TW463435B - Surface emitting semiconductor laser and surface emitting semiconductor laser array - Google Patents

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TW463435B TW089128035A TW89128035A TW463435B TW 463435 B TW463435 B TW 463435B TW 089128035 A TW089128035 A TW 089128035A TW 89128035 A TW89128035 A TW 89128035A TW 463435 B TW463435 B TW 463435B
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laser
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Tsuyoshi Kaneko
Takayuki Kondo
Tetsuo Nishida
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Seiko Epson Corp
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Description

463435 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 本發明係關於，對半導體基板垂直射出雷射光之面發 光型半導體雷射，及使用上述面發光型半導體雷射之面發 光型半導體雷射陣列。 面發光型半導體雷射係對半導體基板垂直射出雷射光 之半導體雷射，在半導體基扳上之垂直方向配設有共振器 。此共振器係用以使雷射光振盪後射出，係依序堆疊反射 層、活性層、反射層而構成。 面發光型半導體雷射具有’容易陣列化（在同一基板 上配置多數雷射）’門檻値小、振盪波長穩定、較之端面 雷射，其雷射放射角度成等方的放射角度、且體積很小等 之優異之特徵。因之，面發光型半導體雷射被期待能夠成 爲可二維積體化之半導體雷射，而應用在光並聯通信或光 並聯運算，雷射光束列印機等。 另一方面，使用半導體雷射構築光學裝置時，常需要 使用偏光子或射束分裂器等機器。偏光子或射束分裂器等 機器之反射率依存於偏光方向。因此，將半導體雷射裝配 在光學裝置使用時，若雷射光之偏光方向之控制不充分， 便會發生光之強度因方向而變化等之問題，因此控制雷射 光之偏光方向很重要。 然而，面發光型半導體雷射由於共振器具有等方的構 造’從共振器射出之雷射光之放射角度成等方的角度，因 此雷射光之偏光方向之控制很困難。因此，目前正對面發 光型半導體雷射嘗試控制雷射光之偏光方向，例如，在日 本國特開平8 - 1 1 6 1 3 0號公報，或特開平6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 我--------訂—------線- 4 Λ 5 Α7 Β7 463435 五、發明說明（2) 2 2 4 5 1 5號公報揭示有，關於面發光型半導體雷射之 偏光方向之控制技術。 (锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之目的在提供，能夠控制雷射光之偏光方向之 面發光型半導體雷射及面發光型半導體雷射陣列。 本發明之面發光型半導體雷射，係共振器形成在半導 體基板上之垂直方向，從該共振器向該半導體基板之垂直 方向射出雷射光之面發光型半導體雷射，至少包含有> 包含上述共振器之一部分之柱狀之半導體堆積體，以 及， 接觸形成在上述半導體堆積體之外側面之絕緣層， 上述絕緣層具有起因於其平面形狀之異方的應力，可 藉絃異方的應力控制雷射光之偏光方向。 在此之所謂起因於其平面形狀之異方的應力，係指上 述絕緣層之平面形狀成爲誘因，而產生之異方的應力，而 異方的應力係垂直相交之兩個方向之應力1且相互間之大 小不一樣之應力。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 依據此面發光型半導體雷射時|可以從絕緣層向上述 半導體堆積體中所含之活性層直接施加異方的應力。亦即 *由於絕緣層有起因於該絕緣層之平面形狀之異方的應力 ，這種異方的應力加在與絕緣層接觸之柱狀部中之活性層 ，而在雷射光之增益出現有異方性。其結果，可以優先放 大特定偏光方向之雷射光使其振盪1因此可以將雷射光之 偏光方向控制在特定方向。 這個時候，在本發明之面發光型半導體雷射’若以通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 r 463435 Α7 Β7____ 五、發明說明（3 ) 過上述半導體堆積體上面之中心，相互垂直相交之軸爲X 軸及y軸時，上述異方的應力包含X軸方向之應力及y軸 方向之應力’該X軸方向之應力及y軸方向之應力具有不 同之大小較佳。 依據具有上述架構之面發光型半導體雷射時，由於上 述異方的應力包含X軸方向之應力及y軸方向之應力，該 X軸方向之應力及y軸方向之應力具有不同之大小’因此 ，‘雷射光之增益在上述兩軸中之應力較大一方之軸之垂直 方向較優勢，而獲得向垂直於上述應力較大一方之軸方向 之偏光之雷射光。藉由上述，可以控制雷射光之偏光方向 。而且，上述絕緣層之平面形狀可以在其製膜過程很容易 調製，因此偏光方向之控制很容易，同時1在製成雷射陣 列時，也可以獲得以均一之特性控制之雷射。 可產生起因於上述絕緣層之平面形狀之異方的應力之 絕緣層之形態*可例示以下之（1 )〜（4 )種。 (1 )通過上述半導體堆積體上面之中心，相互垂直 相交之軸爲X軸及y軸時， 上述絕緣層之平面形狀可形成爲， 從上述中心至上述X軸與上述絕緣層外側面之第1交 點之距離與， 從上述中心至上述y軸與上述絕緣層外側面之第2交 點之距離不相同。 由於，設置成，從上述中心至上述X軸與上述絕緣層 外側面之第1交點之距離，與從上述中心至上述y軸與上 €- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装--------訂---I-----線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4634-3 5 A7 ___B7___ 五、發明說明（4 ) 述絕緣層外側面之第2交點之距離不相同|從絕緣層作用 於上述半導體堆積體中之活性層之應力會產生異方性。其 結果，垂直於上述應力較大一方之軸方向之增益較優勢1 獲得向垂直於上述應力較大一方之軸方向偏光之雷射光" 藉由上述，可以控制雷射光之偏光方向。 