CN1745464A - 半透射半反射型电极基板的制造方法、反射型电极基板及其制造方法以及在该反射型电极基板的制造方法中使用的蚀刻组合物 - Google Patents
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Abstract
本发明通过使用能够选择性蚀刻的蚀刻液，使半透射半反射型电极基板的制造过程简化，避免复杂的反复作业，得到不发生时间损耗的工序，效率良好地提供半透射半反射型电极基板。本发明是制造按顺序积层了至少包含氧化铟的金属氧化物层12和至少包含Al或Ag的无机化合物层14的半透射半反射型电极基板的方法，其通过使用包含磷酸、硝酸、乙酸的蚀刻液λ蚀刻上述无机化合物层14的工序和使用含有草酸的蚀刻液σ蚀刻上述金属氧化物层12的工序来制造半透射半反射型电极基板。
Description
技术领域
本发明涉及制造半透射半反射型液晶电极基板的方法。并且涉及在半透射半反射型电极基板的制造中使用的蚀刻液。
另外，本发明涉及反射型液晶或发光元件中的反射型电极基板及其制造方法、以及在其制造方法中使用的蚀刻液。
背景技术
现有技术之一(半透射半反射型液晶)
迄今为止，半透射半反射型液晶，由于以下所示的理由等，正进行锐意研究开发。
(1)因为是半透射半反射，所以不管室外、室内都得到明亮的显示。
(2)在明亮的地方使用时，能够作为反射型使用，因此能够节约电力消耗。
(3)因为优良的低电力消耗，所以适合便携式显示器。
(4)全色化也是容易的。
但是，半透射半反射型液晶，需要在液晶驱动用的电极部在同一像素内设置反射电极和透射电极，而存在制造工序复杂、合格率降低和高价格化，以及由于透射模式和反射模式下的观看方式的不同而不易观看等问题。因此，在特开2002-49034号公报和特开2002-49033号公报等中公开了具有形成银反射膜120后，用保护膜130覆盖该银反射膜120，在其上设置液晶驱动用的透射电极的结构，且银反射层和液晶驱动用的透射电极相互不同地配置的半透射半反射型液晶显示装置。再者，表示特开2002-49034号公报和特开2002-49033号公报的半透射半反射液晶显示装置的总体构成的截面图如图5所示。该液晶显示装置，第1基板100和第2基板110相对配置，在第1基板100和第2基板110的间隙中封入液晶。进一步，在第1基板100上由银反射膜120、在银反射膜120上形成的保护膜130、在保护膜130上形成的透明电极140和在透明电极140上形成的取向膜构成。按照这样的构成，即使在反射膜形成后进行取向膜的高温处理，也能够抑制构成银反射膜120的晶粒的生长，因此防止反射率的降低成为可能。
另外，在特开2001-305529号公报中，关于使用单一半透射反射膜的构成，公开了在该银反射膜120的下面设置具有辅助反射功能的Si薄膜等的构成。按照这样的构成，在透射时反射时都一边维持最合适的亮度·对比度，一边以适宜的色调进行显示成为可能。
现有技术之二(反射型液晶)
迄今为止，反射型液晶，由于①因为是反射型，所以轻量且能得到明亮的显示，②不需要背光照明，能够节约电力消耗，③以少的电力消耗就能够工作，所以适合便携式显示器等理由，正活跃地进行开发。
其中，顶部发射型有机场致发光(以下记为EL)，由于①因为是固体元件，所以操作性良好，②因为是自发光，所以不需要其他的发光构件，③因为目视性优良，所以适合于显示器，④全色化容易等理由，正受到关注。
上述反射型液晶，特别在顶部发射型有机EL等显示装置中的驱动用的电极层中，通常使用反射型电极。作为该反射型电极，从有机EL等的发光效率的观点出发，优选反射率高的。
作为有机EL的反射型电极，例如在国际公开WO00/065879号小册子中公开了与OLED接触的层包含Mo、Ru、V及其氧化物的反射型电极。
在特开2002-216976号公报中公开了包含含有Cr和Cr氧化物的积层膜、及代替上述Cr和Cr氧化物，含有Mo、W、Ta、Nb、Ni和Pt等金属及其氧化物的积层膜的发光元件用的电极。
另一方面，作为液晶驱动用的反射型电极，已知可以使用反射率高的Al等。
现有技术之三(反射型液晶)
如在上述现有技术之二中所述，在上述反射型液晶，尤其是在顶部发射型有机EL等显示装置中的驱动用的电极层中，通常使用反射型电极。
例如，在特开2003-36037号公报中提出了包含Cr、Ta、W、Ti和Mo等的金属氧化物层，通过使金属氧化物层的厚度/Ag合金层的厚度之比小于金属氧化物层的蚀刻速度/Ag合金层的蚀刻速度之比，来缓和在金属氧化物层和Ag合金层之间产生的台阶高差。
另一方面，作为液晶驱动用的反射型电极，已知可以使用反射率高的Ag等。
发明内容
第1目的(与现有技术之一有关)
那么，按照上述的特开2002-49034号公报和特开2002-49033号公报，在各个层中设置透射电极部分和反射电极部分，对各个层，必须反复进行“成膜-光刻法蚀刻-成膜-光刻法蚀刻”，复杂的操作成为必要，产生了用于在工序间传递而导致的时间损耗。
关于上述问题，本申请发明人进行了锐意研究发现，通过采用被不腐蚀金属的酸蚀刻，但对金属用的蚀刻液有耐性、不易发生蚀刻的透明导电膜，能够进一步简化“成膜-蚀刻”工序。
即，本发明的目的是通过使用能够选择性蚀刻的液体，使工序简化，避免复杂的重复作业，从而成为不发生时间损耗的工序，高效地提供半透射半反射型电极基板。
第2目的(与现有技术之二有关)
另外，由于上述包含Mo、W、Ta、Nb、Ni、Pt或Ru、V、Cr等的反射型电极的反射率低，因此有机EL的发光效率降低。
尤其在有机EL的场合，反射型电极作为阳极使用，因此从发光效率的观点出发，以反射型电极的功函大为佳。上述Mo等的金属群的功函比较大，但有机化合物的电离电势是5.6～5.8eV，因此不能说是充分的值。
在使用反射率大的Al作为反射型电极时，Al的功函为4.2，相对有机化合物的电离电势而言不大。
本发明就是鉴于上述问题而完成的，目的在于提供具备①表面电阻小、②反射特性和耐久性优良、③功函大等性质的反射型电极基板和该反射型电极基板的制造方法。本发明的反射型电极基板，作为顶部发射型有机EL元件用的电极基板是特别有用的。
第3目的(与现有技术之三有关)
如在上述第2目的中所述，上述Mo等金属群的功函比较大，但有机化合物的电离电势是5.6～5.8eV，因此不能说是充分的值。
反射率大的Ag作为反射型电极使用时，Ag的功函是4.2，相对有机化合物的电离电势而言不大。
本发明就是鉴于上述问题而完成的，和上述第2目的一样，目的在于提供具备①表面电阻小、②反射特性和耐久性优良、③功函大等性质的反射型电极基板和该反射型电极基板的制造方法。而且，和上述第2目的一样，本发明的反射型电极基板，作为顶部发射型有机EL元件用的电极基板是特别有用的。
为了达到上述目的，本发明采用如下手段。
第1组的发明
首先，对主要用于达到上述第1目的的第1组发明进行说明。该第1组的发明，在后述的第1实施方式中详细地说明。
1.本发明是顺序地积层至少包含氧化铟的金属氧化物层、和至少包含Al或者Ag的无机化合物层的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于包含：使用包含磷酸、硝酸、乙酸的蚀刻液λ蚀刻上述无机化合物层的工序、和使用含有草酸的蚀刻液σ蚀刻上述金属氧化物层的工序。
以往，必须反复进行“成膜-光刻法蚀刻-成膜-光刻法蚀刻”的工序。但是，按照本发明，利用“成膜-成膜-光刻法蚀刻-光刻法蚀刻”的工序，能够将各层成膜。其结果，使工序比以往更简化成为可能，能够缩短半透射半反射型液晶电极基板的制造时间。
含有草酸的蚀刻液σ，在不对包含Ag或者Al的无机化合物层造成损伤的范围内，可以少量地添加其他的酸，例如盐酸、硝酸、磺酸、二磺酸等。
2.本发明的特征在于，将利用上述蚀刻液λ的上述金属氧化物层的蚀刻速度A和利用上述蚀刻液λ的上述无机化合物层的蚀刻速度B之比B/A的值设定为10以上。
这里，所谓蚀刻速度比的值，定义为“包含Ag或者Al的无机化合物层的蚀刻速度/金属氧化物层的蚀刻速度”。
因为当包含Ag或Al的无机化合物层的蚀刻速度和金属氧化物层的蚀刻速度的蚀刻速度比的值不到10时，进行包含Ag或Al的无机化合物层的蚀刻的情况下，蚀刻至底层的金属氧化物层，会对金属氧化物层造成损伤。
另外，如果将比蚀刻恰好完成的时间更长而进行蚀刻的情况定义为过度蚀刻时间的话，在通常的蚀刻工序的情况下，往往以蚀刻恰好完成的时间的1.2倍至2.0倍左右的时间进行蚀刻。因此，如果考虑该过度蚀刻时间的话，则蚀刻恰好完成的时间的0.2～1.0倍的时间下，作为底层的金属氧化物层会发生蚀刻，因此需要预先使包含Ag或Al的无机化合物层的蚀刻速度和金属氧化物层的蚀刻速度的蚀刻速度比的值增大。
3.本发明的特征在于，上述蚀刻液λ包含30～60重量％的磷酸离子、1～5重量％的硝酸离子、30～50重量％的乙酸离子。
这是因为蚀刻液λ中的阴离子组成为上述范围以外的混合酸时，很难将蚀刻速度比的值控制在10以上，有时会对作为底层的金属氧化物层造成损伤的缘故。再有，如果是上述范围以外的蚀刻液，若蚀刻速度变慢，其结果，有时蚀刻工序需要多的时间。另外，如果是上述范围以外的蚀刻液的话，若蚀刻速度变快，其结果，不能控制蚀刻速度，有时会对作为底层的金属氧化物层造成损伤。
4.本发明的特征在于，上述金属氧化物层含有镧系金属氧化物。
这是因为在至少包含氧化铟的金属氧化物层中不含镧系金属氧化物时，蚀刻速度比的值有时会变成10以下。进一步，在不含镧系金属氧化物的情况下，利用以草酸为主成分的酸进行蚀刻变得困难。
而在金属氧化物层中添加镧系金属氧化物的情况下，蚀刻速度的比往往能够控制为10以上。进一步，在添加镧系金属氧化物的情况下，以草酸为主成分的蚀刻变得可能。
5.本发明的特征在于，上述镧系金属氧化物包含选自氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥的1种或以上。
作为镧系金属氧化物，可以适当选择氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铽等。因为这些金属氧化物无毒性，且容易买到。另外，从金属氧化物的价格、烧结时的烧结密度的提高容易度、烧结与时间、温度的关系考虑，可以适当选择这些氧化物。
6.本发明的特征在于，上述镧系金属氧化物的含量比例，相对金属氧化物的金属原子总量，为0.1～不到10原子％。
镧系金属氧化物的添加量为0.1～20原子％，优选为1～8原子％，更优选为2～7原子％。
这是因为镧系金属氧化物的添加量不到0.1原子％时，有时不能实现添加效果，即，不能使蚀刻速度之比达到10以上。另外，镧系金属氧化物的添加量为10原子％以上时，有时会出现金属氧化物层的导电性劣化的情况，并且有时会出现金属氧化物的透射性降低的情况。
7.本发明的特征在于，上述无机化合物层以0.1～3重量％的范围含有选自Au、Pt、Nd的1种或以上。
这是因为虽然Ag单质也能够实施，但是，添加Au、Pt、Nd的话，电阻低，且和底层的附着力优异，即使热湿度下也能得到更稳定的膜。作为Au、Pt、Nd的添加量，希望以0.1～3重量％的范围含有。再者，在本专利中，在金属氧化物层上成膜的金属层由Ag单质或者Al单质构成时，为了方便也称为无机化合物层。另外，在本专利中，在Ag或者Al中添加Au、Pt或者Nd者，为了方便也称为无机化合物。
Au、Pt、Nd的添加量不到0.1重量％时，难以实现添加效果，即，难以得到能将电阻抑制较低、且与作为底层的金属氧化物层的附着力优异、在热湿度下也能得到更稳定的膜这一效果。另外，在Au、Pt、Nd的添加量为3重量％以上时，有时会出现电阻变低、不能实现与底层的附着力，并且对热湿度也变得不稳定，且价格昂贵的情况。优选Au、Pt、Nd的添加量，为0.2～2重量％，更优选为0.3～1.5重量％。
用于解决在下述中记载的课题的手段8～14，除了具有在包含Al或者Ag的无机化合物层上使第2金属氧化物层成膜的工序以外，具有与用于解决在上述中记载的课题的手段1～7同样的作用效果。
8.本发明是按顺序积层至少包含氧化铟的第1金属氧化物层、至少包含Al或者Ag的无机化合物层、至少包含氧化铟或者氧化锌的第2金属氧化物层的半透射半反射电极基板的制造方法，其特征在于包含：使用包含磷酸、硝酸、乙酸的蚀刻液λ蚀刻上述第2金属氧化物层和上述无机化合物层的工序、以及使用含有草酸的蚀刻液σ蚀刻上述第1金属氧化物薄膜的工序。
9.本发明的特征在于，利用上述蚀刻液λ的上述第1金属氧化物层的蚀刻速度A和利用上述蚀刻液λ的上述无机化合物层的蚀刻速度B之比B/A值设定为10以上，利用上述蚀刻液λ的上述无机化合物层的蚀刻速度C和利用上述蚀刻液λ的上述第2金属氧化物层的蚀刻速度D之比C/D设定在0.5～2.0的范围内。
