 2 表（1 ) 實施例 薄膜之比電阻 光線透過率 結晶性 功函數 (m Ω · cm) (%) (eV) ΙΙ-1 0.84 79 微結晶質 5.51 ΙΙ-2 1.51 80 微結晶質 5.48 ΙΙ-3 4.10 79 微結晶質 5.49 ΙΙ-4 1.70 79 非結質 5.52 ΙΙ-5 2.80 76 非結質 5.46 ΙΙ-6 3.70 79 非結質 5.47 ΙΙ-7 1.20 79 非結質 5.45 ΙΙ-8 2.10 77 非結質 5.48 ΙΙ-9 3.12 80 非結質 5.50 |lM0 0.70 81 微結晶質 5.52 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -70- 514622 A7B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（68 ) 第I I -2 表（2 ) 實施例 薄膜之比電阻 光線透過率 結晶性 功函數 (比較例） (m Ω · cm) (%) (eV) II-1 1 1.47 78 微結晶質 5.50 11-12 3.74 80 微結晶質 5.48 11-13 0.71 80 微結晶質 5.47 II -14 1.56 76 微結晶質 5.46 11-15 2.65 78 微結晶質 5.47 11-16 0.65 78 非結質 5.54 11-17 2.56 74 非結質 5.48 11-18 3.62 76 非結質 5.49 11-19 0.72 79 非結質 5.55 11-20 1.27 76 非晶質 5.50 第I I -2 表（3 ) 實施例 薄膜之比電阻 光線透過率 結晶性 功函數 (比較例 (m Ω · cm) (%) (eV) 11-21 4.27 75 非晶質 5.51 11-22 1.40 80 非晶質 5.53 11-23 0.71 81 結晶質 5.52 11-24 0.84 80 非晶質 5.51 11-24 1.70 78 非結質 5.51 (Π-1) 0.34 80 非結質 5.18 (Π-2) 0.18 82 結晶質 4.97 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -71 - 514622
A7 __ B7 五、發明説明（69) 〔第三發明〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例I I I 一 1〕 (1)透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化錫之粉末、及氧化 銥之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In/(In + Zn + Sn) ==〇 · 90
Zn/(I n + Zn + Sn) = 〇 . 〇〇
Sn/(In + Zn + Sn) = 〇 . 1〇 及， I r/(In + Zn + Sn+I r) = 〇 · 〇4 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I I I - 1表所 示。 (1 )燒結體之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將上記（1 )所得透明導電材料之粉末造粒後，對其 進行直徑4英吋、厚5 m m之加壓整形，將其置入燒成爐 中，於1 4 0 0 t：下，進行3 6小時之加壓燒成。 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 . 8 g / c m 3 ，且比電阻爲0 · 98γπΩ· cm。 所得燒結體之物性測定結果如第I I I - 1表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -72 514622 A7 B7 五、發明說明（7G) (3 )透明導電玻璃之製造 將上記（2 )所得之燒結體，製作直徑4英吋、厚度 5 m m之濺鍍用標靶’將其裝置於D C磁濺鎪裝置上，在 室溫下，於玻璃基板上製膜。 其濺鍍條件中，周圍環境係使用混有適量氧氣之氬氣 環境，且濺鍍壓力爲3 X 1 0 — 1 P a ，到達壓力爲5 X 10 一 4Pa，基板溫度爲25°C，導入電壓爲80W， 成膜時間爲1 4分鐘。 依此方式所得之透明導電玻璃上之透明導電膜’其厚 度爲1，2 0 0埃，且爲非晶質。而此透明導電膜之光透 過率以分光光度計對5 0 0 n m之光線測定所得結果，爲 8 1 % 。又，以4探針法測定之透明導電膜的比電阻爲 1 . 2ιώΩ · cm，爲導電較高之物質。又，功函數以紫 外線電子分光法測定之結果爲5 · 4 6電子伏彳寸° 此透明導電膜之評估結果如第I I 1 一 2表所示。 〔實施例I I I 一 2〕 (1 )透明導電玻璃之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用與實施例I I I - 1相同之濺鍍用標靶’除將濺 鑛條件中之玻璃基板溫度調整爲2 .1 5 °C以外，其他皆與 實施例I I I 一 1之（3 )相同條件製造透明導電玻璃。 所得透明導電玻璃上之透明導電膜之評估結果如第 I I I — 2表所示。 -73- !!·&------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 514622
五、發明說明（71) 〔實施例I I I 一 3〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化錫之粉末、及氧化 銥之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In/(In + Zn + Sn)二 〇 . 7〇
Tj / (In + Zn + Sn) = 〇 . 〇〇
Sn/(In + Zn + Sn) = 〇 · 3〇 及， I r / (In + Zn + Sn+I r) = 〇 . 〇8 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I〗I 一 1表所 不 ° (2)燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I I I 一 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 _!!丨•裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
.1 11 ϋ 1 〆一aJ· an —BBi 1 1 ϋ ·ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -74- 514622 A7 _ B7 五、發明說明（72) 〔實施例I I I 一 4〕 (1 )透明導電材料之製造 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化錫之粉末、及氧化 銥之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In/(In + Zn + Sn)=〇.25
Zn / (Ιπ + Zn + Sn) = 〇 . 〇〇
Sn / ( I n + Zn 十 Sn)=〇· 75 及， I r / (In + Zn + Sn+I r)=〇· 〇5 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I I I 一 1表所 7[\ ° (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I I I 一 1表所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所不。 -75- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 A7 五、發明說明（73 ) 〔實施例I I I 一 5〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化銥之粉末以下記金 屬原子比予以混合後，
In/ (In + Zn + Sn) = ]_ . 〇〇
Zn / (In + Zn + Sn) — 〇 . 〇〇
Sn / (In + Zn + Sn)=〇·〇〇 及， ^ (In + Zn + Sn+I r) — 〇 . 04 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I I I 一 1表所 不 ° (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I I I 一 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -76- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 BZ___^一 五、發明說明（74 ) 〔實施例I I I 一 6〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化鋅粉末與、氧化錫之粉末、及氧化 銥之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In/(In + Zn + Sn)=〇.〇〇
Zn/(In + Zn + Sn)二 〇 · 20
