CN1230925C

CN1230925C - 有机薄膜晶体管

Info

Publication number: CN1230925C
Application number: CNB021472424A
Authority: CN
Inventors: 东口达; 小田敦; 石川仁志
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2001-10-18
Filing date: 2002-10-18
Publication date: 2005-12-07
Anticipated expiration: 2022-10-18
Also published as: JP2003124472A; US6747287B1; JP3823312B2; CN1412864A

Abstract

一种有机薄膜晶体管(10A)，在其组成材料有机薄膜层(15)中以单独或混合物的形式包含由下述通式[A]表示的化合物，[化1]见右式[A](式[A]中Ar¹-Ar²分别为碳原子数6-20的取代或未取代的芳香烃基或取代或未取代的杂环芳香烃基，另外，Ar¹-Ar²中所含的取代基可以互相结合形成环状结构，还有，X为由碳原子数6-34的取代或未取代的缩合芳香烃构成的1-4价基团，n为1-4的整数)。

Description

有机薄膜晶体管

技术领域

本发明涉及一种具有有机半导体层的有机薄膜晶体管，具体说是涉及一种具有高驱动速度和高开/关比的有机TFT(Thin Film Transistor)。

背景技术

薄膜晶体管作为液晶显示装置等的显示用开关元件，其应用非常广泛。以往，制作薄膜晶体管(以下称为TFT)时采用的是非晶形或多结晶硅。但是用于这种使用硅的TFT制作的CVD装置非常昂贵，因此采用TFT的显示装置的大型化会造成制作成本的大幅增加。另外，形成非晶形或多结晶硅膜的工艺需要在非常高的温度下进行，因此可用作基板的材料种类也受此限制，也无法使用轻量型的树脂基板。

为了解决上述问题，有人提出了用有机物代替非晶形或多结晶硅的TFT。作为由有机物形成TFT时所用的成膜方法有真空蒸镀法或涂布法，而根据这些成膜方法，可以在控制成本上升的前提下实现元件的大型化，也可以把成膜时所需的工艺温度降到较低。因此，在使用有机物的TFT(以下称为有机TFT)中，选择用作基板的材料时所受的限制较少，可望实现产业化。

实际上，近年来已有很多有关使用有机物的TFT的报道。作为该报道例，有F.Ebisawa等，Journal of Applied Physics，54卷，3255页，1983年；A.Assadi等，Applied Physics Letter，53卷，195页，1988年；G.Guillaud等，Chemical Physics Letter，167卷，503页，1990年；X.Peng等，AppliedPhysics Letter，57卷，2013页，1990年；G.Horowitz等，Synthetic Metals，41-43卷，1127页，1991年；S.Miyauchi等，Synthetic Metals，41-43卷，1991年；H.Fuchigami等，Applied Physics Letter，63卷，1372页，1993年；H.Koezuka等，Applied Physics Letter，62卷，1794页，1993年；F.Garnier等，Science，265卷，1684页，1994年；A.R.Brown等，Synthetic Metals，68卷，65页，1994年；A.Dodabalapur等，Science，268卷，270页，1995年；T.Sumimoto等，Synthetic Metals，86卷，2259页，1997年；K.Kudo等，Thin Solid Films，331卷，51页，1998年；K.Kudo等，Synthetic Metals，102卷，900页，1999年；K.Kudo等，Synthetic Metals，111-112卷，11页，2000年等。

作为用于TFT的有机化合物层(有机薄膜层)的有机物，有共轭聚合物或噻吩等的多聚物(特开平8-228034号公报、特开平8-228035号公报、特开平9-232589号公报、特开平10-125924号公报、特开平10-190001号公报等)、或者是金属酞菁化合物(特开2000-174277号公报等)、或戊省等缩合芳香烃(特开平5-55568号公报、特开2001-94107号公报等)等化合物或它们与其它化合物的混合物。

虽然如上所述进行了很多关于有机TFT的研究，但是以往的有机TFT中所用化合物的性能都不够充分，因此动作速度慢，实用上也没有足够的开/关比。这里所说的“开/关比”是指打开有机TFT时的源-漏电流和关闭有机TFT时的源-漏电流之比。

发明内容

鉴于以上，本发明的目的在于提供一种可以高速动作并具有高开/关比的有机薄膜晶体管。

为了解决上述课题，本发明人经过潜心研究发现：使用特定的芳香族胺化合物时可以大幅提高有机TFT的动作速度及开/关比。另外，本发明人还发现如果在使用特定的芳香族胺化合物的同时，把有机薄膜晶体管的结构设置成被控制的电流的载体的移动方向与有机薄膜的厚度方向相一致，则可以进一步提高动作速度及开/关比。另外，还发现通过在各电极界面混合供电性或吸电性掺杂剂，可以改善载体的注入特性，可得到更高性能的有机薄膜晶体管。

即，本发明可以提供下述的a-q的有机TFT。

a：一种有机薄膜晶体管，包括相隔一定距离的第1及第2电极、分别连接于该第1及第2电极上的有机薄膜层、分别与所述第1及第2电极相隔一定距离的第3电极，并根据外加于该第3电极的电压控制流通于所述第1及第2电极间的电流，其特征在于：所述有机薄膜层中以单独或混合的形式含有由下述的通式[A]表示的化合物，

[化1]

(式[A]中Ar¹-Ar²分别为未取代或作为取代基具有烷基、烷氧基、链烯基、苯乙烯基中的至少1个的苯基，而且X为由碳原子数6-34的未取代或作为取代基具有烷基、烷氧基、芳氧基中的至少1个的缩合芳香烃构成的1-4价基团，n为1-4的整数)。

b：a中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，X为由未取代或作为取代基具有烷基、烷氧基、芳氧基中的至少1个的萘、蒽、丁省、联苯撑、苝、戊省、苯并[a]苝、二苯并[a，j]苝、二苯并[a，o]苝、二苯并[cd，jk]芘、双蒽烯、特丽纶、四苯并[de，hi，op，st]戊省中的任一种骨架构成的基团，n为1-2。

c：b中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，以-NAr¹Ar²表示的二芳基胺基中至少有一个基团包含作为Ar¹的取代基的取代或未取代的苯乙烯基。

d：b中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，作为Ar¹及Ar²的取代基，至少包括一个环亚己基次甲基。

e：b中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，以-NAr¹Ar²表示的二芳基胺基中至少有一个基团包含作为Ar¹的取代基的取代苯乙烯基，该取代苯乙烯基为选自4-环亚己基次甲基苯乙烯基或2，2-双(4-环亚己基次甲基苯基)乙烯基或2-(4-环亚己基次甲基苯基)-2-对甲苯基乙烯基巾的任一种基团。

f：a中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，X为三邻亚苯，n为1-3。

g：f中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，以-NAr¹Ar²表示的二芳基胺基中至少有一个基团包含作为Ar¹的取代基的取代或未取代的苯乙烯基。

h：f中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，作为Ar¹及Ar²的取代基，至少包括一个环亚己基次甲基。

i：f中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，以-NAr¹Ar²表示的二芳基胺基中至少有一个基团包含作为Ar¹的取代基的取代苯乙烯基，该取代苯乙烯基为选自4-环亚己基次甲基苯乙烯基或2，2-双(4-环亚己基次甲基苯基)乙烯基或2-(4-环亚己基次甲基苯基)-2-对甲苯基乙烯基中的任一种基团。

j：a中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，X为四苯撑、9，9’-螺联芴，n为1-4。

k：j中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，以-NAr¹Ar²表示的二芳基胺基中至少有一个基团包含作为Ar¹的取代基的取代或未取代的苯乙烯基。

l：j中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，作为Ar¹及Ar²的取代基至少包括一个环亚己基次甲基。

m：j中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，以-NAr¹Ar²表示的二芳基胺基中至少有一个基团包含作为Ar¹的取代基的取代苯乙烯基，该取代苯乙烯基为选自4-环亚己基次甲基苯乙烯基或2，2-双(4-环亚己基次甲基苯基)乙烯基或2-(4-环亚己基次甲基苯基)-2-对甲苯基乙烯基中的任一种基团。

n：a至m中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述第1及第2电极间的载体的移动方向与所述有机薄膜层的膜厚方向相一致。

o：a至n中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述有机薄膜层的第1、第2及第3电极间的任何一个界面混合有供电性掺杂剂或吸电性掺杂剂。

p：o中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述供电性掺杂剂为选自锂、钠、铯、钾、镁、氟化锂、氧化锂的金属或金属氟化物或金属氧化物中的至少一种。

q：o中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述吸电性掺杂剂为选自三氟化硼、三(4-溴苯基)铵六氯锑酸盐中的Lewis酸。

r：a中所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，Ar¹及Ar²分别为未取代或作为取代基具有甲基、乙基、丙基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、苯乙烯基、4-甲基苯乙烯基、2，2-二对甲苯基乙烯基、2，2-二苯基乙烯基、2-苯基-2-对甲苯基乙烯基、环亚己基次甲基、4-环亚己基次甲基苯乙烯基、2-(4-环亚己基次甲基苯基)-2-对甲苯基乙烯基、2，2-双(4-环亚己基次甲基苯基)乙烯基中的至少一种的苯基。

