JP6398645B2 - スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム - Google Patents
スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6398645B2 JP6398645B2 JP2014235558A JP2014235558A JP6398645B2 JP 6398645 B2 JP6398645 B2 JP 6398645B2 JP 2014235558 A JP2014235558 A JP 2014235558A JP 2014235558 A JP2014235558 A JP 2014235558A JP 6398645 B2 JP6398645 B2 JP 6398645B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- thin film
- transparent conductive
- film
- oxide thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、60〜87モル%のZnOと10〜25モル%のGa2O3とを含み、更にTiO2、SnO2から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を含有したスパッタリングターゲットであって、TiO2、及びSnO2の含有量の総和は1〜15モル%であり、ZnOを主成分とするマトリクス中にGa2O3を主成分とする粒子とTiO2、SnO2から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子とが分散した構造を有し、Ga2O3を主成分とする粒子とTiO2、SnO2から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子の平均粒径が共に1.5〜10μmである。なお、主成分とは、上記スパッタリングターゲット、粒子、及びマトリクスのそれぞれにおいて主成分として記載された成分が、最大モル比を占めていることを意味する。
本実施形態にかかるスパッタリングターゲットの製造方法の一例について説明する。
以下、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを使用した薄膜の製造方法の一例について説明する。
上記透明導電性酸化物薄膜を用いて、図1に示す導電性フィルム100を作製することができる。導電性フィルム100は、フィルム基材11上に、金属酸化物層13、及びAg合金層15、ZnO−Ga2O3層17をこの順に積層したものである。ZnO−Ga2O3層17は、上記透明導電性酸化物薄膜である。ZnO−Ga2O3層17には配線電極用の金属配線(図示せず)が設けられる。
(1)電気抵抗値(比抵抗)
実施例1〜17及び比較例1〜22で得られた各スパッタリングターゲットについて、比抵抗測定器を用いてJIS K−7194に規定される4探針法により電気抵抗値を測定した結果を表1に示す。
(2)焼成工程の歩留
実施例1〜17及び比較例1〜22で得られた各スパッタリングターゲットについて、
焼成工程の歩留が90%以上の好適であるものを○、80%以上から90%未満であるものを△、80%未満の不適であるものを×とした。
実施例1〜17及び比較例1〜22の各スパッタリングターゲットを用いて成膜された透明導電性酸化物薄膜について、4端子抵抗率計(商品名:ロレスタGP、三菱化学株式会社製)を用いて表面抵抗値を測定した。また、分光色差計(商品名:CM−5、コニカミノルタ製)を用いて、波長380nmにおける屈折率及び光線透過率を測定した。それぞれ結果を表2に示す。
Claims (3)
- 60〜87モル%のZnOと10〜25モル%のGa2O3とを含み、更にTiO2、SnO2から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を含有したスパッタリングターゲットであって、TiO2、及びSnO2の含有量の総和は1〜15モル%であり、ZnOを主成分とするマトリクス中にGa2O3を主成分とする粒子とTiO2、SnO2から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子とが分散した構造を有し、前記Ga2O3を主成分とする粒子と前記TiO2、SnO2から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子の平均粒径が共に1.5〜10μmであるスパッタリングターゲット。
- 請求項1に記載のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により、透明導電性酸化物薄膜を成膜する工程を備える、透明導電性酸化物薄膜の製造方法。
- 請求項1に記載のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により、基材上に透明導電性酸化物薄膜を成膜する工程を備える、導電性フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014235558A JP6398645B2 (ja) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014235558A JP6398645B2 (ja) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016098396A JP2016098396A (ja) | 2016-05-30 |
JP6398645B2 true JP6398645B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=56077105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014235558A Active JP6398645B2 (ja) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6398645B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6850981B2 (ja) * | 2016-11-28 | 2021-03-31 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット |
WO2019097959A1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット |
JP2022105853A (ja) * | 2021-01-05 | 2022-07-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、および、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
CN117396630A (zh) * | 2021-06-04 | 2024-01-12 | Jx金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4770310B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-09-14 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜、透明導電性基材ならびに酸化物焼結体 |
JP5269501B2 (ja) * | 2008-07-08 | 2013-08-21 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット |
JP5883368B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-03-15 | 株式会社コベルコ科研 | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット |
JP5688179B1 (ja) * | 2014-09-10 | 2015-03-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 |
-
2014
- 2014-11-20 JP JP2014235558A patent/JP6398645B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016098396A (ja) | 2016-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101460651B (zh) | 透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材 | |
JP3906766B2 (ja) | 酸化物焼結体 | |
JP6398645B2 (ja) | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム | |
JP5170009B2 (ja) | 酸化インジウム系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2011068993A (ja) | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物、およびスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP5146443B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット | |
JP5770323B2 (ja) | 焼結体及びアモルファス膜 | |
JP4539181B2 (ja) | 透明導電膜、透明導電膜製造用焼結体ターゲット、透明導電性基材及びそれを用いた表示デバイス | |
WO2019208240A1 (ja) | シールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲット | |
JP6064895B2 (ja) | 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法 | |
JP2019194352A (ja) | シールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲット | |
JP6398643B2 (ja) | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム | |
JP6398644B2 (ja) | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム | |
JP6327121B2 (ja) | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム | |
JP5929979B2 (ja) | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム | |
JP2016074579A (ja) | 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 | |
JP5929983B2 (ja) | スパッタリングターゲット、Ag合金膜の製造方法、及び導電性フィルムの製造方法 | |
JP6155919B2 (ja) | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
WO2012121298A1 (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法およびそれを用いたターゲット | |
KR20060095534A (ko) | 도전성 재료 및 그것을 이용한 증착용 타겟 | |
JP2016113687A (ja) | スパッタリングターゲット、Ag合金膜、及び導電性フィルム | |
JP2012106880A (ja) | 酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法 | |
CN107254669A (zh) | 烧结体和非晶膜 | |
KR100596017B1 (ko) | 투명도전막 및 그 제조방법 | |
JP2012140696A (ja) | 酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170704 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180403 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6398645 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |