CN100513353C - 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜 - Google Patents

透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜 Download PDF

Info

Publication number
CN100513353C
CN100513353C CNB2005100791831A CN200510079183A CN100513353C CN 100513353 C CN100513353 C CN 100513353C CN B2005100791831 A CNB2005100791831 A CN B2005100791831A CN 200510079183 A CN200510079183 A CN 200510079183A CN 100513353 C CN100513353 C CN 100513353C
Authority
CN
China
Prior art keywords
oxide
gained
transparent conductive
sintered sheets
nesa coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005100791831A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1699262A (zh
Inventor
井上一吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Publication of CN1699262A publication Critical patent/CN1699262A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100513353C publication Critical patent/CN100513353C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明包括通过溅射等稳定而有效方式形成膜的透明导电膜用的烧结产物、该烧结产物的溅射靶以及由该靶制成的透明导电玻璃和膜。该透明导电玻璃和膜具有优良的透明度、导电性和成为电极的可加工性，因此适合于有机电致发光器件的透明电极中，以实现在其中的良好空穴注入率。此烧结产物按该金属原子的特定原子比含有构成成分氧化铟、氧化锡及氧化锌，并任选地含有特定的金属氧化物，如氧化钌、氧化钼、氧化钒等。

Description

透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜
本申请为2000年6月30日进入中国(国际申请日：1999年8月19日)，申请号为99801982.8(国际申请号：PCT/JP99/04453)，发明名称为“透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜”的PCT国际申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种于显示装置等中，极适合作为透明导电膜坯料的金属氧化烧结产物，与使用此烧结产物所得用于形成透明导电膜的成膜用靶、透明导电材料及从此靶形成的透明导电玻璃及透明导电薄膜。
背景技术
近年来，各种显示装置，例如液晶显示装置或电致发光(electroluminesence)显示装置、场致发射(field emmission)显示器等皆已导入办公室机械或工厂中的控制系统。这些显示装置中，无论任何装置皆具有显示部件夹于透明导电膜中的三明治结构。
这些透明电膜中，多数使用以氧化铟-氧化锡(以下简称为ITO)成为ITO膜。此ITO膜除具有较佳的透明性、及较低的电阻外，亦具有优良蚀刻性、极佳的基板密著性优良特性，而被本领域广泛使用。而此ITO膜一般由使用溅镀法或离子电镀法、蒸镀法等方法成膜。
ITO膜虽具有上述优良特性，但仍有许多待解决的问题存在，例如于液晶显示装置中作为透明基板使用时，有关ITO的表面精度或电极的锥形加工性、与异种金属结合或形成接点时的电极加工性等。
特别是，此ITO本身即为结晶怀的金属氧化物，故在成膜阶段时，膜表面亦会产生结晶粒。成长的晶粒沉积在ITO膜表面时，会造成表面精度的降低。在用于形成电极对ITO膜的蚀刻步骤中，晶间边界首先被蚀刻，电极蚀刻表面会产生细微的凹凸状，故不易进行高精度的蚀刻。因此，对于该ITO膜电极进行加工时，该膜的晶间边界也首先被蚀刻，这会使ITO粒子常残存于蚀刻部，此时，该ITO电极膜容易与电极间产生导电现象而造成显示不良等问题。
而为解决这一问题，例如于特开平6—234565号公报所揭示的，于不牺牲透明性与导电性下，而以改良电极的加工性为目的提出了氧化铟与氧化锌所构成的透明导电材料。但，此由氧化铟与氧化锌所构成的材料，其本身的体电阻为2～5mΩ·cm，故成膜时必须对所投入的电力进行控制，因而会有不易具有充足的生产力的缺点。
而且，ITO膜在作为有机电致发光元件的电极使用时，必须将空穴(positive hole)从ITO膜转移到有机电致发光元件的发光层或空穴输送层中。因此，希望电极材料的功函数与构成该发光层或空穴输送层的有机化合物的功函数为几乎相同的水平，故此阳极与空穴输送层间的能量间隙以越小越好。为降低这一能量间隙，必须尽量使用阳极材料的功函数与作为空穴输送层的有机化合物的电离位能间的差距减少。已提出各种有机化合物以形成此空穴输送层的空穴输送物质，其中已知芳香族胺系化合物，特别是三苯胺衍生物具有优良的功能。其中，此三苯胺衍生物中的三苯胺，其电离位能为5.5～5.6电子伏特。另一方面，对于透明导电膜，熟知氧化铟—氧化锡(以下简称ITO)具有优良透明性且具有较低电阻。此ITO的功函数为4.6电子伏特。因此，由此一般材料所构成的阳极与电子输送层间将存在着相当大的能量间隙。
在那种情况下，例如特开平9—63771号公报中，揭示了于阳极与阴极间设置有机化合物层的有机薄膜发光元件。其阳极，是功函数比ITO大的金属氧化物薄膜。然而金属氧化物的薄膜所构成的阳极，其透光率例如该金属为氧化钌时为10％，为氧化钒时为20％。为了改良这一较低的透光率，又提出由ITO膜与厚度为300埃以下的超薄膜构成的两层结构。但即使此情形下，透光率也为40～60％左右。故这种双层结构用于显示装置中时，其透明电极的透明度仍不满足要求。
发明内容
本发明是以提供一种以溅镀法等进行成膜操作时，可以稳定且顺利的方式生产的金属氧化物的烧结产物，及该烧结产物所构成的靶，及由该靶形成的透明导电玻璃和导电膜。这些导电玻璃和导电膜具有优良透明性、导电性、电极加工性，且在作为有机电致发光元件中的透明电极使用时，在设备中其功函数与空穴输送物质所有的电离位能差距较小，而不会引起这些设备发光效率的降低。
本发明人，就解决上述问题上经过种种研究后结果，得知在使用含有由特定比例的氧化铟、氧化锡和氧化锌所构成的化合物的烧结产物作为透明导电材料使用时，即可顺利解决上述的问题，因而完成本发明。
具体而言，本发明是由总结如下的本发明的第一方面～第四方面所构成：
[I]本发明的第一方面
[1]一种烧结产物，其中含有氧化铟、氧化锡及氧化锌，各成分间的金属原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，
且含有具In2O3·(ZnO)m，式中m为2～20的整数，所示的六方层状化合物及具Zn2SnO4所示的尖晶石构造化合物。
[2]如前述[1]记载的烧结产物，其比电阻值低于2mΩ·cm。
[3]一种烧结产物，其中含有氧化铟、氧化锡及氧化锌，各成分间的金属原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的正4价或以上的金属氧化物，并含有式In2O3·(ZnO)m(式中m为2～20的整数)，所示的六方层状化合物及式Zn2SnO4所示的尖晶石构造化合物。
[4]如前述[3]记载的烧结产物，其中，正4价或以上的金属氧化物为氧化钌、氧化钼或氧化钒。
[5]一种透明导电膜的溅镀靶，其包括前述[1]～[4]项中任一项记载的烧结产物。
[6]一种透明导电膜的电子集束靶，其包括前述[1]～[4]项中任一项记载的烧结产物。
[7]一种透明导电膜的离子电镀靶，其包括前述[1]～[4]项中任一项记载的烧结产物。
[8]一种于玻璃表面上被覆非晶质透明导电膜制得的透明导电玻璃，其中的导电膜含有氧化铟、氧化锡及氧化锌，各成分间的金属原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的正4价或以上的金属氧化物。
[9]如前述[8]记载的透明导电玻璃，其中，正4价或以上的金属的氧化物为氧化钌、氧化钼或氧化钒。
[10]如前述[8]或[9]记载的透明导电玻璃，其中，透光率为75％以上，比电阻为5mΩ·cm以下，且透明导电膜的功函数为5.45以上。
[11]一种于透明树脂薄膜表面上被覆非晶质透明导电层制得的透明导电薄膜，其中的导电膜含有氧化铟、氧化锡及氧化锌，各成分间的金属原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，
且含有占全部金属原子总量的0.50～10原子％的正4价或以上的金属氧化物。
[12]如前述[11]记载的透明导电薄膜，其中正4价或以上的金属氧化物为氧化钌、氧化钼或氧化钒。
[13]如前述[11]或[12]记载的透明导电薄膜，其中，透光率为75％以上，比电阻为5mΩ·cm以下，且透明导电膜的功函数为5.45以上。
[II]本发明的第二方面
[1]一种组合物的烧结产物，该组合物含有氧化铟、氧化铟和氧化锌及/或氧化锡，各成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03～0.20
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
[2]一种组合物烧结产物，该组合物含有氧化铟与氧化锌、或还含有氧化锡，各成分间的金属原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
[3]一种组合物的烧结产物，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分间的金属原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.02～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
[4]一种溅镀靶，其含有前述[1]～[3]项中任一项记载的烧结产物。
[5]一种电子集束靶，其含有前述[1]～[3]项中任一项记载的烧结产物。
[6]一种离子电镀靶，其含有前述[1]～[3]项中任一项记载的烧结产物。
[7]一种于玻璃表面上被覆一种组合物所构成的透明导电膜制得的透明导电玻璃，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的金属氧化物。
[8]如前述[7]记载的透明导电玻璃，其中，透光率为75％以上，比电阻为5mΩ·cm以下，且透明导电膜的功函数为5.45电子伏特以上。
[9]一种于透明树脂薄膜表面上被覆透明导电层制得的透明导电薄膜，其中的导电层含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.50～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
[10]如前述[9]记载的透明导电薄膜，其中，透光率为75％以上，比电阻为5mΩ·cm以下，且透明导电层的功函数为5.45电子伏特以上。
[III]本发明的第三方面
[1]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括选自氧化铟、氧化锌及氧化锡的1种或多种金属氧化物，并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的1种或多种金属氧化物。
[2]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括氧化铟、氧化锌及氧化锡中的金属氧化物，各成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00，
并含有占全部金属原子总量的0.50～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的一种或多种金属氧化物。
[3]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括氧化铟、氧化锌及氧化锡中的金属氧化物，各成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.50～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.50，
