TW463526B - Luminescent device - Google Patents
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Description
A7 4 6352 6 _____B7___ 五、發明說明(1 ) 技術領域 本發明係有關於一對電極之間至.少具有多數個電荷注 入層及發光層經予介裝的有機EL (電致發光, Electroluminescence )元件之發光裝置。 背景技術 已利用電場發光之電致發光元件(以下稱作E L元件 ),由於會自行發光,故辨識性較高,加上係完全固體元 件,耐衝擊性優越,故利用作各種顯示裝置之發光元件係 受人囑Η的。 於此E L元件,有採用無機化合物作爲發光材料之無 機E L元件及於發光材料採用有機化合物之有機E L元件 。其中,尤其有機E L.元件與無機E L元件相比,驅動電 壓會大幅降低即可濟事,加上可予容易小型化之故,正曰 益盛行朝向實用化之硏究開發。 爲使有機E L元件實用化,元件性能之高效率化及驅 動壽命之提高係不可欠缺的爲解決此等問題,正進行著發 光材料及元件構成之改良。 有機E L元件係以所謂陽極/有機發光層/陰極之元 件構成爲基本,於其中適當設置電洞注入輸送層或電子注 入輸送層作爲電荷注入層者,例如所謂陽極/電洞注入輸 送層/有機發光層/陰極之構成者,或所謂陽極/電洞注 入輸送層/有機發光層/電子注入輸送層/陰極之構成者 等爲人所知的。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線.< 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4- 463526 A7 B7 五、發明說明(2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此,電洞注入輸送層係具有使由陽極可有效率的注 人電洞,同時輸送各該電洞至發光層爲止的功能者,以由 電洞注入層及電洞輸送層所構成的情形居多。 又,電子注入輸送層係具有使由陰極可有效率的注入 電子,同時輸送各該電子至發光層爲止的功能者,發光層 係具有藉由經予注入的電洞及電子之再結合而發光的功能 者。且亦有以電子注入層及電子輸送層構成此電子注入輸 送層之情形。 此種有機E L元件被視作亦可應用於各種顯示裝置方 面,在以有機E L元件構成顯示裝置之際,多數的有機 E L元件被視作可採用成爲單純矩陣(matrix )可驅動的 點狀矩陣面板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時,至於利用有機E L元件之顯示裝置的製造方法 ,係採用由I TO (銦錫氧化物,IndiumTinOxide)膜而 成的透明陽極電極經予圓形化成條狀的玻璃製之基板,於 此基板之表面上依序真空蒸鍍指定的材料’至少形成含有 電荷注入層及發光層之多數的有機E L元件’於其上蒸鍍 金屬形成陰極電極的方法u 且,在此方法,形成有機E L元件之電荷注入層及發 光層等的各層,係以經予均勻的蒸鍍於前述的基板之表面 上爲較普通的。 於以此種方法製造的顯示裝置,經予形成於基板上的 透明電極,例如I T 0電極之邊緣係急陡的,故經予成膜 於I T 0電極之側面上的膜之厚度亦較其他部分亦容易變 -5 - 本紙張尺度遶用中國國家標準(CNS)A4規格m〇 x 297公釐) Δ7 46352 6 B7 _ 五、發明說明(3 ) 薄,有發生電氣上短路的缺陷》 又,顯示能力愈高精細的顯示裝置,予以形成於基板 上的I T 0電極之總延長愈變長,急陡的邊緣長度亦變長 ,故發生短路缺陷之顧慮增大。 因此,在將電荷注入層之電洞注入層成膜之際,增度 電洞注入層之膜厚,完全覆蓋電洞注入層之I T 0電極, 作成I T 0電極之邊緣爲電洞注入層所隱蔽,I τ 0電極 之邊緣即使急陡,亦作成不發生短路缺陷爲較普通的。此 爲通常電洞注入層之導電率較高之故,已厚膜化的情形之 驅動電壓上升被抑制至較少所致。 另____-方面,在將有機E L元件實用化之際,其消費電 功之降低係不可或缺的,因此乃圖謀降低驅動電壓。例如 ,於円本特開平4 — 1 4 5 1 9 2號公報或特開平 9 一 4 5 4 7 9號公報,提出藉由採用導電率較高的導電 性高分子作爲設於有機E L元件之電洞注入層之材質,以 圖降低驅動電壓。 然而,若採用導電率較高的導電性高分子作爲電洞注 入層之材質時,則在前述的顯示裝置,因電洞注入層形成 厚膜,經予相鄰配置的多數之有機E L元件間的直流電P且 變低,若於一個有機E L元件上施加電壓時,則洩漏至其 他有機E L元件之電流流動,則有未選擇的有機E L元件 亦點亮的問題存在。 發明之揭示 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----r---訂---------線丄一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6 - A7 4 6352 6 B7__ 五、發明說明(4 ) 本發明之目的係提供在不損失驅動電壓之減低化下, 形成多數設置的有機E L元件之中經予選擇者以外的點亮 可予防止般的發光裝置。 木發明之特徵在於使多數組之陽極及陰極可予相互對 向配置’同時於此等陽極及陰極之間形成電荷形成層及發 光層,多數的有機E L元件設成可單獨發光的發光裝置, 前述電荷注入層之導電係數σ係予設定成來自前述有機 E L元件之洩漏電流成爲導通於各該有機E L元件之電流 的1 / 1 0 0以下。 在此種本發明,多數的有機E L元件之中,由導電係 數經予設定使由一個有機E L元件向其他有機E L元件之 洩漏電流能充分變小,即使對經予選擇的一個有機E L元 件施加電壓5未選擇的有機E L元件亦不致亮燈。 又,形成已予連接至有機E L元件之陽極及陰極的電 極之尺度或因應電極之間隔等,若予適當設定導電係數時 ,則來自前述有機E L元件之洩漏電流即使採用成爲導通 於各該有機E L元件之電流之1 / 1 〇 〇以下的導電係數 ,有機E L元件成爲可以低電壓驅動,不致損及驅動電壓 之降低化。 圖式之簡單說明 第1圖爲供說明本發明之原理,作用而用的截面圖。 第2圖爲供說明本發明之原理,作用而用的平面圖u 第3圖爲供說明本發明之原理,作用而用的等價電路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-----I——線人 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -7- 46352 6 A7 B7 五、發明說明(5 ) 圖。 第4圖爲供說明本發明之原理、作用而用的曲線圖。 第5圖爲與供說明本發明之原理、作用而用的第4圖 不同的曲線圖。 第6圖爲表示與本發明之一實施形態有關的發光裝置 之部分裂斷的斜視圖。 第7圓係表示本發明之變形例之截面圖。 至於圖號係如下所示。 1表示有機EL元件,2表示發光裝置,1 1表示陽 極,1 2表示陰極,1 3 1表示陽極及陰極之相互對向的 對向面中正對之矩形部分,1 4表示電洞注入層,1 5表 示電洞輸送層,1 6表示發光層,1 7表示電子輸送層, 1 8表示絕緣膜,V。表示被施加至有機E L元件之電壓, J ϋ表示於有機E L元件流動的電流之電流密度,1 ^表示 相鄰的有機E L元件之間隔,d 2表示矩形部分之有機E L 元件沿排列方向之邊的尺度,d 3表示陽極之厚度,d 4表 示陽極及陰極之間隔。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
