JP6398643B2 - スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム - Google Patents
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Description
本発明は、スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び該透明導電性酸化物薄膜を有する導電性フィルムに関する。
透明導電性酸化物薄膜は、光線透過性と導電性とを兼ね備えるため、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、及びエレクトロルミネッセンスパネル（有機ＥＬ、無機ＥＬ）などのディスプレイ、並びに、タッチパネル、太陽電池などの透明電極として使用されている。また、これらの他に、電磁波遮断膜及び赤外線防止膜等にも使用されている。
透明導電性酸化物薄膜を成膜する方法としては、スパッタリング法が頻繁に用いられる。特許文献１には、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）がドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）系スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により、薄層トランジスタ用の遮断膜を成膜することが記載されている。
近年、スマートフォン及びタブレット端末が急速に普及していることなどに伴い、ディスプレイ、タッチパネル等の機器にはさらなる性能の向上が求められている。そのため、このような機器で使用される透明導電性酸化物薄膜としては、光線透過性及び導電性の両方がより高い水準であるものが望まれている。また、それらの透明導電性酸化物薄膜を成膜するためのスパッタリングターゲットの製造過程では、十分高い焼成歩留が要求される。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、高い光線透過性及び導電性を兼ね備えた透明導電性酸化物薄膜を成膜することが可能なスパッタリングターゲット、それを用いて成膜される透明導電性酸化物薄膜、及び該透明導電性酸化物薄膜を有する導電性フィルムを提供することを目的とする。
本発明のスパッタリングターゲットは、６０〜８８モル％のＺｎＯと１０〜２５モル％のＧａ２Ｏ３とを含み、更にＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも１種類の酸化物を含有したスパッタリングターゲットであって、Ｉｎ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の含有量の総和は１〜２０モル％であり、ＺｎＯを主成分とするマトリクス中にＧａ２Ｏ３を主成分とする粒子とＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子とが分散した構造を有し、Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子とＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子の平均粒径が共に１．５〜１０μｍである。上記スパッタリングターゲットは、その製造過程において十分高い焼成歩留を有し、そのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により成膜された透明導電性酸化物薄膜は、高い光線透過性及び導電性を兼ね備える。
本発明は、上記スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により成膜された透明導電性酸化物薄膜を提供する。本発明の透明導電性酸化物薄膜は高い光線透過性及び導電性を兼ね備えるため、タッチパネル、ディスプレイ等の用途に好適に用いることができる。
また、本発明は、基材と、基材上に成膜された上記透明導電性酸化物薄膜とを備える導電性フィルムを提供する。
本発明によれば、高い光線透過性及び導電性を兼ね備える透明導電性酸化物薄膜を成膜することが可能で、高い焼成歩留で製造できるスパッタリングターゲット、それを用いて成膜される透明導電性酸化物薄膜、及び該透明導電性酸化物薄膜を有する導電性フィルムを提供することができる。
（スパッタリングターゲット）
本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、６０〜８８モル％のＺｎＯと１０〜２５モル％のＧａ２Ｏ３とを含み、更にＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも１種類の酸化物を含有したスパッタリングターゲットであって、Ｉｎ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の含有量の総和は１〜２０モル％であり、ＺｎＯを主成分とするマトリクス中にＧａ２Ｏ３を主成分とする粒子とＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子とが分散した構造を有し、Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子とＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子の平均粒径が共に１．５〜１０μｍである。なお、主成分とは、上記スパッタリングターゲット、粒子、及びマトリクスのそれぞれにおいて主成分として記載された成分が、最大モル比を占めていることを意味する。