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的一种或多种金属氧化物。
[4]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括氧化铟、氧化锌及氧化锡中的金属氧化物，各成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.75～0.95
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
并含有占全部金属原子总量的0.50～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的一种或多种金属氧化物。
[5]一种由烧结前述第[1]～[4]项中任一项的组合物制得的烧结产物。
[6]一种溅镀靶，其包括前述第[5]项的烧结产物。
[7]一种于玻璃表面上被覆一种组合物的透明导电膜制得的透明导电玻璃，该组合物含有选自氧化铟、氧化锌及氧化锡的1种或多种金属氧化物，并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯中的1种或多种金属氧化物。
[8]如前述[7]记载的透明导电玻璃，其透光率为70％以上，且透明导电膜的功函数为5.4电子伏特以上。
[9]一种于透明树脂膜表面上被覆一层透明导电层制得的透明导电薄膜，该透明导电层包括选自氧化铟、氧化锌及氧化锡的1种或多种金属氧化物，并含有占全部金属原子总量的0.520原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出的一种或多种金属氧化物。
[10]如前述[9]记载的透明导电薄膜，其透光率为70％以上，且透明导电层的功函数为5.4电子伏特以上。
[IV]本发明的第四方面
[1]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物，各成分间的金属原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25，
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌的一种或多种金属氧化物。
[2]如前述[1]记载的透明导电材料，其中，氧化锡、氧化铟及氧化锌各成分间的金属原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.050.25。
[3]如前述[1]记载的透明导电材料，其中，氧化锡、氧化铟及氧化锌各成分间的金属原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.000.40
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20。
[4]如前述[1]记载的透明导电材料，其中，氧化锡、氧化铟及氧化锌各成分间的金属原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.60～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.000.35
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20。
[5]一种由前述[1]～[4]的任一项的组合物于1200℃以上的温度下烧结而制成的烧结产物。
[6]一种溅镀靶，其包含前述[5]记载的烧结产物，且比电阻为10mΩ·cm以下。
[7]一种于玻璃表面基板上，被覆一种组合物的透明导电膜制得的透明导电玻璃，该组合物含有氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物，各成分间的金属原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出的1种或多种金属氧化物。
[8]如前述[7]记载的透明导电玻璃，其中，透明导电膜的透光率为70％以上，且功函数为5.4电子伏特以上。
[9]一种于透明树脂薄膜表面上覆于一种组合物的透明导电层制得的透明导电薄膜，该组合物包含氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物，各成分间的金属原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出的1种或多种金属氧化物。
[10]如前述[9]记载的透明导电薄膜，其中，透明导电层的透光率为70％以上，且功函数为5.4电子伏特以上。
实施发明的最佳方式
以下将对本发明的实施方案进行说明。
[I]本发明的第一方面
本发明的烧结产物，是作为透明导电膜成膜用的透明导电材料，其基本构成成分是氧化铟、氧化锡及氧化锌。
其组成成分的金属原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30。
这些组成比例范围中，又以
In/(In+Sn+Zn)＝0.60～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.35
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20
为佳。
又以
In/(In+Sn+Zn)＝0.60～0.70
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.25～0.35
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.15
为最佳。
本发明中，作为构成成分的氧化铟、氧化锡及氧化锌的组合物如上述限定，若氧化铟与氧化锌的混合物于低温下烧结时，烧结产物的导电性低。本发明的烧结产物可防止导电性降低。这些氧化铟与氧化锌的混合物若于高温下烧结时，可形成导电性提高的六方层状化合物。但是欲将所有的氧化锌变换为六方层状化合物是有其困难性的，因此导电性的提高亦有限。
因此，本发明中使无法变换为六方层状化合物的氧化锌与氧化锡作用，以形成为具有尖晶石构造的化合物，可使组合物所得的烧结产物的导电性提高，可使使用由此烧结产物所得的靶所进行的溅镀处理更加稳定。
关于这些成分的掺合比，若氧化铟的原子比低于0.50时，除会造成所得透明导电膜的表面电阻升高以外，亦会使耐热性降低；若此数值超过0.75时，会使所得透明导电膜产生结晶化而引起透明性降低。若氧化锡的原子比低于0.20时，氧化锌与氧化锡形成的尖晶石构造的化合物将不完全；若此数值超过0.45时，会使所得透明导电膜的表面电阻提高。此外，若氧化锌的原子比低于0.03时，所得的透明导电膜容易形成结晶化，此数值若超过0.30时，则会使所得的透明导电膜的耐热性降低。
这些构成成分除在上述组成范围以外，这些金属氧化物中尚含有以In2O3·(ZnO)m(式中m为2～20的整数。)所示的六方层状化合物，及式Zn2SnO4所示的尖晶石构造化合物。
由上述构造所得的本发明的烧结产物，如前所述，具有较高的导电率，比电阻值低于2mΩ·cm。因此，在使用以此烧结产物作为靶的溅镀装置等进行成膜时，可使溅镀处理于更稳定的情形下进行，因此可以在极优良生产条件下制造成膜制品。
所述烧结产物包括上述氧化铟、氧化锡及氧化锌，还另外包括占全部金属原子总量0.5～10原子％的正4价或以上的金属化合物，尤其优选氧化钌、氧化钼或氧化钒，该烧结产物的功函数是在5.45～5.70电子伏特范围。此数值与有机电致发光元件中作为发光物质或空穴输送物质等有机化合物的功函数的平均值的5.6电子伏特相当。因此，以此烧结产物作为靶的溅镀装置等所制得的透明导电膜，当用于有机电致发光元件内时，具有高空穴注入效率。在该烧结产物中，正4价或以上的金属氧化物的含量，以占全部金属原子总量1～5原子％为佳。
其次，有关本发明烧结产物的制造方法，是将上述各金属氧化物的粉末，使用混合粉碎机、例如湿式球磨机或珠磨机、超音波等，进行均匀地混合、粉碎、造粒后，以加压成型方式制得所需的形状，再经烧结处理成为烧结产物。此处的将原料粉末混合粉碎，是将其尽可能粉碎至微细，但一般以使用处理至平均粒径为1μm以下混合粉碎之物为佳。烧结条件，一般为1,200～1,500℃，较佳为1,250～1,480℃，时间为10～72小时，较佳为24～48小时。此时的升温速率为1～50℃/分。
此烧结处理中，为使烧结产物中的氧化铟与氧化锌形成前述式所示的六方层状化合物的形态时，烧结温度以1,250℃以上为佳。为使氧化锌与氧化锡形成具有尖晶石构造的化合物时，其烧结温度以1,000℃以上为佳。
此外，为使上述3成分系的金属氧化物含有氧化钌、氧化钼或氧化钒等具有正4价或以上的金属氧化物时，可于上述作为原料的金属氧化物粉末进行混合粉碎之时，适量添加这些氧化钌等粉末后，再按上法进行烧结。同样，成型体的烧结可在形成上述氧化铟与氧化锌的六方层状化合物，及氧化锌与氧化锡的具有尖晶石构造的化合物的条件下进行。
[II]本发明的第二方面
本发明中，形成透明导电膜用的烧结产物，是含有如下原子比的氧化铟或氧化铟与氧化锌及/或氧化锡的组合物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
较佳的烧结产物是含有如下原子比的氧化铟与氧化锌或这些化合物与氧化锡的组合物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
该组合物还含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的金属氧化物。
最佳的烧结产物是含有如下原子比的氧化铟、氧化锌及氧化锡的组合物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.02～0.20，
该组合物还含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
本发明的烧结产物中，作为基本构成成分的氧化铟、氧化锡及氧化锌的组合物，如上所述，可单独使用氧化铟，或可使用氧化铟与少量氧化锌的混合物，或使用氧化铟与少量氧化锌及氧化锡的混合物。
其中，这些成分的含量中，若氧化铟的原子比低于0.80时，除会造成所得透明导电膜的表面电阻升高以外，亦会使耐热性降低。氧化锌的原子比低于0.05时，会造成所得透明导电膜的蚀刻性不佳。此时，于溅镀成膜时可少量添加水或氢，以使其蚀刻性提高。氧化锡的原子比若超过0.20时，会使所得透明导电膜的导电性降低。此外，若氧化锌的原子比低于0.02时，容易使靶的导电性降低，此数值若超过0.20时，则会使所得的透明导电膜的表面电阻升高。
所述烧结产物包括上述氧化铟或氧化铟与氧化锌及/或氧化锡的基本成分，并含有由氧化钌、氧化钼及氧化钒所选出的添加金属氧化物，其含量是占组合物中金属原子总量的0.5～10原子％。这些添加金属氧化物的含量若低于0.5原子％时，所得的透明导电膜则无法具备有够高的功函数，若此含量超过10原子％时，会引起透明性的降低。即，这些金属氧化物含量的较佳范围为，占组合物中金属原子总量的1～7原子％，更佳为1～5原子％。
如此，使用于氧化铟等基本成分中添加1种或多种氧化钌或氧化钼、氧化钒等添加成分后以所得的烧结产物制得的透明导电膜，可得到使功函数提高，此添加成分的含量若于上述范围时，可得到5.45电子伏特以上的数值。此透明导电膜的功函数的数值，与有机电致发光元件中作为发光物质或空穴输送物质等有机化合物的功函数的平均值的5.5～5.6电子伏特相当。因此，使用此透明导电膜作为有机电致发光元件的阳极时，可使由此阳极注入空穴输送层或将空穴注入发光层时的能量间隙降低，因此该设备可保证较高的空穴注入效率。因此，可使有机电致发光元件的驱动电压降低，亦可抑制各层间能量间隙所产生的发热现象，而可使其具有长时间的稳定的发光现象。
其次，有关本发明烧结的制造方法，是将上述各金属氧化物的粉末，使用混合粉碎机、例如湿式球磨机或珠磨机、超音波等，进行均匀地混合、粉碎、造粒后，以加压成型方式制得所需的形状，再经烧结处理成为烧结产物。此处的将原料粉末混合粉碎，是将其粉碎至尽可能微细，但一般为混合粉碎至平均粒径为1μm以下。在烧结阶段，成形体在1，200～1,500℃，较佳为1,250～1,480℃烧结，时间为10～72小时，较佳为24～48小时。此时的升温速率为1～50℃/分。
[III]本发明的第三方面
本发明的透明导电材料，是由包括由氧化铟、氧化锌及氧化锡中选出的1种或多种金属氧化物，并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
具有较佳导电性的本发明的透明导电材料是由包括以下原子比的氧化铟、氧化锌及氧化锡中的一种或多种金属氧化物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
