JPH06236710A - 導電性材料およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＩＴＯ、ＡＴＯ（アンチモン添加酸化錫）よ
りも耐湿性に優れ、還元によっても黒化しにくく、かつ
ＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を有する導電性材料を提
供する。 【構成】 一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２
０）で表される六方晶層状化合物を含む粉末またはその
粉末を所定形状に成形して焼結した焼結体からなること
を特徴とする導電性材料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂などの帯電防止剤
または静電制御剤、表面導電性付与剤、導電性塗料、表
示装置の透明電極などに用いられる導電性材料およびそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】透明、白色または淡色の導電性材料とし
ては、酸化錫にアンチモンを添加したもの（ＡＴＯ）、
酸化インジウムに錫を添加したもの（ＩＴＯ）、酸化亜
鉛にアルミニウムを添加したもの等が知られている。こ
れらは、粉末の状態で帯電防止または静電制御のために
合成樹脂などに添加され、樹脂の電気抵抗値を調製する
ために用いられている。また、表面導電性を付与するた
めに用いられる導電性塗料等にも添加されている（例え
ば静電塗装用のプライマーとして）。

【０００３】また粉末を所定形状に成形し焼結すること
により焼結体を作製し、ターゲット材を得ている。そし
てこの焼結体からなるターゲットを用いて、スパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等で表示装置用の
透明電極がガラスや樹脂基板の上に形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＴ
Ｏ、ＡＴＯは粉末の状態では耐湿性が比較的低く、湿気
により電気抵抗値が増大するという難点を有している。
またＩＴＯ、ＡＴＯ粉末は還元状態では黒化するため、
樹脂に添加すると樹脂製品の自由な着色が困難になると
いう欠点を有している。またＩＴＯ、ＡＴＯ焼結体から
なるターゲットも還元により黒化し易いため、その特性
の経時変化が問題となっている。

【０００５】本発明の目的は、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐
湿性に優れ、黒化しにくいとともに、ＩＴＯ、ＡＴＯと
同等の導電性を有する導電性材料およびその製造方法を
提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の導電性材料は、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ
＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む粉末ま
たはその粉末を所定形状に成形して焼結した焼結体から
なることを特徴とする導電性材料（以下、この導電性材
料を導電性材料Ｉという）である。また、一般式Ｉｎ₂
Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層
状化合物に、Ｓｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｂ，ＳｉおよびＧｅ
からなる群より選択される少なくとも１種の元素をＩｎ
とＺｎの合量に対して４０ａｔ％以下添加した化合物を
含む粉末またはその粉末を所定形状に成形して焼結した
焼結体からなることを特徴とする導電性材料もまた、上
記目的を達成する（以下、この導電性材料を導電性材料
IIという）。

【０００７】一方、上記目的を達成する本発明の導電性
材料の製造方法は、インジウム化合物と亜鉛化合物とを
溶解させた溶液と、沈澱形成剤を溶解させた溶液とを反
応させて沈澱物を形成させる工程と、前記沈澱物を濾
別、乾燥した後に焼成、粉砕、還元処理して、一般式Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方
晶層状化合物を含む導電性粉末を得る工程とを含み、さ
らに導電性焼結体を得る場合には、前記粉末を所定形状
に成形して焼結する工程を含むことを特徴とする導電性
材料の製造方法（以下、この方法を方法Ｉという）であ
る。さらに、インジウム化合物と亜鉛化合物に錫化合
物、アルミニウム化合物、ガリウム化合物、アンチモン
化合物、ケイ素化合物およびゲルマニウム化合物よりな
る群から選択される少なくとも１種の化合物を溶解させ
た溶液と、沈澱形成剤を溶解させた溶液とを反応させて
沈澱物を形成させる工程と、前記沈澱物を濾別、乾燥し
た後に焼成、粉砕、還元処理して、一般式Ｉｎ₂ Ｏ
₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状
化合物に、Ｓｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｂ，ＳｉおよびＧｅか
らなる群から選択される少なくとも１種の元素をＩｎと
Ｚｎの合量に対して４０ａｔ％以下添加した化合物を含
む導電性粉末を得る工程とを含み、さらに導電性焼結体
を得る場合には、前記粉末を所定形状に成形して焼結す
る工程を含むことを特徴とする導電性材料の製造方法も
また、上記目的を達成する（以下、この方法を方法IIと
いう）。