10.本发明的特征在于，上述蚀刻液λ包含30～60重量％的磷酸离子、1～5重量％的硝酸离子、30～50重量％的乙酸离子。
11.本发明的特征在于，上述第1金属氧化物层含有镧系金属氧化物。
12.本发明的特征在于，上述镧系金属氧化物包括选自氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥的1种或以上。
13.本发明的特征在于，上述镧系金属氧化物的含量比例，相对金属氧化物的金属原子总量，为0.1～不到10原子％。
14.本发明的特征在于，上述无机化合物层以0.1～3重量％的范围含有选自Au、Pt、Nd的1种或以上。
第2组发明
接着，对主要用于达到上述第2目的的第2组发明进行说明。该第2组的发明，在后述的第2实施方式中详细地说明。
鉴于上述问题进行锐意研究的结果，本发明人等发现，作为反射型电极基板的电极层，使用包含反射效率大的Al等的无机化合物层，以及作为电荷注入层，使用含有特定元素的金属氧化物层的话，就能够得到在维持低电阻率的同时功函也大的反射型电极基板。
于是，第2组发明可分成以下的3个小组(2-1、2-2、2-3)。
1.本发明的第2-1组是在基板上按顺序积层至少包含Al的无机化合物层、至少包含选自氧化铟、氧化锌或者氧化锡的1种或者2种以上的氧化物的金属氧化物层的反射型电极基板。
另外，本发明的第2-2组涉及上述反射型电极基板的制造方法，其中包含使用包含磷酸、硝酸和乙酸的蚀刻液一次性蚀刻上述金属氧化物层和上述无机化合物层的工序。
进一步，本发明的第2-3组涉及包含磷酸、硝酸和乙酸的蚀刻液的蚀刻组合物。
2.在本发明的第2-1组的反射型电极基板中，金属氧化物层具有结晶结构的话，不仅其表面变得粗糙，而且由于在表面具有突起，因此有时会产生泄漏电流。在有机EL元件中使用这样的反射型电极基板时，发光效率有时会变差，因此要求金属氧化物层必须是非晶态的。
金属氧化物层中的氧化铟的含量，相对金属氧化物层中的金属氧化物的金属原子总量优选为60～不到100原子％。氧化铟的含量如果不到60原子％的话，金属氧化物层的电阻率就变大，因此不可取。氧化铟的含量如果是100原子％的话，金属氧化物层就发生结晶，产生泄漏电流，因此是不可取的。另外，为了抑制金属氧化物层的结晶，也可以在金属氧化物层中添加水或氢。再有，氧化铟的含量优选为96原子％以下，更优选为95原子％以下。通过将氧化铟的含量控制在96原子％以下，即使在金属氧化物层中不添加水或氢，也能够使金属氧化物层成为非晶态。另外，通过添加氧化锌，能够使金属氧化物层成为非晶态。在此情况下，[In]/([In]+[Zn])(原子比)是0.7～0.95，优选为0.85～0.95，更优选为0.8～0.9。这里，[In]、[Zn]表示金属氧化物层中的In的原子数、Zn的原子数。再者，所谓原子数是金属氧化物层的组合物中每单位体积的In或者Zn的原子个数。
金属氧化物层的厚度是2～300nm，优选为30～200nm，更优选为10～120nm。如果金属氧化物层的厚度不到2nm，就不能充分地保护无机化合物层。如果金属氧化物层的厚度超过300nm，反射型电极基板的反射效率就变低，因此是不可取的。
无机化合物层的厚度是10～300nm，优选为30～250nm，更优选为50～200nm。如果无机化合物层的厚度不到10nm的话，不仅不能充分反射来自发光部层的光，而且有时反射型电极的电阻变得过大。如果无机化合物层的厚度超过300nm的话，在用蚀刻液一次性蚀刻金属氧化物层和无机化合物层时，往往会在无机化合物层上产生台阶高差，因此是不可取的。无机化合物层的表面也可以是漫反射面。
用于形成无机化合物层等的基板的材质没有特别的限制。例如可以使用玻璃，也可以使用塑料和硅等。
上述无机化合物层，除了作为主成分的Al以外，还以0.1～3重量％的范围含有选自Au、Pt和Nd的1种以上的金属。
无机化合物层中的Au、Pt和Nd的添加量是0.1～3重量％，优选是0.1～2重量％，更优选是0.5～2重量％。如果添加量不到0.1重量％的话，就不充分体现添加效果。如果添加量超过3重量％的话，无机化合物层的导电性就变低，因此是不可取的。
除了上述Au等金属外，作为第三成分，在不影响无机化合物层的稳定性或电阻的范围内，也可以添加别的金属。所谓第三成分，意味着主要的Au等金属以外的其他成分。
上述金属氧化物层的功函为5.6eV以上。
如果反射型电极基板的金属氧化物层的功函控制在5.6eV以上的话，在使用于有机EL元件的电极基板的情况下，能够提高上述有机EL元件的发光效率。为此，优选金属氧化物层的功函控制在5.6eV以上，更优选为5.8eV以上。
另外，金属氧化物层如果含有镧系金属氧化物的话，金属氧化物层的功函就容易变成5.6eV以上。
上述镧系金属氧化物包含选自氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥的1种以上。
上述镧系金属氧化物的含有比例，相对金属氧化物层中的金属氧化物的金属原子总量，是0.1～10原子％。
金属氧化物层中的镧系金属氧化物的添加量，相对金属原子的合计，是0.1～不到10原子％，优选是1～不到10原子％，更优选是2～不到5原子％。如果添加量不到0.1原子％的话，金属氧化物层的功函就有时不能达到5.6eV以上。如果添加量变成10原子％以上的话，金属氧化物层的电阻率就变得过大，导电性往往会降低，因此是不可取的。
3.上述本发明的第2-1组的反射型电极基板，可以采用如下所述的本发明的第2组的反射型电极基板的制造方法进行制造。
金属氧化物层，优选在氧分压为0～5％的气氛中形成。如果氧分压到达5％以上的活，形成的金属氧化物层的电阻率有时会变得过大。氧分压更优选为控制在0～2％，特别优选为0～1％。
包括使用包含磷酸、硝酸和乙酸的蚀刻液，一次性蚀刻上述金属氧化物层和上述无机化合物层的蚀刻工序。
利用上述蚀刻液的上述无机化合物层的蚀刻速度A和上述金属氧化物层的蚀刻速度B之比的B/A的值设定在0.5～2.0的范围。
上述无机化合物层的蚀刻速度A和上述金属氧化物层的蚀刻速度B之比的B/A的值的范围是0.5～2.0，优选是0.6～1.5，更优选是0.6～1.2。如果蚀刻速度之比B/A的值不到0.5的话，由于与金属氧化物层的蚀刻速度A相比，无机化合物层的蚀刻速度B变得过快，因此无机化合物层比金属氧化物层相比，被蚀刻的范围更大，从而有时导致在金属氧化物层和无机化合物层的交界处出现台阶高差。蚀刻速度之比B/A的值如果超过2.0的话，无机化合物层的蚀刻速度B与金属氧化物层的蚀刻速度A相比，变得过慢，因此金属氧化物层与无机化合物层相比，发生蚀刻的范围更大，有时会导致在金属氧化物层和无机化合物层的交界处产生台阶高差。
上述蚀刻液包含30～60重量％的磷酸、1～5重量％的硝酸和30～50重量％的乙酸。
在蚀刻液中，在磷酸的浓度不到30重量％时，硝酸的浓度不到1重量％时，或者乙酸的浓度不到30重量％的情况下，不仅蚀刻液的寿命变短，而且有时会出现无机化合物层没有被充分地蚀刻，出现残渣，或不能一次性蚀刻金属氧化物层和无机化合物层的情况。
另外，在蚀刻液中，在磷酸的浓度超过65重量％时，硝酸的浓度超过5重量％时，或者乙酸的浓度超过50重量％的情况下，金属氧化物层和无机化合物层的蚀刻速度变得过快而不能控制，不仅存在蚀刻速度比B/A脱离上述范围(0.5～2.0)的情况，而且金属氧化物层往往会发生劣化。
上述蚀刻液更优选磷酸的浓度为30～50重量％、硝酸的浓度为1～5重量％、乙酸的浓度为30～50重量％。
通过在金属氧化物层中添加镧系金属氧化物，金属氧化物层的蚀刻速度变得容易控制，将蚀刻速度比B/A的值设定在0.5～2.0的范围变得容易。
金属氧化物层优选是非晶态的。金属氧化物层如果是非晶态的话，不仅几乎没有由蚀刻产生的端面(蚀刻面)的残渣，而且反射型电极也成为锥形状，因此不易与对向电极发生短路等。
4.本发明的第2-3组的发明是蚀刻组合物，它是在上述第2-2组的反射型电极基板的制造方法中的蚀刻工序中使用的蚀刻液，其特征在于，包含30～60重量％的磷酸、1～5重量％的硝酸和30～50重量％的乙酸。其中，所谓蚀刻组合物是指蚀刻液中包含的组合物。
第3组的发明
接着，对主要用于为了达到上述第3目的的第3组的发明进行说明。该第3组的发明在后述的第3实施方式中详细地说明。
该第3组的发明，可进一步分成2个小组(3-1、3-2)。
鉴于上述课题锐意研究的结果，本发明人等发现，作为反射型电极基板的电极层，如果积层包含反射效率大的Ag等的无机化合物层、和含有特定元素的金属氧化物层而使用的话，就得到能维持低电阻率、且功函大的反射型电极基板。
1.第3-1组(反射型电极基板)
本发明的第3-1组是在基板上按顺序积层至少包含Ag的无机化合物层、至少包含氧化铟和镧系金属氧化物的金属氧化物层的反射型电极基板。另外，本发明的第2组涉及制造上述反射型电极基板的方法，该方法包括利用包含草酸的蚀刻液蚀刻上述金属氧化物层的工序、以及利用包含磷酸、硝酸和乙酸的蚀刻液蚀刻上述无机化合物层的工序。
在本发明的第3-1组的反射型电极基板中，金属氧化物层如果具有结晶结构的话，不仅其表面变得粗糙，而且由于在表面具有突起，往往会产生泄漏电流。在有机EL元件中使用这样的反射型电极基板时，有时会出现发光效率变差的情况，因此要求金属氧化物层必须是非晶态的。
金属氧化物层中的铟原子的含量，相对金属氧化物层中的金属原子总量，优选为60原子％以上。铟原子的含量如果不到60原子％的话，则金属氧化物层的电阻率变大，因此是不可取的。另外，为了抑制金属氧化物层结晶而产生泄漏电流，也可以在金属氧化物层的制膜时添加水或氢。进一步，铟原子的含量优选为96原子％以下，更优选为95原子％以下。通过将铟原子的含量控制在96原子％以下，在金属氧化物层的制膜时即使不添加水或氢，金属氧化物层也能成为非晶态，可防止泄漏电流。另外，通过添加氧化锌，能够使金属氧化物层成为非晶态。这种情况下，[In]/([In]+[Zn])(原子比)是0.7～0.95，优选是0.85～0.95，更优选是0.8～0.9。这里，[In]、[Zn]表示金属氧化物层中的In的原子数、Zn的原子数。另外，也可以使用氧化锡代替氧化锌添加到金属氧化物层中，或者在金属氧化物层中添加氧化锌的同时，也添加氧化锡。这种情况下，[In]/([In]+[Sn])(原子比)是0.7～0.97，优选是0.85～0.95，更优选是0.85～0.95。这里，[Sn]表示金属氧化物层中的Sn的原子数。再者，所谓原子数是金属氧化物层的组合物中单位体积的In、Zn或者Sn的原子的个数。
另外，金属氧化物层的功函优选为5.25eV以上。更优选金属氧化物层的功函为5.60eV以上。更优选为5.80eV以上。
上述镧系金属氧化物包含选自氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥的1种以上。
而且，该镧系金属氧化物的镧系金属原子的含有比例，相对金属氧化物层中的金属氧化物的金属原子总量，是0.1～20原子％。
金属氧化物层中的镧系金属原子的含有比例，优选为1～不到10原子％，更优选为2～不到5原子％。添加量如果不到0.1原子％的话，金属氧化物层的功函有时不能变成5.25eV以上。添加量如果是20原子％以上的话，金属氧化物层的电阻率就变得过大，出现导电性降低的情况，因此是不可取的。
金属氧化物层的厚度是2～300nm，优选是30～200nm，更优选是10～120nm。金属氧化物层的厚度如果不到2nm，就不能充分地保护无机化合物层。金属氧化物层的厚度如果超过300nm，反射型电极基板的反射效率就变低，因而是不可取的。
无机化合物层的厚度是10～300nm，优选是30～250nm，更优选是50～200nm。无机化合物层的厚度如果不到10nm，不仅不能充分地反射来自发光部层的光，而且有时反射型电极的电阻会变得过大。无机化合物层的厚度如果超过300nm，使用蚀刻液蚀刻无机化合物层时，在无机化合物层上往往产生台阶高差，因此是不可取的。无机化合物层的表面也可以是漫反射面。
用于形成无机化合物层等的基板的材质没有特别的限制。例如，可以使用玻璃，也可以使用塑料和硅等。
上述无机化合物层，除了作为主成分的Ag以外，还优选以0.1～3重量％的范围含有选自Au、Cu、Pd、Zr、Ni、Co和Nd的1种以上的金属。
无机化合物层中的Au、Cu、Pd、Zr、Ni、Co或者Nd的添加量是0.1～3重量％，优选是0.1～2重量％，更优选是0.5～2重量％。添加量如果不到0.1重量％，就不充分地体现添加效果。添加量如果超过3重量％，无机化合物层的导电性就变低，因此是不可取的。
除了上述Au等金属以外，作为第三成分，在不不影响无机化合物层的稳定性或电阻的范围内，可以添加其他的金属。