附图说明

图1是表示本发明实施方式1的有机TFT构成的剖面图。

图2是表示本发明实施方式2的有机TFT构成的剖面图。

图3是表示本发明实施方式3的有机TFT构成的剖面图。

图中，10A、10B、10C-有机薄膜晶体管，11-基板，12-源电极，13-漏电极，14-控制电极，15-有机薄膜层(有机化合物层)，16-绝缘体层。

具体实施方式

下面参照附图并根据实施方式，进一步详细说明本发明。图1是表示

本发明实施方式1的有机TFT(以下也称为有机TFT元件)构成的剖面图。

实施方式1

如图1所示，本实施方式的有机TFT10A具有场效应晶体管(FET：FieldEffect Transistor)结构。有机TFT10A包括相隔一定距离的源电极(第1电极)12及漏电极(第2电极)13、分别连接于电极12、13的有机薄膜层(有机化合物层)15、分别与电极12，13相隔一定距离的控制极(第3电极)14，并根据外加于控制极14上的电压控制流通于源/漏电极12、13间的电流。

即本有机TFT10A的基板11上，依次形成有控制极(层)14及绝缘体层(控制极绝缘层)16，在绝缘体层16上相隔一定距离形成有源电极12和漏电极13。包含两侧电极12、13的部分表面并露出于电极12、13之间的绝缘体层16上形成有有机薄膜层15。

在具有所述结构的有机TFT10A中，通过由有机薄膜层15形成通道区域，并用外加于控制极14上的电压来控制流通于源电极12和漏电极13之间的电流，完成开/关动作。该有机TFT10A中，载体(自由电子或空穴)在有机薄膜层15的面方向(图1中用箭头A表示)移动。

本实施方式中的有机薄膜层15由具有用通式[A]表示的结构的化合物构成。

[化1]

式[A]中X为由碳原子数6-34的取代或未取代的芳香烃构成的1-4价基团。作为碳原子数6-34的未取代的芳香烃基，可列举苯、萘、蒽、联苯撑、芴、菲、丁省、三邻亚苯、芘、二苯并[cd，jk]芘、苝、苯并[a]苝、二苯并[a，j]苝、二苯并[a，o]苝、戊省、四苯并[de，hi，op，st]戊省、四苯撑、特丽纶、双蒽烯、9，9’-螺联芴等。

作为这些芳香烃所含有的取代基，可列举卤原子、羟基、取代或未取代的氨基、硝基、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的链烯基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳香烃基、取代或未取代的杂环芳香烃基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷氧羰基、羧基等。

Ar¹和Ar²分别为碳原子数6-20的取代或未取代的芳香烃基。作为碳原子数6-20的未取代的芳香烃基，可列举苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基等。作为所述的碳原子数为6-20的芳香烃基所含有的取代基，可列举卤原子、羟基、取代或未取代的氨基、硝基、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的链烯基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳香烃基、取代或未取代的杂环芳香烃基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷氧羰基、羧基等。

作为所述的卤原子，可列举氟、氯、溴、碘等。所述的取代或未取代的氨基由-NX¹X²所表示，作为X¹、X²，可分别为氢原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羟甲基、1-羟乙基、2-羟乙基、2-羟异丁基、1，2-二羟乙基、1，3-二羟异丙基、2，3-二羟基叔丁基、1，2，3-三羟丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯异丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯异丙基、2，3-二氯叔丁基、1，2，3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴异丁基、1，2-二溴乙基、1，3-二溴异丙基、2，3-二溴叔丁基、1，2，3-三溴丙基、碘甲基，1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘异丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘异丙基、2，3-二碘叔丁基、1，2，3-三碘丙基、氨甲基、1-氨乙基、2-氨乙基、2-氨异丁基、1，2-二氨乙基、1，3-二氨异丙基、2，3-二氨叔丁基、1，2，3-三氨丙基、氰甲基、1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰异丁基、1，2-二氰乙基、1，3-二氰异丙基、2，3-二氰叔丁基、1，2，3-三氰丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基异丁基、1，2-二硝基乙基、1，3-二硝基异丙基、2，3-二硝基叔丁基、1，2，3-三硝基丙基、苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2-丁省基、9-丁省基、4-苯乙烯基苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、p-联三苯-4-基、p-联三苯-3-基、p-联三苯-2-基、m-联三苯-4-基、m-联三苯-3-基、m-联三苯-2-基、o-甲苯基、m-甲苯基、p-甲苯基、p-叔丁基苯基、p-(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基联苯基、4”-叔丁基-p-联三苯-4-基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-异吲哚基、3-异吲哚基、4-异吲哚基、5-异吲哚基、6-异吲哚基、7-异吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-异苯并呋喃基、3-异苯并呋喃基、4-异苯并呋喃基、5-异苯并呋喃基、6-异苯并呋喃基、7-异苯并呋喃基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-异喹啉基、3-异喹啉基、4-异喹啉基、5-异喹啉基、6-异喹啉基、7-异喹啉基、8-异喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲绕啉-2-基、1，7-菲绕啉-3-基、1，7-菲绕啉-4-基、1，7-菲绕啉-5-基、1，7-菲绕啉-6-基、1，7-菲绕啉-8-基、1，7-菲绕啉-9-基、1，7-菲绕啉-10-基、1，8-菲绕啉-2-基、1，8-菲绕啉-3-基、1，8-菲绕啉-4-基、1，8-菲绕啉-5-基、1，8-菲绕啉-6-基、1，8-菲绕啉-7-基、1，8-菲绕啉-9-基、1，8-菲绕啉-10-基、1，9-菲绕啉-2-基、1，9-菲绕啉-3-基、1，9-菲绕啉-4-基、1，9-菲绕啉-5-基、1，9-菲绕啉-6-基、1，9-菲绕啉-7-基、1，9-菲绕啉-8-基、1，9-菲绕啉-10-基、1，10-菲绕啉-2-基、1，10-菲绕啉-3-基、1，10-菲绕啉-4-基、1，10-菲绕啉-5-基、2，9-菲绕啉-1-基、2，9-菲绕啉-3-基、2，9-菲绕啉-4-基、2，9-菲绕啉-5-基、2，9-菲绕啉-6-基、2，9-菲绕啉-7-基、2，9-菲绕啉-8-基、2，9-菲绕啉-10-基、2，8-菲绕啉-1-基、2，8-菲绕啉-3-基、2，8-菲绕啉-4-基、2，8-菲绕啉-5-基、2，8-菲绕啉-6-基、2，8-菲绕啉-7-基、2，8-菲绕啉-9-基、2，8-菲绕啉-10-基、2，7-菲绕啉-1-基、2，7-菲绕啉-3-基、2，7-菲绕啉-4-基、2，7-菲绕啉-5-基、2，7-菲绕啉-6-基、2，7-菲绕啉-8-基、2，7-菲绕啉-9-基、2，7-菲绕啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻嗯基、3-噻嗯基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基-1-吲哚基、4-叔丁基-1-吲哚基、2-叔丁基-3-吲哚基、4-叔丁基-3-吲哚基等。