【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。

【０００９】まず、本発明の導電性材料Ｉは、上述した
ように一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）
で表される六方晶層状化合物を含む粉末またはその粉末
を所定形状に成形して焼結した焼結体からなるものであ
る。

【００１０】ここに、「六方晶層状化合物を含む粉末ま
たは焼結体」とは、Ｘ線回折測定で、六方晶層状化合物
に帰属されるＸ線回折パターンを示す物質からなる焼結
体または六方晶層状化合物に帰属されるＸ線回折パター
ンを示す物質とともに、他の構造に帰属されるＸ線回折
パターンを示す物質、非晶質物質を含む粉末または焼結
体を意味する。

【００１１】より具体的には、この粉末または焼結体
は、六方晶層状化合物を１０重量％、より好ましくは５
０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上含み、そ
の好ましい例として以下のものが挙げられる。

【００１２】(a)．Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜
２０）の六方晶層状化合物、 (b)．Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）の六方
晶層状化合物とＩｎ₂ Ｏ₃ との混合物、 (c)．Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）の六方
晶層状化合物とＺｎＯとの混合物、 本発明の導電性材料Ｉにおいて、ＩｎとＺｎの原子比
（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ））は０．０９〜０．８であるの
が好ましい。その理由は、０．０９未満では導電性材料
の導電性が低くなり、０．８を超えると導電性材料の耐
湿、耐熱性が低下するからである。

【００１３】上記のＩｎとＺｎの原子比は焼結前のイン
ジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合比を調整することによ
り得られ、焼結前の混合比により、化学的量論比率に見
合うインジウム酸化物と亜鉛酸化物から六方晶層状化合
物が生成し、残りのインジウム酸化物と亜鉛酸化物が非
晶質物質等として存在するものと推定される。

【００１４】本発明の導電性材料Ｉは、上述したように
上記インジウム・亜鉛酸化物の粉末または焼結体からな
り、この導電性材料Ｉは、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性
に優れ、還元によっても黒化しにくいとともにＩＴＯ、
ＡＴＯと同等の導電性を有し、前記した各種の用途（帯
電防止剤、表面導電性付与剤、導電性塗料、表示装置の
透明電極など）に用いられる。

【００１５】導電性材料Ｉは気相法（ＣＶＤ法）、固相
法（物理混合法）などの種々の方法により製造すること
が可能であるが、後述する本発明の方法Ｉに従って液相
法（共沈法）により製造することが好ましい。

【００１６】次に、本発明の導電性材料IIについて説明
する。

【００１７】この導電性材料IIは、一般式Ｉｎ₂ Ｏ
₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状
化合物に、Ｓｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｂ，ＳｉおよびＧｅか
らなる群より選択される少なくとも１種の元素をＩｎと
Ｚｎの合量に対して４０ａｔ％以下添加した化合物を含
む粉末またはその粉末を所定形状に成形し焼結した焼結
体からなるものである。ここで、インジウム・亜鉛酸化
物については、導電性材料Ｉで説明したので、その説明
は省略する。また、本発明の導電性材料IIにおいて、Ｓ
ｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｂ，Ｓｉ，Ｇｅ元素の割合を４０ａ
ｔ％以下に限定する理由は、４０ａｔ％を超えて添加さ
せると、六方晶層状化合物の生成を阻害し、導電性が低
下するからである。この導電性材料IIは、正三価以上の
原子価の元素を添加しているため、前述した導電性材料
Ｉよりも導電性に優れている。

