TW480727B - Semiconductor display device - Google Patents

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TW480727B
TW480727B TW089128234A TW89128234A TW480727B TW 480727 B TW480727 B TW 480727B TW 089128234 A TW089128234 A TW 089128234A TW 89128234 A TW89128234 A TW 89128234A TW 480727 B TW480727 B TW 480727B
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TW
Taiwan
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tft
sensor
display
display device
semiconductor display
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Application number
TW089128234A
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English (en)
Inventor
Shunpei Yamazaki
Jun Koyama
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratro
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Description

480727 A7 ----B7 五、發明說明（1 ) 。 發明背景· 1 .發明領域 本發明係關於藉由製造一 E L (電致發光）元件在一 基底上而形成之E L顯示器。更特別而言，本發明係關於 使用一半導體元件之主動矩陣型；E L顯示器（使用半導體 薄膜之元件）。再者，本發明係關於使用E L顯示器之半 導體顯示裝置。 2 ·相關技藝之說明 在一基底上形成T F T之技術近年來已廣泛的進步， 且對主動矩陣型顯示裝置之應用發展亦顯著進步。特別的 ’使用多晶矽膜之T F T具有比使用習知非晶矽膜較高的 電場效應移動率，因此此T F T可進行較高速操作。結果 ’可藉由和圖素形成在相同基底上之驅動電路而執行習知 以在基底外之驅動電路所執行之圖素控制。 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 件顯 元低 和降 路， 電本 成 各造 備製 準低 由降 藉如 可， 置點 裝優 示多 顯許 陣得 矩獲 動而 主上 之底 型基 此同 相 在 件 率元 良 L 加E 增有 ， 具 寸在 尺 ’ 之者 置再 裝 示 等 量 產 高 和 .一|77一 矩 主 之 置 裝 光 發 我 自 成 當 型機 有D 爲 E 視 L 器0 示C 顯體 L 極 E 二 此光 。 發 展機 發有 勃或 蓬} 亦D 上 L 發 E 硏〇 之 C 器器 示示 顯 顯 裝 示 顯 晶 液 和 型 光 發 我 白 是 器 示 顯 L E 是 的 同 不 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —mm 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（2 ) 二極體。E L元件以含有有機化合物之層（以下稱爲E L 層）夾在一對電極間（陽極和陰極）而構成。但是，E L· 層一般具有疊層構造。典型的，可使用由柯達公司之Tang 等人所提出之 '、電洞傳送層/發光層/電子傳送層〃之疊 層構造。此構造具有非常高的發光效率，且此構造可採用 在幾乎所有現今硏發之E L顯示器中。 當E L元件獲得由應用電壓至E L元件所產生之電致 發光時，其乃由陽極層，E L層，和陰極層所組成。在有 機化合物中，有兩種發光，其一爲當有機化合物從單一激 勵狀態返回地狀態所產生之發光（螢光），而另一爲有機 化合物從三激勵狀態返回地狀態所產生之發光（磷光）。 任一種發光皆可使用在本發明之E L顯示器中。 此外，此構造亦可爲在電極上，電洞注入層/電洞傳 送層/發光層/電子傳送層，或電洞注入層/電洞傳送層 /發光層/電子傳送層/電子注入層依序疊層。可摻雜磷 螢光染料至發光層中。 在此說明書中，所有提供在電極對間之層一般皆視爲 E L層。結果，電洞注入層，電洞傳送層，發光層，電子 傳送層，和電子注入層皆包括在E L層中。 在本說明書中，發光元件，其以陽極，E L層，和陰 極組成，亦視爲E L元件。 在E L顯示器之實際應用上，e L層之E L材料之受 到破壞變成一個問題，其會導致E L元件之發光降低。 E L層之E L材料會受到濕氣，氧氣，和熱之破壞， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 叶ου/z/ Α7
五、發明說明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其爲使E L層損壞之因素。更特別而言，e l層受破壞之 速率會受到’如驅動E L顯示器之裝置之構造，構成E L 層之有機E L材料之特性，電極之材料，和在製造方法中 之條件’ E L顯示器之驅動方法等影響。 即使從一對電極而來之固定電壓應用於E l層，E L 層亦會受到破壞，因此，E L元件之發光降低。因此，因 爲在E L元件之發光降低下，E l顯示器之顯示影像不淸 楚。 再4 ’ E L顯π器之彩色顯示系統大略分爲四種：分 別形成對應於R (紅色），G (綠色），和B (藍色）之 二種E L元件之系統；發出白色光之e L元件結合濾色器 之系統；發出藍色或藍綠色光之E L元件結合磷之系統（ 螢光彩色轉換層·· C C Μ );和對應於R，G，Β之E L 元件重疊在使用當成陰極之透明電極（相對電極）（ R G Β堆疊方法）上之系統。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 構成E L層之E L材料根據E L層之發光顏色而有所 不同。因此，在使用對應於R (紅色），G (綠色），和 Β (藍色）之三種E L元件之彩色顯示系統中，對應於 R G Β之E L層之E L元件會受到不同速率之破壞。在此 狀況下，當經過一段時間後，對應於R G Β之E L元件之 發光變成不相似。結果，無法顯示具有所需顏色之影像在 E L顯示器上。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 --------- B7 五、發明說明（4 ) 發明槪要 本發明乃鑒於上述而作成，且因此，其目的乃在提供 一種E L顯示器，其即使在E L層受到破壞下，亦可藉由 抑制在E L元件之發光降低，而執行淸楚且所需之彩色顯 示。 本發明之E L顯示器具有一感應部份以偵測用以顯示 E L顯示器（顯示部份）之影像之部份之發光，和修正此 發光至所需値。該感應器部份包括一或多數圖素。在本說 明書中，感應器部份之圖素皆視爲感應器圖素。 感應器圖素以E L元件和偵測在E L元件之發光改變 量之光接收二極體所組成。在本說明書中，感應器圖素之 E L元件視爲感應器E L元件。 感應器E L元件具有和顯示部份之圖素（顯示圖素） 之E L元件（顯示E L元件）相同的構造。至少構成一對 電極之材料和構成E L層和E L層之疊層構造之材料是相 同的。 而後，一訊號，其與輸入至任意選擇顯示E L元件之 訊號相同，乃饋至感應器E L元件。在此說明書中，輸入 至E L元件（顯示E L元件和感應E L元件）之訊號意即 訊號之電位應用至E L元件之一電極’且E L驅動電壓應 用至E L層。於此，E L驅動電壓爲介於應用至E L元件 之一電極之訊號之電位和應用至另一電極之固定電位間之 電位差異。 因此，一等效電壓應用至感應E L元件之E L層和任 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -7 - -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 意選擇顯示E L元件之E L層，藉此，E L層之損壞速率 7¾乎相等。因此’感應E L兀件之發光和顯示e l元件之 發光即使在經過一段時間後仍能保持幾乎相等。 另一方面，由感應E L元件發出之光照射至感應圖素 之光接收二極體。而後，光接收二極體偵測感應E L元件 之發光。根據所偵測感應E L元件之發光資訊，修正顯示 E L元件之發光，且感應E L元件之發光亦同時修正。 藉由採用此種構造，本發明可在即使E L層受到損壞 下，藉由抑制在E L元件之發光降低，而使E L顯示器執 行淸楚且所需顏色之顯示。 本發明之E L顯示器可爲一彩色顯示系統，其使用一 顯示E L元件發出白色光，或一彩色顯示系統，其使用分 別對應於R G B顏色之顯示E L元件。在使用分別對應於 R G B顏色之顯示E L元件之彩色顯示系統之例中，最好 使對應於R G B之感應器圖素提供在感應器部份中。但是 ，本發明並不限於此。其亦可爲一種構造，其中對應於 R G B之一或二種顏色之感應器圖素提供在感應器部份中 。特別的，可有效的提供對應於E L層損壞相當顯著之顏 色之感應器圖素在感應器部份中’藉以顯示具有所需顏色 之影像。 較佳的是，顯示E L元件和感應E L元件在相同條件 下同時形成。藉由採用上述構造’顯示E L元件和感應 E L元件之E L層之損壞速率幾乎相等。因此，由光接收 二極體所偵測之感應E L元件之發光等效於顯示E L元件 1本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐~) 7〇1 ' -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 480727 A7 _____________ B7 五、發明說明（6 ) 之發光’藉以更準確偵測顯示E L元件之發光。因此，可 修正顯示E L元件之發光至所需値。 再者，當感應器部份與顯示部份同時形成在基底上時 ’如同E L顯示器之製造方法，在未提供感應器部份之例 中’只需加入形成光接收二極體之步驟至製造方法中。因 此’於此無需顯著的增加製造步驟之數目，藉以抑制製造 步驟之數目。 於此，一部份的顯示部份可使用當成感應器部份。亦 即，在顯示部份之多數圖素中，任意選擇之一或多數圖素 司使用當成感應器圖素，而剩餘圖素可使用當成顯示圖素 。在此例中，相較於在顯示部份中不包括感應器部份之例 ，因爲可省略提供感應器部份之空間，因此可抑制E L顯 示器之尺寸。 圖式簡單說明 在圖中： 圖1爲本發明之E L顯示器之頂部示意圖； 圖2爲本發明之E L顯示器之電路圖； 圖3爲本發明之E L顯示器之感應器圖素之電路圖； 圖4爲本發明之E L顯示器之顯示圖素之電路圖； 圖5爲當本發明之E L顯示器以一數位方法驅動時之 時間圖； 圖6爲本發明之E L顯示器之校正電路之方塊圖； 圖7爲本發明之E L顯示器之頂部示意圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---------^一^" · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9-
HI A7 B7 五、 發明說明（7 _ 8爲當本發明之E L顯不器以一類比方法驅動時之 時間圖； 方 之 路 電 正 校 號 訊 頻 視 之 器 示 顯 L E 之 明 發 本 爲 9 圖 _ 塊 法 方 造 製 之 器 示 顯 L E 之 明 發 本 爲 E 〇 Ί-1 至 A 〇 一—I _ 圖 至 A IX 一—f 0
法 方 造 製 之 器 示 顯 L E 之 明 發 本 爲 D 圖 法 方 造 製 之 器 示 顯 L E 之 明 發 本 爲 C 2 至 A 2 1 圖 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 圖 法 方 造 製 之 器 示 顯 L E 之 明 發 本 爲 B 3 T—Η 和 A 3 1—I 圖 ------ 圖 圖 路 電 之 素 圖 口、5 口¾ 應 感 之 器 示 顯 L E E 之之 明明 發發 本本 爲爲 4 5 1—i 1—I 圖圖
截 橫 之 器 示 顯 L 圖 圖 視 β, 立口 外 之 器 示 顯 L Ε 器之 示明 顯發 L本 Ε 爲 之Β 明 7 發 1 本和 爲 A 6 7 IX IX 圖圖 圖 面 截 橫 之 訂---- SI. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖 視 β, 咅 外 之 器 示 顯 L Ε 之 明 發 本 爲 Β 8 ΊΧ 和 A 8 ΊΧ 圖 圖 面 截 橫 之 素 圖 示 顯 之 器 示 顯 L E 之 明 發 本 爲 9 IX 圖 示 顯 之 器 示 顯 L E 之 明 發 本 爲 別·， 分圖 B 路 ο 電 2 和 和圖 A 視 ο 部 2 頂 圖之 素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 480727 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明踩 m φ (8 爲本發明之E L顯示器之顯示圖素之橫截面圖 11 圖2 2 A至2 2 C爲本發明之E L顯示器之顯示圖素 之電路圖； 圖2 3 A至2 3 F爲使用本發明之E L顯示器之電子 設備之例圖； 圖2 4A和2 4 B爲使用本發明之E L顯示器之電子 設備圖；和 圖2 5爲本發明之E L顯示器之橫截面圖。 主要元件對照表 〇 1 顯 示 部 份 〇 2 源 極 訊 號 線 驅 動 電 路 〇 3 閘 極 訊 號 線 馬區 動 電 路 〇 4 感 應 器 圖 素 〇 5 顯 示 圖 素 〇 6 感 應 器 部 份 3 〇 開 關 T F T 3 1 E L 驅 動 T F T 3 2 感 應 器 E L 元 件 3 3 電 容 3 4 重 置 T F T 3 5 緩 衝 T F T 3 6 光 極體 -----------裝 -------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 480727 A7 B7 五、發明說明（9 ) 140 14 1 14 2 14 3 2 0 1 2 0 2 2 0 3 2 0 4 2 0 5 2 0 6 3〇1 3 0 2 3 0 3 3 0 4 3 0 6 4 0 1 4 0 2 4 0 3 4 0 4 4 0 5 4 0 6 開關T F T E L驅動T F T 顯示E L元件 電容 校正電路 A / D轉換電路 算術電路 校正記憶體 D / A轉換器電路 E L電源 顯示部份 源極訊號線驅動電路 閘極訊號線驅動電路 感應器圖素 感應器部份 視頻訊號校正電路 A / D轉換器電路 算術電路 校正記憶體 D / A轉換器電路 訊號產生器 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 0 玻璃基底 5 0 I 基膜 5 0 2 結晶矽膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 480727 A7 B7 五、發明說明（10 〇 〇 〇 4 6-50 〇 1 -6 - 4 5 -〇 1 一 5 5 5 保護膜 阻止光 η型雜 9 閘極絕 阻止光 5 3 5 4 5 4 5 4 5 4 7 8 阻止光 5 3 4 閘極接 第一中 5 4 1 2-54 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇 4 第一被 第二中 陰極電 光電轉 陽極電 第三中 汲極接 圖素電 觸排 罩 質區域 主動層 緣膜 閘電極 η型雜質區域 罩 雜質區域 罩 Ρ型雜質區域 線 間層絕緣膜 源極接線 汲極接線 動膜 間層絕緣膜 極 換層 極 間層絕緣膜 線 極 裝--------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 480727 A7 B7 ---------------------訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11 ) 5 5 7 5 5 8 5 7 0 5 7 1 5 7 2 5 7 3 5 8 0 5 8 1 5 8 2 5 8 3 5 9 0 5 9 1 5 9 2 - 5 9 6 3 5 6 4 0 6 4 5 6 4 7 6 4 8
6 5 7 E L層 陰極
緩衝T F T 重置T F T 開關T F T E L驅動T F T 源極區域 汲極區域 L D D區域 通道形成區域 源極區域 汲極區域 5 L D D區域 鬧極接線 源極接線 汲極接線 第一被動膜 第二中間層絕緣膜 陽極電極 第三中間層絕緣膜 感應器接線 圖素電極 發光層 電洞注入層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 480727 A7 B7 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12 ) 6 5 8 6 5 9 6 6 0 6 6 1 6 7 0 6 7 1 6 7 2 6 7 3 7 0 4 7 3 0 7 3 1 7 3 2 7 3 3 7 3 4 7 3 5 7 3 6 8 11 8 12 8 13 8 14 8 15 8 16 8 17 8 18 陽極 第四中間層絕緣膜 反射板 觸排 緩衝T F T 重置T F T 開關T F T E L驅動T F T 感應器圖素 開關T F T E L驅動T F T 感應器E L元件 電容
重置T F T 緩衝T F T 感應器T F T 基底 絕緣膜 源極區域 汲極區域 L D D區域 分離區域 通道形成區域 閘極絕緣膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 480727 A7 B7 五、發明說明（13 ) 8 1 9 閘 電 極 8 2 〇 第 — 中 間 層 絕緣膜 8 2 1 源 極 接 線 8 2 2 汲 極 接 線 8 2 6 源 極 1E 域 8 2 7 汲 極 域 8 2 9 通 道 形 成 區 域 8 3 〇 閘 電 極 8 3 1 源 極 接 線 8 3 2 汲 極 接 線 8 4 0， ，8 3 5， 8 8 〇 源 極 域 8 4 1， •8 3 6， 8 8 1 汲 極 區 域 8 4 2 ’ ，8 3 8， 8 8 2 通 道 形 成區域 8 4 3， ，8 3 9， 8 8 3 閘 電 極 8 4 4 L D D 1^ 域 8 4 5， ，8 4 6， 8 8 5 源 極 接 線 8 4 7 : ，8 4 8， 8 8 7 汲 極 接 線 8 4 9 第一 被 動 膜 --------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 5 8 5 8 5 8 5 8 5 8 6 2 4 8 第二中間層絕緣膜 圖素電極 第三中間層絕緣膜 E L層 陰極 2，8 6 7 通道形成區域保護膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（14 8 6 3，8 6 4 通道形成區域保護膜 865 通道形成區域
9 3 0 開關T F T
9 3 1 E L 驅動 T F T 932 感應器EL元件
934 重置TFT