2.第3-2组(制造方法)
上述本发明的第3-1组的反射型电极基板，可以采用如下所述的本发明的第3-2组的反射型电极基板的制造方法进行制造。
金属氧化物层，优选在氧分压为0～5％的气氛中进行溅射成膜。氧分压为5％以上时，形成的金属氧化物层的电阻率有时会变得过大。氧分压更优选为控制在0～2％，更优选为0～1％。
本发明的第2组的制造方法，包括利用包含草酸的蚀刻液蚀刻上述金属氧化物层的工序、以及利用包含磷酸、硝酸和乙酸的蚀刻液蚀刻上述无机化合物层的工序。
蚀刻上述金属氧化物层的蚀刻液，优选含有1～10重量％的草酸。在不到1重量％时，有时金属氧化物层的蚀刻速度慢，在超过10重量％时，有时会析出草酸的结晶。特别优选为2～5重量％。
蚀刻上述无机化合物层的蚀刻液包含30～60重量％的磷酸、1～5重量％的硝酸和30～50重量％的乙酸。
在蚀刻上述无机化合物层的蚀刻液中，如果磷酸的浓度不到30重量％、硝酸的浓度不到1重量％、或者乙酸的浓度不到30重量％时，不仅蚀刻液的寿命变短，而且无机化合物层不能充分地被蚀刻，出现残渣，或变得不能蚀刻无机化合物层。
上述蚀刻液中，更为优选磷酸的浓度是30～50重量％、硝酸的浓度是1～5重量％、乙酸的浓度是30～50重量％。
本发明的反射型电极基板中，金属氧化物层是非晶态，因此几乎没有蚀刻产生的端面(蚀刻面)的残渣。另外，反射型电极成为锥形状，因此不易发生与对向电极的短路等。
附图的简单说明
图1是表示制造本实施方式第1组的半透射半反射型电极基板的工序的图。
图2是表示制造本实施方式第1组的半透射半反射型电极基板的工序的图。
图3是本实施方式第1组的半透射半反射型电极基板的剖面图。
图4是本实施方式第1组的半透射半反射型电极基板的剖面图。
图5是本实施方式第1组的半透射半反射型电极基板的平面图。
图6是本实施方式第1组的半透射半反射型电极基板的平面图。
图7是以往的半透射半反射型电极基板的剖面图。
图8是表示按照本实施方式第2组中的实施例的反射型电极基板及其制造方法的断面工序图。
图9是按照本实施方式第2组中的实施例的反射型电极基板的纵剖面图。
图10是表示按照本实施方式第3组中的实施例的反射型电极基板及其制造方法的断面工序图。
图11是按照本实施方式第3组中的实施例的反射型电极基板的纵剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图，具体地说明本发明的优选实施方式。
实施方式第1组
以下，根据附图，对本发明的最佳实施方式第1组进行说明。实施方式第1组是关于上述第1组的发明的实施方式，以下，说明11个具体的实施例(实施例1-1～实施例1-11)和2个比较例(比较例1-1～比较例1-2)。
实施例1-1
首先，使用包含氧化铟-氧化铈(Ce/(In+Ce)＝4.5原子％)的第一靶，使金属氧化物层12在涂布SiO2的青板玻璃(钠钙玻璃)基板10(参照图1(1))上成膜。该状态示于图1(2)中。另外，在金属氧化物层12的成膜中，使用直流磁控溅射装置(神港精机公司制)。
再者，成膜时的青板玻璃基板10的温度是200℃。另外，成膜后的金属氧化物层12的膜厚是75nm，电阻率是380μΩcm。
接着，使用由Ag-Pd-Cu(98.5∶0.5∶1.0重量％)构成的靶Ag，使无机化合物层14在金属氧化物层12上成膜。此外，无机化合物层14的膜厚是100nm。其形态示于图1(3)中。另外，将该金属氧化物层12和以Ag作为主成分的无机化合物层14一起称做电极层。另外，在图1～4中，金属氧化物层12、在金属氧化物层12a上成膜的层，为了方便称做包含Ag或者Al的无机化合物层14，但该无机化合物层14可以由Ag单质或者Al单质组成，也可以由以Ag或者Al作为主成分的化合物组成。再者，在本专利中，在Ag或者Al中添加了Au、Pt、Nd后的材料，为了方便称做无机化合物。
接着，使用无机化合物层14，为了形成数条线，对无机化合物层14进行蚀刻。因此，通过上述蚀刻而残存的部分是无机化合物层14的线。通过该蚀刻而残存的部分，即，无机化合物层14的线示于图1(4)中。
另外，使用该无机化合物层14的数条线，无机化合物层14的线宽度是40μm，各无机化合物层14的线间的间隔是70μm。为了成为这样的尺寸，而设计掩模图案。
接着，为了使用按上述设计的掩模图案来蚀刻无机化合物层14，在无机化合物层14上涂布感光剂(抗蚀剂)。随后，在上述抗蚀剂上载置包含上述掩模图案的玻璃板。接着，使抗蚀剂曝光后，进行显像、后烘烤。
接着，使用含有40重量％的磷酸离子、2.5重量％的硝酸离子、40重量％的乙酸离子的水溶液，按过度蚀刻1.0对无机化合物层14进行蚀刻。该蚀刻的结果示于图1(4)中。再者，该水溶液相当于权利要求范围的蚀刻液λ的一例。
随后，上述已蚀刻的青板玻璃基板10进行水洗·干燥。
接着，为了使用金属氧化物层12形成数条线，对金属氧化物层12进行蚀刻。因此，通过上述蚀刻而残存的部分是金属氧化物层12的线。通过该蚀刻而残存的部分，即，金属氧化物层12的线示于图1(5)中。
另外，使用该金属氧化物层12的数条线，金属氧化物层12的线宽度是90μm，金属氧化物层12的线间的间隔是20μm。为了形成上述这样的尺寸，设计掩模图案。
接着，为了使用按上述设计的掩模图案而蚀刻金属氧化物层12，在电极层上涂布感光剂(抗蚀剂)。随后，在该抗蚀剂上载置包含上述掩模图案的玻璃板。接着，使抗蚀剂曝光后，进行显像、后烘烤。该状态示于图5中。再者，抗蚀剂的曝光，如图3所示，无机化合物层14和金属氧化物层12的边缘的一部分(单侧)要对齐。
接着，使用4重量％草酸的水溶液，蚀刻上述得到的金属氧化物层12。该水溶液相当于权利要求范围的蚀刻液σ的一例。另外，剥离抗蚀剂后，按5cm的长度测定1根电极的电阻，得到的结果为0.65kΩ。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。另外，几乎没有看到在用草酸蚀刻前后的无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着，草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，使用上述的含有40重量％的磷酸离子、2.5重量％的硝酸离子、40重量％的乙酸离子的30℃水溶液时的无机化合物的蚀刻速度和金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度之比是40。
实施例1-2
使用包含氧化铟-氧化锡-氧化铈(In/(In+Sn)＝90原子％、Ce/(In+Sn+Ce)＝4.9原子％)的第二靶，代替实施例1-1中使用的第一靶。另外，使用Ag-Au-Ni(98.5∶0.5∶1.0重量％)，代替在实施例1-1中使用的Ag-Pd-Cu(98.5∶0.5∶1.0重量％)。除此之外，以和实施例1-1相同的手法进行。即，进行第一金属氧化物层12a和无机化合物层14的成膜。该形态示于图2的(1)～(3)中。再者，在本实施例1-2中成膜的第一金属氧化物层12a，即如图2的(2)所示的第一金属氧化物层12a，是和图1的(2)所示的金属氧化物层12相同的金属氧化物层。
接着，作为保护膜使用包含氧化铟+氧化锌(In/(In+Zn)＝75原子％)的第三靶，使第二金属氧化物层16成膜。再者，成膜时的温度是室温。另外，第二金属氧化物的膜厚是20nm。该形态示于图2的(4)中。
随后，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制造半透射半反射型电极基板。再者，第一金属氧化物层12a的电阻率是320μΩcm，电极电阻是0.61kΩ。该形态示于图2的(5)、(6)中。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12a的表面毛糙。另外，几乎没有看到在用草酸蚀刻前后的无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着，草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，使用含有30重量％的磷酸离子、1.5重量％的硝酸离子、40重量％的乙酸离子的30℃水溶液时的无机化合物的蚀刻速度和第一金属氧化物层12a的蚀刻速度的蚀刻速度比的值是45。
另外，使用含有30重量％的磷酸离子、1.5重量％的硝酸离子、40重量％的乙酸离子的30℃水溶液时的无机化合物层14的蚀刻速度和第二金属氧化物层16的蚀刻速度的蚀刻速度比的值是1.5。
实施例1-3
使用氧化铟-氧化锡-氧化镨(In/(In+Sn)＝90原子％、Pr/(In+Sn+Pr)＝4.6原子％)的第四靶，代替实施例1-1中使用的第一靶。除此之外，采用和实施例1-1相同的手法进行金属氧化物层12和无机化合物层14的成膜。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制造半透射半反射型电极基板。金属氧化物层12的电阻率是450μΩcm。该形态示于图1的(1)～(5)中。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。另外，几乎没有看到在用草酸蚀刻前后的无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着，草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，使用含有30重量％的磷酸离子、1.5重量％的硝酸离子、40重量％的乙酸离子的30℃水溶液时的无机化合物层14的蚀刻速度和金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度之比是38。
实施例1-4
使用氧化铟-氧化锡-氧化钕(In/(In+Sn)＝90原子％、Nd/(In+Sn+Nd)＝3.8原子％)的第五靶，代替在实施例1-1中使用的第一靶。另外，使用Ag-Pt-Co(98.5∶0.5∶1.0重量％)代替Ag-Pd-Cu(98.5∶0.5∶1.0重量％)。除此之外，采用和实施例1-1相同的手法进行金属氧化物层12和无机化合物层14的成膜。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制造半透射半反射型电极基板。该状态示于图1的(1)～(5)中。再者，金属氧化物层12的电阻率是420μΩcm，电极电阻是0.67kΩ。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。另外，几乎没有看到在用草酸蚀刻前后的无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着，草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，使用含有30重量％的磷酸离子、1.5重量％的硝酸离子、40重量％的乙酸离子的30℃水溶液时的无机化合物层14的蚀刻速度和金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度的比是48。
实施例1-5
使用氧化铟-氧化锡-氧化钐(In/(In+Sn)＝90原子％、Sm/(In+Sn+Sm)＝3.2原子％)的第六靶，代替在实施例1-1中使用的第一靶。另外，使用Ag-Co-Ni(98.0∶1.0∶1.0重量％)代替Ag-Pd-Cu(98.5∶0.5∶1.0重量％)。除此之外，采用和实施例1-1相同的手法进行金属氧化物层12和无机化合物层14的成膜。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制造半透射半反射型电极基板。该状态示于图1的(1)～(5)中。再者，金属氧化物层12的电阻率是720μΩcm，电极电阻是0.72kΩ。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。另外，几乎没有看到在用草酸蚀刻前后的无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着，草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，使用含有30重量％的磷酸离子、1.5重量％的硝酸离子、40重量％的乙酸离子的30℃水溶液时的无机化合物层14的蚀刻速度和金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度的比是40。
实施例1-6
