CN1915898A - 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜 - Google Patents

透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜 Download PDF

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Abstract

本发明包括通过溅射等稳定而有效方式形成膜的透明导电膜用的烧结产物、该烧结产物的溅射靶以及由该靶制成的透明导电玻璃和膜。该透明导电玻璃和膜具有优良的透明度、导电性和成为电极的可加工性，因此适合于有机电致发光器件的透明电极中，以实现在其中的良好空穴注入率。此烧结产物按该金属原子的特定原子比含有构成成分氧化铟、氧化锡及氧化锌，并任选地含有特定的金属氧化物，如氧化钌、氧化钼、氧化钒等。

Description

透明导电膜用靶、透明导电材料、 透明导电玻璃及透明导电薄膜
本申请为2000年6月30日进入中国(国际申请日：1999年8月19日)，申请号为99801982.8(国际申请号：PCT/JP99/04453)，发明名称为“透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜”的PCT国际申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种于显示装置等中，极适合作为透明导电膜坯料的金属氧化烧结产物，与使用此烧结产物所得用于形成透明导电膜的成膜用靶、透明导电材料及从此靶形成的透明导电玻璃及透明导电薄膜。
背景技术
近年来，各种显示装置，例如液晶显示装置或电致发光(electroluminesence)显示装置、场致发射(field emmission)显示器等皆已导入办公室机械或工厂中的控制系统。这些显示装置中，无论任何装置皆具有显示部件夹于透明导电膜中的三明治结构。
这些透明电膜中，多数使用以氧化铟-氧化锡(以下简称为ITO)成为ITO膜。此ITO膜除具有较佳的透明性、及较低的电阻外，亦具有优良蚀刻性、极佳的基板密著性优良特性，而被本领域广泛使用。而此ITO膜一般由使用溅射法或离子喷镀法、蒸镀法等方法成膜。
ITO膜虽具有上述优良特性，但仍有许多待解决的问题存在，例如于液晶显示装置中作为透明基板使用时，有关ITO的表面精度或电极的锥形加工性、与异种金属结合或形成接贴时的电极加工性等。
特别是，此ITO本身即为结晶怀的金属氧化物，故在成膜阶段时，膜表面亦会产生结晶粒。成长的晶粒沉积在ITO膜表面时，会造成表面精度的降低。在用于形成电极对ITO膜的蚀刻步骤中，晶间边界首先被蚀刻，电极蚀刻表面会产生细微的凹凸状，故不易进行高精度的蚀刻。因此，对于该ITO膜电极进行加工时，该膜的晶间边界也首先被蚀刻，这会使ITO粒子常残存于蚀刻部，此时，该ITO电极膜容易与电极间产生导电现象而造成显示不良等问题。
而为解决这一问题，例如于特开平6-234565号公报所揭示的，于不牺牲透明性与导电性下，而以改良电极的加工性为目的提出了氧化铟与氧化锌所构成的透明导电材料。但，此由氧化铟与氧化锌所构成的材料，其本身的体电阻为2～5mΩ·cm，故成膜时必须对所投入的电力进行控制，因而会有不易具有充足的生产力的缺点。
而且，ITO膜在作用有机电致发光器件的电极使用时，必须将空穴(positive hole)从ITO膜转移到有机电致发光器件的发光层或空穴输送层中。因此，希望电极材料的功函数与构成该发光层或空穴输送层的有机化合物的功函数为几乎相同的水平，故此阳极与空穴输送层间的能量间隙以越少越好。为降低这一能量间隙，必须尽量使用阳极材料的功函数与作为空穴输送层的有机化合物电离位能间的差距减少。已提出各种有机化合物以形成此空穴输送层的空穴输送物质，其中已知芳香族胺系化合物，特别是三苯胺衍生物具有优良的功能。其中，此三苯胺衍生物中的三苯胺，其电离位能为5.5～5.6电子伏特。另一方面，对于透明导电膜，熟知氧化铟—氧化锡(以下简称ITO)具有优良透明性且具有较低电阻。此ITO的功函数为4.6电子伏特。因此，由此一般材料所构成的阳极与电子输送层部将存在著相当大的能量间隙。
在那种情况下，例如特开平均值9-63771号公报中，揭示了于阳极与阴极间设置有机化合物层的有机薄膜发光元件。其阳极，是功函数比ITO大的金属氧化物薄膜。然而金属氧化物的薄膜所构成的阳极，其透光率例如该金属为氧化钌时为10％，为氧化钒时为20％。为了改良这一较低透光率，又提出由ITO膜与厚度为300埃以下的超薄膜构成的两层结构。但即使此情形下，透光率也为40～60％左右。故这种双层结构用于显示装置中时，其透明电极的透明度仍不满足要求。
本发明是以提供一种以溅射法等进行成膜操作时，可以稳定且顺利的方式生产的金属氧化物的烧结产物，及该烧结产物所构成的靶，及由该靶形成的透明导电玻璃和导电膜。这些导电玻璃和导电膜具有优良透明性、导电性、电极加工性，且在作为有机电致发光器件中的透明电极使用时，在设备中其功函数与空穴输送物质所有的电离位能差距较小，而不会引起这些设备发光效率的降低。
本发明人，就解决上述问题上经过种种研究后结果，得知在使用含有由特定比例的氧化铟、氧化锡和氧化锌所构成的化合物的烧结产物作为透明导电材料使用时，即可顺利解决上述的问题，因而完成本发明。
发明内容
具体而言，本发明是由总结如下的本发明的第一方面～第四方面所构成：
[I]本发明的第一方面
[1]一种烧结产物，其中含有氧化铟、氧化锡及氧化锌，各成分间的原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，
且含有具In2O3·(ZnO)m，式中m为2～20的整数，所示的六方晶层状化合物及具Zn2SnO4所示的尖晶石结构化合物。
[2]如前述[1]记载的烧结产物，其电阻率值低于2mΩ·cm。
[3]一种烧结产物，其中含有氧化铟、氧化锡及氧化锌，各成分间的原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的正四价及以上的多价金属氧化物，并含有式In2O3·(ZnO)m(式中m为2～20的整数)，所示的六方晶层状化合物及式Zn2SnO4所示的尖晶石结构化合物。
[4]如前述[3]记载的烧结产物，其中，正四价及以上多价金属氧化物为氧化钌、氧化钼或氧化钒。
[5]一种透明导电膜的溅射靶，其包括前述[1]～[4]项中任一项记载的烧结产物。
[6]一种透明导电膜的电子集束靶，其包括前述[1]～[4]项中任一项记载的烧结产物。
[7]一种透明导电膜的离子喷镀靶(ion plating target)，其包括前述[1]～[4]项中任一项记载的烧结产物。
[8]一种于玻璃表面上被覆非晶形透明导电膜制得的，其中的导电膜含有氧化铟、氧化锡及氧化锌，各成分间的原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的正四价及以上的多价金属氧化物。
[9]如前述[8]记载的透明导电玻璃，其中，正四价及以上的多价金属氧化物为氧化钌、氧化钼或氧化钒。
[10]如前述[8]或[9]记载的透明导电玻璃，其中，透光率为75％以上，电阻率至多为5mΩ·cm，且透明导电膜的功函数为5.45以上。
[11]一种于透明树脂薄膜表面上被覆非晶形透明导电层制得的透明导电薄膜，其中的导电膜含有氧化铟、氧化锡及氧化锌，各成分间的原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，
且含有占全部金属原子总量的0.50～10原子％的正四价及以上的多价金属氧化物。
[12]如前述[11]记载的透明导电薄膜，其中正四价及以上的多价金属氧化物为氧化钌、氧化钼或氧化钒。
[13]如前述[11]或[12]记载的透明导电薄膜，其中，透光率为75％以上，电阻率至多为5mΩ·cm，且透明导电膜的功函数为5.45以上。
[II]本发明的第二方面
[1]一种组合物的烧结产物，该组合物含有氧化铟、氧化铟和氧化锌及/或氧化锡，各成分间的原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03～0.20
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
[2]一种组合物烧结产物，该组合物含有氧化铟与氧化锌、或还含有氧化锡，各成分间的原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
[3]一种组合物烧结产物，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分间的原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.02～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
[4]一种溅射靶，其含有前述[1]～[3]项中任一项记载的烧结产物。
[5]一种电子集束靶(electron～beaming target)，其含有前述[1]～[3]项中任一项记载的烧结产物。
[6]一种离子喷镀靶，其含有前述[1]～[3]项中任一项记载的烧结产物。
[7]一种于玻璃表面上被覆一种组合物所构成的透明导电膜制得的透明导电玻璃，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分间的原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的金属氧化物。
[8]如前述[7]记载的透明导电玻璃，其中，透光率为75％以上，电阻率至多为5mΩ·cm，且透明导电膜的功函数为5.45电子伏特以上。
[9]一种于透明树脂薄膜表面上被覆透明导电层制得的透明导电薄膜，其中的导电层含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分间的原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.50～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
[10]如前述[9]记载的透明导电薄膜，其中，透光率为75％以上，电阻率至多为5mΩ·cm，且透明导电层的功函数为5.45电子伏特以上。
[III]本发明的第三方面
[1]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括选自氧化铟、氧化锌及氧化锡的一种或多种金属氧化物，并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的一种或多种金属氧化物。
[2]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括氧化铟、氧化锌及氧化锡中的金属氧化物，各成分间的原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00，
并含有占全部金属原子总量的0.50～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的一种或多种金属氧化物。
[3]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括氧化铟、氧化锌及氧化锡中的金属氧化物，各成分间的原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.50～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.50，
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的一种或多种金属氧化物。
[4]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括氧化铟、氧化锌及氧化锡中的金属氧化物，各成分间的原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.75～0.95
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
并含有占全部金属原子总量的0.50～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的一种或多种金属氧化物。
[5]一种由烧结前述第[1]～[4]项中任一项的组合物制得的烧结产物。
[6]一种溅射靶，包括前述第[5]项的烧结产物。
[7]一种于玻璃表面上被覆一种组合物的透明导电膜制得的透明导电玻璃，该组合物含有选自氧化铟、氧化锌及氧化锡的一种或多种金属氧化物，并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出的一种或多种金属氧化物。
[8]如前述[7]记载的透明导电玻璃，其透光率为70％以上，且透明导电膜的功函数为5.4电子伏以上。
[9]一种于透明树脂膜表面上被覆一层透明导电层制得的透明导电薄膜，该透明导电层包括选自氧化铟、氧化锌及氧化锡的一种或多种金属氧化物，并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出的一种或多种金属氧化物。
[10]如前述[9]记载的透明导电薄膜，其透光率为70％以上，且透明导电层的功函数为5.4电子伏特以上。
[IV]本发明的第四方面
[1]一种组合物的透明导电材料，该组合物包括氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物，各成分间的原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00，
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌的一种或多种金属氧化物。
[2]如前述[1]记载的透明导电材料，其中，氧化锡、氧化铟及氧化锌各成分间的原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.25
[3]如前述[1]记载的透明导电材料，其中，氧化锡、氧化铟及氧化锌各成分间的原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20