I — I l· ! I 訂.! ΓΙ — 線JK 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 態 形 佳 最 之 明 發 施 實 之 明 發 本 明 說 下 以 態 形 施 明 說 以 予 形 if 之 層 入 注 洞 電 爲 層同 入, 注層 荷入 電注 就子 ’ 電 下爲 以使 即 惟 的 匕匕 可 爲 亦 論 議 的 樣 數對 多正 則中 , 之 時面 明向 發對 本的 明向 說對 的互 體相 具對 圖 係 2 2 第 1 及極 圖陰 1 及 第 1 閱 1 參極 若陽 之 組 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8 - 46352 6 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(6 ) 的部分1 3各自指相同面積之矩形,電洞注入層1 4之導 電係數σ係予設定成〇<σ< 1 idsJo/ ( 10 0· d:i V〇)爲宜。 且’於第1圖及第2圖,電洞注入層l 4以外的層係 予省略。V Q爲被施加至有機E L元件1之電壓,J。爲於 有機E L元件流動的電流I 之電流密度,1 1爲相鄰的有 機E L元件1之間隔,d 2爲前述陽極1 1及陰極1 2之正 對的矩形部分1 3之邊之中’有機E L元件1之沿排列方 向的邊之尺度,d3爲陽極1 1之厚度,d4爲陽極1 1及 陰極1 2之間隔。且於第2圖,d 2爲前述陽極1 1及陰極 1 2之正對的矩形部分1 3之邊之中,沿與有機E L元件 1之排列方向成正交的方向之邊的尺度。 以下說明此種本發明之原理作用》 於第1圖,二個有機E L元件1 A,1 B之中,對經 予選擇的有機E L元件1 A若予施加電壓V 時,電流I 〇 會流動於有機E L元件1 A內,洩漏電流I >會流動於有 機E L元件1 B內,於此種發光裝置內,由有機E L元件 1 A,1 B之間之電洞注入層或電子注入層1 4 A,如第 3圖之等價電路,形成著直流電阻R,此直流電阻R爲以 下式1表示。 R = 1 ι / (σ d,d3).........式 1 又,有機EL元件IB之兩端的電壓,因係由電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----------線·f 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9- A7 46352 6 B7___ 五、發明說明(7 ) 壓V «成爲直流電阻R之電壓下降減少的値,故流動於有機 E L元件1 Β之電流I > ,以下式2表示。 1 ' = ( V 〇 - V — ) / R .........式 2
在此有機E L兀件1之電流密度J與施加電壓ν之關 係’如第4圖所不般,以非線形之函數f ( v )表示。在 此’以座標(V。,J。)表示的點成爲有機ε l元件1 A 之動作點p。 有機E L元件1 B之電流密度J >係以電流I -設成 矩形部分1 3之面積S ( = d 1 d 2 )者,故流動於有機 E L元件1 B之電流I >與電壓V —之關係,若採用前述 的函數f ( V )時,可得以下式3表示的方程式。 J 一二 I ' / ( d 1 d 2 )二 f ( V 一).........式 3 又,由上式2可得以下式4表示的方程式。 J 一 =1 ' /(did〇 = (V〇-V > V(d!d2R).........式 4 因此,於電壓V 〇被施加至有機E L元件1 A之際,施 加至有機E L元件1 B之電壓V '及流動於有機E L元件 1 B之電流I —,如第5圖所示般,由J — = f ( V 一) 表示的曲線與J ' = ( V。— V > ) / ( d i d 2 R )表示 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) /-----r---訂---------線-*· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) "10- 46352 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
AT ------_B7__ 五、發明說明(8 ) 的直線會交叉的座標(V 1J i )予以決定。 因此,若欲將有機E L元件1 B設成在非選擇時不致 亮燈,則有機E L元件1 B之於非選擇時的電流密度J -係選擇有機E L元件1 A,若爲驅動時之流動的電流I 0之 電流密度J。之1 / 1 0 0以下時即可,則下式2成立。 J i< J 〇 / 1 〇 〇 .........式 5
在此,採用J ( V / = 〇 )取代J i,評估式5。若將 有機E L元件1 B設成在非驅動時不致亮燈時,以設定R 使能滿足下式6時即可。
Vu / ( d 1 d 2R ) < J 〇 / 1 0 0 .........式 6 因此,若將式1代入變形成式6時,可求得下式7, 若設定滿足此;式7之導電係數σ時,則可防止在非驅動 時有機E L元件1 Β亮燈的情形,以下式7規定出導電係 數σ之上限。 σ< 1 id2J〇 / ( 1 〇 〇. d a V 〇 ).........式 7 惟,實際上,J i < J ( V > = 0 )正確而言由J i < J ϋ / 1 0 0求得的σ之上限値係較式7約略變大。 另一方面,於施加電壓時之電洞注入層1 4的電壓下 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ί illl·---訂 - -------線我 4 6352 6 A7 B7 五、發明說明(9 ) 降Λ V若未滿1 〇 V時,有機E L元件1可說是在低電壓 可驅動(亮燈)。此電壓下降△ V係以下式8表示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Δ V = Ι〇· d 4 ( σ d 1 d 2 ) =J 〇 d i d 2 · d 4 ( σ d i d 2 ) = Ι〇ά.·ΐ//σ<1〇 .........式8 因此,若設定滿足下式9之導電係數σ時,則有機 E L元件1成爲在低電壓可驅動(亮燈),由下式9可規 定出導電係數σ之下限。 J 〇 d ,.1 / 1 0 < <7 .........式 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在以上,至於前述陽極在伸長成帶狀之多數的電極係 予排列於其寬度方向,至於前述陰極,在伸長成帶狀之同 時,與前述陽極交叉的多數之電極係予排列於其寬度方向 ,由此等的陽極及陰極,使前述多數的有機E L元件成爲 單純矩陣可驅動的爲宜。