使用氧化铟-氧化锡-氧化铽(In/(In+Sn)＝90原子％、Tb/(In+Sn+Tb)＝4.7原子％)的第七靶，代替在实施例1-1中使用的第一靶。另外，除此之外，采用和实施例1-1相同的手法进行金属氧化物层12和无机化合物层14的成膜。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制造半透射半反射型电极基板。该状态示于图1的(1)～(5)中。再者，金属氧化物层12的电阻率是1450μΩcm。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。另外，几乎没有看到在用草酸蚀刻前后的无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着，草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，使用含有30重量％的硝酸离子、1.5重量％的硝酸离子、40重量％的乙酸离子的30℃水溶液时的无机化合物层14的蚀刻速度和金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度的比是46。
实施例1-7
首先，使用包含氧化铟-氧化铈(Ce/(In+Ce)＝4.5原子％)的第一靶，在涂布SiO2的青板玻璃基板10(参照图1(1))上，使金属氧化物层12成膜。该状态示于图1(2)中。再者，成膜时的基板温度是200℃。另外，已成膜的金属氧化物层12的膜厚是75nm。另外，金属氧化物层12的电阻率是380μΩcm。接着，使用Al-Nd(99∶1重量％)构成的靶Al，在金属氧化物层12上成膜无机化合物层14。无机化合物层14的膜厚是100nm。该形态示于图1的(3)中。另外，将该金属氧化物层12和以Al作为主成分的无机化合物层14一起称做电极层。
实施例1-7和以下所示的实施例1-8～1-11，采用和实施例1-1大致相同的手法进行半透射半反射型电极基板的制造。其中，实施例1-1在金属氧化物层12的主成分中使用Ag，但本实施例1-7和以下所示的实施例1-8～1-11中，在金属氧化物层12的主成分中使用Al，这点是不同的。
接着，为了形成使用无机化合物层14的数条线，对无机化合物层14进行蚀刻。因此，通过上述蚀刻而残存的部分是无机化合物层14的线。通过该蚀刻而残存的部分，即无机化合物层14的线示于图1(4)中。
另外，使用该无机化合物层14的数条线，无机化合物层14的线宽度是40μm，各无机化合物层14的线间的间隔是70μm。为了形成这样的尺寸，设计掩模图案。
接着，为了按上述设计的掩模图案蚀刻无机化合物层14，在无机化合物层14上涂布感光剂(抗蚀剂)，在该抗蚀剂上载置包含上述掩模图案的玻璃板。接着，使抗蚀剂曝光后，进行显像、后烘烤。
随后，使用含有50重量％的磷酸离子、2.0重量％的乙酸离子、40重量％的硝酸离子的水溶液，按过度蚀刻1.0蚀刻无机化合物层14。该蚀刻的结果示于图1(4)中。该水溶液相当于权利要求范围的蚀刻液λ的一例。
接着，上述已蚀刻的青板玻璃基板10进行水洗·干燥。
接着，为了使用金属氧化物层12形成数条线，蚀刻金属氧化物层12。因此，通过上述蚀刻而残存的部分是金属氧化物层12的线。通过上述蚀刻而残存的部分，即，金属氧化物层12的线示于图1(5)中。
另外，使用该金属氧化物层12的数条线，金属氧化物层12的线宽度是90μm，金属氧化物层12的线间的间隔是20μm。为了形成这样的尺寸，设计掩模图案。
接着，为了使用按上述设计的掩模图案，蚀刻金属氧化物层12，在金属氧化物层上涂布感光剂(抗蚀剂)。接着，在该抗蚀剂上载置包含上述掩模图案的玻璃板。随后，使抗蚀剂曝光后，进行显像、后烘烤。该状态示于图1的(5)中。再者，抗蚀剂的曝光，要使无机化合物层14和金属氧化物层12的边缘的一部分(单侧)对齐。
随后，使用4重量％的草酸水溶液，蚀刻上述得到的金属氧化物层12。再者，该水溶液相当于权利要求范围的蚀刻液λ的一例。另外，剥离抗蚀剂后，按5cm的长度测定1根电极的电阻，是0.65kΩ。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。并且，几乎没有看到用草酸蚀刻前后中的无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着用草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，使用上述的含有50重量％的磷酸离子、2.0重量％的硝酸离子、40重量％的乙酸离子的30℃的水溶液时的无机化合物层14的蚀刻速度和金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度的比是16。
实施例1-8
使用氧化铟-氧化锡-氧化铈(In/(In+Sn)＝90原子％、Ce/(In+Sn+Ce)＝4.9原子％)的靶2，代替实施例1-2中使用的第二靶，。另外，使用Al-Pt(99∶1重量％)，代替实施例1-7中使用的Al-Nd(99∶1重量％)。除此之外，采用和实施例2相同的手法进行第一金属氧化物层12a和无机化合物层14的成膜。该状态示于图2的(1)～(3)中。再者，在本实施例1-8中，已成膜的第一金属氧化物层12a，即，图2的(2)所示的第一金属氧化物层12a，是和图1的(2)所示的金属氧化物层12相同的金属氧化物层。
接着，作为保护膜，使用氧化铟+氧化锌(In/(In+Zn)＝85原子％)构成的靶3，使第二金属氧化物层16成膜。再者，成膜时的温度是室温。另外，第二金属氧化物层16的膜厚是20nm。该状态示于图2的(4)中。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制成半透射半反射型电极基板。该状态示于图2的(5)、(6)中。再者，氧化铟-氧化锡-氧化铈层的电阻率是320μΩcm，电极电阻是1.57kΩ。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。并且，几乎没有看到用草酸蚀刻前后无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着草酸蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，无机化合物层14的蚀刻速度和第一金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度比的值是18。
另外，无机化合物层14的蚀刻速度和第二金属氧化物层的蚀刻速度的蚀刻速度比的值是1.1。
实施例1-9
使用氧化铟-氧化锡-氧化镨(In/(In+Sn)＝90原子％、Pr/(In+Sn+Pr)＝4.6原子％)的第四靶，代替实施例1-1中使用的第一靶。除此之外，采用和实施例1-1相同的手法，进行金属氧化物层12和无机化合物层14的成膜。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制成半透射半反射型电极基板。该形态示于图1的(1)～(5)中。再者，金属氧化物层12的电阻率是450μΩcm，电极电阻是1.66kΩ。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。并且，几乎没有看到用草酸蚀刻前后无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着用草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，无机化合物层14的蚀刻速度和金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度比的值是15。
实施例1-10
使用氧化铟-氧化锡-氧化钕(In/(In+Sn)＝90原子％、Nd/(In+Sn+Nd)＝3.8原子％)的第五靶，代替实施例1-7中使用的第一靶。另外，使用Al-Au(99∶1重量％)，代替实施例1-7中使用的Al-Nd(99∶1重量％)。除此之外，采用和实施例1相同的手法，进行金属氧化物层12a和无机化合物层14的成膜。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制成半透射半反射型电极基板。该状态示于图1的(1)～(5)中。再者，氧化铟-氧化锡-氧化钕层的电阻率是420μΩcm，另外，电极电阻是1.39kΩ。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。并且，几乎没有看到用草酸蚀刻前后的无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着用草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，无机化合物层14的蚀刻速度和金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度比的值是18。
实施例1-11
使用氧化铟-氧化锡-氧化钐(In/(In+Sn)＝90原子％、Sm/(In+Sn+Sm)＝3.2原子％)的第六靶，代替实施例1-1中使用的第一靶。另外，使用Al(100重量％)，代替实施例1-7中使用的Al-Nd(99∶1重量％)。除此之外，采用和实施例1-1相同的手法，进行金属氧化物层12和无机化合物层14的成膜。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制成半透射半反射型电极基板。再者，氧化铟-氧化锡-氧化镨层的电阻率是720μΩcm，另外，电极电阻是1.47kΩ。该形态示于图1的(1)～(5)中。
这样得到的半透射半反射型电极基板能够达到低电阻。另外，用扫描电子显微镜观察基板表面时，没有观察到金属氧化物层12的表面毛糙。并且，几乎没有看到用草酸蚀刻前后的无机化合物层14的边缘部的变化。这意味着用草酸的蚀刻液σ几乎不蚀刻无机化合物层14。
再者，无机化合物层14的蚀刻速度和金属氧化物层12的蚀刻速度的蚀刻速度比的值是20。
比较例1-1
使用氧化铟-氧化锡(In/(In+Sn)＝90原子％)的第七靶，代替实施例1-1中使用的第一靶。除此之外，采用和实施例1-1相同的手法，进行金属氧化物层12a和无机化合物层14的成膜。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制成半透射半反射型电极基板。再者，氧化铟-氧化锡的电阻率是250μΩcm。这样得到的半透射半反射型电极基板，几乎没有看到由蚀刻液引起的表面毛糙。但是，用草酸不能蚀刻金属氧化物层12。
比较例1-2
使用氧化铟-氧化锡(In/(In+Zn)＝85原子％)的第八靶，代替实施例1-1中使用的第一靶。除此之外，采用和实施例1-1相同的手法，进行金属氧化物层12a和无机化合物层14的成膜。
接着，采用和实施例1-1相同的手法进行蚀刻，制成半透射半反射型电极基板。再者，氧化铟-氧化锌的电阻率是390μΩcm。
这样得到的半透射半反射型电极基板，在Ag的蚀刻时，氧化铟-氧化锌层也被蚀刻。
实施方式的第1组的归纳
如以上所说明，按照本发明，通过选择，使用蚀刻速度不同的蚀刻液，使半透射半反射型电极基板的制造过程简化，由此避免复杂的重复作业，而能够缩短半透射半反射型电极基板的制造时间，有效地提供半透射半反射型电极基板。
实施方式的第二组
以下，进行本发明的优选实施方式第二组的说明。再者，在本发明中，所谓一次性蚀刻，指的是使用1种蚀刻液同时蚀刻无机化合物层和金属氧化物层。
实施例2-1
(a)无机化合物层和金属氧化物层
①无机化合物层的形成及蚀刻速度的测定
在直流磁控溅射装置(アネルバ制)内载置涂布SiO2的青板玻璃基板，将该青板玻璃基板加热到200℃后，使用Al靶(Al：100原子％)进行溅射。由此在青板玻璃基板上形成厚100nm的无机化合物层。
制备含有磷酸(40重量％)、硝酸(2.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液(以下记为蚀刻液(I))后，使用该蚀刻液(I)，在30℃蚀刻青板玻璃基板上的无机化合物层。测定此时无机化合物层的蚀刻速度A(I)，是42nm/min。
另一方面，制备含有磷酸(55重量％)、硝酸(2.5重量％)、乙酸(40重量％)的蚀刻液(以下记为蚀刻液(II))后，使用该蚀刻液(II)，在30℃蚀刻另一青板玻璃基板上的无机化合物层。测定此时无机化合物层的蚀刻速度A(II)，是73nm/min。