【００１８】本発明の導電性材料IIは、上記のインジウ
ム・亜鉛酸化物に正三価以上の原子価の元素を添加した
化合物の粉末または焼結体からなるが、この導電性材料
IIは、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性に優れ、黒化しにく
いとともにＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を有するの
で、前記した各種の用途（帯電防止剤、表面導電性付与
剤、導電性塗料、表示装置の透明電極など）に用いられ
る。

【００１９】導電性材料IIも気相法（ＣＶＤ法）、固相
法（物理混合法）などの種々の方法により製造すること
が可能であるが、後述する本発明の方法IIに従って溶液
法（共沈法）により製造することが好ましい。

【００２０】次に、本発明の方法Ｉおよび方法IIについ
て説明する。

【００２１】まず本発明の方法Ｉは、前述したようにイ
ンジウム化合物と亜鉛化合物とを溶解させた溶液と、沈
澱形成剤を溶解させた溶液とを反応させて沈澱物を形成
させる工程と、前記沈澱物を濾別、乾燥した後に焼成、
粉砕、還元処理して、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）
_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む
導電性粉末を得る工程とを含み、さらに導電性焼結体を
得る場合には、前記粉末を所定形状に成形して焼結する
工程を含むことを特徴とする。

【００２２】方法Ｉで原料として用いるインジウム化合
物および亜鉛化合物は、酸化物または焼成後に酸化物に
なるもの（酸化物前駆体）であれば良い。インジウム酸
化物前駆体、亜鉛酸化物前駆体としては、インジウム、
亜鉛の硫化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物（塩化
物、臭化物等）、炭酸塩、有機酸塩（酢酸塩、プロピオ
ン酸塩、ナフテン酸塩等）、アルコキシド（メトキシ
ド、エトキシド等）、有機金属錯体（アセチルアセトナ
ート等）等が挙げられる。

【００２３】低温で完全に熱分解し、不純物が残存しな
いようにするためには、この中でも、硝酸塩、有機酸
塩、アルコキシド、有機金属錯体を用いるのが好まし
い。

【００２４】方法Ｉにおいては、上記インジウム化合物
および亜鉛化合物を、これらを溶解する溶媒中で溶解さ
せて溶液（以下、溶液Ａという）を準備する。溶媒とし
ては、水、アルコール、非プロトン性極性溶媒（ＤＭＳ
Ｏ、ＮＭＰ、スルホラン、ＴＨＦなど）が用いられる
が、有機酸塩の溶解度が高いことから、特に炭素数１〜
５のアルコール（メタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、メトキシエタノール、エチレングリコールな
ど）が好ましい。溶液Ａ中の金属濃度は０．０１〜１０
ｍｏｌ／リットルが好ましい。その理由は０．０１ｍｏ
ｌ／リットル未満では生産性が劣り、１０ｍｏｌ／リッ
トルを超えると不均一な沈澱が生成するからである。

【００２５】さらに、原料の溶解を促進するため、酸
（硝酸、塩酸等）やアセチルアセトン類、多価アルコー
ル（エチレングリコール等）、エタノールアミン類（モ
ノエタノールアミン、ジエタノールアミン類）を溶液中
の金属量の０．０１〜１０倍程度添加してもよい。

【００２６】方法Ｉにおいて、上記溶液Ａとともに、沈
澱形成剤を溶解させた溶液（以下、溶液Ｂという）をも
準備する。溶液Ｂに溶解させる沈澱形成剤としては、ア
ルカリ（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリ
ウム、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、重炭酸
アンモニウム等）、有機酸（ギ酸、しゅう酸、クエン酸
等）等が用いられるが、不純物の混入を避けるため、有
機酸（特にしゅう酸）を用いることが好ましい。