若能如此時,則將已予二次元排列的多數之有機E L 元件予以任意的高速驅動一事係成爲可能的,用作電視接 收機用之顯示器,或個人電腦用之顯示器,即可實現薄形 高性能者。 前述電荷注入層,係以有機化合物及氧化性摻雜劑之 組合,有機化合物及還原性摻雜劑之組合,或有機化合物 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 46352 6 ___B7 五、發明說明(1〇 ) 及導電性微粒子之組合爲宜。 具體而言,至於有機化合物及導電性微粒子之較佳的 組合,有機E L元件通常使用的有機化合物,例如對聚乙 烯基咔唑 > 聚苯胺,聚苯乙烯,胺衍生物,卟啉,酞菁類 等,可舉出有已混合分散導電性金屬粒子或導電性無機粒 子的材料。 又,至於導電性微粒子之種類1可舉出有:金,銀, 銅,鎳,銲錫,鋁,氧化銦,氧化錫,氧化鋅等之一種單 獨或二種以上的組合。又以導電性金屬粒子之平均粒子徑 設成0.001〜l#m之範圍內的値爲宜。再者,對有 機化合物1 0 0重量分,以將導電性微粒子之添加量設成 ◦ . 1〜5 0重量分之範圍內的値爲宜。 又,至於有機化合物及氧化性摻雜劑之組合,可舉出 下列者。亦即,有機化合物係具有電洞輸送性單位者,該 電洞輸送性單位爲①藉由非共軛鍵結相互鍵結而形成的高 分子,或②由非共軛性高分子及電洞輸送性低分子之混合 物而成者。在此①藉由非共軛鍵結相互鍵結而形成的高分 子亦係包含寡聚體者。 具體而言,至於有機化合物可舉出有:主鏈上含有胺 之聚碳酸酯或聚醚,胺寡聚體’聚乙烯基咔唑及聚碳酸酯 與胺化合物之混合物,至於氧化性摻雜劑,可舉出有:醒 衍生物,鹵化金屬,路易士酸,有機酸’鹵化金屬鹽’路 易士酸鹽,funalen類及有機酸鹽等的化合物。 因此,至於較具體的有機化合物及氧化性摻雜劑之組 ϋ n n I t— n ^ n ^ I n ^ il· · n n .^1 I D I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -13- A7 46352 6 ___B7 五、發明說明(11 ) 合,可舉出有:聚乙烯基咔D坐及截化鍊,聚苯胺及氯化銻 ,胺衍生物及 C 6 〇 ( funalen ) ’npd(N’n - - 雙 (萘—1 一基)一 N ’ 二苯基—4,4 聯苯胺 )及硫酮,卟啉及四氰氧基二甲院(T c N Q ) ’銅酞菁 及四氰基乙烯(TCNE) ’胺寡聚體及DDQ,或胺基 樹枝狀體及DDQ等。 在此,D D Q係以下列構造式表示的化合物。 〇
且,將有機化合物及氧化性摻雜劑組合的情形,以對 有機化合物之添加比率設爲1 : 1〜2 0 : 1 (莫耳比) 之範圍內之値爲宜。有機化合物及氧化性摻雜劑之添加比 率若在此等之範圍外時,則有機E L元件之發光亮度會降 低,乂有壽命會變短的情形所致。因此,有機化合物及氧 化性摻雜劑之添加比率以設成在1 : 1〜1 ◦ : 1 (莫耳 比)之範圍內的値爲宜,以設成在1 : 1〜5 : 1之範圍 内的値爲更宜。 又,至於有機化合物及還原性摻雜劑之組合,以於由 A i q (參(8 —羥基醌)鋁),D P A V B i ( 4, 4> -雙〔2 -丨4 一(N,N —二苯基胺基)苯基丨乙 烯基]聯苯基)或P B D等而成的有機化合物內,使組合 以由鹼金屬,鹼土類金屬,稀土類金屬,鹼金屬之氧化物 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----^·ί 訂·11 — I !-線 ί 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14- A7 46352 6 ____B7__ 五、發明說明(12 ) ’鹼金屬之鹵化物,稀土類金屬之氧化物或稀土類金屬之 鹵化物而成的群體選出之至少一種的還原性摻雜劑爲宜。 再者,可將還原性摻雜劑之添加量設成與氧化性摻雜劑對 有機化合物之添加比率同樣的値。且,前述有機化合物以 在電子輸送性方面爲宜,又前述鹼金屬以C s及L i爲宜 。在此,P B D係以下列構造式表示的化合物。
惟,於電荷注入層爲電洞注入層之情形,電洞注入性 係成爲較良好的,故有機化合物及氧化性摻雜劑之組合, 或有機化合物及導電性微粒子之組合係較宜的。又,於電 荷注入層爲電洞注入層之情形,電子注入性係成爲較良好 的,故有機化合物及還原性摻雜劑之組合,或有機化合物 及導電性微粒子之組合係較宜的。 尤其,對電荷注入層爲電子注入層之情形,以電子輸 送性化合物及還原性摻雜劑之組合爲宜° (電子輸送性化合物) 至於電子輸送性化合物,若爲具有將由陰極注入的電 子傳達入有機發光媒體內之功能的化合物時’即可廣泛使 用。具體而言,可列舉有:由不含氮原子之芳香族環而成 的芳香族環化合物(有單係稱作非氮雜環化合物之情形) 或含有含氮雜環化合物之有機化合物(有單係含氮雜環化 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- -----1111111^- i ii — l·---訂--------線▲ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印數 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '46352 6 A7 B7 五、發明說明(13 ) 合物之情形)。 ①非氮雜環化合物 非氮雜環化合物,亦即定義成含有由碳(c )及氫( H)而成的芳香族環之化合物,或含有由碳(c) ’氫( Η )及氧(◦)而成的芳香族環之化合物’惟於芳香族環 以外的分子中含有氮原子亦無妨’例如利用氮原子鍵結不 含氮原子之芳香族環相互間毋寧係較宜的。又,由碳及氫 而成的芳香族環之化合物,與由碳,氫及氧而成的芳香族 環之化合物’可各自單獨使用’或亦可組合使用° 如此藉由合倂使用非氮雜環化合物及後述的還原性摻 雜劑,可得優越的電子注入性,同時可抑制與相鄰的發光 區域之構成材料間的反應’亦即非氮雜環化合物係由碳及 氫而成的芳香族環’或碳,氫及氧而成的芳香族環所構成 ,並不包含含氮之芳香族環或吸電基(例如一 CN基,-Ν〇2基,醯胺基,醯亞胺基)的含氮基。因此’於電子注 入域及發光域間之界面,可有效率的抑制發光效率較低的 電荷移動錯合物或複合受激態(e X c i ρ 1 e X ) ° 至於較宜的非氮雜環化合物,可舉出:含有由蒽,莽 ,a 1 ,b 1—二苯并蒽,菲,窟(chrysene) ,1 ,2 ,3 ,4 —四氫蒽(_ teiracene ) ,2 ’ 3— 苯并蒽( r u b r e n e ),聯三伸苯C t e r p h e n y 1 e n e ) ’聯四伸苯’聯六伸 苯,三伸苯,茜(picene ),六苯并苯(coronene ),二 苯基蒽,苯并〔a〕蒽及二萘而成之群體中選出的至少一 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ i I I l· 1--訂--------線為 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -16- 46352 6 A7 _____ B7_____ 五、發明說明(14 ) 種芳香族環之芳香族環化合物。 又,非氮雜環化合物若具有經苯乙烯基取代的芳香族 環,經二苯乙烯基取代的芳香族環或經三苯乙烯基取代的 芳香族環時即更佳,如此藉由具有經由苯乙烯基取代(包 含二苯乙烯基取代及三苯乙烯基取代,以下相同)的芳香 族環,可使有機E L元件之發光亮度或壽命更提高。 至於如此含有經苯乙烯基取代的基之芳香族環化合物 ,可列舉有以有機發光媒體所使用的一般式(1 〇 )〜( 1 2 )表示的芳香族環化合物相同的芳香族環化合物。 ,( /Af3\