這時，上述面發光型半導體雷射之可取之形態是，共 振器形成在半導體基板上之垂直方向，從該共振器向該半 導體基板之垂直方向射出雷射光之面發光型半導體雷射， 至少包含有， 包含上述共振器之一部分之柱狀之半導體堆積體，以 及， 接觸形成在上述半導體堆積體之外側面之絕緣層， 通過上述半導體堆積體上面之中心，相互垂直相交之 軸爲X軸及y軸時， 上述絕緣層之平面形狀被形成爲， 從上述中心至上述X軸與上述絕緣層外側面之第1交 點之距離與， 從上述中心至上述y軸與上述絕緣層外側面之第2交 點之距離不相同。 採用此面發光型半導體雷射時，可以發揮上述效果。 (2 )可以使上述絕緣層外側面之平面形狀，對上述 X軸及上述y軸中之至少一方爲線對稱。 在上述面發光型半導體雷射，由於上述絕緣層之平面 形狀對上述X軸及上述y軸中之至少一方爲線對稱，在上 本紙張尺度適用中囤國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -!"---^--------ί、裝------ 訂---------線'、Jr (諳先閱讀背面之注音華項再填寫本買) 4 6 343 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 述半導體積體中所含之活性層，作用於X軸及y軸中成爲 線對稱之對稱軸之一側部分之應力，與作用於另一側部分 之應力成爲大小相同且方向成1 8 0度相反。因此，可以 加強與垂直於上述對稱軸之軸平行方向之應力之異方性， 同時，可以更嚴密控制與垂直於該對稱軸之軸平行方向之 雷射光之偏光。 (3 )可以使上述絕緣層外側面之平面形狀，以上述 半導體堆積體爲中心，成爲轉動兩次對稱。 所謂轉動兩次對稱，係指，以上述半導體堆積體爲中 心，令上述絕緣層之外側面之平面形狀旋轉1 8 0度時， 轉動後之上述絕緣層之外側面之平面形狀與原來之上述絕 緣層之外側面之平面形狀一致（轉動1次指轉動9 0度） □ 在上述面發光型半導體雷射，由於上述絕緣層之外側 面之平面形狀是以上述半導體堆積體爲中心，成轉動兩次 對稱，因此，作用於上述半導體積體中所含之活性層中之 一側部分之應力，與作用於上述活性層相反側部分之應力 ，成爲大小相同且方向成1 8 0度相反。因此，可以加強 與垂直於上述對稱軸之軸平行之方向之應力之異方性，同 時 > 可以更嚴密控制與垂直於該對稱軸之軸平行之方向之 雷射光之偏光。 (4 )上述絕緣層可以藉埋設方式形成。 在上述面發光型半導體雷射，由於上述絕緣層是以埋 設方式形成，因此，可以從上述半導體堆積體之外側面， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^----^ 1-------;;襄--------訂---------線；、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 63 43 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 ___B7__ 五、發明說明（6 ) 將產生於上述絕緣層之異方的應力加在整個包含上述活性 層在內之上述半導體堆積體 > 因此可以確實控制雷射光之 偏光。 同時，在上述面發光型半導體雷射 > 上述絕綠層由聚 亞胺系樹脂、丙烯系樹脂或環氧系樹脂形成較佳。 從這些樹脂形成上述絕緣層時，可向這些樹脂照射熱 或光等之能源射線令其硬化。在硬化時會有很大之收縮> 隨著上述體積收縮，上述絕緣層使上述半導體堆積體產生 很大之牽引變形。亦即，從上述絕_緣層使很大之牽引應力 加在整個包含上述活性層在內之上述半導體堆積體。藉此 可以對活性層施加很大之應力，可以進行更爲穩定之雷射 光之偏光方向控制。 在本發明之面發光型半導體雷射，上述絕緣層之外側 面之平面形狀可以是，例如，長方形、菱形等之矩形’或 橢圓形等。 同時，上述面發光型半導體雷射陣列，係並排多數個 上述面發光型半導體雷射，而形成。 依攄此面發光型半導體雷射陣列時，因爲是並排多數 個上述面發光型半導體雷射，而形成，因此，以一定數、 一定排列形成面發光型半導體雷射，便可以依用途或目的 獲得最合適之面發光型半導體雷射陣列。 茲參照附圖說明本發明之可取之實施形態如下。 (第1實施形態） ---9- ^----：--------襄--------訂---------線 “-} (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 463435 A7 B7 五、發明說明（7) (裝置構造） 第1圖係沿第2圖之A -A線切斷本發明之第1實施形 態之面發光型半導體雷射1 〇 〇 (以後簡稱「面發光雷射 j )之截面圖。第2圖係以模式方式表示，從面對雷射光 之射出口之一側所視之第1圖所示面發光雷射1 〇 〇之平 面主要部分之圖。第3圖係沿B-B截面切斷第2圖所示構 造之截面圖。 本發明之第1實施形態之面發光雷射1 〇 〇之特徵是 ’具有接觸形成在垂直共振器（以後簡稱「共振器」） 1 2 0外側面之絕緣層1 1 2，絕緣層1 1 2具有異方的 應力，藉此異方的應力控制雷射光之偏光方向。 首先說明第1圖〜第3圖所示之面發光雷射1 〇 〇之 構造。面發光雷射100包含，半導體基板1〇1、形成 在半導體基板1 0 1上之η型G a A s構成之緩衝層 1 02、共振器1 2 0、及彤成在共振器1 2 0上之p型 GaAs構成之接觸層109，而構成。 共振器1 2 0形成在緩衝層1 〇 2上，係依次堆疊， 交互堆疊η型A 1 A s層及η型A 1 d.i5G aQ.BsA s 層之3 0對分布反射型多層膜鏡片（以後簡稱「下部鏡片 」）103、η型Alo.sGao.sAs構成之η型包覆 層104、由GaAs井層及Alo.3Gao.7As障壁 層構成，井層是以3層構成之多重井構造之活性層1 〇 5 、AlQ.5Ga〇.5As構成之p型包覆層1〇6、p型 A 1 A s構成之電流狹窄層1 0 7以及形成在電流狹窄層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) “裝- ------訂---------線.： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463 43 5 A7 B7 五、發明說明（8) 1 ◦ 7周圍之絕緣體層1 1 1 、及交互堆疊p型 A 1 o.ssG £ΐϋ.ΐ5Α s 層及 p 型 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A 1 d.isG a d.85A s層之2 5對之分布反射型多層膜 鏡片（以後簡稱「上部鏡片」）1 0 8，而構成。 