更佳的透明导电材料是由包括以下原子比的氧化铟与氧化锌、氧化锡中的金属氧化物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.50～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.50
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
其中，具有更佳导电性的透明导电材料是由包括以下原子比的氧化铟、氧化锌及氧化锡的金属氧化物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.75～0.95
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
具有最佳导电性的透明导电材料是由包括以下原子比的氧化铟、氧化锌及氧化锡的金属氧化物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.85～0.95
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.15
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
本发明的透明导电材料中，作为基本构成成分的氧化铟、氧化锌及氧化锡、或这些金属氧化物的混合物，如上所述，可单独使用氧化铟、氧化锌或氧化锡，或可使用氧化铟与少量氧化锌的混合物，或使用氧化铟与氧化锌的混合物，或可使用氧化铟与氧化锌及氧化锡的混合物。
关于这些基本构成成分的各含量比例中，氧化铟不是经常需要的。但为了使该材料在作为透明导电膜时得到较低表面电阻，以使用含有原子比为0.5以上的组合物为佳。氧化锌不是经常需要的。但为了使该材料在作为透明导电膜时得到较高蚀刻性，以使用含有原子比为0.05以上的组合物为佳。若所得透明导电膜的蚀刻性不佳时，可于溅镀成膜时添加少量的水或氢，以提高其蚀刻性。若氧化锌的含量比例超过0.25时，会使透明导电膜的耐用性降低。氧化锡不是经常需要的。但为了使该材料形成的靶的导电性在较高水平，以使用含有此化合物者为佳，但若作为透明导电膜时需具有较低表面电阻的情形下，此化合物含量的原子比以0.5以下为佳。
在该材料中，于上述基本构成成分中可含有任何希望比例的氧化铱、氧化铼及氧化钯，其可各自单独存在或以其混合物方式存在。欲加入该材料中的这些附加金属氧化物的含量的比例，占全部金属原子总量的0.5～20原子％。若将其以金属原子比表示时，则为
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.005～0.20
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.005～0.20
Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.005～0.15
较佳为
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.01～0.10
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.01～0.10
Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.01～0.10
更佳为
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.03～0.08
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.03～0.08
Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.03～0.08
这些附加成分氧化铱、氧化铼及氧化钯的含量若低于0.5原子％时，无法使透明导电膜的功函数达到充分的高度，此含量超过20原子％时，则会导致透明性的降低。
包括上述基本构成成分，及含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的氧化铱、氧化铼及氧化钯的金属氧化物的组合物，可被烧结成为溅镀靶，该靶经溅射形成透明导电膜。这种透明导电膜的透光率为70％以上，功函数的值为5.4电子伏特以上。此透明导电膜的功函数的数值，与有机电致发光元件中作为发光物质或空穴输送物质等使用的有机化合物的电离位能的平均值的5.5～5.6电子伏特相当。因此，使用此透明导电膜作为有机电致发光元件的阳极时，可使经由此阳极注入空穴输送层或将空穴注入发光层时的能量间隙降低，而得一较高的空穴注入效率。因此，可使有机电致发光元件的驱动电压降低，亦可抑制因各层间能量间隙所产生的发热现象，并能确保其具有长时间的稳定发光。
有关本发明透明导电材料的制造方法，是例如将上述各金属氧化物的粉末依一定比例混合，其可使用混合粉碎机、例如湿式球磨机或珠磨机、超音波等以均匀混合、粉碎而制得。此处的将原料粉末混合粉碎，是将其粉碎至尽可能微细，但一般是混合粉碎处理至平均粒径为1μm以下。
为了获得用此透明导电材料所得的烧结产物，例如可在造粒后，以加压成型的方式制得所希望的形状，其后再将成形体烧结。在烧结步骤中，一般为1,200～1,500℃，较佳为1,250～1,480℃烧结10～72小时，较佳为24～48小时。此时的升温速率为1～50℃/分。
[IV]本发明的第四方面
本发明的透明导电材料，是由包括如下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
较佳地，该透明导电材料是由包括如下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.60～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.35
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
更佳地，该透明导电材料是由包括如下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
更佳地，该透明导电材料是由包括以下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
最佳地，该透明导电材料是由包括如下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.60～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.35
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出1种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料
对于本发明的透明导电材料，作为其基本构成成分的氧化锡、氧化铟、氧化锌、或这些金属氧化物的混合物，如上所述，可单独使用氧化锡、氧化铟或氧化锌，或可使用氧化锡与少量氧化铟的混合物，或使用氧化锡与氧化锌的混合物，或可使用氧化锡与氧化铟及氧化锌的混合物。
关于这些基本构成成分的掺合比，理想的是氧化锡的含量至少为0.55，以使其可以价廉制得且可制成具优良耐热性的透明导电膜。氧化铟常非必要，但为使透明导电膜维持在较高导电性，其原子比以0.45以内为佳。此氧化铟的含量比例中，若其原子比超过0.45时，会使透明导电膜的制造费用提高。氧化锌常非必要，但为使透明导电膜的蚀刻加工性提高，它可以加入组合物。待加入氧化锌的原子比以0.05以上为佳。为维持形成的透明导电膜具有良好的耐湿热性，氧化锌的原子比以0.25以下者为佳。若透明导电膜的蚀刻加工性不佳时，可于透明导电膜的溅镀成膜时添加少量的水或氢，以使其蚀刻性增加。
在该材料中，于上述基本构成成分中可含有任何希望比例的氧化钒、氧化钼及氧化钌，可各自单独存在或以其任意混合比例的混合方式存在皆可。其中，这些附加金属氧化物的比例，相对于构成该材料的所有金属原子，包括附加金属氧化物的金属原子，为0.5～10原子％。若将其以金属原子比表示时，则为
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.005～0.10
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.005～0.10
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.005～0.10；
较佳为
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.01～0.08
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.01～0.08
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.01～0.08；
更佳为
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.02～0.05
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.02～0.05
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.02～0.05。
这些氧化钒、氧化钼或氧化钌中的任一，或其混合物的含量若低于0.5原子％时，将无法使透明导电膜的功函数达到充分的高度，此含量超过10原子％时，则会导致透明性的降低。
含有上述基本构成成分，并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的氧化钒、氧化钼及氧化钌的金属氧化物的组合物，可被烧结成为溅镀靶，该靶经溅射形成透明导电膜。这种透明导电膜的透光率为70％以上，且功函数的值为5.4电子伏特以上。此透明导电膜的功函数的数值，与有机电致发光元件中作为发光物质或空穴输送物质等使用的有机化合物的电离位能的平均值的5.5～5.6电子伏特相当。因此，使用此透明导电膜作为有机电致发光元件的阳极时，可使经由此阳极注入空穴输送层或将空穴注入发光层时的能量间隙降低，而得一较高的空穴注入效率。因此，可使有机电致发光元件的驱动电压降低，亦可抑制因各层间能量间隙所产生的发热现象，并能确保其具有长时间的稳定发光。
有关本发明透明导电材料的制造方法，例如将上述各金属氧化物的粉末依一定比例混合，其可使用混合粉碎机、例如湿式球磨机或珠磨机、超音波等以均匀混合、粉碎而制得。此处的将原料粉末混合粉碎，是将其粉碎至尽可能微细，但一般是混合粉碎处理至平均粒径为1μm以下。
为了获得用此透明导电材料所得的烧结产物，例如可在造粒后，以加压成型的方式制得所希望的形状，其后再将成形体烧结。在烧结步骤中，一般在1,200～1,500℃，较佳为1,250～1,480℃烧结10～72小时，较佳为24～48小时。此时升温速率为1～50℃/分。于采用这一烧结条件时，即可制得比电阻为10mΩ·cm以下的烧结产物。
将如此所得的烧结产物机械加工成可装入溅镀装置的形体，每个形体之后附配合适的装置。这样即可制得一具有优良导电性且可稳定地进行溅镀的溅镀靶。
[V]本发明的第一至第四方面的透明电极玻璃与透明导电薄膜
使用上述所得靶在透明基板上进行成膜。透明基板可使用目前使用的玻璃基板或，具有高透明性的合成树脂制的薄膜、或薄片等。优选的合成树脂例如可使用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯树脂、聚砜树脂、聚丙烯酸树脂等等。
使用上述靶在将透明导电膜置于透明基板上以溅镀法进行成膜时，以使用磁控管式溅镀装置为佳。而使用此装置进行溅镀成膜的条件中，随靶的表面积或待形成的透明导电膜的膜厚，等离子体输出可产生变动，但一般等离子体的输出是于靶表面积1cm2为0.3～4W的范围，成膜的时间为5～120分钟。此透明导电膜的膜厚度，随显示装置的种类而有不同，一般以2000～6000埃，较佳为300～2000埃。
使用装有前述烧结产物的电子集束装置或离子溅镀装置中的靶进行成膜。可于与上述相同的成膜条件下进行透明导电膜的成膜步骤。
对依此方法所制得的本发明的第一方面中的透明导电玻璃或透明薄膜而言，这些于透明基板上所形成的透明导电层，具有极高的透光率与较低的比电阻。蚀刻此透明导电层得到透明电极。具体而言，在使用盐酸或草酸蚀刻后，蚀刻部与未蚀刻部的界限部分的截面形状极为平滑，使该蚀刻部与未蚀刻部明确区分。从而可形成具有均匀宽度及厚度的电极导线电路。因此，本发明透明导电玻璃或透明导电薄膜上的透明导电层，可以任何普通方式加以蚀刻加工，得到透明良好的电级。电极加工性差的透明导电膜蚀刻成电极时，包括电极的电路电阻部分增加或下降，这时电路中的绝缘面积将不能起绝缘作用，电路将损坏。而包括由本发明制得透明电极的电路则相反，不会有这些麻烦。