Ar«_i_ C-C ⑽ \ ^ArVn 〔一-般式(1 0 )中,A r 1爲碳數6〜4 0之芳香族 基,Ar2,Ar3及Ar"1爲各自氫原子或碳數6〜40 之芳香族基,至少--者爲芳香族基,縮合數η爲1〜6 2 整數〕° Αγ«ΑΓ6) ㈧ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 V xAr7/m 〔一般式(1 1)中,Ar5爲碳數6〜40之芳香族 基,A r 6及A r 7各爲氫原子或碳數6〜4 0之芳香族基 ,A r 5,A I· e及A r 7之至少一者爲苯乙烯基所取代的 ,縮合數m爲1〜6之整數〕。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46352 β 五、發明說明(15 )
〔一般式(1 2)中’ Ar9〜Ar13各爲碳數6〜 4 0之芳香族基,A r 8及A r 11爲氫原子或碳數6〜 4 0之芳香族基,A r 8〜A r 14之至少一者爲苯乙烯基 .所取代1縮合數P ’ Q ’ r ,s各爲〇或1〕。 ②含氮雜環化合物 又至於電子輸送性化合物,可舉出有含氮雜環化合物 。如此即使採用含氮雜環化合物,後述的還原性摻雜劑之 中,藉由使用功函數2 _ 9 e V以下的還原性摻雜劑,可 有效率的抑制與有機發光媒體材料反應之情形,可得高發 光亮度。 此種含氮雜環化合物係予定義成具有氮原子之雜環的 化合物,惟具體而言’可舉出含氮錯合物或含氮環化合物 a至於較宜的含氮錯合物,可舉出有:以8 -喹啉酚衍生 物爲配位基之金屬錯合物或酞菁衍生物’或金屬酞菁。又 至於較宜的含氮環化合物,可舉出噚二唑衍生物,硫代.:: 唑衍生物,三唑衍生物,喹啤啉衍生物及晻啉衍生物等。 再者,至於含氮雜環化合物’亦以使用蒽酮衍生物,銪_ 甲烷衍生物,羰二亞胺’萘a 1 ’ b I -二苯并蒽等雜壤 四羧酸酐爲宜。 C請先閱讀背面之注意事項再填窵本頁) ·'—1--;---I I ------^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) -18- 4 6 3 5 2 6 A7 B7 五、發明說明(16 ) (還原性摻雜劑) ①種類 還原性摻雜劑在芳香族環化合物受氧化的情形,可被 定義可將該受氧化的芳香族環化合物還原的物質。因此, 還原性摻雜劑之種類若爲具有一定的還原性者即可,並未 予特別限制者,惟以作成與電荷注入層所用的還原性摻雜 劑同樣的種類爲宜。 較具體而言,至於較宜的鹼金屬,可舉出有,L i ( 鋰功函數:2 . 9 3 e V ) ,N a (鈉,功函數: 2 . 3 6 e V ) ,K (鉀,功函數:2.3eV) ,Rb (铷,功函數:2 . 1 6 e V )及C s (铯,功函數: 1 . 9 5 e V )。且,括弧內的功函數之値係予記載於化 學使覽(基礎偏I I ,P 4 9 3,日本化學會編)所記載 者,以下相同。 又,至於較宜的鹼土類金屬,可舉出有:c a (鈣’ 功函數:2.9eV) ,Mg (鎂,功函數: 3 . 6 6 e V ) ,Ba (鋇,功函數:2 . 52eV)及 S r (緦,功函數:2 . 0〜2 . 5 e V )。且,緦之功 函數之値爲由半導體物理學(physics of semiconductor, N.Y. Weiley 1 969 年,第 366 頁)所載者。 又’至於較佳的稀土類’可列舉有:Y b (紀,功函 數:2,6eV) ,Eu (銪,功函數.2-5eV) ’ G b (釓,功函數:3 · 1 e V )及E r (銀1功函數: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 訂---------線f 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -19- 46352 6 B; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印數 五、發明說明(17 ) 2 . 5 e V )。 又,至於較宜的鹼金屬氧化物,可列舉有:L 1 2 〇, L i 〇及N a 0。又’較宜的驗土類金屬氣化物’可列舉 有:CaO,Ba〇’ SrO’BeO 及 Mg〇。 又,至於較宜的鹼金屬之鹵化物,除L 1 F,N a F 及K F之氟化物外,可列舉有:L 1 C 1 ,K C丨及 N a C 1 。又’至於較宜的鹼土類金屬之鹵化物’可列舉 有:CaF2,BaFs,SrF2,MgF2 及 BeFz 之 鹵化物,或氟化物以外的鹵化物。至於較宜的稀土類齒化 物,可列舉有:L a F 3,Y b F 3 ’ E u Y 3等氟化物。 又,至於較宜的還原性摻雜劑,亦可舉出有鹼金屬已 配位的芳香族化合物。此鹼金屬已配位的芳香族化合物’ 例如可以下述一般式(1 3 )表示。 A A r 20 ......... (13) 惟一般式(1 3)中之Α係表示鹼金屬。又’ A r2° 爲碳數1 0〜4 0之芳香族化合物,至於比(1 3 )式表 示的芳香族化合物’可列舉有:蒽,萘,二苯基蒽’聯三 苯,聯四苯,聯五苯,聯六苯及此等之衍生物。 ②添加量 對以構成電子注入域之材料全體爲1 0 0重量%時’ 將於電子注入域之還原性接雜劑之添加量設成0 * 〇 1〜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂· —--丨丨丨1 |線π 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -20- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46352 6 A7 ~-- B7 五、發明說明(18 ) 5 0重量%之範圍內的値爲宜。還原性摻雜劑之添加量若 未滿〇 . 0 1重量%時,則有機E L元件之發光亮度會降 低’壽命有變短的傾向。另一方面,還原性摻雜劑之添加 量若超過5 0重量%時,反之,發光亮度會降低,又壽命 有變短的傾向。 因此,由發光亮度或壽命之均衡會變成較良好的觀點 可知,以將還原性摻雜劑之添加量設成0 . 2〜2 0重量 %之範圍內之値爲較宜。 又,關於還原性摻雜劑之添加量,以將芳香族環化合 物及還原性摻雜劑之添加比率設成1 : 2 0〜2 0 : 1 ( 莫耳比)之範圍內的値爲宜。電子輸送性化合物及還原性 摻雜劑之添加比率若在此等之範圍外時,則有機E L元件 之發光亮度會降低,又壽命有變短的傾向。 因此,以芳香族環化合物及還原性摻雜劑之添加比率 設成1 : 1 0〜1 0 : 1 (莫耳比)之範圍內的値爲較宜 ,以設成1 : 5〜5 : 1之範圍內的値爲更宜。 (電子親和力) 以將電子注入域之電子親和力設成1 . 8〜 3 . 6 e V之範圍內的値爲宜。電子親和力之値若未滿 1 . 8 e V時’則電子注入性會降低有招致驅動電壓之 上升,發光效率之降低的傾向,另一方面’電子親和力之 値若超過3 . 6 e V時’會容易發生發光效率較低的錯合 物,又可有效率的抑制阻塞接合之發生。 本紙張尺是適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐〉 ------------<-^-----r---訂---------線一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 6 35 2 ^ Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明(19 ) 因此,以將電子注入域之電子親和力設成1 . 9〜 3 · 0 e V之範圍內的値爲較宜,以設成2 · 〇〜2 _ 5 e V之範圍內的値爲更宜。 再者,至於前述電荷注入層之電洞注入層的材料,可 採用導電性高分子。可列舉有:聚苯胺,聚伸噻吩基伸乙 烯,聚伸芳基伸乙烯及聚噻吩等。 如此’若採用由導電性高分子而成的電洞注入層時’ 則導電性高分子係予溶解於氯仿等的溶液內’在進行成膜 之際,以大氣壓力可進行成膜之旋塗法成爲可採用,在電 洞注入層之成膜成爲容易進行。 或於前述電荷注入層之電洞注入層的材料,可採用無 機半導體u例如可舉出有:α - S i ,# c — S i ,# c —S i C,CdS,CdSSe ,CdTe 及非晶質碳及 結晶質碳。至於非晶質碳及結晶質碳,可採用鑽石狀碳, 鑽石,加氮之碳及加磷之碳等。 如此若採用由無機半導體而成的電洞注入層時,藉由 調整摻雜劑之至無機半導體的添加量時’可正確的設定電 洞注入層之導電係數σ,式7及式9所規定的導電係數σ 則成爲可容易且確實的予以設定。 再者,以圖面爲準說明本發明之一實施形態。 第6圖爲表示本實施形態之發光裝置2。此發光裝置 2爲具有透明基板3及相互對向的陽極1 1及陰極1 2。 陽極1 1係經予形成於基板3之表面上的透明電極’ 伸長成帶狀,同時多數排列於其寬度方向。 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