本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、６０〜８８モル％のＺｎＯと１０〜２５モル％のＧａ２Ｏ３とを含み、更にＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも１種類の酸化物を含有したスパッタリングターゲットであって、Ｉｎ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の含有量の総和は１〜２０モル％であり、ＺｎＯを主成分とするマトリクス中にＧａ２Ｏ３を主成分とする粒子とＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子とが分散した構造を有し、Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子とＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子の平均粒径が共に１．５〜１０μｍである。なお、主成分とは、上記スパッタリングターゲット、粒子、及びマトリクスのそれぞれにおいて主成分として記載された成分が、最大モル比を占めていることを意味する。
Ｇａ２Ｏ３とＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも１種類の酸化物の合計量は、スパッタリングターゲットの構成成分の全モル量に対して、９５モル％以上が好ましく、９９モル％以上がより好ましい。
また、本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、上記以外に不可避的不純物粒子を含むことができる。不可避不純物粒子としては、例えば、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ等を含む粒子が挙げられ、それぞれ、１０００ｍａｓｓ ｐｐｍ程度まで許容することができる。
上記Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子におけるＧａ２Ｏ３の含有量は、当該粒子に含まれる構成成分の全モル量に対して６０モル％以上であると、スパッタリングターゲットの電気抵抗値が小さくなるため好ましい。また、上記Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子の平均粒径としては、３〜９μｍであるとより好ましい。なお、平均粒径は、例えば、断面電子顕微鏡写真の定方向接線径の平均値より取得できる。また、本発明に係わる諸検討において、Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子の平均粒径が１０μｍを超えるスパッタリングターゲットの試作も行ったが、平均粒径が１０μｍを超えるものは、焼成工程の歩留が悪化し安定して作製できなかった。
また、上記マトリクスにおけるＺｎＯの含有量は、当該マトリクスに含まれる構成成分の全モル量に対して６０モル％以上であると、スパッタリングターゲットの電気抵抗値が小さくなるため好ましい。
上記Ｉｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子における上記Ｉｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３の含有量は、当該粒子に含まれる構成成分の全モル量に対して６０モル％以上であると、焼成工程の歩留が９０％以上となり安定して作製することが可能となるため好ましい。また、上記Ｉｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子の平均粒径としては、３〜９μｍであるとより好ましい。なお、本発明に係わる諸検討において、Ｉｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子の平均粒径が１０μｍを超えるスパッタリングターゲットの試作も行ったが、平均粒径が１０μｍを超えるものは、焼成工程の歩留が悪化し安定して作製できなかった。
スパッタリングターゲットの形状や大きさ等は特に限定されず、例えば、直径１２７〜３００ｍｍ程度の円板とすることができる。
上記スパッタリングターゲットは、電気抵抗値（比抵抗）を０．０１Ωｃｍ以下とすることができる。このようにスパッタリングターゲット自体の電気抵抗値が小さいため、本実施形態のスパッタリングターゲットは、ＤＣスパッタリング法による成膜に使用することができる。
また、スパッタリングターゲットの密度としては、５．３２〜６．４４ｇｃｍ３であることが好ましい。スパッタリングターゲットの密度をこのような範囲とすることで、電気抵抗値（比抵抗）が０．０１Ωｃｍ以下となる傾向がある。
（スパッタリングターゲットの製造方法）
本実施形態にかかるスパッタリングターゲットの製造方法の一例について説明する。
本実施形態にかかるスパッタリングターゲットの製造方法の一例について説明する。
まず、所望のスパッタリングターゲットと同じ組成を有する原料粉体を用意する。原料粉体には、Ｇａ２Ｏ３粉末、ＺｎＯ粉末及びＩｎ２Ｏ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末から選ばれた少なくとも１種類の酸化物が含まれる。
Ｇａ２Ｏ３粉末の純度は９９．９質量％以上であることが好ましい。Ｇａ２Ｏ３の粉末の平均粒径が１〜１０μｍであると、スパッタリングターゲットの構造が上述の分散構造となりやすいため好ましい。