【００２７】また沈澱形成剤を溶解するための溶媒とし
ては、原料を溶解するために用いる上記した溶媒を用い
ることができる。

【００２８】方法Ｉにおいては、上記溶液Ａと溶液Ｂと
を混合反応させて沈澱物を形成させる。両溶液の混合方
法としては、(1) 溶液Ａを撹拌しながら溶液Ｂを添加す
る方法、(2) 溶液Ｂを撹拌しながら溶液Ａを添加する方
法、(3) 溶液Ａと溶液Ｂを同時に添加して撹拌する方法
等がある。沈澱形成時の温度は、溶媒の融点以上沸点以
下であればよい。また、形成後に熟成を１〜５０時間行
ってもよい。

【００２９】方法Ｉによれば、上記のようにして得られ
た沈澱物を次に濾別、乾燥する。沈澱物の濾別は濾過等
の常法により行なわれる。濾別後、沈澱物から陰イオン
やアルカリ金属イオン等を除去する目的で、溶液Ａ、Ｂ
に用いた溶媒またはその他の溶媒で濾別物を十分に洗浄
することが望ましい。濾別後の乾燥は、４０〜２００℃
で０．１〜１００時間行うのが好ましい。低温では、乾
燥に時間がかかり過ぎ、高温では粒子の凝集が起きやす
くなる。

【００３０】方法Ｉによれば、上記濾別、乾燥後に焼
成、粉砕、還元処理を行なう。

【００３１】焼成は、３００〜１２００℃で０．１〜１
００時間行なうのが好ましい。低温、短時間では、酸化
物への分解が不十分であり、高温、長時間では粒子の凝
集や成分の飛散が起きやすくなる。

【００３２】焼結後の粉砕はボールミル、ロールミル、
ジェットミル、パールミル等によって、粒子径が０．０
１〜１０μｍになるまで行なうのが好ましい。粉砕時間
は、通常１分〜５００時間である。

【００３３】粉砕後の還元処理は、還元性ガス（水素、
ＣＯ等）、真空、不活性ガス（窒素、アルゴン）等の雰
囲気で、温度１００〜８００℃で１分〜１００時間行な
うのが好ましい。低温、短時間では、還元が不十分であ
り、高温、長時間では粒子の凝集や成分の飛散が起きや
すい。

【００３４】方法Ｉによれば、上記の諸工程を行なうこ
とにより、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２
０）で表される六方晶層状化合物を含む導電性を有する
粉末が得られる。この導電性粉末は本発明の導電性材料
の一態様であり、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性が優れ、
黒化しにくいとともにＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を
有している。この粉末の粉体抵抗は例えば４０Ω・ｃｍ
以下である。

【００３５】方法Ｉにおいて、導電性焼結体を得る場合
には、上記導電性粉末を成形した後、焼結処理する。

【００３６】成形は、導電性粉末に、必要であれば、ポ
リビニルアルコール、メチルセルロースワックス、ポリ
ブチルアルコール等の成形助剤等を添加し、加圧成形
法、鋳込み成形法、射出成形法等により行なうのが好ま
しい。

【００３７】成形助剤を除去するために減圧下又は常圧
下で１００〜８００℃で脱脂を行なってもよい。

【００３８】成形後の焼結は、８００〜１７００℃で
０．１〜１００時間加熱することにより行なうのが好ま
しい。

【００３９】低温、短時間では、焼結密度が不十分であ
り、高温、長時間では異常粒成長や成分の飛散が起きや
すい。特に、８００〜１４００℃で１〜２０時間とする
のが好ましい。なお、焼結の際、加圧焼結やガス圧焼結
を行ってもよい。

【００４０】このようにして得られた、一般式Ｉｎ₂ Ｏ
₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状
化合物を含む導電性を有する焼結体は本発明の導電性材
料の一態様であり、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性に優
れ、還元によっても黒化しにくいとともにＩＴＯ、ＡＴ
Ｏと同等の導電性を有している。