本发明的第一方面中，由包括前述3成分系的金属氧化物并含有正4价或以上的金属氧化物所得烧结产物形成的透明导电层，具有透光率为75％以上，因而具有高透明性。此外它具有的比电阻为5mΩ·cm以下，且功函数为5.45以上。使用这种透明导电层，本发明的透明导电玻璃或透明导电薄膜适于制造有机电致发光元件用透明电极。在本实施方案中，若正4价或以上金属氧化物的含量太高，则导电层的导电率会降低。因此，若需要该导电层维持较高的导电率时，它应具有一种层合结构，该结构包括前述3成分的金属氧化物的下层，和其上再层合含有由正4价或以上金属氧化物的上层。然后烧结该两层的层合物。得到具有优良导电性的透明导电层。且其功函数与适用于有机电致发光元件的有机化合物近乎相同。该导电层适于用于有机电致发光元件的电极。
在上述方式所得的本发明的第二方面的透明导电玻璃和透明导电薄膜中，透明导电层的金属氧化物组成与形成该导电层的烧结产物相同。此透明导电层的透明性，对波长500nm的透光率为75％以上。就此透明导电膜的导电性而言，其比电阻为5mΩ·cm以下。如上所述，此导电层的功函数较以往使用普通ITO膜更高，为5.45电子伏特以上。
在上述方式所得的本发明的第三方面的透明导电玻璃和透明导电薄膜中，透明导电层的金属氧化物组成与形成该导电层的烧结产物相同。此透明导电层的透明性，对波长500nm的透光率为70％以上。就此透明导电膜的导电性而言，其比电阻为5mΩ·cm以下。如上所述，此导电层的功函数较以往使用普通ITO膜更高，为5.4电子伏特以上。此值几乎与形成有机电致发光元件的发光层或空穴输送层的有机化合物的电离位能值相等。
在上述方式所得的本发明的第四方面的透明导电玻璃和透明导电薄膜中，透明导电层的金属氧化物组成与形成该导电层的烧结产物相同。此透明导电层的透明性，对波长500nm的透光率为70％以上。如上所述，此导电层的功函数较以往使用普通ITO膜更高，为5.4电子伏特以上。此值几乎与形成有机电致发光元件的发光层或空穴输送层的有机化合物的电离位能值相等。
因此，本发明的透明导电玻璃或透明导电薄膜，在各种显示装置，例如典型的有机电致发光元件中，极适合作为透明电极。
本发明将参考如下实施例作更详细的说明，但是本发明并不受这些实例的限制。
[本发明的第一方面]
[实施例I-1]
(1)烧结片的制造
使用氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并以下述金属原子比予以混合后馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎。
In/(In+Sn+Zn)＝0.50
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.25
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.25
将所得粉碎物造粒后，再加压成直径4英寸、厚5mm的片，再将其置入烧结炉中，进行1400℃、36小时的加压烧结。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.6g/cm3，且整体电阻为0.95mΩ·cm。
其次，此烧结片的结晶性经X射线分析而确认，烧结片内形成氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石构造的化合物的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述所得的烧结片，制作成直径4英寸、厚度5mm的溅镀靶。将其装于DC磁溅镀装置上，并于玻璃基板上成膜。
关于溅镀条件，周围环境是使用混有适量氧气的氩气环境，且溅镀压力为3×10-1Pa，最终真空度为5×10-4Pa，基板温度为25℃，导入能量为100W，成膜时间为14分钟。
在该透明玻璃上形成的透明导电膜，其厚度为1,200埃，且为非晶质。而此透明导电膜的透光率以分光光度测量，对500nm的光线测得为79％。以4探针法测定的透明导电膜的比电阻为0.36mΩ·cm，为导电较高的物质。功函数是以紫外线光电子光谱法予以测定。
(3)透明导电膜的加工性评估
将于上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，经由具有线状通透孔的掩膜曝光，涂布以保护层，并显像。并以盐酸水溶液蚀刻其上带图案的保护层的该膜。在此蚀刻处理的膜中，蚀刻部分与非蚀刻部分的界限部分，形成具有平滑倾斜表面。其后将与蚀刻溶液接触的膜部分除去，并未发现此接触面上残存有薄膜。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-2]
除将实施例I-1中(2)部分的溅镀时的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例I-1相同步骤制造透明导电玻璃。
所得透明导电玻璃上的透明导电膜的评估结果如表I-2所示。
[实施例I-3]
除将实施例I-1中(1)部分的透明基板所用的玻璃基板，以厚度为0.1mm的聚碳酸酯基板取代以外，其他皆与实施例I-1相同步骤制造透明导电玻璃。
在聚碳酸酯基板上形成的透明导电薄膜的评估结果如表I-2所示。
[实施例I-4]
(1)烧结片的制造
除使用氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并以下述金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Sn+Zn)＝0.50
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且整体电阻为0.98mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有由氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石构造的化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-5]
(1)烧结片的制造
除使用下述原子比的氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Sn+Zn)＝0.70
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.25
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且整体电阻为0.87mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，以In203·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石构造的化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-6]
(1)烧结片的制造
除使用下述原子比的氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Sn+Zn)＝0.60
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10
依此方法所得的烧结片，其密度为6.7g/cm3，且整体电阻为0.82mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石构造化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
上述(2)在透明玻璃基板上形成的透明导电膜的加工性，依实施例I-1的(3)相同方法进行评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-7]
(1)烧结片的制造
除使用下述原子比的氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并予以混合后，
In/(In+Sn+Zn)＝0.60
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10
再加入原子比例为
Ru/(In+Sn+Zn+Ru)＝0.02
的氧化钌粉末后再经混合外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.7g/cm3，且整体电阻为0.80mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石构造化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。表I-1中的金属氧化物组成栏中，Me表示Ru(后面也同样应用于Mo等)。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-8]
(1)烧结片的制造
除使用下述原子比的氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并予以混合后，
In/(In+Sn+Zn)＝0.60
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10
再加入原子比例为
Mo/(In+Sn+Zn+Mo)＝0.02
的氧化钼粉末后再经混合粉碎外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且整体电阻为0.94mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石构造化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-9]
(1)烧结片的制造
除使用氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并以下述原子比
In/(In+Sn+Zn)＝0.60
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10
予以混合后，再加入原子比例为
V/(In+Sn+Zn+V)＝0.02
的氧化钒粉末后再经混合粉碎外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且整体电阻为0.99mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石构造化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[比较例I-1]
(1)烧结片的制造
除将原料的氧化铟与氧化锌的粉末，以下述金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
依此方法所得的烧结片，其密度为6.75g/cm3，且整体电阻为2.74mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，和氧化铟-氧化锌的六方层状化合物的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
因烧结片的比电阻较大，故于溅镀时的稳定性差，因此到达预定膜厚度所需的成膜时间需要17分钟。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)所得的在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[比较例I-2]
(1)烧结片的制造
除将原料的氧化铟与氧化锡的粉末，以下述金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
依此方法所得的烧结片，其密度为6.71g/cm3，且整体电阻为0.69mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是为氧化铟的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)所得的玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[比较例I-3]
除将比较例2的(2)中溅镀时所使用的玻璃基板的温度调整为215℃以外，其他皆依比较例I-2相同步骤，制得透明导电玻璃。
所得玻璃基板上的透明导电膜的评估结果如表I-2所示。
表I-1(1)
Figure C200510079183D00291
表I-1(2)
Figure C200510079183D00292
表I-2(1)
 
实施例 薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)   电极加工性(蚀刻膜截面)
I-1 0.36 79 非晶质 5.11 平滑
I-2 0.34 79 非晶质 5.12 平滑
I-3 0.37 78 非晶质 5.12 平滑
I-4 0.24 80 非晶质 5.16 平滑
I-5 0.27 81 非晶质 5.18 平滑
I-6 0.29 80 非晶质 5.15 平滑
I-7 1.3 79 非晶质 5.49 平滑
I-8 3.5 78 非晶质 5.55 平滑
I-9 2.4 78 非晶质 5.57 平滑
表I-2(2)
 
比较例 薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)   电极加工性(加工部截面)
I-1 0.34 80 非晶质 5.18 平滑
I-2 0.42 80 微晶 4.97 粗糙
I-3 0.18 82 晶质 4.95 粗糙
[本发明的第二方面]
[实施例II-1]
(1)烧结片的制造
于作为原料的氧化铟粉末中，将具有下述金属原子比的氧化钌粉末混合后馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎。
Ru/(In+Ru)＝0.03
其次，将所得粉碎物造粒后，再加压成直径4英寸、厚5mm的片，将片置入烧结炉中，在1400℃进行的加压烧结36小时。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且整体电阻为0.80mΩ·cm。
此结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述所得的烧结片，制成直径4英寸、厚度5mm的溅镀靶。将靶装于DC磁溅镀装置上，对玻璃基板溅镀。
其溅镀条件为，周围环境是使用混有适量氧气的氩气，且溅镀压力为3×10-1Pa，最终真空度为5×10-4Pa，基板温度为25℃，加入电能为100W，成膜时间为14分钟。
依此方式所得的玻璃基板上的透明导电膜，其厚度为1,200埃，且为非晶质。而此透明导电膜对500nm的光线的透光率，以分光光度测得为79％。以4探针法测定的透明导电膜的比电阻为0.84mΩ·cm，导电性较高。功函数以紫外线电子光谱法测定的结果为5.51电子伏特。
此透明导电膜的评估结果如表II-2所示。
[实施例II-2]
(1)烧结片的制造
除将实施例II-1中作为原料的氧化钌改为具有下述金属原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Mo)＝0.07
所得烧结片的物性如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-3]
(1)烧结片的制造
除将实施例II-1中作为原料的氧化钌改为具有下述金属原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+V)＝0.07
所得烧结片的物性如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-4]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.83
Zn/(In+Zn)＝0.17
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Zn+Ru)＝0.020
其所得烧结片的物性如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-5]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Zn+Mo)＝0.020
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-6]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Zn+V)＝0.020
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-7]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.93
Zn/(In+Zn)＝0.07
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Zn+Ru)＝0.015
其所得烧结片的物性如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-8]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.90
Zn/(In+Zn)＝0.10
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Zn+Mo)＝0.050
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-9]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.90
Zn/(In+Zn)＝0.10
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Zn+V)＝0.070
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-10]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.80
Sn/(In+Sn)＝0.20
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Sn+Ru)＝0.030
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-11]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.80
Sn/(In+Sn)＝0.20
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Sn+Mo)＝0.070
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-12]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.80
Sn/(In+Sn)＝0.20
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Sn+V)＝0.050
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-13]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Sn+Ru)＝0.021
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-14]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Sn+Mo)＝0.020
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-15]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Sn+V)＝0.020
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-16]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.022
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-17]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.050
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-18]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡的粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.050
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-19]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡的粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.025
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-20]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡的粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.035
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-21]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡的粉末以下述金属原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03
其后，再于其中加入下述金属原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.035
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-22]
将按实施例II-4的(1)相同方法制得的烧结片作为靶，除将实施例II-4(2)中溅镀的玻璃基板温度加热至215℃以进行溅镀外，其他皆与实施例II-4相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性，按实施例II-1的(2)相同方法进行评估，其结果如表II-2所示。
[实施例II-23]
将按实施例II-10的(1)相同方法制得的烧结片作为靶，除将实施例II-10(2)中溅镀时的玻璃基板温度加热至215℃以进行溅镀外，其他皆与实施例II-10相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性，按实施例II-1的(2)相同方法进行评估，其结果如表II-2所示。
[实施例II-24]
将按实施例II-10的(1)相同方法制得的烧结片作为靶，除将实施例II-10(2)中溅镀时添加2重量％水以进行溅镀以外，其他皆与实施例II-10相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性，按实施例II-1的(2)相同方法进行评估，其结果如表II-2所示。
将如此方式制得的透明导电膜，于215℃下退火1小时，并测量其物性。发现退火前后的物性并未有变化。
[实施例II-25]
将按实施例II-4的(1)相同方法制得的烧结片作为靶，除将实施例II-4(2)中作为透明基板的玻璃基板以0.1mm的聚碳酸酯基板的透明基板取代以外，其他皆与实施例II-4相同步骤制造透明导电膜。
在聚碳酸酯基板上形成的透明导电膜的物性，按实施例II-1的(2)相同方法进行评估，其结果如表II-2所示。
[比较例II-1]
除原料只使用具有下述金属原子比的氧化铟粉末与氧化锌粉末混合所得的混合物，
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
不再添加任何附加成分氧化钌等，按实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结产物，再由烧结产物生产出靶。并按实施例II-1的(2)相同步骤形成透明导电膜。
形成于玻璃基板上的透明导电膜的物性测定结果如表II-2所示。
[比较例II-2]
除原料使用具有下述金属原子比的氧化铟粉末与氧化锡粉末混合所得的混合物，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
不再添加任何附加成分氧化钌等，按实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片，再由烧结片形成溅射靶。使用这样生产的靶，并于溅镀时将玻璃基板的温度加热至215℃以进行溅镀以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制得透明导电玻璃。
形成于玻璃基板上的透明导电膜的物性测定结果如表II-2所示。
表II-1(1)
 