ill· — — — 訂11 — !線 A 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -22-
463526 五、發明說明(2〇 ) 陰極1 2係於與陽極1 1呈正交的方向上伸長成帶狀 之電極,經予多數排列於其寬度方向。 此等的陽極1 1及陰極1 2 ,在相互對向的對向面之 中正對的部分係具有多數各自成爲相同面積之長方形的矩 形部分1 3。 於此等陽極1 1及陰極1 2之間,由基板3側依序形 成有電洞注入層1 4,電洞輸送層1 5,發光層1 6及電 子輸送層1 7。 由而,陽極1 1及陰極1 2之各自具有多數的矩形部 分1 3之間被指爲可各自單獨發光的有機EL元件(圖示 略)’藉由此等的陽極1 1及陰極1 2 ,多數的有機EL 元件1乃成爲單純矩陣可驅動的。因此,有機E L元件1 之發光係通過基板3形成可使取出向外部。 此時,基板3係以玻璃等透明材料予以形成’陽極1 1係由I T 0膜等透明導電物質予以形成’陰極1 2則由 適於蒸鍍之金屬等導電物質所形成,電洞注入層14係由 非共軛性高分子及電洞输送性低分子及氧化性摻雜劑予以 形成。 再者,成爲相鄰的有機E L元件1之間隔的陽極1 1 之間隔1 1係指3 0 M ,矩形部分1 3之邊之中’成爲沿 與有機E L元件1之排列方向呈正交的方向之邊的尺度之 陰極之寬度d 1,係指3 0 0 # m ’矩形部分1 3之邊之中 成爲沿有機E L元件1之排列方向的邊之尺度的陽極1 1 之寬度d 2係指3 0 〇 # m。因此’陽極1 1之厚度d 3係 (請先間讀背面之注意事項再填寫本I) 訂----------線*. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46352 6 A7 __:_B7 五、發明說明(21 ) 指1 0 0 n m,陽極1 1及陰極1 2之間隔d 2係指2 0 〇 n m 。 具體而言,本裝置之情形’被施加至有機E L元件1 之電壓V。係指1 Ο V '流動於有機E L元件之電流〗〇的 電流密度J。即成爲1 5 OmA/cm2。 在此種發光裝置2 ,電洞注入層14之導電係數σ若 基於式7及式9予以算出時,則以經予設定成較3 X 10 5S/m大,較1.35x10 1S/m小,爲必要 的。具體而言,係約4 X 1 CT 4 S / m。 若依此種本實施形態時,可得以下的功效。 亦即,將設於發光裝置2之電洞注入層1 4的導電係 數 σ 設定成 J〇d4/10<Iid2J〇(l〇〇· d 3 V 〇 ),於有機E L元件1之洩漏電流之電流密度J -係予設 成相鄰的其他有機E L元件1之於驅動時流動的電流I ◦之 電流密度J。之1 / 1 0 0,故可防止由多數設置的有機 E L元件之中選出者以外的亮燈,即使在低電壓驅動亦可 確保足夠的亮度,於利用作顯示裝置之情形,可提高對比 又,至於陽極1 1係經予形成於基板3之表面上的透 明電極,伸長成帶狀,同時採用於其寬度方向上予以多數 排列者,且至於陰極1 2係於與陽極1 1呈正交的方向上 呈帶狀伸長的電極,於其寬度上採用經予多數排列者,藉 由此等之陽極1 1及陰極1 2,多數的有機E L元件1爲 可單純矩陣驅動的,故可將經予二次元排列的多數之有機 I ---------*--^ ^-----^! — 訂 *---I ----線 f (諝先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用申國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -24- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46352 6 A7 ______B7___ 五、發明說明(22 ) E L元件1任意的高速驅動,可實現出用作電視接收機用 之顯示器,或個人電腦用之顯示器的薄形高性能者》 再者,若將電洞注入層1 4之材料溶解於氯仿等的溶 液時’在進行成膜之際,在大氣壓力下可進行成膜之旋塗 法成爲可採用,可容易進行電洞注入層1 4之成膜作業。 以下說明製作包含具有在前述實施形態之構造的發光 裝置2之具體的步驟之實施例。 實施例1 製作步驟 採用於表面上設有I 丁 0膜之透明電極的透明玻璃製 之基片3。此基片3係成爲具有寬度1 0 0 m m X長度 12〇mmx厚度1.lmm之尺度者。 又,設於基板3之表面上的透明電極,係成爲發光裝 置2之陽極11者,寬度(d2) 300//m,厚度(d3 )1 2 0 m m之帶狀電極係予圖形化於其寬度方向上之經 予多數排列的條帶狀。透明電極之相鄰的各帶狀電極之間 隔(gap ) 1 1係指爲2 0 # m。 首先,將此種基板3以異丙醇超音波淸洗5分鐘後, 以純水淸洗5分鐘後,再度以異丙醇超音波淸洗5分鐘。 俟結束超音波淸洗後,吹拂乾燥氮氣並由基板3之表面去 除異丙醇後,進行U V /臭氧淸洗。 其次,於基板3上以旋塗法將由非共軛性高分子與電 洞輸送性低分子及氧化性摻雜劑而成的電洞注入層1 4予 本紙張尺度i|用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .〇5 - '' ----I-------^ i-----^ ---t* — —------ f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4635 2 6 A7 _ B7 五、發明說明(23 ) 以成膜。亦即’至於電洞注入層1 4之原材料,係採用將 4 7 mg之聚碳酸酯(以下簡稱PC),及112m g之 — —雙(3 —甲基苯基)一〔1 ,1 一聯苯基〕一 4,4 —二胺(以下簡稱T P P ) 與1 1 2mg之參(4 一溴苯基)鋁六氯銻酸鹽(以下簡 稱爲T B AHA )丨谷於5m£之氯仿內的溶液至導電係數σ 成爲約4xl〇 4S/m。 將^此溶液滴下至旋轉(2 0 0 0 r p m )的基板3上 ,利用旋塗方式,於基板3之表面上進行成膜。其後,將 基板於溫度8 5 °C之空氣中乾燥1小時,由而使於基板3 之表面上完成由PC:TPD:TBAHA之混合物而成 的厚度2 0 0 nm之電洞注入膜1 4。 其次利用真空蒸鍍法’依序於已形成在基板3上的電 洞注入層1 4上成膜出電洞輸送層1 5,發光層1 6及電 子輸送層。 具體而言,至於輸送層1 5之原材料,可採用4, 4 - 一雙〔n -苯基一 N — ( 1—蔡基)一 4 一胺基苯基 〕三苯基胺(以下簡稱T P B 7 8 )。 至於發光層1 6之原材料,可採用9,1 0 -二〔4 一(2,2 / -二苯基乙烯基一 1—基)苯基〕蒽(以下
