KR100596017B1 - 투명도전막 및 그 제조방법 - Google Patents

투명도전막 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

투명도전막의 재료로 사용되는 소결체, 소결체로 제조되는 투명도전막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 산화 아연, 산화 알루미늄 및 산화 갈륨의 각 성분을, 그의 금속 원자비에 있어서, ZnO/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.60 내지 0.99, Al2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.01 내지 0.30, Ga2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.001 내지 0.10 의 비율로 화합물을 함유하는 소결체로써 형성되는 투명도전막 및 그 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 상기 소결체를 유리표면 또는 투명수지필름표면 등에 피복함에 의해 도전성 및 광투과율이 우수한 투명도전막이 형성되어 플라스마 디스플레이 페널(PDP), 액정 디스플레이(LCD) 소자, 발광 다이오드 소자(LED), 유기 전자 발광소자(EL) 또는 태양전지 디스플레이 등의 전극으로 사용가능하다는 이점이 있다.
투명 도전막 소결체 도전성 광선투과율

Description

투명도전막 및 그 제조방법{transparent conductive film and their manufacturing method}
도1 - 본 발명에 따른 투명도전막의 X-선 회절무늬를 나타낸 도.
도2 - 투명도전막의 투과도를 나타낸도.
본 발명은 투명도전막의 재료로 사용되는 소결체, 소결체로 제조되는 투명도전막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 스퍼터링법 등에서의 막 형성 시의 안정성과 생산성이 좋은 투명 도전막 재료의 소결체와, 그 소결체로 이루어진 스퍼터링용 타겟 및 이 타겟을 사용하여 형성된 막의 투명성이나 도전성, 전극 가공성이 좋아 투명 전극의 제조에 적합한 투명도전 유리 및 투명 도전 필름 등의 투명도전막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 투명도전막은 플라스마 디스플레이 페널(PDP), 액정 디스플레이(LCD) 소자, 발광 다이오드 소자(LED), 유기 전자 발광소자(EL) 또는 태양전지 디스플레이 등에 사용된다.
투명 도전성막은 높은 도전성(예를들면, 1x10-3Ωcm 이하의 비저항)과 가시광영역에서 높은 투과율을 가지기 때문에 태양전지, 액정표시소자, 플라즈마 디스플레이 페널, 그 이외의 각종 수광소자와 발광소자의 전극으로 이용되는 것 이외에 자동차 창유리나 건축물의 창유리등에 쓰이는 열선 반사막, 대전 방지막 냉동쇼케이스 등의 투명 발열체로 사용되고 있다.
투명 도전성 박막으로는 안티몬이나 불소가 도핑된 산화주석(SnO2)막 알루미늄이나 칼륨이 도핑된 산화 아연(ZnO)막, 주석이 도핑된 산화인듐(In2O3)막 등이 광범위하게 이용되고 있다.
특히, 주석이 도핑된 산화 인듐막, 즉 In2O3-Sn계의 막은 ITO(Indium tin oxide)막이라고 불리워지고, 저 저항의 막을 쉽게 얻을수 있기 때문에 많이 이용되고 있다.
ITO의 경우 제반 물성이 우수하고 현재까지 공정 투입의 경험이 많은 장점을 가지고 있지만, 산화인듐(In2O3)은 아연(Zn) 광산 등에서 부산물로 생산되기 때문에 수급이 불안정하고 가격적인 면에서 매우 고가이기 때문에 보다 범용의 저가 소재 개발이 필수적이다.
이와같은 요구에 따라서 산화인듐의 함유량을 줄이기 위하여 산화 아연-산화 주석 화합물 혹은 산화 인듐-산화 주석-산화 아연 화합물 등에 대한 연구가 많이 이루어지고 있으며, 알루미늄을 첨가한 산화아연(AZO)도 높은 전도도를 가지고 있 다고 알려져 있으나, 아직까지 전도도나 투명도에 있어서 ITO의 특성에 이르지 못하고 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래기술들의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 산화 아연, 산화 알루미늄 및 산화 갈륨 등을 특정 비율로 함유하는 화합물의 소결체를 투명 도전 재료에 사용함에 의해 스퍼터링법 등에 의한 막 형성 조작을 안정하고도 생산성이 좋게 실행할 수 있는 금속 산화물의 소결체로 형성되는 투명도전막 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그리고, 상기 소결체로 이루어진 타겟 및 해당 타겟에 의해 형성된 막의 투명성이나 도전성, 전극 가공성이 좋은 투명 도전 유리 및 투명 도전 필름 등의 투명도전막 및 그 제조방법을 제공하는 것을 또한 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 산화 아연, 산화 알루미늄 및 산화 갈륨의 각 성분을, 그의 금속 원자비에 있어서, ZnO/(ZnO+Al2O3+Ga2O3 )=0.60 내지 0.99, Al2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.01 내지 0.30, Ga2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.001 내지 0.10의 비율로 화합물을 함유하는 소결체로써 형성됨을 특징으로 하는 투명도전막을 기술적 요지로 한다.
여기서, 상기 소결체는 비저항 값이 1Ω·cm 미만이 되고, 상기 소결체는, 소결체의 분모항에 있는 ZnO+Al2O3+Ga2O3 화합물의 전 금속 원자에 대하여 +3가의 금 속 산화물인 산화 인듐(In2O3), +4가의 금속산화물인 산화 규소(SiO2), 산화 주석(SnO2)으로 구성된 그룹 중 적어도 하나 이상이 첨가되고, 상기 소결체는 스퍼터링(sputtering)용 타겟, 전자빔용 타겟, 이온도금용 타겟으로 사용되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 소결체는 유리표면 또는 투명수지필름표면에 피복되고, 광선투과율이 75%이상이고, 비저항이 5mΩ·cm 이하가 되는 것이 바람직하다.
본 발명은 아연화합물(ZnO)을 제2원소인 산화 알루미늄(Al2O3) 및 산화 갈륨(Ga2O3)과 혼합하되, 제2원소/(ZnO+제2원소)의 원자비가 0.4이하가 되도록 혼합하여, 800℃ 내지 1500℃에서 소성하여, ZnO/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.60 내지 0.99, Al2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.01 내지 0.30, Ga2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.001 내지 0.10의 비율로 화합물을 함유하는 소결체를 형성시키고, 상기 소결체를 타겟으로 이용하여 기판표면에 피복되어 형성됨을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법을 기술적 요지로 한다.
여기서, 상기 제2원소는 산화 인듐(In2O3), 산화 규소(SiO2), 산화 주석(SnO2)으로 구성된 그룹 중 적어도 하나 이상이 포함되고, 상기 소결체는 스퍼터링용 타겟, 전자빔용 타겟, 이온도금용 타겟 중 하나로 사용되고, 상기 소결체는 유리표면 또는 투명수지필름에 피복되는 것이 바람직하다.
본 발명은 아연화합물(ZnO)을 제2원소인 산화 알루미늄(Al2O3) 및 산화 갈륨(Ga2O3)과 혼합하되, 제2원소/(ZnO+제2원소)의 원자비가 0.4이하가 되도록 혼합하여 도포용액을 조제하여 300℃ 내지 600℃로 소성하여, ZnO/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.60 내지 0.99, Al2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.01 내지 0.30, Ga2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.001 내지 0.10의 비율로 화합물을 함유하는 소결체를 형성시키고 이를 환원처리해서 주요양이온원소로서 산화아연을 함유하는 산화물로 이루어지도록 함을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법을 기술적 요지로 한다.
여기서, 상기 아연화합물이 아연의 카르복시산염, 무기아연화합물, 아연알콕시드로된 군으로부터 선택된 적어도 1종이 되는 것이 바람직하다.
이에 따라, 도전성 및 광투과율이 우수한 투명도전막이 형성되어 플라스마 디스플레이 페널(PDP), 액정 디스플레이(LCD) 소자, 발광 다이오드 소자(LED), 유기 전자 발광소자(EL) 또는 태양전지 디스플레이 등에 사용가능하다는 이점이 있다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명을 상세히 설명한다.
도1은 본 발명에 따른 투명도전막의 X-선 회절무늬를 나타낸도이고, 도2는 투명도전막의 투과도를 나타낸도이다.
이하에서는 본 발명의 실시 형태를 설명한다.
(1) 소결체의 제조
본 발명의 소결체는, 투명 도전막의 막 형성에 사용되는 투명 도전 재료이며, 그 기본적인 구성 성분은, 산화 아연, 산화 알루미늄 및 산화 갈륨의 각 성분으로 이루어진 것이다.
그리고, 이들 각 성분은, 그 조성 비율이 원자비에 있어서,
ZnO/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.60 내지 0.99
Al2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.01 내지 0.30
Ga2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.001 내지 0.10의 조성을 갖는 것이다.
본 발명에 있어서, 그 구성 성분인 산화 아연, 산화 알루미늄 및 산화 갈륨의 조성을 상기 한 바와 같이 하는 것은, 산화 아연, 산화 알루미늄의 혼합물은 높은 투명도를 가지고 있으나 충분한 전도도를 가지지 못하기 때문에 산화 아연, 산화 알루미늄의 혼합물에 산화 갈륨을 소량 첨가하면 전도도에 있어서 개선이 이루어진다.
