JP2008060306A - 面発光レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板と、前記基板上に積層された第1の反射鏡、該第1の反射鏡上に積層された発光層、該発光層上に積層された第2の反射鏡とを含んでなる積層部と、前記積層部の積層面内における所定の領域を除く領域に、前記積層面内において周期的に二次元配列され、積層方向に設けられた複数の空孔とを有し、前記所定の領域を挟んで対向する一対の空孔の大きさ又は形状が、他の空孔の大きさ又は形状と異なることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
以下、図面に基づいて本発明の第1の実施形態例について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態例による面発光レーザの上面図、図2は断面斜視図である。
図4は、本発明の第2の実施形態例による面発光レーザの上面図、図5は断面斜視図である。
図6は、本発明の第3の実施形態例による面発光レーザの上面図、図7は断面斜視図である。本第3の実施形態例は、第1の実施形態例と同様、発振波長850nmで使用されるフォトニック結晶面発光レーザであり、円孔の配列が異なる点を除き、構成及び製造方法は同じである。
図9は、本発明の第4の実施形態例による面発光レーザの上面図、図10は断面斜視図である。本第4の実施形態例は、第2の実施形態例と同様、発振波長1300nmで使用されるフォトニック結晶面発光レーザであり、円孔の配列が異なる点を除き、構成及び製造方法は同じである。
上記第1乃至第4の実施形態例においては、2次元的に周期配列された複数の円孔のうち、特定の位置にある円孔の径を他の円孔の径と異ならしめることによって、存在可能な偏波モードを2つとし、かつ、この2つのうちの一方の偏波モードの受ける損失が他の偏波モードのうける損失よりも小さくなるようにした。
図13は、本第5の実施形態例に係る面発光レーザの上面図である。上記第1乃至第5の実施形態例では、複数の空孔は、円孔であった。これに対し、本第6の実施形態例では、図13に示すように、正方形の複数の空孔が、x軸及びy軸の方向に正方格子配列されている。そして、本実施形態例では、正方形の空孔の各辺が、x軸又はy軸と平行である。任意の一の空孔608iの対向する2辺(ai,ci)及び(bi,di)が他の空孔608jの対応する対向する2辺(aj,cj)及び(bj,dj)と平行となるように配列されている。そして、点欠陥部609を挟んで対向する一対の空孔の大きさが、他の空孔の大きさよりも大きくなっている。
2 下部反射鏡
3 発光層
4 上部反射鏡
5 上部電極
6 下部電極
7 AlAs層
7a 絶縁領域
8 円孔
9 点欠陥部
10 面発光レーザ
11 積層部
100 面発光レーザ
101 GaAs基板
102 下部反射鏡
103 発光層
104 上部反射鏡
105 上部電極
106 下部電極
107 AlAs層
107a 絶縁領域
108 円孔
109 点欠陥部
120 柱状層構造
200 面発光レーザ
201 GaAs基板
202 下部反射鏡
203 発光層
204 上部反射鏡
205 上部電極
206 下部電極
207a 高抵抗領域
208 円孔
209 点欠陥部
220 柱状層構造
300 面発光レーザ
301 GaAs基板
302 下部反射鏡
303 発光層
304 上部反射鏡
305 上部電極
306 下部電極
307 AlAs層
307a 絶縁領域
308 円孔
309 点欠陥部
320 柱状層構造
400 面発光レーザ
401 GaAs基板
402 下部反射鏡
403 発光層
404 上部反射鏡
405 上部電極
406 下部電極
407a 高抵抗領域
408 円孔
409 点欠陥部
420 柱状層構造
500 面発光レーザ
501 GaAs基板
502 下部反射鏡
503 発光層
504 上部反射鏡
505 上部電極
506 下部電極
507 AlAs層
507a 絶縁領域
508 円孔
509 点欠陥部
511 損失媒体(ポリイミド)
520 柱状層構造
600 面発光レーザ
605 上部電極
608 空孔(正方形の孔)
609 点欠陥部
620 柱状層構造
C 中心軸
L1 点欠陥部の中心を通る直線
L0,L45,L60,L120,L135 点欠陥部の中心を通る半直線
Claims (14)
- 基板と、
前記基板上に積層された第1の反射鏡、該第1の反射鏡上に積層された発光層、該発光層上に積層された第2の反射鏡とを含んでなる積層部と、
前記積層部の積層面内における所定の領域を除く領域に、前記積層面内において周期的に二次元配列され、積層方向に設けられた複数の空孔とを有し、
前記所定の領域を挟んで対向する一対の空孔の大きさ又は形状が、他の空孔の大きさ又は形状と異なることを特徴とする面発光レーザ。 - 基板と、
前記基板上に積層された第1の反射鏡、該第1の反射鏡上に積層された発光層、該発光層上に積層された第2の反射鏡とを含んでなる積層部と、
前記積層部の積層面内における所定の領域を除く領域に、前記積層面内において周期的に二次元配列され、積層方向に設けられた複数の空孔とを有し、
前記所定の領域の中心を通り前記積層面内に伸びる一の直線上に中心が位置する空孔の大きさ又は形状が、他の空孔の大きさ又は形状と異なっていることを特徴とする面発光レーザ。 - 基板と、
前記基板上に積層された第1の反射鏡、該第1の反射鏡上に積層された発光層、該発光層上に積層された第2の反射鏡とを含んでなる積層部と、
前記積層部の積層面内における所定の領域を除く領域に、前記積層面内において周期的に二次元配列され、積層方向に設けられた複数の空孔とを有し、
前記所定の領域の中心を一端として前記積層面内に伸びる一の半直線と、中心と前記所定の領域の中心を結ぶ線分のなす角度が所定範囲内にある空孔の大きさ又は形状が、他の空孔の大きさ又は形状と異なることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記複数の空孔は、前記積層面内において三角格子状に配列されており、
前記一の半直線と、中心と前記所定の領域の中心を結ぶ線分のなす角度が60度以上120度以下の範囲内にある空孔の大きさ又は形状が、他の空孔の大きさ又は形状と異なることを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ。 - 前記複数の空孔は、前記積層面内において正方格子状に配列されており、
前記一の半直線と、中心と前記所定の領域の中心を結ぶ線分のなす角度が45度以上135度以下の範囲内にある空孔の大きさ又は形状が、他の空孔の大きさ又は形状と異なることを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ。 - 基板と、
前記基板上に積層された第1の反射鏡、該第1の反射鏡上に積層された発光層、該発光層上に積層された第2の反射鏡とを含んでなる積層部と、
前記積層部の積層面内における所定の領域を除く領域に、前記積層面内において周期的に二次元配列され、積層方向に設けられた複数の空孔とを有し、
前記所定の領域を挟んで対向する一対の空孔内に、発振するレーザ光に対して損失を与える損失媒体が充填されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 基板と、
前記基板上に積層された第1の反射鏡、該第1の反射鏡上に積層された発光層、該発光層上に積層された第2の反射鏡とを含んでなる積層部と、
前記積層部の積層面内における所定の領域を除く領域に、前記積層面内において周期的に二次元配列され、積層方向に設けられた複数の空孔とを有し、
前記所定の領域の中心を通り前記積層面内に伸びる一の直線上に中心が位置する空孔内に、発振するレーザ光に対して損失を与える損失媒体が充填されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 基板と、
前記基板上に積層された第1の反射鏡、該第1の反射鏡上に積層された発光層、該発光層上に積層された第2の反射鏡とを含んでなる積層部と、
前記積層部の積層面内における所定の領域を除く領域に、前記積層面内において周期的に二次元配列され、積層方向に設けられた複数の空孔とを有し、
前記所定の領域の中心を一端として前記積層面内に伸びる一の半直線と、中心と前記所定の領域の中心を結ぶ線分のなす角度が所定範囲内にある空孔内に、発振するレーザ光に対して損失を与える損失媒体が充填されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記複数の空孔は、前記積層面内において三角格子状に配列されており、
前記一の半直線と、中心と前記所定の領域の中心を結ぶ線分のなす角度が60度以上120度以下の範囲内にある空孔内に、発振するレーザ光に対して損失を与える損失媒体が充填されていることを特徴とする請求項8に記載の面発光レーザ。 - 前記複数の空孔は、前記積層面内において正方格子状に配列されており、
前記一の半直線と、中心と前記所定の領域の中心を結ぶ線分のなす角度が45度以上135度以下の範囲内にある空孔内に、発振するレーザ光に対して損失を与える損失媒体が充填されていることを特徴とする請求項8に記載の面発光レーザ。 - 前記損失媒体はポリイミドであることを特徴とする請求項6乃至10のいずれか1つに記載の面発光レーザ。
- 前記複数の空孔は、円孔であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1つに記載の面発光レーザ。
- 前記複数の空孔は、対向する2辺が他の空孔の対応する対向する2辺と平行となるように配列された正方形の孔であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1つに記載の面発光レーザ。
- 基板と、
前記基板上に積層された第1の反射鏡、該第1の反射鏡上に積層された発光層、該発光層上に積層された第2の反射鏡とを含んでなる積層部と、
前記積層部の積層面内における所定の領域を除く領域に、前記積層面内において周期的に二次元配列され、積層方向に設けられた複数の空孔とを有し、
前記所定の領域の中心を通り前記積層部の積層方向に伸びる軸を中心軸とする空孔配列パターンの回転対称性によって決まる存在可能な複数の偏波モードのうち、一つの偏波モードの損失が他の偏波モードの損失よりも小さいことを特徴とする面発光レーザ。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246194A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光半導体レーザ素子 |
JP2013518429A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-05-20 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | マルチモード垂直共振器面発光レーザアレイ |
WO2014136943A1 (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 国立大学法人京都大学 | レーザ装置 |
KR20240024607A (ko) * | 2022-08-17 | 2024-02-26 | 주식회사 옵토웰 | 방열홀을 포함하는 반도체 레이저 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170508A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 |
JP5047258B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 二次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP2017168577A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 住友電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザを作製する方法 |
CN109167255A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-01-08 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种面发射激光器、面发射激光器阵列及光学扫描装置 |
GB2603802A (en) * | 2021-02-15 | 2022-08-17 | Ams Sensors Asia Pte Ltd | Meta-optics integrated on VCSELs |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003023193A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Japan Science & Technology Corp | 二次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP2005268809A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Lumileds Lighting Us Llc | 面内発光層を含む半導体発光素子 |
JP2005353623A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ及び光伝送システム |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001281480A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Nec Corp | フォトニック結晶光導波路と方向性結合器 |
US20030185500A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-02 | Fells Julian A. | Optical transmission systems |
JP2004030964A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置、光通信用装置及び光通信システム |
US7085301B2 (en) * | 2002-07-12 | 2006-08-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Photonic crystal single transverse mode defect structure for vertical cavity surface emitting laser |
US6754913B2 (en) * | 2002-11-13 | 2004-06-29 | Wilhelm Andreas Haberkorn | Sanitary cleansing apparatus and process |
US7280730B2 (en) * | 2004-01-16 | 2007-10-09 | Imra America, Inc. | Large core holey fibers |
US20070030873A1 (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Finisar Corporation | Polarization control in VCSELs using photonics crystals |
-
2006
- 2006-08-31 JP JP2006235155A patent/JP5224310B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
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-
2008
- 2008-12-23 US US12/342,351 patent/US20090168829A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003023193A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Japan Science & Technology Corp | 二次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP2005268809A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Lumileds Lighting Us Llc | 面内発光層を含む半導体発光素子 |
JP2005353623A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ及び光伝送システム |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246194A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光半導体レーザ素子 |
JP2013518429A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-05-20 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | マルチモード垂直共振器面発光レーザアレイ |
WO2014136943A1 (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | 国立大学法人京都大学 | レーザ装置 |
JP2014175488A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Kyoto Univ | レーザ装置 |
US9698562B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-07-04 | Kyoto University | Laser device |
KR20240024607A (ko) * | 2022-08-17 | 2024-02-26 | 주식회사 옵토웰 | 방열홀을 포함하는 반도체 레이저 및 그 제조 방법 |
KR102680827B1 (ko) * | 2022-08-17 | 2024-07-04 | 주식회사 옵토웰 | 방열홀을 포함하는 반도체 레이저 및 그 제조 방법 |
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