[4]如前述[1]记载的透明导电材料，其中，氧化锡、氧化铟及氧化锌各成分间的原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.60～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.35
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20
[5]一种由前述[1]～[4]的任一项的组合物于不低于1200℃的温度下烧结而制成的烧结产物。
[6]一种溅射靶，其包含前述[5]记载的烧结产物，且电阻率为10mΩ·cm以下。
[7]一种于玻璃表面基板上，被覆一种组合物的透明导电膜制得的透明导电玻璃，该组合物含有氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物，各成分间的原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出的一种或多种金属氧化物。
[8]如前述[7]记载的透明导电玻璃，其中，透明导电膜的透光率为70％以上，且功函数为5.4电子伏特以上。
[9]一种于透明树脂薄膜表面上覆于一种组合物的透明导电层制得的透明导电薄膜，该组合物包含氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物，各成分间的原子比为
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出的一种或多种金属氧化物。
[10]如前述[9]记载的透明导电薄膜，其中，透明导电层的透光率为70％以上，且功函数为5.4电子伏特以上。
具体实施方式
以下将对本发明的实施方案进行说明。
[I]本发明的第一方面
本发明的烧结产物，是作为透明导电膜成膜用的透明导电材料，其基本构成成分是氧化铟、氧化锡及氧化锌。
其组成成分的原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30。
这些组成比例范围中，又以
In/(In+Sn+Zn)＝0.60～0.75
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.35
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20
为优选。
又以
In/(In+Sn+Zn)＝0.60～0.70
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.25～0.35
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.15
为最优选。
本发明中，作为构成成分的氧化铟、氧化锡及氧化锌的组合物如上述限定，若氧化铟与氧化锌的混合物于低温下烧结时，烧结产物的导电性低。本发明的烧结产物可防止导电性降低。这些氧化铟与氧化锌的混合物若于高温下烧结时，可形成导电性提高的六方晶层状化合物。但是欲将所有的氧化锌变换为六方晶层状化合物是有其困难性的，因此导电性的提高亦有限。
因此，本发明中使无法变换为六方晶层状化合物的氧化锌与氧化锡作用，以形成为具有尖晶石结构的化合物，可使组合物所得的烧结产物的导电性提高，可使使用由此烧结产物所得的靶所进行的溅射处理更加稳定。
关于这些成分的掺合比，若氧化铟的原子比低于0.50时，除会造成所得透明导电膜的表面电阻升高以外，亦会使耐热性降低；若此数值超过0.75时，会使所得透明导电膜产生结晶化而引起透明性降低。若氧化锡的原子比低于0.20时，氧化锌与氧化锡形成的尖晶石结构化合物将不完全；若此数值超过0.45时，会使所得透明导电膜的表面电阻提高。此外，若氧化锌的原子比低于0.03时，所得的透明导电膜容易形成结晶化，此数值若超过0.30时，则会使所得的透明导电膜的耐热性降低。
这些构成成分除在上述组成范围以外，这些金属氧化物中尚含有以In2O3·(ZnO)m(式中m为2～20的整数。)所示的六方晶层状化合物，及式Zn2SnO4所示的尖晶石结构化合物。
由上述构造所得的本发明的烧结产物，如前所述具有较高的导电率，电阻率值低于2mΩ·cm。因此，在使用以此烧结产物作为靶的溅射装置等进行成膜时，可使溅射处理于更稳定的情形下进行，因此可以在极优良生产条件下制造成膜制品。
此烧结产物包括构成成分氧化铟、氧化锡及氧化锌，并另外含有占其中全部金属原子总量的0.5～10原子％的正四价或以上的多价金属氧化物，尤其优选为氧化钌、氧化钼或氧化钒。该烧结产物具有在5.45和5.70电子伏之间的功函数，于是其功函数与有机电致发光器件中作为发光物质或空穴输送物质的有机化合物的平均功函数5.6电子伏几乎为同一水平。因此，若用于有机电致发光器件，则通过溅射此烧结产物靶形成的透明导电膜应具有高的空穴注入率。在此烧结产物中，正四价或以上的多价金属氧化物的比例优选地为全部金属原子总额的1～5原子％。
其次，有关本发明烧结产物的制造方法，是将上述各金属氧化物的粉末，使用混合研磨机、例如湿式球磨机或珠磨机、超音波等，进行均匀地混合、研磨、造粒后，以加压成型方式制得所需的形状，再经烧结处理成为烧结产物。此处的将原料粉末混合研磨，是将其尽可能研磨至微细，但一般以使用处理至平均粒径为1μm以下混合研磨的物为佳。烧结条件，一般为1,200～1,500℃，优选为1,250～1,480℃，时间为10～72小时，优选为24～48小时。此时的升温速率为1～50℃/分。
此烧结处理中，为使烧结产物中的氧化铟与氧化锌形成前述式所示的六方晶层状化合物的形态时，烧结温度以1,250℃以上为佳。为使氧化锌与氧化锡形成具有尖晶石结构的化合物时，其烧结温度以1,000℃以上为佳。
在制备本发明烧结产物时，当该金属氧化物三成分体系同正四价及以上多价金属氧化物如氧化钌、氧化钼或氧化钒结合时，将适量另外的金属氧化物如氧化钌的粉末加入原料的三成分体系金属氧化物粉末中，再按上法进行烧结。同样，成型物体的烧结可在于所得的烧结产物中能够形成氧化铟与氧化锌的六方层状化合物及氧化锌与氧化锡的尖晶石结构化合物的条件下进行。
[II]本发明的第二方面
本发明中，形成透明导电膜用的烧结产物，是含有如下原子比的氧化铟或氧化铟与氧化锌及/或氧化锡的组合物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种或多种金属氧化物。
优选的烧结产物是含有如下原子比的氧化铟与氧化锌或这些化合物与氧化锡的组合物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
该组合物还含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
最优选的烧产物是含有如下原子比的氧化铟、氧化锌及氧化锡的组合物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.02～0.20，
该组合物还含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
本发明的烧结产物中，作为基本构成成分的氧化铟、氧化锡及氧化锌的组合物，如上所述，可单独使用氧化铟，或可使用氧化铟与少量氧化锌的混合物，或使用氧化铟与少量氧化锌及氧化锡的混合物。
其中，这些成分的含量中，若氧化铟的原子比低于0.80时，除会造成所得透明导电膜的表面电阻升高以外，亦会使耐热性降低。氧化锌的原子比低于0.05时，会造成所得透明导电膜的蚀刻性不佳。此时，于溅射成膜时可少量添加水或氢，以使其蚀刻性提高。氧化锌的原子比若超过0.20时，会使所得透明导电膜的导电性降低。此外，若氧化锡的原子比低于0.02时，容易使靶的导电性降低，此数值若超过0.20时，则会使所得的透明导电膜的表面电阻升高。
所述烧结产物包括上述氧化铟或氧化铟与氧化锌及/或氧化锡的基本成分并含有由氧化钌、氧化钼及氧化钒所先出的添加金属氧化物，其含量是占组合物中金属原子总量的0.5～10原子％。这些添加金属氧化物的含量若低于0.5原子％时，所得的透明导电膜则无法具备有够高的功函数，若此含量超过10原子％时，会引起透明性的降低。即，这些金属氧化物含量的优选范围为，占组合物中金属原子总量的1～7原子％，更优选为1～5原子％。
如此，使用于氧化铟等基本成分中添加一种或多种氧化钌或氧化钼、氧化钒等添加成分后以所得的烧结产物制得的透明导电膜，可得到使功函数提高，此添加成分的含量若于上述范围时，可得到5.45电子伏特以上的数值。此透明导电膜的功函数的数值，与有机电致发光器件中作为发光物质或空穴输送物质等有机化合物的功函数的平均值的5.5～5.6电子伏特相当。因此，使用此透明导电膜作为有机电致发光器件的阳极时，可使由此阳极注入空穴输送层或将空穴注入发光层时的能量间隙降低，因此该设备可保证较高的空穴注入率。因此，可使有机电致发光器件的驱动电压降低，亦可抑制各层间能量间隙所产生的发热现象，而可使其具有长时间的稳定的发光现象。
其次，有关本发明烧结的制造方法，是将上述各金属氧化物的粉末，使用混合研磨机、例如湿式球磨机或珠磨机、超音波等，进行均匀地混合、研磨、造粒后，以加压成型方式制得所需的形状，再经烧结处理成为烧结产物。此处的将原料粉末混合研磨，是将其研磨至尽可能微细，但一般为混合研磨至平均粒径为1μm以下。在烧结阶段，成形体在1,200～1,500℃，优选为1,250～1,480℃烧结，时间为10～72小时，优选为24～48小时。此时的升温速率为1～50℃/分。
[III]本发明的第三方面
本发明透明导电材料为一种组合物，它包括选自氧化铟、氧化锌及氧化锡的一种或多种金属氧化物，并含有占其中全部金属原子总量的0.5～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的一种或多种金属氧化物。
具有优选导电性的本发明的透明导电材料是包括以下原子比的氧化铟、氧化锌及氧化锡金属氧化物的组合物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)0.00～1.00
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的选自氧化铱、氧化铼及氧化钯的一种或多种金属氧化物。
更优选的透明导电材料是由包括以下原子比的氧化铟、氧化锌与氧化锡中的金属氧化物的组合物：
In/(In+Zn+Sn)＝0.50～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.50
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出一种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
其中，具有更优选导电性的透明导电材料是由包括以下原子比的氧化铟、氧化锌及氧化锡的金属氧化物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.75～0.95
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出一种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
具有最优选导电性的透明导电材料是由包括以下原子比的氧化铟、氧化锌及氧化锡的金属氧化物，
In/(In+Zn+Sn)＝0.85～0.95
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.15
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出一种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
本发明的透明导电材料中，作为基本构成成分的氧化铟、氧化锌及氧化锡、或这些金属氧化物的混合物，如上所述，可单独使用氧化铟、氧化锌或氧化锡，或可使用氧化铟与少量氧化锌的混合物，或使用氧化铟与氧化锡的混合物，或可使用氧化铟与氧化锌及氧化锡的混合物。
关于这些基本构成成分的掺合比，氧化铟这里不是经常需要的。但为了使该材料能形成低表面电阻的透明导电膜，希望氧化铱的原子比为0.5以上。氧化锌这里不是经常需要的。但为了使该材料能形成较高可蚀刻性的透明导电膜，便在该材料配方中加入少量氧化锌。为此，例如氧化锌的原子比可为0.05以上。若由此材料形成的透明导电膜的蚀刻性不佳时，可于使该材料烧结产物溅射以形成膜的装置中添加少量的水或氢，从而能提高所形成膜的可蚀刻性。若氧化锌的原子比超过0.25时，则该透明导电膜的耐用性将会低。氧化锡这里不是经常需要的。但为了使该材料形成的靶的导电性在较高水平，本发明材料中最好含有氧化锡。然而，当希望由该靶形成的透明导电膜具有较低表面电阻时，此材料中氧化锡的原子比最好在0.5以下。
在该材料中，其基本构成成分应与任一种氧化铱、氧化铼、及氧化钯或与可按任何希望比例的该金属氧化物的混合物结合。欲加入该材料中的这部分外加金属氧化物，应占包括该外加金属氧化物的全部构成该材料金属原子总量的0.5～20原子％。若以原子比表示时，可用下列公式给出：
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.005～0.20，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.005～0.20，
Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.005～0.20，
优选地，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.01～0.10，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.01～0.10，
Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.01～0.10，
更优选为
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.03～0.08，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.03～0.08，
Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.03～0.08。
这些附加成分氧化铱、氧化铼及氧化钯的含量若低于0.5原子％时，无法使透明导电膜的功函数达到充分的高度，此含量超过2O原子％时，则会导致透明性的降低。
包括上述基本构成成分，及含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的氧化铱、氧化铼及氧化钯的金属氧化物的组合物，可被烧结成为溅射靶，该靶经溅射形成透明导电膜。这种透明导电膜的透光率为70％以，功函数的值为5.4电子伏特以上。此透明导电膜的功函数的数值，与有机电致发光器件中作为发光物质或空穴输送物质等使用的有机化合物的电离位能的平均值的5.5～5.6电子伏特相当。因此，使用此透明导电膜作为有机电致发光器件的阳极时，可使经由此阳极注入空穴输送层或将空穴注入发光层时的能量间隙降低，而得一较高的空穴注入率。因此，可使有机电致发光器件的驱动压降低，亦可抑制因各层间能量间隙所产生的发热现象，并能确保其具有长时间的稳定。
有关本发明透明导电材料的制造方法，是例如将上述各金属氧化物的粉末依一定比例混合，其可使用混合研磨机、例如湿式球磨机或珠磨机、超音波等以均匀混合、研磨而制得。此处的将原料粉末混合研磨，是将其研磨至尽可能微细，但一般是混合研磨处理至平均粒径为1μm以下。
为了获得用此透明导电材料所得的烧结产物，例如可在造粒后，以加压成型的方式制得所希望的形状，其后再将成形体烧结。在烧结步骤中，一般为1,200～1,500℃，优选为1,250～1,480℃烧结10～ 72小时，优选为24～48小时。此时的升温速率为1～50℃/分。
[IV]本发明的第四方面
本发明的透明导电材料，是由包括如下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出一种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
优选地，该透明导电材料由包括如下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.60～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.35
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出一种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
更优选地，该透明导电材料是由包括如下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌中的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出一种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
更优选地，该透明导电材料是由包括以下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出一种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料。
最优选地，该透明导电材料是由包括如下原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌的金属氧化物
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.60～0.95
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.35
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出一种或多种金属氧化物的组合物所得的透明导电材料
本发明的透明导电材料中，作为基本构成成分的氧化锡、氧化铟、氧化锌、或这些金属氧化物的混合物，如上所述，可单独使用氧化锡、氧化铟或氧化锌，或可使用氧化锡与少量氧化铟的混合物，或使用氧化锡与氧化锌的混合物，或可使用氧化锡与氧化铟及氧化锌的混合物皆可。
关于这些基本构成成分的掺合比，理想的是氧化锡的含量至少为0.55，以使其可以价廉制得且可制成具优良耐热性的透明导电膜。氧化铟常非必要，但为使透明导电膜维持在较高导电性，其原子比以0.45以内为佳。此氧化铟的含量比例中，若其原子比超过0.45时，会使透明导电膜的制造费用提高。氧化锌常非必要，但为使透明导电膜的蚀刻加工性提高，它可以加入组合物。待加入氧化锌的原子比以0.05以上为佳。为维持形成的透明导电膜具有良好的耐湿热性，氧化锌的原子比以0.25以下者为佳。若透明导电膜的蚀刻加工性不佳时，可于透明导电膜的溅射成膜时添加少量的水或氢，以使其蚀刻性增加。
在该材料中，于上述基本构成成分中可含有任何希望比例的氧化钒、氧化钼及氧化钌，可各自单独存在或以其任意混合比例的混合方式存在皆可。其中，这些附加金属氧化物相对于构成该材料的所有金属原子，包括附加金属氧化物的金属原子，为0.5～10原子％。若将其以原子比表示时，则为
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.005～0.10
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.005～0.10
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.005～0.10；
优选为
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.01～0.08
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.01～0.08
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.01～0.08；
更优选为
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.02～0.05
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.02～0.05
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.02～0.05
这些氧化钒、氧化钼或氧化钌中的任一，或其混合物的含量若低于0.5原子％时，将无法使透明导电膜的功函数达到充分的高度，此含量超过1O原子％时，则会导致透明性的降低。
含有上述基本构成成分，并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的氧化钒、氧化钼及氧化钌的金属氧化物的组合物，可被烧结成为溅射靶，该靶经溅射形成透明导电膜。这种透明导电膜的透光率为70％以上，且功函数的值为5.4电子伏特以上。此透明导电膜的功函数的数值，与有机电致发光器件中作为发光物质或空穴输送物质等使用的有机化合物的电离位能的平均值的5.5～5.6电子伏特相当。因此，使用此透明导电膜作为有机电致发光器件的阳极时，可使经由此阳极注入空穴输送层或将空穴注入发光层时的能量间隙降低，而得一较高的空穴注入率。因此，可使有机电致发光器件的驱动压降低，亦可抑制因各层间能量间隙所产生的发热现象，并能确保其具有长时间的稳定发光。
有关本发明透明导电材料的制造方法，例如将上述各金属氧化物的粉末依一定比例混合，其可使用混合研磨机、例如湿式球磨机或珠磨机、超音波等以均匀混合、研磨而制得。此处的将原料粉末混合研磨，是将其研磨至尽可能微细，但一般是混合研磨处理至平均粒径为1μm以下。
为了获得用此透明导电材料所得的烧结产物，例如可在造粒后，以加压成型的方式制得所希望的形状，其后再将成形体烧结。在烧结步骤中，一般在1,200～1,500℃，优选为1,250～1,480℃烧结10～72小时，优选为24～48小时。此时升温速率为1～50℃/分。于采用这烧结条件时，即可制得电阻率为10mΩ·cm以下的烧结产物。
将如此所得的烧结产物机械加工成可装入溅射装置的形体，每个形体之后附配合适的装置。这样即可制得一具有优良导电性且可稳定地进行溅射的溅射靶。
[V]本发明的第一至第四方面的透明电极玻璃与透明导电薄膜
使用上述所得靶在透明基材上进行成膜。透明基材可使用目前使用的玻璃基板或，具有高透明性的合成树脂制的薄膜、或薄片等。优选的合成树脂例如可使用聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚酯类树脂、聚醚砜树脂、聚丙烯酸酯树脂等等。
使用上述靶在将透明导电膜置于透明基材上以溅射法进行成膜时，以使用磁控管式溅射装置为佳。而使用此装置进行溅射成膜的条件中，随靶的表面积或待形成的透明导电膜的膜厚，等离子体输出可产生变动，但一般等离子体的输出是于靶表面积1cm2为0.3～4W的范围，成膜的时间为5～120分钟。此透明导电膜的膜厚度，随显示装置的种类而有不同，一般以2000～6000埃，优选为300～2000埃。
使用装著有前述烧结产物的电子集束装置或离子溅射装置中的靶进行成膜。可于与上述相同的成膜条件下进行透明导电膜的成膜步骤。
对依此方法所制得的本发明的第一方面的透明导电玻璃或透明薄膜而言，这些于透明基材上所形成的透明导电层，具有极高的透光率与较低的电阻率。蚀刻此透明导电层得到透明电极。具体而言，在盐酸或草酸蚀刻后，蚀刻部与未蚀刻部界限部分的截面形状极为平滑，使该蚀刻部与未蚀刻部明确区分。从而可形成具有均匀宽度及厚度的电极导线电路。因此，本发明透明导电玻璃或透明导电薄膜上的透明导电层，可以任何普通方式加以蚀刻加工，得到透明良好的电级。电极加工性差的透明导电膜蚀刻成电极时，包括电极的电路电阻部分增加或下降，这时电路中的绝缘面积将不能起绝缘作用，电路将损坏。而包括由本发明制得透明电极的电路则相反，不会有这些麻烦。
本发明的第一方面中，由包括前述3成分系的金属氧化物并含有正4价及以上的金属氧化物所得烧结产物形成的透明导电层，具有透光率为75％以上，因而具有高透明性。此外它具有的电阻率至多为5mΩ·cm，且功函数为5.45以上。使用这种透明导电层，本发明的透明导电玻璃或透明导电薄膜适于制造有机电致发光器件用透明电极。在本实施方案中，若正4价及以上金属氧化物的含量太高，则导电层的导电率会降低。因此，若需要该导电层维持较高的导电率时，它应具有一种层合结构，该结构包括和其上再层合含有由正4价或以上金属氧化物的上层。然后烧结该两层的层合物。得到具有优良导电性的透明导电层。且其功函数与适用于有机电致发光器件的有机化合物近乎相同。该导电层适于用于有机电致发光器件的电极。
在上述方式所得的本发明的第二方面的透明导电玻璃和透明导电薄膜中，透明导电层的金属氧化物组成与形成该导电层的烧结产物相同。上透明导电层的透明性，对波长500nm的透光率为75％以上。就此透明导电膜的导电性而言，其电阻率至多为5mΩ·cm。如上所述，此导电层的功函数较以往使用普通ITO膜更高，为5.45电子伏特以上。
在上述方式所得的本发明的第三方面的透明导电玻璃和透明导电薄膜中，透明导电层的金属氧化物组成与形成该导电层的烧结产物相同。上透明导电层的透明性，对波长500nm的透光率为70％以上。就此透明导电膜的导电性而言，其电阻率至多为5mΩ·cm。因此，如上所述，此导电层的功函数较以往使用普通ITO膜更高，为5.4电子伏特以上。此值几乎与形成有机电致发光器件的发光层或空穴输送层的有机化合物的电离位能的值相等。
在上述方式所得的本发明的第四方面的透明导电玻璃和透明导电薄膜中，透明导电层的金属氧化物组成与形成该导电层的烧结产物相同。上透明导电层的透明性，对波长500nm的透光率为70％以上。因此，如上所述，此导电层的功函数较以往使用普通ITO膜更高，为5.4电子伏特以上。此值几乎与形成有机电致发光器件的发光层或空穴输送层的有机化合物的电离位能的值相等。
因此，本发明的透明导电玻璃或透明导电薄膜，在各种显示装置，例如典型的有机电致发光器件中，极适合作为透明电极。
具体实施方式
本发明参考如下实施例作更详细的说明，但，本发明并不受这些实例的限制。
[本发明的第一方面]
[实施例I-1]
(1)烧结片的制造
使用氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并以下述原子比予以混合后馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨。
In/(In+Sn+Zn)＝0.50
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.25
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.25
将所得研磨物造粒后，再加压成直径4英寸、厚5mm的片，再将其置入烧结炉中，进行1400℃、36小时的加压烧结。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.6g/cm3，且体电阻为0.95mΩ·cm。
其次，此烧结片的结晶性经X射线分析而确认，烧结片内形成氧化铟的结晶与，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石结构的化合物结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述所得的烧结片，制作成直径4英寸、厚度5mm的溅射靶。将其装于D℃磁控管溅射装置上，并于玻璃基板上成膜。
关于溅射条件，周围环境是使用混有适量氧气的氩气环境，且溅射压力为3×10-1Pa，最终真空度为5×10-4Pa，基板温度为25℃，导入能量为100W，成膜淀积时间为14分钟。
在该透明玻璃上形成的透明导电膜，其厚度为1,200埃，且为非晶形。而此透明导电膜的透光率以分光光度计测量，对500nm的光线测得为79％。以4探针法测定的透明导电膜的电阻率为0.36mΩ·cm，于是该膜的导电性是高的。功函数是以紫外线光电子光谱法予以测定。
(3)透明导电膜的加工性评估
将于上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，经由具有线状通透孔的掩膜，涂布以保护层，并显像。并以盐酸水溶液蚀刻其上带图案的保护层的该膜。在此蚀刻处理的膜中，蚀刻部分与非蚀刻部分的界限部分，形成具有平滑倾斜表面。其后将与蚀刻溶液接触的膜部分除去，并未发现此接触面上残存有薄膜。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-2]