上部鏡片1 0 8因摻雜Ζ η而成爲p型，下部鏡片 1 0 3因摻雜S e而成爲η型》因此，由上部鏡片1 ◦ 8 、未摻雜雜質之活性層1 0 5及下部鏡片1 0 3形成 p i η二極體。 同時，共振器1 2 0中之從面發光雷射1 〇 〇之雷射 光射出亂至η型包覆層1 〇 4之部分被蝕刻成，從雷射光 射出側視之成圓形形狀，而形成柱狀部1 1 0。亦即，柱 狀部1 1 0係共振器1 2 0之一部分，指柱狀之半導體堆 積體。再者，本實施形態之柱狀部1 1 0之平面形狀爲圓 形，但可以是任意之形狀。同時，從接觸層1 0 9至η型 包覆層1 0 4之共振器1 2 0之一部分被蝕刻而形成溝 117° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態之這種面發光雷射1 0 0 ，溝1 1 7內埋 設有絕緣層1 1 2。亦即|以接觸於柱狀部1 1 0之外側 面，且覆蓋下部鏡片1 0 3上面狀形成有絕緣層1 1 2。 本實施形態之這種面發光雷射1 0 0之特徵是，絕緣層 1 1 2具有起因於其平面形狀之異方的應力。由於絕緣層 1 1 2具有異方的應力，因後述之理由，可以控制雷射光 之偏光方向。 絕緣層1 1 2之外側面之平面形狀呈長方形’有下述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 463435 A7 __ B7 五、發明說明（9) 特徵。通過柱狀部1 1 0上面之中心1 3 0，相互垂直相 交之軸爲X軸及y軸時，如第2圖所示，形成爲絕緣層 1 1 2外側面之平面形狀之邊之長度在X軸方向與y軸方 向不同長度較佳。例如，可以形成爲，從中心1 3 0至X 軸與絕緣層1 1 2外側面之交點之距離L X 1 ，較從中心 1 3 0至y軸與絕緣層1 1 2外側面之交點之距離L y 1 爲大。同樣地，形成爲絕緣層1 1 2外側面之平面彤狀之 邊之長度在-X軸方向與-y軸方向不同長度較佳。例如， 可以形成爲，從中心1 3 0至-X軸與絕緣層1 1 2外側面 之交點之距離L X 1 '，較從中心1 3 0至-y軸與絕緣層 1 1 2外側面之交點之距離Ly 1'爲大。再者，在面發光 雷射1 0 0，絕緣層1 1 2係形成爲距離L X 1與距離 Lx 1'，距離Ly 1與距離Ly 1'分別相等。由於面發 光雷射1 0 0具有上述架構，因此從絕緣層1 1 2向包含 活性層1 0 5之柱狀部1 1 0，施加包含X軸方向之應力 及y軸方向之應力，上述X軸方向之應力與上述y軸方向 之應力具有不同大小之異方的應力。 同時，如第2圖所示，本實施形態之面發光雷射 1 ◦ 0係表示，絕緣層1 1 2外側面之平面形狀對X軸與 y軸之雙方成線對稱之情形，絕緣層1 1 2外側面之平面 形狀對X軸與y軸之至少一方成線對稱較佳。其理由後述 〇 形成絕緣層1 1 2用之材料可以使用，例如，聚亞胺 系樹脂、丙烯系樹脂.、或環氧系樹脂等，可照射熱或光等 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^-i----1—訂！----線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^63^35 A7 _______Β7____ 1Π 五、發明說明（） 之能源線使其硬化之樹脂。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 又在構成柱狀部1 1 0、絕緣層1 1 2、及未構成柱 狀部1 1 0之半導體層之上面，形成有上部電極1 1 3。 未構成柱狀部1 1 0之半導體層之上面，形成有將上部電 極1 1 3與半導體層絕緣之絕緣層1 1 4。 並且，在柱狀部1 1 0上面之中央部，形成有成爲雷 射光之射出口之開口部1 1 6。同時，在半導體基板 1 0 1 ，於形成共振器1 2 0側之相反側之面上形成有下 部電極1 1 5。 而爲了使上部電極1 1 3之電流集中在柱狀部1 1 0 之中央部分，在電流狹窄層1 0 7之周圍之數μπί前後之領 域，形成有由氧化鋁製成之絕緣體層1 1 1。 (裝置之製造程序） 其次參照第4圖〜第8圖說明本實施形態之面發光雷 射1 0 0之製造方法。第4圖〜第8圖係以模式方式表示 本實施形態之面發光雷射1 0 0之製造方法之截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態之面發光雷射1 〇 〇之製造方法包括以下 之各製程（a )〜（C )。 製程（a)，係在半導體基板101之表面上，形成 包含活性層1 0 5之半導體堆 積層1 5 0 ，並形成可從半導體堆積層1 5 0向垂直 於半導體基板1 0 1之方向射出雷射光之柱狀部1 1 〇之 製程。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2ι〇 x 297公楚） 40- 463435 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） A7 ____B7____ 五、發明說明（11) 製程（b )，係在柱狀部1 1 〇之外側面，於溝 1 1 7內埋設形成絕緣層1 1 2之製程。 製程（c)，係在共振器120設置上部電極113 及下部電極115之製程。 首先說明製程（a )。 (1 )在第4圖所示之η型G s A s構成之半導體基 板1 0 1之表面上，藉由調變 組成使其外延成長，形成第5圖所示之半導體堆積層 150。在此，半導體堆積層150係指，由η型 GaAs構成之緩衝層102、交互堆疊η型AlAs層 與η型Al〇.15GaD.85As層之下部鏡片103、由 η型A 1 q.sG ao.sA s構成之η型包覆層1 0 4、由 G a A s井層及A 1 〇.3G a 0.7Α s障壁層構成，井層 是以3層構成之多重井構造之活性層1 0 5、由 八1〇.5〇3〇.5八8構成之卩型包覆層1〇6、由？型 A 1 A s構成之電流狹窄層1 0 7、交互堆疊P型 八1。.85〇83.15六3層及口型