9 3 5 緩衝丁 F T 936 發光二極體 9 8 0 陽極 9 8 1 陰極 983 通道形成區域 984 緩衝區域 985 陽極接線 986 陰極接線 2 0 0 1 殼 -------------------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 〇 〇 2 支 持 台 2 0 0 3 顯 示 部 份 2 〇 〇 4 感 應 器 部 份 2 〇 1 〇 主 體 2 1 〇 2 顯 示 部 份 2 1 〇 3 輸 入 部 份 2 1 〇 4 操 作 開 關 2 1 〇 5 電 池 2 1 〇 6 影 像 接 收 部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 480727 A7 B7 五、發明說明（15 ) 2 10 7 2 2 0 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2 0 2 2 2 0 3 2 2 0 4 2 2 0 5 2 2 0 6 2 2 0 7 2 3 0 1 2 3 0 2 2 3 0 3 2 3 0 4 2 3 0 5 2 3 0 6 2 4 0 1 2 4 0 2 2 4 0 3 2 4 0 4 2 5 0 1 2 5 0 2 2 5 0 3 2 5 0 4 2 5 0 5 2 6 0 1 感應器部份 主體 訊號線 頭固定帶 顯示部份 光學部份 E L顯示裝置 感應器部份 主體 記憶媒體 操作開關 顯示部份 顯示部份 感應器部份 主體 顯示部份 臂部份 感應器部份 主體 殼 顯示部份 鍵盤 感應器部份 主體 --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 480727 A7 B7 五、發明說明（16 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 6 〇 2 聲 音 輸 出 部 份 2 6 〇 3 聲 輸 入 部 份 2 6 〇 4 顯 示 部 份 2 6 〇 5 操 作 開 關 2 6 〇 6 天 線 2 6 〇 7 咸 m 器 2 7 〇 1 主 體 2 7 〇 2 顯 示 部 份 2 7〇3 ，2 7〇4 操作開關 2 7 〇 5 感 應 器 部 份 3 5 〇 1 基 底 3 5 〇 2 開 關 T F T 3 5 〇 3 E L 驅 動 T F T 3 5 〇 4 儲 存 電 容 3 5 〇 6 電 源 線 3 8 〇 1 源 極 訊 號 線 3 8 〇 2 開 關 T F T 3 8 〇 3 閘 極 訊 號 線 3 8 〇 4 E L 驅 動 T F T 3 8 〇 5 電 容 3 8 〇 6， 8 3 〇 8 電 源 3 8 〇 7 顯 示 E L 元 件 4 〇 1 〇 基 底 4011 顯示部份 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 480727 A7 B7 五、發明說明（17 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 〇 1 2 源 極 訊 號 線 馬區 動 電 路 4 〇 1 3 閘 極 訊 號 線 馬區 動 電 路 4 〇 1 4 一 4 0 1 6 接 線 4 〇 1 7 F P C 4 〇 1 8 接 線 4 〇 1 9 感 I* h 器 部 份 4 〇 2 1 基 膜 4 〇 2 2 馬區 動 電 路 T F T 4 〇 2 3 E L 驅 動 電 路 T F T 4 〇 2 7 圖 素 電 極 4 〇 2 8 絕 緣 膜 4 〇 2 9 E L 層 4 〇 3 〇 陰 極 4 〇 3 1 域 4 〇 3 2 導 電 膏 材料 6 〇 〇 〇 芸 rrrr. 構 件 6 〇 〇 1 框 構 件 6 〇 〇 2 密 封 構 件 6 〇 〇 3 被 動 膜 6 〇 〇 4 塡 充 材料 7 〇 〇 〇 密 封 構 件 7 〇 〇 1 密 封 劑 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 _ B7 五、發明說明（18 ) 較佳實施例之詳細說明 以下參考圖1至6說明本發明之實施例。 圖1爲E L顯示器之頂部視圖’其爲本發明之半導體 顯示裝置之一部份。在本發明之實施例中，以利用數位方 法驅動而執行彩色顯示之E L顯示器說明。但是，本發明 之E L顯示器之驅動方法並不限於數位方法，而是E L顯 示器亦可以類比方法驅動。此外，雖然於此說明執行彩色 顯示之E L顯示器之實施例，但是，本發明之E L顯示器 不只可執行彩色顯示，且亦可執行單色顯示。 如圖1所示，於此提供一顯示部份1 〇 1 ，一源極訊 號線驅動電路1 〇 2，一閘極訊號線驅動電路1 〇 3，和 一感應器部份1 0 6。此源極訊號線驅動電路1 〇 2由移 位暫存器1 0 2 a ，一閂鎖（A ) 1 0 2 b，和一閂鎖（ B ) 1〇2 c組成。 感應器部份1 0 6具有分別對應於RGB之感應器圖 素104 (R感應器圖素104a ，G感應器圖素104 b，和B感應器圖素1 〇 4 c )。使用三種對應於R G B 之E L元件之彩色顯示系統之E L顯示器說明於實施例模 式中。但是，本發明並不限於此，於此亦可使用發出白色 光之E L元件之彩色顯示系統之E L顯示器。再者，在此 實施例模式中，雖然感應器部份1。0 6具有分別對應於 R G B之三個感應器圖素，但是，本發明並不限於此。於 此只須對應於R G B之一或二顏色之感應器圖素提供在感 應器部份中。^圖2顯示顯示部份1 0 1和感應器部份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - --------訂---------^__wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 A7 B7 五、發明說明（19 ) 1 〇 6之詳細電路圖。源極訊號線（s 1至S X )，電源 線（V 1至v x )，和閘極訊號線（G 1至G y )提供在 顯示部份1 〇 1中。在實施例模式中，顯示部份1 〇 1和 感應命部份1 〇 6提供在相同基底上。但是，本發明並不 限於此。於此亦可爲顯示部份和感應器部份提供在不同基 底上’而以F P C連接之構造。 顯示部份1 0 1包括多數圖素1 0 5。每一顯示圖素 1〇5具有源極訊號線（S ;l至S x )之一，電源線（ v 1至V X )之一，和閘極訊號線（G 1至G y )之一。 於此有三種顯示圖素1 〇 5 :用以顯示顏色R之顯示圖素 ’用以顯不顏色G之顯75圖素；和用以顯示顏色B之顯示 圖素。 — 源極訊號線S p (其中p爲介於1和X間之任意數目 )，電源線V P，和閘極訊號線G q (其中q爲介於1和 y間之任意數目）包含在用以顯示顏色R之顯示圖素之任 蒽選擇顯不圖素（p，q )中。再者，和用以顯示顏色R 之顯示圖素（p，q )相似的，源極訊號線S p，電源線 V p，和閘極訊號線G q包含在R感應器圖素1 〇 4 3中 〇 雖然圖中未顯75，相似的，相同的源極訊號線，電源 線，和聞極訊號線包含在用以顯示顏色G之顯示圖素之任 意選擇顯示圖素中，且包含在G感應器圖素1 〇 4 b中。 相似的，雖然圖中未顯示，相同的源極訊號線，電源線， 和閘極以5虎線包含在用以顯不顏色B之顯示圖素之丨壬意選 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ---------訂— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 480727 A7 __ B7 五、發明說明（20 ) 擇顯示圖素中，且包含在B感應器圖素1 0 4 c中。 圖3顯示感應器圖素1 0 4 a至1 0 4 c之詳細構造 。以虛線所圍繞之區域爲感應器圖素1 0 4。包含在感應 器圖素1 〇 4中的是源極訊號線S ( S 1至S X ) ’電源 線V ( V 1至V X )，和閘極訊號線G ( G 1至G y ) ° 此外，感應器圖素1〇4 (104a至l〇4c)具 有開關T F T 1 3 0 ，E L驅動T F T 1 3 1 ’和一感應 器EL元件1 3 2。在圖3之構造中提供一電容1 3 3 ’ 但是，亦可形成未提供電容1 3 3之構造。 感應器E L元件1 3 2以一陽極，一陰極’和提供在 其間之E L層所組成。當陽極連接至E L驅動 T F T 1 3 1之汲極區域時，換言之，當陽極爲圖素電極 時，當成相對電極之陰極保持在預定電位（相對電位）° 另一方面，當陰極連接至E L驅動T F T 1 3 1之汲極區 域時，換言之，當陰極爲圖素電極時，當成相對電彳亟之陽 極保持在預定電位（相對電位）。 開關T F T 1 3 0之閘電極連接至閘極訊號線G。開 關T F T 1 3 0之源極區域和汲極區域之一連接至源極訊 號線S，和另一連接至E L驅動T F T .1 3 1之閘電極。 E L驅動T F T 1 3 1之源極區域和汲極區域之一連 接至電源線V，和另一連接至感應器E L元件1 3 2。於 此提供電容1 3 3以連接至E L驅動T F T 1 3 1之閘電 極和電源線V。 再者，感應器圖素104具有一重置TFT1 34， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1------訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 _ B7 五、發明說明（21 ) 一緩衝T F T 1 3 5，和一光接收二極體1 3 6。 重置T F T 1 3 4之閘電極連接至重置訊號線R L。 重置T F T 1 3 4之源極區域連接至感應器電源線V B和 緩衝T F T 1 3 5之汲極區域。感應器電源線V B固定的 保持在固定電位（標準電位）。再者，重置T F T 1 3 4 之汲極區域連接至光接收二極體1 3 6和緩衝 T F T 1 3 5之閘電極。 緩衝T F T 1 3 5之源極區域連接至感應器輸出接線 F L。感應器輸出接線f L進一步連接至固定電流源 1 3 7和固定電流於此固定的流動。再者，緩衝 T F T 1 3 5之汲極區域連接至感應器電源線V B，其固 定的保持在固定標準電位。緩衝T F T 1 3 5作用當成一 源極從動器。 雖然圖中未顯示，光接收二極體1 3 6乃以一陽極， 一陰極，和提供在其間之光電轉換層所組成。 圖4爲顯示圖素1 〇 5之詳細構造。由虛線所圍繞之 區域爲顯示圖素1 〇 5。源極訊號線S ( S 1至S X )， 電源線V ( V 1至V X )，和閘極訊號線G ( G 1至G y )包含在顯示圖素1 0 5中。 和感應器圖素1 〇 4相似的，顯示圖素1 0 5具有一 開關T F T 1 4 0，E L驅動丁？丁141，和一顯示 E L元件1 4 2。顯示E L元件1 4 2具有和圖3所示之 感應器E L元件1 3 2相同的構造。更特別而言，顯示 E L元件1 4 2和感應器EL元件1 3 2具有一 E L層夾 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂—
St. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 480727 陰極，和提供在其 A7 五、發明說明（22 ) 在一對電極間。此外，構成一對電極和E L層之疊層構造 之材料對兩E L元件而言至少是相同的。特別的，當由感 應器E L兀件1 3 2和顯示E L元件1 4 2發出之光顏色 相同時，形成E L層之材料（E L材料）亦相同。 顯示E L元件1 4 2以一陽極 間之E L層所組成。當陽極連接至E L驅動T F T 1 4 1 之汲極區域時，換言之，當陽極爲圖素電極時，當成相對 電極之陰極保持在預定電位（相對電位）。另一方面，當 陰極連接至E L驅動T F T 1 4 1之汲極區域時，換言之 ，當陰極爲圖素電極時，當成相對電極之陽極保持在預定 電位（相對電位）。 再者，電容1 4 3提供在圖4之構造中，但是，亦可 形成未提供電容1 4 3之構造。 開關T F T 1 4 0之閘電極連接至閘極訊號線G。開 關丁 F T 1 4 0之源極區域和汲極區域之一連接至源極訊 號線S，和另一連接至E L驅動T F 丁 1 4 1之閘電極。 E L驅動T F T 1 4 1之源極區域和汲極區域之一連 接至電源線V，和另一連接至感應器E L元件1 4 2。於 此提供電容1 4 3以連接至E L驅動T F T 1 4 1之閘電 極和電源線V。 、其次說明此實施例模式之E L顯示器之驅動方法。 參考圖1 。在源極訊號線驅動電路1 0 2中，一時鐘 訊號（C L K )和一啓始脈衝（S P )輸入至移位暫存器 。移位暫存器1 0 2 a根據時鐘訊號（C L K ) --------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（23 ) 和啓始脈衝（S P )循序的產生時間訊號，藉以將時間訊 號循的饋至下游電路。 來自移位暫存器1 0 2 a之時間訊號以一緩衝器（未 顯示）電流放大，和電流放大時間訊號可循序的饋至下游 電路。大量的電路或元件連接至時間訊號所饋至之接線， 因此由於這些電路或元件，負載電容（寄生電容）較大。 於此提供緩衝器以防止因爲此大的負載電容而使時間訊號 之上升或下降之尖銳度受到降低。 來自移位暫存器1 0 2 a之時間訊號而後饋至閂鎖（ A ) 1 0 2 b。閂鎖（A ) 1 0 2 b具有多級閂鎖以處理 η位元數位視頻訊號。在時間訊號輸入時，閂鎖（A ) 1 0 2 b循序的寫入和保持包括影像資訊之n位元、數位視 頻訊號。 當數位視頻訊號由閂鎖（A ) 1 〇 2 b所採取時，數 位視頻訊號可循序的饋至問鎖（A ) 1 〇 2 b之多級問鎖 ◦但是，本發明並不限於此構造。所謂的分割驅動之執行 乃是其中閂鎖（A ) 1 0 2 b之多級閂鎖分成多群，而後 數位視頻訊號同時平行的饋至相關群。此時之群之數目稱 爲分割數目。例如，如果問鎖分成四級，則稱爲4分支分 割驅動。 需用以完成數位視頻訊號之寫入至閂鎖（A ) 1 〇 2 .b之所有級閂鎖之時間稱爲一線週期。換言之，線週期乃 界定當成從數位視頻訊號寫入最左極閂鎖起至數位視頻訊 號寫入至閂鎖（A ) 1 0 2 b之最右級閂鎖間之時間段。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26- --------------------訂— (請先閱讀背面/注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ----- B7 五、發明說明（24 ) 實際上’線週期可爲一水平返回週期加至上述線週期之週 期。 在完成一線週期後，閂鎖訊號饋至閂鎖（B ) 1 〇 2 c °此時，寫入且由閂鎖（A ) 1 〇 2 b所保持之數位視 頻訊號全部一次送至閂鎖（B) l〇2c ，以由所有級之 閂鎖寫入和保持。 在完成傳送數位視頻訊號至閂鎖（B ) 1 〇 2 c後， 根據來自移位暫存器1 〇 2 a之時間訊號，再度對閂鎖（ A ) 1 〇 2 b執行數位視頻訊號之循序寫入。 在第二次線週期時，由閂鎖（B ) 1 0 2 c所保持之 數位視頻訊號輸入至源極訊號線。 另一方面，閘極訊號線驅動電路1 0 3由移位暫存器 和一緩衝器（圖中未顯示）所組成。根據此狀態，除了移 位暫存器和緩衝器外，閘極訊號線驅動電路1 〇 3亦可具 有一位準移位器。
在閘極訊號線驅動電路1 0 3中，來自移位暫存器（ 圖中未顯示）之時間訊號饋至緩衝器（圖中未顯示）以饋 至對應之鬧極訊號線（亦稱爲掃瞄線）。閘極訊號線連接 至一線之開關T F T之閘電極，且一線之所有開關τ F T 必須同時啓動。因此，需要使用具有大電流容量之緩衝器 〇 値得注意的是此構造，驅動方法，和源極訊號線驅動 電路1 0 2和閘極訊號線驅動電路1 0 3之數目並不限於 實施例模式所述之構造。 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 _ B7 五、發明說明（25 ) 圖5之時間圖顯示本發明之E L顯示器由數位方法驅 動以執行顯示。 首先，一框週期（F )分隔成η個副框（S F 1至 S F η )。所有圖素部份之圖素顯示一影像之週期視爲一 框週期（F )。 最好是由E L顯示器在一秒中形成6 0或更多框週期 。藉由在一秒內顯示之影像數目爲6 0或更多影像下，可 視覺的抑制如閃爍之影像閃爍。 一框週期分成多數週期之週期視爲副框週期（S F ) 。當色調數目增加時，在一框週期中之副框數目亦增加。 每一副框可分成一位址週期（T a )和一維持週期（ T s )。位址週期表示在一副框週期時，需用以輸入數位 視頻資料至所有圖素之週期，和維持週期（或啓動週期） 表示E L元件發光或不發光之週期，藉以以在位址週期中 輸入至圖素之數位視頻訊號執行顯示。 SF1至SFn之位址週期（Ta)分別爲Ta 1至 T a η。S F 1至S F η之維持週期（T s )分別爲 Tsl 至 Tsn。 電源線（V 1至V X )之電位保持在預定電位（電源 電位）。 首先，在位址週期T a中，顯示E L元件1 4 2和感 應器E L元件1 3 2兩者之相對段極之電位保持在等於電 源電位之位準上。 而後，閘極訊號饋至閘極訊號線G 1。在顯示圖素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28- -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) /27 /27
i、發明說明（26 ) 1 〇 5之多數開關TFT1 40和感應器圖素1 04之多 數聞關T F T 1 3 〇中，所有連接至閘極訊號線G 1之開 關T F T變成啓動狀態。在本說明書中，在啓動狀態中之 T F T視爲T F T之驅動。 其次，在所有連接至閘極訊號線G 1之開關T F T變 $啓動狀態下，來自源極訊號線驅動電路1 〇 2之數位視 頻訊號乃饋至源極訊號線（S 1至S X )。數位視頻訊號 具有資訊〔0〕或〔1〕。數位視頻訊號〔〇〕和〔1〕 _示該訊號具有高電壓或低電壓。 而後，經由在啓動狀態下之開關T F T，饋至源極訊 號線（S 1至S X )之數位視頻訊號乃饋至E L驅動 T F T之閘電極，該e L驅動T F T之閘電極連接至開關 T F T之源極區域或汲極區域。 其次，閘極訊號饋至閘極訊號線G 2，以使所有連接 至閘極訊號線G 2之開關T F T 1 5 0 1變成啓動狀態。 在顯示圖素1 0 5之多數開關T F T 1 4 0和感應器圖素 1 〇 4之多數開關T F T 1 3 0中，所有連接至閘極訊號 線G 2之開關T F T變成啓動狀態。 其次，在所有連接至閘極訊號線G 2之開關T F T變 成啓動狀態下，來自源極訊號線驅動電路1 0 2之數位視 頻訊號乃饋至源極訊號線（S 1至S X )。而後，經由在 啓動狀態下之開關T F T，饋至源極訊號線（S 1至S X )之數位視頻訊號乃饋至E L驅動T F T之閘電極，該 E L驅動τ F T之閘電極連接至開關T F T之源極區域或 --------訂--------- C請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -29- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（27 ) 汲極區域。 重複上述操作直到閘極訊號饋至閘極訊號線G y ’藉 以使數位視頻訊號輸入至所有顯示圖素1 0 5和感應器圖 素1 0 4。直到完成輸入數位視頻訊號至所有顯不圖素 1〇5和感應器圖素1 0 4之週期即爲位址週期° n個副 框週期之相關位址週期（T a 1至T a η )之長度皆相同 〇 在完成位址週期T a後，開始維持週期。在維持週期 中，當電源電位應用至圖素電極時，E L元件之所有相對 電極之電位設定爲使其與電源電位間之電位差異之位準達 到使E L元件發光之程度。 而後，在維持週期中，顯示懂素1 〇 5和感應器圖素 1 0 4之所有開關T F T變爲關閉狀態。饋至顯示圖素 1〇5和感應器圖素1 0 4之數位視頻訊號而後饋至每一 圖素之E L驅動T F T之閘電極。 在實施例模式中，當數位視頻訊號具有資訊〔〇〕時 ，E L驅動T F T變爲關閉狀態。因此，E L元件之圖素 電極乃是在保持在相對電極之電位上之狀態。結果’具有 資訊〔0〕之數位視頻訊號輸入至之圖素之E L元件不發 光。 另一方面，當數位視頻訊號具有資訊〔1〕時，E L 驅動T F T變爲啓動狀態。因此，電源電位應用至E L元 件之圖素電極。結果，具有資訊〔1〕之數位視頻訊號輸 入至之圖素之E L元件發光。 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30- 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（28 ) 因此’ E L元件之發光與否乃決定於輸入至圖素之數 位視頻訊號之資訊，藉此，圖素可執行顯示。 在完成維持週期時，一副框週期結束。而後，呈現次 一副框週期’且再度轉換爲位址週期。