作为所述的取代或未取代的烷基，可列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羟甲基、1-羟乙基、2-羟乙基、2-羟异丁基、1，2-二羟乙基、1，3-二羟异丙基、2，3-二羟基叔丁基、1，2，3-三羟基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯异丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯异丙基、2，3-二氯叔丁基、1，2，3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴异丁基、1，2-二溴乙基、1，3-二溴异丙基、2，3-二溴叔丁基、1，2，3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘异丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘异丙基、2，3-二碘叔丁基、1，2，3-三碘丙基、氨甲基、1-氨乙基、2-氨乙基、2-氨异丁基、1，2-二氨乙基、1，3-二氨异丙基、2，3-二氨叔丁基、1，2，3-三氨丙基、氰甲基、1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰异丁基、1，2-二氰乙基、1，3-二氰异丙基、2，3-二氰叔丁基、1，2，3-三氰丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基异丁基、1，2-二硝基乙基、1，3-二硝基异丙基、2，3-二硝基叔丁基、1，2，3-三硝基丙基等。

作为所述的取代或未取代的链烯基，可列举乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1，3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、苯乙烯基、2，2-二苯基乙烯基、1，2-二苯基乙烯基、1-甲基烯丙基、1，1-二甲基烯丙基、2-甲基烯丙基、1-苯基烯丙基、2-苯基烯丙基、3-苯基烯丙基、3，3-二苯基烯丙基、1，2-二甲基烯丙基、1-苯基-1-丁烯基、3-苯基-1-丁烯基、环亚己基次甲基等。作为所述的取代或未取代的环烷基，可列举环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己基等。

所述的取代或未取代的烷氧基是以-OY表示的基团，作为Y可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羟甲基、1-羟乙基、2-羟乙基、2-羟异丁基、1，2-二羟乙基、1，3-二羟异丙基、2，3-二羟基叔丁基、1，2，3-三羟基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯异丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯异丙基、2，3-二氯叔丁基、1，2，3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴异丁基、1，2-二溴乙基、1，3-二溴异丙基、2，3-二溴叔丁基、1，2，3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘异丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘异丙基、2，3-二碘叔丁基、1，2，3-三碘丙基、氨甲基、1-氨乙基、2-氨乙基、2-氨异丁基、1，2-二氨乙基、1，3-二氨异丙基、2，3-二氨叔丁基、1，2，3-三氨丙基、氰甲基、1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰异丁基、1，2-二氰乙基、1，3-二氰异丙基、2，3-二氰叔丁基、1，2，3-三氰丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基异丁基、1，2-二硝基乙基、1，3-二硝基异丙基、2，3-二硝基叔丁基、1，2，3-三硝基丙基等。

作为取代或未取代的芳香烃基，可列举苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2-丁省基、9-丁省基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、p-联三苯-4-基、p-联三苯-3-基、p-联三苯-2-基、m-联三苯-4-基、m-联三苯-3-基、m-联三苯-2-基、o-甲苯基、m-甲苯基、p-甲苯基、p-叔丁基苯基、p-(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基联苯基、4”-叔丁基-p-联三苯-4-基等。

另外，作为所述的取代或未取代的杂环芳香烃基，可列举1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-异吲哚基、2-异吲哚基、3-异吲哚基、4-异吲哚基、5-异吲哚基、6-异吲哚基、7-异吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-异苯并呋喃基、3-异苯并呋喃基、4-异苯并呋喃基、5-异苯并呋喃基、6-异苯并呋喃基、7-异苯并呋喃基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-异喹啉基、3-异喹啉基、4-异喹啉基、5-异喹啉基、6-异喹啉基、7-异喹啉基、8-异喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲绕啉-2-基、1，7-菲绕啉-3-基、1，7-菲绕啉-4-基、1，7-菲绕啉-5-基、1，7-菲绕啉-6-基、1，7-菲绕啉-8-基、1，7-菲绕啉-9-基、1，7-菲绕啉-10-基、1，8-菲绕啉-2-基、1，8-菲绕啉-3-基、1，8-菲绕啉-4-基、1，8-菲绕啉-5-基、1，8-菲绕啉-6-基、1，8-菲绕啉-7-基、1，8-菲绕啉-9-基、1，8-菲绕啉-10-基、1，9-菲绕啉-2-基、1，9-菲绕啉-3-基、1，9-菲绕啉-4-基、1，9-菲绕啉-5-基、1，9-菲绕啉-6-基、1，9-菲绕啉-7-基、1，9-菲绕啉-8-基、1，9-菲绕啉-10-基、1，10-菲绕啉-2-基、1，10-菲绕啉-3-基、1，10-菲绕啉-4-基、1，10-菲绕啉-5-基、2，9-菲绕啉-1-基、2，9-菲绕啉-3-基、2，9-菲绕啉-4-基、2，9-菲绕啉-5-基、2，9-菲绕啉-6-基、2，9-菲绕啉-7-基、2，9-菲绕啉-8-基、2，9-菲绕啉-10-基、2，8-菲绕啉-1-基、2，8-菲绕啉-3-基、2，8-菲绕啉-4-基、2，8-菲绕啉-5-基、2，8-菲绕啉-6-基、2，8-菲绕啉-7-基、2，8-菲绕啉-9-基、2，8-菲绕啉-10-基、2，7-菲绕啉-1-基、2，7-菲绕啉-3-基、2，7-菲绕啉-4-基、2，7-菲绕啉-5-基、2，7-菲绕啉-6-基、2，7-菲绕啉-8-基、2，7-菲绕啉-9-基、2，7-菲绕啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、10-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4-吩噁嗪基、10-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻嗯基、3-噻嗯基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基-1-吲哚基、4-叔丁基-1-吲哚基、2-叔丁基-3-吲哚基、4-叔丁基-3-吲哚基等。

另外，作为所述的取代或未取代的芳烷基，可列举苄基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基异丙基、2-苯基异丙基、苯基叔丁基、α-萘甲基、1-α-萘乙基、2-α-萘乙基、1-α-萘异丙基、2-α-萘异丙基、β-萘甲基、1-β-萘乙基、2-β-萘乙基、1-β-萘异丙基、2-β-萘异丙基、1-吡咯基甲基、2-(1-吡咯基)乙基、p-甲基苄基、m-甲基苄基、o-甲基苄基、p-氯苄基、m-氯苄基、o-氯苄基、p-溴苄基、m-溴苄基、o-溴苄基、p-碘苄基、m-碘苄基、o-碘苄基、p-羟基苄基、m-羟基苄基、o-羟基苄基、p-氨基苄基、m-氨基苄基、o-氨基苄基、p-硝基苄基、m-硝基苄基、o-硝基苄基、p-氰基苄基、m-氰基苄基、o-氰基苄基、1-羟基-2-苯基异丙基、1-氯-2-苯基异丙基等。