ＺｎＯ粉末の純度は９９．５質量％以上であることが好ましい。また、ＺｎＯの粉末の平均粒径は特に限定されないが、０．１〜１０μｍであると、焼結性を高くなる傾向にあるため好ましい。
Ｉｎ２Ｏ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末の純度は９９．９質量％以上であることが好ましい。また、これらの粉末の平均粒径は特に限定されないが、０．１〜１０μｍであると、焼成工程の歩留が向上するため好ましい。
上述の各成分の粉末を混合することにより、原料粉体を得る。混合方法は特に限定されないが、ボールミル中で混合することが好ましい。ボールミル中での混合は、乾式でも、湿式でもよい。湿式の場合には、溶媒として、例えばエタノール、アセトン、変性アルコールなどを使用できる。ボールミルにおける混合機及び混合媒体としては、例えば、それぞれアルミナポット及びアルミナボールを挙げることができる。混合時間は、特に限定されないが、１２〜３０時間であると、Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子の平均粒径が１．５μｍ〜１０μｍとなりやすいため好ましい。
続いて、得られた原料粉体を、真空雰囲気下でホットプレスすることにより成形体を得る。プレス方法は特に限定されず、等方プレスでも、一軸プレスでもよい。プレス圧も特に限定されないが、例えば、１５〜４９ＭＰａ（１５０〜５００ｋｇｆ／ｃｍ２）とすることができる。焼成温度は９００〜１１００℃とすることが好ましい。焼成温度における安定時間は特に限定されないが、１〜５時間とすることができる。
上記成形体を焼成することにより得られた焼結体を所定の大きさに切断等の加工をして、スパッタリングターゲットが完成する。スパッタリングターゲットの形状や大きさ等は特に限定されず、例えば、直径１２７〜３００ｍｍ程度の円板とすることができる。
（透明導電性酸化物薄膜の製造方法）
以下、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを使用した薄膜の製造方法の一例について説明する。
以下、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを使用した薄膜の製造方法の一例について説明する。
まず、上記スパッタリングターゲットを用意する。スパッタリングターゲットの主面に銅製の冷却板をＩｎなどでボンディングする。
冷却板を取り付けたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に搭載し、スパッタリングガス雰囲気下でスパッタリング法を行って基材上に透明導電性酸化物薄膜を成膜する。スパッタリング法としては、ＤＣスパッタリング法及びＲＦスパッタリング法のいずれであってもよいが、安価な電源を使用できる点、成膜速度が大きい点、基材の温度上昇が少ない点等からＤＣスパッタリング法であることが好ましい。また、マグネトロンスパッタリングであってもよい。スパッタリングガスとしては、Ａｒ等の希ガスを用いることができる。
上記のとおり成膜することにより、透明導電性酸化物薄膜を得ることができる。本実施形態に係る透明導電性酸化物薄膜は、光線透過性及び導電性に優れる。また、リン酸、酢酸、硝酸等によるエッチング性が良好であり、精細なパターンの電極を作製することも可能である。
透明導電性酸化物薄膜の屈折率としては、特に制限はなく、薄膜の用途によって適宜調節することができるが、例えば、波長３８０ｎｍの光に対して、１．８〜２．０とすることができる。また、透明導電性酸化物薄膜は、可視光領域全体にわたって透明であり、例えば、その光線透過率を、３８０〜８００ｎｍの波長範囲にわたって、９３％以上とすることができる。透明導電性酸化物薄膜の導電性としては、例えば、表面抵抗で１Ｅ＋４〜１Ｅ＋５Ω／□とすることができる。
上記透明導電性酸化物薄膜の厚みは、特に限定されず、用途に応じて適宜調節可能であるが、光線透過性及び導電性を両立する観点から、２０〜１００ｎｍであることが好ましい。
上記透明導電性酸化物薄膜の用途としては、タッチパネルの抵抗膜、ディスプレイ等の透明電極などが挙げられる。
（透明導電性酸化物薄膜を用いた導電性フィルム）
上記透明導電性酸化物薄膜を用いて、図１に示す導電性フィルム１００を作製することができる。導電性フィルム１００は、フィルム基材１１上に、金属酸化物層１３、及びＡｇ合金層１５、ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３層１７をこの順に積層したものである。ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３層１７は、上記透明導電性酸化物薄膜である。ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３層１７には配線電極用の金属配線（図示せず）が設けられる。
上記透明導電性酸化物薄膜を用いて、図１に示す導電性フィルム１００を作製することができる。導電性フィルム１００は、フィルム基材１１上に、金属酸化物層１３、及びＡｇ合金層１５、ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３層１７をこの順に積層したものである。ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３層１７は、上記透明導電性酸化物薄膜である。ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３層１７には配線電極用の金属配線（図示せず）が設けられる。