在數位視頻訊號已 饋至所有圖素時，維持週期再度開始。値得注意的是，副 框週期出現之順序是任蒽的。 在剩餘的副框週期中重複相同的操作，藉以執行顯示 。在完成η個副框週期時，一框週期終止。 再者，在本發明中，η個維持週期Ts 1 ........ T S ΙΊ之長度比例表示爲丁31:丁32:丁33:...· • · : 丁 s ( η - 1 ) : τ s η = 2 0 : 2 _ 1 : 2 — 2 : . • · : .2 - ( 11 2 )、： 2 — ( 11 一 1 )。 每一圖素之分級由在一框週期中所選擇用以發光之副 框週期所決定。例如，如果η = 8，且在所有維持週期時 發光之圖素之亮度爲1 〇 〇%時，則在T s 1和T s 2中 之發光之圖素例中，亮度爲7 0 %，而當選擇T s 3 ， Ts5 ，和Ts8時，亮度爲16%。 在實施例模式中，因爲相對電極之電位保持在等於在 位址週期中之電源電位之電位，因此，E L元件不發光。 但是，本發明並不限於此種構造。一電位差異達到當電源 電位應用至圖素電極時使E L元件發光之程度乃固定的提 供在相對電位和電源電位間。因此，和顯示週期相似的， 位址週期亦執行顯示。但是，在此例中，所有的副框週期 實際上變成執行顯示之週期，且因此，副框週期設定爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（29 ) SFl:SF2:SF3: ...... : SF(n — 1): S F η = 2 〇 : 2 _ 1 : 2 — 2 ·· ...... : 2 — ( 11 - 2 ): 2 ( 11 1 ]。藉由採用上述之構造，相較於位址週期不發 光之驅動方法’可獲得局売度影像。 如上所述，和顯示E L元件相似的，與在根據顯示 E L元件之發光或不發光狀態而決定在顯示部份中之影像 顯示同時的，感應器E L元件變成發光或不發光狀態。 其次，說明在感應器部份1 〇 6中，偵測感應器E L 元件1 3 2之亮度之光接收二極體1 3 6之機構。 所需的是，感應器圖素1 〇 4之重置TFT 1 3 4和 緩衝TFT 1 3 5之一爲η通道TFT，和另一爲p通道 TFT。 首先，重置T F T 1 3 4根據饋至重置訊號線R L之 重置訊號而轉變爲啓動狀態。因此，感應器電源線V B之 標準電位應用至緩衝T F T 1 3 5之閘電極。緩衝 T F T 1 3 5之源極區域經由感應器輸出接線F L連接至 固定電流源，藉此，緩衝T F T 1 3 5之閘電極和源極區 域間之電位差異V。s恒爲一固定値。因此，緩衝 T F T 1 3 5之源極區域保持在從標準電位減去V。s之電 位上。在本說明書中，重置T F T 1 3 4在啓動狀態上之 週期視爲重置週期。 其次，饋至重置訊號線R L之重置訊號之電位改變， 藉此’重置T F T 1 3 4變成關閉狀態。因此，感應器電 源線V B之標準電位並未應用至緩衝T F T 1 3 5之閘電 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) --------訂---- si. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -32- 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（30 ) 極。在此說明書中，重置T F T 1 3 4在關閉狀態之週期 視爲一樣本週期。 在E L顯示器以數位方法驅動之例中，樣本週期比位 址週期T a長，且重疊感應器E L元件1 3 2發光處之維 持週期T s。 從感應器E L元件1 3 2產生至光接收二極體1 3 6 之光之照射使一電流在光接收二極體1 3 6中流動。因此 ’在重置週期中之緩衝T F T 1 3 5之閘電極之固定電位 在樣本週期中改變。在電位上之改變量會根據在光接收二 極體1 3 6中流動之電流大小而改變。 在光接收二極體1 3 6中流動之電流與所照射光之強 度成比例。換言之，比較當感應器E L元件1. 3 2.之亮度 爲高和低時，當亮度較高時，較大的電流流經光接收二極 體1 3 6。結果，相較於亮度較低時，當感應器E L元件 1 3 2之亮度較高時，緩衝T F T 1 3 5之閘電極之電位 經歷較大的改變。 因爲緩衝T F T 1 3 5之源極區域和閘電極之電位差 異V。s始終爲固定値，因此，緩衝τ F T 1 3 5之源極區 域之電位保持在從閘極電位減去V。s之電位上。因此，當 緩衝T F T 1 3 5之閘極電位改變時，緩衝T F T 1 3 5 之源極區域之電位亦一起改變。 緩衝T F T 1 3 5之源極區域之電位應用至感應器輸 出接線F L，藉以饋至一校正電路當成感應器輸出訊號。 圖6爲校正電路2 0 1之方塊圖。校正電路2 0 1可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -33- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 A7 B7 五、發明說明（31 ) 與顯示部份1 0 1或感應器部份1 0 6提供在相同基底上 。再者，其亦可提供在IC晶片上且以FPC等連接至感 應窃部份1 〇 6。 校正電路2 0 1以A / D轉換電路2 0 2 ，算術電路 2 〇 3，校正記憶體2 0 4，和D / A轉換電路2 0 5所 組成。雖然圖6之構造顯示校正記憶體2 0 4構造當成算 術電路2 0 3之一部份，但是，校正電路2 0 4和算術電 路2 0 3亦可分離提供。 從感應器輸出接線F L而來之感應器輸出訊號饋至A / D轉換器電路2 0 2，藉以轉換成數位感應器輸出訊號 和於此輸出。從A / D轉換器電路2 0 2輸出之數位感應 器輸出訊號而後饋至算術電路2 0 3。 當感應器E L元件1 3 2具有理想亮度時，饋至算術 電路2 0 3之數位感應器輸出訊號之資料（校正標準資料 )乃儲存在校正記憶體2 0 4中。 算術電路2 0 3比較實際饋至算術電路2 0 3之數位 感應器輸出訊號和儲存在校正記憶體2 0 4中之校正標準 資料。而後，算術電路2 0 3根據介於所比較實際感應器 輸出訊號和校正標準資料間之差異，計算需用於顯示E L 元件1 4 2和感應器E L元件1 3 2獲得理想亮度之電源 線V之電位位準（電源電位）。而後，算術電路2 0 3將 具有電源電位位準之資訊之數位校正訊號饋至D / A轉換 電路2〇5 。 饋至D / A轉換電路2 0 5之數位校正訊號轉換成類 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 480727 A7 __ B7 五、發明說明（32 )
比訊號，藉以饋至E L電源2 0 6。E L電源2 0 6應用 位準由輸入之類比校正訊號所決定之電位至電源線（V 1 至V X )。當E L元件之亮度降低下，校正電路藉由調整 電源線之電源電位而工作，以供應降低量，藉以增強E L 元件之亮度。 當E L顯示器使用對應於R G B之三種E L元件時， 需要提供校正電路2 0 1和E L電源2 0 6至欲修正之顏 色。換言之，在修正每一顏色R G B時，需要提供三個校 正電路2 0 1和三個E L電源2 0 6。 再者，當E L顯示器使用發出單一色，如白色，藍色 ，或藍綠色之E L元件時，校正電路2 0 1和E L電源 2〇6之提供可爲對每一提供，或對欲修正之每一顏色提 供。E L元件之損壞率根據所照射光之波長而不同。因此 ，在使用發出白色光之E L元件和濾色器之E L顯示器之 例中，藉由提供校正電路2 0 1和E L電源2 0 6至欲修 正之顏色，可對對應於每一顏色之E L元件之亮度進行更 準確之校正。結果，可顯示所需顏色之淸楚影像。 在本發明中，藉由採用上述構造，顯示E L元件 1 4 2和感應器E L元件1 3 2可具有理想的亮度，藉此 ，即使在E L顯示器中之E L層受到破壞，亦可使E L顯 示器執行淸楚和所需之彩色顯示。 在實施例模式中，雖然感應器部份具有對應於R G B 之感應器圖素，但是，本發明並不限於此。於此亦可提供 對應於每一顏色之多數感應器圖素。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝--------訂----- Φ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 35- 480727 A7 -- B7 五、發明說明（33 ) 以下說明本發明之實施例。 第一實施例 在第一實施例中使用圖7至9說明以類比驅動方法驅 動之本發明之E L顯示器。 圖7爲E L顯示器之頂部視圖，其爲本發明之半導體 顯示裝置之一部份。在第一實施例中，說明用以執行彩色 顯示之E L顯示器說明。但是，本發明之E L顯示器之不 只可執行彩色顯示，且亦可執行單色顯示。 如圖7所示，於此提供一顯示部份3 0 1 ’ 一源極訊 號線驅動電路3 0 2，一閘極訊號線驅動電路3 0 3 ’和 一感應器部份3〇6。此源極訊號線驅動電路3 0 2由移 位暫存器3 Ό 2 a ，一位準移位器3 0 2 b，和一取樣電 路3〇2 c組成。 感應器部份3 0 6具有分別對應於RGB之感應器圖 素304 (R感應器圖素304a ，G感應器圖素304 b ，和B感應器圖素3 0 4 c )。使用三種對應於R G B 之E L元件之彩色顯示系統之E L顯示器說明於第一實施 例中。但是，第一實施例並不限於此，於此亦可使用發出 白色光之E L元件之彩色顯示系統之E L顯示器。再者， 在第一實施例中，雖然感應器部份3 0 6具有分別對應於 R G B之三個感應器圖素，但是，本發明並不限於此。於 此只須對應於R G B之一或二顏色之感應器圖素提供在感 應器部份中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 _ B7 五、發明說明（34 ) 顯示部份3 0 1和感應器部份3 0 6之詳細構造和以 數位方法驅動之例相同，且因此，可參考圖2。於此，所 有圖7之顯示部份3 0 1 ，感應器部份3 0 6 ，R感應器 圖素304a ，G感應器圖素304b ，和B感應器圖素 3〇4 c分別對應於圖2之顯示部份1 〇 1 ，感應器部份 106 ，R感應器圖素l〇4a ，G感應器圖素104b ’和B感應器圖素l〇4c。 在第一實施例中，顯示部份和感應器部份提供在相同 基底上。但是，本發明並不限於此。於此亦可爲顯示部份 和感應器部份提供在不同基底上，而以F P C連接之構造 〇 顯示.部份3 0 1包括多數顯示圖素。在第一實施例中 之顯示圖素對應於圖2之顯示圖素1 0 5。每一顯示圖素 1 0 5具有源極訊號線（S 1至S X )之一，電源線（ V 1至V X )之一，和閘極訊號線（G 1至G y )之一。 於此有三種顯示圖素：用以顯示顏色R之顯示圖素；用以 顯不顏色G之顯不圖素；和用以顯示顏色B之顯示圖素。 源極訊號線S p (其中p爲介於1和X間之任意數目 )，電源線V P，和閘極訊號線G Q (其中q爲介於1和 y間之任意數目）包含在用以顯示顏色R之顯示圖素之任 意選擇顯示圖素（p，Q )中。再者’和用以顯示顏色R 之顯示圖素（p ，q )相似的，源極訊號線S p，電源線 V p ，和閘極訊號線G q包含在R感應器圖素3 〇 4 a中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -37 - -----------裝---I----訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（35 ) 相似的’相同的源極訊號線，電源線，和閘極訊號線 包含在用以顯示顏色G之顯示圖素之任意選擇顯示圖素中 ，且包含在G感應器圖素3 0 4 b中。相似的，雖然圖中 未顯示，相同的源極訊號線，電源線，和閘極訊號線包含 在用以顯示顏色B之顯示圖素之任意選擇顯示圖素中，且 包含在B感應器圖素3 0 4 c中。顯示圖素和感應器圖素 3 0 4之構造與以圖3和圖4之數位方法驅動之例相同， 且因此，此實施例可參考該構造之說明。 其次，說明第一實施例之E L顯示器之驅動方法。 參考圖7。在源極訊號線驅動電路3 0 2中，一時鐘 訊號（C L K )和一啓始脈衝（S P )輸入至移位暫存器 3〇2 a。移位暫存器3 〇 2 a根據時鐘訊號（C L K ) 和啓始脈衝（S P )循序的產生時間訊號，藉以將時間訊 號循的饋至下游電路。 來自移位暫存器3 0 2 a之時間訊號使其電壓振幅在 位準移位器3 0 2 b中放大，且輸入至取樣電路3 0 2 c 。而後，取樣電路3 0 2 c和時間訊號同步的取樣具有類 比影像資訊之訊號（類比視頻訊號），依照一類比開關， 且所取樣之訊號輸入至對應源極訊號線。 源極訊號線驅動電路3 0 2 c可具有一緩衝器。大量 的電路或元件連接至時間訊號所饋至之接線，因此由於這 些電路或元件，負載電容（寄生電容）較大。於此提供緩 衝器以防止因爲此大的負載電容而使時間訊號之上升或下 降之尖銳度受到降低。 -------------------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -38- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（36 ) 另一方面，聞極訊號線驅動電路3 〇 3由移位暫存器 和一緩衝器（圖中未顯不）所組成。再者，除了移位暫存 器和緩衝器外，閘極訊號線驅動電路3 〇 3亦可具:有一位 準移位器。 在閘極訊號線驅動電路3 0 3中，來自移位暫存器（ 圖中未顯不）之時間迅5虎I貴至緩衝器（圖中未顯示），而 後供應至對應之閘極訊號線（亦稱爲掃瞄線）。聞極訊號 線連接至一線之開關T F T之閘電極，且一線之所有開關 丁 F T必須同時啓動。因此，需要使用具有大電流容量之 緩衝器。 値得注意的是此電路構造’驅動方法，和源極訊號線 驅動電路3 0 2和閘極訊號線驅動電路3 0 3之數目並不 限於第一實施例所述之構造。 圖8顯示以類比方法驅動本發明之E L顯示器之例之 時間圖。從一閘極訊號線依照一閘極訊號選擇直到選擇不 同的次一閘極訊號之週期稱爲一線週期（L )。再者，從 一影像之顯示至次一影像之顯示之週期視爲一框週期（F )。當有y個閘極線時，在一框週期內形成y個線週期（ L 1 至 L y )。 首先，電源線（V 1至V X )保持在預定電源電位。 相對電極亦保持在預定電位。當電源電位應用至圖素電極 時，相對電極之電位設定爲使其與電源電位間之電位差異 之位準達到使E L元件發光之程度。 在第一線週期L 1中，選擇訊號從閘極訊號線驅動電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -39- --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 __B7___ 五、發明說明（37 ) 路3 0 3輸入至閘極訊號線G 1。而後，取樣類比視頻訊 號輸入至源極訊號線（S 1至S X )。連接至閘極訊號線 G 1之所有開關T F T依照選擇訊號啓動，且因此，輸入 至源極訊號線之類比視頻訊號乃經由開關T F T輸入至 E L驅動T F T之閘電極。 在E L驅動T F T之通道形成區域中流動之電流量受 到輸入至其閘電極之訊號之電位高（電壓）所控制。因此 ，E L元件之圖素電極之電位高乃由輸入至E L驅動 T F T之閘電極之類比訊號之電位所決定。而後，E L元 件受到類比視頻訊號之電位之控制且發光。 重複上述之操作，且當類比視頻訊號輸入至源極訊號 線（S 1至S X )時，第一線週期L 1終止。於此，直到 完成輸入至源極訊號線（S 1至S X )之類比視頻訊號之 週期亦可與一水平返回週期一起當成一線週期。而後開始 第二線週期L 2，和選擇訊號輸入至閘極訊號線G 2。而 後，和第一線週期L 1相似的，類比視頻訊號依序輸入至 源極訊號線（s 1至S X )。 當選擇訊號輸入至所有閘極訊號線（G 1至G y )時 ，完成所有的線週期（L 1至L y )。當完成所有線週期 (L 1至L y )時，即完成一框週期。在一框週期內之所 有圖素中執行顯示，以形成一影像。所有線週期（L 1至 L y )可和一垂直返回週期一起當成一框週期。 因此，E L元件之亮度依照輸入至源極訊號線之類比 視頻訊號之電位而控制。灰階顯示依照亮度之控制而執行 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -40- --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（38 ) 〇 以下使用圖9說明如何依照從感應器部份3 〇 6輸出 之感應器輸出訊號校正顯示E L元件和感應器部份3 0 6 之亮度。一光接收二極體偵測在圖7中之感應器圖素中之 感應器E L元件之亮度。直到感應器輸出訊號輸入至感應 器接線之處理皆和在實施例模式中所示之數位驅動E L顯 示器之例相同，且因此省略其說明。 具有由光接收二極體所偵測之感應器E L元件之亮度 資訊之感應器輸出訊號在取樣週期中經由感應器輸出接線 F L而輸入至一視頻訊號校正電路。 圖9爲視頻訊號校正電路4 0 1之方塊圖。視頻訊號 校正電路4 0 1可與顯示部份3 0 1或感應器部份3 0 6 提供在相同基底上。再者，其亦可提供在I C晶片上且以 FPC等連接至感應器部份306。 視頻訊號校正電路4 0 1以A / D轉換電路4 0 2， 算術電路4 0 3，校正記憶體4 0 4，和D / A轉換電路 4 0 5所組成。雖然圖9之構造顯示校正記憶體4 0 4構 造當成算術電路4 0 3之一部份，但是，校正電路4〇4 和算術電路4 0 3亦可分離提供。 訊號產生器4 0 6產生具有數位影像資訊之訊號（數 位視頻訊號）’並輸入至算術電路4 0 3。當具有影像資 訊且從訊號產生器4 0 6輸出之訊號（視頻訊號）爲類比 時，此訊號先以A / D轉換器電路轉換成數位視頻訊號， 而後輸入至算術電路4 0 3。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) ·裝 訂--- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -41 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ____ Β7 五、發明說明（39 ) 從感應器輸出接線F L而來之感應器輸出訊號饋至A / D轉換器電路4 0 2，藉以轉換成數位感應器輸出訊號 和於此輸出。從A / D轉換器電路4 0 2輸出之數位感應 器輸出訊號而後輸入至算術電路4 0 3。 當顯示E L元件和感應器E L元件具有理想亮度時， 輸入至算術電路4 0 3之數位感應器輸出訊號之資料（校 正標準資料）乃儲存在校正記憶體4 0 4中。 算術電路4 0 3比較實際輸入至算術電路4 0 3之數 位感應器輸出訊號和儲存在校正記憶體4 0 4中之校正標 準資料。而後，根據介於所比較實際感應器輸出訊號和校 正標準資料間之差異，校正來自訊號產生器4 0 6而輸入 至算術電路4 0 3之數位視頻訊號。非常重要的是，當轉 換爲類比時，在校正後之數位視頻訊號具有必要之電位， 以獲得在顯示E L元件和感應器E L元件中之理想亮度。 對應於每一顯示顏色之感應器輸出訊號乃輸入至算術 電路4 0 3。例如，從R感應器圖素1 0 4 a ，G感應器 圖素1 0 4 b ，和B感應器圖素1 0 4 c輸出之三個感應 器輸出訊號在第一實施例中乃輸入至算術電路4 0 3。數 位視頻訊號受到校正以使具有所需高電位之類比視頻訊號 受到取樣和輸入至對應於每一顏色之圖素中（顯示圖素和 感應器圖素）。 所校正之數位視頻訊號而後從算術電路4 0 3輸入至 D / A轉換電路。輸入至D / A轉換電路4 0 5之校正數 位視頻訊號轉換成類比，而後輸入至源極訊號線驅動電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） :42 - -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ---- B7 五、發明說明（40 ) 3 〇 2之取樣電路3 0 2 c當成類比視頻訊號。類比視頻 訊號具有一必要之電位以獲得在顯示E L元件和感應器 E L元件中之理想亮度。 在本發明中，藉由採用上述構造，顯示E L元件和感 應器E L元件可具有理想的亮度，藉此，即使在E L顯示 器中之E L層受到破壞，亦可使E L顯示器執行淸楚和所 需之彩色顯示。 