II-1 II-2 II-3 II-4 II-5 II-6 II-7
In/(In+Zn+Sn) 1.00 1.00 1.00 0.83 0.85 0.85 0.93
Zn/(In+Zn+Sn) - - - 0.17 0.15 0.15 0.07
Sn/(In+Zn+Sn) - - - - - - -
Ru/(In+Zn+Sn+Ru) 0.030 - - 0.020 - - 0.015
Mo/(In+Zn+Sn+Mo) - 0.070 - - 0.020 - -
V/(In+Zn+Sn+V) - - 0.050 - - 0.020 -
烧结片密度(g/cm<sup>3</sup>)    6.81 6.78 6.76 6.81 6.90 6.70 6.75
整体电阻(mΩ·cm) 0.80 0.88 0.95 0.95 2.74 1.72 0.95
表II-1(2)
 
实施例 II-8 II-9 II-10 II-11 II-12 II-13 II-14
In/(In+Zn+Sn) 0.90 0.90 0.80 0.80 0.80 0.90 0.90
Zn/(In+Zn+Sn) 0.10 0.10 - - - - -
Sn/(In+Zn+Sn) - - 0.20 0.20 0.20 0.20 0.10
Ru/(In+Zn+Sn+Ru) - - 0.030 - - 0.021 -
Mo/(In+Zn+Sn+Mo) 0.050 - - 0.070 - - 0.020
V/(In+Zn+Sn+V) - 0.070 - - 0.050 - -
烧结片密度(g/cm3)    6.85 6.68 6.72 6.76 6.56 6.81 6.85
整体电阻(mΩ·cm) 1.85 4.85 0.74 0.92 1.92 0.79 0.93
表II-1(3)
 
实施例 II-15 II-16 II-17 II-18 II-19 II-20 II-21
In/(In+Zn+Sn) 0.90 0.80 0.80 0.80 0.90 0.90 0.90
Zn/(In+Zn+Sn) - 0.10 0.10 0.10 0.07 0.07 0.07
Sn/(In+Zn+Sn) 0.10 0.10 0.10 0.10 0.03 0.03 0.03
Ru/(In+Zn+Sn+Ru) - 0.022 - - 0.025 - -
Mo/(In+Zn+Sn+Mo) - - 0.050 - - 0.035 -
V/(In+Zn+Sn+V) 0.020 - - 0.050 - - 0.035
烧结片密度(g/cm<sup>3</sup>)    6.55 6.74 6.78 6.57 6.71 6.78 6.58
整体电阻(mΩ·cm) 1.93 0.92 1.85 1.85 0.98 1.98 1.98
表II-2(1)
 
实施例 薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)  
II-1 0.84 79 微晶质 5.51
II-2 1.51 80 微晶质 5.48
II-3 4.10 79 微晶质 5.49
II-4 1.70 79 非晶质 5.52
II-5 2.80 76 非晶质 5.46
II-6 3.70 79 非晶质 5.47
II-7 1.20 79 非晶质 5.45
II-8 2.10 77 非晶质 5.48
II-9 3.12 80 非晶质 5.50
II-10 0.70 81 微晶质 5.52
表II-2(2)
 
实施例 薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)  
II-11 1.47 78 微晶质 5.50
II-12 3.74 80 微晶质 5.48
II-13 0.71 80 微晶质 5.47
II-14 1.56 76 微晶质 5.46
II-15 2.65 78 微晶质 5.47
II-16 0.65 78 非晶质 5.54
II-17 2.56 74 非晶质 5.48
II-18 3.62 76 非晶质 5.49
II-19 0.72 79 非晶质 5.55
II-20 1.27 76 非晶质 5.50
表II-2(3)
 
实施例(比较例) 薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)  
II-21 4.27 75 非晶质 5.51
II-22 1.40 80 非晶质 5.53
II-23 0.71 81 结晶质 5.52
II-24 0.84 80 非晶质 5.51
II-25 1.70 78 非晶质 5.51
(II-1) 0.34 80 非晶质 5.18
(II-2) 0.18 82 结晶质 4.97
[本发明的第三方面]
[实施例III-1]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料的氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.04
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
将上述(1)所得透明导电材料的粉末造粒后，将其加压成形成直径4英寸、厚5mm的片。将烧结片置于烧结炉中，于1400℃下，进行36小时的加压烧结。
依此方法所得之的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且整体电阻为0.98mΩ·cm。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
将上述(2)所得的烧结片，制作直径4英寸、厚度5mm的溅镀靶。将该靶装于DC磁溅镀装置上，溅镀到玻璃基板上制膜。
其溅镀条件中，周围环境是使用混有适量氧气的氩气环境，且溅镀压力为3×10-1Pa，最终真空度为5×10-4Pa，基板温度为25℃，施加能量为80W，成膜时间为14分钟。
依此方式所得的透明导电玻璃上的透明导电膜，其厚度为1,200埃，且为非晶质。而此透明导电膜的透光率以分光光度计对500nm的光线测定所得结果，为81％。以4探针法测定此透明导电膜的比电阻为1.2mΩ·cm，导电性较高。功函数以紫外线电子分光法测定的结果为5.46电子伏特。
此透明导电膜的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-2]
(1)透明导电玻璃的制造
使用与实施例III-1相同的溅镀靶，除将溅镀条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例III-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
该玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-3]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.70
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.30
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.08
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-4]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.25
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.75
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.05
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-5]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化铱粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.04
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-6]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化锌粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.80
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.05
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-7]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.06
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-8]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.05
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.90
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.05
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.06
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-9]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化铱粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.85
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.15
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.06
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-10]
(1)透明导电玻璃的制造
使用与实施例III-9相同的溅镀靶，除将溅镀条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例III-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电玻璃的透明导电膜的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-11]
(1)透明导电薄膜的制造
使用与实施例III-10相同的溅镀靶，除将作为基板的玻璃基板以聚碳酸酯树脂的透明树脂膜取代以外，其他皆与实施例III-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电薄膜上的透明导电膜的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-12]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化铼粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
及，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.04
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-13]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化铼粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.85
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.15
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00
及，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.06
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-14]
(1)透明导电薄膜的制造
使用与实施例III-13相同的溅镀靶，除将作为基板的玻璃基板以聚碳酸酯树脂的透明树脂膜取代以外，其他皆与实施例III-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电薄膜上的透明导电膜的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-15]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末、氧化锡粉末及氧化铼粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
及，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.05
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-16]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化钯粉末，以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00
及，
Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.05
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[比较例III-1]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[比较例III-2]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锡粉末以下述金属原子比予以混合后，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的粉末。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片，且玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
表III—1(1)
 
实施例 III-1 III-3 III-4 III-5 III-6 III-7 III-8
In/(In+Zn+Sn) 0.90 0.70 0.25 1.0 - 0.80 0.05
Zn/(In+Zn+Sn) - - - - 0.20 0.10 0.90
Sn/(In+Zn+Sn) 0.10 0.30 0.75 - 0.80 0.10 0.05
Ir/(In+Zn+Sn+Ir) 0.04 0.08 0.05 0.04 0.05 0.06 0.06
Re/(In+Zn+Sn+Re) - - - - - - -
Pd/(In+Zn+Sn+Pd) - - - - - - -
烧结片密度(g/cm3) 6.8 6.6 6.3 6.7 6.2 6.8 5.8
整体电阻(mΩ·cm) 0.98 1.4 4.7 0.92 8.9 0.95 8.9
表III—1(2)
 