【００４１】次に、本発明の方法IIについて説明する。

【００４２】この方法IIは前述したように、インジウム
化合物と亜鉛化合物に錫化合物，アルミニウム化合物，
ガリウム化合物、アンチモン化合物、ケイ素化合物およ
びゲルマニウム化合物からなる群より選択される少なく
とも１種を加えたものを原料として用いる点でのみ上記
方法Ｉと異なり、他は上記方法Ｉと同様に行うものであ
る。

【００４３】方法IIで用いる錫化合物、アルミニウム化
合物、ガリウム化合物、アンチモン化合物、ケイ素化合
物およびゲルマニウム化合物は、酸化物または焼成後に
酸化物になるもの（酸化物前駆体）であれば良い。これ
らの酸化物前駆体としては、Ｓｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ａｂ，
ＳｉおよびＧｅの硫化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化
物（塩化物、臭化物等）、炭酸塩、有機酸塩（酢酸塩、
プロピオン酸塩、ナフテン酸塩等）、アルコキシド（メ
トキシド、エトキシド等）、有機金属錯体（アセチルア
セトナート等）が挙げられる。

【００４４】低温で完全に熱分解し、不純物が残存しな
いようにするためには、この中でも、硝酸塩、有機酸
塩、アルコキシド、有機金属錯体を用いるのが好まし
い。

【００４５】方法IIにより、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （Ｚｎ
Ｏ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に
正三価以上の原子価の元素が添加された、目的とする導
電性材料II（粉末または焼結体）を得ることができる。
得られた導電性材料IIはＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性に
優れ、還元によっても黒化しにくく、かつＩＴＯ、ＡＴ
Ｏと同等の導電性を有する。

【００４６】なお、方法ＩおよびIIで得られた粉末また
は焼結体を更に還元処理してもよい。

【００４７】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００４８】実施例１ （１）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ 六方晶層状化合物からな
る粉末の製造 硝酸インジウム６水和物３５０．５ｇと硝酸亜鉛６水和
物６３７．５ｇをエタノール５．００リットルに溶解し
て溶液Ａを得た。

【００４９】一方、しゅう酸２水和物４７５．４ｇをエ
タノール５．００リットルに溶解して溶液Ｂを得た。

【００５０】室温下、容器にエタノール１．００リット
ルを入れて撹拌しておき、そこへ同じ流量に制御した溶
液ＡとＢを同時に滴下した。滴下終了後、温度を４０℃
に上げて沈澱物を４時間熟成した。その後、沈澱物を濾
過し、エタノールで洗浄し、１１０℃で１２時間乾燥し
た。さらに、７００℃で４時間焼成した。ボールミルで
の粉砕（２０時間）の後、粉末を真空中で３００℃、４
時間還元処理したところ、淡黄色の粉末を得た。

【００５１】このようにして得られた粉末のＸ線回折測
定を行なったところ、Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ の生成が
確認された。さらに、粉末の粉体抵抗を測定したとこ
ろ、２５Ω・ｃｍであった。そしてこの粉体抵抗は、４
０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後
にも３２Ω・ｃｍであり、耐湿性に優れていることがわ
かった。また、ＳＥＭとＸＭＡの分析によりこの粉末は
平均粒径０．２２μｍで均一な組成を持つことがわかっ
た。

【００５２】なお、粉体抵抗は、直径１０ｍｍの絶縁性
の容器に粉末を詰め、上下から電極となる金属性の押棒
で１００ｋｇ／ｃｍ² に加圧した時の、抵抗値と電極の
面積および電極間距離から求めた。

【００５３】（２）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ 六方晶層状
化合物からなる焼結体の製造 （１）で得られた粉末にポリビニルアルコールを２ｗｔ
％添加し、直径１５０ｍｍの金型にて１００ｋｇ／ｃｍ
² でプレス成形した。さらに、４ｔ／ｃｍ² で冷間静水
圧プレスにより圧密化した。