Alc.i5GaQ.85As層之上部鏡片108、以及，由 p型G a A s構成之接觸層1 0 9，將這些依序堆疊在半 導體基板101上，以形成半導體堆積層150。而半導 體基板1 0 1之表面係指，半導體基板1 〇 1之在後續製 程形成共振器1 2 0之一側之表面。 進行外延成長時之溫度係按照半導體基板1 〇 1之種 類、或形成之半導體堆積層1 5 0之種類或厚度而適宜決 ____________-U--- I---,·--------'Γ ;裝--------訂---------線V (請先閲讀背面之迮意事項再填寫本頁) 4 6 3 4 3 5 A7 ______ B7__ 1 ο 五、發明說明（） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 定，但一般是6 0 0°C〜8 0 〇°C較佳。進行外延成長 所需之時間也是與溫度一樣適宜決定之。而外延成長之方 法則可以使用，有機金屬氣相成長（MOVPE: Metal-Qrganic Vapor Phase Epitaxy)法、MBE fife (Molecular Beam Epitaxy) ' 或 LPE 法（Liquid Phase Epitaxy)。 (2 )接著’在接觸層1 〇 9上塗敷光抗蝕劑（未圖 示）後，以光平板印刷術將該光抗蝕劑彤成圖型，藉此形 成一定圖型之光抗蝕劑層（未圖示）。接著，以此抗蝕劑 層作爲掩罩，以乾蝕刻法蝕刻接觸層1 0 9、上部鏡片 1 ◦ 8、電流狹窄層1 0 7、p型包覆層1 0 6 、活性層 105、以及η型包覆層104，如第6圖所示，形成外 側面之平面形狀是長方形之溝1 1 7，藉此配設柱狀之半 導體堆積體之柱狀部1 1 0。 铿濟部智慧財產局員工消費合作社印製 這時可以藉由適宜設定溝1 1 7之平面形狀及大小， 而適宜決定在後續製程埋設在溝1 1 7而形成之絕緣層 1 1 2之形狀。在本實施形態，通過柱狀部1 1 0之中心 1 3 0相互垂直相交之軸爲X軸及y軸時，從中心1 3 0 至X軸與溝1 1 7之外側面之交點之距離1較從中心 1 3 0至y軸與溝1 1 7之外側面之交點之距離爲大。同 樣地，從中心1 3 0至-X軸與溝1 1 7之外側面之交點之 距離，較從中心1 3 0至-y軸與溝1 1 7之外側面之交點 之距離爲大。 (3 )接著，將由ρ型A 1 A s層構成之電流狹窄層 1 0 7曝露在4 0 0。C前後之水蒸氣環境下。經此製程， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） __-~~«- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463435 A7 ___ B7 五、發明說明（13) A 1 A s層從其露出面向內側氧化，形成絕緣體之氧化鋁 。亦即’電流狹窄層1 0 7之外周部被氧化，而如第7圖 所示’形成由氧化鋁所成之絕緣體層1 1 1。經由以上之 程序，在半導體基板10 1上形成共振器1 2 0。 接著說明製程（b )。 本製程係將樹脂之液狀物或樹脂前驅體之液狀物埋設 於溝1 1 7內，以形成絕緣層1 1 2。 首先在溝1 1 7塗敷樹脂之液狀物或樹脂前驅體之液 狀物後，令其乾燥。塗敷方法有：自旋塗敷法、浸漬法、 噴塗法等之習知技術。 然後對溝1 1 7內之樹脂原料照射熱或光等之能源線 使其硬化。在此製程會發生樹脂之體積收縮，在柱狀部 1 1 0出現應力。 接著，去除埋設在溝1 1 7中之部分以外之樹脂。去 除方法有：使用光平版印刷術在樹脂形成圖型之方法、使 用乾蝕刻之方法、C Μ P法等=藉上述製程，在柱狀部 1 1 0之外側面形成埋設在溝1 1 7之絕緣層1 1 2。 上述製程係將樹脂之液狀物或樹脂前驅體之液狀物埋 設於溝1 1 7內，以形成絕緣層1 1 2，因此，絕緣層 1 1 2之形狀及大小，係由溝1 1 7之形狀及大小所決定 。因之，溝1 1 7之平面形狀與絕緣層1 1 2之平面形狀 相同。 上述製程使用之樹脂之液狀物或樹脂前驅體之液狀物 ，使用照射熱或光等之能源線時會硬化之樹脂。樹脂之液 未紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -—1--------\ 裝--------訂---------線'V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) A7 4 6 3 4 3 5 ________B7 _ 五、發明說明（14) 狀物爲例如，聚丙烯系樹脂 '環氧系樹脂。而樹脂前驅體 之液狀物則有聚亞胺前驅體。此等樹脂之液狀物或樹脂前 驅體之液狀物具有，黏性低、硬化時有很大之體積收縮之 特徵。 聚亞胺前驅體有例如，聚醯胺酸、聚醯胺酸之長鎖烷 基酯（alkyl ester )等。樹脂前驅體之液狀物使用聚亞胺系 樹脂時，將聚亞胺前驅體之液狀物塗敷在溝1 1 7後加熱 處理時產生i m i d e化反應，而生成聚亞胺系樹脂，而 形成絕緣層1 1 2。上述加熱處理之溫度因聚亞胺前驅體 之種類而異，但適宜的溫度是1 5 0°C〜4 0 OeC。 而樹脂之液狀物使用聚丙烯系樹脂、環氧系樹脂時， 使用紫外線硬化型之聚丙烯系樹脂及環氧系樹脂較佳。紫 外線硬化型樹脂只要照射紫外線便能硬化，因此不會發生 因熱量使元件損傷之問題。 接著說明製程（c )。 首先，在未構成柱狀部1 1 〇之半導體層之上面，形 成用以絕緣上部電極1 1 3與半導體層之絕緣層1 1 4。 然後，藉真空蒸著法’在絕緣層1 1 2之上面形成金及辞 構成之合金層後，使用光平版印刷術對合金層形成圖型’ 而形成開口部1 1 6。藉由上述製程形成上部電極1 1 3 。接著，以真空蒸著法’在半導體基板1 〇 1之背面（在 半導體基板1 〇 1形成共振器1 2 0之面之相反側之面） ，形成由金及鍺構成之合金層之下部電極1 1 5。經上述 處理程序後，獲得第1圖〜第3圖所示之面發光雷射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） ------— III. I". *--- I ! I 1 · ----- - - V. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4^· 463435 A7 ____B7__ 15 五、發明說明（） 10 0。 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) (裝置之動作、作用及效果） 將第1實施形態之面發光雷射1 0 0之一般性動作記 述如下。 由上部電極1 1 3及下部電極1 1 5對p i η二極體 施加順方向之電壓時’在活性層1 〇 5發生電子與正孔之 再結合，因上述再結合而發光。而所發生之光在上部鏡片 1 ◦ 8與下部鏡片1 〇 3之間來回時發生感應放射，而從 上部電極1 1 3之開口部1 1 6向半導體基板1 0 1垂直 方向射出雷射光。 其次說明，第1實施形態之面發光雷射1 〇 〇之作用 及效果。 (1 )第1實施形態之面發光雷射1 〇 〇之特徵是’ 絕緣層1 1 2係接觸形成在柱狀部1 1 0之外側面，具有 起因於上述絕緣層之平面形狀之異方的應力，可藉該異方 的應力控制雷射光之偏光方向° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此，所謂異方的應力係垂直相交之兩個方向之應力 ，且相互有不同大小之 應力。換言之，異方的應力含有X軸方向之應力及y 軸方向之應力，X軸方向之應力與y方向之應力之大小不 相同。 由於絕緣層1 1 2具有異方的應力，可以從絕緣層 1 1 2向柱狀部1 1 0中所含之活性層1 〇 5直接施加異 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐') 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） 463435 A7 _____B7__ 五、發明說明（1ό) 方的應力。亦即，由於絕緣層1 1 2具有異方的應力，這 種異方的應力加在與絕緣層1 1 2接觸之柱狀部1 1 0之 活性層1 0 5 ，而在雷射光之增益出現異方性。其結果， 可以將特定之偏光方向之雷射光優先放大使其振盪，因此 可以將雷射光之偏光方向控制在特定方向。 (2 )面發光雷射1 〇 〇係如第2圖所示，絕緣層 1 1 2之外側面之距離L X 1及距 離L X 1'分別較距離Ly 1及距離Ly 1'大" 亦即，在面發光雷射1 0 0，從中心1 3 0至X軸與 絕緣層1 1 2外側面之第1交點之距離，與從中心1 3 0 至y軸與絕緣層1 1 2外側面之第2交點之距離不相同。 因此，從絕緣層1 1 2作用於活性層1 0 5之應力有異方 性。其結果，活性層1 0 5之增益對垂直於應力較大方向 之方向之偏光較優勢，可獲的向垂直於應力較大方向之方 向偏光之雷射光。如此，可以控制雷射光之偏光方向。 在作用於活性層1 0 5之應力中，若+X軸方向之應 力爲t xl ，+ y軸方向之應力爲t y 1 ，-x軸方向之應 力爲t X 1 '，-y軸方向之應力爲t y 1 '，則在絕緣層 1 1 2外側面之平面形狀，因距離L X 1及距離L X 1 '， 分別較距離Ly 1及距離Ly 1'大，因此，應力t X 1及 t X 較應力t y 1及t y 1'大。亦即，在第1實施形 態之面發光雷射1 0 0，作用於活性層1 0 5之應力中， 平行於X軸之應力較平行於y軸之應力大，其結果，活性 層1 0 5之增益對垂直於X軸之方向之篇光優勢，因此可 -------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---------線、 463435 A7 __B7__ 五、發明說明（17 ) 得向垂直於X軸方向偏光之雷射光。藉此可以控制雷射光 之偏光方向。 (3 )在第1實施形態之面發光雷射1 〇 0 ，因爲絕 緣層1 1 2是接觸形成在包含活性層1 0 5之柱狀部 1 1 0之整個外側面，因此可以獲得，不僅可使活性層 1 0 5有異方的應力，柱狀部1 1 0之活性層1 0 5以外 之層也可以有異方的應力之面發光雷射。如此，由於使共 振器1 2 0之活性層1 0 5以外之層也有異方的應力，因 此，產生變形之方向，折射率會產生變化，而在產生變形 之方向與垂直相交之方向產生折射率差。在具有如此之折 射率分布之媒體中*只有因折射率差而具有一定之偏波成 分之光可以傳播因此，本實施形態之面發光雷射可以獲 得，與例如偏波面保持光纖之一種之橢圓芯光纖（使光纖 芯之平面形狀呈橢圓形，使其在橢圓之長軸方向與短軸方 向間產生折射率差之光纖）同樣之效果。 (4 )本實施形態之面發光雷射1 0 0，因爲絕緣層 1 1 2之外側面之平面形狀是長方形，因此接觸形成在柱 狀部1 1 0外側面之絕緣層1 1 2具有異方的應力。絕緣 層1 1 2外側面之平面形狀呈長方形時，平行於長方形長 邊方向之應力，較平行於長方形短邊方向之應力大，其結 果，活性層1 0 5之增益對平行於長方形短邊方向比較優 勢’因此獲得向平行於長方瑕之短邊方向偏光之雷射光。 藉由上述，由於可以優先放大特定之偏光方向之雷射光使 其振盪，因此可以將雷射光之偏光方向控制在特定方向。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 襄------訂！！-線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 3 43 5 A7 ___B7___ 五、發明說明（18) (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) (5 )如第2圖所示，面發光雷射1 〇 〇之絕緣層 1 1 2之外側面之平面形狀對X軸及y軸分別成線對稱° 由於絕緣層1 1 2之外側面之平面形狀對X軸成線對稱’ y軸方向之應力t y 1及-y軸方向之應力t y厂之大小 相同，且方向是180度相反。 而且，面發光雷射1 0 0之絕緣層1 1 2之外側面之 平面形狀對y軸也是線對稱。因此，X軸方向之應力 t X 1及-X軸方向之應力t X 1’之大小相同，且方向是 180度相反。在此，因Lxl、Lxl'>Lyl、 Lyl1，應力 txl 、txl’>tyl 、tyl'，因此’ 可以更嚴密將雷射光之偏光控制在y軸方向。 以上，由於絕緣層1 1 2之外側面之平面形狀對X軸 及y軸之至少一方成線對稱，因此可以發揮上述效果。 (6 )如第1圖所示，面發光雷射1 0 0之絕緣層 1 1 2係埋設形成。而由於面發光雷射1 〇 0具有上述架 構，可以從柱狀部1 1 〇之外側面，對包含活性層1 0. 5 在內之柱狀部1 1 0整體，施加產生在絕緣層1 1 2之異 方的應力，因此可以確實控制雷射光之偏光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 尤其是，絕緣層1 1 2由聚亞胺系樹脂、丙烯系樹脂 或環氧系樹脂形成時，在形成絕緣層1 1 2時，此等樹脂 會因照射熱或光等之能源線使其硬化時體積大幅度收縮> 隨著體積之收縮，絕綠層1 1 2會使柱狀部1 1 0產生很 大之牽引變形。亦即，從絕緣層1 1 2對包含活性層 1 ◦ 5之柱狀部1 1 〇作用很大之牽引應力。藉此可由對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） QA-—— 463435 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（19) 活性層1 0 5施加很大之應力，更穩定地控制雷射光之偏 光方向。 (第2實施形態） (裝置之構造） 第9圖係以模式方式表示，從面對雷射光之射出口之 一側所視之本發明第2實施形態之發光型雷射2 0 0之平 面主要部分之圖。 在第1實施形態係表示面發光雷射之絕緣層1 1 2之 外側面之平面形狀是長方形時之情形，但絕緣層1 1 2外 側面之平面形狀並非限定如此，也可以如第2實施形態之 面發光雷射2 0 0，使成爲絕緣層2 1 2外側面之平面形 狀是橢圓形之面發光雷射。除此之外，絕緣層2 1. 2外側 面之平面形狀也可以是薆形、三角形、六角形、八角形等 之多角形。 同時，第1實施形態之面發光雷射1 0 0之絕緣層 1 1 2係埋設在溝1 1 7內而形成，但第2實施形態之面 發光雷射2 0 0，係藉形成圖型，將其絕緣層2 1 2形成 在下部鏡片1 0 3上，這一點與第1實施形態不相同。 (裝置之製造程序） 第2實施形態之面發光雷射之製造方法大致上與第1 實施形態之面發光雷射之製造方法相同。但取代第1實施 形態之面發光雷射1 0 0之製造過程之藉蝕刻半導體堆積 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^---TI-------；'裝— ! — i 訂-------1線 } (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 6 3 43 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2Q) 層1 5 0以形成溝1 1 7，在溝1 1 7內埋設絕緣層 1 1. 2以形成絕緣層1 1 2，第2實施形態之面發先雷射 2 0 0係藉形成圖型，將絕緣層2 1 2形成在下部鏡片 1 0 3上，這一點與第1實施形態不相同。 (裝置之動作，作用及效果） 第2實施形態之面發光雷射之動作與第1實施形態之 面發光雷射之動作相同。因此說明從略。 同時，第2實施形態之作用及效果與第1實施形態之 作用及效果大致相同。因此說明從略。 (第3實施形態） (裝置之構造） 第1 0圖係以模式方式表示，本發明第3實施形態之 面發光型雷射3 0 0之主要部分平面圖。第1 1圖係以模 式方式表示，沿C-C截面切斷第1 0圖所示面發光型雷射 3 0 0時之截面圖。第1 2圖係以模式方式表示，沿D-D 截面切斷第1 0圖所示面發光型雷射3 0 0時之截面圖。 第3實施形態之面發光雷射3 0 0之構造與第1實施 形態之面發光雷射1 0 0及第2實施形態之面發光雷射 2 0 0之構造大致上相同。尤其是’絕緣層3 1 2之外側 面之平面形狀是長方形這一點與第1實施形態之面發光雷 射1 0 0相同，而絕緣層3 1 2是藉形成圖型形成這一點 與第2實施形態之面發光雷射2 ◦ 0之構造相同。但是， 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲請背面之汊意事項再填寫本頁) 裝--------訂--------線' 463435 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（21) 第3實施形態之面發光雷射3 0 0係如第1 0圖所示，將 柱狀部3 1 0形成在，通過柱狀部3 1 0上面之中心 3 3 0，相互垂直相交之軸爲X軸及y軸時，從中心 3 3 0至絕緣層3 1 2之外側面與y軸之第1交點之距離 L y 3、從中心3 3 0至絕緣層3 1 2之外側面與y軸之 第2交點之距離Ly 3'、及從中心3 3 0至絕緣層3 1 2 之外側面與X軸之第2交點之距離L X 3之長度相同，且 從中心3 3 0至絕緣層3 1 2之外側面與X軸之第1交點 之距離L X 3'較上述距離L X 3大之位置，這一點與第1 實施形態之面發光雷射1 0 0及第2實施形態之面發光雷 射2 0 0不相同。 (裝置之製造程序） 第3實施形態之面發光雷射3 0 0之製造方法除了絕 緣層3 1 2之形狀 '及對絕緣層3 1 2之柱狀部3 1 0之 位置不相同這一點以外，與第2實施形態之面發光雷射 2 ◦ 0之製造方法，基本上是相同的，因此說明從略。 (裝置之動作，作用及效果） 第3實施形態之面發光雷射3 0 0之動作與第1實施 形態及第2實施形態之面發光雷射之動作相同。因此說明 從略。 同時，第3實施形態之作用及效果與第1實施形態之 作用及效果大致相同，但除此之外，另有以下所示之作用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^---1---------裝-------訂---------線'^ (諳先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 463435 A7 ____B7__ 五、發明說明（22) 及效果。 {睛先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3實施彤態之面發光雷射3 0 0，雖然距離L y 3 、距離Ly 3'及距離Lx3之長度相同，但距離Lx3 與距離L X 3 '之長度不相同，因此會在絕緣層3 1 2出現 異方的應力，亦即會在絕緣層3 1 2出現X軸方向及y軸 方向不同大小之應力。因此，這種異方的應力加在活性層 1 0 5，出現雷射光之增益之異方性。藉此可優先放大特 定之偏光方向之雷射光使其振盪，因此可以將雷射光之偏 光方向控制在特定方向。 (第4實施形態） (裝置之構造及動作） 第1 3圖係以模式方式表示，本發明第4實施形態之 面發光型雷射4 0 0之主要部分平面圖。第1 4圖係以模 式方式表示，沿E-E截面切斷第1 3圖所示面發光型雷射 4 0 0時之截面圖。第1 5圖係以模式方式表示，沿F-F 截面切斷第1 3圖所示面發光型雷射4 0 0時之截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態之面發光雷射4 0 0之構造基本上與第1 實施形態之面發光雷射1 0 0之構造相同，絕綠層4 1 2 係埋設形成在溝4 1 7內。然而，本實施形態之面發光雷 射4 0 0之絕緣層4 1 2之平面形狀呈T字形狀，柱狀部 4 1 0係髟成在相當於T字之「T」之縱桿之前端部分。 (裝置之製造程序） * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 3 4 3 5 A7 B7 五、發明說明（23) (請先閱讀背面之;i意事項再填窝本頁) 第4實施形態之面發光雷射4 0 0之製造方法是，將 絕緣層4 1 2之平面形狀形成爲T字形狀後，再將柱狀部 4 1 0形成在相當於T字之「T」之縱桿之前端部分，除 了這一點以外，其餘則基本上與第1實施形態之面發光雷 射之製造方法相同。因此，說明從略。 (裝置之動作，作用及效果） 本實施形態之面發光雷射4 0 0之動作與第1〜3實 施形態之面發光雷射之動作相同。