实施例(比较例) III-9 III-11   III-12   III-13   III-16   (III-1)  (III-2) 
In/(In+Zn+Sn) 0.85 0.90 0.85 0.80 0.80 0.85 0.90
Zn/(In+Zn+Sn) 0.15 - 0.15 0.10 0.20 0.15 -
Sn/(In+Zn+Sn) - 0.10 - 0.10 - - 0.10
Ir/(In+Zn+Sn+Ir) 0.06 - - - - - -
Re/(In+Zn+Sn+Re) - 0.04 0.06 0.05 - - -
Pd/(In+Zn+Sn+Pd) - - - - 0.05 - -
烧结片密度(g/cm<sup>3</sup>) 6.8 6.7 6.8 6.3 6.48 6.9 6.71
整体电阻(mΩ·cm) 1.0 0.85 0.94 0.73 3.4 2.4 0.69
表III—2(1)
 
实施例 基板温度(℃)     薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)  
III-1 25 1.2 81 非晶质 5.46
III-2 215 0.52 82 微晶质 5.45
III-3 25 1.7 82 非晶质 5.47
III-4 25 3.8 81 非晶质 5.48
III-5 25 0.80 80 非晶质 5.45
III-6 25 450 80 非晶质 5.46
III-7 25 1.1 81 非晶质 5.54
III-8 25 8.8 78 非晶质 5.48
III-9 25 1.3 82 非晶质 5.54
表III—2(2)
 
实施例(比较例) 基板温度(℃)     薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)  
III-10 215 0.56 80 非晶质 5.49
III-11 25 0.45 82 非晶质 5.45
III-12 25 0.64 81 非晶质 5.48
III-13 25 0.55 82 非晶质 5.47
III-14 25 1.3 82 非晶质 5.54
III-15 25 0.64 81 非晶质 5.48
III-16 25 360 76 非晶质 5.61
(III-1) 25 0.32 80 非晶质 5.18
(III-2) 215 0.18 82 结晶质 4.95
[本发明的第四方面]
[实施例IV-1]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钒的粉末，以下述金属原子比予以混合后，
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.80
In/(Sn+In+Zn)＝0.00
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.20
及，
V/(Sn+In+Zn+V)＝0.04
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合粉碎，制得透明导电材料的原料粉末。
所得透明导电材料的金属原子比如表IV-1所示。
(2)烧结片的制造
将上述(1)所得透明导电材料的原料粉末造粒后，将其加压成形成直径4英寸、厚5mm的片。将其置入烧结炉中，于1400℃下，进行36小时的加压烧结。
依此方法所得之的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且整体电阻为6.5mΩ·cm。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
将上述(2)所得的烧结片，制作直径4英寸、厚度5mm的溅镀靶[A]。将该靶装于DC磁溅镀装置上，溅镀到玻璃基板上制膜。
其溅镀条件中，周围环境是使用混有适量氧气的氩气环境，且溅镀压力为3×10-1Pa，最终真空度为5×10-4Pa，基板温度为25℃，施加能量为100W，成膜时间为14分钟。
依此方式所得的透明导电玻璃上的透明导电膜，其厚度为1,200埃，且为非晶质。而此透明导电膜的透光率以分光光度计对500nm的光线测定所得结果，为80％。以4探针法测定此透明导电膜的比电阻为1,000mΩ·cm，导电性较高。功函数以紫外线电子分光法测定的结果为5.50电子伏特。
此透明导电膜的评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-2]
(1)透明导电玻璃的制造
使用与实施例IV-1相同的溅镀靶[A]，除将溅镀条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
该玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-3]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钒的粉末以表IV-1所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[B]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-4]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钒的粉末以表IV-1所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[C]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-5]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟及氧化钒的粉末以表IV-1所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[D]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-6]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡及氧化钒的粉末以表IV-1所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[E]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-7]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钒的粉末以表IV-1所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[F]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-8]
(1)透明导电薄膜的制造
将作为基板的玻璃以透明聚碳酸酯薄膜取代，并使用实施例IV-7所得的溅镀靶[F]制造透明导电薄膜。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-9]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钒的粉末以表IV-1所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[G]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所形成的透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[比较例IV-1]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化铟与氧化锌的粉末以表IV-1所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[H]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[比较例IV-2]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡与氧化铟的粉末以表IV-1所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[I]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所形成的透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[比较例IV-3]
(1)透明导电玻璃的制造
除使用比较例IV-1所制得的溅镀靶[H]，并将溅镀时玻璃基板的温度调整至215℃以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[比较例IV-4]
(1)透明导电玻璃的制造
除使用比较例IV-2所制得的溅镀靶[I]，并将溅镀时玻璃基板的温度调整至215℃以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
表IV—2
 
实施例(比较例) 靶号码 基板温度(℃)     薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)  
IV-1 [A] 25 1000 80 非晶质 5.50
IV-2 [A] 215 1000 81 结晶质 5.51
IV-3 [B] 25 700 80 非晶质 5.49
IV-4 [C] 25 3 81 非晶质 5.48
IV-5 [D] 25 5 80 非晶质 5.47
IV-6 [E] 25 4 81 非晶质 5.46
IV-7 [F] 25 1 82 非晶质 5.48
IV-8 [F] 25 1 82 非晶质 5.48
IV-9 [G] 25 2 81 非晶质 5.48
(Iv-1) [H] 25 0.34 80 非晶质 5.18
(IV-2) [I] 25 0.42 80 微晶质 4.97
(IV-3) [H] 215 0.32 80 非晶质 5.18
(IV-4) [I] 215 0.18 82 结晶质 4.95
[实施例IV-10]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钼的粉末以表IV-3所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[J]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-11]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钼的粉末以表IV-3所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[K]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-12]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟及氧化钼的粉末以表IV-3所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[L]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-13]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钼的粉末以表IV-3所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[M]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-14]
(1)透明导电玻璃的制造
使用实施例IV-13制作所得的溅镀靶[M]，除将溅镀条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-15]
(1)透明导电薄膜的制造
除将作为基板的玻璃基板以透明聚碳酸酯薄膜取代，并使用实施例IV-13制作所得的溅镀靶[M]以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电薄膜。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-16]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钼的粉末以表IV-3所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[N]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
表IV—3
 
实施例 IV-10 IV-11 IV-12 IV-13 IV-16
Sn/(Sn+In+Zn) 0.80 0.95 0.80 0.80 0.80
In/(Sn+In+Zn) - - 0.20 0.10 0.15
Zn/(Sn+In+Zn) 0.20 0.05 - 0.10 0.05
Mo/(Sn+In+Zn+Mo) 0.04 0.032 0.03 0.05 0.04
烧结片密度(g/cm<sup>3</sup>) 6.7 6.5 6.7 6.8 6.7
整体电阻(mΩ·cm) 5.3 4.9 5.2 3.6 3.8
靶号码 [J] [K] [L] [M] [N]
表IV—4
 
实施例 靶号码 基板温度(℃)     薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)  
IV-10 [J] 25 850 80 非晶质 5.47
IV-11 [K] 25 650 81 结晶质 5.49
IV-12 [L] 25 8 80 非晶质 5.49
IV-13 [M] 25 1 81 非晶质 5.48
IV-14 [M] 215 0.8 80 非晶质 5.47
IV-15 [M] 25 1 81 非晶质 5.48
IV-16 [N] 25 2 81 非晶质 5.46
[实施例IV-17]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钌的粉末以表IV-5所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[0]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-18]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钌的粉末以表IV-5所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[P]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-19]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟及氧化钌的粉末以表IV-5所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[Q]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-20]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钌的粉末以表IV-5所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[R]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-21]
(1)透明导电玻璃的制造
使用实施例IV-20制作所得的溅镀靶[R]，除将溅镀条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-22]
(1)透明导电薄膜的制造
除将作为基板的玻璃基板以透明聚碳酸酯薄膜取代，并使用实施例IV-20制作所得的溅镀靶[R]以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电薄膜。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-23]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钌的粉末以表IV-5所示金属原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅镀靶[S]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
表IV—5
 
实施例 IV-17 IV-18 IV-19 IV-20 IV-23
Sn/(Sn+In+Zn) 0.80 0.95 0.80 0.80 0.80
In/(Sn+In+Zn) - - 0.20 0.10 0.15
Zn/(Sn+In+Zn) 0.20 0.05 - 0.10 0.05
Ru/(Sn+In+Zn+Ru) 0.04 0.032 0.03 0.05 0.04
烧结片密度(g/cm<sup>3</sup>) 6.5 6.4 6.6 6.7 6.7
整体电阻(mΩ·cm) 4.2 5.6 4.25 3.4 3.6
靶号码 [0] [P] [Q] [R] [S]
表IV—6
 