所述的取代或未取代的芳氧基是由-OZ表示，作为Z可以是苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2-丁省基、9-丁省基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、p-联三苯-4-基、p-联三苯-3-基、p-联三苯-2-基、m-联三苯-4-基、m-联三苯-3-基、m-联三苯-2-基、o-甲苯基、m-甲苯基、p-甲苯基、p-叔丁基苯基、p-(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基联苯基、4”-叔丁基-p-联三苯基-4-基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-异吲哚基、3-异吲哚基、4-异吲哚基、5-异吲哚基、6-异吲哚基、7-异吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-异苯并呋喃基、3-异苯并呋喃基、4-异苯并呋喃基、5-异苯并呋喃基、6-异苯并呋喃基、7-异苯并呋喃基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-异喹啉基、3-异喹啉基、4-异喹啉基、5-异喹啉基、6-异喹啉基、7-异喹啉基、8-异喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲绕啉-2-基、1，7-菲绕啉-3-基、1，7-菲绕啉-4-基、1，7-菲绕啉-5-基、1，7-菲绕啉-6-基、1，7-菲绕啉-8-基、1，7-菲绕啉-9-基、1，7-菲绕啉-10-基、1，8-菲绕啉-2-基、1，8-菲绕啉-3-基、1，8-菲绕啉-4-基、1，8-菲绕啉-5-基、1，8-菲绕啉-6-基、1，8-菲绕啉-7-基、1，8-菲绕啉-9-基、1，8-菲绕啉-10-基、1，9-菲绕啉-2-基、1，9-菲绕啉-3-基、1，9-菲绕啉-4-基、1，9-菲绕啉-5-基、1，9-菲绕啉-6-基、1，9-菲绕啉-7-基、1，9-菲绕啉-8-基、1，9-菲绕啉-10-基、1，10-菲绕啉-2-基、1，10-菲绕啉-3-基、1，10-菲绕啉-4-基、1，10-菲绕啉-5-基、2，9-菲绕啉-1-基、2，9-菲绕啉-3-基、2，9-菲绕啉-4-基、2，9-菲绕啉-5-基、2，9-菲绕啉-6-基、2，9-菲绕啉-7-基、2，9-菲绕啉-8-基、2，9-菲绕啉-10-基、2，8-菲绕啉-1-基、2，8-菲绕啉-3-基、2，8-菲绕啉-4-基、2，8-菲绕啉-5-基、2，8-菲绕啉-6-基、2，8-菲绕啉-7-基、2，8-菲绕啉-9-基、2，8-菲绕啉-10-基、2，7-菲绕啉-1-基、2，7-菲绕啉-3-基、2，7-菲绕啉-4-基、2，7-菲绕啉-5-基、2，7-菲绕啉-6-基、2，7-菲绕啉-8-基、2，7-菲绕啉-9-基、2，7-菲绕啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻嗯基、3-噻嗯基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基-1-吲哚基、4-叔丁基-1-吲哚基、2-叔丁基-3-吲哚基、4-叔丁基-3-吲哚基等。

所述的取代或未取代的烷氧羰基是由-COOY²表示，作为Y²可列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羟甲基、1-羟乙基、2-羟乙基、2-羟异丁基、1，2-二羟乙基、1，3-二羟异丙基、2，3-二羟基叔丁基、1，2，3-三羟基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯异丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯异丙基、2，3-二氯叔丁基、1，2，3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴异丁基、1，2-二溴乙基、1，3-二溴异丙基、2，3-二溴叔丁基、1，2，3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘异丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘异丙基、2，3-二碘叔丁基、1，2，3-三碘丙基、氨甲基、1-氨乙基、2-氨乙基、2-氨异丁基、1，2-二氨乙基、1，3-二氨异丙基、2，3-二氨叔丁基、1，2，3-三氨丙基、氰甲基、1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰异丁基、1，2-二氰乙基、1，3-二氰异丙基、2，3-二氰叔丁基、1，2，3-三氰丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基异丁基、1，2-二硝基乙基、1，3-二硝基异丙基、2，3-二硝基叔丁基、1，2，3-三硝基丙基等。

另外，Ar¹-Ar²中作为取代基可以含取代或未取代的苯乙烯基。作为取代或未取代的苯乙烯基，除了未取代苯乙烯基、2，2-二苯基乙烯基之外，也可以是作为苯基的末端取代基含卤原子、羟基、所述的取代或未取代的氨基、硝基、氰基、所述的取代或未取代的烷基、所述的取代或未取代的链烯基、所述的取代或未取代的环烷基、所述的取代或未取代的烷氧基、所述的取代或未取代的芳香烃基、所述的取代或未取代的杂环芳香烃基、所述的取代或未取代的芳烷基、所述的取代或未取代的芳氧基、所述的取代或未取代的烷氧羰基、羧基等的取代苯乙烯或取代2，2-二苯基乙烯基。下面列举了可使用于本发明实施方式的有机薄膜层的化合物例(1)-(423)，但是只要不超过本发明的要点，本发明并不限于下面的化合物例(下面称为化合物序号，或者是只叫作化合物)。

【化2】

【0030】

【化3】

【0031】

【化4】

【0032】

【化5】

【化6】【化10】【化14】

【化7】【化11】【化15】

【化8】【化12】【化16】

【化9】【化13】【化17】

【化18】

【化l9】【化23】

【化20】【化24】

【化21】【化25】

【化22】【化26】

【化27】【化31】

【化28】【化32】

【化29】【化33】

【化30】【化34】

【化35】【化39】

【化36】【化40】

【化37】【化41】

【化38】【化42】

【化43】【化47】

【化44】【化48】

【化45】【化49】

【化46】

【化50】【化53】

【化51】【化54】

【化52】【化55】

【化56】【化59】

【化57】【化60】

【化58】【化61】

【化62】【化65】

【化63】【化66】

【化64】【化67】

【化68】【化71】

【化69】【化72】

【化70】【化73】

【化74】【化77】

【化75】【化78】

【化76】【化79】

【化80】【化83】

【化81】【化84】

【化82】【化85】

【化86】【化89】

【化87】【化90】

【化88】【化91】

【化92】【化96】

【化93】【化97】

【化94】【化98】

【化95】【化99】

【化100】

【化104】

【化101】

【化105】

【化102】【化106】

【化103】

【化107】

【化108】

【化109】

【化110】

【化111】

【化112】【化116】

【化113】【化117】

【化114】【化118】

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【化122】【化125】

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【化420】

【化421】

【化422】

【化423】

【化424】

作为用于本实施方式1的源电极12、漏电极13及控制极14的材料，除了氧化铟锡合金(ITO)、氧化锡(NESA)、金、银、铂、铜、铟、铝、镁、镁-铟合金、镁-铝合金、铝-锂合金、铝-钪-锂合金、镁-银合金等金属或合金之外，也可以举出导电性聚合物等有机材料，但也并不限于这些。另外，用于本实施方式FET结构的控制极绝缘层16的材料，可列举SiO₂、SiNx、氧化铝等无机绝缘材料或绝缘性聚合物，但也并不限于这些。

实施方式2

图2是表示本实施方式的有机TFT10B的结构的剖面图。该有机TFT也具有FET结构，包括相隔一定距离的源电极12、漏电极13及分别连接于电极12、13的有机薄膜层15及与电极12、13相隔一定距离的控制极14。

即，本有机TFT10B在基板11上依次设有控制极14及绝缘体层16，在绝缘体层16上设有相隔一定距离形成的一对源电极12、12。包括一对源电极12、12的绝缘体层16的露出面上形成有有机薄膜层15，在有机薄膜层15上形成有漏电极13。在该有机TFT10B中，有机薄膜层15也具有通道区域，且由外加于控制极14上的电压控制源电极12和漏电极13间的电流以进行开/关动作。在该有机TFT10B中，载体在有机薄膜层15的膜厚方向(图2中用箭头B表示)移动。

在实施方式2的有机TFT10B中，可分别用于源电极12、漏电极13及控制极14的材料以及有机薄膜层15中所含的化合物同实施方式1。

实施方式3

图3是表示本实施方式有机TFT10C结构的剖面图。该有机TFT10C具有静电感应晶体管(SIT：Static Induction Transistor)结构。有机TFT10C包括相隔一定距离的源电极12和漏电极13、分别联接于电极12、13的有机薄膜层15及分别与电极12、13相隔一定距离的控制极14。

即，本有机TFT10C在基板11上依次设有源电极12、有机薄膜层15及漏电极13，在有机薄膜层15内设有3个为一组的控制电极14。控制电极14在纸面向里的方向延伸并分别与源电极12和漏电极13相平行。

在所述的有机TFT10C中，有机薄膜层15也设有通道区域，且由外加于控制极14上的电压控制源电极12和漏电极13间的电流以进行开/关动作。在该有机TFT10C中，载体在有机薄膜层15的膜厚方向(图3中用箭头B表示)移动。

在实施方式3的有机TFT10C中，可分别用于源电极12、漏电极13及控制极14的材料以及有机薄膜层15中所含的化合物也同实施方式1及实施方式2。

作为本发明实施方式1至实施方式3中的供电性掺杂剂，只要是能给有机化合物层的有机化合物分子提供电子，任何一种化合物皆可。作为特别理想的例子，可举出锂、钠、铯、钾、镁等金属或氟化锂、氧化锂等无机金属化合物。