산화아연에 산화 아루미늄 혹은 산화 아연에 산화 갈륨을 각각 첨가한 경우 소결체의 온도를 변화 하면서 전도도를 측정하였을때, 온도가 증가하면 비저항이 작아지는 반도체적 특성이 나타나지만, 산화 아연에 산화 알루미늄 산화 갈륨을 동시에 첨가하였을 경우 상온 근처에서는 온도가 증가하면 비저항이 커지는 금속특성을 나타내었다.
이와 같은 구성 성분으로 이루어진 본 발명의 소결체는, 전술한 대로 도전율이 높고, 비저항 값이 1Ω·cm 미만인 것이다. 따라서, 이 소결체를 스퍼터링 장치 등의 타겟으로 사용하여 막을 형성하면 안정성이 높고, 막 형성 제품의 생산성이 좋아진다.
또한, 상기의 산화 아연, 산화 알루미늄 및 산화 갈륨의 각 성분에 대하여, +3가의 금속 산화물인 산화 인듐(In2O3), +4가의 금속산화물인 산화 규소(SiO2 ), 산화 주석(SnO2) 중 하나 이상의 물질을 이들 금속의 전 금속 원자에 대하여 0.1 내지 10원자%로 함유시킨 소결체를 형성하였는 바, 함유하지 않은 소결체에 비하여 투명 도와 전도도에 있어서 다소 개선이 있으면서 소결온도가 낮을때에도 전도도가 유지되는 특성이 있었다.
따라서, 이 소결체로 이루어진 스퍼터링용 타겟 등을 사용하여 막을 제조한 투명 도전막은, 막의 형성 온도를 감소시키게 된다.
다음으로, 본 발명의 소결체를 제조하는 방법에 있어서는, 상기 각 금속 산화물의 분말을, 혼합 분쇄기, 예를 들면 습식 볼 밀(ball mill)이나 비즈 밀(beads mill), 초음파등에 의해 균일히 혼합하고 분쇄한 후, 프레스 성형에 의해 소망하는 형상으로 정형(整形)하고, 소성에 의해 소결하는 것이 좋다.
여기서의 원료 분말의 혼합 분쇄는, 미세히 분쇄하는 것이 좋지만, 통상, 평균 입경이 1㎛ 이하가 되도록 혼합 분쇄 처리한 것을 사용하면 좋다.
또한, 이 경우의 소성 조건은, 통상, 1,200 내지 1,500℃이며, 바람직하게는 1,250 내지 1,480℃에서 10 내지 72시간으로 하면 된다.
(2) 본 발명에 있어서의 투명 전극 유리 및 투명 전극 필름의 형성
상기한 바와 같이 하여 제조된 소결체를 타겟물질로 사용하며, 막 형성할 때에 사용하는 투명 기재로서는, 종래부터 사용하고 있는 유리 기판이나, 높은 투명성을 갖는 합성 수지 제품의 필름 및 시이트가 사용된다. 이와 같은 합성수지로서는, 폴리카보네이트 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지 등도 적합하다.
상기 타겟을 사용하여, 투명 도전막을 투명 기재상에 스퍼터링법에 의해 막 형성하는데 있어서는, 마그네트론스퍼터링 장치가 적합하게 사용된다.
또한, 이 장치를 사용하여 스퍼터링에 의해 막 형성할 때의 조건으로서는, 타겟의 표면적이나 투명 도전막의 막두께에 의해 플라즈마의 출력은 변동하지만, 통상, 이 플라즈마 출력을, 타겟의 표면적 1cm2 당 0.3 내지 4W의 범위로 하여, 막 형성 시간을 2 내지 120분간으로 하는 것이 이상적이다.
한편, 상기 소결체를 장착한 전자빔 장치나 이온도금 장치의 타겟을 사용하여 막 형성하는 경우에 있어서도, 상기와 동일한 막 형성 조건하에서 투명 도전막을 형성 할 수 있다.