在第一實施例中，雖然感應器部份具有對應於R G B 之感應器圖素，但是，本發明並不限於此。於此亦可提供 對應於每一顏色之多數感應器圖素。 再者，藉由在視頻訊號校正電路中校正輸入至顯示部 份之類比視頻.訊號之電位，E L元件之亮度可以第一實施 例之類比驅動E L顯示器校正。但是，本發明並不限於此 。除了在視頻訊號校正電路中校正類比視頻訊號之電位外 ，和數位驅動E L顯示器相似的，亦可添加用以校正電源 電位之校正電路。 第二實施例 於此使用圖1 0 A至1 3 B說明使用本發明之E L顯 示器之製造方法。於此說明感應器部份之T F T之製造方 法，但是，亦可相似的製造顯示部份之T F T。 首先，如圖1 0 A所示，形成厚度爲3 0 0 n m之基 膜5 0 1在一玻璃基底5 0 0上。在第二實施例中，氮氧 化矽膜疊層當成基膜5 0 1。較佳的是，使接觸玻璃基底 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -43- --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（41 ) 之膜之氮濃度保持1 0至2 5 %重量百分比。此外，最好 爲使基膜5 0 1具有熱輻射效果，且亦可提供D L C (似 鑽石碳）膜。 而後，以已知之膜沉積法形成5 0 n m厚之非晶矽膜 (圖中未顯示）在基膜5 0 1上。於此無需限制於非晶砂 膜，只要是含非晶構造之半導體膜（包括微晶半導體膜） 皆可。此外，亦可使用含非晶構造之化合物半導體膜，如 非晶矽鍺膜。再者，膜厚度可爲2 0至1 〇 〇 n m。 而後以已知之技術使非晶矽膜結晶，形成結晶矽膜（ 多晶矽膜）5 0 2。已知之結晶方法，如使用電爐熱氧化 ，使用雷射光雷射退火結晶，或使用紅外線燈作燈退火結 晶。，在第二實施例中使用X e C 1氣體當成準分子雷射光 執行結晶。 在第二實施例中使用形成線性形狀之脈衝發射準分子 雷射光，但是，亦可使用矩形者。亦可使用連續發射氬雷 射光和連續發射準分子雷射光。 在此實施例中，雖然使用結晶矽膜當成T F 丁之主動 層，但是亦可使用非晶矽膜當成主動層。 可以非晶矽膜有效的形成開關T F T之主動層，其中 需要降低關閉電流，和以結晶矽膜形成E L驅動τ F T之 主動層。在非晶矽膜中電流難以流動，此乃因爲載子移動 率較低，且因此關閉電流難以流動。換言之，可採用之優 點爲在非晶砂膜中電流難以流動’和在結晶砂膜中電流可 輕易流動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -44- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（42 ) 其次，如圖1 Ο B所示，以具有1 3 0 n m厚之氧化 矽膜形成一保護膜5 0 3在結晶矽膜5 0 2上。此厚度可 選擇在1〇〇至2〇〇nm之範圍內（最好爲1 30至 1 7 0 n m )。再者，亦可使用其它膜，假設它們爲含矽 絕緣膜。形成保護膜5 0 3以使結晶矽膜在添加雜質時不 直接曝露至電漿，且因此，可具有精密的雜質控制。 而後形成阻止光罩5 0 4 a和5 0 4 b在保護膜5 0 3上，且一雜質元素（以下稱爲η型雜質元素）經由保護 膜5 0 3添加以授予η型。關於η型雜質元素方面，可使 用屬於V Α族之元素，如磷或砷。在第二實施例中，以電 漿摻雜法，其中磷化氫（P Η 3 )受電漿製動而未質量分離 ，以添加濃度爲1 X 1 0 1 8原子/ c m 3之磷。亦可使用 執行質量分離之離子植入法。 經由此步驟，摻雜劑量調整以形成η型雜質區域（b )505含有η型雜質元素之濃度爲2X1016至5x 1〇19原子/cm3 (典型爲5x 1〇17至5x 1〇18原 子 / c m 3 ) 〇 其次，參考圖i'/ 0 C，移除保護膜5 0 3和阻止光罩 5 0 4 a和5 0 4 b，並執行添加η型雜質元素之活化。 可使用已知之活化技術當成活化機構，但是在第二實施例 中以準分子雷射光照射（雷射退火）進行活化。當然，亦 可使用脈衝發射準分子雷射和連續發射準分子雷射，且無 需對準分子雷射光之使用作任何限制。其目的爲添加雜質 元素之活化，且最好是在結晶矽膜不會熔融之能量位準下 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂·--- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -45- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（43 ) 執行照射。雷射照射亦可以保護膜5 0 3取代以執行。 以熱處理（爐退火）之活化亦可以雷射光隨著雜質元 素之活化而執行。當以熱處理執行活化時，在考量基底之 熱阻下，最好在4 5 0至5 5 0 °C下執行熱處理。 以此步驟形成邊界部份（連接部份）在η型雜質區域 (b) 505之週邊，其中η型雜質區域（b) 505之 端部份未添加η型雜質。此意即，當T F T於後完成時， 可在L D D區域和通道形成區域間形成良好的連接部份。 其次，如圖1 0 D所不，移除結晶砂膜之不必要部份 ，且形成島形半導體膜（主動層）506至509。 而後，如圖1 0 Ε所示，形成閘極絕緣膜5 1 〇，覆 蓋主動層5 0 6至5 0 9。含石夕且厚度爲1 〇至2〇〇 n m，最好爲5 0至1 5 0 n m，之絕緣膜可使用當成閘 極絕緣膜5 1 0。亦可使用單層構造或疊層構造。在第二 實施例中使用1 1 0 n m厚之氮氧化矽膜。 其次’以厚度爲2 0 0至4 0 0 nm之導電膜定圖樣 形成閘電極5 1 1至5 1 5。電連接至提供導電路徑之閘 電極之接線（閘極接線）和閘電極以不同材料形成。更特 別而言，閘極接線以具有比閘電極更低的電阻率之材料形 成。此乃因爲使用可進行更精細處理之材料於閘電極，而 閘極接線乃是以可提供較小接線電阻而不適於精細處理之 材料形成。當然亦可以相问材料形成聞極接線和鬧電極。 雖然閘電極可以單層導電膜形成。但是，依需要，聞 電極亦可以兩層或三層疊層膜形成。關於閘電極之材料方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公董） -46- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ________ B7 五、發明說明（44 ) 面，可使用已知之導電膜。最好使用可進行精細處理之材 料，且更特別而言，可定圖樣2 // m或更小線寬度之材料 〇 典型的，膜之材料可使用選自鈦（T i )，鉅（丁 a )，鉬（Μ 〇 )，鎢（W )，鉻（C r )和矽（S i )之 元素製成之膜；或上述元素之氮化物膜（典型的，氮化鉅 膜，氮化鎢膜，或氮化鈦膜）；或上述元素之結合之合金 膜（典型的，Mo - W合金或Mo - Ta合金）；或上述 元素之矽化物膜（典型的，矽化鎢膜或矽化鉅膜）。這些 膜當然亦可使用單層膜或疊層膜型式。 在第二實施例中使用3 0 n m厚之氮化鎢（W N )膜 和3 7 〇 n m厚之鎢膜之疊層膜。可以濺鍍方法形成此膜 。再者，如果如X e或N e之惰性氣體添加至濺鍍氣體中 時，可防止因爲應力之膜剝離。 此時形成閘電極5 1 1重疊在η型雜質區域（b ) 5 0 5之一部份上。重疊部份於後變成重疊閘電極之 LDD區域（圖10E)。 其次參考圖1 ΙΑ，η型雜質元素（在第二實施例中 使用磷）使用閘電極5 1 1至5 1 5當成光罩自我調整的 添加。此時，添加之調整爲使對所形成之η型雜質區域（ c ) 516至523添加磷之濃度爲η型雜質區域（b )5〇5之1/2至1/10 (典型爲1/3至1/4) ◦具體而言，磷濃度最好爲1 X 1 〇16至5 X 1 018原子 /cm3 (典型爲3x 1〇17和3x 1 018原子/cm3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -47- --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ____ B7___ 五、發明說明（45 ) )° 而後，參考圖11B，形成阻止光罩524a至 5 2 4 c以覆蓋閘電極5 1 2至5 1 5，和添加η型雜質 元素（在此實施例中使用磷）以形成含有高濃度磷之雜質 區域（a ) 5 2 5至5 2 9。在此例中，使用磷化氫（ P Η 3 )之離子摻雜法應用於此，且執行調整，以使此區域 之磷濃度爲1 X 1 02Q至1 X 1 021原子/ cm3 (典型 爲 2xl02〇 和 5xl02〇 原子/ cm3)。 以上述步驟形成η通道T F T之源極區域或汲極區域 ，且在開關T F Τ中，留下形成在圖1 1 Α之步驟中之一 部份η型雜質區域（c ) 5 1 9至5 2 1。所留下之區域 相當於開關T F Τ之L D D區域。 其次，如圖1 1 C所示，移去阻止光罩5 2 4 a至 524d，和形成一新的阻止光罩530a和530b。 而後，添加P型雜質元素（在此實施例中使用硼），和形 成含有高濃度硼之雜質區域5 3 1至5 3 4。於此使用硼 化氫（B 2 Η 6 )之離子摻雜添加硼以形p型雜質區域 53 1至534，而添加硼之濃度爲3xl02Q至3x 1021原子/cm3 (典型爲5xl02〇和1X1021原 子 / c m 3 )。 在雜質區域5 3 1至5 .3 4中，磷已以濃度爲1 X 1〇2 °至1 X 1 0 2 1原子/ c m 3添加。但是，硼亦可以 至少三倍於磷濃度添加。因此，已事先形成之η型雜質區 域已完全改變爲Ρ型，且作用當成Ρ型雜質區域。 -----------·裝--------訂---------^9. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -48 - 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7____ 五、發明說明（46 ) 其次，在移除阻止光罩5 3 0 a和5 3 0 b後，使以 相關濃度添加之η型雜質區域或p型雜質區域活化。可使 用爐退火，雷射退火，或燈退火當成活化機構。在第二實 施例中，在氮氣下在電爐中在5 5 〇 〇c下熱處理4小時。 於此，需儘可能消除週遭環境的氧氣。此乃因爲即使 只存在少量氧氣時，閘電極之曝露表面亦會氧化，而導致 電阻之增加和難以於後和閘電極形成歐姆接觸。因此，在 週遭環境中用於活化處理之氧濃度最好設定爲1 P P m， 更好爲0 · 1 p p或更小。 在活化處理完成後，形成具有3 0 0 n m厚之閘極接 線（閘極訊號線）5 3 5。關於閘極接線5 3 5之材料方 面，可使用含鋁（A 1 )或銅（C u )當成主要成份（占 組成之5 0至1 〇 〇 % )之金屬膜。閘極接線5 3 5安排 以提供開關T F T之閘電極5 1 3和5 1 4之電連接（見 圖 1 1 D )。 上述之構造可使閘極接線之接線電阻顯著降低，且因 此，可形成具有大面積之影像顯示區域（顯示部份）。更 特別而言，依照第二實施例之圖素構造可有效的完成具有 對角線1 0吋或更大（3 0吋或更大）的E L顯示裝置。 其次，如圖1 2 A所示，形成第一中間層絕緣膜 5 3 7。可使用含矽之單層絕緣膜當成第一中間層絕緣膜 537 ’或疊層膜。再者，可使用之膜厚度介於4〇〇 n m至2 0 0 n m。在第二實施例中使用8 0 0 n m厚之 氧化矽膜疊層在2 0 0 n m厚之氮氧化矽膜上。 本紙張尺度綱巾關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱).49 - " -- --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 Α7 _______Β7 五、發明說明（47 ) 此外，在含3至1 0 0%氫氣之大氣中，在3 〇 〇至 4 5 〇 C上作用熱處理1至1 2小時，以執行氯化。此步 驟乃爲以熱激勵之氫氣終止半導體膜之未配對結合鍵。關 於氫化之另一機構方面，可執行電漿氫化（使用以電漿激 勵之氫氣）。 在形成第一中間層絕緣膜5 3 7時可插入氫化處理。 亦即，在氮氧化矽膜形成厚度爲2 0 0 n m時，可作用上 述氫化處理，且而後，形成氧化矽膜保持8 0 0 n m厚。 其次’在第一中間層絕緣膜5 3 7中形成接觸孔，且 形成源極接線5 3 8至5 4 1和汲極接線5 4 2至5 4 5 。在此實施例中，電極乃以具有1 〇 〇 n m鈦膜，3 0 〇 n m含鈦鋁膜，和1 5 0 n m鈦膜連續以依照濺鍍法形成 之三層構造之疊層膜形成。當然亦可使用其它導電膜。 其次形成厚度爲5 0至5 0 0 n m (典型的爲介於 2〇0和3 0 0 n m間）之第一被動膜5 4 7，如圖 1 2 B所示。在此實施例中，使用3 0 0 n m厚之氮氧化 矽膜當成第一被動膜5 4 7。此亦可以氮化矽膜取代之。 於此，在氮氧化矽膜形成前，如果使用含如Η 2或N Η 3等 之氣體進行電漿處理是相當有效的。以此先前處理激勵之 氫乃供應至第一中間層絕緣膜5 3 7，和藉由執行熱處理 可改善第一被動膜5 4 7之品質。同時，添加至第一中間 層絕緣膜5 3 7之氫擴散至下側，因此主動層可有效的氫 化。 其次，形成以有機樹脂製成之第二中間層絕緣膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -50- 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（48 ) 5 4 8。關於有機樹脂方面，可使用聚醯亞胺，丙烯酸纖 維，或B C B (苯並環丁烷）。特別的，由於第二中間層 絕緣膜5 4 8主要使用於位準化，且因此，最好使用具有 優良平坦性之丙烯酸膜。在此實施例中，形成之丙烯酸膜 具有之膜厚度足以位準化由T F T所形成之步階，其較適 當爲1至5 μ m (最好爲2至4 // m )(圖1 2 B )。 其次，在第二中間層絕緣膜5 4 8和在第一被動膜 5 4 7中形成一接觸孔以到達汲極接線5 4 3 ，而後形成 --光接收二極體（光電轉換元件）之陰極電極5 4 9 ，以 接觸汲極接線5 4 3。在第二實施例中，可使用以濺鍍形 成之鋁在金屬膜中，但是，亦可使用其它金屬，如鈦，鉬 ，鎢，或銅。再者，亦可使用鈦，鋁，和鉅製成之疊層膜 〇 其次，在沉積含氫非晶矽膜在基底之整個表面上後， 執行定圖樣，和形成光電轉換層5 5 0。一透明導電膜形 成在基底之整個表面上。在第二實施例中，以濺鍍沉積 2 0 0 n m厚之I T〇膜當成透明導電膜。定圖樣透明導 電膜，以形成一陽極電極5 5 1 (圖'1 2 C )。 而後，形成第三中間層絕緣膜5 5 3 ，如圖1 3 A所 示。藉由使用聚醯亞胺，聚醯胺，或丙烯酸樹脂當成第三 中間層絕緣膜5 5 3，可獲得一位準表面。在第二實施例 中，〇 · 7 // m厚之聚醯亞胺膜形成在基底之整個表面上 當成第三中間層絕緣膜5 5 3。 其次，在第三中間層絕緣膜5 5 3 ，第二中間層絕緣 --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -51 - 480727 五 A7 、發明說明（奶） 5 4 8 ，和第一被動膜5 4 7中形成一接觸孔，以到達 汲極接線5 4 5 ，和形成圖素電極5 5 5。再者，到達陽 極電極5 5 1之接觸孔形成在第三中間層絕緣膜5 5 3中 ’和形成一感應器接線5 5 4。在第二實施例中形成 1 1 〇 n m厚之I T〇膜（銦錫氧化物），且執行定圖樣 ’以同時形成感應器接線5 5 4和圖素電極5 5 5。再者 ’ ί參雜2至2 0 %氧化鋅（ζ η〇）之氧化銦亦可使用當 成透明導電膜。圖素電極5 5 5變成E L元件電極。 其次’以樹脂材料形成觸排5 5 6。觸排5 5 6可藉 由定圖樣厚度爲1至2 // m之聚醯亞胺，或丙烯酸樹脂而 形成。觸排5 5 6在圖素間形成有條紋狀。觸排5 5 6可 沿著源極接線5 4 〇形成，且其亦可沿著閘極接線5 3 5 形成。如染劑之材料可混合入形成觸排6 6 1之樹脂材料 中，和觸排6 6 1可使用當成一遮蔽膜。 其次’使用真空蒸鍍法連續形成E L層5 5 7和陰極 (MgAg電極）5 5 8而未曝露至大氣中。E L層 557之膜厚度從8〇至2〇Onm(典型爲1〇〇至 12〇nm)，和陰極之厚度從180至300nm (典 型爲200至2 50n m)。此外，在第二實施例中，只 顯示一圖素，但是，於此可同時形成發出紅色光之；E L層 ，發出綠色光之E L層，和發出藍色光之E l層。 在此步驟中’ E L層5 5 7相關於對應紅色之圖素， 綠色之圖素，和藍色之圖素循序的形成。但是，由於E乙 層5 5 7相對於溶液之承受性相當差，因此必須分離形成 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -52- 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（50 ) 每一顏色之圖素，而未依賴光石印技術。因此，藉由使用 金屬光罩，除了所欲之圖素外，其它區域皆受到密封，和 選擇性形成所需圖素之E L層5 5 7。 亦即，一光罩首先設定以密封除了用於紅色之圖素夕f 之所有圖素，且藉由使用此光罩，紅色光之E L層選擇性 形成。其次，一光罩設定以密封除了用於綠色之圖素外之 所有圖素，且藉由使用此光罩，綠色光之E L層選擇性形 成。其次，一光罩設定以密封除了用於藍色之圖素外之所 有圖素，且藉由使用此光罩，藍色光之E L層選擇性形成 。雖然上述使用不同的光罩，於此當然亦可重複使用相同 光罩。所需的是進行處理，而未破壞真空狀態，直到所有 圖素之E 1層形成。 在第二實施例中，E L層5 5 7爲只由發光層構成之 單層構造，但是E L層亦可具有四層構造包括電洞傳送層 ，電洞注入層，電子傳送層，和電子注入層。此型之結合 之各種例已經報導，且可使用任一構造。可使用已知材料 當成EL層5 5 7。在考量EL驅動電壓下，最好使用有 機材料。 其次，形成陰極5 5 8。在第二實施例中，顯示使用 M g A g電極當成E L元件之陰極之例，但是，亦可使用 其它已知材料。 因此可完成具有如圖1 3 B所示構造之主動矩陣基底 。在形成觸排5 5 6後直到形成陰極5 5 8之處理可使用 多室法（或線上法）薄膜形成裝置連續執行，而未曝露至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -53 - -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 480727 Α7 _ Β7 五、發明說明（51 ) 大氣中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第二實施例中亦說明感應器部份之T F T之製造方 法，但是，亦可同時形成顯示部份之T F T和驅動電路部 份之TFT在基底上。 緩衝TFT570，其爲一 η通道TFT，在第二實 施例中具有之構造爲降低熱載子注入，而在操作速度上儘 可能不降低，如圖1 3 B所示。緩衝T F T 5 7 0之主動 層包含一源極區域5 8 0，一汲極區域5 8 1 ，一 L D D 區域582，和一通道形成區域583。LDD區域 5 8 2經由閘極絕緣膜5 1 0而重疊閘電極5 1 1。 L D D區域之只形成在汲極區域側乃是考量不引起操 作速度之降低。再者，於此無需太關心緩衝T F T之關閉 電流値，而重要的是操作速度。因此，最好使L D D區域 5 8 2完全重疊閘電極5 1 1 ，以儘可能降低阻止電阻分 量。亦即，可消除所謂的偏置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，對於P通道TFT之重置TFT5 7 1和E L 驅動TFT5 7 3而言，由於熱載子之注入而造成之損壞 幾乎沒有影響，且因此，無須特別形成L D D區域。當然 ，亦可和η通道T F T相似的形成L D D區域，以對抗熱 載子。 在第二實施例中之開關T F Τ 5 7 2之主動層包含一 源極區域5 9 0，一汲極區域5 9 1 ，L D D區域5 9 2 至595 ，通道形成區域596和597，和一分離區域 5 9 8。形成L D D區域5 9 2至5 9 5以不經由閘極絕 -54· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（52 ) 緣膜5 1 〇重Μ閘電極5 1 3和5 1 4。此型之構造可極 有效的降低關閉電流。 再者，開關T F Τ 5 7 2具有雙聞極構造’且藉由使 用雙閘極構造，可有效的變成具有兩T F τ串聯連接之構 造，且可有效的降低關閉電流値。在第二實施例中使用雙 閘極構造，但是，亦可使用單閘極構造，且亦可使用處理 超過三個閘極之多閘極構造。 實際上，在完成圖1 3 B後’最好使用高氣密保護膜 (疊層膜，紫外線硬化樹脂膜等）或透光密封材料執行封 裝（密封），以使此裝置不會曝露至大氣。如果密封構件 之內部充塡以惰性氣體和乾燥劑（如氧化鋇）設置在密封 構件內部時，可以增加E L層之可靠度。 再者，在以如封裝處理進行氣密後，接附一連接器（ 彈性印刷電路F P C )，以連接形成在基底上之元件或連 接從電路拉出之端至外部訊號端’以獲得最終產品。在此 說明書中，可完全的準備於市場之E L顯示裝置視爲E L 模組。 可執行第二實施例之結合第一實施例。 第三實施例 在第二實施例中說明從E L元件發出之光照射在形成 有T F T之基底之側上之例。在第三實施例中說明從E L 元件發出之光照射在形成有T F T之基底之相對側上之例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -55 - --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（53 ) 雖然在第二實施例中使用P通道τ F T於E L·驅動 T F T，在此實施例中使用η通道T F T於E L驅動 T F Τ。因此，在添加η型雜質之處理中，在E L驅動 T F Τ中之主動層覆蓋以一光罩，而在添加ρ型雜質之處 理中，在E L驅動T F Τ中之主動層不覆蓋以一光罩。 在形成第三中間層絕緣膜6 5 3後，在第三中間層絕 緣膜6 5 3，第二中間層絕緣膜6 4 8，和第一被動膜 6 4 7中形成一接觸孔，以到達汲極接線6 4 5。而後， 形成圖素電極6 5 5。再者，到達陽極電極6 5 1之接觸 孔形成在第三中間層絕緣膜6 5 3中，和形成一感應器接 線6 5 4。在第三實施例中形成3 0 0 n m厚之鋁合金膜 (含1 w t %鈦之銘fl吴），且執彳了定圖樣，以同時形成感 應器接線6 5 4和圖素電極6 5 5。再者，雖然在第三實 施例中使用鋁合金膜形成圖素電極和感應器接線，但是， 本發明並不限於此，亦可使用M g A g。再者，亦可使用 其它材料當成E L元件電極。 其次，如圖1 4所示，以樹脂材料形成觸排6 6 1。 角却排6 6 1可藉由疋圖樣厚度爲1至2 // πι之聚釀亞胺， 或丙烯酸樹脂而形成。觸排6 6 1在圖素間形成有條紋狀 。觸排6 6 1可沿著源極接線（源極訊號線）6 4 〇形成 ’且其亦可沿著鬧極接線（鬧極訊號線）6 3 5形成。如 染劑之材料可混合入形成觸排6 6 1之樹脂材料中，和觸 排6 6 1可使用當成一遮蔽膜。 其次，形成發光層6 5 6。特別的，變成發光層 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -56- A7
480727 五、發明說明（54 ) 6之有機E L材料溶解在如氯仿，二氯甲烷，二甲苯 ’甲苯，或環乙烯之溶劑中，而後應用。此溶劑於後藉由 被行熱處理而蒸發，以形成有機E L材料發光層。 此外’在第三實施例中，只顯示一圖素，但是，於此 可同時形成發出紅色光之發光層，發出綠色光之發光層， 和發出藍色光之發光層。在第三實施例中，氰基聚苯撐乙 靖撐形成當成紅色發光層；聚苯撐乙烯撐形成當成綠色發 光層；和聚烷基苯撐形成當成藍色發光層，和每一層之厚 度爲5 〇 n m。使用1 · 2 —二氯甲烷當成溶劑，以熱板 在8 〇至1 5 0 °C下執行熱處理1至5分中，以蒸發濕氣 其次形成2 0 n m厚之電洞注入層6 5 7。電洞注入 層6 5 7可對所有圖素共同形成，且因此，可使用旋轉塗 覆或印刷法形成。在第三實施例中應用P E D〇T在水溶 液中，且使用一熱板在1 0 0至1 5 0 °C下執行熱處理1 至5分鐘，以蒸發濕氣。聚苯撐乙烯撐和聚烷基苯撐不溶 解在水中，且因此，可在此例中形成電洞注入層6 5 7， 而未溶解發光層6 5 6。 於此亦可使用低分子量有機E L材料當成電洞注入層 6 5 7。在此例中，其可以蒸鍍形成。 在第三實施例中，使用發光層和電洞注入層之雙層構 造，但是，亦可形成電洞傳送層，電子注入層，和電子傳 送層。此種型式之各種結合例已經報導，且亦可使用其它 構造。 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -57- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ---- B7 五、發明說明（55 ) 在發光層6 5 6和電洞注入層6 5 7形成後，形成 1 2 〇 n m厚之透明導電膜之陽極6 5 8當成相對電極。 在第三實施例中使用一透明導電膜，其中1 0至2 0 w t %之氧化鋅添加至氧化銦中。最好在室溫下以蒸鍍形 成陽極6 5 8，以使不會引起對發光層6 5' 6和電洞注入 層6 5 7之破壞。 一旦形成陽極6 5 8後，形成第四中間層絕緣膜· 6 59。藉由使用如聚醯亞胺，聚醯胺，聚醯胺亞胺，或 丙烯酸樹脂等樹脂當成第四中間層絕緣膜6 5 9 ，可獲得 --位準表面。在第三實施例中，形成〇 · 7 厚之聚醯 亞胺膜在基底之整個表面上當成第四中間層絕緣膜6 5 9 0 · 其次，形成厚度爲3 0 0 n m之一鋁膜（含1 W t % 鈦之鋁膜）在第四中間層絕緣膜6 5 9上。執行定圖樣， 以形成一反射板6 6 0。形成反射本6 6 0在由E L元件 所發出之光反射在反射板6 6 0且入射至光接收二極體之 光電轉換層6 5 0之位置是相當重要的。 雖然在第三實施例中，使用鋁合金以形成反射板 6 6 0，但是本發明並不限於此。亦可使用已知材料，假 設其爲非透明材料。例如，膜之材料可使用選自銅（C u )，銀（A g )，鈦（T i )，鉬（T a )，鉬（Μ ο ) ，鎢（W )，銘（C r )和砂（S i )之元素製成之膜； 或上述元素之氮化物膜（典型的，氮化鉬膜，氮化鎢膜， 或氮化鈦膜）；或上述元素之結合之合金膜（典型的， --I I----丨丨—丨丨丨丨訂------I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -58- 480727 7 2爲開關T F τ，和6 7 3爲E L驅動 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
之製造方法， 同時形成在基 氣密保護膜（ 材料執行封裝 果密封構件之 設置在密封構 附一連接器（ 上之元件或連 終產品。在此 裝置視爲E L A7 五、發明說明（56 M〇〜W合金或Mo-Ta合金）；或上述元素之矽化物 腠（典型的，矽化鎢膜或矽化鉅膜）。這些膜當然亦可使 用單層膜或疊層膜型式。 如此可完成具有如圖1 4所示構造之主動矩陣基底。
爹考數字6 7 0表不一緩衝tft，6 7 1爲一重置 TFT
TFT
在第三實施例中說明感應部份之T F T 但是，驅動T F Τ和顯示部份之τ F Τ亦可 底上。 實際上，在完成圖1 4後，最好使用高 疊層膜，紫外線硬化樹脂膜等）或透光密封 (密封），以使此裝置不會曝露至大氣。如 內部充塡以惰性氣體和乾燥劑（如氧化鋇） 件內部時，可以增加E L層之可靠度。 再者，在以如封裝處理進行氣密後，接 彈性印刷電路F P C )，以連接形成在基底 接從電路拉出之端至外部訊號端，以獲得最 說明書中，可完全的準備於市場之E L顯示 模組。 可執行第三實施例之結合第一實施例。 第四實施例 V在第四實施例中說明本發明之E L顯示器，其中感應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -59 -----------^^装--------訂--------- Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 A7 B7 五、發明說明（57 ) 器圖素之構造與實施例模式和第一至第三實施例不同。由 虛線所圍繞之區域爲感應器圖素7 〇 4。感應器圖素 7〇4包含源極訊號線S (介於（S 1至S X )間之任一 線），電源線V (介於（V 1至V X )間之任一線）’和 閘極訊號線G (介於（G 1至G y )間之任一線）° 此外，感應器圖素7 0 4具有開關T F T 7 3 0 ’ EL驅動TFT731，和一感應器EL元件732。在 圖1 5之構造中提供一電容7 3 3 ，但是，亦可形成未提 供電容7 3 3之構造。 感應器E L元件7 3 2以一陽極，一陰極，和提供在 其間之E L層所組成。當陽極連接至E L驅動 T F T 7 3 1之汲極區域時，換言之，當陽極爲圖素電極 時，陰極爲相對電極。另一方面，當陰極連接至E L驅動 T F T 7 3 1之汲極區域時，換言之，當陰極爲圖素電極 時，陽極爲相對電極。 開關T F T 7 3 0之閘電極連接至閘極訊號線G。開 關T F T 7 3 0之源極區域和汲極區域之一連接至源極訊 號線S，和另一連接至E L驅動T F T 7 3 1之閘電極。 E L驅動T F T 7 3 1之源極區域和汲極區域之一連 接至電源線V，和另一連接至感應器E L元件7 3 2。於 此提供電容7 3 3以連接至E L驅動T F T 7 3 1之閘電 極和電源線V。 再者，感應器圖素7 0 4具有一重置T F T 7 3 4， 一緩衝T F T 7 3 5，和一感應器T F T 7 3 6。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) ▼裝--------訂---- 蠢· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -60- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 Α7 __ Β7 五、發明說明（58 ) 較佳的是使感應器圖素7 0 4之重置TFT7 3 4和 緩衝TFT7 3 5之一爲η通道TFT，而另一爲P通道 T F T。再者，最好使緩衝T F T 7 3 5和感應器 T F T 7 3 6之極性相同。 重置T F T 7 3 4之閘電極連接至重置訊號線R L。 重置T F T 7 3 4之源極區域連接至感應器電源線V B和 緩衝T F T 7 3 5之汲極區域。感應器電源線V B固定的 保持在固定電位（標準電位）。再者，重置TFT734 之汲極區域連接至感應器T F T 7 3 6和緩衝 T F T 7 3 5之閘電極。 緩衝T F T 7 3 5之源極區域連接至感應器輸出接線 F L。感應器輸出接線F L進一步連接至固定電流源 7 3 7和固定電流於此固定的流動。再者，緩衝 T F T 7 3 5之汲極區域連接至感應器電源線V B，其固 定的保持在固定標準電位。緩衝T F T 7 3 5作用當成一 源極從動器。 感應器T F T 7 3 6之源極區域保持在預定電位。感 應器T F T 7 3 6之閘電極而後連接至感應器丁 F T電源 線S V B和始終保持在固定電位。介於感應器T F T之閘 電極和源極區域間之電位差異V ◦ s始終保持以使感應器 T F Τ始終保持在關閉狀態。感應器T F Τ 7 3 6之源極 區域和閘電極亦可具有電連接構造。在此例中，介於感應 器T F Τ之閘電極和源極區域間之電位差異V。s爲Ο V ’ 且因此，感應器T F Τ始終在關閉狀態。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -61 - 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（59 ) 以下說明感應器圖素7 〇 4之驅動。 首先’重置T F T 7 3 4根據饋至重置訊號線R L之 重置訊號而轉變爲啓動狀態。因此，感應器電源線V B之 標準電位應用至緩衝T F τ 7 3 5之閘電極。緩衝 T F T 7 3 5之源極區域經由感應器輸出接線fr L連接至 固定電流源，藉此，緩衝T F T 7 3 5之閘電極和源極區 域間之電位差異V。s恆爲一固定値。因此，緩衝 丁 F T 7 3 5之源極區域保持在從標準電位減去v。s之電 位上。在本說明書中’重置T F T 7 3 4在啓動狀態上之 週期視爲重置週期。 其次’饋至重置訊號線r L之重置訊號之電位改變， 藉此，重置T F T 7 3 4變成關閉狀態。因此.，感應器電 源線V B之標準電位並未應用至緩衝τ F T 7 3 5之閘電 極。在此說明書中，重置T F T 7 3 4在關閉狀態之週期 視爲一樣本週期。 在第四實施例中，可以數位方法或類比方法驅動具有 感應器圖素之E L顯示器。對於以數位方法驅動之例中， 最好使樣本週期比位址週期T a長。 當從感應器E L元件7 3 2而來之光照射至感應器 T F T 7 3 6時，關閉電流在感應器T F T 7 3 6之通道 形成區域中流動。重要的是感應器T F T 7 3 6爲一底閘 T F T。因此，緩衝T F T 7 3 5之閘電極之電位在樣本 週期中改變，且電位改變大小依照在感應器T F T 7 3 6 之通道形成區域中流動之關閉電流量而變。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -62- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 _ B7 五、發明說明（60 ) 因爲介於感應器T F T 7 3 6之閘電極和源極區域間 之電位差異Vcs爲固定値，在感應器TFT7 3 6之通道 形成區域中流動之關閉電流與感應器T F T 7 3 6所發出 之光強度成比例。換言之，比較當感應器E L元件7 3 6 之亮度爲高或低時，當亮度高時，依照感應器 T F T 7 3 6之通道形成區域而有大關閉電流流動。因此 ’相較於當感應器E L元件7 3 2之亮度低時，在亮度高 時，在緩衝T F T 7 3 5之閘電極之電位中之改變變大。 介於緩衝T F T 7 3 5之閘電極和源極區域間之電位 差異V。s爲始終固定。因此，當緩衝T F T 7 3 5之閘電 極之電位改變時，緩衝T F T 7 3 5之源極區域之電位亦 依照閘電極改變而改變。緩衝T F T 7 3 5之源極區域保 持在從緩衝T F T 7 3 5之閘電極之電位減去之電位 上。 緩衝T F T 7 3 5之源極區域之電位應用至感應器輸 出接線F L，藉以饋至一校正電路或視頻訊號校正電路當 成感應器輸出訊號。 圖1 6爲具有感應器圖素7 0 4之第四實施例之E L 顯示器之橫截面圖。在圖1 6中，參考數字8 1 1表示一 基底，和8 1 2爲一絕緣膜，其變成一基膜。關於透明基 底方面，典型的，可使用玻璃基底，石英基底，或結晶玻 璃基底當成基底8 1 1。但是，此基底必須能在生產處理 時耐高溫。 再者，在使用含有移動離子之基底或具有導電性之基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -63- 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（61 ) 底無須形成於石英基底之例中’基膜8 1 2非常有效。可 使用含矽之絕緣膜當成基膜8 1 2。在此說明書中，含砂 絕緣膜表示相對於矽含一預定比例之氧或氮之例如氧化砂 膜，氮化矽膜，或氮氧化矽膜（以S i〇X Ν γ : X和γ爲 整數）。 參考數字7 3 5表示緩衝TFT，7 3 4爲重置 TFT，7 3 6爲感應器TFT，7 3 0爲開關TFT， 和7 3 1爲E L驅動T F T。緩衝T F T 7 3 5，開關 TFT73 0 ，和感應器TFT736以η通道TFT形 成。再者，重置TFT734和EL驅動丁 FT73 1以 P通道T F T形成。 當所發出之E L光之方向向著基底側時，最好使開關 T F T和E L驅動T F T具有上述之構造。但是，本發明 並不限於此構造。開關T F T和E L驅動T F T可爲η通 道丁 FT或ρ通道TFT。再者，重置TFT7 3 4和緩 衝T F T 7 3 5具有互相不同之極性，且可爲η通道 TFT或ρ通道TFT。感應器TFT736亦可爲η通 道丁 F Τ或ρ通道T F Τ，假設它和緩衝T F Τ 7 3 5具 有相同極性。 開關T F Τ 7 3 0具有一主動層包括一源極區域 813，一汲極區域814，LDD區域815a至 8 1 5 d，分離區域8 1 6 ’和通道形成區域8 1 7 a和 8 1 7 b ; —閘絕緣膜8 1 8 ;閘電極8 1 9 a和8 1 9 b ;第一中間層絕緣膜8 2 0 ;源極接線（源極訊號線） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 64 - -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 刪727 A7 五、發明說明（62 ) 8 2 1 ;汲極接線（汲極訊號線）8 2 2 ;和通道形成區 域保護膜8 6 3和8 6 4。閘絕緣膜8 1 8或第一中間層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 絕緣膜8 2 0可根據電路或元件而共接或異接至基底上之 所有T F T。 再者’圖1 6所示之開關τ F T 7 3 0電連接至閘電 極8 1 9 a和8 1 9 b ，以形成所謂的雙閘極構造。當然 ’不只可使用雙層構造，亦可使用所謂的多閘極構造（包 含具有兩或多通道形成區域串接之主動層之構造），如三 閘極構造等。 多閘極構造可極有效的降低關閉電流値。如果開關 T F T之關閉電流値可降低至某一程度，連接至e L驅動 T F T 7 3 1之閘電極之電容之電容値亦可對應的降低。 亦即，可降低由電容占據之面積。因此，多閘極構造之使 用可有效的擴大E L元件之有效發光面積。 此外，在開關T F T 7 3 0中，提供L D D區域 8 1 5 a至8 1 5 d以使不會經由閘絕緣膜8 1 8而重疊 閘電極8 1 9 a和8 1 9 b上。此種構造可極有效的降低 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 長 置層在成 之至 偏體。形 do 一 導値道 5 . 成半流通 12 形之電在 8 爲 間成閉成 至 π 域組關形 0351區的低， 5 典 D 同降時 1 ， D 相以造 8 m L 域，構 域 和區 闊 區 δ 域成此多 D 3 區形於之 D 至 成道加極 L 5 形通施電 ， ♦ 道同未鬧 者 ο 通如壓個 再從 在由電多 。 爲。是域極或 値可Tl°的區閘兩 流 }μ1需一且有 電寬 5 所 {， 具 閉丨· 域成用 關度 2 區形使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -65 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（63 ) 區域間之分離區域8 1 6 (添加和源極區域或汲極區域相 同雜質元素以相同濃度之區域）可有效的降低關閉電流値 〇 其次，E L驅動T F T 7 3 1具有一主動層包括一源 極區域8 2 6，一汲極區域8 2 7，和一通道形成區域 8 2 9 ; —閘絕緣膜8 1 8 ; —閘電極8 3 0 ;第一中間 層絕緣膜8 2 0 ;通道形成區域8 6 5 ; —源極接線 8 3 1 ;和汲極接線8 3 2。 广 再者，開關T F T 7 3 0之汲極區域8 1 4連接至 ' E L驅動τ F T 7 3 1之閘極8 3 0。雖然圖中未顯示， E L驅動T F T 7 3 1之閘電極8 3 0經由汲極接線 > 2 2 ·(亦稱爲連接接線）而電連接至開關τ F 丁 7 3 0 之汲極區域8 1 4。閘電極8 3 0具有單閘極構造，但是 亦可爲多閘極構造。再者，E L驅動T F T 7 3 1之源極 接線8 3 1連接至電源線（圖中未顯示）。 E L驅動T F T 7 3 1爲一元件，以控制注入E L元 件之電流量且藉此可使相當大的電流在E L驅動 TFT7 3 1中流動。因此，其通道寬度（W)需要設計 成大於開關T F T 7 3 0之通道寬度。亦需設計通道以使 具有一增加之長度（L )，因此過多的電流不會流入E L 驅動T F T 7 3 1。