簡稱爲 DPVPAN)與 4,4'—雙〔2 — (N ,N -二苯基胺基)苯基}乙烯基〕聯苯基(以下簡稱 DPAVB i )之混合物。 至於電子輸送層1 7之原材料,可採用參(8 -羥基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -26- ----------—丨 | ^---J l·---訂---------線( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46352 6 A7 _ B7 五、發明說明(24 ) 哮啉)鋁(以下簡稱A 1 q )。又,於真空蒸鍍方面,貝ij 採用市售的真空蒸鍍裝置(日本真空技術公司製造)。 在進行真空蒸鍍之際,首先將已成膜出電洞注入層 1 4之基板3固定於真空蒸鍍裝置之基板支持器,於設置 在各該真空蒸鍍裝置之四個鉬製電阻加熱舟皿之各個內, 各別放入200mg之TPD78,200mg之 DPVDPAN,200mg 之 DPAVB i 及 100 m g 之 A 1 q。 其次,將真空蒸鍍裝置之真空室密閉,減壓真空室內 至1.〇xl04Pa後,加熱裝有TPD78之電阻加 熱舟皿,使T P D 7 8蒸發,於已形成在基板3上的電洞 注入層1 4之上,成膜出膜厚2 0 nm之電洞輸送層1 5 〇 俟電洞輸送層1 5之成膜結束後,將放入有 DPVDPAN之電阻加熱舟皿及放入有DPAVB i之 電阻加熱舟皿同時加熱使DPVDPAN及DP A VB i 蒸發,於基板3上已形成的電洞輸送層1 5之上,成膜出 膜厚4 0 nm之發光層1 6。在此,於發光層1 6之 DPVDPAN及DPAVAB 1之混合比,以重量計爲 4 0:1° 俟發光層1 6之成膜結束後,加熱已放入有A 1 q之 電阻加熱舟皿,使A 1 q蒸發,於基板3上已形成的發光 層1 6之上成膜出膜厚2 0 n m之電子輸送層1 7。 其次,進行陰極1 2之成膜,惟於其前,自真空室取 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於-----r--—訂--------*線{ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -27- 4635 2 6 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(25 ) $已結束至電子輸送層1 7爲止的成膜之基板3 ,於電子 Μ送層1 7之上設置不銹鋼製之罩膜。 此罩膜係供將寬度(d ) 5 0 0 m之帶狀電極予以 ®•形化至其寬度方向之經予多數排列的條狀而用者。且, &帶狀電極之間隔係被指爲5 0 0 " m。又,此罩膜之設 ®方向係所形成的帶狀電極與陽極1 1之帶狀電極成正交 的方向。 此後,將已設置罩膜之基板3再度固定於真空蒸鍍裝 置之基板支持器,同時由鋁(A 1 )及鋰(L i )而成之 同時’以L i濃度5 a t %之合金母材爲蒸鍍材料設置於 真空蒸鍍裝置上。 因此,將真空蒸鍍裝置之真空室予以密閉,減壓真空 室內至1 · 〇 X 1 〇 4 P a爲止後,加熱前述的蒸鍍材料 ’邊調整蒸鍍材料之溫度至蒸鍍速度成爲0 · 5〜1 . 〇 m /秒之範圍,邊令各該蒸鍍材料蒸發,由而於基板3已 形成的電子輸送層1 7之上,成膜出膜厚1 5 0 nm之陰 極1 2,使完成發光裝置2。 在此,若基於式7及式9予以算出時,則電洞注入層 1 4之導電係數σ,係應予設定成較4 X 1 0 5 S / m大 ’車父9 X 1 0 2 S / m亦小的値。若實際測定發光裝置2 之電洞注入層1 4的導電係數σ時,則該導電係數σ係成 爲 4 X 1 0 4 S / m。 因此,多數設置於發光裝置2之有機E L元件之中, 僅經予選擇者亮燈,且可防止該等以外者之亮燈,又,有 -----------{ ^ - -------訂 --------線{ (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -28- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46352 6 A7 B7 五、發明說明(26 ) 機E L元件可被視作以低電壓可驅動。 其次說明以上述的步驟製作的發光裝置2之發光^驗 〇 〔發光試驗〕 於以上述步驟製作之發光裝置2所形成的多數2有·機 E L元件之中,選擇特定的有機E L元件,僅對各該有機 EL元件施加5 . 5 V之直流電壓時’發現有均句的藍色 發光。又,未被發現有除選擇者以外之發光。 其次,以脈衝電壓(責任導電週期1/1 0,電壓 1 Ο V,基本頻率6 OH Z )驅動新予選擇的有機E L元 件時,僅各該有機E L元件被發現有發光。另一方面,與 此有機E L元件相鄰的其他之有機E L元件等已選擇的有 機E L元件以外之發光則未被發現。 至於前述之直流電壓驅動的有機E L元件之初期性能 數據,可得電流密度:1 2mA/cm2,亮度:83 cd/m2,發光效率:7cd/A’ 色度:(〇 , 184 ,0 . 344)。由此等數據可知發光裝置2之有機EL 元件爲高效率的。 又,至於前述之脈衝電壓驅動的有機E L元件之初期 性能數據,可得電流密度:1 7 9 m A / c m 2,瞬間亮度 :9〇5〇cd/m2’ 發光效率:5cd/A ( 0.180,0.339) » 再者,將發光裝置2之全部有機E L元件亮燈時’以 ------II--— 丄 A----l·--—訂·------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -29- 4 6 3 5 2 6 A7 B7 五、發明說明(27 ) 目視及亮度計(Minolta公司製:CS - 1〇〇)觀察發光 裝置2之表面時,未發現有於發光面由無亮燈之有機£ L 元件,加上有機E L元件之亮度可說是均等的。由此事可 知發光裝置2在發光之均勻性方面係優越的。 實施例2 製作步驟 除實施例1之電洞注入層1 4,對銅酞菁(C u P c )與D D Q以5 0 : 1 (人/秒)之比共蒸鍍予以形成外 ,餘與實施例1同法製作。 在此D D Q係先前出現的化合物。 發光試驗 於以上述步驟製作之發光裝置2所形成的多數之有機 E L元件之中,選擇特定的有機E L元件’僅對各該有機 E L元件施加5 . 5 V之直流電壓時,發現有均勻的藍色 發光。又,未被發現有除選擇者以外之發光。 其次,以脈衝電壓(責任導電週期1 / 1 〇 〇 ’電B 1 〇V,基本頻率6 0Hz )驅動新予選擇的有機EL元 件時,僅各該有機E L元件被發現有發光。另一方面’與 此有機E L元件相鄰的其他之有機E L元件等已選擇的有 機E L元件以外之發光則未被發現。 至於前述之直流電壓驅動的有機E L元件之初期性能 數據,可得電流密度:1 · 8 m A / c m 2 ’亮度: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) -30 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f^---1 l· I--訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46352 6 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印贺 五、發明說明(28 ) 9 2 c d /m 2,發光效率:5 , 1 c d / A ’ 色度:( 0 . 180,0 _ 330)。由此等數據可知發光裝置 之有機E L元件爲高效率的。 實施例3 製作步驟 除實施例1之電洞注入層1 4,對T P D p與 F e C 1 2以重量比1〇〇:5並用旋塗法予以成膜’形成 外,餘與實施例1同法製作。 在此T P D P係以下列構造式表示的化合物。