除将实施例I-1中(2)部分的溅射时的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例I-1相同步骤制造透明导电玻璃。
所得透明导电玻璃上的透明导电膜的评估结果如表I-2所示。
[实施例I-3]
除将实施例I-1中(1)部分的透明基材所用的玻璃基板，以厚度为0.1m m的聚碳酸酯基板取代以外，其他皆与实施例I-1相同步骤制造透明导电玻璃。
在聚碳酸酯基板上形成的透明导电薄膜的评估结果如表I-2所示。
[实施例I-4]
(1)烧结片的制造
除使用氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并以下述原子比予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Sn+Zn)＝0.50
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.45
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且体电阻为0.98mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有由氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石结构的化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-5]
(1)烧结片的制造
除使用下述原子比的氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Sn+Zn)＝0.70
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.25
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且体电阻为0.87mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石结构的化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-6]
(1)烧结片的制造
除使用下述原子比的氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Sn+Zn)＝0.60
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10
依此方法所得的烧结片，其密度为6.7g/cm3，且体电阻为0.82mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方晶层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石结构的化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
上述(2)中透明玻璃基板上形成的透明导电膜的加工性，依实施例I-1的(3)相同方法进行评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-7]
(1)烧结片的制造
除使用下述原子比的氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并予以混合后，
In/(In+Sn+Zn)＝0.60
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10
再加入原子比例为
Ru/(In+Sn+Zn+Ru)＝0.02
的氧化钌粉末后再经混合外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.7g/cm3，且体电阻为0.80mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石结构的化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。表I-1中的金属氧化物组成栏中，Me表示Ru(后面也同样应用于Mo等)。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-8]
(1)烧结片的制造
除使用下述原子比的氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并予以混合后，
In/(In+Sn+Zn)＝0.60
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10
再加入原子比例为
Mo/(In+Sn+Zn+Mo)＝0.02
的氧化钼粉末后再经混合外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且体电阻为0.94mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，所得的In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石结构的化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[实施例I-8]
(1)烧结片的制造
除使用下述原子比的氧化铟、氧化锡及氧化锌的粉末作为原料，并予以混合后，
In/(In+Sn+Zn)＝0.60
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10
再加入原子比例为
V/(In+Sn+Zn+V)＝0.02
的氧化钒粉末后再经混合外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且体电阻为0.99mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，所得的In2O3·(ZnO)m表示、且m为4、5、7的氧化铟与氧化锌六方层状化合物的结晶，及以Zn2SnO4为主的具有尖晶石结构的化合物所构成的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)中在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[比较例I-1]
(1)烧结片的制造
除将原料的氧化铟与氧化锌的粉末，以下述原子比予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
依此方法所得的烧结片，其密度为6.75g/cm3，且体电阻为2.74mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是形成具有氧化铟的结晶，和氧化铟-氧化锌的六方层状化合物的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
因烧结片的电阻率较大，故于溅射时的稳定性差，因此到达预定膜厚度所需的成膜时间需要17分钟。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)所得的在玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[比较例I-2]
(1)烧结片的制造
除将原料的氧化铟与氧化锡的粉末，以下述原子比予以混合以外，其他皆依实施例I-1相同步骤，制得烧结片。
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
依此方法所得的烧结片，其密度为6.71g/cm3，且体电阻为0.69mΩ·cm。此烧结片的结晶性，经确认其是为氧化铟的结晶。
此结果如表I-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述(1)所得的烧结片，依实施例I-1的(2)相同步骤制作透明导电玻璃。
(3)透明导电膜的加工性评估
将上述(2)所得的玻璃基板上形成的透明导电膜，依实施例I-1的(3)相同方法进行透明导电膜的加工性评估。
其评估结果如表I-2所示。
[比较例I-3]
除将比较例2的(2)中溅射时所使用的玻璃基板的温度调整为215℃以外，其他皆依比较例I-2相同步骤，制得透明导电玻璃。
所得玻璃基板上的透明导电膜的评估结果如表I-2所示。
                             表I-1(1)
  实施例   I-1   I-4   I-5   I-6
  In/(In+Sn+Zn)   0.50   0.50   0.70   0.60
  Sn/(In+Sn+Zn)   0.25   0.45   0.25   0.30
  Zn/(In+Sn+Zn)   0.25   0.05   0.05   0.10
  烧结片密度(g/cm3)   6.6   6.8   6.8   6.7
  体电阻(mΩ·cm)   0.95   0.98   0.87   0.82
  结晶性   氧化铟   有   有   有   有
  六方层状化合物   有   有   有   有
  尖晶石化合物   有   有   有   有
表I-1(2)
               实施例         比较例
  实施例   I-7   I-8   I-9   I-1   I-2
  In/(In+Sn+Zn)   0.60   0.60   0.60   0.85   0.90
  Sn/(In+Sn+Zn)   0.30   0.30   0.30   -   0.10
  Zn/(In+Sn+Zn)   0.10   0.10   0.10   0.15   -
  Me/(In+Sn+Zn+Me)   0.02   0.02   0.02   -   -
  烧结片密度(g/cm3)   6.7   6.8   6.8   6.75   6.71
  体电阻(mΩ·cm)   0.80   0.94   0.99   2.74   0.69
  结晶性   氧化铟   有   有   有   有   有
  六方晶层状化合物   有   有   有   无   无
  尖晶石化合物   有   有   有   无   无
 表I-2(1)
  实施例   薄膜的电阻率(mΩ·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)   电极加工性(蚀刻膜截面)
  I-1   0.36   79   非晶形   5.11   平滑
  I-2   0.34   79   非晶形   5.12   平滑
  I-3   0.37   78   非晶形   5.12   平滑
  I-4   0.24   80   非晶形   5.16   平滑
  I-5   0.27   81   非晶形   5.18   平滑
  I-6   0.29   80   非晶形   5.15   平滑
  I-7   1.3   79   非晶形   5.49   平滑
  I-8   3.5   78   非晶形   5.55   平滑
  I-9   2.4   78   非晶形   5.57   平滑
表I-2(2)
  比较例   薄膜的电阻率(mΩ·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)   电极加工性(加工部截面)
  I-1   0.34   80   非晶形   5.18   平滑
  I-2   0.42   80   微晶   4.97   粗糙
  I-3   0.18   82   晶质   4.95   粗糙
[本发明的第二方面]
[实施例II-1]
(1)烧结片的制造
于作为原料的氧化铟粉末中，将具有下述原子比的氧化钌粉末混合后馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨。
Ru/(In+Ru)＝0.03
其次，将所得研磨物造粒后，再加压成直径4英寸、厚5mm的片，将片置入烧结炉中，在1400℃进行的加压烧结36小时。
依此方法所得的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且体电阻为0.80mΩ·cm。
此结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
将上述所得的烧结片，制成直径4英寸、厚度5mm的溅射靶。将靶装于DC磁控管溅射装置上，对玻璃基板溅射。
其溅射条件为，周围环境是使用混有适量氧气的氩气，且溅射压力为3×10-1Pa，最终真空度为5×10-4Pa，基板温度为25℃，加入电能为100W，成膜时间为14分钟。
依此方式所得的玻璃基板上的透明导电膜，其厚度为1,200埃，且为非晶形。而此透明导电膜对500nm的光线的透光率，以分光光度测得为79％。以4探针法测定的透明导电膜的电阻率为0.84mΩ·cm，导电性较高。功函数以紫外线电子光谱法测定的结果为5.51电子伏特。
此透明导电膜的评估结果如表II-2所示。
[实施例II-2]
(1)烧结片的制造
除将实施例II-1中作为原料的氧化钌改为具有下述原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Mo)＝0.07
所得烧结片的物性如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-3]
(1)烧结片的制造
除将实施例II-1中作为原料的氧化钌改为具有下述原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+V)＝0.07
所得烧结片的物性如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-4]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.83