实施例 靶号码 基板温度(℃)     薄膜的比电阻(mΩ·cm)    透光率(％)   结晶性 功函数(eV)  
IV-17 [0] 25 45 81 非晶质 5.51
IV-18 [P] 25 42 82 结晶质 5.48
IV-19 [Q] 25 6 81 非晶质 5.47
IV-20 [R] 25 2 80 非晶质 5.52
IV-21 [R] 215 1 82 非晶质 5.49
IV-22 [R] 25 2 80 非晶质 5.52
IV-23 [S] 25 2 81 非晶质 5.51
[产业上的利用性]
如上所述，本发明提供用于以稳定而有效方式形成透明导电膜的烧结产物、该烧结产物的溅镀靶及从这类靶制成的透明导电玻璃和导电膜。这类导电玻璃和导电膜制成的电极具有良好的透明度，导电性和加工性，因此适于在有机电致发光元件中用作透明电极，以实现其中的良好空穴注入效率。

Claims (8)

1.一种组合物的烧结产物，该组合物含有氧化铟、或氧化铟与氧化锌及/或氧化锡，其原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00，
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
2.一种溅射靶，其包含权利要求1的烧结产物。
3.一种电子集束靶，其包含权利要求1的烧结产物。
4.一种离子喷镀靶，其包括权利要求1的烧结产物。
5.一种透明导电玻璃，其通过在玻璃表面涂覆一种组合物的透明导电膜来制备，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，其原子比为：
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00，
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
6.权利要求5的透明导电玻璃，其具有为至少75％的透光率，比电阻为最高5mΩ·cm，且透明导电膜的功函数为至少5.45电子伏特。
7.一种透明导电膜，其通过在透明树脂膜的表面涂覆透明导电层来制备，该透明导电层含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，其原子比为：
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00，
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
8.权利要求7的透明导电膜，其具有为至少75％的透光率，比电阻为最高5mΩ·cm，且透明导电层的功函数为至少5.45电子伏特。
CNB2005100791831A 1998-08-31 1999-08-19 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜 Expired - Fee Related CN100513353C (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP245322/98 1998-08-31
JP24532298A JP4233641B2 (ja) 1998-08-31 1998-08-31 透明導電膜用ターゲットおよび透明導電ガラスならびに透明導電フィルム
JP251200/98 1998-09-04
JP5046/99 1999-01-12
JP58384/99 1999-03-05

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB998019828A Division CN1281544C (zh) 1998-08-31 1999-08-19 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1699262A CN1699262A (zh) 2005-11-23
CN100513353C true CN100513353C (zh) 2009-07-15

Family

ID=17131946

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100791831A Expired - Fee Related CN100513353C (zh) 1998-08-31 1999-08-19 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜
CNB2006101219187A Expired - Fee Related CN100480210C (zh) 1998-08-31 1999-08-19 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101219187A Expired - Fee Related CN100480210C (zh) 1998-08-31 1999-08-19 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4233641B2 (zh)
CN (2) CN100513353C (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1233082B1 (en) * 1999-11-25 2009-01-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target, transparent conductive oxide, and method for preparing sputtering target
JP4906027B2 (ja) * 2003-04-01 2012-03-28 日立マクセル株式会社 複合化酸化インジウム粒子およびその製造方法、ならびに導電性塗料、導電性塗膜および導電性シート
JP4933756B2 (ja) * 2005-09-01 2012-05-16 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
CN103469167A (zh) 2005-09-01 2013-12-25 出光兴产株式会社 溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法
JP4947942B2 (ja) * 2005-09-20 2012-06-06 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
JP4804867B2 (ja) * 2005-10-18 2011-11-02 出光興産株式会社 透明導電膜、透明電極、電極基板及びその製造方法
JP4846726B2 (ja) * 2005-09-20 2011-12-28 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極
JP4552950B2 (ja) * 2006-03-15 2010-09-29 住友金属鉱山株式会社 ターゲット用酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜
JP5000937B2 (ja) 2006-06-30 2012-08-15 三菱電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP4156021B1 (ja) 2008-01-29 2008-09-24 Ｆｃｍ株式会社 電極基板
CN102216237B (zh) * 2008-11-20 2015-05-13 出光兴产株式会社 ZnO-SnO2-In2O3类氧化物烧结体及非晶质透明导电膜
KR20120031185A (ko) * 2009-06-30 2012-03-30 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 투명 도전막
JP2013533378A (ja) * 2010-06-04 2013-08-22 アドヴァンスド・ナノ・プロダクツ・カンパニー・リミテッド 透明導電膜、透明導電膜用ターゲット及び透明導電膜用ターゲットの製造方法
JP2012031521A (ja) * 2011-09-12 2012-02-16 Idemitsu Kosan Co Ltd スパッタリングターゲット及び透明導電膜
CN104649664A (zh) * 2013-11-21 2015-05-27 青岛润鑫伟业科贸有限公司 一种二氧化钼导电陶瓷材料
TWI720188B (zh) * 2016-04-26 2021-03-01 日商出光興產股份有限公司 氧化物燒結體、濺鍍靶及氧化物半導體膜

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997001853A1 (fr) * 1995-06-28 1997-01-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Stratifie transparent conducteur et ecran tactile realise a partir dudit stratifie

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1029655C (zh) * 1992-07-31 1995-08-30 中国科学院上海硅酸盐研究所 长期工作于高温下的透明导电薄膜电加热器
US5763091A (en) * 1994-10-27 1998-06-09 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Electroconductive substrate and method for forming the same
CN1174487A (zh) * 1996-08-21 1998-02-25 无锡市现代技术发展公司 透明电热膜元件的制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997001853A1 (fr) * 1995-06-28 1997-01-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Stratifie transparent conducteur et ecran tactile realise a partir dudit stratifie

Also Published As

Publication number Publication date
CN1699262A (zh) 2005-11-23
JP2000072537A (ja) 2000-03-07
CN100480210C (zh) 2009-04-22
CN1915898A (zh) 2007-02-21
JP4233641B2 (ja) 2009-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100622168B1 (ko) 투명 도전막용 타겟, 투명 도전 재료, 투명 도전 유리 및투명 도전 필름
CN100513353C (zh) 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜
CN101460651B (zh) 透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材
US6998070B2 (en) Sputtering target and transparent conductive film
US7674404B2 (en) Gallium oxide/zinc oxide sputtering target, method of forming transparent conductive film and transparent conductive film
CN102216237B (zh) ZnO-SnO2-In2O3类氧化物烧结体及非晶质透明导电膜
EP1897969B1 (en) Gallium oxide-zinc oxide sputtering target and method for forming a transparent conductive film using the target
KR101184353B1 (ko) 투명도전막, 투명도전막 제조용 소결체 타겟, 투명도전성기재 및 이를 이용한 표시 디바이스
KR20070088246A (ko) 투명도전막 제조용 소결체 타겟 및 이를 이용하여 제조되는투명도전막 및 이 도전막을 형성하여 이루어지는투명도전성 기재
JP5170009B2 (ja) 酸化インジウム系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN101426948A (zh) ZnO蒸镀材料及由其形成的ZnO膜
KR20090122233A (ko) 투명 도전막 및 그의 제조 방법, 및 그 제조에 사용되는 스퍼터링 타겟
JP2002363732A (ja) 透明導電膜の製造方法および透明導電膜付き透明基板
JP6064895B2 (ja) 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法
KR102646917B1 (ko) 몰리브덴 산화물계 소결체, 상기 소결체를 이용한 박막, 상기 박막을 포함하는 박막트랜지스터 및 디스플레이 장치
JP5954620B2 (ja) 透明酸化物膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
KR100596017B1 (ko) 투명도전막 및 그 제조방법
TW202315852A (zh) 氧化鉬基燒結體、濺鍍靶材、使用燒結體的氧化物薄膜、包含薄膜的薄膜電晶體及顯示裝置
KR20110035239A (ko) 도핑된 산화아연, 산화주석을 이용한 고밀도, 고전도성 산화인듐-산화아연-산화주석 타겟 조성물 및 그 제조 방법
WO2013042747A1 (ja) 酸化物焼結体およびその製造方法並びに酸化物透明導電膜

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090715

Termination date: 20160819