作为实施方式1至实施方式3中的吸电性掺杂剂，只要是能从有机化合物层的有机化合物分子取走电子，任何一种化合物皆可。作为特别理想的例子，可举出三氟化硼、三(4-溴苯基)铝六氯锑盐(TBPAH)等Lewis酸。

对本发明各实施方式中的有机TFT10A-10C各层的形成方法没有特殊的限定，可以采用已知的真空蒸镀法、旋转涂布法等常用的薄膜形成方法。

用于本发明各实施方式的有机TFT10A-10C的含有由所述通式[A]表示的化合物的有机薄膜层15除了可采用溶解于溶剂中的溶液的浸涂法、旋转涂布法、铸塑法、棒材涂布法、辊涂法等涂布法之外，也可用真空蒸镀法、分子射线蒸镀法(MBE法)等形成。

对本发明各实施方式的有机薄膜层15的厚度没有特殊的限定，通常如果膜厚过薄容易产生针孔等缺陷，而如果过厚，则随TFT结构不同会出现通道长度过长或需外加高电压的情况，此时会导致驱动速度或开/关比的下降。因此通常设定数nm至1μm范围内的膜厚为宜。另外，各实施方式中的基板11起支撑有机TFT结构的作用，除了玻璃之外，也可以采用塑料基板，如果用基板以外的构成要素也能充分支撑有机TFT结构，则可以不采用基板。

[实施例]

下面根据实施例详细说明本发明，但只要不超过其要点，本发明并不限定此。

实施例1

本实施例中，用下述的顺序制作了实施方式1中说明的图1的有机TFT10A。

首先，在基板11上，用真空蒸镀法形成膜厚为100nm的铬膜，并把它作为控制极14。接着在控制极14上用溅射法形成膜厚为300nm的SiO₂并把它作为绝缘体层16。再在该绝缘体层16上通过金属掩蔽形成膜厚为150nm的金膜，由此形成两者间距离为25μm的互相不接触的源电极12和漏电极13。然后，用其它的金属掩蔽，根据真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(1)的膜，把它作为有机薄膜层15，并由此得到有机TFT元件10A。

所述有机TFT元件10A上外加-40V的控制极电压时，源-漏电极间的电流的开/关比为5.1×10⁷。

实施例2-189

除了更换有机薄膜层15的化合物之外，用与实施例1相同的方法制作有机TFT10A，之后用与实施例1同样的方法进行了测定。其结果作为实施例2-189示于表1-表7。在表1-表7中，记载了每个实施例的化合物序号及开/关比(×10⁷)。

【表1】

实施例化合物序号开/关比(×10⁷)

2 4 5.4

3 6 5.5

4 9 6.0

5 12 5.8

6 15 6.5

7 19 5.5

8 23 6.1

9 25 5.1

10 26 5.0

11 29 6.5

12 32 6.4

13 35 5.7

14 38 5.9

15 41 6.3

16 42 6.5

17 46 5.1

18 48 6.2

19 50 6.5

20 53 7.4

21 55 7.6

22 58 7.7

23 60 7.4

24 63 6.7

25 64 7.2

26 67 7.8

27 68 6.8

28 70 7.2

29 73 7.9

30 76 6.9

【表2】

实施例化合物序号开/关比(×10⁷)

31 78 6.8

32 82 7.6

33 83 7.4

34 87 7.5

35 89 7.0

36 93 6.8

37 94 7.7

38 96 7.4

39 97 7.6

40 101 6.5

41 102 7.4

42 104 7.7

43 105 7.3

44 108 7.1

45 110 8.0

46 111 7.6

47 114 7.0

48 116 7.4

49 117 7.7

50 120 7.0

51 123 8.6

52 125 8.8

53 126 8.2

54 129 8.4

55 130 8.5

56 132 8.3

57 134 8.2

58 136 8.4

59 138 8.0

60 140 8.3

【表3】

实施例化合物序号开/关比(×10⁷)

61 144 8.7

62 146 8.6

63 148 8.3

64 150 8.8

65 152 8.1

66 156 8.2

67 158 7.5

68 161 6.5

69 166 7.7

70 168 7.7

71 170 6.6

72 173 6.7

73 175 7.8

74 178 7.9

75 180 6.9

76 182 7.0

77 183 7.7

78 184 6.7

79 185 6.9

80 187 6.9

81 189 6.8

82 193 7.2

83 196 7.4

84 197 7.9

85 203 7.4

86 205 7.4

87 208 7.5

88 209 7.9

89 213 7.8

90 214 8.6

【表4】

实施例化合物序号开/关比(×10⁷)

91 217 8.5

92 219 8.0

93 222 8.7

94 225 8.8

95 226 8.6

96 228 8.5

97 231 8.7

98 233 8.0

99 234 8.3

100 235 8.6

101 237 8.6

102 238 8.4

103 239 8.8

104 241 8.9

105 244 8.6

106 247 8.8

107 250 8.8

108 253 8.8

109 256 8.2

110 260 9.0

111 262 8.8

112 265 8.3

113 267 8.8

114 268 8.2

115 270 8.4

116 273 8.9

117 276 8.1

118 280 8.0

119 282 8.7

120 283 8.3

【表5】

实施例化合物序号开/关比(×10⁷)

121 285 8.1

122 286 8.8

123 287 8.2

124 290 8.4

125 291 8.8

126 293 8.9

127 295 8.4

128 296 8.4

129 299 9.0

130 302 8.2

131 304 8.8

132 306 8.1

133 308 8.7

134 309 8.9

135 312 8.8

136 315 9.3

137 316 9.2

138 318 9.1

139 320 9.1

140 321 9.1

141 324 9.2

142 326 9.0

143 327 9.5

144 329 9.3

145 331 9.1

146 332 9.2

147 333 9.4

148 335 9.1

149 336 9.1

150 337 9.4

【表6】

实施例化合物序号开/关比(×10⁷)

151 338 9.2

152 340 9.0

153 342 9.0

154 344 9.5

155 346 9.3

156 347 9.0

157 350 9.4

158 353 9.1

159 355 9.2

160 358 9.2

161 360 8.0

162 361 6.7

163 364 6.8

164 367 6.9

165 369 8.6

166 371 8.4

167 372 8.4

168 374 8.9

169 377 9.0

170 379 8.0

171 380 8.5

172 382 8.3

173 385 8.6

174 387 9.1

175 390 9.1

176 392 9.1

177 394 9.1

178 397 6.8

179 401 6.9

180 403 8.0

【表7】

实施例化合物序号开/关比(×10⁷)

181 404 8.1

182 405 8.2

183 407 8.8

184 409 8.6

185 412 8.4

186 413 8.6

187 416 9.3

188 418 9.3

189 423 9.3

实施例190

在本实施例中，用下述的顺序制作了实施方式2中所说的图2的有机TFT10B。首先，在基板11上，按照真空蒸镀法形成100nm厚的铬膜，并把它作为控制极14。接着，在该控制极14上，用溅射法形成300nm厚的SiO₂膜并作为绝缘体层16。然后，在该绝缘体层16上通过金属掩蔽以100nm的厚度形成条纹状的金膜，并把它作为源电极12。之后再通过真空蒸镀法形成300nm厚的化合物(1)的膜，并作为有机薄膜层15。再在该有机薄膜层15上，以真空蒸镀法形成200nm厚的金膜用作漏电极13，并由此得到有机TFT元件10B。

在所述有机TFT元件10B的控制极14上外加频率为1kHz、最大电压8.5V的矩形波电压，并在源-漏电极12、13之间外加10V的直流电压后，测定了打开状态下源-漏电极间电流的响应时间(完成全变化量的10％至全变化量的90％所需的时间)，其结果为短于1μs。

实施例191-378

除了更换有机薄膜层15的化合物之外，用与实施例190相同的方法制作有机TFT10B，之后用与实施例190同样的方法进行了测定。其结果作为实施例191-378示于表8-表14。在表8-表14中，记载了每个实施例的化合物序号及开/关比(×10⁷)。测定结果表示所有的元件10B的响应时间都短于1μs，极为短暂。

【表8】

实施例化合物序号响应时间(μs)