이렇게 하여 제조된 투명 도전 유리나 투명 도전 필름에 있어서는, 이들 투명 기재 상에 형성되는 투명 도전막으로서, 광선투과율이 높고, 또한 비저항이 낮은 것이다. 또한, 이 투명 도전막을 투명 전극으로서 사용하기 위해 에칭 가공을 하는 경우에는, 염산이나 옥살산 등에 의한 처리부와 비처리부와의 경계부의 단면 형상이 평활하고, 이 처리부와 비처리부가 명확히 구분되어, 균일한 폭 및 두께를 갖는 전극선으로 이루어진 회로를 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명의 투명 도전 유리나 투명 도전 필름에 있어서의 투명 도전막은, 통상의 에칭가공을 실시할 뿐만 아니라, 전극 가공성이 뒤떨어지는 투명 도전막의 에칭 가공의 경우에 발생하는 회로내의 부분적인 전기 저항의 증대나 감소 혹은 절연부에서의 유인 통로나 회로의 절단 등을 초래하는 위험이 없는 투명 전극을 얻을 수 있다.
이렇게 하여 제조된 투명 도전 유리나 투명 도전 필름은, 막 형성에 사용한 소결체와 동일한 조성으로 이루어진 금속 산화물의 조성물로 이루어진 투명 도전막을 갖고, 그 투명 도전막의 투명성에 대하여서는, 파장 500nm의 빛의 광선투과율이 70%를 윗돌게 된다. 또한, 이 투명 도전막의 도전성에 대하여서도, 대부분의 것은 비저항이 1mΩ·cm 이하가 된다.
이와 같이, 본 발명의 투명 도전 유리나 투명 도전 필름은, ITO가 이용되는 각종 표시 장치의 투명 전극으로서 적합하게 사용할 수 있다.
다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들의 예에 의해 어떠한 방식으로도 한정되지 않는다.
< 실시예 >
(1) 소결체의 제조
원료로서, 산화 아연, 산화 알루미늄 및 산화 갈륨의 분말을,
ZnO/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.956,
Al2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.04
Ga2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.004의 금속 원자비로 이루어지도록 혼합하여 1차, 2차, 3차 소결을 각각 800℃ 내지 1300℃ 사이에서 수시간 실시하고 분쇄하였다.
이어서, 제조된 분쇄물을 조립한 후, 직경 2인치, 두께 5mm의 치수로 프레스 정형하고, 이를 소성로에서 1200℃~1300℃에서 수시간 가압소성하였다.
상기의 과정을 통하여 투명도전막의 기본재료인 소결체를 형성하였다.
(2) 투명 도전 유리의 제조
상기 (1)에 있어서 형성된 소결체에 의해, 직경 2인치, 두께 5mm의 스퍼터링용 타겟을 제조하고, 이를 알에프(RF) 마그네트론스퍼터링 장치에 장착하고, 유리 기판상에서 막을 형성하였다.
여기서의 스퍼터 조건으로서는, 스퍼터링 가스는 아르곤 가스를 사용하고, 스퍼터 압력 10mTorr, 타겟과 기판과의 거리는 3-5cm, 기판 온도 250℃~500℃, 투입 전력 50W~100W, 막 형성 시간은 10-60분으로서 수행하였다.
이렇게 하여 수득된 투명 도전 유리상의 투명 도전막은, 그 두께는 1,000Å 내지 9,000Å 이며 결정질이다.
또한, 이 투명 도전막의 광선투과율을 분광광도계에 의해 파장 500nm의 광선에 대하여 측정한 결과 85%이상이다.
한편, 4-탐침법에 의해 측정한 투명 도전막의 비저항은, 약 1~5x10-4Ω·cm 이며, 도전성이 높은 것이다.
수득된 투명 도전 필름의 투명 도전막의 분석평가를 한바, 결과를 표I과 도1, 도2에 나타내었다.
도1은 투명도전막에 대한 X-선 회절무늬를 나타내었으며, 도1에 나타난 바와 같이, 산화아연의 X-선 회절무늬 패턴과 유사함을 알 수 있다.
표1은 각각의 두께에 따른 투명도전막에 대한 전기적성질인 표면저항 및 광선투과율을 나타내었으며, 표1에서 전기적 성질란의 ㅁ는 측정이 이루어진 투명도 전막이 사각형 도전막을 나타낸다.
Figure 112004018142048-pat00001
표1에 나타난 바와 같이, 비저항을 계산하면 비저항 = 두께×표면저항으로 계산되는 바, 두께 100㎚ 투명도전막인 경우의 비저항은 100×10-9m ×45Ω = 4.5×10-4Ω·cm 의 비저항 값을 가짐을 알 수 있다.
그리고 200㎚ 투명도전막인 경우의 비저항은 4×10-4Ω·cm 이고, 300㎚ 투명도전막인 경우의 비저항은 2.7×10-4Ω·cm 이고, 600㎚ 투명도전막인 경우의 비저항은 3×10-4Ω·cm 이며, 900㎚ 투명도전막인 경우의 비저항은 2.25×10-4Ω·cm 인 바, 도전성이 우수함을 알 수 있다.