發光試驗 於以上述步驟製作之發光裝置2所形成的多數之有機 E L元件之中,選擇特定的有機E L元件,僅對各該有機 E L元件施加6 . 0 V之直流電壓時,發現有均勻的藍色 發光。又,未被發現有除選擇者以外之發光。 其次,以脈衝電壓(責任導電週期1/100,電壓 1 〇V,基本頻率6 0Hz )驅動新予選擇的有機EL元 件時,僅各該有機E L元件被發現有發光。另一方面,與 此有機E L元件相鄰的其他之有機E L元件等已選擇的有 機E L元件以外之發光則未被發現。 I--I--— if 你---I l·--i 訂---------線ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格<210 X 297公釐) -31 - A7
4 6 35 2 G ----^__B7_____ 五、發明說明(¾ ) 至於前述之直流電壓驅動的有機E L元件之初期性能 數據’可得電流密度:1 . 6 m A / c m 2,亮度: 82。(3/1112,發光效率:5_1〇(1/八,色度:( 〇 · 180,〇 . 340)。由此等數據可知發光裝置2 之有機E L元件爲高效率的。 實施 除實施例1之電洞注入層1 4,對聚甲基丙烯酸甲酯 C Ρ Μ Μ A )與銻摻雜的氧化錫以重量比1 : 1並用旋塗 '法予以成膜,形成外,餘與實施例1同法製作。 發光試輪 於以上述步驟製作之發光裝置2所形成的多數之有機 E L元件之中,選擇特定的有機e L元件,僅對各該有機 E L元件施加6 . 0 V之直流電壓時,發現有均勻的藍色 發光。又,未被發現有除選擇者以外之發光。 其次,以脈衝電壓(責任導電週期1 / 1 0 0,電壓 1 0 V,基本頻率6 0 Η z )驅動新予選擇的有機E L元 件時,僅各該有機E L元件被發現有發光。另一方面,與 此有機E L元件相鄰的其他之有機E L元件等之選擇的有 機E L元件以外之發光則未被發現。 至於前述之直流電壓驅動的有機E L元件之初期性肯g 數據,可得電流密度:1 . 5 m A / c m 2,亮度: ----- --^ i 1 I r---—訂---------— 線 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) -32- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 3? 2 A7 _^ B7 五、發明說明(30 ) 76cd/m2,發光效率:5 · lcd/A,色度:( ◦ . 182 ’ 0 ,342)。由此等數據可知發光裝置2 之有機E L元件爲高效率的。 比較例1 除實施例1之電洞注入層1 4不採用T B A Η A予以 形成外,餘與實施例1同法製作。 發光試驗 於以上述步驟製作之發光裝置2所形成的多數之有機 E L元件之中,選擇特定的有機E L元件,僅對各該有機 E L元件施加1 0 V之直流電壓時,發現有均勻的藍色發 光。又,未被發現有除選擇者以外之發光。 其次,以脈衝電壓(責任導電週期1 / 1 0 0,電壓 1 〇 V,基本頻率)僅驅動新予選擇的有機E L元件時, 僅各該有機E L元件被發現有發光。另一方面,與此有機 E L元件相鄰的其他之有機E L元件等之選擇的有機E L 元件以外之發光則未被發現。 至於前述之直流電壓驅動的有機E L元件之初期性能 數據,可得電流密度:1 . 0 m A / c m 2,亮度: 5〇cd/m2,發光效率:5cd/A,色度:( ◦ •1 8 4,0.3 4 0 )。若與實施例1比較時’則驅 動電壓ti] 5 . 5 V予以高電壓化至1 〇 V爲止。此時的電 洞注入層之導電係數σ係較1 〇 · 6 S / m小’電洞注入層 ------------ί %-----r---訂---------線{ (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -33- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 35 2 6 Α7 _ Β7 五、發明說明(31 ) 之導電係數<7之値未能落於本發明之範圍內。 丨:h較例2 製作步驟 除實施例1之電洞注入層1 4由聚苯胺及樟腦磺酸形 成外,餘與實施例1同法製作。 發光試驗 於以上述步驟製入之發光裝置2所形成的多數之有機 E L元件之中,選擇特定的有機E L元件,僅對各該有機 E L元件施加5 Ο V之直流電壓,惟非選擇像元卻發光 〇 其次,以脈衝電壓(責任導電週期1/1 〇 〇 ,電壓 1 Ο V,基本頻率)僅驅動新予選擇的有機E L元件時, 與此有機E L元件相鄰的其他有機E L元件會發光。 至於前述之直流電壓驅動的有機E L元件之初期性能 數據,可得電流密度:1 . 0 m A / c m 2,亮度: 70〇(1/1112,發光效率:7〇(1/八,色度:( 0 . 1 8 0 ,0 . 3 4 0 )。此時之電洞注入層之導電係 數σ成爲1 S/m ^由於超過本發明之導電係數σ之値的 上限,使喪失像元選擇性。 實施例5 製作步驟 ------ - ---丄^-----:----訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) -34- A7 46352 6 ____B7___ 五、發明說明(32 ) 除實施例1之電洞注入層1 4,蒸鍍t p d成 6 0 nm,再對實施例1之電子輸送層1 7以C u P c與 L i以2 : 0 . 1 (人/秒)之比共蒸鍍予以形成外,餘 與實施例1 1同法製作。 發光試驗 於以上述步驟製作之發光裝置2所形成的多數之有機 E L元件之中,選擇特定的有機E L元件,僅對各該有機 E L元件施加6 . Ο V之直流電壓時,發現有均勻的藍色 發光。又,未被發現有除選擇者以外之發光。 其次,以脈衝電壓(責任導電週期1 / 1 0 0 ,電壓 10 v,基本頻率60Hz)驅動新予選擇的有機EL元 件時,僅各該有機E L元件被發現有發光。另一方面,與 此有機E L元件相鄰的其他之有機E L元件等之選擇的有 機E L元件以外之發光則未被發現。 至於前述之直流電壓驅動的有機E L元件之初期性能 數據,可得電流密度:1 . 7 m A / c m 2 ’亮度: 83c d/m2,發光效率:4 . 9cd/A,色度:( 〇.179 ,0.330)。由此等數據可知發光裝置2 之有機E L元件爲高效率的。 實施例6 製作步驟 除實施例1之電子輸送層1 7以厶1 Q (參(8 -羥 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •ί 机 t丨丨^----訂----- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -35- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 3526 A7 ___B7 五、發明說明(33 ) 基鸣啉)鋁)與C s以2 : 0 . 