②金属氧化物层的形成及蚀刻速度的测定
和上述(a)①同样，在直流磁控溅射装置内载置涂布SiO2的另一青板玻璃基板，将该青板玻璃基板加热到200℃后，使用氧化铟-氧化锌靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]＝83.0∶17.0原子％)进行溅射。由此在青板玻璃基板上形成厚75nm的金属氧化物层。
分别使用上述蚀刻液(I)和(II)，在30℃蚀刻青板玻璃基板上的金属氧化物层。此时，分别测定利用蚀刻液(I)和蚀刻液(II)的金属氧化物层的蚀刻速度B(I)和B(II)，B(I)是41nm/min，B(II)是42nm/min。
③蚀刻速度比的计算
使用测定的无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度A(I)、A(II)、B(I)、B(II)，计算出无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度比B(I)/A(I)和B(II)/A(II)的值。该结果，B(I)/A(I)是0.98，B(II)/A(II)是0.58(表2-1)。
④金属氧化物层的功函及电阻率的测定
通过对在青板玻璃基板上形成的上述金属氧化物层照射紫外线，洗净后，用光电子分光装置(理研计器株式会社制，AC-1)测定该金属氧化物层的功函是5.24eV(表2-2)。另外，使用电阻率测定装置(三菱油化株式会社制，ロレスタ)测定金属氧化物层的电阻率是340μ·Ω·cm(表2-2)。
(b)反射型电极基板
①反射型电极基板的制造
如图8(1)所示，和(a)①同样，在直流磁控溅射装置内载置涂布SiO2的上述青板玻璃基板210，将该青板玻璃基板210加热到200℃。如图8(2)所示，使用Al靶(Al：100原子％)进行溅射，在青板玻璃基板210上形成厚100nm的无机化合物层211。接着，如图8(3)所示，使用氧化铟-氧化锌靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]＝83.0∶17.0)进行溅射，在青板玻璃基板210的无机化合物层211上形成厚20nm的金属氧化物层212。由此制成在青板玻璃基板210上具有由无机化合物层211和金属氧化物层212构成的电极层213的反射型电极基板201。使用和上述(a)④相同型号的表面电阻测定器测定该反射型电极基板1的表面电阻，是1.2Ω/□(表2-2)。
②反射型电极基板的蚀刻特性的探讨
在该反射型电极基板1的金属氧化物层212上涂布抗蚀剂(日本ポリテツク株式会社制，商品名NPR2048USP)，使用光掩模进行紫外线曝光，显像后，加热到130℃，通过15分钟后烘烤，在金属氧化物层212上形成抗蚀剂掩模214(图8(4))。
使用上述蚀刻液(I)和(II)，一次性蚀刻反射型电极基板201上的无机化合物层211和金属氧化物层212，制成图9所示的反射型电极基板201。
用扫描电子显微镜(株式会社日立制作所制，商品名S800)观察无机化合物层211和金属氧化物层212的蚀刻面，没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模214的图案良好地蚀刻(表2-2)。
实施例2-2～2-14
(a)无机化合物层和金属氧化物层
①无机化合物层的形成及蚀刻速度的测定
和上述实施例2-1(a)①同样，在青板玻璃基板上形成无机化合物层，用相同的方法测定蚀刻速度A(I)和A(II)，得到同样的测定结果。
②金属氧化物层的形成及蚀刻速度的测定
除了使用表2-1所示组成的靶代替氧化铟-氧化锌靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]＝83.0∶17.0)以外，使用和实施例2-1(a)②相同的方法在青板玻璃基板上形成金属氧化物层。
如表2-1所示，在实施例2-2～2-14中，一点儿一点儿地改变靶的组成。在实施例2-2～2-14中，除了铟和锌以外，作为第三成分的元素，添加镧系金属元素。通过添加而致的靶的组成原子％如表2-1所示。这样，实施例2-2～2-14是金属氧化物层的溅射中使用的靶的组成发生变化的实施例，是表示测定由此得到的金属氧化物层的物性的结果的实施例。
分别使用上述蚀刻液(I)和(II)，在30℃蚀刻青板玻璃基板上的上述金属氧化物层，此时，分别测定利用蚀刻液(I)和(II)的各金属氧化物层的蚀刻速度B(I)和B(II)。
③蚀刻速度比的计算
这样，使用测定的无机化合物层和金属氧化物层的各蚀刻速度A(I)、A(II)、B(I)、B(II)，计算出无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度比B(I)/A(I)和B(II)/A(II)的值。该结果示于表2-1中。
④金属氧化物层的功函及电阻率的测定
和实施例2-1(a)④同样，对上述青板玻璃基板上的金属氧化物层进行紫外线洗净，测定该金属氧化物层的功函和电阻率。结果示于表2-2中。
(b)反射型电极基板
①反射型电极基板的制造
使用表2-1所示各组成的靶，代替实施例2-1(b)①的氧化铟-氧化锌靶(其组成原子％是[In∶][Zn]＝83.0∶17.0)，进行溅射。除了这点，所有实施例(2-2～2-14)均使用和实施例2-1(b)①相同的方法，在图8(3)所示的青板玻璃基板210上形成无机化合物层211和金属氧化物层212。这样制成具有由无机化合物层11和金属氧化物层212构成的电极层213的反射型电极基板201。使用和实施例2-1相同型号的表面电阻测定器，对各实施例(2-2～2-14)测定该反射型电极基板201的表面电阻(表2-2)。
另外，在各实施例(2-2～2-14)中，如图8(4)所示，用和实施例2-1(b)②相同的方法，在反射型电极基板201的金属氧化物层212上形成抗蚀剂掩模214。接着，使用蚀刻液(I)和(II)对反射型电极基板201的无机化合物层211和金属氧化物层212一次性蚀刻，制成图9所示的反射型电极基板201。
②反射型电极基板的蚀刻特性的探讨
使用和实施例2-1相同型号的扫描电子显微镜观察无机化合物层211和金属氧化物层212的蚀刻面时，在所有实施例(2-2～2-14)中，都没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模214的图案良好地蚀刻(表2-2)。
表2-1
| 实施例 | 靶组成 | 蚀刻速度比 | ||||
| 无机化合物层 | 金属氧化物层 | B(I)/A(I)*) | B(II)/A(II)**) | |||
| Al(原子％) | [In](原子％) | [Zn](原子％) | 第三成分(原子％) | |||
| 2-1 | 100 | 83.0 | 17.0 | 0.98 | 0.58 | |
| 2-2 | 100 | 80.7 | 14.4 | [Ce](4.9) | 0.99 | 0.58 |
| 2-3 | 100 | 74.0 | 11.5 | [Pr](14.5) | 1.01 | 0.62 |
| 2-4 | 100 | 84.1 | 14.8 | [Nd](1.1) | 1.02 | 0.59 |
| 2-5 | 100 | 81.6 | 14.7 | [sm](3.7) | 1.00 | 0.60 |
| 2-6 | 100 | 82.5 | 14.9 | [Eu](2.6) | 1.00 | 0.61 |
| 2-7 | 100 | 83.3 | 14.5 | [Gd](1.2) | 1.07 | 0.66 |
| 2-8 | 100 | 79.0 | 14.3 | [Tb](6.7) | 1.00 | 0.62 |
| 2-9 | 100 | 72.0 | 15.0 | [Dy](13.9) | 1.00 | 0.62 |
| 2-10 | 100 | 78.2 | 15.2 | [Ho](6.6) | 1.02 | 0.62 |
| 2-11 | 100 | 78.0 | 16.7 | [Er](5.3) | 1.02 | 0.62 |
| 2-12 | 100 | 77.0 | 17.7 | [Tm](5.3) | 1.02 | 0.62 |
| 2-13 | 100 | 79.8 | 16.8 | [Yb](3.4) | 1.02 | 0.62 |
| 2-14 | 100 | 82.5 | 14.7 | [Lu](2.8) | 1.02 | 0.62 |
*)A(I)：使用含有磷酸离子(4 O重量％)、硝酸离子(2.5重量％)和乙酸离子(40重量％)的蚀刻液(I)在30℃下无机化合物层的蚀刻速度
B(I)：使用含有磷酸离子(40重量％)、硝酸离子(2.5重量％)和乙酸离子(40重量％)的蚀刻液(I)在30℃下金属化合物层的蚀刻速度
**)A(II)：使用含有磷酸离子(55重量％)、硝酸离子(2.5重量％)和乙酸离子(40重量％)的蚀刻液(II)在30℃下无机化合物层的蚀刻速度
B(II)：使用含有磷酸离子(55重量％)、硝酸离子(2.5重量％)和乙酸离子(40重量％)的蚀刻液(II)在30℃下金属化合物层的蚀刻速度
表2-2
| 实施例 | 金属氧化物层 | 反射型电极基板 | ||
| 功函(eV) | 电阻率(μΩcm) | 表面电阻(Ω/□) | 蚀刻面的状态 | |
| 2-1 | 5.24 | 340 | 1.2 | 良好 |
| 2-2 | 5.92 | 960 | 1.2 | 良好 |
| 2-3 | 5.88 | 860 | 1.2 | 良好 |
| 2-4 | 5.61 | 650 | 1.2 | 良好 |
| 2-5 | 5.74 | 480 | 1.2 | 良好 |
| 2-6 | 5.68 | 730 | 1.2 | 良好 |
| 2-7 | 5.60 | 530 | 1.2 | 良好 |
| 2-8 | 5.63 | 1950 | 1.2 | 良好 |
| 2-9 | 5.58 | 980 | 1.2 | 良好 |
| 2-10 | 5.56 | 475 | 1.2 | 良好 |
| 2-11 | 5.48 | 460 | 1.2 | 良好 |
| 2-12 | 5.28 | 420 | 1.2 | 良好 |
| 2-13 | 5.34 | 455 | 1.2 | 良好 |
| 2-14 | 5.28 | 415 | 1.2 | 良好 |
实施例2-15
(a)无机化合物层和金属氧化物层
①无机化合物层的形成及蚀刻速度的测定
使用Al-Au靶(其组成原子％是[Al]∶[Au]＝99∶1)，代替实施例2-1(a)①的Al靶(Al：100原子％)，进行溅射。除了这点，和实施例2-1(a)①同样，在青板玻璃基板上形成无机化合物层。
使用上述蚀刻液(I)和(II)，在30℃蚀刻青板玻璃基板上的无机化合物层。此时，分别测定利用蚀刻液(I)和(II)的无机化合物层的蚀刻速度A(I)和A(II)，A(I)是38nm/min，A(II)是71nm/min。
②金属氧化物层的形成及蚀刻速度、功函和电阻率的测定
和上述实施例2-1(a)②同样，在青板玻璃基板上形成金属氧化物层，以相同的方法测定蚀刻速度B(I)和B(II)，得到同样的测定结果。另外以和上述实施例2-1(a)④相同的方法测定该金属氧化物层的功函和电阻率，得到同样的测定结果。
③计算蚀刻速度比
使用测定的无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度A(I)、A(II)、B(I)和B(II)，计算出无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度比B(I)/A(I)和B(II)/A(II)的值。该结果，B(I)/A(I)是1.08，B(II)/A(II)是0.59(表2-3)。
(b)反射型电极基板
①反射型电极基板的制造
使用Al-Au靶(其组成原子％是[Al]∶[Au]＝99∶1)代替实施例2-1(b)①的Al靶(Al：100原子％)，进行溅射。除了这点，和实施例2-1(b)①同样，制成在青板玻璃基板210上具有由无机化合物层211和金属氧化物层212构成的电极层213的反射型电极基板201(图8(3))。使用和实施例2-1(b)①相同型号的表面电阻测定器测定该反射型电极基板201的表面电阻，是1.2Ω/□(表2-3)。
如图8(4)所示，使用和实施例2-1(b)②相同的方法，在反射型电极基板201的金属氧化物层212上形成抗蚀剂掩模214。接着，使用蚀刻液(I)和(II)，对反射型电极基板201的无机化合物层211和金属氧化物层212一次性蚀刻，制成图9所示的反射型电极基板201。