一般而言，所流動之電流每一圖素從 0 · 5至2 μ A (較佳的，從1至1 · 5 μ A )。 再者，藉由使E L驅動T F T 7 3 1之主動層（特另[J 是通道形成區域）之膜厚度變厚（最好爲從5 〇至1〇〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -66- -------——--------訂 -------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（64 ) n m，且更好爲界於6 0至8 0 n m ) ’可抑制T F T之 損壞。相反的，在開關T F Τ 7 3 0之例中’從使關閉電 流値較小之角度觀之，最好使主動層（特別是通道形成區 域）之厚度變薄（最好爲從2 0至5 Ο n m ’且更好爲介 於 2 5 至 4 Ο n m )。 緩衝TFT735，重置TFT734，和感應器 T F T 7 3 6分別具有源極接線8 4 5，8 4 6 ’和· 8 8 5。再者，它們相似的具有汲極接線8 4 7 ’ 8 4 8 ，和8 8 7 ;閘電極8 4 3 ，8 3 9 ，和8 8 3 ;源極區 域840，835，和880 ;通道形成區域842 ’ 8 3 8，和 8 8 2 ;汲極區域 8 4 1 ，8 3 6，和 8 8 1 ;閘，極絕緣膜8 1 8 ;第一中間層絕緣膜.8 2.0 ;通道形 成區域保護膜8 6 1 ，8 6 2 ，和8 6 7 ;和L D D區域 844a，844b，884a，和 884b〇 在第四實施例中’ LDD區域844a ，844b ’ 884a ，和884b形成在緩衝TFT735和感應器 TFT7 3 6中，但是，亦可使用不具有LDD區域之構 造。 於此無需考量因熱載子注入而對爲p通道T F T之重 置T F T 7 3 4之損壞，且因此無需特別形成l D D區域 。當然，亦可藉由形成和緩衝TFT7 3 5和感應器 TFT7 3 6 (其爲η通道TFT)相似之LDD區域而 抵抗熱載子之注入。 通道形成區域保護膜8 6 1至8 6 5受遮蔽以形成通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -67- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ------- B7 五、發明說明（65 ) 道形成區域 842，838，817a，817b， 8 2 9 ’和8 8 2。於此無需使光通過通道形成區域保護 膜 8 6 1 至 8 6 5。 其次’參考數字8 4 9表示第一被動膜，和其膜厚度 可爲1〇n m至1 μ m (最好爲介於2〇〇至5〇〇 n m ) 。含矽之絕緣膜（特別的，氮氧化矽膜或氮化矽膜）可使 用當成被動膜材料。被動膜8 4 9扮演保護所製造之 T F T免於受到鹼性金屬和水之侵犯。鹼性金屬，如鈉等 ’包含在形成在最終T F T (特別是E L驅動T F T )上 之E L層8 5 4中。換言之，第一被動膜8 4 9作用當成 保護層以使鹼性金屬（移動離子）不會穿透入T F T側。 再者，參考數字8, 5 1表示第二中間層絕緣膜，其作 用當成一平坦膜以平坦由T F T所形成之步階。關於第二 中間層絕緣膜8 5 1方面，可使用有機樹脂膜，如聚醯.胺 ，聚醯亞胺，丙烯酸，或B C B (苯並環丁烷）。這些有 機樹脂膜形成可展現一小的特殊電介電常數之平坦表面。 由於E L層非常易受到粗糙度之影響，所需的是可藉由第 二中間層絕緣膜8 5 1吸收所有由T F T造成之步階。再 者，從降低形成在閘極接線或資料接線和E L元件之陰極 間之寄生電容之觀點而言，所需的是厚形成具有低特殊電 介電常數之材料。因此，較佳的，膜厚度爲〇 · 5至5 μ m (最好爲1 · 5至2 · 5 μ m )。 再者，參考數字8 5 2表示以透明導電膜製成之圖素 電極（E L元件陽極）。在第二中間層絕緣膜8 5 1和第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -68- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（66 ) 一-被動膜8 4 9中形成接觸孔（開口）後，圖素電極 8 5 2形成以連接至E L驅動T F T 7 3 1之汲極接線 8 3 2。再者，參考數字8 6 0表示以透明導電膜製成之 感應器接線，且在第二中間層絕緣膜8 5 1和第一被動膜 8 4 9中形成接觸孔（開口）後，感應器接線8 6 0形成 以在前述開口中連接至感應器T F T 7 3 6之源極接線 8 8 5。由於圖素電極8 5 2未直接連接至圖1 6所示之 汲極區域8 2 7，在E L層中之鹼性金屬可免於經由圖素 電極滲透入主動層。 在圖素電極8 5 2和感應器接線8 6 0上形成第三中 間層絕緣膜8 5 3 ，其爲氧化矽膜，氮氧化矽膜或一有機 fef Sh膜’且其厚度保持爲〇 · 3至1 μ ΠΊ。藉由在圖素電極 8 5 2上在第三中間層絕緣膜8 5 3中蝕刻而形成一開口 ，開口之緣以蝕刻而漸尖。漸尖之角度從1 〇至6 0 ° ( 最好爲從30至50° )。 E L層8 5 4形成在第三中間層絕緣膜8 5 3上。 E L·層8 5 4爲單層構造或疊層構造。但是，當其爲疊層 構造時，可獲得高的發光效率。一般而言，一電洞注入層 ’ 一電洞傳送層，一發光層，和一電子傳送層以所述順序 形成在電極上。但是，亦可形成如電洞傳送層/發光層/ 電子傳送層或電洞注入層/電洞傳送層/發光層/電子傳 送層/電子注入層之構造。在本發明中，可使用任何型式 之已知構造’或亦可執行螢光有色染料之摻雜入E L層中 本紙張尺度翻帽國家鮮(g)A4規格⑽χ 297公爱） -69- -----------Φ裝--------訂---------^9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（67 ) 圖1 6所示之構造爲當使用形成㈣應於R G B之二種 型式E L元件之例。雖然圖1 6只顯不一圖素’相问構造 之圖素形成以對應於紅，綠，和藍色，藉以產生一彩色顯 示。本發明可實際使用而無關於發光系統。 E L元件之陰極8 5 5形成在E L層8 5 4上當成相 對電極。關於陰極8 5 5方面，可使用含低工作係數材料 之材料如鎂（M g )，鋰（L i )，或鈣（C a )。較佳 的，可使用以M g A g製成之電極（以M g和A g以M g :A g = 1 〇 : 1之比例混合之材料）。此外，亦可使用
MgAgA 1電極，L iAl電極，和L i FA1電極。 所需的是在E L層8 5 4已形成後，連續形成的陰極 8 5 5未曝露至大氣中。此乃因爲介於陰極8.5 5和E L 層8 5 4間之介面狀態會顯著影響E L元件之發光效率。 在此說明書中，由圖素電極（陽極），E L層，和陰極所 形成之發光元件皆稱爲E L元件。圖1 6顯示感應器圖素 之橫截面圖，且因此，由虛線所圍繞之圖素電極8 5 2 ， EL層854，和相對電極855之部份即爲感應器EL 元件7 3 2。 對於每一圖素，E L層8 5 4和陰極8 5 5之疊層需 分離形成。但是，E L層8 5 4相對於水非常微弱，且無 法依賴一般光石印技術形成。因此，所需的是，以真空沉 積法，濺鍍法，或氣相法（如電漿C V D )，藉由使用如 金屬光罩等實質光罩材料而選擇性形成。 E L層8 5 4可以噴墨印刷或或網版印刷選擇性形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) -70- -----------裝--------訂—------ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) A7
五、發明說明（68 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^但是’現今，上述之方法皆無法連續形成陰極。因此， 最好使用其它方法。 再者’保護電極可形成在相對電極8 5 5上。保護電 極保護陰極8 5 5免於受到外部水分子之破壞，和同時連 ί女圖素之陰極8 5 5。關於保護電極方面，所需的是使用 具有含銘（A 1 )，銅（C u )或銀（A g )之低電阻之 材料。保護電極亦展現一熱輻射效果，以降低產生在E L 層中之熱。再者，在形成E L層8 5 4和陰極8 5 5後， 連續形成保護電極而無曝露至開放空氣時，是非常有效的 0 無庸贅言的是，圖1 6所示之所有T F T可具有一多 晶砂膜當成它們的主動層。’ , 本發明並不限於圖1 6之E L顯示器之構造，且圖 1 6之構造只是用以實施本發明之較佳實施例。 第五實施例 在第五實施例中說明本發明之E L顯示器之外部視圖 之例。 圖1 7A爲本發明之EL顯示器之頂視圖。在圖1 7 A中，參考數字40 1 0表示一基底，40 1 1爲一顯示 部份，4 0 1 2爲源極訊號線驅動電路，和4 0 1 3爲閘 極訊號線驅動電路。驅動電路經由接線4 0 1 4至 4016 ，其引領至FPC4017，而連接至外部裝置 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -71 - 480727 A7 ___B7 五、發明說明（69 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，感應器部分4 0 1 9以接線4 0 2 0連接至顯 示部份4 0 1 1 ，且以引導至F P C 4 0 1 7之接線 4 0 1 8連接至提供在基底外側之校正電路或視頻訊號校 正電路。雖然在第五實施例中，校正電路或視頻訊號校正 電路提供在基底外側，但是本發明並不限於此，而是校正 電路或視頻訊號校正電路亦可提供在基底上。 蓋構件6 0 0 0，密封構件（亦稱爲殻材料） 7 0 0 0，和密封劑（第二密封構件）7 0 0 1於此提供 以圍繞至少顯示部份4 0 1 1和感應器部份4 0 1 9 ，且 最好圍繞驅動電路4 0 1 2和4 0 1 3，感應器部份 4 0 1 9 ，和顯示部份4〇1 1 。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，圖1 7 B爲第五實施例之E L顯示器之構造之 橫截面圖，和驅動電路T F T (於此顯示結合η通道 TFT和ρ通道TFT之CMOS電路）4022和顯示 圖素之T F T (於此顯示用於控制流至E L元件之電流之 EL驅動TFT) 4023形成在基底4010和一基膜 4 0 2 1上。在圖中未顯示感應器圖素之TFT。這些 T F T具有已知之構造（頂閘構造或底閘構造）。 在使用已知製造方法完成驅動電路T F T 4 0 2 2和 E L驅動電路T F T 4 0 2 3後，以電連接至E L驅動 T F T 4 0 2 3之汲極之透明導電膜製成之圖素電極 4 0 2 7乃形成在以樹脂材料製成之中間層絕緣膜（位準 膜）4 0 2 8上。可使用氧化銦和氧化錫之化合物（ I T 0 )或氧化銦和氧化鋅之化合物當成透明導電膜。 。σ田由圃國突標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -72 - 480727
五、發明說明（7〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 旦形成圖素電極後，可形成絕緣膜4 〇 2 8，和開口形成 在圖素電極4027上。 其；人形成E L·層4 0 2 9。藉由自由結合已知ε L材 料（電洞注入層，電洞傳送層，發光層，電子傳送層，和 租寸‘注入層）而獲得之疊層構造，或單層構造可使用於 E L層4 0 2 9。可使用已知之技術以形成此一構造。再 者’在形成E L層中，可使用低分子量材料和高分子量材 料（聚合材料）。當使用低分子量材料時，可使用蒸鍍法 ’而當使用高分子量材料時，可使用簡單的方法，如印刷 法或噴墨法。 在第五實施例中使用遮蔽光罩以蒸鍍法形成E L層。 對於使用遮蔽光罩之每一圖素，藉由形成可發出不同波長 之光發光層（紅色發光層，綠色發光層，和藍色發光層） ’可進行彩色顯示。此外，亦可使用結合彩色改變層（ C C Μ )和濾色器之方法，或結合白色發光層和濾色器之 方法，或兩者之結合。當然亦可製成單色發光E L顯示器 在形成E L層4 Ο 2 9後，陰極4 Ο 3 0形成在頂部 。最好儘可能從介於陰極4 Ο 3 0和E L層4 Ο 2 9間之 介面移除濕氣和氧氣。因此需要之方法爲E L層4 Ο 2 9 和陰極4 Ο 3 0在真空下連續形成，或E L層4 Ο 2 9在 惰性氣體中形成，而後形成陰極4 0 3 0而未曝露至大氣 中。藉由使用多室法（叢集室法）膜形成裝置可執行上之 膜形成。 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -73- 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（71 ) 在第五實施例中L i F (氟化鋁）膜和A 1 (鋁）膜 之疊層構造使用當成陰極4 0 3 0。特別的，以蒸鍍法形 成lnm厚之L i F膜在EL層4029上，而後形成 3 0 〇 n m厚之鋁膜在L i F膜上。亦可使用已知之陰極 材料之M g A g電極。而後陰極4 0 3 0連接至在以參考 數字4 0 3 1表示之區域中之接線4 0 1 6。接線 4 0 1 6爲電源線，以供應一預定電壓至陰極4 0 3 0， 且經由一導電膏材料40 3 2連接至FPC40 1 7。 陰極4 0 3 0和接線4 0 1 6電連接至以參考數字 4 0 3 1表示之區域，且因此，需要在中間層絕緣膜 4 0 2 6和絕緣膜4 0 2 8中形成接觸孔。可在蝕刻中間 層絕緣膜4: 0 2 6時（當形成圖素電極接觸孔時）和在蝕 刻絕緣膜4 0 2 8時（當在形成E L層之前形成開口時） 形成接觸孔。再者，接觸孔亦可在蝕刻絕緣膜4 0 2 8時 藉由經由中間層絕緣膜4 0 2 6之一單擊中之蝕刻而形成 。假設中間層絕緣膜4 0 2 6和絕緣膜4 0 2 8以相同樹 脂材料形成時，可形成具有良好形狀之接觸孔。 被動膜6 0 0 3 ’塡充材料6 0 0 4，和蓋構件 6 0 0 0形成以覆蓋所形成之E L元件之表面。 此外’密封構件7 0 0 〇形成在由蓋構件6 0 0 0和 基底4 0 1 0所界定之空間，以圍繞包含圖素電極 4 0 27 ，EL層4029 ，和陰極4030之EL元件 。密封劑（第二密封構件）7 0 〇 1形成在密封構件 7 0〇〇之外側。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -74- -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 480727 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者’提供塡充材料6 Ο Ο 4以覆蓋EL元件。塡充 材料6 0 〇 4亦作用當成結合蓋構件6 〇 〇 〇之黏劑。關 於塡充材料6004方面，可使用PVC (聚氯乙烯）， 環氧樹脂，矽酮樹脂，P V B (聚乙烯醇縮丁醛），或 E V A (乙醇乙烯醋酸鹽）。較佳的是，在塡充材料中提 供〜乾燥劑，以維持濕氣吸收效果。 塡充材料6 0 0 4亦包括一間隔器。此間隔器可爲 B a 0等’因此此間隔器亦具有濕氣吸收效果。 如果提供有間隔器時，被動膜6 0 0 3可降低間隔器 壓力。亦可獨立於被動膜外提供一樹脂膜等以降低間隔器 壓力。 關於蓋構件6 0 0 〇方面，可使用一玻璃板.，鋁片， 不鏽鋼片’ F R P (玻璃纖維強化塑膠）片，p v f (聚 氯乙烯）膜，M y 1 a r膜，聚酯膜，或丙烯酸膜等。如 果使用PVB或EVA當成塡充材料6 0 0 4時，最好使 用具有厚度爲數十μ m之鋁箔夾在P V F或Mylar膜間之構 造之片。 來自E L元件之亮度方向（發光方向）之某些設定需 要使蓋構件6 0 0 0透明。 再者，接線4 0 1 6藉由通過介於密封構件7 0 〇 〇 ，密封劑7 0 0 1 ，和基底4 0 1 〇間之間隙而電連接至 F P C (彈性印刷電路）4 0 1 7。雖然已說明接線 4〇1 6之電連接，其它之接線40 14，40 1 5 ’和 4 0 1 8亦可藉由通過密封構件7 〇 〇 〇和密封劑 ------------訂-------1 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -75- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（73 ) 7〇〇1而電連接至FPC4017。 在第五實施例中，在已提供塡充材料6 0 0 4後，蓋 構件6 0 0 〇結合且密封構件7 0 0 0接附，以覆蓋塡充 材料6 0 0 4之側表面（曝露表面）。但是，亦可在蓋構 件6 0 0 0和密封構件7 0 0 0接附後，提供塡充材料 6〇0 4。在此例中，塡充材料注入孔形成以和以基底 4〇1〇，蓋構件6 0〇〇和密封構件7 0 0 0所形成之 空腔相通。空腔抽空以產生一真空（在1 〇 — 2 T 〇 r r或 更低），注入孔沒入在塡充材料之浴中，和在空腔外之氣 壓相對於在空腔中之氣壓而增加，藉以對空腔充塡塡充材 料。 第六實施例 在第六實施例中，參考圖1 8 A和1 8 B說明和第五 實施例不同之本發明之E L顯示器之外部視圖之例。和圖 1 7 A和1 7 B相同之部份以相同之參考數字表示，因此 省略其說明。 圖1 8 A爲第六實施例之E l顯示器之頂視圖，和圖 1 8 B爲沿圖1 8 A之線A - A $所截取之橫截面圖。 在覆蓋E L元件表面之被動膜6 〇 〇 3下之E L裝置 之內部以和第五實施例相同之方式形成。 提供塡充材料6 〇 〇 4當成黏劑以結合蓋構件 6〇〇〇°關於塡充材料6004方面，可使用PVC ( 聚氯乙烯）’環氧樹脂，矽酮樹脂，p v B (聚乙烯醇縮 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -76- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 _______________ B7 五、發明說明（74 ) 丁醛），或E V A (乙醇乙烯醋酸鹽）。較佳的是，在塡 充材料中提供一乾燥劑，以維持濕氣吸收效果。 填充材料6 0 0 4亦包括一間隔器。此間隔器可爲 B a 0等’因此此間隔器亦具有濕氣吸收效果。 如果提供有間隔器時，被動膜6 0 0 3可降低間隔器 壓力。亦可獨立於被動膜外提供一樹脂膜等以降低間隔器 壓力。 關於蓋構件6 0 0 0方面，可使用一玻璃板，鋁片， 不鏽鋼片，F R P (玻璃纖維強化塑膠）片，p v F (聚 氯乙烯）膜’ M y 1 a r膜，聚酯膜，或丙烯酸膜等。如 果使用PVB或EVA當成塡充材料6 0 〇 4時，最好使 用具有厚度爲數十// m之鋁箔夾在P V F或Mylar膜間之構 造之片。 來自EL元件之亮度方向（發光方向）之某些設定需 要使蓋構件6 0 0 〇透明。 其次’盍構件6 0 0 0使用塡充材料6 0 0 4結合。 而後，框構件6 0 〇 1接附以覆蓋塡充材料6 〇 〇 4之側 表面（曝露表面）。框構件6 0 0 1以密封構件6 〇 〇 2 (作用當成黏劑）結合。較佳的是，使用光硬化樹脂當成 密封構件6 0 0 2。但是，如果E L層之熱阻高到可允許 使用熱塑性樹脂時，亦可使用熱塑性樹脂。所需的是，密 封構件6 0 0 2具有儘可能阻止濕氣和氧氣穿透之特性。 亦可將一乾燥劑混入密封構件6 0 0 2中。 再者，接線4 0 1 6藉由通過介於密封構件6 〇 q 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 77 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅3事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ____________ B7 五、發明說明（75 ) ，和基底4 0 1 〇間之間隙而電連接至F P C (彈性印刷 電路）4 0 1 7。雖然已說明接線4 0 1 6之電連接，其 它之接線40 14，40 15 ，和40 18亦可藉由通過 密封構件 6 002而電連接至FPC40 1Γ7。 