因此，說明從略。 而第4實施形態之作用及效果，與第1實施形態之作 用及效果大致相同，但另具有以下所示之效果。 在第4實施形態之面發光雷射4 0 0，因爲在相當於 T字之「T」之縱桿之前端部分形成有柱狀部4 1 0，因 此，不在未構成柱狀部4 1 0之半導體層上面設絕緣層， 仍可絕緣上部電極1 1 3與半導體層。藉此，第4實施形 態之面發光雷射4 0 0不必像第1實施形態之面發光雷射 1 0 0，在未構成柱狀部4 1 0之半導體層上面設絕緣層 ，因此可以簡化裝置，且可以縮短製程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (第5實施形態） (裝置之構造及動作） 第1 6圖係以模式方式表示，本發明第5實施形態之 面發光型雷射5 0 0之主要部分平面圖。第1 7圖係以模 式方式表示，沿G-G截面切斷第1 6圖所示面發光型雷射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 463435 A7 ... — B7 24 ^' 五、發明說明（） 5 0 0時之截面圖。 本實施形態之面發光雷射5 0 0之構造基本上與第1 實施形態之面發光雷射1 〇 〇之構造相同，絕綠層5丄2 係埋設形成在溝5 1 7內。然而，本實施形態之面發光雷 射5 0 〇之絕緣層5 1 2之平面形狀係以柱狀部5 1 〇爲 中心呈轉動兩次對稱，與第1實施形態之面發光雷射 100不相同。具體上是，在面發光雷射500，絕緣層 5 1 2之平面形狀係成Η字形狀，柱狀部4 1 0係形成在 相當於Η字之「Η」之橫桿之中心部分。 (裝置之製造程序） 第5實施形態之面發光雷射5 0 0之製造方法是，將 絕緣層5 1 2之平面形狀形成爲Η字形狀後，再將柱狀部 5 1 0形成在相當於Η字之「Η」之橫桿之中心部分，除 了這一點以外，其餘則基本上與第1實施形態之面發光雷 射1 0 0之製造方法相同。因此，說明從略。 (裝置之動作，作用及效果） 本實施形態之面發光雷射5 0 0之動作與第1〜4實 施形態之面發光雷射之動作相同。因此，說明從略。 而第5實施形態之作用及效果，與第4實施形態之作 用及效果大致相同，但另具有以下所示之效果。 因爲絕緣層5 1 2之平面形狀係以柱狀部5 1 0爲中 心呈轉動兩次對稱，因此作用於活性層1 〇 5中之一側部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝---I ---訂---------線， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463 435 A7 B7 五、發明說明（25) 分之應力，與作用於活性層1 0 5中之相反側部分之應力 ，其大小相同且方向是1 8 0度相反。因此，以通過中心 5 3 Cl·相互垂直相交之軸爲X軸及y軸時，平行於y軸之 方向之應力相對的較X軸大，可以更明確控制作用於活性 層1 0 5之應力之異方性。藉上述，可以更嚴密（本實施 形態時爲X軸方向）控制雷射光之偏光。 (第6實施形態） 第1 8圖係以模式方式表示，從面對雷射光之射出口 之一側所視之本發明第6實施形態之面發光型半導體雷射 陣列6 0 0 (以後簡稱「面發光雷射陣列」）之平面主要 部分之圖。 第6實施形態之面發光型半導體雷射陣列6 0 0係如 第1 8圖所示，排列多個第1 3圖所示之第4實施形態之 面發光雷射4 0 0 >將其陣列化而成。並與第4實施形態 之面發光雷射4 0 0同樣，在共振器（未圖示）周邊設溝 (未圖示），在上述溝埋設絕緣層6 1 2，藉由此絕緣層 6 1 2絕緣相鄰接之面發光雷射4 0 0。 (裝置之製造程序） 第6實施形態之面發光雷射陣列6 0 0之製造方法， 基本上與第1實施形態之面發光雷射4 0 0之製造方法相 同，係排列多個面發光雷射4 0 0而形成。因此其說明從 略。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氣---丨_! —訂·----J!線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463435 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（20) (裝置之動作，作用及效果） 第6實施形態之面發光雷射陣列6 0 〇之動作與第1 〜5實施形態之面發光雷射之動作相同。因此’說明從略 〇 而第6實施形態之作用及效果，與第4實施形態之作 用及效果大致相同，但另具有以下所示之效果。 形成面發光雷射陣列6 0 0時，可以在同一製程一次 設置多數個面發光雷射4 0 0。而且以一定數目、一定之 排列形成面發光雷射4 0 0，便可以獲得依用途或目的之 面發光雷射陣列6 0 0。 再者，在上述之第1〜6實施形態，對調各半導體層 之Ρ型及η型仍在本發明之主旨範圍內。在上述第1〜6 實施形態，係說明A 1 G a A s系列，但也可以對應其振 盪波長使用其他材料系列，例如，G a I η P系列、 ZnSSe系列、InDaN系列之半導體材料。 同時，上述面發光雷射之驅動方法只是一個例子，只 要不脫離本發明之主旨範圍，仍可以做各種變更。同時， 上述實施形態係表不有一個柱狀部之面發光雷射，但在基 板面上配設多數個柱狀部，本發明之形態也不會受損。 圖式之簡單說明 _ 第1圖係以模式方式表示本發明第1實施形態之面發 光型雷射之截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i ------ίι···ν*-------訂---------. / (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463435 A7 _ B7 五、發明說明（27) 第2圖係以模式方式表示，從面對雷射光之射出口之 一側所視之第1圖所示面發光型雷射之平面主要部分之圖 0 第3圖係以模式方式表示，沿B-B截面切斷第2圖所 示面發光型半導體雷射時之截面圖。 第4圖係以模式方式表示，本發明第1實施形態之面 發光型半導體雷射之製造方法之第1製程之截面圖。 第5圖係以模式方式表示，本發明第1實施形態之面 發光型半導體雷射之製造方法之第2製程之截面圖。 第6圖係以模式方式表示，本發明第1實施髟態之面 發光型半導體雷射之製造方法之第3製程之截面圖。 第7圖係以模式方式表示，本發明第1實施形態之面 發光型半導體雷射之製造方法之第4製程之截面圖。 第8圖係以模式方式表示，本發明第1實施形態之面 發光型半導體雷射之製造方法之第5製程之截面圖。 