②反射型电极基板的蚀刻特性的探讨
使用和实施例2-1(b)②相同型号的扫描电子显微镜观察无机化合物层211和金属氧化物层212的蚀刻面时，没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模214的图案良好地蚀刻(表2-3)。
实施例2-16
(a)无机化合物层和金属氧化物层
①无机化合物层的形成及蚀刻速度的测定
使用Al-Pt靶(其组成原子％是[Al]∶[Pt]＝99∶1)代替实施例2-1(a)①的Al靶(Al：100原子％)，进行溅射。除了这点，和实施例2-1(a)①同样，在青板玻璃基板上形成无机化合物层。
使用上述蚀刻液(I)和(II)，在30℃蚀刻青板玻璃基板上的无机化合物层。此时，分别测定利用蚀刻液(I)和(II)的无机化合物层的蚀刻速度A(I)和A(II)，A(I)是39nm/min，A(II)是69nm/min。
②金属氧化物层的形成及蚀刻速度、功函和电阻率的测定
和上述实施例2-1(a)②同样，在青板玻璃基板上形成金属氧化物层，用同样的方法测定蚀刻速度B(I)和B(II)，得到同样的测定结果。另外，用和上述实施例2-1(a)④相同的方法，测定该金属氧化物层的功函和电阻率，得到同样的测定结果。
④蚀刻速度比的计算
使用测定的无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度A(I)、A(II)、B(I)和B(II)，计算出无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度比B(I)/A(I)和B(II)/A(II)的值。其结果，B(I)/A(I)是1.05，B(II)/A(II)是0.61。
(b)反射型电极基板
①反射型电极基板的制造
除了使用Al-Pt靶(其组成原子％是[Al]∶[Pt]＝99∶1)代替Al靶(Al：100原子％)进行溅射这点，和实施例2-1(b)①同样进行溅射。由此制成在青板玻璃基板210上具有由无机化合物层211和金属氧化物层212构成的电极层213的反射型电极基板201(图8(3))。使用和实施例2-1(b)①相同型号的表面电阻测定器测定该反射型电极基板201的表面电阻，是1.2Ω/□(表2-3)。
如图8(4)所示，用和实施例2-1(b)②相同的方法，在反射型电极基板201的金属氧化物层212上形成抗蚀剂掩模214。接着，使用蚀刻液(I)和(II)，对反射型电极基板201的无机化合物层211和金属氧化物层212进行一次性蚀刻，制成如图9所示的反射型电极基板201。
②反射型电极基板的蚀刻特性的探讨
使用和实施例2-1(b)②相同型号的扫描电子显微镜观察无机化合物层211和金属氧化物层212的蚀刻面时，没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模214的图案良好地蚀刻(表2-3)。
实施例2-17
(a)无机化合物层和金属氧化物层
①无机化合物层的形成及蚀刻速度的测定
使用Al-Nd靶(其组成原子％是[Al]∶[Nd]＝99∶1)代替实施例2-1(a)①的Al靶(Al：100原子％)进行溅射。除了这点，和实施例2-1(a)①相同样，在青板玻璃基板上形成无机化合物层。
使用上述蚀刻液(I)和(II)，在30℃蚀刻青板玻璃基板上的无机化合物层。此时，分别测定利用蚀刻液(I)和(II)的无机化合物层的蚀刻速度A(I)和A(II)，A(I)是41nm/min，A(II)是71nm/min。
②金属氧化物层的形成及蚀刻速度、功函和电阻率的测定
和上述实施例2-1(a)②同样，在青板玻璃基板上形成金属氧化物层，用同样的方法测定蚀刻速度B(I)和B(II)，得到同样的测定结果。另外，用和上述实施例2-1(a)④相同的方法，测定该金属氧化物层的功函和电阻率，得到同样的测定结果。
⑤蚀刻速度比的计算
使用测定的无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度A(I)、A(II)、B(I)和B(II)，计算出无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度比B(I)/A(I)和B(II)/A(II)的值。其结果，B(I)/A(I)是1.00，B(II)/A(II)是0.59。
(b)反射型电极基板
①反射型电极基板的制造
使用Al-Nd靶(其组成原子％是[Al]∶[Nd]＝99∶1)代替实施例2-1(b)①的Al靶(Al：100原子％)进行溅射。除了这点，和实施例2-1(b)①同样地制成在青板玻璃基板210上具有由无机化合物层211和金属氧化物层212构成的电极层213的反射型电极基板201(图8(3))。使用和实施例2-1(b)①相同型号的表面电阻测定器测定该反射型电极基板201的表面电阻，是1.2Ω/□(表2-3)。
如图8(4)所示，用和实施例2-1(b)②相同的方法，在反射型电极基板201的金属氧化物层212上形成抗蚀剂掩模214。接着，使用蚀刻液(I)和(II)，对反射型电极基板201的无机化合物层211和金属氧化物层212进行一次性蚀刻，制成图9所示的反射型电极基板201。
②反射型电极基板的蚀刻特性的探讨
使用和实施例2-1(b)②相同型号的扫描电子显微镜观察无机化合物层211和金属氧化物层212的蚀刻面时，没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模214的图案良好地蚀刻(表2-3)。
表2-3
| 实施例 | 靶组成 | 反射型电极基板 | 蚀刻速度比 | |||||
| 无机化合物层 | 金属氧化物层 | 表面电阻(Ω/□) | 蚀刻面的状态 | B(I)/A(I)* | B(II)/A(II)* | |||
| [Al](原子％) | 第二成分(原子％) | [In](原子％) | [Zn](原子％) | |||||
| 2-15 | 99 | [Au](1) | 83.0 | 17.0 | 1.2 | 良好 | 1.08 | 0.59 |
| 2-16 | 99 | [Pt](1) | 83.0 | 17.0 | 1.2 | 良好 | 1.08 | 0.61 |
| 2-17 | 99 | [Nd](1) | 83.0 | 17.0 | 1.2 | 良好 | 1.08 | 0.59 |
*)A(I)：使用含有磷酸(40重量％)、硝酸(2.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液(I)在30℃下的无机化合物层的蚀刻速度
B(I)：使用含有磷酸(40重量％)、硝酸(2.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液(I)在30℃下的金属氧化物层的蚀刻速度
**)A(II)：使用含有磷酸(55重量％)、硝酸(2.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液(II)在30℃下的无机化合物层的蚀刻速度
B(II)：使用含有磷酸(55重量％)、硝酸(2.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液(II)在30℃下的金属氧化物层的蚀刻速度
比较例2-1
(a)无机化合物层和金属氧化物层
①无机化合物层的形成及蚀刻速度的测定
和上述实施例2-1(a)①同样，在青板玻璃基板上形成无机化合物层，使用相同的方法测定蚀刻速度A(I)和A(II)，得到相同的测定结果。
②金属氧化物层的形成及蚀刻特性的探讨
使用氧化铟-氧化锡靶(其组成原子％是[In]∶[Sn]＝85.0∶15.0)代替实施例2-1(a)②的氧化铟-氧化锌靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]＝83.0∶17.0)，进行溅射(表2-4)。除了这点，用和实施例2-1(a)②相同的方法，在青板玻璃基板上形成金属氧化物层。
接着，用和实施例2-1(a)④相同的方法，对该金属氧化物层进行紫外线洗净，测定金属氧化物层的功函是5.12eV(表2-5)。另外，和实施例2-1(a)④同样，测定该金属氧化物层的电阻率是210μ·Ω·cm(表5)。
接着，分别使用上述蚀刻液(I)和(II)，对在青板玻璃基板上形成的上述金属氧化物层进行一次性蚀刻，但无论使用哪一种蚀刻液，金属氧化物层都不溶解(表2-4和2-5)。
比较例2-2
(a)无机化合物层和金属氧化物层
①无机化合物层的形成及蚀刻速度的测定
和上述实施例2-1(a)①同样，在青板玻璃基板上形成无机化合物层，使用同样的方法测定蚀刻速度A(I)和A(II)，得到相同的测定结果。
②金属氧化物层的形成及蚀刻速度的测定
使用氧化铟-氧化锡-氧化铈靶(其组成原子％是[In]∶[Sn]∶[Ce]＝85.0∶10.0∶5.0)，代替实施例2-1(a)②的氧化铟-氧化锌靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]＝83.0∶17.0)，进行溅射。除了这点，用和实施例2-1(a)②相同的方法，在青板玻璃基板上形成金属氧化物层。
接着，使用上述蚀刻液(I)和(II)，在30℃蚀刻青板玻璃基板上的金属氧化物层。此时，分别测定使用蚀刻液(I)和(II)的金属氧化物层的蚀刻速度B(I)和B(II)，B(I)是7.6nm/min，B(II)是5.1nm/min。
③蚀刻速度比的计算
使用测定的无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度A(I)、A(II)、B(I)和B(II)，计算出无机化合物层和金属氧化物层的蚀刻速度比B(I)/A(I)和B(II)/A(II)的值。该结果，B(I)/A(I)是0.18，B(II)/A(II)是0.07(表2-4)。
④金属氧化物层的功函及电阻率的测定
和实施例2-1(a)④同样，对上述青板玻璃基板上的金属氧化物层进行紫外线洗净，测定该金属氧化物层的功函是5.88eV(表2-5)。另外，和实施例2-1(a)④同样，测定该金属氧化物层的电阻率是780μ·Ω·cm(表2-5)。
(b)反射型电极基板
①反射型电极基板的制造
使用氧化铟-氧化锡-氧化铈靶(其组成原子％是[In]∶[Sn]∶[Ce]＝85.0∶10.0∶5.0)，代替实施例2-1(b)①的氧化铟-氧化锌靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]＝87.0∶13.0)，进行溅射(表2-4)。除了这点，和实施例2-1(b)①同样，制成在青板玻璃基板210上具有由无机化合物层211和金属氧化物层212构成的电极层213的反射型电极基板201(图8(3))。
如图8(4)所示，用和实施例2-1(b)②相同的方法，在反射型电极基板201的金属氧化物层212上形成抗蚀剂掩模214。接着，使用上述蚀刻液(I)和(II)，对反射型电极基板201的无机化合物层211和金属氧化物层212进行一次性蚀刻。
②反射型电极基板的蚀刻特性的探讨
用和实施例201相同型号的扫描电子显微镜观察无机化合物层211和金属氧化物层212的蚀刻面时，在无机化合物层211和金属氧化物层212的交界处产生大的台阶高差(表2-5)。
表2-4
| 比较例 | 靶组成 | 蚀刻速度比 | ||||
| 无机化合物层 | 金属氧化物层 | B(I)/A(I)* | B(II)/A(II)* | |||
| [Al](原子％) | [In](原子％) | [Sn](原子％) | 第三成分(原子％) | |||
| 2-1 | 100 | 85.0 | 15.0 | - | 不能蚀刻金属氧化物层 | |
| 2-2 | 100 | 85.0 | 10.0 | [Ce](5.0) | 0.18 | 0.07 |
*)A(I)：使用含有磷酸(40重量％)、硝酸(2.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液(I)在30℃下的无机化合物层的蚀刻速度
B(I)：使用含有磷酸(40重量％)、硝酸(2.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液(I)在30℃下的金属氧化物层的蚀刻速度
**)A(II)：使用含有磷酸(55重量％)、硝酸(2.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液(II)在30℃下的无机化合物层的蚀刻速度
B(II)：使用含有磷酸(55重量％)、硝酸(2.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液(II)在30℃下的金属氧化物层的蚀刻速度