フィルム基材１１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステルフィルム、ポリエチレン及びポリプロピレン等のポリオレフィンフィルム、ポリカーボネートフィルム、アクリルフィルム、ノルボルネンフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ジアセチルセルロースフィルム、並びにトリアセチルセルロースフィルム等が挙げられる。これらのうち、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステルフィルムなどの有機樹脂フィルムが挙げられる。フィルム基材１１の厚みは、例えば１０〜２００μｍである。このようなフィルム基材１１は、透明であり、かつ柔軟性に優れるため、上記積層体をタッチパネル、フレキシブルな有機ＥＬ照明等の透明電極、又は電磁波シールドとしても用いる場合に有用である。
金属酸化物層１３は、上記の透明導電性酸化物薄膜により形成されていてもよいが、それ以外の金属酸化物の層であってもよい。金属酸化物層１３を形成する金属酸化物としては、特に限定されないが、ＺｎＯを主成分として、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２の少なくとも1種類を含む金属酸化膜であることが好ましい。このような組成であればＤＣスパッタリングが可能で、高透明性、高腐食耐性な金属酸化膜を得ることが可能となる。
金属酸化物層１３の厚さは、例えば、２０〜７０ｎｍであると、種々のタッチパネルに適した厚さとなるため好ましい。
金属酸化物層１３は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又はＣＶＤ法などの真空成膜法によって作製することができる。これらのうち、成膜室を小型化できる点、及び、成膜速度が速い点で、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法としては、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が挙げられる。スパッタリングターゲットとしては、酸化物ターゲット、金属又は半金属ターゲットを用いることができる。
Ａｇ合金層１５は、銀を含む合金の層である。Ａｇ合金を構成するＡｇ以外の金属元素としては、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｄ、Ｂｉ，Ｃｕ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＧｄから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。好ましいＡｇ合金としては、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｂｉ、Ａｇ−Ｎｄ、Ａｇ−Ｉｎ及びＡｇ−Ｎｂが挙げられる。このようなＡｇ合金は、添加物を含有していてもよい。Ａｇ合金層１５における添加物の含有量は、例えば０．３〜２．５重量％である。該含有量が０．３重量％よりも少ない場合、耐食性向上の効果が得難くなる傾向にある。一方、該含有量が、２．５重量％を超えると、全光線透過率が低下する傾向、又は抵抗値が高くなる傾向にある。金属層１６の厚さは、種々の用途に適した厚さとする観点から、例えば３〜１５ｎｍである。
Ａｇ合金層１５は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又はＣＶＤ法などの真空成膜法によって作製することができる。これらのうち、成膜室を小型化できる点、及び成膜速度が大きい点で、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法としては、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が挙げられる。スパッタリングターゲットとしては、上記組成のＡｇ合金ターゲットを用いることができる。
本実施形態に係る導電性フィルム１００は、金属配線側に上記透明導電性酸化物薄膜の層が形成されているため、Ａｇ合金層１５の腐食を防止することができ、Ａｇ合金層１５の高導電性をメタル配線に伝達可能であり、かつ光学干渉効果による透過率を向上するという効果も得られる。このような導電性フィルムは、タッチパネル用途に好適に用いることができる。なお、上記透明導電性酸化物薄膜を有する導電性フィルムはこの態様に限定されないことは言うまでもない。
実施例１〜２５、及び比較例１〜３０の各スパッタリングターゲットの原料として、表１に示される比率でＺｎＯ粉末、Ｇａ２Ｏ３粉末及びＩｎ２Ｏ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末を用意した。ＺｎＯ粉末の純度は９９．５％、平均粒径は０．５μｍ、Ｇａ２Ｏ３粉末の純度は９９．９％、平均粒径は２μｍ、Ｉｎ２Ｏ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末の純度はいずれも９９．９％、平均粒径は０．５μｍであった。これらの粉末を、アルミナ製のボールミルポット中で、媒体としてアルミナボールを使用し、それぞれ表１に示される混合時間で混合して原料粉体を得た。混合は湿式で行い、溶媒として変性アルコールを使用した。