Sn/CIn + Zn + Sn) = 〇 . 80 及， I r/(In + Zn + Sn+I r)=〇 . 〇. 5 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎’ ^ 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I I I 一 1 _ # 7[\ 。 (2)燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施Μ I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I I I - 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 「77 - " -----------·裝--------訂----：--- (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 )H622 A7 _____^____ 五、發明說明（75 ) 〔竇施例I I I — 7〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之興化姻fe7末與、氧化鉢之粉末、氧化錫 之粉末、及氧化銥之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In / (In + Zn + Sn) = 〇 · 8〇
Zn/(In + Zn + Sn) = 〇 . ]_〇
Sn/(In + Zn + Sn)=〇· 15 及， I r/(In + Zn + Sn+I r)=〇· Q6 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I I I _ i表所 示。 (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I丨I 一 i表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -78 - ---------I--裝---I---訂----.---·--^^^1 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 514622 A7 B7 五、發明說明（76) 〔實施例I I I 一 8〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化鋅之粉末、氧化錫 之粉末、及氧化銥之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In/(In + Zn + Sn)二 〇 · 〇5
Zn/(In + Zn + Sn) = 〇 . g〇
Sn/(In + Zn + Sn) = 〇 · 〇5 及， I r / (In + Zn + Sn+I r) = 0 . 〇6 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎’製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I I I - 1表所 示。 (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I I I 一 1表所示° (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------—訂----^-----. 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -79- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 五、發明說明（77) 〔實施例I I I 一 9〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化鋅之粉末、及氧化 銥之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In / (In + Zn + Sn) = 〇 · 85
Zn / (In + Zn + Sn) ==〇 · 15
Sn / (In + Zn + Sn) = 〇 · 〇〇 及， I r / (In + Zn + Sn+I r) = 〇 ·〇6 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第〗〗〗一 1表所 示。 (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 1 1 1 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I I I 一 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例1 I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 >裝--------訂----^--- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -80- 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（78) 估結果如第I I I 一 2表所示。 〔實施例I I I 一 1 0〕 (1 )透明導電玻璃之製造 使用與實施例I I I - 9相同之濺鑛用標靶，除將濺 鍍條件中之玻璃基板溫度調整爲2 1 5 °C以外，其他皆與 實施例I I I 一 1之（3 )相同條件製造透明導電玻璃。 所得透明導電玻璃上之透明導電膜之評估結果如第 I I I 一 2表所示。 〔實施例I I I 一 1 1〕 (1)透明導電薄膜之製造 使用與實施例I I I 一 1 〇相同之濺鍍用標靶，除將 作爲基板之玻璃基板以聚碳酸酯樹脂製之透明樹脂膜取代 以外，其他皆與實施例I I I 一 1之（3 )相同條件製造 透明導電玻璃。 所得透明導電薄膜上之透明導電膜之評估結果如第 I I I 一 2表所示。 〔實施例I I I 一 1 2〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化錫之粉末、及氧化 鍊之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In / (In + Zn + Sn)=〇· 90 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -81 -------_!丨^^ 裝---I----訂----Γ--.-- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 514622 A7 B7 五、發明說明（79 ) Zn / (In + Zn + Sn)= Sn / ( I n + Zn + Sn)= 及， Re/ ( I n + Zn + Sn+R 將其饋入濕式球磨機中’並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第丨j j 示。 〇 〇 oo 1〇 0.04 1表所 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I丨I 一 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 〔實施例I I I — 1 3〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化鋅之粉末、及氧化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -82- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 __ B7 五、發明說明（8〇) 銶之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In / (In + Zn + Sn)二 0 · 85 Zn / (In + Zn + Sn) = 〇 · 15
Sn / (In + Zn + Sn)=〇·〇〇 及，
Re / (In + Zn + Sn + Re) = 〇 · 〇6 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I I I 一. 1表所 不 。 (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I I I - 1表所示。 (3)透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I I — 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 〔實施例I I I 一 1 4〕 (1)透明導電薄膜之製造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -83- ~裝--訂·---^---'— ^^^1 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7
514622 五、發明說明（81 ) 使用與實施例I I I - 1 3相同之濺鍍用標靶，除將 作爲基板之玻璃基板以聚碳酸酯樹脂製之透明樹脂膜取代 以外，其他皆與實施例I I I 一 1之（3 )相同條件製造 透明導電玻璃。 所得透明導電薄膜上之透明導電膜之評估結果如第I I I — 2表所示。 〔實施例I I I — 1 5〕 (1)透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化鋅之粉末、氧化錫 之粉末、及氧化銶之粉末以下記金屬原子比予以混合後， In/(In + Zn + Sn) = 〇 · 80
Zn/(In + Zn + Sn) = 〇 · 1〇
Sn/(In + Zn + Sn) = 〇 · 1〇 及，