表2-5
| 比较例 | 功函(eV) | 电阻率(μΩcm) | 蚀刻面的状态 |
| 2-1 | 5.12 | 210 | 不能蚀刻 |
| 2-2 | 5.88 | 780 | 无机化合物层过度蚀刻，有大的台阶高差 |
如上所述，与各实施例的反射型电极基板的制造方法相比，比较例的反射型电极基板的制造方法，在蚀刻过程中，在金属氧化物层和无机化合物层的交界处达到不产生台阶高差是困难的，因此认为，制造维持低的电阻率且具有高的功函的反射型电极基板是困难的。再者，在上述实施例2-1～2-17中得到的任何电极层都具有高的反射率。
实施方式的第二组的归纳
如上所述，按照本发明的反射型电极基板的制造方法，使用至少包含Al的无机化合物层和至少包含氧化铟的金属氧化物层，能够得到维持低的电阻率且具有高的功函的反射型电极基板。另外，通过使用含有包含磷酸、硝酸和乙酸的蚀刻组合物的蚀刻液，在能够一次性蚀刻反射型电极基板的金属氧化物层和无机化合物层的同时，能够制造在金属氧化物层和无机化合物层的交界处几乎没有台阶高差、而且在蚀刻面残渣少的反射型电极基板。
实施方式第3组
以下，针对实施方式第3组，对本组中包含的各实施例加以说明，但本发明不限于这些实施例。
实施例3-1
(a)金属氧化物层的形成及功函、电阻率的测定
①金属氧化物层的形成
在将涂布SiO2的青板玻璃基板加热到200℃后，使用氧化铟-氧化锌-氧化铈靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]∶[Ce]＝80.7∶14.4∶4.9)进行溅射。由此在青板玻璃基板上形成厚100nm的金属氧化物层。
②金属氧化物层的功函、电阻率的测定
通过对在青板玻璃基板上形成的上述金属氧化物层照射紫外线，进行洗净后，用光电子分光装置(理研计器株式会社制，AC-1)测定该金属氧化物层的功函是5.92eV(表3-1)。另外，使用电阻率测定装置(三菱油化株式会社制，ロレスタ)测定金属氧化物层的电阻率是960μ·Ω·cm(表3-1)。
(b)反射型电极基板的制造、表面电阻的测定及蚀刻性的探讨
①反射型电极基板的制造
如图10(1)所示，和(a)①同样地将涂布SiO2的上述青板玻璃基板310加热到200℃。使用Ag靶([Ag]：100原子％)进行溅射，在上述青板玻璃基板310上形成厚100nm的无机化合物层311(图10(2))。接着，使用氧化铟-氧化锌-氧化铈靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]∶[Ce]＝80.7∶14.4∶4.9)进行溅射，在青板玻璃基板310上的无机化合物层311上形成厚20nm的金属氧化物层312(图10(3))。由此得到在青板玻璃基板310上具有积层无机化合物层311和金属氧化物层312的电极层313的反射型电极基板301。
②表面电阻的测定
使用和上述(a)②相同型号的表面电阻测定器测定所得到的反射型电极基板301的表面电阻是1.2Ω/□。
③蚀刻性的探讨
在该反射型电极基板301的金属氧化物层312上涂布抗蚀剂(日本ポリテツク株式会社制，商品名NPR2048USP)，使用光掩模进行紫外线曝光，显像后，加热到130℃进行15分钟后烘烤，由此在金属氧化物层312上形成抗蚀剂掩模314(图10(4))。
用草酸水溶液(3.5重量％)，在30℃蚀刻青板玻璃基板310上的金属氧化物层312。接着，使用含有磷酸(30重量％)、硝酸(1.5重量％)和乙酸(40重量％)的蚀刻液，在30℃蚀刻无机化合物层311。由此制成图11所示的反射型电极基板301。
用扫描电子显微镜(株式会社日立制作所制，商品名S800)观察该金属氧化物层312和无机化合物层311的蚀刻面时，没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模314的图案良好地蚀刻(表3-1)。
实施例3-2～实施例3-14
(a)金属氧化物层的形成及功函、电阻率的测定
①金属氧化物层的形成
在实施例3-1(a)①中，使用表3-1记载的靶代替形成金属氧化物层312的氧化铟-氧化锌-氧化铈靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]∶[Ce]＝80.7∶14.4∶4.9)，进行溅射。除了这点，使用和实施例3-1(a)①相同的方法在青板玻璃基板310上形成金属氧化物层312。
如表3-1所示，实施例3-2～实施例3-14，使形成金属氧化物层312的靶的组成一点一点发生变化。所使用的靶的组成原子％如表3-1所示。这样，实施例3-2～3-14使在金属氧化物层312的溅射中使用的靶的组成发生变化，是表示测定由此得到的金属氧化物层312的物性的结果。
②金属氧化物层的功函、电阻率的测定
和实施例3-1(a)②相同地对上述青板玻璃基板310上的金属氧化物层312进行紫外线洗净，测定该金属氧化物层的功函及电阻率。结果示于表3-1中。
(b)反射型电极基板的制造、表面电阻的测定及蚀刻性的探讨
①反射型电极基板的制造
在实施例3-1(b)①中，使用表3-1所示各组成的靶代替形成金属氧化物层312的氧化铟-氧化锌-氧化铈靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]∶[Ce]＝80.7∶14.4∶4.9)，进行溅射。除了这点，在所有实施例(3-2～3-14)都用和实施例3-1(b)①相同的方法，在图10(3)所示的青板玻璃基板310上形成无机化合物层311和金属氧化物层312。这样得到具有积层无机化合物层311和金属氧化物层312的电极层313的反射型电极基板301。
②表面电阻的测定
在各实施例(3-2～3-14)中，用和实施例3-1相同型号的表面电阻测定器测定所得到的反射型电极基板301的表面电阻。其结果，在任何的实施例(3-2～3-14)中，反射型电极基板301的表面电阻的值都是1.2Ω/□。
③蚀刻性的探讨
另外，在各实施例(3-2～3-14)中，如图10(4)所示，用和实施例3-1(b)③相同的方法，在反射型电极基板301的金属氧化物层312上形成抗蚀剂掩模314。接着，用和实施例3-1(b)③相同的方法蚀刻金属氧化物层312和无机化合物层311，制成图11所示的反射型电极基板301。
使用和实施例3-1相同型号的扫描电子显微镜观察该无机化合物层311和金属氧化物层312的蚀刻面时，在任何的实施例(3-2～3-14)中都没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模314的图案良好地蚀刻(表3-1)。
表3-1
| 实施例 | 靶组成 | 薄膜特性 | 蚀刻面 | ||||
| 无机化合物层 | 金属氧化物层 | 功函(eV) | 电阻率(μΩcm) | ||||
| [Ag](原子％) | [In](原子％) | [Zn]or[Sn](原子％) | 第三成分(原子％) | ||||
| 3-1 | 100 | 80.7 | [Zn](14.4) | [Ce](4.9) | 5.92 | 960 | 良好 |
| 3-2 | 100 | 74.0 | [Zn](11.5) | [Pr](14.5) | 5.88 | 860 | 良好 |
| 3-3 | 100 | 84.1 | [Zn](14.8) | [Nd](1.1) | 5.61 | 650 | 良好 |
| 3-4 | 100 | 81.6 | [Zn](14.7) | [Sm](3.7) | 5.74 | 480 | 良好 |
| 3-5 | 100 | 82.5 | [Zn](14.9) | [Eu](2.6) | 5.68 | 780 | 良好 |
| 3-6 | 100 | 84.3 | [Zn](14.5) | [Gd](1.2) | 5.60 | 530 | 良好 |
| 3-7 | 100 | 79.0 | [Zn](14.8) | [Tb](6.7) | 5.68 | 1950 | 良好 |
| 3-8 | 100 | 71.1 | [Zn](15.0) | [Dy](13.9) | 5.58 | 980 | 良好 |
| 3-9 | 100 | 78.2 | [Zn](15.2) | [Ho](6.6) | 5.56 | 475 | 良好 |
| 3-10 | 100 | 78.0 | [Zn](16.7) | [Er](5.3) | 5.48 | 460 | 良好 |
| 3-11 | 100 | 77.0 | [Zn](17.7) | [Tm](5.3) | 5.28 | 420 | 良好 |
| 3-12 | 100 | 79.8 | [Zn](16.8) | [Yb](3.4) | 5.84 | 455 | 良好 |
| 3-13 | 100 | 82.5 | [Zn](14.7) | [Lu](2.8) | 5.28 | 415 | 良好 |
| 3-14 | 100 | 85.0 | [Sn](10.0) | [Ce](5.0) | 5.88 | 780 | 良好 |
实施例3-15
(a)反射型电极基板的制造及蚀刻性的探讨
①反射型电极基板的制造
在实施例3-1(b)①中，使用Ag-Au-Pd靶(其组成原子％是[Ag]∶[Au]∶[Pd]＝98.5∶1.0∶0.5)代替形成无机化合物层311的Ag靶(Ag：100原子％)，进行溅射。除了这点，和实施例3-1(b)①同样地制成在青板玻璃基板310上具有积层无机化合物层311和金属氧化物层312的电极层313的反射型电极基板301(图10(3))。
②蚀刻性的探讨
如图10(4)所示，用和实施例1(b)③相同的方法，在反射型电极基板301的金属氧化物层312上形成抗蚀剂掩模314。接着，用和实施例3-1(b)③相同的方法蚀刻金属氧化物层312和无机化合物层311，制成图11所示的反射型电极基板301。
使用和实施例3-1相同型号的扫描电子显微镜观察该无机化合物层311和金属氧化物层312的蚀刻面时，没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模314的图案良好地蚀刻。
实施例3-16
(a)反射型电极基板的制造及蚀刻性的探讨
①反射型电极基板的制造
在实施例3-1(b)①中，使用Ag-Au-Cu靶(其组成原子％是[Ag]∶[Au]∶[Cu]＝98.5∶1.0∶0.5)代替形成无机化合物层311的Ag靶(Ag：100原子％)，进行溅射。除了这点，和实施例1(b)①同样地制成在青板玻璃基板310上具有积层无机化合物层311和金属氧化物层312的电极层313的反射型电极基板301(图10(3))。
②蚀刻性的探讨
如图10(4)所示，用和实施例3-1(b)③相同的方法，在反射型电极基板301的金属氧化物层312上形成抗蚀剂掩模314。接着，用和实施例3-1(b)③相同的方法蚀刻金属氧化物层312和无机化合物层311，制成图11所示的反射型电极基板301。
使用和实施例3-1相同型号的扫描电子显微镜观察该无机化合物层311和金属氧化物层312的蚀刻面时，没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模314的图案良好地蚀刻。
实施例3-17
(a)反射型电极基板的制造及蚀刻性的探讨
①反射型电极基板的制造
在实施例3-1(b)①中，使用Ag-Nd靶(其组成原子％是[Ag]∶[Nd]＝99.0∶1.0)代替形成无机化合物层311的Ag靶(Ag：100原子％)，进行溅射。除了这点，和实施例3-1(b)①相同地制成在青板玻璃基板310上具有积层无机化合物层311和金属氧化物层312的电极层313的反射型电极基板301(图10(3))。
②蚀刻性的探讨
如图10(4)所示，用和实施例1(b)③相同的方法，在反射型电极基板301的金属氧化物层312上形成抗蚀剂掩模314。接着，用和实施例3-1(b)③相同的方法蚀刻金属氧化物层312和无机化合物层311，制成图11所示的反射型电极基板301。
使用和实施例3-1相同型号的扫描电子显微镜观察该无机化合物层311和金属氧化物层312的蚀刻面时，没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模314的图案良好地蚀刻。
实施例3-18
(a)反射型电极基板的制造及蚀刻性的探讨
①反射型电极基板的制造