Zn/(In+Zn)＝0.17
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Zn+Ru)＝0.020
其所得烧结片的物性如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-5]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Zn+Mo)＝0.020
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-6]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Zn+V)＝0.020
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例I I-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-7]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.93
Zn/(In+Zn)＝0.07
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Zn+Ru)＝0.015
其所得烧结片的物性如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-8]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.90
Zn/(In+Zn)＝0.10
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Zn+Mo)＝0.050
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-9]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锌粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn)＝0.90
Zn/(In+Zn)＝0.10
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Zn+V)＝0.070
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-10]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.80
Sn/(In+Sn)＝0.20
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Sn+Ru)＝0.030
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-11]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.80
Sn/(In+Sn)＝0.20
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Sn+Mo)＝0.070
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-12]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.80
Sn/(In+Sn)＝0.20
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Sn+V)＝0.050
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-13]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Sn+Ru)0.021
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-14]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Sn+Mo)＝0.070
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-15]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末与氧化锡粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Sn+V)＝0.020
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-16]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.022
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-17]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.050
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例I I-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-18]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡的粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.050
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-19]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡的粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钌予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.025
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-20]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡的粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钼予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.035
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-21]
(1)烧结片的制造
除将作为原料的氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化锡的粉末以下述原子比予以混合，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03
其后，再于其中加入下述原子比的氧化钒予以混合以外，其他皆依实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片。
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.035
其所得烧结片的物性的测定结果如表II-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(1)所得的烧结片以外，其他皆依实施例I I-1的(2)相同步骤制造透明导电玻璃。在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性评估结果如表II-2所示。
[实施例II-22]
将按实施例II-4的(1)相同方法制得的烧结片作为靶，除将实施例II-4(2)中溅射的玻璃基板温度加热至215℃以进行溅射外，其他皆与实施例II-4相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性，按实施例II-1的(2)相同方法进行评估，其结果如表II-2所示。
[实施例II-23]
将按实施例II-10的(1)相同方法制得的烧结片作为靶，除将实施例II-10(2)中溅射的玻璃基板温度加热至215℃以进行溅射外，其他皆与实施例II-10相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性，按实施例II-1的(2)相同方法进行评估，其结果如表II-2所示。
[实施例II-24]
将按实施例II-10的(1)相同方法制得的烧结片作为靶，除将实施例II-10(2)中溅射时添加2重量％水以进行溅射以外，其他皆与实施例II-10相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性，按实施例II-1的(2)相同方法进行评估，其结果如表II-2所示。
将如此方式制得的透明导电膜，于215℃下退火1小时，并测量其物性。发现退火前后的物性并未有变化。
[实施例II-25]
将按实施例II-4的(1)相同方法制得的烧结片作为靶，除将实施例II-4(2)中作为透明基材的玻璃基板以0.1mm的聚碳酸酯基板的透明基材取代以外，其他皆与实施例II-4相同步骤制造透明导电膜。
在聚碳酸酯基板上形成的透明导电膜的物性，按实施例II-1的(2)相同方法进行评估，其结果如表II-2所示。
[比较例II-1]
除原料只使用具有下述原子比的氧化铟粉末与氧化锌粉末混合所得的混合物，
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
不再添加任何附加成分氧化钌等，按实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结产物，再由烧结产物生产出靶。并按实施例II-1的(2)相同步骤形成透明导电膜。
形成于玻璃基板上的透明导电膜的物性测定结果如表II-2所示。
[比较例II-2]
除原料使用具有下述原子比的氧化铟粉末与氧化锡粉末混合所得的混合物，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
不再添加任何附加成分氧化钌等，按实施例II-1的(1)相同步骤制得烧结片，再由烧结片形成溅射靶。使用这样生产的靶，并于溅射时将玻璃基板的温度加热至215℃以进行溅射以外，其他皆依实施例II-1的(2)相同步骤制得透明导电玻璃。
形成于玻璃基板上的透明导电膜的物性测定结果如表II-2所示。
表II-1(1)
  实施例   II-1   II-2   II-3   II-4   II-5   II-6   II-7
  In/(In+Zn+Sn)   1.00   1.00   1.00   0.83   0.85   0.85   0.93
  Zn/(In+Zn+Sn)   -   -   -   0.17   0.15   0.15   0.07
  Sn/(In+Zn+Sn)   -   -   -   -   -   -   -
  Ru/(In+Zn+Sn+Ru)   0.030   -   -   0.020   -   -   0.015
  Mo/(In+Zn+Sn+Mo)   -   0.070   -   -   0.020   -   -
  V/(In+Zn+Sn+V)   -   -   0.050   -   -   0.020   -
 烧结片密度(g/cm3)   6.81   6.78   6.76   6.81   6.90   6.70   6.75
 体电阻(mΩ·cm)   0.80   0.88   0.95   0.95   2.74   1.72   0.95
表II-1(2)
  实施例   II-8   II-9   II-10   II-11   II-12   II-13   II-14
  In/(In+Zn+Sn)   0.90   0.90   0.80   0.80   0.80   0.90   0.90
  Zn/(In+Zn+Sn)   0.10   0.10   -   -   -   -   -
  Sn/(In+Zn+Sn)   -   -   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20
  Ru/(In+Zn+Sn+Ru)   -   -   0.030   -   -   0.021   -
  Mo/(In+Zn+Sn+Mo)   0.050   -   -   0.070   -   -   0.020
  V/(In+Zn+Sn+V)   -   0.070   -   -   0.050   -   -
  烧结片密度(g/cm3)   6.85   6.68   6.72   6.76   6.56   6.81   6.85
  体电阻(mΩ·cm)   1.85   4.85   0.74   0.92   1.92   0.79   0.93
表II-1(3)
  实施例   II-15   II-16   II-17   II-18   II-19   II-20   II-21
  In/(In+Zn+Sn)   0.90   0.80   0.80   0.80   0.80   0.90   0.90
  Zn/(In+Zn+Sn)   -   0.10   0.10   0.10   0.07   0.07   0.07
  Sn/(In+Zn+Sn)   0.10   0.10   0.10   0.10   0.03   0.03   0.03
  Ru/(In+Zn+Sn+Ru)   -   0.022   -   -   0.025   -   -
  Mo/(In+Zn+Sn+Mo)   -   -   0.050   -   -   0.035   -
  V/(In+Zn+Sn+V)   0.020   -   -   0.050   -   -   0.035