Re/CIn + Zn + Sn+Re) = 〇 . 〇5 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I I I - 1表所 示。 (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 -------ΦΜ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂----.--- '4. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -84- 514622 A7 B7 五、發明說明（82) 所得燒結體之物性測定結果如第1 1 1 一1表所示。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外’其他皆依®施 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃◦ 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 〔實施例I I I — 1 6〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化鋅之粉末、及氧化 鈀之粉末以下記金屬原子比予以混合後，
In/(In + Zn + Sn)=〇.8〇 Zn / (In + Zn + Sn) = 0 · 20 Sn / (In + Zn + Sn) = 0 · 〇〇 及， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Pd/(In + Zn + Sn + Pd) = 〇 ·〇5 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I I I - 1表所 示。 (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 85 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7_____ 五、發明說明（83 ) 1 1 I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I I I - 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 〔比較例I I I 一 1〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化鋅之粉末以下記金 屬原子比予以混合後， ^ In/(ln + Zn)-〇.85 Ζη/(Ιη + Ζη)=〇·15 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎，製 得透明導電材料之粉末。 (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 I I I 一 1之（2 )相同步驟製造燒結體。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體以外，其他皆依實施 本紐尺度適用中關家鮮（CNS)A4規格（21G X 297公^86 -~' _ ' (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)
514622 A7 B7 五、發明說明（84) 例I I I 一 1之（3 )相同步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所不。 〔比較例I I I 一 2〕 (1 )透明導電材料之製造 將作爲原料之氧化銦粉末與、氧化錫之粉末以下記金 屬原子比予以混合後，
In/(In + Sn)=0.90 Sn/Cln + SrO^O.lO 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎’製 得透明導電材料之粉末。 (2 )燒結體之製造 使用上記（1 )所得透明導電材料之粉末，依實施例 1 I I 一 1之（2)相同步驟製造燒結體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得之燒結體，且基板溫度調整爲 2 1 5 °C以外，其他皆依實施例I .1 I 一 1之（3 )相同 步驟製造透明導電玻璃。 所得形成於透明導電玻璃上之透明導電膜的物性之評 估結果如第I I I 一 2表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 年月曰/ 五、發明説明（85) 第 I I I — 1 表（1 ) III-l III-3 III-4 III-5 III-6 III-7 III-8 In/(In+Zn+Sn) 0.90 0.70 0.25 1.0 — 0.80 0.05 Zn/(In+Zn+Sn) — — — 一 0.20 0.10 0.90 Sn/(In+Zn+Sn) 0.10 0.30 0.75 一 0.80 0.10 0.05 Ir/(In+Zn+Sn+Ir) 0.04 0.08 0.05 0.04 0.05 0.06 0.06 Re/(In+Zn+Sn+Re) 一 — — 一 — — 一 Pd/(In+Zn+Sn+V) — — 一 — 一 — — 燒結體密度（g/cm3) 6.8 6.6 6.3 6.7 6.62 6.8 5.8 比電阻 0.98 1.4 4.7 0.92 8.9 0.95 8.9 (m Ω cm) 第 I I I 一 1 表（2 ) 實施例 III-9 III-ll III-12 III-13 11-16 (III-1) (III-2) In/(In+Zn+Sn) 0.85 0.90 0.85 0.80 0.80 0.85 0.90 Zn/(In+Zn+Sn) 0.15 — 0.15 0.10 0.20 0.15 一 Sn/(In+Zn+Sn) 一 0.10 一 0.10 一 一 0.10 Ir/(In+Zn+Sn+Ir) 0.06 一 — 一 一 一 — Re/(In+Zn+Sn+Re) 一 0.04 0.06 0.05 — 一 — Pd/(In+Zn+Sn+Pd) 一 一 一 一 0.05 一 一 燒結體密度（g/cm3) 6.8 6.7 6.8 6.3 6.48 6.9 6.71 比電阻（m Ω cm) 1.0 0.85 0.94 0.73 3.4 2.4 0.69 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣.
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -88- 514622 A7B7 五、發明說明（86 ) 第 I I I — 2 表（1 ) 實施例 基板溫度 薄膜之比電阻 光線透過率 結晶性 功函數 (°C) (m Ω · cm) (%) (eV) III-1 25 1.2 81 非晶質 5.46 III-2 215 0.52 82 微結晶 5.45 III-3 25 1.7 82 非晶質 5.47 III-4 25 3.8 81 非結質 5.48 III-5 25 0.80 80 非結質 5.45 III-6 25 450 80 非結質 5.46 III-7 25 1.1 81 非結質 5.54 III-8 25 8.8 78 非結質 5.48 III-9 25 1.3 82 非結質 5.54 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第 I I I — 2 表（2 ) 實施例 (比較例） 基板溫度 (°C) 薄膜之比電阻 (m Ω · cm) 光線透過率 (%) 結晶性 功函數 (eV) ΙΙΜ0 215 0.56 80 非晶質 5.49 III-11 25 0.45 82 非晶質 5.45 III-12 25 0.64 81 非晶質 5.48 III-13 25 0.55 82 非結質 5.47 III-14 25 1.3 82 非結質 5.54 III-15 25 0.64^ 81 非結質 5.48 III-16 25 360 76 非結質 5.61 (ΠΙ-1) 25 0.32 80 非結質 5.18 (III-2) 215 0.18 82 結晶質 4.95 — — — — — — I — tr--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -89 - 514622 f A7 !9U 一 B7 - 五、發明説明（87) 〔第四發明〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例I V - 1〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 將作爲原料之氧化錫與、氧化鋅及氧化釩之粉末以下 記金屬原子比予以混合後，
Sn/(Sn+In + Zn) = 〇 . 80
In/(Sn+In + Zn) = 〇 · 00
Zn/CSn+In + Zn) = 〇 . 20 及， V/(Sn+In + Zn+V) = 〇 . 04 將其饋入濕式球磨機中，並經7 2小時混合粉碎’製 得透明導電材料之原料粉末。 所得透明導電材料之金屬原子比如第I V - 1表所示 (2 )燒結體之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末造粒後， 對其進行直徑4英吋、厚5 m m之加壓整形，將其置入燒 成爐中，於1 4 0 0 °C下，進行3 6小時之加壓燒成。 依此方法所得之燒結體，其密度爲6 . 8 g / c m 3 ，且比電阻爲6 · 5γπΩ· cm。 所得燒結體之物性測定結果如第1表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）