在第六實施例中，在已提供塡充材料6 0 〇 4後，蓋 構件6 0 0 0結合且框構件6 0 0 1接附，以覆蓋塡充材 料6 0 0 4之側表面（曝露表面）。但是，亦可在蓋構件 6 0 0 0，密封構件6 0 0 2 ，和框構件6〇〇 1接附後 ，提供塡充材料6 0 0 4。在此例中，塡充材料注入孔形 成以和以基底4 0 1 0，蓋構件6 0 0 0，密封構件 6〇0 2，和框構件6 0 0 1所形成之空腔相通。空腔抽 空以產生一真，空（在1 0 — 2 T 〇 r r或更低），注入孔沒 入在塡充材料之浴中，和在空腔外之氣壓相對於在空腔中 之氣壓而增加，藉以對空腔充塡塡充材料。 第七實施例 圖1 9顯示在E L顯示器中顯示部份之更詳細橫截面 構造，圖2 0A爲其頂部構造，和圖2 0 B爲其電路圖。 在圖1 9和圖2 0 A和2 0 B中使用相同的符號，且因此 可互相參考。 在圖1 9中，形成在基底3 5 0 1上之開關 TFT3 5 0 2爲以已知方法形成之η通道TFT。在第 七實施例中使用雙閘極構造，但是，其在構造和製造方法 中並無顯著差異，因此省略其說明。藉由使用雙閘極構造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -78 - -----------裝--------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（76 ) ，實際上其變成兩T F T串聯連接之構造，具有可降低關 閉電流値之優點。雖然在第七實施例中使用雙閘極構造’ 於此亦可使用單閘極構造或三閘極構造，且亦可使用處理 超過三個閘極之多閘極構造。再者，亦可使用以已知方法 形成之P通道TFT。 以已知方法形成之η通道T F T使用當成E L驅動 T F Τ 3 5 0 3。開關T F Τ 3 5〇2之汲極接線3 5以 一接線3 6電連接至E L驅動T F Τ 3 5 0 3之閘電極 3 7。再者，以參考數字3 8表示之接線爲用以連接開關 T F Τ 3 5 0 2之閘電極3 9 a和3 9 b之閘極接線。 E L驅動T F T 3 5 0 3爲用以控制在顯示E L元件 中流動之電流之元件，且因此，許多電流在此流動。因此 ，E L驅動T F T 3 5 0 3爲具有會因熱和熱載子而受到 破壞之高危險性元件。因此，可提供經由閘極絕緣膜重疊 閘電極之L D D區域在E L驅動T F T 3 5 0 3之汲極側 ，藉以防止因熱和熱載子之損壞。 在第七實施例之圖中顯示具有單閘極構造之E L驅動 TFT3 5 0 3 ，但是亦可使用多數TFT串聯連接之多 閘極構造。此外，亦可使用多數T F T並聯連接且實質將 通道形成區域分成多數通道形成區域之構造，因此，熱可 以高效率釋放。此型之構造可有效的使用當成抵抗因熱損 壞之對策。 再者，如圖2 0 A所示，包括E L驅動 T F T 3 5 0 3之閘電極3 7之接線3 6經由在以參考數 >紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -79 - -------------------訂---------^_^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ___ B7 五、發明說明（77 ) 字3 5 0 4表示之區域中之絕緣膜而重疊E L驅動 T F T 3 5 0 3之汲極接線4 0。此時，一儲存電容形成 在以參考數字3 5 0 4所示之區域中。儲存電容3 5 0 4 以電連接至電源線3 5 0 6和閘極絕緣膜在相同層上之一 絕緣膜（圖中未顯示），和接線3 6之半導體摩3 5 2 0 形成。再者，可使用一電容，其由接線3 6 ，與第一中間 層絕緣膜相同層（圖中未顯示），和電源線形成，當成儲 存電容。儲存電容3 5 0 4作用當成一電容以儲存應用至 E L驅動T F T 3 5 0 3之閘電極3 7之電壓。E L驅 TFT3 5 0 3之汲極連接至電源線3 5 0 6 ，且一固定 電壓始終應用於此。 第一被動膜4 1形成在開關T F T 3 5 0 2和E L驅 動T F T 3 5 0 3上，和一位準膜4 2形成在絕緣樹脂膜 之頂部。使用位準膜4 2位準化因T F T引起之步階極爲 重要。於後形成之E L層極薄，因此會有因存在步階而發 生缺陷光發出之例。因此，爲了形成儘可能位準化之E L 層表面，最好在形成圖素電極前，執行位準化。 再者，參考數字4 3表示以具有高反射率之導電膜製 成之一圖素電極（顯示E L元件陰極），且其電連接至 E L驅動T F T 3 5 0 3之汲極區域。對於圖素電極4 3 而言，最好使用低電阻導電膜，如鋁合金膜，銅合金膜， 和銀合金膜，或其疊層膜。當然，亦可使用與其它導電膜 之疊層膜。 此外，發光層4 5形成在以觸排4 4 a和4 4 b所形 -----裝-------—訂 -------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -80- 480727 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（78 ) 成之凹槽之中間（相關於圖素），觸排以絕緣膜（最好爲 樹脂）形成。再圖2 Ο A中，省略部份觸排，只顯示觸排 4 4 a和4 4 b ，以使儲存電容3 5 0 4之位置較爲淸晰 。但是’觸排乃提供在圖素間以部份的覆蓋電源線 3 5 0 6和源極接線3 4。在圖中只顯示兩圖素，但是， 可形成發光層以分別對應於R G B。7Γ共軛聚合物型材料 使用當成有機EL材料。PPV (氰基聚苯撐乙烯撐）型 ’ P V K (聚乙烯咔唑）型，和聚芴型可使用當成典型的 聚合物型材料。 於此有數種P P V型有機E L材料，且可使用揭示於 5 he nk.H.,Becker.H.,Gelsen.O.,Kluge.E.,Kreuder.W., 和 Spreitzer.H.，所發表的 ''用於聚合物之發光二極體〃， EuroDisplayProceedings ，1 9 9 9，P P · 3 3 — 7，和 曰本專利案第平i 〇 — 9 2 5 7 6號案所揭示之材料。 關於特殊發光層方面，氰基聚苯撐乙烯撐形成當成紅 色發光層；聚苯撐乙烯撐形成當成綠色發光層；和聚苯撐 乙烯撐或聚烷基苯撐形成當成藍色發光層。膜厚度爲3 0 至15〇nm(最好爲40至l〇〇nm) 〇 但是，上述只是可使用當成發光層之有機E L材料之 例，但是本發明並不限於這些材料。E L層（發光且用以 移動用於光發射之載子之層）亦可藉由自由結合發光層， 電荷傳送層，和電荷注入層而形成。 例如，第七實施例顯示使用聚合物型材料當成發光層 之例，但是，亦可使用低分子量有機E L材料。再者，可 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝--------訂---- 蠢· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -81 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ------- - B7 五、發明說明（79 ) 使用無機材料，如碳化矽，當成電荷傳送層或電荷注入層 。司使用義知之材料於有機E L材料和無機材料。 在第七實施例中，使用疊層構造E L層，其中以 PEDOT或PAn i製成之電洞注入層46形成在發光 層4 5上。而後，陽極4 7以一透明導電膜形成在電洞注 入層4 6上。在第七實施例中，由發光層4 5產生之光照 向上表面（向著T F T之頂部），且因此，陽極必須是透 光的。可使用氧化銦和氧化錫之化合物，或氧化銦和氧化 鋅之化合物當成透明導電膜。但是，因爲其在形成低熱阻 發光層和電洞注入層後形成，最好使用可儘可能在低溫下 沉積之材料。 在形成陽極4 7時，完成E L元件3 5 0 5。於此所 謂的E L元件3 5 0 5爲以圖素電極（陰極）4 3 ，發光 層45 ，電洞注入層46，和陽極47形成之電容。圖素 電極4 3在面積上幾乎等於圖素，且因此，整個圖素作用 當成E L元件。因此，發光效率極高，且可顯示明亮影像 〇 此外，在第七實施例中，形成第二被動膜4 8在陽極 4 7上。最好使用氮化矽膜或氮氧化矽膜當成第二被動膜 4 8。其目的爲將顯示E L元件與外界隔離，且可防止因 有機E L材料之氧化而造成之損壞，以及控制來自有機 E L材料之除去氣體。因此可提供E L顯示器之可靠度。 本發明之E L顯示板具有以如圖1 9所示構造之圖素 形成之顯示部份，且具有一充分低的關閉電流値，和可強 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -82- -------------------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 B7 五、發明說明（8〇 ) 烈抵抗熱載子注入之E L驅動T F T。因此可獲得具有高 可靠度和顯示良好影像之E L顯示器。 藉由自由的結合第四實施例和實施例模式和第一實施 例之構成，可實施第四實施例之構成。 第八實施例 在第八實施例中說明在第/七實施例中之圖素部份反向 之顯示E L元件3 5 0 5之構造。於此使用圖2 1說明。 在圖2 1和圖1 9間之差異只有顯不E L兀件和E L驅動 T F T 3 5 0 3，因此省略其它部份之說明。 在圖2 1中之EL驅動TFT3503爲使用已知方 法製造之P通道T F T。形成p通道T F T之方法可參考 第二實施例之製造方法。 在第五實施例中，透明導電膜使用當成圖素電極（陽 極）5 0。特別的，使用以氧化銦和氧化鋅之化合物製成 之導電膜。當然，亦可使用以氧化銦和氧化錫之化合物製 成之導電膜。 在以絕緣膜製成觸排5 1 a和5 1 b後，藉由溶液塗 覆，以聚乙烯形成發光層5 2。以乙醯丙酮鉀（acacK )製 成之電子注入層形成在發光層上，和形成以鋁合金製成之 陰極5 4。在此例中，陰極5 4亦作用當成一被動膜。因 此可形成顯示E L元件3 7 0 1。 在第八實施例中，由發光層5 2所產生之光照向形成 有TFT之基底，如箭頭所示。 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -83- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 _ B7 五、發明說明（81 ) 藉由自由的結合第五實施例和第一至第三實施例之構 成，可實施第五實施例之構成。 第九實施例 在第九實施例中，具有與圖2 Ο B所示之電路圖不同 構造之圖素之例如圖2 2 A至2 2 C所示。在第九實施例 中，參考數字3 8 0 1表示一源極訊號線，其爲開關. T F T 3 8 0 2之源極接線之一部份，參考數字3 8 0 3 爲一閘極訊號線，其爲開關T F T 3 8 〇 2之閘極接線之 一部份，參考數字3 8 0 4爲一 E L驅動T F T， 38 0 5爲一電容，38 0 6和38 0 8爲電源線，和 3 8 0 7爲一顯示E L元件。 圖2 2 A爲電源線3 8 0 6共接於兩圖素間之例。圖 2 2 A之例之特徵在於兩圖素對稱於電源線3 8 0 6而形 成。在此例中，可降低電源線之數目，且顯示部份具有更 高的解晰度。 再者，圖2 2 B爲形成電源線3 8 0 8平行於閘極訊 號線3 8 0 3之例。圖2 2 B具有一構造，其中電源線 3 8 0 8和閘極訊號線3 8 0 3不重疊的形成。但是，假 如它們兩者形成在不同層上時，它們可經由一絕緣膜重疊 形成。在此例中，由電源線3 8 0 8和閘極訊號線 3 8 0 3所占據之面積可共用，且因此顯示部份具有更高 的解晰度。 此外，圖2 2 C具有之構造之特徵在於電源線 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅5事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -84- 480727 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（82 ) 3 8 0 8平行於閘極訊號線3 8 0 3形，如同圖2 2 B ’ 此外，兩圖素對稱於電源線3 8 0 6而形成。再者，亦可 有效的使電源線3 8 0 8重疊於閘極訊號線3 8 0 3之一 。在此例中，可降低電源線之數目，且顯示部份具有更高 的解晰度。 藉由自由的結合實施例模式和第一實施例至第六實施 例之任一構成，可實施第九實施例之構成。再者，於此可 有效的使用具有第九實施例之圖素構造之E L顯示器當成 在第十一實施例中之電子設備之顯示裝置。 第十實施例 在第十實施例中說明省略用以保持應用至E L驅動 T F T之閘電極之電壓之儲存電容之構造。對於E L驅動 T F T爲η通道T F T且形成有一 L D D區域以經由一閘 極絕緣膜重疊閘電極之例而言，一般視爲閘極電容之寄生 電容乃形成在重疊區域。此寄生電容主動的使用當成儲存 電容之替代物，其爲第十實施例之特徵。 寄生電容之電容値依照閘電極和L D D區域重疊之表 面積而改變，且由包括在重疊區域中之LDD區域之長度 所決定。 再者，亦可相似的省略在第九實施例中之圖2 2 A， 2 2 B，和2 2 C之構造所不之儲存電谷。 藉由自由的結合第一實施例至第九實施例之任一構成 ，可實施第十實施例之構成。再者，於此可有效的使用具 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ·裝 訂---- 華 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -85- 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（83 ) 有第十實施例之圖素構造之E L顯示器當成在第十一實施 例中之電子設備之顯示裝置。 第十一實施例 本發明並不限於在一感應器圖素中之發光二極體只偵 測由感應器E L元件所發出之光之亮度之構造。除了感應 器£ L元件之光之亮度外，感應器圖素中之發光二極體亦 司偵測由E L顯示器之外側之光（外界光）之亮度，且藉 由調整至外界亮度，可執行E L元件之亮度之校正。例如 ’當外界光之亮度較高時，校正以使E L元件之亮度較低 ’另一方面，當外界光之亮度較低時，則增加E L元件之 亮發。 依照上述之構造，可顯示淸晰影像，而無關於週遭之 亮度。 第十二實施例 於此說明本發明之E L顯示器，其中感應器圖素之構 造和實施例模式，第一至第四實施例所述者不同。 第十二實施例之感應器圖素之電路圖和實施例模式所 示之E L顯示器者相同，且因此可參考圖3。在第十二實 施例中之光接收二極體之構造與實施例模式者不同。第十 二實施例之感應器圖素之橫截面圖如圖2 5所示，以說明 第十二實施例中之光接收二極體之構造。 參考數字9 3 5表示一緩衝TFT，參考數字9 3 4 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公Μ ) -86- 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（84 ) 爲—重置TFT，936爲光接收二極體，930爲一開 關TFT，931爲EL驅動TFT，和932爲一感應 器E L元件。 光接收二極體9 3 6具有陽極9 8 0，陰極9 8 1 ， 通道形成區域9 8 3，緩衝區域9 8 4，陽極接線9 8 5 ’和陰極接線9 8 6在一主動層內。 第十二實施例之陽極9 8 0和陰極9 8 1藉由摻雜P 型雜質或η型雜質至主要本徵半導體本體而形成。添加至 陽極9 8 0和陰極9 8 1之雜質極性相同。再者，添加至 陽極9 8 0和陰極9 8 1之雜質以較低的濃度添加至緩衝 區域9 8 4。 較佳的是，添加至緩衝T F Τ 9 3 5之源極區域和汲 極區域之極性和添加至光接收二極體9 3 6之陽極9 8 0 和陰極9 8 1之雜質之極性相同。光接收二極體9 3 6之 陰極9 8 1電連接至重置T F Τ 9 3 4之汲極區域和緩衝 T F Τ 9 3 5之聞電極。光接收二極體9 3 6之陽極 9 8 0保持在固定電位。 當光接收二極體9 3 6受到來自感應器E L元件 9 3 2之光之照射時，電流在光接收二極體9 3 6中流動 。緩衝T F Τ 9 3 5之閘電極之電位，其在重置週期中固 定，乃因此在樣本週期中改變，且電位改變量依照在光接 收二極體9 3 6中流動之電流量而改變。 在光接收二極體9 3 6中流動之電流和照射光接收二 極體9 3 6之光強度成比例。亦即，比較感應器E L元件 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -87- 480727 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（85 ) 9 3 2之光売度在局和低時’當売度爲局時’在光接收__‘ 極體9 3 6中流動之較大的電流。因此，相較於亮度較低 時’當感應器E L元件9 3 2之光亮度較高時，在緩衝 T F T 9 3 5之閘電極之電位改變較大。 介於緩衝T F 丁 9 3 5之源極區域和閘電極間之電位 差異V。s始終固定，且因此，緩衝T F T 9 3 5之源極區 域保持在從緩衝T F T 9 3 5之閘電極之電位減去V。s之 電位上。當緩衝T F T 9 3 5之閘電極改變時，緩衝 T F T 9 3 5之源極區域之電位亦對應改變。 緩衝T F Τ 9 3 5之源極區域之電位提供至感應器輸 出接線F L ’且輸入至一校正電路或視頻訊號校正電路當 成感應器輸出訊號.。 在未添加任何對光接收二極體之新的製造步驟下，光 接收二極體可與其它T F Τ同時形成，且在第十二實施例 中可降低E L顯示器之製造步驟數目。 第-·h三實施例 藉由執行本發明而形成之E L顯示裝置相較於液晶顯 示裝置在明亮位置上更具優良可見度，因爲其爲自我發射 型裝置’且其視角較廣泛。因此，其可使用當成各種電子 裝置之顯示部份。例如，本發明之E L顯示器可使用當成 —一具有對角線達3 0吋或更大之E L顯示器之顯示部份（ 典型爲4 0吋或更~大），以以大螢幕觀賞電視傳播。 所有可展現（顯示）資訊之顯示器，如個人電腦顯示 本紙張尺度適用中國國豕標準^ (CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -88- -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 A7 B7 五、發明說明（明） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 益’ τ v傳播接收顯示器，或廣告顯示器皆包括當成E L 顯示裝置。再者，本發明之E L顯示裝置可使用於其它各 種電子裝置之顯示部份。 ， 下述爲電子裝置之範例：視g攝影機；數位相機；魚 眼型顯示器（頭戴型顯示器）；車輛導航系統；音頻再生 裝置（如車輛音頻系統，聲明組成系統）；筆記型個人電 腦；手提資訊終端機（如手提電腦，行動電話，行動遊戲 設備’或電子書）；和提供有記錄媒體之影像播放裝置（ 特別是’可執行記錄媒體播放且可提供顯示這些影像之顯 示器之裝置，如數位視頻碟（D V D ))。特別的，由於 手提資訊終端常常從對角線觀看，視角之寬廣度相當重要 °因此，最好使用E L顯示裝置。這些電子設備之範例顯 示於圖23A至24B。 圖2 3A爲一 E L顯示器，包含，包含一殼2 0 0 1 ’一支持台2 0 0 2 ，和一顯示部份2 0 0 3和一感應器 部份2 0 0 4。本發明可使用在顯示部份2 0 0 3和一感 應器部份2 0 0 4中。由於此顯示器爲自我發射型裝置而 無需背光，其顯示部份可製成比液晶顯示裝置薄。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖23B爲一視頻攝影機，且包含一主體2101 ， 一顯示部份2 1 0 2 ，一聲音輸入部份2 1 0 3，操作開 關2 1〇4 ，一電池2 1〇5 ，一影像接收部份2 1〇6 ，和一感應器部份2 1 0 7。本發明之E L顯示裝置可使 用在顯示部份2 1 0 2和一感應器部份2 1 0 7中。 