도2는 각각의 두께에 따라 파장에 따른 광선 투과율을 나타내었으며, C3 100㎚, C3 200㎚, C3 300㎚ 및 C3 600㎚는 표1에서와 같이 투명도전막의 두께를 나타낸다.
도2에 나타난 바와 같이, 일반적인 가시광선 영역인 400㎚ 내지 700㎚ 파장영역대에서의 광선투과율은 80% 이상으로 광선투과율이 우수함을 알 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명은 소결체를 이용하여 도전성 및 광투과성이 우수한 투명도전막을 형성시키는 효과가 있다.
그리고, 투명도전막은 플라스마 디스플레이 페널(PDP), 액정 디스플레이(LCD) 소자, 발광 다이오드 소자(LED), 유기 전자 발광소자(EL) 또는 태양전지 디스플레이 등에 사용가능하다는 효과가 또한 있다.

Claims (16)

  1. 산화 아연, 산화 알루미늄 및 산화 갈륨의 각 성분을, 그의 금속 원자비에 있어서,
    ZnO/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.60 내지 0.99
    Al2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.01 내지 0.30
    Ga2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.001 내지 0.10
    의 비율로 화합물을 함유하는 소결체로써 형성됨을 특징으로 하는 투명도전막.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소결체는 비저항 값이 1Ω·cm 미만이 됨을 특징으로 하는 투명도전막.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소결체는,
    소결체의 분모항에 있는 ZnO+Al2O3+Ga2O3 화합물의 전 금속 원자에 대하여 +3가의 금속 산화물인 산화 인듐(In2O3), +4가의 금속산화물인 산화 규소(SiO2), 산화 주석(SnO2)으로 구성된 그룹 중 적어도 하나 이상이 첨가됨을 특징으로 하는 투명도전막.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 소결체가 스퍼터링(sputtering)용 타겟으로 사용됨을 특징으로 하는 투명도전막.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 소결체가 전자빔용 타겟으로 사용됨을 특징으로 하는 투명도전막.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 소결체는 이온도금용 타겟으로 사용됨을 특징으로 하는 투명도전막.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 소결체는 유리표면에 피복됨에 의해 투명도전유리가 형성됨을 특징으로 하는 투명도전막.
  8. 제7항에 있어서, 상기 투명도전유리는 광선투과율이 75%이상이고, 비저항이 5mΩ·cm 이하임을 특징으로 하는 투명도전막.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 소결체는 투명 수지 필름 표면에 피복됨에 의해 투명 도전 필름이 형성됨을 특징으로 하는 투명도전막.
  10. 제9항에 있어서, 상기 투명도전필름은 광선투과율이 75% 이상이고, 비저항이 5mΩ·cm 이하임을 특징으로 하는 투명도전막.
  11. 아연화합물(ZnO)을 제2원소인 산화 알루미늄(Al2O3) 및 산화 갈륨(Ga2O3)과 혼합하되, 제2원소/(ZnO+제2원소)의 원자비가 0.4이하가 되도록 혼합하여, 800℃ 내지 1500℃에서 소성하여,
    ZnO/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.60 내지 0.99
    Al2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.01 내지 0.30
    Ga2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.001 내지 0.10
    의 비율로 화합물을 함유하는 소결체를 형성시키고, 상기 소결체를 타겟으로 이용하여 기판표면에 피복되어 형성됨을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2원소는 산화 인듐(In2O3), 산화 규소(SiO2), 산화 주석(SnO2)으로 구성된 그룹 중 적어도 하나 이상이 포함됨을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 소결체는 스퍼터링용 타겟, 전자빔용 타겟, 이온도금용 타겟 중 하나로 사용됨을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 소결체는 유리표면 또는 투명수지필름에 피복됨을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  15. 아연화합물(ZnO)을 제2원소인 산화 알루미늄(Al2O3) 및 산화 갈륨(Ga2O3)과 혼합하되, 제2원소/(ZnO+제2원소)의 원자비가 0.4이하가 되도록 혼합하여 도포용액을 조제하여 300℃ 내지 600℃로 소성하여,
    ZnO/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.60 내지 0.99
    Al2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.01 내지 0.30
    Ga2O3/(ZnO+Al2O3+Ga2O3)=0.001 내지 0.10
    의 비율로 화합물을 함유하는 소결체를 형성시키고 이를 환원처리해서 주요양이온원소로서 산화아연을 함유하는 산화물로 이루어지도록 함을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 아연화합물이 아연의 카르복시산염, 무기아연화합물, 아연알콕시드로된 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
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