-9CU 514622 A7 B7 五、發明說明（88) (3 )透明導電玻璃之製造 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上記（2 )所得之燒結體，製作直徑4英吋、厚度 5 m m之濺鍍用標靶〔A〕，將其裝置於D C磁濺鍍裝置 上，在室溫下，於玻璃基板上製膜。 其濺鍍條件中，周圍環境係使用混有適量氧氣之氬氣 環境，且濺鍍壓力爲3 X 1 0 一1 P a ，到達壓力爲5 X 1〇—4Pa ，基板溫度爲25°C，導入電壓爲l〇〇w ’成I吴時間爲1 4分鐘。 依此方式所得之透明導電玻璃上之透明導電膜，其厚 度爲1，2 0 0埃，且爲非晶質。而此透明導電膜之光透 過率以分光光度計對5 0 0 n m之光線測定所得結果，爲 8 0 % 。又，以4探針法測定之透明導電膜的比電阻爲 1，000 ιτιΩ· cm，爲導電較高之物質。又，功函數 以紫外線電子分光法測定之結果爲5 · 5 0電子伏特。 此透明導電膜之評估結果如第I V - 2表所示。 〔實施例I V - 2〕 (1 )透明導電玻璃之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用與實施例I V - 1相同之濺鍍用標靶〔a〕，除 將濺鍍條件中之玻璃基板溫度調整爲2 1 5 °C以外，其他 皆與實施例I V - 1之（3 )相同條件製造透明導電玻璃 〇 所得透明導電玻璃上之透明導電膜之評估結果如第 I V - 2表所示。 -91 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 A7 _ B7 五、發明說明（89) 〔實施例I V - 3〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化鋅及氧化錫釩之粉末以 第I V - 1表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第 I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉 末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 B〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V 一 2表所示 〇 〔實施例I V - 4〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化鋅及氧化錫釩之粉末以 第I V - 1表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第 I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) I ϋ ϋ n ϋ ϋ ϋ 一ϋ ϋ n ϋ I I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -92-
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五、發明說明（9〇) 未。 (2) 燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ’其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 1表所示。 (3) 透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 C〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 2表所示 〇 〔實施例I V - 5〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化銦及氧化錫釩之粉末以 第I V - 1表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第 I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉 末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------^^^1 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -93- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 -~ -5L_^ 五、發明說明（91 ) 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 D〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 2表所示 〇 〔實施例I V - 6〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫及氧化錫釩之粉末以第I V -1表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第I V - 1 之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉末。 (2)燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 E〕以外，其他皆依第I V — 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）' (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) #裝---- ----訂--------- 514622 A7 B7 五、發明說明（92) 所得透明導電膜之物性評估結果如第I v - 2表所示 〇 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 〔實施例I V - 7〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化釩之 粉末以第I V - 1表所示金屬原子比予以混合以外，其他 皆依第I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之 原料粉末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 F〕以外，其他皆依第I V — 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 2表所示 〔實施例I V — 8〕 (1 )透明導電薄膜之製造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -95 - 514622 A7 B7 五、發明說明（93) 將作爲透明基材之玻璃以聚碳酸酯薄膜取代，並使用 實施例I V - 7所得之濺鍍用標靶〔F〕製造透明導電薄 膜。 所得透明導電膜之物性評估結果如第IV - 2表所示 〇 〔實施例I V - 9〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化釩之 粉末以第I V - 1表所不金屬原子比予以混合以外，其他 皆依第I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之 原料粉末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ’其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 1表所示。 (3)透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標革巴〔 G〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 2表所示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •丨丨丨_丨丨訂-----丨丨丨- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 96 514622 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（94) 〔比較例I V - 1〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化麵與氧化鲜之粉末以弟I V - 1 表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第I V - 1之 (1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 1表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 Η〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 2表所示 〔比較例I V - 2〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫與氧化銦之粉末以第I V 一 1 表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第I V - 1之 (1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉末。