【００５４】この成形体を、５００℃で１０分間脱脂し
た後、１２００℃で４時間焼結した。このようにして得
られた焼結体は、Ｘ線回折測定によりＩｎ₂ Ｏ₃ （Ｚｎ
Ｏ）₅ であることが確認された。また、この焼結体の密
度は９２％であり、体積抵抗は５×１０^-3Ω・ｃｍであ
った。

【００５５】実施例２ （１）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₃ 六方晶層状化合物とＩｎ
₂ Ｏ₃ とを含む粉末の製造 塩化インジウム４水和物２９３．２ｇと酢酸亜鉛２水和
物３５１．２ｇをエタノール５．００リットルに溶解し
て溶液Ａを得た。

【００５６】一方、しゅう酸２水和物４１５．９ｇをエ
タノール５．００リットルに溶解して溶液Ｂを得た。

【００５７】溶液Ａおよび溶液Ｂを用いて、実施例１
（１）と同様にして淡黄色の粉末を得た。粉末のＸ線回
折測定を行なったところ、Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₃ とＩ
ｎ₂ Ｏ₃ の生成が確認された。さらに、粉末の粉体抵抗
を測定したところ、１８Ω・ｃｍであった。そしてこの
粉体抵抗は、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験
１０００時間後にも２５Ω・ｃｍであり、耐湿性に優れ
ていることがわかった。また、ＳＥＭとＸＭＡの分析に
よりこの粉末は平均粒径０．１５μｍで均一な組成を持
つことがわかった。

【００５８】（２）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₃ 六方晶層状
化合物とＩｎ₂ Ｏ₃ を含む焼結体の製造 上記（１）で得られた粉末を用い、実施例１（２）と同
様にして焼結体を得た。この焼結体の密度は９３％であ
り、体積抵抗は２×１０^-3Ω・ｃｍであった。

【００５９】実施例３ （１）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ 六方晶層状化合物とＳｎ
Ｏ₂ を含む粉末の製造 硝酸インジウム６水和物３５０．５ｇ、硝酸亜鉛６水和
物６３７．５ｇおよびジブトキシ錫１８５．１ｇ（２
１．５ｗｔ％トルエン溶液）をメトキシエタノール５．
００リットルに溶解して溶液Ａを得た。

【００６０】一方、しゅう酸２水和物４７２．５ｇをエ
タノール５．００リットルに溶解して溶液Ｂを得た。

【００６１】これらの溶液Ａ，Ｂを用いて、実施例１
（１）と同様に粉末を調製した。この粉末も淡黄色であ
った。

【００６２】粉末のＸ線回折測定を行なったところ、Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ とＳｎＯ₂ の生成が確認された。
さらに、粉末の粉体抵抗を測定したところ、１５Ω・ｃ
ｍであった。そしてこの粉体抵抗は、４０℃、９０％Ｒ
Ｈの条件での耐湿性試験１０００時間後にも１９Ω・ｃ
ｍであり、耐湿性に優れていることがわかった。また、
ＳＥＭとＸＭＡの分析によりこの粉末は平均粒径０．２
１μｍで均一な組成を持つことがわかった。

【００６３】（２）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ 六方晶層状
化合物とＳｎＯ₂ を含む焼結体の製造 上記（１）で得られた粉末を用い、実施例１（２）と同
様にして焼結体を得た。この焼結体の密度は９１％であ
り、体積抵抗は１×１０^-3Ω・ｃｍであった。

【００６４】実施例４ （１）Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ 六方晶層状化合物とＺｎ
ＯとＧｅＯ₂ を含む粉末の製造 硝酸インジウム６水和物３１５．３ｇ、硝酸亜鉛６水和
物６３７．５ｇ、四塩化ゲルマニウム３２．２ｇおよび
塩酸（３５ｗｔ％）３１．３ｇをブタノール５．００リ
ットルに溶解して溶液Ａを得た。