  烧结片密度(g/cm3)   6.55   6.74   6.78   6.57   6.71   6.78   6.58
  体电阻(mΩ·cm)   1.93   0.92   1.85   1.85   0.98   1.98   1.98
表II-2(1)
  实施例   薄膜的电阻率(mΩ·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)
  II-1   0.84   79   微晶   5.51
  II-2   1.51   80   微晶   5.48
  II-3   4.10   79   微晶   5.49
  II-4   1.70   79   非晶形   5.52
  II-5   2.80   76   非晶形   5.46
  II-6   3.70   79   非晶形   5.47
  II-7   1.20   79   非晶形   5.45
  II-8   2.10   77   非晶形   5.48
  II-9   3.12   80   非晶形   5.50
  II-10   0.70   81   微晶   5.52
表II-2(2)
  实施例   薄膜的电阻率(mΩ·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)
  II-11   1.47   78   微晶   5.50
  II-12   3.74   80   微晶   5.48
  II-13   0.71   80   微晶   5.47
  II-14   1.56   76   微晶   5.46
  II-15   2.65   78   微晶   5.47
  II-16   0.65   78   非晶形   5.54
  II-17   2.56   74   非晶形   5.48
  II-18   3.62   76   非晶形   5.49
  II-19   0.72   79   非晶形   5.55
  II-20   1.27   76   非晶形   5.50
表II-2(3)
  实施例(比较例)   薄膜的电阻率(mΩ·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)
  II-21   4.27   75   非晶形   5.51
  II-22   1.40   80   非晶形   5.53
  II-23   0.71   81   结晶   5.52
  II-24   0.84   80   非晶形   5.51
  II-25   1.70   78   非晶形   5.51
  (II-1)   0.34   80   非晶形   5.18
  (II-2)   0.18   82   结晶   4.97
[本发明的第三方面]
[实施例III-1]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料的氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.04
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
将上述(1)所得透明导电材料的粉末造粒后，将其加压成形成直径4英寸、厚5mm的片。将烧结片置于烧成炉中，于1400℃下，进行36小时的加压烧结。
依此方法所得之的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且体电阻为0.98mΩ·cm。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
将上述(2)所得的烧结片，制作直径4英寸、厚度5mm的溅射靶。将该靶装于DC磁控管溅射装置上，溅射到玻璃基板上制膜。
其溅射条件中，周围环境是使用混有适量氧气的氩气环境，且溅射压力为3×10-1Pa，最终真空度为5×10-4Pa，基板温度为25℃，施加能量为80W，成膜时间为14分钟。
依此方式所得的透明导电玻璃上的透明导电膜，其厚度为1,200埃，且为非晶形。而此透明导电膜的透光率以分光光度计对500nm的光线测定所得结果，为81％。以4探针法测定此透明导电膜的电阻率为1.2mΩ·cm，导电性较高。功函数以紫外线电子分光法测定的结果为5.46电子伏特。
此透明导电膜的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-2]
(1)透明导电玻璃的制造
使用与实施例III-1相同的溅射靶，除将溅射条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例III-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
该玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-3]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.70
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.30
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.08
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-4]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.25
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.75
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.05
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-5]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化铱粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.04
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-6]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化锌粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.80
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.05
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-7]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.06
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-8]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末、氧化锡粉末及氧化铱粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.05
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.90
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.05
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.06
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-9]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化铱粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.85
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.15
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00
及，
Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.06
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-10]
(1)透明导电玻璃的制造
使用与实施例III-9相同的溅射靶，除将溅射条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例III-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电玻璃的透明导电膜的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-11]
(1)透明导电薄膜的制造
使用与实施例III-10相同的溅射靶，除将作为基板的玻璃基板以聚碳酸酯树脂的透明树脂膜取代以外，其他皆与实施例III-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电薄膜上的透明导电膜的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-12]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锡粉末及氧化铼粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.90
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
及，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.04
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-13]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化铼粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.85
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.15
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00
及，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.06
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-14]
(2)透明导电薄膜的制造
使用与实施例III-13相同的溅射靶，除将作为基板的玻璃基板以聚碳酸酯树脂的透明树脂膜取代以外，其他皆与实施例III-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电薄膜上的透明导电膜的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-15]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末、氧化锡粉末及氧化铼粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10
及，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.05
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[实施例III-16]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末及氧化钯粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝0.80
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00
及，
Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.05
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
所得透明导电材料的原子比如表III-1所示。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表III-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[比较例III-1]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锌粉末以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn)＝0.85
Zn/(In+Zn)＝0.15
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
[比较例III-2]
(1)透明导电材料的制造
将作为原料之氧化铟粉末、氧化锡粉末以下述原子比予以混合后，
In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的粉末。
(2)烧结片的制造
使用上述(1)所得透明导电材料的粉末，依实施例III-1的(2)相同步骤制造烧结片。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得的烧结片，且玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆依实施例III-1的(3)相同步骤制造透明导电玻璃。
在玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表III-2所示。
表III-1(1)
  实施例   III-1   III-3   III-4   III-5   III-6   III-7   III-8
  In/(In+Zn+Sn)   0.90   0.70   0.25   1.0   -   0.80   0.05
  Zn/(In+Zn+Sn)   -   -   -   -   0.20   0.10   0.90
  Sn/(In+Zn+Sn)   0.10   0.30   0.75   -   0.80   0.10   0.05
  Ir/(In+Zn+Sn+Ir)   0.04   0.08   0.05   0.04   0.05   0.06   0.06
  Re/(In+Zn+Sn+Re)   -   -   -   -   -   -   -
  Pd/(In+Zn+Sn+Pd)   -   -   -   -   -   -   -
  烧结片密度(g/cm3)   6.8   6.6   6.3   6.7   6.62   6.8   5.8
  体电阻(mΩ·cm)   0.98   1.4   4.7   0.92   8.9   0.95   8.9
表III-1(2)
  实施例/比较例   III-9   III-11   III-12   III-13   III-16   (III-1)   (III-2)
  In/(In+Zn+Sn)   0.85   0.90   0.85   0.80   0.80   0.85   0.90
  Zn/(In+Zn+Sn)   0.15   -   0.15   0.10   0.20   0.15   -
  Sn/(In+Zn+Sn)   -   0.10   -   0.10   -   -   0.10
  Ir/(In+Zn+Sn+Ir)   0.06   -   -   -   -   -   -
  Re/(In+Zn+Sn+Re)  -   0.04   0.06   0.05   -   -   -
  Pd/(In+Zn+Sn+Pd)   -   -   -   -   0.05   -   -
  烧结片密度(g/cm3)   6.8   6.7   6.8   6.3   6.48   6.9   6.71
  体电阻(mΩ·cm)   1.0   0.85   0.94   0.73   3.4   2.4   0.69
表III-2(1)
  实施例   基板温度(℃)   薄膜的电阻率(mΩ·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)
  III-1   25   1.2   81   非晶形   5.46
  III-2   215   0.52   82   微晶   5.45
  III-3   25   1.7   82   非晶形   5.47
  III-4   25   3.8   81   非晶形   5.48
  III-5   25   0.80   80   非晶形   5.45
  III-6   25   450   80   非晶形   5.46
  III-7   25   1.1   81   非晶形   5.54
  III-8   25   8.8   78   非晶形   5.48
  III-9   25   1.3   82   非晶形   5.54
表III-2(2)
  实施例/比较例   基板温度(℃)   薄膜的电阻率(m Ω·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)
  III-10   215   0.56   80   非晶形   5.49
  III-11   25   0.45   82   非晶形   5.45
  III-12   25   0.64   81   非晶形   5.48
  III-13   25   0.55   82   非晶形   5.47
  III-14   25   1.3   82   非晶形   5.54
  III-15   25   0.64   81   非晶形   5.48
  III-16   25   360   76   非晶形   5.61
  (III-1)   25   0.32   80   非晶形   5.18
  (III-2)   215   0.18   82   结晶   4.95
[本发明的第四方面]
[实施例IV-1]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钒的粉末，以下述原子比予以混合后，
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.80
In/(Sn+In+Zn)＝0.00
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.20
及，
V/(Sn+In+Zn+V)＝0.04
将其馈入湿式球磨机中，并经72小时混合研磨，制得透明导电材料的原料粉末。
所得透明导电材料的原子比如表IV-1所示。
(2)烧结片的制造
将上述(1)所得透明导电材料的原料粉末造粒后，将其加压成形成直径4英寸、厚5mm的片。将其置入烧成炉中，于1400℃下，进行36小时的加压烧结。
依此方法所得之的烧结片，其密度为6.8g/cm3，且体电阻为6.5mΩ·cm。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
将上述(2)所得的烧结片，制作直径4英寸、厚度5mm的溅射靶[A]。将该靶装于DC磁控管溅射装置上，溅射到玻璃基板上制膜。
其溅射条件中，周围环境是使用混有适量氧气的氩气环境，且溅射压力为3×10-1Pa，最终真空度为5×10-4Pa，基板温度为25℃，施加能量为100W，成膜时间为14分钟。
依此方式所得的透明导电玻璃上的透明导电膜，其厚度为1,200埃，且为非晶形。而此透明导电膜的透光率以分光光度计对500nm的光线测定所得结果，为80％。以4探针法测定此透明导电膜的电阻率为1,000mΩ·cm，导电性较高。功函数以紫外线电子分光法测定的结果为5.50电子伏特。
此透明导电膜的评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-2]
(1)透明导电玻璃的制造
使用与实施例IV-1相同的溅射靶[A]，除将溅射条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
该玻璃基板上形成的透明导电膜的物性的评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-3]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钒的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[B]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-4]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钒的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[C]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-5]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟及氧化钒的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[D]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-6]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡及氧化钒的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[E]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-7]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钒的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[F]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-8]
(1)透明导电薄膜的制造
将作为基材的玻璃以透明聚碳酸酯薄膜取代，并使用实施例IV-7所得的溅射靶[F]制造透明导电薄膜。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[实施例IV-9]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钒的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[G]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所形成的透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[比较例IV-1]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化铟与氧化锌的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[H]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[比较例IV-2]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡与氧化铟的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-1所示。
(2)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[I]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所形成的透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[比较例IV-3]
(1)透明导电玻璃的制造
除使用比较例IV-1所制得的溅射靶[H]，并将溅射时玻璃基板的温度调整至215℃以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
[比较例IV-4]
(1)透明导电玻璃的制造
除使用比较例IV-2所制得的溅射靶[I]，并将溅射时玻璃基板的温度调整至215℃以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-2所示。
表IV-1
  实施例/比较例   IV-1   IV-3   IV-4   IV-5   IV-6   IV-7   IV-9   (IV-1)   IV-2
  Sn/(Sn+In+Zn)   0.80   0.95   0.55   0.80   1.00   0.80   0.80   -   0.10
  In/(Sn+In+Zn)   -   -   0.45   0.20   -   0.10   0.15   0.85   0.90
  Zn/(Sn+In+Zn)   0.20   0.05   -   -   -   0.10   0.05   0.15   -
  V/(Sn+In+Zn+V)   0.04   0.032   0.035   0.03   0.02   0.02   0.035   -   -
  烧结片密度(g/cm3)   6.8   6.6   6.5   6.6   6.5   6.7   6.6   6.75   6.71
  体电阻(mΩ·cm)   6.5   5.8   8.3   6.8   8.1   3.8   4.2   2.74   0.69
  靶号码   [A]   [B]   [C]   [D]   [E]   [F]   [G]   [H]   [I]
表IV-2
  实施例/比较例   靶号码   基板温度(℃)   薄膜的电阻率(mΩ·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)
  IV-1   [A]   25   1000   80   非晶形   5.50
  IV-2   [A]   215   1000   81   结晶   5.51
  IV-3   [B]   25   700   80   非晶形   5.49
  IV-4   [C]   25   3   81   非晶形   5.48
  IV-5   [D]   25   5   80   非晶形   5.47
  IV-6   [E]   25   4   81   非晶形   5.46
  IV-7   [F]   25   1   82   非晶形   5.48
  IV-8   [F]   25   1   82   非晶形   5.48
  IV-9   [G]   25   2   81   非晶形   5.48
  (Iv-1)   [H]   25   0.34   80   非晶形   5.18
  (IV-2)   [I]   25   0.42   80   微晶   4.97
  (IV-3)   [H]   215   0.32   80   非晶形   5.18
  (IV-4)   [I]   215   0.18   82   结晶   4.95