191 4 ＜1

192 6 ＜1

193 9 ＜1

194 12 ＜1

195 15 ＜1

196 19 ＜1

197 23 ＜1

198 25 ＜1

199 26 ＜1

200 29 ＜1

201 32 ＜1

202 35 ＜1

203 38 ＜1

204 41 ＜1

205 42 ＜1

206 46 ＜1

207 48 ＜1

208 50 ＜1

209 53 ＜1

210 55 ＜1

211 58 ＜1

212 60 ＜1

213 63 ＜1

214 64 ＜1

215 67 ＜1

216 68 ＜1

217 70 ＜1

218 73 ＜1

219 76 ＜1

220 78 ＜1

【表9】

实施例化合物序号响应时间(μs)

221 82 ＜1

222 83 ＜1

223 87 ＜1

224 89 ＜1

225 93 ＜1

226 94 ＜1

227 96 ＜1

228 97 ＜1

229 101 ＜1

230 102 ＜1

231 104 ＜1

232 105 ＜1

233 108 ＜1

234 110 ＜1

235 111 ＜1

236 114 ＜1

237 116 ＜1

238 117 ＜1

239 120 ＜1

240 123 ＜1

241 125 ＜1

242 126 ＜1

243 129 ＜1

244 130 ＜1

245 132 ＜1

246 134 ＜1

247 136 ＜1

248 138 ＜1

249 140 ＜1

250 144 ＜1

【表10】

实施例化合物序号响应时间(μs)

251 146 ＜1

252 148 ＜1

253 150 ＜1

254 152 ＜1

255 156 ＜1

256 158 ＜1

257 161 ＜1

258 166 ＜1

259 168 ＜1

260 170 ＜1

261 173 ＜1

262 175 ＜1

263 178 ＜1

264 180 ＜1

265 182 ＜1

266 183 ＜1

267 184 ＜1

268 185 ＜1

269 187 ＜1

270 189 ＜1

271 193 ＜1

272 196 ＜1

273 197 ＜1

274 203 ＜1

275 205 ＜1

276 208 ＜1

277 209 ＜1

278 213 ＜1

279 214 ＜1

280 217 ＜1

【表11】

实施例化合物序号响应时间(μs)

281 219 ＜1

282 222 ＜1

283 225 ＜1

284 226 ＜1

285 228 ＜1

286 231 ＜1

287 233 ＜1

288 234 ＜1

289 235 ＜1

290 237 ＜1

291 238 ＜1

292 239 ＜1

293 241 ＜1

294 244 ＜1

295 247 ＜1

296 250 ＜1

297 253 ＜1

298 256 ＜1

299 260 ＜1

300 262 ＜1

301 265 ＜1

302 267 ＜1

303 268 ＜1

304 270 ＜1

305 273 ＜1

306 276 ＜1

307 280 ＜1

308 282 ＜1

309 283 ＜1

310 285 ＜1

【表12】

实施例化合物序号响应时间(μs)

311 286 ＜1

312 287 ＜1

313 290 ＜1

314 291 ＜1

315 293 ＜1

316 295 ＜1

317 296 ＜1

318 299 ＜1

319 302 ＜1

320 304 ＜1

321 306 ＜1

322 308 ＜1

323 309 ＜1

324 312 ＜1

325 315 ＜1

326 316 ＜1

327 318 ＜1

328 320 ＜1

329 321 ＜1

330 324 ＜1

331 326 ＜1

332 327 ＜1

333 329 ＜1

334 331 ＜1

335 332 ＜1

336 333 ＜1

337 335 ＜1

338 336 ＜1

339 337 ＜1

340 338 ＜1

【表13】

实施例化合物序号响应时间(μs)

341 340 ＜1

342 342 ＜1

343 344 ＜1

344 346 ＜1

345 347 ＜1

346 350 ＜1

347 353 ＜1

348 355 ＜1

349 358 ＜1

350 360 ＜1

351 361 ＜1

352 364 ＜1

353 367 ＜1

354 369 ＜1

355 371 ＜1

356 372 ＜1

357 374 ＜1

358 377 ＜1

359 379 ＜1

360 380 ＜1

361 382 ＜1

362 385 ＜1

363 387 ＜1

364 390 ＜1

365 392 ＜1

366 394 ＜1

367 397 ＜1

368 401 ＜1

369 403 ＜1

370 404 ＜1

【表14】

实施例化合物序号响应时间(μs)

371 405 ＜1

372 407 ＜1

373 409 ＜1

374 412 ＜1

375 413 ＜1

376 416 ＜1

377 418 ＜1

378 423 ＜1

实施例379

在本实施例中，用下述顺序制作了实施方式3中所说的图3的有机TFT10C。首先，在基板11上，按照真空蒸镀法形成200nm厚的金膜，并把它作为源电极12。接着，在该源电极12上，以100nm的厚度形成化合物(1)的膜。再在该化合物(1)上，通过金属掩蔽真空蒸镀铝，形成宽100μm，间隔200μm的膜厚为80nm的条纹状铝膜，并把它作为控制极14。在该控制极14上，通过真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(1)的膜，得到有机薄膜层15。接着，在有机薄膜层15上，用真空蒸镀法形成200nm厚的金膜，并用作漏电极13，由此得到有机TFT元件10C。

在所述有机TFT元件10C的控制极14上外加频率为1kHz、最大电压8.5V的矩形波电压，并在源-漏电极12、13之间外加10V的直流电压后，测定了打开或关闭状态下源-漏电极间电流的响应时间(完成全变化量的10％至全变化量的90％所需的时间)，其结果为短于1μs。

实施例380-567

除了更换有机薄膜层15的化合物之外，用与实施例379相同的方法制作有机TFT10C，并用与实施例379同样的方法进行了测定。其结果作为实施例380-567示于表15-表21。在表15-表21中，记载了每个实施例的化合物序号及开/关比(×10⁷)。测定结果表示所有的元件10C的响应时间都短于1μs，极为短暂。

【表15】

实施例化合物序号响应时间(μs)

380 4 ＜1

381 6 ＜1

382 9 ＜1

383 12 ＜1

384 15 ＜1

385 19 ＜1

386 23 ＜1

387 25 ＜1

388 26 ＜1

389 29 ＜1

390 32 ＜1

391 35 ＜1

392 38 ＜1

393 41 ＜1

394 42 ＜1

395 46 ＜1

396 48 ＜1

397 50 ＜1

398 53 ＜1

399 55 ＜1

400 58 ＜1

401 60 ＜1

402 63 ＜1

403 64 ＜1

404 67 ＜1

405 68 ＜1

406 70 ＜1

407 73 ＜1

408 76 ＜1

409 78 ＜1

410 82 ＜1

【表16】

实施例化合物序号响应时间(μs)

411 83 ＜1

412 87 ＜1

413 89 ＜1

414 93 ＜1

415 94 ＜1

416 96 ＜1

417 97 ＜1

418 101 ＜1

419 102 ＜1

420 104 ＜1

421 105 ＜1

422 108 ＜1

423 110 ＜1

424 111 ＜1

425 114 ＜1

426 116 ＜1

427 117 ＜1

428 120 ＜1

429 123 ＜1

430 125 ＜1

431 126 ＜1

432 129 ＜1

433 130 ＜1

434 132 ＜1

435 134 ＜1

436 136 ＜1

437 138 ＜1

438 140 ＜1

439 144 ＜1

440 146 ＜1

【表17】

实施例化合物序号响应时间(μs)

441 148 ＜1

442 150 ＜1

443 152 ＜1

444 156 ＜1

445 158 ＜1

446 161 ＜1

447 166 ＜1

448 168 ＜1

449 170 ＜1

450 173 ＜1

451 175 ＜1

452 178 ＜1

453 180 ＜1

454 182 ＜1

455 183 ＜1

456 184 ＜1

457 185 ＜1

458 187 ＜1

459 189 ＜1

460 193 ＜1

461 196 ＜1

462 197 ＜1

463 203 ＜1

464 205 ＜1

465 208 ＜1

466 209 ＜1

467 213 ＜1

468 214 ＜1

469 217 ＜1

470 219 ＜1

【表18】

实施例化合物序号响应时间(μs)