第9圖係以模式方式表示，從面對雷射光之射出口之 —側所視之本發明第2實施形態之發光型半導體雷射之平 面主要部分之圖。 第1 0圖係以模式方式表示，本發明第3實施形態之 面發光型半導體雷射之主要部分平面圖。 第1 1圖係以模式方式表示，沿C-C截面切斷第1 0 圖所示面發光型半導體雷射時之截面圖。 第1 2圖係以模式方式表示，沿D-D截面切斷第1 0 圖所示面發光型半導體雷射時之截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i ------— II ^ i I -----訂-- - -----線') (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 3 43 5 A7 _ _ B7 五、發明說明（28) 第1 3圖係以模式方式表示，本發明第4實施形態之 面發光型半導體雷射之主要部分平面圖。 第1 4圖係以模式方式表示，沿E -E截面切斷第1 3 圖所示面發光型半導體雷射時之截面圖。 第1 5圖係以模式方式表示，沿F-F截面切斷第1 3 圖所示面發光型半導體雷射時之截面圖。 第1 6圖係以模式方式表示，本發明第5實施形態之 面發光型半導體雷射之主要部分平面圖。 第1 7圖係以模式方式表示，沿G-G截面切斷第1 6 圖所示面發光型半導體雷射時之截面圖。 第1 8圖係以模式方式表示，本發明第6實施形態之 面發光型半導體雷射陣列之截面圖。 主要元件對照表 100、200'30〇、400、500:面發光 型半導體雷射 1 ◦ 1 :半導體基板 1 0 2 :緩衝層 1 0 3 :下部鏡片 104: η型包覆層 1 0 5 :活性層 106:ρ型包覆層 1 0 7 :電流狹窄層 1 0 8 :上部鏡片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------1訂--------線、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 3 43 5 A7 _B7__ 五、發明說明（29) 1 0 9 :接觸層 1 1 0、2 1 0、3 1 0、4 1 0、5 1 0 :柱狀部 -—i CM 一—ΐ I—Η 1-1 1-{ 2 I—Η 4 ' 2 ΊΧ 3 0 體 2 綠 1 絕 2 2 1-_ 5 層 緣 絕
4 τ—ι 1—I 極 極 電層電部 部緣部口 上絕下開 4 7 2 3 ο 2 5 4 ΤΧ 7 〇 2 溝 5 ο 3 -—ι 〇 3 4 ο 3 3 ο 3 2 器 ο 振 3 共 5 心 中 J---^---------： ---- (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) ο 〇 5 〇 ^—16 歹 射 雷 體 層導 積半 堆型 體光 導發 半面 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公1 ) 32

Claims (1)

  1. 4 6 3 43 5 A8 B8 C8 D8
    供請委員明示，本案修正後是否變更康♦質内_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範園 第89 128035號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 0年4月修正 1 · 一種面發光型半導體雷射，係共振器形成在半導 體基板上之垂直方向，從該共振器向該半導體基板之垂直 方向射出雷射光之面發光型半導體雷射，至少包含有， 包含上述共振器之一部分之柱狀之半導體堆積體，以 及， 接觸形成在上述半導體堆積體之外側面之絕緣層， 上述絕緣層具有起因於其平面形狀之異方的應力，藉 該異方的應力控制雷射光之偏光方向。 2.如申請專利範圍第1項之面發光型半導體雷射， 通過上述半導體堆積體上面之中心，相互垂直相交之 軸爲X軸及y軸時， 上述異方的應力包含X軸方向之應力及y軸方向之應 力，該X軸方向之應力及y軸方向之應力具有不同之大小 3 .如申請專利範圍第1項之面發光型半導體雷射， 通過上述半導體堆積體上面之中心，相互垂直相交之 軸爲X軸及y軸時， 上述絕緣層之平面形狀被形成爲， 從上述中心至上述X軸與上述絕緣層外側面之第1交 點之距離， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X297公釐） (請先閱讀.背而之注意事項%成寫本頁) 裝. 訂 463435 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 與從上述中心至上述y軸與上述絕緣層外側面之第2 交點之距離不相同。 4 . 一種面發光型半導體雷射，係共振器形成在半導 體基板上之垂直方向，從該共振器向該半導體基板之垂直 方向射出雷射光之面發光型半導體雷射，至少包含有， 包含上述共振器之一部分之柱狀之半導體堆積體，以 及， 接觸形成在上述半導體堆積體之外側面之絕緣層， 通過上述半導體堆積體上面之中心，相互垂直相交之 軸爲X軸及y軸時1 上述絕緣層之平面形狀被形成爲， 從上述中心至上述X軸與上述絕緣層外側面之第1交 點之距離， 與從上述中心至上述y軸舆上述絕緣層外側面之第2 交點之距離不相同。 5.如申請專利範圍第1〜4項中任一項之面發光型 半導體雷射， 通過上述半導體堆積體上面之中心，相互垂直相交之 軸爲X軸及y軸時， 上述絕緣層之平面形狀，係對上述X軸及上述y軸中 之至少一方爲線對稱。 6 _如申請專利範圍第1〜4項中任一項之面發光型 半導體雷射， 上述絕綠層之平面形狀，係以上述半導體堆積體爲中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）.2 (請先閲讀背面之注意事項再赛寫4頁) •裝· iT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 463435 六、申請專利範圍 心，成旋轉兩次對稱。 7 _如申請專利範圍第1〜4項中任一項之面發光型 半導體雷射， 上述絕緣層係以埋設方式形成。 8.如申請專利範圍第1〜4項中任一項之面發光型 半導體雷射， 上述絕緣層係由聚亞胺系樹脂、丙烯系樹脂或環氧系 樹脂形成。 9 . 一種面發光型半導體雷射陣列，其特徵係經由並 排多數個申請專利範圍第1〜4項中任一項之面發光型半 導體雷射而形成者。 (讀先閱讀背面之注意事項存填寫本買) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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