3 ( A /秒}之比予以共 蒸鍍以外,餘與實施例1同法製作。 發光試驗 於以上述步驟製作之發光裝置2所形成的多數之有機 E L兀件之中,選擇特定的有機E L元件,僅對各該有機 E L兀件施加6 . 〇 V之直流電壓時,發現有均句的藍负 發光。又,未被發現有除選擇者以外之發光。 其次,以脈衝電壓(責任導電週期1 / 1 〇 〇,電壓 1 ◦ V ’基本頻率6 Ο Η z )驅動新予選擇的有機e l元 件時,僅各該有機E L元件被發現有發光。另一方面,與 此有機E L元件相鄰的其他之有機E L元件等之選擇的有 機E L元件以外之發光則未被發現。 至於前述之直流電壓驅動的有機E L元件之初期性能 數據,可得電流密度:1 . 6mA/cm2,亮度: 83cci/m2,發光效率:5 . 2cd/A,色度:( 0 . 180,0 . 3 3 3)。由此等數據可知發光裝置2 之有機E L元件爲高效率的。 以上,舉合適的實施形態及實施例說明本發明,惟本 發明並非受此等實施形態及實施例所限定者,在不選出本 發明之要旨的範圍內可作各種改良及設計之變更。 例如,對發光裝置,於相互鄰接的陽極之間’不限於 設置著電洞注入層者,如第7圖所示般’於相互鄰接的陽 極1 2之間,亦可設置著絕緣膜1 8。若予如此構成時, — — — — — —------一 於--------訂-----I I i - <請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) -36- 463526 A7 B7__ 五、發明說明(34 ) 由於I T 0之邊緣係以絕緣膜1 8予以保護,故可得能有 效的防止洩漏之功效。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此,於發光裝置之有機E L元件1 A,1 B之間所 形成的直流電阻R >係絕緣膜1 8之上面之直流電阻r > 及絕緣膜1 8之二個側面之直流電阻r間之和,直流電阻 r z可被視作與於前述實施例之直流電阻R相等的。 因此,直流電阻R >係以下式1 〇表示。惟1 /係沿 絕緣膜1 8之側面洩漏電流流動的電洞注入層之長度, d >係前述洩漏電流流動的電洞注入層之厚度。 R " -R + 2 · r = li/(c7 did2) + 2 ' 11 /( ¢7 did ).........式 10 在此種發光裝置,丨i / i >成爲約2 0之値,d 3 / d /成爲約1 〇之値,直流電阻R -成爲約略與直流電阻 R相等,即使於相互鄰接的陽極1 2之間設有絕緣膜1 8 之發光裝置,式7及式7所示的導電係數^之範圍爲可保 持原狀的適用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,至於電洞注入層之材料並不限於導電性高分子1 亦可爲無機半導體。若採用由無機半導體而成的電洞丨主Λ 層時,則藉由調整摻雜劑至無機半導體之添加量等’電 '洞 注入層之導電率σ成爲可正確的設定,式7及式9所規定 的導電係數σ成爲可容易且確實的設定ΰ 再者,至於發光裝置’藉由經予二次元排列的有機 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 37 - !4 6 35 2 β Α7 _Β7___五、發明說明(35 ) E L元件係作成可單純矩陣驅動的,不限於成爲影像等亦 顯示的顯示裝置者,如聲頻製品所見的電平表般’單單以 有機E L元件經予排列於直線上者亦可,總而言之,若爲 於經予整體化的有機層上形成有多數之有機E L元件者即可〇 產業上之可利用性 如上述般,依本發明,可防止多數設置的有機E L元 件之中除經予選擇者以外的亮燈,即使在低電壓驅動亦可 確保足夠的亮度,在利用作顯示裝置之情形,可提高對比 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 私-----^----訂·---- - --- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -38 -
Claims (1)
- 463526 8 8 8 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 .···-種發光裝置,其特徵在於使多數組之陽極及陰 極可相+互對向配置,同時於此等陽極及陰極之間形成電荷 形成層及發光層,多數的有機E L元件設成可單獨發光的 發光裝置,前述電荷注入層之導電係數σ係予設定成來自 前述有機E L元件之洩漏電流成爲導通於各該有機E L元 件之電流的1 / 1 〇 〇以下。 2 .如申請專利範圍第1項之發光裝置,其中前述多 數組之陽極及陰極係對相互對向的對向面之中正對的部分 各丨3指相同面積之矩形,正孔注入層1 4之導電係數c;係 予設定成 0<σ< 1 id2J〇/ ( 1〇〇· d 3 V 〇 ),其中V。爲被施加至有機E L元件之 電壓,J D爲於有機E L元件流動的電流I 〇之電流密度, 1 ,爲相鄰的有機E L元件之間隔,d 2.爲前述陽極及陰極 之正對的矩形部分之邊之中,有機E L元件之沿排列方向 的邊之尺度,d 爲前述陽極之厚度,d 〃爲前述陽極及陰 極之間隔。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置,其 中前述陽極在伸長成帶狀之多數的電極係予排列於其寬度 力向,而前述陰極在伸長成帶狀之同時,與前述陽極交叉 的多數之電極係予排列於其寬度方向,由此等的陽極及陰 極使前述多數的有機E L元件成爲單純矩陣可驅動的。 4 .如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置,其 中前述電荷注入層爲正孔注入層’由有機化合物及氧化性 摻雜劑而成者。 本紙張尺度逋用中^"國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐)「39: ' (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 46352 6 郃 C8 D8 六、申請專利範圍 5 .如申請專利範圍第4項之發光裝置,其中有機化 合物係具有正孔輸送性單位者,該正孔輸送性單位爲①藉 由非共軛鍵結相互鏈結而形成的高分子,或②由非共軛性 高分子及正孔輸送性低分子之混合物而成者° 6 .如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置,其 中前述電荷注入層爲電f注入層,由有機化合物及氧化性 摻雜劑而成者。 7 .如申請專利範圍第6項之發光裝置,其中有機化 合物爲電子輸送性化合物。 8 .如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置,其 中前述電荷注入層係正孔注入層且由導電性高分子而成。 9.如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置,其 中前述電荷注入層爲正孔注入層且含有無機半導體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4現格(2丨Ο X 297公釐)-40 -
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