在实施例3-1(b)①中，用Ag-Zr-Ni-Co靶(其组成原子％是[Ag]∶[Zr]∶[Ni]∶[Co]＝96.0∶1.0∶1.5∶1.5)代替形成无机化合物层311的Ag靶(Ag：100原子％)，进行溅射。除了这点，和实施例3-1(b)①相同地制成在青板玻璃基板310上具有积层无机化合物层311和金属氧化物层312的电极层313的反射型电极基板301(图10(3))。
②蚀刻性的探讨
如图10(4)所示，用和实施例3-1(b)③相同的方法，在反射型电极基板301的金属氧化物层312上形成抗蚀剂掩模314。接着，用和实施例3-1(b)③相同的方法蚀刻金属氧化物层312和无机化合物层311，制成图11所示的反射型电极基板301。
使用和实施例3-1相同型号的扫描电子显微镜观察该无机化合物层311和金属氧化物层312的蚀刻面时，没有看到由蚀刻产生的残渣和台阶高差，按照上述抗蚀剂掩模314的图案良好地蚀刻。
比较例3-1
(a)金属氧化物层的形成及功函、电阻率的测定
①金属氧化物层的形成
在实施例3-1(a)①中，使用氧化铟-氧化锡(其组成原子％是[In]∶[Sn]＝90.0∶10.0)，代替形成金属氧化物层312的氧化铟-氧化锌-氧化铈靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]∶[Ce]＝80.7∶14.4∶4.9)，进行溅射(表3-2)。除了这点，用和实施例3-1(a)①相同的方法，在青板玻璃基板310上形成金属氧化物层312。
②金属氧化物层的功函、电阻率的测定
和实施例3-1(a)②同样地对上述青板玻璃基板310上的金属氧化物层312进行紫外线洗净，测定该金属氧化物层312的功函和电阻率。该结果，功函的值是5.12eV，电阻率的值是210μ·Ω·cm(表3-2)。
(b)反射型电极基板的制造及蚀刻性的探讨
①反射型电极基板的制造
在实施例3-1(b)①中，使用氧化铟-氧化锡(其组成原子％是[In]∶[Sn]＝90.0∶10.0)，代替形成金属氧化物层312的氧化铟-氧化锌-氧化铈靶(其组成原子％是[In]∶[Zn]∶[Ce]＝80.7∶14.4∶4.9)，进行溅射(表3-2)。除了这点，用和实施例3-1(b)①相同的方法，在图10(3)所示的青板玻璃基板310上形成无机化合物层311和金属氧化物层312。这样得到具有积层无机化合物层311和金属氧化物层312的电极层313的反射型电极基板301。
②蚀刻性的探讨
如图10(4)所示，用和实施例3-1(b)③相同的方法，在反射型电极基板301的金属氧化物层312上形成抗蚀剂掩模314。接着，用和实施例3-1(b)③相同的方法蚀刻金属氧化物层312和无机化合物层311，制成图11所示的反射型电极基板301。
接着，和实施例3-1(b)③同样地使用草酸水溶液(3.5重量％)，尝试上述金属氧化物层312的蚀刻，但金属氧化物层不溶解(表3-2)
表3-2
| 比较例 | 靶组成 | 薄膜特性 | 蚀刻面 | ||||
| 无机化合物层 | 金属氧化物层 | 功函(eV) | 电阻率(μΩcm) | ||||
| [Ag](原子％) | [In](原子％) | [Zn]r[Sn](原子％) | 第三成分(原子％) | ||||
| 3-1 | 100 | 90.0 | [Sn](10.0) | - | 5.12 | 210 | 不能蚀刻金属氧化物层 |
如上所述，与各实施例(3-1～3-18)的反射型电极基板的制造方法相比，比较例(3-1)的反射型电极基板的制造方法，在蚀刻过程中，在金属氧化物层和无机化合物层的交界处实现不产生台阶高差是困难的，因此认为，制造维持低的电阻率且具有高的功函的反射型电极基板是困难的。再者，上述实施例3-1～3-18得到的所有电极层都具有高的反射率。
实施方式的第3组的归纳
如上所述，本实施方式的第3组中的反射型电极基板，含有至少包含Ag的无机化合物层、至少包含氧化铟和镧系氧化物的金属氧化物层，因此维持低的电阻率且具有高的功函。另外，按照本发明的上述反射型电极基板的制造方法，使用包含草酸的蚀刻液蚀刻金属氧化物层，进一步使用包含磷酸、硝酸和乙酸的蚀刻液蚀刻无机化合物层。这样通过蚀刻，就能够制造在金属氧化物层和无机化合物层的交界处几乎没有台阶高差、而且在蚀刻面残渣少的反射型电极基板。
Claims (34)
1.半透射半反射型电极基板的制造方法，它是顺序地积层至少包含氧化铟的金属氧化物层、至少包含Al或Ag的无机化合物层的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于包含：使用包含磷酸、硝酸、乙酸的蚀刻液λ蚀刻上述无机化合物层的工序、以及使用含有草酸的蚀刻液σ蚀刻上述金属氧化物层的工序。
2.根据权利要求1所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，利用上述蚀刻液λ的上述金属氧化物层的蚀刻速度A和利用上述蚀刻液λ的上述无机化合物层的蚀刻速度B之比B/A值设定为10以上。
3.根据权利要求1或2所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述蚀刻液λ包含30～60重量％的磷酸离子、1～5重量％的硝酸离子、30～50重量％的乙酸离子。
4.根据权利要求1～3中的任一权利要求所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述金属氧化物层含有镧系金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述镧系金属氧化物包括选自氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥的1种或以上。
6.根据权利要求4或5所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述镧系金属氧化物的含量的比例，相对金属氧化物的金属原子总量，是0.1～不到10原子％。
7.根据权利要求1～6中的任一权利要求所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述无机化合物层以0.1～3重量％的范围含有选自Au、Pt、Nd的1种或以上。
8.半透射半反射型电极基板的制造方法，它是顺序地积层至少包含氧化铟的第一金属氧化物层、至少包含Al或Ag的无机化合物层、以及至少包含氧化铟或氧化锌的第二金属氧化物层的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于包含：使用包含磷酸、硝酸、乙酸的蚀刻液λ蚀刻上述第二金属氧化物层和上述无机化合物层的工序、以及使用含有草酸的蚀刻σ液蚀刻上述第一金属氧化物薄膜的工序。
9.根据权利要求8所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，利用上述蚀刻液λ的上述第一金属氧化物层的蚀刻速度A和利用上述蚀刻液λ的上述无机化合物层的蚀刻速度B之比B/A的值设定在10以上，
利用上述蚀刻液λ的上述无机化合物层的蚀刻速度C和利用上述蚀刻液λ的上述第二金属氧化物层的蚀刻速度D之比C/D设定在0.5～2.0的范围内。
10.根据权利要求8或9所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述蚀刻液λ包含30～60重量％的磷酸离子、1～5重量％的硝酸离子、30～50重量％的乙酸离子。
11.根据权利要求8～10中的任一权利要求所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述第一金属氧化物层含有镧系金属氧化物。
12.根据权利要求11所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述镧系金属氧化物包括选自氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥的1种或以上。
13.根据权利要求11或12所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述镧系金属氧化物的含量的比例，相对金属氧化物的金属原子总量，为0.1～不到10原子％。
14.根据权利要求8～13中的任一权利要求所述的半透射半反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述无机化合物层以0.1～3重量％的范围含有选自Au、Pt、Nd的1种或以上。
15.反射型电极基板，其特征在于，在基板上顺序地积层至少包含Al的无机化合物层和至少包含氧化铟的金属氧化物层。
16.根据权利要求15所述的反射型电极基板，其特征在于，上述金属氧化物层含有氧化锌，[In]/([In]+[Zn])是0.7～0.95，其中[In]、[Zn]表示金属氧化物层中的In的原子数、Zn的原子数。
17.根据权利要求15或16所述的反射型电极基板，其特征在于，上述无机化合物层含有0.1～3重量％的选自Au、Pt或Nd中的1种或2种或以上的金属。
18.根据权利要求15～17中的任一权利要求所述的反射型电极基板，其特征在于，上述金属氧化物层含有镧系金属氧化物。
19.根据权利要求18所述的反射型电极基板，其特征在于，上述镧系金属氧化物包括选自氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥中的1种或2种或以上。
20.根据权利要求18或19所述的反射型电极基板，其特征在于，上述镧系金属氧化物的含有比例，相对金属氧化物的金属原子总量，是0.1～10原子％。
21.根据权利要求15～20中的任一权利要求所述的反射型电极基板，其特征在于，上述金属氧化物的功函是5.6eV或以上。
22.反射型电极基板的制造方法，它是制造权利要求15～21中的任一权利要求所述的反射型电极基板的方法，其特征在于，包括利用包含磷酸、硝酸和乙酸的蚀刻液对上述金属氧化物层和上述无机化合物层进行一次性蚀刻的工序。
23.根据权利要求22所述的反射型电极基板的制造方法，其特征在于，将利用上述蚀刻液的上述无机化合物层的蚀刻速度A和上述金属氧化物层的蚀刻速度B之比B/A的值设定在0.5～2.0的范围。
24.根据权利要求22或23所述的反射型电极基板的制造方法，其特征在于，上述蚀刻液包含30～60重量％的磷酸、1～5重量％的硝酸和30～50重量％的乙酸。
25.蚀刻组合物，它是在权利要求22中记载的一次性蚀刻工序中使用的蚀刻液，其特征在于，包含30～60重量％的磷酸、1～5重量％的硝酸和30～50重量％的乙酸。
26.反射型电极基板，其特征在于，在基板上顺序地积层至少包含Ag的无机化合物层、和至少包含氧化铟和镧系金属氧化物的金属氧化物层。
27.根据权利要求26所述的反射型电极基板，其特征在于，上述镧系金属氧化物包括选自氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥的1种或2种或以上。
28.根据权利要求26或27所述的反射型电极基板，其特征在于，镧系金属原子的含有比例，相对金属氧化物中的金属原子总量，是0.1～20原于％。
29.根据权利要求26～28中的任一权利要求所述的反射型电极基板，其特征在于，上述金属氧化物层含有氧化锌，[In]/([In]+[Zn])是0.7～0.95，其中[In]、[Zn]表示金属氧化物层中的In的原子数、Zn的原子数。
30.根据权利要求26～29中的任一权利要求所述的反射型电极基板，其特征在于，[In]/([In]+[Sn])是0.7～0.97，其中[Sn]表示金属氧化物层中的Sn的原子数。
31.根据权利要求26～30中的任一权利要求所述的反射型电极基板，其特征在于，上述无机化合物层含有0.1～3重量％的选自Au、Cu、Pd、Zr、Ni、Co或者Nd的1种或2种或以上的金属。
32.根据权利要求26～31中的任一权利要求所述的反射型电极基板，其特征在于，上述金属氧化物的功函是5.25eV或以上。
33.反射型电极基板的制造方法，它是制造权利要求26～32中的任一权利要求所述的反射型电极基板的方法，其特征在于包含：利用包含草酸的蚀刻液蚀刻上述金属氧化物层的工序和利用包含磷酸、硝酸和乙酸的蚀刻液蚀刻上述无机化合物层的工序。
34.根据权利要求33所述的反射型电极基板的制造方法，其特征在于，蚀刻上述无机化合物层的上述蚀刻液包含30～60重量％的磷酸、1～5重量％的硝酸和30～50重量％的乙酸。
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