471 222 ＜1

472 225 ＜1

473 226 ＜1

474 228 ＜1

475 231 ＜1

476 233 ＜1

477 234 ＜1

478 235 ＜1

479 237 ＜1

480 238 ＜1

481 239 ＜1

482 241 ＜1

483 244 ＜1

484 247 ＜1

485 250 ＜1

486 253 ＜1

487 256 ＜1

488 260 ＜1

489 262 ＜1

490 265 ＜1

491 267 ＜1

492 268 ＜1

493 270 ＜1

494 273 ＜1

495 276 ＜1

496 280 ＜1

497 282 ＜1

498 283 ＜1

499 285 ＜1

500 286 ＜1

【表19】

实施例化合物序号响应时间(μs)

501 287 ＜1

502 290 ＜1

503 291 ＜1

504 293 ＜1

505 295 ＜1

506 296 ＜1

507 299 ＜1

508 302 ＜1

509 304 ＜1

510 306 ＜1

511 308 ＜1

512 309 ＜1

513 312 ＜1

514 315 ＜1

515 316 ＜1

516 318 ＜1

517 320 ＜1

518 321 ＜1

519 324 ＜1

520 326 ＜1

521 327 ＜1

522 329 ＜1

523 331 ＜1

524 332 ＜1

525 333 ＜1

526 335 ＜1

527 336 ＜1

528 337 ＜1

529 338 ＜1

530 340 ＜1

【表20】

实施例化合物序号响应时间(μs)

531 342 ＜1

532 344 ＜1

533 346 ＜1

534 347 ＜1

535 350 ＜1

536 353 ＜1

537 355 ＜1

538 358 ＜1

539 360 ＜1

540 361 ＜1

541 364 ＜1

542 367 ＜1

543 369 ＜1

544 371 ＜1

545 372 ＜1

546 374 ＜1

547 377 ＜1

548 379 ＜1

549 380 ＜1

550 382 ＜1

551 385 ＜1

552 387 ＜1

553 390 ＜1

554 392 ＜1

555 394 ＜1

556 397 ＜1

557 401 ＜1

558 403 ＜1

559 404 ＜1

560 405 ＜1

【表21】

实施例化合物序号响应时间(μs)

561 407 ＜1

562 409 ＜1

563 412 ＜1

564 413 ＜1

565 416 ＜1

566 418 ＜1

567 423 ＜1

实施例568

在本实施例中，用下述的顺序制作了图1的有机TFT10A。首先，在基板11上，通过真空蒸镀法形成100nm厚的铬膜，并把它作为控制极14。接着，在该控制极14上，用溅射法形成300nm厚的SiO₂膜并作为绝缘体层16。然后，在该绝缘体层16上通过金属掩蔽以150nm的厚度形成铜膜，由此形成相隔25μm的互相不接触的源电极12及漏电极13。之后，再通过其它的金属掩蔽，用真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(318)的膜，作为有机物层15，并由此得到有机TFT元件10A。

测定在所述有机TFT元件10A上外加-40V的控制极电压之后源-漏电极间的电流的开/关比，结果为7.3×10⁷。

实施例569

在本实施例中，用下述的顺序制作了图2的有机TFT10B。首先，在基板11上，用真空蒸镀法形成100nm厚的铬膜并把它作为控制极14。接着，在该控制极14上，用溅射法形成300nm厚的SiO₂膜并作为绝缘体层16。然后，在该绝缘体层16上，通过金属掩蔽以100nm的厚度形成条纹状的铜膜，作为源电极12。之后，在包含源电极12的绝缘体层16上，用真空蒸镀法形成300nm厚的化合物(318)的膜，并作为有机薄膜层15。再在该有机薄膜层15上，用真空蒸镀法形成200nm厚的铜膜作为漏电极13，并由此得到有机TFT元件10B。

实施例570

在本实施例中，用下述的顺序制作了图3的有机TFT10C。首先，在基板11上，用真空蒸镀法形成200nm厚的铜膜，并把它作为源电极12。接着，在该源电极12上，以100nm的厚度形成化合物(318)的膜。再在该化合物(318)上，通过金属掩蔽真空蒸镀铝，形成宽100μm、间隔200μm的膜厚为80nm的条纹状铝膜，并把它作为控制极14。之后，在该控制极14上，通过真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(318)的膜，得到有机薄膜层15。接着，在有机薄膜层15上，用真空蒸镀法形成200nm厚的铜膜，并用作漏电极13，由此得到有机TFT元件10C。

在所述的有机TFT元件10C的控制极14上外加频率为1kHz、最大电压8.5V的矩形波电压，并在源-漏电极12、13之间外加10V的直流电压后，测定了打开或关闭状态下源-漏电极间电流的响应时间(完成全变化量的10％至全变化量的90％所需的时间)，其结果为短于1μs。

实施例571

在本实施例中，用下述的顺序制作了图1的有机TFT10A。首先，在基板11上，通过真空蒸镀法形成100nm厚的铬膜并把它作为控制极14。接着，在该控制极14上，用溅射法形成300nm厚的SiO₂膜并作为绝缘体层16。然后，在该绝缘体层16上通过金属掩蔽，用溅射法以150nm的厚度形成ITO膜，相隔25μm形成互相不接触的源电极12及漏电极13。之后，再通过其它的金属掩蔽，用真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(318)的膜，作为有机薄膜层15，并由此得到有机TFT元件10A。

测定在所述有机TFT元件10A上外加-40V的控制极电压之后源-漏电极间的电流的开/关比，结果为6.7×10⁷。

实施例572

在本实施例中，用下述的顺序制作了图2的有机TFT10B。首先，在基板11上，用真空蒸镀法形成100nm厚的铬膜并把它作为控制极14。接着，在该控制极14上，用溅射法形成300nm厚的SiO₂膜并作为绝缘体层16。然后，在该绝缘体层16上通过金属掩蔽，用溅射法以100nm的厚度形成条纹状的ITO膜，作为源电极12。之后，用真空蒸镀法形成300nm厚的化合物(318)的膜，并作为有机薄膜层15。再在该有机薄膜层15上，用溅射法形成200nm厚的ITO膜作为漏电极13，并由此得到有机TFT元件10B。

在所述的有机TFT元件10B的控制极14上外加频率为1kHz、最大电压8.5V的矩形波电压，并在源-漏电极12、13之间外加10V的直流电压后，测定了打开状态下源-漏电极间电流的响应时间(完成全变化量的10％至全变化量的90％所需的时间)，其结果为短于1μs。

实施例573

在本实施例中，用下述的顺序制作了图3的有机TFT10C。首先，在基板11上，用溅射法形成1000nm厚的ITO膜，并把它作为源电极12。接着，在该源电极12上，以100nm的厚度形成化合物(318)的膜。再在该化合物(318)上，通过金属掩蔽真空蒸镀铝，形成宽100μm、间隔200μm的条纹状的膜厚为80nm的铝膜，并把它作为控制极14。在该控制极14上，通过真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(318)的膜，得到有机薄膜层15。接着，在有机薄膜层15上，用溅射法形成200nm厚的ITO膜，并用作漏电极13，由此得到有机TFT元件10C。

在所述的有机TFT元件10C的控制极14上外加频率为1kHz、最大电压8.5V的矩形波电压，并在源-漏电极12、13之间外加10V的直流电压后，测定了打开、关闭时源-漏电极间电流的响应时间(完成全变化量的10％至全变化量的90％所需的时间)，其结果为短于1μs。

实施例574

在本实施例中，用下述的顺序制作了图1的有机TFT10A。首先，在基板11上，通过真空蒸镀法形成100nm厚的铬膜并把它作为控制极14。接着，在该控制极14上，用溅射法形成300nm厚的SiO₂膜并作为绝缘体层16。然后，在该绝缘体层16上通过金属掩蔽，以150nm的厚度形成镁-银合金膜，由此相隔25μm形成互相不接触的源电极12及漏电极13。接着，再通过其它的金属掩蔽，形成膜厚为20nm的重量比为10∶1的化合物(231)和铯的膜，仅覆盖源电极12的区域。之后，用真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(231)的膜，作为有机薄膜层15，并由此得到有机TFT元件10A。