得られた原料粉体を、真空雰囲気下、グラファイトモールド中でホットプレス焼成して焼結体を得た。ホットプレス焼成の条件は、ホットプレス圧力２０ＭＰａ（２００ｋｇｆ／ｃｍ２）、焼成温度１０００℃、安定時間１２０分であった。
得られた焼結体を、平面研削盤と円筒研磨機により２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍに切り出してスパッタリングターゲットを得た。実施例１１のスパッタリングターゲットについて断面電子顕微鏡写真の定方向接線径の平均値より平均粒径を取得した。ＺｎＯを主成分とするマトリクス中にＧａ２Ｏ３を主成分とする粒子とＡｌ２Ｏ３を主成分とする粒子が分散した構造を有し、上記Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子と上記Ａｌ２Ｏ３を主成分とする粒子の平均粒径は共に４μｍであった。そして、同様の方法で各スパッタリングターゲットにおけるＧａ２Ｏ３を主成分とする粒子とＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子の平均粒径を取得した。結果を表１に示す。同一の焼成条件であれば、Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子の平均粒径と上記Ｉｎ２Ｏ３等を主成分とする粒子の平均粒径はほぼ同等となる。
（スパッタリングターゲットの評価）
（１）電気抵抗値（比抵抗）
実施例１〜２５及び比較例１〜３０で得られた各スパッタリングターゲットについて、比抵抗測定器を用いてＪＩＳ Ｋ−７１９４に規定される４探針法により電気抵抗値を測定した結果を表１、２に示す。
（２）焼成工程の歩留
実施例１〜２５及び比較例１〜３０で得られた各スパッタリングターゲットについて、
焼成工程の歩留が９０％以上の好適であるものを○、８０％以上から９０％未満であるものを△、８０％未満の不適であるものを×とした。
（１）電気抵抗値（比抵抗）
実施例１〜２５及び比較例１〜３０で得られた各スパッタリングターゲットについて、比抵抗測定器を用いてＪＩＳ Ｋ−７１９４に規定される４探針法により電気抵抗値を測定した結果を表１、２に示す。
（２）焼成工程の歩留
実施例１〜２５及び比較例１〜３０で得られた各スパッタリングターゲットについて、
焼成工程の歩留が９０％以上の好適であるものを○、８０％以上から９０％未満であるものを△、８０％未満の不適であるものを×とした。
実施例１〜２５及び比較例１〜３０の各スパッタリングターゲットを用いたＤＣスパッタリング法により、厚さ１００μｍのＰＥＴ基材上に透明導電性酸化物薄膜を成膜した。成膜された各透明導電性酸化物薄膜の厚さはいずれも７０ｎｍとした。スパッタリングガスとしてはＡｒとＯ２ガスとを用い、スパッタリング圧力を０．４８Ｐａ、Ｏ２ガス量をＯ２／Ａｒ＝１．６％とした。成膜パワーは１．０ｋＷとし、成膜時間を調整した。
（透明導電性酸化物薄膜の評価）
実施例１〜２５及び比較例１〜３０の各スパッタリングターゲットを用いて成膜された透明導電性酸化物薄膜について、４端子抵抗率計（商品名：ロレスタＧＰ、三菱化学株式会社製）を用いて表面抵抗値を測定した。また、分光色差計（商品名：ＣＭ−５、コニカミノルタ製）を用いて、波長３８０ｎｍにおける屈折率及び光線透過率を測定した。それぞれ結果を表３、４に示す。
実施例１〜２５及び比較例１〜３０の各スパッタリングターゲットを用いて成膜された透明導電性酸化物薄膜について、４端子抵抗率計（商品名：ロレスタＧＰ、三菱化学株式会社製）を用いて表面抵抗値を測定した。また、分光色差計（商品名：ＣＭ−５、コニカミノルタ製）を用いて、波長３８０ｎｍにおける屈折率及び光線透過率を測定した。それぞれ結果を表３、４に示す。
１１…フィルム基材、１３…金属酸化物層、１５…Ａｇ合金層、１７…ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３層（透明導電性酸化物薄膜）、１００…導電性フィルム
Claims (3)
- ６０〜８８モル％のＺｎＯと１０〜２５モル％のＧａ２Ｏ３とを含み、更にＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも１種類の酸化物を含有したスパッタリングターゲットであって、Ｉｎ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の含有量の総和は１〜２０モル％であり、ＺｎＯを主成分とするマトリクス中にＧａ２Ｏ３を主成分とする粒子とＩｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも1種類の酸化物を主成分とする粒子とが分散した構造を有し、前記Ｇａ２Ｏ３を主成分とする粒子と前記Ｉｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた少なくとも１種類の酸化物を主成分とする粒子の平均粒径が共に１．５〜１０μｍであるスパッタリングターゲット。
- 請求項１に記載のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により、透明導電性酸化物薄膜を成膜する工程を備える、透明導電性酸化物薄膜の製造方法。
- 請求項１に記載のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により、基材上に透明導電性酸化物薄膜を成膜する工程を備える、導電性フィルムの製造方法。
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