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 97 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅3事項再填寫本頁) 514622 A7 B7 五、發明說明（95 ) (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ’其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V 一 1表所示。 (3)透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 I〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 2表所示 〔比較例I V - 3〕 (1)透明導電玻璃之製造 除使用比較例I V - 1所製得之濺鍍用標靶〔Η〕’ 並將濺鍍時玻璃基板之溫度調整至2 1 5 °C以外，其他皆 依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 2表所示 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---1----訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔比較例I V - 4〕 (1)透明導電玻璃之製造 除使用比較例I V - 2所製得之濺鍍用標耙〔1〕’ 並將濺鍍時玻璃基板之溫度調整至2 1 5 °C以外’其他皆 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -98 - 514622 Α7 0 ,,-1 7 1 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（96) 依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第1 ν 一 2表所示 第I V — 1表 實施例 IV-1 IV-3 IV-4 IV-5 IV-6 IV-7 IV-9 (IV-1) (IV-2) (比較例） Sn/(Sn+In+Zn) 0.80 0.95 0.55 0.80 1.00 0.80 0.80 — 0.10 In/(Sn+In+Zn) _ _ 0.45 0.20 — 0.10 0.15 0.85 0.90 Zn/(Sn+In+Zn) 0.20 0.05 一 — — 0.10 0.05 0.15 — V/(Sn+In+Zn+V) 0.04 0.032 0.035 0.03 0.02 0.02 0.035 — — 燒結體密度 6.8 6.6 6.5 6.6 6.5 6.7 6.6 6.75 6.71 (g/cm3) 比電阻 6.5 5.8 8.3 6.8 8.1 3.8 42 2.74 0.69 (mQcm) 標靶號碼 [A] [B] [C] [D] [E] [F] [G] [H] [I] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ；297公釐） -99- 514622 Α7 ____ Β7___ 五、發明說明（97 ) 第I V - 2袠 實施例 標靶號碼 基板溫度 (°C) 薄膜之比電阻 (m Ω · cm) 光線透過率 __(%) 結晶性 功函數 (eV) IV-1 [A] 25 1000 非晶質 5.50 IV-2 [A] 215 1000 ___81 糸吉晶質 5.51 IV-3 [B] 25 700 __ 80 非晶質 5.49 IV-4 [C] 25 3 __81 非晶質 5.48 IV-5 [D] 25 5 ___80 非晶質 5.47 IV-6 [E] 25 4 ___ 非晶質 5,46 IV-7 [F] 25 1 ___82 非晶質 5.48 IV-8 [F] 25 1 非晶質 5.48 IV-9 [G] 25 2 __81 非晶質 5.48 (IV-1) [H] 25 0.34 ___80 非晶質 5.18 (IV-2) [I] 25 0.42 微結晶 4.97 (IV-3) [H] 215 0.32 __80 非晶質 5.18 (IV-4) [I] 215 0.18 __82 結晶質 4.95 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 每裝---- tr———I! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例i v - l Ο〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化鋅及氧化鉬之粉末以第 I V - 3表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第 I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉 -100- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（98) (2 )燒結體之製造 除使用上§5 ( 1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 3表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標祀〔 J〕以外’其他皆依弟I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 4表所示 〇 〔實施例I V - 1 1〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化鋅及氧化鉬之粉末以第 I V - 3表所不金屬原子比予以混合以外，其他皆依第 I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉 末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ’其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所侍燒Ip體之物性測疋結果如第I V 一 3表所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -101 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 S—I—訂--------- 514622 A7 B7 五、發明說明（99) (3 )透明導電玻璃之製造 (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 K〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 4表所示 〔實施例I V - 1 2〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化銦及氧化鉬之粉末以第 I V - 3表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第 I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉 末。 (2)燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 3表所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 L〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I v - 4表所示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -102- 514622 A7 B7 五、發明說明（10°) 〇 〔實施例I V - 1 3〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化鉬之 粉末以第I V - 3表所示金屬原子比予以混合以外，其他 皆依第I v - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之 原料粉末。 (2)燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 3表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鑛用標靶〔 Μ〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 4表所示 〇 〔實施例I V - 1 4〕 (1 )透明導電玻璃之製造
使用實施例I V - 1 3製作所得之濺鍍用標靶〔M J 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -103 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------^^^1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 Α7 _ Β7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 五、發明說明（1Q1) ，除將濺鍍條件中之玻璃基板溫度調整爲2 1 5 °C以外， 其他皆與實施例I V - 1之（3 )相同條件製造透明導電 玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第IV - 4表所示 〔實施例I V — 1 5〕 (1)透明導電薄膜之製造 除將作爲透明基板之玻璃基板以聚碳酸酯薄膜取代， 並使用實施例I V - 1 3製作所得之濺鍍用標靶〔Μ〕以 外，其他皆與實施例I V - 1之（3 )相同條件製造透明 導電薄膜。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 4表所示 〔實施例I V — 1 6〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化鉬之 粉末以第I V - 3表所示金屬原子比予以混合以外’其他 皆依第I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之 原料粉末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -104 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- 訂----.--- 514622
A
7 B
ο |\ 一 ,i 7 一 C 五、發明説明（_ ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 3表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 N〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 4表所示 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第I V - 3表 實施例 IV-10 IV-11 IV-12 IV-13 IV-16 Sn/(Sn + In + Zn) 0.80 0.95 0.80 0.80 0.80 In/(Sn + In + Zn) 一 一 0.20 0.10 0.15 Zn/(Sn + In + Zn) 0.20 0.05 一 0.10 0.05 Mo/(Sn + In + Zn + Mo) 0.04 0.032 0.03 0.05 0.04 燒結體密度（g/cm3) 6.7 6.5 6.7 6.8 6.7 比電阻（m Ω c m) 5.3 4.9 5.2 3.6 3.8 標靶號碼 m [K] [L] [Μ] [N]
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -105- 五 A7 _____B7 、發明說明（103) 第I V — 4袠 — 實施例 標靶號碼 基板溫度( 薄膜之比電阻 光線透過率 結晶性 功函數 X：) (m Ω · cm) (%) (eV) IV-10 [J] 25 850 80 非晶質 5.47 IV-11 [K] 25 650 81 結晶質 5.49 IV-12 [L] 25 8 80 非晶質 5.49 IV-13 [M] 25 1 81 非晶質 5.48 IV-14 [M] 215 0.8 80 非晶質 5.47 IV-15 [M] 25 1 81 非晶質 5.48 IV-16 [N] 25 2 81 非晶質 5.46 〔實施例I V - 1 7〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化鋅及氧化釕之粉末以第 I V - 5表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第 I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉 末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 5表所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -106- 514622 A7 B7 五、發明說明（1Q4) (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標革巴〔 〇〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V 一 6表所示 〇 〔實施例I V — 1 8〕 (1)透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化鋅及氧化釕之粉末以第 I V - 5表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第 I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉 末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 5表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 P〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 6表所示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 W4622 A7 B7 五、發明說明（10S) 〇 〔實施例I V - 1 9〕 (1)透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化銦及氧化釕之粉末以第 1 v - 5表所示金屬原子比予以混合以外，其他皆依第 1 V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之原料粉 末。 (2 )燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ’其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 5表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 Q〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 6表所示 〔實施例I V — 2 0〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化釕之 i紙張尺度適用巾關家鮮（CNS)A4規格（210 x 297公釐）-108- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -- I I I--- I 訂--丨. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A7 B7 五、發明說明（1〇6) 粉末以第I V - 5表所示金屬原子比予以混合以外，其他 皆依第I v - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之 原料粉末。 (2)燒結體之製造 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以夕f ，其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體° 所得燒結體之物性測定結果如第I V - 5表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標？巴[ R〕以外，其他皆依第I V - 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 6表所# 〔實施例I V - 2 1〕 (1 )透明導電玻璃之製造 使用實施例I V - 2 0製作所得之濺鍍用標靶〔R ] ，除將濺鍍條件中之玻璃基板溫度調整爲2 1 5 °C以外’ 其他皆與實施例I V - 1之（3 )相同條件製造透明導€ 玻璃。 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 6表所# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨丨訂--------- - · 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -109- 514622 A7 ____B7___ 五、發明說明（1〇7) 〔實施例I V - 2 2〕 (1)透明導電薄膜之製造 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 除將作爲透明基板之玻璃基板以聚碳酸酯薄膜取代， 並使用實施例I V - 2 0製作所得之濺鑛用標靶〔R〕以 外’其他皆與實施例I V - 1之（3 )相同條件製造透明 導電薄膜。 所得透明導電膜之評估結果如第I V 一 6表所示。 〔實施例I V - 2 3〕 (1 )透明導電材料的原料粉末之製造 除將作爲原料之氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化釕之 粉末以第I V - 5表所示金屬原子比予以混合以外，其他 白依第I V - 1之（1 )相同步驟般製得透明導電材料之 原料粉末。 (2 )燒結體之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除使用上記（1 )所得透明導電材料之原料粉末以外 ’其他皆依第I V - 1之（2 )相同步驟般製得燒結體。 所侍燒結體之物性測定結果如第I V 一 5表所示。 (3 )透明導電玻璃之製造 除使用上記（2 )所得燒結體所製作之濺鍍用標靶〔 S〕以外，其他皆依第I v 一 1之（3 )相同步驟般製得 透明導電玻璃。