测定在所述有机TFT元件10A上外加40V的控制极电压之后源-漏电极间的电流的开/关比，结果为5.7×10⁷。

实施例575

在本实施例中，用下述的顺序制作了图2的有机TFT10B。首先，在基板11上，用真空蒸镀法形成100nm厚的铬膜并把它作为控制极14。接着，在该控制极14上，用溅射法形成300nm厚的SiO₂膜并作为绝缘体层16。然后，在该绝缘体层16上通过金属掩蔽，以100nm的厚度形成条纹状的镁-银合金膜，作为源电极12。之后，形成20nm厚的化合物(231)和铯的重量比为10∶1的膜，并作为有机薄膜层15之后，再用真空蒸镀法形成280nm厚的化合物(231)的膜。然后，在该有机薄膜层15上，用真空蒸镀法形成200nm厚的镁-银膜作为漏电极13，并由此得到有机TFT元件10B。

实施例576

在本实施例中，用下述的顺序制作了图3的有机TFT10C。首先，在基板11上，用溅射法形成200nm厚的镁-银合金膜，并把它作为源电极12。接着，在该源电极12上，以20nm的厚度形成化合物(231)和铯的重量比为10∶1的膜，再形成厚度为80nm的化合物(231)膜。再在其上，通过金属掩蔽真空蒸镀铝，形成宽100μm、间隔200μm的条纹状的膜厚为80nm的铝膜，并把它作为控制极14。之后，在该控制极14上，通过真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(231)的膜，得到有机薄膜层15。接着，在有机薄膜层15上，用真空蒸镀法形成200nm厚的镁-银合金膜，并用作漏电极13，由此得到有机TFT元件10C。

实施例577

在本实施例中，用下述的顺序制作了图1的有机TFT10A。首先，在基板11上，通过真空蒸镀法形成100nm厚的铬膜并把它作为控制极14。接着，在该控制极14上，用溅射法形成300nm厚的SiO₂膜并作为绝缘体层16。然后，在该绝缘体层16上通过金属掩蔽，以150nm的厚度形成金膜，由此形成相隔25μm的互相不接触的源电极12及漏电极13。接着，再通过其它的金属掩蔽，形成膜厚为20nm的重量比为10∶1的化合物(215)和三氟化硼的膜，并仅覆盖源电极12的区域。之后，用真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(215)的膜，作为有机薄膜层15，并由此得到有机TFT元件10A。

测定在所述有机TFT元件10A上外加40V的控制极电压之后源-漏电极间的电流的开/关比，结果为5.9×10⁷。

实施例578

在本实施例中，用下述的顺序制作了图2的有机TFT10B。首先，在基板11上，用真空蒸镀法形成100nm厚的铬膜并把它作为控制极14。接着，在该控制极14上，用溅射法形成300nm厚的SiO₂膜并作为绝缘体层16。然后，在该绝缘体层16上通过金属掩蔽，以100nm的厚度形成条纹状的金膜，作为源电极12。再形成20nm厚的化合物(215)和三氟化硼的重量比为10∶1的膜，并作为有机薄膜层15之后，用真空蒸镀法形成280nm厚的化合物(215)的膜。然后，在该有机薄膜层15上，用真空蒸镀法形成200nm厚的镁-银合金膜作为漏电极13，并由此得到有机TFT元件10B。

实施例579

在本实施例中，用下述的顺序制作了图3的有机TFT10C。首先，在基板11上，用真空蒸镀法形成200nm厚的金膜，并把它作为源电极12。接着，在该源电极12上，以20nm的厚度形成化合物(215)和三氟化硼的重量比为10∶1的膜，再形成厚度为80nm的化合物(215)的膜。接着在该化合物(215)上，通过金属掩蔽真空蒸镀铝，形成宽100μm、间隔200μm的膜厚为80nm的条纹状铝膜，并把它作为控制极14。之后，在该控制极14上，通过真空蒸镀法形成150nm厚的化合物(215)的膜，得到有机薄膜层15。接着，在有机薄膜层15上，用真空蒸镀法形成200nm厚的金膜，并用作漏电极13，由此得到有机TFT元件10C。

在上文中根据最佳的实施方式说明了本发明，但本发明有机薄膜晶体管并不限于所述实施方式的构成，对所述实施方式的构成进行种种修改或变更后所得到的有机薄膜晶体管也属于本发明的范围。

如上所述，根据本发明，由于有机薄膜层中包含用通式[A]表示的化合物或它们的混合物，因此可以得到可高速动作、且具有高开/关比的有机薄膜晶体管。

Claims

1.一种有机薄膜晶体管，包括相隔一定距离的第1及第2电极、分别连接于该第1及第2电极上的有机薄膜层、分别与所述第1及第2电极相隔一定距离的第3电极，并根据外加于该第3电极的电压控制流通于所述第1及第2电极间的电流，其特征在于：所述有机薄膜层中以单独或混合的形式含有由下述的通式[A]表示的化合物，

[化1]

式[A]中Ar¹-Ar²分别为未取代或作为取代基具有烷基、烷氧基、链烯基、苯乙烯基中的至少1个的苯基，而且X为由碳原子数6-34的未取代或作为取代基具有烷基、烷氧基、芳氧基中的至少1个的缩合芳香烃构成的1-4价基团，n为1-4的整数。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，X为由未取代或作为取代基具有烷基、烷氧基、芳氧基中的至少1个的萘、蒽、丁省、联苯撑、苝、戊省、苯并[a]苝、二苯并[a，j]苝、二苯并[a，o]苝、二苯并[cd，jk]芘、双蒽烯、特丽纶、四苯并[de，hi，op，st]戊省中的任一种骨架构成的基团，且n为1-2。

3.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，以-NAr¹Ar²表示的二芳基胺基中至少有一个基团包含作为Ar¹的取代基的取代苯乙烯基，该取代苯乙烯基为选自4-环亚己基次甲基苯乙烯基或2，2-双(4-环亚己基次甲基苯基)乙烯基或2-(4-环亚己基次甲基苯基)-2-对甲苯基乙烯基中的任一种基团。

4.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，X为三邻亚苯，n为1-3。

5.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，以-NAr¹Ar²表示的二芳基胺基中至少有一个基团包含作为Ar¹的取代基的取代苯乙烯基，该取代苯乙烯基为选自4-环亚己基次甲基苯乙烯基或2，2-双(4-环亚己基次甲基苯基)乙烯基或2-(4-环亚己基次甲基苯基)-2-对甲苯基乙烯基中的任一种基团。

6.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，X为四苯撑、9，9’-螺联芴，n为1-4。

7.根据权利要求6所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，以-NAr¹Ar²表示的二芳基胺基中至少有一个基团包含作为Ar¹的取代基的取代苯乙烯基，该取代苯乙烯基为选自4-环亚己基次甲基苯乙烯基或2，2-双(4-环亚己基次甲基苯基)乙烯基或2-(4-环亚己基次甲基苯基)-2-对甲苯基乙烯基中的任一种基团。

8.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：通式[A]中，Ar¹及Ar²分别为未取代或作为取代基具有甲基、乙基、丙基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、苯乙烯基、4-甲基苯乙烯基、2，2-二对甲苯基乙烯基、2，2-二苯基乙烯基、2-苯基-2-对甲苯基乙烯基、环亚己基次甲基、4-环亚己基次甲基苯乙烯基、2-(4-环亚己基次甲基苯基)-2-对甲苯基乙烯基、2，2-双(4-环亚己基次甲基苯基)乙烯基中的至少一种的苯基。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述第1及第2电极间的载体的移动方向与所述有机薄膜层的膜厚方向相一致。

10.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述有机薄膜层的第1、第2及第3电极间的任何一个界面混合有作为供电性掺杂剂的选自锂、钠、铯、钾、镁、氟化锂、氧化锂的金属或金属氟化物或金属氧化物中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述有机薄膜层的第1、第2及第3电极间的任何一个界面混合有作为吸电性掺杂剂的选自三氟化硼、三(4-溴苯基)铵六氯锑酸盐中的Lewis酸。