圖2 3 C爲頭戴式E L顯示器之一部份（右側），包 -89- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公董） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 —--— ____Β7______ 五、發明說明（87 ) v 含一主體2 2 0 1 ，一訊號線2 2 0 2，一頭固定帶 2 2 〇 3 ，一顯示部份2 2 0 4 ，一光學系統2 2〇5 ， 一 EL顯示裝置2206 ，和一感應器部份2207。本 發明可使用在E L顯示裝置2 2 0 6和一感應器部份 2 2 0 7 中。 圖2 3 D爲一提供有記錄媒體之影像播放裝置（特別 是，DVD播放裝置），且包含一主體2301，一記錄 媒體（如D V D ) 2 3 0 2，一操作開關2 3 0 3，一顯 示部份（a ) 2 3 0 4，一顯示部份（b ) 2 3 0 5，和 一感應器部份2 3 0 6。顯示部份（a )主要使用於顯示 影像資訊，和顯示部份（b )主要使用於顯示文字資訊， 和本發明之E L顯示裝置可使用在顯示部份（a ) 2 3 0 4，顯示部份（b ) 2 3 0 5，和一感應器部份 2 3 0 6中。値得注意的是，遊戲設備包括在提供有記錄 媒體之影像播放裝置中。 圖2 3 E爲一魚眼型顯示器（頭戴式顯示器），且包 含一主體2 4 0 1，一顯示部份2 4 0 2，一臂部份 2 4 0 3 ，和和一感應器部份2 4 0 4。本發明可使用於 顯示部份2 4 0 2和臂部份2 4〇3中。在圖2 3 E中， 雖然和一感應器部份2 4 0 4提供在臂部份2 4 0 3中， 但是，本發明並不限於此。感應器部份2 4 0 4亦可成列 的提供於顯示部份2 4 0 4。 圖23F爲一個人電腦，且包含一主體2501，一 殼2 5〇2 ，一顯示部份2 5 0 3 ’ 一鍵盤2 5 0 4 ，和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -90- ---------------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ____ B7 五、發明說明（88 ) --感應器部份2 5 0 5。本發明之E L顯示裝置可使用在 顯示部份2 5 0 3和一感應器部份2 5 0 5中。 再者，如果未來E L顯示材料之發光亮度變高時，包 括輸出影像之光之投射可由透鏡等放大。因此，可使用本 發明之發光裝置在前面型或背面型投影器中。 上述之電子裝置變成更常使用於顯示經由如網際網路 或C A T V (有線電視）之電子傳輸電路提供資訊，且特 別的，顯示生動資訊之機會增加。E L材料之響應速度極 高，且因此，E L顯示裝置適於使用以執行生動顯示。 E L顯示裝置之發射部份耗損能源，且因此，最好顯 示貪訊以使發射部份變成愈小愈好。因此，當使用發光裝 置在主.要顯示文字資訊之顯示部份時，如手提資訊終端機 ，特別是，行動電話或聲音再生系統，最好藉由設定非發 射部份當成背景和形成文字資訊在發射部份而驅動。 圖24A爲一行動電話，包含一主體2601 ，一音 頻輸出邰份2 6 0 2，一首頻輸入部份2 6 0 3，一顯示 部份2 6〇4 ，操作開關2 6 0 5 ，一天線2 6 0 6 ，和 一感應器2 6 0 7。本發明之E L顯示裝置可使用在顯示 部份2 6 0 4和感應器2 6 0 7中。藉由在顯示部份 2 6 0 4中顯示白色文字在黑色背景，可降低行動電話之 電源耗損。 / 圖2 4 B爲一聲音再生裝置，特別是一車輛音響系統 ，包含一主體2 7 0 1 ，一顯示部份2 7 0 2，操作開關 270 3和2704 ，和一感應器部份2705 。本發明 ------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -91 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A7 ___ B7 五、發明說明（89 ) 之E L顯示裝置可使用在顯示部份2 7 0 2和一感應器部 份2 7 〇 5中。再者，用於車輛之聲音再生裝置如此實施 例所示，但是亦可使用於移動型或桌上型聲音再生裝置。 藉由在顯不部份2 7 0 4中顯不白色文字在黑色背景，可 降低電源耗損。此點在移動型聲音再生裝置中特別有效。 如上所述，本發明之可應用範圍極廣，且本發明可應 用至所有領域之電子設備。再者，在第一至第十二實施例 中所示之E L顯示裝置之任一構成皆可使用在此實施例之 電子設備中。 依照本發明，即使E L層之損壞速度受到例如驅動 E L顯示器之裝置之構造，構成E L層之E L材料之特性 ’電極材料，製造方法之條件，和驅動E L顯示器之方法 等因素之影響，亦可提供可顯示具有縮需顏色之淸晰影像 之E L顯示器。 再者，藉由在相同條件下同時形成顯示E L元件和感 應器E L元件，可使顯示E L元件和感應器E L元件之 E L層之損壞速度相同。因此，由光接收二極體所偵測之 感應器E L元件之亮度變成非常接近顯示E L元件之亮度 ’且在顯不E L兀件之売度上之改變可更準確偵測，藉此 可校正以獲得所需亮度。 再者，當感應器部份和顯示部份同時形成在基底上時 ，相較於未形成感應器部份之例，E L顯示器之製造方法 中只增加形成光接收二極體之步驟。因此，在製造步驟上 無需考量步驟數目之增加，且可抑制製造步驟之增加。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -92- -----------裝--------訂---------^9. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 A7 R7 ---- 五、發明說明（9〇 ) 藉由使用顯示部份之一部份當成感應器部份，相較於 未包括感應器部份在顯示部份中之例，可縮短用於形成感 應器部份之空間，且因此，可降低E L顯示器之尺寸。 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -93 -

Claims (1)

  1. 480727 A8 B8 C8 D8_ 六、申請專利範圍 1 · 一種半導體顯示裝置，具有一顯示部份和一感應 器部份，其中： 該顯示部份包括多數顯示圖素； 該感應器部份包括至少一感應器圖素； 每一顯示圖素和感應器圖素具有一 E L元件； 該感應器圖素具有一光接收二極體；和 在多數顯示圖素中之E L元件之亮度由在光接收二極 體中流動之電流量所控制。 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體顯示裝置，其中 該E L元件發出紅色，綠色，和藍色。 3 ·如申請專利範圍第1項之半導體顯示裝置，其中 該E L元件包含一陽極，一陰極，和夾在其間之一 E 1^層 ，和其中該E L層包含一低分子有機材料或一聚合物有機 材料。 4 ·如申請專利範圍第3項之半導體顯示裝置，其中 低分子有機材料以A 1 Q 3 ( 8羥基喹啉鋁）或T P D (三 苯胺衍生物）製成。 5 ·如申請專利範圍第3項之半導體顯示裝置，其中 該聚合物有機材料以p P V ((聚對位苯撐乙烯撐）， P V K (聚乙烯咔唑），或聚碳酸鹽製成。 6 ·如申請專利範圍第1項之半導體顯示裝置，其中 該半導體顯示裝置安裝在選自由視頻相機，數位相機，魚 眼型顯示器，車輛導航系統，聲音再生系統，筆記型個人 電腦，遊戲設備，手提資訊終端，和影像播放裝置所組成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公€ - ---------------1---訂-- ------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 之群之電子裝置中。 7 · —種半導體顯示裝置，具有一顯示部份和一感應 器部份，其中： 該顯示部份包括多數顯示圖素； 該感應器部份包括至少一感應器圖素； 每一顯示圖素和感應器圖素具有一開關T F T，一 E L驅動T F T，和一* E L兀件； 該感應器圖素具有一重置T F T，一緩衝T F T，和 一光接收二極體； E L驅動T F T之驅動由該開關T F T所控制； E L元件之亮度由該E L驅動T F T所控制； 該緩衝T F T具有一閘電極，一源極區域連接至固定 電流電源，和一汲極區域保持在一固定電位； 當該重置T F T爲啓動時，該閘電極之電位和該汲極 區域之電位變成相等；和 當重置T F T關閉時，在多數顯示圖素中之E L元件 之亮度由在閘電極之電位改變以回應在光接收二極體中流 動之電流所控制。 8 .如申請專利範圍第7項之半導體顯示裝置，其中 該E L元件發出紅色，綠色，和藍色。 9 ·如申請專利範圍第7項之半導體顯示裝置，其中 該重置T F T爲一 η通道T F T和該緩衝T F T爲一 p通 道 T F Τ。 1 0 ·如申請專利範圍第7項之半導體顯示裝置，其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） II I — — — — — — — — -111 — — — — ^ *1 — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項—填寫本頁) A8 B8 re
    六、申請專利範圍 中該重置T F T ® ' 480727 爲〜P通道TFT和該緩衝TFT爲一n 通道T F 丁。 1 1 ·如申§f專利範圍第7項之半導體顯示裝置，其 4 口^ ^ L元件包曰〜陽極，一陰極，和夾在其間之一 E L· /曾’和其中該E L層包含一低分子有機材料或一聚合物有 機材料。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之半導體顯示裝置， 其中低分子有機材料以A 1 Q 3 ( 8羥基_啉銘）或T p D (三苯胺衍生物）製成。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之半導體顯示裝置， 具中該聚合物有機材料以p p V ((聚對位苯撐乙烯撐） ’ P V κ (聚乙烯咔唑），或聚碳酸鹽製成。. 1 4 ·如申請專利範圍第7項之半導體顯示裝置，其 中該半導體顯示裝置安裝在選自由視頻相機，數位相機， 魚眼型顯示器，車輛導航系統，聲音再生系統，筆記型個 人電腦，遊戲設備，手提資訊終端，和影像播放裝置所組 成之群之電子裝置中。 1 5 · —種半導體顯示裝置，具有一顯示部份，一感 應器部份，一源極訊號線驅動電路，和一閘極訊號線驅動 電路，其中： 該顯示部份包括多數顯示圖素； 該感應器部份包括至少一感應器圖素； 每一·顯示圖素和感應器圖素具有一開關T F T，一 E L驅動T F T，和一 E L元件； 本紙張尺度適用+目國家標準（CNS^& (210 X 297公釐） ----Ill---I ---! ——訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該感應器圖素具有一重置T F T，一緩衝T F T，和 一光接收二極體； 該開關T F T之驅動由從閘極訊號線驅動電路饋至該 開關T F T之閘電極之訊號所控制； 該E L驅動T F T之驅動由從源極訊號線驅動電路經 由該開關TFT而饋至E L驅動TFT之閘電極之訊號所 控制； E L元件之亮度由該E L驅動T F T所控制； 該緩衝T F T具有一閘電極，一源極區域連接至固定 電流電源，和一汲極區域保持在一固定電位； 當該重置T F T爲啓動時，該閘電極之電位和該汲極 區域之電位變成相等；和 當重置T F T關閉時，在多數顯示圖素中之E L元件 之亮度由在閘電極之電位改變以回應在光接收二極體中流 動之電流所控制。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之半導體顯示裝置， 其中該E L元件發出紅色，綠色，和藍色。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項之半導體顯示裝置， 其中該重置TF T爲一 η通道TF T和該緩衝T F T爲一 ρ通道T F Τ。 1 8 ·如申請專利範圍第1 5項之半導體顯示裝置， 其中該重置T F Τ爲一 ρ通道T F Τ和該緩衝T F 丁爲一 η通道T F Τ。 1 9 ·如申請專利範圍第1 5項之半導體顯示裝置， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -- -----------#裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 f、申請專利範圍 其中該E L亓件句a n P S〜陽極，一陰極，和夾在其間之一 匕·L層，和苴中該P ^ ^ FK 、 L層包含一低分子有機材料或一聚合 物有機材料。 2〇·如申請專利 甘+ / ~軸151弟1 9項之半導體顯示裝置， /、▲中低分子有機材料以 〆一_ Λ Α 1 Q 3 ( 8羥基喹啉鋁）或T P D (二苯胺衍生物）製成。 2 1 ·如申請專利笳圖 〜軺®弟1 9項之半導體顯示裝置， X中β亥聚合物有機材料以 w以ρ ρ V ((聚對位苯撐乙烯撐） V κ (水乙烯咔唑），或聚碳酸鹽製成。 2 2 .如申請專利範圍第i 5項之半導體顯示裝置， 其中該半導體顯示裝置 L—女衣：在进自由視頻相機，數位相機 ’魚眼型顯不器，車輸道船 卑*輸&航系統，聲苜再生系統，筆記型 個人電腦，遊戲設備，千卢次^ ^ ^ 又勘 牛？疋貝訊終端，和影像播放裝置所 組成/<£群之電子裝置中。 2 3·種半導體顯示裝置，具有一顯示部份和一感 應器部份，其中： 該顯示部份包括多數顯示圖素； 該感應器邰份包括至少一感應器圖素； 每一顯示圖素和感應器圖素具有一開關τ F τ，一 E L驅動T F Τ ’和一* E L元件； - 該感應器圖素具有一重置T F Τ，一緩衝T F Τ，和 一感應器T F Τ ; 該E L驅動T F Τ之驅動由該開關τ F Τ所控制； E L元件之亮度由該E L驅動T F Τ所控制； -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 会88 C8 —---_D8__ 六、申請專利範圍 5亥感應器τ F 丁爲固定關閉； w緩_ T F T具有一閘電極，一源極區域連接至固定 m流4源’和一汲極區域保持在一固定電位； 胃_ _置τ F— T爲啓動時，該閘電極之電位和該汲極 區域Z电位變成相等；和 Μ麗寶T F T關閉時，在多數顯示圖素中之E L元件 β @ & $在閘電極之電位改變以回應在感應器T F Τ中流 動之電流所控制。 2 4 ·如申請專利範圍第2 3項之半導體顯示裝置， 其中β E l元件發出紅色，綠色，和藍色。 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項之半導體顯示裝置， 其中战選_ T F Τ爲一 η通道T F Τ，該緩衝T F Τ爲一 Ρ # Τ p Τ，和該感應器T F Τ爲一 ρ通道T F 丁。 2 6 ·如申請專利範圍第2 3項之半導體顯示裝置， 其中& 麾TFT爲一 ρ通道TFT，孩緩衝TFT爲一 η通造Τρτ，和該感應器TFT爲一 η通道TFT。 2 7 ·如申請專利範圍第2 3項之半導體顯示裝置， 宜中該卩T J L L元件包含一陽極，一陰極，和夾在其間之一 E T I 爵 =r " 和其中該E L層包含一低分子有機材料或_聚合 '物有機材料。 水口 2 8 ·如申請專利範圍第2 Τ項之半導體顯$ ^ g， 其中低分子有機材料以A 1 Q 3 ( 8羥基喹啉鋁）或T p D (三苯胺衍生物）製成。 2 9 ·如申請專利範圍第2 7項之半導體顯年：自_， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^297公釐） -的: '-----— n ϋ ϋ n ϋ i n ϋ n in · n n I I n n I · n n n 1· 1 1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 A8 B8 C8 _______ D8 六、申請專利範圍 其中該聚合物有機材料以p p V ((聚對位苯撐乙烯撐） ，P V K (聚乙烯咔唑），或聚碳酸鹽製成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 0 ·如申請專利範圍第2 3項之半導體顯示裝置， 其中該半導體顯示裝置安裝在選自由視頻相機，數位相機 ，魚眼型顯示器’車輛導航系統，聲音再生系統，筆記型 個人電腦’遊戲設備，手提資訊終端，和影像播放裝置所 組成之群之電子裝置中。 3 1 · —種半導體顯示裝置，具有一顯示部份，一感 應器部份’一源極訊號線驅動電路，和一閘極訊號線驅動 電路，其中： 該顯示部份包括多數顯示圖素； 該感應器部份包括至少一感應器圖素；. 每一顯示圖素和感應器圖素具有一開關T F T，一 E L驅動T F T，和一E L元件； 該感應器圖素具有一重置T F T，一緩衝T F T，和 --感應器T F T ; 該開關T F T之驅動由從閘極訊號線驅動電路饋至該 開關T F T之閘電極之訊號所控制； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該E L驅動T F T之驅動由從源極訊號線驅動電路經 由該開關T F T而饋至E L驅動T F T之閘電極之訊號所 控制； E L元件之亮度由該E L驅動T F T所控制； 該感應T F T固定爲關閉； 該緩衝T F T具有一閘電極’一源極區域連接至固定 -100 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公麓） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480727 A8 B8 ___%}_ T、申請專利範圍 電流電源，和一汲極區域保持在一固定電位； 胃該重置T F Τ爲啓動時，該閘電極之電位和該汲極 區域之電位變成相等；和 當重置T F Τ關閉時，在多數顯示圖素中之E L元件 /之亮:度由在閘電極之電位改變以回應在該感應T F 丁中流 動之電流所控制。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之半導體顯示裝置， 其中該E L元件發出紅色，綠色，和藍色。 3 3 ·如申請專利範圍第3 1項之半導體顯示裝置， 其中該重置TFT爲一 η通道TFT，該緩衝TFT爲一 P通追TFT，和該感應TFT爲一 P通道TFT。 3 4 ·如申請專利範圍第3 1項之半導體顯示裝置， 其中該重置TFT爲一 p通道TFT，該緩衝TFT爲一 η通道T F T，和該感應τ F T爲一· η通道T F T。 3 5 ·如申請專利範圍第3 1項之半導體顯示裝置， 其中該E L元件包含一陽極，一陰極，和夾在其間之一 E L層’和其中該E L層包含一低分子有機材料或一聚合 物有機材料。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之半導體顯示裝置， 其中低分子有機材料以A 1 q 3 ( 8羥基喹啉鋁）或Τ P D (三苯胺衍生物）製成。 3 7 ·如申請專利範圍第3 5項之半導體顯示裝置， 其中該聚合物有機材料以PPV((聚對位苯撐乙烯撐） ，P V K (聚乙烯咔唑），或聚碳酸鹽製成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇 X 297公爱)_ - -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480727 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 8 .如申請專利範圍第3 1項之半導體顯示裝置， 其中該半導體顯示裝置安裝在選自由視頻相機，數位相機 ，魚眼型顯示器，車輛導航系統，聲音再生系統，筆記型 個人電腦，遊戲設備，手提資訊終端，和影像播放裝置所 組成之群之電子裝置中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I裝--------訂---- 華 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -1UZV 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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