514622 五、發明説明（10$ 所得透明導電膜之物性評估結果如第I V - 6表所示 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表I V — 5表 實施例 IV-17 IV-18 IV-19 IV-20 IV-23 Sn/(Sn + In + Zn) 0.80 0.95 0.80 0.80 0.80 In/(Sn + In + Zn) 一 一 0.20 0.10 0.15 Zn/(Sn + In + Zn) 0.20 0.05 一 0.10 0.05 Ru/(Sn + In + Zn + Ru) 0.04 0.032 0.03 0.05 0.04 燒結體密度（g/cm3) 6.5 6.4 6.6 6.7 6.7 比電阻（m Ω c m) 4.2 5.6 4.25 3.4 3.6 標靶號碼 [〇] [P] [Q] [R] [S] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -111 - 514622 A7 B7 五、發明說明（1〇^) 第I V — 6表 實施例 標靶號碼 基板溫度 薄膜之比電阻 光線透過率 結晶性 功函數 (°C) (m Ω · cm) (%) (eV) IV-17 [〇] 25 45 81 非晶質 5.51 IV-18 [P] 25 42 82 結晶質 5.48 IV-19 [Q] 25 6 81 非晶質 5.47 IV-20 [R] 25 2 80 非晶質 5.52 IV-21 [R] 215 1 82 非晶質 5.49 IV-22 [R] 25 2 80 非晶質 5.52 IV-23 [S] 25 2 81 非晶質 5.51 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •勢裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【產業上之利用性】 如以上所述，本發明提供一種於使用濺鍍法等時可使 成膜過程具有優良安定性與生產性之作爲透明導電膜材料 之燒結體與，由此燒結體所構成之濺鍍用標靶及，使用此 標耙進行成膜所得之一種極適合製造具有優良透明性或導 電性、電極加工性等，且對有機電致發光元件具有極佳空 穴注入效率之透明電極的透明導電坡璃，及透明導電薄膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 112

Claims (1)

  1. 514622 9110. 4 f f1 正 年月曰 公告暴 「、申請專利範圍 第88114565號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國91年1 〇月4日修正 1 · 一種燒結體，其中所含有之氧化銦與氧化錫及氧 化鋅各成分間之金屬原子比爲 I n / ( I n + S η + Ζ η ) = 0 · 5 〇〜〇.7 5 Sn / (I n + Sii + Zn) = 0 · 20 〜〇 · 45 Zn / (I n + Sn + Zn) = 〇 · 〇3 〜〇· 3〇， 且含有具I n 2〇3 · ( z n〇）rn (式中，ηΊ爲2〜 2〇之整數）所示之六方晶層狀化合物及具z n 2 S η〇4 所示之尖晶石構造化合物。 2 ·如申請專利範圍第1項之燒結體，其比電阻値爲 2 m Ω · c m 以下。 3 · —種燒結體，其中所含有之氧化銦與氧化錫及氧 化鋅各成分間之金屬原子比爲 In / (I n + Sn + Zn) = 〇 · 50 〜〇 · 75 Sn / (I n + Sn + Zn)二 〇 . 20 〜〇 · 45 Zn / (In + Sn + Zn) = 〇 · 〇3 〜〇 · 30， 且含有對全金屬原子爲〇 · 5〜1 〇原子％之正4價 以上之走屬興化物’及具I η 2〇3 ·, ( Z η〇）m (式中 ，m爲2〜2 0之整數）所示之六方晶層狀化合物及具 Ζ η.2 S η〇4所不之尖晶石構造化合物。 4 ·如申請專利範圍第3項之燒結體，其中正4價以 上之金屬氧化物爲氧化釕、氧化鉬或氧化鈀。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A8 B8 C8 _______ 08 7、申請專利範圍 5 · —種透明導電膜之濺鑛用標靶，其係由申請專利 範圍第1至4項中任一項之燒結體所製得。 6 · —種透明導電膜之電子射線用標靶，其係由申請 專利範圍第1至4項中任一項之燒結體所製得。 7 · —種透明導電膜之離子濺鍍用標靶，其係由申請 專利範圍第1至4項中任一項之燒結體所製得。 8 · —種透明導電玻璃，其係於玻璃表面上被覆由氧 化銦與氧化錫及氧化鋅之各成分間之金屬原子比爲 I n / ( I n + s η + Ζ η ) = 〇 . 5 〇〜0 · 7 5 Sn/(I n + Sn + Zn) = 〇 · 20 〜Ο · 45 Zn/(In + Sn + Zn) = 〇 · 〇3 〜Ο · 30， 且含有對全金屬原子爲〇 . 5〜1 Ο原子％之正4價 以上之金屬氧化物的非晶質透明導電膜。 9 ·如申請專利範圍第8項之透明導電玻璃，其中正 4價以上之金屬氧化物爲氧化釕、氧化鉬或氧化鈀。 1 〇 ·如申請專利範圍第8或9項之透明導電玻璃， 其中，光線透過率爲7 5 %以上，比電阻爲5 m Ω · c m 以下，且透明導電膜之功函數爲5 · 4 5電子伏特以上。 1 1 · 一種透明導電薄膜，其係於透明樹脂薄膜表面 上被覆由氧化銦與氧化錫及氧化鋅之.各成分間之金屬原子 比爲 In/(I n + Sn + Zn) = 〇 . 50 〜0 · 75 Sn / ( I n + Sn + Zn) = 〇 · 20 〜〇，4 5 Z n / ( I n + S η + Ζ η )二 〇 · 〇 3 〜〇· 3 〇， 本紙張尺度適用中國國家標準（€奶）八4規格（210父297公^] — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 且含有對全金屬原子爲0 · 5〜1 0原子％之正4價 以上之金屬氧化物的非晶質透明導電膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之透明導電薄膜，其 中正4價以上之金屬氧化物爲氧化釕、氧化鉬或氧化鈀。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1或1 2項之透明導電薄 膜，其中，光線透過率爲7. 5 %以上，比電阻爲5 m Ω · c m以下，且透明導電膜之功函數爲5 · 4 5電子伏特以 上。 1 4 . 一種燒結體，其係由含有氧化銦或氧化銦與氧 化鋅及/或與氧化錫以金屬原子比爲 In/(In + Zn + Sn)=0.80〜1.00 Zn/ ( I n + Zn + Sn)=〇.0〇〜◦ . 2〇 Sn/ (I n + Zn + Sn) = 〇 · 00 〜0 . 20， 且含有對全金屬原子爲0 . 5〜1 0原子％之由氧化 釕、氧化鉬及氧化鈀中所選出之金屬氧化物之組成物所構 成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5 · —種燒結體，其係由含有氧化銦與氧化鋅或其 與氧化錫以金屬原子比爲 In / (In + Zn + Sn)=〇· 80 〜1 .〇0 Zn / (In + Zn + Sn)二〇.· 0 弓〜〇· 20 S n / ( I n + Z n + S η )=〇· 0 0 〜0 · 2 0， 且含有對全金屬原子爲0 · 5〜1 〇原子％之由氧化 釕、氧化鉬及氧化鈀中所選出之金屬氧化物之組成物所構 成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) " 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 六、申請專利範圍 1 6 . —種燒結體，其係由含有氧化銦與氧化鋅及氧 化錫以金屬原子比爲. I n / (In + Zn + Sn) = 〇 · 8〇 〜1 . 〇〇 Ζ ιί / ( I n + Z n + S η ) = 〇 · 〇 5 〜0 . 2 0 Sn/(In + Zn + Sn) = 〇 · 〇2 〜0 · 20， 且含有對全金屬原子爲0 . 5〜1 〇原子％之由氧化 釕、氧化鉬及氧化鈀中所選出之金屬氧化物之組成物所構 成。 1 7 · —種濺鍍用標靶，其係由申請專利範圍第1 4 至1 6項中任一項之燒結體所製得。 1 8 · —種電子射線用標？E，其係由申請專利範圍第 1 4至1 6項中任一項之燒結體所製得。 1 9 · 一種離子濺鍍用標靶，其係由申請專利範圍第 1 4至1 6項中任一項之燒結體所製得。 2 0 · —種透明導電玻璃，其係於玻璃表面上被覆由 氧化銦與氧化鋅、氧化錫之各成分間之金屬原子比爲 In/(In + Zn + Sn)=〇.80〜l.〇〇 zn/(In + Zii + Sn)=0 · 0〇〜〇 · 2〇 Sn/(In + Zn + Sn) = 0 . 0〇〜〇 . 20， 且含有對全金屬原子爲0 · 5〜1 〇原子％之由氧化 釕、氧化鉬及氧化鈀中所選出之金屬氧化物之組成物所構 成的透明導電膜。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之透明導電玻璃，其 中，光線透過率爲7 5 %以上，比電阻爲5 m Ω · c m以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 _ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