[实施例IV-10]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钼的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[J]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-11]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钼的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[K]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-12]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟及氧化钼的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[L]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-13]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钼的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[M]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-14]
(1)透明导电玻璃的制造
使用实施例IV-13制作所得的溅射靶[M]，除将溅射条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-15]
(1)透明导电薄膜的制造
除将作为基板的玻璃基板以透明聚碳酸酯薄膜取代，并使用实施例IV-13制作所得的溅射靶[M]以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电薄膜。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
[实施例IV-16]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钼的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-3所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[N]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-4所示。
表IV-3
  实施例   IV-10   IV-11   IV-12   IV-13   IV-16
  Sn/(Sn+In+Zn)   0.80   0.95   0.80   0.80   0.80
  In/(Sn+In+Zn)   -   -   0.20   0.10   0.15
  Zn/(Sn+In+Zn)   0.20   0.05   -   0.10   0.05
  Mo/(Sn+In+Zn+Mo)   0.04   0.032   0.03   0.05   0.04
  烧结片密度(g/cm3)   6.7   6.5   6.7   6.8   6.7
  体电阻(m Ω·cm)   5.3   4.9   5.2   3.6   3.8
  靶号码   [J]   [K]   [L]   [M]   [N]
表IV-4
  实施例   靶号码   基板温度(℃)   薄膜的电阻率(mΩ·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)
  IV-10   [J]   25   850   80   非晶形   5.47
  IV-11   [K]   25   650   81   结晶   5.49
  IV-12   [L]   25   8   80   非晶形   5.49
  IV-13   [M]   25   1   81   非晶形   5.48
  IV-14   [M]   215   0.8   80   非晶形   5.47
  IV-15   [M]   25   1   81   非晶形   5.48
  IV-16   [N]   25   2   81   非晶形   5.46
[实施例IV-17]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钌的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[O]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-18]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化锌及氧化钌的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[P]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-19]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟及氧化钌的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[Q]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-20]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钌的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[R]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-21]
(1)透明导电玻璃的制造
使用实施例IV-20制作所得的溅射靶[R]，除将溅射条件中的玻璃基板温度调整为215℃以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-22]
(1)透明导电薄膜的制造
除将作为基板的玻璃基板以透明聚碳酸酯薄膜取代，并使用实施例IV-20制作所得的溅射靶[R]以外，其他皆与实施例IV-1的(3)相同条件制造透明导电薄膜。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
[实施例IV-23]
(1)透明导电材料的原料粉末的制造
除将作为原料的氧化锡、氧化铟、氧化锌及氧化钌的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依实施例IV-1的(1)相同步骤制得透明导电材料的原料粉末。
(2)烧结片的制造
除使用上述(1)所得透明导电材料的原料粉末以外，其他皆依实施例IV-1的(2)相同步骤制得烧结片。
所得烧结片的物性测定结果如表IV-5所示。
(3)透明导电玻璃的制造
除使用上述(2)所得烧结片所制作的溅射靶[S]以外，其他皆依实施例IV-1的(3)相同步骤制得透明导电玻璃。
所得透明导电膜的物性评估结果如表IV-6所示。
表IV-5
  实施例   IV-17   IV-18   IV-19   IV-20   IV-23
  Sn/(Sn+In+Zn)   0.80   0.95   0.80   0.80   0.80
  In/(Sn+In+Zn)   -   -   0.20   0.10   0.15
  Zn/(Sn+In+Zn)   0.20   0.05   -   0.10   0.05
  Ru/(Sn+In+Zn+Ru)   0.04   0.032   0.03   0.05   0.04
  烧结片密度(g/cm3)   6.5   6.4   6.6   6.7   6.7
  体电阻(mΩ·cm)   4.2   5.6   4.25   3.4   3.6
  靶号码   [O]   [P]   [Q]   [R]   [S]
表IV-6
  实施例   靶号码   基板温度(℃)   薄膜的电阻率(mΩ·cm)   透光率(％)   结晶性   功函数(eV)
  IV-17   [O]   25   45   81   非晶形   5.51
  IV-18   [P]   25   42   82   结晶   5.48
  IV-19   [Q]   25   6   81   非晶形   5.47
  IV-20   [R]   25   2   80   非晶形   5.52
  IV-21   [R]   215   1   82   非晶形   5.49
  IV-22   [R]   25   2   80   非晶形   5.52
  IV-23   [S]   25   2   81   非晶形   5.51
[产业上的利用性]
如上所述，本发明提供用于以稳定而有效方式形成透明导电膜的烧结产物、该烧结产物的溅射靶及从这类靶制成的透明导电玻璃和导电膜。这类导电玻璃和导电膜制成的电极具有良好的透明度，导电性和加工性，因此适于在有机电致发光器件中用作透明电极，以实现其中的良好空穴注入率。

Claims (22)

1.一种组合物的烧结产物，该组合物含有氧化铟与氧化锌、或还含有氧化锡，各成分的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
2.一种组合物烧结产物，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分的金属原子比为
In/(In+Sn+Zn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Sn+Zn)＝0.02～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
3.一种溅镀靶，其包含权利要求第1至2项中任一项的烧结产物。
4.一种电子集束靶，其包含权利要求第1至2项中任一项的烧结产物。
5.一种离子电镀靶，其包括权利要求第1至2项中任一项的烧结产物。
6.一种于玻璃表面上被覆一种为组合物的非晶质透明导电膜制得的透明导电玻璃，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
7.如权利要求第6项的透明导电玻璃，其透光率为75％以上，比电阻为5mΩ·cm以下，且透明导电膜的功函数为5.45电子伏特以上。
8.一种于透明树脂薄膜表面上被覆透明导电层制得的透明导电薄膜，该导电层含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，
且含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钌、氧化钼及氧化钒中所选出的一种金属氧化物。
9.如权利要求第8项的透明导电薄膜，其中，透光率为75％以上，比电阻为5mΩ·cm以下，且透明导电层的功函数为5.45电子伏特以上。
10.一种组合物的透明导电材料，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出的一种或多种金属氧化物。
11.一种组合物的透明导电材料，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.50～1.00
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.25
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.50
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出的一种或多种金属氧化物。
12.一种组合物的透明导电材料，该组合物含有氧化铟、氧化锌及氧化锡，各成分间的金属原子比为
In/(In+Zn+Sn)＝0.75～0.95
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出的一种或多种金属氧化物。
13.一种由权利要求第10至12项中任一项的组合物经烧结而制得的烧结产物。
14.一种溅镀靶，其包含权利要求第13项的烧结产物。
15.一种于玻璃表面上被覆一种组合物的透明导电膜制得的透明导电玻璃，其中的组合物含有由氧化铟、氧化锌及氧化锡中所选出的一种或多种金属氧化物，并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出的一种或多种金属氧化物。
16.如权利要求第15项的透明导电玻璃，其中，透光率为70％以上，且透明导电膜的功函数为5.4电子伏特以上。
17.一种于透明树脂膜表面上被覆一层透明导电层所制得的透明导电薄膜，其中的透明导电层含有由氧化铟、氧化锌及氧化锡中所选出的一种或多种金属氧化物，并含有占全部金属原子总量的0.5～20原子％的由氧化铱、氧化铼及氧化钯中所选出的一种或多种金属氧化物。
18.如权利要求第17项的透明导电薄膜，其中，透光率为70％以上，且透明导电膜的功函数为5.4电子伏特以上。
19.一种于玻璃基板表面上，形成一种组合物的透明导电膜所制得的透明导电玻璃，该组合物包含下列原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌：
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出的一种或多种金属氧化物。
20.如权利要求第19项的透明导电玻璃，其中，透明导电膜的透光率为70％以上，且功函数为5.4电子伏特以上。
21.一种于透明树脂膜表面上，形成一种组合物的透明导电层所制得的透明导电薄膜，该组合物包含下列原子比的氧化锡、氧化铟及氧化锌：
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00
In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25
并含有占全部金属原子总量的0.5～10原子％的由氧化钒、氧化钼及氧化钌中所选出的一种或多种金属氧化物。
22.如权利要求第21项的透明导电薄膜，其中，该透明导电层的透光率为70％以上，且功函数为5.4电子伏特以上。
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