【００６５】一方、しゅう酸２水和物４７２．５ｇをブ
タノール５．００リットルに溶解して溶液Ｂを得た。

【００６６】これらの溶液Ａ，Ｂを用いて、実施例１
（１）と同様に粉末を調製した。この粉末も淡黄色であ
った。

【００６７】粉末のＸ線回折測定を行なったところ、Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ とＺｎＯとＧｅＯ₂ の生成が確認
された。さらに、粉末の粉体抵抗を測定したところ、３
２Ω・ｃｍであった。そしてこの粉体抵抗は、４０℃、
９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後にも４
０Ω・ｃｍであり、耐湿性に優れていることがわかっ
た。また、ＳＥＭとＸＭＡの分析によりこの粉末は平均
粒径０．１７μｍで均一な組成を持つことがわかった。

【００６８】（２）Ｉｎ₂ Ｏ₅ （ＺｎＯ）₅ 六方晶層状
化合物とＺｎＯとＧｅＯ₂ を含む焼結体の製造 上記（１）で得られた粉末を用いて、実施例１（２）と
同様にして焼結体を得た。この焼結体の密度は９４％で
あり、体積抵抗は８×１０^-3Ω・ｃｍであった。

【００６９】

【発明の効果】本発明によれば、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも
耐湿性に優れ、黒化しにくく、かつＩＴＯ、ＡＴＯと同
等の導電性を有する導電性材料およびその製造方法が提
供された。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２
   〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む粉末または
   その粉末を所定形状に成形して焼結した焼結体からなる
   ことを特徴とする導電性材料。
2. 【請求項２】 一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２
   〜２０）で表される六方晶層状化合物に、Ｓｎ，Ａｌ，
   Ｇａ，Ｓｂ，ＳｉおよびＧｅからなる群より選択される
   少なくとも１種の元素をＩｎとＺｎの合量に対して４０
   ａｔ％以下添加した化合物を含む粉末またはその粉末を
   所定形状に成形して焼結した焼結体からなることを特徴
   とする導電性材料。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の粉末または焼
   結体を還元処理してなる導電性材料。
4. 【請求項４】 粉末の粉体抵抗が４０Ω・ｃｍ以下であ
   る、請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電性材料。
5. 【請求項５】 インジウム化合物と亜鉛化合物とを溶解
   させた溶液と、沈澱形成剤を溶解させた溶液とを反応さ
   せて沈澱物を形成させる工程と、前記沈澱物を濾別、乾
   燥した後に焼成、粉砕、還元処理して、一般式Ｉｎ₂ Ｏ
   ₃ （ＺｎＯ）_m（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状
   化合物を含む導電性粉末を得る工程とを含み、さらに導
   電性焼結体を得る場合には、前記粉末を所定形状に成形
   して焼結する工程を含むことを特徴とする導電性材料の
   製造方法。
6. 【請求項６】 インジウム化合物と亜鉛化合物に錫化合
   物、アルミニウム化合物、ガリウム化合物、アンチモン
   化合物、ケイ素化合物およびゲルマニウム化合物よりな
   る群から選択される少なくとも１種の化合物を溶解させ
   た溶液と、沈澱形成剤を溶解させた溶液とを反応させて
   沈澱物を形成させる工程と、前記沈澱物を濾別、乾燥し
   た後に焼成、粉砕、還元処理して、一般式Ｉｎ₂ Ｏ
   ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状
   化合物に、Ｓｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｂ，ＳｉおよびＧｅか
   らなる群から選択される少なくとも１種の元素をＩｎと
   Ｚｎの合量に対して４０ａｔ％以下添加した化合物を含
   む導電性粉末を得る工程とを含み、さらに導電性焼結体
   を得る場合には、前記粉末を所定形状に成形して焼結す
   る工程を含むことを特徴とする導電性材料の製造方法。
7. 【請求項７】 前記粉末または焼結体を更に還元処理す
   る、請求項５または６記載の方法。