    514622 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 下’且透明導電膜之功函數爲5 · 4 5電子伏特以上。 〔請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 2 2 · —種透明導電薄膜，其係於透明樹脂薄膜表面 上被覆由氧化銦與氧化鋅、氧化錫之各成分間之金屬原子 比爲 In/(In + Zn + Sn)=〇.80〜1.00 S η / ( I η + Ζ η + S n ) = 〇 .〇〇〜〇· 2 0 Zn / ( I n + Zn + Sn)=〇· 〇〇 〜〇 · 20， 且含有對全金屬原子爲〇 . 5〜1 〇原子％之由氧化 釕、氧化鉬及氧化纟E中所選出之金屬氧化物之組成物所構 成的透明導電膜。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之透明導電薄膜，其 中’光線透過率爲7 5 %以上，比電阻爲5 m Ω · c m以 下，且透明導電膜之功函數爲5 · 4 5電子伏特以上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 4 · —種透明導電材料，其係於氧化銦、氧化鋅及 氧化錫中所選出之1種或2種以上之金屬氧化物中，加入 對全金屬氧原子爲0 · 5〜2 0原子％之由氧化銥、氧化 銶及氧化鈀中所選出之1種或2種以上之金屬氧化物所得. 的組成物所構成。 2 5 · —種透明導電材料，其係於氧化銦、氧化鋅、 氧化錫各成分間之金屬原子比爲 I n / ( I n + Z n + S η ) = 〇 ·〇 〇 〜1 · 0 0 Ζη/ (In + Zn + Sn) = 0 .〇〇 〜〇 · 25 S η / ( I η + Ζ η + S η ) = 0 · 〇 〇 〜1 ·· 0 0 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲0 . 5〜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -5 - 514622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 2〇原子％之由氧化銥、氧化鍊及氧化鈀中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成。 2 6 . —種透明導電材料，其係於氧化銦、氧化鋅、 氧化錫各成分間之金屬原子比爲 In/(In + Zn + Sn)=〇.50 〜1 ·00 Z n / ( I η + Ζ η + S η ) = 0 · 〇 5 〜0 · 2 5 Sn/(In + Zn + Sn) = 〇 ·〇〇 〜〇 · 5〇 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 · 5〜 2〇原子％之由氧化銥、氧化銶及氧化鈀中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成。 2 7 · —種透明導電材料，其係於氧化銦、氧化鋅、 氧化錫各成分間之金屬原子比爲 I n / ( I n + Z n + S η ) = 〇 · 7 5 〜〇.9 5 Zn/(In + Zn + Sn)=〇.05 〜〇· 20 S η / ( I η + Z η + S ιί )=〇·〇〇〜〇.2〇 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇.5〜 2 0原子％之由氧化銥、氧化銶及氧化鈀中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成。 2 8 · —種燒結體，其係由申請專利範圍第2 4至 2 7項中任一項中之組成物經燒結而得。’ 2 9 . —種濺鍍用標靶，其係由申請專利範圍第2 8 項之燒結體所製得。 3 0 · —種透明導電玻璃，其係於玻璃表面上被覆由 氧化銦、氧化鋅及氧化錫中所選出之1種或2種以上之金 本紙張尺度適用中國國^：標準（〇灿）八4規格（210\297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    514622 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 · 5〜2 0原子％ 之由氧化銥、氧化銶及氧化鈀中所選出之1種或2種以上 之金屬氧化物所得的組成物所構成之透明導電膜所得。 3 1 ·如申請專利範圍第3 0項之透明導電玻璃，其 中，光線透過率爲7 0 %以上，且透明導電膜之功函數爲 5 · 4電子伏特以上。 3 2 · —種透明導電薄膜，其係於透明樹脂表面上被 覆由氧化銦、氧化鋅及氧化錫中所選出之1種或2種以上 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 . 5〜2 0原 子％之由氧化銥、氧化鍊及氧化鈀中所選出之1種或2種 以上之金屬氧化物所得的組成物所構成之透明導電膜所得 〇 3 3 .如申請專利範圍第3 2項之透明導電薄膜，其 中，光線透過率爲7 0 %以上，且透明導電膜之功函數爲 5 · 4電子伏特以上。 3 4 · —種透明導電材料，其係由氧化錫、氧化銦及 氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Sn / (Sn+In + Zn)=〇· 55 〜1 · 00 In / (Sn+In + Zn) = 〇 · 〇〇 〜〇 . 45 Zn / (Sn+In + Zn)=〇. ·〇◦〜〇 · 25 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇.5〜 1〇原卞％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成。. 3 5 ·如申請專利範圍第3 4項之透明導電材料，其 本i氏張尺度適财關家縣（CNS) A4· (21GX297公羡)ζγτ ： 514622 A8 B8 C8 ____D8 _ 六、申請專利範圍 中，氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 S n / ( S η + I η + Ζ η )二 0 · 5 5 〜0 · 9 5 I η / ( S η + I η + ζ η )=〇·〇 0 〜〇 · 4 Ο Ζη / (Sn+In + Zn) = 〇 ·〇5 〜Ο · 25。 3 6 .如申請專利範圍第3 4項之透明導電材料，其 中，氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 Sn/(Sn+In + Zn) = 〇 . 55 〜〇· 95 I n / ( S η + I η + Ζ η )=〇.〇 0 〜〇 · 4 0 Zn/(Sn+In + Zn)二 〇 · 05 〜〇· 20。 3 7 ·如申請專利範圍第3 4項之透明導電材料，其 中，·氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 Sn/(Sn+In + Zn) = 〇 · 60 〜0 . 95 In / (Sn+In + Zn)二 〇 .〇◦〜〇 . 35 Zn / (Sn+In + Zn)=〇.〇5〜0.200 3 8 · —種燒結體，其係由申請專利範圍第3 4至 3 7項中任一項之組成物於1 2 0 0 °C以上之溫度下燒結 而成。 3 9 · —種濺鍍用標靶，其係由申請專利範圍第3 8 項之燒結體所構成，且比電阻爲1 0 m Ω · c m以下。 4 0 · —種透明導電玻璃，其係於玻璃表面基板上， 被覆於氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子比爲 S n / ( S η + I η + Ζ η ) = 〇 · 5 5 〜1 · 〇 〇 I η / ( S η + I η + Ζ η )二 〇 ·〇 〇 〜〇·. 4 5 Ζ η / ( S η + I η + Ζ η ) = 〇 ·〇 〇 〜〇 . 2 5 本#^張尺度適用中國國家標準（〇奶）六4規格(210\297公釐） ：- # •裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514622 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 · 5〜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1〇原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成之透明導電 膜所得。 4 1 .如申請專利範圍第4 0項之透明導電玻璃，其 中，透明導電膜之光線透過率爲7 0 %以上，且功函數爲 5 . 4電子伏特以上。 4 2 . —種透明導電薄膜，其係於透明樹脂薄膜表面 上，被覆於氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間之金屬原子 比爲 Sn/(Sn+In + Zn)=〇 . 55 〜1 .〇0 In/ (Sn+In + Zn)=〇· 〇〇 〜〇 · 45 Z n / ( S η + I η + Ζ η ) = 〇 · 〇 〇 〜〇 · 2 5 之金屬氧化物中，加入對全金屬氧原子爲〇 . 5〜’ 1 0原子％之由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出之1種 或2種以上之金屬氧化物所得的組成物所構成之透明導電 膜所得。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 3 ·如申請專利範圍第4 2項之透明導電薄膜，其 中，透明導電膜之光線透過率爲7 0%以上，且功函數爲 5 · 4電子伏特以上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）
TW088114565A 1998-08-31 1999-08-25 Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass and transparent EL TW514622B (en)

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